WO2018216995A1

WO2018216995A1 - Rotary polarized light emitting body, rotary polarized light emitting device, and manufacturing method therefor

Info

Publication number: WO2018216995A1
Application number: PCT/KR2018/005812
Authority: WO
Inventors: 김재훈; 이유진; 유창재
Original assignee: 한양대학교 산학협력단
Priority date: 2017-05-23
Filing date: 2018-05-23
Publication date: 2018-11-29

Abstract

A display is provided. A display according to one embodiment of the present invention comprises: a first electrode; a second electrode; and a light-emitting layer, disposed between the first electrode and the second electrode, for emitting first light in a polarized state rotating in a first direction toward the first electrode and emitting second light in a polarized state rotating in a second direction which is a reverse direction of the first direction; and a polarizing layer, disposed in a light emitting direction on the basis of the first electrode, for passing light that rotates in the first direction, wherein the second light is reflected by the second electrode and has a polarization state rotating in the first direction, and passes through the polarizing layer, and wherein as external incident light passes through the polarizing layer, the external incident light has a polarization state rotating in the first direction, and then the external incident light having a polarization state rotating in the first direction is reflected by the second electrode and has a polarization state rotating in the second direction such that the external incident light is blocked from being emitted to the outside by the polarizing layer.

Description

회전 편광 발광체 및 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법Rotating polarized light emitter and rotating polarized light emitting device

본 발명은 발광체 및 디스플레 회전 편광 발광체 및 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법에 관련된 것으로, 보다 구체적으로는, 외부 광에 의한 반사를 최소화하고, 광 효율을 극대화하는 발광체 및 디스플레이에 관련된 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device and a display rotating polarizing light emitting device and a rotating polarizing light emitting device and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a light emitting device and a display that minimize reflection by external light and maximize light efficiency.

디스플레이 예를 들어, 유기 발광 소자는 유기 물질의 전계 발광 현상을 이요한 표시 소자이다. 유기 발광 소자는 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질을 배치시키고, 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 흐르는 전류에 의해 발광층의 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태에서 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 광을 발생시킨다.For example, an organic light emitting device is a display device that employs an electroluminescence phenomenon of an organic material. In the organic light emitting device, an organic light emitting material is disposed between an anode electrode and a cathode electrode, and an exciton generated by combining electrons and holes in the light emitting layer by an electric current flowing between the anode electrode and the cathode electrode is in an excited state from the excited state. Light is generated by the energy generated when falling.

이러한, 디스플레이의 경우, 외부에서 유기 발광 소자로 입사되는 광이 유기 발광 소자에서 반사되어 외부로 방출되는 것을 방지하기 위해, 특허 공개 공보 2013-075525에 도시된 바와 같이, 위상차 필름 및 편광판을 유기 발광 소자 상에 배치시킨다.In the case of the display, in order to prevent the light incident to the organic light emitting element from being reflected from the organic light emitting element and emitted to the outside, the phase difference film and the polarizing plate are organic light-emitting as shown in Patent Publication No. 2013-075525. Place on the device.

하지만, 종래 기술의 경우, 고가의 위상차 필름으로 인해 생산 단가 문제를 야기할 수 있다. 또한, 편광판에 의해, 유기 발광층에서 방출된 광의 일부가 편광판에 의해 차단되어 시인성 및 발광 효율이 저하될 수 있다.However, in the prior art, an expensive retardation film may cause a production cost problem. In addition, due to the polarizing plate, part of the light emitted from the organic light emitting layer may be blocked by the polarizing plate, thereby reducing visibility and luminous efficiency.

이에 따라, 본 발명자들은, 외부 광의 반사를 최소화하면서도 발광층에서 출사되는 광의 효율은 극대화하는 디스플레이를 발명하게 되었다.Accordingly, the inventors have invented a display that minimizes the reflection of external light while maximizing the efficiency of light emitted from the light emitting layer.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 외부 광 반사를 최소화하는 회전 편광 발광체 및 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.One technical problem to be solved by the present invention is to provide a rotation polarization light emitting body and a rotation polarization light emitting device for minimizing external light reflection and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 발광층에서 출사된 광이 뷰어(viewer)에게 제공되는 광 효율을 극대화하여 우수한 시인성을 가지는 회전 편광 발광체 및 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법를 제공하는 데 있다.Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a rotating polarizing light emitting body and a rotating polarizing light emitting device having excellent visibility by maximizing the light efficiency that light emitted from the light emitting layer is provided to a viewer, and a manufacturing method thereof.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 높은 회전 편광비를 제공하는 회전 편광 발광체 및 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.One technical problem to be solved by the present invention is to provide a rotation polarization light emitting body and a rotation polarization light emitting device that provides a high rotation polarization ratio and a manufacturing method thereof.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상기 언급한 기술적 과제에 의하여 제한되지 아니한다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited by the aforementioned technical problem.

본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치는 광 출사 방향에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 전극을 향하여, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제2 전극을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사하는, 광출사층 및 상기 제1 전극을 기준으로 광 출사 방향에 배치되며, 상기 제1 방향으로 회전하는 광을 통과시키는, 편광층을 포함할 수 있다.The rotation polarization light emitting device according to an embodiment of the present invention is disposed between a first electrode disposed in a light emission direction, a second electrode facing the first electrode, and disposed between the first electrode and the second electrode. A second light having a polarization state that emits a first light having a polarization state that rotates in a first direction toward the first electrode, and that rotates in a second direction that is opposite to the first direction toward the second electrode; It may include a light emitting layer and a polarizing layer which is disposed in the light output direction with respect to the first electrode, and passes through the light rotating in the first direction.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 광은, 상기 제2 전극에 반사되어, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어 상기 편광층을 통과하며, 외부 입사 광은, 상기 편광층을 통과함에 따라, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되고, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광상태를 가지는 외부 입사 광은, 상기 제2 전극에 반사되어, 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어, 상기 편광층에 의하여 외부로의 출사가 차단될 수 있다.According to one embodiment, the second light is reflected by the second electrode, has a polarization state that rotates in the first direction passes through the polarization layer, the external incident light passes through the polarization layer Accordingly, the external incident light having the polarization state rotating in the first direction and having the polarization state rotating in the first direction is reflected by the second electrode to have the polarization state rotating in the second direction. Thus, the emission to the outside by the polarizing layer can be blocked.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 방향 및 제2 방향은, 제1 위치에서 제2 위치로 향하는 광 진행 경로 상에서, 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치를 바라보는 관점을 기준으로 하여 정의되는 방향일 수 있다.According to one embodiment, the first direction and the second direction is a direction defined on the basis of the viewpoint of looking at the second position from the first position on the light propagation path from the first position to the second position. Can be.

일 실시 예에 따르면, 상기 광출사층은, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제1 광이 상기 제1 전극을 향하여 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지고, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제2 광이 상기 제2 전극을 향하여 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지도록 상기 광출사층의 발광 분자들의 층상 비틀림 각도를 조절하는, 카이럴(chiral) 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting layer has a polarization state in which the first light emitted from the light emitting layer rotates in the first direction toward the first electrode, and the light emitted from the light emitting layer The chiral material may be configured to adjust the layer twist angle of the light emitting molecules of the light emitting layer such that the second light has a polarization state rotating in the second direction toward the second electrode.

일 실시 예에 따르면, 상기 층상 비틀림 각도는 180도 이하일 수 있다.According to one embodiment, the layer twist angle may be less than 180 degrees.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치는 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하며 광 출사 방향에 위치하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 상기 제2 전극을 향하여, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고 상기 제1 전극을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사하는 광출사층 및 상기 제2 전극을 기준으로 광 출사 방향에 배치되며, 상기 제1 방향으로 회전하는 광을 통과시키는, 편광층을 포함할 수 있다.In another embodiment, a rotation polarization light emitting device is disposed between a first electrode, a second electrode facing the first electrode and positioned in a light emission direction, and disposed between the first electrode and the second electrode. Emitting a first light having a polarization state that rotates in a first direction toward the second electrode, and a second light having a polarization state that rotates in a second direction opposite to the first direction toward the first electrode; The light emitting layer may be disposed in the light emitting direction based on the second light emitting layer and the second electrode, and may include a polarizing layer through which light rotating in the first direction passes.

실시 에에 따르면, 상기 제2 광은, 상기 제1 전극에 반사되어, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어 상기 편광층을 통과하며, 외부 입사 광은, 상기 편광층을 통과함에 따라, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되고, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광상태를 가지는 외부 입사 광은, 상기 제1 전극에 반사되어, 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어, 상기 편광층에 의하여 외부로의 출사가 차단될 수 있다.According to the embodiment, the second light is reflected by the first electrode, has a polarization state that rotates in the first direction and passes through the polarization layer, and external incident light passes through the polarization layer, The external incident light having the polarization state rotating in the first direction and having the polarization state rotating in the first direction is reflected by the first electrode and has the polarization state rotating in the second direction. Output to the outside may be blocked by the polarizing layer.

실시 예에 따르면, 상기 제1 방향 및 제2 방향은, 제1 위치에서 제2 위치로 향하는 광 진행 경로 상에서, 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치를 바라보는 관점을 기준으로 하여 정의되는 방향일 수 있다.According to an embodiment, the first direction and the second direction may be directions defined based on a viewpoint of looking at the second position from the first position on a light traveling path from the first position to the second position. Can be.

실시 예에 따르면, 상기 광출사층은, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제1 광이 상기 제2 전극을 향하여 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지고, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제2 광이 상기 제1 전극을 향하여 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지도록 상기 광출사층의 발광 분자들의 층상 비틀림 각도를 조절하는, 카이럴(chiral) 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting layer has a polarization state in which the first light emitted from the light emitting layer rotates in the first direction toward the second electrode, and the first light emitted from the light emitting layer 2 may include a chiral material that adjusts the layer twist angle of the light emitting molecules of the light emitting layer so that light has a polarization state rotating in the second direction toward the first electrode.

실시 예에 따르면, 상기 층상 비틀림 각도는 180도 이하일 수 있다.According to an embodiment, the layer twist angle may be 180 degrees or less.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치는, 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 제1 전극 외측 또는 상기 제2 전극 외측에 배치되는 좌현 또는 우현 광을 선택적으로 통과시키는 편광층 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 카이럴 물질을 포함하는 광출사층을 포함하고 상기 카이럴 물질은, 상기 광출사층에서 생성된 광이 상기 편광층을 통과하도록 좌현 또는 우현 편광시키고, 상기 편광층 외측에서 측정되는 광출사층에서 생성된 광 세기는. 상기 카이럴 물질을 비 포함한 광 출사층 대비, 상기 카이럴 물질을 포함하는 광출사층이 강할 수 있다.The rotation polarization light emitting device according to another embodiment of the present invention, the first electrode, the second electrode facing the first electrode, the port or starboard light disposed outside the first electrode or the outside of the second electrode selectively And a light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode, the light emitting layer including a chiral material, wherein the light generated from the light emitting layer is the polarizing layer. Polarized port or starboard to pass through, and the light intensity generated in the light output layer measured outside the polarizing layer is. The light emitting layer including the chiral material may be stronger than the light emitting layer including the chiral material.

실시 예에 따르면, 상기 광출사층은, 발광 분자를 포함하며, 상기 발광 분자는 선 편광된 광(linearly polarized light)을 출사하도록 특정 방향으로 정렬될 수 있다.According to an embodiment, the light emitting layer may include light emitting molecules, and the light emitting molecules may be aligned in a specific direction to emit linearly polarized light.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 회전 편광 발광체는 비-카이럴 발광 분자들 및 상기 발광 분자들의 두께 방향으로 비틀림 각도를 제공하여, 상기 발광 분자들을 나선형 구조로 적층시키는 도펀트를 포함할 수 있다.The rotationally polarized light emitter according to another embodiment of the present invention may include non-chiral light emitting molecules and a dopant for stacking the light emitting molecules in a spiral structure by providing a twist angle in the thickness direction of the light emitting molecules.

실시 예에 따르면, 상기 도펀트는 상기 비틀림 각도로 상기 발광 분자를 회전시키도록 헬리컨 트위스팅 파워(Helical Twisiting Power)를 상기 발광 분자에게 제공할 수 있다.According to an embodiment, the dopant may provide a helical twisting power to the light emitting molecules to rotate the light emitting molecules at the torsion angle.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치의 제조방법은, 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 발광 분자 및 카이럴 도펀트로 이루어진 발광층을 포함하는 광출사층을 형성하는 단계 및 상기 광출사층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 광출사층을 형성하는 단계에서, 상기 카이럴 도펀트는 상기 발광 분자의 층상 비틀림 각도를 조절하여, 상기 발광층에서 발광되는 광의 g-factor가 제어될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a rotating polarization light emitting device, comprising: forming a first electrode, and forming a light emission layer including a light emitting layer including light emitting molecules and chiral dopants on the first electrode; And forming a second electrode on the light emitting layer, wherein in the forming of the light emitting layer, the chiral dopant adjusts the layer twist angle of the light emitting molecules to emit light from the light emitting layer. The g-factor of the light can be controlled.

실시 예에 따르면, 상기 광출사층을 형성하는 단계는, 상기 층상 비틀림 각도의 제어, 상기 광출사층의 굴절율 제어, 상기 발광층의 발광 존 제어 중 적어도 하나를 제어하며, 상기 발광층의 발광 존은, 상기 제1 및 제2 전극 중 어느 하나의 전극과의 거리를 기준으로 정의될 수 있다.According to an embodiment, the forming of the light emitting layer may include controlling at least one of controlling the layer twist angle, controlling the refractive index of the light emitting layer, and controlling the light emitting zone of the light emitting layer. The distance from one of the first and second electrodes may be defined as a reference.

실시 예에 따르면, 상기 층상 비틀림 각도는 180도 이하로 제어될 수 있다.According to an embodiment, the layered twist angle may be controlled to 180 degrees or less.

