WO2020013478A1 - 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법 - Google Patents

마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법 Download PDF

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WO2020013478A1
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micro led
electrode
led chip
composite resin
circuit board
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구자명
조영경
이병훈
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삼성전자 주식회사
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Definitions

  • Various embodiments of the invention relate to multi-transfer technology of micro LED chips.
  • the LED chip is vacuum-adsorbed and picked up, and then one-to-one correspondence is placed on an electrode on a desired circuit board, and the nozzle is used.
  • a micro LED chip capable of mounting a micro LED chip by a high speed multi-transfer method and a method of manufacturing the same may be provided.
  • a micro LED chip having a high transfer yield by using a composite resin layer having an adhesive property, which absorbs an impact applied from a micro LED chip according to an impact of a gas plume generated during ablation, and its Producing method can be provided.
  • a composite comprising a flux and an epoxy (or acrylic) adhesive is coated on a target substrate, which is transferred to increase the mounting position accuracy of the micro LED chip, when the micro LED chip falls down. It is possible to provide a micro LED display and a method of manufacturing the same to alleviate the impact to improve the transfer yield.
  • the micro LED chip when the micro LED chip is transferred, the micro LED chip is changed in the X and Y directions, or in particular, the micro is changed in the shape of the electrode of the circuit board to minimize defects. It is possible to provide an LED display and a method of manufacturing the same.
  • a micro LED display includes a circuit board, at least one first electrode formed on the circuit board, at least one micro LED chip bonded to the first electrode, and a second formed on the micro LED chip.
  • the electrode may include a joint structure formed by heating the first electrode and the second electrode by laser irradiation, and at least one composite resin part supporting the joint structure.
  • a first process of forming a composite resin layer on a circuit board, and aligning a transparent substrate on which a plurality of micro LED chips are attached by an adhesive material on the first substrate A second process of irradiating at least one first laser onto each micro LED chip to melt the adhesive material; a fourth process of jetting the micro LED chip to be seated on the composite resin layer;
  • the method may include a fifth process of irradiating at least one second laser to the electrode of the seated micro LED chip, and a sixth process of bonding the electrode of the circuit board and the electrode of the micro LED chip.
  • the present invention can improve the productivity by enabling the multi-transfer of the micro LED chip by the LASER Ablation method at high speed.
  • the present invention can improve the transfer yield of the micro LED chip.
  • FIG. 1A is a block diagram illustrating a base substrate for manufacturing a micro LED chip in a pad up state according to various embodiments of the present disclosure.
  • 1B is a block diagram illustrating a base substrate for manufacturing a micro LED chip in a pad down state according to various embodiments of the present disclosure.
  • 1C is a configuration diagram of a micro LED chip according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 2A is a plan view illustrating a micro LED chip attached to a transparent substrate according to various embodiments of the present disclosure
  • FIG. 2B is a side view illustrating a micro LED chip attached to a transparent substrate according to various embodiments of the present disclosure. to be.
  • FIG 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a micro LED display according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a block diagram sequentially illustrating a manufacturing process of a micro LED display according to various embodiments of the present disclosure.
  • 5A through 5D are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a micro LED display according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a view illustrating a state in which a micro LED chip is connected on a first electrode according to various embodiments of the present disclosure, where (a) is a plan view and (b) is a side cross-sectional view.
  • FIG. 7A is a plan view illustrating a state in which a micro LED chip is connected on a first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 7B is a plan view illustrating a state in which a micro LED chip is incorrectly connected on a first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG 8 is a plan view illustrating a shape of a first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a plan view illustrating another shape of the first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 10 is a plan view illustrating a micro LED display manufactured according to various embodiments of the present disclosure.
  • the configuration of the display according to the exemplary embodiment of the present invention can be implemented regardless of the size of the LED, there is no limitation on the size of the LED used.
  • lighting displays use several millimeters of LEDs, and large displays such as indoor / outdoor signage use hundreds of micrometers, while displays have several micrometers to tens of micrometers. Up to the LED can be used.
  • exemplary embodiments of the present invention illustrate and describe the transfer apparatus and method for the micro LED chip, but are not limited thereto.
  • various electrical elements that can utilize the transfer apparatus and method disclosed in the present invention can be applied.
  • 1A is a block diagram illustrating a base substrate for manufacturing a micro LED chip in a pad up state according to various embodiments of the present disclosure.
  • 1B is a block diagram illustrating a base substrate for manufacturing a micro LED chip in a pad down state according to various embodiments of the present disclosure.
  • the micro LED chip 110 may have a size of several tens of micrometers (for example, 30 to 40 micrometers) in order to be applied to sub-pixels constituting pixels of a near display.
  • the micro LEDs 110 may be manufactured in plural numbers by growing in a single crystal state of a compound semiconductor at high temperature / high pressure on a sapphire or GaAs or SiX-based base substrate 100 (for example, a wafer).
  • a wafer for example, a wafer.
  • red, green, blue can be configured differently.
  • red is composed of GaAs
  • green is InGaP
  • blue is GaN compound semiconductor
  • the wavelength is determined according to the intrinsic energy bandgap value of each composition, resulting in different colors.
  • the grown micro LED 110 in order for the grown micro LED 110 to emit light, it may undergo a semiconductor process of several decades in an electrically connectable structure in which holes and electrons may be supplied.
  • the pair of connection pads 112 protruding from the micro LEDs 110 may face a pad down (shown in FIG. 1A) or a downward direction of the base substrate 100 (pad down). (Shown in FIG. 1B).
  • 1C is a configuration diagram of a micro LED chip according to various embodiments of the present disclosure.
  • each micro LED after cutting the micro LED may be referred to as a micro LED chip.
  • Each micro LED chip 120 may include a body 111, which is a light emitting unit, and a pair of connection pads 112 protruding from the body 111 at predetermined intervals.
  • the micro LED chip 110 may be electrically connected to a substrate PCB of an electronic device (eg, a display) using a transfer device according to the present invention to be described later.
  • the connection pad 112 of the micro LED chip 120 will be referred to as a second electrode hereinafter.
  • FIG. 2A is a plan view illustrating a micro LED chip attached to a transparent substrate according to various embodiments of the present disclosure
  • FIG. 2B is a side view illustrating a micro LED chip attached to a transparent substrate according to various embodiments of the present disclosure. to be.
  • the plurality of micro LED chips 120 may be attached in an aligned state on a temporary substrate by an arrangement device not shown. Each micro LED chip 120 may remain attached to one surface of the temporary substrate.
