WO2019097795A1 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019097795A1
WO2019097795A1 PCT/JP2018/030946 JP2018030946W WO2019097795A1 WO 2019097795 A1 WO2019097795 A1 WO 2019097795A1 JP 2018030946 W JP2018030946 W JP 2018030946W WO 2019097795 A1 WO2019097795 A1 WO 2019097795A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display device
layer
heat conductive
area
display
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/030946
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和浩 小高
Original Assignee
株式会社ジャパンディスプレイ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ジャパンディスプレイ filed Critical 株式会社ジャパンディスプレイ
Priority to CN201880074617.4A priority Critical patent/CN111448603B/zh
Publication of WO2019097795A1 publication Critical patent/WO2019097795A1/ja
Priority to US16/874,698 priority patent/US11508944B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • a display device using a light emitting element such as an organic light emitting diode (OLED: Organic Light Emitting Diode) has been put to practical use (Patent Document 1). Such a display device is superior in visibility and response speed as compared with a liquid crystal display device.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • Patent Document 2 a display device provided with a fingerprint sensor
  • a display device using a light emitting element since a backlight is not used, in order to display an image in which a bright portion is locally present on a dark background, the light emitting element is locally turned on. Since the light emitting element generates heat by lighting, a temperature difference occurs between the lighting part and the non-lighting part.
  • a heat spreader sheet is provided to prevent local degradation of the light emitting element due to heat, but the heat spreader sheet has low light transmittance. Therefore, the optical fingerprint sensor could not be disposed below the heat spreader sheet in the display area. Alternatively, if an opening corresponding to the optical fingerprint sensor is formed in the heat equalizing sheet, the heat equalization can not be performed at the opening.
  • An object of the present invention is to arrange an optical fingerprint sensor in a display area while achieving thermal uniformity.
  • a display device includes a display circuit layer having a first surface and a second surface and having a display area on which an image is displayed on the first surface, and the display circuit layer under the second surface. And an optical fingerprint sensor located under the heat conductive sheet and inside the display area and overlapping the display circuit layer, wherein the heat conductive sheet overlaps the optical fingerprint sensor.
  • the heat conduction sheet includes a first area and a second area overlapping the display area around the optical fingerprint sensor, and the heat conduction sheet is a light necessary for sensing by the optical fingerprint sensor in the first area.
  • the heat conductive sheet is formed of a heat conductive material, and the heat conductive sheet includes a heat conductive layer made of the heat conductive material in the second region and is not light transmissive.
  • the heat conductive sheet has the portion made of the heat conductive material also in the first region overlapping the optical fingerprint sensor, so that the heat equalization can be achieved, and the first region is light transmissive. Therefore, sensing by the optical fingerprint sensor is possible in the display area.
  • FIG. 1 is a plan view of a display device according to a first embodiment of the present invention. It is a rear view of a display shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 along the line III-III.
  • FIG. 4 is a diagram for describing an outline and an operation of the display device shown in FIG. 3; It is a figure which shows the detail of a heat conductive sheet. It is a figure which shows the modification 1 of the heat conductive sheet which concerns on 1st Embodiment. It is a figure which shows the modification 2 of the heat conductive sheet which concerns on 1st Embodiment. It is a figure which shows the modification 3 of the heat conductive sheet which concerns on 1st Embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the heat conductive sheet shown in FIG. 15 taken along line XVI-XVI. It is a rear view which shows the display apparatus which concerns on 4th Embodiment to which this invention is applied.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 17 taken along line XVIII-XVIII.
  • FIG. 1 is a plan view of a display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a rear view of the display shown in FIG.
  • the display device is an organic electroluminescence (EL) display device.
  • the display device combines, for example, unit pixels (sub-pixels) of a plurality of colors of red, green and blue to form a full-color pixel and displays a full-color image.
  • the display device includes a display area DA and a peripheral area PA surrounding the display area DA.
  • the peripheral area PA is outside the display area DA.
  • the flexible printed circuit 11 is connected to the peripheral area PA. On the flexible printed board 11, an integrated circuit 12 for driving an element for displaying an image is mounted.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of the display device shown in FIG.
  • the substrate 10 (array substrate) uses polyimide.
  • other resin materials may be used as long as the base material has sufficient flexibility to constitute a sheet display or a flexible display.
  • a three-layer laminated structure of a silicon oxide film 14a, a silicon nitride film 14b, and a silicon oxide film 14c is provided as the undercoat layer 14.
  • the lowermost silicon oxide film 14 a is for improving adhesion with the substrate 10
  • the middle silicon nitride film 14 b is a block film of moisture and impurities from the outside
  • the uppermost silicon oxide film 14 c is a silicon nitride film.
  • 14b are respectively provided as block films for preventing diffusion of hydrogen atoms contained in the thin film transistor TR to the semiconductor layer 18 side, but the present invention is not particularly limited to this structure, and further lamination may be performed. It is good also as a layer or two-layer lamination.
  • the additional film 16 may be formed in accordance with the portion where the thin film transistor TR is to be formed.
  • the additional film 16 provides a back gate effect to the thin film transistor TR by suppressing a change in the characteristics of the thin film transistor TR due to the intrusion of light from the back surface of the channel or the like and forming a conductive material to apply a predetermined potential.
  • the additional film 16 is formed in an island shape in accordance with the portion where the thin film transistor TR is to be formed, and then the silicon nitride film 14b and the silicon oxide film 14c are laminated to form an undercoat.
  • the additional film 16 is formed in the layer 14 so as to be enclosed, the additional film 16 may be formed on the substrate 10 first, and then the undercoat layer 14 may be formed thereafter.
  • the thin film transistor TR is formed on the undercoat layer 14. Taking a polysilicon thin film transistor as an example, only an Nch transistor is shown here, but a Pch transistor may be formed simultaneously.
  • the semiconductor layer 18 of the thin film transistor TR has a structure in which a low concentration impurity region is provided between the channel region and the source / drain region.
  • a silicon oxide film is used as the gate insulating film 20.
  • the gate electrode 22 is a part of the first wiring layer W1 formed of MoW.
  • the first wiring layer W1 has a first storage capacitance line CL1 in addition to the gate electrode 22. A part of the storage capacitance Cs is formed between the first storage capacitance line CL1 and the semiconductor layer 18 (source / drain region) via the gate insulating film 20.
  • An interlayer insulating film 24 (silicon oxide film and silicon nitride film) is stacked on the gate electrode 22.
  • the substrate 10 can be bent, at least a part of the interlayer insulating film 24 is removed in the bending area FA so as to be easily bent. Since the undercoat layer 14 is exposed by removing the interlayer insulating film 24, at least a part of the undercoat layer 14 is also removed by patterning. After the undercoat layer 14 is removed, the polyimide constituting the substrate 10 is exposed. The polyimide surface may be partially corroded through the etching of the undercoat layer 14 to cause film reduction.