실시 예에 따르면, 상기 제1 전극은 투명 전극이고 상기 제2 전극은 반사 전극인 경우, 상기 발광층의 발광 존은 상기 제2 전극에 가깝도록 제어될 수 있다.According to an embodiment, when the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a reflective electrode, the emission zone of the emission layer may be controlled to be close to the second electrode.

실시 예에 따르면, 상기 발광층의 발광 존은, 상기 발광층의 두께 대비 20%이내에서, 상기 제2 전극에 가깝도록 제어될 수 있다.According to an embodiment, the light emitting zone of the light emitting layer may be controlled to be close to the second electrode within 20% of the thickness of the light emitting layer.

실시 예에 따르면, 상기 광출사층의 굴절율은, 상기 발광층의 발광 존의 위치에 따라 제어될 수 있다.According to an embodiment, the refractive index of the light emitting layer may be controlled according to the position of the light emitting zone of the light emitting layer.

본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치는, 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 전극을 향하여, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제2 전극을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사하는, 광출사층, 상기 제1 전극을 기준으로 광 출사 방향에 배치되며, 상기 제1 방향으로 회전하는 광을 통과시키는, 편광층을 포함할 수 있다.In one embodiment, a rotation polarization light emitting device is disposed between a first electrode, a second electrode facing the first electrode, the first electrode and the second electrode, and toward the first electrode. Light that emits first light having a polarization state that rotates in a first direction, and emits second light having a polarization state that rotates in a second direction opposite to the first direction toward the second electrode An emission layer may include a polarization layer disposed in a light emission direction based on the first electrode and configured to pass light rotating in the first direction.

이에 따라, 상기 제2 광은, 상기 제2 전극에 반사되어, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어 상기 편광층을 통과하며, 외부 입사 광은, 상기 편광층을 통과함에 따라, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되고, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광상태를 가지는 외부 입사 광은, 상기 제2 전극에 반사되어, 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어, 상기 편광층에 의하여 외부로의 출사가 차단될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이는, 외부 광에 의한 반사를 최소화하면서도 광 효율은 극대화할 수 있다.Accordingly, the second light is reflected by the second electrode, has a polarization state rotating in the first direction, passes through the polarization layer, and external incident light passes through the polarization layer. The external incident light having the polarization state rotating in the first direction and having the polarization state rotating in the first direction is reflected by the second electrode and has the polarization state rotating in the second direction. Output to the outside may be blocked by the polarizing layer. Therefore, the display according to the embodiment of the present invention can maximize light efficiency while minimizing reflection by external light.

본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법은 높은 회전 편광비를 제공할 수 있다.A rotation polarization light emitting device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can provide a high rotation polarization ratio.

본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법은 외부 광 반사를 최소화할 수 있다.The rotation polarization light emitting device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can minimize external light reflection.

본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법은 발광층에서 출사된 광이 뷰어(viewer)에게 제공되는 광 효율을 극대화하여 우수한 시인성을 가지는 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.According to an embodiment of the present invention, a rotation polarization light emitting device and a method of manufacturing the same provide a rotation polarization light emitting device having excellent visibility by maximizing the light efficiency of light emitted from a light emitting layer to a viewer and a method of manufacturing the same. There is.

본 발명의 효과는 상기 언급한 발명의 효과에 의하여 제한되지 아니한다.The effects of the present invention are not limited by the effects of the above-mentioned invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하기 위한 부분 단면도를 도시한다.1 is a partial cross-sectional view for describing a display according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 분자의 나선 적층 구조를 설명하기 위한 도면이다.2 is a diagram for describing a spiral stacked structure of light emitting molecules according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이의 작동 예를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining an operation example of the display according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1 실시 예의 제1 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a first modified example of the first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1 실시 예의 제2 변형 예를 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining a second modified example of the first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제1 실시 예의 제3 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a third modified example of the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제1 실시 예의 제4 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a fourth modified example of the first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 11 실시 예 및 그 변형 예들의 활용 예를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining the use of the eleventh embodiment of the present invention and modified examples thereof.

도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하기 위한 부분 단면도를 도시한다.9 is a partial cross-sectional view for describing a display according to a second embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이의 작동 예를 설명하기 위한 도면이다.10 is a view for explaining an operation example of the display according to the second embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제2 실시 예의 제1 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.11 is a view for explaining a first modified example of the second embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제2 실시 예의 제2 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.12 is a view for explaining a second modified example of the second embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 제2 실시 예의 제3 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.13 is a view for explaining a third modified example of the second embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 제2 실시 예 및 그 변형 예들의 활용 예를 설명하기 위한 도면이다.14 is a view for explaining an application example of the second embodiment and modified examples thereof.

도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 공정이 발광 분자들의 나선형 구조 형성에 미치는 영향을 설명하기 위한 도면이다.15 is a view for explaining the effect of the heat treatment process according to an embodiment of the present invention on the formation of the spiral structure of the light emitting molecules.

도 16은 본 발명의 일 실시 예들에 따른 효과를 설명하기 위한 도면이다.16 is a view for explaining an effect according to one embodiment of the present invention.

도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.17 is a view for explaining a method of manufacturing a rotation polarization light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 18 내지 도 20는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 분자의 꼬임 각도에 따른 회전 편광비를 나타내는 그래프이다.18 to 20 are graphs showing rotation polarization ratios according to twist angles of light emitting molecules according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 21은 본 발명의일 실시 예에 따른 발광 존의 위치 별 회전 편광비를 나타내는 그래프이다. 21 is a graph illustrating a rotation polarization ratio for each position of a light emitting zone according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to the exemplary embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed contents are thorough and complete, and that the spirit of the present invention can be sufficiently delivered to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In the present specification, when a component is mentioned to be on another component, it means that it may be formed directly on the other component or a third component may be interposed therebetween. In addition, in the drawings, the thicknesses of films and regions are exaggerated for effective explanation of technical contents.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.In addition, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. In addition, the term 'and / or' is used herein to include at least one of the components listed before and after.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.In the specification, the singular encompasses the plural unless the context clearly indicates otherwise. In addition, the terms "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, element, or combination thereof described in the specification, and one or more other features or numbers, steps, configurations It should not be understood to exclude the possibility of the presence or the addition of elements or combinations thereof. In addition, the term "connection" is used herein to mean both indirectly connecting a plurality of components, and directly connecting.

본 명세서에 있어서 디스플레이는 회전 편광 발광장치를 의미할 수 있다.In the present specification, the display may mean a rotation polarization light emitting device.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In addition, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하기 위한 부분 단면도를 도시한다. 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이는, 하부 발광(bottom emission) 표시 장치에 적용되며, 후술할 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이는, 상부 발광(top emission) 표지 장치에 적용될 수 있다.1 is a partial cross-sectional view for describing a display according to a first embodiment of the present invention. The display according to the first embodiment of the present invention may be applied to a bottom emission display device, and the display according to the second embodiment of the present invention to be described below may be applied to a top emission display device. .

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이(100)는, 제1 전극(110), 제2 전극(170), 광출사층(105), 편광층(180)을 포함하여 이루어질 수 있다. 이 때, 각 구성은, y'에서 y 방향으로, 편광층(180), 제1 전극(110), 광출사층(100), 제2 전극(170) 순서로 적층될 수 있고, 상기 광출사층(105)에서 출사된 광은, y' 방향으로 뷰어에게 제공됨으로써, 하부 발광 타입 디스플레이가 구현될 수 있다. 이하 각 구성에 대하여 상세히 설명하기로 한다.Referring to FIG. 1, the display 100 according to the first embodiment of the present invention includes a first electrode 110, a second electrode 170, a light emission layer 105, and a polarization layer 180. Can be done. In this case, each configuration may be stacked in the order of the polarization layer 180, the first electrode 110, the light emission layer 100, and the second electrode 170 in the y 'to y direction, and the light exit. The light emitted from the layer 105 is provided to the viewer in the y 'direction, so that the bottom emission type display can be implemented. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

상기 제1 전극(110)은, 상기 광출사층(105)으로 정공을 제공하는 애노드(anode) 전극 일 수 있다. 상기 제1 전극(110)은, 광을 투과시키기 위하여 투명 전극으로 이루어질 수 있다. The first electrode 110 may be an anode electrode that provides holes to the light exit layer 105. The first electrode 110 may be formed of a transparent electrode to transmit light.

만약, 상기 제1 전극(110)의 일함수가 상기 제2 전극(170)의 일함수 보다 작은 경우, 상기 제1 전극(110)이 캐소드 전극에 해당할 수 있음은 물론이다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 상기 제1 전극(110)은 애노드 전극인 경우를 상정하기로 한다.If the work function of the first electrode 110 is smaller than the work function of the second electrode 170, the first electrode 110 may correspond to the cathode electrode. Hereinafter, for convenience of description, it will be assumed that the first electrode 110 is an anode electrode.

상기 제1 전극(110)은 이웃하는 픽셀 간에 공유 되도록 공유 전극으로서 형성될 수도 있고, 각 픽셀 마다 분할하여 형성될 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 제1 전극(110)은 분할 전극인 경우를 상정하기로 한다. 이 경우, 상기 제1 전극(110)은 각 픽셀 마다 개별적으로 제어될 수 있다.The first electrode 110 may be formed as a shared electrode to be shared between neighboring pixels, or may be formed by dividing each pixel. Hereinafter, for convenience of description, it will be assumed that the first electrode 110 is a split electrode. In this case, the first electrode 110 may be individually controlled for each pixel.

도시하지는 않았으나, 상기 제1 전극(110)과 상기 편광층(180) 사이에는 다른 구성이 마련될 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 상기 제1 전극(110)과 상기 편광층(180) 사이에는, 기판, 기판 상에 형성된 액티브 소자 등이 마련될 수 있다. 이 때, 기판은, 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylennaphthalate), PI(Polyimide) 중 적어도 하나의 물질로 구성될 수 있다.Although not shown, a different configuration may be provided between the first electrode 110 and the polarization layer 180. For example, a substrate, an active element formed on the substrate, and the like may be provided between the first electrode 110 and the polarization layer 180. In this case, the substrate may be made of not only a glass substrate but also at least one of polyethylene terephthalate (PET), polyethyleneennaphthalate (PEN), and polyimide (PI).

상기 광출사층(105)은 광을 생성하여 출사하는 층을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 광출사층(105)은, 광을 생성 및 출사하기 위한 물질로서, 유기 분자 또는 퀀텀 무기 분자 중 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 광출사층(105)이 유기 발광층인 경우를 상정하기로 한다.The light emitting layer 105 may mean a layer that generates light and emits light. For example, the light emitting layer 105 may be formed of one material of organic molecules or quantum inorganic molecules as a material for generating and emitting light. Hereinafter, for the convenience of description, it will be assumed that the light emitting layer 105 is an organic light emitting layer.

상기 광출사층(105)은 y'에서 y 방향으로, 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 발광층(140), 전자 주입층(150) 및 전자 수송층(160) 순서로 적층된 층으로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 광출사층(105)이 이 보다 적거나 많은 층으로 이루어질 수 있음은 물론이다.The light exit layer 105 is a layer stacked in the order of the hole injection layer 120, the hole transport layer 130, the light emitting layer 140, the electron injection layer 150, and the electron transport layer 160 from y ′ to the y direction. Can be made. However, of course, the light emitting layer 105 may be made of fewer or more layers.

상기 광출사층(105)은, 상기 제1 전극(110)과 상기 제2 전극(170) 사이에 배치되며, 상기 제1 전극(110)을 향하여, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제2 전극(170)을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사할 수 있다. The light emitting layer 105 is disposed between the first electrode 110 and the second electrode 170 and has a polarization state that rotates in a first direction toward the first electrode 110. One light may be emitted, and the second light may be emitted toward the second electrode 170 having a polarization state rotating in a second direction opposite to the first direction.

이 때, 제1 방향 및 제2 방향은, 제1 위치에서 제2 위치로 향하는 광 진행 경로 상에서, 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치를 바라보는 관점을 기준으로 하여 정의되는 방향일 수 있다. In this case, the first direction and the second direction may be directions defined based on a viewpoint of looking at the second position from the first position on a light propagation path from the first position to the second position.

또한, 제1 방향 또는 제2 방향으로 회전하는 편광 상태라 함은, 원 편광 또는 타원 편광을 포함하는 개념으로 이해될 수 있다. 원 편광이라 함은, z 축 방향으로 진행하는 광에 있어서, 입사평면에서 x축 자기장과 y축 자기장 벡터 합이 원형으로 계속 변화하는 경우 즉, x축 자기장과 y축 자기장 두 성분의 진폭이 정확히 같고 위상차가 90˚일 경우를 의미할 수 있다. 또한, 타원 편광이라 함은, 직선편광과 원편광이 아닌 다른 모든 경우. 즉 합성된 자기장 벡터가 회전하면서 크기도 변하는 경우 편광상태는 타원을 그리게 되는데 이를 타원 편광으로 정의할 수 있다.In addition, the polarization state rotating in the first direction or the second direction may be understood as a concept including circularly polarized or elliptically polarized light. Circular polarization means that in the light traveling in the z-axis direction, when the sum of the x-axis and y-axis magnetic field vectors continues to change in a circular shape in the plane of incidence, that is, the amplitudes of the two components of the x-axis and y-axis magnetic fields are exactly This may mean that the phase difference is 90 °. Elliptical polarization is any case other than linearly and circularly polarized light. That is, when the synthesized magnetic field vector rotates and its size changes, the polarization state draws an ellipse, which can be defined as an elliptical polarization.

