WO2020064892A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement mit saphirträger und dessen herstellungsverfahren - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement mit saphirträger und dessen herstellungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
WO2020064892A1
WO2020064892A1 PCT/EP2019/075955 EP2019075955W WO2020064892A1 WO 2020064892 A1 WO2020064892 A1 WO 2020064892A1 EP 2019075955 W EP2019075955 W EP 2019075955W WO 2020064892 A1 WO2020064892 A1 WO 2020064892A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
semiconductor
optoelectronic semiconductor
optoelectronic
Prior art date
Application number
PCT/EP2019/075955
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Lutz Hoeppel
Attila Molnar
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US17/280,209 priority Critical patent/US20210343902A1/en
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of WO2020064892A1 publication Critical patent/WO2020064892A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body

Definitions

  • a light emitting diode is a light emitting device based on semiconductor materials.
  • an LED includes a pn junction. If electrons and holes recombine with each other in the region of the pn junction, 15 for example because a corresponding voltage is applied,
  • the present invention is based on the object of providing an improved optoelectronic semiconductor component and an improved method for producing an optoelectronic semiconductor component.
  • an optoelectronic semiconductor component comprises an optoelectronic semiconductor chip, a connecting material which contains amorphous aluminum oxide, and a sapphire carrier.
  • the connecting material is directly adjacent to the sapphire carrier.
  • the optoelectronic semiconductor chip is connected to the sapphire carrier via the connection material containing amorphous aluminum oxide.
  • the optoelectronic semiconductor chip has a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type, which form a semiconductor layer stack.
  • the first semiconductor layer is arranged between the second semiconductor layer and the sapphire carrier.
  • a first main surface of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer can be roughened.
  • a first main surface of the connecting material facing away from the first semiconductor layer can form a planar surface.
  • connection material can directly adjoin the first semiconductor layer.
  • the optoelectronic semiconductor component can furthermore have a first current spreading layer which is electrically conductively connected to the first semiconductor layer.
  • the first current spreading layer can be arranged on a side of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer.
  • the first current spreading layer can directly adjoin the first semiconductor layer.
  • a first main surface of the first semiconductor layer is roughened and one of the first 2018PF00916 3
  • the first main surface of the first current spreading layer facing away from the semiconductor layer is roughened.
  • the first current spreading layer can consist of a transparent conductive material.
  • the optoelectronic semiconductor component can furthermore have a dielectric intermediate layer on a side of the first current spreading layer facing away from the first semiconductor layer.
  • a first main surface of the dielectric intermediate layer facing away from the first current spreading layer can be roughened.
  • the connecting material can be arranged between the dielectric intermediate layer and the sapphire carrier.
  • the first current spreading layer can be formed over the entire area.
  • the first current spreading layer can have an annular shape.
  • a method for manufacturing an optoelectronic semiconductor component comprises forming an optoelectronic semiconductor chip, forming a connecting material, which contains amorphous aluminum oxide, over the optoelectronic semiconductor chip, and bringing a sapphire carrier into contact with the connecting material and connecting the optoelectronic semiconductor chip to the sapphire carrier the connecting material.
  • the formation of the optoelectronic semiconductor chip can form the formation of a first semiconductor layer 2018PF00916 4
  • PCT / EP2019 / 075955 comprise a first conductivity type over a growth substrate and the formation of a second semiconductor layer of a second conductivity type over the first semiconductor layer.
  • the method may further include applying an intermediate carrier over the second semiconductor layer and peeling off the growth substrate, wherein the amorphous aluminum oxide-containing connecting material and the sapphire carrier are applied to one side of the first semiconductor layer.
  • the method can further comprise roughening a first main surface of the first semiconductor layer before applying the amorphous aluminum oxide-containing connecting material.
  • the method further comprises forming a first current distribution layer over the first semiconductor layer after the growth substrate has been detached.
  • FIG. 1A shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • FIG. 1B shows a schematic vertical cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • FIG. 2A and 2B show schematic cross-sectional views of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • FIG. 2C shows a schematic layout of an optoelectronic semiconductor component.
  • FIG. 3A to 3D show schematic vertical cross-sectional views of a workpiece when producing an optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • FIG. 4 summarizes a method according to embodiments.
  • the semiconductor layers described here can in particular be single-crystalline, which can, for example, have grown epitaxially.
  • the semiconductor can be based on a direct or an indirect semiconductor material.
  • semiconductor materials which are particularly suitable for generating electromagnetic radiation include, in particular, nitride semiconductor compounds, by means of which, for example, ultra violet, blue or longer-wave light can be generated, such as, for example, GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, phosphide semiconductor compounds, by means of which, for example, green Nes or longer wavelength light can be generated, such as in GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, and other semiconductor materials such as AlGaAs, SiC, ZnSe, GaAs, ZnO, Ga 2 0 3 , diamond, hexagonal BN and combinations of the materials mentioned .
  • the stoichiometric ratio of the compound semiconductor materials can vary.
  • Other examples of semiconductor materials can include silicon, silicon germanium and germanium
  • substrate generally encompasses insulating, conductive or semiconductor substrates. 2018PF00916 7
  • lateral and horizontal are intended to describe an orientation or alignment that is essentially parallel to a first surface of a substrate or semiconductor body. This can be the surface of a wafer or a chip (die), for example.
  • the horizontal direction can lie, for example, in a plane perpendicular to a growth direction when layers are grown.
  • vertical is intended to describe an orientation which is essentially perpendicular to the first surface of a substrate or semiconductor body.
  • the vertical direction can, for example, correspond to a growth direction when layers are grown.
  • electrically connected means a low-resistance electrical connection between the connected elements.
  • the electrically connected elements do not necessarily have to be connected directly to one another. Further elements can be arranged between electrically connected elements. 2018PF00916
  • electrically connected also includes tunnel contacts between the connected elements.
  • FIG. 1A shows a schematic vertical cross-sectional view of an optoelectronic component in accordance with embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 has an optoelectronic semiconductor chip 15, a connection material (interface material) 125 and a sapphire carrier 120.
  • the connecting material 125 contains amorphous aluminum oxide and is directly adjacent to the sapphire carrier.
  • the optoelectronic semiconductor chip 15 is mechanically connected via the amorphous aluminum oxide-containing connecting material 125 to the sapphire carrier 120.
  • the semiconductor chip 15 comprises a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, for example n-type, and a second semiconductor layer 100 of a second conductivity type, for example p-type.
  • the first and the second semiconductor layer can form a semiconductor layer stack, the first semiconductor layer 110 being arranged between the second semiconductor layer 100 and the sapphire carrier 120.
  • An active zone 105 can be arranged between the first semiconductor layer 110 and the second semiconductor layer 100.
  • the active zone can have, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation.
  • Quantum well structure has no significance with regard to the dimensionality of the quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots as well as any combination of these layers. 2018PF00916 9
  • the optoelectronic semiconductor chip 15 is implemented using thin film technology.
  • thin-film semiconductor chips of this type can be produced by separating a semiconductor layer sequence from the growth substrate after epitaxial growth. The semiconductor layer sequence is then applied to a carrier different from the growth substrate, for example a sapphire carrier.
  • the semiconductor layer stack has a layer thickness of less than 10 gm.
  • Both the first and second semiconductor layers 110, 100 can contain GaN and can be constructed, for example, from a GaN-containing compound semiconductor material.
