WO2020035373A1 - Optoelektronisches halbleiterbauteil und blitzlicht - Google Patents

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WO2020035373A1
WO2020035373A1 PCT/EP2019/071246 EP2019071246W WO2020035373A1 WO 2020035373 A1 WO2020035373 A1 WO 2020035373A1 EP 2019071246 W EP2019071246 W EP 2019071246W WO 2020035373 A1 WO2020035373 A1 WO 2020035373A1
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light
semiconductor
chips
carrier
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Klaus Flock
Michael Schumann
Moritz Laubscher
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Osram Oled Gmbh
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    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • An optoelectronic semiconductor component is specified.
  • a flash is also indicated.
  • One task to be solved is to specify an optoelectronic semiconductor component with which efficient and
  • adjustable light of a certain spectral composition can be emitted.
  • the semiconductor component described here comprises in particular six semiconductor chips that emit in five different colors.
  • the semiconductor chips are preferably located close to one another, so that no separate optical component is required to mix the light from the semiconductor chips.
  • Such a semiconductor device can be used in a flash, with a color composition of the flash
  • Ambient lighting conditions is customizable.
  • this comprises
  • the carrier is in particular a printed circuit board such as a printed circuit board or a metal core board.
  • a ceramic substrate or a semiconductor substrate can also be used for the carrier.
  • the carrier comprises electrical connection surfaces, preferably on one
  • the electrical connection surfaces are, for example, for solder assembly or for electrical
  • Bond wire contact is designed.
  • this comprises
  • the semiconductor chips are located close to each other when viewed from the top of the carrier. Close
  • a distance between adjacent semiconductor chips is at most 200 ⁇ m or 100 ⁇ m or 80 ⁇ m or 50 ⁇ m.
  • the distance between the adjacent semiconductor chips is at most 20% or 15% or 10% or 5% of an average one Edge length of the semiconductor chips, seen in plan view of the top of the carrier.
  • this includes
  • At least four semiconductor chips are set up to emit light of different colors.
  • Semiconductor chips seen in plan view of the top of the carrier is at most 100 ym.
  • the semiconductor component it is possible in particular to adapt a flash to the ambient light conditions, so that a relatively error-free reproduction of all colors occurring in a scene is guaranteed. It is also possible to use the semiconductor component to flash a flash
  • Phosphors are preferably used for the colors red, green, yellow-orange and optionally cyan in order to obtain these colors preferably from blue light.
  • the carrier is preferably a circuit board on which six semiconductor chips can be placed.
  • the distance between the individual semiconductor chips is in particular 100 ⁇ m or less.
  • the semiconductor chips are therefore packed relatively densely.
  • the semiconductor chips are preferably unhoused semiconductor chips such as LED chips.
  • Housing semiconductor chips usually have a white potting body, which is made, for example, of a silicone to which titanium dioxide particles have been added.
  • a white potting body which is made, for example, of a silicone to which titanium dioxide particles have been added.
  • a potting body In order to have sufficient reflectivity, such a potting body must be due to the comparatively large penetration depth of
  • visible light typically has a wall thickness of at least
  • a total distance between the semiconductor chips is conventionally at least 0.5 mm, which is approximately 50% of an edge length of the semiconductor chips
  • the semiconductor chips described here preferably have a Lambertian radiation characteristic and are arranged close to one another, there is no separate one
  • semiconductor chips can be installed on the carrier, which have electrical plated-through holes through an active zone and whose main radiation side can thus be free of electrical contact surfaces. Protection against damage by means of ESD protection diodes
  • Temperature sensors such as NTCs can be used to measure the temperatures of the wearer at one or at different points. There is the
  • At least one of the semiconductor chips is used to generate blue light
  • a color location of the blue light generated is in the CIE standard color chart preferred for the CIE x coordinates and CIE y coordinates of 0.159; 0.024, preferably with a tolerance of at most 0.005 units or 0.003 units or 0.001 units.
  • At least one of the semiconductor chips is set up to generate cyan-colored light. Exactly one is preferred
  • the cyan-colored light can be generated directly from a semiconductor layer sequence or with the aid of a phosphor.
  • the color location of the cyan-colored light in the CIE standard color chart is in particular at the coordinates 0.079; 0.453, for example with a tolerance of at most 0.005 units or 0.003 units or 0.001 units.
  • At least one of the semiconductor chips is used to generate green light
  • the color location of the green light in the CIE standard color chart is preferably at the coordinates 0.286; 0.574, preferably with a tolerance of at most 0.005 units or 0.003 units or 0.001 units.
  • At least one of the semiconductor chips is set up to generate yellow-orange light.
  • the yellow-orange light preferably indicates that in the CIE standard color chart
  • a color locus of the red light in the CIE standard color chart is in particular at the coordinates 0.680; 0.316, for example with a tolerance of at most 0.005 units or 0.003 units or 0.001 units.
  • the green, yellow, orange and red light are each generated by at least one phosphor.
  • a primary radiation such as blue light is preferably completely or almost completely converted into the light of the desired color.
  • the primary light sources for the semiconductor chips for green, yellow-orange and red light can be identical to the semiconductor chip for blue light.
  • the cyan-colored light can either be generated via full conversion from blue light using at least one phosphor or directly from a semiconductor layer sequence
  • the phosphors are selected in particular from the following group: Eu 2+ -doped nitrides such as (Ca, Sr) AISZN3: Eu 2+ ,
  • quantum dots can also be used as quantum dots.
  • Quantum dots in the form of nanocrystalline materials which contain a group II-VI compound and / or a group III-V compound and / or a group IV-VI compound and / or metal nanocrystals are preferred here. Furthermore, the
  • Fluorescent have a quantum well structure
  • the white light is then composed, for example, of blue primary radiation and yellow light from the phosphor, which is, for example, YAG: Ce.
  • the blue light has an intensity maximum of between 445 nm and 455 nm, in particular at 450 nm.
  • the same values can apply to a dominant wavelength of the blue light.
  • a half-width of the spectrum of the blue light is at least 15 nm and / or at most 40 nm.
  • Intensity maximum between 500 nm and 512 nm.
  • the same values can apply to a dominant wavelength of the cyan light.
  • a half-width of the emission spectrum of the cyan-colored light is alternatively or additionally at least 15 nm and / or at most 40 nm.
  • Emission spectrum of the green light an intensity maximum between 520 nm and 535 nm inclusive, in particular between 528 nm and 532 nm inclusive. The same values can apply for a dominant wavelength.
  • a half-value width of the emission spectrum of green light is at least 35 nm and / or at most 90 nm.
  • the half-width of this emission spectrum is preferably at least 50 nm and / or at most 100 nm.
  • Emission spectrum of the red light has an intensity maximum between 625 nm and 650 nm, in particular between 635 nm and 642 nm. The same can apply to a dominant wavelength.
  • a half-width of the emission spectrum of the red light is preferably at least 50 nm and / or at most 100 nm.
  • the intensity maxima are preferably absolute maxima.
  • the emission spectra can each be free of secondary maxima.
  • the red, the yellow-orange and / or the green light can be transmitted directly via semiconductor chips and their semiconductor layer sequence without the aid of
  • Phosphors are generated. With an immediate
  • the emission spectrum only has a comparatively small spectral width.
  • Semiconductor chips arranged in one, two or more rows on the top of the carrier.
  • Each of the rows preferably has the same number of semiconductor chips, in particular each an odd number of semiconductor chips.
  • Semiconductor chips are arranged as point-symmetrically as possible with regard to their emission properties, seen in a top view of the carrier top.
  • the red-emitting semiconductor chips are located at opposite corners of the arrangement of semiconductor chips. The same applies preferably to the cyan and blue light
  • the green and yellow-orange emitting semiconductor chips can be arranged centrally in the rows, wherein one of the rows can have the green-emitting semiconductor chip and another of the rows the orange-yellow-emitting semiconductor chip.
  • Semiconductor chips or groups of semiconductor chips for a specific color can be controlled electrically individually and independently of one another.
  • the intensities of the light of the different colors can thus be freely set relative to one another.
  • the semiconductor chips can be operated either simultaneously, partially simultaneously, partially sequentially or entirely sequentially. Sequential means one after the other in time, but no temporal
  • Radiation characteristic means in particular that the aforementioned relationship applies with a tolerance of at most 0.05 lg or at most 0.02 lg.
  • a number of external electrical contact areas on the carrier for external electrical connection can thus be reduced.
  • Semiconductor chips or the groups of semiconductor chips of a specific color each via their own anode connection and via their own cathode connection. This allows the intensities of the semiconductor chips to be matched particularly quickly relative to one another.
  • a thin-walled optical shield is provided directly on the semiconductor chips, for example from a metal.
  • Such a shield usually has a thickness of at most 100 ⁇ m or 75 ⁇ m or 5 ⁇ m or 1 ⁇ m or 0.3 ⁇ m and thus contributes to a distance between light-emitting regions
  • a separation between the semiconductor chips in the context of their manufacture takes place, for example, by means of saws.
  • the laser can be separated.
  • each is a member of a same in at least one embodiment.
  • Semiconductor chips or any group of semiconductor chips of a certain color provide a protective diode against damage
  • ESD ElectroStatic Discharge
  • the protective diodes are in each case attached close to the chip.