  • a second wiring layer W2 including a portion to be the source / drain electrode 26 and the lead wiring 28 is formed on the interlayer insulating film 24.
  • a three-layer laminated structure of Ti, Al and Ti is adopted.
  • Another storage capacitance Cs is held between the first storage capacitance line CL1 (a part of the first wiring layer W1) and the second storage capacitance line CL2 (a part of the second wiring layer W2) via the interlayer insulating film 24.
  • a part is formed.
  • the lead wiring 28 is extended to the end of the substrate 10 and has a terminal 32 for connecting the flexible printed circuit 11.
  • a planarization film 34 is provided so as to cover the source / drain electrodes 26 and the lead wirings 28 (excluding a part of these).
  • organic materials such as photosensitive acrylic are often used because the planarity of the surface is excellent as compared with the inorganic insulating material formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like.
  • the planarizing film 34 is removed in the pixel contact portion 36 and the peripheral area PA, and an indium tin oxide film 35 is formed thereon.
  • the indium tin oxide film 35 includes a first transparent conductive film 38 and a second transparent conductive film 40 separated from each other.
  • the second wiring layer W2 whose surface is exposed by removing the planarization film 34 is covered with the first transparent conductive film 38.
  • a silicon nitride film 42 is provided on the planarization film 34 so as to cover the first transparent conductive film 38.
  • the silicon nitride film 42 has an opening in the pixel contact portion 36, and the pixel electrode 44 is stacked so as to be conductive to the source / drain electrode 26 through the opening.
  • the pixel electrode 44 is formed as a reflective electrode, and has a three-layer laminated structure of an IZO (Indium Zinc Oxide) film, an Ag film, and an IZO film.
  • an indium tin oxide film 35 may be used instead of the IZO film.
  • the pixel electrode 44 extends laterally from the pixel contact portion 36 and reaches above the thin film transistor TR.
  • the second transparent conductive film 40 is provided adjacent to the pixel contact portion 36 and below the pixel electrode 44 (and further below the silicon nitride film 42).
  • the second transparent conductive film 40, the silicon nitride film 42, and the pixel electrode 44 overlap each other, and an additional capacitance Cad is formed by these.
  • a third transparent conductive film 46 which is another part of the indium tin oxide film 35 is formed on the surface of the terminal 32.
  • the third transparent conductive film 46 is formed simultaneously with the first transparent conductive film 38 and the second transparent conductive film 40.
  • An object of the third transparent conductive film 46 on the terminal 32 is to provide the third transparent conductive film 46 as a barrier film so that the exposed portion of the terminal 32 is not damaged in the subsequent steps.
  • the third transparent conductive film 46 is exposed to the etching environment at the time of patterning of the pixel electrode 44, the indium tin oxide film 35 is exposed by the annealing process performed between the formation of the indium tin oxide film 35 and the formation of the pixel electrode 44. It has sufficient resistance to the etching of the pixel electrode 44.
  • an insulating layer 48 which is called a bank (rib) and serves as a partition wall of adjacent pixel regions, is formed.
  • the insulating layer 48 photosensitive acrylic or the like is used as in the case of the flattening film 34.
  • the insulating layer 48 is preferably opened so as to expose the surface of the pixel electrode 44 as a light emitting region, and the open end thereof preferably has a gentle tapered shape. If the opening end has a sharp shape, coverage failure of the organic EL (Electro Luminescence) layer 50 formed thereon is generated.
  • planarizing film 34 and the insulating layer 48 are in contact with each other through an opening provided in the silicon nitride film 42 located therebetween. Thus, moisture and degassing desorbed from the planarization film 34 can be extracted through the insulating layer 48 through heat treatment or the like after formation of the insulating layer 48.
  • the organic EL layer 50 made of an organic material is stacked on the pixel electrode 44.
  • the organic EL layer 50 may be a single layer, but may have a structure in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the pixel electrode 44 side. These layers may be formed by vapor deposition, may be formed by coating on a solvent dispersion, may be formed selectively for the pixel electrode 44 (each sub pixel), or may be displayed. It may be solidly formed on the entire surface covering the area DA. In the case of solid formation, white light can be obtained in all sub-pixels, and a desired color wavelength portion can be extracted by a color filter (not shown).
  • the counter electrode 52 is provided on the organic EL layer 50.
  • the counter electrode 52 is transparent.
  • the Mg layer and the Ag layer are formed as thin films to which the light emitted from the organic EL layer 50 is transmitted.
  • the pixel electrode 44 becomes an anode and the counter electrode 52 becomes a cathode.
  • the counter electrode 52 is formed over the display area DA and the cathode contact portion 54 provided in the vicinity of the display area DA, and is connected to the lower routing wiring 28 at the cathode contact portion 54 and electrically connected to the terminal 32. Connected
  • a sealing film 56 is formed on the counter electrode 52.
  • the sealing film 56 has a function to prevent the intrusion of moisture from the outside as a function of the previously formed organic EL layer 50, and high gas barrier properties are required.
  • a stacked structure of a silicon nitride film 56a, an organic resin layer 56b, and a silicon nitride film 56c is used as a stacked structure including a silicon nitride film.
  • a silicon oxide film or an amorphous silicon layer may be provided for the purpose of improving adhesion.
  • the touch panel substrate 60 is stacked on the sealing film 56 via the adhesive layer 58. At least a portion of touch sensing electrodes (not shown) is formed on the touch panel substrate 60.
  • the counter electrode 52 may double as part of the touch sensing electrode.
  • a circularly polarizing plate 62 is attached to the touch panel substrate 60.
  • a cover glass 66 is stacked on the circularly polarizing plate 62 with the adhesive layer 64 interposed therebetween.
  • the support film 70 is laminated on the substrate 10 via the adhesive layer 68.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining an outline and an operation of the display device shown in FIG.
  • the display device has a display circuit layer 72.
  • the display circuit layer 72 includes, for example, layers from the undercoat layer 14 to the sealing film 56 in FIG. 3.
  • the display circuit layer 72 has a plurality of light emitting elements 74 for displaying an image in the display area DA.
  • the light emitting element 74 includes the pixel electrode 44, the organic EL layer 50, and the counter electrode 52 shown in FIG.
  • the display circuit layer 72 includes the thin film transistor TR shown in FIG.
  • the display circuit layer 72 has a first surface S1 and a second surface S2. An image is displayed in the display area DA of the first surface S1.
  • the heat conductive sheet 76 overlaps the display circuit layer 72 below the second surface S2.
  • the heat conductive sheet 76 is attached to the support film 70.
