WO2020065837A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2020065837A1
WO2020065837A1 PCT/JP2018/035994 JP2018035994W WO2020065837A1 WO 2020065837 A1 WO2020065837 A1 WO 2020065837A1 JP 2018035994 W JP2018035994 W JP 2018035994W WO 2020065837 A1 WO2020065837 A1 WO 2020065837A1
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film
peripheral wall
insulating film
inorganic insulating
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PCT/JP2018/035994
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純史 太田
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シャープ株式会社
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    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
  • Patent Literature 1 has a laminated structure in which an inorganic film layer formed by a chemical vapor deposition (CVD) method or the like and an organic film layer formed by an ink-jet method or the like are alternately arranged.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the organic EL display device it is desired to provide a cutout portion in a display area for displaying an image, for example, to arrange a camera, a fingerprint sensor, and the like.
  • a notch is provided in the display area, the sealing performance of the sealing film may be reduced.
  • An object of the present invention is to provide a technology that can ensure the sealing performance of a sealing film in a display device even when a notch is provided in a display area.
  • a display device of the present invention is provided so as to cover a base substrate, a light-emitting element constituting a display region provided on the base substrate via a TFT layer, and the light-emitting element.
  • a notch portion, a notch peripheral wall provided along a boundary of the display region in the frame region between the display region and the notch portion, and a notch peripheral wall and the first inorganic insulating film.
  • a vapor deposition film provided therebetween; and an organic buffer layer provided on a surface of the notch peripheral wall and sandwiched between the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film.
  • the sealing performance of the sealing film can be ensured even if the notch is provided in the display area.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating a TFT layer included in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic EL display device taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an organic EL layer included in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating a TFT layer included in the organic EL display device according
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a sealing film forming step of the method for manufacturing an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating a schematic configuration of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view of a region Y in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a modification of the present invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to another modification of the present invention.
  • FIGS. 1 to 6 show a first embodiment of a display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
  • an organic EL display device having an organic EL element will be exemplified as a display device having a light emitting element.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a sectional view showing the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
  • the organic EL display device 50a includes a display area D for displaying an image defined in a rectangular shape, and a frame area F defined around the display area D.
  • the frame region F is a region excluding the display region D in the organic EL display device 50a.
  • An organic EL element 25 described later is provided in the display area D, and a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix as shown in FIG.
  • a sub-pixel P having a red light-emitting region Lr for performing a red gradation display and a sub-pixel having a green light-emitting region Lg for performing a green gradation display in the display region D, as shown in FIG. 2, a sub-pixel P having a red light-emitting region Lr for performing a red gradation display and a sub-pixel having a green light-emitting region Lg for performing a green gradation display.
  • the pixel P and a sub-pixel P having a blue light emitting region Lb for performing blue gradation display are provided so as to be adjacent to each other.
  • one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Lr, a green light emitting region Lg, and a blue light emitting region Lb.
  • a cutout K is provided inside the display area D, as shown in FIG.
  • the cutout portion K for example, a camera, a fingerprint sensor, and the like are arranged as shown in FIGS. 1 and 4, the cutout portion K is provided with a cutout peripheral wall Wa that protrudes in the thickness direction of the resin substrate layer 10 and extends along the boundary with the display region D.
  • the notched peripheral wall Wa includes, for example, a lower layer formed in the same layer with the same material as the flattening film 19 described later, and an upper layer formed in the same layer with the same material as the edge cover 22 described later. It is configured by lamination.
  • the notch peripheral wall Wa has an angle ⁇ between the bottom surface and the side surface in the cross section of about 70 ° to 150 °, and as shown in FIG. 4, both side surfaces in the cross section (preferably as shown in the drawing) It is formed in a reverse taper shape.
  • the second electrode 24, which is a vapor-deposited film is more easily disconnected.
  • the distance S from the side wall of the cutout K to the edge of the display area D is about 20 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • a terminal region T is provided at the lower end of the frame region F in the drawing as shown in FIG.
  • a bent portion B that can be bent at 180 ° (U-shape) with the horizontal axis in the figure as a bending axis is provided between the display area D and the terminal area T on one side of the display area D. (The lower side in the figure).
  • the organic EL display device 50a provided with the bent portion B is illustrated, but the bent portion B may be omitted.
  • the organic EL display device 50 a includes a resin substrate layer 10 provided as a flexible base substrate, and a light emitting element on the resin substrate layer 10 through a thin film transistor (TFT) layer 20. And a sealing film 29 provided so as to cover the organic EL element 25.
  • TFT thin film transistor
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin.
  • the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11. It has a flattening film 19 provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in the horizontal direction in the figure in parallel with each other.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the figure, adjacent to each source line 18f.
  • a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c are provided in each sub-pixel P. Note that the pixel circuit in FIG. 3 is merely an example and is not limited to this.
  • the base coat film 11 is composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P, as shown in FIG.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 13 provided to cover the semiconductor layer 12a, and a gate insulating film 13
  • a gate electrode 14a provided thereon so as to overlap a part of the semiconductor layer 12a; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 provided in order to cover the gate electrode 14a;
  • a source electrode 18a and a drain electrode 18b are provided on the film 17 and are spaced apart from each other.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are each formed of a single-layer film or a stacked film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. .
  • the second TFT 9b is connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
  • the second TFT 9b includes a semiconductor layer 12b provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 13 provided to cover the semiconductor layer 12b, and a gate insulating film 13
  • a gate electrode 14b provided overlying a part of the semiconductor layer 12b thereon; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 provided in order to cover the gate electrode 14b;
  • a source electrode 18c and a drain electrode 18d are provided on the film 17 and are spaced apart from each other.
  • first gate 9a and the second TFT 9b of the top gate type are illustrated, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be a bottom gate type TFT.
  • the capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
  • the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c formed in the same layer with the same material as the gate electrode, and a first interlayer insulating film 15 provided so as to cover the lower conductive layer 14c. And an upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 14c.
  • the upper conductive layer 16 is connected to a power supply line 18g via a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
  • the flattening film 19 is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin.
  • the organic EL element 25 includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22, a plurality of organic EL layers 23, and a second electrode 24 which are sequentially provided on the flattening film 19.
  • the plurality of first electrodes 21 are provided as reflective electrodes (anodes) in a matrix on the flattening film 19 so as to correspond to the plurality of sub-pixels P.
  • the first electrode 21 is connected to the drain electrode 18d of each second TFT 9b via a contact hole formed in the flattening film 19, as shown in FIG.
  • the first electrode 21 has a function of injecting holes (holes) into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And a metal material such as lithium fluoride (LiF).
  • the material forming the first electrode 21 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation Such as astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) It may be an alloy. Further, the material forming the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 21 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials. Note that examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the edge cover 22 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 21, as shown in FIG.
  • examples of the material forming the edge cover 22 include an organic film such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, and a novolak resin.
  • each of the organic EL layers 23 has a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer provided on the first electrode 21 in order. It has a layer 5.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 are, for example, vapor deposition films formed by a vacuum vapor deposition method.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of making the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of hole injection from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
  • a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the efficiency of transporting holes from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
  • a material constituting the hole transport layer 2 for example, a porphyrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinyl carbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, a triazole derivative, oxadiazole Derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
  • the light emitting layer 3 when a voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21 and the second electrode 24, respectively, and the holes and electrons recombine. Area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high luminous efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, and a coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, a tetracyanoanthraquinodimethane derivative, a diphenoquinone derivative, or a fluorenone derivative , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of making the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 25 can be reduced.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Examples thereof include an inorganic alkali compound such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and strontium oxide (SrO).
  • the second electrode 24 (dot portion in FIG. 1) is provided as a common electrode (cathode) so as to cover each organic EL layer 23 and the edge cover 22, as shown in FIGS.
  • the second electrode 24 (dot portion in the figure) is also provided in a region around the notch K as shown in FIG.
  • the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23.
  • the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 23.
  • the second electrode 24 is, for example, an evaporation film formed by a vacuum evaporation method.
  • the second electrode 24 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) , Lithium fluoride (LiF) and the like.
  • the second electrode 24 is made of, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / astatin oxide (AtO 2). ), Lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), and lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al). You may.
  • the second electrode 24 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO), for example. .
  • the second electrode 24 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • the material having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium (Mg).
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) And the like.
  • the sealing film 29 includes a first inorganic insulating film 26 provided so as to cover the second electrode 24, and organic buffer layers 27a and 27b ( 6 (d) described later) and a second inorganic insulating film 28 provided on the first inorganic insulating film 26 so as to cover the organic buffer layers 27a and 27b. It has a function to protect from.
