WO2020105633A1 - 半導体パッケージ基板およびその製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ基板およびその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 149
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 149
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 90
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 50
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 22
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 16
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 11
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 314
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 52
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 48
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
Definitions
- the mainstream of high-performance semiconductor devices is to integrate semiconductor devices such as three-dimensional stacked DRAM and logic on a silicon interposer, and mount a silicon interposer on which a plurality of different types of semiconductor devices are mounted on a semiconductor package substrate.
- the so-called 2.5D package is the mainstream.
- the entire silicon interposer can be regarded as one SOC (system on chip) in which the functions are integrated. it can.
- Patent Document 2 discloses an invention in which a fine wiring layer piece manufactured by a semiconductor process is embedded and mounted on a semiconductor package substrate.
- the semiconductor device mounted on the 2.1D semiconductor package substrate is as fine as the connection terminal pitch of 40 ⁇ m to 60 ⁇ m, and the mounting position accuracy of the fine wiring layer piece needs to be at least ⁇ 5 ⁇ m or less. Further, in this application, since a plurality of DRAMs are mounted for each logic semiconductor device, it is extremely difficult to mount all of them with high positional accuracy so that they can be simultaneously connected.
- a wiring layer is formed by forming a thin multilayer wiring layer on one surface of a glass support, integrating the semiconductor device, separating the support, and then separating the semiconductor device into individual pieces.
- Another invention of a semiconductor device is disclosed.
- electrical inspection cannot be performed unless the wiring layer and the semiconductor device are integrated. That is, with a single thin multilayer wiring layer formed on a support, it is essentially impossible to simultaneously apply a probe to external connection terminals formed on the front and back surfaces of the wiring layer for electrical inspection. It becomes difficult to detect a defect in the wiring layer in advance before assembling the semiconductor device.
- defective wiring layers lead to discard of non-defective devices, so this method is not practical.
- the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and even a semiconductor package substrate having a flat and thin fine wiring layer that does not require a silicon interposer can be efficiently manufactured with high yield. It is an object of the present invention to provide a semiconductor package substrate having sufficient rigidity and good connection reliability, transmission characteristics, and insulation reliability, and a method for manufacturing the same.
- a semiconductor package substrate is a semiconductor package substrate having a first main surface on which a semiconductor device is mounted and a second main surface on which external connection terminals for electrically connecting with a printed wiring board are formed. At least one or more first wiring layers are formed on the first main surface side, and the first wiring layer includes a first insulating resin layer and a first conductor circuit layer, and the first conductor The circuit layer includes a via hole portion and a wiring portion, and a seed metal layer is formed on three surfaces of the first insulating resin layer and the wiring portion in the first conductor circuit layer which are grounded.
- FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which a photoresist layer is formed on the first non-photosensitive insulating resin layer on which a via hole and a seed metal layer are formed. It is sectional drawing which shows the state which formed the resist pattern in the non-photosensitive insulating resin layer and the photoresist layer.
- a seed metal layer 112 is formed on the entire surface of the external connection terminal pattern 111 formed of a photosensitive insulating resin as illustrated in FIG. 3D, which is a detailed enlarged view of the A-A ′ enclosure in FIG. 3C.