  • Chip-close means in particular that a distance between the semiconductor chip in question and the associated protective diode is at most the middle one
  • Edge length of the semiconductor chip in question is seen in plan view of the carrier top.
  • Semiconductor chips or all semiconductor chips each have one or more vias through an active zone. There are preferably many such plated-through holes per semiconductor chip.
  • the plated-through holes extend from a p-conducting side through the active zone to an n-conducting side
  • the vias can end within the n-type side, so that a
  • the radiation exit side of the semiconductor layer sequences can in each case be formed continuously by semiconductor material.
  • a flash is also indicated.
  • the flash light comprises at least one semiconductor component, as described in connection with one or more of the above-mentioned embodiments. Features of the flash are therefore also disclosed for the semiconductor device and vice versa.
  • the flash light comprises a semiconductor component and a control unit.
  • Control unit is set up to energize the semiconductor chips in a pulsed manner.
  • a pulse duration or a duration of a pulse train for energizing the semiconductor chips is, for example, at least 20 ys or 1 ms or 10 ms and / or at most 0.5 seconds or 200 ms or 80 ms.
  • control unit is set up to provide each of the semiconductor chips with a
  • the semiconductor chips as optical element are merely imaging optics
  • subordinate preferably exactly one imaging optics.
  • Imaging optics are preferably subordinate to all semiconductor chips together.
  • the imaging optics are
  • a lens such as a converging lens or a Fresnel lens. This allows the flash light to be free of one
  • Diffuser plate can be used or a light-in-the-box arrangement, in particular a diffuse
  • the imaging optics are preferably an optically imaging element. Such optical elements preferably have a low overall height. It can be used to implement flat smartphones or tablets. For example, the overall height of the imaging optics is at most 3 mm or 2 mm or 1.5 mm or 1 mm. A distance between the
  • Semiconductor chips and the imaging optics are, for example, at least 0.2 mm or 0.5 mm and / or at most 2 mm or 1 mm.
  • An optoelectronic semiconductor component described here and a flash light described here are explained in more detail below with reference to the drawing using exemplary embodiments.
  • the same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no true-to-scale references shown here; rather, individual elements can be exaggerated for better understanding.
  • Figures 1 to 3 are schematic plan views
  • Figures 4 to 10 are schematic representations of spectral
  • Figure 11 is a schematic sectional view of a
  • Figure 12 is a schematic sectional view of a
  • Figure 1 is an embodiment of a
  • Semiconductor component 1 comprises a carrier 2 with a
  • Carrier top side 20 The carrier 2 is for example around a printed circuit board
  • the top side 20 of the carrier can be planar. Seen in plan view, the carrier top 20 has, for example, a square, rectangular or else a polygonal or hexagonal base area.
  • a plurality of electrical connection areas 22 are located on the top side 20 of the carrier.
  • a plurality of semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 are applied to the top side 20 of the carrier, essentially congruently. Electrical contact surfaces of the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 preferably face the carrier 2. Radiation main sides of the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 facing away from the carrier 2 can thus be free of electrical connection points.
  • electrical conductor tracks 23 lead from the
  • connection points 22 and thus away from the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 Deviating from the illustration in FIG. 1, it is possible for there to be electrical plated-through holes under the connection areas 22 and thus under the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35, so that the semiconductor chips come from an underside of the carrier 2, not shown
  • the carrier 2 can be designed as a so-called submount or as an intermediate carrier.
  • the semiconductor component 1 comprises five semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 or groups of semiconductor chips that emit in different colors.
  • a semiconductor chip 31 is thus present, in which blue light is generated directly from a semiconductor layer sequence.
  • Another semiconductor chip 32 is preferably cyan-colored directly from a semiconductor layer sequence or also from a phosphor Generates light. For example, one is located in the center of the two rows of semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35
  • Semiconductor chip 33 for generating green light and a semiconductor chip 34 for generating yellow-orange light There are two in opposite corners
  • Semiconductor chips 35 for generating red light These two semiconductor chips 35 can be combined as a group for red light.
  • the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 are sealed
  • a distance between adjacent semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 is significantly smaller than an average edge length of the semiconductor chips. Seen in plan view, all semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 could be the same size or approximately the same size.
  • the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 each have an edge length of 1 mm.
  • the distance between the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 is at most 0.1 mm.
  • a distance between the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 is formed, for example, by an air-filled gap.
  • FIG. Another embodiment is shown in FIG.
  • the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 are relative
  • the protective diodes 5 connect the conductor tracks 23 to one another for the respective electrical contacting of the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35.
  • a distance between the protective diodes 5 and the associated semiconductor chip 31 32, 33, 34, 35 is approximately 50% of an edge length of the semiconductor chip in question.
  • the semiconductor chips 31, 33, 34, 35 are designed as illustrated in FIG. 1. That is, these semiconductor chips 31,
  • Semiconductor chip 32 is an electrical
  • Connection point on a side facing away from the carrier 2, for example a chip carrier or one
  • the semiconductor chip 32 on the carrier top 20 can be designed like the semiconductor chips 31, 33, 34, 35 and can thus be by means of an electrical bridge 26
  • the carrier 2 and its connection surfaces 22 and electrical lines 23 are preferably designed such that the
  • 32, 33, 34, 35 have a common cathode or a common anode.
  • 33, 34, 35 are each assigned two external electrical contact surfaces 24 of the carrier 2.
  • One of the two associated contact areas 24 has one for each semiconductor chip
  • electrical conductor track 23 which leads to an electrical intermediate island 25.
  • electrical intermediate island 25 there is an electrical intermediate island 25 in each case in the electrical conduction path between the relevant semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 and the associated contact surface 24.
  • the intermediate islands 25 can be connected to one another, for example, via the bond wires 27, preferably adjacent intermediate islands 25 being connected to one another via a plurality of the bond wires.
  • a common cathode or a common anode can thus be provided for all semiconductor chips if the bond wires 27 are present between the intermediate islands 25. If the bonding wires 27 between the intermediate islands 25 are omitted, each of the semiconductor chips 31, 32, 33,
  • One or more temperature sensors 55 are preferably also provided on the carrier 2.
  • the at least one temperature sensor 55 is, for example, an NTC, that is to say a semiconductor resistor with a negative temperature coefficient.
  • NTC an NTC
  • Temperature sensor 55 makes it possible to determine temperature dependencies of phosphors of the semiconductor chips 32, 33, 34, 35 or a semiconductor layer sequence of the semiconductor chips 31, 32,
  • Bond wires exist between the intermediate islands 25, so that each of the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 has its own Anode and has its own cathode. Otherwise, the statements relating to FIGS. 1 and 2 apply accordingly.
  • An intensity I in W / nm is an example in FIG.
  • FIG. 4 shows in particular the spectral beam power per color of the semiconductor chips at an operating current of 1 A. It is possible that a spectral half-value width of the
  • Intensity of the emission spectra preferably increases towards smaller wavelengths.
  • the blue light as emitted by the semiconductor chip 31, preferably has a wavelength of maximum intensity around 450 nm.
  • a spectral half-width is around 20 nm.
  • colored light preferably comes directly from one
  • the spectrum is around 500 nm with a spectral half-width around 30 nm.
  • the spectra of the semiconductor chips 33, 34, 35 are preferably each generated by means of full conversion using a phosphor.
  • the intensity maximum of the spectrum of the semiconductor chip 33 for green light is approximately 527 nm with a
  • Semiconductor chips 34 is approximately 605 nm with a spectral half-width of approximately 90 nm.
  • the spectrum for the red light of the semiconductor chip 35 has one Intensity maximum at about 640 nm with one
  • the phosphors for the semiconductor chips 33, 34, 35 are preferably operated in full conversion, so that the
  • Semiconductor chips 33, 34, 35 have as primary radiation, in particular the spectrum of the semiconductor chip 31 and can therefore comprise an LED chip that is identical to the semiconductor chip 31.
  • the spectra in the red and orange-yellow spectral range are preferably free of blue light. A small residual portion of blue light may still be present in the emission spectrum for the green-emitting semiconductor chip 33, which, however, does not influence the spectral properties of the green light or does not influence it significantly.
  • FIG. 5 shows the CIE standard color chart from 1931 in an xy representation. Examples of color locations of the emission spectra of the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 are entered. Several examples are given for green, as well as for cyan-colored light. For cyan colored light, there are examples with fluorescent, abbreviated with P, and an example without
  • the color locations entered preferably apply with a
  • the color locations for the semiconductor chips 32, 33 for cyan-colored light and for green light can be provided with a greater tolerance, for example with a tolerance of
  • Semiconductor chip 35 shows a dependency of the intensity I on a radiation angle A. This
  • FIG. 11 shows an example of the structure of the semiconductor chips
  • the vias 38 end in the second semiconductor region 37.
  • the respective electrical contacts are to connection points on an underside of the semiconductor chips 33,
  • the second semiconductor region 37 can optionally be roughened to improve an
  • a phosphor 4 is attached to the semiconductor layer sequence 3. A thickness of the phosphor 4 lies
  • the phosphor 4 can be a ceramic phosphor or also by
  • Phosphor particles can be formed, which are embedded in a matrix material such as a silicone. Preferably covers the Phosphor 4 completely the semiconductor layer sequence 3 with a constant layer thickness.
