WO2020187630A1 - Verfahren und vorrichtung zum elektrischen kontaktieren von bauelementen in einem halbleiterwafer - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum elektrischen kontaktieren von bauelementen in einem halbleiterwafer Download PDF

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WO2020187630A1
WO2020187630A1 PCT/EP2020/056208 EP2020056208W WO2020187630A1 WO 2020187630 A1 WO2020187630 A1 WO 2020187630A1 EP 2020056208 W EP2020056208 W EP 2020056208W WO 2020187630 A1 WO2020187630 A1 WO 2020187630A1
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semiconductor wafer
plate
components
contact
conductor tracks
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PCT/EP2020/056208
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English (en)
French (fr)
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Michael Bergler
Roland Zeisel
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • G01R1/067—Measuring probes
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    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
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    • G—PHYSICS
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    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0491—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets for testing integrated circuits on wafers, e.g. wafer-level test cartridge

Definitions

  • the present invention relates to a method and a device for electrically contacting components that are integrated into a semiconductor wafer.
  • the present invention is based, inter alia, on the object of specifying a method with which components integrated into a semiconductor wafer can be electrically contacted in a cost-effective manner and with a reduced expenditure of time in order to be able to test the function of the individual components. Furthermore, a corresponding device for electrically contacting components in a semiconductor wafer is to be created.
  • a method according to one embodiment is used to make electrical contact with components that are integrated into a semiconductor wafer.
  • the components are not isolated during the electrical contacting, but are still in the wafer assembly.
  • the semiconductor wafer is the wafer on which the components are formed.
  • the components are arranged in the semiconductor wafer, for example in a matrix of rows and columns.
  • the semiconductor wafer contains semiconductor material, but does not have to consist exclusively of semiconductor material, but can also have metals and / or insulators, for example. After the method described in the present application has been carried out, the components can be separated into semiconductor chips, for example by means of sawing.
  • the method provides that a flexible plate is provided which has a first main surface on which a plurality of conductor tracks are arranged.
  • the plate is arranged with respect to the semiconductor wafer in such a way that the first main surface of the plate, on which the conductor tracks are located, faces the semiconductor wafer.
  • the plate is arranged above the semiconductor wafer.
  • the plate is bent and pressed onto the semiconductor wafer in such a way that contact elements of a plurality of components arranged in a row in the semiconductor wafer come into contact with the conductor tracks.
  • the contact elements can be electrically contacted by the conductor tracks, which makes it possible to apply electrical signals to the components.
  • the plate By bending the plate, the plate touches the semiconductor wafer along a line, so that only the contact elements of those components with the conductor tracks in at the same time Contact come, which are arranged in the same row or row of the semiconductor wafer.
  • electrical signals can be measured via the conductor tracks, in particular as a response to the electrical signals with which the components are applied. This allows the function of the components to be checked. For example, a current-voltage characteristic curve of the respective construction elements can be recorded. Alternatively, only one or more point (s) on the current-voltage characteristic can be recorded. Since the components arranged in a row of the semiconductor wafer are contacted and tested at the same time, the components can be checked relatively quickly and with little effort. Each of the conductor tracks is connected to a corresponding test unit.
  • the measuring time is reduced to a few seconds per semiconductor wafer. Furthermore, the method described here does not cause any needle marks on the components, which are often seen as a problem in further processing.
  • the flexible plate can, for example, be a printed circuit board, also called PCB (English: printed circuit board), printed circuit board or printed circuit board, which has a suitable flexibility.
  • a circuit board has a body made of electrically insulating material with conductor tracks adhering thereto.
  • Fiber-reinforced plastic can be used as an electrically insulating material.
  • glass fibers can be embedded in a polyimide or an epoxy or silicone resin.
  • the desired flexibility of the circuit board can in particular be brought about by a correspondingly small thickness of the circuit board.
  • the conductor tracks can be etched from a thin layer of copper.
  • the conductor tracks can extend essentially in a straight line or linearly and be aligned parallel to one another.
  • the respective width of the conductor tracks can be in the range from 30 to 200 ⁇ m. Such a width allows contact elements or bond pads of the components to be contacted, which typically have widths in the range from 60 to 140 ⁇ m.
  • the plate can be bent with the help of a tool.
  • the tool for example a doctor blade, which in particular has a blade geometry, can be pressed onto a second main surface of the plate opposite the first main surface in such a way that the plate is bent in the desired manner.
  • the plate can be attached to a suitable bracket at two opposite ends.
  • the tool makes it possible in a simple manner to curve the plate in such a way that the conductor tracks arranged on the first main surface of the plate touch the contact elements of exactly one row of the semiconductor wafer.
  • the tool can be moved along the plate. As a result, contact elements of various components integrated in the semiconductor wafer come into contact with the conductor tracks one after the other.
  • the components of different rows of the semiconductor wafer can be tested one after the other.
  • the tool moves in particular in a direction parallel to the conductor tracks or perpendicular to the component rows of the semiconductor wafer.
  • the curved plate can be fixed and to move the semiconductor wafer with respect to the plate in order to be able to test the components line by line.
  • the components each have at least one first contact element on a first main surface of the semiconductor wafer and at least one second contact element on a second main surface of the semiconductor wafer opposite the first main surface.
  • the first and second contact elements can be anode and cathode connections, for example.
  • a conductor track is provided on the plate, which comes into contact with the first contact element of the respective component.
  • the second contact elements of the components can be connected to one or more suitable stationary contact surfaces so that closed electrical circuits can be formed.
  • the optoelectronic components have a so-called flip-chip configuration, i. H. All electrical contact elements are arranged on the first main surface of the semiconductor wafer facing the plate. In the event that a first and a second contact element of each component are to be contacted, two adjacent conductor tracks can be provided on the plate per component, which come into contact with the first and the second contact element of the respective component.
  • the components can be optoelectronic components which are designed to emit light.
  • the optoelectronic components can be embodied, for example, as light emitting diodes (LEDs) or as organic light emitting diodes (OLEDs).
  • the optoelectronic components can be part of an integrated circuit in various embodiments.