  • An adhesive for example, an adhesive layer (eg, the adhesive layer 122 of FIG. 5A) may be formed between the micro LED chip 120 and the temporary substrate.
  • the temporary substrate 130 (hereinafter referred to as a second substrate) according to various embodiments is a transparent substrate, and the transparent glass including any one material of sapphire, alumina, silica, or quartz having high light transmittance in the ultraviolet wavelength band. Can be.
  • the micro LED chip 120 may be prepared in a state in which the micro LED chip 120 is attached on the second substrate 130 by an adhesive, for example, polyimide or an adhesive of epoxy or acrylic material.
  • FIG 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a micro LED display according to various embodiments of the present disclosure.
  • a structure of a micro LED display (hereinafter referred to as a display) according to various embodiments of the present disclosure will be described with reference to FIG. 3.
  • the display may include a circuit board 140, a first electrode 144, a micro LED chip 120, a second electrode 112, a junction structure, and a composite resin unit 148.
  • the circuit board 140 is a printed circuit board 140 composed of multiple layers, and may be formed of any one material of ceramic, glass, or polymer material.
  • the circuit board may include a wiring layer 142 and a first electrode 144.
  • the circuit board 140 may include a first surface facing in a first direction and a second surface facing in a second direction opposite to the first direction.
  • At least one wiring layer 142 may be formed on the first surface.
  • the wiring layer 142 may be a signal transmission path.
  • each wiring layer 142 may be separated by an insulating layer 145.
  • the wiring layer 142 may be made of a conductive material.
  • the circuit board 140 may include at least one first electrode 144 formed on one surface of the wiring layer 142.
  • the first electrode 144 may be formed on a surface of the wiring layer 142 facing in the first direction, and may be configured as a pair.
  • Each first electrode 144 may be separated by an insulating layer 145.
  • the first electrode 144 may be formed in a layer shape.
  • the first electrode 144 may include a conductive material.
  • the first electrode 144 layer may have a surface layer 146 formed on a first surface facing in the first direction.
  • the surface layer 146 may be a bonding layer processed by a laser and bonded to the second electrode 112 of the micro LED chip 120.
  • at least a portion of the surface layer 146 may be bonded to at least a portion of the second electrode 112 to generate a thermal reaction layer 147.
  • the thermal reaction layer 147 may be part of a junction structure that electrically connects the first and second electrodes 144 and 112.
  • the thermal reaction layer 147 may be a connection portion electrically connecting the first and second electrodes 144 and 112.
  • the thermal reaction layer 147 may be melted after being generated by the laser treatment to create a bonded structure.
  • the micro LED chip 120 may be attached to a second substrate (eg, the second substrate 130 of FIG. 2A) by an adhesive material (eg, the adhesive material 122 of FIG. 5A). ) May be bonded by a laser (eg, a first laser L1 of FIG. 5B and a second laser L2 of FIG. 5D).
  • a laser eg, a first laser L1 of FIG. 5B and a second laser L2 of FIG. 5D.
  • the first and second electrodes 140 and 112 are heated by a laser (e.g., the second laser L2 in FIG. 5D) to generate a junction structure, such as a thermal reaction layer 147, whereby the micro LED chip 120 is a circuit. It may be electrically connected to the wiring layer 142 of the substrate 140.
  • a laser e.g., the second laser L2 in FIG. 5D
  • a junction structure such as a thermal reaction layer 147, whereby the micro LED chip 120 is a circuit. It may be electrically connected to the wiring layer 142 of the substrate 140.
  • the composite resin unit 148 may be aggregated and cured after being heated by a laser, and thus may be formed in a shape surrounding each micro LED chip 120.
  • Each composite resin portion 148 may support a respective bonding structure, and is formed between the micro LED chip 120 and the circuit board 140, so that the bonded micro LED chip 120 is connected to the circuit board 140. It can support a phase.
  • the composite resin part 148 may be formed on the circuit board 140 at intervals, for example, at equal intervals.
  • the micro LED chip 120 is disposed on the circuit board 140 at equal intervals, so that the composite resin part 148 may also be formed on the circuit board 140 at equal intervals.
  • the composite resin unit 1480 may close the second electrode 112 of the bonded structure from the outside. Therefore, the composite resin portion 1480 may be a protective structure of a bonded structure.
  • the final height h1 of the first electrode 144 of the circuit board 140 may be lower than or equal to the final height h2 of the insulating layer 145.
  • Such a structure May aid in the implementation of the flat composite resin layer 1480.
  • the empty spaces 149 may be formed between the micro LED chips 120 and may be formed at equal intervals.
  • FIG. 4 is a block diagram sequentially illustrating a manufacturing process of a micro LED display according to various embodiments of the present disclosure.
  • 5A through 5D are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a micro LED display according to various embodiments of the present disclosure.
  • the composite resin layer 1480 may be coated on the circuit board 140 (eg, process 401 of FIG. 4).
  • the circuit board 140 may receive a micro LED chip 120 in a one-to-one manner, and may be a substrate on which the micro LED chip 120 may be finally seated.
  • the circuit board 140 may include a TFT substrate.
  • the composite resin layer is a layer having a predetermined viscosity or more, and may be applied onto a substrate.
  • the composite resin layer 1480 may be made of a composite material made of a polymer resin such as epoxy or acryl and flux (FLUX).
  • the composite resin layer 1480 may comprise a sticky mixture of adhesive and flux.
  • the composite resin layer is composed of two or more materials having different boiling points, and when the coating has a viscosity of approximately 500 to 1500 CPS by the two solvents, the solvent having a low boiling point after coating The solvent may evaporate, the viscosity may increase, and then the material may sufficiently absorb shock when the micro LED chip 120 is jetted and seated.
  • the composite resin layer 1480 may be coated on the circuit board 140 to be damping to absorb shock generated by the collision with the micro LED chip 120 that is jetted, and to be fixed at a predetermined position.
  • the adhesive layer 122 may be used.
  • the composite resin layer 1480 absorbs the impact of the individual micro LED chips 120 with acceleration from the transparent substrate due to the damping action, that is, the cushion-like action, and the adhesive property, and thus the target circuit board ( It may help to be seated on the first electrode 144 of the 140.
  • the composite resin layer 1480 has a melting point of about 300 degrees or less, and may include solder particles having a diameter of about 0.01 mm or less, and the first electrode 144 of the circuit board 140 because the solder melts when heated. ) And the second electrode 112 of the micro LED chip 120 may be bonded.
