WO2019174996A1 - Strahlformungs- und beleuchtungssystem für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren - Google Patents

Strahlformungs- und beleuchtungssystem für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren Download PDF

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WO2019174996A1
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optical
illumination system
pupil
beam shaping
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Hubert Holderer
Klaus Abele
Björn LIEBAUG
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
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    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

Definitions

  • the present invention relates to a Strahlformungs- and illumination system for a lithography system, a lithography system with such a beam shaping and illumination system and a method for adjusting egg nes such beam forming and illumination system.
  • Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits.
  • the microlithography process is carried out with a lithography system which has a lighting system and a projection system.
  • the image of a mask (reticle) illuminated by means of the illumination system is hereby projected onto a photosensitive layer (photoresist) coated on the image plane of the projection system, such as a silicon wafer, to project the mask pattern onto the photosensitive coating of the substrate Transfer substrate.
  • EUV lithography systems are currently being developed which use light having a wavelength in the range from 0.1 nm to 30 nm, in particular 13.5 nm.
  • reflective optics ie mirrors
  • hitherto - breaking optics that is, lenses.
  • tin can pass from an EUV light source operating with a tin plasma into the lighting system. This can lead to a degradation of the optics.
  • the replacement of individual optics should advantageously without a removal and installation of the entire lighting system and preferably at the site the EUV lithography system and with as little downtime as possible. After replacement, adjustment of the optics may be required to achieve optimal field position and pupil position for the exposure mode. Furthermore, it may also be advantageous to adjust the optics already during a heating phase of the illumination system in order to achieve an optimal field position and pupil position even during the heating phase. That is, it should advantageously already during the heating phase of the exposure mode can be started to achieve the lowest possible downtime.
  • DE 10 2016 203 990 A1 describes a method for producing a lighting system for an EUV lithography system.
  • the method comprises adjusting a position of mirror modules of an illumination system of the EUV lithography system.
  • the mirror modules are adjusted on the basis of measured values from a mobile measuring system.
  • an object of the present invention is to provide an improved beam shaping and illumination system for a Lithogra phiestrom.
  • the beamforming and illumination system comprises an optical element and an adjustment device, which is adapted to measure a field position and / or a pupil position of the beamforming and illumination system during a heating phase of the beamforming and illumination system and in dependence on the measured field position and / or Pu pillenposition to adjust an orientation and / or position of the optical element to hold the optical element in a desired position.
  • optical element is adjusted during the heating phase, an exposure operation of the Strahlfor tion and illumination system or the lithographic system can be started even during the heating phase.
  • the downtime of the beam-forming and Be illumination system or the lithographic system for example after an exchange (Engl .: swap) of the optical element, be significantly reduced.
  • the adjustment of the optical element can thus be tracked in the current Be lichtungs resort.
  • the optical element can advantageously be kept independent of its temperature in its specification by means of the adjusting device.
  • measurements can be carried out in the current exposure mode and the pupil position can be readjusted.
  • the measurements may be performed at a predetermined time interval, for example at a time interval of two hours. A deviation of the opti's element from its desired position can then be readjusted in each case in this time interval.
  • the adjustment of the optical ele ments when changing a wafer stack (Engl .: lot) or even when changing ei Nes wafer are performed. This saves time.
  • measurements from a previously performed exposure operation or a previously performed heating phase for adjusting the optical ele ments can be used. This makes it possible to dispense with measurements during the heating phase. This also saves time.
  • the adjusting device is set up to continuously adjust the orientation and / or position of the optical element during the heating phase of the beam shaping and illumination system as a function of the measured field position and / or pupil position in order to hold the optical element in the desired position .
  • continuous is preferably to be understood that the optical element by means of Justiereinrich device during the entire or at least during a large part of the heating phase can be adjusted.
  • the heating up phase can take several hours. In particular, the heating phase lasts until a thermal equilibrium of the beam-forming and lighting system due to incident EUV radiation is reached.
  • thermal equilibrium herein is meant a condition in which a temperature of the beam-shaping and illumination system or optical element is no longer increased and, in particular, remains constant. It is then a balance between introduced heat, while Game wise due to absorption of the EUV radiation, and dissipated heat, for example with the aid of a cooling system achieved.
  • the thermal equilibrium can also be referred to as thermal saturation.
  • the thermal equilibrium is preferably reached after several hours, for example after one to five hours.
  • the beamforming and illumination system may be referred to as an optical system and vice versa.
  • the beam-shaping and illumination system preferably comprises a plurality of optical elements, for example a field facet mirror, a pupil facet mirror and a condenser mirror.
  • Each optical element may be a mirror module or referred to as a mirror module.
  • a photomask may be arranged in an object plane of the beamforming and illumination system.
  • An object field is positioned in the object plane.
  • a position of this object field in the object plane is referred to as a field position of the beamforming and illumination system.
  • a position of an entrance pupil of a projection system of the lithographic system is characterized as a pupil position of the beam-forming and illumination system.
  • the optical element may be a facet mirror.
  • a Fa cettenapt includes in particular a plurality of facets, which may be arranged in a cell shape or arrayed.
  • a facet mirror may have several hundred to several thousand facets.
  • Each facet can be positioned or adjusted individually.
  • each facet can be assigned an actuator or actuating element, for example a so-called Lorentz actuator.
  • Lorentz actuator comprises a magnetic element, which is coupled by means of a plunger with one facet each. With the help of several energized coils, the magnetic element can be deflected and the facet can be adjusted.
  • a Lorentz actuator provides a force but no fixed path.
  • the optical element can thus be a module or a unit with a multiplicity of facets and actuators and accordingly has a large thermal mass.
  • the optical element is thus in particular a mirror array and can be adjusted or modulated as a whole who the. Due to its heating in the heating phase, the orientation can and / or the position of the optical element deviate from its desired position and is therefore readjusted.
  • the Jus tier advantageously adjusts the entire optical element together with the facets as a unit during the heating phase.
  • it can be dispensed with ver to the deflection range limiting individual adjustment of the facets.
  • this does not rule out that a combined Jus days using the adjustment and simultaneously using the individual facets can be done.
  • the entire optical element can be pre-adjusted with the aid of the adjusting device, in which case a fine adjustment by means of an adjustment of the individual facets can take place.
  • the adjusting device may be provided a serial kinematics of the adjusting device and the individual control elements of the facets.
  • the deflection range of an individual facets advantageously is not unduly limited.
  • the adjusting device can be realized by the adjusting device to be realized way, which is required to hold the optical element in the desired position and / or ver in ver, reduced.
  • An adjusting element of the adjusting device can thereby be made smaller.
  • the optical element or an optically active surface example, a mirror surface
  • the optical element preferably has six degrees of freedom, namely three translational degrees of freedom along a first spatial direction or c-direction, a second spatial direction or y-direction and a third spatial direction or z Direction as well as three rotatory degrees of freedom about the c-direction, the y-direction and the z-direction, respectively. That is, the position and the orientation of the optical element or the optically effective surface can be determined or described with the help of the six degrees of freedom.
  • the adjusting device is adapted to adjust the optical element in all six degrees of freedom.
  • Adjustment is accordingly to be understood that preferably both the orientation Orientation and the position of the optical element using the Justierein- direction can be changed to hold the optical element or the optically active surface in the desired position. If the optical element is not in the desired position but in a different actual position, the field position and / or the pupil position do not satisfy the specifications required for the exposure mode, in particular illumination specifications. The adjusting device then adjusts the optical element until it has been moved from the actual position to the desired position. Thus, the optical ele ment can be adjusted so that the field position and / or the pupil position meet the required specifications or it can Feldpo position and / or the pupil position changed or adjusted by a change in the position of the optical element.
  • the "position” of the optical element or of the optically active surface is thus to be understood as meaning in particular its coordinates or the coordinates of a measuring point provided on the optical element with respect to the c-direction, the y-direction and the z-direction
  • the "orientation" of the optical element or of the optically active surface is accordingly to be understood as meaning, in particular, its relationship with respect to the three spatial directions. That is, the optical element or the optically active surface of the same can be tilted about the c-direction, the y-direction and / or the z-direction. This results in the six degrees of freedom for the position and / or orientation of the optical element or the optically active surface.
  • the "position” of the optical element or the optically effective surface area preferably comprises both its position or its position as well as its orientation. This means that the orientation and / or the position can also be summarized as a position or the position can be referred to as orientation and / or position. The terms “position” and “orientation and / or position” can thus be exchanged ge against each other.
  • the adjusting device "holds" the optical element in the desired position is to be understood that the adjusting device always monitors on the basis of the measurement of the field position and / or the pupil position, whether the optical element is still in the desired position and accordingly possibly readjusted, so that this is again positioned in the desired position.
  • the desired position can be subject to tolerances. The tolerance is designed so that the field position and / or the pupil position meets the specifications if the actual position of the optical element is within the tolerance range of the desired position.
  • the adjusting device preferably comprises a measuring system for measuring the field position and / or the pupil position.
  • the measuring system may include a calculating unit for calculating a correction recipe according to which the optical element is to be adjusted.
  • the measuring system can be mobile.
  • the measuring system can also be an integral part of the beam shaping and illumination system.
  • the adjusting device may also include an adjusting element for continuous union changing the orientation and / or the position of the optical element and a control unit for driving the actuating element.
  • the control unit is operatively connected to the measuring system.
  • the control unit may be part of the measuring system or the measuring system may be part of the control unit.
  • the opti cal element is adjusted during the heating phase.
  • the measuring system may include a photosensitive sensor, for example, one or more CCD sensors (charge-coupled device, CCD).
  • the sensor system may further comprise, for example, a sensor for measuring the energy distribution in the object plane.
  • this sensor can be moved in the object plane, so that it can be moved into a beam path of the beam shaping and illumination system for measuring the field position and / or the pupil position in the object plane. After measuring, the sen can be moved out of the beam path again.
  • the sensor system for measuring the field position and / or the pupil position can also include a photomask (reticle) provided with a measuring technique, which can also be moved in the object plane.
  • the beam-forming and illumination system further comprises a plurality of optical elements, in particular a Feldfacettenspie gel, a pupil facet mirror and / or a condenser mirror, wherein the adjusting device is adapted to depending on the measured field position and / or pupil position orientation and / or to adjust a position of the optical elements relative to each other.
  • the adjustment is preferably carried out continuously.
  • the number of optical ele ments is arbitrary.
  • three optical elements namely a field facet mirror, a pupil facet mirror and a condenser mirror, are provided. However, four or more than four optical elements may be provided.
  • a facet mirror in particular comprises a multiplicity of facets, which may be arranged in a cell shape.
  • the facets may be arcuate or crescent-shaped curved.
  • the facets can also be very angular, for example hexagonal.
  • a facet mirror may have several hundred to several thousand facets. Every facet can be tiltable for itself.
  • the Strahlformungs- and Be illumination system further comprises a bearing device, in particular a hexapod, for the optical element, wherein the bearing means comprises a controllable by the Justiereinrich actuator, in particular a piezoelectric element comprises.
  • the storage facility may be referred to as hexapod or the hexapod may be referred to as storage facility.
  • the actuator can also be referred to as an actuator or actuator.
  • Each optical element is associated with its own such storage device.
  • the optical element may include a socket in which the optical element is received.
  • the optical element can be decoupled from this version, in particular mechanically decoupled.
  • the bearing device is preferably coupled to the socket.
  • the bearing device operatively connects the socket to a base of the beam-forming and lighting system.
  • the base can also be called a solid world.
  • the base may be a support frame of the beam-forming and lighting system or the lithography system.
  • the Lagereinrich device allows storage of the optical element in the aforementioned six degrees of freedom.
  • the adjusting element may comprise one or more piezo elements or may be a piezo element.
  • the adjusting element may alternatively be or comprise a manually or motor-adjustable threaded spindle.
  • the actuator may also include a hydraulic or pneumatic drive. In the event that the actuator is a piezo element, the drive can thereby directly or via a solid-state gearbox for optimization of force, travel and positioning accuracy.
  • the actuating element may comprise a piezoelectric stepping drive, which may be combined with a solid-state transmission to optimize power, travel and positioning accuracy.
  • the storage device comprises six La gerritten each having an actuating element.
  • each storage unit is preferably associated with at least one such
  • the adjusting elements are controlled by the adjusting device, in particular by the control unit of the adjusting device, in particular energized to change the orientation and / or the position of the optical element in all six degrees of freedom.
  • Each actuator allows in particular a linear movement along a longitudinal direction or a rod axis of the respective actuator associated bearing unit.
  • each storage unit comprises a spacer which varies a length of the respective storage unit.
  • the spacer may also be referred to as a spacer or tuning disc who the. Spacers with different gradation or granularity out vis their longitudinal extent with respect to the longitudinal direction or the rod axis of the respective storage unit can be maintained, from de nen then a suitable spacer is selected.
  • the granularity of the spacers is preferably 5 gm.
  • a length change of the same is feasible for adjusting the orientation and / or the position of the optical element on the bearing units.
  • the change in length may include an increase in length or a Gaznverklei n réelle.
  • the length change can, but does not have to, be carried out in two stages. With the aid of the spacer, the length change can be carried out in a first stage due to the above-described granularity with an accuracy of 5 gm. In a second stage can with Help the actuator to achieve an accuracy of up to 0.1 gm.
  • the insertion of the spacer can also be dispensed with.
  • the spacer can be dispensed with if a pre-adjustment has already been carried out and thus only a required change in length of less than 5 gm is to be expected.
  • the actuating element can be brought from an undeflected state into a deflected state, wherein the actuating element is de-energized both in the undeflected state and in the deflected state.
  • the adjusting element may be a so-called piezoelectric scraper or include such.
  • the undeflected state may also be considered an unactuated state, and the deflected state may also be referred to as an actuated state.
  • an electrical voltage to the actuator which before given to a piezoceramic, this undergoes a change in length.
  • a further effect of piezo ceramics is that they undergo a change in length even when polarized. This change in length is permanent and can only be changed by repolarization. That is, after the Consmene tion, especially in the deflected state, no energy supply is no longer necessary to maintain the change in length. As a result, no heat is generated, which must be dissipated.
  • the actuator is energized only to bring it from the undeflected state to the deflected state and vice versa. Otherwise, the Stel lelement is not energized. That is, no current is required to hold the deflected state.
  • a control range of the control element is preferably be infinitely adjustable be. That is, the actuator can be preferably moved between the undeflected state and the deflected state steplessly in any number of intermediate states.
  • each bearing unit comprises a first bending decoupling element, a second bending decoupling element and a rod section arranged between the first bending decoupling element and the second bending decoupling element, wherein the adjusting element lies between the first bending decoupling element and the second bending decoupling element, between the first bending decoupling element and the optical element or between the second bending decoupling element and a base of the beam shaping and illumination system is arranged.
  • the actuator may be disposed in the rod portion and / or be part of the rod portion.
  • the rod portion and the Biegeentkopp distribution elements are preferably in one piece, in particular centrein Divisionig formed.
  • the bending decoupling elements may each comprise solid joints or be designed as solid joints. Under a "Festkör pergelenk" is presently preferred to understand a spring device, which allows a relative movement due to bending or - more generally - due to elastic deformation.
  • the function of such a Fest Eisenegage steering is in particular by a range of reduced bending stiffness, for example, a resiliently deformable region with reduced material strength, relative to two adjacent areas of higher bending stiffness he goes.
  • the reduced bending stiffness is thus generated in particular by a lo kale cross-sectional reduction.
  • the aforementioned spacer may be positioned between the first bending decoupling element and the optical element or its socket or between the second bending decoupling element and the base.
  • the spacer may be positioned as adjacent to the actuator or at the Biegeentkopp distribution element, where the actuator is not provided.
  • lithography system in particular an EUV lithography system, proposed with such a beam-forming and lighting system.
  • the lithography system may comprise a projection system and a light source, in particular an EUV light source.
  • EUV stands for "extreme ultraviolet” and denotes a wavelength of working light between 0.1 nm and 30 nm.
  • the lithography system can also be a DUV lithography system. DUV stands for “Deep Ultra violet” and denotes a wavelength of the working light between 30 nm and 250 nm.
  • DUV stands for “Deep Ultra violet” and denotes a wavelength of the working light between 30 nm and 250 nm.
  • the method comprises the steps of a) measuring a field position and / or a pupil position of the beamforming and illumination system, and b) adjusting an orientation and / or position of an optical element of the beamforming and illumination system during a heating phase of the beamforming Beam shaping and illumination system depending on the measured field position and / or pupil position such that the optical element is held in a desired position.
  • the adjustment in step b) is preferably carried out continuously.
  • the steps a) and b) are preferably carried out with the aid of the adjusting device.