  • the first inorganic insulating film 26 and the second inorganic insulating film 28 are made of, for example, a nitride such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • the organic buffer layers 27a and 27b are made of an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide. Further, as shown in FIG. 4, the organic buffer layer 27a is provided so as to be sandwiched between the first inorganic insulating film 26 and the second inorganic insulating film 28 on both sides of the surface of the notched peripheral wall Wa. In addition, since the first inorganic insulating film 26 is formed so as to be stepped due to the cross-sectional shape of the notched peripheral wall Wa, as shown in FIG. Are in contact with both sides. In addition, as shown in FIG.
  • the second electrode 24 is provided not only in the display area D but also in the frame area F.
  • the second electrode 24 is stepped off due to the cross-sectional shape of the notched peripheral wall Wa. Since it is formed, it is also provided between the upper surface of the notched peripheral wall Wa and the first inorganic insulating film 26.
  • the organic buffer layer 27b is provided on the surface of the foreign matter X adhered on the first inorganic insulating film 26, as shown in FIG.
  • the second electrode 24, which is a vapor-deposited film, is provided across the notched peripheral wall Wa.
  • the second electrode 24 is provided from the display area D side to the notch portion K and beyond the notch peripheral wall Wa.
  • the second electrode 24 is provided from the display region D side to the notch peripheral wall Wa, provided on the upper surface of the notch peripheral wall Wa, and provided from the notch peripheral wall Wa to the notch portion K. ing. That is, the second electrode 24 is formed stepwise by the notched peripheral wall Wa. Accordingly, the area around the cutout K can be electrically connected to the display area D, and the transmission of deterioration due to moisture or the like can be prevented.
  • the vapor deposition film provided across the notch peripheral wall Wa may be the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and / or the electron injection layer 5.
  • the sealing film 29 is provided across the notched peripheral wall Wa. Specifically, the sealing film 29 is provided from the display area D side to the cutout portion K and beyond the cutout peripheral wall Wa. Further, as shown in FIG. 4, the second inorganic insulating film 28 of the sealing film 29 is provided continuously while straddling the notched peripheral wall Wa. Thereby, even when the notched peripheral wall Wa is provided, the sealing performance of the sealing film 29 can be ensured.
  • the notched peripheral wall Wa intersects the end of the second electrode 24 which is a deposited film. That is, the end Ta of the notched peripheral wall Wa is provided outside the outer periphery of the second electrode 24. Thereby, the second electrode 24 on the cutout K side and the second electrode 24 on the display area D side are surely disconnected.
  • the notched peripheral wall Wa also intersects with the end of the sealing film 29. That is, the end Ta of the notched peripheral wall Wa is provided outside the outer periphery of the sealing film 29. Accordingly, even if a crack occurs in the sealing film 29 around the notch K, the propagation of the crack can be prevented by the notch peripheral wall Wa and going to the display area D. . As a result, entry of moisture into the organic EL element 25 can be suppressed.
  • the sealing film 29 and the third inorganic insulating film are in contact with each other in a region between the flattening film 19 and the notch peripheral wall Wa.
  • the first inorganic insulating film 26 and the second interlayer insulating film 17, which is the third inorganic insulating film are in contact with each other.
  • the flattening film 19 is sealed by the first inorganic insulating film 26 and the second interlayer insulating film 17.
  • the third inorganic insulating film may be any inorganic insulating film of the TFT layer 20.
  • the third inorganic insulating film may be the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first interlayer insulating film 15. You may.
  • a gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14, thereby turning on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to 14b and the capacitor 9c, the magnitude of the current from the power supply line 18g is defined based on the gate voltage of the second TFT 9b, and the defined current is supplied to the organic EL layer 23.
  • the light-emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Will be maintained.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a sealing film forming step of the method of manufacturing the organic EL display device 50a
  • FIG. 6 (a), FIG. 6 (b), FIG. 6 (c) and FIG. 3) is a cross-sectional view showing a first inorganic insulating film forming step, an organic film forming step, an ashing step, and a second inorganic insulating film forming step, respectively.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50a includes a TFT layer forming step, a light emitting element forming step including a notch peripheral wall forming step, a first inorganic insulating film forming step, an organic film forming step, and an ashing step. And a sealing film forming step including a second inorganic insulating film forming step, a flexing step, and a notch forming step.
  • ⁇ TFT layer forming step> For example, by forming a base coat film 11, a first TFT 9a, a second TFT 9b, a capacitor 9c, and a planarizing film 19 on a surface of a resin substrate layer 10 formed on a glass substrate by using a known method, the TFT layer 20 is formed. Form.
  • ⁇ Light emitting element forming step (vapor deposition film forming step)>
  • a vapor deposition film is formed on the substrate on which the notch peripheral wall Wa is formed.
  • the step of forming an evaporated film includes a step of forming an organic film by an evaporation method so as to cover the first inorganic insulating film. Specifically, the first electrode 21, the edge cover 22, the organic EL layer 23 (the hole injection layer 1, the hole transport layer, the hole transport layer) are formed on the TFT layer 20 formed in the TFT layer forming step by using a known method.
  • the organic EL element 25 is formed by forming the layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5) and the second electrode 24.
  • the notched peripheral wall Wa is formed of, for example, a photosensitive resin film used when forming the flattening film 19 in the above-described TFT layer forming step, and a photosensitive resin film used when forming the edge cover 22 in the present light emitting element forming step.
  • the film is formed by patterning (exposure, development, and baking) in one step or in two steps (notch peripheral wall forming step).
  • ⁇ Sealing film forming step> First, as shown in FIG. 6A, using a mask M, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed on the surface of the substrate on which the organic EL element 25 is formed in the light emitting element forming step by a plasma CVD method. Is formed to a thickness of about 1000 nm to form the first inorganic layer 26 (first inorganic insulating film forming step).
  • an organic film 27 made of an organic material such as acrylate is formed to a thickness of about 200 nm on the entire surface of the substrate on which the first inorganic layer 26 is formed, for example, by a vacuum evaporation method. (Organic film forming step).
  • the organic film 27 is ashed by plasma A to form the organic buffer layers 27a (see FIG. 4) and 27b (ashing step).
  • most of the organic film 27 is removed by ashing with the plasma A, but remains on both side surfaces of the cutout peripheral wall Wa and the surface of the foreign matter X, and the organic buffer layers 27a and 27b are removed. Is formed.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of 500 nm by a plasma CVD method on the substrate surface on which the organic buffer layers 27a and 27b are formed.
  • the second inorganic insulating film 28 is formed so as to overlap the first inorganic insulating film 26 by forming a film to such an extent that the sealing film 29 is formed (second inorganic insulating film forming step).
  • the glass substrate is peeled from the resin substrate layer 10 by irradiating the substrate on which the sealing film 29 is formed in the above-described sealing film forming step with laser light from the glass substrate side while scanning.
  • the notch portion K is formed by irradiating the inside of the notch peripheral wall Wa of the substrate from which the glass substrate has been peeled off in the flexing step, for example, while scanning with a laser beam.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the notch K in the display area D is formed in the thickness direction of the resin substrate layer 10 in the thickness direction.
  • a notch peripheral wall Wa is formed so as to protrude and extend along the boundary with the display area D.
  • the second inorganic insulating film 28 is formed after the organic buffer layer 27b is formed on both side surfaces of the notched peripheral wall Wa via the first inorganic insulating film 26.
  • the first film is formed on both sides of the notch peripheral wall Wa at the notch K by ashing the organic film 27 formed by vapor deposition so as to cover the first inorganic insulating film 26.
  • the organic buffer layer 27a is formed via the inorganic insulating film 26, and the organic buffer layer 27b is formed mainly on the surface of the foreign matter X adhered on the first inorganic insulating film 26 in the display region D. Therefore, in the display region D, the sealing structure of the sealing film 29 formed by laminating the first inorganic insulating film 26, the organic buffer layer 27b, and the second inorganic insulating film 28 has a notch peripheral wall at the notch K. Wa causes a break.
  • the second inorganic insulating film 28 with respect to the first inorganic insulating film 26 is formed by the organic buffer layers 27a provided on both side surfaces of the notch peripheral wall Wa. Is ensured. Accordingly, in the organic EL display device 50a, the sealing performance of the sealing film 29 can be ensured even if the cutout portion K is provided in the display region D.
  • the angle ⁇ between the bottom surface and the side surface in the cross section of the notched peripheral wall Wa is 70 ° to 150 °.
  • the vapor deposition film such as the second electrode 24 breaks due to the cross-sectional shape.
  • the second inorganic insulating film 28 is formed so as to cover the organic buffer layer 27a in the second inorganic insulating film forming step of the sealing film forming step. Is formed, the sealing performance of the sealing film 29 can be ensured.
  • the vapor deposition film such as the second electrode 24 is stepped by the notch peripheral wall Wa, it is formed into a shape excluding the notch K without using a mask having a complicated structure along the notch K.
  • the vapor deposition film can be patterned, and the entry of moisture into the organic EL element 25 through the vapor deposition film can be suppressed.
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50b of the present embodiment.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view of a region Y in FIG.