  • the light emitted by the optoelectronic components can for example be light in the visible range, ultraviolet (UV) light and / or infrared (IR) light.
  • UV ultraviolet
  • IR infrared
  • the optoelectronic components can be excited to generate light.
  • the light they emit can be measured with the aid of a sensor.
  • the senor can pick up the light emitted by the components of a row of the semiconductor wafer. Furthermore, this measurement can take place together with the above-described current-voltage measurement of the relevant line.
  • the sensor can for example be a scanner or a camera.
  • the senor reliably detects the light emitted by the components to be checked, the sensor can be moved along the plate together with the tool. This ensures that the sensor has an essentially constant distance from the components to be checked, so that comparable measurement results are achieved.
  • the sensor can be a hyperspectral sensor, for example a hyperspectral line scanner.
  • a hyperspectral sensor is a 2D camera in which one dimension makes the location mapping, i.e. here the mapping of the line in which the optoelectronic components are tested.
  • the second dimension is used to spectrally split the light from a location in the first dimension.
  • the light picked up by the sensor can be evaluated for functional testing of the optoelectronic components. Since the plate with the conductor tracks is possibly located between the components and the sensor while the measurements are being carried out, it can be provided that the plate and / or the conductor tracks are at least partially transparent. In particular, the plate and / or the conductor tracks can be partially transparent at least for the wavelengths of the light emitted by the optoelectronic components, ie the plate and / or the conductor tracks do not completely absorb the light of these wavelengths. The plate and / or the conductor tracks can of course also be completely transparent for the wavelengths concerned.
  • the plate body can, for example, be made of a flexible and sufficiently transparent plastic.
  • the conductor tracks can for example be made of a transparent, electrically conductive oxide (English: transparent conducting oxide, TCO), such as indium tin oxide (English: indium tin oxide, ITO).
  • a current in particular a constant current, can be fed into one end or one end section of each of the conductor tracks.
  • a voltmeter d. H. a voltage measuring device, which measures the electrical potential applied there against a reference potential. In this geometry it is possible to measure the voltage on the component independently of the lead resistance of the power source to the component.
  • a device is used for electrical contacting of components in a semiconductor wafer.
  • the device comprises a holder which is designed to hold a semiconductor wafer, and a flexible plate which has a first main surface on which a plurality of conductor tracks are arranged.
  • the device comprises a unit for generating electrical signals, for example one or more power sources.
  • the plate is arranged with respect to the semiconductor wafer in such a way that the first main surface of the plate faces the semiconductor wafer. Furthermore, the plate is bent and pressed onto the semiconductor wafer in such a way that contact elements of a plurality of components arranged in a row in the semiconductor wafer come into contact with the conductor tracks.
  • the unit for generating electrical signals applies electrical signals to the components through the conductor tracks; in particular, the unit applies a respective current to the components.
  • the device for electrically contacting components in a semiconductor wafer can have the above-described configurations of the method for electrically contacting components in a semiconductor wafer.
  • the device can comprise a tool which is applied to a second main surface opposite the first main surface the plate is pressed to bend the plate and press it against the semiconductor wafer.
  • the tool can be displaced along the plate so that contact elements of different components integrated in the semiconductor wafer come into contact with the conductor tracks one after the other and can be measured accordingly.
  • the unit for generating electrical signals can feed a current into one end of one or more conductor tracks.
  • a unit for measuring an electrical potential or an electrical voltage can be connected to the other end of the respective conductor track.
  • the device can have an evaluation unit.
  • the evaluation unit can, for example, use the measured electrical potentials or voltages to check the functionality of the components.
  • Fig. 1 shows an illustration of an embodiment of a device for electrical Kontak animals of components in a semiconductor wafer
  • Fig. 2 is a perspective view of the device from FIG. 1;
  • FIG. 3 shows an illustration of an exemplary embodiment of a method for electrical contacting of components in a semiconductor wafer
  • Fig. 4 shows an illustration of the device from FIG. 1 during operation of the device
  • Fig. 5 shows an illustration of a further exemplary embodiment of a device for electrically contacting components in a semiconductor wafer.
  • FIG. 1 shows the schematic structure of a device 10 which is used for electrical contacting and checking of components 11 which are integrated in a semiconductor wafer 12.
  • the device 10 comprises a holder 13 which holds the semiconductor wafer 12, and a flexible plate 14, for example a flexible printed circuit board, having a first main surface 15 and a second main surface 16 opposite the first main surface 15.
  • the plate 14 is in relation on the Semiconductor wafer 12 arranged in such a way that the first main upper surface 15 of the plate 14 faces the semiconductor wafer 12.
  • a tool 17, for example a squeegee, which in particular has a blade geometry, is pressed onto the second main surface 16, as a result of which the in Fig. 1, the bending of the originally, for example, flat plate 14 in the direction of the semiconductor wafer 12 is generated and thus contact between the main surface 15 and the contact elements of the semiconductor wafer 12 is established.
  • FIG. 2 shows a perspective illustration of the plate 14 and of the tool 17 in a view from above.
  • the plate body of the plate 14 is made of a substantially transparent material.
  • a plurality of mutually parallel conductor tracks 20 is arranged, which can be seen in Fig. 2 through the transparent material of the plate body.
  • the force exerted on the plate 14 by the tool 17 has the effect that the conductor tracks 20 come into contact with contact elements, not shown in the figures, of a plurality of components 11 integrated in the semiconductor wafer 12.
  • the semiconductor wafer 12 and the plate 14 are oriented to one another in such a way that the conductor tracks 20 only come into contact with the contact elements of components 11 that are arranged in the same row of the semiconductor wafer 12 at a time.
  • the conductor tracks 20 are in contact with the contact elements of the component 11.1 shown in FIG. 1 and with further components 11 arranged in the same row.
  • the line extends perpendicular to the plane of the drawing.
  • the device 10 also contains a measuring unit 21 which is electrically connected to the two respective ends or end sections of the conductor tracks 20. The measuring unit 21 feeds a predetermined current into one end of a respective conductor track 20.