  • a layer thickness of the first semiconductor layer 110 can, for example, be greater than 3 ⁇ m.
  • the layer thickness can still be less than 7 gm.
  • a layer thickness of the second semiconductor layer 100 can for example be less than 1 gm, for example more than 60 nm and less than 250 nm.
  • the optoelectronic semiconductor chip 15 is connected to the sapphire carrier 120 via the connection material 125 containing amorphous aluminum oxide. That is, instead of a commonly used adhesive, amorphous alumina or an amorphous alumina-containing joining material can be used.
  • the connecting material 125 containing amorphous aluminum oxide is directly adjacent to the first semiconductor layer 110. Due to the fact that amorphous aluminum oxide and sapphire have the same chemical composition, connecting material 125 and sapphire carrier 120 have the same or a similar refractive index. As a result, back reflections at the interface between connecting material 125 and sapphire carrier 120 can be avoided. As a result, the transition of light from the optoelectronic semiconductor chip into the transparent carrier 120 can be improved in this way.
  • Connection material 125 containing aluminum oxide can, for example, contain amorphous aluminum oxide or consist of amorphous aluminum oxide.
  • aluminum oxide includes Al O and other aluminum oxides with different stoichiometric ratio.
  • Sapphire carriers used for optoelectronic semiconductor components are constructed from single-crystal aluminum oxide.
  • the connecting material differs from the sapphire carrier in its amorphous property. The fact that, as will be explained below, the connection material is applied over the optoelectronic semiconductor chip, for example by sputtering or other deposition methods, the connection material is not crystalline but largely amorphous.
  • connection with the sapphire carrier takes place via the connection material containing amorphous aluminum oxide, makes it possible to achieve the connection without a medium containing organic materials, for example BCB (benzocyclobutene) or silicone. Accordingly, maximum light stability is achieved.
  • BCB benzocyclobutene
  • a first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 may be roughened.
  • the lower part of FIG. 1A shows part of the interface between the first semiconductor layer 110 and the connecting material 125.
  • the roughness of the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 is designed such that the roughness is more than 300 nm, for example 300 to 500 nm or more, for example up to 1, Is 5 pm. This roughness indicates the height h of elevations 127 compared to a ge-made baseline 128.
  • the baseline 128 denotes the horizontal surface that is completely covered with the first semiconductor layer 110.
  • the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 can have a multiplicity of depressions and elevations.
  • the baseline 128 denotes the horizontal plane that 2018PF00916 11
  • WO 2020/064892 PCT / EP2019 / 075955 lies in the first semiconductor layer 110 and touches the maximum depression (s) or elevation (s). Relative to this baseline 128, the elevations have a maximum height h. A horizontal dimension of the elevations 127 can be up to ten times the specified values for the height. The roughening can cause a location-dependent variable refraction of the emitted light. As a result, there is a large amount of scatter at the interface between the connecting material 125 and the adjacent material, such as the first semiconductor layer 110.
  • the connecting material 125 containing amorphous aluminum oxide has a layer thickness d which is greater than the height h of the elevations 127.
  • a first main surface 126 of the connection material 125 is designed as a planar surface.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 can further comprise a first contact element 113 through which the first semiconductor layer 110 can be contacted. Furthermore, the optoelectronic semiconductor component can have a second contact element 117, via which the second semiconductor layer 100 can be contacted. For example, a second current expansion layer 115 is provided, via which the second semiconductor layer 100 can be connected. The second current spreading layer 115 can, for example, be formed over a large area.
  • the first contact element 113 can also extend partially into the first semiconductor layer 110. Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor component 10 can be emitted, for example, via a first main surface 121 and also via side surfaces of the sapphire carrier 120.
  • FIG. 1B shows a vertical cross-sectional view of the optoelectronic semiconductor component 10 according to further embodiments. Deviating from that in FIG. 1A shown half 2018PF00916 12
  • the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 is designed as a planar surface. Furthermore, a dielectric intermediate layer 130 is arranged between the first semiconductor layer 110 and the amorphous aluminum oxide-containing connecting material 125. For example, the dielectric intermediate layer 130 can directly adjoin the first semiconductor layer 110. Furthermore, the dielectric intermediate layer 130 can directly adjoin the connecting material 125 containing amorphous aluminum oxide. For example, a first major surface 131 of the interlayer dielectric may be structured in a manner similar to that discussed above with respect to the first semiconductor layer 110.
  • the dielectric interlayer 130 comprises a transparent material.
  • the dielectric interlayer can comprise a transparent polymer or any transparent dielectric layer, for example silicon oxide, silicon nitride or a combination of these materials.
  • the optoelectronic semiconductor component can additionally have a first current spreading layer 112, which is formed in contact with the first semiconductor layer 110, as shown in FIG. 2A is light.
  • the first current spreading layer 112 can be transparent and can be constructed, for example, from a conductive oxide, such as ITO (indium tin oxide), indium zinc oxide, zinc oxide and others.
  • the first current spreading layer 112 can have a layer thickness of less than 100 nm.
  • a layer thickness can be more than 30 nm, for example 50 or 60 nm.
  • the first current spreading layer 112 can be formed over the entire surface, for example. According to further embodiments, however, it can also be formed only over part of the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110. 2018PF00916 13
  • WO 2020/064892 PCT / EP2019 / 075955 be formed.
  • it can be formed symmetrically above the semiconductor component.
  • the first current spreading layer 112 may form a ring, as described below with reference to FIG. 2C will be explained later. According to further embodiments, however, it can also be structured in a different way, for example by training conductive fingers.
  • the layer thickness of the first current spreading layer 112 can, for example, be dimensioned such that if the first current spreading layer 112 is not formed over the entire surface, no topography is generated within the optoelectronic semiconductor component.
  • the first major surface 111 of the first semiconductor layer 110 is similar to that in FIG. 1A shown structured.
  • a surface of the first current spreading layer 112 facing away from the first semiconductor layer 110 can also be roughened.
  • the first current spreading layer 112 can have a conformal shape.
  • the interconnect material 125 containing amorphous alumina is as shown in FIG. 2A is shown adjacent to the first current spreading layer 112.
  • a first main surface 126 of the connecting material is planar.
  • the sapphire carrier 120 is adjacent to the connecting material 125 containing amorphous aluminum oxide.
  • the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 is planar.
  • the first current spreading layer 112 adjoins the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 and is likewise planar.
  • a dielectric intermediate layer 130 is arranged between the first current expansion layer 112 and the connecting material 125 containing amorphous aluminum oxide.
  • a first major surface 131 of the dielectric interlayer is 2018PF00916 14
  • WO 2020/064892 PCT / EP2019 / 075955 roughened so that the interface between the dielectric intermediate layer 131 and the amorphous aluminum oxide containing the connecting material 125 is roughened.
  • the sapphire carrier 120 is adjacent to the connecting material 125. Because the corresponding layers have a surface roughness, the coupling-out efficiency of the emitted light can be increased.
  • the first current spreading layer 112 is additionally provided in accordance with embodiments, it is possible to connect the first semiconductor layer 110 over a larger area compared to a case in which there is no first current spreading layer. In particular, it can be avoided that different areas of the optoelectronic semiconductor chip 15 are connected to different potentials. Furthermore, by providing the first current expansion layer, additional contacts for contacting the first semiconductor layer 110 can be saved. As a result, the efficiency of the device can be improved.