  • the Jus tier worn includes for this purpose the measuring system and for driving the whille- elements the control unit.
  • the step a) is preferably carried out using working light, that is to say in particular EUV radiation, of the lithography system.
  • the step a) can alternatively be carried out with the aid of measuring light of a measuring light source of the measuring system.
  • the measuring light in this case is not EUV radiation.
  • the measuring light is a laser beam.
  • the measuring light can, for example, be coupled into the beam path of an intermediate focus plane of the beam shaping and illumination system and coupled out of the object plane in front of the object plane.
  • a coupling device and a decoupling device each of which is designed, for example, as a motor-movable mirror, can be used.
  • measuring the field Posi tion and / or the pupil position using the EUV radiation is carried out in step a), since then advantageously dispensed with an additional measuring light source who can. That is, while performing the process, the EUV light source is in operation.
  • steps a) and b) are carried out iteratively until the field position and / or the pupil position comply with a required specification. That is, with the aid of the method, the field position and / or the pupil lenposition can be adjusted.
  • the specification preferably includes a tolerance range within which the field position and / or the pupil position should lie.
  • a correction formula for the optical element is calculated before or in step b), wherein the optical element is adjusted based on this correction recipe.
  • the correction recipe is preferably calculated using the aforementioned computer unit, which may be part of the adjusting device.
  • the correction recipe preferably comprises for each bearing unit of the bearing device of the respective optical element a statement about whether and to what extent a length change in the respective bearing unit is required in order to hold the respective optical element in the desired position.
  • the method is carried out under vacuum and / or in the operation of an EU V light source of the beam-forming and lighting system.
  • the optical element or the optical elements are preferably positioned in a housing of the beam shaping and illumination system.
  • the ses housing is applied in particular in the exposure mode and during the heating phase to a vacuum.
  • step b) the orientation and / or the position of the optical element is adjusted by the fact that at La geranneen a storage device of the optical element in each case a Län gen specificung is made.
  • the change in length is made by means of an insertion of the previously mentioned spacer and / or by means of a control of the actuating element of the respective storage unit.
  • the method is Runaway leads until a thermal equilibrium of the beam-forming and lighting system is reached. Once the thermal equilibrium is reached, for example after one to five hours, the process can be terminated. The actuator can then be switched off. The measurement system and / or the control unit may then be removed from the beamforming and illumination system, if appropriate. Alternatively, the measuring system and / or the control unit may also remain on the beam-forming and lighting system.
  • FIG. 1A shows a schematic view of an embodiment of an EUV lithography system!
  • Fig. 1B shows a schematic view of an embodiment of a DUV lithography system!
  • FIG. 2 shows a schematic view of an embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or FIG. 1B;
  • FIG. 2 shows a schematic view of an embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or FIG. 1B;
  • FIG. 3 shows a further schematic view of the optical system according to FIG.
  • FIG. 4 shows a further schematic view of the optical system according to FIG.
  • FIG. 5 shows a further schematic view of the optical system according to FIG.
  • FIG. 6 shows a schematic perspective view of an embodiment of a storage unit for the optical system according to FIG.
  • FIG. 7 shows the detailed view VII according to FIG. 6;
  • FIG. 8 shows the detailed view IIX according to FIG. 6;
  • Fig. 9 shows a schematic view of an embodiment of a Justierein device for the optical system of FIG. 2;
  • FIG. 10 shows a schematic view of a further embodiment of an adjusting device for the optical system according to FIG. 2;
  • FIG. 11 shows a schematic block diagram of an embodiment of a method for adjusting the optical system according to FIGS
  • FIG. 12 shows a schematic block diagram of a further embodiment of a method for adjusting the optical system according to FIG. 2.
  • Fig. 1A is a schematic view of an EUV lithography apparatus 100A, which includes a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 ⁇ .
  • EUV stands for "extreme ultraviolet” (EngU extre ⁇ me ultraviolet, EUV), and denotes a wavelength of the working light Zvi ⁇ rule 0.1 nm and 30 nm.
  • the beam shaping and illumination system 102 and projection system 104 are each in a not shown Provided vacuum housing, each vacuum housing is evacuated by means of a not illustrated ⁇ set evacuation device.
  • the vacuum housings are surrounded by a machine room, not shown, in which drive ⁇ devices are provided for the mechanical method or setting of optical elements. Furthermore, electric Steue ⁇ stanchions and the like provided in this engine room can be.
  • the EUV lithography system 100A has an EUV light source 106A.
  • an EUV light source 106A for example, a plasma source (or a Syn ⁇ chrotron) may be provided which emits radiation 108A in the EUV range (extremely ult ⁇ ravioletter area), ie for example in the wavelength range of 5 nm to 20 nm.
  • the EUV radiation 108A is collimated and the desired operating wavelength is filtered out of the EUV radiation 108A.
  • the 106A erzeug ⁇ te of the EUV light source EUV radiation 108A has a relatively low transmissivity by air, which is why the beam guide spaces in the beam shaping and illuminating ⁇ system is evacuated and 102 in the projection system 104th
  • the beam shaping and illumination system 102 shown in FIG. 1A has five mirrors 110, 112, 114, 116, 118.
  • the EUV radiation 108A is heated to a Photomask (Engl .: reticle) 120 headed.
  • the photomask 120 is also formed as a reflective optical element and may be disposed outside of the systems 102, 104. Further, the EUV radiation 108A can be directed to the photomask 120 by means of a Spie ⁇ gels 122nd
  • the photomask 120 has a structure which is reduced in size by the projection system 104 to a wafer 124 or the like.
  • the projection system 104 (also referred to as a projection objective) has six mirrors M1 to M6 for imaging the photomask 120 onto the wafer 124.
  • individual mirrors Ml 104 may be arranged symmet ⁇ driven to an optical axis 126 of projection system 104 to M6 of the projection system.
  • the number of mirrors M1 to M6 of the EUV lithography apparatus 100A is not limited to the number shown. It is also possible to provide more or fewer mirrors M1 to M6.
  • the width ⁇ ren the mirrors Ml to M6 are curved generally at its front side for Strahlfor ⁇ determination.
  • Fig. 1B is a schematic view of a DUV lithography system 100B which includes a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 ⁇ .
  • DUV stands for "deep ultraviolet” (Engl .: deep ultra violet DUV)
  • the beam shaping and illumination system 102 and the projek ⁇ tion system 104 may -.
  • the beam shaping and illumination system 102 and the projek ⁇ tion system 104 may -.
  • Fig. 1A arranged in egg ⁇ nem vacuum housing and / or be surrounded by a machine room with ent ⁇ speaking drive devices.
  • the DUV lithography system 100B has a DUV light source 106B.
  • a DUV light source 106B ArF excimer laser for example, be provided which radiation 108B in the DUV range, for example, 193 nm emit ⁇ advantage.
  • the beamforming and illumination system 102 shown in FIG. 1B directs the DUV radiation 108B onto a photomask 120.
  • the photomask 120 is formed as a transmissive optical element and may be disposed outside of the systems 102, 104.
  • the photomask 120 has a structure which by means of the projection system 104 reduced to a wafer 124 or the like Chen is mapped.
  • the projection system 104 has a plurality of lenses 128 and / or mirrors 130 for imaging the photomask 120 onto the wafer 124.
  • individual lenses 128 and / or mirrors 130 of the projection system 104 may be arranged symmetrically with respect to an optical axis 126 of the projection system 104.
  • the number of lenses 128 and mirrors 130 of the DUV lithography system 100B is not limited to the number shown. Also, more or less lenses 128 and / or mirrors 130 may be provided. Furthermore, the mirrors 130 are typically curved at their front for beam shaping.
  • An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 may be replaced by a liquid medium 132 having a refractive index> 1.
  • the liquid medium 132 may be, for example, high purity water. Such a structure is also referred to as immersion lithography and has an increased photolithographic resolution.
  • the medium 132 may also be referred to as immersion liquid.
  • FIG. 2 shows a schematic view of an optical system 200.
  • the optical system 200 is a beamforming and illumination system 102, in particular a beamforming and illumination system 102 of an EUV lithography system 100A.
  • the optical system 200 may therefore also be used as a beam forming and illumination system and the beam-forming and lighting system 102 may be referred to as an optical system.
  • the optical system 200 may also be part of a DUV lithography system 100B.
  • FIG. 2 also shows an EUV light source 106A which emits EUV radiation 108A and a photomask 120.
  • the optical system 200 includes a plurality of optical elements 202, 204, 206, 208. Further, an optional deflection mirror 210 may be provided.
  • the deflecting mirror 210 is operated with grazing incidence (EngU grazing incidence) and can therefore also be referred to as grazing incidence mirror.
  • the deflecting mirror 210 may correspond to the mirror 122 shown in FIG. 1A.
  • the opti ⁇ rule elements 202, 204, 206, 208 can match the levels shown in Fig. 1A 110, 112, 114, 116, 118.
  • the optical element 202 may be a facet mirror, in particular a pupil facet mirror ⁇ , the optical system 200th
  • the optical element 204 may also be a facet mirror, in particular a field facet mirror, of the optical system 200.
  • At least one of the optical elements 206, 208 may be a condensing mirror of the optical system 200.
  • the number of optical elements 202, 204, 206, 208 is arbitrary. For example, 1A, as shown in the FIG., Five optical elements 202, 204, 206, 208 or, as shown in FIG. 2 ge ⁇ shows four optical elements 202, 204, 206, 208 may be provided. However, three optical elements 202, 204, 206, 208, namely a Pupil ⁇ lenfacettenapt, a field facet mirror and a condensing mirrors are preferably at least vorgese ⁇ hen.
  • a facet mirror comprising a plurality of facets that can be cell-shaped manner ⁇ assigns.
  • the facets may be arcuate or crescent-shaped curved.
  • the facets can also be polygonal, for example hexagonal.
  • a facet mirror may have several hundred to several thousand Fa ⁇ cetten. Every facet can be tiltable for itself.
  • the optical elements 202, 204, 206, 208 are disposed within a housing 212.
  • the housing 212 may be subjected to a vacuum. That is, the optical elements 202, 204, 206, 208 are arranged in a vacuum ⁇ .
  • the EUV light source 106A emits EUV radiation 108A.
  • a tin plasma can be generated.
  • a Zinnmaschine for example, a tin or a tin droplets ⁇ beads.
  • the collector concentrates the EUV radiation 108A in an intermediate focus plane 214.
  • the EUV radiation 108A is reflected by each of the optical elements 202, 204, 206, 208 and the deflection mirror 210 when passing through the optical system 200.
  • a beam path of the EUV radiation 108A is designated by the reference numeral 216.
  • the photomask 120 is arranged in an object plane 218 of the optical system 200 at.
  • an object field 220 is positioned in the object plane 218, an object field 220 is positioned.
  • a position of the object field 220 in the object plane 218 is referred to as a field position.
  • a position of an entrance pupil of a projection system 104 not shown in FIG. 2 is referred to as a pupil position of the optical system 200.
  • FIG. 2 furthermore shows a mobile measuring system 300.
  • the measuring system 300 may be provided on the outside of the housing 212.
  • the measurement system 300 may be part of the optical system 200.
  • the measuring system 300 is preferably not part of the optical system 200 and can be separated again from the optical system 200 after a measuring operation.
  • the measuring system 300 may be suitable for coupling measurement light, for example a laser beam, into the radiation passage 216 and for coupling it out again after passage through the optical elements 202, 204, 206, 208.
  • the measuring system 300 preferably operates without its own measuring light emitting measuring light source. That is, the measurement system 300 preferably operates with the EUV radiation 108A.
  • the measuring system 300 still has a measuring light source, this is - as mentioned above - arranged to emit measuring light.
  • the measuring light in this case is not EUV radiation 108A.
  • the measuring system 300 then includes a coupling device for coupling the measuring light into the beam path 216.
  • the coupling device may be a mo toric movable or pivotable mirror.
  • Einkoppe l With the help of Einkoppe l
  • the measuring light can be coupled, for example, at the Eisenfokusebene 214 in the beam path 216.
  • the measuring system 300 has a decoupling device for decoupling the measuring light from the beam path 216.
  • the decoupling device can be a motorized or movable be pivotable mirror.
  • the measuring light can preferably be decoupled from the beam path 216 in front of the object plane 218.
  • the measuring system 300 may preferentially measure the field position and the pupil position with the EUV radiation 108A instead of measuring light. This makes it possible verzich switched to a separate Messlichtquel le as well as the coupling device and the decoupling device.
  • the measuring system 300 further includes a photosensitive sensor, example, one or more CCD sensors (Engl .: charge-coupled device, CCD). Furthermore, the measuring system 300 comprises a computer unit. With the help of the measuring system 300, the field position and the pupil position can be determined or measured.
  • the sensor system may include, for example, a sensor for measuring the energy distribution in the object plane 218. For example, this sensor can be moved in the object plane 218 so that it can be moved into the beam path 220 for measuring the field position and / or the pupil position in the object plane 218.
  • the sensor system can also comprise a photomask 120 (reticle) provided with a measuring technique, which can also be moved in the object plane 218.
  • FIG. 3 shows another view of the optical system 200, but only the optical element 202 is shown.
  • the following explanations concerning the optical element 202 apply correspondingly to the optical elements 204, 206, 208. That is, the optical elements 202, 204, 206, 208 can be constructed identically in particular with regard to their storage explained below.
  • the optical element 202 comprises a substrate 222 and an optically active surface 224, for example a mirror surface.
  • the optically effective area 224 may be provided on a multiplicity of facets in the case where the optical element 202 is a facet mirror.
  • the optical element 202 or the optically effective surface 224 has six degrees of freedom, namely three translational degrees of freedom respectively along a first spatial direction or c-direction x, a second spatial direction or y-direction y and a third spatial direction or z-direction z as well as three rotational freedom in each case about the c-direction x, the y-direction y and the z-direction z.
  • a position and an orientation of the optical element 202 be ⁇ relationship as the optically active surface 224 can be determined or described by using the six degrees of freedom.
  • the optical element 202 and the optically active surface 224 are in particular its, or their coor ⁇ ordinates or the coordinates of a provided on the optical element 202, the measuring point with respect to the c-direction x, the y-direction y and z Direction z to understand.
  • the optically effective surface 224 is in particular of that relationship ⁇ example, to understand the tilt with respect to the three spatial directions x, y, z. That is, the optical element 202 and the optically effective FLAE ⁇ che 224 may around the c-direction of x, y-y direction and / or the z-direction z are tilted.
  • a "location" of the optical element 202 whiteningswei ⁇ se the optically active surface 224 includes both its, or their position as well as its or their orientation.
  • a target location is by solid lines IL of the optical Ele ⁇ ments 202 and with dashed lines and the reference numeral 202 'Bezie ⁇ hung as 224' SL of the optical element 202 'and the optically active surface 224 'shown.
  • the optical system 200 does not meet the specifications, in particular the lighting specifications, with respect to the field position and the pupil position.
  • the optical system 200 In the desired position SL, the optical system 200 satisfies the field position and pupil position specifications.
  • the optical system 200 is assigned a base 400.
  • the base 400 may also be referred to as a fixed world.
  • the base 400 may be a support frame (Engl4 force frame) of the optical system 200 or the EUV lithography system 100A.
  • the optical element 202 may include a socket 226 (FIG. 4) in which the optical element is received.
  • the optical element 202 can be decoupled from this socket 226, in particular be mechanically decoupled.
  • a "mechanical decoupling" is to be understood as meaning that no or at least only very small forces can be transmitted from the optical element 202 to the holder 226 and / or vice versa.
  • the optical element 202 may also include a cooling system, not shown.
  • the optical element 202 can therefore also be referred to as a module, in particular as a mirror module.
  • a "solid-body joint” is preferably a spring device which has a relative movement due to bending or, more generally, due to elastic Deformation allowed.
  • the elastic deformation of the respective solid-state joint can therefore come about with a relative movement of the optical element 202 relative to its socket 226 or vice versa.
  • the function of such a solid-state joint is achieved, in particular, by a region of reduced bending stiffness, for example a region with reduced material thickness which is elastically deformable in a spring-elastic manner, relative to two adjacent regions of greater bending stiffness.
  • the reduced bending stiffness is thus generated in particular by a local reduction in cross-section.
  • the optical element 202 is coupled to the base 400 by means of a bearing device 500.
  • the bearing device 500 is a so-called hexapod relation ship as may be referred to as hexapod.
  • the bearing device 500 makes it possible to move the optical element 202 or the optically active surface 224 in the six degrees of freedom.
  • the bearing device 500 is preferably not directly connected to the optical element 202, but with the Sen version 226 operatively connected.
  • the bearing device 500 includes six bearing units 502, 504, 506, 508, 510, 512.