  • the heat conductive sheet 76 is made of a heat conductive material containing at least one element selected from the group consisting of copper, chromium and carbon.
  • the heat conductive sheet 76 has thermal diffusivity, and can diffuse heat even when light is emitted only in a part of the display area DA.
  • FIG. 5 is a view showing details of the heat transfer sheet 76.
  • the heat conductive sheet 76 has a plurality of light transmitting parts 78 in the first area A1.
  • the plurality of light transmitting portions 78 are formed of slits or holes, and have light transmitting properties.
  • the heat conducting sheet 76 has a plurality of heat conducting parts 80 in the first area A1.
  • the plurality of heat conducting parts 80 are made of a heat conducting material and have no light transparency.
  • the plurality of light transmitting portions 78 and the plurality of heat conducting portions 80 are alternately provided in at least one direction (for example, both of the first direction D1 and the second direction D2 orthogonal to each other).
  • the heat conductive sheet 76 includes the heat conductive layer 82 made of a heat conductive material in the second region A2, and has no light transparency.
  • the plurality of heat conducting parts 80 are integrated with each other continuously from the second region A2.
  • the first area A1 and the second area A2 overlap the display area DA.
  • an optical fingerprint sensor 84 is attached to the heat transfer sheet 76.
  • the optical fingerprint sensor 84 is directly mounted on the heat transfer sheet 76.
  • the flexible print board 13 is connected to the optical fingerprint sensor 84 as shown in FIGS. 1 and 2.
  • the optical fingerprint sensor 84 overlaps the display circuit layer 72 below the heat transfer sheet 76 and inside the display area DA. Sensing by the optical fingerprint sensor 84 uses light from a plurality of light emitting elements 74. Specifically, the light from the organic EL layer 50 (FIG. 3) in the area facing the optical fingerprint sensor 84 is reflected by the finger and enters the optical fingerprint sensor 84. Since the organic EL layer 50 emits light locally, heat is locally generated, but soaking can be achieved by the heat conduction sheet 76.
  • the optical fingerprint sensor 84 overlaps the first area A1 of the heat conductive sheet 76.
  • the heat conductive sheet 76 has a shape having the light transmittance necessary for sensing by the optical fingerprint sensor 84 in the first area A1. Therefore, light passes through the heat conductive sheet 76 and can be sensed.
  • the first area A1 fits within the outer shape of the optical fingerprint sensor 84, and the optical fingerprint sensor 84 covers the entire first area A1. Therefore, outside light does not enter the optical fingerprint sensor 84.
  • the second area A2 having no light transmission overlaps the display area DA around the optical fingerprint sensor 84.
  • the heat conduction sheet 76 also has the portion made of the heat conduction material in the first area A1 overlapping the optical fingerprint sensor 84, soaking can be achieved, and the first area Since A1 is light transmissive, sensing by the optical fingerprint sensor 84 is possible in the display area DA.
  • Drawing 6 is a figure showing modification 1 of the heat conduction sheet concerning a 1st embodiment.
  • the plurality of light transmitting parts 78 which the heat conduction sheet 76 has in the first area A1 are rectangular holes, but in the example shown in FIG. 6, the heat conduction sheet 76A is the first area A1.
  • a plurality of light transmitting portions 78A each formed of a circular hole.
  • Drawing 7 is a figure showing modification 2 of the heat conduction sheet concerning a 1st embodiment.
  • the heat conductive sheet 76B has a plurality of light transmitting portions 78B in the first area A1.
  • the light transmitting portions 78B are formed of slits elongated in the first direction D1.
  • the plurality of light transmission sections 78B are arranged in the second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • FIG. 8 is a view showing a third modification of the heat conductive sheet according to the first embodiment.
  • the first region A1 of the heat conductive sheet 76C is a rectangle whose sides extend in the first direction D1 and the second direction D2.
  • the plurality of light transmitting portions 78C are respectively formed of slits extending obliquely in any of the first direction D1 and the second direction D2.
  • FIG. 9 is a view showing a modification 4 of the display device according to the first embodiment.
  • the second surface S2 of the display circuit layer 72D is made of an inorganic insulating film 86D.
  • the inorganic insulating film 86D includes, for example, the silicon oxide film 14a and the lead wiring 28 shown in FIG.
  • the heat conduction sheet 76D is directly laminated on the inorganic insulating film 86D.
  • a substrate 10D, an adhesive layer 68D and a support film 70D are laminated under the heat conductive sheet 76D.
  • FIG. 10 is a view showing a fifth modification of the display device according to the first embodiment.
  • the organic insulating film 88E is stacked under the second surface S2 of the display circuit layer 72E.
  • the organic insulating film 88E may be the substrate 10 of FIG.
  • the heat conductive sheet 76E is under the organic insulating film 88E.
  • An adhesive layer 68E and a support film 70E are laminated under the heat transfer sheet 76E.
  • FIG. 11 is a view showing a modification 6 of the display device according to the first embodiment.
  • the pair of organic insulating films 88F is stacked under the second surface S2 of the display circuit layer 72F.
  • the heat conductive sheet 76F is interposed between the pair of organic insulating films 88F.
  • An adhesive layer 68F and a support film 70F are stacked under the pair of organic insulating films 88F.
  • FIG. 12 is a view showing a modified example 7 of the display device according to the first embodiment.
  • the heat conductive sheet 76G is composed of a plurality of layers, includes the uppermost layer 90G closest to the second surface S2, and includes the underlayer 92G underlying the uppermost layer 90G.
  • the uppermost layer 90G has lower light reflectance than the underlayer 92G.
  • FIG. 13 is a view showing a heat conduction sheet according to a second embodiment to which the present invention is applied.
  • the heat conducting sheet 276 has a plurality of light transmitting portions 278 (278a, 278b, 278c) of different sizes (areas) in the first region A1.
  • the heat conduction sheet 276 has a plurality of heat conduction parts 280 (280a, 280b, 280c) of different sizes (areas) in the first region A1.
  • the plurality of light transmission parts 278 and the plurality of heat conduction parts 280 are alternately arranged in the orthogonal first direction D1 and second direction D2.
  • the ratio of the plurality of light transmitting portions 278 to the first region A1 changes along at least one (both in this example) of the first direction D1 and the second direction D2.
  • the ratio of the plurality of light transmitting portions 278 to the first area A1 is smaller as it is closer to the second area A2. That is, the ratio of the plurality of heat conducting parts 280 in the first area A1 is larger as it is closer to the second area A2.
  • the light transmission amount of the first region A1 through which light is transmitted is gradually reduced as the light transmission amount is closer to the second region through which light is not transmitted. For this reason, the change of the light transmission amount in the vicinity of the boundary between the first region A1 and the second region A2 becomes gentle, and it becomes difficult to recognize the boundary.