- the seed metal layer of this embodiment can be selected from Ti, Ni, Cr, Co, and Ta. These metals can be selected from a vapor deposition method, a CVD method and a sputtering method. Alternatively, if electroless plating is used, electroless Ni plating can be used. According to the present embodiment, it has been found that by selecting these metals, it is possible to effectively suppress copper migration even with a fine pattern and form a multilayer wiring with good insulation reliability. ing. Furthermore, since these metals have good adhesion to the insulating resin, it is desirable to select from these metals. These metals may be used alone or in multiple layers. Further, these elements may be mixed and used.
- the first wiring layer 150 which is a fine multilayer wiring layer made of a photosensitive insulating resin
- the second wiring layer 160 which is a multilayer wiring layer made of a photosensitive insulating resin
- the wiring density is low and the wiring cross-sectional area is wide in terms of dimensional stability, power supply and ground supply stability. ..
- a wiring forming method by a semi-additive method is simple and suitable.
- a seed metal layer 172 is formed on the surface of the non-photosensitive insulating resin layer 170 and the inner wall of the via hole 171.
- the type of the seed metal layer may be selected from Ti, Ni, Cr, Co and Ta as in the photosensitive resin pattern 140. These metals can be selected from a vapor deposition method, a CVD method and a sputtering method. Alternatively, electroless Ni plating or electroless copper plating may be used as long as it is an electroless plating method. These metals may be used alone or in multiple layers. Further, these elements may be mixed and used. More preferably, electroless copper plating is desirable because it is simple and has good adhesion.
- the thickness of the seed metal layer is not specified by the present invention, but is preferably 0.05 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
- the electroless plating does not easily reach the inside of the via, which makes it difficult to fill the copper with electrolytic copper plating after that and also deteriorates the via connection reliability.
- the thickness is 2 ⁇ m or more, the etching time for removing the seed layer afterwards becomes long, and there is a risk that the wiring portion is also etched, and it is difficult to finish to the dimension.
- Comparative Example 6 is an example in which the semi-additive method was used instead of the damascene method using the photosensitive insulating resin formed on the first main surface used in the description of Example 8.
- L / S 2/2 ⁇ m wiring
- the via diameter is 15 ⁇ m
- the wiring layer thickness is 5 ⁇ m per layer.
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Abstract
半導体装置が搭載される第一主面と、印刷配線板と電気的に接続するための外部接続端子を形成する第二主面とを有する。第一主面側に1層以上の第一配線層が形成されている。第一配線層は第一絶縁樹脂層(110)と第一導体回路層(130)を備え、第一導体回路層はビアホール部(141)と配線部(142)を備える。第一絶縁樹脂層と第一導体回路層中の配線部との接地する面の3面にシード金属層が形成され、第二主面側に1層以上の第二配線層が形成されている。第二配線層は第二絶縁樹脂層(170)とビアホール部(191)及び配線部(190)の第二導体回路層とを備え、第二導体回路層中の配線部と第二絶縁樹脂層とが接地する面の1面のみにシード金属層が形成されている。
Description
本発明は半導体装置を搭載するための半導体パッケージ基板とその製造方法に関わり、特に回路の微細化、装置接続面の平坦性向上、寸法安定性の向上、接続信頼性向上及びコストダウンに関する。
近年、半導体装置の小型化・高集積化・高機能化への対応から、薄化した半導体装置同士をシリコン貫通電極(TSV:Through Silicon Via)を介して、高さ方向に3次元積層する半導体装置が実用化されつつある。TSVは半導体装置のシリコン基板を厚さ方向に貫通形成した電極であり、積層した半導体装置同士を電気的に最短距離で接続することが可能になることから、低伝送損失、低消費電力化が可能となる。高さ方向に積層数を増やすので、実装面積を増加させることなく高機能化・大容量化が可能となり、半導体装置の小型化・高集積化、高機能化の有力な手段となっている。
半導体装置の3次元積層による小型・高機能化は、同種半導体装置同士を3次元積層するDRAMに限られている。その理由は、異種半導体装置(例えばメモリーとロジック装置等の異なるメーカーの場合)同士を積層する場合、TSVの統一規格を設けるなど設計的制約を生じる。異種複数の半導体装置を複数積層組み立てた後に不具合が生じたした場合、組み立て時の不具合なのか各装置製造時の問題なのかを切り分けが難しく、品質保証や製造責任の問題を生じる。さらには発熱量が多い半導体装置を3次元化するには、放熱の問題が解決できないという不具合を生じる。
そこで半導体装置の高機能化の主流は、3次元積層DRAMとロジック等半導体装置をシリコンインターポーザー上で統合し、異種複数の半導体装置が搭載されたシリコンインターポーザーを半導体パッケージ基板上に実装搭載した、いわゆる2.5Dパッケージが主流となっている。2.5Dパッケージの場合、複数の半導体装置間の信号接続をシリコンインターポーザー上の微細回路で接続することにより、シリコンインターポーザー全体が機能集積された1つのSOC(system on chip)とみなすことができる。
シリコンインターポーザーは、300mmシリコンウエハーより製造され、半導体装置が搭載される表面には、半導体プロセスで製造されたサブミクロン~数ミクロンピッチの微細多層配線層と、他方裏面には半導体パッケージ基板とを接続する接続端子及び電気回路よりなり、表裏回路はシリコン基板を貫通するTSVで電気接続されているものである。
シリコンインターポーザーは、300mmシリコンウエハーより製造され、半導体装置が搭載される表面には、半導体プロセスで製造されたサブミクロン~数ミクロンピッチの微細多層配線層と、他方裏面には半導体パッケージ基板とを接続する接続端子及び電気回路よりなり、表裏回路はシリコン基板を貫通するTSVで電気接続されているものである。
シリコンインターポーザーはTSV形成が必要で、シリコン基板をドライエッチングしてアスペクトの高いスルーホールを形成し、さらに電解銅めっきでスルーホールを充填する必要があるため製造コストが高いという問題があった。そのためサーバーやハイエンドPC、ハイエンドグラフィック等のコストよりも性能が要求されるものへの適用に限られ、普及の障害となっている。
2.5Dパッケージにおいては、半導体パッケージ基板と半導体装置のとの間にさらにシリコンインターポーザーを介在させることが必要なので、部材や実装回数が多くコスト及び効率が悪いことが問題となっている。
2.5Dパッケージにおいては、半導体パッケージ基板と半導体装置のとの間にさらにシリコンインターポーザーを介在させることが必要なので、部材や実装回数が多くコスト及び効率が悪いことが問題となっている。
さらに、角型のシリコンインターポーザーは円形の300mmウエハーから製造されるため、600×500mm前後の大型角パネルから製造される有機半導体パッケージ基板と比較すると面付け効率が悪く、コストが高いという問題があった。さらに近年の半導体装置の高機能化により、GPU、CPU、FPGAなどの半導体装置は、搭載トランジスタ数の増大の影響により年々大型化する傾向にあり、これらを受けるシリコンインターポーザーも大型化の要求が高まっている。シリコンインターポーザーに代わるより安価で効率的な新たなパッケージング技術の要求が高まっている。