  • the current fed in flows through the component 11 in contact with the conductor track 20 and via a connection to the bracket 13 that is in contact with the underside of the semiconductor wafer 12 and a contact element of the component 11 located there, to the measuring unit 21 , which is electrically connected to the holder 13 via a connection 24.
  • a voltage measuring device which is integrated into the measuring unit 21 and measures the voltage drop across the component 11, is connected to the other end of the conductor track in question.
  • the measuring unit 21 is connected to an evaluation unit 22 to which the voltage values recorded by the measuring unit 21 are transmitted.
  • the components 11 are optoelectronic components which emit light of a specific wavelength or a specific wavelength range when the current generated by the measuring unit 21 is applied to them.
  • a sensor 23 in particular a hyperspectral sensor, measures the intensity and the spectrum emitted by the components 11 and transmits the corresponding measured values to the evaluation unit 22.
  • FIG. 3 shows the method steps of one with the device
  • step 31 the semiconductor wafer 12 is provided and received in the holder 13.
  • step 32 the tool 17 is pressed onto the second main surface 16 of the flexible plate 14 in order to bring the conductor tracks 20 arranged on the first main surface 15 of the plate 14 into contact with a row of components 11.
  • step 33 the measurement values described above are recorded with the aid of the measurement unit 21 and the sensor 23 and transmitted to the evaluation unit 22.
  • step 34 the tool 17 is moved further, so that the components 11 of the next row of the semiconductor wafer 12 are now in contact with the conductor tracks 20. This is shown by way of example in FIG. While in FIG. 1 the conductor tracks 20 contact the component 11.1 and the other components arranged in the same row, in FIG. 4 the tool 17 has been shifted by one row, so that now the adjacent component 11.2 and the others in the same Row of ordered components with the conductor tracks 20 stand in contact.
  • step 35 the measured values for the components 11 that are now contacted are recorded by the measuring unit 21 and the sensor 23 and transmitted to the evaluation unit 22.
  • the sensor 23 is moved together with the tool 17 so that the sensor 23 is always at the same distance from the components 11 to be examined.
  • the procedure described can be continued until all components 11 of the semiconductor wafer 12 to be checked have been tested.
  • the evaluation unit 22 can identify those components 11 whose function is impaired.
  • FIG. 5 shows the schematic structure of a device 40 for electrically contacting and checking components 11.
  • the flexible plate 14 with the line structure consisting of the conductor tracks 20 is clamped in a screen printing frame 41.
  • the screen printing frame 42 is integrated in an automatic stencil printing machine, not shown.
  • the semiconductor wafer 12 is arranged below the screen printing frame 41.
  • the electrical data are recorded by a data acquisition card 42 and transmitted to the evaluation unit 22, which is designed as a computer.
  • the in Fig. 5, a doctor blade presses the plate 14 in the direction of the semiconductor wafer 12 in order to be able to contact individual components 11.
  • the screen printing frame 41 enables the exact and, in particular, automatic alignment of the conductor tracks 20 with the components 11.
  • the number of conductor tracks 20 can correspond to the maximum number of components 11 in a row of the semiconductor wafer 12. Electrodes coupled to the conductor tracks 20 are connected to the inputs of the data acquisition card 42 in such a way that a 3-point measurement is possible.
  • the contact time per component 11 while the measurements are being carried out is dependent on the size of an individual construction element 11 and the squeegee speed and is in the range of a few milliseconds.
  • the pressure of the squeegee on the flexible plate 14 and the speed at which the squeegee moves over the flexible plate 14 can be adjusted.
  • a hyperspectral line camera moves over the semiconductor wafer 12 and measures the intensity and spectrum for each line. From this, the evaluation unit 22 can determine the optical data for each component 11.

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Abstract

Ein Verfahren (30) zum elektrischen Kontaktieren von Bauelementen (11) in einem Halbleiterwafer (12) umfasst, dass eine biegsame Platte (14) bereitgestellt wird, die eine erste Hauptoberfläche (15) aufweist, auf der eine Mehrzahl von Leiterbahnen (20) angeordnet ist, die Platte (14) in Bezug auf einen Halbleiterwafer (12) derart angeordnet wird, dass die erste Hauptoberfläche (15) der Platte (14) zu dem Halbleiterwafer (12) weist, die Platte (14) derart gebogen und auf den Halbleiterwafer (12) gedrückt wird, dass Kontaktelemente mehrerer in einer Reihe in dem Halbleiterwafer (12) angeordneter Bauelemente (11) mit den Leiterbahnen (20) in Kontakt treten, und die Bauelemente (11) durch die Leiterbahnen (20) mit elektrischen Signalen beaufschlagt werden.

Description

VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ELEKTRISCHEN KONTAKTIEREN VON BAUELEMENTEN IN EINEM HALBLEITERWAFER
Die vorliegende Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung Nr. 10 2019 107 138.0 in Anspruch, die am 20. März 2019 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht wurde. Der Offenbarungsgehalt der deutschen Patentanmeldung Nr. 10 2019 107 138.0 wird hiermit in den Offenbarungsgehalt der vorliegenden Anmeldung aufgenommen.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vor richtung zum elektrischen Kontaktieren von Bauelementen, die in einen Halbleiterwafer integriert sind.
Mit herkömmlichen Verfahren können Halbleiterwafer, die insbe sondere optoelektronische Bauelemente enthalten, nur mit ver gleichsweise hohem Zeitaufwand vermessen werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt unter anderem die Aufgabe zu grunde, ein Verfahren anzugeben, mit welchem sich in einen Halb leiterwafer integrierte Bauelemente in kostengünstiger Weise und mit verringertem Zeitaufwand elektrisch kontaktieren las sen, um die Funktion der einzelnen Bauelemente testen zu können. Ferner soll eine entsprechende Vorrichtung zum elektrischen Kontaktieren von Bauelementen in einem Halbleiterwafer geschaf fen werden.