  • the solder may include any one or more of tin, silver, copper, indium, zinc, bismuth, and gold.
  • the micro LED chip 120 may be prepared in a state in which the micro LED chip 120 is attached by the adhesive 122 on the second substrate 130 (eg, process 403 of FIG. 4). For example, after the micro LED chip 120 is attached to the second substrate 130, the micro LED chip 120 may be aligned on the circuit board 140 with the pad 112 down (eg, process 405 of FIG. 4). . At this time, one micro LED chip 120 may face one-to-one with the first electrode 144 of one circuit board 140. Operation 401 may be performed after operation 403.
  • the first laser L1 may be irradiated onto the micro LED chip 120 on the top surface of the micro LED chip 120. Since the substrate is a transparent material, the laser beam penetrating the substrate may ablate the adhesive material 122 (for example, process 407 of FIG. 4).
  • the first laser L1 may include a laser in the ultraviolet wavelength band having excellent optical transmittance or a pulse wave writing device.
  • the first laser L1 has a wavelength of 400 nm or less, a pulse frequency of 1 H Z or less, and one or more micro LED chips 120 in one shot. 1480 can fall on.
  • the individual micro LED chips 120 may fall to the composite resin layer 1480 in an acceleration state. This state may be referred to as jetting of the micro LED 120. In this operation, each of the first laser L1 and the micro LED chip 120 may proceed simultaneously.
  • the composite resin layer 1480 absorbs the impact of the flying micro LED chip 120 due to the cushioning action and the adhesive property, and thus to the target electrode of interest.
  • the micro LED chip 120 may be seated (eg, process 409 of FIG. 4). Each micro LED chip 120 seated on the composite resin layer 1480 is shown in FIG. 5C.
  • the second electrode 112 of each of the seated micro LED chips 120 may face the first electrode 144 of the circuit board 140.
  • a portion of the relatively thin composite resin layer 1480a may exist between the first electrode 144 and the second electrode 112, and the surface layer 146 may exist.
  • the second laser L2 may be irradiated on the top surface of the micro LED chip 120 mounted on the composite resin layer 1480.
  • this heating operation eg, approximately 120 degrees or more
  • the first electrode 144 and the second electrode 112 may be bonded (eg, process 4011 of FIG. 4).
  • the composite resin layer is phase separated from the flux and the adhesive, so that the flux improves the wetting property of the joint, a smooth solder joint is formed, and the binder coats the joint structure. The joint can be protected.
  • solder may be included in the composite resin layer 1480, the surface layer 146, or both.
  • the composite resin layer 1480 may include particles such as white or black.
  • the composite resin layer 1480 according to the inclusion of particles may improve the optical characteristics of the display.
  • the second laser L2 When the second laser L2 is irradiated toward the second electrode 112, the second electrode 112 and the surface layer 146 may be melted to form a chemical bond. By such chemical bonding, the thermal reaction layer 147 may be generated.
  • the thermal reaction layer 147 may be part of a junction structure that electrically connects the first and second electrodes 144 and 112.
  • the second laser L2 may be a laser of an infrared wavelength band.
  • the second laser may be configured to irradiate laser light with a level equal to or slightly larger than the width of the first electrode 144.
  • the second laser may be configured to irradiate laser light with a level equal to or slightly larger than the width of the second electrode 112.
  • the composite resin layer 1480 which is present by the irradiation of the second laser L2, is agglomerated and cured to support the bonding structure of the circuit board 140 and the micro LED chip 120.
  • the cured composite resin layer 1480 will be referred to as a composite resin portion 148.
  • the composite resin part 148 may be formed to surround the micro LED chip 120 on the circuit board 140.
  • the composite resin unit 148 may be formed to surround the bonding structure.
  • One micro LED chip 120 may have one composite resin portion 148 formed thereon. Space between each micro LED chip 120, there may be an empty space 149 between each composite resin portion 148.
  • FIG. 6 is a view illustrating a state in which a micro LED chip is connected on a first electrode according to various embodiments of the present disclosure, where (a) is a plan view and (b) is a side cross-sectional view.
  • a display in order to heat an electrode by partially irradiating a laser or an energy beam, may have a size C ⁇ C ′ of a micro LED chip of D1D ′ of a first electrode 144. It can be made smaller.
  • a distance B between one end of the first electrode 144 facing each other and one end of the second electrode 112 facing each other may be disposed on the opposite side to prevent a short. It may be designed to be smaller than the distance (A) between the other end of the first electrode 144 and the other end of the second electrode (112).
  • the second electrode 112 of the micro LED chip may be smaller than the size of the first electrode 144 of the circuit board.
  • 7A is a plan view illustrating a state in which a micro LED chip is connected on a first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • 7B is a plan view illustrating a state in which a micro LED chip is incorrectly connected on a first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 7A illustrates a case where the second electrode 112 of each micro LED chip is correctly aligned after one-to-one (1; 1) alignment on the first electrode 144 of each circuit board 140.
  • the first electrode 144 or the second electrode 112 may be formed in a rectangle.
  • a short failure part / open failure F may occur electronically.
  • the shape of the first electrode 144 may be variously formed as necessary.
  • FIG 8 is a plan view illustrating a shape of a first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • the first electrode 144 may be referred to as a first portion 144a where the first electrodes 144 are located close to each other with respect to an intermediate point, and the second portions 144b which are far apart from each other.
  • an area of the first portion 144a may be smaller or narrower than that of the second portion 144b.
  • the first portion 144a may be formed as a rectangle extending in a direction facing each other that is narrower than the upper and lower widths of the second portion 144b in the second portion 144b.
  • FIG. 9 is a plan view illustrating another shape of the first electrode according to various embodiments of the present disclosure.
  • the first electrode 144 may be called a first part 144c where the first electrode 144 is located close to each other with respect to an intermediate point, and the second part 144b may be distant from each other.
  • an area of the first portion 144c may be smaller or narrower than that of the second portion 144b.
  • the first portion 144c may be formed in a triangular shape in which the upper and lower widths of the second portion 144b are one bottom side of the second portion 144b.
  • micro LED display 1000 manufactured through the manufacturing process illustrated in FIGS. 5A to 5D is illustrated in FIG. 10.
  • the display 1000 may have a plurality of pixels P arranged at regular intervals, and each pixel may include subpixels Pr, Pg, and Pb.
  • the micro LED chip corresponding to each of the sub pixels Pr, Pg and Pb is a circuit of the display 1000 by the apparatus according to the present invention. It can be quickly and accurately mounted to a substrate (eg, circuit board 140 of FIG. 3).