新たなパッケージング技術の候補として、従来の有機半導体パッケージ基板の装置搭載面側の多層配線層を、シリコンインターポーザーに近い配線密度にすることで、シリコンインターポーザーが不要な有機半導体パッケージ基板(いわゆる2.1Dインターポーザー、あるいは2.1D半導体パッケージ基板と呼ばれる)の開発が活発になっている。
2.1D半導体パッケージ基板の技術課題は、半導体装置搭載面に、シリコンインターポーザーに近い薄層微細配線を多層形成することにある。複数の半導体装置同士を電気的に接続するには、1つの半導体装置が搭載されるだけの従来型の半導体パッケージ基板よりも、信号線本数は著しく増加するためである。従来の半導体パッケージ基板の製造方法で最も微細な線幅及び層厚(導体層厚と絶縁樹脂層厚の和を示す)ルールであってもライン&スペース(以下L/Sと記載)L/S=10/10μm、1層当たり20μm程であったが、2.1D半導体パッケージ基板では、少なくともL/S=5/5μm~2/2μm、1層当たりの配線層厚が3~10μmの薄層微細配線が要求されている。
2.1D半導体パッケージ基板の技術課題は、半導体装置搭載面に、シリコンインターポーザーに近い薄層微細配線を多層形成することにある。複数の半導体装置同士を電気的に接続するには、1つの半導体装置が搭載されるだけの従来型の半導体パッケージ基板よりも、信号線本数は著しく増加するためである。従来の半導体パッケージ基板の製造方法で最も微細な線幅及び層厚(導体層厚と絶縁樹脂層厚の和を示す)ルールであってもライン&スペース(以下L/Sと記載)L/S=10/10μm、1層当たり20μm程であったが、2.1D半導体パッケージ基板では、少なくともL/S=5/5μm~2/2μm、1層当たりの配線層厚が3~10μmの薄層微細配線が要求されている。
ここで一般的な半導体パッケージ基板製造方法を例に簡単に説明する。
半導体パッケージ基板における多層回路は、層間絶縁樹脂の形成と回路層形成を繰り返すいわゆるビルトアップ工法によって製造される。
1)先ずは公知の印刷配線板の製造方法を用いて配線回路層が2層以上形成されたコア基板を準備する。コア基板表面には10μm以上50μm以下の高さで銅配線が形成されている。コア基板は内装回路を含む多層板でも良い。コア基板表面には形成される回路高さによって10μmから50μm程度の表面凹凸や、内層配線密度差から反りやウネリ、平坦性のばらつきを含んでいる。続いて、コア基板表裏両面にシリカフィラーと熱硬化性樹脂よりなる層間絶縁樹脂フィルムを真空プレス法によりラミネートし、熱硬化することで層間絶縁樹脂層を形成する。
半導体パッケージ基板における多層回路は、層間絶縁樹脂の形成と回路層形成を繰り返すいわゆるビルトアップ工法によって製造される。
1)先ずは公知の印刷配線板の製造方法を用いて配線回路層が2層以上形成されたコア基板を準備する。コア基板表面には10μm以上50μm以下の高さで銅配線が形成されている。コア基板は内装回路を含む多層板でも良い。コア基板表面には形成される回路高さによって10μmから50μm程度の表面凹凸や、内層配線密度差から反りやウネリ、平坦性のばらつきを含んでいる。続いて、コア基板表裏両面にシリカフィラーと熱硬化性樹脂よりなる層間絶縁樹脂フィルムを真空プレス法によりラミネートし、熱硬化することで層間絶縁樹脂層を形成する。
2)コア基板上に形成された表裏両面の層間絶縁樹脂にレーザー加工機を用いてビアホール(多層回路間を電気的に接続するための穴)を形成する。
3)レーザー加工時に発生したビア底(コア基板上に形成されているビア受け銅パッド上)及びビア周辺のスミアを熱アルカリ性過マンガン酸溶液に浸漬してエッチング除去する。
4)絶縁樹脂上に無電解銅めっき処理を行うことによって、樹脂表面及びビア内を導電化する。
3)レーザー加工時に発生したビア底(コア基板上に形成されているビア受け銅パッド上)及びビア周辺のスミアを熱アルカリ性過マンガン酸溶液に浸漬してエッチング除去する。
4)絶縁樹脂上に無電解銅めっき処理を行うことによって、樹脂表面及びビア内を導電化する。
5)基板表裏にドライフィルムレジストを熱圧着でラミネート形成し、続く露光・現像処理によって回路と逆パターンのレジストパターンを形成する。
6)無電解めっき層を通電層として電解銅めっきをおこなうことにより、配線およびビアホールに銅めっき充填することで回路形成をする。
7)レジスト不要になったレジストを剥離する。
8)レジスト剥離後の不要部分の無電解めっき層をエッチング除去することによって配線回路を形成する。
6)無電解めっき層を通電層として電解銅めっきをおこなうことにより、配線およびビアホールに銅めっき充填することで回路形成をする。
7)レジスト不要になったレジストを剥離する。
8)レジスト剥離後の不要部分の無電解めっき層をエッチング除去することによって配線回路を形成する。
以上の1)~8)工程の回路形成方法は、いわゆるセミアディティブ工法と呼ばれるものであり、半導体パッケージ基板が製造されるが、コア基板の平坦性や形成した多層配線層の配線密度差、あるいは異種材料複合による残留応力によって、必然的に数十μm以上から数mmの範囲で基板の反りやウネリ、表面の平坦性バラツキを含む。
ここで、特許文献1は、本課題になされた従来技術であり、通常のプロセスで製造された半導体パッケージ基板の半導体素子搭載面の最表層の配線1層分をCMPにより研磨平坦化し、感光性絶縁樹脂を用いたセミアディティブ工法により微細な多層配線層を形成するという発明である。しかしながら半導体パッケージ基板において、前記の反りやうねり、平坦性バラツキをはらんでおり、少なくとも数十μm以上~数mmの範囲で発生する。一方で微細配線層を形成するためには、高い開口数(NA)の投影露光装置を用いたリソグラフィーが必須であり、焦点深度が10μm以下と狭くなってしまう。よって反りやウネリ、平坦性のバラツキが大きい基板上に微細配線を形成することは原理的に困難となってくる。特許文献1の発明のように、半導体素子搭載面の配線1層分をCMPにより平坦化したとしても、パネル全面の反りやウネリ、平坦性のバラツキをCMPで全て吸収することは極めて困難で、実施したとしても歩留まりよく製造することが不可能である。以上より、従来工法で半導体パッケージ基板上に微細多層配線層を後から作り込むことは、平坦性を制御することが困難であるため、歩留まりよく製造することが難しい。微細配線形成には平坦性が確実に担保できる基板上で作製する必要がある。
さらに、L/S=2~5μmの領域のセミアディティブ工法においては、シードエッチング工程におけるパネル面内ばらつきによって、アンダーカットを均一に制御することが困難である。さらに配線と絶縁樹脂の密着低下と搬送ローラーによる物理的ストレスにより、配線ハガレが多発するので歩留まりよく製造することが困難となっている。さらに微細配線層をセミアディティブ工法で形成する場合、配線層をパターン銅めっき法により形成するが、パターン銅めっきの場合、配線パターン密度の粗密によって電流集中する箇所が必然的に生じることから、めっき工程において、配線高さを全面に均一形成することが困難となる。よってインピイーダンスマッチングの問題や、さらに部分的に回路層間の絶縁層厚が薄くなるため、絶縁信頼性確保に困難を極めていた。
特許文献2記載の方法では、半導体プロセスにより製造された微細配線層小片を、半導体パッケージ基板に埋設搭載する発明が開示されている。2.1D半導体パッケージ基板に搭載される半導体装置は、接続端子ピッチ40μm~60μmと微細であり、微細配線層小片の搭載位置精度は少なくとも±5μm以下が必要となる。さらに本用途では、ロジック半導体装置1個につき複数個のDRAMが搭載されるので、これらすべてを同時に接続できるように位置精度よく搭載することが極めて困難である。また微細配線層小片の固定に接着層あるいは絶縁樹脂中に埋め込んだとしても、後工程である樹脂層形成時の流動あるは熱効硬化工程において位置ズレを生じる問題がある。よって、より簡便で歩留まりの良い2.1D半導体パッケージ基板の方式が望まれていた。
これら2.1D半導体パッケージ基板への要求特性は微細化のみならず、高い接続信頼性が求められる。接続信頼性の大きな要因として半導体パッケージ基板の剛性および半導体装置との熱膨張係数の差があげられる。一般的に感光性絶縁樹脂は微細配線形成に有利であるが、薄化形成することやリソグラフィー特性低下の懸念から、フィラーやガラスクロスを含有することが難しく、線熱膨張係数は高く弾性率は低いものとなる。感光性絶縁樹脂をもちいる場合であっても剛性材料との組み合わせにより高い信頼性を有する2.1D半導体パッケージ基板が望まれている。
特許文献3記載の従来技術は、薄い多層配線層をガラス支持体の片面に形成した後に、半導体装置と一体化し、支持体を剥離した後に半導体装置を個片化することで配線層が形成された半導体装置の発明が開示されている。特許文献3の場合、配線層と半導体装置とを一体化した後でない限りは電気検査することが不可能となる。すなわち支持体上に形成された薄い多層配線層単体では、配線層表裏面に形成される外部接続端子に同時にプローブを当てて電気検査することが本質的に不可能となる。配線層の不良を半導体装置との組み立ての前に事前に発見することが困難となる。複数個の3次元積層DRAMとロジック装置が搭載されるような高価なマルチチップパッケージの場合は、配線層の不良が良品装置廃棄につながることから、本方式は現実的とは言いがたい。
よって2.1D半導体パッケージ基板である場合、薄層微細配線層をもつ半導体パッケージ基板であっても、品質保証が確実にできる半導体パッケージ基板であることが必要となる。
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、シリコンインターポーザーが不要となる平坦で薄層微細配線層を有する半導体パッケージ基板であっても、歩留りよく効率的に製造可能であり、十分な剛性を有するとともに、接続信頼性、伝送特性、絶縁信頼性が良い半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
本発明に係る半導体パッケージ基板は、半導体装置が搭載される第一主面と、印刷配線板と電気的に接続するための外部接続端子が形成される第二主面とを有する半導体パッケージ基板であって、第一主面側には少なくとも1層以上の第一配線層が形成されており、第一配線層は、第一絶縁樹脂層と、第一導体回路層とを備え、第一導体回路層は、ビアホール部と配線部より構成されており、第一絶縁樹脂層と、第一導体回路層中の配線部との接地する面の3面にシード金属層が形成されており、第二主面側には少なくとも1層以上の第二配線層が形成されており、第二配線層は、第二絶縁樹脂層と、ビアホール部と配線部より構成される第二導体回路層とを備え、第二導体回路層中の配線部と第二絶縁樹脂層とが接地する面の1面のみにシード金属層が形成されている。