  • FIG. 9 is a sectional view of the organic EL display device 50b taken along line IX-IX in FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 6 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a in which the notch peripheral wall Wa is provided in the notch K is illustrated.
  • the notch peripheral wall Wa is provided in the notch K, and the frame is provided.
  • the organic EL display device 50b in which the outer peripheral wall Wb is provided in the region F is illustrated.
  • the organic EL display device 50b includes a rectangular display area D and a frame area F defined around the display area D, as shown in FIG.
  • a rectangular frame-shaped outer peripheral wall Wb is provided in the frame region F so as to protrude in the thickness direction of the resin substrate layer 10 and to extend along the boundary with the display region D.
  • the outer peripheral wall Wb is formed by, for example, laminating a lower layer formed of the same material as the flattening film 19 in the same layer and an upper layer formed of the same material as the edge cover 22 in the same layer. ing.
  • the outer peripheral wall Wb has an angle ⁇ between the bottom surface and the side surface in the cross section of about 70 ° to 150 °, and as shown in FIG. 9, both side surfaces in the cross section are formed in an inversely tapered shape. I have.
  • the flattening film 19 is provided with a slit C for conducting the second electrode 24 and the source conductive layer (wiring) 18h.
  • the deposited film such as the second electrode 24 formed by the vacuum deposition method described in the first embodiment and the first inorganic insulating film 26 are caused by the cross-sectional shape of the outer peripheral wall Wb in the frame region F. It is formed in a stepped manner.
  • the deposited film is formed using an FMM (Fine Metal Mask) that can be patterned in sub-pixel units or a CMM (Common Metal Mask) that can be patterned in panel units.
  • the vapor deposition film formed using the FMM mask is, for example, the light emitting layer 3 and the like, and the common vapor deposition film formed using the CMM mask is, for example, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, and the electron transport layer.
  • the common vapor deposition film formed using the CMM mask has a high electrical resistance when interposed between the second electrode 24 and the source conductive layer 18h. Therefore, a CMM for forming the second electrode 24 is used.
  • the edge of the common deposition film other than the second electrode 24 formed using the CMM mask becomes Ea, and the edge of the second electrode 24 and the deposition formed using the FMM mask are used. The edge of the film becomes Eb.
  • the second electrode 24 formed outside the sealing film 29 is electrically insulated from the second electrode 24 formed in the display region D by the outer peripheral wall Wb.
  • the edge of the deposited film formed using the mask of the CMM and the FMM other than the second electrode 24 may be Ea, and the edge of the second electrode 24 may be Eb.
  • the end of the sealing film may be Eb, and the end of the second electrode may be 29.
  • the organic EL display device 50 b covers the resin substrate layer 10, the organic EL element 25 provided as a light emitting element on the resin substrate layer 10 via the TFT layer 20, and the organic EL element 25. And a sealing film 29 provided as described above.
  • the sealing film 29 includes a first inorganic insulating film 26 provided so as to cover the second electrode 24, and organic buffer layers 27a and 27b provided on the first inorganic insulating film 26. 27c, and a second inorganic insulating film 28 provided on the first inorganic insulating film 26 so as to cover the organic buffer layers 27a, 27b and 27c, and has a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture and oxygen.
  • the organic buffer layer 27c is made of, for example, an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the organic buffer layer 27c is provided so as to be sandwiched between the first inorganic insulating film 26 and the second inorganic insulating film 28 on both side surfaces of the outer peripheral wall Wb of the frame region F. I have. Since the first inorganic insulating film 26 is formed to be stepped due to the cross-sectional shape of the outer peripheral wall Wb, as shown in FIG. 9, the upper portion of the organic buffer layer 27c is formed on both sides of the outer peripheral wall Wb. Touching the surface. Further, as shown in FIG. 9, the second electrode 24 is provided not only in the display region D but also in the frame region F. In the frame region F, the second electrode 24 is formed so as to be stepped due to the cross-sectional shape of the outer peripheral wall Wb. Therefore, it is also provided between the upper surface of the outer peripheral wall Wb and the first inorganic insulating film 26, and is provided outside the sealing film 29.
  • the organic EL display device 50b described above has flexibility similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 23 is provided via the first TFT 9a and the second TFT 9b. The image is displayed by appropriately emitting the light from the light emitting layer 3.
  • the outer peripheral wall Wb and the notched peripheral wall Wa of the present embodiment are formed continuously with each other.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment can be manufactured by forming the outer peripheral wall Wb simultaneously with the cutout peripheral wall Wa in the method of manufacturing the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the sealing film 29 and the third inorganic insulating film are in contact.
  • the first inorganic insulating film 26 is in contact with the second interlayer insulating film 17 that is a third inorganic insulating film.
  • the flattening film 19 is sealed by the first inorganic insulating film 26 and the second interlayer insulating film 17.
  • the third inorganic insulating film may be any inorganic insulating film of the TFT layer 20.
  • the third inorganic insulating film may be the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first interlayer insulating film 15. You may.
  • the notch K in the display region D is formed in the thickness direction of the resin substrate layer 10 in the thickness direction.
  • a notch peripheral wall Wa is formed so as to protrude and extend along the boundary with the display area D.
  • the second inorganic insulating film 28 is formed after the organic buffer layer 27b is formed on both side surfaces of the notched peripheral wall Wa via the first inorganic insulating film 26.
  • the first inorganic insulating film 26 is covered with an organic film 27 formed by vapor deposition so as to cover the first inorganic insulating film 26 so that the first inorganic insulating film 26 is covered with the first inorganic insulating film 26 on both side surfaces of the cutout peripheral wall Wa.
  • the organic buffer layer 27a is formed via the insulating film 26, and the organic buffer layer 27b is formed mainly on the surface of the foreign matter X attached on the first inorganic insulating film 26 in the display region D.
  • the sealing structure of the sealing film 29 formed by laminating the first inorganic insulating film 26, the organic buffer layer 27 b, and the second inorganic insulating film 28 in the frame region F has the notch peripheral wall Wa. Will be interrupted.
  • the organic buffer layers 27a provided on both side surfaces of the cut-out peripheral wall Wa allow the second inorganic insulating film 28 to be in contact with the first inorganic insulating film 26. Coverability is ensured.
  • the sealing performance of the sealing film 29 can be ensured even if the cutout portion K is provided in the display region D.
  • the angle formed between the bottom surface and the side surface in the cross section of the notch peripheral wall Wa and the outer peripheral wall Wb is 70 ° or more.
  • the vapor deposition film such as the second electrode 24 and the first inorganic insulating film 26 are disconnected due to the cross-sectional shapes of Wa and the outer peripheral wall Wb. Thereby, even if the upper portions of the organic buffer layers 27a and 27c are in contact with the notched peripheral wall Wa and the outer peripheral wall Wb, respectively, in the second inorganic insulating film forming step of the sealing film forming step, the first inorganic insulating film 26 is formed.
  • the sealing performance of the sealing film 29 can be ensured. Further, since the vapor deposition film such as the second electrode 24 is stepped by the notch peripheral wall Wa and the outer peripheral wall Wb, the notch K can be formed without using a mask having a complicated structure along the notch K. The vapor deposition film can be patterned into the removed shape, and the penetration of moisture into the organic EL element 25 through the vapor deposition film can be suppressed.
  • the vapor deposition film such as the second electrode 24 is stepped by the outer peripheral wall Wb, so that the frame area F is narrowed. be able to.
  • FIG. 10 shows a third embodiment of the display device and the method of manufacturing the same according to the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50c of the present embodiment.
  • the organic EL display device 50b in which the frame-shaped outer peripheral wall Wb is provided in the frame region F is illustrated.
  • the arc-shaped square peripheral wall Wc is provided in the frame region F.
  • the illustrated organic EL display device 50c is exemplified.
  • the organic EL display device 50 c is formed in a substantially T-shape and has a display area D defined in a substantially rectangular shape with R-shaped corners, and a frame defined around the display area D. And an area F.
  • the frame area F protrudes in the thickness direction of the resin substrate layer 10, and has an arc-shaped corner wall Wc along each edge of the display area D so as to be along the boundary with the display area D. It is provided corresponding to the unit.
  • the corner wall Wc is formed by, for example, laminating a lower layer formed of the same material as the flattening film 19 in the same layer and an upper layer formed of the same material as the edge cover 22 in the same layer. ing.
  • the angle between the bottom surface and the side surface in the cross section of the angular peripheral wall Wc is about 70 ° to 150 °, and both side surfaces in the cross section are formed in an inversely tapered shape.
  • the configuration in which the corner peripheral wall Wc is provided at each corner of the display area D is illustrated, but the corner peripheral wall Wc is provided at any one of the four corners of the display area D. You may.
  • the organic EL display device 50c includes a resin substrate layer 10 and an organic EL element provided as a light emitting element on the resin substrate layer 10 via the TFT layer 20. And a sealing film 29 provided so as to cover the organic EL element 25.