  • the bearing units 502, 504, 506, 508, 510, 512 are rod-shaped and may be referred to as pins.
  • the bearing units 502, 504, 506, 508, 510, 512 may engage in pairs via an adapter 514 associated with the respective pair on the optical element 202, more precisely on its socket 226.
  • the adapter 514 may be, for example, on Eckpunk th an imaginary triangle in a plan view of the optical element 202 be relationship be on the socket 226.
  • FIG. 5 shows a possible embodiment of the bearing unit 502.
  • the bearing units 504, 506, 508, 510, 512 may be constructed analogously.
  • 6 shows a schematic perspective view of a part of the bearing unit 502
  • FIG. 7 and FIG. 8 respectively show detail views VII or IIX according to FIG. 6.
  • the bearing unit 502 comprises a first bending decoupling element 516 which is operatively connected with the aid of the adapter 514 to the optical element 202 or to its socket 226.
  • an optional spacer or spacer 518 may be provided between the adapter 514 and the optical element 202 or the socket 226, an optional spacer or spacer 518 may be provided.
  • the spacer 518 may be a tuning disk or referred to as a tuning disk. That is, the adapter 514 is connected via the spacer 518 to the optical element 202 and the socket 226, respectively.
  • the adapter 514 may be referred to as a first adapter.
  • Spacers 518 with different gradation or granularity Lich regard to their longitudinal extent with respect to a longitudinal direction L of the storage unit 502 can be kept, from which then a suitable spacer 518 is selected.
  • the granularity of the spacers 518 is preference, 5 gm.
  • the first bending decoupling element 516 is ver with a rod portion 520 connected.
  • the first bending decoupling element 516 is in one piece, in particular special material integral, formed with the rod portion 520.
  • the bearing unit 502 Facing away from the first bending decoupling element 516, the bearing unit 502 comprises a second bending decoupling element 522.
  • the second bending decoupling element 522 is preferably in one piece, in particular centrein Sharingig, formed with the rod portion 520.
  • the rod portion 520 comprises a rod axis S, to which the rod portion 520 is rotationally symmetrical.
  • the longitudinal direction L is oriented parallel to the rod axis S.
  • a further adapter 524 is provided between the adapter 524 and the base 400.
  • an actuator 526 is positioned between the adapter 524 and the base 400.
  • the actuator 526 may also be referred to as an actuator or actuator.
  • the actuator 526 allows a linear movement along the longitudinal direction L of the bearing unit 502.
  • the actuator 526 may therefore be referred to as a linear actuator, linear actuator or Linearak tuator.
  • the longitudinal direction L may coincide with the z-direction z or be parallel to it.
  • the adapter 524 may be referred to as a second adapter.
  • the first adapter 514, the first Biegeent coupling element 516, the rod portion 520, the second bending decoupling element 522 and the second adapter 524 are preferably integrally formed, in particular centrein Divisionig.
  • the bending decoupling elements 516, 522 are preferably solid-state joints or comprise solid-body joints.
  • the actuator 526 may alternatively be positioned between the bending decoupling elements 516, 522, as indicated in Fig. 5 by the reference numeral 526 '. Furthermore, the actuator 526 may also be positioned between the adapter 514 and the spacer 518 or between the spacer 518 and the optical element 202 or the socket 226. Again, spacer 518 may alternatively be positioned between adapter 524 and base 400, between base 400 and actuator 526, or between actuator 526 and adapter 524.
  • the first bending decoupling element 516 is shown in FIGS. 6 and 7, each in a perspective view.
  • the first bending decoupling element 516 to summarizes two leaf spring sections 528, 530, which are connected via a kausab 532 together.
  • the leaf spring sections 528, 530 and the connecting section 532 can be manufactured as a one-piece component, in particular made of metal.
  • Each of the leaf spring sections 528, 530 has a main extension plane E.
  • the main extension planes E are perpendicular to each other.
  • the bearing unit 502 can have a perpendicular to the main extension plane E of the leaf spring section 528 in the y-direction y and a perpendicular to the main extension plane E of the Blattfe derabrough 530 in the c-direction x.
  • the first bending decoupling element 516 thus has an articulation which allows the rod section 520 to pivot about the c-direction x as well as the y-direction y as well.
  • the x-direction x and the y-direction y are perpendicular to each other and each perpendicular right to the z-direction z.
  • Corresponding bending axes of the leaf spring sections 528, 530 are denoted by R and T and may, as mentioned, with the rich lines x and y coincide.
  • the first bending decoupling element 516 is arranged on an end of the rod section 520 facing the optical element 202.
  • the tendencylie ing the second Biegeent coupling element 522 is disposed at another end of the rod portion 520. This has an identical construction to the first Biegeent coupling element 516, which is shown in FIG. 8.
  • the bearing unit 502 can only force, which act exclusively along the longitudinal direction L or the rod axis S, transmitted.
  • the actuator 526 may be or include a manually or motor-adjustable threaded spindle. Further, the actuator 526 may also include a hydraulic or pneumatic drive. Alternatively, the actuator 526 may be a piezoelectric actuator or include such. The drive can be done directly or via a solid-state gearbox to optimize power, travel and positioning accuracy. Furthermore, the actuator 526 may include a piezoelectric stepping drive, which may be combined to optimize the power, travel and positioning accuracy with a solid state gear.
  • the actuator 526 as shown in FIG. 9, a piezoelectric element or comprises one or more piezoelectric elements.
  • a piezoelectric element or comprises one or more piezoelectric elements.
  • the actuator 526 have a control range AA of 10 gm.
  • the maximum change in length, that is, the adjustment range AA, a piezoceramic is about 0.1% of its initial length A.
  • the actuator 526 therefore has an initial length A of about 10 mm.
  • the positioning accuracy of the actuator 526 is 0.1 gm.
  • the use of a piezoceramic for the actuator 526 has the fol lowing advantages. There are no mutually movable components required. This can not lead to a seizure of the components. After setting the desired length change, no power supply to the actuator 526 is required, which also eliminates the need to generate heat. Furthermore, no separate sensor system is required in or on the adjusting element 526 since the field position and the pupil position can be measured di rectly with the aid of the measuring system 300.
  • the control element 526 is a control unit 600 for energizing the same ordered.
  • the control unit 600 may be part of the optical system 200.
  • the adjusting element 526 can be moved from an undeflected state ZI into a deflected state Z2 and vice versa.
  • the actuator is designated by the reference numeral 526 "in Fig. 9.
  • the actuator 526 is energized only for bringing it from the non-steered state ZI to the deflected state Z2 That is, for holding the deflected state Z2 is not
  • the setting range DA is infinitely adjustable. That is, the actuator 526 can be moved between the undeflected state ZI and the deflected state Z2 continuously in any number of insectstän the.
  • control unit 600 can be removed again.
  • control unit 600 may also be an integral part of the optical system 200.
  • Each control element 526 of the bearing units 502, 504, 506, 508, 510, 512 may be associated with such a control unit 600.
  • all adjusting elements 526 of the bearing units 502, 504, 506, 508, 510, 512 can also be controlled by a common control unit 600.
  • An actuating element 526 can also be or comprise a so-called pebble crawler.
  • a "piezocrawler” is a linear arrangement of interconnected piezo actuators or a piezo stack, which can move on a surface as a result of alternating activation of the piezoactuators in the manner of a bead.
  • Such a piezocrawler is preferably self-locking, so that it does not automatically reset when not energized. With the help of trained in this case as Piezokrabbler Stel lelements 526 this can spend by energizing continuously from the unausge steered state ZI in the deflected state Z2. To hold the deflected state Z2 is then, as previously mentioned, no current required neces sary.
  • the control unit 600 is preferably operatively connected to the measuring system 300, so that the control unit 600, the control elements 526 depending on Messwer th of the measuring system 300, that is, depending on the measured field position and the measured pupil position, can control.
  • the control unit 600, the measuring system 300 and the adjusting element 526 are part of an adjusting device 700.
  • the control unit 600 or the adjusting device 700 is suitable for changing the position and / or orientation of each of the optical elements 202, 204, 206, 208. around the optical elements 202, 204, 206,
  • Each storage unit 502, 504, 506, 508, 510, 512 may be associated with such a Justierein device 700.
  • an adjusting device 700 several bearing units 502, 504, 506, 508, 510, 512, for example, all La geranneen 502, 504, 506, 508, 510, 512 associated with a bearing device 500.
  • the adjusting device 700 may be part of the bearing device 500 or vice versa.
  • each optical element 202, 204, 206, 208 may be assigned such an adjusting device 700.
  • a Justiereinrich device 700 may be assigned to a plurality of optical elements 202, 204, 206, 208.
  • FIG. 10 shows a further embodiment of an adjusting device 700.
  • the adjusting element 526 as suitable, with the aid of a slide construction, the adapter 524 of the respec conditions storage unit 502, 504, 506, 508, 510, 512 linearly relative to base 400.
  • an angle of inclination a of the respective bearing unit 502, 504, 506, 508, 510, 512 can be set, for example, relative to a horizontal H ver.
  • the adjusting element 526 could be designed as a piezo element or piezocrawler. This linear displaceability is indicated in FIG. 10 by means of a double arrow 534.
  • the carriage construction can be designed to be self-locking, so that it does not automatically reset when a non-energization of the
  • the adjusting device 700 is thus to be rich ⁇ tet with the aid of the linear displacement of the respective adapter 524, the position and / or orientation of each of the optical elements 202, 204, 206 to change 208 to the optical elements 202, 204, 206, 208 of their respective actual spending able IL in the required target position SL and to keep in the ⁇ ser. It is also possible to combine a wide variety of adjusting elements 526 with each other.
  • optical system 200 The functionality of the optical system 200 will be explained below. ⁇ often times it may after some time, the exposure operation may be required, single ⁇ ne optical elements 202, 204, 206 to replace the 208th For example, in the exposure mode, tin from the EU V light source 106A may enter the optical system 200. This can lead to a degradation of the optically active surface 224 of the optical elements 202, 204, 206, 208 or individual ones of the optical elements 202, 204, 206, 208.
  • the replacement of the optical elements 202, 204, 206, 208 should thereby advantageously without removal and installation of the entire optical system 200, preferably on site, that is, at the site of the EUV lithography system 100A, and with the least possible downtime (Engl4 downtime) the EUV lithography system 100A be possible.
  • the optical elements 202, 204, 206, 208 may also be necessary during a heating phase of the optical ⁇ 's system 200, the optical elements 202, 204, 206, 208 to adjust in order to achieve optimum field position and pupil position during the heating phase. That is, advantageously, then even during the heating phase on ⁇ the exposure operation to be started and the expensive EUV radiation 108A can then be used not only for heating, but even during the heating phase for exposure.
  • the heating phase can take several hours, for example one to five hours.
  • the Aufgenesispha ⁇ se takes particular until a thermal balance of the optical system 200 is achieved due to the incident EUV radiation 108A.
  • a "thermal equilibrium” is to be understood as meaning a state in which a temperature of the optical system 200 or of the optical elements 202, 204, 206, 208 no longer increases and, in particular, remains constant. It is then a balance between introduced heat, for example, ⁇ due to absorption of the EUV radiation 108A, and heat dissipated, for example by means of a cooling system achieved.
  • due to absorption of the EUV radiation 108A
  • heat dissipated for example by means of a cooling system achieved.
  • it is also notwen ⁇ dig, the position of each optical element 202, 204, 206, 208 tonepas ⁇ sen.
  • a fast and targeted adjustment is essential in order to achieve the lowest possible downtime.
  • the adjustment of the optical elements 202, 204, 206, 208 or one of the optical elements 202, 204, 206, 208 after an exchange of one or more optical elements 202, 204, 206, 208 can, according to a method shown in FIG Adjusting the optical system 200 done.
  • the field position and the pupil position is on the optical system 200 initially with the originally ⁇ Lich built-in optical elements 202, 204, 206, as measured.
  • a step S2 the desired optical element 202, 204, 206, 208 is exchanged.
  • a step S3 the field position and the Pupil ⁇ lenposition is measured again.
  • the steps S 1 to S 3 are preferably carried out without a vacuum applied to the housing 212.
  • a correction recipe is calculated.
  • the measuring system 300 may comprise a computer unit or be coupled to a computer unit.
  • the correction prescription comprises the ge ⁇ exchanged optical element 202, 204, 206, 208 and optionally also for the non-exchanged optical element 202, 204, 206, 208 each have a Consn Masse ⁇ tion AL (Fig. 9) along the rod axis S of the corresponding Bearing units 502, 504, 506, 508, 510, 512, which is required to the respective optical Ele ⁇ ment 202, 204, 206, 208 from its actual position IL in its desired position SL zuin ⁇ gene (Fig. 3).
  • the storage units 502, 504, 506, 508, 510 at each of the storage units 502, 504, 506, 508, 510,
  • step S5 a matching spacer 518 is inserted, which is selected from a plurality of spacers 518 having a length gradation of 5 gm. With the aid of the spacer 518, the change in length AL can thus be set with an accuracy of 5 gm.
  • a vacuum can be applied to the housing 212. In the event that the required change in length AL is less than 5 gm, the insertion of the spacer 518 can also be dispensed with.
  • step S6 the actuator 526 is now deflected to adjust the Constell change AL to 0.1 gm exactly.
  • the corresponding Stel lelement 526 is controlled by means of the control unit 600. If the desired change in length AL reached, the actuator 526 can be switched off.
  • the step S6 can already be carried out under vacuum.
  • a step S7 the field position and the pupil position are measured again.
  • the steps S4, S6 and S7 are iteratively repeated, especially under vacuum, until the required specification with respect to the field position and the pupil position is reached.
  • the pupil position can also be determined via the so-called overlay on the wafer 124.
  • overlay refers to the positioning accuracy or coverage accuracy of structures from different production steps, generally two photolitho-graphic levels. That is, with the help of the procedure, the overlay can also be improved.
  • the method may also be performed for Clearjustage during assembly of the optical system 200 sys. Furthermore, the method can also be used to correct setting effects that may occur during transport of the optical system 200. This is particularly advantageous because the optical system 200 is mostly tilted due to its size during transport must become. Furthermore, aging effects, such as creep effects or set effects, of other components of the optical system 200 may be corrected. Also thermal effects, such as drifts that may occur after the machine adjustment, can be corrected.
  • the method may be adapted to, the downtime for setup of the optical system 200, the example ⁇ example after a replacement of the optical elements 202, 204, 206, 208 to reduce or compensate for changes resulting from a change in the lighting setting.
  • This procedure of FIG. 12 is preferably carried out un ⁇ ter vacuum and operation of EU V- light source 106A.
  • the actuator 526 is preferably designed as an active actuator. The actuating element 526 can then be controlled in dependence on the measured with the aid of Messsys ⁇ tems 300 field position and pupil position with the aid of the control ⁇ unit 600 to the respective optical element 202, 204,
  • ⁇ element 526 is thus part of a control loop that actively the field position and the pupil position under adjustment of the optical element 202, 204, 206, 208 kori ⁇ yaws.
  • the method includes a step S10 of measuring the field position and the pupil position with the aid of the measuring system 300.
  • a step S20 the orientation and / or position of the optical element 202, 204, 206, 208 currency ⁇ rend the heating phase of the optical system 200 in Depending on the ge ⁇ measured field position and / or pupil position adjusted such that the opti ⁇ cal element 202, 204, 206, 208 is always maintained in its desired position SL. So ⁇ long as the optical element 202, 204, 206, 208 is in the desired location SL, the required specifications for the field position and the pupils ⁇ position can be maintained.
  • step S20 a correction recipe for the optical element 202, 204, 206, 208 is also calculated.
  • the control unit 600 further controls the actuator 526 so that the optical element 202, 204, 206, 208 is moved from its actual position IL to the desired position SL and held in the desired position SL.
  • the steps S10, S20 are carried out iteratively until the required specifications with regard to the field position and the Pupil lenposition are reached.
  • the method according to FIG. 12 can be part of the method according to FIG. 11.
  • the method according to FIG. 12 can in particular also be carried out according to the method according to FIG. 11.
  • the method according to FIG. 12 is carried out continuously during the heating phase of the optical system 200 with constant correction of the position of the optical element 202, 204, 206, 208.
  • the exposure mode can be started even during the heating phase, whereby the downtime of the optical system 200, for example, after replacement of one of the optical elements 202, 204, 206, 208, can be significantly reduced.

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Abstract

Ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), insbesondere für eine EUV-Lithographieanlage, aufweisend ein optisches Element (202, 204, 206, 208) und eine Justiereinrichtung (700), die dazu eingerichtet ist, während einer Aufheizphase des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) eine Feldposition und/oder eine Pupillenposition des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) zu messen und in Abhängigkeit von der gemessenen Feldposition und/oder Pupillenposition eine Orientierung und/oder eine Position des optischen Elements (202, 204, 206, 208) zu justieren, um das optische Element (202, 204, 206, 208) in einer Soll-Lage (SL) zu halten.