  • the first current spreading layer 112 can be provided with insignificant additional outlay.
  • FIG. 2C shows a schematic layout of a semiconductor component 10.
  • the second contact element 117 can be in the form of a strip, for example a cross, and extend horizontally over the semiconductor component 10.
  • the second current spreading layer 115 can cover the entire surface of the semiconductor 2018PF00916 15
  • WO 2020/064892 PCT / EP2019 / 075955 component or semiconductor chip 15 may be formed and only the areas in which the first contact element 113 is arranged can be omitted.
  • the first current spreading layer 112 can, for example, be structured to form an annular region. However, the first current spreading layer 112 can also be unstructured.
  • the second and optionally the first current expansion layer 115, 112 can be formed over a large area.
  • FIG. 3A to 3D illustrate a workpiece 14 in carrying out a method for producing the described semiconductor component.
  • a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, an active zone 105 and a second semiconductor layer 100 of a second conductivity type can be epitaxially grown over a suitable growth substrate 140, for example made of GaN.
  • the applied layer stack is connected to an intermediate carrier 142 via a bonding material or adhesive 141.
  • FIG. 3A shows a vertical cross-sectional view of an example of a workpiece 14.
  • the semiconductor layer stack is then detached from the growth substrate 140, for example by a laser lift-off method.
  • a first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 is roughened, for example by etching, for example in hot KOH.
  • FIG. 3B shows a vertical cross-sectional view of a workpiece after this process step. Subsequently, an amorphous aluminum oxide-containing connecting material 125 on the first main surface 111 of the first semiconductor 2018PF00916 16
  • connection material 125 containing aluminum oxide can be applied by sputtering, by a PVD process or by an ALD (“atomic layer deposition” process). It is important that the first main surface 126 of the connection material is extremely flat Planarity of the first main surface 126, free OH groups present on the surface can be connected over a large area to the OH groups of the sapphire carrier 120 to be applied later.
  • a sapphire carrier 120 is then brought into contact with the amorphous alumina-containing bonding material 125.
  • the connection process creates a covalent bond between aluminum and oxygen on both sides via the OH groups of the sapphire substrate and the connection material 125 with elimination of water or hydrogen.
  • FIG. 3C shows a vertical cross-sectional view of a resulting workpiece.
  • the intermediate carrier 142 and any remaining adhesive residues 141 are then removed from the exposed surface of the second semiconductor layer 100.
  • FIG. 3D shows a vertical cross-sectional view of a resulting workpiece. Further layers for contacting the first and second semiconductor layers can then be applied.
  • Deviating from that shown in FIG. Processes described in FIGS. 3A to 3D can, if necessary, remove dielectric intermediate layers and / or the first current distribution layer 112 over the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 after the growth substrate 140 has been detached. Furthermore, alternative structuring methods for roughening, for example, the dielectric intermediate layer can be carried out. 2018PF00916 17
  • FIG. 4 summarizes a method according to embodiments.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor component comprises forming (S100) an optoelectronic semiconductor chip, forming (S110) a connecting material which contains amorphous aluminum oxide, over the optoelectronic semiconductor chip, bringing a sapphire carrier into contact (S120) with the connecting material and Connecting the optoelectronic semiconductor chip to the sapphire carrier via the connecting material.
  • forming (S100) the optoelectronic semiconductor chip comprises forming (S101) a first semiconductor layer of a first conductivity type over a growth substrate and forming (S102) a second semiconductor layer of a second conductivity type over the first semiconductor layer.
  • the method may further include applying (S103) an intermediate carrier over the second semiconductor layer and peeling (S104) the growth substrate.
  • the amorphous aluminum oxide-containing connecting material and the sapphire carrier are applied to one side of the first semiconductor layer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Gemäß Ausführungsformen umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) einen optoelektronischen Halbleiterchip (15), ein Verbindungsmaterial (125), welches amorphes Aluminiumoxid enthält, und einen Saphirträger (120). Das Verbindungsmaterial (125) grenzt direkt an den Saphirträger (120) an. Der optoelektronische Halbleiterchip (10) ist über das Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial (125) mit dem Saphirträger (120) verbunden.

Description

OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT SAPHIRTRÄGER UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHRE N
5 HINTERGRUND
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2018 123 931.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
10
Eine lichtemittierende Diode (LED) ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die auf Halbleitermaterialien basiert. Beispiels weise umfasst eine LED einen pn-Übergang. Wenn Elektronen und Löcher miteinander im Bereich des pn-Übergangs rekombinieren, 15 beispielsweise weil eine entsprechende Spannung angelegt wird,
wird elektromagnetische Strahlung erzeugt.
Generell wird nach Konzepten gesucht, mit denen die Auskoppel effizienz von optoelektronischen Halbleiterbauelementen ver- 20 bessert werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes optoelektronischen Halbleiterbauelement und ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines optoelektroni- 25 sehen Halbleiterbauelements zur Verfügung zu stellen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Aufgabe durch den Gegenstand und das Verfahren der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterentwicklungen sind in den abhängi- 30 gen Patentansprüchen definiert.
ZUSAMMENFASSUNG 2018PF00916 2
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Gemäß Ausführungsformen umfasst ein optoelektronisches Halb leiterbauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip, ein Verbindungsmaterial, welches amorphes Aluminiumoxid enthält, und einen Saphirträger. Das Verbindungsmaterial grenzt direkt an den Saphirträger an. Der optoelektronische Halbleiterchip ist über das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsma terial mit dem Saphirträger verbunden.
Gemäß Ausführungsformen weist der optoelektronisches Halb leiterchip eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leit fähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf, die einen Halbleiterschichtsta- pel ausbilden. Die erste Halbleiterschicht ist zwischen der zweiten Halbleiterschicht und dem Saphirträger angeordnet.
Beispielsweise kann eine von der zweiten Halbleiterschicht ab gewandte erste Hauptoberfläche der ersten Halbleiterschicht aufgeraut sein. Eine von der ersten Halbleiterschicht abge wandte erste Hauptoberfläche des Verbindungsmaterials kann ei ne planare Oberfläche ausbilden.
Gemäß Ausführungsformen kann das Verbindungsmaterial direkt an die erste Halbleiterschicht angrenzen.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann ferner eine erste Stromaufweitungsschicht, die mit der ersten Halbleiter schicht elektrisch leitend verbunden ist, aufweisen. Bei spielsweise kann die erste Stromaufweitungsschicht auf einer von der zweiten Halbleiterschicht abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht angeordnet sein. Die erste Stromaufweitungs- schicht kann direkt an die erste Halbleiterschicht angrenzen.
Gemäß Ausführungsformen ist eine erste Hauptoberfläche der ersten Halbleiterschicht aufgeraut und eine von der ersten 2018PF00916 3
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Halbleiterschicht abgewandte erste Hauptoberfläche der ersten Stromaufweitungsschicht ist aufgeraut.
Beispielsweise kann die erste Stromaufweitungsschicht aus ei nem transparenten leitfähigen Material bestehen.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann ferner eine dielektrische Zwischenschicht auf einer von der ersten Halb leiterschicht abgewandten Seite der ersten Stromaufweitungs- schicht aufweisen.
