WO2021029007A1

WO2021029007A1 - 発光素子及び発光装置

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Publication number: WO2021029007A1
Application number: PCT/JP2019/031807
Authority: WO
Inventors: 賢治木本
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2019-08-13
Filing date: 2019-08-13
Publication date: 2021-02-18
Also published as: US20220328785A1

Abstract

発光素子（５Ｒ）は、アノードである第１電極（２２）と、カソードである第２電極（２５）と、第１電極（２２）と第２電極（２５）との間に設けられた第１波長領域の発光層（２４ｃ）と、第１電極（２２）及び第２電極（２５）の何れか一方である第１電極（２２）と第１波長領域の発光層（２４ｃ）との間に設けられた酸化物層（１２４ａ）と、酸化物層（１２４ａ）と第２電極（２５）との間に設けられ、酸化物層（１２４ａ）に接する酸化物層（１２４ｂ）とを備え、酸化物層（１２４ａ）および酸化物層（１２４ｂ）のうち、第１波長領域の発光層（２４ｃ）から遠い層は、半導体からなり、酸化物層（１２４ｂ）中の酸素原子密度は、酸化物層（１２４ａ）中の酸素原子密度より小さい。

Description

発光素子及び発光装置

　本開示は、発光素子と、発光素子を備えた、表示装置や照明装置などの発光装置とに関する。

　近年、さまざまな表示デバイスが開発されており、特に、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた表示デバイスや、無機発光ダイオードまたはＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた表示デバイスは、低消費電力化、薄型化および高画質化などを実現できる点から、高い注目を浴びている。

　しかしながら、ＯＬＥＤやＱＬＥＤなどの発光素子においては、下記で説明する理由から、発光層への正孔注入、および、発光層への電子注入の、少なくとも一方が、効率的には起こりにくいため、発光効率が悪くなりやすいという問題がある。

　図１９は、ＯＬＥＤやＱＬＥＤなどの従来の発光素子２０１において、正孔注入や電子注入が起こりにくい理由を説明するためのエネルギーバンド図である。

　図１９に図示するように、発光素子２０１は、第１電極（Hole Injection Layer：陽極（アノード電極））と第２電極（Electron Injection Layer：陰極（カソード電極））とを備えている。前記第１電極と前記第２電極との間には、前記第１電極側から、正孔輸送層（Hole Transport Layer）２０２と、発光層２０３と、電子輸送層（Electron Transport Layer）２０４とが、順に積層されている。

　発光素子２０１において、正孔輸送層２０２から発光層２０３への正孔注入障壁Ｅｈの高さは、正孔輸送層２０２の価電子帯（ＨＴＬ価電子帯）の上端と、発光層２０３の価電子帯の上端とのエネルギー差である。

　また、発光素子２０１において、電子輸送層２０４から発光層２０３への電子注入障壁Ｅｅの高さは、発光層２０３の伝導帯の下端と、電子輸送層２０４の伝導帯（ＥＴＬ伝導帯）の下端とのエネルギー差である。

　しかし、発光層２０３を構成するＯＬＥＤ用発光材料またはＱＬＥＤ用発光材料と、正孔輸送層２０２の材料と、電子輸送層２０４とにおいては、長期信頼性が確保された材料の数が少なく、その材料の選択肢が限られるのが現状である。

　このように数少ない材料の中から、正孔輸送層２０２の材料と発光層２０３の材料と電子輸送層２０４の材料とを選択した場合、一般的に、正孔注入障壁Ｅｈの高さ及び電子注入障壁Ｅｅの高さの少なくとも一方が大きくなるため、正孔輸送層２０２から発光層２０３への正孔注入、および、電子輸送層２０４から発光層２０３への電子注入の、少なくとも一方を効率的に行うのが困難となる。

　特許文献１には、正孔輸送層に接する面と電子輸送層に接する面とが互いに異なる有機リガンド分布を有する発光層を形成することで、発光層のバンドレベルを調節できることについて記載されている。具体的には、正孔輸送層の価電子帯レベルと発光層の価電子帯レベルとのエネルギー差を小さくできるように、発光層のバンドレベルを調節することで、ターンオン電圧及び駆動電圧が低く、輝度及び発光効率に優れた発光素子を実現できると記載されている。

日本国公開特許公報「特開２０１０‐１１４０７９」公報（２０１０年０５月２０日公開）

　しかしながら、特許文献１に記載されているように、バンドレベル調節していない発光層とバンドレベル調節した発光層とのイオン化ポテンシャルの差が小さく、正孔注入障壁Ｅｈの高さを満足できる程に下げることはできない。また、同様に、特許文献１に記載されているバンドレベル調節を行っても、電子注入障壁Ｅｅの高さを十分に下げることはできない。従って、依然として、効率的な正孔注入や電子注入が起こりにくいため、発光素子として、発光効率が悪いという問題がある。

　本発明の一態様は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、高い発光効率を実現した発光素子と、発光装置とを提供することを目的とする。

　本発明の発光素子の一態様は、前記の課題を解決するために、
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第１電極及び前記第２電極の何れか一方と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層のうち、前記発光層から遠い層は、半導体からなり、
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さい。

　本発明の発光素子の一態様は、前記の課題を解決するために、
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第１電極と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記発光層との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　前記第１酸化物層は、酸化ニッケル及び銅アルミニウム酸化物中の少なくとも一つを含み、
　前記第２酸化物層は、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む。

　本発明の発光素子の一態様は、前記の課題を解決するために、
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第２電極と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第１グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第２グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第３グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第４グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第５グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化チタンを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第１グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化スズを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第２グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化ストロンチウムチタンを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第３グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化インジウムを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第４グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化亜鉛を含む場合には、前記第１酸化物層が前記第５グループの酸化物である。

　本発明の発光装置の一態様は、前記の課題を解決するために、前記発光素子を備えている。

　本発明の一態様によれば、高い発光効率を実現した発光素子と、発光装置とを提供できる。

実施形態１の発光素子を含む表示装置の概略構成を示す図である。実施形態１の発光素子の概略構成を示す図である。（ａ）は、比較例である発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、（ｂ）は、実施形態１の発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。（ａ）は、図３の（ｂ）に図示した酸化物層間の界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図であり、（ｂ）は、図３の（ｂ）に図示した酸化物層間の界面において、酸素原子の移動により電気双極子が形成された状態を示す図である。（ａ）は、一般的な正孔輸送層を構成する無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図であり、（ｂ）は、代表的な無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図である。酸化物層（ＨＴＬ）として、図５の（ａ）に図示した一般的な正孔輸送層を構成する無機酸化物の一例から選択可能な材料と、酸化物層（ＨＴＬ）と第１波長領域の発光層との間の酸化物層として、図５の（ｂ）に図示した代表的な無機酸化物の一例から選択可能な材料とを示す図である。（ａ）は、実施形態２の発光素子の概略構成を示す図であり、（ｂ）は、実施形態２の他の発光素子の概略構成を示す図である。実施形態３の発光素子の概略構成を示す図である。実施形態４の発光素子の概略構成を示す図である。（ａ）は、実施形態５の発光素子の概略構成を示す図であり、（ｂ）は、実施形態５の他の発光素子の概略構成を示す図である。（ａ）は、比較例である発光素子における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、（ｂ）は、実施形態５の発光素子における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。（ａ）は、図１１の（ｂ）に図示した酸化物層間の界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図であり、（ｂ）は、図１１の（ｂ）に図示した酸化物層間の界面において、酸素原子の移動により電気双極子が形成された状態を示す図である。（ａ）は、一般的な電子輸送層を構成する無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図であり、（ｂ）は、代表的な無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図である。酸化物層（ＥＴＬ）として、図１３の（ａ）に図示した一般的な電子輸送層を構成する無機酸化物の一例から選択可能な材料と、酸化物層（ＥＴＬ）と第１波長領域の発光層との間の酸化物層として、図１３の（ｂ）に図示した代表的な無機酸化物の一例から選択可能な材料とを示す図である。（ａ）は、実施形態６の発光素子の概略構成を示す図であり、（ｂ）は、実施形態６の他の発光素子の概略構成を示す図である。実施形態７の発光素子の概略構成を示す図である。実施形態８の発光素子の概略構成を示す図である。実施形態９の発光素子の概略構成を示す図である。従来の発光素子において、正孔注入または電子注入が起こりにくい理由を説明するためのエネルギーバンド図である。

　本開示の実施の形態について図１から図１８に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。

　以下の本開示の実施の形態においては、基板上に発光素子を備えた発光装置として、基板上に複数の発光素子を備えた表示装置を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、基板上に１つ以上の発光素子を備えた照明装置などであってもよい。

　〔実施形態１〕
　図２は、実施形態１の発光素子５Ｒの概略構成を示す図である。

　図２に図示しているように、発光素子５Ｒは、第１電極（正孔注入層：ＨＩＬ）２２と、第２電極（電子注入層、ＥＩＬ）２５と、第１電極２２と第２電極２５との間に備えられた第１波長領域の発光層２４ｃとを含む。つまり、第１電極２２はアノードであり、第２電極２５はカソードである。第１電極２２と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、第１電極２２側から、酸化物層（正孔輸送層（ＨＴＬ）、第１酸化物層）１２４ａと、酸化物層（第２酸化物層）１２４ｂとが、順に積層されており、後述するように、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度より小さい。第１波長領域の発光層２４ｃと第２電極２５との間には、電子輸送層（ＥＴＬ）２４ｄが備えられている。

　図４の（ａ）は、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとの界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図であり、図４の（ｂ）は、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとの界面において、酸素原子の移動により電気双極子１が形成された状態を示す図である。

　図４の（ａ）に図示するように、酸化物層１２４ｂの酸素原子密度は、酸化物層１２４ａの酸素原子密度よりも小さいので、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとが接するように形成されると、その界面において、酸化物層１２４ａから酸化物層１２４ｂ方向への酸素原子の移動が起こりやすくなる。酸素原子の移動が起こると酸素空孔がプラスに、移動した酸素原子がマイナスに帯電する。

　これにより、図４の（ｂ）に図示するように、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとの界面においては、酸化物層１２４ｂから酸化物層１２４ａ方向に向く成分の双極子モーメントを含む電気双極子１が生じる。