Description

STRAHLFORMUNGS- UND BELEUCHTUNGSSYSTEM FÜR EINE LITHOGRAPHIEANLAGE, LITHOGRAPHIEANLAGE UND VERFAHREN
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem für eine Lithographieanlage, eine Lithographieanlage mit einem derartigen Strahlformungs- und Beleuchtungssystem und ein Verfahren zum Justieren ei nes derartigen Strahlformungs- und Beleuchtungssystems.
Der Inhalt der Prioritätsanmeldung DE 10 2018 203 925.9 wird durch Bezug nahme vollumfänglich mit einbezogen.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithogra- phieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Be leuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Sub strat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstel lung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV- Lithographieanlagen entwi ckelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, ins besondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellen länge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - bre chenden Optiken, das heißt, Linsen, eingesetzt werden.
Oftmals kann es nach einiger Zeit des Belichtungsbetriebs erforderlich sein, ein zelne Optiken auszutauschen. Beispielsweise kann im Belichtungsbetrieb Zinn aus einer mit einem Zinnplasma arbeitenden EUV- Lichtquelle in das Beleuch tungssystem gelangen. Dies kann zu einer Degradation der Optiken führen. Der Austausch einzelner Optiken sollte dabei vorteilhafterweise ohne einen Ausbau und Einbau des gesamten Beleuchtungssystems sowie bevorzugt am Betriebsort der EUV- Lithographieanlage und bei möglichst geringer Stillstandszeit (Engl.: downtime) möglich sein. Nach dem Austausch kann eine Justage der Optiken erforderlich sein, um für den Belichtungsbetrieb eine optimale Feldposition und Pupillenposition zu erreichen. Ferner kann es auch vorteilhaft sein, schon wäh rend einer Aufheizphase des Beleuchtungssystems die Optiken zu justieren, um eine optimale Feldposition und Pupillenposition auch während der Aufheizphase zu erreichen. Das heißt, es sollte vorteilhafterweise schon während der Auf heizphase der Belichtungsbetrieb gestartet werden können, um eine möglichst geringe Stillstandszeit zu erreichen.
Die DE 10 2016 203 990 Al beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines Be leuchtungssystems für eine EUV- Lithographieanlage. Das Verfahren umfasst ein Justieren einer Lage von Spiegelmodulen eines Beleuchtungssystems der EUV- Lithographieanlage. Die Spiegelmodule werden dabei auf Basis von Mess werten eines mobilen Messsystems justiert.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Strahlformungs- und Beleuchtungssystem für eine Lithogra phieanlage bereitzustellen.
Demgemäß wird ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem für eine Litho graphieanlage, insbesondere für eine EUV Lithographieanlage, vorgeschlagen. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem umfasst ein optisches Element und eine Justier einrichtung, die dazu eingerichtet ist, während einer Auf heizphase des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems eine Feldposition und/oder eine Pupillenposition des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems zu messen und in Abhängigkeit von der gemessenen Feldposition und/oder Pu pillenposition eine Orientierung und/oder eine Position des optischen Elements zu justieren, um das optische Element in einer Soll- Lage zu halten.
Dadurch, dass das optische Element während der Aufheizphase justiert wird, kann schon während der Aufheizphase ein Belichtungsbetrieb des Strahlfor mungs- und Beleuchtungssystems beziehungsweise der Lithographieanlage be gonnen werden. Hierdurch kann die Stillstandszeit des Strahlformungs- und Be leuchtungssystems beziehungsweise der Lithographieanlage, beispielsweise nach einem Austausch (Engl.: swap) des optischen Elements, signifikant redu ziert werden. Die Justage des optischen Elements kann somit im laufenden Be lichtungsbetrieb nachgeführt werden. Das optische Element kann mit Hilfe der Justiereinrichtung vorteilhafterweise unabhängig von seiner Temperatur in sei ner Spezifikation gehalten werden.
Insbesondere können im laufenden Belichtungsbetrieb Messungen durchgeführt und die Pupillenposition kann nachjustiert werden. Beispielsweise können die Messungen in einem vorbestimmten Zeitintervall, beispielsweise in einem Zeit intervall von zwei Stunden, durchgeführt werden. Eine Abweichung des opti schen Elements von seiner Soll-Lage kann dann jeweils in diesem Zeitintervall nachjustiert werden. Vorteilhafter weise kann die Justage des optischen Ele ments beim Wechsel eines Waferstapels (Engl.: lot) oder sogar beim Wechsel ei nes Wafers durchgeführt werden. Dies ermöglicht eine Zeitersparnis. Weiterhin können auch Messungen aus einem früher durchgeführten Belichtungsbetrieb oder einer früher durchgeführten Aufheizphase zur Justage des optischen Ele ments verwendet werden. Hierdurch kann auf Messungen während der Auf heizphase verzichtet werden. Dies dient ebenfalls der Zeitersparnis.
Insbesondere ist die Justiereinrichtung dazu eingerichtet, während der Auf heizphase des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems in Abhängigkeit von der gemessenen Feldposition und/oder Pupillenposition die Orientierung und/oder Position des optischen Elements kontinuierlich zu justieren, um das optische Element in der Soll- Lage zu halten. Unter„kontinuierlich“ ist dabei be vorzugt zu verstehen, dass das optische Element mit Hilfe der Justiereinrich tung während der gesamten oder zumindest während eines großen Teils der Aufheizphase justiert werden kann.
Die Aufheizphase kann mehrere Stunden dauern. Die Aufheizphase dauert ins besondere so lange, bis ein thermisches Gleichgewicht des Strahlformungs- und Beleuchtungs Systems aufgrund einfallender EUV- Strahlung erreicht ist. Unter einem„thermischen Gleichgewicht“ ist vorliegend ein Zustand zu verstehen, in dem eine Temperatur des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems bezie hungsweise des optischen Elements nicht mehr ansteigt und insbesondere kon stant bleibt. Es ist dann ein Gleichgewicht zwischen eingebrachter Wärme, bei- Spiels weise aufgrund von Absorption der EUV- Strahlung, und abgeführter Wärme, beispielsweise mit Hilfe eines Kühlsystems, erreicht. Das thermische Gleichgewicht kann auch als thermische Sättigung bezeichnet werden. Das thermische Gleichgewicht wird bevorzugt nach mehreren Stunden, beispielswei- se nach einer bis fünf Stunden, erreicht.
Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem kann als optisches System und umgekehrt bezeichnet werden. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem umfasst bevorzugt mehrere optische Elemente, beispielsweise einen Feldfacet- tenspiegel, einen Pupillenfacettenspiegel und einen Kondensorspiegel. Jedes op tische Element kann ein Spiegelmodul sein beziehungsweise als Spiegelmodul bezeichnet werden. Eine Photomaske kann in einer Objektebene des Strahlfor mungs- und Beleuchtungssystems angeordnet sein. In der Objektebene ist ein Objektfeld positioniert. Eine Position dieses Objektfelds in der Objektebene wird als Feldposition des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems bezeichnet. Eine Position einer Eintrittspupille eines Projektions Systems der Lithographieanlage wird als Pupillenposition des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems be zeichnet. Wie zuvor erwähnt, kann das optische Element ein Facettenspiegel sein. Ein Fa cettenspiegel umfasst insbesondere eine Vielzahl an Facetten, die zellenförmig oder arrayförmig angeordnet sein können. Beispielsweise kann ein Facettenspie gel mehrere hundert bis mehrere tausend Facetten aufweisen. Jede Facette kann für sich positionierbar beziehungsweise justierbar sein. Hierzu kann jeder Facette ein Aktuator oder Stellelement, beispielsweise ein sogenannter Lorentz- Aktuator, zugeordnet sein. Ein derartiger Lorentz-Aktuator umfasst ein Magne telement, das mit Hilfe eines Stößels mit jeweils einer Facette gekoppelt ist. Mit Hilfe mehrerer bestromter Spulen kann das Magnetelement ausgelenkt und die Facette so justiert werden. Ein Lorentz-Aktuator gibt insbesondere eine Kraft, jedoch keinen festen Weg vor. Das optische Element kann also ein Modul oder eine Einheit mit einer Vielzahl an Facetten und Aktuatoren sein und weist dem entsprechend eine große thermische Masse auf. Das optische Element ist also insbesondere ein Spiegelarray und kann als Ganzes justiert oder moduliert wer den. Aufgrund seiner Erwärmung in der Aufheizphase kann die Orientierung und/oder die Position des optischen Elements von seiner Soll-Lage abweichen und ist daher nachzujustieren.
Die zuvor beschriebene Justage des optischen Elements kann prinzipiell auch mit Hilfe eine Justage der einzelnen Facetten durchgeführt werden. Dies ginge jedoch zu Lasten des Auslenkungsbereichs der Facetten. Daher justiert die Jus tiereinrichtung vorteilhafterweise das gesamte optische Element mitsamt den Facetten als eine Einheit während der Aufheizphase. Somit kann auf ein den Auslenkungsbereich beschränkendes individuelles Justieren der Facetten ver zichtet werden. Dies schließt jedoch nicht aus, dass auch eine kombinierte Jus tage mit Hilfe der Justiereinrichtung und gleichzeitig mit Hilfe der einzelnen Facetten erfolgen kann. Beispielsweise kann das gesamte optische Element mit Hilfe der Justiereinrichtung vorjustiert werden, wobei dann eine Feinjustage mit Hilfe eines Verstellens der einzelnen Facetten erfolgen kann. Das heißt, es kann eine serielle Kinematik der Justiereinrichtung und der einzelnen Stellelemente der Facetten vorgesehen sein. Hierdurch wird der Auslenkungsbereich der ein zelnen Facetten vorteilhafterweise nicht übermäßig eingeschränkt. Gleichzeitig kann ein von der Justiereinrichtung zu verwirklichender Weg, der erforderlich ist, um das optische Element in der Soll-Lage zu halten und/oder in diese zu ver bringen, reduziert werden. Ein Stellelement der Justiereinrichtung kann dadurch kleiner dimensioniert werden.
Das optische Element beziehungsweise eine optisch wirksame Fläche, beispiels weise eine Spiegelfläche, des optischen Elements weist bevorzugt sechs Frei heitsgrade, nämlich drei translatorische Freiheitsgrade jeweils entlang einer ersten Raumrichtung oder c-Richtung, einer zweiten Raumrichtung oder y- Richtung und einer dritten Raumrichtung oder z-Richtung sowie drei rotatori sche Freiheitsgrade jeweils um die c-Richtung, die y-Richtung und die z- Richtung auf. Das heißt, die Position sowie die Orientierung des optischen Ele ments beziehungsweise der optisch wirksamen Fläche kann mit Hilfe der sechs Freiheitsgrade bestimmt oder beschrieben werden. Die Justiereinrichtung ist geeignet, das optische Element in allen sechs Freiheitsgraden zu justieren.
Unter„Justieren“ ist demgemäß zu verstehen, dass bevorzugt sowohl die Orien tierung als auch die Position des optischen Elements mit Hilfe der Justierein- richtung geändert werden kann, um das optische Element beziehungsweise die optisch wirksame Fläche in der Soll-Lage zu halten. Befindet sich das optische Element nicht in der Soll-Lage, sondern in einer davon abweichenden Ist- Lage, erfüllen die Feldposition und/oder die Pupillenposition nicht die für den Belich- tungsbetrieb erforderlichen Spezifikationen, insbesondere Beleuchtungsspezifi kationen. Die Justiereinrichtung justiert das optische Element dann solange bis es aus der Ist- Lage in die Soll-Lage verbracht ist. Somit kann das optische Ele ment derart justiert werden, dass die Feldposition und/oder die Pupillenposition die erforderlichen Spezifikationen erfüllen beziehungsweise es kann die Feldpo sition und/oder die Pupillenposition durch eine Änderung der Lage des optischen Elements verändert beziehungsweise justiert werden.
Unter der„Position“ des optischen Elements beziehungsweise der optisch wirk samen Fläche sind demgemäß insbesondere dessen, beziehungsweise deren Ko ordinaten oder die Koordinaten eines an dem optischen Element vorgesehenen Messpunkts bezüglich der c-Richtung, der y-Richtung und der z-Richtung zu verstehen. Unter der„Orientierung“ des optischen Elements beziehungsweise der optisch wirksamen Fläche ist demgemäß insbesondere dessen, beziehungs weise deren Verkippung bezüglich der drei Raumrichtungen zu verstehen. Das heißt, das optische Element beziehungsweise die optisch wirksame Fläche des selben kann um die c-Richtung, die y-Richtung und/oder die z-Richtung verkippt werden. Hiermit ergeben sich die sechs Freiheitsgrade für die Position und/oder Orientierung des optischen Elements beziehungsweise der optisch wirksamen Fläche. Die„Lage“ des optischen Elements beziehungsweise der optisch wirksa men Fläche umfasst dabei bevorzugt sowohl dessen, beziehungsweise deren Po sition als auch dessen, beziehungsweise deren Orientierung. Das heißt, die Ori entierung und/oder die Position können zusammengefasst auch als Lage bezie hungsweise die Lage kann als Orientierung und/oder Position bezeichnet wer den. Die Begriffe„Lage“ und„Orientierung und/oder Position“ können somit ge geneinander ausgetauscht werden.
Darunter, dass die Justiereinrichtung das optische Element in der Soll- Lage „hält“ ist zu verstehen, dass die Justiereinrichtung anhand der Messung der Feldposition und/oder der Pupillenposition stets überwacht, ob sich das optische Element noch in der Soll-Lage befindet und dementsprechend gegebenenfalls nachjustiert, so dass dieses wieder in der Soll-Lage positioniert ist. Die Soll-Lage kann toleranzbehaftet sein. Die Toleranz ist so ausgelegt, dass die Feldposition und/oder die Pupillenposition die Spezifikationen erfüllt, wenn die Ist- Lage des optischen Elements innerhalb des Toleranzfeldes der Soll-Lage hegt.
Die Justiereinrichtung umfasst bevorzugt ein Messsystem zum Messen der Feldposition und/oder der Pupillenposition. Das Messsystem kann eine Rech nereinheit zum Errechnen eines Korrekturrezepts, nach dem das optische Ele ment zu justieren ist, umfassen. Das Messystem kann mobil sein. Das Messys- tem kann auch fester Bestandteil des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems sein. Ferner kann die Justiereinrichtung auch ein Stellelement zum kontinuier lichen Verändern der Orientierung und/oder der Position des optischen Elements sowie eine Steuereinheit zum Ansteuern des Stellelements umfassen. Die Steu ereinheit ist mit dem Messystem wirkverbunden. Die Steuereinheit kann Teil des Messystems oder das Messystem kann Teil der Steuereinheit sein. Das opti sche Element wird während der Aufheizphase justiert.
Das Messsystem kann eine lichtempfindliche Sensorik, beispielsweise einen oder mehrere CCD-Sensoren (Engl.: charge-coupled device, CCD) umfassen. Die Sen sorik kann ferner beispielsweise einen Sensor zur Messung der Energievertei lung in der Objektebene umfassen. Beispielsweise kann dieser Sensor in der Ob jektebene verfahrbar sein, so dass dieser zum Messen der Feldposition und/oder der Pupillenposition in der Objektebene in einen Strahlengang des Strahlfor mungs- und Beleuchtungssystems hineingefahren werden kann. Nach dem Mes sen kann der Sensor wieder aus dem Strahlengang herausgefahren werden. Al ternativ kann die Sensorik zum Messen der Feldposition und/oder der Pupillen position auch eine mit einer Messtechnik versehene Photomaske (Retikel) um fassen, die ebenfalls in der Objektebene verfahren werden kann.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Strahlformungs- und Beleuchtungs system ferner mehrere optische Elemente, insbesondere einen Feldfacettenspie gel, einen Pupillenfacettenspiegel und/oder einen Kondensorspiegel, wobei die Justiereinrichtung dazu eingerichtet ist, in Abhängigkeit von der gemessenen Feldposition und/oder Pupillenposition eine Orientierung und/oder eine Position der optischen Elemente relativ zueinander zu justieren. Das Justieren erfolgt bevorzugt kontinuierlich. Die Anzahl der optischen Ele mente ist beliebig. Vorzugsweise sind drei optische Elemente, nämlich ein Feld facettenspiegel, ein Pupillenfacettenspiegel und ein Kondensorspiegel, vorgese hen. Es können jedoch auch vier oder mehr als vier optische Elemente vorgese hen sein. Ein Facettenspiegel umfasst, wie zuvor erwähnt, insbesondere eine Vielzahl an Facetten, die zellenförmig angeordnet sein können. Die Facetten können bogen- oder sichelförmig gekrümmt sein. Die Facetten können auch viel eckig, beispielsweise sechseckig, sein. Beispielsweise kann ein Facettenspiegel mehrere hundert bis mehrere tausend Facetten aufweisen. Jede Facette kann für sich verkippbar sein.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das Strahlformungs- und Be leuchtungssystem ferner eine Lagereinrichtung, insbesondere einen Hexapod, für das optische Element, wobei die Lagereinrichtung ein von der Justiereinrich tung ansteuerbares Stellelement, insbesondere ein Piezoelement, umfasst.