Beispielsweise kann eine von der ersten Stromaufweitungs- schicht abgewandte erste Hauptoberfläche der dielektrischen Zwischenschicht aufgeraut sein. Das Verbindungsmaterial kann zwischen der dielektrischen Zwischenschicht und dem Saphirträ ger angeordnet sein.
Die erste Stromaufweitungsschicht kann ganzflächig ausgebildet sein .
Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die erste Stromaufwei tungsschicht ringförmig ausgebildet sein.
Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements das Ausbilden eines optoelektronischen Halbleiterchips, Ausbilden eines Ver bindungsmaterials, welches amorphes Aluminiumoxid enthält, über dem optoelektronischen Halbleiterchip, und in Kontakt Bringen eines Saphirträgers mit dem Verbindungsmaterial und Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips mit dem Sa phirträger über das Verbindungsmaterial.
Beispielsweise kann das Ausbilden des optoelektronischen Halb leiterchips das Ausbilden einer ersten Halbleiterschicht von 2018PF00916 4
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 einem ersten Leitfähigkeitstyp über einem Wachstumssubstrat und das Ausbilden einer zweiten Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über der ersten Halbleiterschicht umfassen .
Das Verfahren kann ferner das Aufbringen eines Zwischenträgers über der zweiten Halbleiterschicht und Ablösen des Wachs tumssubstrats umfassen, wobei das amorphes Aluminiumoxid ent haltende Verbindungsmaterial und der Saphirträger auf einer Seite der ersten Halbleiterschicht aufgebracht werden.
Das Verfahren kann weiterhin das Aufrauen einer ersten Haupt oberfläche der ersten Halbleiterschicht vor Aufbringen des amorphes Aluminiumoxid enthaltenden Verbindungsmaterials um fassen .
Gemäß Ausführungsformen umfasst das Verfahren weiterhin das Ausbilden einer ersten Stromverteilungsschicht über der ersten Halbleiterschicht nach Ablösen des Wachstumssubstrats.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die begleitenden Zeichnungen dienen dem Verständnis von Aus führungsbeispielen der Erfindung. Die Zeichnungen veranschau lichen Ausführungsbeispiele und dienen zusammen mit der Be schreibung deren Erläuterung. Weitere Ausführungsbeispiele und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile ergeben sich unmittel bar aus der nachfolgenden Detailbeschreibung. Die in den Zeichnungen gezeigten Elemente und Strukturen sind nicht not wendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Gleiche Bezugszeichen verweisen auf gleiche oder einander entsprechen de Elemente und Strukturen. 2018PF00916 5
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
FIG. 1A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausführungsfor men .
FIG. 1B zeigt eine schematische vertikale Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Ausführungsformen .
FIG. 2A und 2B zeigen schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Aus führungsformen .
FIG. 2C zeigt ein schematisches Layout eines optoelektroni schen Halbleiterbauelements.
FIG. 3A bis 3D zeigen schematische vertikale Querschnittsan sichten eines Werkstücks bei Herstellung eines optoelektroni schen Halbleiterbauelements gemäß Ausführungsformen.
FIG. 4 fasst ein Verfahren gemäß Ausführungsformen zusammen.
DETAILBESCHREIBUNG
In der folgenden Detailbeschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen zu Veranschaulichungszwecken spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie "Oberseite", "Boden", "Vorder seite", "Rückseite", "über", "auf", "vor", "hinter", "vorne", "hinten" usw. auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Fi guren bezogen. Da die Komponenten der Ausführungsbeispiele in unterschiedlichen Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie nur der Erläuterung und ist in keiner Weise einschränkend. 2018PF00916 6
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht einschrän kend, da auch andere Ausführungsbeispiele existieren und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne dass dabei vom durch die Patentansprüche definierten Be reich abgewichen wird. Insbesondere können Elemente von im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen mit Elementen von anderen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich aus dem Kontext nichts anderes ergibt.
Die hier beschriebenen Halbleiterschichten können insbesondere einkristalline, die beispielsweise epitaktisch gewachsen sein können. Je nach Verwendungszweck kann der Halbleiter auf einem direkten oder einem indirekten Halbleitermaterial basieren. Beispiele für zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung be sonders geeignete Halbleitermaterialien umfassen insbesondere Nitrid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise ultra violettes, blaues oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, Phosphid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise grü nes oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie bei spielsweise GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, sowie weitere Halb leitermaterialien wie AlGaAs, SiC, ZnSe, GaAs, ZnO, Ga203, Dia mant, hexagonales BN und Kombinationen der genannten Materia lien. Das stöchiometrische Verhältnis der Verbindungshalb leitermaterialien kann variieren. Weitere Beispiele für Halb leitermaterialien können Silizium, Silizium-Germanium und Ger manium umfassen. Im Kontext der vorliegenden Beschreibung schließt der Begriff „Halbleiter" auch organische Halbleiter materialien ein.
Der Begriff „Substrat" umfasst generell isolierende, leitende oder Halbleitersubstrate. 2018PF00916 7
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Die Begriffe "lateral" und "horizontal", wie in dieser Be schreibung verwendet, sollen eine Orientierung oder Ausrich tung beschreiben, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder ei nes Chips (Die) sein.
Die horizontale Richtung kann beispielsweise in einer Ebene senkrecht zu einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten liegen.
Der Begriff "vertikal", wie er in dieser Beschreibung verwen det wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentli chen senkrecht zu der ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung kann bei spielsweise einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten entsprechen.
Soweit hier die Begriffe "haben", "enthalten", "umfassen", "aufweisen" und dergleichen verwendet werden, handelt es sich um offene Begriffe, die auf das Vorhandensein der besagten Elemente oder Merkmale hinweisen, das Vorhandensein von weite ren Elementen oder Merkmalen aber nicht ausschließen. Die un bestimmten Artikel und die bestimmten Artikel umfassen sowohl den Plural als auch den Singular, sofern sich aus dem Zusam menhang nicht eindeutig etwas anderes ergibt.
Im Kontext dieser Beschreibung bedeutet der Begriff „elektrisch verbunden" eine niederohmige elektrische Verbin dung zwischen den verbundenen Elementen. Die elektrisch ver bundenen Elemente müssen nicht notwendigerweise direkt mitei nander verbunden sein. Weitere Elemente können zwischen elektrisch verbundenen Elementen angeordnet sein. 2018PF00916
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Der Begriff „elektrisch verbunden" umfasst auch Tunnelkontakte zwischen den verbundenen Elementen.
FIG. 1A zeigt eine schematische vertikale Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß Ausführungsformen. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 15, ein Verbindungsmaterial (interface material) 125 sowie einen Saphirträger 120 auf. Das Verbindungsmaterial 125 enthält amorphes Aluminiumoxid und grenzt direkt an den Saphirträger an. Der optoelektronische Halbleiterchip 15 ist über das amorphes Aluminiumoxid enthal tende Verbindungsmaterial 125 mit dem Saphirträger 120 mecha nisch verbunden.
Beispielsweise umfasst der Halbleiterchip 15 eine erste Halb leiterschicht 110 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, bei spielsweise n-Typ und eine zweite Halbleiterschicht 100 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise p-Typ. Die erste und die zweite Halbleiterschicht können einen Halb leiterschichtstapel ausbilden, wobei die erste Halbleiter schicht 110 zwischen der zweiten Halbleiterschicht 100 und dem Saphirträger 120 angeordnet ist. Eine aktive Zone 105 kann zwischen der ersten Halbleiterschicht 110 und der zweiten Halbleiterschicht 100 angeordnet sein.
