WO2020108899A1 - Elektronische vorrichtung - Google Patents

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WO2020108899A1
WO2020108899A1 PCT/EP2019/079334 EP2019079334W WO2020108899A1 WO 2020108899 A1 WO2020108899 A1 WO 2020108899A1 EP 2019079334 W EP2019079334 W EP 2019079334W WO 2020108899 A1 WO2020108899 A1 WO 2020108899A1
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aromatic ring
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ring systems
radicals
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PCT/EP2019/079334
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French (fr)
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Florian MAIER-FLAIG
Christian EICKHOFF
Frank Voges
Elvira Montenegro
Teresa Mujica-Fernaud
Rémi Manouk ANÉMIAN
Aaron Lackner
Jens ENGELHART
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Merck Patent Gmbh
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Priority to US17/298,544 priority patent/US20230058635A1/en
Priority to JP2021531078A priority patent/JP2022513170A/ja
Priority to CN201980076507.6A priority patent/CN113227105A/zh
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Definitions

  • the present application relates to an electronic device which contains certain amine compounds in a hole-transporting layer and which contains emissive compounds of a certain structure type in an emitting layer.
  • Organic electronic devices which are organic semiconductor materials
  • OLEDs organic electroluminescent devices
  • OLEDs organic electroluminescent devices
  • the term OLEDs is understood to mean electronic devices which have one or more layers containing organic compounds and which emit light when electrical voltage is applied.
  • the structure and the general principle of operation of OLEDs are known to the person skilled in the art.
  • a variety of different materials are known as materials for hole-transporting layers in electronic devices, most of which belong to the class of triarylamines, such as
  • N for example N, N '-di (1-naphthyl) - N, N
  • NPD diphenyl- (1, 1'-biphenyl) -4,4'-diamine
  • TCTA tris- (4-carbazolyl-9-ylphenyl) amine
  • Fluorescent compounds for example pyrenamines, or phosphorescent compounds are essentially used for this use Connections that are usually chosen from
  • Transition metal complexes with an organometallic bond in particular iridium complexes such as lr (PPy) 3 (tris [2-phenylpyridinato-C 2 , / ⁇ /] iridium (III)).
  • iridium complexes such as lr (PPy) 3 (tris [2-phenylpyridinato-C 2 , / ⁇ /] iridium (III)
  • Bridged triarylboron compounds with a certain structure were also used as fluorescent compounds. A high external quantum efficiency was found for these compounds in certain structures when used as emitters in OLEDs.
  • the present invention thus relates to an electronic one
  • Each occurrence of X is the same or different from O, S, NR E2 and C (R E2 ) 2, whereby at least one X must be present, which is selected from O, S and NR E2 ;
  • C 1 , C 2 and C 3 are selected identically or differently from ring systems with 5 to 40 ring atoms which are substituted with radicals R E3 ;
  • Alkoxy groups with 1 to 20 C atoms branched or cyclic alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 C atoms, alkenyl or alkynyl groups with 2 to 20 C atoms, aromatic ring systems with 6 to 40
  • emitting layer is arranged, and which contains a compound of a formula (L-1), (L-2) or (L-3)
  • Z is C when a group - [Ar 1 ] n -N (Ar 2 ) 2 is attached to it, and Z is when no group - [Ar 1 ] n -N (Ar 2 ) 2 is attached to it, with each occurrence the same or different N or CR 1 ;
  • Ar 1 is the same or different at each occurrence an aromatic ring system with 6 to 40 aromatic ring atoms which is substituted by R 3 radicals or a heteroaromatic ring system with 5 to 40 aromatic ring atoms which is substituted by R 3 radicals;
  • Ar 2 is the same or different at each occurrence an aromatic ring system with 6 to 40 aromatic ring atoms which is substituted by R 3 radicals or a heteroaromatic ring system with 5 to 40 aromatic ring atoms which is substituted by R 3 radicals;
  • R 5 is selected identically or differently from H, D, F, CI, Br, I, CN, alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 C atoms, alkenyl or alkynyl groups with 2 to 20 C atoms, aromatic Ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms and heteroaromatic
  • Ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms wherein two or more radicals R 5 can be linked to one another and form a ring; and wherein said alkyl, alkoxy, alkenyl and
  • Alkynyl groups, aromatic ring systems and heteroaromatic ring systems can be substituted with one or more radicals selected from F and CN; n is the same or different at each occurrence 0, 1, 2, 3 or 4; k is 0 or 1; and
  • a layer H2 which is arranged between the layer H1 and the emitting layer.
  • index n is 0, this means that the group -N (Ar 2 ) 2 and the spirobifluorenyl or fluorenyl or indenofluorenyl basic structure are linked directly to one another. If the index n is 2, 3, or 4, it means that two, three or four groups Ar 1 in series
  • the groups “C” in formula (E-1) denote carbon atoms which are part of the ring systems C 1 , C 2 and C 3 .
  • the arc between the C atoms indicates that double bonds exist in such a way that all C atoms each have four bonds and three groups each attached to them.
  • ring system is understood to mean any rings which can be individual rings, or a system comprising a plurality of individual rings condensed with one another, as occurs, for example, in decalin or fluorene.
  • the rings can be the same or different aliphatic, heteroaliphatic, aromatic or heteroaromatic.
  • the ring atoms can be selected from carbon and fleteroatoms, in particular C, O, S, Si, B, P and N.
  • An aryl group in the sense of this invention is understood to mean either a single aromatic cycle, that is to say benzene, or a condensed aromatic polycycle, for example naphthalene, phenanthrene or anthracene.
  • a condensed aromatic polycycle consists of two or more individual aromatic cycles condensed with one another. Condensation between cycles means that the cycles share at least one edge with one another.
  • An aryl group in the sense of this invention contains 6 to 40 aromatic ring atoms, none of which is a hetero atom.
  • a heteroaryl group means either a single heteroaromatic cycle, for example pyridine, pyrimidine or thiophene, or a condensed heteroaromatic polycycle, for example quinoline or carbazole.
  • a condensed heteroaromatic polycycle exists in the sense of the present
  • Heteroaryl group in the sense of this invention contains 5 to 40 aromatic ring atoms, at least one of which represents a hetero atom.
  • the heteroatoms of the heteroaryl group are preferably selected from N, O and S.
  • radicals mentioned can be understood to mean, in particular, groups which are derived from benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, dihydropyrene, chrysene, perylene, triphenylene,
  • An aromatic ring system in the sense of this invention is a system which does not necessarily only contain aryl groups, but which can additionally contain one or more non-aromatic rings which are condensed with at least one aryl group. Not this one
  • aromatic rings contain only carbon atoms as
  • Ring atoms examples of groups included in this definition are tetrahydronaphthalene, fluorene and spirobifluorene.
  • aromatic ring system also includes systems which consist of two or more aromatic ring systems which are connected to one another via single bonds, for example biphenyl, terphenyl, 7-phenyl-2-fluorenyl, quaterphenyl and 3,5-diphenyl-1-phenyl.
  • An aromatic ring system in the sense of this invention contains 6 to 40 carbon atoms and no heteroatoms in the ring system.
  • the definition of “aromatic ring system” does not include heteroaryl groups.
  • a heteroaromatic ring system corresponds to that mentioned above
  • Ring system not only contain aryl groups and heteroaryl groups, but one or more can not
  • Heteroaryl group are condensed.
  • the non-aromatic rings can contain only carbon atoms as ring atoms, or they can additionally contain one or more heteroatoms, the
  • Heteroatoms are preferably selected from N, O and S.
  • An example of such a heteroaromatic ring system is benzopyranyl.
  • the term “heteroaromatic ring system” is understood to mean systems which consist of two or more aromatic or heteroaromatic ring systems which are linked to one another via single bonds
  • Heteroaromatic ring system in the sense of this invention contains 5 to 40 ring atoms which are selected from carbon and heteroatoms, at least one of the ring atoms being a heteroatom.
  • the heteroatoms of the heteroaromatic ring system are preferably selected from N, O and S.
  • an aromatic ring system cannot have a hetero atom as a ring atom, whereas a heteroaromatic ring system must have at least one hetero atom as a ring atom.
  • This heteroatom can be used as a ring atom of a non-aromatic heterocyclic ring or as a ring atom of one
  • each aryl group is included in the term “aromatic ring system” and each heteroaryl group is included in the term “heteroaromatic ring system”.
  • aromatic ring system As defined above, each aryl group is included in the term “aromatic ring system” and each heteroaryl group is included in the term “heteroaromatic ring system”.
  • aromatic ring system Under an aromatic ring system with 6 to 40 aromatic
  • Ring atoms or a heteroaromatic ring system with 5 to 40 aromatic ring atoms are understood in particular to be groups which are derived from the groups mentioned above under aryl groups and heteroaryl groups and from biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, fluorene, spirobifluorene, dihydrophenanthrene, dihydropyrene, tetrahydropyrene, truxene, indenofluorene , Isotruxes, spirotruxes, spiroisotruxes,
  • a straight-chain alkyl group having 1 to 20 C atoms or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 20 C atoms or an alkenyl or alkynyl group having 2 to 40 C atoms in which also individual H atoms or CH2 groups can be substituted by the groups mentioned above when defining the radicals, preferably the radicals methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, s-butyl, t- Butyl, 2-methylbutyl, n-pentyl, s-pentyl, cyclopentyl, neo-pentyl, n-hexyl, cyclohexyl, neo-hexyl, n-heptyl, cycloheptyl, n-octyl, cyclooctyl, 2-ethyl, n-propy
  • radicals can be substituted, preferably methoxy, trifluoromethoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, i-butoxy, s-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy, s-pentoxy, 2nd -Methylbutoxy, n-hexoxy, cyclohexyloxy, n-heptoxy, cycloheptyloxy, n-octyloxy, cyclooctyloxy, 2-ethylhexyloxy, pentafluoroethoxy, 2,2,2-trifluoroethoxy, methylthio, ethylthio, n-propylthio, i-propylthio, n -Butylthio, i-butylthio, s-butylthio, t-butylthio, n-pentylthio, s
  • the wording that two or more radicals can form a ring with one another is to be understood, inter alia, to mean that the two radicals are linked to one another by a chemical bond.
  • the above-mentioned formulation should also be understood to mean that in the event that one of the two radicals is hydrogen, the second radical binds to the position to which the hydrogen atom was bonded, forming a ring.
  • T is preferably equal to B.
  • X is preferably chosen the same every time it occurs. X is particularly preferably NR E2 each time it occurs. At least one of the indices o and p is preferably 1, so that at least two groups X are present in the compound, and at least two groups X in the compound are selected from O, S and NR E , particularly preferably NR E.
  • C 1 , C 2 and C 3 are preferably chosen to be the same each time they occur. They are furthermore preferably selected from ring systems in which the ring atoms are selected from C, Si, N, P, O, S, B.
  • the ring systems can be aliphatic, aromatic, heteroaliphatic or heteroaromatic.
  • the individual ring which contains the C atoms shown in formula (E-1) is preferably aromatic or heteroaromatic, particularly preferably aromatic.
  • C 1 , C 2 and C 3 are preferably aromatic or heteroaromatic, particularly preferably aromatic.
  • C 1 , C 2 and C 3 are preferred for each Appearance the same or different, preferably the same, selected from benzene, naphthalene, fluorene, carbazole, dibenzofuran and dibenzothiophene, each of which is substituted by radicals R E3 .
  • C 1 , C 2 and C 3 are particularly preferably equal to benzene, which is in each case substituted by radicals R E3 .
  • R E1 is preferably an aromatic or heteroaromatic ring system which is substituted by one or more radicals R E4 .
  • R E2 is preferably selected identically or differently from straight-chain alkyl groups with 1 to 20 C atoms, branched or cyclic alkyl groups with 3 to 20 C atoms, aromatic
  • R E2 is particularly preferably selected the same or different from aromatic in each occurrence
  • Ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms, each of which is substituted by radicals R E4 it being possible for two or more radicals R E2 to be linked to one another and to form a ring, and for one or more radicals R E2 to be selected via their radicals R E4 with a ring can be linked from C 1 , C 2 and C 3 and can form a ring.
  • the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred embodiment, the residues R E2 are chosen the same every time they occur. Furthermore, according to a preferred
  • R E3 is preferably selected identically or differently from H, D, F, CN, Si (R E4 ) 3, N (R E4 ) 2, straight-chain alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 C atoms, branched or cyclic Alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 C atoms, aromatic ring systems with 6 to 40
  • aromatic ring atoms and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; said alkyl and
  • At least one radical R E3 in formula (E-1) is particularly preferably selected from alkyl groups with 1 to 10 C atoms, N (R E4 ) 2, aromatic
  • heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms, the alkyl groups mentioned, the aromatic groups mentioned
  • Ring systems and the heteroaromatic ring systems mentioned are each substituted with radicals R E4 .
  • At least one radical R E3 in formula (E-1) is very particularly preferably selected from alkyl groups having 1 to 10 C atoms which are substituted by radicals R E4 and N (R E4 ) 2.
  • R E4 is preferably selected identically or differently from H, D, F, CN, Si (R E5 ) 3, N (R E5 ) 2, straight-chain alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 C atoms, branched or cyclic Alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 C atoms, aromatic ring systems with 6 to 40
  • aromatic ring atoms and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; said alkyl and
  • At least one of the indices o and p is preferably 1.
  • One of the indices o and p is particularly preferably 1 and the other of the indices o and p is 0.
  • the compound of the formula (E-1) is preferably a mirror-symmetrical compound of a formula (E-1 S)
  • the compound of the formula (E-1) corresponds to the formula (E-1 -1)
  • the compound of the formula (E-1 -1) corresponds to a mirror-symmetrical compound of the formula (E-1 - 1 S)
  • the compound of formula (E-1 -1) is not mirror-symmetrical with respect to the mirror plane shown in formula (E-1 - 1 S).
  • - T is B, and / or
  • - X is NR E2 , and / or
  • At least one radical R E3 is selected from alkyl groups with 1 to 10 C atoms, N (R E4 ) 2, aromatic ring systems with 6 to 40
  • aromatic ring atoms and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms, wherein the alkyl groups mentioned, the aromatic ring systems mentioned and the heteroaromatic ring systems mentioned are each substituted with radicals R E4 .
  • R E2 is preferably phenyl which is substituted by radicals R E4 .
  • At least one radical R E3 in the formula (E-1 -1) is very particularly preferably selected from alkyl groups having 1 to 10 C atoms which are substituted by radicals R E4 and N (R E4 ) 2.
  • the formula (E-1-1-1) is particularly preferred where Ar E2 is chosen the same or different for each occurrence from aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms which are substituted with radicals R E4 , and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms which are substituted with radicals R E4 , particularly preferably phenyl or biphenyl, each of which is substituted by radicals R E4 .
  • the residues Ar E2 are chosen the same every time they occur.
  • the residues Ar E2 are selected differently each time they occur.
  • At least one radical R E3 is preferably selected
  • heteroaromatic ring systems are each substituted with residues R E4 .
  • at least one radical R E3 is very particularly preferably selected from alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms which are substituted by radicals R E4 and N (R E4 ) 2.
  • the compound of the formula (E-1 -1 -1) is mirror-symmetrical with respect to a mirror plane which is perpendicular to the paper plane and contains the bond from boron to the uppermost of the three phenyl groups shown.
  • R E2 is phenyl or biphenyl, each of which is substituted by radicals R E4 .
  • the compound of the formula (E-1 -1 -1) is not mirror-symmetrical to one
  • R E2 is the same or different from phenyl and biphenyl, each of which is substituted by radicals R E4 .
  • Ar E1 is chosen the same or different at each occurrence from aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms which are substituted with radicals R E5 and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms which are substituted with radicals R E5
  • Ar E2 is chosen the same or different for each occurrence from aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms which are substituted with radicals R E4
  • heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms which are substituted with radicals R E4 particularly preferably phenyl or biphenyl, each of which is substituted by radicals R E4
  • R E3_1 is selected from alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms which are substituted by radicals R E4 , preferably methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl and tert -Butyl, particularly preferably methyl.