Die Lagereinrichtung kann als Hexapod beziehungsweise der Hexapod kann als Lagereinrichtung bezeichnet werden. Das Stellelement kann auch als Aktor oder Aktuator bezeichnet werden. Jedem optischen Element ist eine eigene derartige Lagereinrichtung zugeordnet. Das optische Element kann eine Fassung umfas sen, in der das optische Element aufgenommen ist. Das optische Element kann von dieser Fassung entkoppelt, insbesondere mechanisch entkoppelt, sein. Die Lagereinrichtung ist bevorzugt mit der Fassung gekoppelt. Die Lagereinrichtung wirkverbindet die Fassung mit einer Basis des Strahlformungs- und Beleuch tungssystems. Die Basis kann auch als feste Welt bezeichnet werden. Die Basis kann ein Tragrahmen (Engl.: force frame) des Strahlformungs- und Beleuch tungssystems beziehungsweise der Lithographieanlage sein. Die Lagereinrich tung ermöglicht eine Lagerung des optischen Elements in den zuvor erwähnten sechs Freiheitsgraden. Das Stellelement kann ein oder mehrere Piezoelemente umfassen oder kann ein Piezoelement sein. Das Stellelement kann alternativ eine manuell oder motorisch verstellbare Gewindespindel sein oder umfassen. Ferner kann das Stellelement auch einen hydraulischen oder pneumatischen Antrieb umfassen. Für den Fall, dass das Stellelement ein Piezoelement ist, kann der Antrieb dabei direkt oder über ein Festkörpergetriebe zur Optimierung von Kraft, Weg und Stellgenauigkeit erfolgen. Weiterhin kann das Stellelement einen piezoelektrischen Schreitantrieb umfassen, der zur Optimierung von Kraft, Weg und Stellgenauigkeit mit einem Festkörpergetriebe kombiniert sein kann.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Lagereinrichtung sechs La gereinheiten mit jeweils einem Stellelement.
Das heißt, jeder Lagereinheit ist bevorzugt zumindest ein derartiges Stellele ment zugeordnet. Die Stellelemente sind von der Justiereinrichtung, insbeson dere von der Steuereinheit der Justiereinrichtung, ansteuerbar, insbesondere bestrombar, um die Orientierung und/oder die Position des optischen Elements in allen sechs Freiheitsgraden zu verändern. Jedes Stellelement ermöglicht ins besondere eine lineare Bewegung entlang einer Längsrichtung beziehungsweise einer Stabachse der dem jeweiligen Stellelement zugeordneten Lagereinheit.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst jede Lagereinheit einen eine Länge der jeweiligen Lagereinheit verändernden Abstandshalter.
Der Abstandshalter kann auch als Spacer oder Abstimmscheibe bezeichnet wer den. Abstandshalter mit unterschiedlicher Abstufung oder Granularität hin sichtlich ihrer Längenausdehnung bezüglich der Längsrichtung beziehungsweise der Stabachse der jeweiligen Lagereinheit können vorgehalten werden, aus de nen dann ein geeigneter Abstandshalter ausgewählt wird. Die Granularität der Abstandshalter beträgt vorzugsweise 5 gm.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist zum Justieren der Orientierung und/oder der Position des optischen Elements an den Lagereinheiten eine Län genänderung derselben durchführbar.
Die Längenänderung kann eine Längenvergrößerung oder eine Längenverklei nerung umfassen. Die Längenänderung kann, muss jedoch nicht, zweistufig durchgeführt werden. Mit Hilfe des Abstandshalters kann die Längenänderung in einer ersten Stufe aufgrund der zuvor beschriebenen Granularität mit einer Genauigkeit von 5 gm durchgeführt werden. In einer zweiten Stufe kann mit Hilfe des Stellelements eine Genauigkeit von bis zu 0,1 gm erreicht werden. Für den Fall, dass die erforderliche Längenänderung kleiner als 5 gm ist, kann auf das Einfügen des Abstandshalters auch verzichtet werden. Insbesondere kann auf den Abstandshalter dann verzichtet werden, wenn schon eine Vorjustierung durchgeführt wurde und somit nur eine erforderliche Längenänderung von we niger als 5 gm zu erwarten ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Stellelement von einem unaus- gelenkten Zustand in einen ausgelenkten Zustand verbringbar, wobei das Stel· lelement sowohl in dem unausgelenkten Zustand als auch in dem ausgelenkten Zustand stromlos ist.
Das Stellelement kann ein sogenannter Piezokrabbler sein oder einen derartigen umfassen. Der unausgelenkte Zustand kann auch als unaktuierter Zustand, und der ausgelenkte Zustand kann auch als aktuierter Zustand bezeichnet werden. Durch das Anlegen einer elektrischen Spannung an das Stellelement, das bevor zugt eine Piezokeramik umfasst, erfährt dieses eine Längenänderung. Ein weite rer Effekt bei Piezokeramiken ist, dass diese auch bei einer Polarisierung eine Längenänderung erfahren. Diese Längenänderung ist permanent und kann nur durch eine Umpolarisierung geändert werden. Das heißt, nach der Längenände rung, insbesondere im ausgelenkten Zustand, ist keine Energiezufuhr mehr notwendig, um die Längenänderung aufrecht zu erhalten. Hierdurch wird auch keine Wärme erzeugt, die abgeführt werden muss. Wie zuvor erwähnt, wird das Stellelement nur zum Verbringen desselben von dem unausgelenkten Zustand in den ausgelenkten Zustand und umgekehrt bestromt. Ansonsten wird das Stel lelement nicht bestromt. Das heißt, zum Halten des ausgelenkten Zustands ist keine Bestromung erforderlich. Ein Stellbereich des Stellelements ist dabei be vorzugt stufenlos einstellbar. Das heißt, das Stellelement kann zwischen dem unausgelenkten Zustand und dem ausgelenkten Zustand bevorzugt stufenlos in eine beliebige Anzahl an Zwischenzuständen verbracht werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst jede Lagereinheit ein erstes Biegeentkopplungselement, ein zweites Biegeentkopplungselement und einen zwischen dem ersten Biegeentkopplungselement und dem zweiten Biegeentkopp lungselement angeordneten Stababschnitt, wobei das Stellelement zwischen dem ersten Biegeentkopplungselement und dem zweiten Biegeentkopplungselement, zwischen dem ersten Biegeentkopplungselement und dem optischen Element oder zwischen dem zweiten Biegeentkopplungselement und einer Basis des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems angeordnet ist.
Das heißt, das Stellelement kann in dem Stababschnitt angeordnet sein und/oder Teil des Stababschnitts sein. Der Stababschnitt und die Biegeentkopp lungselemente sind vorzugsweise einteilig, insbesondere materialeinstückig, ausgebildet. Die Biegeentkopplungselemente können jeweils Festkörpergelenke umfassen oder als Festkörper gelenke ausgebildet sein. Unter einem„Festkör pergelenk“ ist vorliegend bevorzugt eine Federeinrichtung zu verstehen, welche eine Relativbewegung aufgrund von Biegung oder - allgemeiner - aufgrund von elastischer Verformung erlaubt. Die Funktion eines derartigen Festkörperge lenks wird insbesondere durch einen Bereich verminderter Biegesteifigkeit, bei spielsweise einen federelastisch verformbaren Bereich mit reduzierter Material stärke, relativ zu zwei angrenzenden Bereichen höherer Biegesteifigkeit er reicht. Die verminderte Biegesteifigkeit wird somit insbesondere durch eine lo kale Querschnittsverringerung erzeugt. Der zuvor erwähnte Abstandshalter kann zwischen dem ersten Biegeentkopplungselement und dem optischen Ele ment beziehungsweise dessen Fassung oder zwischen dem zweiten Biegeent kopplungselement und der Basis positioniert sein. Der Abstandshalter kann da bei benachbart zu dem Stellelement positioniert sein oder an dem Biegeentkopp lungselement, an dem das Stellelement nicht vorgesehen ist.
Ferner wird eine Lithographieanlage, insbesondere eine EUV- Lithographieanlage, mit einem derartigen Strahlformungs- und Beleuchtungs system vorgeschlagen.
Die Lithographieanlage kann neben dem Strahlformungs- und Beleuchtungssys tem ein Projektionssystem und eine Lichtquelle, insbesondere eine EUV- Lichtquelle, umfassen. EUV steht für "Extreme Ultraviolet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Lithographiean lage kann auch eine DUV- Lithographieanlage sein. DUV steht für "Deep Ultra violet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Weiterhin wird ein Verfahren zum Justieren eines derartigen Strahlformungs und Beleuchtungssystems für eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Das Ver fahren umfasst die Schritte^ a) Messen einer Feldposition und/oder einer Pupil- lenposition des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems, und b) Justieren ei ner Orientierung und/oder einer Position eines optischen Elements des Strahl formungs- und Beleuchtungssystems während einer Aufheizphase des Strahl formungs- und Beleuchtungssystems in Abhängigkeit von der gemessenen Feld position und/oder Pupillenposition derart, dass das optische Element in einer Soll-Lage gehalten wird.
Das Justieren in dem Schritt b) erfolgt bevorzugt kontinuierlich. Die Schritte a) und b) werden bevorzugt mit Hilfe der Justiereinrichtung durchgeführt. Die Jus tiereinrichtung umfasst hierzu das Messystem und zum Ansteuern der Stellele- mente die Steuereinheit. Der Schritt a) wird bevorzugt unter Verwendung von Arbeitslicht, das heißt insbesondere EUV- Strahlung, der Lithographieanlage durchgeführt. Der Schritt a) kann alternativ mit Hilfe von Messlicht einer Mess lichtquelle des Messsystems durchgeführt werden. Das Messlicht ist in diesem Fall insbesondere keine EUV Strahlung. Beispielsweise ist das Messlicht ein Laserstrahl. Das Messlicht kann beispielsweise an einer Zwischenfokusebene des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems in den Strahlengang desselben eingekoppelt und vor der Objektebene wieder aus diesem ausgekoppelt werden. Hierzu können eine Einkoppeleinrichtung und eine Auskoppeleinrichtung, die jeweils beispielsweise als motorisch bewegbare Spiegel ausgebildet sind, einge- setzt werden. Bevorzugt wird in dem Schritt a) jedoch das Messen der Feldposi tion und/oder der Pupillenposition mit Hilfe der EUV Strahlung durchgeführt, da dann vorteilhafterweise auf eine zusätzliche Messlichtquelle verzichtet wer den kann. Das heißt, während des Durchführens des Verfahrens ist die EUV- Lichtquelle in Betrieb.
Gemäß einer Ausführungsform werden die Schritte a) und b) solange iterativ durchgeführt, bis die Feldposition und/oder die Pupillenposition eine geforderte Spezifikation einhalten. Das heißt, mit Hilfe des Verfahrens können die Feldposition und/oder die Pupil lenposition angepasst werden. Die Spezifikation umfasst bevorzugt einen Tole ranzbereich, innerhalb dessen die Feldposition und/oder die Pupillenposition lie gen sollten.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird vor oder in dem Schritt b) ein Kor rekturrezept für das optische Element berechnet, wobei das optische Element basierend auf diesem Korrekturrezept justiert wird. Das Korrekturrezept wird bevorzugt mit Hilfe der zuvor erwähnten Rechnerein heit berechnet, die Teil der Justiereinrichtung sein kann. Das Korrekturrezept umfasst bevorzugt für jede Lagereinheit der Lagereinrichtung des jeweiligen op tischen Elements eine Aussage darüber, ob und in welchem Umfang eine Län genänderung an der jeweiligen Lagereinheit erforderlich ist, um das jeweilige optische Element in der Soll- Lage zu halten.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Verfahren unter Vakuum und/oder im Betrieb einer EU V- Lichtquelle des Strahlformungs- und Beleuch tungssystems durchgeführt.
Das optische Element beziehungsweise die optischen Elemente sind bevorzugt in einem Gehäuse des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems positioniert. Die ses Gehäuse ist insbesondere im Belichtungsbetrieb und während der Auf heizphase mit einem Vakuum beaufschlagt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) die Orientierung und/oder die Position des optischen Elements dadurch justiert, dass an La gereinheiten einer Lagereinrichtung des optischen Elements jeweils eine Län genänderung vorgenommen wird.
Bevorzugt wird die Längenänderung mit Hilfe eines Einfügens des zuvor er wähnten Abstandshalters und/oder mit Hilfe eines Ansteuerns des Stellelements der jeweiligen Lagereinheit vorgenommen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Verfahren solange durchge führt, bis ein thermisches Gleichgewicht des Strahlformungs- und Beleuch tungssystems erreicht ist. Sobald das thermische Gleichgewicht erreicht ist, beispielsweise nach einer bis fünf Stunden, kann das Verfahren beendet werden. Das Stellelement kann dann stromlos geschaltet werden. Das Messystem und/oder die Steuereinheit können dann gegebenenfalls von dem Strahlformungs- und Beleuchtungssystem entfernt werden. Alternativ können das Messystem und/oder die Steuereinheit auch an dem Strahlformungs- und Beleuchtungssystem verbleiben.
Die für das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem beschriebenen Ausfüh rungsformen und Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfahren entspre chend und umgekehrt.
"Ein" ist vorliegend nicht zwangsweise als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine genaue Beschränkung auf genau die entsprechende Anzahl von Elementen verwirklich sein muss. Vielmehr sind zah lenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht expli zit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausfüh- rungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegen- stand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungs beispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzug ten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert. Fig. 1A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV- Lithographieanlage!
Fig. 1B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV- Lithographieanlage!
Fig. 2 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß Fig. 1A oder Fig. 1B;
Fig. 3 zeigt eine weitere schematische Ansicht des optischen Systems gemäß Fig.
2;
Fig. 4 zeigt eine weitere schematische Ansicht des optischen Systems gemäß Fig.
2;
Fig. 5 zeigt eine weitere schematische Ansicht des optischen Systems gemäß Fig.
2;
Fig. 6 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht einer Ausführungsform einer Lagereinheit für das optische System gemäß Fig. %
Fig. 7 zeigt die Detailansicht VII gemäß Fig. 6;
Fig. 8 zeigt die Detailansicht IIX gemäß Fig. 6;
Fig. 9 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Justierein richtung für das optische System gemäß Fig. 2;
Fig. 10 zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform einer Justiereinrichtung für das optische System gemäß Fig. 2;
Fig. 11 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Justieren des optischen Systems gemäß Fig. % und Fig. 12 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer weiteren Ausführungsform eines Verfahrens zum Justieren des optischen Systems gemäß Fig. 2.
In den Figuren sind gleiche oder funktions gleiche Elemente mit denselben Be¬ zugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendi¬ gerweise maßstabsgerecht sind.
Fig. 1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV- Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektions¬ system 104 umfasst. Dabei steht EUV für„extremes Ultraviolett“ (EngU extre¬ me ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwi¬ schen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum- Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht darge¬ stellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebs¬ vorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen von optischen Elementen vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steue¬ rungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein.
Die EUV- Lithographieanlage 100A weist eine EUV- Lichtquelle 106A auf. Als EUV- Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Syn¬ chrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV- Bereich (extrem ult¬ ravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV- Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV- Lichtquelle 106A erzeug¬ te EUV Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungs¬ system 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.
Das in Fig. 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahl¬ formungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV Strahlung 108A auf eine Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV Strahlung 108A mittels eines Spie¬ gels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.
Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel Ml bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel Ml bis M6 des Projektionssystems 104 symmet¬ risch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel Ml bis M6 der EUV- Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel Ml bis M6 vorgesehen sein. Des Weite¬ ren sind die Spiegel Ml bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlfor¬ mung gekrümmt.
Fig. 1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV- Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektions¬ system 104 umfasst. Dabei steht DUV für„tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultra- violet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projek¬ tionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu Fig. 1A beschrieben - in ei¬ nem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum mit ent¬ sprechenden Antriebsvorrichtungen umgeben sein.