Die aktive Zone kann beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopf-Struktur (SQW, single quantum well) oder eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung aufweisen. Die Bezeichnung „Quantentopf-Struktur" entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte sowie jeder Kombination dieser Schichten. 2018PF00916 9
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Beispielsweise ist der optoelektronische Halbleiterchip 15 in Dünnfilmtechnologie ausgeführt. Wie auch nachfolgend noch aus geführt werden wird, können derartige Dünnfilm-Halbleiterchips hergestellt werden, indem eine Halbleiterschichtfolge nach epitaktischem Aufwachsen von dem Wachstumssubstrat getrennt wird. Sodann wird die Halbleiterschichtfolge auf einen von dem Wachstumssubstrat verschiedenen Träger, beispielsweise einen Saphirträger, aufgebracht. Beispielsweise hat der Halbleiter schichtstapel eine Schichtdicke von weniger als 10 gm. Sowohl die erste als auch zweite Halbleiterschicht 110, 100 können GaN enthalten und können beispielsweise aus einem GaN-haltigen Verbindungshalbleitermaterial aufgebaut sein. Eine Schichtdi cke der ersten Halbleiterschicht 110 kann beispielsweise grö ßer als 3 gm sein. Die Schichtdicke kann weiterhin kleiner als 7 gm sein. Eine Schichtdicke der zweiten Halbleiterschicht 100 kann beispielsweise kleiner als 1 gm sein, beispielsweise mehr als 60 nm und weniger als 250 nm.
Gemäß Ausführungsformen ist vorgesehen, dass der optoelektro nische Halbleiterchip 15 über das amorphes Aluminiumoxid ent haltende Verbindungsmaterial 125 mit dem Saphirträger 120 ver bunden ist. Das heißt, anstelle eines üblicherweise verwende ten Klebers kann amorphes Aluminiumoxid oder ein amorphes Alu miniumoxid enthaltendes Verbindungsmaterial verwendet werden. Das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial 125 grenzt direkt an die erste Halbleiterschicht 110 an. Aufgrund der Tatsache, dass amorphes Aluminiumoxid und Saphir dieselbe chemische Zusammensetzung haben, weisen Verbindungsmaterial 125 und Saphirträger 120 denselben oder einen ähnlichen Bre chungsindex auf. Als Folge können Rückreflexionen an der Grenzfläche zwischen Verbindungsmaterial 125 und Saphirträger 120 vermieden werden. Als Ergebnis kann auf diese Weise der Übergang von Licht aus dem optoelektronischen Halbleiterchip in den transparenten Träger 120 verbessert werden. Das amorphe 2018PF00916 10
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial 125 kann bei spielsweise amorphes Aluminiumoxid enthalten oder aus amorphem Aluminiumoxid bestehen. Der Begriff Aluminiumoxid schließt AI O und andere Aluminiumoxide mit unterschiedlichem stöchio metrischem Verhältnis ein. Für optoelektronische Halbleiter bauelemente verwendete Saphirträger sind aus einkristallinem Aluminiumoxid aufgebaut. Das Verbindungsmaterial unterscheidet sich von dem Saphirträger durch seine amorphe Eigenschaft. Dadurch, dass, wie nachfolgend erläutert werden wird, das Ver bindungsmaterial beispielsweise durch Sputtern oder andere Ab scheideverfahren über dem optoelektronischen Halbleiterchip aufgebracht wird, ist das Verbindungsmaterial nicht kristallin sondern weitestgehend amorph. Dadurch, dass das Verbinden mit dem Saphirträger über das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial erfolgt, ist es möglich, die Verbindung ohne ein organische Materialien enthaltendes Medium, bei spielsweise BCB (Benzocyclobuten) oder Silikon, zu erreichen. Entsprechend wird eine maximale Lichtstabilität erreicht.
Gemäß Ausführungsformen kann, wie in FIG. 1A dargestellt, eine erste Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 aufgeraut sein. Der untere Teil der FIG. 1A zeigt einen Teil der Grenzfläche zwischen erster Halbleiterschicht 110 und Ver bindungsmaterial 125. Die Rauigkeit der ersten Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 ist derart ausgeführt, dass die Rauigkeit mehr als 300 nm, beispielsweise 300 bis 500 nm oder mehr, beispielsweise bis zu 1,5 pm beträgt. Diese Rau igkeit gibt die Höhe h von Erhebungen 127 gegenüber einer ge dachten Basislinie 128 an. Die Basislinie 128 bezeichnet die jenige horizontale Oberfläche, die vollständig mit der ersten Halbleiterschicht 110 belegt ist. Anders ausgedrückt, kann die erste Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 ei ne Vielzahl von Vertiefungen und Erhebungen aufweisen. Dabei bezeichnet die Basislinie 128 diejenige horizontale Ebene, die 2018PF00916 11
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 in der ersten Halbleiterschicht 110 liegt und die maximale (n) Vertiefung (en) oder Erhebung (en) berührt. Bezogen auf diese Basislinie 128 haben die Erhebungen eine maximale Höhe h. Eine horizontale Abmessung der Erhebungen 127 kann bis zu dem Zehn fachen der angegebenen Werte für die Höhe betragen. Durch die Aufrauhung kann eine ortsabhängig variable Brechung des emit tierten Lichts bewirkt werden. Als Ergebnis findet ein großes Maß an Streuung an der Grenzfläche zwischen dem Verbindungsma terial 125 und dem angrenzenden Material, beispielsweise der ersten Halbleiterschicht 110 statt.
Das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial 125 weist eine Schichtdicke d auf, die größer als die Höhe h der Erhebungen 127 ist. Eine erste Hauptoberfläche 126 des Verbin dungsmaterials 125 ist als eine planare Oberfläche ausgeführt. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 kann weiterhin ein erstes Kontaktelement 113 umfassen, durch das die erste Halbleiterschicht 110 kontaktierbar ist. Weiterhin kann das optoelektronische Halbleiterbauelement ein zweites Kontaktele ment 117 aufweisen, über das die zweite Halbleiterschicht 100 kontaktierbar ist. Beispielsweise ist eine zweite Stromaufwei tungsschicht 115 vorgesehen, über die die zweite Halbleiter schicht 100 angeschlossen werden kann. Die zweite Stromaufwei tungsschicht 115 kann beispielsweise großflächig ausgebildet sein. Das erste Kontaktelement 113 kann sich auch teilweise bis in die erste Halbleiterschicht 110 hinein erstrecken. Von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 10 emittierte elektromagnetische Strahlung kann beispielsweise über eine erste Hauptoberfläche 121 sowie über Seitenflächen des Saphir trägers 120 emittiert werden.