  • the second electrode 24, which is a common vapor-deposited film constituting the organic EL element 25, extends outside the sealing film 29 beyond the corner wall Wc in a stepped state at the corner wall Wc. Is provided. Therefore, the second electrode 24 formed outside the sealing film 29 is electrically insulated from the second electrode 24 formed in the display region D by the corner wall Wc.
  • the configuration in which the second electrode 24 formed by the CMM mask is provided beyond the corner wall Wc is illustrated, but the vapor deposition film formed by the FMM mask extends beyond the corner wall Wc.
  • the structure provided may be sufficient.
  • the organic EL display device 50c of the present embodiment has a structure as shown in FIG. In an area other than the corner where the angular peripheral wall Wc is arranged, the end of the second electrode 24 is positioned inside the peripheral end of the sealing film 29 (the display area D side).
  • the organic EL display device 50c described above has flexibility, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment, and has an organic EL layer 23 via the first TFT 9a and the second TFT 9b in each sub-pixel P.
  • the image is displayed by appropriately emitting the light from the light emitting layer 3.
  • the organic EL display device 50c of the present embodiment can be manufactured by forming the square peripheral wall Wc simultaneously with the cutout peripheral wall Wa in the method of manufacturing the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the sealing film 29 and the third inorganic insulating film are in contact.
  • the first inorganic insulating film 26 and the second interlayer insulating film 17 as the third inorganic insulating film are in contact with each other.
  • the flattening film 19 is sealed by the first inorganic insulating film 26 and the second interlayer insulating film 17.
  • the third inorganic insulating film may be any inorganic insulating film of the TFT layer 20.
  • the third inorganic insulating film may be the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first interlayer insulating film 15. You may.
  • the notch K in the display region D protrudes in the thickness direction of the resin substrate layer 10 in the notch peripheral wall forming step.
  • a notched peripheral wall Wa is formed along the boundary with the display area D.
  • the second inorganic insulating film 28 is formed after the organic buffer layer 27b is formed on both side surfaces of the notched peripheral wall Wa via the first inorganic insulating film 26.
  • the first film is formed on both sides of the notch peripheral wall Wa at the notch K by ashing the organic film 27 formed by vapor deposition so as to cover the first inorganic insulating film 26.
  • the organic buffer layer 27a is formed via the inorganic insulating film 26, and the organic buffer layer 27b is formed mainly on the surface of the foreign matter X adhered on the first inorganic insulating film 26 in the display region D. Therefore, in the display region D, the sealing structure of the sealing film 29 formed by laminating the first inorganic insulating film 26, the organic buffer layer 27b, and the second inorganic insulating film 28 has a notch peripheral wall at the notch K. Wa causes a break.
  • the second inorganic insulating film 28 with respect to the first inorganic insulating film 26 is formed by the organic buffer layers 27a provided on both side surfaces of the notch peripheral wall Wa. Is ensured. Accordingly, in the organic EL display device 50c, the sealing performance of the sealing film 29 can be ensured even if the cutout K is provided in the display region D.
  • the angle formed by the bottom surface and the side surface in the cross section of the notched peripheral wall Wa and the angular peripheral wall Wc is 70 ° or more.
  • the vapor deposition film such as the second electrode 24 and the first inorganic insulating film 26 are disconnected due to the transverse cross-sectional shape of Wa and the peripheral wall Wc. Thereby, even if the upper portions of the organic buffer layers 27a and 27c are in contact with the notch peripheral wall Wa and the angular peripheral wall Wc, respectively, in the second inorganic insulating film forming step of the sealing film forming step, the first inorganic insulating film is formed.
  • the second inorganic insulating film 28 is formed so as to cover the organic buffer layer 26 and the organic buffer layers 27a and 27c, the sealing performance of the sealing film 29 can be ensured. Further, since the deposited film such as the second electrode 24 is stepped by the notch peripheral wall Wa and the outer corner peripheral wall Wc, the notch K can be formed without using a mask having a complicated structure along the notch K. The vapor deposition film can be patterned into the removed shape, and the penetration of moisture into the organic EL element 25 through the vapor deposition film can be suppressed.
  • the end Tc of the corner wall Wc is provided outside the outer periphery of the second electrode 24 and the outer periphery of the sealing film 29.
  • the vapor deposition film such as the second electrode 24 is stepped by the angular peripheral wall Wc, so that the frame area F is narrowed. be able to.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display device 50d according to a modification of the first embodiment.
  • the end Ta of the cutout peripheral wall Wa is covered with the sealing film 29. That is, the end Ta of the notched peripheral wall Wa is provided between the outer periphery of the second electrode 24 and the outer periphery of the sealing film 29.
  • the organic buffer layer 27a can be sealed by the sealing film 29. As a result, it is possible to prevent moisture from penetrating the notch peripheral wall Wa and entering the organic EL element 25.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display device 50e according to a modification of the third embodiment.