　なお、酸化物層１２４ａは、無機酸化物からなることが好ましい。この場合、発光素子としての長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光素子の発光効率が改善される。また、酸化物層１２４ｂは、無機酸化物からなることが好ましい。この場合、発光素子としての長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光素子の発光効率が改善される。また、酸化物層１２４ｂは、絶縁体からなることが好ましい。すなわち、第１酸化物層（酸化物層１２４ａ）および第２酸化物層（酸化物層１２４ｂ）のうち、発光層（第１波長領域の発光層２４ｃ）に近い層は絶縁体からなることが好ましい。この場合、発光素子の発光効率が改善される。

　図１は、発光素子５Ｒを含む表示装置２の概略構成を示す図である。

　図１に図示しているように、表示装置２における基板１０の一方側の面上には、樹脂層１２と、バリア層３と、ＴＦＴ層４と、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂと、封止層６とが積層されている。なお、本明細書においては、図１の基板１０から発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂへの方向を「上方向」、発光層５Ｒ・５Ｇ・５Ｂから基板１０への方向を「下方向」として記載する。別の言い方をすると、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。すなわち、相対的に、基板１０により近い方の層が下層であり、基板１０からより遠い方の層が上層である。

　基板１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やガラス基板等を挙げることができるが、これに限定されることはない。本実施形態においては、表示装置２をフレキシブル表示装置とするため、基板１０の材料として、ＰＥＴを用いたが、表示装置２を非フレキシブル表示装置とする場合には、ガラス基板などを用いればよい。

　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができるが、これに限定されることはない。本実施形態においては、支持基板（図示せず）越しに樹脂層１２にレーザ光を照射して支持基板（図示せず）及び樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板（図示せず）を樹脂層１２から剥離し（Ｌａｓｅｒ　Ｌｉｆｔ　Ｏｆｆ工程（ＬＬＯ工程））、樹脂層１２における支持基板（図示せず）を剥離した面にＰＥＴからなる基板１０を貼り合せることで、表示装置２をフレキシブル表示装置としている。しかしながら、表示装置２を非フレキシブル表示装置とする場合または、ＬＬＯ工程以外の方法で表示装置２をフレキシブル表示装置とする場合などには、樹脂層１２は必要ではない。

　バリア層３は、表示装置２の使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂに到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース・ドレイン電極を含むソース・ドレイン配線ＳＨと、ソース・ドレイン配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含む。

　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、ゲート電極ＧＥ、無機絶縁膜１８、無機絶縁膜２０及びソース・ドレイン配線ＳＨを含むように、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ素子Ｔｒ（ＴＦＴ素子）が構成される。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図１では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。

　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース・ドレイン配線ＳＨ、配線、及び端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜あるいは酸窒化シリコン膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。

　平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　図２においては、表示装置２が備える発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ中、一例として、発光素子５Ｒの概略構成についてのみ図示したが、図１に図示しているように、表示装置２は、発光素子５Ｒの他に発光素子５Ｇ及び発光素子５Ｂも備えている。発光素子５Ｇは、発光層として、第２波長領域の発光層２４ｃ’を備えている点以外は、発光素子５Ｒと同じ構成であり、発光素子５Ｂは、発光層として、第３波長領域の発光層２４ｃ’’を備えている点以外は、発光素子５Ｒと同じ構成である。

　本実施形態においては、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂが、同じ酸化物層１２４ａと、同じ酸化物層１２４ｂと、同じ電子輸送層２４ｄとを備えている場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、発光素子５Ｒが備える酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａと、発光素子５Ｇが備える酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａと、発光素子５Ｂが備える酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａとは、互いに異なる３種類の酸化物層（ＨＴＬ）であってもよく、異なる２種類の酸化物層（ＨＴＬ）であってもよい。また、発光素子５Ｒが備える酸化物層１２４ｂと、発光素子５Ｇが備える酸化物層１２４ｂと、発光素子５Ｂが備える酸化物層１２４ｂとは、互いに異なる３種類の第２酸化物層であってもよく、異なる２種類の第２酸化物層であってもよい。また、発光素子５Ｒが備える電子輸送層（ＥＴＬ）２４ｄと、発光素子５Ｇが備える電子輸送層（ＥＴＬ）２４ｄと、発光素子５Ｂが備える電子輸送層（ＥＴＬ）２４ｄとは、互いに異なる３種類の電子輸送層（ＥＴＬ）であってもよく、異なる２種類の電子輸送層（ＥＴＬ）であってもよい。

　第１波長領域の発光層２４ｃと、第２波長領域の発光層２４ｃ’と、第３波長領域の発光層２４ｃ’’とは、互いに発光する光の中心波長が異なり、本実施形態においては、第１波長領域の発光層２４ｃは赤色を、第２波長領域の発光層２４ｃ’は緑色を、第３波長領域の発光層２４ｃ’’は青色を、それぞれ発光する場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。

　また、本実施形態においては、表示装置２が赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発光する３種類の発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂを備えた場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、それぞれ異なる色の光を発光する２種類以上の発光素子を備えていてもよい。あるいは、表示装置２が備える発光素子は、１種類であってもよい。

　第１波長領域の発光層２４ｃ、第２波長領域の発光層２４ｃ’及び第３波長領域の発光層２４ｃ’’は、量子ドット（ナノ粒子）蛍光体を含む発光層である。以降簡単のため「蛍光体」を省略し、単に量子ドット（ナノ粒子）と表記する。量子ドット（ナノ粒子）の具体的な材料としては、例えば、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ及びＣＩＧＳ／ＺｎＳの何れかを用いることができ、量子ドット（ナノ粒子）の粒径は３～１０ｎｍ程度である。なお、第１波長領域の発光層２４ｃと、第２波長領域の発光層２４ｃ’と、第３波長領域の発光層２４ｃ’’とで、互いに発光する光の中心波長を異なるようにするため、それぞれの発光層において、量子ドット（ナノ粒子）の粒径を異なるようにしてもよく、互いに異なる種類の量子ドット（ナノ粒子）を用いてもよい。

　本実施形態においては、第１波長領域の発光層２４ｃ、第２波長領域の発光層２４ｃ’及び第３波長領域の発光層２４ｃ’’として、量子ドット（ナノ粒子）を含む発光層を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、第１波長領域の発光層２４ｃ、第２波長領域の発光層２４ｃ’及び第３波長領域の発光層２４ｃ’’として、ＯＬＥＤ用の発光材料を用いてもよい。

　図１に図示しているように、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの各々は、第１電極２２と、酸化物層１２４ａと、酸化物層１２４ｂと、第１波長領域の発光層２４ｃ、第２波長領域の発光層２４ｃ’及び第３波長領域の発光層２４ｃ’’の何れか１層と、電子輸送層２４ｄと、第２電極２５とが、この順に、積層された構成となっている。尚、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの各々は、第１電極２２から第２電極２５までの積層順を逆にした構成とすることもできる。この場合、図１において、第１電極２２の位置に第２電極２５が配置され、第２電極２５の位置に第１電極２２が配置される。また、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａ及び電子輸送層２４ｄの材料については後述するが、これら発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａ及び電子輸送層２４ｄは、必ずしも共通の材料ではなく、異なる材料で構成される場合もある。なお、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの各々は、表示装置２のサブピクセルＳＰである。

　第１電極２２のエッジを覆うバンク２３は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　本実施形態においては、ベタ状の共通層として形成した第２電極２５を除いた、第１電極２２と、酸化物層１２４ａと、酸化物層１２４ｂと、第１波長領域の発光層２４ｃと、第２波長領域の発光層２４ｃ’と、第３波長領域の発光層２４ｃ’’と、電子輸送層２４ｄとを、サブピクセルＳＰごとに島状に形成した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。例えば、第１電極２２と、第１波長領域の発光層２４ｃと、第２波長領域の発光層２４ｃ’と、第３波長領域の発光層２４ｃ’’とを除いた、酸化物層１２４ａと、酸化物層１２４ｂと、電子輸送層２４ｄと、第２電極２５とは、ベタ状の共通層として形成してもよい。なお、この場合には、バンク２３を設けなくてもよい。

　また、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの各々においては、電子輸送層２４ｄを形成しない構成としてもよい。

　第１電極２２は導電性材料からなり、正孔輸送層である酸化物層１２４ａに正孔を注入する正孔注入層（ＨＩＬ）の機能を有する。第２電極２５は導電性材料からなり、電子輸送層２４ｄに電子を注入する電子注入層（ＥＩＬ）の機能を有する。

　第１電極２２及び第２電極２５の少なくとも一方は、光透過性材料からなる。なお、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方は、光反射性材料で形成してもよい。表示装置２をトップエミッション型の表示装置とする場合、上層である第２電極２５を光透過性材料で形成し、下層である第１電極２２を光反射性材料で形成する。表示装置２をボトムエミッション型の表示装置とする場合、上層である第２電極２５を光反射性材料で形成し、下層である第１電極２２を光透過性材料で形成する。尚、第１電極２２から第２電極２５までの積層順を逆にする場合は、上層である第１電極２２を光透過性材料で形成し、下層である第２電極２５を光反射性材料で形成することにより、表示装置２をトップエミッション型の表示装置とすることができ、上層である第１電極２２を反射性材料で形成し、下層である第２電極２５を光透過性材料で形成することにより、表示装置２をボトムエミッション型の表示装置とすることができる。

　光透過性材料としては、例えば、透明導電膜材料を用いることができる。具体的には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ、ＡＺＯ（aluminum-doped zinc oxide）、ＢＺＯ(boron-doped zinc oxide)等を用いることができる。これらの材料は可視光の透過率が高いため、発光効率が向上する。

　光反射性材料としては、可視光の反射率の高い材料が好ましく、例えば、金属材料を用いることができる。具体的には、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等を用いることができる。これらの材料は、可視光の反射率が高いため、発光効率が向上する。

　また、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方を、光透過性材料と光反射性材料との積層体とすることで、光反射性を有する電極としてもよい。

　尚、本実施形態においては、表示装置２をトップエミッション型とするため、上層である第２電極２５は光透過性材料で形成し、下層である第１電極２２は光反射性材料で形成した。

　詳しくは、後述するが、図１及び図２に図示する、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度より小さい。この場合、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとの界面において酸素原子が酸化物層１２４ａから酸化物層１２４ｂ方向に移動し、電気双極子が形成されやすくなる。

　本実施形態においては、酸化物層１２４ａとして、例えば、酸化ニッケル及び銅アルミニウム酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物を用いることができる。また、酸化物層１２４ｂとしては、例えば、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物を用いることができる。また、酸化物層１２４ｂは、例えば、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の何れか一つからなっていてもよい。また、酸化物層１２４ｂは、酸素以外の最も多い元素が、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｉ、Ｇｅのうちの何れかである酸化物で形成されていても良い。