Eine Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Eine Aufgabe der Erfindung wird ferner gelöst durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des un abhängigen Anspruchs 12. Bevorzugte Ausführungsformen und Wei terbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben . Ein Verfahren gemäß einer Ausgestaltung dient zum elektrischen Kontaktieren von Bauelementen, die in einen Halbleiterwafer in tegriert sind. Die Bauelemente sind während des elektrischen Kontaktierens nicht vereinzelt, sondern befinden sich noch im Waferverbund. Der Halbleiterwafer ist derjenige Wafer, auf dem die Bauelemente ausgebildet sind. Die Bauelemente sind in dem Halbleiterwafer beispielsweise in einer Matrix aus Zeilen und Spalten angeordnet. Der Halbleiterwafer enthält Halbleiterma terial, muss aber nicht ausschließlich aus Halbleitermaterial bestehen, sondern kann zum Beispiel auch Metalle und/oder Iso latoren aufweisen. Nach der Durchführung des in der vorliegenden Anmeldung beschriebenen Verfahrens können die Bauelemente zu Halbleiterchips, beispielsweise mittels Sägen, vereinzelt wer den .
Das Verfahren sieht vor, dass eine biegsame Platte bereitge stellt wird, die eine erste Hauptoberfläche aufweist, auf der eine Mehrzahl von Leiterbahnen angeordnet ist. Die Platte wird in Bezug auf den Halbleiterwafer derart ange ordnet, dass die erste Hauptoberfläche der Platte, auf der sich die Leiterbahnen befinden, zu dem Halbleiterwafer weist. Bei spielsweise ist die Platte oberhalb des Halbleiterwafers ange ordnet .
Ferner wird die Platte derart gebogen und auf den Halbleiter wafer gedrückt, dass Kontaktelemente mehrerer in einer Reihe in dem Halbleiterwafer angeordneter Bauelemente mit den Leiterbah nen in Kontakt treten. Die Kontaktelemente können durch die Leiterbahnen elektrisch kontaktiert werden, was es ermöglicht, die Bauelemente mit elektrischen Signalen zu beaufschlagen.
Durch das Biegen der Platte berührt die Platte den Halbleiter wafer entlang einer Linie, so dass nur die Kontaktelemente von denjenigen Bauelementen mit den Leiterbahnen gleichzeitig in Kontakt kommen, die in derselben Zeile bzw. Reihe des Halb leiterwafers angeordnet sind.
Ferner können über die Leiterbahnen elektrische Signale gemes- sen werden, insbesondere als Antwort auf die elektrischen Sig nale, mit denen die Bauelemente beaufschlagt werden. Dadurch lässt sich die Funktion der Bauelemente überprüfen. Beispiels weise kann eine Strom-Spannungs-Kennlinie der jeweiligen Bau elemente aufgenommen werden. Alternativ können auch nur ein oder mehrere Punkt (e) auf der Strom-Spannungs-Kennlinie aufgenommen werden. Da die in einer Zeile des Halbleiterwafers angeordneten Bauelemente gleichzeitig kontaktiert und getestet werden, kann die Überprüfung der Bauelemente relativ schnell und mit nur geringem Aufwand erfolgen. Jede der Leiterbahnen ist an eine entsprechende Testeinheit angeschlossen.
Im Vergleich zu anderen Messverfahren verkürzt sich die Messzeit auf wenige Sekunden pro Halbleiterwafer. Ferner verursacht das hier beschriebene Verfahren keine Nadelabdrücke auf den Bauele- menten, welche oft als Problem bei der Weiterverarbeitung an gesehen werden.
Die biegsame Platte kann beispielsweise eine Leiterplatte, auch PCB (englisch: printed circuit board) , Leiterkarte, Platine o- der gedruckte Schaltung genannt, sein, die eine geeignete Bieg samkeit aufweist. Eine Leiterplatte weist einen Körper aus elektrisch isolierendem Material mit daran haftenden Leiterbah nen auf. Als elektrisch isolierendes Material kann faserver stärkter Kunststoff verwendet werden. Beispielsweise können Glasfasern in ein Polyimid oder ein Epoxid- oder Silikonharz eingebettet werden. Die gewünschte Biegsamkeit der Leiterplatte kann insbesondere durch eine entsprechend geringe Dicke der Leiterplatte bewirkt werden. Die Leiterbahnen können aus einer dünnen Schicht Kupfer geätzt werden. Die Leiterbahnen können sich im Wesentlichen geradlinig bzw. linienförmig erstrecken und parallel zueinander ausgerichtet sein. Die jeweilige Breite der Leiterbahnen kann im Bereich von 30 bis 200 pm liegen. Eine derartige Breite erlaubt es, Kontak- telemente bzw. Bondpads der Bauelemente zu kontaktieren, welche typischerweise Breiten im Bereich von 60 bis 140 pm haben.
Die Platte kann mit Hilfe eines Werkzeugs gebogen werden. Das Werkzeug, beispielsweise ein Rakel, das insbesondere eine Klin- gengeometrie aufweist, kann auf eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche der Platte derart ge drückt werden, dass die Platte in der gewünschten Weise gebogen wird. Die Platte kann an zwei gegenüberliegenden Enden an einer geeigneten Halterung befestigt sein. Das Werkzeug ermöglicht es in einfacher Weise, die Platte derart zu krümmen, dass die an der ersten Hauptoberfläche der Platte angeordneten Leiterbahnen die Kontaktelemente genau einer Zeile des Halbleiterwafers be rühren . Um sukzessive alle oder einen bestimmten Teil der Bauelemente des Halbleiterwafers zu kontaktieren, kann das Werkzeug entlang der Platte bewegt werden. Dadurch treten nacheinander Kontak telemente verschiedener in den Halbleiterwafer integrierter Bauelemente mit den Leiterbahnen in Kontakt. Die Bauelemente verschiedener Zeilen des Halbleiterwafers können nacheinander getestet werden. Das Werkzeug bewegt sich insbesondere in einer Richtung parallel zu den Leiterbahnen bzw. senkrecht zu den Bauelementzeilen des Halbleiterwafers. Alternativ wäre es auch denkbar, die gebogene Platte feststehend auszugestalten und den Halbleiterwafer bezüglich der Platte zu bewegen, um die Bauelemente zeilenweise testen zu können. Gemäß einer Ausgestaltung weisen die Bauelemente jeweils min destens ein erstes Kontaktelement auf einer ersten Hauptober fläche des Halbleiterwafers und mindestens ein zweites Kontak telement auf einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegen- den zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers auf. Die ers ten und zweiten Kontaktelemente können beispielsweise Anoden- und Kathodenanschlüsse sein. Pro Bauelement ist eine Leiterbahn auf der Platte vorgesehen, die mit dem ersten Kontaktelement des jeweiligen Bauelements in Kontakt tritt. Die zweiten Kon- taktelemente der Bauelemente können mit einem oder mehreren geeigneten stationären Kontaktflächen verbunden sein, so dass geschlossene Stromkreise gebildet werden können.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung besitzen die optoelekt- ronischen Bauelemente eine sogenannte Flip-Chip-Konfiguration, d. h. , sämtliche elektrischen Kontaktelemente sind auf der zur Platte weisenden ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers angeordnet. Für den Fall, dass ein erstes und ein zweites Kon taktelement jedes Bauelements kontaktiert werden sollen, können pro Bauelement zwei benachbarte Leiterbahnen auf der Platte vorgesehen sein, die mit dem ersten bzw. dem zweiten Kontakte lement des jeweiligen Bauelements in Kontakt treten.