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Abstract

본 발명에는 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법이 개시된다. 개시된 마이크로 엘이디 디스플레이는 마이크로 엘이디 디스플레이에 있어서, 회로 기판; 상기 회로 기판에 형성된 적어도 하나 이상의 제1전극, 상기 제1전극 상에 접합되는 적어도 하나 이상의 마이크로 엘이디 칩, 상기 마이크로 엘이디 칩에 형성된 제2전극, 레이져 조사에 의해 상기 제1전극과 상기 제2전극이 가열되어 형성되는 접합 구조 및 상기 접합 구조를 지지하는 적어도 하나 이상의 복합 수지부를 포함할 수 있다.

Description

마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법
본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 엘이디 칩의 멀티 전사 기술(multi-transfer technology)에 관한 것이다.
새로운 디스플레이로서, R(red), G(green), B(blue)의 색을 발광하는 LED를 회로 기판 상에 실장하여 디스플레이 패널로 만드는 기술이 있다.
그러나, 디스플레이를 구현하기 위해서는 현재의 픽셀에 대응할 수 있는 초소형 마이크로 엘이디(μLED)의 개발이 선행되어야 하며, 수 십 ㎛ 크기의 마이크로 엘이디 칩들을 어떻게 집어서 얼마나 정밀하게 회로 기판 상에 위치시킬 것이며, 어떻게 입출력 단자를 배치하여 메인 인쇄회로기판과 전기적으로 연결 시켜 줄 것인가에 대한 문제를 선행적으로 해결해야만 한다.
종래에는 전용 칩 접합 장치를 활용하여, 미세 가공된 노즐을 사용하여, LED 칩을 진공 흡착하여 픽업한 후, 원하는 회로 기판 상의 전극에 일대일 대응하여 내려놓고, 노즐이 이탈하는 방식을 사용하였다.
그러나, 종래의 노즐 1개가 1개의 개별 칩을 Pick-up & Placement 하는 방식은 다수의 LED 칩을 고속으로 기판 상에 장착하기 위해서는 많은 시간이 소요되고, 다수의 노즐 유닛을 설치함에 따라 가격 상승 및 설비가 복잡하게 변화하는 문제점이 있었다.
또한, 노즐 가공의 한계로 인해, 100 micron 이하의 micro LED를 전사하는데 기술적 한계를 가지고 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 고속 멀티 전사 방식으로 마이크로 엘이디 칩의 실장이 가능한 마이크로 엘이디 칩 및 이의 제작 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, Ablation 중에 발생하는 gas plume의 충격에 따른 마이크로 엘이디 칩으로부터 가해지는 충격을 흡수하는, 접착 특성을 가진 복합 수지층을 이용하여, 전사 수율을 높인 마이크로 엘이디 칩 및 이의 제작 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 마이크로 엘이디 칩의 안착 위치 정밀도를 높일 수 있도록 전사되는, Target 기판 상에 플럭스와 에폭시 (또는 아크릴) 점착제로 구성된 복합제를 코팅해서 마이크로 엘이디 칩이 아래로 떨어질 때의 충격을 완화하여 전사 수율을 향상시키는 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 마이크로 엘이디 칩 전사 시, 마이크로 엘이디 칩이 X, Y 방향으로 위치가 틀어지거나, 특히 Tilt되어 불량이 발생하는 것을 최소화하기 위해서 회로 기판의 전극의 형상을 변경한 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이는 회로 기판, 상기 회로 기판에 형성된 적어도 하나 이상의 제1전극, 상기 제1전극 상에 접합되는 적어도 하나 이상의 마이크로 엘이디 칩, 상기 마이크로 엘이디 칩에 형성된 제2전극, 레이져 조사에 의해 상기 제1전극과 상기 제2전극이 가열되어 형성되는 접합 구조 및 상기 접합 구조를 지지하는 적어도 하나 이상의 복합 수지부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이의 제작 방법은 회로 기판 상에 복합 수지 층을 형성하는 제1과정, 복수의 마이크로 엘이디 칩이 접착재에 의해 부착된 투명 기판을 상기 제1기판 상에 정렬시키는 제2과정, 상기 각각의 마이크로 엘이디 칩에 적어도 하나 이상의 제1레이져를 조사하여 상기 접착재를 융제하는 제3과정, 상기 마이크로 엘이디 칩이 제팅되어, 상기 복합 수지 층에 안착되는 제4과정, 상기 안착된 마이크로 엘이디 칩의 전극에 적어도 하나 이상의 제2레이져를 조사하는 제5과정 및 상기 회로 기판의 전극과 상기 마이크로 엘이디 칩의 전극이 접합되는 제6과정을 포함할 수 있다.
본 발명은 LASER Ablation 방법에 의한 마이크로 엘이디 칩의 멀티 전사를 고속으로 가능케 해서 생산성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명은 마이크로 엘이디 칩의 전사 수율이 개선될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 패드 업 상태의 마이크로 엘이디 칩(micro LED chip)의 제조를 위한 모재 기판을 도시한 구성도이다.
도 1b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 패드 다운 상태의 마이크로 엘이디 칩(micro LED chip)의 제조를 위한 모재 기판을 도시한 구성도이다.
도 1c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩의 구성도이다.
도 2a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 투명 기판에 마이크로 엘이디 칩이 부착된 상태를 나타내는 평면도이고, 도 2b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 투명 기판에 마이크로 엘이디 칩이 부착된 상태를 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이의 제작 과정을 순차적으로 나타내는 블록도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이의 제작 과정을 순차적으로 각각 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩이 제1전극 상에 접속된 상태를 나타내는 도면으로서, (a)는 평면도이고, (b)는 측단면도이다.
도 7a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩이 제1전극 상에 접속된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 7b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩이 제1전극 상에 잘못 접속된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제1전극의 형상을 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제1전극의 다른 형상을 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제작된 마이크로 엘이디 디스플레이를 나타내는 평면도이다.