　電子輸送層２４ｄは、電子を輸送し、正孔の移動を阻害する層である。電子輸送層２４ｄの材料としては、電子輸送性材料であれば、特に限定されるものではなく、公知の電子輸送性材料を用いることができる。前記電子輸送性材料は、酸化物であってもよく、酸化物以外の材料であってもよい。前記電子輸送性材料としては、例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｒＴｉＯ_３などを用いることができ、ナノ粒子を用いても良い。前記電子輸送性材料としては、例えばｎ型半導体が好ましい。

　図１に図示する、封止層６は透光性であり、第２電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂを覆う封止層６は、水、酸素などの異物の発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂへの浸透を防いでいる。

　第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　図３の（ａ）は、比較例である発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、図３の（ｂ）は、発光素子５Ｒにおける正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。

　図３の（ａ）に図示するように、酸化物層１２４ａと第１波長領域の発光層２４ｃとが直接接する発光素子においては、酸化物層１２４ａの価電子帯（ＨＴＬ価電子帯）の上端と、第１波長領域の発光層２４ｃの価電子帯（発光層価電子帯）の上端とのエネルギー差ΔＥｖが大きく、この差は、正孔注入障壁の高さとなるため、効率的な正孔注入ができない。

　図３の（ｂ）に図示するように、酸化物層１２４ａと第１波長領域の発光層２４ｃとの間に酸化物層１２４ｂを形成した構成の発光素子５Ｒにおいては、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度より小さいので、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとの界面に電気双極子１（酸化物層１２４ｂから酸化物層１２４ａ方向に向く成分の双極子モーメントを含む）が形成される。このように、電気双極子１が形成されると、図３の（ｂ）に示すように、電気双極子１が形成される界面である、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとの界面を境にして、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる。この結果、図３（ｂ）に図示するように、酸化物層１２４ａのバンド位置が第１波長領域の発光層２４ｃのバンド位置に対して下方向に移動する。具体的には、酸化物層１２４ａの伝導帯（ＨＴＬ伝導帯）はＨＴＬ伝導帯’に、酸化物層１２４ａの価電子帯（ＨＴＬ価電子帯）はＨＴＬ価電子帯’に、それぞれ移動する。この移動によって、酸化物層１２４ａのＨＴＬ価電子帯’の上端と、第１波長領域の発光層２４ｃの価電子帯の上端のエネルギー差ΔＥｖ’がΔＥｖより小さくなる。

　発光素子５Ｒにおいて、酸化物層１２４ｂの膜厚が十分に薄い場合、正孔は酸化物層１２４ｂをトンネリングにより伝導できるため、酸化物層１２４ａと第１波長領域の発光層２４ｃとの間の正孔障壁高さは、実効的に酸化物層１２４ａのＨＴＬ価電子帯’の上端と、第１波長領域の発光層２４ｃの価電子帯の上端のエネルギー差ΔＥｖ’となる。したがって、発光素子５Ｒにおいては、酸化物層１２４ｂを形成することにより、酸化物層１２４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入が可能となる。

　酸化物層１２４ｂの膜厚は、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。５ｎｍ以下とすることにより、正孔のトンネリングを効率的に行うことができる。また、０．２ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。更に、０．８ｎｍ以上３ｎｍ未満であることが好ましい。この場合、更に効率的に正孔注入が可能となる。

　酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａは正孔を輸送する層であり、半導体からなる。酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａはｐ型半導体からなることが好ましい。この場合、酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａは、半導体が示すバンドギャップを有し、そのキャリアが正孔である。また、正孔輸送層である酸化物層１２４ａ中のキャリア密度（正孔密度）は１×１０^１５ｃｍ^－３以上であることが好ましい。また、正孔輸送層である酸化物層１２４ａ中のキャリア密度（正孔密度）は３×１０^１７ｃｍ^－３以下であることが好ましい。一方、酸化物層１２４ｂは、酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａが示すバンドギャップより広いバンドギャップを有することが好ましく、酸化物層１２４ｂは、絶縁体からなることがさらに好ましい。本実施形態においては、酸化物層１２４ｂが、絶縁体である場合を一例として説明する。

　図３の（ｂ）に図示しているように、酸化物層１２４ａのイオン化ポテンシャルＩＰ１は、第１波長領域の発光層２４ｃのイオン化ポテンシャルＩＰ２より小さく、酸化物層１２４ｂのイオン化ポテンシャルＩＰ３は、第１波長領域の発光層２４ｃのイオン化ポテンシャルＩＰ２より大きい。

　また、図３の（ｂ）に図示しているように、酸化物層１２４ｂにおける伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差（バンドギャップ）は、酸化物層１２４ａにおけるＨＴＬ伝導帯’の下端とＨＴＬ価電子帯’の上端との間のエネルギー差（バンドギャップ）より大きいので、酸化物層１２４ｂは酸化物層１２４ａよりキャリア密度が小さく、絶縁性が高い。したがって、酸化物層１２４ｂにおいては、トンネリングによる正孔伝導が行われる。以上のように、正孔輸送層である酸化物層１２４ａ中の正孔密度は、酸化物層１２４ｂ中の正孔密度より大きく、正孔は、酸化物層１２４ｂをトンネリングすることにより第１波長領域の発光層２４ｃへと注入される。

　なお、図３の（ｂ）においては、第１波長領域の発光層２４ｃを含む発光素子５Ｒのみを一例に挙げて説明したが、第２波長領域の発光層２４ｃ’を含む発光素子５Ｇ及び第３波長領域の発光層２４ｃ’’を含む発光素子５Ｂについても、第１波長領域の発光層２４ｃを含む発光素子５Ｒと同様に、酸化物層１２４ｂを形成することにより、効率的な正孔注入が可能となる。

　図５の（ａ）は、一般的な正孔輸送層を構成する無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図であり、図５の（ｂ）は、代表的な無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図である。尚、図５の（ａ）に示す無機酸化物は、ｐ型半導体であり、図５の（ｂ）に示す無機酸化物は、絶縁体である。

　図６は、酸化物層１２４ａとして、図５の（ａ）に図示した一般的な正孔輸送層を構成する無機酸化物の一例から選択可能な材料と、酸化物層１２４ｂとして、図５の（ｂ）に図示した代表的な無機酸化物の一例から選択可能な材料とを示す図である。

　本実施の形態においては、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度より小さいので、酸化物層１２４ａとしては、例えば、酸化ニッケル及び銅アルミニウム酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物を用いることができ、酸化物層１２４ｂとしては、例えば、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物を用いることができる。これらの材料からなる酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａは、半導体が示す領域のバンドギャップを有する。

　酸化物層１２４ｂは、酸化ストロンチウム（例えば、ＳｒＯ）、酸化ランタン（例えば、Ｌａ_２Ｏ_３）、酸化イットリウム（例えば、Ｙ_２Ｏ_３）、酸化シリコン（例えば、ＳｉＯ_２）、酸化ゲルマニウム（例えば、ＧｅＯ_２）、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の何れか一つから形成されてもよい。

　また、酸化物層１２４ｂは、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｉ、Ｇｅのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物で形成されてもよい。

　更には、酸化物層１２４ｂは、酸素以外の最も多い元素が、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｉ及びＧｅのうちのいずれかである酸化物で形成されてもよい。

　なお、上述した酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂの組み合わせは、一例であって、酸化物層１２４ｂの酸素原子密度が酸化物層１２４ａの酸素原子密度より小さい限り、これらの組み合わせに限定されることはない。

　酸化物層１２４ｂの酸素原子密度を酸化物層１２４ａの酸素原子密度より小さくすることにより、酸化物層１２４ｂから酸化物層１２４ａ方向に向く成分の双極子モーメントを含む電気双極子１を形成しやすくなり、正孔の注入効率を向上することができる。

　酸化物層１２４ｂから酸化物層１２４ａ方向に向く成分の双極子モーメントを含む電気双極子１（図４の（ｂ）に図示）を形成しやすくし、正孔の注入効率を向上するという観点から、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度の９０％以下であることが好ましく、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度の８０％以下であることがさらに好ましい。更に、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度の７５％以下であることがさらに好ましく、７０％以下であることが更に好ましい。

　また、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａ中の酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。

　なお、本願における酸化物層の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａまたは酸化物層１２４ｂが有する固有の値として、酸化物層１２４ａまたは酸化物層１２４ｂを構成する材料のバルクでの酸素原子密度を適用するものとする。例えば、図５に記載の材料については、図５に記載の酸素原子密度を適用する。尚、複合酸化物の酸素原子密度は、当該複合酸化物に含有される全カチオンについて、各カチオン単独の酸化物の酸素原子密度に、前記複合酸化物中に含まれる全カチオンに対する各カチオンの組成率をそれぞれ乗じて、和をとることによる、加重平均をとることによって求めることができる。

　〔実施形態２〕
　次に、図７に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態の発光素子３５Ｒにおいては、酸化物層（第２酸化物層）１２４ｂと接する酸化物層（第１酸化物層）１２４ａ’の上面は、グレイン（粒）を含む点が、実施形態１とは異なり、本実施形態の発光素子４５Ｒにおいては、酸化物層（第２酸化物層）１２４ｂ’が非晶質であり、酸化物層１２４ｂ’と接する酸化物層（第１酸化物層）１２４ａ’の上面は、グレイン（粒）を含む点が、実施形態１とは異なる。つまり、酸化物層１２４ａ’及び酸化物層１２４ｂ’は、それぞれ、実施形態１の酸化物層１２４ａ及び酸化物層１２４ｂに対応し、それぞれ実施形態１の酸化物層１２４ａ及び酸化物層１２４ｂと同様の材料を用いることができる。尚、説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図７の（ａ）は、発光素子３５Ｒの概略構成を示す図であり、図７の（ｂ）は、発光素子４５Ｒの概略構成を示す図である。

　図７の（ａ）に図示する発光素子３５Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層であり、酸化物層１２４ｂと接する酸化物層１２４ａ’の少なくとも上面の一部が、多結晶化されている。つまり、酸化物層１２４ａ’の上面はグレイン（粒）を含む。このように、酸化物層１２４ａ’の上面がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層１２４ａ’の上面と酸化物層１２４ｂとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができ、発光素子３５Ｒにおいては、酸化物層１２４ａ’から第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入が可能となる。