이하에서는 설명의 편의를 위하여, 광이 제1 위치에서 제2 위치로 향하는 경우, 제1 위치에서 제2 위치를 바라보았을 때, 반 시계 방향으로 회전하는 광을 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 광으로 정의하고, 이와 달리 시계 방향으로 회전하는 광을 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 광으로 정의하기로 한다.Hereinafter, for convenience of description, when the light is directed from the first position to the second position, when the light is viewed from the first position to the second position, the polarization state of rotating the light rotating in the counterclockwise direction in the first direction is described. The branch is defined as light, and alternatively, light rotating in the clockwise direction is defined as light having a polarization state rotating in the second direction.

상기 정공 주입층(120, hole injection layer: HTL)은, 상기 제1 전극(110) 상에 형성되며, 정공의 주입을 원활하게 하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 상기 정공 주입층(120)은, MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine), PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole injection layer (HTL) 120 is formed on the first electrode 110 and may perform a function of smoothly injecting holes. To this end, the hole injection layer 120, MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), CuPc (copper phthalocyanine), PEDOT / PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene) sulfonate) and NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine) may be formed of at least one material, but is not limited thereto.

상기 정공 수송층(130, hole transporting layer; HTL)은, 상기 정공 주입층(120) 상에 형성되며, 정공의 수송을 원활하게 하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 상기 정공 수송층(130)은, 예를 들어, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transporting layer 130 (HTL) is formed on the hole injection layer 120, it may perform a function to facilitate the transport of holes. To this end, the hole transport layer 130 is, for example, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N ' -bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine) It is not limited to this.

상기 정공 주입층(120) 및 상기 정공 수송층(130)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser induced thermal imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The hole injection layer 120 and the hole transport layer 130, vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, laser thermal thermal imaging (Laser induced thermal imaging) , LITI) and the like can be formed using various methods.

상기 발광층(140)에서는, 정공 수송층(130)을 통해 공급된 정공과 전자 수송층(150)을 통해 공급된 전자 들이 재결합되어 광이 생성될 수 있다.In the emission layer 140, holes supplied through the hole transport layer 130 and electrons supplied through the electron transport layer 150 may be recombined to generate light.

상기 발광층(140)은 발광 분자들로 구성될 수 있다. 상기 발광 분자들은 예를 들어, 비-카이럴 형상을 가질 수 있다. 다른 관점에서 상기 비-카이럴 형상의 발광 분자는 막대 형상(rodlike)을 가질 수 있다. 또 다른 관점에서, 상기 발광 분자들은 컨쥬게이티드 폴리머(conjugated polymer)일 수 있다. 또 다른 관점에서, 상기 발광 분자들은 비-카이럴 폴리머(Achiral Polymer)일 수 있다. The light emitting layer 140 may be composed of light emitting molecules. The light emitting molecules can have a non-chiral shape, for example. In another aspect, the non-chiral light emitting molecule may have a rodlike shape. In another aspect, the light emitting molecules can be conjugated polymers. In another aspect, the light emitting molecules may be a non-chiral polymer.

이하에서 발광 분자는 유기 분자, 유기 발광 분자로 호칭될 수 있다.Hereinafter, the light emitting molecules may be referred to as organic molecules or organic light emitting molecules.

상기 발광 분자들은 분자량에 따라 분류될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 분자들은 또한 저분자 발광 분자일 수도 있고, 고분자 발광 분자일 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 발광 분자는, poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole; F8BT) 및 poly(9,9-dioctyl-2,7-fluorene;PFO) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있고, 상기 저분자 발광 분자는, KSW-1-14 및 KSW-1-20 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The light emitting molecules may be classified according to molecular weight. For example, the light emitting molecules may also be low molecular light emitting molecules, or may be high molecular light emitting molecules. Specifically, the polymer light emitting molecule may be made of at least one of poly (9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole; F8BT) and poly (9,9-dioctyl-2,7-fluorene; PFO). The low molecular weight molecule may be made of at least one material of KSW-1-14 and KSW-1-20.

상기 발광층(140)의 발광 분자들은 상기 발광층(140)이 출사하는 광의 파장에 따라 정의될 수도 있다. 상기 발광층(140)이 적색 광을 생성하는 경우, 상기 발광층(140)은 예를 들어, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-[0058] yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중 적어도 하나의 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 만약, 상기 발광층(140)이 녹색 광을 생성하는 경우, 상기 발광층(140)은, 호스트 물질로 TCTA (Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), CBP (4,4′-Bis(Ncarbazolyl)-1,1′-biphenyl), Balq (Bis(8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy)aluminum) 및 PPV(poly(p phenylene vinylene)) 중 적어도 하나의 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 발광층(140)이 청색 광을 생성하는 경우, 상기 발광층(140)은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자 중 적어도 하나의 형광 물질로 이루어질 수 있다.The light emitting molecules of the light emitting layer 140 may be defined according to the wavelength of light emitted from the light emitting layer 140. When the light emitting layer 140 generates red light, the light emitting layer 140 is a host including, for example, CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl)) Substances, including PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum ) May be made of a phosphorescent material including at least one dopant, or alternatively, may be made of a fluorescent material including PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or perylene. In the case of generating the light emitting layer 140, TCTA (Tris (4-carbazoyl-9-ylphenyl) amine), CBP (4,4'-Bis (Ncarbazolyl) -1,1'-biphenyl), Balq (Bis (8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy) aluminum) and PPV (poly (p phenylene vinylene)) may be made of at least one phosphorescent material. When the light emitting layer 140 generates blue light, the light emitting layer 140 includes a host material including CBP or mCP, and is made of a phosphor material including a dopant material including (4,6-F2ppy) 2Irpic. Alternatively, it may be made of at least one fluorescent material of spiro-DPVBi, spiro-6P, distilbenzene (DSB), distriarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer.

상기 발광층(140)은 상기 발광층(140)에서 출사되는 광이 특정 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지도록 카이럴(chiral) 물질(190), 예를 들어, 카이럴 도펀트(dopant)를 포함할 수 있다. 카이럴상기 카이럴 물질(190)은, 주변의 발광 유기 분자의 배향 방향에 영향을 미칠 수 있다. 상기 카이럴 도펀트(190)는 상기 발광 분자들의 두께 방향으로 비틀림 각도를 제공하여 상기 발광 분자들을 나선형 구조로 적층시킬 수 있다. 이로써, 발광 분자에서 생성된 광이 회전하는 편광 상태를 가지도록 할 수 있다. 보다 구체적인 설명을 위하여 도 2를 참조하기로 한다.The emission layer 140 may include a chiral material 190, for example, a chiral dopant, to have a polarization state in which the light emitted from the emission layer 140 rotates in a specific direction. have. Chiral The chiral material 190 may affect the orientation direction of the surrounding organic light emitting molecules. The chiral dopant 190 may stack the light emitting molecules in a spiral structure by providing a twist angle in the thickness direction of the light emitting molecules. As a result, the light generated from the light emitting molecules may have a rotating polarization state. Refer to FIG. 2 for a more detailed description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 분자의 나선 적층 구조를 설명하기 위한 도면이다. 구체적으로 도 2(a)는 종래 기술에 따른 회전 편광 상태를 구현하기 위한 구조를 도시하고, 도 2(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 상태를 구현하기 위한 구조를 도시한다.2 is a diagram for describing a spiral stacked structure of light emitting molecules according to an exemplary embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 2 (a) shows a structure for implementing a rotation polarization state according to the prior art, and FIG. 2 (b) shows a structure for implementing a rotation polarization state according to an embodiment of the present invention.

도 2(a)를 참조하면, 발광 분자 자체가 나선형 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 발광 분자 자체가 나선형 구조이기 때문에 발광 분자에서 생성된 광이 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 또한, 발광 분자에 나선형 도펀트 예를 들어, 1-aza(6)heliscene이 부착될 수 있다. 이 경우, 나선형 도펀트에 의하여 발광 분자에서 생성된 광이 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. Referring to FIG. 2 (a), the light emitting molecules themselves may have a helical structure. In this case, since the light emitting molecules themselves have a helical structure, the light generated from the light emitting molecules may have a polarized state in which the light rotates. In addition, a helical dopant, eg, a 1-aza (6) heliscene, may be attached to the light emitting molecule. In this case, light generated in the light emitting molecules by the helical dopant may have a polarization state in which the light rotates.

그러나 도 2(a)에 도시된 경우에는 도펀트의 합성에 따라 생성되는 광의 파장 즉 색이 달라지는 어려움이 있다. 또한, 생성되는 광에 회전 편광 상태를 부여하는 능력이, 발광 분자 자체의 구조 또는 도펀트 자체의 구조에 의존하기 때문에 회전 편광 생성 능력에 한계가 있다.However, in the case illustrated in FIG. 2 (a), there is a difficulty in that the wavelength, or color, of light generated according to the synthesis of the dopant is changed. In addition, since the ability to impart a rotation polarization state to generated light depends on the structure of the light emitting molecule itself or the structure of the dopant itself, there is a limit to the ability to generate rotation polarization.

이와 달리, 도 2(b)를 참조하면, 카이럴 도펀트는 발광 분자들에게 비틀림 각도를 제공할 수 있다. 발광 분자들이 발광 분자들의 두께 방향으로 Layer 1 부터 Layer 4까지 적층된 경우, 카이럴 도펀트는 Layer 2의 발광 분자들을 θ1, Layer 3의 발광 분자들을 θ2, Layer 4의 발광 분자들을 θ3 각도 회전시킬 수 있다. 이를 위하여 상기 카이럴 도펀트는 발광 분자들에게 비틀림 각도를 제공하기 위한 헬리컬 트위스팅 파워(Helical Twisting Power; HTP)가 10/um 이상 바람직하게는 100/um일 수 있다. 일 예에 따르면 상기 카이럴 도펀트는 비-나선 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 카이럴 도펀트는 R5011로 이루어질 수 있다. 다시 말해, 상기 카이럴 도펀트는 거시적인 레벨(macroscopic level)에서 상기 발광 분자들의 비틀림 스태킹 형상을 제공할 수 있는 것이다. Alternatively, referring to FIG. 2B, the chiral dopant may provide the torsion angles to the light emitting molecules. When the light emitting molecules are stacked from the layer 1 to the layer 4 in the thickness direction of the light emitting molecules, the chiral dopant may rotate the light emitting molecules θ1 of the layer 2 and the light emitting molecules θ2 of the layer 3, and the light emitting molecules of the layer 4 by θ3. have. To this end, the chiral dopant may have a helical twisting power (HTP) of 10 / um or more, preferably 100 / um, to provide a twist angle to the light emitting molecules. According to an example, the chiral dopant may have a non-helical shape. In addition, the chiral dopant may be formed of R5011. In other words, the chiral dopant is capable of providing a torsional stacking shape of the light emitting molecules at a macroscopic level.

일 실시 예에 따르면, 발광 분자들과 카이럴 도펀트를 혼합시킨 상태에서 열 어닐링 예를 들어, 140도 이상으로 열 어닐링을 수행하고 상온에서 냉각시키는 경우, 발광 분자는 카이럴 도펀트에 의하여 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 나선형 적층 구조를 가질 수 있다. 즉, 열 어닐링을 통하여, 메조 페이즈(mesophase)로 상 변이를 시킨 후 냉각시키는 경우, 발광 분자가 나선형 적층 구조를 가질 수 있는 것이다.According to an embodiment, when thermal annealing is performed in a state in which the light emitting molecules and the chiral dopant are mixed, for example, the thermal annealing is performed at 140 degrees or more and cooled at room temperature, the light emitting molecules may be formed by the chiral dopant as shown in FIG. As shown in b), it may have a spiral laminate structure. That is, in the case of cooling after the phase transition to mesophase through heat annealing, the light emitting molecules may have a spiral stacked structure.

상기 카이럴 물질에 의하여, 발광 분자들이 나선형 적층 구조를 가지기 때문에, 발광 분자에서 생성된 광은, 특정 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 나선 적층된 발광 분자들로 이루어진 발광층(140)은, 상기 제1 전극(110)을 향하여, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제2 전극(170)을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사할 수 있게 된다.Because of the chiral material, since the light emitting molecules have a spiral stacked structure, the light generated from the light emitting molecules may have a polarization state rotating in a specific direction. The light emitting layer 140 formed of spirally stacked light emitting molecules emits first light having a polarization state rotating in a first direction toward the first electrode 110, and toward the second electrode 170. The second light having the polarization state rotating in the second direction opposite to the first direction can be emitted.

이 때, 종래 기술과 달리, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 발광 분자들이 발광 분자들의 적층 방향으로 나선형 형상을 가지도록 함으로써, 생성되는 광에 부여되는 회전 편광 특성을 극대화할 수 있다.At this time, unlike the prior art, according to an embodiment of the present invention, by allowing the light emitting molecules to have a spiral shape in the stacking direction of the light emitting molecules, it is possible to maximize the rotation polarization characteristics applied to the generated light.

다시 도 1을 참조하면, 상기 발광층(140)은. 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 및 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.Referring back to Figure 1, the light emitting layer 140. It may be formed using a variety of methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett, inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI).

상기 전자 수송층(150, electron transporting layer, ETL)은, 상기 발광층(140)에 형성되어, 상기 광출사층(105)으로 전자를 수송할 수 있다. 이를 위하여, 상기 전자 수송층(150)은 예를 들어, Alq3, PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq(lithium quinolate), BMB-3T, PF-6P, TPBI, COT 및 SAlq 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transporting layer 150 (ETL) may be formed in the emission layer 140 to transport electrons to the light emission layer 105. To this end, the electron transport layer 150 is, for example, at least one of Alq3, PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq (lithium quinolate), BMB-3T, PF-6P, TPBI, COT and SAlq It may be made of, but not limited to.

상기 전자 주입층(160, electron injection layer, EIL)은, 상기 전자 수송층(150) 상에 형성되어, 상기 전자 수송층(150)으로 전자를 주입할 수 있다. 이를 위하여, 상기 전자 주입층(160)은, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The electron injection layer 160 may be formed on the electron transport layer 150 to inject electrons into the electron transport layer 150. To this end, the electron injection layer 160 may be made of at least one of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq and SAlq.

