WO2019041482A1 - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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WO2019041482A1
WO2019041482A1 PCT/CN2017/107023 CN2017107023W WO2019041482A1 WO 2019041482 A1 WO2019041482 A1 WO 2019041482A1 CN 2017107023 W CN2017107023 W CN 2017107023W WO 2019041482 A1 WO2019041482 A1 WO 2019041482A1
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WO
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layer
disposed
display panel
substrate
groove structure
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Application number
PCT/CN2017/107023
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English (en)
French (fr)
Inventor
卓恩宗
田轶群
杨凤云
樊堃
Original Assignee
惠科股份有限公司
重庆惠科金渝光电科技有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Definitions

  • the present application relates to a display panel and a method of fabricating the same, and more particularly to a light emitting diode display panel and a method of fabricating the same.
  • the high-pixel flat display panel is a market trend, and the AMOLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode) panel attracts everyone's attention, and the AMOLED panel is in the small and medium-sized panel market with a pixel size of 200 ppi.
  • the dominant position, among which AMOLED WVGA (Wide Video Graphics Array, a resolution higher than VGA resolution: 800 * 480; ⁇ 200ppi) is the current mainstream resolution, while the high pixels 250ppi, 300ppi and 350ppi will be Future development trends.
  • the existing AMOLED panel production method is mainly based on Side by Side technology, but the technology has certain difficulties in producing products of 300 ppi or more.
  • WOLED White Organic Light Emitting Diode
  • CF color filter
  • the self-luminous display panel has high contrast, wide color gamut, and fast response. Since it does not require a backlight, it can be made lighter and thinner than a liquid crystal display.
  • the self-luminous display mainly controls the switching and brightness of the light-emitting device through a specific active array switch, and performs screen display after adjusting the ratio of the three primary colors.
  • the active array switch is often controlled by a metal oxide semiconductor, which not only has a high on-state current and a low off-state current, but also has high uniformity and high stability.
  • Commonly used structures for active array switches include ESL (etch barrier), BCE (back channel etch), Co-planner Self-Align Top Gate, and Dual Gate. .
  • the Co-planner Self-Align Top Gate does not need to consider the channel etching problem, and the self-alignment method can reduce the channel length and improve the panel resolution.
  • a light shielding layer is often added to the conductive channel.
  • a self-luminous display panel such as an OLED (Organic Electro-Luminescent Display) structure
  • OLED Organic Electro-Luminescent Display
  • a process is usually formed to form a flat layer. After the anode process, pixels are defined by a pixel defining layer, and then The process of luminescent materials. This traditional process has a large number of processes and complicated processes. However, if the pixel definition layer is omitted, the self-luminous panel may be unevenly displayed or mixed, which may affect the display effect.
  • an object of the present invention is to provide a display panel and a method of fabricating the same that can improve the luminous efficiency of the self-illuminating panel and optimize the panel process and yield by thinning the corresponding light-emitting region of the flat layer. Reduce the color shift phenomenon of the self-luminous display panel.
  • a display panel includes: a substrate; a plurality of active switches disposed on the substrate; a passivation layer disposed on the substrate and covering the active switch; a pixel defining layer disposed on The passivation layer, wherein the pixel defining layer has a plurality of light emitting elements; a flat layer is disposed between the passivation layer and the pixel defining layer, the flat layer has a groove structure; a resist layer disposed between the passivation layer and the flat layer and having a groove structure on the flat layer; a transparent electrode layer disposed on the flat layer and covering the groove structure; The light-emitting element is disposed in the groove structure of the flat layer and disposed opposite to the color resist layer.
  • the orthographic projection of the color resist layer on the substrate covers an orthographic projection of the groove structure on the substrate.
  • the color resist layer includes color resists of a plurality of colors arranged in an array, and colors of any adjacent ones of the color resists are different.
  • the light emitting element is a white light emitting diode.
  • the light emitting element is a color light emitting diode.
  • the active switch includes a semiconductor layer, a source, a drain, and a gate, the gate is disposed in the interlayer dielectric layer, and the gate and the semiconductor layer A gate insulating layer is provided between them.
  • the source and the drain comprise a group consisting of titanium, tantalum, and alloy compounds thereof.
  • the semiconductor layer is an indium gallium zinc oxide thin film layer.
  • Another object of the present application is a method of manufacturing a display panel, comprising: providing a substrate; providing an active switch on the substrate; providing a passivation layer on the substrate and covering the active switch; and providing a flat layer On the passivation layer, wherein the planar layer is formed into a recess structure by a photomask; a color resist layer is disposed on the substrate, and is located between the passivation layer and the flat layer Wherein the pair of color resist layers is located in the recess structure; a transparent electrode layer is disposed on the flat layer and covers the recess structure; a pixel defining layer is disposed on the flat layer, and a plurality of layers are formed a light-emitting element; wherein the light-emitting element is disposed in the groove structure and disposed opposite to the color resist layer.