　図７の（ｂ）に図示する発光素子４５Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層である。そして、酸化物層１２４ｂ’と接する酸化物層１２４ａ’の少なくとも上面の一部は、多結晶化されている。つまり、酸化物層１２４ａ’の上面はグレイン（粒）を含む。酸化物層１２４ｂ’は、非晶質（アモルファス）の酸化物からなる。

　酸化物層１２４ｂ’を非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、酸化物層１２４ｂ’の膜厚均一性を向上できるため、酸化物層１２４ｂ’におけるトンネリングによる正孔伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層１２４ａ’の上面がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層１２４ａ’の上面と酸化物層１２４ｂ’との界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができる。以上から、発光素子４５Ｒにおいては、酸化物層１２４ａ’から第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入が可能となる。

　なお、本実施形態においては、レーザ光を用いて、酸化物層１２４ａ’の上面を含む一部を熱処理することで、酸化物層１２４ａ’の上面を多結晶化したが、これに限定されることはない。酸化物層１２４ｂ・１２４ｂ’の酸素原子密度が、酸化物層１２４ａ’の酸素原子密度より小さい限り、酸化物層１２４ａ’の多結晶化の方法や酸化物層１２４ａ’を構成する多結晶の酸化物の種類は特に限定されない。

　また、本実施形態においては、酸化物層１２４ａ’の上面を多結晶化することによってグレイン（粒）を形成した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用して、酸化物層１２４ａ’の少なくとも上面の一部にグレイン（粒）を形成してもよい。

　また、本実施形態においては、酸化物層１２４ａ’の上面を多結晶化した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、酸化物層１２４ａ’全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。

　また、本実施形態においては、酸化物層１２４ａ’の上面がグレイン（粒）を含む場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、酸化物層１２４ａ’全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。

　なお、酸化物層１２４ａ’の上面において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（ｃｒｙｓｔａｌ　ｇｒａｉｎ）であっても良いし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいても良い。

　実施形態２における上記以外の説明は、実施形態１と同様であるため、ここでは、その説明については省略する。

　〔実施形態３〕
　次に、図８に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態の発光素子５５Ｒにおいては、下層側から上層側方向に、第２電極２５と、電子輸送層２４ｄと、第１波長領域の発光層２４ｃと、酸化物層（第２酸化物層）１２４ｂ’’と、酸化物層（第１酸化物層）１２４ａと、第１電極２２とが、この順に積層されており、酸化物層１２４ｂ’’の少なくとも上面は、グレイン（粒）を含む点において、実施形態１及び２とは異なる。つまり、酸化物層１２４ｂ’’は、実施形態１及び２の酸化物層１２４ｂ及び酸化物層１２４ｂ’に対応し、それぞれ同様の材料を用いることができる。尚、説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図８は、発光素子５５Ｒの概略構成を示す図である。

　図８に図示する発光素子５５Ｒは、光透過性材料で形成された第２電極２５が、光反射性材料で形成された第１電極２２より下層であるので、ボトムエミッション型の表示装置に用いることができる。無論、これに限らず、発光素子５５Ｒにおいては、発光素子５Ｒ同様、第１電極２２及び第２電極２５の少なくとも一方を、光透過性材料で形成しても良く、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方を、光反射性材料で形成してもよい。なお、発光素子５５Ｒを含む表示装置においては、第１電極２２をベタ状の共通層として形成し、薄膜トランジスタ素子Ｔｒ（ＴＦＴ素子）に電気的に接続された第２電極２５をサブピクセルごとに島状に形成している。

　発光素子５５Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層である。そして、酸化物層１２４ａと接する酸化物層１２４ｂ’’の少なくとも上面は、グレイン（粒）を含む。酸化物層１２４ｂ’’において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（crystal grain）であってもよいし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいてもよい。

　本実施形態においては、酸化物層１２４ａと接する酸化物層１２４ｂ’’の上面がグレイン（粒）を含む場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、酸化物層１２４ｂ’’全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。

　なお、本実施形態においては、レーザ光を用いて、酸化物層１２４ｂ’’の上面を含む一部を熱処理することで、酸化物層１２４ｂ’’の少なくとも上面の一部を多結晶化し、酸化物層１２４ｂ’’の上面がグレイン（粒）を含むようにしたが、これに限定されることはない。例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用してグレイン（粒）を形成することもできる。酸化物層１２４ｂ’’の酸素原子密度が、第１酸化物層１２４ａの酸素原子密度より小さい限り、酸化物層１２４ｂ’’がグレイン（粒）を含むように形成する方法や酸化物層１２４ｂ’’の種類は特に限定されない。酸化物層１２４ｂ’’全体が多結晶であってもよい。

　以上のように、酸化物層１２４ａと接する酸化物層１２４ｂ’’の上面にグレイン（粒）を含むようにすることで、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂ’’の上面との界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができ、発光素子５５Ｒにおいては、酸化物層１２４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入が可能となる。

　酸化物層１２４ａは、非晶質（アモルファス）の酸化物であっても良い。酸化物層１２４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、グレインを有する酸化層１２４ｂ’’に対する良好なカバレッジが得られるため、電気双極子１を形成しやすい。更に、酸化物層１２４ａの膜厚均一性を向上できるため、酸化物層１２４ａにおける正孔伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層１２４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とした場合においても、酸化物層１２４ｂ’’の上面はグレイン（粒）を含むので、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂ’’との界面の面積が大きくなり、より効率的に電気双極子を形成することができる。したがって、発光素子５５Ｒにおいては、酸化物層１２４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入が可能となる。

　実施形態３における上記以外の説明は、実施形態１、２と同様であるため、ここでは、その説明については省略する。

　〔実施形態４〕
　次に、図９に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態の発光素子６５Ｒにおいては、酸化物層（第１酸化物層）１２４ａと接する酸化物層（第２酸化物層）１２４ｂ’’’が、島状に複数個形成されている点において、実施形態１～３とは異なる。つまり、酸化物層１２４ｂ’’’は、実施形態１から３の酸化物層１２４ｂ、酸化物層１２４ｂ’及び酸化物層１２４ｂ’’に対応し、これらと同様の材料を用いることができる。尚、説明の便宜上、実施形態１～３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図９は、発光素子６５Ｒの概略構成を示す図である。

　図９に図示する発光素子６５Ｒにおいては、図２に図示する発光素子５Ｒ同様、第１電極２２及び第２電極２５の少なくとも一方を、光透過性材料で形成しても良く、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方を、光反射性材料で形成してもよい。なお、発光素子６５Ｒを含む表示装置においては、第１電極２２をベタ状の共通層として形成し、薄膜トランジスタ素子Ｔｒ（ＴＦＴ素子）に電気的に接続された第２電極２５をサブピクセルごとに島状に形成している。

　図９に図示する発光素子６５Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層である。そして、酸化物層１２４ａと接する酸化物層１２４ｂ’’’は、島状に複数個形成されている。酸化物層１２４ｂ’’’は、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて自発的な核成長を利用して島状に形成することができる。また、薄膜を形成後、エッチング等により島状に加工しても良い。また、酸化物層１２４ｂ’’’を島状にパターン形成する際に、酸化物層１２４ｂ’’’の表面粗さが増加するように、パターンニング工程を行ってもよい。

　酸化物層１２４ｂ’’’の酸素原子密度は、酸化物層１２４ａの酸素原子密度より小さい。酸化物層１２４ｂ’’’が島状に複数個形成されているので、酸化物層１２４ａとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができ、発光素子６５Ｒにおいては、酸化物層１２４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入が可能となる。

　酸化物層１２４ａは、非晶質（アモルファス）の酸化物であっても良い。酸化物層１２４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、島状の酸化層１２４ｂ’’’に対する良好なカバレッジが得られるため、電気双極子１を形成しやすい。更に、酸化物層１２４ａの膜厚均一性を向上できるため、酸化物層１２４ａにおける正孔伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層１２４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とした場合においても、酸化物層１２４ｂ’’’が島状に複数個形成されているので、酸化物層１２４ａと酸化物層１２４ｂ’’’との界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができる。したがって、発光素子６５Ｒにおいては、酸化物層１２４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入が可能となる。

　実施形態４における上記以外の説明は、実施形態１～３と同様であるため、ここでは、その説明については省略する。

　〔実施形態５〕
　次に、図１０から図１４に基づき、本発明の実施形態５について説明する。本実施形態の発光素子８０Ｒ・８１Ｒにおいては、第２電極２５と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、第２電極２５側から、ｎ型半導体からなる酸化物層（ＥＴＬ、第２酸化物層）７４ａと、酸化物層（第１酸化物層）７４ｂとが、順に積層されている点において、実施形態１～４とは異なる。説明の便宜上、実施形態１～４の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１０の（ａ）は、実施形態５の発光素子８０Ｒの概略構成を示す図であり、図１０の（ｂ）は、実施形態５の他の発光素子８１Ｒの概略構成を示す図である。

　図１０の（ａ）及び図１０の（ｂ）に図示しているように、発光素子８０Ｒ及び発光素子８１Ｒは、第１電極（正孔注入層：ＨＩＬ）２２と、第２電極（電子注入層：ＥＩＬ）２５と、第１電極２２と第２電極２５との間に備えられた第１波長領域の発光層２４ｃとを含む。第２電極２５と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、第２電極２５側から、電子輸送層である酸化物層（ＥＴＬ）７４ａと、酸化物層７４ｂとが、順に積層されている。後述するように、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さい。なお、第１波長領域の発光層２４ｃと第１電極２２との間には、酸化物層（ＨＴＬ）２４ａが備えられている。

　本実施形態においては、例えば、第１電極２２として、光反射性材料を用い、第２電極２５としては、光透過性材料を用いることにより、発光素子８０Ｒを用いて、トップエミッション型の表示装置を実現でき、発光素子８１Ｒを用いて、ボトムエミッション型の表示装置を実現できる。無論、これに限らず、発光素子８０Ｒおよび発光素子８１Ｒにおいては、図２に図示する発光素子５Ｒ同様、第１電極２２及び第２電極２５の少なくとも一方を、光透過性材料で形成しても良く、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方を、光反射性材料で形成してもよい。