상기 전자 수송층(150) 및 상기 전자 주입층(160)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The electron transport layer 150 and the electron injection layer 160 may be vacuum deposited, spin coated, cast, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, laser thermal induced (Laser Induced Thermal Imaging, LITI) and the like can be formed using various methods.

상기 제2 전극(170)은, 상기 전자 주입층(160) 상에 형성되며, 상기 전자 주입층(160)으로 전자를 제공할 수 있다. 상기 제2 전극(170)은, 고 전도도를 가지며, 상기 제2 전극(170)으로 출사된 광을 y' 방향으로 반사할 수 있도록 반사도를 가질 수 있다. 상기 제2 전극(170)은 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 170 may be formed on the electron injection layer 160 to provide electrons to the electron injection layer 160. The second electrode 170 may have a high conductivity and may have a reflectivity to reflect light emitted to the second electrode 170 in the y ′ direction. For example, the second electrode 170 may be made of at least one material of gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), and magnesium (Mg), but is not limited thereto. no.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 전극(170)은 서브 픽셀들에 의하여 공유되는 공유 전극으로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the second electrode 170 may be configured as a shared electrode shared by the subpixels.

상기 제2 전극(170) 상에는 캡핑층(미도시, Capping Layer)이 형성될 수 있다. 상기 캡핑층은 광 추출 효과를 증진시키는 역할을 한다. 상기 캡핑층은 정공 수송능력이 있는 유기물로 이루어질 수도 있고, 발광층을 구성하는 호스트 물질로 이루어질 수도 있다. 다만, 상기 캡핑층은 생략될 수도 있다.A capping layer (not shown) may be formed on the second electrode 170. The capping layer serves to enhance the light extraction effect. The capping layer may be made of an organic material having a hole transporting ability, or may be made of a host material constituting the light emitting layer. However, the capping layer may be omitted.

한편, 상기 제2 전극(170) 상에는 도시하지는 않았으나, 투습을 방지하는 봉지층이 형성될 수 있다.Although not shown, an encapsulation layer may be formed on the second electrode 170 to prevent moisture permeation.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전극(110)을 기준으로 광 출사 방향 즉, y' 방향에는 편광층(180)이 위치할 수 있다. 상기 편광층은, 원 편광층과 상기 원 편광층을 기준으로 y' 방향에 위치한 선 편광층으로 이루어질 수 있다. 상기 편광층(180)은 상기 원 편광층의 편광 상태와 부합하는 광을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 이 때, 상기 편광층(180)의 원 편광층은 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가진 광을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 즉, 상기 편광층(180)은, 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가진 광이 상기 편광층(180)을 통과하지 못하도록 차단할 수 있다. 상기 편광층(180)의 구체적인 기능에 대해서는 도 2를 참조하여, 후술하기로 한다. 상기 편광층의 원 편광층은 타원 편광층도 포함하는 개념으로 이해될 수 있다.According to an embodiment, the polarization layer 180 may be positioned in the light emission direction, that is, the y 'direction, based on the first electrode 110. The polarizing layer may include a circular polarizing layer and a linear polarizing layer positioned in the y 'direction with respect to the circular polarizing layer. The polarization layer 180 may selectively pass light corresponding to the polarization state of the circular polarization layer. In this case, the circular polarization layer of the polarization layer 180 may selectively pass light having a polarization state rotating in the first direction. That is, the polarization layer 180 may block light having a polarization state rotating in a second direction from passing through the polarization layer 180. Specific functions of the polarization layer 180 will be described later with reference to FIG. 2. The circular polarizing layer of the polarizing layer may be understood as a concept including an elliptical polarizing layer.

한편 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이(100)는 이하의 공정에 의하여 제조될 수 있다. 먼저 기판(미도시)이 제공될 수 있다. 기판 상에, 포토리소그래피 공정을 통하여 각 픽셀을 제어하는 적어도 하나의 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시턴스를 포함하는 구동층이 형성될 수 있다. 상기 구동층 상에는, 제1 전극(110)이 포토 리소그래피 공정 또는 액상 공정으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(110) 상에는, 광출사층(105)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 광출사층(105)은, 유기 분자가 고분자인 경우, 용액 공정 즉, 솔루블(soluble) 공정으로 도포될 수 있다. 이와 달리, 유기 분자가 저분자인 경우, 기상 증착 공정을 통하여, 증착될 수 있다. 상기 카이럴 물질은, 상기 광출사층(105) 예를 들어, 발광층(140)과 함께 형성될 수 있다. 상기 광출사층(105) 상에는 제2 전극(170)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(170) 상에는 수분 및 공기의 투습을 방지하는 인캡슐레이션(encapsulation) 예를 들어, 유기-무기 복합 배리어층이 형성될 수 있다.Meanwhile, the display 100 according to the first embodiment of the present invention may be manufactured by the following process. First, a substrate (not shown) may be provided. On the substrate, a driving layer including at least one transistor and at least one capacitance for controlling each pixel through a photolithography process may be formed. On the driving layer, the first electrode 110 may be formed by a photolithography process or a liquid phase process. The light emission layer 105 may be formed on the first electrode 110. In this case, the light emitting layer 105 may be applied by a solution process, that is, a soluble process, when the organic molecules are polymers. In contrast, when the organic molecules are low molecular weight, they may be deposited through a vapor deposition process. The chiral material may be formed together with the light emitting layer 105, for example, the light emitting layer 140. The second electrode 170 may be formed on the light emitting layer 105. An encapsulation (eg, organic-inorganic composite barrier layer) may be formed on the second electrode 170 to prevent moisture and air permeation.

이상 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하였다. 이하에서는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이의 작동 예를 설명하기로 한다.The display according to the first embodiment of the present invention has been described above with reference to FIG. 1. Hereinafter, an operation example of the display according to the first embodiment of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이의 작동 예를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining an operation example of the display according to the first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이가 외부 광 반사를 차단하는 예를 설명하고, 광 효율을 극대화하는 예를 설명하기로 한다.Referring to FIG. 3, an example in which the display according to the first embodiment of the present invention blocks external light reflection will be described, and an example of maximizing light efficiency will be described.

상기 디스플레이(100)는 상기 외부 광(Lout)이 y'에서 y방향으로 입사된 후, 다시 y에서 y'로 진행함에 있어서, 편광층(180) 외측으로 벗어나지 못하도록 차단할 수 있다. 이로써, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이는 외부 광 차단 효과를 제공할 수 있다. 이하 구체적으로 설명하기로 한다.The display 100 may block the external light Lout from being incident from y 'to the y direction and then proceed from y to y' to prevent the external light Lout from exiting the polarization layer 180. Thus, the display according to the first embodiment of the present invention may provide an external light blocking effect. It will be described in detail below.

계속하여 도 3을 참조하면, 먼저, 외부 광(Lout)이 디스플레이(100) 내부로 진입하는 환경이 조성될 수 있다. 이 때, 외부 광(Lout)은 디스플레이(100)로 진입하기 전에는 무 편광 상태(non polarized state)를 가질 수 있다. 그러나, 상기 편광층(180)이 진행 방향에 대하여 제1 방향 즉, 반 시계 방향으로 회전하는 광을 선택적으로 통과시키기 때문에, 상기 외부 광(Lout)이 상기 디스플레이(100)의 편광층(180)을 통과한 이후에는 광 진행 방향(y'에서 y)을 기준으로 y'에서 바라 보았을 때, 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 된다.3, first, an environment in which external light Lout enters into the display 100 may be created. In this case, the external light Lout may have a non polarized state before entering the display 100. However, since the polarizing layer 180 selectively passes the light rotating in the first direction, that is, counterclockwise, with respect to the advancing direction, the external light Lout is the polarizing layer 180 of the display 100. After passing through, it has a polarization state that rotates in a first direction that is counterclockwise when viewed from y 'with respect to the light propagation direction (y' to y).

상기 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout))은 y' 방향에서 y 방향으로 진행할 수 있다. 이에, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout)은 상기 광출사층(105)을 통과하여, 상기 제2 전극(170)에 의하여 반사될 수 있다. 이에 따라 외부 광(Lout)의 진행 방향이 y'에서 y 방향이었다가 y에서 y' 방향으로 변경될 수 있다. 상기 외부 광(Lout)의 편광 상태는 반사에 의하여 회전 방향이 바뀔 수 있다. 즉, 외부 광(Lout)의 편광 방향은 진행 방향(y'에서 y)에 대하여 반 시계 방향인 제1 방향에서, 진행 방향(y에서 y')에 대하여 시계 방향인 제2 방향으로 바뀔 수 있다. 제2 전극(170) 반사에 의하여 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout)은 광출사층(105)을 통과하여, 편광층(180)에 이를 수 있다. 그러나, 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout)은, 제1 방향으로 회전하는 광을 선택적으로 통과시키는 편광층(180)을 통과할 수 없다. 이에 따라, 외부 광(Lout)이 디스플레이(100) 내부로 조사되는 경우에도, 디스플레이(100) 내부로 진입한 외부 광(Lout)이 뷰어에게 시인되는 것을 차단할 수 있다.External light Lout having a polarization state rotating in the counterclockwise first direction may travel in the y direction in the y 'direction. Accordingly, the external light Lout having the polarization state rotating in the first direction may pass through the light emission layer 105 and be reflected by the second electrode 170. Accordingly, the traveling direction of the external light Lout may be changed from y 'to y direction and then changed from y to y' direction. The rotation direction of the polarization state of the external light Lout may be changed by reflection. That is, the polarization direction of the external light Lout may be changed from the first direction counterclockwise with respect to the travel direction y 'to y, and from the second direction clockwise with respect to the travel direction y to y'. . The external light Lout having the polarization state rotating in the second direction by the reflection of the second electrode 170 may pass through the light exit layer 105 to reach the polarization layer 180. However, the external light Lout having the polarization state rotating in the second direction cannot pass through the polarization layer 180 that selectively passes the light rotating in the first direction. Accordingly, even when the external light Lout is irradiated into the display 100, the external light Lout entering the inside of the display 100 may be blocked from being recognized by the viewer.

이상, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이가 외부 광 반사를 차단하는 효과를 제공함을 설명하였다. 이하에서는 광 효율을 극대화하는 예를 설명하기로 한다.It has been described above that the display according to the first embodiment of the present invention provides an effect of blocking external light reflection. Hereinafter, an example of maximizing light efficiency will be described.

상기 발광층(140)에서 생성된 광은, 제1 전극(110)을 향하여 진행하는 제1 광(Lin1)과, 제2 전극(170)을 향하여 진행하는 제2 광(Lin2)으로 구별될 수 있다. 이 때, 상기 발광층(140)에서 생성된 광은 상기 카이럴 물질(190)에 의하여 나선형 형상으로 적층된 발광 분자들에 의하여 회전 편광 상태를 가질 수 있다. The light generated by the emission layer 140 may be divided into a first light Lin1 traveling toward the first electrode 110 and a second light Lin2 traveling toward the second electrode 170. . In this case, the light generated by the light emitting layer 140 may have a rotation polarization state by light emitting molecules stacked in a spiral shape by the chiral material 190.

구체적으로, 상기 제1 광(Lin1)은, 카이럴광 진행 방향(y에서 y')에 대하여, 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광(Lin1)은 편광층(180)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 광(Lin1)은 뷰어에게 전달될 수 있다.Specifically, the first light Lin1 may have a polarization state that rotates in a first direction that is counterclockwise with respect to the chiral light propagation direction (y to y ′). The first light Lin1 having a polarization state rotating in the first direction may pass through the polarization layer 180. Accordingly, the first light Lin1 may be transmitted to the viewer.

상기 제2 광(Lin2)은, 카이럴광 진행 방향(y'에서 y)에 대하여, 시계 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광(Lin2)은 상기 제2 전극(170)에 의하여 반사될 수 있다. 상기 제2 전극(170)에 의하여 반사된 제2 광(Lin2)은, 광 진행 방향(y에서 y')에 대하여 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광(Lin2)은 편광층(180)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 광(Lin2)은 뷰어에게 전달될 수 있다.The second light Lin2 may have a polarization state that rotates in a second direction that is clockwise with respect to the chiral light traveling direction y ′ to y. The second light Lin2 having the polarization state rotating in the second direction may be reflected by the second electrode 170. The second light Lin2 reflected by the second electrode 170 may have a polarization state that rotates in a first direction counterclockwise with respect to the light propagation direction y to y '. The second light Lin2 having the polarization state rotating in the first direction may pass through the polarization layer 180. Accordingly, the second light Lin2 may be transmitted to the viewer.

요약하면, 상기 발광층(140)에서 생성된 광은, 무작위 방향으로 진행하는 광 진행 경로를 가질 수 있다. 상기 발광층(140)에서 생성된 광은, 무작위 경로를 가지되, 제1 전극(110)을 향하는 제1 광(Lin1)과 제2 전극(170)을 향하는 제2 광(Lin2)으로 크게 구분될 수 있다. 이 때, 제1 광(Lin1)은, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지므로 편광층(180)을 통과할 수 있고, 제2 광(Lin2)은, 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 초기에 가지지만, 제2 전극(170)에 반사됨으로써, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 광 뿐 만 아니라, 제2 광 모두 편광층(180)을 통과할 수 있다. 이에 따라 뷰어에게 전달되는 광 효율이 극대화될 수 있다.In summary, the light generated by the emission layer 140 may have a light propagation path traveling in a random direction. The light generated by the emission layer 140 has a random path, and may be largely divided into a first light Lin1 directed to the first electrode 110 and a second light Lin2 directed to the second electrode 170. Can be. At this time, since the first light Lin1 has a polarization state rotating in the first direction, the first light Lin1 can pass through the polarization layer 180, and the second light Lin2 has a polarization state rotating in the second direction. Although initially included, the light may be reflected by the second electrode 170 to have a polarization state rotating in the first direction. Accordingly, not only the first light but also the second light may pass through the polarization layer 180. Accordingly, the light efficiency delivered to the viewer can be maximized.