Die Bauelemente können optoelektronische Bauelemente sein, die dazu ausgelegt sind, Licht zu emittieren.
Die optoelektronischen Bauelemente können beispielsweise als Licht emittierende Dioden (englisch: light emitting diodes, LEDs) oder als organische Licht emittierende Dioden (englisch: organic light emitting diodes, OLEDs) ausgebildet sein. Die optoelektronischen Bauelemente können in verschiedenen Ausfüh rungsformen Teil einer integrierten Schaltung sein. Das von den optoelektronischen Bauelementen emittierte Licht kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, Ultraviolett (UV) -Licht und/oder Infrarot (IR) -Licht sein. Durch das Beaufschlagen der optoelektronischen Bauelemente mit elektrischen Signalen, insbesondere einem Strom, können die optoelektronischen Bauelemente zur Erzeugung von Licht angeregt werden. Zur Funktionsüberprüfung der optoelektronischen Bauele mente kann das von ihnen emittierte Licht mit Hilfe eines Sen- sors gemessen werden. Beispielsweise kann der Sensor das von den Bauelementen einer Zeile des Halbleiterwafers emittierte Licht aufnehmen. Weiterhin kann diese Messung zusammen mit der oben beschriebenen Strom-Spannungs-Messung der betreffenden Zeile erfolgen. Der Sensor kann beispielsweise ein Scanner oder eine Kamera sein.
Damit der Sensor zuverlässig das von den zu überprüfenden Bau elementen emittierte Licht erfasst, kann der Sensor zusammen mit dem Werkzeug entlang der Platte bewegt werden. Dadurch wird sichergestellt, dass der Sensor einen im Wesentlichen konstan ten Abstand zu den zu überprüfenden Bauelementen aufweist, so dass vergleichbare Messergebnisse erzielt werden.
Der Sensor kann ein hyperspektraler Sensor, beispielsweise ein hyperspektraler Zeilenscanner, sein. Ein hyperspektraler Sensor ist eine 2D Kamera, bei der eine Dimension die Ortsabbildung macht, also hier die Abbildung der Zeile, in der die optoelekt ronischen Bauelemente getestet werden. Die zweite Dimension wird benutzt, um das Licht eines Orts der ersten Dimension spektral aufzuspalten.
Das von dem Sensor aufgenommene Licht kann zur Funktionsüber prüfung der optoelektronischen Bauelemente ausgewertet werden. Da sich die Platte mit den Leiterbahnen während der Durchführung der Messungen möglicherweise zwischen den Bauelementen und dem Sensor befindet, kann vorgesehen sein, dass die Platte und/oder die Leiterbahnen zumindest teilweise transparent sind. Insbe- sondere können die Platte und/oder die Leiterbahnen zumindest für die Wellenlängen des von den optoelektronischen Bauelemen ten emittierten Lichts teilweise transparent sein, d. h. , die Platte und/oder die Leiterbahnen absorbieren das Licht dieser Wellenlängen nicht vollständig. Die Platte und/oder die Leiter- bahnen können für die betreffenden Wellenlängen natürlich auch vollständig transparent sein.
Um die gewünschte Transparenz zu erzielen, kann der Plattenkör per beispielsweise aus einem biegsamen und ausreichend trans- parenten Kunststoff hergestellt sein. Die Leiterbahnen können beispielsweise aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid (englisch: transparent conducting oxide, TCO) , wie etwa Indiumzinnoxid (englisch: indium tin oxide, ITO) , hergestellt sein .
Zum Testen der Bauelemente kann in ein Ende bzw. einen Endab schnitt jeder der Leiterbahnen ein Strom, insbesondere ein Kon stantstrom, eingespeist werden. An die anderen Enden bzw. End abschnitte der Leiterbahnen kann jeweils ein Voltmeter, d. h. ein Spannungsmessgerät, angeschlossen sein, welches das dort anliegende elektrische Potential gegen ein Referenzpotential misst. In dieser Geometrie ist es möglich, die Spannung am Bauteil unabhängig vom Zuleitungswiderstand der Stromquelle zum Bauteil zu messen.