  • the end Tc of the corner wall Wc is covered with the sealing film 29. That is, the end Tc of the angular peripheral wall Wc is provided outside the outer periphery of the second electrode 24 and inside the outer periphery of the sealing film 29. As described above, the end Tc of the corner wall Wc may be provided between the outer periphery of the second electrode 24 and the outer periphery of the sealing film 29. With such a configuration, the corner wall Wc can be covered with the sealing film 29 while the vapor deposition film such as the second electrode 24 is cut off. As a result, it is possible to suppress moisture from entering the organic EL element 25 along the corner wall Wc.
  • the organic EL layer having a five-layered structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may have a three-layer structure of a hole injection layer and a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer.
  • the organic EL display device in which the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode is exemplified.
  • the present invention inverts the stacked structure of the organic EL layer and uses the first electrode as a cathode. It can be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device including the element substrate in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is exemplified.
  • the present invention can be applied to an organic EL display device including an element substrate whose electrode is called a source electrode.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device, but the present invention can be applied to a display device having a plurality of light emitting elements driven by current.
  • the present invention can be applied to a display device including a QLED (Quantum-dot-light-emitting-diode) which is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot-light-emitting-diode
  • each element that has appeared in the above-described embodiment and each element that has appeared in the above-described modified example may be appropriately combined as long as no contradiction occurs.

Landscapes

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Abstract

本発明の表示装置は、ベース基板と、ベース基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子と、発光素子を覆うように設けられ、第1無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜が順に積層された封止膜と、表示領域を囲む額縁領域と、表示領域の一部を切り欠くように額縁領域に設けられた切り欠き部と、表示領域と切り欠き部との間の額縁領域に、表示領域の境界に沿って設けられた切り欠き周壁と、切り欠き周壁と第1無機絶縁膜との間に設けられた蒸着膜と、切り欠き周壁の表面に設けられ、第1無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜に挟まれた有機バッファ層と、を有するこれにより、表示装置において、表示領域内に切り欠き部を設けても、封止膜の封止性能を確保することができる。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法
　本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機層及び有機層の積層膜で構成する封止構造が提案されている。例えば、特許文献１には、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成された無機膜層と、インクジェット法等により形成された有機膜層とが交互に配置された積層構造を有し、有機発光素子を覆う薄膜封止層を備えた表示装置が開示されている。
特開２０１４－８６４１５号公報
　ところで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域の内部に、例えば、カメラや指紋センサー等を配置させるために、切り欠き部を設けることが要望されている。しかしながら、有機ＥＬ表示装置において、表示領域内に切り欠き部を設けると、封止膜の封止性能が低下するおそれがある。
　本発明の目的は、表示装置において、表示領域内に切り欠き部を設けても、封止膜の封止性能を確保できる技術を提供することである。
　上記目的を達成するために、本発明の表示装置は、ベース基板と、前記ベース基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられ、第1無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜が順に積層された封止膜と、前記表示領域を囲む額縁領域と、前記表示領域の一部を切り欠くように前記額縁領域に設けられた切り欠き部と、前記表示領域と前記切り欠き部との間の前記額縁領域に、前記表示領域の境界に沿って設けられた切り欠き周壁と、前記切り欠き周壁と前記第1無機絶縁膜との間に設けられた蒸着膜と、前記切り欠き周壁の表面に設けられ、前記第1無機絶縁膜及び前記第２無機絶縁膜に挟まれた有機バッファ層と、を有する。
　本発明によれば、表示装置において、表示領域内に切り欠き部を設けても、封止膜の封止性能を確保することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の封止膜形成工程を示す断面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図８は、図７中の領域Ｙを拡大した平面図である。 図９は、図７中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１１は、本発明の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１２は、本発明の他の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
＜第１実施形態＞
　図１～図６は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。額縁領域Ｆは、有機ＥＬ表示装置５０ａにおける表示領域Ｄを除く領域である。
　表示領域Ｄには、後述する有機ＥＬ素子２５が設けられ、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配置されている。ここで、表示領域Ｄでは、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、表示領域Ｄの内部には、図１に示すように、切り欠き部Ｋが設けられている。
　切り欠き部Ｋには、図１及び図４に示すように、例えば、カメラや指紋センサー等を配置される。また、切り欠き部Ｋには、図１及び図４に示すように、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように、切り欠き周壁Ｗａが設けられている。ここで、切り欠き周壁Ｗａは、例えば、後述する平坦化膜１９と同一材料により同一層に形成された下部層と、後述するエッジカバー２２と同一材料により同一層に形成された上部層とを積層して構成されている。
　また、切り欠き周壁Ｗａは、その横断面における底面と側面とのなす角度θが７０°～１５０°程度であり、図４に示すように、その横断面における両側面が（好ましくは図面どおり）逆テーパー状に形成されている。これにより、後述するように、蒸着膜である第２電極２４をより段切れさせやすくなる。
　さらに、切り欠き部Ｋの側壁から表示領域Ｄの縁までの距離Ｓは、２０μｍ～１００μｍ程度である。
　額縁領域Ｆの図中下端部には、図1に示すように、端子領域Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び端子領域Ｔの間には、図中横方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが表示領域Ｄの一辺（図中下辺）に沿うように設けられている。なお、本実施形態では、折り曲げ部Ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、折り曲げ部Ｂは、省略されていてもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、可撓性を有するベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ（thin film transistor）層２０を介して発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜２９とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。なお、図３の画素回路は、例示であって、これに限らない。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄとを備えている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して、電源線１８ｇに接続されている。
　平坦化膜１９は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子２５は、図４に示すように、平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３及び第２電極２４を備えている。