Die DUV- Lithographieanlage 100B weist eine DUV- Lichtquelle 106B auf. Als DUV- Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF- Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV- Bereich bei beispielsweise 193 nm emit¬ tiert.
Das in Fig. 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder derglei chen abgebildet wird.
Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV- Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein sol cher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.
Fig. 2 zeigt eine schematische Ansicht eines optischen Systems 200. Das optische System 200 ist ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102, insbesondere ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 einer EUV- Lithographieanlage 100A. Das optische System 200 kann daher auch als Strahl formungs- und Beleuchtungssystem und das Strahlformungs- und Beleuch tungssystem 102 kann als optisches System bezeichnet werden. Das optische System 200 kann jedoch auch Teil einer DUV- Lithographieanlage 100B sein. Nachfolgend wird jedoch davon ausgegangen, dass das optische System 200 Teil einer EUV- Lithographieanlage 100A ist. Neben dem optischen System 200 sind in der Fig. 2 noch eine EUV- Lichtquelle 106A, die EUV Strahlung 108A emit tiert, und eine Photomaske 120 gezeigt.
Das optische System 200 umfasst mehrere optische Elemente 202, 204, 206, 208. Ferner kann ein optionaler Umlenkspiegel 210 vorgesehen sein. Der Umlenk spiegel 210 wird mit streifendem Einfall (EngU grazing incidence) betrieben und kann daher auch als Grazing Incidence Spiegel bezeichnet werden. Der Umlenk- spiegel 210 kann dem in der Fig. 1A gezeigten Spiegel 122 entsprechen. Die opti¬ schen Elemente 202, 204, 206, 208 können den in der Fig. 1A gezeigten Spiegeln 110, 112, 114, 116, 118 entsprechen.
Das optische Element 202 kann ein Facettenspiegel, insbesondere ein Pupillen¬ facettenspiegel, des optischen Systems 200 sein. Auch das optische Element 204 kann ein Facettenspiegel, insbesondere ein Feldfacettenspiegel, des optischen Systems 200 sein. Zumindest eines der optischen Elemente 206, 208 kann ein Kondensorspiegel des optischen Systems 200 sein. Die Anzahl der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 ist beliebig. Beispielsweise können, wie in der Fig. 1A gezeigt, fünf optische Elemente 202, 204, 206, 208 oder, wie in der Fig. 2 ge¬ zeigt, vier optische Elemente 202, 204, 206, 208 vorgesehen sein. Bevorzugt sind jedoch zumindest drei optische Elemente 202, 204, 206, 208, nämlich ein Pupil¬ lenfacettenspiegel, ein Feldfacettenspiegel und ein Kondensorspiegel vorgese¬ hen.
Ein Facettenspiegel umfasst eine Vielzahl an Facetten, die zellenförmig ange¬ ordnet sein können. Die Facetten können bogen- oder sichelförmig gekrümmt sein. Die Facetten können auch vieleckig, beispielsweise sechseckig, sein. Bei¬ spielsweise kann ein Facettenspiegel mehrere hundert bis mehrere tausend Fa¬ cetten aufweisen. Jede Facette kann für sich verkippbar sein.
Die optischen Elemente 202, 204, 206, 208 sind innerhalb eines Gehäuses 212 angeordnet. Das Gehäuse 212 kann im Betrieb, insbesondere im Belichtungsbe- trieb, des optischen Systems 200 mit einem Vakuum beaufschlagt sein. Das heißt, die optischen Elemente 202, 204, 206, 208 sind in einem Vakuum ange¬ ordnet.
Im Betrieb des optischen Systems 200 emittiert die EUV- Lichtquelle 106A EUV- Strahlung 108A. Hierzu kann beispielsweise ein Zinnplasma erzeugt werden. Zum Erzeugen des Zinnplasmas kann ein Zinnkörper, beispielsweise ein Zinn¬ kügelchen oder ein Zinntröpfchen, mit einem Laserpuls beschossen werden. Das Zinnplasma emittiert EUV Strahlung 108A, die mit Hilfe eines Kollektors, bei¬ spielsweise eines Ellipsoidspiegels, der EUV- Lichtquelle 106A gesammelt und in Richtung des optischen Systems 200 gesandt wird. Der Kollektor bündelt die EUV-Strahlung 108A in einer Zwischenfokusebene 214. Die EUV-Strahlung 108A wird beim Durchgang durch das optische System 200 von jedem der opti schen Elemente 202, 204, 206, 208 sowie dem Umlenkspiegel 210 reflektiert. Ein Strahlengang der EUV-Strahlung 108A ist mit dem Bezugszeichen 216 bezeich net.
Die Photomaske 120 ist in einer Objektebene 218 des optischen Systems 200 an geordnet. In der Objektebene 218 ist ein Objektfeld 220 positioniert. Eine Positi on des Objektfelds 220 in der Objektebene 218 wird als Feldposition bezeichnet. Eine Position einer Eintrittspupille eines in der Fig. 2 nicht gezeigten Projekti onssystems 104 wird als Pupillenposition des optischen Systems 200 bezeichnet.
Fig. 2 zeigt weiterhin ein mobiles Messsystem 300. Das Messsystem 300 kann außenseitig an dem Gehäuse 212 vorgesehen sein. Das Messsystem 300 kann Teil des optischen Systems 200 sein. Vorzugsweise ist das Messsystem 300 je doch nicht Teil des optischen Systems 200 und kann nach einem Messvorgang wieder von dem optischen System 200 getrennt werden. Das Messsystem 300 kann geeignet sein, Messlicht, beispielsweise einen Laserstrahl, in den Strah lengang 216 einzukoppeln und nach dem Durchgang durch die optischen Ele mente 202, 204, 206, 208 wieder aus diesem auszukoppeln. Bevorzugt jedoch ar beitet das Messsystem 300 ohne eine eigene das Messlicht emittierende Mess lichtquelle. Das heißt, das Messsystem 300 arbeitet bevorzugt mit der EUV- Strahlung 108A.
Für den Fall, dass das Messsystem 300 dennoch eine Messlichtquelle aufweist, ist diese - wie zuvor erwähnt - dazu eingerichtet, Messlicht zu emittieren. Das Messlicht ist in diesem Fall insbesondere keine EUV-Strahlung 108A. Ferner umfasst das Messsystem 300 dann eine Einkoppeleinrichtung zum Einkoppeln des Messlichts in den Strahlengang 216. Die Einkoppeleinrichtung kann ein mo torisch verfahrbarer oder verschwenkbarer Spiegel sein. Mit Hilfe der Einkoppe leinrichtung kann das Messlicht beispielsweise an der Zwischenfokusebene 214 in den Strahlengang 216 eingekoppelt werden. Das Messsystem 300 weist eine Auskoppeleinrichtung zum Auskoppeln des Messlichts aus dem Strahlengang 216 auf. Auch die Auskoppeleinrichtung kann ein motorisch verfahrbarer oder verschwenkbarer Spiegel sein. Mit Hilfe der Auskoppeleinrichtung kann das Messlicht bevorzugt vor der Objektebene 218 wieder aus dem Strahlengang 216 ausgekoppelt werden. Das Messsystem 300 kann - wie zuvor erwähnt - bevorzugt anstelle von Messlicht auch mit der EUV Strahlung 108A die Feldposition und die Pupillenposition messen. Hierdurch kann auf eine gesonderte Messlichtquel le sowie auf die Einkoppeleinrichtung und auf die Auskoppeleinrichtung verzich tet werden.
Das Messsystem 300 umfasst ferner eine lichtempfindliche Sensorik, beispiels weise einen oder mehrere CCD-Sensoren (Engl.: charge-coupled device, CCD). Weiterhin umfasst das Messsystem 300 eine Rechnereinheit. Mit Hilfe des Messsystems 300 können die Feldposition und die Pupillenposition bestimmt beziehungsweise gemessen werden. Die Sensorik kann beispielsweise einen Sen sor zur Messung der Energieverteilung in der Objektebene 218 umfassen. Bei spielsweise kann dieser Sensor in der Objektebene 218 verfahrbar sein, so dass dieser zum Messen der Feldposition und/oder der Pupillenposition in der Objekt ebene 218 in den Strahlengang 220 hineingefahren werden kann. Alternativ kann die Sensorik auch eine mit einer Messtechnik versehene Photomaske 120 (Retikel) umfassen, die ebenfalls in der Objektebene 218 verfahren werden kann.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ansicht des optischen Systems 200, wobei jedoch nur das optische Element 202 gezeigt ist. Die nachfolgenden Ausführungen betref fend das optische Element 202 gelten entsprechend für die optischen Elemente 204, 206, 208. Das heißt, die optischen Elemente 202, 204, 206, 208 können ins besondere betreffend ihre nachfolgend erläuterte Lagerung identisch aufgebaut sein.
Das optische Element 202 umfasst ein Substrat 222 und eine optisch wirksame Fläche 224, beispielsweise eine Spiegelfläche. Die optisch wirksame Fläche 224 kann, für den Fall, dass das optische Element 202 ein Facettenspiegel ist, an ei ner Vielzahl an Facetten vorgesehen sein. Das optische Element 202 bezie hungsweise die optisch wirksame Fläche 224 weist sechs Freiheitsgrade, näm lich drei translatorische Freiheitsgrade jeweils entlang einer ersten Raumrich tung oder c-Richtung x, einer zweiten Raumrichtung oder y-Richtung y und ei ner dritten Raumrichtung oder z-Richtung z sowie drei rotatorische Freiheits- grade jeweils um die c-Richtung x, die y-Richtung y und die z-Richtung z auf.
Das heißt, eine Position und eine Orientierung des optischen Elements 202 be¬ ziehungsweise der optisch wirksamen Fläche 224 können mit Hilfe der sechs Freiheitsgrade bestimmt oder beschrieben werden.
Unter der„Position“ des optischen Elements 202 beziehungsweise der optisch wirksamen Fläche 224 sind insbesondere dessen, beziehungsweise deren Koor¬ dinaten oder die Koordinaten eines an dem optischen Element 202 vorgesehenen Messpunkts bezüglich der c-Richtung x, der y-Richtung y und der z-Richtung z zu verstehen. Unter der„Orientierung“ des optischen Elements 202 beziehungs¬ weise der optisch wirksamen Fläche 224 ist insbesondere dessen, beziehungs¬ weise deren Verkippung bezüglich der drei Raumrichtungen x, y, z zu verstehen. Das heißt, das optische Element 202 beziehungsweise die optisch wirksame Flä¬ che 224 kann um die c-Richtung x, die y-Richtung y und/oder die z-Richtung z verkippt werden. Hiermit ergeben sich die sechs Freiheitsgrade für die Position und/oder Orientierung des optischen Elements 202 beziehungsweise der optisch wirksamen Fläche 224. Eine„Lage“ des optischen Elements 202 beziehungswei¬ se der optisch wirksamen Fläche 224 umfasst sowohl dessen, beziehungsweise deren Position als auch dessen, beziehungsweise deren Orientierung.
In der Fig. 3 ist mit durchgezogenen Linien eine Ist- Lage IL des optischen Ele¬ ments 202 und mit gestrichelten Linien und dem Bezugszeichen 202' bezie¬ hungsweise 224' eine Soll-Lage SL des optischen Elements 202' beziehungsweise der optisch wirksamen Fläche 224' gezeigt. In der Ist- Lage IL erfüllt das optische System 200 die Spezifikationen, insbesondere die Beleuchtungsspezifikationen, hinsichtlich der Feldposition und der Pupillenposition nicht. In der Soll- Lage SL erfüllt das optische System 200 die Spezifikationen hinsichtlich der Feldposition und der Pupillenposition. Dem optischen System 200 ist eine Basis 400 zugeordnet. Die Basis 400 kann auch als feste Welt bezeichnet werden. Die Basis 400 kann ein Tragrahmen (Engl4 force frame) des optischen Systems 200 beziehungsweise der EUV- Lithographieanlage 100A sein. Das optische Element 202 kann eine Fassung 226 (Fig. 4) umfassen, in der das optische Element aufgenommen ist. Das optische Element 202 kann von dieser Fassung 226 entkoppelt, insbesondere mechanisch entkoppelt sein. Unter einer „mechanischen Entkopplung“ ist vorliegend zu verstehen, dass von dem opti- sehen Element 202 auf die Fassung 226 und/oder umgekehrt keine oder zumin dest nur sehr geringe Kräfte übertragen werden können. Somit können, bei spielsweise aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnung des optischen Elements 202 und der Fassung 226, auch nur geringe Spannungen in das opti sche Element 202 eingebracht werden. Ferner kann das optische Element 202 auch noch ein nicht gezeigtes Kühlsystem umfassen. Das optische Element 202 kann daher auch als Modul, insbesondere als Spiegelmodul, bezeichnet werden.
Beispielsweise kann eine derartige mechanische Entkopplung des optischen Elements 202 von seiner Fassung 226 mit Hilfe von Festkörper gelenken erfol- gen. Unter einem„Festkörpergelenk“ ist vorliegend bevorzugt eine Federeinrich tung zu verstehen, welche eine Relativbewegung aufgrund von Biegung oder - allgemeiner - aufgrund von elastischer Verformung erlaubt. Die elastische Ver formung des jeweiligen Festkörpergelenks kann also mit einer Relativbewegung des optischen Elements 202 relativ zu seiner Fassung 226 oder umgekehrt ein- hergehen. Die Funktion eines derartigen Festkörper gelenks wird insbesondere durch einen Bereich verminderter Biege Steifigkeit, beispielsweise einen feder elastisch verformbaren Bereich mit reduzierter Materialstärke, relativ zu zwei angrenzenden Bereichen höherer Biegesteifigkeit erreicht. Die verminderte Bie gesteifigkeit wird somit insbesondere durch eine lokale Querschnittsverringe- rung erzeugt.
Das optische Element 202 ist mit Hilfe einer Lagereinrichtung 500 mit der Basis 400 gekoppelt. Die Lagereinrichtung 500 ist ein sogenannter Hexapod bezie hungsweise kann als Hexapod bezeichnet werden. Die Lagereinrichtung 500 er- möglicht eine Bewegung des optischen Elements 202 beziehungsweise der op tisch wirksamen Fläche 224 in den sechs Freiheitsgraden. Die Lagereinrichtung 500 ist bevorzugt nicht direkt mit dem optischen Element 202, sondern mit des sen Fassung 226 wirkverbunden. Die Lagereinrichtung 500 umfasst sechs Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512. Die Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512 sind stabförmig und können als Pins bezeichnet werden. Die Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512 können paarweise über einen dem jeweiligen Paar zugeordneten Adapter 514 an dem optischen Element 202, genauer gesagt an dessen Fassung 226, angreifen. Wie die Fig. 4 zeigt, können die Adapter 514 dabei beispielsweise auf Eckpunk ten eines gedachten Dreiecks in einer Aufsicht auf das optische Element 202 be ziehungsweise auf die Fassung 226 liegen.
Fig. 5 zeigt eine mögliche Ausführungsform der Lagereinheit 502. Die Lagerein heiten 504, 506, 508, 510, 512 können jedoch analog aufgebaut sein. Fig. 6 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines Teils der Lagereinheit 502 und die Fig. 7 beziehungsweise die Fig. 8 zeigen jeweils Detailansichten VII bezie hungsweise IIX gemäß der Fig. 6.
Die Lagereinheit 502 umfasst ein erstes Biegeentkopplungselement 516, welches mit Hilfe des Adapters 514 mit dem optischen Element 202 beziehungsweise mit dessen Fassung 226 wirkverbunden ist. Dabei kann zwischen dem Adapter 514 und dem optischen Element 202 beziehungsweise der Fassung 226 ein optionaler Spacer oder Abstandshalter 518 vorgesehen sein. Der Abstandshalter 518 kann eine Abstimmscheibe sein oder als Abstimmscheibe bezeichnet werden. Das heißt, der Adapter 514 ist über den Abstandshalter 518 mit dem optischen Ele ment 202 beziehungsweise der Fassung 226 verbunden. Der Adapter 514 kann als erster Adapter bezeichnet werden.
Abstandshalter 518 mit unterschiedlicher Abstufung oder Granularität hinsicht lich ihrer Längenausdehnung bezüglich einer Längsrichtung L der Lagereinheit 502 können vorgehalten werden, aus denen dann ein geeigneter Abstandshalter 518 ausgewählt wird. Die Granularität der Abstandshalter 518 beträgt vorzugs weise 5 gm.