  • the pixel defining layer is connected to the active switch through the transparent electrode layer.
  • the reticle is a halftone reticle or a gray scale reticle.
  • the flat layer corresponding to the color resist layer is etched by the halftone mask or the gray scale mask to form the groove structure.
  • the orthographic projection of the color resist layer on the substrate covers an orthographic projection of the groove structure on the substrate.
  • the color resist layer includes color resists of a plurality of colors in an array configuration, and any adjacent color resists The colors are different.
  • the active switch includes a semiconductor layer, a source, a drain, and a gate, wherein a gate insulating layer is disposed between the gate and the semiconductor layer.
  • the semiconductor layer is an indium gallium zinc oxide thin film layer.
  • the height of the corresponding flat layer between the groove structure and the color resist layer is equal or unequal.
  • a display panel comprising: a substrate; a plurality of active switches disposed on the substrate; a pixel defining layer disposed on the active switch, wherein the pixel defining layer has a plurality of a light-emitting element; a flat layer disposed between the active switch and the pixel defining layer, the flat layer having a groove structure; and a color resist layer disposed between the flat layer and the active switch Wherein the color resist layer is disposed on the groove structure; the transparent electrode layer is disposed on the flat layer and covers the groove structure; wherein the light emitting element is disposed on the groove of the flat layer And aligning with the color resist layer; wherein the color resist layer comprises color resists of a plurality of colors arranged in an array, and colors of any adjacent color resists are different; wherein The light-emitting element is disposed in alignment with the color resist layer, and the light-emitting element is a white light-emitting diode or a color light-emitting diode
  • the luminous efficiency of the self-luminous panel can be improved, the panel process and yield can be optimized, and the color shift phenomenon of the self-luminous display panel can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an exemplary display panel.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display panel according to an embodiment of the present application.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a light emitting element of a display panel according to an embodiment of the present application.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a display panel according to still another embodiment of the present application.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting element of a display panel according to still another embodiment of the present application.
  • the word “comprising” is to be understood to include the component, but does not exclude any other component.
  • “on” means located above or below the target component, and does not mean that it must be on the top based on the direction of gravity.
  • a display panel and a manufacturing method thereof according to the present application have a specific embodiment and structure. , characteristics and efficacy, as detailed below.
  • a display panel 100 includes a substrate 110 , a light shielding layer 120 formed on the substrate 110 , and a buffer layer 130 formed on the substrate 110 and covering the light shielding layer 120 .
  • the present application provides a new technical solution, which can effectively reduce the subsequent processes and improve the display effect and display quality of the display panel.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display panel according to an embodiment of the present application
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device of the display panel according to an embodiment of the present application.
  • a display panel 101 includes: a substrate 110; an active switch 145 disposed on the substrate 110; and a passivation layer 160 disposed on the substrate On the substrate 110, and covering the active switch 145; a pixel defining layer 180 is disposed on the active switch 145, wherein the pixel defining layer 180 has a plurality of light emitting elements 192; a flat layer 172 is disposed on the substrate Between the active switch 145 and the pixel defining layer 180, the flat layer 172 has a recess structure; a color resist layer 170 is disposed on the substrate 110 and located in the passivation layer 160 and the flat layer 172, the color resist layer 170 is located on the groove structure; the transparent electrode layer 174 is disposed on the flat layer 172.
  • the light-emitting element 192 is disposed in the recess structure of the flat layer 172, and is disposed opposite the color resist layer 170 (as shown in FIG. 3), and the light-emitting element 192 and the color resist Layer 170 is also configured for alignment.
  • the color resist layer 170 includes color resists of a plurality of colors arranged in an array, and colors of any adjacent ones of the color resists are different.
  • a buffer layer 130 and a passivation layer 160 are disposed on the substrate 110, and an interlayer dielectric layer 150 is disposed between the buffer layer 160 and the passivation layer 130.
  • the pixel defining layer 180 is connected to the active switch 145 through a transparent electrode layer 174.
  • the light emitting element 192 is a white light emitting diode 192.
  • the height of the flat layer 172 corresponding to the groove structure and the color resist layer 170 is equal, locally equal or unequal. Specifically, at a plurality of flat layers 172 corresponding to the plurality of groove structures of the display panel 101, the height (or the thickness of the flat layer between the groove structure and the color resist layer) may be correspondingly required according to requirements. Adjustment. For example, if the blue light source of the display panel is dark, the color resist layer 170 under the corresponding groove structure is a blue color resist layer, and the thickness of the flat layer 172 between the corresponding groove structure and the color resist layer 170 is comparable.