　酸化物層（ＥＴＬ）７４ａは電子を輸送する層であり、半導体からなる。酸化物層（ＥＴＬ）７４ａはｎ型半導体からなることが好ましい。この場合、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａは、半導体が示す領域のバンドギャップを有し、そのキャリアが電子である。また、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａは無機酸化物からなることが好ましい。酸化物層（ＥＴＬ）７４ａとしては、例えば、酸化亜鉛（例えば、ＺｎＯ）、酸化チタン（例えば、ＴｉＯ_２）、酸化インジウム（例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（例えば、ＳｎＯ_２）、チタン酸ストロンチウム（例えば、ＳｒＴｉＯ_３）等を用いることができる。また、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａは、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物からなっていてもよい。また、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａは、酸素以外に最も多く含まれる元素が、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。上記に例示した材料は、無機酸化物であり、ｎ型半導体である。これらの材料からなる酸化物層（ＥＴＬ）７４ａは、半導体が示す領域のバンドギャップを有する。

　一方、酸化物層７４ｂは酸化物からなる。酸化物層７４ｂは無機酸化物からなるのが好ましい。また、酸化物層７４ｂは、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａが示すバンドギャップより広いバンドギャップを有することが好ましく、酸化物層７４ｂは絶縁体からなることがさらに好ましい。本実施形態においては、酸化物層７４ｂが、絶縁体である場合を一例として説明する。

　酸化物層７４ｂは、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、および、これらの酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも１つを含むことが好ましい。また、酸化物層７４ｂは、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、および、これらの酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の何れか１つからなることが好ましい。また、酸化物層７４ｂは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物からなることが好ましい。また、酸化物層７４ｂは、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、およびＳｉのうちの、いずれかである酸化物からなることが好ましい。上記に例示した材料は、無機酸化物であり、絶縁体である。

　酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さい。この場合、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとの界面において、酸素原子が酸化物層７４ｂから酸化物層（ＥＴＬ）７４ａ方向に移動し、電気双極子１（酸化物層（ＥＴＬ）７４ａから酸化物層７４ｂ方向に向く成分の双極子モーメントを有する）が形成されやすくなる。

　なお、酸化物層（ＨＴＬ）２４ａは、正孔を輸送し、電子の移動を阻害する層である。例えば、ＮｉＯ、ＣｕＡｌＯ_２、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＶＫ等を用いることができる。ナノ粒子を用いても良い。

　なお、酸化物層７４ａ（第２酸化物層）は無機酸化物からなることが好ましい。この場合、発光素子としての長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光素子の発光効率が改善される。また、酸化物層７４ｂ（第１酸化物層）は無機酸化物からなることが好ましい。この場合、発光素子としての長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光素子の発光効率が改善される。また、酸化物層７４ｂは絶縁体からなることが好ましい。すなわち、第１酸化物層（酸化物層７４ｂ）および第２酸化物層（酸化物層７４ａ）のうち、発光層（第１波長領域の発光層２４ｃ）に近い層は絶縁体からなることが好ましい。この場合、発光素子の発光効率が改善される。

　図１２の（ａ）は、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａと酸化物層７４ｂとの界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図であり、図１２（ｂ）は、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとの界面において、酸素原子の移動により電気双極子１が形成された状態を示す図である。

　図１２の（ａ）に図示するように、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さいので、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとが接するように形成されると、その界面において、酸化物層７４ｂから酸化物層７４ａ方向への酸素原子の移動が起こりやすくなる。酸素原子の移動が起こると酸素空孔がプラスに、移動した酸素原子がマイナスに帯電する。

　これにより、図１２の（ｂ）に図示するように、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとの界面においては、酸化物層７４ａから酸化物層７４ｂ方向に向く成分の双極子モーメントを有する電気双極子１が生じる。

　酸化物層７４ａから酸化物層７４ｂ方向に向く成分の双極子モーメントを有する電気双極子１（図１２の（ｂ）に図示）を形成しやすくし、電子の注入効率を向上するという観点から、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度の９５％以下であるであることが好ましく、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度の８４％以下であることがさらに好ましい。また、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度の８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることが更に好ましく、７０％以下であることが更に好ましい。

　また、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。

　図１１の（ａ）は、比較例である発光素子における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、図１１の（ｂ）は、実施形態５の発光素子８０Ｒ・８１Ｒにおける電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。

　図１１の（ａ）に図示するように、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａと第１波長領域の発光層２４ｃとが直接接する比較例の発光素子においては、第１波長領域の発光層２４ｃの伝導帯（発光層伝導帯）の下端と、酸化物層７４ａの伝導帯（ＥＴＬ伝導帯）の下端とのエネルギー差ΔＥｃが大きく、このエネルギー差ΔＥｃは、電子注入障壁の高さとなるため、効率的な電子注入ができない。

　図１１の（ｂ）に図示するように、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａと第１波長領域の発光層２４ｃとの間に酸化物層７４ｂを形成した構成の発光素子８０Ｒ・８１Ｒにおいては、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さいので、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとの界面に電気双極子１（酸化物層７４ａから酸化物層７４ｂ方向に向く成分を含む双極子モーメントを有する）が形成される。このように、電気双極子１が形成されると、電気双極子１が形成される界面である、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとの界面を境にして、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる。この結果、図１１（ｂ）に図示するように、酸化物層７４ａのバンド位置が第１波長領域の発光層２４ｃのバンド位置に対して上方向に移動する。具体的に、酸化物層７４ａのＥＴＬ伝導帯はＥＴＬ伝導帯’に、酸化物層７４ａのＥＴＬ価電子帯はＥＴＬ価電子帯’に、それぞれ移動する。この移動によって、第１波長領域の発光層２４ｃの伝導帯（発光層伝導帯）の下端と、酸化物層７４ａのＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’がΔＥｃより小さくなる。

　図１１の（ｂ）においては、酸化物層７４ａのＥＴＬ伝導帯’の下端が第１波長領域の発光層２４ｃの伝導帯（発光層伝導帯）の下端より下側に位置する場合を図示しているが、これに限定されることはなく、酸化物層７４ａのＥＴＬ伝導帯’の下端が第１波長領域の発光層２４ｃの伝導帯（発光層伝導帯）の下端より上側に位置していても良い。

　図１１の（ｂ）に図示しているように、酸化物層７４ａの電子親和力ＥＡ１は、第１波長領域の発光層２４ｃの電子親和力ＥＡ２より大きく、酸化物層７４ｂの電子親和力ＥＡ３は、第１波長領域の発光層２４ｃの電子親和力ＥＡ２より小さい。

　また、図１１の（ｂ）に図示しているように、酸化物層７４ｂにおける伝導帯の下端と価電子帯の上端との間のエネルギー差（バンドギャップ）は、酸化物層７４ａにおけるＥＴＬ伝導帯’の下端とＥＴＬ価電子帯’の上端との間のエネルギー差（バンドギャップ）より大きいので、酸化物層７４ｂは酸化物層７４ａよりキャリア密度（電子密度）が小さく、絶縁性が高い。したがって、酸化物層７４ｂにおいては、トンネリングによる電子伝導が行われる。以上のように、電子輸送層である酸化物層７４ａ中の電子密度は、酸化物層７４ｂ中の電子密度より大きく、電子は、酸化物層７４ｂをトンネリングすることにより第１波長領域の発光層２４ｃへと注入される。

　発光素子８０Ｒ・８１Ｒにおいて、酸化物層７４ｂの膜厚が十分に薄い場合、電子は酸化物層７４ｂをトンネリングにより伝導できるため、酸化物層７４ａと第１波長領域の発光層２４ｃとの間の電子注入障壁高さは、実効的に第１波長領域の発光層２４ｃの伝導帯（発光層伝導帯）の下端と、酸化物層７４ａのＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’となる。したがって、発光素子８０Ｒ・８１Ｒにおいては、酸化物層７４ｂを形成することにより、酸化物層７４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な電子注入が可能となる。

　酸化物層７４ｂの膜厚は、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。５ｎｍ以下とすることにより、電子のトンネリングを効率的に行うことができる。また、０．２ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。更に、０．８ｎｍ以上３ｎｍ未満であることが好ましい。この場合、更に効率的に電子注入が可能となる。

　図１０の（ａ）に図示するように、第１電極２２が第１波長領域の発光層２４ｃより下層であり、第２電極２５が第１波長領域の発光層２４ｃより上層である場合には、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂのうち、少なくとも酸化物層７４ａは連続膜であることが好ましい。図１０の（ｂ）に図示するように、第１電極２２が第１波長領域の発光層２４ｃより上層であり、第２電極２５が第１波長領域の発光層２４ｃより下層である場合には、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂのうち、少なくとも酸化物層７４ｂは連続膜であることが好ましい。すなわち、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂのうち、後から成膜される方の膜は、少なくとも、連続膜であることが好ましい。また、ここで、連続膜とは、空隙率が１％未満の緻密な膜である。つまり、連続膜とは、実質的に空隙を有しない膜である。

　酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとは、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相成長法）、ＰＶＤ法（物理蒸着法）等で成膜すればよい。このような方法で形成された酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとは、連続膜となるので接触面積が大きくなり、電気双極子１が高密度に形成されやすい。なお、ナノ粒子等の微粒子を塗布して作製された膜は、微粒子間に多数の空隙が形成されて多孔質状となるため、連続膜にはならない。

　なお、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂの酸素原子密度の９５％以下であることが好ましい。この場合、酸素原子の移動が起こりやすく、電気双極子１が形成されやすい。更には、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂの酸素原子密度の８４％以下であることが好ましい。この場合、更に効率的に電気双極子１が形成され、効率的に電子注入が可能となる。更には、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度の８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることが更に好ましく、７０％以下であることが更に好ましい。この場合、更に効率的に電気双極子１が形成され、効率的に電子注入が可能となる。

　電子輸送層である第２酸化物層７４ａは、ｎ型半導体からなることが好ましい。また、電子輸送層である第２酸化物層７４ａ中のキャリア密度（電子密度）は１×１０^１５ｃｍ^－３以上であることが好ましい。また、電子輸送層である第２酸化物層７４ａ中のキャリア密度（電子密度）は３×１０^１７ｃｍ^－３以下であることが好ましい。

　図１３の（ａ）は、一般的な電子輸送層を構成する無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図であり、図１３の（ｂ）は、代表的な無機酸化物の一例と、その酸素原子密度とを示す図である。尚、図１３の（ａ）に示す無機酸化物は、ｎ型半導体であり、図１３（ｂ）に示す無機酸化物は、絶縁体である。

　図１４は、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａとして、図１３の（ａ）に図示した一般的な電子輸送層を構成する無機酸化物の一例から選択可能な材料と、酸化物層７４ｂとして、図１３の（ｂ）に図示した代表的な無機酸化物の一例から選択可能な材料とを示す図である。