  • the semiconductor chip prefferably be an optical one
  • Insulation 8 has.
  • the optical isolation 8 is
  • a thickness of the optional optical insulation 8 is preferably included
  • the semiconductor chips 31, 32 for generating blue light and cyan-colored light there is preferably no phosphor. Otherwise, the semiconductor chips 31, 32 can be the semiconductor chips 33, 34, 35 illustrated in FIG. 7
  • the semiconductor chips 31, 33, 34, 35 and optionally 32 are designed as described in the publication WO 2008/131743 A1, FIG. 1B.
  • the semiconductor chip 32 is optionally designed as described in US 2011/0049555 A1, FIG. 1.
  • a flash 10 is shown in FIG.
  • the flash light 10 comprises a semiconductor component 1, as in connection with the Figures 1 to 7 explained. Furthermore, a control unit 6 for pulsed operation of the semiconductor chips 31, 32, 33, 34, 35 can be attached to the carrier 2.
  • the control unit 6 can already be an integral part of the
  • Semiconductor component 1 be.
  • the semiconductor chips together are preferably one
  • the imaging optics 7 are integrated in a housing 9, for example.
  • the separate housing 9 is optional.

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Abstract

In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) mit elektrischen Anschlussflächen (22) an einer Trägeroberseite (20). Fünf in verschiedenen Farben emittierende Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) oder Gruppen sind dazu eingerichtet, Licht voneinander verschiedener Farben zu emittieren. Die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) sind nah beieinander auf den Anschlussflächen (22) angebracht, sodass ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen höchstens 100 Mikrometer beträgt.

Description

OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND BLITZLICHT
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Blitzlicht angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, mit dem effizient und
einstellbar Licht einer bestimmten spektralen Zusammensetzung emittiert werden kann.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Halbleiterbauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte
Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen Ansprüche.
Das hier beschriebene Halbleiterbauteil umfasst insbesondere sechs Halbleiterchips, die in fünf verschiedenen Farben emittieren. Die Halbleiterchips befinden sich bevorzugt dicht nebeneinander, sodass keine separate optische Komponente zum Durchmischen des Lichts der Halbleiterchips nötig ist. Ein solches Halbleiterbauteil kann in einem Blitzlicht verwendet werden, wobei eine Farbzusammensetzung des Blitzes an
Umgebungslichtbedingungen anpassbar ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
Halbleiterbauteil einen Träger. Bei dem Träger handelt es sich insbesondere um eine Leiterplatte wie eine gedruckte Leiterplatte oder wie eine Metallkernplatine. Ebenso kann für den Träger ein Keramiksubstrat oder ein Halbleitersubstrat verwendet werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Träger elektrische Anschlussflächen, bevorzugt an einer
Trägeroberseite. Die elektrischen Anschlussflächen sind zum Beispiel für eine Lötmontage oder für ein elektrisch
leitfähiges Kleben eingerichtet. Weiterhin ist es möglich, dass ein Teil der Anschlussflächen für eine
Bonddrahtkontaktierung gestaltet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
Halbleiterbauteil mehrere Halbleiterchips, bevorzugt
mindestens vier verschiedene Arten von Halbleiterchips oder mindestens fünf verschiedene Arten von Halbleiterchips, die dazu eingerichtet sind, Licht voneinander verschiedener
Farben zu emittieren. Damit werden bevorzugt von den
Halbleiterchips mindestens vier oder mindestens fünf
verschiedene Farben emittiert, bevorzugt genau fünf
verschiedene Farben. Es ist möglich, dass pro Farbe nur ein Halbleiterchip vorliegt. Alternativ können für eine Farbe oder für mehrere Farben mehrere Halbleiterchips vorgesehen sein. Halbleiterchips zur Emission der gleichen Farbe können in einer Gruppe zusammengefasst sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Halbleiterchips auf den Anschlussflächen angebracht,
beispielsweise mittels Löten oder elektrisch leitfähigem Kleben. Dabei befinden sich die Halbleiterchips in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen nah beieinander. Nah
beieinander bedeutet insbesondere, dass ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips höchstens 200 ym oder 100 ym oder 80 ym oder 50 ym beträgt. Alternativ oder zusätzlich beträgt der Abstand zwischen den benachbarten Halbleiterchips höchstens 20 % oder 15 % oder 10 % oder 5 % einer mittleren Kantenlänge der Halbleiterchips, gesehen in Draufsicht auf die Trägeroberseite.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Halbleiterbauteil einen Träger mit
elektrischen Anschlussflächen an einer Trägeroberseite.
Mindestens vier Halbleiterchips sind dazu eingerichtet, Licht voneinander verschiedener Farben zu emittieren. Die
Halbleiterchips sind nah beieinander auf den Anschlussflächen angebracht, sodass ein Abstand zwischen benachbarten
Halbleiterchips in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen höchstens 100 ym beträgt.
Blitzlichtanwendungen profitieren von einer möglichst exakten Nachbildung der Umgebungsbeleuchtung. Mit dem hier
beschriebenen Halbleiterbauteil ist es möglich, insbesondere ein Blitzlicht an die Umgebungslichtbedingungen anzupassen, sodass eine relativ fehlerfreie Reproduktion aller in einer Szene auftretenden Farben gewährleistet ist. Weiterhin ist es möglich, mit dem Halbleiterbauteil ein Blitzlicht zu
realisieren, bei dem eine farbliche Modulation einer Szene möglich ist.
Bei dem hier beschriebenen Halbleiterbauteil ist es
insbesondere möglich, auf herkömmliche Halbleiterchips und Leuchtstoffe zurückzugreifen, um die gewünschte
Farbortanpassung des Blitzlichts und des Halbleiterbauteils effizient zu erreichen. Dabei werden bevorzugt Leuchtstoffe für die Farben rot, grün, gelb-orange und optional cyan eingesetzt, um bevorzugt aus blauem Licht diese Farben zu erhalten . Bei dem Träger handelt es sich bevorzugt um eine Platine, auf der sechs Halbleiterchips platziert werden können. Der
Abstand der einzelnen Halbleiterchips liegt insbesondere bei 100 ym oder weniger. Die Halbleiterchips sind damit relativ dicht gepackt. Bei den Halbleiterchips handelt es sich bevorzugt um ungehauste Halbleiterchips wie LED-Chips .
Gehauste Halbleiterchips weisen üblicherweise einen weißen Vergusskörper auf, der beispielsweise aus einem Silikon ist, dem Titandioxidpartikel beigegeben sind. Um eine hinreichende Reflektivität aufzuweisen, muss ein solcher Vergusskörper aufgrund der vergleichsweise großen Eindringtiefe von
sichtbarem Licht eine Wandstärke von typisch mindestens
200 ym aufweisen.
Mit solchen Halbleiterchips lassen sich damit minimale
Abstände im Bereich von 400 ym realisieren, zuzüglich zu einem Spalt zwischen den Bauteilen, um diese montieren zu können. Somit liegt herkömmlicherweise ein Gesamtabstand zwischen den Halbleiterchips bei mindestens 0,5 mm, was ungefähr 50 % einer Kantenlänge der Halbleiterchips
entspricht. Bei einem solchen vergleichsweise großen Abstand sind zusätzliche Optiken nötig, um eine hinreichende
Lichtdurchmischung zu erzielen. Weiterhin können derartige Anordnungen von Halbleiterchips in mobilen Geräten wie
Smartphones oder Tablets aufgrund der kritischen
Platzanforderungen nur bedingt verwendet werden.
Da die hier beschriebenen Halbleiterchips bevorzugt eine Lambertsche Abstrahlcharakteristik aufweisen und dicht nebeneinander angeordnet sind, ist keine separate
Durchmischungsoptik erforderlich. Weiterhin ist eine kompakte Bauform realisierbar. Mit dem hier beschriebenen Träger ist beispielsweise eine sequentielle Ansteuerung aller Halbleiterchips möglich, insbesondere für eine sogenannte additive Beleuchtung.
Weiterhin können alle Halbleiterchips zur gleichen Zeit, mit Ausnahme der Halbleiterchips für eine bestimmte Farbe, betrieben werden, um eine subtraktive Beleuchtung zu
erhalten. Außerdem ist es möglich, zur gleichen Zeit eine bestimmte beliebige Auswahl und Anzahl von Halbleiterchips zu betreiben. Ferner können alle Halbleiterchips zur gleichen Zeit angesteuert werden.