  • the thickness of the flat layer 172 corresponding to the other color resist layers is small, thereby increasing the light transmittance of the blue color resist to further compensate for the possibility of darkening of the blue light source, and if the light source of other colors is dark, this can also be adopted. Design, analogy to make up for its light transmittance, do not talk about it.
  • the orthographic projection of the color resist layer 170 on the substrate 110 covers an orthographic projection of the recess structure on the substrate 110. This design can ensure that the light emitted by the light-emitting element 192 through the groove structure is entirely irradiated on the color resist layer 170, ensuring that no light leakage is possible.
  • the active switch 145 includes a semiconductor layer 140, a source 148, and a drain 146.
  • the semiconductor layer 140 is disposed between the buffer layer 130 and the interlayer dielectric layer 150.
  • One end of the source 148 and the drain 146 are disposed between the passivation layer 160 and the interlayer dielectric layer 150, and the other end of the source 148 and the drain 146 pass through
  • the interlayer dielectric layers 150 are respectively connected to both ends of the semiconductor layer 140.
  • the active switch 145 includes a gate 144 disposed in the interlayer dielectric layer 150, and between the gate 144 and the semiconductor layer 140. Gate insulating layer 142.
  • the display panel 101 further includes a light shielding layer 120 formed on the substrate 110, and the buffer layer 130 covers the light shielding layer 120.
  • the light shielding layer 120 is configured to correct the light emitted by the light emitting element 192 through the color resist layer, and block the uneven display of the edge of the pixel defining layer 180 to prevent color mixing and unevenness of the display panel 101. .
  • the semiconductor layer 140 may be, for example, an indium gallium zinc oxide film layer 140.
  • the source 148 and the drain 146 may include, for example, titanium, tantalum, and alloy compounds thereof. Into the group.
  • the groove structure is used to reduce the thickness of the flat layer 172 of the light-emitting element 192 penetration region. That is, the light-emitting element 192 is brought closer to the color resist layer 170.
  • the flat layer 172 may have a lower penetration capability, which is a function of the process quality of the panel.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a display panel according to still another embodiment of the present application
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a light-emitting element of a display panel according to still another embodiment of the present application.
  • a display panel 102 includes: a substrate 110; an active switch 145 disposed on the substrate 110; and a passivation layer 160 disposed on the substrate On the substrate 110, and covering the active switch 145; a pixel defining layer 180 is disposed on the passivation layer 160, the pixel defining layer 180 has a plurality of light emitting elements 192; and a flat layer 172 is disposed on the passivation layer Between the layer 160 and the pixel defining layer 180, the flat layer 172 has a groove structure; a transparent electrode layer 174 is disposed on the flat layer 172 and covers the groove structure.
  • the light-emitting element 194 is a color light-emitting diode 194, and the groove structure of the flat layer 172 is disposed (as shown in FIG. 5).
  • the display panel 102 is a color light emitting diode 194.
  • the display panel 102 can save a process of the color resist layer 170 and optimize the process of the display panel.
  • the design of the groove structure of the flat layer 172 when a voltage is applied to the display panel 101, the penetration efficiency of the color light-emitting diode 194 can be effectively improved, thereby improving the display effect of the panel.
  • a method for manufacturing a display panel includes: providing a substrate 100; and providing an active switch 145 on the substrate 100; A passivation layer 160 is disposed on the substrate 110 and covers the active switch 145; a flat layer 172 is disposed on the passivation layer 160, wherein the planar layer 172 is formed into a recess structure by a photomask a color resist layer 170 is disposed on the substrate 100 and located between the passivation layer 160 and the flat layer 172, wherein the color resist layer 170 is located in the recess structure; and a transparent electrode layer is disposed 174 on the flat layer 172 and covering the groove structure; providing a pixel defining layer 180 on the passivation layer 160, and forming a plurality of light emitting elements (192, 194); wherein the light emitting element ( 192, 194) disposed in the recess structure and disposed opposite to the color resist layer 170; wherein the pixel
  • the photomask is a halftone mask or a gray scale mask, wherein the color resist layer 170 is etched by the halftone mask or the gray scale mask. Corresponding to the flat layer 172 to form the groove structure.
  • the height of the flat layer 172 corresponding to the groove structure is equal, locally equal or unequal.
  • the light emitting element (192, 194) may be, for example, a white light emitting diode 192 or a color light emitting device.