Das erste Biegeentkopplungselement 516 ist mit einem Stababschnitt 520 ver bunden. Bevorzugt ist das erste Biegeentkopplungselement 516 einteilig, insbe sondere materialeinstückig, mit dem Stababschnitt 520 ausgebildet. Dem ersten Biegeentkopplungselement 516 abgewandt umfasst die Lagereinheit 502 ein zweites Biegeentkopplungselement 522. Auch das zweite Biegeentkopplungs element 522 ist bevorzugt einteilig, insbesondere materialeinstückig, mit dem Stababschnitt 520 ausgebildet. Der Stababschnitt 520 umfasst eine Stabachse S, zu der der Stababschnitt 520 rotationssymmetrisch aufgebaut ist. Die Längs richtung L ist parallel zu der Stabachse S orientiert
Zwischen dem zweiten Biegeentkopplungselement 522 und der Basis 400 ist ein weiterer Adapter 524 vorgesehen. Zwischen dem Adapter 524 und der Basis 400 wiederum ist ein Stellelement 526 positioniert. Das Stellelement 526 kann auch als Aktor oder Aktuator bezeichnet werden. Das Stellelement 526 ermöglicht eine lineare Bewegung entlang der Längsrichtung L der Lagereinheit 502. Das Stellelement 526 kann daher als Linearstellelement, Linearaktor oder Linearak tuator bezeichnet werden. Die Längsrichtung L kann mit der z-Richtung z über einstimmen beziehungsweise parallel zu dieser sein. Der Adapter 524 kann als zweiter Adapter bezeichnet werden. Der erste Adapter 514, das erste Biegeent kopplungselement 516, der Stababschnitt 520, das zweite Biegeentkopplungs element 522 und der zweite Adapter 524 sind bevorzugt einteilig, insbesondere materialeinstückig, ausgebildet. Dabei sind die Biegeentkopplungselemente 516, 522 bevorzugt Festkörpergelenke beziehungsweise umfassen Festkörpergelenke.
Das Stellelement 526 kann alternativ auch zwischen den Biegeentkopplungs elementen 516, 522 positioniert sein, wie in der Fig. 5 mit dem Bezugszeichen 526' bezeichnet. Ferner kann das Stellelement 526 auch zwischen dem Adapter 514 und dem Abstandshalter 518 oder zwischen dem Abstandshalter 518 und dem optischen Element 202 beziehungsweise der Fassung 226 positioniert sein. Der Abstandshalter 518 wiederum kann alternativ auch zwischen dem Adapter 524 und der Basis 400, zwischen der Basis 400 und dem Stellelement 526 oder zwischen dem Stellelement 526 und dem Adapter 524 positioniert sein.
Das erste Biegeentkopplungselement 516 ist in den Fig. 6 und 7 jeweils in einer perspektivischen Ansicht gezeigt. Das erste Biegeentkopplungselement 516 um fasst zwei Blattfederabschnitte 528, 530, welche über einen Verbindungsab schnitt 532 miteinander verbunden sind. Die Blattfederabschnitte 528, 530 und der Verbindungsabschnitt 532 können als einstückiges Bauteil, insbesondere aus Metall, gefertigt sein. Jeder der Blattfederabschnitte 528, 530 weist eine Haupterstreckungsebene E auf. Die Haupterstreckungsebenen E stehen senkrecht aufeinander. So kann beispielsweise in einem unausgelenkten Zustand der Lagereinheit 502 eine Senkrechte auf die Haupterstreckungsebene E des Blattfederabschnitts 528 in y- Richtung y und eine Senkrechte auf die Haupterstreckungsebene E des Blattfe derabschnitts 530 in c-Richtung x weisen. Das erste Biegeentkopplungselement 516 besitzt somit eine Gelenkigkeit, die es dem Stababschnitt 520 erlaubt, so wohl um die c-Richtung x als auch um die y-Richtung y zu verschwenken. Die x- Richtung x und die y-Richtung y stehen senkrecht zueinander und jeweils senk recht zur z-Richtung z. Entsprechende Biegeachsen der Blattfederabschnitte 528, 530 sind mit R und T bezeichnet und können, wie erwähnt, mit den Rich tungen x und y zusammenfallen.
Ein Kraftfluss K durch das erste Biegeentkopplungselement 516 fließt nachei nander durch die beiden Blattfederabschnitte 528, 530, wie in der Fig. 7 gezeigt. Das heißt, die Blattfederabschnitte 528, 530 sind mechanisch in Reihe geschal tet. Dies bewirkt, dass die erwähnte Gelenkigkeit um zwei zueinander orthogo nale Achsen, nämlich hier die Biegeachsen R, T, bereitgestellt wird.
Das erste Biegeentkopplungselement 516 ist an einem dem optischen Element 202 zugewandten Ende des Stababschnitts 520 angeordnet. Dem gegenüberlie gend ist an einem anderen Ende des Stababschnitts 520 das zweite Biegeent kopplungselement 522 angeordnet. Dieses weist einen zu dem ersten Biegeent kopplungselement 516 identischen Aufbau auf, welcher in der Fig. 8 gezeigt ist.
Aufgrund dieser Anordnung der Biegeentkopplungselemente 516, 522 sowie dem dazwischenliegenden Stababschnitt 520 kann eine Bewegung des optischen Elements 202 bewerkstelligt werden, die selbst für große Bewegungsstrecken nur zu kleinen Biegungen in den Blattfederabschnitten 528, 530 in den Biege entkopplungselementen 516, 522 führt. Dies ist insbesondere im Hinblick auf die damit nur geringe dort freigesetzte Wärme, welche sich wiederum schädlich in Form thermischer Expansionen aus wirken könnte, vorteilhaft. Ferner kann die Lagereinheit 502 aufgrund der Biegeentkopplungselemente 516, 522 nur Kräfte, die ausschließlich entlang der Längsrichtung L beziehungsweise der Stabachse S wirken, übertragen.
Nun zurückkehrend zu dem Stellelement 526 kann dieses jeweils eine translato rische Bewegung entlang der jeweiligen Stabachse S der Lagereinheiten 502,
504, 506, 508, 510, 512 bewirken. Das Stellelement 526 kann eine manuell oder motorisch verstellbare Gewindespindel sein oder umfassen. Ferner kann das Stellelement 526 auch einen hydraulischen oder pneumatischen Antrieb umfas sen. Alternativ kann das Stellelement 526 auch ein piezoelektrischer Antrieb sein oder einen derartigen umfassen. Der Antrieb kann dabei direkt oder über ein Festkörpergetriebe zur Optimierung von Kraft, Weg und Stellgenauigkeit erfolgen. Weiterhin kann das Stellelement 526 einen piezoelektrischen Schreit antrieb umfassen, der zur Optimierung von Kraft, Weg und Stellgenauigkeit mit einem Festkörpergetriebe kombiniert sein kann.
Bevorzugt ist das Stellelement 526, wie in der Fig. 9 gezeigt, ein Piezoelement oder umfasst ein oder mehrere Piezoelemente. Durch das Anlegen einer elektri schen Spannung an eine Piezokeramik erfährt diese eine Längenänderung. Ein weiterer Effekt bei Piezokeramiken ist, dass diese auch bei einer Polarisierung eine Längenänderung erfahren. Diese Längenänderung ist permanent und kann nur durch eine Umpolarisierung geändert werden. Das heißt, nach der Län genänderung ist keine Energiezufuhr mehr notwendig, um die Längenänderung aufrecht zu erhalten. Hierdurch wird auch keine Wärme erzeugt, die abgeführt werden muss.
Beispielsweise kann das Stellelement 526 einen Stellbereich AA von 10 gm auf weisen. Die maximale Längenänderung, das heißt, der Stellbereich AA, einer Piezokeramik beträgt etwa 0,1% seiner Ausgangslänge A. Für einen Stellbereich AA von 10 gm weist das Stellelement 526 daher eine Ausgangslänge A von etwa 10 mm auf. Die Positioniergenauigkeit des Stellelements 526 beträgt dabei 0,1 gm. Die Verwendung einer Piezokeramik für das Stellelement 526 weist die fol genden Vorteile auf. Es sind keine zueinander beweglichen Bauteile erforderlich. Hierdurch kann es nicht zu einem Fressen der Bauteile kommen. Nach dem Ein stellen der gewünschten Längenänderung ist keine Energieversorgung des Stel lelements 526 erforderlich, wodurch auch keine Wärme erzeugt werden muss. Ferner ist in oder an dem Stellelement 526 keine eigene Sensorik erforderlich, da die Feldposition und die Pupillenposition mit Hilfe des Messsystems 300 di rekt gemessen werden können.
Dem Stellelement 526 ist eine Steuereinheit 600 zum Bestromen desselben zu geordnet. Die Steuereinheit 600 kann Teil des optischen Systems 200 sein. Mit Hilfe der Steuereinheit 600 kann das Stellelement 526 von einem unausgelenk- ten Zustand ZI in einen ausgelenkten Zustand Z2 und umgekehrt verbracht werden. In dem ausgelenkten Zustand Z2 ist das Stellelement in der Fig. 9 mit dem Bezugszeichen 526" bezeichnet. Wie zuvor erwähnt, wird das Stellelement 526 nur zum Verbringen desselben von dem unaus gelenkten Zustand ZI in den ausgelenkten Zustand Z2 bestromt. Ansonsten wird das Stellelement 526 nicht bestromt. Das heißt, zum Halten des ausgelenkten Zustands Z2 ist keine
Bestromung erforderlich. Der Stellbereich DA ist stufenlos einstellbar. Das heißt, das Stellelement 526 kann zwischen dem unausgelenkten Zustand ZI und dem ausgelenkten Zustand Z2 stufenlos in eine beliebige Anzahl an Zwischenzustän den verbracht werden.
Nach der Polarisierung des Stellelements 526 kann die Steuereinheit 600 wieder entfernt werden. Alternativ kann die Steuereinheit 600 auch fester Bestandteil des optischen Systems 200 sein. Jedem Stellelement 526 der Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512 kann eine derartige Steuereinheit 600 zugeordnet sein. Alternativ können auch alle Stellelemente 526 der Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512 von einer gemeinsamen Steuereinheit 600 angesteuert werden.
Ein wie in der Fig. 9 gezeigtes Stellelement 526 kann auch ein sogenannter Pie- zokrabbler sein oder einen derartigen umfassen. Bei einem„Piezokrabbler“ han delt es sich um eine lineare Anordnung von miteinander verbundenen Piezoak- tuatoren beziehungsweise einen Piezostapel, die beziehungsweise der sich durch abwechselnde Aktivierung der Piezoaktuatoren in der Art einer Raupe auf einer Oberfläche fortbewegen können. Ein derartiger Piezokrabbler ist vorzugsweise selbsthemmend, so dass dieser sich bei einer Nicht- Bestromung nicht selbsttätig zurückstellt. Mit Hilfe des in diesem Fall als Piezokrabbler ausgebildeten Stel lelements 526 lässt dieses sich durch Bestromung stufenlos von dem unausge lenkten Zustand ZI in den ausgelenkten Zustand Z2 verbringen. Zum Halten des ausgelenkten Zustands Z2 ist dann, wie zuvor erwähnt, keine Bestromung erfor derlich.
Die Steuereinheit 600 ist bevorzugt mit dem Messsystem 300 wirkverbunden, so dass die Steuereinheit 600 die Stellelemente 526 in Abhängigkeit von Messwer ten des Messsystems 300, das heißt, in Abhängigkeit von der gemessenen Feld position sowie der gemessenen Pupillenposition, ansteuern kann. Die Steuerein heit 600, das Messsystem 300 und das Stellelement 526 sind Teil einer Justier einrichtung 700. Die Steuereinheit 600 beziehungsweise die Justiereinrichtung 700 ist geeignet, die Position und/oder Orientierung jedes der optischen Elemen te 202, 204, 206, 208 zu verändern, um die optischen Elemente 202, 204, 206,
208 von ihrer jeweiligen Ist- Lage IL in die erforderliche Soll-Lage SL zu verbrin gen und in dieser zu halten.
Jeder Lagereinheit 502, 504, 506, 508, 510, 512 kann eine derartige Justierein richtung 700 zugeordnet sein. Bevorzugt ist jedoch eine Justiereinrichtung 700 mehreren Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512, beispielsweise allen La gereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512 einer Lagereinrichtung 500 zugeordnet. Die Justiereinrichtung 700 kann Teil der Lagereinrichtung 500 oder umgekehrt sein. Ferner kann jedem optischen Element 202, 204, 206, 208 eine derartige Justiereinrichtung 700 zugeordnet sein. Ferner kann auch eine Justiereinrich tung 700 mehreren optischen Elementen 202, 204, 206, 208 zugeordnet sein.
Die Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Justiereinrichtung 700. Bei dieser Ausführungsform der Justier einrichtung 700 ist das Stellelement 526 da zu geeignet, mit Hilfe einer Schlittenkonstruktion den Adapter 524 der jeweili gen Lagereinheit 502, 504, 506, 508, 510, 512 linear gegenüber der Basis 400 zu verschieben. Hierdurch kann ein Neigungswinkel a der jeweiligen Lagereinheit 502, 504, 506, 508, 510, 512 beispielsweise gegenüber einer Horizontalen H ver stellt werden. In der Fig. 10 ist jedoch nur die Lagereinheit 504 gezeigt. Bei spielsweise könnte das Stellelement 526 als Piezoelement oder Piezokrabbler ausgebildet sein. Diese lineare Verschiebbarkeit ist in der Fig. 10 mit Hilfe eines Doppelpfeils 534 angedeutet. Die Schlittenkonstruktion kann selbsthemmend ausgebildet sein, so dass diese sich bei einer Nicht- Bestromung des Stellele ments 526 nicht selbsttätig zurückstellt. Die Justiereinrichtung 700 ist somit mit Hilfe der linearen Verschiebung des jeweiligen Adapters 524 dazu eingerich¬ tet, die Position und/oder Orientierung jedes der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 zu verändern, um die optischen Elemente 202, 204, 206, 208 von ihrer jeweiligen Ist- Lage IL in die erforderliche Soll-Lage SL zu verbringen und in die¬ ser zu halten. Es können auch unterschiedlichste Stellelemente 526 miteinander kombiniert werden.
Die Funktionalität des optischen Systems 200 wird nachfolgend erläutert. Oft¬ mals kann es nach einiger Zeit des Belichtungsbetriebs erforderlich sein, einzel¬ ne optische Elemente 202, 204, 206, 208 auszutauschen. Beispielsweise kann im Belichtungsbetrieb Zinn aus der EU V- Lichtquelle 106A in das optische System 200 gelangen. Dies kann zu einer Degradation der optisch wirksamen Fläche 224 der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 oder einzelner der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 führen. Der Austausch der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 sollte dabei vorteilhafterweise ohne einen Ausbau und Einbau des gesamten optischen Systems 200, bevorzugt vor Ort, das heißt, am Betriebsort der EUV- Lithographieanlage 100A, und bei möglichst geringer Stillstandszeit (Engl4 downtime) der EUV- Lithographieanlage 100A möglich sein.
Ferner kann es auch erforderlich sein, während einer Aufheizphase des opti¬ schen Systems 200 die optischen Elemente 202, 204, 206, 208 zu justieren, um eine optimale Feldposition und Pupillenposition auch während der Aufheizphase zu erreichen. Das heißt, vorteilhafterweise kann dann schon während der Auf¬ heizphase der Belichtungsbetrieb gestartet werden und die teure EUV- Strahlung 108A kann dann nicht nur zur Aufheizung, sondern schon während der Aufheizphase zur Belichtung verwendet werden. Die Aufheizphase kann mehrere Stunden, beispielsweise eine bis fünf Stunden, dauern. Die Aufheizpha¬ se dauert insbesondere so lange, bis ein thermisches Gleichgewicht des optischen Systems 200 aufgrund der einfallenden EUV-Strahlung 108A erreicht ist. Unter einem„thermischen Gleichgewicht“ ist vorliegend ein Zustand zu verstehen, in dem eine Temperatur des optischen Systems 200 beziehungsweise der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 nicht mehr ansteigt und insbesondere konstant bleibt. Es ist dann ein Gleichgewicht zwischen eingebrachter Wärme, beispiels¬ weise aufgrund von Absorption der EUV-Strahlung 108A, und abgeführter Wärme, beispielsweise mit Hilfe eines Kühlsystems, erreicht. Um die Feldposition und die Pupillenposition zu justieren, ist es zumeist nicht ausreichend, nur die Kippung, das heißt, die Orientierung, des jeweiligen opti¬ schen Elements 202, 204, 206, 208 zu verändern. Zusätzlich ist es auch notwen¬ dig, die Position des jeweiligen optischen Elements 202, 204, 206, 208 anzupas¬ sen. Insbesondere bei einem Austausch eines der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 am Betriebsort der EUV- Lithographieanlage 100A ist eine schnelle und zielgerichtete Justage essentiell, um eine möglichst geringe Stillstandszeit zu erzielen.