Für alle zu überprüfenden Bauelemente kann zunächst ein Punkt auf der Strom-Spannungs-Kennlinie des jeweiligen Bauelements aufgenommen werden, indem ein bestimmter Konstantstromwert ein- gestellt wird. Anschließend kann die Messung mit anderen Kon stantstromwerten wiederholt werden, um weitere Punkte auf den Strom-Spannungs-Kennlinien der Bauelemente zu bestimmen. Die gemessenen Strom-Spannungs-Werte können eventuell zusammen mit den von dem oben beschriebenen Sensor aufgenommenen Daten zur Funktionsüberprüfung der optoelektronischen Bauelemente herangezogen werden. Eine Vorrichtung gemäß einer Ausgestaltung dient zum elektri schen Kontaktieren von Bauelementen in einem Halbleiterwafer. Die Vorrichtung umfasst eine Halterung, die dazu ausgebildet ist, einen Halbleiterwafer zu halten, und eine biegsame Platte, die eine erste Hauptoberfläche aufweist, auf der eine Mehrzahl von Leiterbahnen angeordnet ist. Außerdem umfasst die Vorrich tung eine Einheit zur Erzeugung von elektrischen Signalen, bei spielsweise eine oder mehrere Stromquellen. Die Platte ist in Bezug auf den Halbleiterwafer derart angeordnet, dass die erste Hauptoberfläche der Platte zu dem Halbleiterwafer weist. Ferner ist die Platte derart gebogen und auf den Halbleiterwafer ge drückt, dass Kontaktelemente mehrerer in einer Reihe in dem Halbleiterwafer angeordneter Bauelemente mit den Leiterbahnen in Kontakt treten. Die Einheit zur Erzeugung von elektrischen Signalen beaufschlagt die Bauelemente durch die Leiterbahnen mit elektrischen Signalen, insbesondere beaufschlagt die Ein heit die Bauelemente mit einem jeweiligen Strom.
Die Vorrichtung zum elektrischen Kontaktieren von Bauelementen in einem Halbleiterwafer kann die oben beschriebenen Ausgestal- tungen des Verfahrens zum elektrischen Kontaktieren von Bauele menten in einem Halbleiterwafer aufweisen.
Die Vorrichtung kann ein Werkzeug umfassen, das auf eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche der Platte gedrückt wird, um die Platte zu biegen und gegen den Halbleiterwafer zu drücken.
Das Werkzeug kann entlang der Platte verschoben werden, so dass nacheinander Kontaktelemente verschiedener in den Halbleiter wafer integrierter Bauelemente mit den Leiterbahnen in Kontakt treten und dementsprechend vermessen werden können.
Die Einheit zur Erzeugung von elektrischen Signalen kann einen Strom in ein Ende einer oder mehrerer Leiterbahnen einspeisen. An das andere Ende der jeweiligen Leiterbahn kann eine Einheit zur Messung eines elektrischen Potentials bzw. einer elektri schen Spannung angeschlossen sein. Weiterhin kann die Vorrichtung eine Auswerteeinheit aufweisen. Die Auswerteeinheit kann beispielsweise anhand der gemessenen elektrischen Potentiale bzw. Spannungen die Funktionsfähigkeit der Bauelemente überprüfen. Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. In diesen zeigen schematisch:
Fig . 1 eine Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zum elektrischen Kontak tieren von Bauelementen in einem Halbleiter wafer;
Fig . 2 eine perspektivische Darstellung der Vor richtung aus Fig. 1;
Fig . 3 eine Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum elektrischen Kontak tieren von Bauelementen in einem Halbleiter- wafer; Fig . 4 eine Darstellung der Vorrichtung aus Fig. 1 während des Betriebs der Vorrichtung; und
Fig . 5 eine Darstellung eines weiteren Ausfüh rungsbeispiels einer Vorrichtung zum elektrischen Kontaktieren von Bauelementen in einem Halbleiterwafer.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die bei- gefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil dieser Be schreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifi sche Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert wer- den können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschauli chung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merk- male der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbei spiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spe zifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschrei bung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen. In den Figuren sind identische oder ähnliche Elemente mit identi- sehen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig. 1 zeigt den schematischen Aufbau einer Vorrichtung 10, die zum elektrischen Kontaktieren und Überprüfen von Bauelementen 11 dient, die in einen Halbleiterwafer 12 integriert sind.
Die Vorrichtung 10 umfasst eine Halterung 13, die den Halb leiterwafer 12 hält, und eine biegsame Platte 14, beispielsweise eine biegsame Leiterplatte, mit einer ersten Hauptoberfläche 15 und eine der ersten Hauptoberfläche 15 gegenüberliegenden zwei- ten Hauptoberfläche 16. Die Platte 14 ist in Bezug auf den Halbleiterwafer 12 derart angeordnet, dass die erste Hauptober fläche 15 der Platte 14 zu dem Halbleiterwafer 12 weist. Ein Werkzeug 17, beispielsweise ein Rakel, das insbesondere eine Klingengeometrie aufweist, ist auf die zweite Hauptoberfläche 16 gedrückt, wodurch die in Fig . 1 dargestellte Verbiegung der ursprünglich beispielsweise ebenen Platte 14 in Richtung des Halbleiterwafers 12 erzeugt wird und somit Kontakt zwischen der Hauptoberfläche 15 und den Kontaktelementen des Halbleiter wafers 12 hergestellt wird.
Fig. 2 zeigt eine perspektivische Darstellung der Platte 14 sowie des Werkzeugs 17 in einer Ansicht von oben. In dem vor liegenden Ausführungsbeispiel ist der Plattenkörper der Platte 14 aus einem im Wesentlichen transparenten Material hergestellt. Auf der ersten Hauptoberfläche 15 der Platte 14 ist eine Mehr zahl von parallel zueinander verlaufenden Leiterbahnen 20 an geordnet, die in Fig. 2 durch das transparente Material des Plattenkörpers zu erkennen sind. Die durch das Werkzeug 17 auf die Platte 14 ausgeübte Kraft bewirkt, dass die Leiterbahnen 20 mit in den Figuren nicht dargestellten Kontaktelementen von mehreren in den Halbleiter wafer 12 integrierten Bauelementen 11 in Kontakt treten. Der Halbleiterwafer 12 und die Platte 14 sind so zueinander orientiert, dass die Leiterbahnen 20 zu einem Zeitpunkt nur mit den Kontaktelementen von Bauelementen 11 in Berührung kommen, die in derselben Zeile des Halbleiterwafers 12 angeordneten sind. In Fig. 1 sind die Leiterbahnen 20 mit den Kontaktelemen- ten des in Fig. 1 dargestellten Bauelements 11.1 sowie von weiteren in der gleichen Zeile angeordneten Bauelementen 11 in Kontakt. Die Zeile erstreckt sich senkrecht zur Zeichenebene. Die Vorrichtung 10 enthält weiterhin eine Messeinheit 21, die mit den beiden jeweiligen Enden bzw. Endabschnitten der Leiter bahnen 20 elektrisch verbunden ist. Die Messeinheit 21 speist einen vorgegebenen Strom in ein Ende einer jeweiligen Leiterbahn 20 ein. Der eingespeiste Strom fließt durch das mit der Leiter bahn 20 in Kontakt stehende Bauelement 11 und über einen An schluss der Halterung 13, der mit der Unterseite des Halbleiter wafers 12 sowie einem dort befindlichen Kontaktelement des Bau elements 11 in Kontakt steht, zur Messeinheit 21 ab, die über eine Verbindung 24 mit der Halterung 13 elektrisch verbunden ist. An das andere Ende der betreffenden Leiterbahn ist ein in die Messeinheit 21 integriertes Spannungsmessgerät angeschlos sen sein, welches die über dem Bauelement 11 abfallende Spannung misst .