이상, 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이의 작동 예를 설명하였다. 이하에서는 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예의 제1 내지 제3 변형 예들을 설명하기로 한다. 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예의 변형 예들을 설명함에 있어서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 제1 실시 예와 중복되는 구성에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.The operation example of the display according to the first embodiment of the present invention has been described above with reference to FIG. 3. Hereinafter, first to third modified examples of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6. 4 to 6, in the modifications of the first embodiment of the present invention, a description of a configuration overlapping with the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3 will be omitted.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(190)이 상기 정공 수송층(130) 및 상기 전자 수송층(150) 중 적어도 하나의 층에 포함될 수 있다. 이 경우 상기 카이럴 물질(190)은 상기 정공 수송층(130)을 이루는 분자들 및/또는 상기 전자 수송층(150)을 이루는 분자들을 분자들의 두께 방향으로 나선형 구조로 적층시킬 수 있다.Referring to FIG. 4, according to a first modified example of the present invention, the chiral material 190 may be included in at least one layer of the hole transport layer 130 and the electron transport layer 150. In this case, the chiral material 190 may stack the molecules constituting the hole transport layer 130 and / or the molecules constituting the electron transport layer 150 in a spiral structure in the thickness direction of the molecules.

이 경우, 상기 발광층(140)에서 생성된 광 중 제1 전극(110)을 향하는 제1 광(Lin1)은 상기 분자들이 나선형 적층 구조를 가지는 정공 수송층(130)에 의하여카이럴 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 광(Lin1)은 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지므로, 상기 편광층(180)을 통과할 수 있다.In this case, the first light Lin1 toward the first electrode 110 among the light generated by the light emitting layer 140 may have a chiral rotation polarization state by the hole transport layer 130 in which the molecules have a spiral stacked structure. Can be. That is, since the first light Lin1 has a polarization state rotating in the first direction, the first light Lin1 may pass through the polarization layer 180.

또한, 상기 발광층(140)에서 생성된 광 중 제2 전극(170)을 향하는 제2 광(Lin2)은 상기 분자들이 나선형 적층 구조를 가지는 전자 수송층(150) 카이럴에 의하여 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 광(Lin2)은 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지며, 상술한 바와 같이 상기 제2 전극(170)에 의하여 반사됨으로써, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 광(Lin2)은 상기 편광층(180)을 통과할 수 있다.In addition, the second light Lin2 toward the second electrode 170 of the light generated by the light emitting layer 140 may have a rotation polarization state by the electron transport layer 150 chiral in which the molecules have a spiral stacked structure. have. That is, the second light Lin2 may have a polarization state that rotates in a second direction, and may be reflected by the second electrode 170 as described above, thereby having a polarization state that rotates in a first direction. Accordingly, the second light Lin2 may pass through the polarization layer 180.

도 4를 참조한 본 발명의 제1 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(190)이 상기 정공 수송층(130) 및 상기 전자 수송층(150)에 포함된 것을 설명하였으나, 상기 카이럴 물질(190)이 상기 정공 수송층(130) 및 상기 전자 수송층(150) 뿐 만 아니라, 상기 발광층(140)에도 포함될 수 있음은 물론이다.According to the first modified example of the present invention with reference to FIG. 4, the chiral material 190 is included in the hole transport layer 130 and the electron transport layer 150, but the chiral material 190 is Not only the hole transport layer 130 and the electron transport layer 150 but also the light emitting layer 140 may be included.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(190)이 상기 정공 주입층(120) 및 상기 전자 주입층(160) 중 적어도 하나의 층에 포함될 수 있다. 이 경우 상기 카이럴 물질(190)은 상기 정공 주입층(120)을 이루는 분자들 및/또는 상기 전자 주입층(160)을 이루는 분자들을 분자들의 두께 방향으로 나선형 구조로 적층시킬 수 있다.Referring to FIG. 5, according to a second modified example of the present invention, the chiral material 190 may be included in at least one of the hole injection layer 120 and the electron injection layer 160. In this case, the chiral material 190 may stack molecules forming the hole injection layer 120 and / or molecules forming the electron injection layer 160 in a spiral structure in the thickness direction of the molecules.

이 경우, 상기 발광층(140)에서 생성된 광 중 제1 전극(110)을 향하는 제1 광(Lin1)은 상기 분자들이 나선형 적층 구조를 가지는 정공 주입층(120)에 의하여카이럴 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 광(Lin1)은 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지므로, 상기 편광층(180)을 통과할 수 있다.In this case, the first light Lin1 directed toward the first electrode 110 among the light generated by the light emitting layer 140 may generate a chiral rotation polarization state by the hole injection layer 120 having the spiral stacked structure. Can have That is, since the first light Lin1 has a polarization state rotating in the first direction, the first light Lin1 may pass through the polarization layer 180.

또한, 상기 발광층(140)에서 생성된 광 중 제2 전극(170)을 향하는 제2 광(Lin2)은 상기 분자들이 나선형 적층 구조를 가지는 전자 주입층(160)에 의하여카이럴 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 광(Lin2)은 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지며, 상술한 바와 같이 상기 제2 전극(170)에 의하여 반사됨으로써, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 광(Lin2)은 상기 편광층(180)을 통과할 수 있다.In addition, the second light Lin2 toward the second electrode 170 of the light generated by the emission layer 140 may have a chiral rotation polarization state by the electron injection layer 160 having the spiral stacked structure. Can be. That is, the second light Lin2 may have a polarization state that rotates in a second direction, and may be reflected by the second electrode 170 as described above, thereby having a polarization state that rotates in a first direction. Accordingly, the second light Lin2 may pass through the polarization layer 180.

도 5를 참조한 본 발명의 제2 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(190)이 상기 정공 주입층(120) 및 상기 전자 주입층(160)에 포함된 것을 상정하였으나, 상기 카이럴 물질(190)이 상기 발광층(140), 상기 정공 수송층(130) 및 상기 전자 수송층(150) 중 적어도 하나의 층에 더 포함될 수 있음은 물론이다.According to the second modified example of the present invention with reference to FIG. 5, it is assumed that the chiral material 190 is included in the hole injection layer 120 and the electron injection layer 160, but the chiral material 190 ) May be further included in at least one of the light emitting layer 140, the hole transport layer 130 and the electron transport layer 150.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예의 제3 변형 예에 따른 디스플레이(103)는 텐덤(tandom) 구조에 본 발명의 기술적 사상이 적용된 예를 도시한다. 텐덤 구조라 함은, 두 개 이상의 광출사층이 직렬로 연결된 구조를 의미할 수 있다. 이 때, 전하 생성층(charge generation layer)은 개별 광출사층의 계면을 제공할 수 있다. 이하 구체적으로 설명하기로 한다.Referring to FIG. 6, the display 103 according to the third modified example of the first embodiment of the present invention shows an example in which the technical spirit of the present invention is applied to a tandem structure. The tandem structure may refer to a structure in which two or more light emitting layers are connected in series. In this case, the charge generation layer may provide an interface of the individual light emission layers. It will be described in detail below.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예의 제3 변형 예에 따른 디스플레이(103)는 편광층(180)을 기준으로 y 방향으로, 제1 전극(110), 제1 광출사층(105a), 전하 생성층(165), 제2 광출사층(105b) 및 제2 전극(170) 순서로 적층된 구조를 가질 수 있다. 이 때, 제1 광출사층(105a)는, 제1 정공 주입층(120a), 제1 정공 수송층(130a), 제1 발광층(140a), 제1 전자 수송층(150a) 및 제1 전자 주입층(160a)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 광출사층(105b)는, 제2 정공 주입층(120b), 제2 정공 수송층(130b), 제2 발광층(140b), 제2 전자 수송층(150b) 및 제2 전자 주입층(160b)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the display 103 according to the third modified example of the first embodiment of the present invention has a first electrode 110 and a first light emitting layer 105a in the y direction based on the polarization layer 180. ), The charge generating layer 165, the second light emitting layer 105b, and the second electrode 170 may be stacked in this order. At this time, the first light emission layer 105a includes the first hole injection layer 120a, the first hole transport layer 130a, the first light emitting layer 140a, the first electron transport layer 150a, and the first electron injection layer. 160a. In addition, the second light emission layer 105b may include the second hole injection layer 120b, the second hole transport layer 130b, the second light emitting layer 140b, the second electron transport layer 150b, and the second electron injection layer ( 160b).

상기 편광층(180), 상기 제1 전극(110), 상기 제2 전극(170)은 앞서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.Since the polarizing layer 180, the first electrode 110, and the second electrode 170 are the same as described above with reference to FIGS. 1 and 2, detailed descriptions thereof will be omitted.

상기 제1 정공 주입층(120a) 및 상기 제2 정공 주입층(120b)은, 정공의 주입을 원활하게 하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들어, MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine), PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The first hole injection layer 120a and the second hole injection layer 120b may perform a function of smoothly injecting holes. For this purpose, for example, MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), CuPc (copper phthalocyanine), PEDOT / PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) and NPD ( N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine) may be made of at least one material, but is not limited thereto.

상기 제1 정공 수송층(130a) 및 제2 정공 수송층(130b)은, 정공의 수송을 원활하게 하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들어, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The first hole transport layer 130a and the second hole transport layer 130b may perform a function of smoothly transporting holes. For this purpose, for example, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine ), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine), but may not be limited thereto.

상기 제1 전자 수송층(150a) 및 상기 제2 전자 수송층(150b)은 광출사층으로 전자를 수송할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들어, Alq3, PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq(lithium quinolate), BMB-3T, PF-6P, TPBI, COT 및 SAlq 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The first electron transport layer 150a and the second electron transport layer 150b may transport electrons to the light exit layer. To this end, for example, Alq3, PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq (lithium quinolate), may be made of at least one material of BMB-3T, PF-6P, TPBI, COT and SAlq, but is not limited thereto. It doesn't happen.

상기 제1 전자 주입층(160a) 및 상기 제2 전자 주입층(160b)은 전자 수송층으로 전자를 주입할 수 있다. 이를 위하여, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The first electron injection layer 160a and the second electron injection layer 160b may inject electrons into the electron transport layer. To this end, it may be made of at least one material of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq and SAlq.

상기 제1 발광층(140a)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Dark Blue) 발광층, 스카이 블루(Sky Blue) 발광층, 적색-청색(Red-Blue) 발광층, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층으로 구성될 수 있다. 상기 청색(Blue) 발광층, 진청색(Dark Blue) 발광층, 스카이 블루(Sky Blue) 발광층의 발광 영역의 피크 파장(peak wavelength)은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있다. 그리고, 상기 적색-청색(Red-Blue) 발광층의 발광영역의 피크 파장(peak wavelength)은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있다. 그리고, 상기 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층의 발광 영역의 피크 파장(peak wavelength)은 510㎚ 내지 580㎚ 범위가 될 수 있다.The first light emitting layer 140a may be a blue light emitting layer, a dark blue light emitting layer, a sky blue light emitting layer, a red-blue light emitting layer, a yellow-green light emitting layer, or green. (Green) It may be composed of a light emitting layer. The peak wavelengths of the light emitting regions of the blue light emitting layer, the dark blue light emitting layer, and the sky blue light emitting layer may range from 440 nm to 480 nm. In addition, the peak wavelength of the light emitting region of the red-blue light emitting layer may be in the range of 600 nm to 650 nm. In addition, the peak wavelength of the light emitting region of the yellow-green light emitting layer or the green light emitting layer may be in a range of 510 nm to 580 nm.

상기 제2 발광층(140b)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Dark Blue) 발광층, 스카이 블루(Sky Blue) 발광층, 적색-청색(Red-Blue) 발광층, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층으로 구성될 수 있다. 상기 청색(Blue) 발광층, 진청색(Dark Blue) 발광층, 스카이 블루(Sky Blue) 발광층의 발광영역의 피크 파장(peak wavelength)은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있다. 그리고, 상기 적색-청색(Red-Blue) 발광층의 발광 영역의 피크 파장(peak wavelength)은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있다. 그리고, 상기 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층의 발광 영역의 피크 파장(peak wavelength)은 510㎚ 내지 580㎚ 범위가 될 수 있다.The second light emitting layer 140b may be a blue light emitting layer, a dark blue light emitting layer, a sky blue light emitting layer, a red-blue light emitting layer, a yellow-green light emitting layer, or green. (Green) It may be composed of a light emitting layer. Peak wavelengths of the light emitting regions of the blue light emitting layer, the dark blue light emitting layer, and the sky blue light emitting layer may range from 440 nm to 480 nm. In addition, the peak wavelength of the light emitting region of the red-blue light emitting layer may range from 600 nm to 650 nm. In addition, the peak wavelength of the light emitting region of the yellow-green light emitting layer or the green light emitting layer may be in a range of 510 nm to 580 nm.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 발광층(140a)은 노란색과 녹색 사이에서 피크를 가지는 색을 발광하고, 상기 제2 발광층(140b)은 청색 광을 발광할 수 있다. 이로써, 상기 제1 발광층(140a)과 상기 제2 발광층(140b)에서 각각 발광된 광은, 조합되어 흰색 파장을 가질 수 있다.According to an embodiment, the first light emitting layer 140a may emit a color having a peak between yellow and green, and the second light emitting layer 140b may emit blue light. As a result, the light emitted from each of the first emission layer 140a and the second emission layer 140b may be combined to have a white wavelength.