Auf den Träger können insbesondere Halbleiterchips verbaut werden, die elektrische Durchkontaktierungen durch eine aktive Zone aufweisen und deren Strahlungshauptseite damit frei von elektrischen Kontaktflächen sei kann. Über ESD- Schutzdioden ist ein Schutz gegen Schäden durch
elektrostatische Entladungen möglich. Über Temperatursensoren wie NTCs lassen sich die Temperaturen des Trägers an einer oder an verschiedenen Stellen messen. Es besteht die
Möglichkeit, alle Halbleiterchips mit einer gemeinsamen
Kathode oder Anode zu betreiben oder auch die Halbleiterchips mit individuell ansteuerbaren Kathoden und Anoden zu
versehen. Es können kombiniert Halbleiterchips mit und ohne Leuchtstoff platziert, kontaktiert sowie betrieben werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens einer der Halbleiterchips zur Erzeugung von blauem Licht
eingerichtet. Bevorzugt liegt genau ein Halbleiterchip zur Erzeugung von blauem Licht vor. Das blaue Licht wird
bevorzugt unmittelbar in einer Halbleiterschichtenfolge erzeugt und direkt emittiert. Das heißt, für das blaue Licht wird bevorzugt kein Leuchtstoff verwendet. Ein Farbort des erzeugten blauen Lichts liegt in der CIE-Normfarbtafel bevorzugt bei den CIE-x-Koordinaten und CIE-y-Koordinaten von 0,159; 0,024, bevorzugt mit einer Toleranz von jeweils höchstens 0,005 Einheiten oder 0,003 Einheiten oder 0,001 Einheiten .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens einer der Halbleiterchips zur Erzeugung von cyan-farbigem Licht eingerichtet. Bevorzugt liegt genau ein solcher
Halbleiterchip vor. Das cyan-farbige Licht kann unmittelbar aus einer Halbleiterschichtenfolge heraus erzeugt werden oder auch mit Hilfe eines Leuchtstoffs. Der Farbort des cyan farbigen Lichts in der CIE-Normfarbtafel liegt insbesondere bei den Koordinaten 0,079; 0,453, zum Beispiel mit einer Toleranz von höchstens 0,005 Einheiten oder 0,003 Einheiten oder 0,001 Einheiten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens einer der Halbleiterchips zur Erzeugung von grünem Licht
eingerichtet. Insbesondere liegt genau ein Halbleiterchip zur Erzeugung von grünen Licht vor. Der Farbort des grünen Lichts liegt in der CIE-Normfarbtafel bevorzugt bei den Koordinaten 0,286; 0,574, bevorzugt mit einer Toleranz von höchstens 0,005 Einheiten oder 0,003 Einheiten oder 0,001 Einheiten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens einer der Halbleiterchips zur Erzeugung von gelb-orangem Licht eingerichtet ist. Insbesondere liegt genau ein Halbleiterchip zur Erzeugung von gelb-orangen Licht vor. Das gelb-orange Licht weist in der CIE-Normfarbtafel bevorzugt die
Koordinaten 0,543; 0,429 auf, insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 0,005 Einheiten oder 0,003 Einheiten oder 0,001 Einheiten . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Halbleiterbauteil mindestens einen Halbleiterchip zur
Erzeugung von rotem Licht auf. Bevorzugt liegen genau ein oder genau zwei Halbleiterchips für rotes Licht vor. Ein Farbort des roten Lichts in der CIE-Normfarbtafel liegt insbesondere bei den Koordinaten 0,680; 0,316, beispielsweise mit einer Toleranz von höchstens 0,005 Einheiten oder 0,003 Einheiten oder 0,001 Einheiten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das grüne, gelb orange und rote Licht je durch mindestens einen Leuchtstoff erzeugt. Dabei wird eine Primärstrahlung wie blaues Licht bevorzugt vollständig oder nahezu vollständig in das Licht der gewünschten Farbe umgewandelt. Das heißt, das grüne, gelb-orange und rote Licht wird bevorzugt über Vollkonversion aus blauem Licht erzeugt. Die Primärlichtquellen für die Halbleiterchips für grünes, gelb-oranges und rotes Licht können baugleich sein zu dem Halbleiterchip für blaues Licht. Das cyan-farbige Licht kann entweder über Vollkonversion aus blauem Licht mittels zumindest eines Leuchtstoffs erzeugt oder direkt aus einer Halbleiterschichtenfolge heraus
emittiert werden.
Die Halbleiterschichtenfolge der Halbleiterchips zur
Erzeugung des blauen und/oder cyan-farbigen Licht basiert insbesondere auf dem Materialsystem AlInGaN.
Die Leuchtstoffe sind insbesondere aus der folgenden Gruppe ausgewählt: Eu2+-dotierte Nitride wie (Ca, Sr) AISZN3 : Eu2+,
Sr (Ca, Sr) Si2Al2N6 : Eu2+, (Sr, Ca) AlSiN3*Si2N20:Eu2+,
(Ca, Ba, Sr) 2Si5Ng : EU2 +, ( Sr, Ca) [LZAI3N4 ] : Eu2 + ; Granate aus dem allgemeinen System (Gd, Lu, Tb, Y) 3 (Al , Ga, D) 5 (0, X) 22 : RE mit X = Halogenid, N oder zweiwertiges Element, D = dreiwertiges oder vierwertiges Element und RE = Seltenerdmetalle wie
otierte
Figure imgf000010_0003
m System
Si6-xAlzOyN8-y:REz mit RE = Seltenerdmetalle; Nitrido- Orthosilikate wie AE2-x-aRExEuaSi04_xNx oder
AE2-x-aRExEuaSi]__y04_x_2yNx mit RE = Seltenerdmetall und AE = Erdalkalimetall oder wie (Ba, Sr, Ca, Mg) 2Si04 : Eu^+ ; Chlorosilikate wie CagMg ( Si04 ) 4CI2 : Eu^+ ; Chlorophosphate wie
Figure imgf000010_0001
BAM-Leuchtstoffe aus dem BaO- MgO-Al203-System wie BaMgAl]-QO]_7 :Eu2+ ; Halophosphate wie M5 (P04) 3 (CI, F) : (Eu2 + , Sb2 + ,Mn2 + ) ; SCAP-LeuchtStoffe wie
( Sr, Ba, Ca) 5 ( PO4 ) 3CI : Eu2+ ; KSF-Leuchtstoffe insbesondere basierend auf Kalium, Silizium und Fluor wie
Figure imgf000010_0002
Außerdem können auch sogenannte Quantenpunkte als
Konvertermaterial eingebracht werden. Quantenpunkte in der Form nanokristalliner Materialien, welche eine Gruppe II-VI- Verbindung und/oder eine Gruppe III-V-Verbindungen und/oder eine Gruppe IV-VI-Verbindung und/oder Metall-Nanokristalle beinhalten, sind hierbei bevorzugt. Ferner kann der
Leuchtstoff eine QuantentopfStruktur aufweisen und
epitaktisch gewachsen sein.
Bevorzugt werden als Leuchtstoffe verwendet:
- optional für cyan-farbiges Licht ( Sr, Ba) Si202N2 : Eu,
- für grünes Licht NOS:Eu, LuYAG:Ce oder YAG: Ce,
- für gelb-oranges Licht ( Sr, Ca) AlSiN : Eu gemischt mit YAG:Ce, und/oder
für rotes Licht ( Sr, Ca) AlSiN : Eu, insbesondere CaAlSiN:Eu. Optional ist ein Halbleiterchip zur Erzeugung von weißem Licht vorhanden. Das weiße Licht setzt sich dann zum Beispiel zusammen aus blauer Primärstrahlung und gelbem Licht vom Leuchtstoff, der zum Beispiel YAG:Ce ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das blaue Licht ein Intensitätsmaximum zwischen einschließlich 445 nm und 455 nm auf, insbesondere bei 450 nm. Die gleichen Werte können für eine dominante Wellenlänge des blauen Lichts gelten. Alternativ oder zusätzlich liegt eine Halbwertsbreite des Spektrums des blauen Lichts bei mindestens 15 nm und/oder bei höchstens 40 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Emissionsspektrum des cyan-farbigen Lichts ein
Intensitätsmaximum zwischen einschließlich 500 nm und 512 nm auf. Die gleichen Werte können für eine dominante Wellenlänge des cyan-farbigen Lichts gelten. Eine Halbwertsbreite des Emissionsspektrums des cyan-farbigen Lichts liegt alternativ oder zusätzlich bei mindestens 15 nm und/oder bei höchstens 40 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Emissionsspektrum des grünen Lichts ein Intensitätsmaximum zwischen einschließlich 520 nm und 535 nm auf, insbesondere zwischen einschließlich 528 nm und 532 nm. Die gleichen Werte können für eine dominante Wellenlänge gelten. Alternativ oder zusätzlich liegt eine Halbwertsbreite des Emissionsspektrums des grünen Lichts bei mindestens 35 nm und/oder bei höchstens 90 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Emissionsspektrum des gelb-orangen Lichts ein Intensitätsmaximum zwischen einschließlich 595 nm und 615 nm auf, insbesondere zwischen einschließlich 600 nm und 605 nm. Gleiches kann für eine dominante Wellenlänge des
Emissionsspektrums des gelb-orangen Lichts gelten. Eine
Halbwertsbreite dieses Emissionsspektrums liegt bevorzugt bei mindestens 50 nm und/oder bei höchstens 100 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Emissionsspektrum des roten Lichts ein Intensitätsmaximum zwischen einschließlich 625 nm und 650 nm auf, insbesondere zwischen einschließlich 635 nm und 642 nm. Gleiches kann für eine dominante Wellenlänge gelten. Eine Halbwertsbreite des Emissionsspektrums des roten Lichts liegt bevorzugt bei mindestens 50 nm und/oder bei höchstens 100 nm.