  • Drawing 14 is a figure showing the modification of the heat conduction sheet concerning a 2nd embodiment. This modification differs from the example of FIG. 13 in that the plurality of light transmitting portions 278A are slits extending in the first direction D1 and arranged in the second direction D2.
  • the light transmitting portion 278A is tapered in width at both end portions in the first direction D1. Therefore, along one of the first direction D1 and the second direction D2 (in this example, the first direction D1), the ratio of the plurality of light transmitting portions 278A to the first region A1 changes. That is, the ratio of the plurality of light transmission parts 278A in the first area A1 is smaller as the light transmission parts 278A are closer to the second area A2 in the first direction D1. Conversely, the proportion of the plurality of heat conducting parts 280A in the first area A1 is larger as it is closer to the second area A2 in the first direction D1.
  • FIG. 15 is a rear view showing a heat conductive sheet according to a third embodiment to which the present invention is applied.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the heat conductive sheet shown in FIG. 15, taken along line XVI-XVI.
  • the heat transfer sheet 376 has a heat transfer layer 382.
  • the heat transfer layer 382 includes a first heat transfer layer 394.
  • the first heat conductive layer 394 has a thinness with light transparency.
  • the first region A1 is composed of a first heat conduction layer 394. Accordingly, the heat conductive sheet 376 is entirely made of a heat conductive material in a thin area having light transparency in the first region A1.
  • the heat transfer layer 382 includes a second heat transfer layer 396.
  • the second heat conductive layer 396 has higher heat conductivity and no light transparency than the heat conductive layer 382.
  • the second heat conduction layer 396 is stacked on the first heat conduction layer 394 in the second area A2 to avoid the first area A1. That is, the second region A2 is configured of the first heat conduction layer 394 and the second heat conduction layer 396.
  • FIG. 17 is a rear view showing a display device according to a fourth embodiment to which the present invention is applied.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII of the display device shown in FIG.
  • the first area A1 of the heat conductive sheet 476 has an extra area EA which protrudes from the optical fingerprint sensor 484. That is, the first area A1 is larger than the optical fingerprint sensor 484. Therefore, in order to prevent the incident of the external light, the light shielding shield 498 covers the surplus area EA.
  • the light shielding shield 498 may be provided by applying a colored gel such as black, or may be provided by attaching a light shielding seal.
  • the display device is not limited to the organic electroluminescence display device, and may be a display device provided with a light emitting element such as a quantum dot light emitting element (QLED: Quantum-Dot Light Emitting Diode) in each pixel.
  • a light emitting element such as a quantum dot light emitting element (QLED: Quantum-Dot Light Emitting Diode) in each pixel.
  • QLED Quantum-Dot Light Emitting Diode
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible.
  • the configurations described in the embodiments can be replaced with configurations that have substantially the same configuration, configurations having the same effects, or configurations that can achieve the same purpose.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

表示装置は、第１面（Ｓ１）及び第２面（Ｓ２）を有して第１面（Ｓ１）に画像が表示される表示領域（ＤＡ）を有する表示回路層（７２）と、第２面（Ｓ２）の下で表示回路層（７２）に重なる熱伝導シート（７６）と、熱伝導シート（７６）の下で表示領域（ＤＡ）の内側にあって表示回路層（７２）に重なる光学式指紋センサ（８４）と、を有する。熱伝導シート（７６）は、光学式指紋センサ（８４）に重なる第１領域（Ａ１）と、光学式指紋センサ（８４）の周囲で表示領域（ＤＡ）に重なる第２領域（Ａ２）と、を有する。熱伝導シート（７６）は、第１領域（Ａ１）では、光学式指紋センサ（８４）によるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなる。熱伝導シート（７６）は、第２領域（Ａ２）では、熱伝導材料からなる熱伝導層（８２）を含み、光透過性を有しない。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関する。
　有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）等の発光素子を用いた表示装置が実用化されている（特許文献１）。このような表示装置は、液晶表示装置と比較して、視認性及び応答速度が優れている。また、指紋センサを備える表示装置が知られている（特許文献２）。
特開２０１７－１１７５９４号公報 特開２０１７－１３４８２８号公報
　発光素子を用いる表示装置では、バックライトを使用しないため、暗い背景に明部が局所的にある画像を表示するには、発光素子を局所的に点灯させることになる。発光素子は点灯によって発熱するため、点灯部分と無点灯部分とで温度差が生じる。熱によって発光素子が局所的に劣化することを防止するため、均熱シートが設けられているが、均熱シートは光の透過性が低い。そのため、光学式の指紋センサを、表示領域内で均熱シートの下に配置することができなかった。あるいは、光学式の指紋センサに対応した開口を均熱シートに形成すると、開口で均熱化ができなくなる。
　本発明は、均熱化を図りながら光学式指紋センサを表示領域内に配置することを目的とする。
　本発明に係る表示装置は、第１面及び第２面を有して前記第１面に画像が表示される表示領域を有する表示回路層と、前記第２面の下で前記表示回路層に重なる熱伝導シートと、前記熱伝導シートの下で前記表示領域の内側にあって前記表示回路層に重なる光学式指紋センサと、を有し、前記熱伝導シートは、前記光学式指紋センサに重なる第１領域と、前記光学式指紋センサの周囲で前記表示領域に重なる第２領域と、を有し、前記熱伝導シートは、前記第１領域では、前記光学式指紋センサによるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなり、前記熱伝導シートは、前記第２領域では、前記熱伝導材料からなる熱伝導層を含み、前記光透過性を有しないことを特徴とする。