　本実施形態においては、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さいので、酸化物層７４ａとして、酸化亜鉛を含む無機酸化物を用いる場合には、酸化物層７４ｂとしては、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物（第５グループの酸化物）を用いることができる。

　酸化物層７４ａとして、酸化チタンを含む無機酸化物を用いる場合には、酸化物層７４ｂとしては、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物（第１グループの酸化物）を用いることができる。

　酸化物層７４ａとして、酸化インジウムを含む無機酸化物を用いる場合には、酸化物層７４ｂとしては、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物（第４グループの酸化物）を用いることができる。

　酸化物層７４ａとして、酸化スズを含む無機酸化物を用いる場合には、酸化物層７４ｂとしては、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物（第２グループの酸化物）を用いることができる。

　酸化物層７４ａとして、酸化ストロンチウムチタンを含む無機酸化物を用いる場合には、酸化物層７４ｂとしては、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物（第３グループの酸化物）を用いることができる。

　前記第１グループの酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物からなる。前記第２グループの酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物からなる。前記第３グループの酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物からなる。前記第４グループの酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物からなる。前記第５グループの酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む無機酸化物からなる。

　また、酸化物層７４ａが酸化亜鉛からなる場合には、酸化物層７４ｂは、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることが好ましい。

　酸化物層７４ａが酸化チタンからなる場合には、酸化物層７４ｂは、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることが好ましい。

　酸化物層７４ａが酸化インジウムからなる場合には、酸化物層７４ｂは、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることが好ましい。

　酸化物層７４ａが酸化スズからなる場合には、酸化物層７４ｂは、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることが好ましい。

　酸化物層７４ａが酸化ストロンチウムチタンからなる場合には、酸化物層７４ｂは、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることが好ましい。

　なお、酸化スズ（例えばＳｎＯ_２）及び酸化インジウム（例えばＩｎ_２Ｏ_３）は、伝導帯下端が深い位置にあるので通常は電子輸送層（ＥＴＬ）としては使用されないが、酸化物層７４ｂによって電気双極子１を形成する場合、使用可能となり得る。

　酸化物層７４ａは、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物であってもよい。

　また、酸化物層７４ａは、酸素以外の最も多い元素として、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉのうち、いずれか１つを含む酸化物であってもよい。

　酸化物層７４ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物であってもよい。

　また、酸化物層７４ｂは、酸素以外の最も多い元素として、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉのうち、いずれか１つを含む酸化物であってもよい。

　なお、上述したように、酸化物のカチオンを複数含む複合酸化物を用いてもよい。

　また、酸化物層７４ｂは、酸化物層７４ａに含まれるカチオンを含んでいてもよい。この場合、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂの格子不整合が緩和され、電気双極子１の効果を効果的に得ることができる。

　なお、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂの組み合わせは、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度が酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さい限り、これに限定されない。

　なお、酸化物層７４ａや酸化物層７４ｂを形成する無機酸化物は、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂとの接触面積を増加させるという観点からは、粒子形状以外のものを用いることが好ましい。粒子形状のものを用いる場合には、粒子からなる酸化物層を下層とし、その上に粒子以外からなる酸化物層を形成することが好ましい。すなわち、粒子からなる酸化物層を先に形成し、粒子以外からなる酸化物層を後から形成することが好ましい。言い換えると、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂのうち、少なくとも、基板１０（図１参照）から遠い位置に形成される方は、連続膜であることが好ましい。ここで連続膜とは、空隙率が１％未満の緻密な膜である。つまり、連続膜とは、実質的に空隙を有しない膜である。

　以上のように、発光素子８０Ｒ・８１Ｒにおいては、酸化物層７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さいので、効率的な電子注入ができ、高い発光効率を実現できる。

　〔実施形態６〕
　次に、図１５に基づき、本発明の実施形態６について説明する。本実施形態の発光素子８２Ｒにおいては、酸化物層（第１酸化物層）７４ｂと接する酸化物層（第２酸化物層）７４ａ’の上面は、グレイン（粒）を含む点が、実施形態５とは異なり、本実施形態の発光素子８３Ｒにおいては、酸化物層（第１酸化物層）７４ｂ’が非晶質であり、酸化物層７４ｂ’と接する酸化物層（第２酸化物層）７４ａ’の上面は、グレイン（粒）を含む点が、実施形態５とは異なる。つまり、酸化物層７４ａ’及び酸化物層７４ｂ’は、それぞれ、実施形態５の酸化物層７４ａ及び酸化物層７４ｂに対応し、それぞれ実施形態５の酸化物層７４ａ及び酸化物層７４ｂと同様の材料を用いることができる。尚、説明の便宜上、実施形態５の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１５の（ａ）は、実施形態６の発光素子８２Ｒの概略構成を示す図であり、図１５の（ｂ）は、実施形態６の他の発光素子８３Ｒの概略構成を示す図である。

　図１５の（ａ）に図示する発光素子８２Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層であり、酸化物層７４ｂと接する酸化物層７４ａ’の少なくとも上面の一部が、多結晶化されている。つまり、酸化物層７４ａ’の上面はグレイン（粒）を含む。このように、酸化物層７４ａ’の上面がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層７４ａ’の上面と酸化物層７４ｂとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができ、発光素子８２Ｒにおいては、効率的な電子注入が可能となる。

　図１５の（ｂ）に図示する発光素子８２Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層である。そして、酸化物層７４ｂ’と接する酸化物層７４ａ’の少なくとも上面の一部は、多結晶化されており、酸化物層７４ｂ’は、非晶質（アモルファス）の酸化物からなる。つまり、酸化物層７４ａ’の上面はグレイン（粒）を含む。

　酸化物層７４ｂ’を非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、グレインを含む酸化物層７４ａ’に対する良好なカバレッジが得られるため、電気双極子１を形成しやすい。更に、酸化物層７４ｂ’の膜厚均一性を向上できるため、酸化物層７４ｂ’における電子伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層７４ａ’の上面がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層７４ａ’の上面と酸化物層７４ｂ’との界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができる。以上から、発光素子８３Ｒにおいては、効率的な電子注入が可能となる。

　なお、本実施形態においては、レーザ光を用いて、酸化物層７４ａ’の上面を含む一部を熱処理することで、酸化物層７４ａ’の上面を多結晶化したが、これに限定されることはない。酸化物層（ＥＴＬ）７４ａ’の酸素原子密度が、酸化物層７４ｂの酸素原子密度または、酸化物層７４ｂ’の酸素原子密度より小さい限り、酸化物層７４ａ’の多結晶化の方法や酸化物層７４ａ’を構成する多結晶の酸化物の種類は特に限定されない。

　また、本実施形態においては、酸化物層７４ａ’の上面を多結晶化することによってグレイン（粒）を形成した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用して、酸化物層７４ａ’の少なくとも上面の一部にグレイン（粒）を形成してもよい。

　また、本実施形態においては、酸化物層７４ａ’の上面を多結晶化した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、酸化物層７４ａ’全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。

　また、本実施形態においては、酸化物層７４ａ’の上面がグレイン（粒）を含む場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、酸化物層７４ａ’全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。

　なお、酸化物層７４ａ’の上面において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（ｃｒｙｓｔａｌ　ｇｒａｉｎ）であっても良いし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいても良い。

　実施形態６における上記以外の説明は、実施形態５と同様であるため、ここでは、その説明については省略する。

　〔実施形態７〕
　次に、図１６に基づき、本発明の実施形態７について説明する。本実施形態の発光素子８４Ｒにおいては、酸化物層（ＥＴＬ、第２酸化物層）７４ａと接する酸化物層（第１酸化物層）７４ｂ’’の少なくとも上面は、グレイン（粒）を含む点において、実施形態５及び６とは異なる。つまり、酸化物層７４ｂ’’は、実施形態５及び６の酸化物層７４ｂ及び酸化物層７４ｂ’に対応し、これらと同様の材料を用いることができる。尚、説明の便宜上、実施形態５及び６の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１６は、実施形態７の発光素子８４Ｒの概略構成を示す図である。

　図１６に図示する発光素子８４Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層である。そして、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａと接する酸化物層７４ｂ’’の少なくとも上面は、グレイン（粒）を含む。酸化物層７４ｂ’’において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（crystal grain）であってもよいし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいてもよい。

　本実施形態においては、酸化物層７４ａと接する酸化物層７４ｂ’’の上面がグレイン（粒）を含む場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、酸化物層７４ｂ’’全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。

　なお、本実施形態においては、レーザ光を用いて、酸化物層７４ｂ’’の上面を含む一部を熱処理することで、酸化物層７４ｂ’’の上面がグレイン（粒）を含むようにしたが、これに限定されることはない。例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用してグレイン（粒）を形成することもできる。酸化物層７４ａの酸素原子密度が、酸化物層７４ｂ’’の酸素原子密度より小さい限り、酸化物層７４ｂ’’がグレイン（粒）を含むように形成する方法や酸化物層７４ｂ’’の種類は特に限定されない。

　以上のように、酸化物層７４ａと接する酸化物層７４ｂ’’の上面にグレイン（粒）を含むようにすることで、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂ’’の上面との界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができ、発光素子８４Ｒにおいては、効率的な電子注入が可能となる。

　酸化物層７４ａは、非晶質（アモルファス）の酸化物であっても良い。酸化物層７４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、グレインを有する酸化層７４ｂ’’に対する良好なカバレッジが得られるため、電気双極子１を形成しやすい。更に、酸化物層７４ａの膜厚均一性を向上できるため、酸化物層７４ａにおける電子伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層７４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とした場合においても、酸化物層７４ｂ’’の上面はグレイン（粒）を含むので、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂ’’との界面の面積が大きくなり、より効率的に電気双極子１を形成することができる。従って、このような場合においても、発光素子８４Ｒにおいては、酸化物層７４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な電子注入が可能となる。

　実施形態７における上記以外の説明は、実施形態５及び６と同様であるため、ここでは、その説明については省略する。

　〔実施形態８〕
　次に、図１７に基づき、本発明の実施形態８について説明する。本実施形態の発光素子８５Ｒにおいては、酸化物層（ＥＴＬ、第２酸化物層）７４ａと接する酸化物層（第１酸化物層）７４ｂ’’’が、島状に複数個形成されている点において、実施形態５～７とは異なる。つまり、酸化物層７４ｂ’’’は、実施形態５から７の酸化物層７４ｂ、酸化物層７４ｂ’及び酸化物層７４ｂ’’に対応し、これらと同様の材料を用いることができる。尚、説明の便宜上、実施形態５～７の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１７は、実施形態８の発光素子８５Ｒの概略構成を示す図である。