이하, 본 개시의 다양한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 개시를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 개시의 실시예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 실장 기술을 이용하여 디스플레이의 구조 및 이를 제작하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따른 디스플레이의 구성은 LED의 크기에 상관없이 구현 가능하기 때문에 사용되는 LED의 크기에는 제약을 두지 아니한다. 예를 들어, 조명용 디스플레이는 수 mm급의 LED를 사용하고, 옥/내외 사이니지(signage)와 같은 대형 디스플레이는 수 백㎛ 급 LED를 사용하며, 디스플레이용으로는 수 ㎛급에서 수 십㎛급까지 LED를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 예식적인 실시예들은 마이크로 엘이디 칩에 대한 전사 장치 및 방법에 대하여 도시하고 이에 대하여 설명하고 있으나 이에 국한되지 않는다. 예컨대, 본 발명에 개시된 전사 장치 및 방법을 이용할 수 있는 다양한 전기 소자가 적용될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 패드 업 상태의 마이크로 엘이디 칩(micro LED chip)의 제조를 위한 모재 기판을 도시한 구성도이다. 도 1b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 패드다운 상태의 마이크로 엘이디 칩(micro LED chip)의 제조를 위한 모재 기판을 도시한 구성도이다.
도 1a, 도 1b를 참고하면, 마이크로 엘이디 칩(110)은 근거리용 디스플레이의 픽셀을 구성하는 서브 픽셀들에 적용되기 위하여 수십 ㎛(예: 30~40㎛)의 크기를 가질 수 있다. 이러한 마이크로 엘이디(110)는 사파이어 또는 GaAs 또는 SiX 계열의 모재 기판(100)(예: 웨이퍼) 상에서 고온/고압 상태에서 화합물 반도체의 단결정 상태로 성장시켜 복수개로 제작될 수 있으며, 각 조성에 따라 색상(예: red, green, blue)이 다르게 구성될 수 있다. 예컨대, red는 GaAs, green은 InGaP, blue는 GaN의 화합물 반도체로 구성되고, 각 조성의 고유 에너지 밴드갭 값에 따라 파장이 결정되어 구현하는 색상이 다르게 나타난다.
한 실시예에 따르면, 성장시킨 마이크로 엘이디(110)가 발광하기 위해서는 정공과 전자가 공급될 수 있는, 전기적으로 연결이 가능한 구조로 수 십 단계의 반도체 공정을 거칠 수 있다. 이때 마이크로 엘이디(110)에 돌출되도록 배치된 한 쌍의 접속 패드(112)는 모재 기판(100)의 상방향을 향하는 형태(pad down)(도 1a에 도시) 또는 하방향을 향하는 형태(pad down)(도 1b에 도시)로 제작될 수 있다.
도 1c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩의 구성도이다.
도 1c를 참고하면, 마이크로 엘이디를 커팅한 후의 각각의 마이크로 엘이디를 마이크로 엘이디 칩이라 지칭할 수 있다. 각각의 마이크로 엘이디 칩(120)은 발광부인 바디(111)와 바디(111)에서 일정 간격으로 돌출 배치되는 한 쌍의 접속 패드(112)를 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 마이크로 엘이디 칩(110)은 후술될 본 발명에 따른 이송 장치를 이용하여 전자 장치(예: 디스플레이)의 기판(PCB)에 전기적으로 연결될 수 있다. 마이크로 엘이디 칩(120)의 접속 패드(112)는 이하 제2전극이라 지칭하기로 한다.
도 2a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 투명 기판에 마이크로 엘이디 칩이 부착된 상태를 나타내는 평면도이고, 도 2b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 투명 기판에 마이크로 엘이디 칩이 부착된 상태를 나타내는 측면도이다.
도 2a, 도 2b를 참조하면, 복수 개의 마이크로 엘이디 칩(120)은 미도시된 배열 장치에 의해 임시 기판 상에 정렬된 상태로 부착될 수 있다. 개개의 마이크로 엘이디 칩(120)은 임시 기판 일면에 부착된 상태를 유지할 수 있다. 마이크로 엘이디 칩(120)과 임시 기판 간에는 접착재, 예컨대 접착층(예 ; 도 5a의 접착층(122))이 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따른 임시 기판(130)(이하 제2기판이라 한다)은 투명한 기판으로서, 자외선 파장 대역의 빛의 투과도가 높은 사파이어, 알루미나, 실리카 또는 쿼츠 재질 중 어느 하나의 재질을 포함하는 투명 글래스일 수 있다. 마이크로 엘이디 칩(120)은 접착재, 예컨대 폴리이미드(Polyimide) 또는 에폭시 또는 아크릴 소재의 접착재에 의해 제2기판(130) 상에 부착된 상태로 샘플이 준비될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이(이하 디스플레이로 지칭하기로 한다)의 구조에 대해서 설명하기로 한다.
다양한 실시예에 따른 디스플레이는 회로 기판(140), 제1전극(144), 마이크로 엘이디 칩(120), 제2전극(112), 접합 구조 및 복합 수지부(148)를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 회로 기판(140)은 멀티층으로 구성된 인쇄 회로 기판(140)으로서, 세라믹, 글래스 또는 폴리머 재질 중 어느 하나의 재질로 구성될 수 있다. 회로 기판은 배선층(142)과 제1전극(144)을 포함할 수 있다. 회로 기판(140)은 제1방향으로 향하는 제1면과, 제1방향과 반대인 제2방향으로 향하는 제2면을 포함할 수 있다. 제1면 상에 적어도 하나 이상의 배선층(142)이 형성될 수 있다. 배선층(142)은 신호 전달 경로일 수 있다. 예컨대, 각각의 배선층(142)은 절연층(145)에 의해 분리될 수 있다. 배선층(142)은 도전성 재질로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따른 회로 기판(140)은 배선층(142)의 일면에 형성된 적어도 하나 이상의 제1전극(144)을 포함할 수 있다. 제1전극(144)은 배선층(142)의 제1방향으로 향하는 면에 형성될 수 있으며, 한 쌍으로 구성될 수 있다. 각각의 제1전극(144)은 절연층(145)에 의해 각각 분리될 수 있다. 예컨대, 제1전극(144)은 층 형상으로 형성될 수 있다. 제1전극(144)은 도전성 재질을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 제1전극(144)층은 제1방향으로 향하는 제1면에 표면층(146)이 형성될 수 있다. 표면층(146)은 레이져에 의해 처리되어서, 마이크로 엘이디 칩(120)의 제2전극(112)과 접합되는 접합층일 수 있다. 예컨대, 표면층(146)의 적어도 일부는 제2전극(112)의 적어도 일부와 접합되어서, 열 반응층(147)을 생성할 수 있다. 열 반응층(147)은 제1,2전극(144,112)을 전기적으로 연결하는 접합 구조의 일부일 수 있다.