　本発明によれば、熱伝導シートは、光学式指紋センサに重なる第１領域にも熱伝導材料からなる部分を有しているので均熱化を図ることができ、第１領域は光透過性を有するので、表示領域内で光学式指紋センサによるセンシングが可能になっている。
本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。 図１に示す表示装置の背面図である。 図１に示す表示装置のIII－III線断面図である。 図３に示す表示装置の概要及び動作を説明するための図である。 熱伝導シートの詳細を示す図である。 第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例１を示す図である。 第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例２を示す図である。 第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例３を示す図である。 第１の実施形態に係る表示装置の変形例４を示す図である。 第１の実施形態に係る表示装置の変形例５を示す図である。 第１の実施形態に係る表示装置の変形例６を示す図である。 第１の実施形態に係る表示装置の変形例７を示す図である。 本発明を適用した第２の実施形態に係る熱伝導シートを示す図である。 第２の実施形態に係る熱伝導シートの変形例を示す図である。 本発明を適用した第３の実施形態に係る熱伝導シートを示す背面図である。 図１５に示す熱伝導シートのXVI－XVI線断面図である。 本発明を適用した第４の実施形態に係る表示装置を示す背面図である。 図１７に示す表示装置のXVIII－XVIII線断面図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
　さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
［第１の実施形態］
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。図２は、図１に示す表示装置の背面図である。
　表示装置は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置である。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡを含む。周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡの外側にある。周辺領域ＰＡには、フレキシブルプリント基板１１が接続されている。フレキシブルプリント基板１１には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路１２が搭載される。
　図３は、図１に示す表示装置のIII－III線断面図である。基板１０（アレイ基板）はポリイミドを用いている。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いても良い。
　基板１０上に、アンダーコート層１４として、シリコン酸化膜１４ａ、シリコン窒化膜１４ｂ及びシリコン酸化膜１４ｃの三層積層構造が設けられている。最下層のシリコン酸化膜１４ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１４ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１４ｃは、シリコン窒化膜１４ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があっても良いし、単層あるいは二層積層としても良い。
　アンダーコート層１４の下には、薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜１６を形成しても良い。付加膜１６は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１４ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜１６を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１４ｂ及びシリコン酸化膜１４ｃを積層することで、アンダーコート層１４に付加膜１６を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず付加膜１６を形成し、その後にアンダーコート層１４を形成しても良い。
　アンダーコート層１４上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成しても良い。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２０としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２２は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２２に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２０を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
　ゲート電極２２の上に、層間絶縁膜２４（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。基板１０を曲げられるようにする場合、折曲領域ＦＡでは、折り曲げやすくなるように、層間絶縁膜２４の少なくとも一部を除去する。層間絶縁膜２４の除去によって、アンダーコート層１４が露出するので、その少なくとも一部もパターニングを行って除去する。アンダーコート層１４を除去した後には、基板１０を構成するポリイミドが露出する。なお、アンダーコート層１４のエッチングを通じて、ポリイミド表面が一部浸食されて膜減りを生ずる場合が有る。
　層間絶縁膜２４の上に、ソース・ドレイン電極２６及び引き回し配線２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２４を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。引き回し配線２８は、基板１０の端部まで延在され、フレキシブルプリント基板１１を接続するための端子３２を有するようになっている。
　ソース・ドレイン電極２６及び引き回し配線２８（これらの一部を除く）を覆うように平坦化膜３４が設けられている。平坦化膜３４としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。
　平坦化膜３４は、画素コンタクト部３６及び周辺領域ＰＡでは除去されて、その上に酸化インジウムスズ膜３５が形成されている。酸化インジウムスズ膜３５は、相互に分離された第１透明導電膜３８及び第２透明導電膜４０を含む。
　平坦化膜３４の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３８にて被覆される。第１透明導電膜３８を被覆するように、平坦化膜３４の上にシリコン窒化膜４２が設けられている。シリコン窒化膜４２は、画素コンタクト部３６に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２６に導通するように画素電極４４が積層されている。画素電極４４は反射電極として形成され、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜、Ａｇ膜、ＩＺＯ膜の三層積層構造としている。ここで、ＩＺＯ膜に代わって酸化インジウムスズ膜３５を用いても良い。画素電極４４は、画素コンタクト部３６から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
　第２透明導電膜４０は、画素コンタクト部３６に隣接して、画素電極４４の下方（さらにシリコン窒化膜４２の下方）に設けられている。第２透明導電膜４０、シリコン窒化膜４２及び画素電極４４は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
　端子３２の表面には、酸化インジウムスズ膜３５の他の一部である第３透明導電膜４６が形成されている。第３透明導電膜４６は、第１透明導電膜３８及び第２透明導電膜４０と同時に形成される。端子３２上の第３透明導電膜４６は、以後の工程で端子３２の露出部がダメージを負わないようにバリア膜として設けることを目的の一としている。画素電極４４のパターニング時、第３透明導電膜４６はエッチング環境にさらされるが、酸化インジウムスズ膜３５の形成から画素電極４４の形成までの間に行われるアニール処理によって、酸化インジウムスズ膜３５は画素電極４４のエッチングに対し十分な耐性を有する。
　平坦化膜３４の上であって例えば画素コンタクト部３６の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層４８が形成されている。絶縁層４８としては平坦化膜３４と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層４８は、画素電極４４の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機ＥＬ（Electro Luminescence）層５０のカバレッジ不良を生ずる。
　平坦化膜３４と絶縁層４８は、両者間にあるシリコン窒化膜４２に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁層４８の形成後の熱処理等を通じて、平坦化膜３４から脱離する水分や脱ガスを、絶縁層４８を通じて引き抜くことができる。
　画素電極４４の上に、有機材料からなる有機ＥＬ層５０が積層されている。有機ＥＬ層５０は、単層であってもよいが、画素電極４４側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成しても良いし、溶媒分散の上での塗布によって形成しても良く、画素電極４４（各サブ画素）に対して選択的に形成しても良いし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されても良い。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。