  • Diode 194 which may be a design or a requirement, may also be a hybrid of white LED 192 and color LED 194.
  • the display panel may include, for example, an organic light emitting diode (OLED), a white organic light emitting diode (W-OLED), and an active matrix organic light emitting diode (Active-matrix Organic Light Emitting Diodes). , AMOLED), Passive-matrix Organic Light Emitting Diodes (PMOLED), but not limited thereto.
  • OLED organic light emitting diode
  • W-OLED white organic light emitting diode
  • PMOLED Passive-matrix Organic Light Emitting Diodes
  • the luminous efficiency of the self-luminous panel can be improved, the panel process and yield can be optimized, and the color shift phenomenon of the self-luminous display panel can be reduced.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示面板(100,101,102)及其制造方法，显示面板(100,101,102)包括：基板(110)；多个主动开关(145)，设置于基板(110)上；钝化层(160)，设置于基板(110)上，并覆盖主动开关(145)；像素定义层(180)，设置于钝化层(160)上，其中，像素定义层(180)具有多个发光元件(192,194)；平坦层(172)，设置于钝化层(160)与像素定义层(180)之间，平坦层(172)具有一凹槽结构；色阻层(170)，设置于钝化层(160)与平坦层(172)之间，并对位于平坦层(172)的凹槽结构；透明电极层(174)，设置于平坦层(172)上，并覆盖凹槽结构；其中，发光元件(192,194)设置于平坦层(172)的凹槽结构内，并与色阻层(170)对位设置。显示面板(100,101,102)及其制造方法可以提高自发光面板的发光效率，优化面板制程和良率，减小自发光显示面板(100,101,102)的色偏现象。

Description

显示面板及其制造方法 技术领域
本申请涉及显示面板及其制造方法，特别是涉及发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
目前，高像素的平面显示面板为市场的趋势，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)面板吸引了众人的目光，且AMOLED面板在中小尺寸、像素为200ppi的面板市场中占据主导地位，其中AMOLED WVGA(Wide Video Graphics Array，高于VGA分辨率的一种分辨率：800*480；～200ppi)为目前的主流分辨率，而高像素250ppi、300ppi以及350ppi将会是未来的发展趋势。现有的AMOLED面板的生产方式以Side by Side(并排)技术为主，然而所述技术在生产300ppi及以上的产品具有一定的困难度。因此业界会采用另一种实现方式来制作AMOLED面板：WOLED(White Organic Light Emitting Diode，白光有机发光二极管)加彩色滤片(Color Filter，CF)的方式。由于WOLED可以采用全开口的金属屏蔽进行蒸镀，因此有可能实现高像素的画质。
而自发光显示面板具有高对比度、广色域、响应速度快等特点。由于不需使用背光板，因此比液晶显示器更能够做得更轻薄甚至柔性。自发光显示器的主要通过特定的主动阵列开关进行控制调节发光器件的开关和亮度，在调节三原色的比例之后进行画面显示。其中，控制主动阵列开关往往采用金属氧化物半导体，其不仅有较高的开态电流和较低的关态电流，还有均匀性和稳定性较高的特点。主动阵列开关常用的结构有ESL(刻蚀阻挡)、BCE(背沟道刻蚀)、Co-planner Self-Align Top Gate(共平面自对准顶栅)以及Dual Gate(双栅极)等结构。其中Co-planner Self-Align Top Gate(共平面自对准顶栅)无需考虑沟道刻蚀问题，且自对准的方式能减小沟道长度，提高面板分辨率。同时为了减少光照对导电沟道的影响，往往会在导电沟道出增加一道遮光层。在自发光显示面板如OLED(Organic Electro-Luminescent Display，有机电致发光显示)结构中，往往会先有一道制程形成平坦层，经过阳极制程后，再用像素定义层对像素进行定义，接着进行发光材料的制程。此传统的制程道数较多，制程复杂，但若省去像素定义层会造成自发光面板显示不均或混色，影响显示效果。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请的目的在于，提供一种显示面板及其制造方法，其通过对平坦层对应的发光区域薄化处理，可以提高自发光面板的发光效率，优化面板制程和良率，减小自发光显示面板的色偏现象。