FIG. 1B zeigt eine vertikale Querschnittsansicht des opto elektronischen Halbleiterbauelements 10 gemäß weiteren Ausfüh rungsformen. Abweichend zu dem in FIG. 1A dargestellten Halb- 2018PF00916 12
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 leiterbauelement ist hier die erste Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 als planare Oberfläche ausgebil det. Weiterhin ist eine dielektrische Zwischenschicht 130 zwi schen erster Halbleiterschicht 110 und dem amorphes Alumini umoxid enthaltenden Verbindungsmaterial 125 angeordnet. Bei spielsweise kann die dielektrische Zwischenschicht 130 direkt an die erste Halbleiterschicht 110 angrenzen. Weiterhin kann die dielektrische Zwischenschicht 130 direkt an das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial 125 angrenzen. Beispielsweise kann eine erste Hauptoberfläche 131 der die lektrischen Zwischenschicht in ähnlicher Weise wie vorstehend in Bezug auf die erste Halbleiterschicht 110 erläutert struk turiert sein. Die dielektrische Zwischenschicht 130 umfasst ein transparentes Material. Beispielsweise kann die dielektri sche Zwischenschicht ein transparentes Polymer oder eine be liebige transparente dielektrische Schicht, beispielsweise Si liziumoxid, Siliziumnitrid oder eine Kombination dieser Mate rialien umfassen.
Gemäß weiteren Ausführungsformen kann das optoelektronische Halbleiterbauelement zusätzlich eine erste Stromaufweitungs- schicht 112 aufweisen, die in Kontakt mit der ersten Halb leiterschicht 110 ausgebildet ist, wie in FIG. 2A veranschau licht ist. Beispielsweise kann die erste Stromaufweitungs- schicht 112 lichtdurchlässig sein und beispielsweise aus einem leitfähigen Oxid, wie beispielsweise ITO (Indium-Zinnoxid), Indium-Zinkoxid, Zinkoxid und anderen aufgebaut sein. Bei spielsweise kann die erste Stromaufweitungsschicht 112 eine Schichtdicke von weniger als 100 nm haben. Beispielsweise kann eine Schichtdicke mehr als 30 nm, beispielsweise 50 oder 60 nm betragen. Die erste Stromaufweitungsschicht 112 kann bei spielsweise ganzflächig ausgebildet sein. Gemäß weiteren Aus führungsformen kann sie aber auch nur über einem Teil der ers ten Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 aus- 2018PF00916 13
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 gebildet sein. Sie kann beispielsweise symmetrisch über dem Halbleiterbauelement ausgebildet sein. Beispielsweise kann die erste Stromaufweitungsschicht 112 einen Ring ausbilden, wie nachstehend unter Bezugnahme auf FIG. 2C noch erläutert werden wird. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann sie aber auch in anderer Weise strukturiert sein, beispielsweise durch Ausbil dung von leitfähigen Fingern. Die Schichtdicke der ersten Stromaufweitungsschicht 112 kann beispielsweise derart bemes sen sein, dass bei nicht ganzflächiger Ausbildung der ersten Stromaufweitungsschicht 112 innerhalb des optoelektronischen Halbleiterbauelements keine Topographie erzeugt wird.
Gemäß Ausführungsformen, die in FIG. 2A gezeigt sind, ist die erste Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 ähnlich wie in FIG. 1A dargestellt strukturiert. Eine von der ersten Halbleiterschicht 110 abgewandte Oberfläche der ersten Stromaufweitungsschicht 112 kann ebenfalls aufgeraut sein. Beispielsweise kann die erste Stromaufweitungsschicht 112 kon form ausgebildet sein. Das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial 125 ist, wie in FIG. 2A dargestellt ist, angrenzend an die erste Stromaufweitungsschicht 112 angeord net. Eine erste Hauptoberfläche 126 des Verbindungsmaterials ist planar ausgebildet. Der Saphirträger 120 grenzt an das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial 125 an.
Gemäß Ausführungsformen, die in FIG. 2B dargestellt sind, ist die erste Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 planar ausgebildet. Die erste Stromaufweitungsschicht 112 grenzt an die erste Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiter schicht 110 an und ist ebenfalls planar ausgebildet. Weiterhin ist eine dielektrische Zwischenschicht 130 zwischen erster Stromaufweitungsschicht 112 und dem amorphes Aluminiumoxid enthaltenden Verbindungsmaterial 125 angeordnet. Eine erste Hauptoberfläche 131 der dielektrischen Zwischenschicht ist 2018PF00916 14
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 aufgeraut, so dass die Grenzfläche zwischen der dielektrischen Zwischenschicht 131 und dem amorphes Aluminiumoxid enthalten den Verbindungsmaterial 125 aufgeraut ist. Der Saphirträger 120 grenzt an das Verbindungsmaterial 125 an. Dadurch, dass die entsprechenden Schichten eine Oberflächenrauigkeit aufwei sen, kann die Auskoppeleffizienz des emittierten Lichts erhöht werden .
Dadurch, dass gemäß Ausführungsformen zusätzlich die erste Stromaufweitungsschicht 112 vorgesehen wird, ist es möglich, die erste Halbleiterschicht 110 großflächiger anzuschließen, verglichen mit einem Fall, in dem keine erste Stromaufwei tungsschicht vorliegt. Insbesondere kann vermieden werden, dass jeweils unterschiedliche Bereiche des optoelektronischen Halbleiterchips 15 mit unterschiedlichen Potentialen verbunden werden. Weiterhin können durch das Vorsehen der ersten Strom aufweitungsschicht zusätzliche Kontakte zur Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 110 eingespart werden. Als Ergebnis kann die Effizienz des Bauelements verbessert werden.
Aufgrund des mit der Herstellung der ersten Stromverteilungs schicht verbundenen Aufwands ist bislang eine erste Stromauf weitungsschicht zwischen der ersten Halbleiterschicht 110 und dem Saphirträger 120 vermieden worden. Dadurch, dass wie nach stehend beschrieben werden wird, das Aufbringen des amorphes Aluminiumoxid enthaltenden Verbindungsmaterials 125 separat durchgeführt wird, kann die erste Stromaufweitungsschicht 112 mit unbeträchtlichem Zusatzaufwand bereitgestellt werden.
FIG. 2C zeigt ein schematisches Layout eines Halbleiterbauele ments 10. Das zweite Kontaktelement 117 kann streifenförmig, beispielsweise als Kreuz ausgeführt sein und sich horizontal über das Halbleiterbauelement 10 erstrecken. Die zweite Strom aufweitungsschicht 115 kann ganzflächig über dem Halbleiter- 2018PF00916 15
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 bauelement bzw. Halbleiterchip 15 ausgebildet sein und ledig lich die Bereiche, in denen das erste Kontaktelement 113 ange ordnet ist, ausgespart sein. Die erste Stromaufweitungsschicht 112 kann beispielsweise zu einem ringförmigen Bereich struktu riert sein. Die erste Stromaufweitungsschicht 112 kann aber auch unstrukturiert sein.
Gemäß Ausführungsformen können, da die erste und die zweite Stromaufweitungsschicht 112, 115 auf jeweils gegenüberliegen den Seiten des Halbleiterschichtstapels ausgebildet sind, die zweite und gegebenenfalls die erste Stromaufweitungsschicht 115, 112 großflächig ausgebildet sein.