本発明に係る半導体パッケージ基板の製造方法は、ガラス支持体上に、感光性絶縁樹脂による第一絶縁樹脂層に第一導体回路層を形成して少なくとも1層以上の第一配線層を形成する工程と、第一配線層上に、ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂からなる第二絶縁樹脂層を形成し、第二絶縁樹脂層上に、セミアディティブ工法によりビアホール部及び配線部からなる第二導体回路層を形成して、少なくとも1層以上の第二配線層を形成する工程と、ガラス支持体から第一配線層および第二配線層の積層体を剥離する工程と、を備えている。
本発明に係る半導体パッケージ基板およびその製造方法によると、シリコンインターポーザーが不要となる。平坦で薄層微細配線層を有する半導体パッケージ基板であっても、歩留りよく効率的に製造可能であり、十分な剛性を有するとともに、接続信頼性、伝送特性、絶縁信頼性を良くすることができる。
次に、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
図1は、本発明に係る1実施形態(本実施形態)の半導体パッケージ基板1を示しており、半導体装置が搭載される第一主面に形成されている半導体装置との接続用半田バンプ300と、印刷配線板と電気的に接続するための半田バンプ310が形成されている第二主面とを有している。この半導体パッケージ基板1は、第一主面側に複数層の第一配線層150が形成され、第二主面側に複数層の第二配線層160が形成されている。
また、図2は、半導体パッケージ基板1の第一配線層150に半導体装置10が接続されているとともに、第一配線層150上に、シリコン貫通電極(TSV:Through Silicon Via)30を介して三次元積層半導体装置20が接続されている状態を示している。
また、図2は、半導体パッケージ基板1の第一配線層150に半導体装置10が接続されているとともに、第一配線層150上に、シリコン貫通電極(TSV:Through Silicon Via)30を介して三次元積層半導体装置20が接続されている状態を示している。
次に、半導体パッケージ基板1の製造方法について、図1、図3A~図12を参照して説明する。
本発明における半導体パッケージ基板1の製造の際に使用される支持体は、高い平坦性で剛直であること、大型角パネルが安価に入手できること、所望の厚さを準備できること、後の工程で使用する支持体剥離のためのレーザー照射を行なうため、レーザー光の透過性が高いことからガラスから選択される。
先ず、図3Aは、ガラス支持体100の準備工程を示している。ガラス支持体100の片面上には、図示しないが、剥離可能な接着層が形成されている。ここで言う接着層とは、製造工程中に多層回路を接着保持しつつ、最終的にガラス支持体と支持体上に形成される半導体パッケージ基板とを剥離・分離することができる機能を有する。
本発明における半導体パッケージ基板1の製造の際に使用される支持体は、高い平坦性で剛直であること、大型角パネルが安価に入手できること、所望の厚さを準備できること、後の工程で使用する支持体剥離のためのレーザー照射を行なうため、レーザー光の透過性が高いことからガラスから選択される。
先ず、図3Aは、ガラス支持体100の準備工程を示している。ガラス支持体100の片面上には、図示しないが、剥離可能な接着層が形成されている。ここで言う接着層とは、製造工程中に多層回路を接着保持しつつ、最終的にガラス支持体と支持体上に形成される半導体パッケージ基板とを剥離・分離することができる機能を有する。
接着層は、例えば公知の半導体装置製造に適用されており、ウエハー薄化工程で使用されているガラスウエハーサポートシステムを流用することができる。これらの公知方法では具体的には光分解性の接着層であって、ガラス支持体100を介して光照射することで半導体パッケージ基板とガラス支持体100とを分離剥離することができる。レーザー照射によって接着層を光分解することで、物理的力を加えることなく容易に剥離することができるため、半導体パッケージ基板に物理的ダメージを与えることが無くのぞましい。
ガラス支持体100は、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、又はサファイアガラス等が用いられる。ガラス支持体100の厚みは特に限定されるものではないが、0.3mm以上5mm以下であれば、製造工程上のハンドリングがしやすいため望ましい。さらに0.7mm以上3mm以下であることがのぞましい。
ガラス支持体100は、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、又はサファイアガラス等が用いられる。ガラス支持体100の厚みは特に限定されるものではないが、0.3mm以上5mm以下であれば、製造工程上のハンドリングがしやすいため望ましい。さらに0.7mm以上3mm以下であることがのぞましい。
ガラス支持体100上に形成される接着層は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂、アクリル樹脂より選ぶことが出来る。これらの樹脂の1種又はこれらの樹脂の2種類以上が混合された樹脂を接着層として用いてもよい。さらに光分解促進剤や光吸収剤、増感剤、フィラー等添加剤を含有してもよい。さらに接着層は複数層で構成されてもよく、例えばガラス支持体上に形成される多層配線層の保護を目的として、接着層上にさらに保護層を設けても良い。さらに保護層と多層配線層の間にレーザー光反射層や金属層を設けても良く本実施形態により限定されない。
続いて図3Bに示すように、ガラス支持体100上に半導体装置との接続端子用の感光性絶縁樹脂層(本発明に記載されている第一絶縁樹脂層)110を形成する。感光性絶縁樹脂層110は、感光性ポリイミド樹脂、感光性ベンゾシクロブテン樹脂、感光性エポキシ樹脂およびその変性物より選ばれる。
ここで、感光性絶縁樹脂層110は、感光性絶縁樹脂より選ばれ解像性及び絶縁性が担保できれば何れでもよい。感光性絶縁樹脂はフィルム状であっても液状であっても良い。感光性絶縁樹脂にはフィラーを含有してもよいが、微細回路を形成する必要があるため解像性が損なわれるため含有しないことが望ましい。
ここで、感光性絶縁樹脂層110は、感光性絶縁樹脂より選ばれ解像性及び絶縁性が担保できれば何れでもよい。感光性絶縁樹脂はフィルム状であっても液状であっても良い。感光性絶縁樹脂にはフィラーを含有してもよいが、微細回路を形成する必要があるため解像性が損なわれるため含有しないことが望ましい。
感光性絶縁樹脂層110の形成方法は、フィルム状の樹脂であれば、ラミネート、真空ラミネート法、真空プレス法が適用できる。液状で有れば、スリットコート、カーテンコート、ダイコート、スプレーコート、静電塗装、インクジェットコート、グラビアコート、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、スピンコート、ドクターコートより選定できる。絶縁樹脂形成方法は本発明により限定されない。外部接続端子用の感光性絶縁樹脂層110の厚さは5μm以上30μm以下であることが望ましい。5μm以下である場合、後に形成する外部接続端子が薄くなりすぎて、半導体装置を半田接続する際に銅が半田に拡散してしまい、信頼性よく接続することが困難となる。感光性絶縁樹脂層110の厚さが30μm以上の場合、半導体装置の端子ピッチ40μm以上60μm以下で形成することが困難となってしまう。
続いて図3C及び図3CのA-A‘囲いの詳細拡大図である図3Dに記載する。図3Cに示すように、まずは感光性絶縁樹脂にフォトリソグラフィーにより、外部接続端子パターン111を形成する。本実施形態によれば外部接続端子パターン111は半導体装置搭載面となる。本実施形態によれば半導体装置搭載面が平坦なガラス支持体100上で形成されるため、平坦性に優れ半導体装置の良好な実装性を担保することが可能となる。外部接続端子パターン111の端子ピッチは40μm以上60μm以下程度である。続いて図3C中のA-A‘囲いの詳細拡大図である図3Dに記載の通り感光性絶縁樹脂で形成される外部接続端子パターン111上全面にシード金属層112を形成する。本実施形態のシード金属層は、Ti、Ni、Cr、Co、Taより選択することが出来る。これら金属は蒸着法、CVD法、スパッタ法より選択することが出来る。あるいは無電解めっき方であれば、無電解Niめっきを用いることができる。本実施形態によれば、これらの金属を選択することで微細なパターンであっても銅マイグレーションを効果的に抑制し、絶縁信頼性良好な多層配線を形成することが可能であることが判明している。さらに、これら金属は絶縁樹脂との密着性が良好であることから、これら金属より選択することが望ましい。これら金属は単独であっても複数層用いても良い。さらにはこれら元素を混合して用いてもよい。
続いて図3Eおよび図中のA-A‘囲い部の詳細拡大した図である図3Fに示すように、シード金属層112が形成された外部接続端子パターン111上に電解銅めっき層120を形成する。電解銅めっき層120は、公知の電解銅めっき方法で形成することができる。電解銅めっきの厚さは、本実施形態で限定されるものではないが、形成されている接続端子パターン111と同等以上の膜厚で仕上げることが望ましく、10μm以上60μm以下が好適である。
続いて図4Aおよび図中のA-A‘囲い部の詳細拡大した図である図4Bに示すように、電解銅めっき層120を形成した基板を切削加工あるいはCMP加工によって余分な電解めっき層1120とシード金属層112を除去し、パッドパターンを分離することで銅パッド層が形成された半導体装置との接続端子層(本発明に記載されている第1導体回路層)130を得る。切削加工あるいはCMP加工は公知方法を用いることができる。これらは単独であっても組み合わせても良く、あるいはこれら加工方法とウエットエッチングとを組み合わせても良い。接続端子層130の厚さは5μm以上30μm以下であることが望ましい。5μm以下である場合、後に形成する外部接続端子が薄くなりすぎて、半導体装置を半田接続する際に銅が半田に拡散してしまい、信頼性よく接続することが困難となる。感光性絶縁樹脂層110の厚さが30μm以上の場合、半導体装置の端子ピッチ40μm以上60μm以下で形成することが困難となってしまう。
続いて図4Cに記載するように、半導体装置に接続する接続端子層130が形成された基板上に配線層形成用の感光性絶縁樹脂層110を形成する。感光性絶縁樹脂の種類は先に述べた公知種類を用いることができる。配線層形成用と外部接続端子形成用の感光性絶縁樹脂の種類は同じであっても異なるものを用いても良い。配線形成用の感光性樹脂層の形成方法も先に述べた公知方法を用いることができる。配線層形成用の感光性絶縁樹脂110の厚さは少なくとも1μm以上10μm以下であることが望ましい。1μm以下である場合、薄すぎて層間絶縁性が確保できなくなる。10μm以上である場合L/S=5/5μm以下の微細配線が形成不可能となる。