이 때, 상기 제1 발광층(140a)은 제1 카이럴 물질(190a)을 포함하고, 상기 제2 발광층(140b)은 제2 카이럴 물질(190b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 카이럴 물질(190a, 190b)에 대해서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 동일하므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.In this case, the first light emitting layer 140a may include a first chiral material 190a, and the second light emitting layer 140b may include a second chiral material 190b. Since the first and second

chiral materials

190a and 190b are the same as those described with reference to FIGS. 1 to 3, detailed descriptions thereof will be omitted.

상기 전하 생성층(165)은 상기 제1 발광층(140a)와 상기 제2 발광층(140b) 사이에 위치할 수 있다. 상기 전하 생성층(165)은 상기 제1 발광층(140a) 및 제2 발광층(140b) 간의 전하 균형을 조절한다. 상기 전하 생성층(165)은 N형 전하 생성층과 P형 전하 생성층을 포함할 수 있다. 상기 N형 전하 생성층은 각각 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 P형 전하 생성층은 각각 P형 도펀트가 포함된 유기층으로 이루어질 수 있다. The charge generation layer 165 may be located between the first emission layer 140a and the second emission layer 140b. The charge generating layer 165 controls the charge balance between the first light emitting layer 140a and the second light emitting layer 140b. The charge generation layer 165 may include an N-type charge generation layer and a P-type charge generation layer. The N-type charge generating layer may be formed of an organic layer doped with an alkali metal such as Li, Na, K, or Cs, or an alkaline earth metal such as Mg, Sr, Ba, or Ra, respectively. In addition, the P-type charge generating layer may be formed of an organic layer each containing a P-type dopant.

이상 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예의 제1 내지 제3 변형 예를 설명하였다. 이하에서는 도 7을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예의 제4 변형 예를 설명하기로 한다.4 to 6, the first to third modified examples of the first embodiment of the present invention have been described. Hereinafter, a fourth modified example of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7.

본 발명의 제1 실시 예의 제4 변형 예에 따르면, 광출사층(105)의 분자들이 정렬된다는 점에서 본 발명의 제1 실시 예, 제1 실시 예의 제1 내지 제3 변형 예와 차이가 있다. 그 외, 편광층(180), 제1 전극(110), 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 수송층(150), 전자 주입층(160) 및 제2 전극(170)은 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 구조 및 기능이 대응되므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.According to the fourth modified example of the first embodiment of the present invention, the molecules of the light emitting layer 105 are aligned, which is different from the first to third modified examples of the first and first embodiments of the present invention. . In addition, the polarization layer 180, the first electrode 110, the hole injection layer 120, the hole transport layer 130, the electron transport layer 150, the electron injection layer 160, and the second electrode 170 are described above. Since the structure and function correspond to those described with reference to FIGS. 1 to 3, detailed descriptions thereof will be omitted.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예의 제4 변형 예에 따른 발광층(140)은 상술한 카이럴 물질(190)을 포함할 수 있음은 물론이며, 상기 발광층(140)을 이루는 유기 분자는 정렬될 수 있다는 점에서 특징이 있다. Referring to FIG. 7, the light emitting layer 140 according to the fourth modification of the first embodiment of the present invention may include the chiral material 190 described above, and the organic molecules forming the light emitting layer 140. Is characterized in that it can be aligned.

카이럴일 실시 예에 따르면, 상기 발광층(140)의 유기 분자(142)는 상기 유기 분자(142)의 장축이 상기 제1 전극(110) 및 상기 제2 전극(170)과 실질적으로 평행하도록 도 6에 도시된 바와 같이, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. 카이럴카이럴이 때, 상기 유기 분자(242)와 카이럴 물질(190)은 제1 전극 및 제2 전극에 평행하게 정렬되되, y 축 방향으로, 유기 분자(242)의 장축이 나선형으로 회전하는 방식으로 정렬될 수 있다.According to a chiral embodiment, the organic molecules 142 of the emission layer 140 may be formed such that the major axis of the organic molecules 142 is substantially parallel to the first electrode 110 and the second electrode 170. As shown in FIG. 6, they may be aligned in the xx 'direction. In chiral chiral, the organic molecules 242 and the chiral material 190 are aligned parallel to the first electrode and the second electrode, and in the y-axis direction, the long axis of the organic molecules 242 rotates helically. Can be sorted in such a way.

이하, 본 발명의 제1 실시 예의 제4 변형 예에 따른 효과가 설명된다. Hereinafter, effects according to the fourth modification of the first embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 제1 실시 예의 제4 변형 예에 따르면, 발광층(140)의 유기 분자(142)가 특정 방향 예를 들어, 도 7의 x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광층(140)이 출사하는 광은 선 편광(linearly polarized)을 가질 수 있다. 또한, 상기 발광층(140)에서 생성된 선 편광 광은, 카이럴 발광 분자들의 나선형 적층 구조에 의하여, 제1 방향 및 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. According to the fourth modified example of the first embodiment of the present invention, the organic molecules 142 of the emission layer 140 may be aligned in a specific direction, for example, the x-x 'direction of FIG. 7. Accordingly, the light emitted from the emission layer 140 may have linearly polarized light. In addition, the linearly polarized light generated by the emission layer 140 may have a polarization state that rotates in a first direction and a second direction by a spiral stacked structure of chiral light emitting molecules.

이 때, 상기 발광층(140)이 상기 유기 분자(142)의 정렬에 의하여 선 편광 광을 출사하기 때문에 제1 방향 및 제2 방향으로 회전하는 편광의 효율이 증가할 수 있다. 다시 말해, 상기 발광층(140)이 무 편광된 광을 출사하는 경우에 비하여, 유기 분자(142)의 정렬에 의하여 선 편광된 광을 출사하는 경우에, 원 편광 효율(타원 편광 효율)을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 도 3을 참고하여 설명한 제1 광(Lin1) 및 제2 광(Lin2)중 편광층(180)을 통과하는 광의 비율이 증가하게 되므로 광 효율이 더 향상될 수 있다.At this time, since the light emitting layer 140 emits linearly polarized light by the alignment of the organic molecules 142, the efficiency of polarization rotating in the first and second directions may increase. In other words, when the light emitting layer 140 emits light linearly polarized by the alignment of the organic molecules 142, the circularly polarized light efficiency (elliptical polarization efficiency) may be increased. Can be. Accordingly, since the ratio of the light passing through the polarization layer 180 among the first light Lin1 and the second light Lin2 described with reference to FIG. 3 increases, the light efficiency may be further improved.

이하, 유기 분자의 정렬 방법이 설명된다. Hereinafter, the alignment method of organic molecules is demonstrated.

상기 발광층(140)의 유기 분자(142)가 정렬되기 위해서, 상기 발광층(140)과 계면하는 인접하는 층이 특정 방향으로 배향될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(140)보다 먼저 형성되는 정공 수송층(130)이 특정 방향으로 배향될 수 있다. 상기 정공 수송층(130)의 표면이 특정 방향으로 배열됨으로써, 상기 정공 수송층(130)과 계면하는 발광층(140)도 특정 방향으로 배열 유도될 수 있다.In order to align the organic molecules 142 of the emission layer 140, adjacent layers interfacing with the emission layer 140 may be aligned in a specific direction. For example, the hole transport layer 130 formed before the light emitting layer 140 may be aligned in a specific direction. Since the surface of the hole transport layer 130 is arranged in a specific direction, the light emitting layer 140 interfacing with the hole transport layer 130 may also be induced in a specific direction.

예를 들어, 상기 정공 수송층(130)은 러빙(rubbing)을 통하여 특정 방향으로 정렬될 수 있다. 이와 달리, 상기 정공 수송층(130)은 선 평광된 광을 조사하는 광 배향을 통하여 특정 방향으로 정렬될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 광배향되는 경우를 상정하기로 한다.For example, the hole transport layer 130 may be aligned in a specific direction through rubbing. Alternatively, the hole transport layer 130 may be aligned in a specific direction through a light orientation for irradiating line flattened light. Hereinafter, for convenience of description, it will be assumed that the optical orientation.

광배향을 위하여, 상기 정공 수송층(130)은 폴리이미드(Polyimide), 폴리아믹산(Polyamic acid), 폴리노보넨, 페닐 말레이미드 공중합체, 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinnamate), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리아미드(Polyamide), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리스틸렌(Polystylene), 폴리페닐렌프탈아미드(Polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(Polyester), 폴리우레탄(Polyurethane), 폴리실록산에시나메이트(Polysiloxanecinnamate), 셀룰로세신나메이트(cellulosecinnamate)계화합물 및 폴리메틸 메타크릴 레이트(Polymethyl methacrylate)계 화합물로 구성된 군에서 선택된 고분자물질을 더 포함할 수 있다. 즉, 도 1을 참조하여 설명한 정공 수송 물질에 상술한 광배향 물질이 더 포함될 수 있다. 이와 달리, 상기 정공 수송층(130)은 광배향 물질로만 이루어질 수도 있다.For photoalignment, the hole transport layer 130 is made of polyimide, polyamic acid, polynorbornene, phenyl maleimide copolymer, polyvinylcinnamate, polyazobenzene, polyethylene Polyethyleneimine, Polyvinyl alcohol, Polyamide, Polyethylene, Polystylene, Polyphenylenephthalamide, Polyester, Polyurethane, The polymer may further include a polymer selected from the group consisting of polysiloxanecinnamate, cellulosecinnamate-based compound, and polymethyl methacrylate-based compound. That is, the above-described photoalignment material may be further included in the hole transport material described with reference to FIG. 1. Alternatively, the hole transport layer 130 may be made of only a light alignment material.

상기 정공 수송층(130)에 자외선 예를 들어, 선편광되거나, 타원 편광, 원편광된 자외선, 무 편광 자외선이 인가될 수 있다. 이에 따라, 상기 정공 수송층(130)의 표면은 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 배향될 수 있다.Ultraviolet rays, for example, linearly polarized light, elliptically polarized light, circularly polarized light, and non-polarized light may be applied to the hole transport layer 130. Accordingly, the surface of the hole transport layer 130 may be oriented in a specific direction, for example, x-x 'direction.

배향된 정공 수송층(130) 상에 발광층(140)이 형성될 수 있다. 상기 발광층(140)을 이루는 유기 분자(142) 및 카이럴 물질(190)은 상기 정공 수송층(130)이 제공하는 배향 방향 즉 x-x' 방향으로 배향된 상태로 형성될 수 있다.The light emitting layer 140 may be formed on the oriented hole transport layer 130. The organic molecules 142 and the chiral material 190 constituting the emission layer 140 may be formed in an alignment direction provided by the hole transport layer 130, that is, in an x-x 'direction.

이상, 본 발명의 제1 실시 예의 제4 변형 예에 따른 구조 및 효과를 설명하였다. 본 발명의 제4 변형 예를 설명함에 있어서, 발광층(140)의 유기 분자가 정렬되는 것으로 설명하였지만, 광출사층(105)의 발광층(140) 외의 다른 층도 정렬될 수 있음은 물론이다. In the above, the structure and effect of the 4th modified example of the 1st Example of this invention were demonstrated. In describing the fourth modified example of the present invention, the organic molecules of the light emitting layer 140 have been described as being aligned, but other layers other than the light emitting layer 140 of the light emitting layer 105 may be aligned.

구체적으로 제4 변형 예의 기술적 사상은 제1 실시 예의 제1 변형 예에 적용될 수 있다. 이 경우, 카이럴 물질(190)이 포함된 상기 정공 수송층(130) 및 상기 전자 수송층(150)의 유기 분자도 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. 만약, 정공 수송층(130)의 정렬이 필요한 경우, 정공 수송층(130) 보다 먼저 형성되는 정공 주입층(120)이 러빙 또는 광배향될 수 있다. 또한, 전자 수송층(150)의 정렬이 필요한 경우, 전자 수송층(150) 보다 먼저 형성되는 발광층(140)이 러빙 또는 광배향될 수 있다. 이로써, 상기 정공 수송층(130) 및 상기 전자 수송층(150)의 유기 분자도 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다.Specifically, the technical idea of the fourth modified example may be applied to the first modified example of the first embodiment. In this case, the organic molecules of the hole transport layer 130 and the electron transport layer 150 including the chiral material 190 may also be aligned in a specific direction, for example, x-x 'direction. If the hole transport layer 130 needs to be aligned, the hole injection layer 120 formed before the hole transport layer 130 may be rubbed or photoaligned. In addition, when alignment of the electron transport layer 150 is required, the emission layer 140 formed before the electron transport layer 150 may be rubbed or photoaligned. Thus, the organic molecules of the hole transport layer 130 and the electron transport layer 150 may also be aligned in a specific direction, for example, x-x 'direction.

또한, 제4 변형 예의 기술적 사상은, 제1 실시 예의 제2 변형 예에 적용될 수 있다. 이 경우, 카이럴 물질(190)이 포함된 상기 정공 주입층(120) 및 상기 전자 주입층(160)의 유기 분자도 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. 만약 정공 주입층(120)의 정렬이 필요한 경우, 제1 전극(110)과 정공 주입층(120) 사이에 특정 방향으로 배향된 배향층이 형성될 수 있다. 또한 전자 주입층(160)의 정렬이 필요한 경우, 전자 주입층(160) 보다 먼저 형성되는 전자 수송층(150)이 러빙 또는 광배향될 수 있다. 이로써, 상기 정공 주입층(120) 및 상기 전자 주입층(160)의 유기 분자도 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다.In addition, the technical idea of the fourth modified example may be applied to the second modified example of the first embodiment. In this case, the organic molecules of the hole injection layer 120 and the electron injection layer 160 including the chiral material 190 may also be aligned in a specific direction, for example, x-x 'direction. If alignment of the hole injection layer 120 is required, an alignment layer oriented in a specific direction may be formed between the first electrode 110 and the hole injection layer 120. In addition, when alignment of the electron injection layer 160 is required, the electron transport layer 150 formed before the electron injection layer 160 may be rubbed or photoaligned. Thus, the organic molecules of the hole injection layer 120 and the electron injection layer 160 may also be aligned in a specific direction, for example, x-x 'direction.