　有機ＥＬ層５０の上に、対向電極５２が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極５２は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、有機ＥＬ層５０からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機ＥＬ層５０の形成順序に従うと、画素電極４４が陽極となり、対向電極５２が陰極となる。対向電極５２は、表示領域ＤＡ上と、表示領域ＤＡ近傍に設けられた陰極コンタクト部５４に亘って形成され、陰極コンタクト部５４で下層の引き回し配線２８と接続されて、端子３２に電気的に接続される。
　対向電極５２の上に、封止膜５６が形成されている。封止膜５６は、先に形成した有機ＥＬ層５０を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。ここでは、シリコン窒化膜を含む積層構造として、シリコン窒化膜５６ａ、有機樹脂層５６ｂ及びシリコン窒化膜５６ｃの積層構造とした。シリコン窒化膜５６ａ，５６ｃと有機樹脂層５６ｂとの間には、密着性向上を目的の一として、シリコン酸化膜やアモルファスシリコン層を設けても良い。
　封止膜５６に、接着層５８を介して、タッチパネル基板６０が積層されている。タッチパネル基板６０には図示しないタッチセンシング電極の少なくとも一部が形成されている。タッチセンシング電極の一部を、対向電極５２が兼用してもよい。タッチパネル基板６０には円偏光板６２が貼り付けられている。円偏光板６２に、接着層６４を介して、カバーガラス６６が積層されている。一方、基板１０には、接着層６８を介して、支持フィルム７０が積層されている。
　図４は、図３に示す表示装置の概要及び動作を説明するための図である。表示装置は、表示回路層７２を有する。表示回路層７２は、例えば、図３のアンダーコート層１４から封止膜５６までの層を含む。表示回路層７２は、表示領域ＤＡに、画像を表示するための複数の発光素子７４を有する。発光素子７４は、図３に示す画素電極４４、有機ＥＬ層５０及び対向電極５２を含む。また、表示回路層７２は、図３に示す薄膜トランジスタＴＲを含む。表示回路層７２は、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有する。第１面Ｓ１の表示領域ＤＡに画像が表示される。
　熱伝導シート７６が、第２面Ｓ２の下で表示回路層７２に重なる。熱伝導シート７６は支持フィルム７０に貼り付けられている。熱伝導シート７６は、銅、クロム及びカーボンからなる群より選ばれた少なくとも１つの元素を含む熱伝導材料からなる。熱伝導シート７６は、熱拡散性を有しており、表示領域ＤＡの一部のみで発光があっても、熱を拡散させることができる。
　図５は、熱伝導シート７６の詳細を示す図である。熱伝導シート７６は、第１領域Ａ１に複数の光透過部７８を有する。複数の光透過部７８は、スリット又は孔からなり、光透過性を有する。熱伝導シート７６は、第１領域Ａ１に複数の熱伝導部８０を有する。複数の熱伝導部８０は、熱伝導材料からなり、光透過性を有しない。複数の光透過部７８と複数の熱伝導部８０は少なくとも一方向（例えば直交する第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方）に交互に有する。熱伝導シート７６は、第２領域Ａ２では、熱伝導材料からなる熱伝導層８２を含み、光透過性を有しない。複数の熱伝導部８０は、第２領域Ａ２から連続して相互に一体化する。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２は表示領域ＤＡに重なる。
　図４に示すように、熱伝導シート７６には、光学式指紋センサ８４が取り付けられている。光学式指紋センサ８４は、熱伝導シート７６に直接搭載されている。光学式指紋センサ８４には、図１及び図２に示すようにフレキシブルプリント基板１３が接続されている。光学式指紋センサ８４は、熱伝導シート７６の下であって表示領域ＤＡの内側で表示回路層７２に重なる。光学式指紋センサ８４によるセンシングは、複数の発光素子７４からの光を使用する。詳しくは、光学式指紋センサ８４と対向する領域にある有機ＥＬ層５０（図３）からの光が、指で反射して、光学式指紋センサ８４に入射する。有機ＥＬ層５０が局所的に発光するので、局所的に熱が生じるが、熱伝導シート７６によって均熱化を図ることができる。
　光学式指紋センサ８４は、熱伝導シート７６の第１領域Ａ１に重なる。熱伝導シート７６は、第１領域Ａ１では、光学式指紋センサ８４によるセンシングに必要な光透過性を有する形状になっている。そのため、熱伝導シート７６を光が通過してセンシング可能になっている。第１領域Ａ１は、光学式指紋センサ８４の外形内に収まり、第１領域Ａ１の全体を光学式指紋センサ８４が覆う。そのため、外光が光学式指紋センサ８４に入らないようになっている。なお、光透過性を有しない第２領域Ａ２は、光学式指紋センサ８４の周囲で表示領域ＤＡに重なる。
　本実施形態によれば、熱伝導シート７６は、光学式指紋センサ８４に重なる第１領域Ａ１にも熱伝導材料からなる部分を有しているので均熱化を図ることができ、第１領域Ａ１は光透過性を有するので、表示領域ＤＡ内で光学式指紋センサ８４によるセンシングが可能になっている。
　図６は、第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例１を示す図である。図５に示す例では、熱伝導シート７６が第１領域Ａ１に有する複数の光透過部７８はそれぞれ矩形の孔であったが、図６に示す例では、熱伝導シート７６Ａは第１領域Ａ１に、円形の孔からそれぞれなる複数の光透過部７８Ａを有する。
　図７は、第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例２を示す図である。この例では、熱伝導シート７６Ｂは第１領域Ａ１に、第１方向Ｄ１に長くなったスリットからそれぞれなる複数の光透過部７８Ｂを有する。第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に複数の光透過部７８Ｂが並ぶ。
　図８は、第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例３を示す図である。この例では、熱伝導シート７６Ｃの第１領域Ａ１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に辺が延びる矩形である。複数の光透過部７８Ｃは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のいずれにも斜めに延びるスリットからそれぞれなる。
　図９は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例４を示す図である。この例では、表示回路層７２Ｄの第２面Ｓ２は、無機絶縁膜８６Ｄからなる。無機絶縁膜８６Ｄは、例えば、図３に示すシリコン酸化膜１４ａ及び引き回し配線２８を含む。そして、熱伝導シート７６Ｄは、無機絶縁膜８６Ｄに直接積層している。熱伝導シート７６Ｄの下に、基板１０Ｄ、接着層６８Ｄ及び支持フィルム７０Ｄが積層されている。
　図１０は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例５を示す図である。この例では、表示回路層７２Ｅの第２面Ｓ２の下に、有機絶縁膜８８Ｅが積層する。有機絶縁膜８８Ｅは、図３の基板１０であってもよい。熱伝導シート７６Ｅは、有機絶縁膜８８Ｅの下にある。熱伝導シート７６Ｅの下に、接着層６８Ｅ及び支持フィルム７０Ｅが積層されている。
　図１１は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例６を示す図である。この例では、表示回路層７２Ｆの第２面Ｓ２の下に、一対の有機絶縁膜８８Ｆが積層する。熱伝導シート７６Ｆは、一対の有機絶縁膜８８Ｆの間に介在している。一対の有機絶縁膜８８Ｆの下に、接着層６８Ｆ及び支持フィルム７０Ｆが積層されている。
　図１２は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例７を示す図である。この例では、熱伝導シート７６Ｇは、複数層からなり、第２面Ｓ２に最も近い最上層９０Ｇを含み、最上層９０Ｇの下にある下地層９２Ｇを含む。最上層９０Ｇは、下地層９２Ｇよりも、光反射率が低い。
［第２の実施形態］
　図１３は、本発明を適用した第２の実施形態に係る熱伝導シートを示す図である。本実施形態では、熱伝導シート２７６は、第１領域Ａ１に、大きさ（面積）の異なる複数の光透過部２７８（２７８ａ，２７８ｂ，２７８ｃ）を有する。熱伝導シート２７６は、第１領域Ａ１に、大きさ（面積）の異なる複数の熱伝導部２８０（２８０ａ，２８０ｂ，２８０ｃ）を有する。複数の光透過部２７８と複数の熱伝導部２８０は、直交する第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に、交互に配列される。
　第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の少なくとも一方（この例では両方）に沿って、複数の光透過部２７８が第１領域Ａ１に占める割合が変化する。例えば、複数の光透過部２７８が第１領域Ａ１に占める割合は、第２領域Ａ２に近いほど小さい。つまり、複数の熱伝導部２８０が第１領域Ａ１に占める割合は、第２領域Ａ２に近いほど大きい。
　本実施形態によれば、光が透過する第１領域Ａ１の光透過量が、光が透過しない第２領域に近いほど、徐々に小さくなる。このため、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の境目付近での光の透過量の変化が緩やかになり、その境目が認識されにくくなる。
　図１４は、第２の実施形態に係る熱伝導シートの変形例を示す図である。この変形例では、複数の光透過部２７８Ａが、それぞれ第１方向Ｄ１に延びるスリットであり、第２方向Ｄ２に配列されている点で図１３の例と異なる。
　光透過部２７８Ａは、第１方向Ｄ１の両端部において、幅が先細りになっている。そのため、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の一方（この例では第１方向Ｄ１）に沿って、複数の光透過部２７８Ａが第１領域Ａ１に占める割合が変化する。つまり、複数の光透過部２７８Ａが第１領域Ａ１に占める割合は、第１方向Ｄ１において第２領域Ａ２に近いほど小さい。逆に、複数の熱伝導部２８０Ａが第１領域Ａ１に占める割合は、第１方向Ｄ１において第２領域Ａ２に近いほど大きい。
［第３の実施形態］
　図１５は、本発明を適用した第３の実施形態に係る熱伝導シートを示す背面図である。図１６は、図１５に示す熱伝導シートのXVI－XVI線断面図である。熱伝導シート３７６は、熱伝導層３８２を有する。熱伝導層３８２は、第１熱伝導層３９４を含む。第１熱伝導層３９４は、光透過性を有する薄さを有する。第１領域Ａ１は、第１熱伝導層３９４から構成される。これにより、熱伝導シート３７６は、第１領域Ａ１では、光透過性を有する薄さで全体的に熱伝導材料からなる。