本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本申请提出的一种显示面板，包括：基板；多个主动开关，设置于所述基板上；钝化层，设置于所述基板上，并覆盖所述主动开关；像素定义层，设置于所述钝化层上，其中，所述像素定义层具有多个发光元件；平坦层，设置于所述钝化层与所述像素定义层之间，所述平坦层具有一凹槽结构；色阻层，设置于所述钝化层与所述平坦层之间，并对位于所述平坦层的凹槽结构；透明电极层，设置于所述平坦层上，并覆盖所述凹槽结构；其中，所述发光元件设置于所述平坦层的凹槽结构内，并与所述色阻层对位设置。
在本申请的一实施例中，所述色阻层于所述基板上的正投影涵盖所述凹槽结构于所述基板上的正投影。
在本申请的一实施例中，所述色阻层包括阵列配置的多种颜色的色阻，且任意相邻所述色阻的颜色为相异。
在本申请的一实施例中，所述发光元件为白色发光二极管。
在本申请的一实施例中，所述发光元件为彩色发光二极管。
在本申请的一实施例中，所述主动开关包括半导体层、源极、漏极和栅极，所述栅极设在所述层间介质层内，所述栅极和所述半导体层之间设有栅极绝缘层。
在本申请的一实施例中，所述源极及所述漏极包括钛、钽及其合金化合物所组成的群组。
在本申请的一实施例中，所述半导体层为铟镓锌氧化物薄膜层。
本申请的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
本申请的另一目的为一种显示面板的制造方法，包括：提供一基板；设置主动开关于所述基板上；设置钝化层于所述基板上，并覆盖所述主动开关；设置平坦层于所述钝化层上，其中，通过一光罩，使所述平坦层形成一凹槽结构；设置色阻层于所述基板上，且位于所述钝化层与所述平坦层之间，其中，所述色阻层对位于所述凹槽结构；设置透明电极层于所述平坦层上，并覆盖所述凹槽结构；设置像素定义层于所述平坦层上，并形成多个发光元件；其中，所述发光元件设置于所述凹槽结构内，并与所述色阻层对位设置。其中，通过所述透明电极层，使所述像素定义层与所述主动开关相连。
在本申请的一实施例中，所述光罩为半色调光罩或灰阶光罩。
在本申请的一实施例中，通过所述半色调光罩或所述灰阶光罩，刻蚀与所述色阻层对应的所述平坦层，以形成所述凹槽结构。
在本申请的一实施例中，所述色阻层于所述基板上的正投影涵盖所述凹槽结构于所述基板上的正投影。
在本申请的一实施例中，所述色阻层包括阵列配置的多种颜色的色阻，且任意相邻所述色阻的 颜色为相异。
在本申请的一实施例中，所述主动开关包括半导体层、源极、漏极和栅极，其中，所述栅极和所述半导体层之间设有栅极绝缘层。
在本申请的一实施例中，所述半导体层为铟镓锌氧化物薄膜层。
在本申请的一实施例中，所述凹槽结构与所述色阻层之间，对应的所述平坦层的高度为等高或不等高。
本申请的另一目的为一种显示面板，包括：基板；多个主动开关，设置于所述基板上；像素定义层，设置于所述主动开关之上，其中，所述像素定义层具有多个发光元件；平坦层，设置于所述主动开关与所述像素定义层之间，所述平坦层具有一凹槽结构；色阻层，设置于所述平坦层与所述主动开关之间，其中，所述色阻层对位于所述凹槽结构；透明电极层，设置于所述平坦层上，并覆盖所述凹槽结构；其中，所述发光元件设置于所述平坦层的凹槽结构内，并与所述色阻层对位设置；其中，所述色阻层包括阵列配置的多种颜色的色阻，且任意相邻所述色阻的颜色为相异；其中，所述发光元件与所述色阻层为对位配置，且所述发光元件为白色发光二极管或彩色发光二极管；其中，所述色阻层于所述基板上的正投影涵盖所述凹槽结构于所述基板上的正投影。
本申请通过对平坦层对应的发光区域薄化处理，可以提高自发光面板的发光效率，优化面板制程和良率，减小自发光显示面板的色偏现象。
附图说明
图1为范例性的显示面板横截面示意图。
图2为本申请一实施例的显示面板横截面示意图。
图3为本申请一实施例的显示面板的发光元件横截面示意图。
图4为本申请又一实施例的显示面板横截面示意图。
图5为本申请又一实施例的显示面板的发光元件横截面示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如
Figure PCTCN2017107023-appb-000001
等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。
附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于 描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。
另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。
为更进一步阐述本申请为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本申请提出的一种显示面板及其制造方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图1为范例性的显示面板横截面示意图。请参照图1，一种显示面板100，包括：一基板110；一遮光层120，形成于所述基板110上；一缓冲层130，形成于所述基板110上，并覆盖所述遮光层120；一半导体层140，形成于所述缓冲层130上；一主动阵列开关145，形成于所述缓冲层130上，其中具有栅极绝缘层142和所述源极区和漏极区的有源层146、148，用来向栅极绝缘层142提供信号的栅极144，分别连接到所述源极区和漏极区的源极148及漏极146；一层间介电层150，形成于所述缓冲层130上，并覆盖所述有源层146、148和栅极144；一钝化层160，形成于所述层间介电层150上，并覆盖所述源极区和漏极区的源极148及漏极146；一色阻层170，形成于所述钝化层160上；一平坦层172，形成于所述钝化层160上，并覆盖所述色阻层170；一透明电极层174，形成于所述平坦层172上，并覆盖所述钝化层160；以及一像素定义层180，形成于所述透明电极层174上，并覆盖所述平坦层172，其中所述像素定义层180具有一凹洞，以填入一发光二极管190。