Die Messeinheit 21 ist mit einer Auswerteeinheit 22 verbunden, an welche die von der Messeinheit 21 aufgenommenen Spannungs werte übertragen werden. Die Bauelemente 11 sind optoelektronische Bauelemente, die Licht einer bestimmten Wellenlänge oder eines bestimmten Wellenlän genbereichs emittieren, wenn sie mit dem von der Messeinheit 21 erzeugten Strom beaufschlagt werden. Ein Sensor 23, insbesondere ein hyperspektraler Sensor, misst die von den Bauelementen 11 emittierte Intensität und das Spekt rum und übermittelt die entsprechenden Messwerte an die Auswer teeinheit 22. Fig . 3 zeigt die Verfahrensschritte eines mit der Vorrichtung
10 durchgeführten Verfahrens 30 zum elektrischen Kontaktieren der Bauelemente 11 in dem Halbleiterwafer 12.
Im Schritt 31 wird der Halbleiterwafer 12 bereitgestellt und in der Halterung 13 aufgenommen. Im Schritt 32 wird das Werkzeug 17 auf die zweite Hauptoberflä che 16 der biegsamen Platte 14 gedrückt, um die an der ersten Hauptoberfläche 15 der Platte 14 angeordneten Leiterbahnen 20 in Kontakt mit einer Zeile von Bauelementen 11 zu bringen.
Im Schritt 33 werden mit Hilfe der Messeinheit 21 und des Sen sors 23 die oben beschriebenen Messwerte aufgenommen und an die Auswerteeinheit 22 übertragen. Im Schritt 34 wird das Werkzeug 17 weiterbewegt, so dass nun die Bauelemente 11 der nächsten Zeile des Halbleiterwafers 12 mit den Leiterbahnen 20 in Kontakt stehen. Beispielhaft ist dies in Fig. 4 dargestellt. Während in Fig. 1 die Leiterbahnen 20 das Bauelement 11.1 sowie die übrigen in derselben Zeile ange- ordneten Bauelemente kontaktieren, ist in Fig. 4 das Werkzeug 17 um eine Zeile verschoben worden, so dass jetzt das benach barte Bauelement 11.2 sowie die übrigen in derselben Zeile an geordneten Bauelemente mit den Leiterbahnen 20 in Kontakt ste hen .
Im Schritt 35 werden von der Messeinheit 21 und dem Sensor 23 die Messwerte für die nun kontaktierten Bauelemente 11 aufge nommen und an die Auswerteeinheit 22 übertragen. Bei den beschriebenen Messungen wird der Sensor 23 zusammen mit dem Werkzeug 17 bewegt, so dass der Sensor 23 stets den gleichen Abstand zu den zu untersuchenden Bauelementen 11 hat.
Das beschriebene Vorgehen kann fortgesetzt werden, bis alle zu überprüfenden Bauelemente 11 des Halbleiterwafers 12 getestet wurden. Die Auswerteeinheit 22 kann diejenigen Bauelemente 11 identifizieren, deren Funktion beeinträchtigt ist.
Fig. 5 zeigt den schematischen Aufbau einer Vorrichtung 40 zum elektrischen Kontaktieren und Überprüfen von Bauelementen 11. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die biegsame Platte 14 mit der aus den Leiterbahnen 20 bestehenden Linienstruktur in einen Siebdruckrahmen 41 gespannt. Der Siebdruckrahmen 42 ist in einen nicht dargestellten Schablonendruckautomat integriert. Unter- halb des Siebdruckrahmens 41 ist der Halbleiterwafer 12 ange ordnet. Die elektrischen Daten werden von einer Datenerfas sungskarte 42 aufgenommen und an die Auswerteeinheit 22 über mittelt, die als Computer ausgestaltet ist. Das in Fig . 5 nicht dargestellte Rakel drückt die Platte 14 in Richtung des Halbleiterwafers 12, um einzelne Bauelemente 11 kontaktieren zu können. Der Siebdruckrahmen 41 ermöglicht die exakte und insbesondere automatische Ausrichtung der Leiterbah nen 20 zu den Bauelementen 11. Die Anzahl der Leiterbahnen 20 kann der maximalen Anzahl der Bauelemente 11 einer Zeile des Halbleiterwafers 12 entsprechen. An die Leiterbahnen 20 gekop pelte Elektroden sind so mit den Eingängen der Datenerfassungs karte 42 verbunden, dass eine 3-Punkt-Messung möglich ist. Die Kontaktierzeit pro Bauelement 11 während der Durchführung der Messungen ist abhängig von der Größe eines einzelnen Bau elements 11 sowie der Rakelgeschwindigkeit und liegt im Bereich von einigen Millisekunden. Der Druck des Rakels auf die biegsame Platte 14 sowie die Geschwindigkeit, mit der sich das Rakel über die biegsame Platte 14 bewegt, können eingestellt werden. Pa rallel mit dem Rakel fährt eine hyperspektrale Zeilenkamera über den Halbleiterwafer 12 und vermisst für jeweils eine Linie In tensität und Spektrum. Daraus kann die Auswerteeinheit 22 die optischen Daten für jedes Bauelement 11 ermitteln. BEZUGSZEICHENLISTE
10 Vorrichtung
11 Bauelement
11.1 Bauelement
11.2 Bauelement
12 Halbleiterwafer
13 Halterung
14 Platte
15 erste Hauptoberfläche
16 zweite Hauptoberfläche 17 Werkzeug
20 Leiterbahn
21 Messeinheit
22 AusWerteeinheit
23 Sensor
24 Verbindung
30 Verfahren
31 Schritt
32 Schritt
33 Schritt
34 Schritt
35 Schritt
40 Vorrichtung
41 Siebdruckrahmen
42 Datenerfassungskarte

Claims

ANSPRÜCHE
1. Verfahren (30) zum elektrischen Kontaktieren von Bauele menten (11) in einem Halbleiterwafer (12), wobei