　熱伝導層３８２は、第２熱伝導層３９６を含む。第２熱伝導層３９６は、熱伝導層３８２よりも熱伝導率が高く光透過性を有しない。第２熱伝導層３９６は、第１領域Ａ１を避けて第２領域Ａ２で、第１熱伝導層３９４に積層する。つまり、第２領域Ａ２は、第１熱伝導層３９４及び第２熱伝導層３９６から構成される。
［第４の実施形態］
　図１７は、本発明を適用した第４の実施形態に係る表示装置を示す背面図である。図１８は、図１７に示す表示装置のXVIII－XVIII線断面図である。本実施形態では、熱伝導シート４７６の第１領域Ａ１は、光学式指紋センサ４８４からはみ出す余剰領域ＥＡを有する。つまり、第１領域Ａ１が光学式指紋センサ４８４よりも大きい。そのため、外光の入射を防止するため、余剰領域ＥＡを遮光シールド４９８が覆うようになっている。遮光シールド４９８は、黒色などの着色ゲルを塗布することで設けてもよいし、遮光シールを貼り付けることで設けてもよい。
　なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
　本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

 

Claims (16)

  1. 　第１面及び第２面を有して前記第１面に画像が表示される表示領域を有する表示回路層と、
    　前記第２面の下で前記表示回路層に重なる熱伝導シートと、
    　前記熱伝導シートの下で前記表示領域の内側にあって前記表示回路層に重なる光学式指紋センサと、
    　を有し、
    　前記熱伝導シートは、前記光学式指紋センサに重なる第１領域と、前記光学式指紋センサの周囲で前記表示領域に重なる第２領域と、を有し、
    　前記熱伝導シートは、前記第１領域では、前記光学式指紋センサによるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなり、
    　前記熱伝導シートは、前記第２領域では、前記熱伝導材料からなる熱伝導層を含み、前記光透過性を有しないことを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　前記熱伝導シートは、前記第１領域では、スリット又は孔からなる複数の光透過部と、前記第２領域から連続して相互に一体化するように前記熱伝導材料からなる複数の熱伝導部と、を少なくとも一方向に交互に有し、
    　前記複数の熱伝導部は、前記光透過性を有しないことを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　直交する第１方向及び第２方向の少なくとも一方に沿って、前記複数の光透過部が前記第１領域に占める割合が変化することを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項３に記載された表示装置において、
    　前記複数の光透過部が前記第１領域に占める前記割合は、前記第２領域に近いほど小さいことを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項３に記載された表示装置において、
    　前記複数の熱伝導部が前記第１領域に占める割合は、前記第２領域に近いほど大きいことを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　前記熱伝導シートは、前記第１領域では、前記光透過性を有する薄さで全体的に前記熱伝導材料からなることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　前記熱伝導層は、第１熱伝導層及び第２熱伝導層を含み、
    　前記第１熱伝導層は、前記光透過性を有する前記薄さを有し、
    　前記第１領域は、前記第１熱伝導層から構成され、
    　前記第２熱伝導層は、前記熱伝導層よりも熱伝導率が高く前記光透過性を有しておらず、前記第１領域を避けて前記第２領域で、前記第１熱伝導層に積層することを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記熱伝導シートは、前記第２面に最も近い最上層と、前記最上層の下にある下地層と、を含み、
    　前記最上層は、前記下地層よりも、光反射率が低いことを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記第１領域は、前記光学式指紋センサの外形内に収まり、
    　前記第１領域の全体を前記光学式指紋センサが覆うことを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記第１領域は、前記光学式指紋センサからはみ出す余剰領域を有し、
    　前記余剰領域を覆う遮光シールドをさらに有することを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示回路層は、前記表示領域に、前記画像を表示するための複数の発光素子を有し、
    　前記光学式指紋センサによる前記センシングは、前記複数の発光素子からの光を使用することを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記光学式指紋センサは、前記熱伝導シートに直接搭載されていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示回路層の前記第２面は、無機絶縁膜からなり、
    　前記熱伝導シートは、前記無機絶縁膜に直接積層していることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示回路層の前記第２面の下に、有機絶縁膜をさらに有し、
    　前記熱伝導シートは、前記有機絶縁膜の下にあることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示回路層の前記第２面の下に、一対の有機絶縁膜をさらに有し、
    　前記熱伝導シートは、前記一対の有機絶縁膜の間に介在していることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記熱伝導シートは、銅、クロム及びカーボンからなる群より選ばれた少なくとも１つの元素を含む材料からなることを特徴とする表示装置。

     
PCT/JP2018/030946 2017-11-20 2018-08-22 表示装置 WO2019097795A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880074617.4A CN111448603B (zh) 2017-11-20 2018-08-22 显示装置
US16/874,698 US11508944B2 (en) 2017-11-20 2020-05-15 Display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-222723 2017-11-20
JP2017222723A JP6936120B2 (ja) 2017-11-20 2017-11-20 表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/874,698 Continuation US11508944B2 (en) 2017-11-20 2020-05-15 Display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019097795A1 true WO2019097795A1 (ja) 2019-05-23

Family

ID=66539625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/030946 WO2019097795A1 (ja) 2017-11-20 2018-08-22 表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11508944B2 (ja)
JP (1) JP6936120B2 (ja)
CN (1) CN111448603B (ja)
WO (1) WO2019097795A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137234A (zh) * 2019-05-31 2019-08-16 维沃移动通信有限公司 显示屏及移动终端
CN110767095A (zh) * 2019-11-13 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示模组及其制备方法、柔性显示装置
CN111681551A (zh) * 2020-06-28 2020-09-18 武汉华星光电技术有限公司 显示模组以及电子设备
US11157717B2 (en) * 2018-07-10 2021-10-26 Next Biometrics Group Asa Thermally conductive and protective coating for electronic device
WO2021235144A1 (ja) * 2020-05-21 2021-11-25 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び表示装置
WO2023174005A1 (zh) * 2022-03-14 2023-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102504122B1 (ko) * 2018-03-05 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210063529A (ko) * 2019-11-22 2021-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN114281201A (zh) * 2020-09-28 2022-04-05 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控调光装置及触控调光方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004227941A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Seiko Epson Corp バックライトユニット、電気光学装置、電子機器、バックライトユニットの製造方法、および電気光学装置の製造方法
JP2006120555A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Fuji Photo Film Co Ltd 分散型エレクトロルミネッセンス素子
JP2008504653A (ja) * 2004-06-24 2008-02-14 イーストマン コダック カンパニー 熱伝導性材料を備えたｏｌｅｄディスプレイ