다양한 실시예에 따른 열 반응층(147)은 제1,2전극(144,112)을 전기적으로 연결하는 연결 부분일 수 있다. 열 반응층(147)은 레이져 처리에 의해 생성된 후에 용융되어서, 접합 구조를 생성할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩(120)은 제2기판(예 ; 도 2a의 제2기판(130)에 접착재(예 ; 도 5a의 접착재(122))에 의해 부착된 상태로 회로 기판(140) 상에 정렬된 후에 레이져(예 ; 도 5b의 제1레이져(L1) 및 도 5d의 제2레이져(L2))에 의해 접합될 수 있다.
제1,2전극(140,112)은 레이져(예 ; 도 5d의 제2레이져(L2))에 의해 가열되어서, 접합 구조, 예컨대 열 반응층(147)을 생성함으로서, 마이크로 엘이디 칩(120)은 회로 기판(140)의 배선층(142)에 전기적으로 도통될 수 있다.
다양한 실시예에 따른 복합 수지부(148)는 레이져에 의해 가열된 후에 응집 및 경화되어서, 각각의 마이크로 엘이디 칩(120)을 감싸는 형상으로 형성될 수 있다. 각각의 복합 수지부(148)는 각각의 접합 구조를 지지할 수 있고, 마이크로 엘이디 칩(120)과 회로 기판(140) 사이에 형성되어서, 접합된 마이크로 엘이디 칩(120)을 회로 기판(140) 상에 지지할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 복합 수지부(148)는 회로 기판(140) 상에 간격지계, 예컨대 등간격으로 형성될 수 있다. 마이크로 엘이디 칩(120)이 회로 기판(140) 상에 등간격으로 배치되어서, 복합 수지부(148)도 회로 기판(140) 상에 등간격으로 형성될 수 있다. 예컨대, 복합 수지부(1480)는 접합 구조의 제2전극(112)을 외부로부터 폐쇄할 수 있다. 따라서, 복합 수지부(1480)는 접합 구조의 보호 구조일 수 있다.
다양한 실시예에 따른 디스플레이는 회로 기판(140)의 제1전극((144)의 최종 높이(h1)가 절연층(145)의 최종 높이(h2)보다 낮거나 동일하게 구성될 수 있다. 이러한 구조는 평탄한 복합 수지 층(1480)의 구현에 도움을 줄 수 있다.
각각의 복합 수지부(148) 간에는 빈 공간(149)이 있을 수 있다. 빈 공간(149)은 마이크로 엘이디 칩(120) 간에 형성될 수 있고, 등간격으로 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이의 제작 과정을 순차적으로 나타내는 블록도이다. 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이의 제작 과정을 순차적으로 각각 나타내는 단면도이다.
도 4 내지 도 5d를 참조하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이 제작 과정에 대해서 설명하기로 한다.
도 5a를 참조하면, 다양한 실시예에 따른 디스플레이는 회로 기판(140) 상에 복합 수지층(1480)이 도포될 수 있다(예 ; 도 4의 401 과정). 회로 기판(140)은 마이크로 엘이디 칩(120)을 일대일로 받아서, 최종적으로 마이크로 엘이디 칩(120)이 안착될 수 있는 기판일 수 있다. 예컨대, 회로 기판(140)은 TFT 기판을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 복합 수지층은 일정 이상의 점도를 가지는 층으로서, 기판 상에 도포될 수 있다. 예컨대, 복합 수지층(1480)은 에폭시 또는 아크릴 등과 같은 고분자 수지와 플럭스(FLUX) 등으로 이루어진 복합 재질로 구성될 수 있다. 복합 수지 층(1480)은 접착재와 플럭스로 이루어진 스티키(sticky)한 혼합물을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 복합 수지 층은 끓는 점이 서로 다른 두가지 이상의 물질로 이루어지며, 코팅할 때에는 두가지 용제에 의해 점도가 대략적으로 500 내지 1500 CPS 사이의 점도를 가지고, 코팅 후에는 낮은 끓는 점을 가지는 용제(solvent)가 증발하여, 점도가 상승하며, 이어서 마이크로 엘이디 칩(120)이 제팅되어 안착될 때 충격을 충분히 흡수하는 재질일 수 있다. 복합 수지층(1480)은 회로 기판(140) 상에 도포되어서, 제팅되어 오는 마이크로 엘이디 칩(120)과의 충돌에 의해 발생하는 충격을 흡수하는 댐핑(Damping)일 수 있고, 정해진 위치에 고정되게 하는 접착층(122)일 수 있다. 복합 수지층(1480)은 댐핑 작용, 즉 쿠션과 같은 작용과, 접착 특성으로 인해서, 투명 기판으로부터 가속도를 가지로 오는 개개의 마이크로 엘이디 칩(120)의 충격을 흡수하여, 목표로 하는 회로 기판(140)의 제1전극(144)에 안착되게 도움을 줄 수 있다.
다양한 실시예에 따른 복합 수지 층(1480)은 녹는 점이 대략 300도 이하이고, 지름이 0.01 mm 이하의 솔더 입자가 포함될 수 있고, 가열 시에 솔더가 녹아서 회로 기판(140)의 제1전극(144)과 마이크로 엘이디 칩(120)의 제2전극(112) 간은 접합될 수 있다. 예컨대, 솔더는 주석, 은, 구리, 인듐, 아연, 비스무스, 금 중, 어느 한 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩(120)은 제2기판(130) 상에 접착제(122)에 의해 부착된 상태로 준비될 수 있다(예 ; 도 4의 403 과정). 예컨대, 마이크로 엘이디 칩(120)은 제2기판(130)에 부착된 후, 패드(112)가 패드 다운된 상태로 회로 기판(140) 상에 정렬될 수 있다(예 ; 도 4의 405 과정). 이 때, 하나의 마이크로 엘이디 칩(120)은 하나의 회로 기판(140)의 제1전극(144)과 일대 일로 대면할 수 있다. 401동작은 403 동작 후에 실시될 수도 있다.
도 5b를 참조하면, 다양한 실시예에 따른 디스플레이는 마이크로 엘이디 칩(120) 상면 위에서 마이크로 엘이디 칩(120)으로 제1레이져(L1)가 조사될 수 있다. 기판은 투명 재질이라서, 기판을 투과한 레이져는 접착재(122)를 융제(ablation)할 수 있다(예 ; 도 4의 407 과정). 예컨대, 제1레이져(L1)는 광학 투과성이 우수한 자외선 파장 대역의 레이져나, 펄스파(pulse wave) 라이팅 장치를 포함할 수 있다. 또한, 제1레이져(L1)는 파장이 400nm 이하이며, 펄스 주파수는 1HZ 이하이며, 한번의 샷(shot)으로 1개 이상의 마이크로 엘이디 칩(120)을 회로 기판(140)의 복합 수지 층(1480) 상에 낙하시킬 수 있다.