続いて図4Dおよび図中のA-A‘囲い部の詳細拡大した図である図4Eに示すように、フォトリソグラフィー法によりパターニングすることでビアホール部141と配線部142が形成された絶縁樹脂パターン140を形成することができる。ビアホール部と配線部の形成方法は、図4Dに記載するように下層まで貫通するビアホール141と絶縁樹脂を貫通しない配線部142を一括形成する方法がある。その一例としてポジ型の感光性絶縁樹脂の場合、まずビアパターンが形成されているフォトマスクを用いて100%現像除去できる露光量でビアホールを露光した後に、50%残膜量で現像除去できる露光量で配線パターンを露光(あるいは先に配線パターン後にビアパターンを露光)した後に一括現像除去する方法がある。もう1例としては、ビアホール部は100%現像除去できる透過率であって、配線パターン部は50%残膜量に相当する露光量になるように透過率が調整されたグレートーンマスクを用いて、一括露光、一括現像する方法も考えられるが、ビアホール部142と配線部141形成方法は公知方法を用いて形成することもできる。感光性絶縁樹脂パターン140の厚さは、少なくとも1μm以上10μm以下であることが望ましい。1μm以下である場合、薄すぎて層間絶縁性が確保できなくなる。10μm以上である場合L/S=5/5μm以下の微細配線形成が不可能となってしまう。形成するビアホール径は5μm以上、20μm以下であることが望ましい。5μm以下である場合、接続信頼性を保つことが難しい。20μm以上となる場合配線の高密度化に支障をきたす。続いて図4E記載の詳細拡大図の通り、感光性樹脂パターン140上全面にシード金属層112を形成する。本実施形態によるシード金属層はTi、Ni、Cr、Co、Taより選択することが出来る。これら金属は蒸着法、CVD法、スパッタ法より選択することが出来る。あるいは無電解めっき方であれば、無電解Niめっきを用いることができる。本実施形態によれば、これらの金属を選択することで微細なパターンであっても銅マイグレーションを抑制し、絶縁信頼性良好な多層配線を形成することが可能である。さらには絶縁樹脂との密着性が良好であることから、これら金属より選択することが望ましい。これら金属は単独であっても複数層用いてもよい。さらにはこれら元素を混合して用いてもよい。
ここで、図5A及び図5Bは、図4Dとは異なるビアホール141及び配線部142の形成方法である。先ず、図5Aに示すように、先の半分の厚さで絶縁樹脂層パターン140を形成し、ビアパターンをフォトリソグラフィーにより形成した後に、図5Bに示すように、配線部142用の感光性絶縁樹脂層を所望の厚さで形成してフォトリソグラフィーにより、配線部を形成する方法であるが本発明で限定されるものではない。感光性絶縁樹脂パターン140全体の厚さは少なくとも1μm以上10μm以下であることが望ましい。1μm以下である場合、薄すぎて層間絶縁性が確保できなくなる。10μm以上である場合L/S=5/5μm以下の微細配線が形成不可能となる。形成するビア径は5μm以上、20μm以下であることが望ましい。5μm以下である場合、接続信頼性を保つことが難しい。20μm以上となる場合配線の高密度化に支障をきたす。
続いて図5Cおよび図中のA-A‘囲い部の詳細拡大した図である図5Dに示すように、形成されたシード金属層112を通電層として電解銅めっき層120を形成する。電解銅めっき層120の厚さはビアホール141とトレンチ142を充填できる厚さを形成すれば良く、好ましくは5μm以上20μm以下であることが望ましい。5μm以下である場合、薄すぎてビアとトレンチに銅めっきを充填できなくなる。20μm以上である場合、後の研磨平坦化工程で余分な銅を除去するのに時間がかかってしまう。
続いて図6Aおよび図中のA-A‘囲い部の詳細拡大した図である図6Bに示すように、電解めっき層120を形成した基板を切削加工あるいはCMP加工を行うことによって、配線トレンチ142とビアホール141が形成された第一配線層150を得る。切削加工あるいはCMP加工は、公知方法を用いることができる。これらは単独であっても組み合わせても良く、あるいはウエットエッチングを組み合わせても良い。第一配線層150の厚さは1μm以上10μm以下であることが望ましい。1μm以下である場合、薄すぎて層間絶縁性が確保できなくなる。10μm以上である場合L/S=5/5μm以下の微細配線形成が不可能となってしまう。
続いて図6Cおよび図中のA-A‘囲い部の詳細拡大した図である図6Dに示すように、本実施形態の配線層形成をさらに2回繰り返して1層の半導体装置と接続する接続端子層130と、3層の感光性絶縁樹脂による第一配線層150を形成する。
従来の半導体パッケージ基板の製造技術では、ガラスクロスや下層銅配線パターンの粗密あるいは銅厚ばらつきにより、少なくとも十数μm~数十μm以上のばらつきがあり、平坦性に乏しい。このような有機基板上に微細配線を形成する場合、露光機の焦点深度内に露光エリア内の平坦性を収めることが難しくなってきており、L/S=5/5μm以下の微細配線を歩留まりよく製造することが困難となっている。
従来の半導体パッケージ基板の製造技術では、ガラスクロスや下層銅配線パターンの粗密あるいは銅厚ばらつきにより、少なくとも十数μm~数十μm以上のばらつきがあり、平坦性に乏しい。このような有機基板上に微細配線を形成する場合、露光機の焦点深度内に露光エリア内の平坦性を収めることが難しくなってきており、L/S=5/5μm以下の微細配線を歩留まりよく製造することが困難となっている。
本実施形態によれば、平坦性が確保できるガラス支持体100上に、半導体装置同士を搭載接続するための微細多層配線層である第一配線層150を形成するので、焦点深度内での露光が可能となり、焦点ズレに起因する解像不良を抑制することができ、歩留まりよく製造することが可能になる。
従来技術であるセミアディティブ工法による配線形成方法では、シード金属層上にフォトレジストパターンを形成した後に、電解銅めっき法で配線パターンを形成する。電解めっき時にパターン粗密差に伴う電流集中と分散が必然的に起こるので、粗部はめっき厚が厚く、密部はめっき厚が薄くなるめっき厚バラツキを配線厚の20~50%程度含む。よって従来のセミアディティブ工法では、回路高さばらつきが大きく、L/S=5/5μm以下の微細回路を多層形成する場合、多層配線間の絶縁樹脂厚を均一に保つことが困難となり、絶縁樹脂が局所的に薄くなる部分を生じ、多層回路層間の絶縁信頼性を確保が困難となる問題が健在化している。
従来技術であるセミアディティブ工法による配線形成方法では、シード金属層上にフォトレジストパターンを形成した後に、電解銅めっき法で配線パターンを形成する。電解めっき時にパターン粗密差に伴う電流集中と分散が必然的に起こるので、粗部はめっき厚が厚く、密部はめっき厚が薄くなるめっき厚バラツキを配線厚の20~50%程度含む。よって従来のセミアディティブ工法では、回路高さばらつきが大きく、L/S=5/5μm以下の微細回路を多層形成する場合、多層配線間の絶縁樹脂厚を均一に保つことが困難となり、絶縁樹脂が局所的に薄くなる部分を生じ、多層回路層間の絶縁信頼性を確保が困難となる問題が健在化している。
一方、本実施形態によれば、第一配線層150を1層形成毎に平坦化研磨を実施する配線形成のため、配線層厚を一定に保つことが可能となり、平坦性が高く、信頼性の高い多層回路を製造することが可能となる。
また、従来技術であるセミアディティブ工法による配線形成では、平面形成された絶縁樹脂上にフォトレジストを用いて配線パターンを形成するため、絶縁樹脂平面に配線パターンが凸上に形成されることとなる。よって物理的ストレス(搬送ストレスやスクラッチ)やシード金属層エッチングのアンダーカットによる配線設置面積の低下により、配線ハガレを生じる問題があった。特にL/S=5/5μm以下の微細配線では、配線ハガレが大きな問題となっていた。
また、従来技術であるセミアディティブ工法による配線形成では、平面形成された絶縁樹脂上にフォトレジストを用いて配線パターンを形成するため、絶縁樹脂平面に配線パターンが凸上に形成されることとなる。よって物理的ストレス(搬送ストレスやスクラッチ)やシード金属層エッチングのアンダーカットによる配線設置面積の低下により、配線ハガレを生じる問題があった。特にL/S=5/5μm以下の微細配線では、配線ハガレが大きな問題となっていた。
一方、本実施形態は、図6Cおよび図6Dに記載するとおり、感光性絶縁樹脂層110にビアホール141及び配線トレンチ142を形成した後に、シード金属層を形成し電解銅めっきを充填する埋設配線構造となるので、L/S=5/5μm以下の微細な配線であっても、従来の配線ハガレの問題を効果的に回避できるため、歩留まり良く微細多層配線を形成することができる。したがって、本実施形態は、図6Dに記載の通り、感光性絶縁樹脂による第一配線層150の配線部142は、底面と両側面の3面がシード金属層で囲まれることとなる。ここで、シード金属層は、Ti、Ni、Cr、Co、Taより選択される。これら金属は蒸着法、CVD法、スパッタ法より選択することが出来る。あるいは無電解めっき方であれば、無電解Niめっきを用いることができる。
本発明によれば、これらの金属を選択することによって、微細なパターンであっても銅マイグレーションを効果的に抑制し、絶縁信頼性良好な微細多層配線層である第一配線層150を形成することできる。さらには、絶縁樹脂との密着性が良好であることから歩留まり良く製造することが出来る。これら金属は単独であっても複数層用いても良い。さらにはこれら元素を混合して用いてもよい。
続いて図7Aに示す図は、半導体パッケージ基板1の感光性絶縁樹脂による第一配線層150上にガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層(本発明に記載されている第二絶縁樹脂層)170を形成した模式図である。
続いて図7Aに示す図は、半導体パッケージ基板1の感光性絶縁樹脂による第一配線層150上にガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層(本発明に記載されている第二絶縁樹脂層)170を形成した模式図である。
この図7Aから図12及び、図1を参照して、非感光性絶縁樹脂による第二配線層160を形成する過程を説明する。
本実施形態によれば、図1に記載するように、感光性絶縁樹脂による微細多層配線層である第一配線層150は、チップ間接続が必要なため微細配線が必要不可欠であるが、非感光性絶縁樹脂による多層配線層である第二配線層160は印刷配線板と接続するため、配線密度が低く配線断面積が広いほうが寸法安定性、電源、グランドの供給安定性からむしろ都合がよい。非感光性絶縁樹脂層の配線形成方法はセミアディティブ工法による配線形成方法が簡便で好適である。
本実施形態によれば、図1に記載するように、感光性絶縁樹脂による微細多層配線層である第一配線層150は、チップ間接続が必要なため微細配線が必要不可欠であるが、非感光性絶縁樹脂による多層配線層である第二配線層160は印刷配線板と接続するため、配線密度が低く配線断面積が広いほうが寸法安定性、電源、グランドの供給安定性からむしろ都合がよい。非感光性絶縁樹脂層の配線形成方法はセミアディティブ工法による配線形成方法が簡便で好適である。