JP2009217206A (ja) * 2008-03-13 2009-09-24 Panasonic Corp 画像表示装置
WO2017075469A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Essential Products, Inc. Fingerprint sensors for mobile devices
JP2017134828A (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 株式会社ジャパンディスプレイ 指紋検出装置及び表示装置
US20180121703A1 (en) * 2016-10-28 2018-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for reducing noise input to fingerprint sensor
JP2018087973A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 指紋センサ一体型電界発光表示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI232595B (en) * 1999-06-04 2005-05-11 Semiconductor Energy Lab Electroluminescence display device and electronic device
JP4317377B2 (ja) * 2003-03-31 2009-08-19 グローリー株式会社 指紋検出装置および指紋検出装置の製造方法
US7929736B2 (en) * 2004-11-03 2011-04-19 Pen-One, Inc. Finger guide device for use with stylus or pen
KR20160012703A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 삼성전자주식회사 발열 부품을 포함하는 전자 장치
KR102192181B1 (ko) * 2015-08-11 2020-12-17 삼성전자주식회사 외관 하우징, 이의 제작 방법 및 이를 구비한 전자 장치
JP2017117594A (ja) 2015-12-22 2017-06-29 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
US10242244B2 (en) * 2016-01-27 2019-03-26 Japan Display Inc. Fingerprint detection device and display device
US10268884B2 (en) * 2016-01-29 2019-04-23 Synaptics Incorporated Optical fingerprint sensor under a display
KR101796660B1 (ko) 2016-04-19 2017-11-10 삼성전자주식회사 지문 인식 기능을 지원하는 전자 장치 및 이의 운용 방법
CN111124048A (zh) * 2016-04-19 2020-05-08 三星电子株式会社 支持指纹验证的电子装置
KR102606498B1 (ko) * 2016-08-29 2023-11-27 엘지전자 주식회사 이동 단말기
CN206162451U (zh) * 2016-10-08 2017-05-10 河源中光电通讯技术有限公司 一种触摸屏结构

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004227941A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Seiko Epson Corp バックライトユニット、電気光学装置、電子機器、バックライトユニットの製造方法、および電気光学装置の製造方法
JP2008504653A (ja) * 2004-06-24 2008-02-14 イーストマン コダック カンパニー 熱伝導性材料を備えたｏｌｅｄディスプレイ
JP2006120555A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Fuji Photo Film Co Ltd 分散型エレクトロルミネッセンス素子
JP2009217206A (ja) * 2008-03-13 2009-09-24 Panasonic Corp 画像表示装置
WO2017075469A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Essential Products, Inc. Fingerprint sensors for mobile devices
JP2017134828A (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 株式会社ジャパンディスプレイ 指紋検出装置及び表示装置
US20180121703A1 (en) * 2016-10-28 2018-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for reducing noise input to fingerprint sensor
JP2018087973A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 指紋センサ一体型電界発光表示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11157717B2 (en) * 2018-07-10 2021-10-26 Next Biometrics Group Asa Thermally conductive and protective coating for electronic device
CN110137234A (zh) * 2019-05-31 2019-08-16 维沃移动通信有限公司 显示屏及移动终端
CN110137234B (zh) * 2019-05-31 2021-10-15 维沃移动通信有限公司 显示屏及移动终端
CN110767095A (zh) * 2019-11-13 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示模组及其制备方法、柔性显示装置
CN110767095B (zh) * 2019-11-13 2022-02-08 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示模组及其制备方法、柔性显示装置
WO2021235144A1 (ja) * 2020-05-21 2021-11-25 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び表示装置
JP7365964B2 (ja) 2020-05-21 2023-10-20 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び表示装置
CN111681551A (zh) * 2020-06-28 2020-09-18 武汉华星光电技术有限公司 显示模组以及电子设备
WO2023174005A1 (zh) * 2022-03-14 2023-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200280015A1 (en) 2020-09-03
CN111448603B (zh) 2022-03-04
JP6936120B2 (ja) 2021-09-15
JP2019095505A (ja) 2019-06-20
CN111448603A (zh) 2020-07-24
US11508944B2 (en) 2022-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019097795A1 (ja) 表示装置
KR102503642B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP4816985B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP5541984B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
US20180122868A1 (en) Organic light emitting display device
KR20190048642A (ko) 디스플레이 장치
JP6456317B2 (ja) 表示装置、および可撓性表示装置
JP5805938B2 (ja) 有機発光表示装置及びこれを含むタッチ表示装置
JP2018112859A (ja) 表示装置
CN110504387B (zh) 一种显示基板及其制作方法和显示装置
KR102495122B1 (ko) 표시 장치
JP6883403B2 (ja) 表示装置
JP2019095507A (ja) 表示装置
JP7320407B2 (ja) 表示装置
US10734468B2 (en) Display device
CN112447815A (zh) 显示设备
JPWO2012133103A1 (ja) アクティブマトリクス基板、表示装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法
JP4984415B2 (ja) 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器
US11137525B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2019091673A (ja) 表示装置及びその製造方法
KR101957145B1 (ko) 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법
US11586064B2 (en) Display apparatus realizing a large-size image
US20210280642A1 (en) Display device having a bent portion
KR20230089119A (ko) 산화물 반도체를 포함하는 디스플레이 장치
JP2005019074A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18878190

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18878190

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1