  • Ar E1 is preferably selected the same or different for each occurrence from phenyl, biphenyl, terphenyl, fluorenyl, naphthyl, dibenzofuranyl,
  • Ar E1 is particularly preferably selected identically or differently from phenyl, o-biphenyl, m-biphenyl, p-biphenyl, terphenyl, p-tolyl, m-tolyl, o-tolyl, p-tert-butyl-phenyl, m tert-butyl-phenyl, o-tert-butyl-phenyl, 9,9'-dimethylfluorenyl, 9,9'-diphenylfluorenyl, naphthyl, naphthyl,
  • Dibenzothiophenyl dibenzofuranyl, naphthyl phenylene, dibenzofuranyl phenylene, dibenzothiophenyl phenylene, carbazolyl phenylene,
  • the compound of the formula (E-1 -1 -1 -1) or (E-1 -1 -1 -2) is mirror-symmetrical with respect to one
  • the two groups Ar E1 can be chosen the same or different and are preferably chosen the same.
  • the compound of the formula (E-1 -1 -1 -1) or (E-1 -1 -1 -2) is not mirror-symmetrical with respect to a mirror plane which is perpendicular to the paper plane and the bond from boron contains the top of the three phenyl groups shown.
  • the two groups Ar E1 can be selected the same or different and are preferably selected differently.
  • R E3_1 is defined as R E3 ; and R E3 2 is selected from alkyl groups with 1 to 10 C atoms which are substituted by radicals R E4 , preferably methyl, ethyl, isopropyl and tert-butyl, particularly preferably methyl; and R E4_1 is defined as R E4 , and the other variables are defined as above.
  • R E3 1 and R E4 1 are preferred in each occurrence, chosen the same or different from H, alkyl groups with 1 to 10 carbon atoms which are substituted with radicals R E4 or R E5 and are preferably unsubstituted, and aromatic ring systems with 6 to 40 ring atoms which are substituted with radicals R E4 or R E5 .
  • R E3_1 or R E4 1 radicals per benzene ring are preferably selected from alkyl groups with 1 to 10 C atoms, which are substituted by R E4 or R E5 radicals and are preferably unsubstituted, and aromatic ring systems with 6 to 40 ring atoms which are substituted by R E4 or R E5 and the other R E3_1 or R E4 1 are equal to H.
  • Formula (E-1 -1 -1 -1) with units marked with a circle are selected identically, and the units marked with a rectangle are also selected identically. All four marked units are particularly preferably selected identically.
  • the units marked with a circle and a rectangle are preferably the same or different, preferably the same, selected from appropriately substituted benzene, naphthalene, fluorene, dibenzofuran and dibenzothiophene.
  • the compound of the formula (E-1 -1 -1 -1) can be represented as compound A-B containing the two subunits A and B:
  • unit A Preferred embodiments of unit A are the following (unit “B” in the formulas correspondingly denotes unit B):
  • unit B Preferred embodiments of unit B are the following (unit A in the formulas is correspondingly denoted by “A”):
  • Preferred embodiments of the compounds of the formula (E-1 -1-1 -1) are therefore compounds of the following formulas, in which part A and part B of the formula are selected as follows:
  • Layer H1 preferably contains a compound of formula (L-1).
  • a preferred embodiment of the formula (L-1) is the formula (L-1 -1)
  • the index n is preferably 0, so that the amino group is bonded directly to the spirobifluorenyl group. Furthermore, there is preferably at least one group R 1 which is selected from alkyl groups with 1 to 10 C atoms and aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic rings
  • Ring atoms which are each substituted with R 4 radicals.
  • Preferred embodiments of formula (L-1 -1) are formulas (L-1 -1 -1), (L-1 -1 -2) and (L-1 -1 -3)
  • R 1 1 is the same or different, preferably the same, each time it is selected from alkyl groups with 1 to 10 carbon atoms, preferably methyl and tert-butyl, and aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms, each of which is substituted by R 4 , preferably phenyl which is substituted by R 4 , preferably unsubstituted phenyl.
  • Z is CR 1 .
  • the other variables are defined as above.
  • Z is preferably CH.
  • Spirobifluorenyl backbone in formula (L-1 -1 -3) also carries
  • a compound contained in layer H1 is a compound of the formula (L-1 -1 -1), in particular a compound of Formula (L-1 -1 -1) in which n is 0 and R 1 1 is aromatic
  • Is ring system which is substituted with radicals R 4 . It is particularly preferred that n is 0, Z is CH, and R 1 1 is phenyl which is substituted by radicals R 4 .
  • index n is preferably equal to 0.
  • at least one group R 1 as part of a group Z is selected from alkyl groups with 1 to 10 C atoms, preferably methyl and tert-butyl, and aromatic ring systems with 6 up to 40 aromatic ring atoms, each of which is substituted by radicals R 4 , preferably phenyl which is substituted by radicals R 4 , preferably unsubstituted phenyl.
  • Preferred embodiments of the formula (L-3) correspond to one of the formulas (L-3-1) and (L-3-2)
  • index n is preferably 0.
  • n is preferably 0 or 1, particularly preferably 0.
  • R 1 is preferably selected the same or different for each occurrence from H, D, F, CN, Si (R 4 ) 3, N (R 4 ) 2, straight-chain alkyl or alkoxy groups having 1 to 20 C atoms, branched or cyclic Alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 C atoms, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms, and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; said alkyl and
  • R 2 is preferably selected the same or different for each occurrence from alkyl groups with 1 to 10 carbon atoms, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms which are substituted with radicals R 4 , and heteroaromatic ring systems which are substituted with radicals R 4 .
  • R 2 is particularly preferably selected identically or differently from methyl and phenyl which is substituted by radicals R 4 .
  • R 3 is preferably selected the same or different for each occurrence from H, D, F, CN, Si (R 4 ) 3, N (R 4 ) 2, straight-chain alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 C atoms, branched or cyclic Alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 C atoms, aromatic ring systems with 6 to 40
  • aromatic ring atoms and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; said alkyl and
  • R 4 is preferably selected the same or different for each occurrence from H, D, F, CN, Si (R 5 ) 3, N (R 5 ) 2, straight-chain alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 C atoms, branched or cyclic Alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 C atoms, aromatic ring systems with 6 to 40
  • aromatic ring atoms and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; said alkyl and
  • Ar 1 groups in formulas (L-1), (L-2) and (L-3) and in the preferred embodiments of these formulas are preferably selected identically or differently from divalent groups derived from benzene, biphenyl,
  • Ar 1 is very particularly preferably a divalent group derived from benzene, which can in each case be substituted by one or more radicals R 3 .
  • Groups Ar 1 can be chosen the same or different for each occurrence.
  • Embodiments of these formulas are preferably selected identically or differently from monovalent groups derived from benzene, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthalene, fluorene, in particular 9,9'-dimethylfluorene and 9,9'-diphenylfluorene, benzofluorene, spirobifluorene, indenofluorene, indenocarbazole, dibenzofuran , Dibenzothiophene,
  • Benzocarbazole carbazole, benzofuran, benzothiophene, indole, quinoline, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine, and triazine, where the monovalent groups can each be substituted with one or more radicals R 3 .
  • the groups Ar 2 can be selected the same or different each time they occur from combinations of groups derived from benzene, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthalene, fluorene, in particular 9,9'-dimethylfluorene and 9,9'-diphenyl fluorene , Benzofluorene, spirobifluorene, indenofluorene, indenocarbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, carbazole, benzofuran, benzothiophene, indole, quinoline, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine and triazine, where the groups can each be substituted by one or more radicals R 3 .
  • Ar 2 are chosen the same or different for each occurrence from phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthyl, fluorenyl, especially 9,9'-dimethylfluorenyl and 9,9'-diphenylfluorenyl, benzofluorenyl, spirobifluorenyl, indenofluorenyl, indenocarbazolyl, dibenzofuranyl , Dibenzothiophenyl, carbazolyl, benzofuranyl, benzothiophenyl, benzo-fused dibenzofuranyl, benzo-fused dibenzothiophenyl, naphthyl-substituted phenyl, fluorenyl-substituted phenyl, spirobifluorenyl-substituted phenyl, dibenzofuranyl-substituted phenyl, carbazyl-substitute
  • the layer H2 is preferably an electron blocking layer and preferably adjoins the emitting layer directly on the anode side.
  • Layer H2 preferably contains a triarylamine compound.
  • Layer H2 particularly preferably contains a mono-triarylamine compound.
  • a mono-triarylamine compound is understood to mean a compound which contains one and no more triarylamino groups. It is further preferred that the layer H2 contains a triarylamine compound which has at least one group selected from spirobifluorenyl groups,
  • Fluorenyl groups indenofluorenyl groups, dibenzofuranyl groups and Contains dibenzothiophenyl groups. This can be carried out directly or via an aromatic ring system, especially selected from phenylene,
  • Biphenylene and fluorenylene as a linker to the nitrogen atom of the amine.
  • the spirobifluorenyl group is particularly preferably bonded in the 1, 3 or 4 position, very particularly preferably in the 1 or 4 position, most preferably in the 4 position. The is particularly preferred
  • Fluorenyl group bound in 1, 3, or 4-position very particularly preferably in the 4-position.
  • a preferred embodiment of the compound of formula (L-1) for use in layer H2 corresponds to a formula (L-1 -2) or (L-1 -3)
  • Z is CR 1 and preferably is CH, and the other variables that occur are defined as above.
  • a preferred embodiment of the compound of formula (L-2) for use in layer H2 corresponds to a formula (L-2-2)
  • the layer H2 contains a compound which is selected from compounds of the formulas (L-1), in particular (L-1 -2); (L-2), especially (L-2-2); (L-3), especially (L-3-1) and (L-3-2); (L-4) and (L-5), where formulas (L-4) and (L-5) are defined as follows:
  • Y is O, S or NR 3 ;
  • n 0, 1, 2 or 3;
  • the unsubstituted positions on the benzene rings can each be substituted by a radical R 3 ; and Ar 1 and Ar 2 are defined as above; and
  • Z is CR 1 , preferably CH, and the others
  • Layer H1 may contain the compound of formula (L-1), (L-2) or (L-3) as a pure material, or it may contain the compound of formula (L-1), (L-2) or (L -3) in combination with one or more others Connections included. If such further compounds are present, they are preferably selected from p-dopants and from hole-transporting compounds.
  • the further hole-transporting compounds are preferably selected from triarylamine compounds, particularly preferably from mono-triarylamine compounds. They are very particularly preferably selected from the preferred specified below
  • Embodiments of hole transport materials If the compound of the formula (L-1), (L-2) or (L-3) is present in layer H1 in combination with one or more further hole-transporting compounds, then they and the other hole-transporting compounds are present.
  • the layer H1 can be p-doped or it can be undoped.
  • preferred p-dopants are those organic electron acceptor compounds which can oxidize one or more of the other compounds in the layer.
  • Particularly preferred p-dopants are quinodimethane compounds, azaindenofluorendiones, azaphenalenes, azatriphenylenes,
  • Metal halides preferably transition metal halides, metal oxides, preferably metal oxides containing at least one transition metal or a metal of the 3rd main group, and transition metal complexes, preferably complexes of Cu, Co, Ni, Pd and Pt with ligands containing at least one oxygen atom as the binding site.
  • transition metal complexes preferably complexes of Cu, Co, Ni, Pd and Pt with ligands containing at least one oxygen atom as the binding site.
  • Transition metal oxides as dopants preferably oxides of rhenium, molybdenum and tungsten, particularly preferably Re2Ü7 , M0O3, WO3 and Re03. Further preferred are complexes of bismuth in the oxidation state (III), in particular bismuth (III) complexes with
  • the p-dopants are preferably largely uniformly distributed in the p-doped layers. This can be achieved, for example, by co-evaporation of the p-dopant and the hole transport material matrix.
  • the p-dopant is preferably present in a proportion of 1 to 10% in the p-doped layer.
  • % in terms of% means volume% when mixtures of compounds which are applied from the gas phase are affected. On the other hand, this means mass% when mixtures of compounds which are applied from solution are affected.
  • Electron blocking layers preferred are indenofluorenamine derivatives, amine derivatives, hexaazatriphenylene derivatives, amine derivatives with condensed aromatics, monobenzoindenofluorenamines,
  • Dibenzoindenofluorenamines Dibenzoindenofluorenamines, spirobifluorene amines, fluorene amines, spiro-dibenzopyran amines, dihydroacridine derivatives, spirodibenzofurans and spirodibenzothiophenes, phenanthrene diarylamines, spiro-tribenzotropolones, spirobifluorenes with meta-phenyldiamine 9-diamine diamine, 9-diamine diamine, 9-diamine diamine, 9-diamine diamine, 9-diamine diamine, 9-diamine diamine diamine, 9-diamine diamine diamine, 9-diamine diamine, di-10-amine, di-8-diamine, diamine-10-diamine, -Dihydroanthracene-spiro compounds with diarylamino groups used.
  • the following compounds HT-1 to HT-38 are suitable for use in a layer with a hole-transporting function, in particular in a hole-injection layer, a hole-transport layer and / or an electron blocking layer, or for use in a emitting layer as matrix material, in particular as matrix material in an emitting layer containing one or more
  • the compounds HT-1 to HT-38 are generally well suited for the uses mentioned above in OLEDs of all types and
  • the electronic device is preferably an organic one
  • Electroluminescent device The first electrode of the device is preferably the anode and the second electrode is preferably the cathode.
  • Metals with a low work function, metal alloys or multilayer structures are made as the cathode of the electronic device
  • alkaline earth metals such as, for example, alkaline earth metals, alkali metals, main group metals or lanthanoids (e.g. Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm, etc.). Alloys made of an alkali or alkaline earth metal and silver, for example an alloy of, are also suitable
  • Magnesium and silver In the case of multilayer structures, other metals can also be used in addition to the metals mentioned, which have a relatively high work function, such as, for example, B. Ag or Al, in which case combinations of the metals, such as Ca / Ag, Mg / Ag or Ba / Ag are usually used. It can also be preferred to introduce a thin intermediate layer of a material with a high dielectric constant between a metallic cathode and the organic semiconductor. For example, alkali metal or
  • Alkaline earth metal fluorides but also the corresponding oxides or
  • LiF, L12O, BaF2, MgO, NaF, CsF, CS2CO3, etc. Lithium quinolinate (LiQ) can also be used.
  • the layer thickness of this layer is preferably between 0.5 and 5 nm.
  • the anode preferably has a work function greater than 4.5 eV vs. Vacuum on. Metals with a high redox potential are suitable for this, such as Ag, Pt or Au. On the other hand, metal / metal oxide electrodes (eg Al / Ni / NiOx, Al / PtOx) can also be preferred. For some applications, at least one of the electrodes must be transparent or
  • anode materials are conductive mixed metal oxides. Indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) are particularly preferred. Also preferred are conductive, doped organic materials, in particular conductive doped polymers. Furthermore, the anode can also consist of several layers, for example, an inner layer made of ITO and an outer layer made of a metal oxide, preferably tungsten oxide, molybdenum oxide or vanadium oxide.
  • ITO Indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • conductive, doped organic materials in particular conductive doped polymers.
  • the anode can also consist of several layers, for example, an inner layer made of ITO and an outer layer made of a metal oxide, preferably tungsten oxide, molybdenum oxide or vanadium oxide.
  • the device in addition to the anode, cathode, layers H1, H2, and the emitting layer, the device preferably contains further layers, in particular one or more electron-transporting layers. It is further preferred that the device contains a hole injection layer which is directly adjacent to the anode. Layer H1 can assume the function of such a hole injection layer. In this case, it is preferred that the layer H1 is p-doped.
  • an additional layer can be present in the device, which takes over the function of a hole injection layer.
  • a hole injection layer preferably corresponds to one of the following two embodiments: a) it contains a triarylamine and a p-dopant; or b) it contains a single, very electron-poor material
  • the triarylamine is a mono-triarylamine, in particular a triarylamine containing a compound of the formula (L-1), (L-2) or (L-3).
  • the electron acceptor is a hexaazatriphenylene derivative, as in
  • the device according to the invention preferably contains between anode and cathode:
  • HIL hole injection layer
  • the emitting layer directly adjacent to the layer H2 on the cathode side.