図7Aから図12、図1及び2記載のガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170は、公知プリプレグやビルトアップ樹脂から選択することができる。ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170により、薄く微細な第一配線層の補強層として機能することができ、ガラス支持体を剥離除去した後であっても平坦性を維持することが可能となる。ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170の厚さは、20μm以上200μm以下であることが望ましい。20μm以下である場合、ガラス支持体を剥離した後に半導体パッケージ基板全体の剛性を保つことが困難となってしまう。200μm以上となる場合、レーザー加工によって穴あけが困難となってしまう。
続いて図7Bに示す断面図は、ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170に公知方法によりビアホール171を形成した図である。ビア形成方法はーザー加工であることが簡便で望ましい。レーザー炭酸ガスレーザー、紫外線レーザーより選ぶことができる。ガラスクロスがある場合は加工性が良いためCO2レーザーであることが望ましい。ガラスクロスを含まない場合はUV-YAGレーザーであっても良い。続いてビア形成後に過マンガン酸溶液への浸漬処理(デスミア処理)によりビア内部及び周辺部のクリーニングを行うことが望ましい。
続いて、図7Cに示すように、非感光性絶縁樹脂層170の表面およびビアホール171の内壁にシード金属層172を形成する。シード金属層の種類は、感光性樹脂パターン140と同様にTi、Ni、Cr、Co、Taより選択してもよい。これら金属は蒸着法、CVD法、スパッタ法より選択することが出来る。あるいは無電解めっき方であれば、無電解Niめっき、無電解銅めっきを用いてもよい。これら金属は単独であっても複数層用いても良い。さらにはこれら元素を混合して用いてもよい。より好ましくは無電解銅めっきであることが簡便で密着性が良好であることからのぞましい。シード金属層の厚みは本発明により規定されないが、好ましくは0.05μm以上2μm以下であることが望ましい。0.05μm以下である場合、ビア内部まで無電解めっき付き回りが悪く、後の電解銅めっきによる充填が困難となるばかりでなく、ビア接続信頼性が悪化する。2μm以上である場合、後のシード層除去のエッチング時間が長くなり、配線部分もエッチグされてしまう危険性があり、寸法通りに仕上げることが困難となる。
続いて図8Aに示す断面図は、シード金属層が形成されているガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170上にフォトレジスト層180を形成した図である。ここで、フォトレジスト層は簡便であることからドライフィルムレジストであることがのぞましく、ドライフィルムレジスト層の形成方法は、公知ラミネーターを用いることができる。
続いて図8Bに示す断面図は、フォトレジスト層180をパターニングした後の図である。フォトレジスト層のパターニング方法は公知フォトリソグラフィーによって可能となる。
続いて図8Bに示す断面図は、フォトレジスト層180をパターニングした後の図である。フォトレジスト層のパターニング方法は公知フォトリソグラフィーによって可能となる。
続いて図8Cに示す断面図は、電解銅めっき層120を形成した後の図である。多層配線層である第二配線層160の配線密度は高密度である必要が無いので最少線幅のL/S=5/5μm以上であることが望ましい。L/S=5/5μmを下回る場合、印刷配線板との線熱膨張係数の差より断線する危険性があるためである。めっき厚(配線高さ)は5μm以上30μmを下回る範囲が望ましい。5μmを下回る場合、先と同様断線する危険性がある。30μm以上である場合、めっき時間が多くかかってしまい、効率よく製造できなくなる。
続いて図9Aに、フォトレジスト剥離後にシード金属層をエッチング除去した後の断面模式図を示す。これにより、ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170に、セミアディティブ法によるビア接続部191及び配線層19を形成することができる。なお、ビア接続部191及び配線層19は、本発明に記載されている第2導体回路層であり、第二導体回路層中の配線部190はシード金属層が1面のみに形成されている状態になる。
図9Bは、第二主面上に形成された1層の第二回路層上第二主面に、さらに非感光性絶縁樹脂層170を形成した図である。第二主面は、印刷配線板との接続のための回路であるので高密度配線よりも配線断面積が大きく接続信頼性の高い配線層がより好適である。よって、本実施形態によれば、1層当たりの配線層厚さは10μm以上50μm以下であることが望ましい。10μm以下である場合、半導体パッケージ基板1の剛性を確保することが困難となる。50μm以上の場合には厚すぎてビアホールを形成することが困難となる。非感光性絶縁樹脂層200は公知のフィルム状ビルトップ用絶縁樹脂を用いることができる。形成方法は一般的な真空ラミネート法を用いることができる。
続いて図9Cに示す断面図は、第二主面に形成された非感光性絶縁樹脂層170にビアホール171を形成した図である。ビアホール171のビアホール径は20μm以上100μm以下のビア径で形成することが望ましい。20μm以下である場合、第二主面に積層する樹脂厚にもよるが、所望のビア受けパッドまで貫通できなくなる可能性がある。100μm以上のビア径である場合、後の電解銅めっき工程において径が大き過ぎてビア内に金属めっきを充填できない可能性がある。よって20μm以上100μm以下であることが望ましい。第二主面のビア形成方法であるが、レーザー加工であることが望ましい。レーザーは炭酸ガスレーザー、紫外線レーザーより選ぶことができる。続いてビア形成後に過マンガン酸溶液への浸漬処理によりデスミア処理によりビア内部及び周辺部のクリーニングを行うことが望ましい。
さらに、図10Aの記載の通りに、非感光性絶縁樹脂層170の表面およびビアホール171のビア内壁にシード金属層172を形成する。非感光性絶縁樹脂による配線層のシード金属層の種類は、本実施形態により限定されないが、感光性絶縁樹脂層と同様にTi、Ni、Cr、Co、Taより選択してもよい。これら金属は蒸着法、CVD法、スパッタ法より選択することが出来る。あるいは無電解めっき方であれば、無電解Niめっき、無電解銅めっきを用いてもよい。これら金属は単独であっても複数層用いても良い。さらにはこれら元素を混合して用いてもよい。より好ましくは無電解銅めっきであることが簡便で密着性が良好であることからのぞましい。シード金属層の厚みは本実施形態により規定されないが、好ましくは0.05μm以上1μm以下であることが望ましい。0.05μm以下である場合、ビア内部まで無電解めっき付き回りが悪く、後の電解銅めっきによる充填が困難となってしまう。
本実施形態による非感光性絶縁樹脂による多層配線層である第二配線層160は印刷配線板と接続するため、配線密度が低く配線断面積が広いほうが寸法安定性、電源、グランドの供給安定性からむしろ都合がよい。本実施形態では、セミアディティブ工法による配線形成方法を用いる。
したがって多層配線層である第二配線層160のシード金属層172は非感光性絶縁樹脂との設置面の1面のみに形成されることとなる。
したがって多層配線層である第二配線層160のシード金属層172は非感光性絶縁樹脂との設置面の1面のみに形成されることとなる。
続いて図10Bに示す断面図は、第二主面に形成された非感光性絶縁樹脂層170上にセミアディティブ法によりビア接続部191と配線層190を形成した図である。セミアディティブ法による配線層190の形成方法は、前述したように、第二主面の配線層は高密度である必要が無いので最少線幅のL/S=5/5μm以上であることが望ましい。5μm以下の場合、印刷配線板との線熱膨張係数の差より断線する危険性があるためである。めっき厚(配線高さ)は5μm以上30μm以下の範囲が望ましい。5μm以下である場合、先と同様断線する危険性がある。30μm以上である場合、めっき時間が多くかかってしまい、効率よく製造できなくなる。
続いて図11Aに示す断面図は、上述した同方法を繰り返すことにより、第二主面に3層の第二導体回路層(ビア接続部191及び配線層19)を形成した図である。本実施形態における配線層数は本発明を限定するものではなく、任意の総数より選択することができる。第二主面の最表面に形成された第二導体回路層上にソルダーレジスト220を形成することができる。ソルダーレジスト220の形状によって本発明を限定するものではない。
続いて図11Bに示す断面図は、ガラス支持体100から半導体パッケージ基板を剥離した図である。剥離方法は公知基板サポートシステムを用いることができる。具体的にはガラス支持体100と半導体パッケージ基板は光分解性の接着層を介して貼合されているので、ガラス支持体100を介したレーザー光を照射することによって半導体パッケージ基板とガラス支持体100とを剥離分離することができる。支持体剥離後に接着層を公知方法で除去し、半導体装置との接続端子層130及び印刷配線板との接続端子層210を露出する。
続いて、図12に記載の通りに、第一配線層150の接続端子層130の露出した端子部分に半田バンプ300を形成するとともに、第二配線層160の第二導体回路の露出した部分に半田バンプ310を形成することで、図1に示す半導体パッケージ基板1が製造される。半田の形成方法は、従来の公知技術を用いることができる。
本実施形態によれば、ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170及び第二主面側に形成されている非感光性絶縁樹脂による多層配線層である第二配線層160により、第一主面側に形成されている感光性絶縁樹脂による微細多層配線層である第一配線層150が補強されるために、ガラス支持体100を除去した後であっても平坦性を維持することが可能となる。
本実施形態によれば、ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂層170及び第二主面側に形成されている非感光性絶縁樹脂による多層配線層である第二配線層160により、第一主面側に形成されている感光性絶縁樹脂による微細多層配線層である第一配線層150が補強されるために、ガラス支持体100を除去した後であっても平坦性を維持することが可能となる。