　図１７に図示する発光素子８５Ｒにおいては、第１電極２２は、第１波長領域の発光層２４ｃより下層であり、第２電極２５は、第１波長領域の発光層２４ｃより上層である。そして、酸化物層７４ａと接する酸化物層７４ｂ’’’は、島状に複数個形成されている。酸化物層７４ｂ’’’は、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて自発的な核成長を利用して島状に形成することができる。また、薄膜を形成後、エッチング等により島状に加工しても良い。また、酸化物層７４ｂ’’’を島状にパターン形成する際に、酸化物層７４ｂ’’’の表面粗さが増加するように、パターンニング工程を行ってもよい。

　酸化物層７４ａの酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ’’’の酸素原子密度より小さい。酸化物層７４ｂ’’’が島状に複数個形成されているので、酸化物層７４ａとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子を形成することができ、発光素子８５Ｒにおいては、効率的な電子注入が可能となる。

　酸化物層７４ａは、非晶質（アモルファス）の酸化物であっても良い。酸化物層７４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、島状の酸化層７４ｂ’’’に対する良好なカバレッジが得られるため、電気双極子１を形成しやすい。更に、酸化物層７４ａの膜厚均一性を向上できるため、酸化物層７４ａにおける正孔伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層７４ａを非晶質（アモルファス）の酸化物とした場合においても、酸化物層７４ｂ’’’が島状に複数個形成されているので、酸化物層７４ａと酸化物層７４ｂ’’’との界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子１を形成することができ、発光素子８５Ｒにおいては、酸化物層７４ａから第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な電子注入が可能となる。

　実施形態８における上記以外の説明は、実施形態５～７と同様であるため、ここでは、その説明については省略する。

　〔実施形態９〕
　次に、図１８に基づき、本発明の実施形態９について説明する。本実施形態の発光素子８６Ｒにおいては、第１電極２２と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、第１電極２２側から、正孔輸送層である酸化物層（ＨＴＬ、第１酸化物層）１２４ａと、酸化物層（第２酸化物層）１２４ｂとが、順に積層されており、第２電極２５と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、第２電極２５側から、電子輸送層である酸化物層（ＥＴＬ、第４酸化物層）７４ａと、酸化物層（第３酸化物層）７４ｂとが、順に積層されている点において、実施形態１～８とは異なる。説明の便宜上、実施形態１～８の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１８は、実施形態９の発光素子８６Ｒの概略構成を示す図である。

　図１８に図示するように、発光素子８６Ｒにおいては、第１電極２２と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、第１電極２２側から、正孔輸送層である酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａと、酸化物層１２４ｂとが、順に積層されており、第２電極２５と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、第２電極２５側から、電子輸送層である酸化物層（ＥＴＬ）７４ａと、酸化物層７４ｂとが、順に積層されている。

　本実施形態における酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａおよび酸化物層１２４ｂは、それぞれ、上述した実施形態１～４における酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａおよび酸化物層１２４ｂを適用することができる。

　また、本実施形態における酸化物層（ＥＴＬ）７４ａおよび酸化物層７４ｂは、それぞれ、上述した実施形態５～８における酸化物層（ＥＴＬ）７４ａおよび酸化物層７４ｂを適用することができる。

　そして、酸化物層１２４ｂ中の酸素原子密度は、酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａ中の酸素原子密度より小さく、酸化物層（ＥＴＬ）７４ａ中の酸素原子密度は、酸化物層７４ｂ中の酸素原子密度より小さいので、発光素子８６Ｒにおいては、第１波長領域の発光層２４ｃへの効率的な正孔注入及び電子注入が可能であり、高い発光効率を実現できる。

　本実施形態においては、酸化物層（ＨＴＬ）１２４ａ、酸化物層１２４ｂ、酸化物層７４ｂ及び酸化物層（ＥＴＬ）７４ａを備えた発光素子を一例に挙げてについて説明したが、これに限定されることはなく、上述した実施形態１～８のように、第１電極２２及び第２電極２５のうちの何れか一方の電極と第１波長領域の発光層２４ｃとの間に、互いに異なる酸素原子密度を有し、かつ、互いに接する２つの酸化物層を備えた発光素子であってもよい。

　なお、本開示における酸化物層の酸素原子密度は、当該酸化物層が有する固有の値として、当該酸化物層を構成する材料のバルクでの酸素原子密度を適用するものとする。例えば、図５及び図１３に記載の材料については、それぞれ、図５及び図１３に記載の酸素原子密度を適用する。尚、複合酸化物の酸素原子密度は、当該複合酸化物に含有される全カチオンについて、各カチオン単独の酸化物の酸素原子密度に、前記複合酸化物中に含まれる全カチオンに対する各カチオンの組成率をそれぞれ乗じて、和をとることによる、加重平均をとることによって求めることができる。

　即ち、Ｎ種類のカチオンＡｉ（ｉ＝１，２，３，・・・，Ｎ）を含む複合酸化物において、全カチオンの数密度の合計に対するカチオンＡｉの数密度の割合（前記複合酸化物中に含まれる全カチオンに対する各カチオンの組成率）がＸｉであり、カチオンとしてカチオンＡｉのみを含む酸化物（カチオンＡｉ単独の酸化物）の酸素原子密度がＤｉであるとき、当該複合酸化物の酸素原子密度ＭＤｉは、下記（式Ａ）で表される。但し、前記Ｘｉ（ｉ＝１，２，３，・・・，Ｎ）の和は下記（式Ｂ）に示すように１である。

　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第１電極及び前記第２電極の何れか一方と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層のうち、前記発光層から遠い層は、半導体からなり、
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さい発光素子。

　〔態様２〕
　前記第１酸化物層は、無機酸化物からなる態様１に記載の発光素子。

　〔態様３〕
　前記第２酸化物層は、無機酸化物からなる態様１または２に記載の発光素子。

　〔態様４〕
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層のうち、前記発光層に近い層は絶縁体からなる態様１～３の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５〕
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との界面に、電気双極子が形成されている態様１～４の何れかに記載の発光素子。

　〔態様６〕
　前記電気双極子は、前記第２酸化物層から前記第１酸化物層に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する態様５に記載の発光素子。

　〔態様７〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、前記基板からより遠い方の層である上層は少なくとも連続膜である態様１～６の何れかに記載の発光素子。

　〔態様８〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１電極は、前記基板から前記第２電極より近い方の層であり、かつ、前記発光層より下層であり、
　前記第２電極は、前記基板から前記第１電極より遠い方の層であり、かつ、前記発光層より上層であり、
　前記第２酸化物層の空隙率は、１％未満である態様１～７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様９〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１電極は、前記基板から前記第２電極より遠い方の層であり、かつ、前記発光層より上層であり、
　前記第２電極は、前記基板から前記第１電極より近い方の層であり、かつ、前記発光層より下層であり、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、少なくとも前記第１酸化物層は連続膜である態様１～７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１０〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１電極は、前記基板から前記第２電極より遠い方の層であり、かつ、前記発光層より上層であり、
　前記第２電極は、前記基板から前記第１電極より近い方の層であり、かつ、前記発光層より下層であり、
　前記第１酸化物層の空隙率は、１％未満である態様１～７、９の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１１〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、前記基板からより近い方の層である下層の少なくとも上面は、グレインを含む態様１～１０の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１２〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、前記基板からより近い方の層である下層の少なくとも上面の一部が、多結晶化されている態様１～１０の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１３〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、前記基板からより近い方の層である下層は、島状に複数個形成されている態様１～６の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１４〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、前記基板からより遠い方の層である上層は、非晶質の酸化物からなる態様１～１３の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１５〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１電極は、前記基板から前記第２電極より遠い方の層であり、かつ、前記発光層より上層であり、
　前記第２電極は、前記基板から前記第１電極より近い方の層であり、かつ、前記発光層より下層であり、
　前記第２酸化物層の少なくとも上面は、グレインを含む態様１～７、９、１０、１３の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１６〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１電極は、前記基板から前記第２電極より遠い方の層であり、かつ、前記発光層より上層であり、
　前記第２電極は、前記基板から前記第１電極より近い方の層であり、かつ、前記発光層より下層であり、
　前記第２酸化物層の少なくとも上面の一部が、多結晶化されている態様１～７、９、１０、１３の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１７〕
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１電極は、前記基板から前記第２電極より遠い方の層であり、かつ、前記発光層より上層であり、
　前記第２電極は、前記基板から前記第１電極より近い方の層であり、かつ、前記発光層より下層であり、
　前記第２酸化物層は、島状に複数個形成されている態様１～６の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１８〕
　前記第１酸化物層は、非晶質の酸化物からなる態様９、１０、１５～１７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様１９〕
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層は、前記第１電極と前記発光層との間に設けられ、
　前記第１酸化物層は、ｐ型半導体からなる態様１～１１の何れかに記載の発光素子。

　〔態様２０〕
　前記第１酸化物層は、酸化ニッケル及び銅アルミニウム酸化物中の少なくとも一つを含む態様１９に記載の発光素子。

　〔態様２１〕
　前記第２酸化物層は、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む態様１９または２０に記載の発光素子。

　〔態様２２〕
　前記第２酸化物層は、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の何れか一つからなる態様１９または２０に記載の発光素子。

　〔態様２３〕
　前記第２酸化物層は、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｉ及びＧｅのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物からなる態様１９または２０に記載の発光素子。

　〔態様２４〕
　前記第２酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｉ及びＧｅのうちのいずれかである酸化物からなる態様１９または２０に記載の発光素子。

　〔態様２５〕
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第１電極と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記発光層との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　前記第１酸化物層は、酸化ニッケル及び銅アルミニウム酸化物中の少なくとも一つを含み、
　前記第２酸化物層は、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含む発光素子。

　〔態様２６〕
　前記第２酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差は、前記第１酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差より大きい態様１９～２５の何れかに記載の発光素子。

　〔態様２７〕
　前記第１酸化物層中の正孔密度は、前記第２酸化物層中の正孔密度より大きい態様１９～２６の何れかに記載の発光素子。

　〔態様２８〕
　前記第１酸化物層のイオン化ポテンシャルは、前記発光層のイオン化ポテンシャルより小さく、
　前記第２酸化物層のイオン化ポテンシャルは、前記発光層のイオン化ポテンシャルより大きい態様１９～２７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様２９〕
　前記第２酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下である態様１９～２８の何れかに記載の発光素子。