上述制程道数较多，制程复杂，但若省去像素定义层180会造成所述显示面板100显示不均或混色，影响显示效果。且平坦层172的穿透在后续制程受温度影响较大，平坦层172后续制程越少为佳。因此，本申请提供一种新的技术方案，可以有效的减少后续制程，提高显示面板的显示效果及显示质量。
图2为本申请一实施例的显示面板横截面示意图及图3为本申请一实施例的显示面板的发光元件横截面示意图。请同时参考图2和图3，在本申请的一实施例中，一种显示面板101，包括：基板110；主动开关145，设置于所述基板110上；钝化层160，设置于所述基板110上，并覆盖所述主动开关145；像素定义层180，设置于所述主动开关145之上，其中，所述像素定义层180具有多个发光元件192；平坦层172，设置于所述主动开关145与所述像素定义层180之间，所述平坦层172具有一凹槽结构；色阻层170，设置于所述基板110上，且位于所述钝化层160和所述平坦层172之间，所述色阻层170对位于所述凹槽结构；透明电极层174，设置于所述平坦层172上， 并覆盖所述凹槽结构。其中，所述发光元件192设置于所述平坦层172的凹槽结构内，并与所述色阻层170对位设置(如图3所示)，且所述发光元件192与所述色阻层170亦为对位配置。
在本申请的一实施例中，所述色阻层170包括阵列配置的多种颜色的色阻，且任意相邻所述色阻的颜色为相异。
在本申请的一实施例中，所述基板110上设置有缓冲层130和钝化层160，所述缓冲层160与所述钝化层130之间设有层间介质层150。
在本申请的一实施例中，所述像素定义层180通过透明电极层174与所述主动开关145相连。
在本申请的一实施例中，所述发光元件192为白色发光二极管192。
在本申请的一实施例中，所述凹槽结构与色阻层170之间所对应的所述平坦层172的高度为等高，局部等高或不等高。具体而言，所述显示面板101的多个凹槽结构所对应的多个平坦层172处，其高度(或为凹槽结构与色阻层之间的平坦层的厚度)可根据需求而相应调整。例如：显示面板的蓝色光源偏暗，则，对应凹槽结构之下的色阻层170为蓝色色阻层，其相应的凹槽结构与色阻层170之间的平坦层172的厚度可比其他颜色色阻层对应的平坦层172的厚度小，以此增大蓝色色阻的透光率，以进一步弥补蓝色光源偏暗的可能，若为其他颜色的光源偏暗，亦可以通过此设计，类比实施而弥补其透光率，不加以赘谈。
在本申请的一实施例中，所述色阻层170于基板110上的正投影涵盖所述凹槽结构于基板110上的正投影。此设计可以确保所述发光元件192通过所述凹槽结构透出的光线全部照射在所述色阻层170上，确保不会造成漏光可能。
在本申请的一实施例中，所述主动开关145包括半导体层140、源极148、漏极146，所述半导体层140设在所述缓冲层130与所述层间介质层150之间，所述源极148和所述漏极146的一端均设在所述钝化层160和所述层间介质层150之间，所述源极148和所述漏极146的另一端穿过所述层间介质层150分别连接在半导体层140的两端。
在本申请的一实施例中，所述主动开关145包括栅极144，所述栅极144设在所述层间介质层150内，所述栅极144和所述半导体层140之间设有栅极绝缘层142。
在本申请的一实施例中，所述显示面板101还包括遮光层120，形成于所述基板110上，缓冲层130覆盖所述遮光层120。其中，所述遮光层120用以对所述发光元件192透过色阻层所发出的光进行修正，可以阻挡像素定义层180边缘显示不均的部分，防止显示面板101产生混色、不均等现象。
在本申请的一实施例中，所述半导体层140可例如为铟镓锌氧化物薄膜层140。
在本申请的一实施例中，所述源极148及所述漏极146可例如包括钛、钽及其合金化合物所组 成的群组。
在本申请的一实施例中，所述凹槽结构，用以减小所述发光元件192穿透区域的平坦层172的厚度。即，使所述发光元件192更靠近所述色阻层170。另一方面，所述平坦层172在后续制程中，其穿透能力可能有所下降，此因面板的制程良度而变。藉由此设计，当对所述显示面板101施加电压后，可以有效提高所述白色发光二极管192的穿透效率，以此改善面板的显示效果，有效降低平坦层172在后续制程对面板良度的影响。
图4为本申请又一实施例的显示面板横截面示意图及图5为本申请又一实施例的显示面板的发光元件横截面示意图。请同时参考图4和图5，在本申请的一实施例中，一种显示面板102，包括：基板110；主动开关145，设置于所述基板110上；钝化层160，设置于所述基板110上，并覆盖所述主动开关145；像素定义层180，设置于所述钝化层160上，所述像素定义层180具有多个发光元件192；平坦层172，设置于所述钝化层160与所述像素定义层180之间，所述平坦层172具有一凹槽结构；透明电极层174，设置于所述平坦层172上，并覆盖所述凹槽结构。其中，所述发光元件194为彩色发光二极管194，设置所述平坦层172的凹槽结构(如图5所示)。
所述显示面板102与上述实施例中的显示面板101相比，其发光元件为彩色发光二极管194，由此，所述显示面板102可以节省一道色阻层170的工序，优化显示面板的制程。另，藉由平坦层172凹槽结构的设计，当对所述显示面板101施加电压后，可以有效提高所述彩色发光二极管194的穿透效率，以此改善面板的显示效果。