eine biegsame Platte (14) bereitgestellt wird, die eine erste Hauptoberfläche (15) aufweist, auf der eine Mehrzahl von Leiterbahnen (20) angeordnet ist,
die Platte (14) in Bezug auf einen Halbleiterwafer (12) derart angeordnet wird, dass die erste Hauptober fläche (15) der Platte (14) zu dem Halbleiterwafer (12) weist,
die Platte (14) derart gebogen und auf den Halbleiter wafer (12) gedrückt wird, dass Kontaktelemente mehrerer in einer Reihe in dem Halbleiterwafer (12) angeordneter Bauelemente (11) mit den Leiterbahnen (20) in Kontakt treten, und
die Bauelemente (11) durch die Leiterbahnen (20) mit elektrischen Signalen beaufschlagt werden. 2. Verfahren (30) nach Anspruch 1, wobei die Platte (14) mit
Hilfe eines Werkzeugs (17) gebogen wird, das auf eine der ersten Hauptoberfläche (15) gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche (16) der Platte (14) gedrückt wird.
3. Verfahren (30) nach Anspruch 2, wobei das Werkzeug (17) entlang der Platte (14) bewegt wird, so dass nacheinander Kontaktelemente verschiedener in den Halbleiterwafer (12) integrierter Bauelemente (11) mit den Leiterbahnen (20) in Kontakt treten.
4. Verfahren (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bauelemente (11) jeweils ein erstes Kontakte lement auf einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiter wafers (12) und ein zweites Kontaktelement auf einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden zweiten Haupt oberfläche des Halbleiterwafers (12) aufweisen, wobei pro Bauelement (11) jeweils eine Leiterbahn (20) mit dem ers ten Kontaktelement in Kontakt tritt.
5. Verfahren (30) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Bauelemente (11) jeweils ein erstes Kontaktelement und ein zweites Kontaktelement auf einer ersten Haupt oberfläche des Halbleiterwafers (12) aufweisen, wobei pro Bauelement (11) jeweils eine Leiterbahn (20) mit dem ers ten Kontaktelement und eine weitere Leiterbahn (20) mit dem zweiten Kontaktelement in Kontakt tritt.
6. Verfahren (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bauelemente (11) optoelektronische Bauelemente sind, die dazu ausgelegt sind, Licht zu emittieren.
7. Verfahren (30) nach Anspruch 6, wobei ein Sensor (23) zumindest einen Teil des von den optoelektronischen Bau elementen (11) emittierten Lichts aufnimmt.
8. Verfahren (30) nach Anspruch 7, wobei der Sensor (23) zusammen mit dem Werkzeug (17) entlang der Platte (14) bewegt wird.
9. Verfahren (30) nach Anspruch 7 oder 8, wobei der Sensor
(23) ein hyperspektraler Sensor ist.
10. Verfahren (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Platte (14) und/oder die Leiterbahnen (20) zu mindest teilweise transparent sind.
11. Verfahren (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Strom in ein Ende einer der Leiterbahnen (20) eingespeist wird und ein elektrisches Potential an dem anderen Ende der Leiterbahn (20) gemessen wird.
12. Vorrichtung (10, 40) zum elektrischen Kontaktieren von Bauelementen (11) in einem Halbleiterwafer (12), mit: einer Halterung (13), die dazu ausgebildet ist, einen Halbleiterwafer (12) zu halten,
einer biegsamen Platte (14), die eine erste Haupt oberfläche (15) aufweist, auf der eine Mehrzahl von Lei terbahnen (20) angeordnet ist, und
einer Einheit (21) zur Erzeugung von elektrischen Sig nalen,
wobei die Platte (14) in Bezug auf den Halbleiterwafer (12) derart angeordnet ist, dass die erste Hauptoberflä che (15) der Platte (14) zu dem Halbleiterwafer (12) weist ,
wobei die Platte (14) derart gebogen und dazu ausge bildet ist, auf einen Halbleiterwafer (12) gedrückt zu werden, so dass Kontaktelemente mehrerer in einer Reihe in dem Halbleiterwafer (12) angeordneter Bauelemente (11) mit den Leiterbahnen (20) in Kontakt treten, und
wobei die Einheit (21) zur Erzeugung von elektrischen Signalen die Bauelemente (11) durch die Leiterbahnen (20) mit elektrischen Signalen beaufschlagt.
13. Vorrichtung (10, 40) nach Anspruch 12, wobei die Vorrich tung (10, 40) ein Werkzeug (17) umfasst, das auf eine der ersten Hauptoberfläche (15) gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche (16) der Platte (14) gedrückt ist, um die Platte (14) zu biegen.
14. Vorrichtung (10, 40) nach Anspruch 13, wobei das Werkzeug
(17) entlang der Platte (14) bewegt wird, so dass nach- einander Kontaktelemente verschiedener in den Halbleiter wafer (12) integrierter Bauelemente (11) mit den Leiter bahnen (20) in Kontakt treten. 15. Vorrichtung (10, 40) nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei die Einheit (21) zur Erzeugung von elektrischen Signalen einen Strom in ein Ende einer der Leiterbahnen (20) einspeist und an das andere Ende der Leiterbahn (20) eine Einheit (21) zur Messung eines elektrischen Poten- tials angeschlossen ist.
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