또한, 제4 변형 예의 기술적 사상은, 제1 실시 예의 제3 변형 예에도 적용될 수 있다. 이 경우, 제1 카이럴 물질(190a)이 포함된 제1 발광층(140a)과 제2 카이럴 물질(190b)이 포함된 제2 발광층(140b)의 유기 분자도 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. 이를 위하여, 상기 제1 발광층(140a)의 유기 분자(미도시)는 상술한 방법으로 러빙 또는 광배향 공정을 통하여 정렬시킬 수 있다. 이 후 상기 제2 발광층(140b)의 유기 분자(미도시)는 상기 제1 발광층(140a)에서 출사된 선 편광 광을 통하여, 제2 정공 수송층(130b)를 배향시킴으로써, 특정 방향으로 정렬할 수 있다. 이 때, 상기 제1 발광층(140a)은 청색을 발광하고, 상기 제2 발광층(140b)는 YG(yellow-green)를 발광할 수 있다. 이로서, 유기 분자 정렬 공정을 줄일 수 있다.In addition, the technical idea of the fourth modified example may be applied to the third modified example of the first embodiment. In this case, organic molecules of the first light emitting layer 140a including the first chiral material 190a and the second light emitting layer 140b including the second chiral material 190b may also have a specific direction, for example, xx '. Can be aligned in the direction. To this end, the organic molecules (not shown) of the first emission layer 140a may be aligned through a rubbing or photoalignment process by the above-described method. Thereafter, the organic molecules (not shown) of the second emission layer 140b may be aligned in a specific direction by orienting the second hole transport layer 130b through linearly polarized light emitted from the first emission layer 140a. have. In this case, the first light emitting layer 140a may emit blue, and the second light emitting layer 140b may emit yellow-green (YG). As a result, the organic molecular alignment process can be reduced.

본 발명의 제1 실시 예, 그 제1 변형 예, 제2 변형 예, 제3 변형 예, 제4 변형 예의 기술적 사상이 서로 조합되어 실시될 수 있음은 물론이다.Of course, the technical spirit of the first embodiment, the first modification, the second modification, the third modification, and the fourth modification may be combined with each other.

이상 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예 및 그 변형 예들에 따른 디스플레이를 설명하였다. 이하에서는 도 8을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예 및 그 변형 예들의 활용 예를 설명하기로 한다.The display according to the first embodiment of the present invention and its modified examples has been described above with reference to FIGS. 1 to 7. Hereinafter, with reference to FIG. 8, the application of the first embodiment of the present invention and its modifications will be described.

도 8은 본 발명의 제1 실시 예 및 그 변형 예들의 활용 예를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining an application example of the first embodiment of the present invention and its modifications.

상술한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이, 그 변형 예들은 상부 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.The above-described display according to the first embodiment of the present invention, modifications thereof may be applied to the top light emitting display device.

도 8을 참조하면, 하부 발광 표시 장치는, 기판(S)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the lower light emitting display device may include a substrate S. FIG.

상기 기판(S)은, 유리 기판 뿐 만 아니라, 유연 기판 예를 들어, PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylenaphthalate), PI(polyimide) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The substrate S may be made of not only a glass substrate, but also a flexible substrate, for example, at least one material of polyethylene terephthalate (PET), polyethylenaphthalate (PEN), and polyimide (PI).

상기 기판(S) 상에는 픽셀 예를 들어, 서브 픽셀들(Psub1, Psub2)이 제공될 수 있다. 상기 서브 픽셀들(Psub1, Psub2)은, 트랜지스터 소자(T), 애노드 전극(AE), 광출사층(LG), 캐소드 전극(CE)을 포함할 수 있다.Pixels, for example, subpixels Psub1 and Psub2 may be provided on the substrate S. The subpixels Psub1 and Psub2 may include a transistor device T, an anode electrode AE, a light emission layer LG, and a cathode electrode CE.

상기 트랜지스터 소자(T)는 상기 기판(S) 상에 마련되며, 액티브층(ACT), 상기 액티브층(ACT) 상에 마련되는 제1 절연막(I1), 상기 제1 절연막(I1) 상에 마련되는 게이트 전극(GE), 상기 게이트 전극(GE) 상에 마련되는 제2 절연막(I2), 상기 제2 절연막(I2) 상에 마련되며, 제1 및 제2 콘택홀(CNT1, CNT2)을 통해 상기 액티브층(ACT)에 접촉하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 트랜지스터 소자(T)는 상술한 바와 달리, 다른 방식으로 구현될 수 있음은 물론이다.The transistor element T is provided on the substrate S, and is provided on the active layer ACT, the first insulating film I1 and the first insulating film I1 provided on the active layer ACT. The gate electrode GE, the second insulating film I2 provided on the gate electrode GE, and the second insulating film I2 provided on the first and second contact holes CNT1 and CNT2. It may include a source electrode SE and a drain electrode DE in contact with the active layer ACT. As described above, the transistor device T may be implemented in other ways.

상기 트랜지스터 소자(T)는 소스 전극(SE)에 인가된 구동신호를 드레인 전극(DE)을 통하여 애노드 전극(AE)으로 전달할 수 있다. 즉, 상기 트랜지스터 소자(T)의 게이트 전극(GE)에 온 신호가 인가된 경우, 상기 애노드 전극(AE)은 구동 신호를 인가받을 수 있다.The transistor device T may transmit a driving signal applied to the source electrode SE to the anode AE through the drain electrode DE. That is, when an on signal is applied to the gate electrode GE of the transistor device T, the anode AE may receive a driving signal.

상기 게이트 전극(GE))는 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The gate electrode GE is a metal or an alloy of at least one of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, and Cu. Or it may be formed in multiple layers.

상기 액티브층(ACT)은, 반도체 물질을 포함할 수 있고, 상기 반도체 물질은, 비정질 및/또는 결정질을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브층(ACT)은, IGZO, ZnO, SnO2, In2O3, Zn2SnO4, Ge2O3 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. The active layer ACT may include a semiconductor material, and the semiconductor material may be amorphous and / or crystalline. For example, the active layer ACT may be formed of at least one material of IGZO, ZnO, SnO 2, In 2 O 3, Zn 2 SnO 4, and Ge 2 O 3.

상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)는 예를 들어 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The source electrode SE and the drain electrode DE may be any one of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu, for example. With one metal or alloy thereof, it can be formed in a single layer or in multiple layers.

상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 상에는 층간 절연막(ILD)가 마련될 수 있다. An interlayer insulating layer ILD may be provided on the source electrode SE and the drain electrode DE.

상기 애노드 전극(AE)은, 상기 층간 절연막(ILD) 상에 형성되고, 상기 애노드 전극(AE)은, 상기 층간 절연막(ILD)에 형성된 제3 콘택홀(CNT3)을 통하여, 상기 드레인 전극(DE)와 연결될 수 있다. The anode electrode AE is formed on the interlayer insulating film ILD, and the anode electrode AE is formed on the drain electrode DE through a third contact hole CNT3 formed in the interlayer insulating film ILD. ) Can be connected.

한편, 서브 픽셀들 사이에는, 격벽이 형성될 수 있으며, 이로 인해, 상기 서브 픽셀들은 서로 분할될 수 있다. 상기 격벽은, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx)과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 아크릴 수지(acrylic resin)와 같은 유기절연물질 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.Meanwhile, partition walls may be formed between the subpixels, and thus, the subpixels may be divided with each other. The partition wall may include at least one of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) or an organic insulating material such as benzocyclobutene or acrylic resin. .

상기 서브 픽셀 별로, 상기 애노드 전극(AE) 상에는, 광출사층(LG)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광출사층(LG)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함할 수 있다. 이 때, 서브 픽셀 별로, 상기 발광층은, 서로 다른 색의 광을 출사할 수 있도록 마련될 수 있다. 이로써, 서브 픽셀 별로 상이한 색의 광을 출사할 수 있다. 이와 달리, 텐덤 구조의 경우, 픽셀들이 공통적으로 흰색 광을 출사할 수 있도록 마련될 수 있다. 이 경우, 컬러필터를 통하여, 색상이 구현될 수 있다.For each of the subpixels, a light emission layer LG may be formed on the anode AE. For example, the light emission layer LG may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In this case, the light emitting layer may be provided to emit light of different colors for each subpixel. As a result, light of different colors can be emitted for each subpixel. Alternatively, in the case of a tandem structure, pixels may be commonly provided to emit white light. In this case, the color may be implemented through the color filter.

상기 캐소드 전극(CE)는 상기 광출사층(LG)과 격벽 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 상기 캐소드 전극(CE)은 상기 광출사층(LG)으로 전자를 제공할 수 있다.The cathode electrode CE may be provided on the light emitting layer LG and the partition wall. For example, the cathode electrode CE may provide electrons to the light emission layer LG.

상기 캐소드 전극(CE) 상에는 봉지층 및/또는 대향 기판이 제공될 수 있다. 상기 봉지층 및/또는 대향 기판은, 상기 표시 장치의 내부로 침투할 수 있는 수분 및/또는 산소를 차단할 수 있다.An encapsulation layer and / or an opposing substrate may be provided on the cathode electrode CE. The encapsulation layer and / or the opposing substrate may block moisture and / or oxygen that may penetrate into the display device.

상기 하부 발광 표시 장치는, 생성된 광을 기판 방향으로 출사할 수 있다. 상기 하부 발광 표시 장치는, 애노드 전극 방향으로 광을 출사하므로, 캐소드 전극은 고 전도성 물질로 구현될 수 있다. 이에 따라, 하부 발광 표시 장치는 대면적 표시 장치에 유리할 수 있다.The lower light emitting display device may emit the generated light toward the substrate. Since the lower light emitting display device emits light toward the anode electrode, the cathode electrode may be made of a highly conductive material. Accordingly, the lower light emitting display device may be advantageous to a large area display device.

본 발명의 제1 실시 예 및 그 변형 예들의 광출사층은, 상기 하부 발광 표시 장치의 광 출사층(LG)에 적용될 수 있다.The light emitting layer of the first exemplary embodiment and modified examples thereof may be applied to the light emitting layer LG of the lower light emitting display device.

이상, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하였다. 이하에서는 도 9 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하기로 한다. 앞서, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이가 하부 발광 방식인 반면, 후술할 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이는 상부 발광 방식이라는 점에서 차이가 있다.In the above, the display according to the first embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, a display according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 through 14. Previously, while the display according to the first embodiment of the present invention is a bottom emission method, the display according to the second embodiment of the present invention to be described later is different in that it is a top emission method.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이는, y'에서 y 방향으로 기판(미도시), 액티브층(미도시), 제1 전극(210), 광출사층(205), 제2 전극(270), 편광층(280) 순서로 적층된 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 9, the display according to the second embodiment of the present disclosure may include a substrate (not shown), an active layer (not shown), a first electrode 210, and a light emitting layer 205 in the y 'direction. The second electrode 270 and the polarization layer 280 may have a stacked structure.

상기 제2 실시 예에 따른 제1 전극(210)은 제1 실시 예의 제1 전극(110)과 달리, 반사면을 제공하도록 불투명성을 가지는 고 전도도의 전극 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(210)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide: ITO)와 같이 일함수가 높은 투명 도전성 물질층과 은(Ag) 또는 은 합금(Ag alloy)과 같은 반사 물질층을 포함할 수 있다.Unlike the first electrode 110 of the first embodiment, the first electrode 210 according to the second embodiment may be made of a high conductivity electrode material having an opacity to provide a reflective surface. For example, the first electrode 210 may be formed of a transparent conductive material layer having a high work function, such as indium-tin-oxide (ITO), and silver (Ag) or silver alloy (Ag alloy). It may include a reflective material layer.

상기 제1 전극(210)은 이웃하는 픽셀 간에 공유 되도록 공유 전극으로서 형성될 수도 있고, 각 픽셀 마다 분할하여 형성될 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 제1 전극(210)은 분할 전극인 경우를 상정하기로 한다. 이 경우, 상기 제1 전극(110)은 각 픽셀 마다 개별적으로 제어될 수 있다.The first electrode 210 may be formed as a shared electrode to be shared between neighboring pixels, or may be dividedly formed for each pixel. Hereinafter, for convenience of description, it will be assumed that the first electrode 210 is a split electrode. In this case, the first electrode 110 may be individually controlled for each pixel.

상기 광출사층(205)은 각 픽셀 별로 적색, 청색, 녹색을 발광할 수 있도록 구성될 수 있다. 이를 위하여, 상기 광 출사층(205)은 정공 주입층(220), 정공 수송층(230), 발광층(240), 전자 수송층(250), 전자 주입층(260)을 포함할 수 있다.The light emitting layer 205 may be configured to emit red, blue, and green light for each pixel. To this end, the light emitting layer 205 may include a hole injection layer 220, a hole transport layer 230, a light emitting layer 240, an electron transport layer 250, an electron injection layer 260.

제2 실시 예에 따른 정공 주입층(220), 정공 수송층(230), 발광층(240), 전자 수송층(250), 전자 주입층(260)은 각각 제1 실시 예에 따른 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 발광층(140), 전자 수송층(150), 전자 주입층(160)에 각각 대응되므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.The hole injection layer 220, the hole transport layer 230, the emission layer 240, the electron transport layer 250, and the electron injection layer 260 according to the second embodiment may each be the hole injection layer 120 according to the first embodiment. , Corresponding to the hole transport layer 130, the light emitting layer 140, the electron transport layer 150, and the electron injection layer 160, a detailed description thereof will be omitted.