さらに半導体装置との接続端子層130及びマザーボートとの接続端子を同時に露出させることが可能となるので、電気検査が可能で、本実施形態の半導体パッケージ基板1の品質保証が可能となっている。
ここで、半導体装置10及び三次元積層半導体装置29に接続される接続端子層130及び印刷配線板との接続端子層210の端子表面に表面処理しても良い。表面処理の種類としては、Ni-Auめっき、Ni-Pd-Auめっき、OSP、錫めっき、Sn-Agめっき、溶融半田めっきが考えられる。
ここで、半導体装置10及び三次元積層半導体装置29に接続される接続端子層130及び印刷配線板との接続端子層210の端子表面に表面処理しても良い。表面処理の種類としては、Ni-Auめっき、Ni-Pd-Auめっき、OSP、錫めっき、Sn-Agめっき、溶融半田めっきが考えられる。
次に、表1に、本実施形態における第一主面に形成される光性絶縁樹脂による第一配線層150(微細多層配線層)のシード金属層の比較試験結果を示す。試験項目は、B-HAST試験によるマイグレーション耐性と、ピール強度測定を行った。
[B-HAST試験用基板作成方法]
エポキシ系感光性絶縁樹脂層を8インチシリコンウエハー上に10μm形成した後に、同感光性絶縁樹脂を3μm厚で形成し、L/S=2/2μmの櫛配線部パターンをフォトリソグラフィーにて形成した。続いて、表1記載の各シード金属をスパッタ法であれば50nmとCu層300nmを同一バッチにて2層一括でスパッタ形成しシード金属層とした。無電解Niであれば単独で用いた。シード金属層形成後に電解銅めっきにてトレンチ内に電解銅めっきを充填後、CMP研磨にて余分な電解銅めっき層とシード金属を除去することで櫛パターンを作成した。続いて、同感光性絶縁樹脂を4μm厚で形成し、フォトリソグラフィーにて櫛パターンへの接続端子を露出した基板をB-HAST試験に用いた。
エポキシ系感光性絶縁樹脂層を8インチシリコンウエハー上に10μm形成した後に、同感光性絶縁樹脂を3μm厚で形成し、L/S=2/2μmの櫛配線部パターンをフォトリソグラフィーにて形成した。続いて、表1記載の各シード金属をスパッタ法であれば50nmとCu層300nmを同一バッチにて2層一括でスパッタ形成しシード金属層とした。無電解Niであれば単独で用いた。シード金属層形成後に電解銅めっきにてトレンチ内に電解銅めっきを充填後、CMP研磨にて余分な電解銅めっき層とシード金属を除去することで櫛パターンを作成した。続いて、同感光性絶縁樹脂を4μm厚で形成し、フォトリソグラフィーにて櫛パターンへの接続端子を露出した基板をB-HAST試験に用いた。
[密着強度測定機版作成方法]
続いて、表1記載の各シード金属をスパッタ法であれば50nmとCu層300nmを同一バッチにて2層一括でスパッタ形成しシード金属層とした。無電解Niであれば単独で用いた。シード金属層形成後に電解銅めっきを25μm厚で形成後、ドライフィルムレジストをパターニングして1cm幅のレジストパターン形成し、塩化第二銅溶液にてエッチング処理することで密着強度測定用に試験片を作製した。作製した試験片をテンシロンにて90度ピール試験を行なった。
続いて、表1記載の各シード金属をスパッタ法であれば50nmとCu層300nmを同一バッチにて2層一括でスパッタ形成しシード金属層とした。無電解Niであれば単独で用いた。シード金属層形成後に電解銅めっきを25μm厚で形成後、ドライフィルムレジストをパターニングして1cm幅のレジストパターン形成し、塩化第二銅溶液にてエッチング処理することで密着強度測定用に試験片を作製した。作製した試験片をテンシロンにて90度ピール試験を行なった。
表1の結果の通り、実施例1~実施例7によるシード金属層はTi、Ni、Cr、Co、Taから選択されるが、B-HAST試験結果及び密着強度測定結果より良好な結果が得られた。
比較例1~比較例4に記載する実施例1~実施例7のシード金属以外では密着性とマイグレーション耐性ともに劣る結果となっている。
次に、本実施形態に係る半導体パッケージ基板の実施例8,9の製造方法と、比較例5、6の比較例の製造方法とを比較した結果を、表2に示す。
比較例1~比較例4に記載する実施例1~実施例7のシード金属以外では密着性とマイグレーション耐性ともに劣る結果となっている。
次に、本実施形態に係る半導体パッケージ基板の実施例8,9の製造方法と、比較例5、6の比較例の製造方法とを比較した結果を、表2に示す。
実施例8は、第1実施形態のように、第一主面側に感光性絶縁樹脂層を用いて、半導体装置との接続端子層1層とをダマシン法による第一配線層150を3層形成した。接続端子層130は厚さ8μm、配線層厚は1層あたり5μmで形成した。感光性絶縁樹脂層110における配線はL/S=2/2μm、ビア径は10μmで形成した。さらにガラスクロスを含有する厚さ100μmのプリプレグを積層プレスで形成した後に、炭酸ガスレーザーにて直径80μmのビア層を形成した。さらにセミアディティブ法により、厚さ30μmの銅回路を形成した。続いて35μmのビルトアップ樹脂フィルムを用いて第二主面に2層の第二配線層160をセミアディティブ工法で形成した。1層当たりの層厚は35μmとし、最少配線幅はL/S=15/15μmである。最後に接続端子表面にNi-Auめっきを行い接続パッド上に半田層を形成した。
また、実施例9は、実施例8の記載で用いたプリプレグの代わりにシリカフィラーを70%含有する50μm厚のビルトアップ絶縁樹脂を用いて配線層2層を形成し、以下は実施例8と同様に、半導体パッケージ基板を作成した実施例である。
比較例5は、実施例8に記載した第二主面に形成されるビルトアップ樹脂フィルムをもちいたセミアディティブ工法による多層配線層を、感光性絶縁樹脂によるダマシン法により形成したものに置換えた例である。第二主面に形成される感光性樹脂層は第一主面と同様にL/S=2/2μm配線、ビア径は10μm、配線層厚は1層当たり5μmで形成した例である。
比較例6は実施例8の記載で用いた第一主面に形成される感光性絶縁樹脂によるダマシン法の代わりに、セミアディティブ工法に置換えた例である。感光性樹脂層は実施例8と同様に、L/S=2/2μm、ビア径は15μm、で形成した。L/S=2/2μm配線、ビア径は15μm、配線層厚は1層当たり5μmで形成した例である。
比較例5は、実施例8に記載した第二主面に形成されるビルトアップ樹脂フィルムをもちいたセミアディティブ工法による多層配線層を、感光性絶縁樹脂によるダマシン法により形成したものに置換えた例である。第二主面に形成される感光性樹脂層は第一主面と同様にL/S=2/2μm配線、ビア径は10μm、配線層厚は1層当たり5μmで形成した例である。
比較例6は実施例8の記載で用いた第一主面に形成される感光性絶縁樹脂によるダマシン法の代わりに、セミアディティブ工法に置換えた例である。感光性樹脂層は実施例8と同様に、L/S=2/2μm、ビア径は15μm、で形成した。L/S=2/2μm配線、ビア径は15μm、配線層厚は1層当たり5μmで形成した例である。
表2の結果の通り、実施例8,9では、高い製造収率で形成可能であり、半導体パッケージ基板の反りも10μm以下と小さいものであった。そして、1次実装評価として半導体テグチップ実装を行ったが、実施例8,9は良好な結果を示した。2次実装評価として、1次実装を行った基板を印刷配線板に実装した収率も、実施例8,9は良好な結果を示した。
一方、比較例5は、反り量及び1次実装評価結果も本発明の実施例8と同等でよい結果となっている。しかし、2次実装評価では0%となった。故障解析の結果、第二主面の配線層内でのビア部の断線起因であることが判明した。また、比較例5は、電気検査の結果、歩留まりが5%と低い結果となった。不良原因は、配線倒れの多発と、セミアディティブ工法に起因するめっきバラツキによる層間配線ショートが主な原因であり、現実的な歩留まりで製造することが困難であり、評価追跡を中断した。
一方、比較例5は、反り量及び1次実装評価結果も本発明の実施例8と同等でよい結果となっている。しかし、2次実装評価では0%となった。故障解析の結果、第二主面の配線層内でのビア部の断線起因であることが判明した。また、比較例5は、電気検査の結果、歩留まりが5%と低い結果となった。不良原因は、配線倒れの多発と、セミアディティブ工法に起因するめっきバラツキによる層間配線ショートが主な原因であり、現実的な歩留まりで製造することが困難であり、評価追跡を中断した。
表2に示した結果から、本実施形態に係る半導体パッケージ基板1は、第二主面側に形成されている非感光性絶縁樹脂による多層配線層である第二配線層160により、第一主面側に形成されている感光性絶縁樹脂による薄層微細配線層(微細多層配線層)である第一配線層150が補強されるために、ガラス支持体100を除去した後であっても平坦性を維持することが可能となる。したがって、薄層微細配線層を備えつつも十分な剛性があり接続信頼性、伝送特性、絶縁信頼性のよい2.1D半導体パッケージ基板とその製造方法が提供可能となる。
1 半導体パッケージ基板
10 半導体装置
20 三次元積層半導体装置
30 TSV
100 ガラス支持体
110 感光性絶縁樹脂層
111 外部接続端子パターン
112 シード金属層
120 電解銅めっき層
130 半導体装置との接続端子層
140 絶縁樹脂パターン
141 第一配線層のビアホール部
142 第一配線層の配線部
150 第一配線層(微細多層配線層)
160 第二配線層(多層配線層)
170 非感光性絶縁樹脂層
171 ビアホール
180 フォトレジスト層
190 第二配線層の配線部
191 第二配線層のビアホール部
200 非感光性絶縁樹脂層
201 ビアホール
220 ソルダーレジスト
300 半導体装置との接続用半田バンプ
310 印刷配線板との接続用半田バンプ
10 半導体装置
20 三次元積層半導体装置
30 TSV
100 ガラス支持体
110 感光性絶縁樹脂層
111 外部接続端子パターン
112 シード金属層
120 電解銅めっき層
130 半導体装置との接続端子層
140 絶縁樹脂パターン
141 第一配線層のビアホール部
142 第一配線層の配線部
150 第一配線層(微細多層配線層)
160 第二配線層(多層配線層)
170 非感光性絶縁樹脂層
171 ビアホール
180 フォトレジスト層
190 第二配線層の配線部
191 第二配線層のビアホール部
200 非感光性絶縁樹脂層
201 ビアホール
220 ソルダーレジスト
300 半導体装置との接続用半田バンプ
310 印刷配線板との接続用半田バンプ
Claims (6)
- 半導体装置が搭載される第一主面と、印刷配線板と電気的に接続するための外部接続端子が形成される第二主面とを有する半導体パッケージ基板であって、
前記第一主面側には少なくとも1層以上の第一配線層が形成されており、
前記第一配線層は、第一絶縁樹脂層と、第一導体回路層とを備え、前記第一導体回路層は、ビアホール部と配線部より構成されており、前記第一絶縁樹脂層と、前記第一導体回路層中の配線部との接地する面の3面にシード金属層が形成されており、