请同时参考图2至图5，在本申请的一实施例中，一种显示面板(101，102)的制造方法，包括：提供一基板100；设置主动开关145于所述基板100上；设置钝化层160于所述基板110上，并覆盖所述主动开关145；设置平坦层172于所述钝化层160上，其中，通过一光罩，使所述平坦层172形成一凹槽结构；设置色阻层170于所述基板100上，且位于所述钝化层160和所述平坦层172之间，其中，所述色阻层170对位于所述凹槽结构；设置透明电极层174于所述平坦层172上，并覆盖所述凹槽结构；设置像素定义层180于所述钝化层160上，并形成多个发光元件(192，194)；其中，所述发光元件(192，194)设置于所述凹槽结构内，并与所述色阻层170对位设置；其中，通过所述透明电极层174，使所述像素定义层180与所述主动开关145相连。
在本申请的一实施例中，所述光罩为半色调光罩或灰阶光罩，其中，通过所述半色调光罩或所述灰阶光罩，刻蚀与所述色阻层170对应的所述平坦层172，以形成所述凹槽结构。
在本申请的一实施例中，所述凹槽结构对应的所述平坦层172的高度为等高，局部等高或不等高。
在本申请的一实施例中，所述发光元件(192，194)可例如为白色发光二极管192或彩色发光 二极管194，其因设计或需求而定，亦可以是白色发光二极管192和彩色发光二极管194的混合搭配。
在一些实施例中，所述显示面板可例如包括，有机发光二极管(OLED)、白光有机发光二极管(White Organic Light Emitting Diode，W-OLED)、主动矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diodes，AMOLED)、被动矩阵有机发光二极管(Passive-matrix Organic Light Emitting Diodes，PMOLED)，但不以此为限制。
本申请通过对平坦层对应的发光区域薄化处理，可以提高自发光面板的发光效率，优化面板制程和良率，减小自发光显示面板的色偏现象。
“在一些实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。所述用语通常不是指相同的实施例；但它也可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。
以上所述，仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请作任何形式上的限制，虽然本申请已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。

Claims (20)

  1. 一种显示面板，包括：
    基板；
    多个主动开关，设置于所述基板上；
    钝化层，设置于所述基板上，并覆盖所述主动开关；
    像素定义层，设置于所述钝化层上，其中，所述像素定义层具有多个发光元件；
    平坦层，设置于所述钝化层与所述像素定义层之间，所述平坦层具有一凹槽结构；
    色阻层，设置于所述钝化层与所述平坦层之间，并对位于所述平坦层的凹槽结构；
    透明电极层，设置于所述平坦层上，并覆盖所述凹槽结构；
    其中，所述发光元件设置于所述平坦层的凹槽结构内，并与所述色阻层对位设置。
  2. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述色阻层于所述基板上的正投影涵盖所述凹槽结构于所述基板上的正投影。
  3. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述色阻层包括阵列配置的多种颜色的色阻，且任意相邻所述色阻的颜色为相异。
  4. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光元件为白色发光二极管。
  5. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光元件为彩色发光二极管。
  6. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述主动开关包括半导体层、源极、漏极和栅极。
  7. 如权利要求6所述的显示面板，其中，所述栅极和所述半导体层之间设有栅极绝缘层。
  8. 如权利要求6所述的显示面板，其中，所述源极及所述漏极包括钛、钽及其合金化合物所组成的群组。
  9. 如权利要求6所述的显示面板，其中，所述半导体层为铟镓锌氧化物薄膜层。
  10. 一种显示面板的制造方法，包括：
    提供一基板；
    设置主动开关于所述基板上；
    设置钝化层于所述基板上，并覆盖所述主动开关；
    设置平坦层于所述钝化层上，其中，通过一光罩，使所述平坦层形成一凹槽结构；
    设置色阻层于所述基板上，且位于所述钝化层与所述平坦层之间，其中，所述色阻层对位于所述凹槽结构；
    设置透明电极层于所述平坦层上，并覆盖所述凹槽结构；设置像素定义层于所述平坦层上，并形成多个发光元件；
    其中，所述发光元件设置于所述凹槽结构内，并与所述色阻层对位设置；
    其中，通过所述透明电极层，使所述像素定义层与所述主动开关相连。
  11. 如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中，所述光罩为半色调光罩。
  12. 如权利要求11所述的显示面板的制造方法，其中，通过所述半色调光罩，刻蚀与所述色阻层对应的所述平坦层，以形成所述凹槽结构。
  13. 如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中，所述光罩为灰阶光罩。
  14. 如权利要求13所述的显示面板的制造方法，其中，通过所述灰阶光罩，刻蚀与所述色阻层对应的所述平坦层，以形成所述凹槽结构。
  15. 如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中，所述色阻层于所述基板上的正投影涵盖所述凹槽结构于所述基板上的正投影。