　〔態様３０〕
　前記第２酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満である態様２９に記載の発光素子。

　〔態様３１〕
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上９０％以下である態様１９～３０の何れかに記載の発光素子。

　〔態様３２〕
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上８０％以下である態様３１に記載の発光素子。

　〔態様３３〕
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上である態様１９～３２の何れかに記載の発光素子。

　〔態様３４〕
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、
　前記第２酸化物層は、ｎ型半導体からなる態様１～１１の何れかに記載の発光素子。

　〔態様３５〕
　前記第２酸化物層は、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、およびチタン酸ストロンチウムのうち、いずれか１つを含む態様３４に記載の発光素子。

　〔態様３６〕
　前記第２酸化物層は、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物からなる態様３４に記載の発光素子。

　〔態様３７〕
　前記第２酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉのうちの、何れかである酸化物からなる態様３４に記載の発光素子。

　〔態様３８〕
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、および、これらの酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも１つを含む態様３３～３７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様３９〕
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、および、これらの酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の何れか１つからなる態様３３～３７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様４０〕
　前記第１酸化物層は、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物からなる態様３３～３７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様４１〕
　前記第１酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、およびＳｉのうちの、何れかである酸化物からなる態様３３～３７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様４２〕
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第２電極と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第１グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第２グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第３グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第４グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第５グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化チタンを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第１グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化スズを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第２グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化ストロンチウムチタンを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第３グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化インジウムを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第４グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化亜鉛を含む場合には、前記第１酸化物層が前記第５グループの酸化物である発光素子。

　〔態様４３〕
　前記第２酸化物層は、酸化亜鉛からなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなる態様４２に記載の発光素子。

　〔態様４４〕
　前記第２酸化物層は、酸化チタンからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなる態様４２に記載の発光素子。

　〔態様４５〕
　前記第２酸化物層は、酸化インジウムからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなる態様４２に記載の発光素子。

　〔態様４６〕
　前記第２酸化物層は、酸化スズからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなる態様４２に記載の発光素子。

　〔態様４７〕
　前記第２酸化物層は、酸化ストロンチウムチタンからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなる態様４２に記載の発光素子。

　〔態様４８〕
　前記第１酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差は、前記第２酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差より大きい態様３３～４７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様４９〕
　前記第２酸化物層中の電子密度は、前記第１酸化物層中の電子密度より大きい態様３３～４８の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５０〕
　前記第２酸化物層の電子親和力は、前記発光層の電子親和力より大きく、
　前記第１酸化物層の電子親和力は、前記発光層の電子親和力より小さい態様３３～４９の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５１〕
　前記第１酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下である態様３３～５０の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５２〕
　前記第１酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満である態様５１に記載の発光素子。

　〔態様５３〕
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上９５％以下である態様３３～５２の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５４〕
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上８４％以下である態様５３に記載の発光素子。

　〔態様５５〕
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上である態様３３～５４の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５６〕
　前記発光層と前記第２電極との間に設けられた第３酸化物層と、
　前記第３酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第３酸化物層に接する第４酸化物層と、をさらに備え、
　前記第４酸化物層はｎ型半導体からなり、
　前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さい態様１９～３２の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５７〕
　前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さい態様５６に記載の発光素子。

　〔態様５８〕
　前記発光層は、量子ドット蛍光体を含む態様１～５７の何れかに記載の発光素子。

　〔態様５９〕
　態様１～５８の何れかに記載の発光素子を備えている発光装置。

　〔態様６０〕
　態様１～５８の何れかに記載の発光素子が、基板に備えられている表示装置。

　〔態様６１〕
　態様１～５８の何れかに記載の発光素子が、基板に備えられている照明装置。

　〔付記事項〕
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　本開示は、発光素子及び発光装置に利用することができる。

　１　　　　　　　　　　　電気双極子
　２　　　　　　　　　　　表示装置
　３　　　　　　　　　　　バリア層
　４　　　　　　　　　　　ＴＦＴ層
　５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ　　　　発光素子
　６　　　　　　　　　　　封止層
　１０　　　　　　　　　　基板
　１２　　　　　　　　　　樹脂層
　１６、１８、２０　　　　無機絶縁膜
　２１　　　　　　　　　　平坦化膜
　２２　　　　　　　　　　第１電極（アノード）
　２４ｃ　　　　　　　　　第１波長領域の発光層（発光層）
　２４ｃ’　　　　　　　　第２波長領域の発光層（発光層）
　２４ｃ’’　　　　　　　第３波長領域の発光層（発光層）
　２４ｄ　　　　　　　　　電子輸送層（ＥＴＬ）
　２５　　　　　　　　　　第２電極（カソード）
　３５Ｒ、４５Ｒ、５５Ｒ、６５Ｒ　発光素子
　７４ａ、７４ａ’　　　　酸化物層（ＥＴＬ）、第１酸化物層、第４酸化物層
　７４ｂ、７４ｂ’　　　　酸化物層、第２酸化物層、第３酸化物層
　７４ｂ’’、７４ｂ’’’　酸化物層、第２酸化物層
　８０Ｒ～８６Ｒ　　　　　発光素子
　１２４ａ、１２４ａ’　　酸化物層（ＨＴＬ）、第１酸化物層
　１２４ｂ、１２４ｂ’　　酸化物層、第２酸化物層
　１２４ｂ’’、１２４ｂ’’’　酸化物層、第２酸化物層
　ＩＰ１　　　　　　　　　酸化物層（ＨＴＬ）のイオン化ポテンシャル
　ＩＰ２　　　　　　　　　第１波長領域の発光層のイオン化ポテンシャル
　ＩＰ３　　　　　　　　　酸化物層のイオン化ポテンシャル
　ＥＡ１　　　　　　　　　酸化物層（ＥＴＬ）の電子親和力
　ＥＡ２　　　　　　　　　第１波長領域の発光層の電子親和力
　ＥＡ３　　　　　　　　　酸化物層の電子親和力

Claims

　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第１電極及び前記第２電極の何れか一方と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層のうち、前記発光層から遠い層は、半導体からなり、
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さいことを特徴とする発光素子。
　前記第１酸化物層は、無機酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層は、無機酸化物からなることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層のうち、前記発光層に近い層は絶縁体からなることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との界面に、電気双極子が形成されていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の発光素子。
　前記電気双極子は、前記第２酸化物層から前記第１酸化物層に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有することを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、少なくとも上層は連続膜であることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、下層の少なくとも上面は、グレインを含むことを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、下層の少なくとも上面の一部が、多結晶化されていることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、下層は、島状に複数個形成されていることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１電極と、前記第２電極と、前記発光層と、前記第１酸化物層と、前記第２酸化物層とは、基板の一方側の面上に設けられており、
　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、上層は、非晶質の酸化物からなることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層は、前記第１電極と前記発光層との間に設けられ、
　前記第１酸化物層は、ｐ型半導体からなることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層は、酸化ニッケル及び銅アルミニウム酸化物中の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層は、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｉ及びＧｅのうち、いずれか１つ以上の元素を主成分として含む酸化物からなる請求項１２または１３に記載の発光素子。
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第１電極と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記発光層との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　前記第１酸化物層は、酸化ニッケル及び銅アルミニウム酸化物中の少なくとも一つを含み、
　前記第２酸化物層は、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物中の少なくとも一つを含むことを特徴とする発光素子。
　前記第２酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差は、前記第１酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差より大きいことを特徴とする請求項１２～１５の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層中の正孔密度は、前記第２酸化物層中の正孔密度より大きいことを特徴とする請求項１２～１６の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層のイオン化ポテンシャルは、前記発光層のイオン化ポテンシャルより小さく、
　前記第２酸化物層のイオン化ポテンシャルは、前記発光層のイオン化ポテンシャルより大きいことを特徴とする請求項１２～１７の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１２～１８の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１９に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上９０％以下であることを特徴とする請求項１２～２０の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上８０％以下であることを特徴とする請求項２１に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層および前記第２酸化物層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、
　前記第２酸化物層は、ｎ型半導体からなることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉのうちの、何れかである酸化物からなることを特徴とする請求項２３に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、およびＳｉのうちの、何れかである酸化物からなることを特徴とする請求項２３または２４に記載の発光素子。
　アノードである第１電極と、
　カソードである第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
　前記第２電極と前記発光層との間に設けられた第１酸化物層と、
　前記第１酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第１酸化物層に接する第２酸化物層とを備え、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第１グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第２グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第３グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第４グループの酸化物であり、
　酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つを含む酸化物は、第５グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化チタンを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第１グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化スズを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第２グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化ストロンチウムチタンを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第３グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化インジウムを含む場合には、前記第１酸化物層が前記第４グループの酸化物であり、
　前記第２酸化物層が酸化亜鉛を含む場合には、前記第１酸化物層が前記第５グループの酸化物であることを特徴とする発光素子。
　前記第２酸化物層は、酸化亜鉛からなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることを特徴とする請求項２６に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層は、酸化チタンからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることを特徴とする請求項２６に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層は、酸化インジウムからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることを特徴とする請求項２６に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層は、酸化スズからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることを特徴とする請求項２６に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層は、酸化ストロンチウムチタンからなり、
　前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち、少なくとも一つからなることを特徴とする請求項２６に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差は、前記第２酸化物層における伝導帯下端と価電子帯上端との間のエネルギー差より大きいことを特徴とする請求項２３～３１の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層中の電子密度は、前記第１酸化物層中の電子密度より大きいことを特徴とする請求項２３～３２の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層の電子親和力は、前記発光層の電子親和力より大きく、
　前記第１酸化物層の電子親和力は、前記発光層の電子親和力より小さいことを特徴とする請求項２３～３３の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２３～３４の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第１酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることを特徴とする請求項３５に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上９５％以下であることを特徴とする請求項２３～３６の何れか１項に記載の発光素子。
　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上８４％以下であることを特徴とする請求項３７に記載の発光素子。
　前記発光層と前記第２電極との間に設けられた第３酸化物層と、
　前記第３酸化物層と前記第２電極との間に設けられ、前記第３酸化物層に接する第４酸化物層と、をさらに備え、
　前記第４酸化物層はｎ型半導体からなり、
　前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さいことを特徴とする請求項１２～２２の何れか１項に記載の発光素子。
　前記発光層は、量子ドット蛍光体を含むことを特徴とする請求項１～３９の何れか１項に記載の発光素子。
　請求項１～４０の何れか１項に記載の発光素子を備えていることを特徴とする発光装置。