Die Intensitätsmaxima sind bevorzugt absolute Maxima. Die Emissionsspektren können jeweils frei von Nebenmaxima sein.
Durch die vergleichsweise breiten Emissionsspektren für das grüne, gelb-orange und rote Licht lassen sich hohe
Farbwiedergabeindizes erreichen. Reichen bereits geringere Farbwiedergabeindizes aus, so kann das rote, das gelb-orange und/oder das grüne Licht unmittelbar über Halbleiterchips und deren Halbleiterschichtenfolge ohne Zuhilfenahme von
Leuchtstoffen erzeugt werden. Bei einer unmittelbaren
Erzeugung des gewünschten Lichts aus einer
Halbleiterschichtenfolge heraus weist das zugehörige
Emissionsspektrum jedoch nur eine vergleichsweise geringe spektrale Breite auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Halbleiterchips in einer, in zwei oder in mehr Reihen auf der Trägeroberseite angeordnet. Jede der Reihen weist bevorzugt die gleiche Anzahl von Halbleiterchips auf, insbesondere jeweils eine ungerade Anzahl von Halbleiterchips.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Halbleiterchips hinsichtlich ihrer Emissionseigenschaften möglichst punktsymmetrisch angeordnet, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen. Beispielsweise befinden sich die rot emittierenden Halbleiterchips an einander gegenüberliegenden Ecken der Anordnung von Halbleiterchips. Gleiches gilt bevorzugt für die cyan-farbig und die blaues Licht
emittierenden Halbleiterchips zusammengenommen. Die grün und gelb-orange emittierenden Halbleiterchips können mittig in den Reihen angeordnet sein, wobei eine der Reihen den grün emittierenden Halbleiterchip und eine andere der Reihen den orange-gelb emittierenden Halbleiterchip aufweisen kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Halbleiterchips oder Gruppen von Halbleiterchips für eine bestimmte Farbe elektrisch einzeln und unabhängig voneinander ansteuerbar. Damit können insbesondere die Intensitäten des Lichts der verschiedenen Farben relativ zueinander frei eingestellt werden. Die Halbleiterchips können dabei entweder gleichzeitig, zum Teil gleichzeitig, zum Teil sequentiell oder gänzlich sequentiell betrieben werden. Sequentiell bedeutet zeitlich nacheinander, wobei kein zeitlicher
Überlapp beim Betreiben vorliegen kann oder ein kleiner zeitlicher Überlapp gegeben sein kann. Insbesondere ist es möglich, die Lichtstärke der Halbleiterchips über
Impulsweitenmodulation oder über den maximalen Betriebsstrom zu steuern.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die
Halbleiterchips eine Lambertsche oder eine näherungsweise Lambertsche Abstrahlcharakteristik auf. Lambertsche
Abstrahlcharakteristik bedeutet, dass für eine Intensität I in Abhängigkeit von einem Abstrahlwinkel A gilt:
I (A) = IQ COS (A) . Näherungsweise Lambertsche
Abstrahlcharakteristik bedeutet insbesondere, dass der vorgenannte Zusammenhang mit einer Toleranz von höchstens 0,05 lg oder von höchstens 0,02 lg gilt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verfügen die
Halbleiterchips auf dem Träger über einen gemeinsamen
Anodenanschluss oder über einen gemeinsamen
Kathodenanschluss. Damit lässt sich eine Anzahl externer elektrischer Kontaktflächen an dem Träger für ein externes elektrisches Anschließen reduzieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verfügen die
Halbleiterchips oder die Gruppen von Halbleiterchips einer bestimmten Farbe je über einen eigenen Anodenanschluss und über einen eigenen Kathodenanschluss. Hierdurch lässt sich ein insbesondere schnelles Abstimmen der Intensitäten der Halbleiterchips relativ zueinander verwirklichen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Halbleiterchips durch einen gasgefüllten oder evakuierten Spalt voneinander getrennt an dem Träger angebracht. Das heißt, zwischen den Halbleiterchips befinden sich keine externen optischen Abschirmungen wie Vergussmaterialien aus einem Kunststoff und mit beigefügten Partikeln etwa aus einem reflektierenden Metalloxid oder aus einem absorbierenden Material wie Russ.
Es ist möglich, dass unmittelbar an den Halbleiterchips eine dünnwandige optische Abschirmung vorgesehen ist, beispielsweise aus einem Metall. Eine solche Abschirmung weist üblicherweise eine Dicke von höchstens 100 ym oder 75 ym oder 5 ym oder 1 ym oder 0,3 ym auf und trägt damit zu einem Abstand zwischen lichtemittierenden Bereichen der
Halbleiterchips nicht signifikant bei.
Eine Vereinzelung zwischen den Halbleiterchips im Rahmen derer Herstellung erfolgt zum Beispiel mittels Sägen.
Alternativ kann eine Vereinzelung mit einem Laser erfolgen. Bei einem Sägen liegt eine Wandstärke oder Dicke der
Abschirmung zum Beispiel um 75 ym, bei einer
Laservereinzelung deutlich darunter. Es ist auch zu beachten, dass bei Halbleiterchips mit Leuchtstoffen, die insbesondere mittels Sprühen oder mittels Schichttransfer aufgebracht werden können, eine gewisse Streuung innerhalb der
Konversionsschicht auf natürliche Weise zu einer Verringerung der effektiven Wandstärke führt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jedem der
Halbleiterchips oder jeder Gruppe von Halbleiterchips einer bestimmten Farbe eine Schutzdiode gegen Schäden vor
elektrostatischen Entladungen zugeordnet. Eine solche
Schutzdiode wird auch als ESD-Diode bezeichnet, wobei ESD für ElectroStatic Discharge steht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Schutzdioden jeweils chipnah angebracht. Chipnah bedeutet insbesondere, dass ein Abstand zwischen dem betreffenden Halbleiterchip und der zugehörigen Schutzdiode höchstens die mittlere
Kantenlänge oder höchstens ein Doppeltes der mittleren
Kantenlänge oder höchstens ein Dreifaches der mittleren
Kantenlänge des betreffenden Halbleiterchips beträgt, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen
Halbleiterschichtenfolgen zumindest eines Teils der
Halbleiterchips oder aller Halbleiterchips jeweils eine oder mehrere Durchkontaktierungen durch eine aktive Zone hindurch auf. Bevorzugt sind pro Halbleiterchip jeweils viele solcher Durchkontaktierungen vorhanden. Insbesondere erstrecken sich die Durchkontaktierungen von einer p-leitenden Seite her durch die aktive Zone bis in eine n-leitende Seite der
Halbleiterschichtenfolge. Die Durchkontaktierungen können innerhalb der n-leitenden Seite enden, sodass eine
Strahlungsaustrittsseite der Halbleiterschichtenfolgen jeweils durchgehend durch Halbleitermaterial gebildet sein kann .
Darüber hinaus wird ein Blitzlicht angegeben. Das Blitzlicht umfasst mindestens ein Halbleiterbauteil, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Blitzlichts sind daher auch für das Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Blitzlicht ein Halbleiterbauteil sowie eine Steuereinheit. Die
Steuereinheit ist dazu eingerichtet, die Halbleiterchips gepulst zu bestromen. Eine Impulsdauer oder eine Dauer eines Impulszuges der Bestromung der Halbleiterchips liegt dabei beispielsweise bei mindestens 20 ys oder 1 ms oder 10 ms und/oder bei höchstens 0,5 Sekunden oder 200 ms oder 80 ms.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Steuereinheit dazu eingerichtet, jeden der Halbleiterchips mit einem
Maximalstrom von mindestens 0,2 A oder 0,5 A oder 1,2 A zu betreiben. Alternativ oder zusätzlich liegt der
bestimmungsgemäße Maximalstrom bei höchstens 3 A oder 2 A. Da die Halbleiterbauteile als Blitzlicht bevorzugt nur
kurzzeitig betrieben werden, können kurzfristig hohe Ströme für die Halbleiterchips zur Erzeugung von Licht einer hohen Intensität bereitgestellt werden. Dies gilt insbesondere, falls die Halbleiterchips sequentiell betrieben werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist den Halbleiterchips als optisches Element lediglich eine Abbildungsoptik
nachgeordnet, bevorzugt genau eine Abbildungsoptik. Die
Abbildungsoptik ist bevorzugt allen Halbleiterchips gemeinsam nachgeordnet. Bei der Abbildungsoptik handelt es sich
insbesondere um eine Linse, wie eine Sammellinse oder eine Fresnel-Linse. Damit kann das Blitzlicht frei von einer
Lichtmischvorrichtung für das Licht voneinander verschiedener Farben der Halbleiterchips sein. Bevorzugt ist keine
Diffusorplatte oder keine Streuplatte über den
Halbleiterchips angeordnet. Optional kann jedoch eine
Diffusorplatte verwendet werden oder auch eine Light-in-the- Box-Anordnung, bei der insbesondere ein diffus
reflektierender Kasten um die Halbleiterchips herum
angeordnet ist.