  16. 如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中，所述色阻层包括阵列配置的多种颜色的色阻，且任意相邻所述色阻的颜色为相异。
  17. 如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中，所述主动开关包括半导体层、源极、漏极和栅极。
  18. 如权利要求17所述的显示面板的制造方法，其中，所述栅极和所述半导体层之间设有栅极绝缘层。
  19. 如权利要求17所述的显示面板的制造方法，其中，所述半导体层为铟镓锌氧化物薄膜层。
  20. 一种显示面板，包括：
    基板；
    多个主动开关，设置于所述基板上；
    钝化层，设置于所述基板上，并覆盖所述主动开关；
    像素定义层，设置于所述钝化层上，其中，所述像素定义层具有多个发光元件；
    平坦层，设置于所述钝化层与所述像素定义层之间，所述平坦层具有一凹槽结构；
    色阻层，设置于所述钝化层与所述平坦层之间，并对位于所述平坦层的凹槽结构；
    透明电极层，设置于所述平坦层上，并覆盖所述凹槽结构；
    其中，所述发光元件设置于所述平坦层的凹槽结构内，并与所述色阻层对位设置；
    其中，所述色阻层于所述基板上的正投影涵盖所述凹槽结构于所述基板上的正投影；
    其中，所述色阻层包括阵列配置的多种颜色的色阻，且任意相邻所述色阻的颜色为相异；
    其中，所述发光元件与所述色阻层为对位设置，且所述发光元件为白色发光二极管或彩色发光二极管。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108376691B (zh) * 2018-01-05 2021-01-08 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置
CN108957806A (zh) * 2018-08-03 2018-12-07 惠科股份有限公司 量测方法
CN109473461A (zh) * 2018-10-18 2019-03-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN110085635A (zh) * 2019-04-08 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110459568B (zh) * 2019-08-14 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示装置
CN111129082A (zh) 2019-12-04 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104716164A (zh) * 2015-03-27 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光显示装置
US20170133413A1 (en) * 2015-11-09 2017-05-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN106783883A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
CN106898706A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN107068903A (zh) * 2017-04-07 2017-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN107068717A (zh) * 2017-04-06 2017-08-18 惠科股份有限公司 显示面板及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101653844B1 (ko) * 2010-04-19 2016-09-02 가부시키가이샤 제이올레드 유기 ｅｌ 표시 패널 및 이를 구비한 유기 ｅｌ 표시 장치 및 유기 ｅｌ 표시 패널의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104716164A (zh) * 2015-03-27 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光显示装置
US20170133413A1 (en) * 2015-11-09 2017-05-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN106783883A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
CN106898706A (zh) * 2017-02-24 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
CN107068717A (zh) * 2017-04-06 2017-08-18 惠科股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN107068903A (zh) * 2017-04-07 2017-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

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