  • the device preferably contains one or more electron-transporting layers on the cathode side of the emitting layer.
  • It preferably contains an electron transport layer and an electron injection layer on the cathode side thereof. There can be an additional one between the emitting layer and the electron transport layer
  • Hole blocking layer may be arranged.
  • the device contains two or three, preferably three, identical or different layer sequences stacked one above the other, each of the
  • Layer sequences each include the following layers:
  • - Contains a layer H2, which is arranged between the layer H1 and the emitting layer.
  • All of the two or three layer sequences preferably contain
  • a layer H2 which is arranged between the layer H1 and the emitting layer. All of the two or three layer sequences preferably emit blue light.
  • all of the two or three layer sequences contain an emitting layer E which contains a compound of the formula (E-1).
  • a double layer of adjacent n-CGL and p-CGL is preferably arranged between the layer sequences, the n-CGL being arranged on the anode side and the p-CGL correspondingly on the cathode side.
  • CGL stands for charge generation layer
  • a p-doped amine is preferably used in the p-CGL, particularly preferably a material which is selected from the preferred structural classes of
  • Suitable materials such as those in the electron injection layer, in the electron transport layer and / or the hole blocking layer of the
  • the device according to the invention can be used, for example, the compounds disclosed in Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107 (4), 953-1010 or other materials of the type known from the prior art Layers are used. In particular, all materials which are known according to the prior art for use in these layers can be used as materials for these layers.
  • Aluminum complexes for example Alq3, zirconium complexes, for example Zrq4, lithium complexes, for example Liq, benzimidazole derivatives, triazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, quinoxaline derivatives, quinoline derivatives, are particularly suitable.
  • Oxadiazole derivatives aromatic ketones, lactams, boranes,
  • Diazaphosphole derivatives and phosphine oxide derivatives are shown in the following table.
  • the emitting layer of the device preferably contains one or more further compounds, preferably exactly one further compound.
  • the compound of the formula (E-1) represents the emitting compound and the further compound represents the matrix compound.
  • the compound of the formula (E-1) is preferably present in the layer in a proportion of 0.5% to 15%, preferably 0.5% to 10%, particularly preferably 3% -6%.
  • the further compound is preferably present in the layer in a proportion of 85% to 99.5%, preferably in a proportion of 90% -99.5% and particularly preferably in a proportion of 94% -97%.
  • the further compound is preferably selected from compounds which are known in the prior art as matrix materials for fluorescent emitters, in particular compounds selected from the classes of the oligoarylenes (e.g. 2,2 ', 7,7'-tetraphenylspirobifluorene), in particular the Oligoarylenes containing condensed aromatic groups, the oligoarylenes (e.g. 2,2 ', 7,7'-tetraphenylspirobifluorene), in particular the Oligoarylenes containing condensed aromatic groups, the
  • Particularly preferred matrix materials are selected from the classes of oligoarylenes containing naphthalene, anthracene, benzanthracene and / or pyrene or atropisomers of these compounds, oligoarylene vinylenes, ketones, phosphine oxides and sulfoxides.
  • Very particularly preferred matrix materials are selected from the classes of oligoarylenes containing anthracene, benzanthracene, benzphenanthrene and / or pyrene or atropisomers of these compounds. Most preferred are materials selected from the classes of anthracenes and benzanthracenes. Under a
  • oligoarylene is understood to mean a compound in which at least three aryl or arylene groups are bonded to one another.
  • the compound of formula (E-1) is preferably a fluorescent one
  • the compound can also emit light, also preferably blue light, by the thermally activated delayed fluorescence (TADF) mechanism. In this case it is preferred that
  • E LUMO
  • matrix i.e. the HOMO energy level of the matrix material
  • Si (E) is the energy of the first excited singlet state of the compound of formula (E-1).
  • Matrix material of the emitting layer is at most 0.1 eV lower than the energy of the Ti state of the compound of the formula (E-1), hereinafter referred to as Ti (E).
  • Ti (matrix)> Ti (E) is particularly preferred. The following applies very particularly preferably: Ti (matrix) - Ti (E)> 0.1 eV, most preferably Ti (matrix) - Ti (E)> 0.2 eV.
  • suitable matrix materials in the emitting layer in the case of emission of the compound of formula (E-1) according to the TADF mechanism are ketones, phosphine oxides, sulfoxides and sulfones, triarylamines, carbazole derivatives, e.g. B. CBP (N, N-biscarbazolylbiphenyl), or m-CBP, indolocarbazole derivatives, indenocarbazole derivatives, azacarbazoles, bipolar matrix materials, silanes, azaboroles or boronic esters, diazasilole derivatives, diazaphosphole derivatives, triazine derivatives, zinc complexes, or bridged carbazole derivatives. Electron-transporting organic compounds are also preferred for this use. Are particularly preferred
  • Electron-transporting organic compounds which have a LUMO energy level of at most -2.50 eV, particularly preferably at most -2.60 eV, very particularly preferably at most -2.65 eV, and most preferably at most -2.70 eV.
  • Particularly preferred matrix materials in the emitting layer in the case of emission of the compound of the formula (E-1) according to the TADF mechanism are selected from the classes of the triazines
  • Phosphine oxides the azaphospholes, the azaboroles, which are substituted with at least one electron-conducting substituent, the quinoxalines, the quinolines and the isoquinolines.
  • the emitting layer of the device preferably emits blue light.
  • the device emits light through the anode and the substrate layer (bottom emission).
  • the device emits light through the cathode (top emission).
  • the cathode is designed to be partially transparent and partially reflective.
  • an alloy of Ag and Mg can be used as the cathode.
  • the anode is in this case
  • the device preferably contains a coupling-out layer which is applied to the cathode and which preferably contains an amine compound.
  • the layer thicknesses in this embodiment are based on those used
  • Adapt materials in particular to the refractive index of the Layers and the location of the recombination zone in the emitting layer in order to achieve an optimal resonance effect.
  • an excellent efficiency of the OLED, combined with a narrow emission band, can be achieved.
  • the device can be structured, contacted and finally sealed in order to exclude damaging effects of water and air.
  • the device is characterized in that one or more layers with one
  • Sublimation processes are coated.
  • the materials are evaporated in vacuum sublimation systems at an initial pressure of less than 10 5 mbar, preferably less than 10 6 mbar. However, it is also possible for the initial pressure to be even lower, for example less than 10 7 mbar.
  • one or more layers of the device are coated with the OVPD (Organic Vapor Phase Deposition) method or with the aid of a carrier gas sublimation.
  • the materials are applied at a pressure between 10 5 mbar and 1 bar.
  • OVJP Organic Vapor Jet Printing
  • the materials are applied directly through a nozzle and structured in this way (e.g. BMS Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
  • one or more layers of the device from solution such as. B. by spin coating, or with any one or more layers of the device from solution, such as. B. by spin coating, or with any one or more layers of the device from solution, such as. B. by spin coating, or with any one or more layers of the device from solution, such as. B. by spin coating, or with any one or more layers of the device from solution, such as. B. by spin coating, or with any one or more layers of the device from solution, such as. B. by spin coating, or with any combination thereof
  • Printing processes such as B. screen printing, flexo printing, nozzle printing or offset printing, but particularly preferably LITI (Light Induced Thermal Imaging, thermal transfer printing) or ink-jet printing.
  • LITI Light Induced Thermal Imaging, thermal transfer printing
  • one or more layers of solution and one or more layers are applied by a sublimation process to produce the device.
  • a method for producing the device initially comprises
  • Provision of a substrate with an anode in a later step the application of the layer H 1, in a later step the application of the layer H2, in a later step the
  • the layers H1 and H2 and the emitting layer are preferably applied from the gas phase. All layers between the anode and cathode are particularly preferred
  • the devices according to the invention are preferably used in displays, as light sources in lighting applications and as light sources in medical and / or cosmetic applications.
  • Glass platelets coated with structured ITO with a thickness of 50 nm form the substrates to which the OLEDs are applied.
  • the OLEDs have the following layer structure: substrate / hole
  • HIL hole transport layer
  • EBL electron blocking layer
  • EML emission layer
  • the cathode is formed by a 100 nm thick aluminum layer.
  • the exact structure of the OLEDs can be found in the following tables. The materials present in the individual layers of the OLED are shown in the following table.
  • the emission layer consists of at least one matrix material (host material, host material) and an emitting dopant (dopant, emitter) that passes through the matrix material or the matrix materials
  • volume share of 5% is present in the layer.
  • Hole injection layer made of a mixture of two materials.
  • the OLEDs are characterized by default.
  • the operating voltage and the external quantum efficiency (EQE, measured in%) as a function of the luminance, calculated from current-voltage-luminance characteristics, assuming a Lambertian
  • the specification EQE @ 10mA / cm 2 denotes the external quantum efficiency that is achieved at 10mA / cm 2 .
  • the specification U @ 10 mA / cm 2 denotes the operating voltage at 10 mA / cm 2 .
  • OLEDs with the following structure are manufactured:
  • the connection used in the HIL and HTL varies.
  • the compounds HTM-1 to HTM-4 are used, which are spirobifluorenyl amines or fluorenyl amines.
  • the spirobifluorenyl amine EBM-1 is used in all cases.
  • the comparison OLED V1 is constructed identically to the OLED E1, with the only difference that the connection SdT is present as the emitter instead of the connection SEB in the emitting layer.
  • the half width of the emission is in all cases around 26 nm.
  • the comparison OLED V1 shows a significantly poorer efficiency and an increased operating voltage than the corresponding OLED E1 according to the invention.
  • OLEDs are also manufactured with the following structures:
  • connection HTM-3 is always used in the HIL and the HTL in the OLEDs E5 to E10.
  • the compound HTM-3 is a 2-spirobifluorenyl amine which carries a phenyl group as a substituent on the spiro.
  • the connection used in the EBL varies. It will be the
  • the compounds EBM-2 to EBM-7 are selected from spirobifluorenyl amines, indenofluorenyl amines, fluorenyl amines and amines with phenylene dibenzofuran groups on the amine.
  • OLEDs with the following structure are manufactured:
  • the substrate is in each case a glass plate which is coated with structured ITO (indium tin oxide) with a thickness of 50 nm.
  • the cathode consists of a 15 nm thick layer made of a mixture of 91% Ag and 9% Mg.
  • the coupling-out layer consists of a 70 nm thick layer made of the compound HTM-1.
  • the structure of the layers HIL, HTL, EBL, EML, ETL and EIL is shown in the following table:
  • the emission band of the OLEDs is very narrow and has a half width between 17 and 18 nm.
  • the following OLEDs with top emission structure can be produced, in which HTM-1 is replaced by HTM-2, HTM-3 or HTM-4, or EBM-1 by one of the materials EBM- compared to the OLED E11. 2 until the EBM-7 is replaced:

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Abstract

Die vorliegende Anmeldung betrifft eine elektronische Vorrichtung, ihre Verwendung, und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.

Description

Elektronische Vorrichtung
Die vorliegende Anmeldung betrifft eine elektronische Vorrichtung, die bestimmte Aminverbindungen in einer lochtransportierenden Schicht enthält, und die emittierende Verbindungen eines bestimmten Strukturtyps in einer emittierenden Schicht enthält.
Unter elektronischen Vorrichtungen im Sinne dieser Anmeldung werden sogenannte organische elektronische Vorrichtungen verstanden (organic electronic devices), welche organische Halbleitermaterialien als
Funktionsmaterialien enthalten. Insbesondere werden darunter OLEDs (organische Elektrolumineszenzvorrichtungen) verstanden. Unter der Bezeichnung OLEDs werden elektronische Vorrichtungen verstanden, die eine oder mehrere Schichten enthaltend organische Verbindungen aufweisen und unter Anlegen von elektrischer Spannung Licht emittieren. Der Aufbau und das allgemeine Funktionsprinzip von OLEDs sind dem Fachmann bekannt.
Bei elektronischen Vorrichtungen, insbesondere OLEDs, besteht unverändert großes Interesse an einer Verbesserung der Leistungsdaten.
Als Materialien für lochtransportierende Schichten in elektronischen Vorrichtungen sind eine Vielzahl unterschiedlicher Materialien bekannt, die meisten davon gehören zur Stoffklasse der Triarylamine, wie
beispielsweise N,N '-Di-(1 -Naphthyl)- N,N
diphenyl-(1 ,1 '-biphenyl)-4,4'-diamin (NPD) oder Tris-(4- carbazolyl-9-ylphenyl)-Amin (TCTA).
Als emittierende Verbindungen in elektronischen Vorrichtungen sind ebenfalls eine Vielzahl unterschiedlicher Verbindungen bekannt. Im
Wesentlichen werden für diese Verwendung fluoreszierende Verbindungen eingesetzt, beispielsweise Pyrenamine, oder phosphoreszierende Verbindungen, die üblicherweise gewählt sind aus
Übergangsmetallkomplexen mit organometallischer Bindung, insbesondere Iridiumkomplexen wie lr(PPy)3 (Tris[2-phenylpyridinato-C2,/\/]iridium(lll)). Als fluoreszierende Verbindungen wurden auch verbrückte Triarylbor- Verbindungen mit bestimmter Struktur eingesetzt. Für diese Verbindungen wurde in bestimmten Aufbauten eine hohe externe Quanteneffizienz bei der Verwendung als Emitter in OLEDs gefunden.
Es besteht daher ein großes Interesse daran, diese Verbindungen in geeigneter Weise mit anderen Verbindungen in anderen Schichten der elektronischen Vorrichtung zu kombinieren, um gute Eigenschaften der elektronischen Vorrichtung zu erzielen, insbesondere in Bezug auf
Lebensdauer, Effizienz, Betriebsspannung, geringer Roll-off und schmale Emissionsbande, d.h. eine Emissionsbande mit einer möglichst kleinen Halbwertsbreite.