Bei der Abbildungsoptik handelt es sich bevorzugt um ein optisch abbildendes Element. Solche optischen Elemente weisen bevorzugt eine geringe Bauhöhe auf. Damit lassen sich flache Smartphones oder Tablets realisieren. Beispielsweise liegt eine Bauhöhe der Abbildungsoptik bei höchstens 3 mm oder 2 mm oder 1,5 mm oder 1 mm. Ein Abstand zwischen den
Halbleiterchips und der Abbildungsoptik liegt beispielsweise bei mindestens 0,2 mm oder 0,5 mm und/oder bei höchstens 2 mm oder 1 mm. Nachfolgend werden ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil und ein hier beschriebenes Blitzlicht unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen ergeben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:
Figuren 1 bis 3 schematische Draufsichten auf
Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen,
Figuren 4 bis 10 schematische Darstellungen von spektralen
Eigenschaften von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen
Halbleiterbauteilen,
Figur 11 eine schematische Schnittdarstellung eines
Halbleiterchips für Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen
Halbleiterbauteilen, und
Figur 12 eine schematische Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen
Blitzlichts .
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 gezeigt. Das
Halbleiterbauteil 1 umfasst einen Träger 2 mit einer
Trägeroberseite 20. Bei dem Träger 2 handelt es sich beispielsweise um eine Platine in Form einer gedruckten
Leiterplatte. Die Trägeroberseite 20 kann planar gestaltet sein. In Draufsicht gesehen weist die Trägeroberseite 20 beispielsweise eine quadratische, rechteckige oder auch eine polygonale wie sechseckige Grundfläche auf.
Auf der Trägeroberseite 20 befinden sich mehrere elektrische Anschlussflächen 22. Im Wesentlichen deckungsgleich zu den Anschlussflächen 22 sind auf der Trägeroberseite 20 mehrere Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 aufgebracht. Elektrische Kontaktflächen der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 sind bevorzugt dem Träger 2 zugewandt. Damit können dem Träger 2 abgewandte Strahlungshauptseiten der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 frei von elektrischen Anschlussstellen sein.
Optional führen elektrische Leiterbahnen 23 von den
Anschlussstellen 22 und damit von den Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 weg. Abweichend von der Darstellung in Figur 1 ist es möglich, dass sich unter den Anschlussflächen 22 und damit unter den Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 elektrische Durchkontaktierungen befinden, sodass die Halbleiterchips von einer nicht gezeichneten Unterseite des Trägers 2 her
elektrisch kontaktierbar sind. In diesem Fall kann der Träger 2 als sogenanntes Submount oder als Zwischenträger gestaltet sein .
Das Halbleiterbauteil 1 umfasst fünf in verschiedenen Farben emittierende Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 oder Gruppen von Halbleiterchips. So ist ein Halbleiterchip 31 vorhanden, bei dem direkt aus einer Halbleiterschichtenfolge heraus blaues Licht erzeugt wird. Aus einem anderen Halbleiterchip 32 wird bevorzugt direkt aus einer Halbleiterschichtenfolge heraus oder auch aus einem Leuchtstoff heraus cyan-farbiges Licht erzeugt. Zum Beispiel mittig in den beiden Reihen der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 befindet sich ein
Halbleiterchip 33 zur Erzeugung von grünem Licht und ein Halbleiterchip 34 zur Erzeugung von gelb-orangem Licht. In einander gegenüberliegenden Ecken befinden sich zwei
Halbleiterchips 35 zur Erzeugung von rotem Licht. Diese beiden Halbleiterchips 35 können als Gruppe für rotes Licht zusammengefasst sein.
Die Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 sind dicht
nebeneinander angeordnet. Das heißt, ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 ist deutlich kleiner als eine mittlere Kantenlänge der Halbleiterchips. In Draufsicht gesehen könne alle Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 gleich groß oder näherungsweise gleich groß sein.
Beispielsweise weisen die Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 je eine Kantenlänge von 1 mm auf. Der Abstand zwischen den Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 liegt je bei höchstens 0,1 mm. Ein Abstand zwischen den Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 ist zum Beispiel durch einen luftgefüllten Spalt gebildet .
In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt. Die Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 sind relativ
zueinander ähnlich angeordnet, wie in Verbindung mit Figur 1 illustriert, und weisen bevorzugt die gleichen oder ähnliche spektrale Emissionseigenschaften auf. Chipnah zu den
Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 sind jeweils zugeordnete Schutzdioden 5 gegen Schäden durch elektrostatische
Entladungen angebracht. Die Schutzdioden 5 verbinden die Leiterbahnen 23 zur jeweiligen elektrischen Kontaktierung der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 miteinander. Ein Abstand der Schutzdioden 5 von dem zugeordneten Halbleiterchip 31, 32, 33, 34, 35 liegt bei ungefähr 50 % einer Kantenlänge des betreffenden Halbleiterchips.
Die Halbleiterchips 31, 33, 34, 35 sind dabei gestaltet, wie in Figur 1 illustriert. Das heißt, diese Halbleiterchips 31,
33, 34, 35 weisen elektrische Anschlussstellen an einer der Trägeroberseite 20 zugewandten Seite auf. Bei dem
Halbleiterchip 32 befindet sich eine elektrische
Anschlussstelle dagegen an einer dem Träger 2 abgewandten Seite etwa eines Chipträgers oder einer
Halbleiterschichtenfolge. Eine elektrische Kontaktierung erfolgt von dieser dem Träger 2 abgewandten Anschlussstelle über einen Bonddraht 27. Die Leiterbahnen 23 zum
Halbleiterchip 32 hin an der Trägeroberseite 20 können dabei gestaltet sein wie bei den Halbleiterchips 31, 33, 34, 35 und können damit mittels einer elektrischen Brücke 26
kurzgeschlossen sein.
Der Träger 2 und dessen Anschlussflächen 22 sowie elektrische Leitungen 23 sind bevorzugt derart gestaltet, dass die
Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 entweder je über eine separate Anode und eine separate Kathode elektrisch
kontaktiert werden können oder das die Halbleiterchips 31,
32, 33, 34, 35 über eine gemeinsame Kathode oder über eine gemeinsame Anode verfügen.
Dies ist dadurch ermöglicht, dass den Halbleiterchips 31, 32,
33, 34, 35 jeweils zwei externe elektrische Kontaktflächen 24 des Trägers 2 zugeordnet sind. Pro Halbleiterchip weist dabei eine der beiden zugeordneten Kontaktflächen 24 eine
elektrische Leiterbahn 23 auf, die zu einer elektrischen Zwischeninsel 25 führt. Mit anderen Worten liegt jeweils eine elektrische Zwischeninsel 25 im elektrischen Leitungspfad zwischen den betreffenden Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 und der zugeordneten Kontaktflache 24. Die Zwischeninseln 25 sind beispielsweise untereinander über die Bonddrähte 27 verbindbar, wobei bevorzugt benachbarte Zwischeninseln 25 jeweils über mehrere der Bonddrähte miteinander verbunden sind .
Damit kann eine gemeinsame Kathode oder eine gemeinsame Anode für alle Halbleiterchips bereitgestellt werden, falls die Bonddrähte 27 zwischen den Zwischeninseln 25 vorhanden sind. Werden die Bonddrähte 27 zwischen den Zwischeninseln 25 weggelassen, verfügt jeder der Halbleiterchips 31, 32, 33,
34, 35 über zwei Kontaktflächen 24 für eine eigene Kathode sowie für eine eigene Anode.
Bevorzugt sind an den Träger 2 weiterhin ein oder mehrere Temperatursensoren 55 vorhanden. Bei dem zumindest einen Temperatursensor 55 handelt es sich beispielsweise um einen NTC, also um einen Halbleiterwiderstand mit einem negativen Temperaturkoeffizienten. Über zumindest einen
Temperatursensor 55 ist es möglich, Temperaturabhängigkeiten von Leuchtstoffen der Halbleiterchips 32, 33, 34, 35 oder einer Halbleiterschichtenfolge der Halbleiterchips 31, 32,
33, 34, 35 bei der Strahlungserzeugung zu berücksichtigen und damit temperaturabhängig eine Bestromung der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 entsprechend anzupassen, um Licht der gewünschten spektralen Eigenschaften zu erzeugen.
In Figur 3 ist eine Anordnung der Kontaktflächen 24 sowie der Leiterbahnen 23 näher illustriert. Dabei sind keine
Bonddrähte zwischen den Zwischeninseln 25 vorhanden, sodass jeder der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 über eine eigene Anode und über eine eigene Kathode verfügt. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 und 2 entsprechend.
In Figur 4 ist beispielhaft eine Intensität I in W/nm
gegenüber einer Wellenlänge L in nm von Emissionsspektren der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 gezeigt. Figur 4 stellt dabei insbesondere die spektrale Strahlleistung pro Farbe der Halbleiterchips bei einem Betriebsstrom von 1 A dar. Es ist möglich, dass eine spektrale Halbwertsbreite der
Emissionsspektren in Richtung hin zu größeren Wellenlängen kontinuierlich ansteigt. Weiterhin nimmt eine maximale
Intensität der Emissionsspektren bevorzugt in Richtung hin zu kleineren Wellenlängen kontinuierlich zu.
Das blaue Licht, wie vom Halbleiterchip 31 emittiert, weißt bevorzugt eine Wellenlänge maximaler Intensität um 450 nm auf. Eine spektrale Halbwertsbreite liegt bei ungefähr 20 nm.