　複数の第１電極２１は、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９上にマトリクス状に反射電極（陽極）として設けられている。ここで、第１電極２１は、図４に示すように、平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー２２は、図４に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層２３は、図４に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。なお、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５は、例えば、真空蒸着法により形成される蒸着膜である。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極２４（図１中ドット部）は、図１及び図４に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように共通電極（陰極）として設けられている。なお、第２電極２４（図中ドット部）は、図１に示すように、切り欠き部Ｋの周囲の領域にも設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。また、第２電極２４は、例えば、真空蒸着法により形成される蒸着膜である。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜２９は、図４に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機絶縁膜２６と、第１無機絶縁膜２６上に設けられた有機バッファ層２７ａ及び２７ｂ（後述する図６（ｄ）参照）と、第１無機絶縁膜２６上に有機バッファ層２７ａ及び２７ｂを覆うように設けられた第２無機絶縁膜２８とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機絶縁膜２６及び第２無機絶縁膜２８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機バッファ層２７ａ及び２７ｂは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。また、有機バッファ層２７ａは、図４に示すように、切り欠き周壁Ｗａの表面の両側面において、第１無機絶縁膜２６及び第２無機絶縁膜２８に挟まれるように設けられている。なお、第１無機絶縁膜２６は、切り欠き周壁Ｗａの横断面形状に起因して段切れして形成されているので、図４に示すように、有機バッファ層２７ａの上部が切り欠き周壁Ｗａの両側面に接触している。また、第２電極２４は、図４に示すように、表示領域Ｄだけでなく額縁領域Ｆにも設けられ、額縁領域Ｆにおいて、切り欠き周壁Ｗａの横断面形状に起因して段切れして形成されるので、切り欠き周壁Ｗａの上面と第１無機絶縁膜２６との間にも設けられている。また、有機バッファ層２７ｂは、図６（ｄ）に示すように、第１無機絶縁膜２６上に付着した異物Ｘの表面に設けられている。
　図１及び図４に示すように、蒸着膜である第２電極２４は、切り欠き周壁Ｗａを跨いで設けられている。具体的には、第２電極２４は、表示領域Ｄ側から切り欠き部Ｋにかけて、切り欠き周壁Ｗａを越えて設けられている。また、図４に示すように、第２電極２４は、表示領域Ｄ側から切り欠き周壁Ｗａにかけて設けられ、切り欠き周壁Ｗａの上面に設けられ、切り欠き周壁Ｗａから切り欠き部Ｋにかけて設けられている。すなわち、第２電極２４は、切り欠き周壁Ｗａによって、段切れして形成されている。これにより、切り欠き部Ｋの周囲の領域が、表示領域Ｄと電気的に接続されることや、水分などによる劣化の伝達を防止できる。なお、切り欠き周壁Ｗａを跨いで設けられる蒸着膜は、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び／又は電子注入層５であってもよい。
　また、図１及び図４に示すように、封止膜２９は、切り欠き周壁Ｗａを跨いで設けられている。具体的には、封止膜２９は、表示領域Ｄ側から切り欠き部Ｋにかけて、切り欠き周壁Ｗａを越えて設けられている。また、図４に示すように、封止膜２９の第２無機絶縁膜２８は、切り欠き周壁Ｗａを跨ぎつつ連続的に設けられている。これにより、切り欠き周壁Ｗａを設けた場合であっても、封止膜２９の封止性能を確保することができる。
　また、図１に示すように、切り欠き周壁Ｗａは、蒸着膜である第２電極２４の端部と交差する。すなわち、切り欠き周壁Ｗａの端部Ｔａは、第２電極２４の外周よりも外側に設けられている。これにより、切り欠き部Ｋ側の第２電極２４と表示領域Ｄ側の第２電極２４とを確実に段切れさせる。
　また、図１の例では、切り欠き周壁Ｗａは、さらに封止膜２９の端部とも交差している。すなわち、切り欠き周壁Ｗａの端部Ｔａは、封止膜２９の外周よりも外側に設けられている。これにより、切り欠き部Ｋの周囲で封止膜２９に亀裂が生じた場合であっても、当該亀裂の伝搬が、切り欠き周壁Ｗａによって遮られ、表示領域Ｄに向かうことを防ぐことができる。その結果、有機ＥＬ素子２５へ水分が侵入することを抑制できる。
　また、本実施形態では、平坦化膜１９と切り欠き周壁Ｗａとの間の領域では、封止膜２９と第３無機絶縁膜とが接触する。具体的には、図４に示すように、領域Ａ１では、第１無機絶縁膜２６と、第３無機絶縁膜である第２層間絶縁膜１７とが接触する。これにより、平坦化膜１９は、第１無機絶縁膜２６および第２層間絶縁膜１７によってシールされる。その結果、水分が平坦化膜１９を伝い有機ＥＬ素子２５へ侵入することを抑制できる。なお、第３無機絶縁膜は、ＴＦＴ層２０の無機絶縁膜であればよく、例えば、第２層間絶縁膜１７の他に、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５であってもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について図６を用いて説明する。ここで、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法の封止膜形成工程を示す断面図であり、図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）及び図６（ｄ）は、第１無機絶縁膜形成工程、有機膜形成工程、アッシング工程及び第２無機絶縁膜形成工程をそれぞれ示す断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程と、切り欠き周壁形成工程を含む発光素子形成工程と、第１無機絶縁膜形成工程、有機膜形成工程、アッシング工程及び第２無機絶縁膜形成工程を含む封止膜形成工程と、フレキ化工程と、切り欠き部形成工程とを備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９を形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
＜発光素子形成工程（蒸着膜形成工程）＞
　本実施形態の表示装置５０ａの製造方法では、後述する切り欠き周壁形成工程と後述する封止膜形成工程との間には、切り欠き周壁Ｗａが形成された基板に蒸着膜を形成する蒸着膜形成工程を備える。また、蒸着膜形成工程には、第１無機絶縁膜を覆うように蒸着法により有機膜を形成する工程を含む。具体的には、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４を形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。なお、切り欠き周壁Ｗａは、例えば、上記ＴＦＴ層形成工程で平坦化膜１９を形成する際に用いる感光性樹脂膜、及び本発光素子形成工程でエッジカバー２２を形成する際に用いる感光性樹脂膜を一括又は２段階でパターニング（露光、現像及び焼成）することにより形成される（切り欠き周壁形成工程）。
＜封止膜形成工程＞
　まず、図６（ａ）に示すように、上記発光素子形成工程で有機ＥＬ素子２５が形成された基板表面に、マスクＭを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機層２６を形成する（第１無機絶縁膜形成工程）。
　続いて、図６（ｂ）に示すように、第１無機層２６が形成された基板の表面全体に、例えば、真空蒸着法により、アクリレート等の有機材料からなる有機膜２７を厚さ２００ｎｍ程度に成膜する（有機膜成膜工程）。
　その後、図６（ｃ）に示すように、有機膜２７をプラズマＡによりアッシングすることにより、有機バッファ層２７ａ（図４参照）及び２７ｂを形成する（アッシング工程）。ここで、有機膜２７は、プラズマＡでアッシングすることにより、その大部分が除去されるが、切り欠き周壁Ｗａの両側面及び異物Ｘの表面には、残存して、有機バッファ層２７ａ及び２７ｂが形成される。
　さらに、図６（ｄ）に示すように、有機バッファ層２７ａ及び２７ｂが形成された基板表面に、マスクＭを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍ程度に成膜することにより、第１無機絶縁膜２６と重なるように第２無機絶縁膜２８を形成して、封止膜２９を形成する（第２無機絶縁膜形成工程）。
＜フレキ化工程＞
　上記封止膜形成工程で封止膜２９が形成された基板に対し、ガラス基板側からレーザー光を走査しながら照射することにより、樹脂基板層１０からガラス基板を剥離させる。
＜切り欠き部形成工程＞
　上記フレキ化工程でガラス基板を剥離させた基板における切り欠き周壁Ｗａの内側に、例えば、レーザー光を走査しながら照射することにより、切り欠き部Ｋを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、切り欠き周壁形成工程において、表示領域Ｄ内の切り欠き部Ｋに、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように切り欠き周壁Ｗａが形成される。さらに、封止膜形成工程において、切り欠き周壁Ｗａの両側面に第１無機絶縁膜２６を介して有機バッファ層２７ｂが形成された後に、第２無機絶縁膜２８が形成される。ここで、封止膜形成工程では、第１無機絶縁膜２６を覆うように蒸着法により形成した有機膜２７をアッシングすることにより、切り欠き部Ｋにおいて、切り欠き周壁Ｗａの両側面に第１無機絶縁膜２６を介して有機バッファ層２７ａが形成されると共に、主に表示領域Ｄにおいて、第１無機絶縁膜２６上に付着した異物Ｘの表面に有機バッファ層２７ｂが形成される。そのため、表示領域Ｄで第１無機絶縁膜２６、有機バッファ層２７ｂ及び第２無機絶縁膜２８を積層して形成された封止膜２９による封止構造は、切り欠き部Ｋにおいて、切り欠き周壁Ｗａにより途切れることになる。そして、切り欠き部Ｋにおいて、切り欠き周壁Ｗａにより途切れた封止構造では、切り欠き周壁Ｗａの両側面に設けられた有機バッファ層２７ａにより、第１無機絶縁膜２６に対する第２無機絶縁膜２８の被覆性が確保される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ａにおいて、表示領域Ｄ内に切り欠き部Ｋを設けても、封止膜２９の封止性能を確保することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、切り欠き周壁Ｗａの横断面における底面と側面とのなす角度θが７０°～１５０°であるので、切り欠き周壁Ｗａの横断面形状に起因して、第２電極２４等の蒸着膜が段切れする。これにより、有機バッファ層２７ａの上部が切り欠き周壁Ｗａに接触していても、封止膜形成工程の第２無機絶縁膜形成工程において、有機バッファ層２７ａを覆うように第２無機絶縁膜２８を形成するので、封止膜２９の封止性能を確保することができる。さらに、第２電極２４等の蒸着膜が切り欠き周壁Ｗａにより段切れしているので、切り欠き部Ｋに沿った複雑な構造を有するマスクを用いることなく、切り欠き部Ｋを除いた形状に蒸着膜をパターニングすることができると共に、蒸着膜を介する有機ＥＬ素子２５への水分の侵入を抑制することができる。
＜第２の実施形態＞
　図７～図９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで図７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの概略構成を示す平面図である。また、図８は、図７中の領域Ｙを拡大した平面図である。また、図９は、図７中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図６と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、切り欠き部Ｋに切り欠き周壁Ｗａが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、切り欠き部Ｋに切り欠き周壁Ｗａが設けられ、額縁領域Ｆに外周壁Ｗｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図７に示すように、矩形状に規定された表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
　額縁領域Ｆには、図７及び図９に示すように、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように、矩形枠状の外周壁Ｗｂが設けられている。ここで、外周壁Ｗｂは、例えば、平坦化膜１９と同一材料により同一層に形成された下部層と、エッジカバー２２と同一材料により同一層に形成された上部層とを積層して構成されている。また、外周壁Ｗｂは、その横断面における底面と側面とのなす角度θが７０°～１５０°程度であり、図９に示すように、その横断面における両側面が逆テーパー状に形成されている。また、額縁領域Ｆにおいて、図８及び図９に示すように、平坦化膜１９には、第２電極２４とソース導電層（配線）１８ｈとを導通させるスリットＣが設けられている。