In entsprechenden Untersuchungen wurde nun gefunden, dass die
Kombination bestimmter Spirobifluorenyl-Amine oder Fluorenyl-Amine in einer lochtransportierenden Schicht mit den oben genannten Triarylbor- Derivaten in einer emittierenden Schicht zu besonders guten Eigenschaften der elektronischen Vorrichtung führt, insbesondere langer Lebensdauer, hoher Effizienz, niedriger Betriebsspannung, geringem Roll-off und
Emission mit möglichst geringer Halbwertsbreite.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist damit eine elektronische
Vorrichtung, enthaltend eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, und dazwischen angeordnet
- eine emittierende Schicht E, enthaltend eine Verbindung einer Formel
(E-1 ),
Figure imgf000004_0001
für die gilt:
T ist B, P, P(=0) oder SiRE1;
X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus O, S, NRE2 und C(RE2)2, wobei mindestens ein X vorhanden sein muss, das gewählt ist aus O, S und NRE2;
C1, C2 und C3 sind gleich oder verschieden gewählt aus Ringsystemen mit 5 bis 40 Ringatomen, die mit Resten RE3 substituiert sind;
RE1 ist gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE4, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, P(=0)(RE4)2, ORE4, S(=0)RE4, S(=0)2RE4, geradkettigen Alkyl- oder
Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40
aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH2-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE4C=CRE4-, -C=C-, Si(RE4)2, C=0, C=NRE4, -C(=0)0-, -C(=0)NRE4-, NRE4, P(=0)(RE4), -O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
RE2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE4, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, P(=0)(RE4)2, ORE4, S(=0)RE4, S(=0)2RE4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen
Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE4C=CRE4-, -C=C-, Si(RE4)2, C=0,
C=NRE4, -C(=0)0-, -C(=0)NRE4-, NRE4, P(=0)(RE4), -O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können; wobei zwei oder mehr Reste RE2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können, und wobei ein oder mehrere Reste RE2 über ihre Reste RE4 mit einem Ring gewählt aus C1, C2 und C3 verknüpft sein können und einen Ring bilden können;
RE3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE4, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, P(=0)(RE4)2, ORE4, S(=0)RE4, S(=0)2RE4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste RE3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE4C=CRE4-, -C^C-, Si(RE4)2, C=0, C=NRE4, -C(=0)0-, -C(=0)NRE4-, NRE4, P(=0)(RE4), -O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
RE4 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE5, CN, Si(RE5)3, N(RE5)2, P(=0)(RE5)2, ORE5, S(=0)RE5, S(=0)2RE5, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste RE4 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE5 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE5C=CRE5-, -C^C-, Si(RE5)2, C=0, C=NRE5, -C(=0)0-, -C(=0)NRE5-, NRE5, P(=0)(RE5), -O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
RE5 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste RE5 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; o und p sind gleich oder verschieden 0 oder 1 , wobei p=0 bzw. o = 0 bedeutet, dass die mit p bzw. o indizierte Gruppe X zusammen mit ihren Bindungen an die Ringe C1, C2 bzw. C3 wegfällt;
- eine Schicht H1 , die zwischen der ersten Elektrode und der
emittierenden Schicht angeordnet ist, und die eine Verbindung einer Formel (L-1 ), (L-2) oder (L-3) enthält
Figure imgf000007_0001
Formel (L-3) für die gilt:
Z ist, wenn eine Gruppe -[Ar1]n-N(Ar2)2 daran gebunden ist, gleich C, und Z ist, wenn keine Gruppe -[Ar1]n-N(Ar2)2 daran gebunden ist, bei jedem Auftreten gleich oder verschieden N oder CR1;
Ar1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein aromatisches Ringsystem mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist, oder ein heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist;
Ar2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein aromatisches Ringsystem mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist, oder ein heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist;
R1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R4, CN, Si(R4)3, N(R4)2, P(=0)(R4)2, OR4, S(=0)R4, S(=0)2R4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CF -Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R4C=CR4- , -C=C-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -C(=0)0-, -C(=0)NR4-, NR4, P(=0)(R4), - O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
R2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R4, CN, Si(R4)3, N(R4)2, P(=0)(R4)2, OR4, S(=0)R4, S(=0)2R4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R4C=CR4- , -C=C-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -C(=0)0-, -C(=0)NR4-, NR4, P(=0)(R4), - O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
R3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R4, CN, Si(R4)3, N(R4)2, P(=0)(R4)2, OR4, S(=0)R4, S(=0)2R4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CF -Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R4C=CR4- , -C=C-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -C(=0)0-, -C(=0)NR4-, NR4, P(=0)(R4), - O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
R4 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=0)(R5)2, OR5, S(=0)R5, S(=0)2R5, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R4 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R5 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R5C=CR5- , -C=C-, Si(R5)2, C=0, C=NR5, -C(=0)0-, -C(=0)NR5-, NR5, P(=0)(R5), - O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
R5 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen
Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R5 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und
Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; n ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden 0, 1 , 2, 3 oder 4; k ist gleich 0 oder 1 ; und
- eine Schicht H2, die zwischen der Schicht H1 und der emittierenden Schicht angeordnet ist.
Wenn der Index n gleich 0 ist, bedeutet dies, dass die Gruppe -N(Ar2)2 und die Spirobifluorenyl- bzw. Fluorenyl- bzw. Indenofluorenyl-Grundstruktur direkt miteinander verbunden sind. Wenn der Index n gleich 2, 3, oder 4 ist, bedeutet dies, dass zwei, drei bzw. vier Gruppen Ar1 in Reihe
hintereinander gebunden sind.
Die Gruppen„C“ in Formel (E-1 ) kennzeichnen Kohlenstoffatome, die Teil der Ringsysteme C1, C2 bzw. C3 sind. Der Bogen zwischen den C-Atomen kennzeichnet, dass Doppelbindungen in der Weise vorliegen, dass alle C- Atome jeweils vier Bindungen und jeweils drei an sie gebundene Gruppen aufweisen.
Die folgenden Definitionen gelten für die chemischen Gruppen, die in der vorliegenden Anmeldung verwendet werden. Sie gelten, soweit keine spezielleren Definitionen angegeben sind.
Unter dem Begriff„Ringsystem“ werden beliebige Ringe verstanden, die Einzelringe sein können, oder ein System enthaltend mehrere miteinander kondensierte Einzelringe, wie es zum Beispiel beim Decalin oder Fluoren auftritt. Die Ringe können dabei gleich oder verschieden aliphatisch, heteroaliphatisch, aromatisch oder heteroaromatisch sein. Die Ringatome können gewählt sein aus Kohlenstoff und Fleteroatomen, insbesondere C, O, S, Si, B, P und N. Unter einer Arylgruppe im Sinne dieser Erfindung wird entweder ein einzelner aromatischer Cyclus, also Benzol, oder ein kondensierter aromatischer Polycyclus, beispielsweise Naphthalin, Phenanthren oder Anthracen, verstanden. Ein kondensierter aromatischer Polycyclus besteht im Sinne der vorliegenden Anmeldung aus zwei oder mehr miteinander kondensierten einzelnen aromatischen Cyclen. Unter Kondensation zwischen Cyclen ist dabei zu verstehen, dass die Cyclen mindestens eine Kante miteinander teilen. Eine Arylgruppe im Sinne dieser Erfindung enthält 6 bis 40 aromatische Ringatome, von denen keines ein Heteroatom ist.
Unter einer Heteroarylgruppe im Sinne dieser Erfindung wird entweder ein einzelner heteroaromatischer Cyclus, beispielsweise Pyridin, Pyrimidin oder Thiophen, oder ein kondensierter heteroaromatischer Polycyclus, beispielsweise Chinolin oder Carbazol, verstanden. Ein kondensierter heteroaromatischer Polycyclus besteht im Sinne der vorliegenden
Anmeldung aus zwei oder mehr miteinander kondensierten einzelnen aromatischen oder heteroaromatischen Cyclen, wobei wenigstens einer der aromatischen und heteroaromatischen Cyclen ein heteroaromatischer Cyclus ist. Unter Kondensation zwischen Cyclen ist dabei zu verstehen, dass die Cyclen mindestens eine Kante miteinander teilen. Eine
Heteroarylgruppe im Sinne dieser Erfindung enthält 5 bis 40 aromatische Ringatome, von denen mindestens eines ein Heteroatom darstellt. Die Heteroatome der Heteroarylgruppe sind bevorzugt ausgewählt aus N, O und S.
Unter einer Aryl- oder Heteroarylgruppe, die jeweils mit den oben
genannten Resten substituiert sein kann werden insbesondere Gruppen verstanden, welche abgeleitet sind von Benzol, Naphthalin, Anthracen, Phenanthren, Pyren, Dihydropyren, Chrysen, Perylen, Triphenylen,
Fluoranthen, Benzanthracen, Benzphenanthren, Tetracen, Pentacen, Benzpyren, Furan, Benzofuran, Isobenzofuran, Dibenzofuran, Thiophen, Benzothiophen, Isobenzothiophen, Dibenzothiophen, Pyrrol, Indol, Isoindol, Carbazol, Pyridin, Chinolin, Isochinolin, Acridin, Phenanthridin, Benzo-5,6- chinolin, Benzo-6,7-chinolin, Benzo-7,8-chinolin, Phenothiazin, Phenoxazin, Pyrazol, Indazol, Imidazol, Benzimidazol, Benzimidazolo[1 ,2- a]benzimidazol, Naphthimidazol, Phenanthrimidazol, Pyridimidazol,
Pyrazinimidazol, Chinoxalinimidazol, Oxazol, Benzoxazol, Naphthoxazol, Anthroxazol, Phenanthroxazol, Isoxazol, 1 ,2-Thiazol, 1 ,3-Thiazol, Benzo- thiazol, Pyridazin, Benzopyridazin, Pyrimidin, Benzpyrimidin, Chinoxalin, Pyrazin, Phenazin, Naphthyridin, Azacarbazol, Benzocarbolin, Phenan- throlin, 1 ,2,3-Triazol, 1 ,2,4-Triazol, Benzotriazol, 1 ,2,3-Oxadiazol,
1 ,2,4-Oxadiazol, 1 ,2,5-Oxadiazol, 1 ,3,4-Oxadiazol, 1 ,2,3-Thiadiazol, 1 ,2,4- Thiadiazol, 1 ,2,5-Thiadiazol, 1 ,3,4-Thiadiazol, 1 ,3,5-Triazin, 1 ,2,4-Triazin,
1 ,2,3-Triazin, Tetrazol, 1 ,2,4,5-Tetrazin, 1 ,2,3,4-Tetrazin, 1 ,2,3,5-Tetrazin, Purin, Pteridin, Indolizin und Benzothiadiazol.
Ein aromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung ist ein System, welches nicht notwendigerweise nur Arylgruppen enthält, sondern welches zusätzlich einen oder mehrere nicht-aromatische Ringe enthalten kann, die mit wenigstens einer Arylgruppe kondensiert sind. Diese nicht
aromatischen Ringe enthalten ausschließlich Kohlenstoffatome als
Ringatome. Beispiele für Gruppen, die von dieser Definition umfasst sind, sind Tetrahydronaphthalin, Fluoren und Spirobifluoren. Weiterhin umfasst der Begriff aromatisches Ringsystem Systeme, die aus zwei oder mehr aromatischen Ringsystemen bestehen, die über Einfachbindungen miteinander verbunden sind, beispielsweise Biphenyl, Terphenyl, 7-Phenyl- 2-fluorenyl, Quaterphenyl und 3, 5-Diphenyl-1 -phenyl. Ein aromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung enthält 6 bis 40 C-Atome und keine Heteroatome im Ringsystem. Die Definition von„aromatisches Ringsystem“ umfasst nicht Heteroarylgruppen.
Ein heteroaromatisches Ringsystem entspricht der oben genannten
Definition eines aromatischen Ringsystems, mit dem Unterschied dass es mindestens ein Heteroatom als Ringatom enthalten muss. Wie es beim aromatischen Ringsystem der Fall ist, muss das heteroaromatische
Ringsystem nicht ausschließlich Arylgruppen und Heteroarylgruppen enthalten, sondern es kann zusätzlich einen oder mehrere nicht
aromatische Ringe enthalten, die mit wenigstens einer Aryl- oder
Heteroarylgruppe kondensiert sind. Die nicht-aromatischen Ringe können ausschließlich C-Atome als Ringatome enthalten, oder sie können zusätzlich ein oder mehrere Heteroatome enthalten, wobei die
Heteroatome bevorzugt gewählt sind aus N, O und S. Ein Beispiel für ein derartiges heteroaromatisches Ringsystem ist Benzopyranyl. Weiterhin werden unter dem Begriff„heteroaromatisches Ringsystem“ Systeme verstanden, die aus zwei oder mehr aromatischen oder heteroaromatischen Ringsystemen bestehen, die miteinander über Einfachbindungen
verbunden sind, wie beispielsweise 4,6-Diphenyl-2-triazinyl. Ein
heteroaromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung enthält 5 bis 40 Ringatome, die gewählt sind aus Kohlenstoff und Heteroatomen, wobei mindestens eines der Ringatome ein Heteroatom ist. Die Heteroatome des heteroaromatischen Ringsystems sind bevorzugt ausgewählt aus N, O und S.
Die Begriffe„heteroaromatisches Ringsystem“ und„aromatisches
Ringsystem“ gemäß der Definition der vorliegenden Anmeldung
unterscheiden sich damit dadurch voneinander, dass ein aromatisches Ringsystem kein Heteroatom als Ringatom aufweisen kann, während ein heteroaromatisches Ringsystem mindestens ein Heteroatom als Ringatom aufweisen muss. Dieses Heteroatom kann als Ringatom eines nicht aromatischen heterocyclischen Rings oder als Ringatom eines
aromatischen heterocyclischen Rings vorliegen.
Entsprechend der obenstehenden Definitionen ist jede Arylgruppe vom Begriff„aromatisches Ringsystem“ umfasst, und jede Heteroarylgruppe ist vom Begriff„heteroaromatisches Ringsystem“ umfasst. Unter einem aromatischen Ringsystem mit 6 bis 40 aromatischen
Ringatomen oder einem heteroaromatischen Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, werden insbesondere Gruppen verstanden, die abgeleitet sind von den oben unter Arylgruppen und Heteroarylgruppen genannten Gruppen sowie von Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Fluoren, Spirobifluoren, Dihydrophenanthren, Dihydropyren, Tetrahydropyren, Indenofluoren, Truxen, Isotruxen, Spirotruxen, Spiroisotruxen,
Indenocarbazol, oder von Kombinationen dieser Gruppen.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung werden unter einer geradkettigen Alkylgruppe mit 1 bis 20 C-Atomen bzw. einer verzweigten oder cyclischen Alkylgruppe mit 3 bis 20 C-Atomen bzw. einer Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen, in der auch einzelne H-Atome oder CH2-Gruppen durch die oben bei der Definition der Reste genannten Gruppen substituiert sein können, bevorzugt die Reste Methyl, Ethyl, n-Propyl, i-Propyl, n-Butyl, i-Butyl, s-Butyl, t-Butyl, 2-Methylbutyl, n-Pentyl, s-Pentyl, Cyclopentyl, neo- Pentyl, n-Hexyl, Cyclohexyl, neo-Hexyl, n-Heptyl, Cycloheptyl, n-Octyl, Cyclooctyl, 2-Ethylhexyl, Trifluormethyl, Pentafluorethyl, 2,2,2-T rifluorethyl, Ethenyl, Propenyl, Butenyl, Pentenyl, Cyclopentenyl, Hexenyl,
Cyclohexenyl, Heptenyl, Cycloheptenyl, Octenyl, Cyclooctenyl, Ethinyl, Propinyl, Butinyl, Pentinyl, Hexinyl oder Octinyl verstanden.
Unter einer Alkoxy- oder Thioalkylgruppe mit 1 bis 20 C-Atomen, in der auch einzelne H-Atome oder CH2-Gruppen durch die oben bei der
Definition der Reste genannten Gruppen substituiert sein können, werden bevorzugt Methoxy, Trifluormethoxy, Ethoxy, n-Propoxy, i-Propoxy, n- Butoxy, i-Butoxy, s-Butoxy, t-Butoxy, n-Pentoxy, s-Pentoxy, 2-Methyl- butoxy, n-Hexoxy, Cyclohexyloxy, n-Heptoxy, Cycloheptyloxy, n-Octyloxy, Cyclooctyloxy, 2-Ethylhexyloxy, Pentafluorethoxy, 2,2,2-Trifluorethoxy, Methylthio, Ethylthio, n-Propylthio, i-Propylthio, n-Butylthio, i-Butylthio, s- Butylthio, t-Butylthio, n-Pentylthio, s-Pentylthio, n-Hexylthio, Cyclohexylthio, n-Heptylthio, Cycloheptylthio, n-Octylthio, Cyclooctylthio, 2-Ethylhexylthio, Trifluormethylthio, Pentafluorethylthio, 2,2,2-T rifluorethylthio, Ethenylthio, Propenylthio, Butenylthio, Pentenylthio, Cyclopentenylthio, Hexenylthio, Cyclohexenylthio, Heptenylthio, Cycloheptenylthio, Octenylthio,
Cyclooctenylthio, Ethinylthio, Propinylthio, Butinylthio, Pentinylthio,
Hexinylthio, Heptinylthio oder Octinylthio verstanden.
Unter der Formulierung, dass zwei oder mehr Reste miteinander einen Ring bilden können, soll im Rahmen der vorliegenden Anmeldung unter anderem verstanden werden, dass die beiden Reste miteinander durch eine chemische Bindung verknüpft sind. Weiterhin soll unter der oben genannten Formulierung aber auch verstanden werden, dass für den Fall, dass einer der beiden Reste Wasserstoff darstellt, der zweite Rest unter Bildung eines Rings an die Position, an die das Wasserstoffatom gebunden war, bindet.
T ist bevorzugt gleich B.
X ist bei jedem Auftreten bevorzugt gleich gewählt. Besonders bevorzugt ist X bei jedem Auftreten gleich NRE2. Bevorzugt ist mindestens einer der Indices o und p gleich 1 , so dass mindestens zwei Gruppen X in der Verbindung vorhanden sind, und mindestens zwei Gruppen X in der Verbindung sind gewählt aus O, S und NRE, besonders bevorzugt NRE.