Das Emissionsspektrum des Halbleiterchips 32 für cyan
farbiges Licht stammt bevorzugt unmittelbar von einer
Halbleiterschichtenfolge. Das Intensitätsmaximum dieses
Spektrums liegt bei ungefähr 500 nm mit einer spektralen Halbwertsbreite um 30 nm.
Die Spektren der Halbleiterchips 33, 34, 35 werden bevorzugt je mittels Vollkonversion durch einen Leuchtstoff erzeugt.
Das Intensitätsmaximum des Spektrums des Halbleiterchips 33 für grünes Licht liegt bei ungefähr 527 nm mit einer
spektralen Halbwertsbreite von ungefähr 80 nm. Das
Intensitätsmaximum des gelb-orangen Lichts des
Halbleiterchips 34 liegt bei ungefähr 605 nm mit einer spektralen Halbwertsbreite von zirka 90 nm. Das Spektrum für das rote Licht des Halbleiterchips 35 weist ein Intensitätsmaximum bei ungefähr 640 nm auf mit einer
spektralen Halbwertsbreite um 90 nm.
Die Leuchtstoffe für die Halbleiterchips 33, 34, 35 werden bevorzugt in Vollkonversion betrieben, sodass die
Halbleiterchips 33, 34, 35 als Primärstrahlung insbesondere das Spektrum des Halbleiterchips 31 aufweisen und damit einen zum Halbleiterchip 31 baugleichen LED-Chip umfassen können. Die Spektren im roten und orange-gelben Spektralbereich sind dabei bevorzugt frei von blauem Licht. Im Emissionsspektrum zum grün emittierenden Halbleiterchip 33 kann noch ein kleiner Restanteil an blauem Licht vorhanden sein, der die spektralen Eigenschaften des grünen Lichts jedoch nicht oder nicht signifikant beeinflusst.
In Figur 5 ist die CIE-Normfarbtafei von 1931 in xy- Darstellung gezeigt. Eingetragen sind Beispiele für Farborte der Emissionsspektren der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35. Für grün sind mehrere Beispiele angegeben, ebenso für cyan farbiges Licht. Für cyan-farbiges Licht sind Beispiele mit Leuchtstoff, abgekürzt mit P, und ein Beispiel ohne
Leuchtstoff, abgekürzt mit D, angegeben.
Die eingetragenen Farborte gelten bevorzugt mit einer
Toleranz von höchstens 0,003 Einheiten in der Normfarbtafel, insbesondere hinsichtlich der Halbleiterchips 31, 34, 35. Die Farborte für die Halbleiterchips 32, 33 für cyan-farbiges Licht und für grünes Licht können mit einer größeren Toleranz versehen sein, beispielsweise mit einer Toleranz von
höchstens 0,007 Einheiten oder 0,005 Einheiten.
Die zugehörigen, auf Eins skalierten Emissionsspektren finden sich in den Figuren 6 bis 9. In Figur 10 ist beispielhaft für den rot emittierenden
Halbleiterchip 35 eine Abhängigkeit der Intensität I von einem Abstrahlwinkel A dargestellt. Diese
Abstrahlcharakteristik ist verglichen mit einer Lambertschen (=cos (A) ) Winkelabhängigkeit. Aus Figur 10 ist zu erkennen, dass der Halbleiterchip 35 näherungsweise eine Lambertsche Abstrahlcharakteristik aufweist. Gleiches gilt bevorzugt für alle anderen Halbleiterchips 31, 32, 33, 34.
In Figur 11 ist ein beispielhafter Aufbau der Halbleiterchips
33, 34, 35 dargestellt. Durch eine aktive Zone 30 in einer Halbleiterschichtenfolge 3 reichen elektrische
Durchkontaktierungen 38 von einem p-leitenden ersten
Halbleiterbereich 36 bis in einen n-leitenden zweiten
Halbleiterbereich 37. Die Durchkontaktierungen 38 enden in dem zweiten Halbleiterbereich 37.
Zwischen den Durchkontaktierungen 38 und einer weiteren elektrisch leitfähigen Kontaktschicht sind elektrische
Kurzschlüsse mittels einer elektrischen Isolierung 39 verhindert. Die jeweiligen elektrischen Kontakte sind zu Anschlussstellen an einer Unterseite der Halbleiterchips 33,
34, 35 geführt. Der zweite Halbleiterbereich 37 kann optional mit einer Aufrauhung zur Verbesserung einer
Lichtauskoppeleffizienz versehen sein.
Auf der Halbleiterschichtenfolge 3 ist ein Leuchtstoff 4 angebracht. Eine Dicke des Leuchtstoffs 4 liegt
beispielsweise zwischen einschließlich 100 ym und 200 ym, abhängig vom verwendeten Leuchtstoff. Der Leuchtstoff 4 kann ein keramischer Leuchtstoff sein oder auch durch
Leuchtstoffpartikel gebildet sein, die in ein Matrixmaterial wie ein Silikon eingebettet sind. Bevorzugt überdeckt der Leuchtstoff 4 die Halbleiterschichtenfolge 3 vollständig mit einer gleichbleibenden Schichtdicke.
Es ist möglich, dass der Halbleiterchip eine optische
Isolierung 8 aufweist. Die optische Isolierung 8 ist
beispielsweise durch ein Metall und/oder durch einen
lichtundurchlässigen Kunststoff gebildet. Eine Dicke der optionalen optischen Isolierung 8 liegt bevorzugt bei
höchstens 5 ym. Anstelle einer solchen optischen Isolierung 8 kann auch lediglich eine Seitenflächenpassivierung aus einem transparenten Material wie Siliziumdioxid vorhanden sein.
Bei den Halbleiterchips 31, 32 zur Erzeugung von blauem Licht und cyan-farbigem Licht ist bevorzugt kein Leuchtstoff vorhanden. Im Übrigen können die Halbleiterchips 31, 32 den in Figur 7 illustrierten Halbleiterchips 33, 34, 35
entsprechen .
Abweichend von der Darstellung der Figur 11 ist es möglich, dass jeweils eine der elektrischen Anschlussstellen der
Halbleiterchips 31, 32, 33, 34 und/oder 35 auf der
Halbleiterschichtenfolge 3 oder auf einem Chipträger, nicht gezeichnet, neben der Halbleiterschichtenfolge 3 liegt und damit nicht an der Unterseite angebracht sein muss.
Zum Beispiel sind die Halbleiterchips 31, 33, 34, 35 und optional 32 gestaltet, wie in der Druckschrift WO 2008/131743 Al, Figur 1B, beschrieben. Optional ist der Halbleiterchips 32 gestaltet, wie in der Druckschrift US 2011/0049555 Al, Figur 1, beschrieben.
In Figur 12 ist ein Blitzlicht 10 dargestellt. Das Blitzlicht 10 umfasst ein Halbleiterbauteil 1, wie in Verbindung mit den Figuren 1 bis 7 erläutert. Ferner kann an den Träger 2 eine Steuereinheit 6 zum gepulsten Betreiben der Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 angebracht sein. Die Steuereinheit 6 kann auch bereits ein integraler Bestandteil des
Halbleiterbauteils 1 sein.
Den Halbleiterchips ist bevorzugt gemeinsam eine
Abbildungsoptik 7 nachgeordnet. Die Abbildungsoptik 7 ist zum Beispiel in einem Gehäuse 9 integriert. Das separate Gehäuse 9 ist optional.
Dadurch, dass die Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 an dem Träger 2 dicht nebeneinander angeordnet sind, ist keine weitere Optik zusätzlich zur Abbildungsoptik 7 nötig.
Insbesondere ist innerhalb des Gehäuses 9 keine Komponente zu einer Durchmischung des Lichts der verschiedenen
Halbleiterchips 31, 32, 33, 34, 35 erforderlich.
Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen, sofern nicht anders kenntlich gemacht, bevorzugt in der angegebenen
Reihenfolge jeweils unmittelbar aufeinander. Sich in den Figuren nicht berührende Schichten sind bevorzugt voneinander beabstandet. Soweit Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die entsprechenden Flächen bevorzugt ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Ebenfalls, soweit nicht anders kenntlich gemacht, sind die relativen Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 120 073.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .
Bezugszeichenliste
1 optoelektronisches Halbleiterbauteil
2 Träger
20 Trägeroberseite
22 elektrische Anschlussfläche
23 elektrische Leiterbahn
24 externe elektrische Kontaktfläche
25 elektrische Zwischeninsel
26 elektrische Brücke
27 Bonddraht
3 Halbleiterschichtenfolge
30 aktive Zone
31 Halbleiterchip für blaues Licht
32 Halbleiterchip für cyan-farbiges Licht
33 Halbleiterchip für grünes Licht
34 Halbleiterchip für gelb-oranges Licht
35 Halbleiterchip für rotes Licht
36 erster Halbleiterbereich
37 zweiter Halbleiterbereich
38 Durchkontaktierung
39 elektrische Isolierung
4 Leuchtstoff
5 Schutzdiode gegen Schäden durch elektrostatische Entladungen
55 Temperatursensor
6 Steuereinheit
7 Abbildungsoptik
8 optische Isolierung
9 Gehäuse
10 Blitzlicht
A Abstrahlwinkel
I Intensität L Wellenlänge
x CIE-x-Koordinate in der Normfarbtafel y CIE-y-Koordinate in der Normfarbtafel

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit
- einem Träger (2) mit elektrischen Anschlussflächen (22) an einer Trägeroberseite (20), und
- mit mindestens vier Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35), die dazu eingerichtet sind, Licht voneinander verschiedener Farben zu emittieren,
wobei die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) nah
beieinander auf den Anschlussflächen (22) angebracht sind, sodass ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen höchstens 100 ym beträgt.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
wobei
- mindestens einer der Halbleiterchips (31) zur Erzeugung von blauem Licht eingerichtet ist,
- mindestens einer der Halbleiterchips (32) zur Erzeugung von cyan-farbigem Licht eingerichtet ist,
- mindestens einer der Halbleiterchips (33) zur Erzeugung von grünem Licht eingerichtet ist,
- mindestens einer der Halbleiterchips (34) zur Erzeugung von gelb-orangem Licht eingerichtet ist, und
- mindestens einer der Halbleiterchips (35) zur Erzeugung von rotem Licht eingerichtet ist.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
wobei die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) für die verschiedenen Farben in der CIE-Normfarbtafei je mit einer Toleranz von 0,003 Einheiten die folgenden CIE-x-Koordinaten; CIE-y-Koordinaten aufzeigen:
- für blaues Licht 0,159; 0,024,
- für cyan-farbiges Licht 0,079; 0,453,
- für grünes Licht 0,286; 0,574,
- für gelb-oranges Licht 0,543; 0,429, und
- für rotes Licht 0,680; 0,316.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Halbleiterchips (31, 32) für blaues und cyan farbiges Licht direkt aus einer Halbleiterschichtenfolge heraus abstrahlen, und
wobei die Halbleiterchips (33, 34, 35) für grünes, gelb oranges und rotes Licht je mindestens einen Leuchtstoff zur Erzeugung des entsprechenden Lichts umfassen.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 2 oder 3,
wobei
- der mindestens eine Halbleiterchip (31) für blaues direkt aus einer Halbleiterschichtenfolge heraus abstrahlt,
- der mindestens eine Halbleiterchip (32) für cyan-farbiges Licht ( Sr, Ba) Si202N2 : Eu als Leuchtstoff umfasst,
- der mindestens eine Halbleiterchip (33) für grünes Licht NOS:Eu, LuYAG:Ce und/oder YAG:Ce als Leuchtstoff umfasst,
- der mindestens eine Halbleiterchip (34) für gelb-oranges Licht Sr, Ca) AlSiN : Eu gemischt mit YAG:Ce als Leuchtstoff umfasst,
- der mindestens eine Halbleiterchip (35) für rotes Licht ( Sr, Ca) AlSiN : Eu als Leuchtstoff umfasst, und
- die Leuchtstoffe (4) der Halbleiterchips (32, 33, 34, 35) für cyan-farbiges, grünes, gelb-oranges und rotes Licht je für eine Vollkonversion einer Primärstrahlung eingerichtet sind .
6. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 5,
wobei für Wellenlängen von Intensitätsmaxima und für
Halbwertsbreiten der jeweiligen Emissionsspektren der
Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) gilt:
- Intensitätsmaximum für blaues Licht zwischen einschließlich 445 nm und 455 nm und Halbwertsbreite zwischen einschließlich 10 nm und 30 nm,
- Intensitätsmaximum für cyan-farbiges Licht zwischen
einschließlich 500 nm und 512 nm und Halbwertsbreite zwischen einschließlich 15 nm und 40 nm,
- Intensitätsmaximum für grünes Licht zwischen einschließlich 520 nm und 535 nm und Halbwertsbreite zwischen einschließlich 35 nm und 90 nm,
- Intensitätsmaximum für gelb-oranges Licht zwischen
einschließlich 595 nm und 615 nm und Halbwertsbreite zwischen einschließlich 50 nm und 100 nm, und
- Intensitätsmaximum für rotes Licht zwischen einschließlich 625 nm und 650 nm und Halbwertsbreite zwischen einschließlich 50 nm und 100 nm.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 6,
wobei zwei Halbleiterchips (35) für rotes Licht und für jede andere Farbe nur ein Halbleiterchip (31, 32, 33, 34)
vorhanden sind, und
wobei die Halbleiterchips (35) in zwei Reihen und in
Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen hinsichtlich ihrer Emissionseigenschaften möglichst punktsymmetrisch angeordnet sind.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) oder Gruppen von Halbleiterchips (31, 32, 33, 34) für eine bestimmte Farbe elektrisch einzeln ansteuerbar sind.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) jeweils eine Lambertsche oder eine näherungsweise Lambertsche
AbstrahlCharakteristik aufzeigen .
10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) auf dem Träger
(2) über einen gemeinsamen Anodenanschluss oder über einen gemeinsamen Kathodenanschluss verfügen.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
wobei die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) auf dem Träger
(2) je über einen eigenen Anodenanschluss und über einen eigenen Kathodenanschluss verfügen.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) durch einen gasgefüllten oder evakuierten Spalt voneinander getrennt sind, sodass keine externe optische Abschirmung zwischen benachbarten Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) vorliegt.
13. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei jedem der Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) chipnah eine eigene Schutzdiode (5) gegen Schäden vor
elektrostatischen Entladungen zugeordnet ist.
14. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei Halbleiterschichtenfolgen (3) der Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) jeweils mehrere Durchkontaktierungen (38) durch eine aktive Zone (30) hindurch umfassen.
15. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei (1)
- genau einer der Halbleiterchips (31) zur Erzeugung von blauem Licht eingerichtet ist,
- genau einer der Halbleiterchips (32) zur Erzeugung von cyan-farbigem Licht eingerichtet ist,
- genau einer der Halbleiterchips (33) zur Erzeugung von grünem Licht eingerichtet ist,
- genau einer der Halbleiterchips (34) zur Erzeugung von gelb-orangem Licht eingerichtet ist,
- genau zwei der Halbleiterchips (35) zur Erzeugung von rotem Licht eingerichtet sind, und
- die Halbleiterchips (35) in zwei Reihen und in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen hinsichtlich ihrer Emissionseigenschaften möglichst punktsymmetrisch angeordnet sind .
16. Blitzlicht (10) mit
- einem Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, und
- einer Steuereinheit (6),
wobei Steuereinheit (6) dazu eingerichtet ist, die
Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) gepulst zu bestromen.
17. Blitzlicht (10) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei den Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) als optisches Element nur eine Abbildungsoptik (7) nachgeordnet ist, sodass das Blitzlicht (10) frei von einer Lichtmischvorrichtung für das Licht voneinander verschiedener Farben von den
Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) ist.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040218387A1 (en) * 2003-03-18 2004-11-04 Robert Gerlach LED lighting arrays, fixtures and systems and method for determining human color perception
WO2008131743A1 (de) 2007-04-26 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
US20110049555A1 (en) 2008-03-31 2011-03-03 Karl Engl Optoelectronic Semiconductor Chip and Method for Producing Same
US20130141013A1 (en) * 2010-09-09 2013-06-06 Mitsubishi Chemical Corporation Light emission apparatus, illumination system and illumination method
US20170294418A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-12 Cree, Inc. High density pixelated led and devices and methods thereof
US20180132329A1 (en) * 2016-11-10 2018-05-10 Ledengin, Inc. Tunable led emitter with continuous spectrum
WO2019014145A1 (en) * 2017-07-09 2019-01-17 Lumenetix, Inc. COMPLETE SPECTRUM FLASH FOR ELECTRONIC DEVICES

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203258423U (zh) 2013-04-11 2013-10-30 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led单元模组、发光装置以及光源***
EP3019788A1 (de) 2013-07-09 2016-05-18 Terralux, Inc. Lichtquelle mit veränderlicher strahlung und zugehörige verfahren
DE102017102467A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betreiben einer lichtemittierenden Vorrichtung
DE102017103886A1 (de) * 2017-02-24 2018-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Ausleuchtung und Aufzeichnung einer bewegten Szene
DE102017114369A1 (de) * 2017-06-28 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US10907776B1 (en) * 2020-07-01 2021-02-02 MIW Tech International LLC Flexible, customizable, and wearable flashlight

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040218387A1 (en) * 2003-03-18 2004-11-04 Robert Gerlach LED lighting arrays, fixtures and systems and method for determining human color perception
WO2008131743A1 (de) 2007-04-26 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
US20110049555A1 (en) 2008-03-31 2011-03-03 Karl Engl Optoelectronic Semiconductor Chip and Method for Producing Same
US20130141013A1 (en) * 2010-09-09 2013-06-06 Mitsubishi Chemical Corporation Light emission apparatus, illumination system and illumination method
US20170294418A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-12 Cree, Inc. High density pixelated led and devices and methods thereof
US20180132329A1 (en) * 2016-11-10 2018-05-10 Ledengin, Inc. Tunable led emitter with continuous spectrum
WO2019014145A1 (en) * 2017-07-09 2019-01-17 Lumenetix, Inc. COMPLETE SPECTRUM FLASH FOR ELECTRONIC DEVICES

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