Die Justage der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 beziehungsweise eines der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 nach einem Austausch eines oder mehrerer optischer Elemente 202, 204, 206, 208 kann nach einem in der Fig. 11 gezeigten Verfahren zum Justieren des optischen Systems 200 erfolgen. In einem Schritt Sl wird an dem optischen System 200 zunächst noch mit den ursprüng¬ lich eingebauten optischen Elementen 202, 204, 206, 208 die Feldposition und die Pupillenposition gemessen.
In einem Schritt S2 wird das gewünschte optische Element 202, 204, 206, 208 ausgetauscht. In einem Schritt S3 wird erneut die Feldposition und die Pupil¬ lenposition gemessen. Die Schritte Sl bis S3 erfolgen bevorzugt ohne ein an dem Gehäuse 212 angelegtes Vakuum.
In einem nachfolgenden Schritt S4 wird ein Korrekturrezept errechnet. Hierzu kann das Messsystem 300 eine Rechnereinheit umfassen beziehungsweise mit einer Rechnereinheit gekoppelt sein. Das Korrekturrezept umfasst für das ge¬ tauschte optische Element 202, 204, 206, 208 und gegebenenfalls auch für die nicht getauschten optische Element 202, 204, 206, 208 jeweils eine Längenände¬ rung AL (Fig. 9) entlang der Stabachse S der entsprechenden Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512, die erforderlich ist, um das jeweilige optische Ele¬ ment 202, 204, 206, 208 von seiner Ist- Lage IL in seine Soll-Lage SL zu verbrin¬ gen (Fig. 3). Dabei kann an jedem der Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510,
512 oder nur an einigen der Lagereinheiten 502, 504, 506, 508, 510, 512 eine derartige Längenänderung AL erforderlich sein. In zwei Schritten S5 und S6 wird die erforderliche Korrektur an dem ausge tauschten und gegebenenfalls auch an den nicht ausgetauschten optischen Ele menten 202, 204, 206, 208 durchgeführt. Die Korrektur erfolgt bevorzugt zwei stufig. In dem Schritt S5 wird ein passender Abstandshalter 518 eingefügt, der aus einer Vielzahl Abstandshalter 518 mit einer Längenabstufung von 5 gm ausgewählt wird. Mit Hilfe des Abstandshalters 518 kann die Längenänderung AL somit mit einer Genauigkeit von 5 gm eingestellt werden. Nach der Durch führung des Schritts S5 kann an das Gehäuse 212 ein Vakuum angelegt werden. Für den Fall, dass die erforderliche Längenänderung AL kleiner als 5 gm ist, kann auf das Einfügen des Abstandshalters 518 auch verzichtet werden.
In dem Schritt S6 wird nun das Stellelement 526 ausgelenkt, um die Längenän derung AL auf 0,1 gm genau einzustellen. Hierzu wird das entsprechende Stel lelement 526 mit Hilfe der Steuereinheit 600 angesteuert. Ist die gewünschte Längenänderung AL erreicht, kann das Stellelement 526 stromlos geschalten werden. Der Schritt S6 kann bereits unter Vakuum durchgeführt werden.
In einem Schritt S7 werden die Feldposition und die Pupillenposition erneut vermessen. Die Schritte S4, S6 und S7 werden, insbesondere unter Vakuum, ite rativ solange wiederholt, bis die erforderliche Spezifikation hinsichtlich der Feldposition und der Pupillenposition erreicht ist. Die Pupillenposition kann auch über den sogenannten Overlay an dem Wafer 124 ermittelt werden. Der Begriff„Overlay“ bezeichnet vorliegend die Positioniergenauigkeit oder Uberde ckungsgenauigkeit von Strukturen aus unterschiedlichen Fertigungsschritten, in der Regel zweier fotolitho grafischer Ebenen. Das heißt, mit Hilfe des Verfah rens kann auch der Overlay verbessert werden. Ist die Spezifikation erreicht, können das Messsystem 300 und die Steuereinheit 600 wieder entfernt werden. Alternativ können das Messsystem 300 und die Steuereinheit 600 auch an dem optischen System 200 verbleiben.
Das Verfahren kann auch zur Erstjustage bei der Montage des optischen Sys tems 200 durchgeführt werden. Ferner können mit Hilfe des Verfahrens auch Setzeffekte, die während eines Transports des optischen Systems 200 auftreten können, korrigiert werden. Dies ist insbesondere vorteilhaft, da das optische System 200 aufgrund seiner Größe während dem Transport zumeist gekippt werden muss. Ferner können Alterungseffekte, wie beispielsweise Kriecheffekte oder Setzeffekte, anderer Bauteile des optischen Systems 200 korrigiert werden. Auch Thermaleffekte, wie beispielsweise Drifts, die nach der Maschinenjustage auftreten können, können korrigiert werden.
Ein weiteres - in der Fig. 12 gezeigtes - Verfahren kann dazu geeignet sein, die Stillstandszeit bei einer Inbetriebnahme des optischen Systems 200, beispiels¬ weise nach einem Austausch eines der optischen Elemente 202, 204, 206, 208 zu verkürzen oder Änderungen kompensieren, die sich durch einen Wechsel des Be- leuchtungssettings ergeben. Dieses Verfahren gemäß Fig. 12 wird bevorzugt un¬ ter Vakuum und im Betrieb der EU V- Lichtquelle 106A durchgeführt. Bei diesem Verfahren ist das Stellelement 526 bevorzugt als aktives Stellelement ausgelegt. Das Stellelement 526 kann dann in Abhängigkeit von der mit Hilfe des Messsys¬ tems 300 gemessenen Feldposition und Pupillenposition mit Hilfe der Steuer¬ einheit 600 angesteuert werden, um das jeweilige optische Element 202, 204,
206, 208 von seiner Ist- Lage IL in die Soll- Lage SL zu verbringen. Das Stellele¬ ment 526 ist somit Teil eines Regelkreises, der aktiv die Feldposition und die Pupillenposition unter Justage des optischen Elements 202, 204, 206, 208 korri¬ giert.
Das Verfahren umfasst einen Schritt S10 des Messens der Feldposition sowie der Pupillenposition mit Hilfe des Messsystems 300. In einem Schritt S20 wird die Orientierung und/oder Position des optischen Elements 202, 204, 206, 208 wäh¬ rend der Aufheizphase des optischen Systems 200 in Abhängigkeit von der ge¬ messenen Feldposition und/oder Pupillenposition derart justiert, dass das opti¬ sche Element 202, 204, 206, 208 stets in seiner Soll- Lage SL gehalten wird. So¬ lange sich das optische Element 202, 204, 206, 208 in der Soll- Lage SL befindet, können die erforderlichen Spezifikationen für die Feldposition und die Pupillen¬ position eingehalten werden.
In dem Schritt S20 wird auch ein Korrekturrezept für das optische Element 202, 204, 206, 208 errechnet. In dem Schritt S20 steuert die Steuereinheit 600 das Stellelement 526 ferner so an, dass das optische Element 202, 204, 206, 208 von seiner Ist- Lage IL in die Soll-Lage SL verbracht wird und in der Soll-Lage SL gehalten wird. Die Schritte S10, S20 werden solange iterativ durchgeführt, bis die erforderlichen Spezifikationen hinsichtlich der Feldposition und der Pupil lenposition erreicht sind.
Das Verfahren gemäß der Fig. 12 kann Teil des Verfahrens gemäß der Fig. 11 sein. Das Verfahren gemäß der Fig. 12 kann insbesondere auch nach dem Ver fahren gemäß der Fig. 11 durchgeführt werden. Im Unterschied zu dem Verfah ren gemäß der Fig. 11 wird das Verfahren gemäß der Fig. 12 jedoch während der Aufheizphase des optischen Systems 200 kontinuierlich unter ständiger Korrek tur der Lage des optischen Elements 202, 204, 206, 208 durchgeführt. Hierdurch kann bereits während der Aufheizphase der Belichtungsbetrieb gestartet wer den, wodurch die Stillstandszeit des optischen Systems 200, beispielsweise nach einem Austausch eines der optischen Elemente 202, 204, 206, 208, signifikant reduziert werden kann. Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrie ben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
BEZUGSZEICHENLISTE
100A EUV- Lithographieanlage
100B DUV- Lithographieanlage
102 Strahlformungs- und Beleuchtungssystem
104 Projektions System
106A EUV- Lichtquelle
106B DUV- Lichtquelle
108A EUV- Strahlung
108B DUV- Strahlung
110 Spiegel
112 Spiegel
114 Spiegel
116 Spiegel
118 Spiegel
120 Photomaske
122 Spiegel
124 Wafer
126 optische Achse
128 Linse
130 Spiegel
132 Medium
200 optisches System
202 optisches Element
202 optisches Element
204 optisches Element
206 optisches Element
208 optisches Element
210 Umlenkspiegel
212 Gehäuse
214 Zwischenfokusebene
216 Strahlengang
218 Objektebene
220 Objektfeld
222 Substrat 224 optisch wirksame Fläche
224 optisch wirksame Fläche
226 Fassung
300 Messsystem
400 Basis
500 Lagereinrichtung
502 Lagereinheit
504 Lagereinheit
506 Lagereinheit
508 Lagereinheit
510 Lagereinheit
512 Lagereinheit
514 Adapter
516 Biegeentkopplungselement
518 Abstandshalter
520 Stababschnitt
522 Biegeentkopplungselement
524 Adapter
526 Stellelement
526 Stellelement
526 Stellelement
528 Blattfederabschnitt
530 Blattfederabschnitt
532 Verbindungsabschnitt
534 Doppelpfeil
600 Steuereinheit
700 Justiereinrichtung
A Ausgangslänge
E Haupterstreckungsebene
IL Ist- Lage
H Horizontale
K Kraftfluss
L Längsrichtung
Ml Spiegel M2 Spiegel
M3 Spiegel
M4 Spiegel
M5 Spiegel
M6 Spiegel
R Biegeachse S Stabachse
SL Soll-Lage
S1 Schritt
S2 Schritt
53 Schritt
54 Schritt
55 Schritt
56 Schritt
S7 Schritt
S10 Schritt
S20 Schritt
T Biegeachse x x-Richtung y y-Richtung z z-Richtung
ZI Zustand
Z2 Zustand
DA Stellbereich ÄL Längenänderung a N eigungs winkel

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem (200) für eine Lithographieanla¬ ge (100A, 100B), insbesondere für eine EUV- Lithographieanlage, aufweisend ein optisches Element (202, 204, 206, 208), und
eine Justiereinrichtung (700), die dazu eingerichtet ist, während einer Auf¬ heizphase des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) eine Feldposition und/oder eine Pupillenposition des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) zu messen und in Abhängigkeit von der gemessenen Feldposition und/oder Pupillenposition eine Orientierung und/oder eine Position des optischen Ele¬ ments (202, 204, 206, 208) zu justieren, um das optische Element (202, 204, 206, 208) in einer Soll-Lage (SL) zu halten.
2. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem nach Anspruch 1, ferner umfas¬ send mehrere optische Elemente (202, 204, 206, 208), insbesondere einen Feldfa¬ cettenspiegel, einen Pupillenfacettenspiegel und/oder einen Kondensorspiegel, wobei die Justiereinrichtung (700) dazu eingerichtet ist, in Abhängigkeit von der gemessenen Feldposition und/oder Pupillenposition eine Orientierung und/oder eine Position der optischen Elemente (202, 204, 206, 208) relativ zueinander zu justieren.
3. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend eine Lagereinrichtung (500), insbesondere einen Hexapod, für das optische Element (202, 204, 206, 208), wobei die Lagereinrichtung (500) ein von der Justiereinrichtung (700) ansteuerbares Stellelement (526), insbesondere ein Piezoelement, umfasst.
4. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem nach Anspruch 3, wobei die La¬ gereinrichtung (500) sechs Lagereinheiten (502, 504, 506, 508, 510, 512) mit je¬ weils einem Stellelement (526) umfasst.
5. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, wobei jede La¬ gereinheit (502, 504, 506, 508, 510, 512) einen eine Länge der jeweiligen La¬ gereinheit (502, 504, 506, 508, 510, 512) verändernden Abstandshalter (518) um¬ fasst.
6. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem nach Anspruch 4 oder 5, wobei zum Justieren der Orientierung und/oder der Position des optischen Elements (202, 204, 206, 208) an den Lagereinheiten (502, 504, 506, 508, 510, 512) eine Längenänderung (AL) derselben durchführbar ist.
7. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 4 - 6, wobei das Stellelement (526) von einem unausgelenkten Zustand (Zl) in einen ausgelenkten Zustand (Z2) verbringbar ist, und wobei das Stellelement (526) so¬ wohl in dem unausgelenkten Zustand (Zl) als auch in dem ausgelenkten Zu¬ stand (Z2) stromlos ist.
8. Strahlformungs- und Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 4 - 7, wobei jede Lagereinheit (502, 504, 506, 508, 510, 512) ein erstes Biegeentkopp¬ lungselement (516), ein zweites Biegeentkopplungselement (522) und einen zwi¬ schen dem ersten Biegeentkopplungselement (516) und dem zweiten Biegeent¬ kopplungselement (522) angeordneten Stababschnitt (520) umfasst, und wobei das Stellelement (526) zwischen dem ersten Biegeentkopplungselement (516) und dem zweiten Biegeentkopplungselement (522), zwischen dem ersten Biege¬ entkopplungselement (516) und dem optischen Element (202, 204, 206, 208) oder zwischen dem zweiten Biegeentkopplungselement (522) und einer Basis (400) des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) angeordnet ist.
9. Lithographieanlage (100A, 100B), insbesondere EUV-Lithographieanlage, mit einem Strahlformungs- und Beleuchtungssystem (200) nach einem der An¬ sprüche 1 - 8.
10. Verfahren zum Justieren eines Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten:
a) Messen (S10) einer Feldposition und/oder einer Pupillenposition des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200), und
b) Justieren (S20) einer Orientierung und/oder einer Position eines opti¬ schen Elements (202, 204, 206, 208) des Strahlformungs- und Beleuchtungssys¬ tems (200) während einer Aufheizphase des Strahlformungs- und Beleuchtungs¬ systems (200) in Abhängigkeit von der gemessenen Feldposition und/oder Pupil- lenposition derart, dass das optische Element (202, 204, 206, 208) in einer Soll- Lage (SL) gehalten wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Schritte a) und b) solange iterativ durchgeführt werden, bis die Feldposition und/oder die Pupillenposition eine ge¬ forderte Spezifikation einhalten.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei vor oder in dem Schritt b) ein Korrekturrezept für das optische Element (202, 204, 206, 208) berechnet wird, und wobei das optische Element (202, 204, 206, 208) basierend auf diesem Kor¬ rekturrezept justiert wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 - 12, wobei das Verfahren unter Vakuum und/oder im Betrieb einer EUV- Lichtquelle (106A) des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) durchgeführt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 - 13, wobei in dem Schritt b) die Orientierung und/oder die Position des optischen Elements (202, 204, 206, 208) dadurch justiert wird, dass an Lagereinheiten (502, 504, 506, 508, 510, 512) ei- ner Lagereinrichtung (500) des optischen Elements (202, 204, 206, 208) jeweils eine Längenänderung (AL) vorgenommen wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 - 14, wobei das Verfahren solange durchgeführt wird, bis ein thermisches Gleichgewicht des Strahlformungs- und Beleuchtungssystems (200) erreicht ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020212870A1 (de) 2020-10-13 2022-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente und Verfahren zur Justage der optischen Komponente, sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102021205278B4 (de) 2021-05-21 2023-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Einstellbarer Abstandshalter, Optisches System, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102022204015A1 (de) 2022-04-26 2023-10-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator und Deformationsspiegel
DE102022207148A1 (de) * 2022-07-13 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160342097A1 (en) * 2011-01-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of operating a projection exposure tool for microlithography
DE102016203990A1 (de) 2016-03-10 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem und Messverfahren

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60126103T2 (de) * 2000-08-18 2007-11-15 Nikon Corp. Haltevorrichtung für optisches Element
JP4666908B2 (ja) * 2003-12-12 2011-04-06 キヤノン株式会社 露光装置、計測方法及びデバイス製造方法
JP5134732B2 (ja) * 2008-10-31 2013-01-30 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系
DE102009009221A1 (de) * 2009-02-17 2010-08-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Aktuatorsystem
WO2012041462A2 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Systems for aligning an optical element and method therefor
DE102012211846A1 (de) * 2012-07-06 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Messen einer winkelaufgelösten Intensitätsverteilung sowie Projektionsbelichtungsanlage

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160342097A1 (en) * 2011-01-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of operating a projection exposure tool for microlithography
DE102016203990A1 (de) 2016-03-10 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem und Messverfahren

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