Die FIG. 3A bis 3D veranschaulichen ein Werkstück 14 bei Durchführung eines Verfahrens zur Herstellung des beschriebe nen Halbleiterbauelements. Eine erste Halbleiterschicht 110 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone 105 sowie eine zweite Halbleiterschicht 100 von einem zweiten Leitfähig keitstyp können über einem geeigneten Wachstumssubstrat 140, beispielsweise aus GaN, epitaktisch aufgewachsen werden. An schließend wird der aufgebrachte Schichtstapel über ein Ver bindungsmaterial bzw. einen Klebstoff 141 mit einem Zwischen träger 142 verbunden. FIG. 3A zeigt eine vertikale Quer- schnittsansicht eines Beispiels eines Werkstücks 14. Anschlie ßend wird der Halbleiterschichtstapel , beispielsweise durch ein Laser-Lift-off-Verfahren von dem Wachstumssubstrat 140 ab gelöst. Gemäß Ausführungsformen wird eine erste Hauptoberflä che 111 der ersten Halbleiterschicht 110 aufgeraut, beispiels weise durch Ätzen, beispielsweise in heißer KOH.
FIG. 3B zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines Werk stücks nach diesem Verfahrensschritt. Anschließend kann ein amorphes Aluminiumoxid enthaltendes Verbindungsmaterial 125 auf der ersten Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiter- 2018PF00916 16
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
Schicht 110 aufgebracht werden. Beispielsweise kann das Alumi niumoxid enthaltende Verbindungsmaterial 125 durch Sputtern, durch ein PVD-Verfahren oder durch ein ALD („atomic layer de- position") Verfahren aufgebracht werden. Dabei ist wichtig, dass die erste Hauptoberfläche 126 des Verbindungsmaterials extrem plan ist. Bei hoher Planarität der ersten Hauptoberflä che 126 können an der Oberfläche vorliegende freie OH-Gruppen mit den OH-Gruppen des später aufzubringenden Saphirträgers 120 großflächig verbunden werden.
Sodann wird ein Saphirträger 120 in Kontakt mit dem amorphes Aluminiumoxid enthaltenden Verbindungsmaterial 125 gebracht. Beim Verbindungsprozess entsteht auf beiden Seiten eine kova lente Bindung zwischen Aluminium und Sauerstoff über die OH- Gruppen des Saphirsubstrats und dem Verbindungsmaterial 125 unter Abspaltung von Wasser oder Wasserstoff.
FIG. 3C zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines sich ergebenden Werkstücks. Sodann wird der Zwischenträger 142 und gegebenenfalls verbleibende Klebstoffreste 141 von der frei liegenden Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 100 ent fernt. FIG. 3D zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines sich ergebenden Werkstücks. Sodann können weitere Schichten zum Kontaktieren der ersten und zweiten Halbleiterschicht auf gebracht werden.
Abweichend von dem in den FIG. 3A bis 3D beschriebenen Verfah rensablauf können nach Ablösen des Wachstumssubstrats 140 ge gebenenfalls dielektrische Zwischenschichten und/oder die ers te Stromverteilungsschicht 112 über der ersten Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 aufgebracht werden. Wei terhin können alternative Strukturierungsverfahren zum Aufrau en von beispielsweise der dielektrischen Zwischenschicht durchgeführt werden. 2018PF00916 17
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
FIG. 4 fasst ein Verfahren gemäß Ausführungsformen zusammen. Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halb leiterbauelements umfasst das Ausbilden (S100) eines opto elektronischen Halbleiterchips, das Ausbilden (S110) eines Verbindungsmaterials, welches amorphes Aluminiumoxid enthält, über dem optoelektronischen Halbleiterchip, das in Kontakt Bringen (S120) eines Saphirträgers mit dem Verbindungsmaterial und Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips mit dem Saphirträger über das Verbindungsmaterial.
Gemäß Ausführungsformen umfasst das Ausbilden (S100) des opto elektronischen Halbleiterchips das Ausbilden (S101) einer ers ten Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp über einem Wachstumssubstrat und das Ausbilden (S102) einer zweiten Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über der ersten Halbleiterschicht. Das Verfahren kann ferner das Auf bringen (S103) eines Zwischenträgers über der zweiten Halb leiterschicht und das Ablösen (S104) des Wachstumssubstrats umfassen. Dabei werden das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial und der Saphirträger auf einer Seite der ersten Halbleiterschicht aufgebracht.
Obwohl hierin spezifische Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben worden sind, werden Fachleute erkennen, dass die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen durch eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Ausgestaltungen ersetzt werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Die Anmeldung soll jegliche Anpas sungen oder Variationen der hierin diskutierten spezifischen Ausführungsformen abdecken. Daher wird die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt. 2018PF00916 18
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
BEZUGSZEICHENLISTE
10 Optoelektronisches Halbleiterbauelement
14 Werkstück
15 Optoelektronischer Halbleiterchip
20 emittierte Strahlung
100 zweite Halbleiterschicht
105 aktive Zone
110 erste Halbleiterschicht
111 erste Hauptoberfläche der ersten Halbleiterschicht
112 erste Stromaufweitungsschicht
113 erstes Kontaktelement
115 zweite Stromaufweitungsschicht
117 zweites Kontaktelement
120 Saphirträger
121 erste Hauptoberfläche des Saphirträgers
125 Verbindungsmaterial
126 erste Hauptoberfläche des Verbindungsmaterials
127 Erhebung
128 Basislinie
130 dielektrische Zwischenschicht
131 erste Hauptoberfläche der dielektrischen Zwischen schicht
140 WachstumsSubstrat
141 Klebstoff
142 Zwischenträger

Claims

2018PF00916 19 WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 PATENTANSPRÜCHE
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) mit
einem optoelektronischen Halbleiterchip (15),
einem Verbindungsmaterial (125), welches amorphes Alu miniumoxid enthält,
einem Saphirträger (120), und
einer ersten Stromaufweitungsschicht (112),
wobei das Verbindungsmaterial (125) direkt an den Saphirträger (120) angrenzt und der optoelektronische Halbleiterchip (15) über das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmateri al (125) mit dem Saphirträger (120) verbunden ist,
wobei der optoelektronisches Halbleiterchip (15)
eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, und
eine zweite Halbleiterschicht (100) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, die einen Halbleiterschichtstapel ausbilden,
wobei die erste Halbleiterschicht (110) zwischen der zweiten Halbleiterschicht (100) und dem Saphirträger (120) an geordnet ist, und
die erste Stromaufweitungsschicht (112) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (100) abgewandten Seite der ers ten Halbleiterschicht (110) angeordnet und mit der ersten Halbleiterschicht (110) elektrisch leitend verbunden ist.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 1, wobei eine von der zweiten Halbleiterschicht (100) abgewandte erste Hauptoberfläche (111) der ersten Halbleiter schicht (110) aufgeraut ist und eine von der ersten Halb leiterschicht (110) abgewandte erste Hauptoberfläche (126) des Verbindungsmaterials (125) eine planare Oberfläche ausbildet. 2018PF00916 20
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 1 oder 2, bei dem das Verbindungsmaterial (125) direkt an die erste Halbleiterschicht (110) angrenzt.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die erste Stromaufweitungs- schicht (112) direkt an die erste Halbleiterschicht (110) an grenzt .
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine erste Hauptoberflä che (111) der ersten Halbleiterschicht (110) aufgeraut ist und eine von der ersten Halbleiterschicht (110) abgewandte erste Hauptoberfläche der ersten Stromaufweitungsschicht (112) auf geraut ist.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Stromaufwei tungsschicht (112) aus einem transparenten leitfähigen Materi al besteht.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 und 6, ferner mit einer dielektrischen Zwischenschicht (130) auf einer von der ersten Halbleiter schicht (110) abgewandten Seite der ersten Stromaufweitungs- schicht (112) .