C1, C2 und C3 sind bevorzugt bei jedem Auftreten gleich gewählt. Weiterhin bevorzugt sind sie gewählt aus Ringsystemen, bei denen die Ringatome gewählt sind aus C, Si, N, P, O, S, B. Die Ringsysteme können aliphatisch, aromatisch, heteroaliphatisch oder heteroaromatisch sein. Bevorzugt ist der einzelne Ring, der die in Formel (E-1 ) gezeigten C-Atome enthält, aromatisch oder heteroaromatisch, besonders bevorzugt aromatisch.
Bevorzugt sind C1, C2 und C3 aromatisch oder heteroaromatisch, besonders bevorzugt aromatisch. C1, C2 und C3 sind bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt aus Benzol, Naphthalin, Fluoren, Carbazol, Dibenzofuran und Dibenzothiophen, die jeweils mit Resten RE3 substituiert sind. Besonders bevorzugt sind C1, C2 und C3 gleich Benzol, das jeweils mit Resten RE3 substituiert ist.
Bevorzugt ist RE1 ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem, das mit einem oder mehreren Resten RE4 substituiert ist.
Bevorzugt ist RE2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen
Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und hetero aromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind, wobei zwei oder mehr Reste RE2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können, und wobei ein oder mehrere Reste RE2 über ihre Reste RE4 mit einem Ring gewählt aus C1, C2 und C3 verknüpft sein können und einen Ring bilden können. Besonders bevorzugt ist RE2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen
Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die jeweils mit Resten RE4 substituiert sind, wobei zwei oder mehr Reste RE2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können und wobei ein oder mehrere Reste RE2 über ihre Reste RE4 mit einem Ring gewählt aus C1, C2 und C3 verknüpft sein können und einen Ring bilden können.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform sind die Reste RE2 bei jedem Auftreten gleich gewählt. Weiterhin sind gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform C1, C2, C3 und alle Reste RE2 gleich gewählt,
insbesondere gleich Phenyl, das entsprechend substituiert sein kann, wobei bevorzugt dann alle betreffenden Phenylgruppen gleich substituiert sind. Bevorzugt ist RE3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40
aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und
Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substi tuiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CFh-Gruppen durch -C^C-, -RE4C=CRE4-, Si(RE4)2, C=0, C=NRE4, -NRE4-, -O-, -S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NRE4- ersetzt sein können.
Besonders bevorzugt ist mindestens ein Rest RE3 in Formel (E-1 ) gewählt aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, N(RE4)2, aromatischen
Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und
heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen
Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist mindestens ein Rest RE3 in Formel (E-1 ) gewählt aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C- Atomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, und N(RE4)2.
Bevorzugt ist RE4 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(RE5)3, N(RE5)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40
aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und
Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE5 substi tuiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CFh-Gruppen durch -C=C-, -RE5C=CRE5-, Si(RE5)2, C=0, C=NRE5, -NRE5-, -O-, -S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NRE5- ersetzt sein können.
Bevorzugt ist mindestens einer der Indices o und p gleich 1 . Besonders bevorzugt ist einer der Indices o und p gleich 1 , und der andere der Indices o und p ist gleich 0.
Bevorzugt ist die Verbindung der Formel (E-1 ) eine spiegelsymmetrische Verbindung einer Formel (E-1 S)
Figure imgf000019_0001
Formel (E-1 S) wobei die Gruppen X gleich gewählt sind, die Gruppen C2 und C3 gleich gewählt sind, und alle auftretenden Gruppen so gewählt sind, dass die Verbindung spiegelsymmetrisch ist, mit einer Spiegelebene, die die gestrichelte Linie enthält und senkrecht zur Papierebene steht.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung entspricht die Verbindung der Formel (E-1 ) der Formel (E-1 -1 )
Figure imgf000020_0001
Formel (E-1 -1 ), wobei die auftretenden Variablen definiert sind wie oben.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform entspricht die Verbindung der Formel (E-1 -1 ) einer spiegelsymmetrischen Verbindung der Formel (E-1 - 1 S)
Figure imgf000020_0002
Formel (E-1 -1 S), wobei die Gruppen X gleich gewählt sind, und alle auftretenden Gruppen so gewählt sind, dass die Verbindung spiegelsymmetrisch ist, mit einer Spiegelebene, die die gestrichelte Linie enthält und senkrecht zur
Papierebene steht. Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform ist die Verbindung der Formel (E-1 -1 ) nicht spiegelsymmetrisch bezüglich der in Formel (E-1 - 1 S) gezeigten Spiegelebene.
Insbesondere bevorzugt ist es, wenn in Formel (E-1 -1 )
- T gleich B ist, und/oder
- X gleich NRE2 ist, und/oder
- einer der Indices p und o gleich 1 ist, und der andere der Indices p und o gleich 0 ist.
- mindestens ein Rest RE3 gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C- Atomen, N(RE4)2, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40
aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind.
Bevorzugt ist in Formel (E-1-1 ) RE2 gleich Phenyl, das mit Resten RE4 substituiert ist.
Ganz besonders bevorzugt ist mindestens ein Rest RE3 in Formel (E-1 -1 ) gewählt aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, und N(RE4)2.
Besonders bevorzugt ist die Formel (E-1-1 -1 )
Figure imgf000022_0001
wobei ArE2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, besonders bevorzugt Phenyl oder Biphenyl, die jeweils mit Resten RE4 substituiert ist. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform sind die Reste ArE2 bei jedem Auftreten gleich gewählt. Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform sind die Reste ArE2 bei jedem Auftreten unterschiedlich gewählt.
Die sonstigen auftretenden Variablen sind definiert wie oben.
Bevorzugt ist in der Formel mindestens ein Rest RE3 gewählt aus
Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, N(RE4)2, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen
Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die
genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substi tuiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist in der Formel mindestens ein Rest RE3 gewählt aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, und N(RE4)2. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die Verbindung der Formel (E-1 -1 -1 ) spiegelsymmetrisch gegenüber einer Spiegelebene, die senkrecht auf der Papierebene steht und die Bindung vom Bor zur obersten der drei gezeigten Phenylgruppen enthält. Bevorzugt ist in diesem Fall in Formel (E- 1 -1 -1 ) RE2 gleich Phenyl oder Biphenyl, die jeweils mit Resten RE4 substituiert sind.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform ist die Verbindung der Formel (E-1 -1 -1 ) nicht spiegelsymmetrisch gegenüber einer
Spiegelebene, die senkrecht auf der Papierebene steht und die Bindung vom Bor zur obersten der drei gezeigten Phenylgruppen enthält. Bevorzugt ist in diesem Fall in Formel (E-1 -1 -1 ) RE2 gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl und Biphenyl, die jeweils mit Resten RE4 substituiert sind.
Ganz besonders bevorzugt sind die Formeln (E-1 -1 -1 -1 ) und (E-1 -1 -1 -2)
Figure imgf000023_0001
wobei ArE1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten RE5 substituiert sind, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten RE5 substituiert sind, und wobei ArE2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, besonders bevorzugt Phenyl oder Biphenyl, die jeweils mit Resten RE4 substituiert sind, und wobei RE3_1 gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, bevorzugt Methyl, Ethyl, n-Propyl, i-Propyl und tert-Butyl, besonders bevorzugt Methyl.
Die sonstigen auftretenden Variablen sind definiert wie oben.
ArE1 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Fluorenyl, Naphthyl, Dibenzofuranyl,
Dibenzothiophenyl und Carbazolyl, die jeweils mit Resten RE5 substituiert sind, und Kombinationen aus zwei oder mehr dieser Gruppen. Besonders bevorzugt ist ArE1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, o-Biphenyl, m-Biphenyl, p-Biphenyl, Terphenyl, p-Tolyl, m-Tolyl, o- Tolyl, p-tert-Butyl-Phenyl, m-tert-Butyl-Phenyl, o-tert-Butyl-Phenyl, 9,9‘- Dimethylfluorenyl, 9,9‘-Diphenylfluorenyl, Naphthyl, Naphthyl,
Dibenzothiophenyl, Dibenzofuranyl, Naphthyl-Phenylen, Dibenzofuranyl- Phenylen, Dibenzothiophenyl-Phenylen, Carbazolyl-Phenylen,
insbesondere N-Carbazolyl-Phenylen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die Verbindung der Formel (E-1 -1 -1 -1 ) oder (E-1 -1 -1 -2) spiegelsymmetrisch gegenüber einer
Spiegelebene, die senkrecht auf der Papierebene steht und die Bindung vom Bor zur obersten der drei gezeigten Phenylgruppen enthält. Die beiden Gruppen ArE1 können dabei gleich oder verschieden gewählt sein und sind bevorzugt gleich gewählt. Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform ist die Verbindung der Formel (E-1 -1 -1 -1 ) oder (E-1 -1 -1 -2) nicht spiegelsymmetrisch gegenüber einer Spiegelebene, die senkrecht auf der Papierebene steht und die Bindung vom Bor zur obersten der drei gezeigten Phenylgruppen enthält. Die beiden Gruppen ArE1 können dabei gleich oder verschieden gewählt sein und sind bevorzugt verschieden gewählt.
Am stärksten bevorzugt sind die Formeln (E-1 -1 -1 -1 -1 ) und (E-1 -1 -1 -1 -2)
Figure imgf000025_0001
wobei RE3_1 definiert ist wie RE3; und RE3 2 gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, bevorzugt Methyl, Ethyl, iso-Propyl und tert-Butyl, besonders bevorzugt Methyl; und RE4_1 definiert ist wie RE4, und wobei die sonstigen Variablen definiert sind wie oben.
Bevorzugt sind in Formel (E-1 -1 -1 -1 -1 ) und (E-1 -1 -1 -1 -2) RE3 1 und RE4 1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 bzw. RE5 substituiert sind und bevorzugt unsubstituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 Ringatomen, die mit Resten RE4 bzw. RE5 substituiert sind. Bevorzugt sind genau genau ein oder zwei Reste RE3_1 bzw. RE4 1 je Benzolring gewählt aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 bzw. RE5 substituiert sind und bevorzugt unsubstituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 Ringatomen, die mit Resten RE4 bzw. RE5 substituiert sind, und die anderen Reste RE3_1 bzw. RE4 1 sind gleich H.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform sind die in Formel (E-1 -1 -1 -1 )
Figure imgf000026_0001
Formel (E-1 -1 -1 -1 ) mit einem Kreis markierten Einheiten jeweils gleich gewählt, und die mit einem Rechteck markierten Einheiten sind ebenfalls jeweils gleich gewählt. Besonders bevorzugt sind alle vier markierten Einheiten gleich gewählt. Bevorzugt sind die mit Kreis und Rechteck markierten Einheiten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt aus entsprechend substituiertem Benzol, Naphthalin, Fluoren, Dibenzofuran und Dibenzothiophen.
Besonders bevorzugt ist entsprechend substituiertes Benzol.
Die Verbindung der Formel (E-1 -1 -1 -1 ) lässt sich als Verbindung A-B enthaltend die zwei Teileinheiten A und B abbilden:
Figure imgf000027_0001
Bevorzugte Ausführungsformen der Einheit A sind die folgenden (mit„B“ ist in den Formeln entsprechend die Einheit B bezeichnet):
Figure imgf000027_0002
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
Bevorzugte Ausführungsformen der Einheit B sind die folgenden (mit„A“ ist in den Formeln entsprechend die Einheit A bezeichnet):
Figure imgf000029_0002
Figure imgf000030_0001
Bevorzugte Ausführungsformen der Verbindungen der Formel (E-1 -1-1 -1 ) sind damit Verbindungen der folgenden Formeln, in denen Teil A und Teil B der Formel wie folgt gewählt sind:
Figure imgf000031_0001
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000033_0001
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Figure imgf000046_0001
Bevorzugte Verbindungen gemäß Formel (E-1 ) sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Figure imgf000047_0001
Figure imgf000048_0001
Figure imgf000049_0001
Figure imgf000050_0001
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Figure imgf000096_0001
Figure imgf000097_0001
Die Schicht H1 enthält bevorzugt eine Verbindung der Formel (L-1 ). Eine bevorzugte Ausführungsform der Formel (L-1 ) ist die Formel (L-1 -1 )
Figure imgf000098_0001
Formel (L-1 -1 ) wobei Z bei jedem Auftreten gleich CR1 ist, und wobei die übrigen
Variablen definiert sind wie oben.
Bevorzugt ist der Index n gleich 0, so dass die Aminogruppe direkt an die Spirobifluorenylgruppe gebunden ist. Bevorzugt ist weiterhin mindestens eine Gruppe R1 vorhanden, die gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C- Atomen und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen
Ringatomen, die jeweils mit Resten R4 substituiert sind.
Bevorzugte Ausführungsformen von Formel (L-1 -1 ) sind Formeln (L-1 -1 -1 ), (L-1 -1 -2) und (L-1 -1 -3)
Figure imgf000098_0002
Formel (L-1 -1 -1 )
Figure imgf000099_0001
Formel (L-1 -1 -3) wobei R1 1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, bevorzugt Methyl und tert-Butyl, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die jeweils mit Resten R4 substituiert sind, bevorzugt Phenyl, das mit Resten R4 substituiert ist, bevorzugt unsubstituiertes Phenyl.
Weiterhin ist Z gleich CR1. Die sonstigen Variablen sind definiert wie oben. Bevorzugt ist in Formeln (L-1 -1 -1 ) und (L-1 -1 -2) Z gleich CH. Das
Spirobifluorenyl-Grundgerüst in Formel (L-1 -1 -3) trägt außer der
Aminogruppe keinen weiteren Substituenten.
Besonders bevorzugt als Verbindung, die in der Schicht H1 enthalten ist, ist eine Verbindung der Formel (L-1 -1 -1 ), insbesondere eine Verbindung der Formel (L-1 -1 -1 ), in der n gleich 0 ist, und R1 1 ein aromatisches
Ringsystem ist, das mit Resten R4 substituiert ist. Besonders bevorzugt ist, dass n gleich 0 ist, Z gleich CH ist, und R1 1 gleich Phenyl ist, das mit Resten R4 substituiert ist.
Bevorzugte Ausführungsformen von Formel (L-2) entsprechen der Formel (L- 2-1 )
Figure imgf000100_0001
wobei Z gleich CR1 ist und die sonstigen Variablen definiert sind wie oben. Bevorzugt ist in der Formel Index n gleich 0. Weiterhin ist es bevorzugt, dass mindestens eine Gruppe R1 als Teil einer Gruppe Z gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, bevorzugt Methyl und tert-Butyl, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die jeweils mit Resten R4 substituiert sind, bevorzugt Phenyl, das mit Resten R4 substituiert ist, bevorzugt unsubstituiertes Phenyl.
Bevorzugte Ausführungsformen der Formel (L-3) entsprechen einer der Formeln (L-3-1 ) und (L-3-2)
Figure imgf000100_0002
Figure imgf000101_0001
wobei Z gleich CR1 ist und die sonstigen Variablen definiert sind wie oben. Bevorzugt ist in den Formeln Index n gleich 0.
Index n ist bevorzugt gleich 0 oder 1 , besonders bevorzugt gleich 0.
R1 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R4)3, N(R4)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und
Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substi tuiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CFh-Gruppen durch -C^C-, -R4C=CR4-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -NR4-, -O-, -S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NR4- ersetzt sein können.
R2 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R4 substituiert sind, und heteroaromatischen Ringsystemen, die mit Resten R4 substituiert sind. Besonders bevorzugt ist R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Methyl und Phenyl, das mit Resten R4 substituiert ist. R3 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R4)3, N(R4)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40
aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und
Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substi tuiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CFh-Gruppen durch -C^C-, -R4C=CR4-, Si(R4)2, C=0,
C=NR4, -NR4-, -O-, -S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NR4- ersetzt sein können.
R4 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R5)3, N(R5)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40
aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und
Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R5 substi tuiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CFh-Gruppen durch -C^C-, -R5C=CR5-, Si(R5)2, C=0,
C=NR5, -NR5-, -O-, -S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NR5- ersetzt sein können.
Gruppen Ar1 in Formel (L-1 ), (L-2) und (L-3) und in den bevorzugten Ausführungsformen dieser Formeln sind bevorzugt gleich oder verschieden gewählt aus divalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl,
Terphenyl, Naphthalin, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol,
Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzothiophen, und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein können. Ganz besonders bevorzugt ist Ar1 eine divalente Gruppe abgeleitet von Benzol, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein kann. Gruppen Ar1 können bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sein.