前記第二主面側には少なくとも1層以上の第二配線層が形成されており、
前記第二配線層は、第二絶縁樹脂層と、ビアホール部と配線部より構成される第二導体回路層とを備え、前記第二導体回路層中の配線部と前記第二絶縁樹脂層とが接地する面の1面のみにシード金属層が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ基板。 - 前記第一絶縁樹脂層は、感光性絶縁樹脂で形成した層であることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ基板。
- 前記第二絶縁樹脂層は、ガラスクロス乃至無機フィラーを少なくとも含む非感光性熱硬化性樹脂で形成した層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パッケージ基板。
- 前記第一導体回路に形成される前記シード金属層はTi、Ni、Cr、Co、Taより1種以上より選択される金属を少なくとも含むことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の半導体パッケージ基板。
- 前記第一配線層の配線密度及び1層当たりの層厚は、前記第二配線層よりも高く、薄いことを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載の半導体パッケージ基板。
- ガラス支持体上に、感光性絶縁樹脂による第一絶縁樹脂層に第一導体回路層を形成して少なくとも1層以上の第一配線層を形成する工程と、前記第一配線層上に、ガラスクロス乃至無機フィラーを含む非感光性絶縁樹脂からなる第二絶縁樹脂層を形成し、前記第二絶縁樹脂層上に、セミアディティブ工法によりビアホール部及び配線部からなる第二導体回路層を形成して、少なくとも1層以上の第二配線層を形成する工程と、前記ガラス支持体から前記第一配線層及び前記第二配線層の積層体を剥離する工程と、を備えていることを特徴とする半導体パッケージ基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP19887570.0A EP3886161A4 (en) | 2018-11-20 | 2019-11-19 | SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF |
CN201980076437.4A CN113169166A (zh) | 2018-11-20 | 2019-11-19 | 半导体封装基板及其制造方法 |
US17/324,897 US20210272898A1 (en) | 2018-11-20 | 2021-05-19 | Semiconductor packaging substrate and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-217636 | 2018-11-20 | ||
JP2018217636A JP2020088069A (ja) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 半導体パッケージ基板およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US17/324,897 Continuation US20210272898A1 (en) | 2018-11-20 | 2021-05-19 | Semiconductor packaging substrate and method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2020105633A1 true WO2020105633A1 (ja) | 2020-05-28 |
Family
ID=70774072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/045274 WO2020105633A1 (ja) | 2018-11-20 | 2019-11-19 | 半導体パッケージ基板およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210272898A1 (ja) |
EP (1) | EP3886161A4 (ja) |
JP (1) | JP2020088069A (ja) |
CN (1) | CN113169166A (ja) |
WO (1) | WO2020105633A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220033289A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
KR20220046134A (ko) | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
JP2022112722A (ja) * | 2021-01-22 | 2022-08-03 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
WO2023157624A1 (ja) * | 2022-02-15 | 2023-08-24 | 凸版印刷株式会社 | インターポーザ、半導体パッケージ及びそれらの製造方法 |
TWI813406B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-08-21 | 啟碁科技股份有限公司 | 封裝結構及其製造方法 |
JP2024085489A (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-27 | Toppanホールディングス株式会社 | インターポーザ、半導体パッケージ及びそれらの製造方法 |
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JP5558623B1 (ja) | 2013-04-17 | 2014-07-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板 |
JP2015050315A (ja) | 2013-08-31 | 2015-03-16 | イビデン株式会社 | 結合型のプリント配線板及びその製造方法 |
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Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6696358B2 (en) * | 2001-01-23 | 2004-02-24 | Honeywell International Inc. | Viscous protective overlayers for planarization of integrated circuits |
US6825303B2 (en) * | 2001-02-26 | 2004-11-30 | Dielectric Systems, Inc. | Integration of low ε thin films and Ta into Cu dual damascene |
US7208825B2 (en) * | 2003-01-22 | 2007-04-24 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Stacked semiconductor packages |
KR100834591B1 (ko) * | 2003-05-19 | 2008-06-02 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 양면 배선기판과, 양면 배선기판 제조방법 및 다층배선기판 |
US20120028073A1 (en) * | 2009-02-12 | 2012-02-02 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Process for electroplating of copper |
KR20130071720A (ko) * | 2011-12-21 | 2013-07-01 | 삼성전기주식회사 | 터치패널 및 그 제조방법 |
WO2013157080A1 (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-24 | 株式会社ディスコ | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP6247032B2 (ja) * | 2013-07-01 | 2017-12-13 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
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JP2018085358A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10427439B2 (en) * | 2017-09-11 | 2019-10-01 | Apple Inc. | Substrate marking for sealing surfaces |
-
2018
- 2018-11-20 JP JP2018217636A patent/JP2020088069A/ja active Pending
-
2019
- 2019-11-19 WO PCT/JP2019/045274 patent/WO2020105633A1/ja unknown
- 2019-11-19 CN CN201980076437.4A patent/CN113169166A/zh active Pending
- 2019-11-19 EP EP19887570.0A patent/EP3886161A4/en active Pending
-
2021
- 2021-05-19 US US17/324,897 patent/US20210272898A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3886161A4 (en) | 2022-01-26 |
EP3886161A1 (en) | 2021-09-29 |
JP2020088069A (ja) | 2020-06-04 |
CN113169166A (zh) | 2021-07-23 |
US20210272898A1 (en) | 2021-09-02 |
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