　上記第１の実施形態で説明した真空蒸着法により形成される第２電極２４等の蒸着膜、及び第１無機絶縁膜２６は、額縁領域Ｆにおいて、外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して段切れして形成されている。ここで、蒸着膜は、サブ画素単位でパターニング可能なＦＭＭ（Fine Metal Mask）又はパネル単位でパターニング可能なＣＭＭ（Common Metal Mask）のマスクを用いて形成される。なお、ＦＭＭのマスクで形成される蒸着膜は、例えば、発光層３等であり、ＣＭＭのマスクで形成される共通蒸着膜は、例えば、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５、電子ブロック層、正孔ブロック層及び第２電極２４等である。そして、ＣＭＭのマスクを用いて形成される共通蒸着膜は、第２電極２４とソース導電層１８ｈとの間に介在すると電気抵抗が高くなってしまうので、第２電極２４を形成するためのＣＭＭのマスクの開口は、第２電極２４以外の共通蒸着膜を形成するためのＣＭＭのマスクの開口よりも大きくする必要がある。そのため、図８において、ＣＭＭのマスクを用いて形成される第２電極２４以外の共通蒸着膜の端縁がＥａとなり、第２電極２４の端縁、及びＦＭＭのマスクを用いて形成される蒸着膜の端縁がＥｂとなる。このとき、封止膜２９の外側に形成される第２電極２４は、外周壁Ｗｂによって、表示領域Ｄに形成される第２電極２４と電気的に絶縁されている。なお、図８において、第２電極２４以外のＣＭＭ及びＦＭＭのマスクを用いて形成される蒸着膜の端縁がＥａとなり、第２電極２４の端縁がＥｂとなってもよい。また、封止膜の端部がＥｂとなり、第２電極の端部が２９となってもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ層２０を介して発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜２９とを備えている。
　封止膜２９は、図９に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機絶縁膜２６と、第１無機絶縁膜２６上に設けられた有機バッファ層２７ａ、２７ｂ及び２７ｃと、第１無機絶縁膜２６上に有機バッファ層２７ａ、２７ｂ及び２７ｃを覆うように設けられた第２無機絶縁膜２８とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、有機バッファ層２７ｃは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。また、有機バッファ層２７ｃは、図９に示すように、額縁領域Ｆの外周壁Ｗｂの表面の両側面において、第１無機絶縁膜２６及び第２無機絶縁膜２８に挟まれるように設けられている。なお、第１無機絶縁膜２６は、外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して段切れして形成されているので、図９に示すように、有機バッファ層２７ｃの上部が外周壁Ｗｂの両側面に接触している。また、第２電極２４は、図９に示すように、表示領域Ｄだけでなく額縁領域Ｆにも設けられ、額縁領域Ｆにおいて、外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して段切れして形成されるので、外周壁Ｗｂの上面と第１無機絶縁膜２６との間にも設けられ、封止膜２９の外側にも設けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　また、図７に示すように、本実施形態の外周壁Ｗｂ及び切り欠き周壁Ｗａは、互いに連続して形成されている。本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、切り欠き周壁Ｗａと同時に外周壁Ｗｂを形成することにより、製造することができる。
　また、本実施形態では、平坦化膜１９と外周壁Ｗｂとの間の領域では、封止膜２９と第３無機絶縁膜とが接触する。具体的には、平坦化膜１９と外周壁Ｗｂとの間の領域では、第１無機絶縁膜２６と、第３無機絶縁膜である第２層間絶縁膜１７とが接触する。これにより、平坦化膜１９は、第１無機絶縁膜２６および第２層間絶縁膜１７によってシールされる。その結果、水分が平坦化膜１９を伝い有機ＥＬ素子２５へ侵入することを抑制できる。なお、第３無機絶縁膜は、ＴＦＴ層２０の無機絶縁膜であればよく、例えば、第２層間絶縁膜１７の他に、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５であってもよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、切り欠き周壁形成工程において、表示領域Ｄ内の切り欠き部Ｋに、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように切り欠き周壁Ｗａが形成される。さらに、封止膜形成工程において、切り欠き周壁Ｗａの両側面に第１無機絶縁膜２６を介して有機バッファ層２７ｂが形成された後に、第２無機絶縁膜２８が形成される。ここで、封止膜形成工程では、第１無機絶縁膜２６を覆うように蒸着法により形成した有機膜２７をアッシングすることにより、額縁領域Ｆにおいて、切り欠き周壁Ｗａの両側面に第１無機絶縁膜２６を介して有機バッファ層２７ａが形成されると共に、主に表示領域Ｄにおいて、第１無機絶縁膜２６上に付着した異物Ｘの表面に有機バッファ層２７ｂが形成される。そのため、表示領域Ｄで第１無機絶縁膜２６、有機バッファ層２７ｂ及び第２無機絶縁膜２８を積層して形成された封止膜２９による封止構造は、額縁領域Ｆにおいて、切り欠き周壁Ｗａにより途切れることになる。そして、額縁領域Ｆにおいて、切り欠き周壁Ｗａにより途切れた封止構造では、切り欠き周壁Ｗａの両側面に設けられた有機バッファ層２７ａにより、第１無機絶縁膜２６に対する第２無機絶縁膜２８の被覆性が確保される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ｂにおいて、表示領域Ｄ内に切り欠き部Ｋを設けても、封止膜２９の封止性能を確保することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、切り欠き周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｂの横断面における底面と側面とのなす角度は、７０°以上であるので、切り欠き周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して、第２電極２４等の蒸着膜及び第１無機絶縁膜２６が段切れする。これにより、有機バッファ層２７ａ及び２７ｃの上部が切り欠き周壁Ｗａに及び外周壁Ｗｂにそれぞれ接触していても、封止膜形成工程の第２無機絶縁膜形成工程において、第１無機絶縁膜２６並びに有機バッファ層２７ａ及び２７ｃを覆うように第２無機絶縁膜２８を形成するので、封止膜２９の封止性能を確保することができる。さらに、第２電極２４等の蒸着膜が切り欠き周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｂにより段切れしているので、切り欠き部Ｋに沿った複雑な構造を有するマスクを用いることなく、切り欠き部Ｋを除いた形状に蒸着膜をパターニングすることができると共に、蒸着膜を介する有機ＥＬ素子２５への水分の侵入を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、第２電極２４等の蒸着膜が外周壁Ｗｂにより段切れしているので、額縁領域Ｆを狭くする狭額縁化を図ることができる。
＜第３の実施形態＞
　図１０は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの概略構成を示す平面図である。
　上記第２の実施形態では、額縁領域Ｆに枠状の外周壁Ｗｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、本実施形態では、額縁領域Ｆに円弧状の角周壁Ｗｃが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１０に示すように、略Ｔ字状に形成され、角部がＲ形状の略矩形状に規定された表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
　額縁領域Ｆには、図１０に示すように、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように、円弧状の角周壁Ｗｃが表示領域Ｄの各角部に対応して設けられている。ここで、角周壁Ｗｃは、例えば、平坦化膜１９と同一材料により同一層に形成された下部層と、エッジカバー２２と同一材料により同一層に形成された上部層とを積層して構成されている。また、角周壁Ｗｃは、その横断面における底面と側面とのなす角度が７０°～１５０°程度であり、その横断面における両側面が逆テーパー状に形成されている。なお、本実施形態では、表示領域Ｄの各角部に角周壁Ｗｃが設けられた構成を例示したが、角周壁Ｗｃは、表示領域Ｄの４つの角部の何れか１つに設けられていてもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様に、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ層２０を介して発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜２９とを備えている。ここで、有機ＥＬ素子２５を構成する共通蒸着膜である第２電極２４は、図１０に示すように、角周壁Ｗｃにおいて、段切りした状態で角周壁Ｗｃを超えて封止膜２９の外側まで設けられている。そのため、封止膜２９の外側に形成される第２電極２４は、角周壁Ｗｃによって、表示領域Ｄに形成される第２電極２４と電気的に絶縁されている。なお、本実施形態では、ＣＭＭのマスクで形成された第２電極２４が角周壁Ｗｃを超えて設けられた構成を例示したが、ＦＭＭのマスクで形成された蒸着膜が角周壁Ｗｃを超えて設けられた構成であってもよい。また、表示領域Ｄの全周に渡って外周壁Ｗｂが設けられた上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂとは異なり、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、図１０に示すように、角周壁Ｗｃが配置された角部以外の領域において、第２電極２４の端部が封止膜２９の周端の内側（表示領域Ｄ側）に位置付けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、切り欠き周壁Ｗａと同時に角周壁Ｗｃを形成することにより、製造することができる。
　また、本実施形態では、平坦化膜１９と角周壁Ｗｃとの間の領域では、封止膜２９と第３無機絶縁膜とが接触する。具体的には、平坦化膜１９と角周壁Ｗｃとの間の領域Ａ２では、第１無機絶縁膜２６と、第３無機絶縁膜である第２層間絶縁膜１７とが接触する。これにより、平坦化膜１９は、第１無機絶縁膜２６および第２層間絶縁膜１７によってシールされる。その結果、水分が平坦化膜１９を伝い有機ＥＬ素子２５へ侵入することを抑制できる。なお、第３無機絶縁膜は、ＴＦＴ層２０の無機絶縁膜であればよく、例えば、第２層間絶縁膜１７の他に、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５であってもよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば切り欠き周壁形成工程において、表示領域Ｄ内の切り欠き部Ｋに、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように切り欠き周壁Ｗａが形成される。さらに、封止膜形成工程において、切り欠き周壁Ｗａの両側面に第１無機絶縁膜２６を介して有機バッファ層２７ｂが形成された後に、第２無機絶縁膜２８が形成される。ここで、封止膜形成工程では、第１無機絶縁膜２６を覆うように蒸着法により形成した有機膜２７をアッシングすることにより、切り欠き部Ｋにおいて、切り欠き周壁Ｗａの両側面に第１無機絶縁膜２６を介して有機バッファ層２７ａが形成されると共に、主に表示領域Ｄにおいて、第１無機絶縁膜２６上に付着した異物Ｘの表面に有機バッファ層２７ｂが形成される。そのため、表示領域Ｄで第１無機絶縁膜２６、有機バッファ層２７ｂ及び第２無機絶縁膜２８を積層して形成された封止膜２９による封止構造は、切り欠き部Ｋにおいて、切り欠き周壁Ｗａにより途切れることになる。そして、切り欠き部Ｋにおいて、切り欠き周壁Ｗａにより途切れた封止構造では、切り欠き周壁Ｗａの両側面に設けられた有機バッファ層２７ａにより、第１無機絶縁膜２６に対する第２無機絶縁膜２８の被覆性が確保される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ｃにおいて、表示領域Ｄ内に切り欠き部Ｋを設けても、封止膜２９の封止性能を確保することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、切り欠き周壁Ｗａ及び角周壁Ｗｃの横断面における底面と側面とのなす角度は、７０°以上であるので、切り欠き周壁Ｗａ及び角周壁Ｗｃの横断面形状に起因して、第２電極２４等の蒸着膜及び第１無機絶縁膜２６が段切れする。これにより、有機バッファ層２７ａ及び２７ｃの上部が、切り欠き周壁Ｗａに及び角周壁Ｗｃにそれぞれ接触していても、封止膜形成工程の第２無機絶縁膜形成工程において、第１無機絶縁膜２６並びに有機バッファ層２７ａ及び２７ｃを覆うように第２無機絶縁膜２８を形成するので、封止膜２９の封止性能を確保することができる。さらに、第２電極２４等の蒸着膜が切り欠き周壁Ｗａ及び外角周壁Ｗｃにより段切れしているので、切り欠き部Ｋに沿った複雑な構造を有するマスクを用いることなく、切り欠き部Ｋを除いた形状に蒸着膜をパターニングすることができると共に、蒸着膜を介する有機ＥＬ素子２５への水分の侵入を抑制することができる。