Bevorzugte Gruppen -(Ar1)n- entsprechen den folgenden Formeln:
Figure imgf000103_0001
Figure imgf000104_0001
Figure imgf000105_0001
Figure imgf000106_0001
Figure imgf000107_0001
wobei die gestrichelten Linien die Bindungen an den Rest der Formel darstellen.
Gruppen Ar2 in Formel (L-1 ), (L-2) und (L-3) und in den bevorzugten
Ausführungsformen dieser Formeln sind bevorzugt gleich oder verschieden gewählt aus monovalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthalin, Fluoren, insbesondere 9,9'- Dimethylfluoren und 9,9'-Diphenylfluoren, Benzofluoren, Spirobifluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Dibenzofuran, Dibenzothiophen,
Benzocarbazol, Carbazol, Benzofuran, Benzothiophen, Indol, Chinolin, Pyridin, Pyrimidin, Pyrazin, Pyridazin, und Triazin, wobei die monovalenten Gruppen jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein können. Alternativ bevorzugt können die Gruppen Ar2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sein aus Kombinationen von Gruppen, die abgeleitet sind von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthalin, Fluoren, insbesondere 9,9'-Dimethylfluoren und 9,9'-Diphenylfluoren, Benzofluoren, Spirobifluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Dibenzofuran, Dibenzothiophen, Carbazol, Benzofuran, Benzothiophen, Indol, Chinolin, Pyridin, Pyrimidin, Pyrazin, Pyridazin und Triazin, wobei die Gruppen jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein können. Besonders bevorzugte Gruppen Ar2 sind bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthyl, Fluorenyl, insbesondere 9,9'-Dimethylfluorenyl und 9,9'- Diphenylfluorenyl, Benzofluorenyl, Spirobifluorenyl, Indenofluorenyl, Indenocarbazolyl, Dibenzofuranyl, Dibenzothiophenyl, Carbazolyl, Benzofuranyl, Benzothiophenyl, benzokondensiertes Dibenzofuranyl, benzokondensiertes Dibenzothiophenyl, Naphthyl-substituiertes Phenyl, Fluorenyl-substituiertes Phenyl, Spirobifluorenyl-substituiertes Phenyl, Dibenzofuranyl-substituiertes Phenyl, Dibenzothiophenyl-substituiertes Phenyl, Carbazolyl-substituiertes Phenyl, Pyridyl-substituiertes Phenyl, Pyrimidyl-substituiertes Phenyl, und Triazinyl-substituiertes Phenyl, wobei die genannten Gruppen jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein können.
Bevorzugte Gruppen Ar2 sind im Folgenden gezeigt:
Figure imgf000108_0001
Figure imgf000109_0001
Figure imgf000110_0001
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wobei die Gruppen an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R3 substituiert sein können, bevorzugt in diesen Positionen unsubstituiert sind, und wobei die gestrichelte Bindung die Bindung an das Amin-Stickstoffatom ist.
Bevorzugte Verbindungen der Formeln (L-1 ), (L-2) und (L-3) sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Figure imgf000123_0002
Figure imgf000124_0001
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Die Schicht H2 ist bevorzugt eine Elektronenblockierschicht und grenzt bevorzugt direkt anodenseitig an die emittierende Schicht an.
Die Schicht H2 enthält bevorzugt eine Triarylamin-Verbindung. Besonders bevorzugt enthält die Schicht H2 eine Mono-Triarylamin-Verbindung. Unter einer Mono-Triarylamin-Verbindung wird eine Verbindung verstanden, die eine und nicht mehr Triarylaminogruppen enthält. Weiterhin ist es bevorzugt, dass die Schicht H2 eine Triarylamin-Verbindung enthält, die mindestens eine Gruppe gewählt aus Spirobifluorenylgruppen,
Fluorenylgruppen, Indenofluorenylgruppen, Dibenzofuranylgruppen und Dibenzothiophenylgruppen enthält. Diese kann direkt oder über ein aromatisches Ringsystem, insbesondere gewählt aus Phenylen,
Biphenylen und Fluorenylen, als Linker an das Stickstoffatom des Amins gebunden sein. Besonders bevorzugt ist die Spirobifluorenylgruppe in 1 , 3, oder 4-Position gebunden, ganz besonders bevorzugt in 1 - oder 4-Position, am stärksten bevorzugt in 4-Position. Besonders bevorzugt ist die
Fluorenylgruppe in 1 , 3, oder 4-Position gebunden, ganz besonders bevorzugt in 4-Position.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Verbindung der Formel (L-1 ) zur Verwendung in der Schicht H2 entspricht einer Formel (L-1 -2) oder (L-1 -3)
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wobei Z gleich CR1 ist und bevorzugt gleich CH ist, und wobei die sonstigen auftretenden Variablen definiert sind wie oben.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Verbindung der Formel (L-2) zur Verwendung in der Schicht H2 entspricht einer Formel (L-2-2)
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Formel (L-2-2) wobei Z gleich CR1 ist und bevorzugt gleich CH ist, und wobei die sonstigen auftretenden Variablen definiert sind wie oben. Insbesondere bevorzugt ist es, dass die Schicht H2 eine Verbindung enthält, die gewählt ist aus Verbindungen der Formeln (L-1 ), insbesondere (L-1 -2); (L-2), insbesondere (L-2-2); (L-3), insbesondere (L-3-1 ) und (L-3-2); (L-4) und (L-5), wobei Formeln (L-4) und (L-5) wie folgt definiert sind:
Figure imgf000171_0001
Formel (L-4),
wobei für die auftretenden Variablen gilt:
Y ist O, S oder NR3;
m ist 0, 1 , 2 oder 3; und
die unsubstituierten Positionen an den Benzolringen können jeweils mit einem Rest R3 substituiert sein; und Ar1 und Ar2 sind dabei definiert wie oben; und
Figure imgf000171_0002
Formel (L-5),
wobei Z gleich CR1 ist, bevorzugt gleich CH ist, und die sonstigen
auftretenden Variablen definiert sind wie oben.
Die Schicht H1 kann die Verbindung der Formel (L-1 ), (L-2) oder (L-3) als Reinmaterial enthalten, oder sie kann die Verbindung der Formel (L-1 ), (L- 2) oder (L-3) in Kombination mit einer oder mehreren weiteren Verbindungen enthalten. Wenn derartige weitere Verbindungen vorliegen, sind sie bevorzugt gewählt aus p-Dotanden und aus lochtransportierenden Verbindungen. Die weiteren lochtransportierenden Verbindungen sind bevorzugt gewählt aus Triarylamin-Verbindungen, besonders bevorzugt aus Mono-Triarylaminverbindungen. Ganz besonders bevorzugt sind sie gewählt aus den weiter unten angegebenen bevorzugten
Ausführungsformen von Lochtransportmaterialien. Wenn die Verbindung der Formel (L-1 ), (L-2) oder (L-3) in der Schicht H1 in Kombination mit einem oder mehreren weiteren lochtransportierenden Verbindungen vorliegt, dann liegen sie und die weiteren lochtransportierenden
Verbindungen bevorzugt jeweils in einem Anteil von mindestens 20% in der Schicht vor, besonders bevorzugt jeweils in einem Anteil von mindestens 30%.
Die Schicht H1 kann p-dotiert sein, oder sie kann undotiert sein. Als p- Dotanden werden gemäß der vorliegenden Erfindung bevorzugt solche organischen Elektronenakzeptorverbindungen eingesetzt, die eine oder mehrere der anderen Verbindungen in der Schicht oxidieren können.
Besonders bevorzugt als p-Dotanden sind Chinodimethanverbindungen, Azaindenofluorendione, Azaphenalene, Azatriphenylene, ,
Metallhalogenide, bevorzugt Übergangsmetallhalogenide, Metalloxide, bevorzugt Metalloxide enthaltend mindestens ein Übergangsmetall oder ein Metall der 3. Hauptgruppe, und Übergangsmetallkomplexe, bevorzugt Komplexe von Cu, Co, Ni, Pd und Pt mit Liganden enthaltend mindestens ein Sauerstoffatom als Bindungsstelle. Bevorzugt sind weiterhin
Übergangsmetalloxide als Dotanden, bevorzugt Oxide von Rhenium, Molybdän und Wolfram, besonders bevorzugt Re2Ü7, M0O3, WO3 und Re03. Nochmals weiterhin bevorzugt sind Komplexe von Bismut in der Oxidationsstufe (III), insbesondere Bismut(lll)-Komplexe mit
elektronenarmen Liganden, insbesondere Carboxylat-Liganden. Die p-Dotanden liegen bevorzugt weitgehend gleichmäßig verteilt in den p- dotierten Schichten vor. Dies kann beispielsweise durch Co-Verdampfung des p-Dotanden und der Lochtransportmaterial-Matrix erreicht werden. Der p-Dotand liegt bevorzugt in einem Anteil von 1 bis 10 % in der p-dotierten Schicht vor.
Unter Angaben in % werden in der vorliegenden Anmeldung Volumen-% verstanden, wenn Mischungen aus Verbindungen betroffen sind, die aus der Gasphase aufgebracht werden. Hingegen werden darunter Massen-% verstanden, wenn Mischungen aus Verbindungen betroffen sind, die aus Lösung aufgebracht werden.
Bevorzugt sind als p-Dotanden insbesondere die folgenden Verbindungen:
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In lochtransportierenden Schichten der Vorrichtung, wie
Lochinjektionsschichten, Lochtransportschichten und
Elektronenblockierschichten, werden bevorzugt Indenofluorenamin- Derivate, Aminderivate, Hexaazatriphenylenderivate, Aminderivate mit kondensierten Aromaten, Monobenzoindenofluorenamine,
Dibenzoindenofluorenamine, Spirobifluoren-Amine, Fluoren-Amine, Spiro- Dibenzopyran-Amine, Dihydroacridin-Derivate, Spirodibenzofurane und Spirodibenzothiophene, Phenanthren-Diarylamine, Spiro- Tribenzotropolone, Spirobifluorene mit meta-Phenyldiamingruppen, Spiro- Bisacridine, Xanthen-Diarylamine, und 9,10-Dihydroanthracen- Spiroverbindungen mit Diarylaminogruppen eingesetzt. Explizite Beispiele für Verbindungen zur Verwendung in lochtransportierenden Schichten sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
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Weiterhin sind die folgenden Verbindungen HT-1 bis HT-38 geeignet zur Verwendung in einer Schicht mit lochtransportierender Funktion, insbesondere in einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht und/oder einer Elektronenblockierschicht, oder zur Verwendung in einer emittierenden Schicht als Matrixmaterial, insbesondere als Matrixmaterial in einer emittierenden Schicht enthaltend einen oder mehrere
phosphoreszierende Emitter:
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Die Verbindungen HT-1 bis HT-38 sind allgemein gut geeignet für die oben genannten Verwendungen in OLEDs jeglicher Bauart und
Zusammensetzung, nicht nur in OLEDs gemäß der vorliegenden
Anmeldung. Verfahren zur Herstellung dieser Verbindungen und weitere relevante Offenbarung zur Verwendung dieser Verbindungen sind in den Offenlegungsschriften offenbart, die jeweils in der Tabelle unter den jeweiligen Verbindungen in Klammern aufgeführt sind. Die Verbindungen zeigen in OLEDs gute Leistungsdaten, insbesondere gute Lebensdauer und gute Effizienz.
Die elektronische Vorrichtung ist bevorzugt eine organische
Elektrolumineszenzvorrichtung. Die erste Elektrode der Vorrichtung ist bevorzugt die Anode, und die zweite Elektrode ist bevorzugt die Kathode. Als Kathode der elektronischen Vorrichtung sind Metalle mit geringer Austrittsarbeit, Metalllegierungen oder mehrlagige Strukturen aus
verschiedenen Metallen bevorzugt, wie beispielsweise Erdalkalimetalle, Alkalimetalle, Hauptgruppenmetalle oder Lanthanoide (z. B. Ca, Ba, Mg, AI, In, Mg, Yb, Sm, etc.). Weiterhin eignen sich Legierungen aus einem Alkali oder Erdalkalimetall und Silber, beispielsweise eine Legierung aus
Magnesium und Silber. Bei mehrlagigen Strukturen können auch zusätzlich zu den genannten Metallen weitere Metalle verwendet werden, die eine relativ hohe Austrittsarbeit aufweisen, wie z. B. Ag oder AI, wobei dann in der Regel Kombinationen der Metalle, wie beispielsweise Ca/Ag, Mg/Ag oder Ba/Ag verwendet werden. Es kann auch bevorzugt sein, zwischen einer metallischen Kathode und dem organischen Halbleiter eine dünne Zwischenschicht eines Materials mit einer hohen Dielektrizitätskonstante einzubringen. Hierfür kommen beispielsweise Alkalimetall- oder
Erdalkalimetallfluoride, aber auch die entsprechenden Oxide oder
Carbonate in Frage (z. B. LiF, L12O, BaF2, MgO, NaF, CsF, CS2CO3, etc.). Weiterhin kann dafür Lithiumchinolinat (LiQ) verwendet werden. Die
Schichtdicke dieser Schicht beträgt bevorzugt zwischen 0.5 und 5 nm.
Als Anode sind Materialien mit hoher Austrittsarbeit bevorzugt. Bevorzugt weist die Anode eine Austrittsarbeit größer 4.5 eV vs. Vakuum auf. Hierfür sind einerseits Metalle mit hohem Redoxpotential geeignet, wie beispiels weise Ag, Pt oder Au. Es können andererseits auch Metall/Metalloxid- Elektroden (z. B. AI/Ni/NiOx, Al/PtOx) bevorzugt sein. Für einige Anwen dungen muss mindestens eine der Elektroden transparent oder
teiltransparent sein, um entweder die Bestrahlung des organischen
Materials (organische Solarzelle) oder die Auskopplung von Licht (OLED, O-LASER) zu ermöglichen. Bevorzugte Anodenmaterialien sind hier leitfähige gemischte Metalloxide. Besonders bevorzugt sind Indium-Zinn- Oxid (ITO) oder Indium-Zink Oxid (IZO). Bevorzugt sind weiterhin leitfähige, dotierte organische Materialien, insbesondere leitfähige dotierte Polymere. Weiterhin kann die Anode auch aus mehreren Schichten bestehen, beispielsweise aus einer inneren Schicht aus ITO und einer äußeren Schicht aus einem Metalloxid, bevorzugt Wolframoxid, Molybdänoxid oder Vanadiumoxid.
Außer Anode, Kathode, den Schichten H1 , H2, und der emittierenden Schicht enthält die Vorrichtung bevorzugt weitere Schichten, insbesondere eine oder mehrere elektronentransportierende Schichten. Weiterhin ist es bevorzugt, dass die Vorrichtung eine Lochinjektionsschicht enthält, die direkt an die Anode angrenzt. Die Schicht H1 kann die Funktion einer solchen Lochinjektionsschicht übernehmen. In diesem Fall ist es bevorzugt, dass die Schicht H1 p-dotiert ist.
Alternativ kann eine zusätzliche Schicht in der Vorrichtung vorhanden sein, die die Funktion einer Lochinjektionsschicht übernimmt. Bevorzugt entspricht eine solche Lochinjektionsschicht einer der folgenden beiden Ausführungsformen: a) sie enthält ein Triarylamin und einen p-Dotanden; oder b) sie enthält ein einzelnes sehr elektronenarmes Material
(Elektronenakzeptor). Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Ausführungsform a) ist das Triarylamin ein Mono-Triarylamin, insbesondere ein Triarylamin enthaltend eine Verbindung der Formel (L-1 ), (L-2) oder (L- 3). Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Ausführungsform b) ist der Elektronenakzeptor ein Hexaazatriphenylenderivat, wie in
US 2007/0092755 beschrieben.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung enthält bevorzugt zwischen Anode und Kathode:
- direkt angrenzend an die Anode eine Lochinjektionsschicht (HIL), und
- direkt kathodenseitig an die HIL angrenzend die Schicht H1 , und
- direkt kathodenseitig an die Schicht H1 angrenzend die Schicht H2, und
- direkt kathodenseitig an die Schicht H2 angrenzend die emittierende Schicht. Kathodenseitig von der emittierenden Schicht enthält die Vorrichtung bevorzugt eine oder mehrere elektronentransportierende Schichten.