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 7, bei dem eine von der ersten Stromaufweitungsschicht (112) abgewandte erste Hauptoberfläche (131) der dielektri schen Zwischenschicht (130) aufgeraut ist.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 7 oder 8, bei dem das Verbindungsmaterial (125) zwi- 2018PF00916 21
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955 sehen der dielektrischen Zwischenschicht (130) und dem Saphir träger (120) angeordnet ist.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Stromaufwei tungsschicht (112) ganzflächig ausgebildet ist.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die erste Stromaufweitungs- schicht (112) ringförmig ausgebildet ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements umfassend:
Ausbilden (S100) eines optoelektronischen Halbleiter chips,
Ausbilden einer ersten Stromaufweitungsschicht (112), Ausbilden (S110) eines Verbindungsmaterials, welches amorphes Aluminiumoxid enthält, über dem optoelektronischen Halbleiterchip, und
In Kontakt Bringen (S120) eines Saphirträgers mit dem Verbindungsmaterial und Verbinden des optoelektronischen Halb leiterchips mit dem Saphirträger über das Verbindungsmaterial, wobei das Ausbilden des optoelektronischen Halbleiter chips (S100) das Ausbilden einer ersten Halbleiterschicht (S101) von einem ersten Leitfähigkeitstyp über einem Wachs tumssubstrat und das Ausbilden (S102) einer zweiten Halb leiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über der ersten Halbleiterschicht umfasst, und
die erste Stromaufweitungsschicht (112) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (100) abgewandten Seite der ers ten Halbleiterschicht (110) angeordnet und mit der ersten Halbleiterschicht (110) elektrisch leitend verbunden wird. 2018PF00916 22
WO 2020/064892 PCT/EP2019/075955
13. Verfahren nach Anspruch 12, ferner mit Aufbringen (S103) eines Zwischenträgers über der zweiten Halbleiter schicht und Ablösen des Wachstumssubstrats (S104), wobei das amorphes Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial und der Saphirträger auf einer Seite der ersten Halbleiterschicht auf gebracht werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, ferner mit Aufrauen einer ersten Hauptoberfläche der ersten Halbleiterschicht vor Auf- bringen des amorphes Aluminiumoxid enthaltenden Verbindungsma terials .
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, bei dem die erste Stromverteilungsschicht nach Ablösen des Wachstumssubstrats über der ersten Halbleiterschicht ausgebildet wird.
PCT/EP2019/075955 2018-09-27 2019-09-25 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit saphirträger und dessen herstellungsverfahren WO2020064892A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/280,209 US20210343902A1 (en) 2018-09-27 2018-09-27 Optoelectronic semiconductor component having a sapphire support and method for the production thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018123931.9 2018-09-27
DE102018123931.9A DE102018123931A1 (de) 2018-09-27 2018-09-27 Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit Saphirträger und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020064892A1 true WO2020064892A1 (de) 2020-04-02

Family

ID=68109293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2019/075955 WO2020064892A1 (de) 2018-09-27 2019-09-25 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit saphirträger und dessen herstellungsverfahren

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210343902A1 (de)
DE (1) DE102018123931A1 (de)
WO (1) WO2020064892A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11990559B2 (en) * 2019-11-12 2024-05-21 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method of manufacturing micro-light emitting diode-based display and micro-light emitting diode-based display

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130032838A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
EP2579338A1 (de) * 2010-05-31 2013-04-10 Nichia Corporation Lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren dafür
US20150255675A1 (en) * 2012-08-02 2015-09-10 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device
US20160013361A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
DE102016114250A1 (de) * 2016-08-02 2018-02-08 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren zur Herstellung eines mit einem Halbleitermaterial beschichteten Saphirsubstrats, nach dem Verfahren erhältliches beschichtetes Saphirsubstrat sowie Leuchtdiode mit einem solchen Substrat
DE102017100997A1 (de) * 2017-01-19 2018-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterlasers

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1115163A4 (de) * 1998-09-10 2001-12-05 Rohm Co Ltd Halbleiter lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren
US6445007B1 (en) * 2001-03-19 2002-09-03 Uni Light Technology Inc. Light emitting diodes with spreading and improving light emitting area
TW541710B (en) * 2001-06-27 2003-07-11 Epistar Corp LED having transparent substrate and the manufacturing method thereof
WO2005081319A1 (de) * 2004-02-20 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement, vorrichtung mit einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
US8729580B2 (en) * 2005-12-06 2014-05-20 Toshiba Techno Center, Inc. Light emitter with metal-oxide coating
US8207547B2 (en) * 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
DE102009056386B4 (de) * 2009-11-30 2024-06-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR100986560B1 (ko) * 2010-02-11 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
DE102011114641B4 (de) * 2011-09-30 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US20140225062A1 (en) * 2011-10-05 2014-08-14 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element
JP6387780B2 (ja) * 2013-10-28 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2579338A1 (de) * 2010-05-31 2013-04-10 Nichia Corporation Lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren dafür
US20130032838A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US20150255675A1 (en) * 2012-08-02 2015-09-10 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device
US20160013361A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
DE102016114250A1 (de) * 2016-08-02 2018-02-08 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren zur Herstellung eines mit einem Halbleitermaterial beschichteten Saphirsubstrats, nach dem Verfahren erhältliches beschichtetes Saphirsubstrat sowie Leuchtdiode mit einem solchen Substrat
DE102017100997A1 (de) * 2017-01-19 2018-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterlasers

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018123931A1 (de) 2020-04-02
US20210343902A1 (en) 2021-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012109460B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
WO2014048988A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112006001919T5 (de) Blaue LED mit aufgerauter Oberflächenschicht mit hohem Brechungsindex für eine hohe Lichtauskopplung
WO2020099574A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit ersten verbindungsbereichen und optoelektronische vorrichtung
DE112018001450B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10147886B4 (de) Lumineszenzdiode mit vergrabenem Kontakt und Herstellungsverfahren
WO2020064892A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit saphirträger und dessen herstellungsverfahren
DE102018119688B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem ersten Kontaktelement, welches einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP2304816B1 (de) Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung
WO2020035413A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem trägerelement, welches ein elektrisch leitendes material umfasst
WO2020239749A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102019100799A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem schichtstapel mit anisotroper leitfähigkeit und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2020165029A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2020127435A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und dessen herstellungsverfahren
DE102018131411A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE112019003567B4 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer silberhaltigen stromaufweitungsstruktur und optoelektronische vorrichtung
DE102018111954B4 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit isolierendem substrat und halbleiterbauelement mit isolierendem substrat und optoelektronische vorrichtung dieses umfassend
DE102018122166A1 (de) Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einem trägerelement und einem elektrischen kontaktelement, optoelektronisches bauelement sowie verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
WO2020053346A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten metallschicht sowie verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112022003396T5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, anordnung von optoelektronischen halbleiterbauelementen und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2020200881A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischer schicht und transparenter leitfähiger schicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2022074246A1 (de) Optoelektronische vorrichtung mit einer kontaktschicht und einer darüber angeordneten aufrauschicht sowie herstellungsverfahren
DE102020215562A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements, verfahren zur herstellung elektrischer kontakte und optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2020064947A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit dielektrischer spiegelschicht und dessen herstellungsverfahren
WO2024100149A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19780194

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19780194

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1