이러한 접착재(122)의 융제 현상에 의해 개개의 마이크로 엘이디 칩(120)은 복합 수지층(1480)으로 가속도를 가진 상태로 떨어질 수 있다. 이러한 상태를 마이크로 엘이디(120)의 제팅(jetting)이라고 할 수 있다. 이러한 동작은 각각의 제1레이져(L1)와 마이크로 엘이디 칩(120)이 동시적으로 진행될 수 있다.
각각의 마이크로 에일디 칩(120)의 제팅 후, 복합 수지층(1480)은 쿠션 작용과 점착 특성으로 인해서, 날라오는 마이크로 엘이디 칩(120)의 충격을 흡수하며, 이에 따라 목표로 한 타겟 전극에 마이크로 엘이디 칩(120)이 안착될 수 있다(예 ; 도 4의 409 과정). 복합 수지층(1480)에 안착된 각각의 마이크로 엘이디 칩(120)이 도 5c에 도시되었다.
도 5c를 참조하면, 안착된 각각의 마이크로 엘이디 칩(120)의 제2전극(112)은 회로 기판(140)의 제1전극(144)과 대면한 상태일 수 있다. 제1전극(144)과 제2전극(112) 사이에는 상대적으로 얇은 복합 수지층(1480a)의 일부가 존재하고, 표면층(146)이 존재할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 다양한 실시예에 따른 디스플레이는 복합 수지층(1480)에 안착된 마이크로 엘이디 칩(120)의 상면 위에서 제2레이져(L2)가 조사될 수 있다. 이러한 제2레이져(L2) 조사에 의한 가열 동작(예 ; 대략적으로 120도 이상)으로, 제1전극(144)과 제2전극(112)은 접합될 수 있다(예 ; 도 4의 4011 과정). 이러한 가열 과정에 의해 복합 수지 층은 플럭스와 접착재로 상분리(phase decomposition)가 이루어져서, 플럭스는 접합부의 젖음성(wetting property)을 향상시키고, 원할한 솔더 접합이 이루어지고, 접합제는 접합 구조를 코팅해서 접합부를 보호할 수 있다.
한편, 솔더는 복합 수지 층(1480)에 포함될 수도 있고, 표면층(146)에도 포함될 수 있거나, 양자 모두에 포함될 수 있다.
다양한 실시예에 따른 복합 수지 층(1480)은 백색 또는 흑색과 같은 입자를 포함할 수 있다. 이러한 입자 포함에 따른 복합 수지 층(1480)은 디스플레이의 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.
제2레이져(L2)가 제2전극(112)을 향해 조사되면, 제2전극(112)과 표면층(146)은 용융되어서, 화학적인 접합이 이루어질 수 있다. 이러한 화학적 접합에 의해 열 반응층(147)이 생성될 수 있다. 열 반응층(147)은 제1,2전극(144,112)을 전기적으로 연결하는 접합 구조의 일부일 수 있다. 예컨대, 제2레이져(L2)는 적외선 파장 대역의 레이져일 수 있다. 제2레이저는 제1전극(144)의 폭과 동일하거나 약간 큰 정도의 레이져 광이 조사되도록 구성될 수 있다. 또는, 제2레이저는 제2전극(112)의 폭과 동일하거나 약간 큰 정도의 레이져 광이 조사되도록 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따른 디스플레이는 제2레이져(L2) 조사에 의해 존재했던 복합 수지층(1480)은 응집 및 경화되어서, 회로 기판(140)과 마이크로 엘이디 칩(120)의 접합 구조를 지지하는 지지 부재 일 수 있다. 경화된 복합 수지층(1480)은 복합 수지부(148)로 지칭하기로 한다. 복합 수지부(148)는 회로 기판(140) 상에서 마이크로 엘이디 칩(120)을 감싸게 형성될 수 있다. 또한, 복합 수지부(148)는 접합 구조를 감싸게 형성될 수 있다. 하나의 마이크로 엘이디 칩(120)은 하나의 복합 수지부(148)가 형성될 수 있다. 각각의 마이크로 엘이디 칩(120) 간은 이격되고, 각각의 복합 수지부(148) 간에는 빈 공간(149)이 있을 수 있다
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩이 제1전극 상에 접속된 상태를 나타내는 도면으로서, (a)는 평면도이고, (b)는 측단면도이다.
도 6을 참조하면, 다양한 실시예에 따른 디스플레이는 레이져 또는 에너지 빔을 부분적으로 조사하여 전극을 가열하기 위해서, 마이크로 엘이디 칩의 크기(CⅩC')는 제1전극(144)의 크기(DⅩD')보다 작게 할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 디스플레이는 쇼트를 방지하기 위하여, 서로 마주보는 곳에 있는 제1전극(144) 일측단과, 서로 마주보는 곳의 제2전극(112) 일측단 간의 거리(B)는 반대쪽에 있는 제1전극(144) 타측단과 제2전극(112) 타측단까지의 거리(A) 보다 작게 설계할 수 있다.
다앙한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩의 제2전극(112)은 회로 기판의 제1전극(144) 크기보다 작게 형성될 수 있다.
도 7a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩이 제1전극 상에 접속된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 7b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 칩이 제1전극 상에 잘못 접속된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 7a는 각각의 마이크로 엘이디 칩의 제2전극(112)이 각각의 회로 기판(140)의 제1전극(144) 상에 일대 일로(1;1) 정렬된 후, 정확하게 안착되었을 경우를 예시한 도면이다. 일반적으로 제1전극(144)이나 제2전극(112)은 직사각형으로 형성될 수 있다.
하지만, 도 7b에 도시된 바와 같이, 마이크로 엘이디 칩(120)의 제2전극(112)이 반대쪽의 전극과 접속될 경우, 전자 회로적으로 쇼트 불량 부분/오픈 불량(F)이 발생할 수 있다. 이러한 불량 상태의 접속 상태를 방지하기 위하여 필요에 따라서 제1전극(144)의 형상을 다양하게 형성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제1전극의 형상을 나타내는 평면도이다.