　なお、図１０の例では、角周壁Ｗｃの端部Ｔｃは、第２電極２４の外周および封止膜２９の外周よりも外側に設けられている。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ｃのコーナー部の封止膜２９にクラックが発生しても、表示領域Ｄへのクラックの進行を防止することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、第２電極２４等の蒸着膜が角周壁Ｗｃにより段切れしているので、額縁領域Ｆを狭くする狭額縁化を図ることができる。
＜その他の実施形態＞
　上記の第１実施形態では、切り欠き周壁Ｗａの端部Ｔａは、封止膜２９の外周よりも外側に設けられていた。しかしながら、本発明はこれに限られない。図１１は、第１実施形態の変形例にかかる表示装置５０ｄの、概略構成を示す図である。
　図１１に示すように、表示装置５０ｄでは、切り欠き周壁Ｗａの端部Ｔａは封止膜２９で覆われる。すなわち、切り欠き周壁Ｗａの端部Ｔａは、第２電極２４の外周と封止膜２９の外周との間に設けられている。このような構成とすることで、有機バッファ層２７ａを封止膜２９によってシールすることができる。その結果、水分が、切り欠き周壁Ｗａを伝い有機ＥＬ素子２５へ侵入することを抑制できる。
　また、上記の第３実施形態では、表示装置５０ｃでは、角周壁Ｗｃの端部Ｔｃは、第２電極２４の外周および封止膜２９の外周よりも外側に設けられていた。しかしながら、本発明はこれに限られない。図１２は、第３実施形態の変形例にかかる表示装置５０ｅの、概略構成を示す図である。
　図１２に示すように、表示装置５０ｅでは、角周壁Ｗｃの端部Ｔｃは、封止膜２９で覆われる。すなわち、角周壁Ｗｃの端部Ｔｃは、第２電極２４の外周よりも外側で、かつ、封止膜２９の外周よりも内側に設けられている。このように、角周壁Ｗｃの端部Ｔｃは、第２電極２４の外周と封止膜２９の外周との間に設けてもよい。このような構成とすることで、第２電極２４等の蒸着膜を段切れさせつつ、角周壁Ｗｃを封止膜２９によって覆うことができる。その結果、水分が角周壁Ｗｃを伝って有機ＥＬ素子２５へ侵入することを抑制できる。
　また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　また、上記の実施形態に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。また、上記の実施形態に登場した各要素と、上記の変形例に登場した各要素とを、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
Ｃ　スリット
Ｄ　表示領域
Ｆ　額縁領域
Ｋ　切り欠き部
Ｗａ　切り欠き周壁
Ｗｂ 外周壁
Ｗｃ 角周壁
１０　樹脂基板層（ベース基板）
１８ｈ　ソース導電層（配線）
１９　平坦化膜
２０　ＴＦＴ層
２４　第２電極（蒸着膜、共通蒸着膜、共通電極）
２５　有機ＥＬ素子（発光素子）
２６　第１無機絶縁膜
２７　有機膜
２７ａ，２７ｂ，２７ｃ　有機バッファ層
２８　第２無機絶縁膜
２９　封止膜
５０ａ～５０ｅ　有機ＥＬ表示装置

Claims (26)

  1. 　ベース基板と、
    　前記ベース基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子と、
    　前記発光素子を覆うように設けられ、第1無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜が順に積層された封止膜と、
    　前記表示領域を囲む額縁領域と、
    　前記表示領域の一部を切り欠くように前記額縁領域に設けられた切り欠き部と、
    　前記表示領域と前記切り欠き部との間の前記額縁領域に、前記表示領域の境界に沿って設けられた切り欠き周壁と、
    　前記切り欠き周壁と前記第1無機絶縁膜との間に設けられた蒸着膜と、
    　前記切り欠き周壁の表面に設けられ、前記第1無機絶縁膜及び前記第２無機絶縁膜に挟まれた有機バッファ層と、
    を有する表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　前記切り欠き周壁の表面は、前記表示領域側に設けられた第１側面及び前記表示領域と反対側に設けられた第２側面を有し、
    　前記有機バッファ層は、前記第１側面及び前記第２側面に設けられている表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　前記切り欠き周壁の横断面における底面と、前記第１側面及び前記第２側面のなす角度は、７０°～１５０°である表示装置。
  4. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　前記有機バッファ層の一部は、前記切り欠き周壁と接触する表示装置。
  5. 　請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　前記蒸着膜及び前記封止膜は、前記切り欠き周壁を跨いで設けられている表示装置。
  6. 　請求項５に記載された表示装置において、
    　前記表示装置の平面視で、前記切り欠き周壁は、前記蒸着膜の端部と交差する表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　前記切り欠き周壁の端部は前記封止膜で覆われる表示装置。
  8. 　請求項１～７までのいずれか１つに記載された表示装置において、
    　前記第２無機絶縁膜は、前記切り欠き周壁を跨ぎつつ連続的に設けられている表示装置。
  9. 　請求項１～８までのいずれか１つに記載された表示装置において、
    　前記ＴＦＴ層は、第３無機絶縁膜、配線、及び該配線上に設けられた平坦化膜を有し、
    　前記平坦化膜と前記切り欠き周壁との間の領域では、前記第1無機絶縁膜と前記第３無機絶縁膜とが接触する表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　前記額縁領域には、前記ベース基板の厚さ方向に突出するとともに、前記表示領域との境界に沿うように枠状の外周壁が設けられ、
    　前記外周壁の両側面には、前記第1無機絶縁膜及び前記第２無機絶縁膜の間に挟まれるように前記有機バッファ層が設けられている表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　前記ＴＦＴ層は、第３無機絶縁膜、配線、及び該配線上に設けられた平坦化膜を有し、
    　前記平坦化膜と前記外周壁との間の領域では、前記第1無機絶縁膜と前記第３無機絶縁膜とが接触する表示装置。
  12. 　請求項１１に記載された表示装置において、
    　前記表示領域全体に共通蒸着膜が設けられ、
    　前記共通蒸着膜は、第２電極を含み、
    　前記第２電極は、前記平坦化膜に形成されたスリットを介して前記配線に電気的に接続され、
    　前記額縁領域では、平面視で前記表示領域側から、前記第２電極以外の前記共通蒸着膜の端部、前記スリット、前記外周壁、及び前記封止膜の端部が順に配置されている表示装置。
  13. 　請求項１２に記載された表示装置において、
    　前記額縁領域では、前記封止膜の外側に前記第２電極の端部が配置され、
    　前記封止膜の外側に配置された前記第２電極は、前記外周壁によって、前記表示領域に配置された前記第２電極と電気的に絶縁されている表示装置。
  14. 　請求項１０～１３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　前記外周壁及び前記切り欠き周壁は、互いに連続して形成されている表示装置。
  15. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　前記表示領域は、少なくとも１つの角部がＲ形状に形成された矩形状に設けられ、
    　前記額縁領域には、前記ベース基板の厚さ方向に突出するとともに、前記表示領域との境界に沿うように円弧状の角周壁が前記Ｒ形状に形成された角部に対応して設けられ、
    　前記封止膜は前記角周壁を越えて設けられている表示装置。
  16. 　請求項１５に記載された表示装置において、
    　前記角周壁の端部は、前記封止膜で覆われる表示装置。
  17. 　請求項１５又は請求項１６に記載された表示装置において、
    　前記角周壁の両側面には、前記第1無機絶縁膜及び前記第２無機絶縁膜の間に挟まれるように前記有機バッファ層が設けられる表示装置。
  18. 　請求項１５～１７の何れか１つに記載された表示装置において、
    　前記額縁領域には、前記ベース基板の厚さ方向に突出するとともに、前記表示領域との境界に沿うように枠状の外周壁が設けられる表示装置。
  19. 　請求項１８に記載された表示装置において、
    　前記外周壁が配置された角部において、前記角周壁を越えて前記封止膜の外側まで設けられる表示装置。
  20. 　請求項１９に記載された表示装置において、
    　前記ＴＦＴ層は、第３無機絶縁膜、配線、及び該配線上に設けられた平坦化膜を有し、
    　前記平坦化膜と前記外周壁との間の領域では、前記第1無機絶縁膜と前記第３無機絶縁膜とが接触する表示装置。
  21. 　請求項２０に記載された表示装置において、
    　前記表示領域全体に共通蒸着膜が設けられ、
    　前記共通蒸着膜は、第２電極を含み、
    　前記第２電極は、前記表示領域の少なくとも１辺に沿って前記平坦化膜に形成されたスリットを介して前記配線に電気的に接続され、
    　前記スリットは、前記角周壁と重ならないように形成される表示装置。
  22. 　ベース基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ形成工程と、
    　前記ＴＦＴ層上に表示領域を構成する発光素子を形成する発光素子形成工程と、
    　前記発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程と、
    　前記表示領域を囲む額縁領域と、前記表示領域の一部を切り欠くように前記額縁領域に設けられた切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程と、
    を有し、
    　前記封止膜形成工程の前に、前記切り欠き部に、前記表示領域と前記切り欠き部との間の前記額縁領域に、前記表示領域の境界に沿って切り欠き周壁を形成する切り欠き周壁形成工程を有し、
    　前記封止膜形成工程は、
    　前記発光素子を覆うように第１無機絶縁膜を形成する第１無機絶縁膜形成工程と、
    　前記第１無機絶縁膜を覆うように蒸着法により有機膜を形成する有機膜形成工程と、
    　前記有機膜をアッシングすることにより、前記切り欠き周壁の表面に有機バッファ層を形成するアッシング工程と、
    　前記第１無機絶縁膜及び有機バッファ層を覆うように第２無機絶縁膜を形成する第２無機絶縁膜形成工程と、
    を有する表示装置の製造方法。
  23. 　請求項２２に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記切り欠き周壁形成工程と前記封止膜形成工程との間には、前記切り欠き周壁が形成された基板に蒸着膜を形成する蒸着膜形成工程を備える表示装置の製造方法。
  24. 　請求項２２又は請求項２３に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記切り欠き周壁の表面は、前記表示領域側に設けられた第１側面、及び前記表示領域と反対側に設けられた第２側面を有し、
    　前記アッシング工程では、前記第１側面及び前記第２側面に前記有機バッファ層を形成する表示装置の製造方法。
  25. 　請求項２４に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記切り欠き部形成工程では、前記切り欠き周壁の横断面における前記第１側面及び前記第２側面のなす角度を７０°～１５０°にする表示装置の製造方法。
  26. 　請求項２２～２５の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　前記発光素子は、有機ＥＬ素子である表示装置の製造方法。
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