Bevorzugt enthält sie eine Elektronentransportschicht und kathodenseitig davon eine Elektroneninjektionsschicht. Zwischen der emittierenden Schicht und der Elektronentransportschicht kann zusätzlich eine
Lochblockierschicht angeordnet sein.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält die Vorrichtung zwei oder drei, bevorzugt drei, gleiche oder verschiedene Schichtenabfolgen übereinander gestapelt, wobei jede der
Schichtenabfolgen jeweils die folgenden Schichten umfasst:
Lochinjektionsschicht, Lochtransportschicht, Elektronenblockierschicht, emittierende Schicht, und Elektronentransportschicht, und wobei wenigstens eine der Schichtabfolgen
- eine emittierende Schicht E, enthaltend eine Verbindung der Formel (E-
1 ).
- eine Schicht H1 , die zwischen der ersten Elektrode und der
emittierenden Schicht angeordnet ist, und die eine Verbindung der Formel (L-1 ), (L-2) oder (L-3) enthält, und
- eine Schicht H2, die zwischen der Schicht H1 und der emittierenden Schicht angeordnet ist, enthält.
Bevorzugt enthalten alle der zwei oder drei Schichtabfolgen
- eine emittierende Schicht E, enthaltend eine Verbindung der Formel (E-
1 ).
- eine Schicht H 1 , die zwischen der ersten Elektrode und der
emittierenden Schicht angeordnet ist, und die eine Verbindung der Formel (L-1 ), (L-2) oder (L-3) enthält, und
- eine Schicht H2, die zwischen der Schicht H1 und der emittierenden Schicht angeordnet ist. Bevorzugt emittieren alle der zwei oder drei Schichtabfolgen blaues Licht.
Weiterhin ist es bevorzugt, dass alle der zwei oder drei Schichtabfolgen eine emittierende Schicht E enthalten, die eine Verbindung der Formel (E- 1 ) enthält.
Zwischen den Schichtabfolgen ist bevorzugt jeweils eine Doppelschicht aus aneinandergrenzender n-CGL und p-CGL angeordnet, wobei die n-CGL anodenseitig angeordnet ist und die p-CGL entsprechend kathodenseitig. CGL steht dabei für Charge generation layer, also
Ladungserzeugungsschicht. Materialien zur Verwendung in derartigen Schichten sind dem Fachmann bekannt. Bevorzugt wird in der p-CGL ein p- dotiertes Amin verwendet, besonders bevorzugt ein Material, das gewählt ist aus den oben genannten bevorzugten Strukturklassen von
Lochtransportmaterialien.
Geeignete Materialien, wie sie in der Elektroneninjektionsschicht, in der Elektronentransportschicht und/oder der Lochblockierschicht der
erfindungsgemäßen Vorrichtung verwendet werden können, sind neben den erfindungsgemäßen Verbindungen beispielsweise die in Y. Shirota et al ., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010 offenbarten Verbindungen oder andere Materialien, wie sie gemäß dem Stand der Technik in diesen Schichten eingesetzt werden. Insbesondere können als Materialien für diese Schichten alle Materialien verwendet werden, die gemäß dem Stand der Technik zur Verwendung in diesen Schichten bekannt sind.
Insbesondere eignen sich Aluminiumkomplexe, beispielsweise Alq3, Zirkoniumkomplexe, beispielsweise Zrq4, Lithiumkomplexe, beispielsweise Liq, Benzimidazolderivate, Triazinderivate, Pyrimidinderivate, Pyridin derivate, Pyrazinderivate, Chinoxalinderivate, Chinolinderivate,
Oxadiazolderivate, aromatische Ketone, Lactame, Borane,
Diazaphospholderivate und Phosphinoxidderivate. Explizite Beispiele für geeignete Verbindungen sind in der folgenden Tabelle gezeigt.
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Die emittierende Schicht der Vorrichtung enthält neben der Verbindung der Formel (E-1 ) bevorzugt eine oder mehrere weitere Verbindungen, bevorzugt genau eine weitere Verbindung. Die Verbindung der Formel (E- 1 ) stellt dabei die emittierende Verbindung dar, und die weitere Verbindung stellt dabei die Matrixverbindung dar. Die Verbindung der Formel (E-1 ) ist dabei bevorzugt in einem Anteil von 0.5% bis 15%, bevorzugt 0.5% bis 10%, besonders bevorzugt 3%-6%, in der Schicht vorhanden. Die weitere Verbindung ist dabei bevorzugt in einem Anteil von 85% bis 99.5%, bevorzugt in einem Anteil von 90%-99.5% und besonders bevorzugt in einem Anteil von 94%-97% in der Schicht vorhanden.
Die weitere Verbindung ist bevorzugt gewählt aus Verbindungen, die als Matrixmaterialien für fluoreszierende Emitter im Stand der Technik bekannt sind, insbesondere Verbindungen ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene (z. B. 2,2‘,7,7‘-Tetraphenylspirobifluoren), insbesondere der Oligoarylene enthaltend kondensierte aromatische Gruppen, der
Oligoarylenvinylene, der polypodalen Metallkomplexe, der lochleitenden Verbindungen, der elektronenleitenden Verbindungen, insbesondere Ketone, Phosphinoxide, und Sulfoxide; der Atropisomere, der Boronsäure- derivate und der Benzanthracene. Besonders bevorzugte Matrixmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene, enthaltend Naphthalin, Anthracen, Benzanthracen und/oder Pyren oder Atropisomere dieser Verbindungen, der Oligoarylenvinylene, der Ketone, der Phosphinoxide und der Sulfoxide. Ganz besonders bevorzugte Matrixmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene, enthaltend Anthracen, Benzanthracen, Benzphenanthren und/oder Pyren oder Atropisomere dieser Verbindungen. Am stärksten bevorzugt sind Materialien, ausgewählt aus den Klassen der Anthracene und Benzanthracene. Unter einem
Oligoarylen im Sinne dieser Erfindung wird eine Verbindung verstanden, in der mindestens drei Aryl- bzw. Arylengruppen aneinander gebunden sind.
Die Verbindung der Formel (E-1 ) ist bevorzugt eine fluoreszierende
Verbindung. Bevorzugt emittiert sie blaues Licht. Die Verbindung kann auch nach dem Mechanismus der thermisch aktivierten verzögerten Fluoreszenz (TADF) Licht emittieren, ebenfalls bevorzugt blaues Licht. In diesem Fall ist es bevorzugt, dass
für LUMO(E), also das LUMO-Energieniveau der emittierenden Verbindung der Formel (E-1 ), und HOMO(Matrix), also das HOMO-Energieniveau des Matrixmaterials, gilt:
LUMO(E) - HOMO(Matrix) > Si(E) - 0.4 eV;
besonders bevorzugt:
LUMO(E) - HOMO(Matrix) > Si(E) - 0.3 eV;
und ganz besonders bevorzugt:
LUMO(E) - HOMO(Matrix) > Si(E) - 0.2 eV.
Dabei ist Si(E) die Energie des ersten angeregten Singulettzustands der Verbindung der Formel (E-1 ).
Es ist weiterhin bevorzugt, dass die Energie des Ti-Zustands des
Matrixmaterials der emittierenden Schicht, im Folgenden bezeichnet als Ti(Matrix), höchstens 0.1 eV niedriger ist als die Energie des Ti-Zustands der Verbindung der Formel (E-1 ), im Folgenden bezeichnet als Ti(E).
Besonders bevorzugt ist Ti(Matrix) > Ti(E). Ganz besonders bevorzugt gilt: Ti (Matrix) - Ti(E) > 0.1 eV, am stärksten bevorzugt Ti (Matrix) - Ti(E) > 0.2 eV.
Beispiele für geeignete Matrixmaterialien in der emittierenden Schicht sind im Fall von Emission der Verbindung der Formel (E-1 ) nach dem TADF- Mechanismus Ketone, Phosphinoxide, Sulfoxide und Sulfone, Triarylamine, Carbazolderivate, z. B. CBP (N,N-Biscarbazolylbiphenyl), oder m-CBP, Indolocarbazolderivate, Indenocarbazolderivate, Azacarbazole, bipolare Matrixmaterialien, Silane, Azaborole oder Boronester, Diazasilolderivate, Diazaphospholderivate, Triazinderivate, Zinkkomplexe, oder verbrückte Carbazolderivate. Bevorzugt sind für diese Verwendung weiterhin elektronentransportierende organische Verbindungen. Besonders bevorzugt sind
elektronentransportierende organische Verbindungen, die ein LUMO- Energieniveau von höchstens -2.50 eV aufweisen, besonders bevorzugt höchstens -2.60 eV, ganz besonders bevorzugt höchstens -2.65 eV, und am stärksten bevorzugt höchstens -2.70 eV.
Besonders bevorzugte Matrixmaterialien in der emittierenden Schicht sind im Fall von Emission der Verbindung der Formel (E-1 ) nach dem TADF- Mechanismus ausgewählt aus den Stoffklassen der Triazine, der
Pyrimidine, der Lactame, der Metallkomplexe, insbesondere der Be-, Zn- bzw. AI-Komplexe, der aromatischen Ketone, der aromatischen
Phosphinoxide, der Azaphosphole, der Azaborole, welche mit mindestens einem elektronenleitenden Substituenten substituiert sind, der Chinoxaline, der Chinoline und der Isochinoline.
Bevorzugt emittiert die emittierende Schicht der Vorrichtung blaues Licht.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung emittiert die Vorrichtung Licht durch die Anode und die Substratschicht (bottom emission).
Gemäß einer alternativen, ebenfalls bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, emittiert die Vorrichtung Licht durch die Kathode hindurch (top emission). In dieser Ausführungsform ist die Kathode teiltransparent und teilreflektiv ausgestaltet. Hierzu kann beispielsweise eine Legierung aus Ag und Mg als Kathode verwendet werden. Die Anode ist in dieser
Ausführungsform stark reflektierend. Weiterhin enthält die Vorrichtung in diesem Fall bevorzugt eine Auskopplungsschicht, die auf die Kathode aufgebracht ist, und die bevorzugt eine Aminverbindung enthält. Die Schichtdicken sind in dieser Ausführungsform an die verwendeten
Materialien anzupassen, insbesondere an den Brechungsindex der Schichten und an die Lage der Rekombinationszone in der emittierenden Schicht, um einen optimalen Resonanzeffekt zu erzielen.
In der Ausführungsform mit Top-Emission können eine hervorragende Effizienz der OLED, kombiniert mit einer schmalen Emissionsbande, erzielt werden.
Die Vorrichtung kann nach Aufträgen der Schichten strukturiert, kontaktiert und schließlich versiegelt werden, um schädigende Effekte von Wasser und Luft auszuschließen.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten mit einem
Sublimationsverfahren beschichtet werden. Dabei werden die Materialien in Vakuum-Sublimationsanlagen bei einem Anfangsdruck kleiner 105 mbar, bevorzugt kleiner 106 mbar aufgedampft. Dabei ist es jedoch auch möglich, dass der Anfangsdruck noch geringer ist, beispielsweise kleiner 107 mbar.
Weiterhin bevorzugt ist, dass eine oder mehrere Schichten der Vorrichtung mit dem OVPD (Organic Vapour Phase Deposition) Verfahren oder mit Hilfe einer Trägergassublimation beschichtet werden. Dabei werden die Materialien bei einem Druck zwischen 105 mbar und 1 bar aufgebracht. Ein Spezialfall dieses Verfahrens ist das OVJP (Organic Vapour Jet Printing) Verfahren, bei dem die Materialien direkt durch eine Düse aufgebracht und so strukturiert werden (z. B. M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301 ).
Weiterhin bevorzugt ist, dass eine oder mehrere Schichten der Vorrichtung aus Lösung, wie z. B. durch Spincoating, oder mit einem beliebigen
Druckverfahren, wie z. B. Siebdruck, Flexodruck, Nozzle Printing oder Offsetdruck, besonders bevorzugt aber LITI (Light Induced Thermal Imaging, Thermotransferdruck) oder Ink-Jet Druck (Tintenstrahldruck), hergestellt werden.
Weiterhin bevorzugt ist es, dass zur Herstellung der Vorrichtung eine oder mehrere Schichten aus Lösung und eine oder mehrere Schichten durch ein Sublimationsverfahren aufgetragen werden.
Ein Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung umfasst zunächst die
Bereitstellung eines Substrats mit Anode, in einem später folgenden Schritt das Aufbringen der Schicht H 1 , in einem später folgenden Schritt das Aufbringen der Schicht H2, in einem später folgenden Schritt das
Aufbringen der emittierenden Schicht, und in einem später folgenden Schritt das Aufbringen der Anode. Bevorzugt werden die Schichten H1 und H2 und die emittierende Schicht aus der Gasphase aufgebracht. Besonders bevorzugt werden alle Schichten zwischen Anode und Kathode der
Vorrichtung aus der Gasphase aufgebracht.
Die erfindungsgemäßen Vorrichtungen werden bevorzugt in Displays, als Lichtquellen in Beleuchtungsanwendungen sowie als Lichtquellen in medizinischen und/oder kosmetischen Anwendungen eingesetzt.
Beispiele
A) Allgemeines Herstellungsverfahren für die OLEDs und Charakterisierung der OLEDs
Glasplättchen, die mit strukturiertem ITO (Indium-Zinn-Oxid) der Dicke 50 nm beschichtet sind, bilden die Substrate, auf welche die OLEDs aufgebracht werden.
Die OLEDs haben den folgenden Schichtaufbau: Substrat / Loch
injektionsschicht (HIL) / Lochtransportschicht (HTL) / Elektronen- blockierschicht (EBL) / Emissionsschicht (EML) /
Elektronentransportschicht (ETL) / Elektroneninjektionsschicht (EIL) und abschließend eine Kathode. Die Kathode wird durch eine 100 nm dicke Aluminiumschicht gebildet. Der genaue Aufbau der OLEDs ist den folgenden Tabellen zu entnehmen. Die in den einzelnen Schichten der OLED vorhandenen Materialien sind in einer folgenden Tabelle gezeigt.
Alle Materialien werden in einer Vakuumkammer thermisch aufgedampft. Dabei besteht die Emissionsschicht aus mindestens einem Matrixmaterial (Hostmaterial, Wirtsmaterial) und einem emittierenden Dotierstoff (Dotand, Emitter), der dem Matrixmaterial bzw. den Matrixmaterialien durch
Coverdampfung in einem bestimmten Volumenanteil beigemischt wird. Eine Angabe wie H:SEB (95%:5%) bedeutet hierbei, dass das Material H in einem Volumenanteil von 95% und das Material SEB in einem
Volumenanteil von 5% in der Schicht vorliegt.
Analog besteht auch die Elektronentransportschicht und die
Lochinjektionsschicht aus einer Mischung von zwei Materialien.
Die OLEDs werden standardmäßig charakterisiert. Hierfür werden die Betriebsspannung und die externe Quanteneffizienz (EQE, gemessen in %) in Abhängigkeit der Leuchtdichte, berechnet aus Strom-Spannungs- Leuchtdichte-Kennlinien unter Annahme einer lambertschen
Abstrahlcharakteristik bestimmt. Die Angabe EQE @ 10mA/cm2 bezeichnet die externe Quanteneffizienz, die bei 10mA/cm2 erreicht wird. Die Angabe U @ 10 mA/cm2 bezeichnet die Betriebsspannung bei 10 mA/cm2.
B) Herstellung und Charakterisierung von erfindungsgemäßen OLEDs mit Bottom-Emission-Aufbau
Es werden OLEDs mit dem folgenden Aufbau hergestellt:
Figure imgf000195_0001
In den OLEDs E1 bis E4 variiert die jeweils in der HIL und HTL verwendete Verbindung. Es werden die Verbindungen HTM-1 bis HTM-4 verwendet, die Spirobifluorenyl-Amine oder Fluorenyl-Amine sind. In der EBL wird in allen Fällen das Spirobifluorenyl-Amin EBM-1 verwendet.