도 8을 참조하면, 다양한 실시예에 따른 제1전극(144)은 중간 지점을 중심으로 서로 가까운 곳에 있는 부분을 제1부분(144a)이라 하고, 서로 먼데 있는 부분을 제2부분(144b)이라고 할 때, 제1부분(144a)의 면적이 제2부분(144b)의 면적보다 작게 또는 좁게 형성될 수 있다. 예컨대, 제1부분(144a)은 제2부분(144b)에서 제2부분(144b)의 상하 폭보다 좁은, 서로 향하는 방향으로 연장된 직사각형으로 형성될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제1전극의 다른 형상을 나타내는 평면도이다.
도 9를 참조하면, 다양한 실시예에 따른 제1전극(144)은 중간 지점을 중심으로 서로 가까운 곳에 있는 부분을 제1부분(144c)이라 하고, 서로 먼데 있는 부분을 제2부분(144b)이라고 할 때, 제1부분(144c)의 면적이 제2부분(144b)의 면적보다 작게 또는 좁게 형성될 수 있다. 예컨대, 제1부분(144c)은 제2부분(144b)에서 제2부분(144b)의 상하 폭을 하나의 밑변으로 하는 삼각형 형상으로 형성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5d에 도시된 제작 과정을 거쳐서 제작된 마이크로 엘이디 디스플레이(1000)가 도 10에 도시되었다.
한 실시예에 따르면, 디스플레이(1000)는 복수의 픽셀(P)이 일정 간격으로 배치될 수 있으며, 각각의 픽셀은 서브 픽셀들(Pr, Pg, Pb)을 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 각각의 서브 픽셀들(Pr, Pg, Pb)에 해당하는 마이크로 엘이디 칩(예 ; 도 3의 마이크로 엘이디 칩(120)들이 본 발명에 따른 장치에 의해 디스플레이(1000)의 회로기판(예: 도 3의 회로 기판(140))으로 빠르고 정확하게 실장될 수 있다.
본 명세서와 도면에 개시된 본 개시의 다양한 실시예들은 본 개시의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 개시의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 개시의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 따라서 본 개시의 범위는 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 개시의 기술적 사상을 바탕으로 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 개시의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 마이크로 엘이디 디스플레이에 있어서,
    회로 기판;
    상기 회로 기판에 형성된 적어도 하나 이상의 제1전극;
    상기 제1전극 상에 접합되는 적어도 하나 이상의 마이크로 엘이디 칩;
    상기 마이크로 엘이디 칩에 형성된 제2전극;
    레이져 조사에 의해 상기 제1전극과 상기 제2전극이 가열되어 형성되는 접합 구조; 및
    상기 마이크로 엘이디 칩의 접합 상태를 지지하는 적어도 하나 이상의 복합 수지부를 포함하는 마이크로 엘이디 디스플레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 표면층이 더 형성되어서, 상기 레이져 조사 시에 상기 제2전극과 접합되며,
    상기 제1,2전극은 솔더 물질에 의해 접합되되, 상기 솔더는 상기 복합 수지부 또는 상기 표면층 중 하나에 포함되거나, 모두에 포함되는 마이크로 엘이디 디스플레이.
  3. 제1항에 있어서, 상기 각각의 복합 수지부 사이는 빈 공간이 각각 형성되며,
    상기 회로 기판은 접합된 각각의 마이크로 엘이디 칩 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 절연층을 더 포함하고, 상기 절연층 상에는 빈 공간 위치하는 마이크로 엘이디 디스플레이.
  4. 제3항에 있어서, 상기 회로 기판으로부터 상기 제1전극까지의 높이는 상기 회로 기판으로부터 상기 절연층까지의 높이 이하로 구성되는 마이크로 엘이디 디스플레이.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은
    서로 마주보는 제1부분; 및
    상기 제1부분의 반대쪽의 제2부분을 포함하되,
    상기 제1부분이 제2부분보다 좁게 형성되는 마이크로 엘이디 디스플레이.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2전극 크기가 상기 제1전극 크기보다 작게 형성되는 마이크로 엘이디 디스플레이.
  7. 마이크로 엘이디 디스플레이 제작 방법에 있어서,
    회로 기판 상에 복합 수지 층을 형성하는 제1과정;
    복수의 마이크로 엘이디 칩이 접착재에 의해 부착된 투명 기판을 상기 제1기판 상에 정렬시키는 제2과정;
    상기 각각의 마이크로 엘이디 칩에 적어도 하나 이상의 제1레이져를 조사하여 상기 접착재를 융제하는 제3과정;
    상기 마이크로 엘이디 칩이 제팅되어, 상기 복합 수지 층에 안착되는 제4과정;
    상기 안착된 마이크로 엘이디 칩의 전극에 적어도 하나 이상의 제2레이져를 조사하는 제5과정;
    상기 회로 기판의 전극과 상기 마이크로 엘이디 칩의 전극이 접합되는 제6과정을 포함하는 제작 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제6과정 후, 상기 복합 수지 층은 경화되어서, 상기 마이크로 엘이디 칩의 접합 상태를 에워싸는 제작 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 마이크로 엘이디 칩의 전극 크기가 상기 기판의 전극 크기보다 작게 형성되는 제작 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 복합 수지 층은 상기 회로 기판 전극 상에 0.015mm 이하의 두께로 균일하게 코팅되는 제작 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 복합 수지 층은 상기 제팅하는 마이크로 엘이디 칩의 충격을 흡수하는 댐핑층으로 동작하고, 상기 안착된 마이크로 엘이디 칩을 부착시키는 접착 특성을 가지는 재질로 구성되는 제작 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 복합 수지 층은 끊는점이 서로 다른 두 가지 이상의 용제(Solvent) 물질로 구성되되, 상기 제1과정 시, 두 가지 용제에 의해 점도가 1,000 CPS 이하였다가, 상기 제1과정 후, 낮은 끊는점을 갖는 용제가 증발하여, 점도가 상승하는 제작 방법.
  13. 제7항에 있어서, 상기 복합 수지 층은 녹는점이 300도 이하이고, 지름이 0.01mm 이하의 솔더 입자가 포함되어서, 상기 제6과정 시, 상기 솔더가 녹아서 상기 회로 기판의 전극과 상기 마이크로 엘이디 디스플레이의 전극이 접합되는 제작 방법.
  14. 제7항에 있어서, 상기 복합 수지층은 백색 또는 흑색의 색상을 갖는 입자를 포함하는 제작 방법.
  15. 제7항에 있어서, 상기 제2과정은 상기 각각의 마이크로 엘이디 칩의 전극이 상기 회로 기판의 각각의 전극과 일대일로 대면한 상태로 정렬되는 제작 방법.
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