Die Vergleichs-OLED V1 ist identisch aufgebaut zur OLED E1 , mit dem einzigen Unterschied, dass in der emittierenden Schicht anstelle der Verbindung SEB die Verbindung SdT als Emitter vorliegt.
Mit den OLEDs können folgende Devicedaten erreicht werden:
Figure imgf000195_0002
Bei allen erfindungsgemäßen OLEDs E1 bis E4 wird eine gute
Betriebsspannung und eine hohe Effizienz erreicht. Die Halbwertsbreite der Emission liegt in allen Fällen bei ca. 26 nm. Die Vergleichs-OLED V1 zeigt eine deutlich schlechtere Effizienz und eine erhöhte Betriebsspannung als die entsprechende erfindungsgemäße OLED E1.
Weiterhin werden OLEDs mit den folgenden Aufbauten hergestellt:
Figure imgf000196_0001
In den OLEDs E5 bis E10 wird immer die Verbindung HTM-3 in der HIL und der HTL eingesetzt. Die Verbindung HTM-3 ist ein 2-Spirobifluorenyl-Amin, das eine Phenylgruppe als Substituent am Spiro trägt. In den OLEDs E5 bis E10 variiert die in der EBL eingesetzte Verbindung. Es werden die
Verbindungen EBM-2 bis EBM-7 eingesetzt, die unterschiedliche
Strukturen aufweisen. Die Verbindungen EBM-2 bis EBM-7 sind gewählt aus Spirobifluorenyl-Aminen, Indenofluorenyl-Aminen, Fluorenyl-Aminen und Aminen mit Phenylen-Dibenzofurangruppen am Amin.
Mit den OLEDs können folgende Devicedaten erreicht werden:
Figure imgf000196_0002
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In allen Fällen wird eine gute Betriebsspannung und eine hohe Effizienz erreicht. Die Halbwertsbreite der Emission liegt in allen Fällen bei ca.
28 nm.
C) Herstellung und Charakterisierung von erfindungsgemäßen OLEDs mit Top-Emission-Aufbau
Es werden OLEDs mit dem folgenden Aufbau hergestellt:
Substrat / HIL / HTL / EBL / EML / ETL / EIL / Kathode /
Auskopplungsschicht.
Dabei ist das Substrat jeweils ein Glasplättchen, das mit strukturiertem ITO (Indium-Zinn-Oxid) der Dicke 50 nm beschichtet ist. Die Kathode besteht aus einer 15 nm dicken Schicht aus einer Mischung aus 91 % Ag und 9% Mg. Die Auskopplungsschicht besteht aus einer 70 nm dicken Schicht aus der Verbindung HTM-1. Der Aufbau der Schichten HIL, HTL, EBL, EML, ETL und EIL ist in der folgenden Tabelle gezeigt:
Figure imgf000197_0002
Die OLED E11 weist Farbkoordinaten CIE x,y = 0.14, 0.05 auf. Sie erreicht eine sehr hohe EQE bei 10 mA/cm2 von 16%-19%. Die Emissionsbande der OLEDs ist sehr schmal und hat eine Halbwertsbreite zwischen 17 und 18 nm.
Weiterhin können die folgenden OLEDs mit top-emission-Aufbau hergestellt werden, in denen verglichen mit der OLED E11 jeweils HTM-1 gegen HTM- 2, HTM-3 oder HTM-4 ausgetauscht ist, oder EBM-1 gegen eines der Materialien EBM-2 bis EBM-7 ausgetauscht ist:
Figure imgf000198_0001
Figure imgf000199_0001
Dabei können OLEDs erhalten werden, die Farbkoordinaten CIE x,y = 0.14, 0.05 aufweisen. Nach Anpassung der Schichtdicken auf die verwendete Materialkombination, um den Resonanzeffekt zu optimieren, können mit für diesen OLEDs sehr hohe Werte für die EQE bei 10 mA/cm2 von 16%-19% erreicht werden, und sehr geringe Halbwertsbreiten der Emissionsbande von 17 bis 18 nm.
Figure imgf000199_0002
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30
Figure imgf000201_0001

Claims

Ansprüche
1. Elektronische Vorrichtung, enthaltend eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, und dazwischen angeordnet
- eine emittierende Schicht E, enthaltend eine Verbindung einer Formel
Figure imgf000202_0001
für die gilt:
T ist B, P, P(=0) oder SiRE1;
X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus O, S, NRE2 und C(RE2)2, wobei mindestens ein X vorhanden sein muss, das gewählt ist aus O, S und NRE2;
C1, C2 und C3 sind gleich oder verschieden gewählt aus Ringsystemen mit 5 bis 40 Ringatomen, die mit Resten RE3 substituiert sind;
RE1 ist gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE4, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, P(=0)(RE4)2, ORE4, S(=0)RE4, S(=0)2RE4, geradkettigen Alkyl- oder
Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE4C=CRE4-, -C^C-, Si(RE4)2, C=0, C=NRE4, -C(=0)0-, -C(=0)NRE4-, NRE4, P(=0)(RE4), -O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
RE2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE4, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, P(=0)(RE4)2, ORE4, S(=0)RE4, S(=0)2RE4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen
Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE4C=CRE4-, -C=C-, Si(RE4)2, C=0,
C=NRE4, -C(=0)0-, -C(=0)NRE4-, NRE4, P(=0)(RE4), -O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können; wobei zwei oder mehr Reste RE2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können, und wobei ein oder mehrere Reste RE2 über ihre Reste RE4 mit einem Ring gewählt aus C1, C2 und C3 verknüpft sein können und einen Ring bilden können;
RE3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE4, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, P(=0)(RE4)2, ORE4, S(=0)RE4, S(=0)2RE4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste RE3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE4C=CRE4-, -C^C-, Si(RE4)2, C=0, C=NRE4, -C(=0)0-, -C(=0)NRE4-, NRE4, P(=0)(RE4), -O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
RE4 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)RE5, CN, Si(RE5)3, N(RE5)2, P(=0)(RE5)2, ORE5, S(=0)RE5, S(=0)2RE5, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste RE4 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten RE5 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CFh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -RE5C=CRE5-, -C^C-, Si(RE5)2, C=0, C=NRE5, -C(=0)0-, -C(=0)NRE5-, NRE5, P(=0)(RE5), -O-, -S-, SO oder SO2 ersetzt sein können;
RE5 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste RE5 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; o und p sind gleich oder verschieden 0 oder 1 , wobei p=0 bzw. o = 0 bedeutet, dass die mit p bzw. o indizierte Gruppe X zusammen mit ihren Bindungen an die Ringe C1, C2 bzw. C3 wegfällt;
- eine Schicht H1 , die zwischen der ersten Elektrode und der
emittierenden Schicht angeordnet ist, und die eine Verbindung einer Formel (L-1 ), (L-2) oder (L-3) enthält
Figure imgf000205_0001
Formel (L-2)
Figure imgf000206_0001
für die gilt:
Z ist, wenn eine Gruppe -[Ar1]n-N(Ar2)2 daran gebunden ist, gleich C, und Z ist, wenn keine Gruppe -[Ar1]n-N(Ar2)2 daran gebunden ist, bei jedem Auftreten gleich oder verschieden N oder CR1;
Ar1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein aromatisches Ringsystem mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist, oder ein heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist;
Ar2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein aromatisches Ringsystem mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist, oder ein heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, das mit Resten R3 substituiert ist;
R1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R4, CN, Si(R4)3, N(R4)2, P(=0)(R4)2, OR4, S(=0)R4, S(=0)2R4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere Ch -Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R4C=CR4- , -C=C-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -C(=0)0-, -C(=0)NR4-, NR4, P(=0)(R4), - O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können;
R2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R4, CN, Si(R4)3, N(R4)2, P(=0)(R4)2, OR4, S(=0)R4, S(=0)2R4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH2-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R4C=CR4- , -C=C-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -C(=0)0-, -C(=0)NR4-, NR4, P(=0)(R4), - O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können;
R3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R4, CN, Si(R4)3, N(R4)2, P(=0)(R4)2, OR4, S(=0)R4, S(=0)2R4, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere Chh-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R4C=CR4- , -C=C-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -C(=0)0-, -C(=0)NR4-, NR4, P(=0)(R4), - O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können;
R4 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=0)(R5)2, OR5, S(=0)R5, S(=0)2R5, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C- Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen; wobei zwei oder mehr Reste R4 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R5 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH2-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R5C=CR5- , -C=C-, Si(R5)2, C=0, C=NR5, -C(=0)0-, -C(=0)NR5-, NR5, P(=0)(R5), - O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können;
R5 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CI, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen
Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R5 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und
Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; n ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden 0, 1 , 2, 3 oder 4; k ist gleich 0 oder 1 ; und
- eine Schicht H2, die zwischen der Schicht H1 und der emittierenden Schicht angeordnet ist.
2. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Gruppe T gleich B ist.
3. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die Gruppe X bei jedem Auftreten gleich NRE2 ist.
4. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass RE2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die jeweils mit Resten RE4 substituiert sind, wobei zwei oder mehr Reste RE2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können und wobei ein oder mehrere Reste RE2 über ihre Reste RE4 mit einem Ring gewählt aus C1, C2 und C3 verknüpft sein können und einen Ring bilden können.
5. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass RE3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, Si(RE4)3, N(RE4)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und
heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten
aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen
Ringsysteme jeweils mit Resten RE4 substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CFh-Gruppen durch -C=C-, -RE4C=CRE4-, Si(RE4)2, C=0, C=NRE4, -NRE4-, -O-, -S-, - C(=0)0- oder -C(=0)NRE4- ersetzt sein können.
6. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Rest RE3 in Formel (E- 1 ) gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, und N(RE4)2.
7. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass RE4 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, Si(RE5)3, N(RE5)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und
heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten
aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen
Ringsysteme jeweils mit Resten RE5 substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CFI2-Gruppen durch -C=C-, -RE5C=CRE5-, Si(RE5)2, C=0, C=NRE5, -NRE5-, -O-, -S-, - C(=0)0- oder -C(=0)NRE5- ersetzt sein können.
8. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Indices o und p gleich 1 ist, und der andere der Indices o und p gleich 0 ist.
9. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung der Formel (E-1 ) einer
Figure imgf000211_0001
Figure imgf000212_0002
wobei RE3_1 definiert ist wie RE3; und RE3 2 gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, die mit Resten RE4 substituiert sind, bevorzugt Methyl, Ethyl, iso-Propyl und tert-Butyl, besonders bevorzugt Methyl; und RE4_1 definiert ist wie RE4, und wobei die sonstigen Variablen definiert sind wie in einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, bevorzugt wie in Anspruch 1 .
10. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht H eine Verbindung der Formel (L-1 ) enthält.
1 1 . Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung der Formel (L-1 ) einer Formel gewählt aus Formeln (L-1 -1 -1 ) bis (L-1 -1 -3) entspricht
Figure imgf000212_0001
Formel (L-1 -1 -1 )
Figure imgf000213_0001
Formel (L-1 -1 -3) wobei R1 1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die jeweils mit Resten R4 substituiert sind, und wobei Z gleich CR1 ist, und wobei Z gleich CFI ist, und wobei die sonstigen Variablen definiert sind wie in einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 10, bevorzugt wie in Anspruch 1 .
12. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass
R1 und R3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sind aus H, D, F, CN, Si(R4)3, N(R4)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40
aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten
heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R4 substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH2-Gruppen durch -C=C-, -R4C=CR4-, Si(R4)2, C=0, C=NR4, -NR4-, -O-, - S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NR4- ersetzt sein können; und weiterhin dadurch gekennzeichnet, dass
R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus
Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R4 substituiert sind, und heteroaromatischen Ringsystemen, die mit Resten R4 substituiert sind; und weiterhin dadurch gekennzeichnet, dass
R4 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, Si(R5)3, N(R5)2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40
aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten
heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R5 substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH2-Gruppen durch
Figure imgf000214_0001
S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NR5- ersetzt sein können.
13. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass Gruppen Ar1 gleich oder verschieden gewählt sind aus divalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzothiophen, und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein können.
14. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass Ar2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthyl, Fluorenyl, insbesondere 9,9'-Dimethylfluorenyl und 9,9'- Diphenylfluorenyl, Benzofluorenyl, Spirobifluorenyl, Indenofluorenyl, Indenocarbazolyl, Dibenzofuranyl, Dibenzothiophenyl, Carbazolyl,
Benzofuranyl, Benzothiophenyl, benzokondensiertes Dibenzofuranyl, benzokondensiertes Dibenzothiophenyl, Naphthyl-substituiertes Phenyl, Fluorenyl-substituiertes Phenyl, Spirobifluorenyl-substituiertes Phenyl, Dibenzofuranyl-substituiertes Phenyl, Dibenzothiophenyl-substituiertes Phenyl, Carbazolyl-substituiertes Phenyl, Pyridyl-substituiertes Phenyl, Pyrimidyl-substituiertes Phenyl, und Triazinyl-substituiertes Phenyl, wobei die genannten Gruppen jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein können.
15. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht H2 direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt.
16. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht H2 eine Verbindung enthält, die einer Formel gewählt aus Formeln (L-1 -2), (L-2-2), (L-3-1 ), (L-3- 2), (L-4) und (L-5) entspricht
Figure imgf000216_0001
Figure imgf000217_0001
wobei Z gleich CR1 ist, und Y ist O, S oder NR3; und m ist 0, 1 , 2 oder 3; und die unsubstituierten Positionen an den Benzolringen in Formel (L-4) können jeweils mit einem Rest R3 substituiert sein, und die sonstigen Variablen sind definiert wie in einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, bevorzugt wie in Anspruch 1 .
17. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass sie zwischen Anode und Kathode:
- direkt angrenzend an die Anode eine Lochinjektionsschicht (HIL) enthält, und
- direkt kathodenseitig an die HIL angrenzend die Schicht H1 enthält, und
- direkt kathodenseitig an die Schicht H1 angrenzend die Schicht H2 enthält,
- direkt kathodenseitig an die Schicht H2 angrenzend die emittierende Schicht enthält, und
- kathodenseitig von der emittierenden Schicht eine oder mehrere elektronentransportierende Schichten enthält.
18. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die emittierende Schicht zusätzlich zur Verbindung der Formel (E-1 ) eine Matrixverbindung enthält, die eine Anthracenverbindung ist.
19. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine organische
Elektrolumineszenzvorrichtung ist.
20. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass sie blaues Licht emittiert.
21. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine organische
Elektrolumineszenzvorrichtung ist, die Licht durch die Kathode hindurch emittiert.
22. Elektronische Vorrichtung, nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 21 , dadurch gekennzeichnet, dass sie zwei oder drei gleiche oder verschiedene Schichtenabfolgen übereinander gestapelt umfasst, wobei jede der Schichtenabfolgen jeweils die folgenden Schichten umfasst:
Lochinjektionsschicht, Lochtransportschicht, Elektronenblockierschicht, emittierende Schicht, und Elektronentransportschicht, und wobei wenigstens eine der Schichtabfolgen
- eine emittierende Schicht E, enthaltend eine Verbindung der Formel (E-
1 ). - eine Schicht H1 , die zwischen der ersten Elektrode und der
emittierenden Schicht angeordnet ist, und die eine Verbindung der Formel (L-1 ), (L-2) oder (L-3) enthält, und
- eine Schicht H2, die zwischen der Schicht H1 und der emittierenden Schicht angeordnet ist, enthält.
23. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 22, umfassend zunächst die Bereitstellung eines Substrats mit Anode, in einem später folgenden Schritt das Aufbringen der Schicht H1 , in einem später folgenden Schritt das Aufbringen der Schicht H2, in einem später folgenden Schritt das Aufbringen der emittierenden Schicht, und in einem später folgenden Schritt das Aufbringen der Anode.
24. Verwendung einer elektronischen Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 22 in Displays, als Lichtquelle in
Beleuchtungsanwendungen, oder als Lichtquelle in medizinischen und/oder kosmetischen Anwendungen.
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