제2 실시 예에 따른 발광층(240)도 카이럴 물질(290)을 포함할 수 있다. 상기 카이럴 물질(290)은 상기 발광층(240)을 이루는 유기 발광 분자들이 나선형 적층 구조를 가지도록 비틀림 각도를 제공할 수 있다.카이럴 상기 나선형 적층 구조에 의하여, 상기 발광층(240)에서 생성된 광은, 상기 제2 전극(270)을 향하여, 제1 방향(진행 방향에 대하여, 반 시계 방향, 즉, y'-y 경로에 대하여 반 시계 방향)으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제1 전극(210)을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향(진행 방향에 대하여, 시계 방향, 즉, y-y' 경로에 대하여 시계 방향)으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사할 수 있다. The light emitting layer 240 according to the second embodiment may also include a chiral material 290. The chiral material 290 may provide a twist angle such that the organic light emitting molecules constituting the light emitting layer 240 have a spiral stacked structure. The chiral material formed in the light emitting layer 240 is formed by the spiral stacked structure. The light is directed toward the second electrode 270 and has a first light having a polarization state rotating in a first direction (counterclockwise with respect to the advancing direction, that is, counterclockwise with respect to the y'-y path). Has a polarization state that is emitted and rotates toward the first electrode 210 in a second direction (clockwise with respect to the advancing direction, that is, clockwise with respect to the yy 'path) which is opposite to the first direction. The second light can be emitted.

제2 전극(270)은, 광을 y 방향으로 출사하기 위하여, 투명 전극으로 이루어질 수 있다.The second electrode 270 may be formed of a transparent electrode to emit light in the y direction.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 전극(270)은 서브 픽셀들에 의하여 공유되는 공유 전극으로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the second electrode 270 may be configured as a shared electrode shared by the subpixels.

상기 제2 전극(270) 상에는 캡핑층(미도시, Capping Layer)이 형성될 수 있다. 상기 캡핑층은 광 추출 효과를 증진시키는 역할을 한다. 상기 캡핑층은 정공 수송능력이 있는 유기물로 이루어질 수도 있고, 발광층을 구성하는 호스트 물질로 이루어질 수도 있다. 다만, 상기 캡핑층은 생략될 수도 있다.A capping layer (not shown) may be formed on the second electrode 270. The capping layer serves to enhance the light extraction effect. The capping layer may be made of an organic material having a hole transporting ability, or may be made of a host material constituting the light emitting layer. However, the capping layer may be omitted.

한편, 상기 제2 전극(270) 상에는 도시하지는 않았으나, 투습을 방지하는 봉지층이 형성될 수 있다.Although not shown, an encapsulation layer may be formed on the second electrode 270 to prevent moisture permeation.

상기 제2 전극(270) 상에는 편광층(280)이 형성될 수 있다. 상기 편광층(280)은 원 편광층과 상기 원 편광층을 기준으로 y 방향에 위치한 선 편광층으로 이루어질 수 있다. 상기 편광층(280)은 상기 원 편광층의 편광 상태와 부합하는 광을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 이 때, 상기 편광층(280)의 상기 원 편광층은 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가진 광을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 즉, 상기 편광층(280)은, 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가진 광이 상기 편광층(280)을 통과하지 못하도록 차단할 수 있다.The polarization layer 280 may be formed on the second electrode 270. The polarization layer 280 may include a circular polarization layer and a linear polarization layer positioned in the y direction with respect to the circular polarization layer. The polarization layer 280 may selectively pass light corresponding to the polarization state of the circular polarization layer. In this case, the circular polarization layer of the polarization layer 280 may selectively pass light having a polarization state rotating in the first direction. That is, the polarization layer 280 may block light having a polarization state rotating in a second direction from passing through the polarization layer 280.

이상 도 8을 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하였다. 이하에서는 도 9를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이의 작동 예를 설명하기로 한다.The display according to the second exemplary embodiment of the present invention has been described above with reference to FIG. 8. Hereinafter, an operation example of the display according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9.

본 발명의 제2 실시 예에 다른 디스플레이도 상술한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이와 같이, 외부 광 반사를 차단할 수 있고, 광 효율을 극대화할 수 있다. Like the display according to the first embodiment of the present invention, a display other than the second embodiment of the present invention may block external light reflection and maximize light efficiency.

상기 디스플레이(200)는 y에서 y'방향으로 입사한 외부 광(Lout)이 상기 디스플레이(100) 내부에서 반사되어 뷰어에게 전달되지 못하도록 외부 광 차단 효과를 제공할 수 있다.The display 200 may provide an external light blocking effect to prevent external light Lout incident from y to y 'direction to be reflected inside the display 100 and transmitted to the viewer.

도 10을 참조하면, 먼저, 외부 광(Lout)이 디스플레이(200) 내부로 진입하는 환경이 조성될 수 있다. 이 때, 외부 광(Lout)은 디스플레이(200)로 진입하기 전에는 무 편광 상태를 가질 수 있다. 그러나, 상기 편광층(280)이 진행 방향에 대하여 제1 방향 즉, 반 시계 방향으로 회전하는 광을 선택적으로 통과시키기 때문에, 상기 외부 광(Lout)이 상기 디스플레이(200)의 편광층(280)을 통과한 이후에는 광 진행 방향(y에서 y')을 기준으로 y에서 바라 보았을 때, 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 된다.Referring to FIG. 10, first, an environment in which external light Lout enters into the display 200 may be created. In this case, the external light Lout may have a non-polarization state before entering the display 200. However, since the polarizing layer 280 selectively passes the light rotating in the first direction, that is, counterclockwise, with respect to the advancing direction, the external light Lout is the polarizing layer 280 of the display 200. After passing through, it has a polarization state that rotates in the first direction, which is counterclockwise when viewed from y with respect to the light propagation direction (y to y ').

상기 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout))은 y 방향에서 y' 방향으로 진행할 수 있다. 이에, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout)은 상기 광출사층(205)을 통과하여, 상기 제1 전극(210)에 의하여 반사될 수 있다. 이에 따라 외부 광(Lout)의 진행 방향이 y에서 y' 방향이었다가 y'에서 y 방향으로 변경될 수 있다. 상기 외부 광(Lout)의 편광 상태는 반사에 의하여 회전 방향이 바뀔 수 있다. 즉, 외부 광(Lout)의 편광 방향은 진행 방향(y'에서 y)에 대하여 반 시계 방향인 제1 방향에서, 진행 방향(y'에서 y)에 대하여 시계 방향인 제2 방향으로 바뀔 수 있다. 제1 전극(210) 반사에 의하여 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout)은 광출사층(205)을 통과하여, 편광층(280)에 이를 수 있다. 그러나, 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 외부 광(Lout)은, 제1 방향으로 회전하는 광을 선택적으로 통과시키는 편광층(280)을 통과할 수 없다. 이에 따라, 외부 광(Lout)이 디스플레이(200) 내부로 조사되는 경우에도, 디스플레이(200) 내부로 진입한 외부 광(Lout)이 뷰어에게 시인되는 것을 차단할 수 있다.External light Lout having a polarization state rotating in the counterclockwise first direction may travel in the y 'direction in the y direction. Accordingly, the external light Lout having the polarization state rotating in the first direction may pass through the light output layer 205 and be reflected by the first electrode 210. Accordingly, the traveling direction of the external light Lout may be changed from y to y 'and then changed from y' to y. The rotation direction of the polarization state of the external light Lout may be changed by reflection. That is, the polarization direction of the external light Lout may be changed from the first direction counterclockwise with respect to the traveling direction y 'to y and from the second direction clockwise with respect to the traveling direction y' to y. . The external light Lout having the polarization state rotating in the second direction by the reflection of the first electrode 210 may pass through the light emission layer 205 and reach the polarization layer 280. However, the external light Lout having the polarization state rotating in the second direction cannot pass through the polarization layer 280 that selectively passes the light rotating in the first direction. Accordingly, even when the external light Lout is irradiated into the display 200, the external light Lout entering the inside of the display 200 may be blocked from being recognized by the viewer.

이상, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이가 외부 광 반사를 차단하는 효과를 제공함을 설명하였다. 이하에서는 광 효율을 극대화하는 예를 설명하기로 한다.It has been described above that the display according to the second embodiment of the present invention provides an effect of blocking external light reflection. Hereinafter, an example of maximizing light efficiency will be described.

상기 발광층(240)에서 생성된 광은, 제2 전극(270)을 향하여 진행하는 제1 광(Lin1)과, 제1 전극(210)을 향하여 진행하는 제2 광(Lin2)으로 구별될 수 있다. 이 때, 상기 발광층(240)에서 생성된 광은 상기 카이럴 물질(290)에 의하여 나선형 형상으로 적층된 발광 분자들에 의하여 회전 편광 상태를 가질 수 있다. The light generated by the emission layer 240 may be divided into a first light Lin1 traveling toward the second electrode 270 and a second light Lin2 traveling toward the first electrode 210. . In this case, the light generated by the light emitting layer 240 may have a rotation polarization state by light emitting molecules stacked in a spiral shape by the chiral material 290.

구체적으로, 상기 제1 광(Lin1)은, 카이럴광 진행 방향(y'에서 y)에 대하여, 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광(Lin1)은 편광층(280)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 광(Lin1)은 뷰어에게 전달될 수 있다.Specifically, the first light Lin1 may have a polarization state that rotates in a first direction that is counterclockwise with respect to the chiral light propagation direction y ′ to y. The first light Lin1 having a polarization state rotating in the first direction may pass through the polarization layer 280. Accordingly, the first light Lin1 may be transmitted to the viewer.

상기 제2 광(Lin2)은, 카이럴광 진행 방향(y에서 y')에 대하여, 시계 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광(Lin2)은 상기 제1 전극(210)에 의하여 반사될 수 있다. 상기 제1 전극(210)에 의하여 반사된 제2 광(Lin2)은, 광 진행 방향(y'에서 y)에 대하여 반 시계 방향인 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광(Lin2)은 편광층(280)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 광(Lin2)은 뷰어에게 전달될 수 있다.The second light Lin2 may have a polarization state that rotates in a second direction that is clockwise with respect to the chiral light traveling direction y to y ′. The second light Lin2 having the polarization state rotating in the second direction may be reflected by the first electrode 210. The second light Lin2 reflected by the first electrode 210 may have a polarization state that rotates in a first direction counterclockwise with respect to the light propagation direction y ′ to y. The second light Lin2 having the polarization state rotating in the first direction may pass through the polarization layer 280. Accordingly, the second light Lin2 may be transmitted to the viewer.

요약하면, 상기 발광층(240)에서 생성된 광은, 무작위 경로를 가지되, 제2 전극(270)을 향하는 제1 광(Lin1)과 제2 전극(210)을 향하는 제2 광(Lin2)으로 크게 구분될 수 있다. 이 때, 제1 광(Lin1)은, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지므로 편광층(280)을 통과할 수 있고, 제2 광(Lin2)은, 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 초기에 가지지만, 제1 전극(210)에 반사됨으로써, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 광 뿐 만 아니라, 제2 광 모두 편광층(280)을 통과할 수 있다. 이에 따라 뷰어에게 전달되는 광 효율이 극대화될 수 있다.In summary, the light generated by the light emitting layer 240 has a random path, but is a first light Lin1 directed to the second electrode 270 and a second light Lin2 directed to the second electrode 210. It can be divided largely. At this time, since the first light Lin1 has a polarization state rotating in the first direction, the first light Lin1 can pass through the polarization layer 280, and the second light Lin2 has a polarization state rotating in the second direction. Although initially included, the light may be polarized to rotate in the first direction by being reflected by the first electrode 210. Accordingly, not only the first light but also the second light may pass through the polarization layer 280. Accordingly, the light efficiency delivered to the viewer can be maximized.

이상, 도 10을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이의 작동 예를 설명하였다. 이하에서는 도 11을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예의 제1 변형 예가 설명된다.The operation example of the display according to the second embodiment of the present invention has been described above with reference to FIG. 10. Hereinafter, a first modified example of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제2 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(290)이 상기 정공 수송층(230) 및 상기 전자 수송층(250) 중 적어도 하나의 층에 포함될 수 있다. 이 경우 상기 카이럴 물질(290)은 상기 정공 수송층(230)을 이루는 분자들 및/또는 상기 전자 수송층(250)을 이루는 분자들을 분자들의 두께 방향으로 나선형 구조로 적층시킬 수 있다.Referring to FIG. 11, according to a second modified example of the present invention, the chiral material 290 may be included in at least one of the hole transport layer 230 and the electron transport layer 250. In this case, the chiral material 290 may stack molecules forming the hole transport layer 230 and / or molecules forming the electron transport layer 250 in a spiral structure in the thickness direction of the molecules.

이 경우, 상기 발광층(240)에서 생성된 광 중 제2 전극(270)을 향하는 제1 광(Lin1)은 상기 나선형 적층 구조를 가지는 전자 수송층(250)에 카이럴의하여 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 광(Lin1)은 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지므로, 상기 편광층(280)을 통과할 수 있다.In this case, the first light Lin1 toward the second electrode 270 of the light generated by the light emitting layer 240 may have a rotational polarization state by chiral to the electron transport layer 250 having the spiral stacked structure. . That is, since the first light Lin1 has a polarization state rotating in the first direction, the first light Lin1 may pass through the polarization layer 280.

또한, 상기 발광층(240)에서 생성된 광 중 제1 전극(210)을 향하는 제2 광(Lin2)은 상기 나선형 적층 구조를 가지는 정공 수송층(230)에 카이럴의하여 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 광(Lin2)은 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지며, 상술한 바와 같이 상기 제1 전극(210)에 의하여 반사됨으로써, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 광(Lin2)은 상기 편광층(280)을 통과할 수 있다.In addition, the second light Lin2 directed toward the first electrode 210 of the light generated by the light emitting layer 240 may have a rotation polarization state by chiral to the hole transport layer 230 having the spiral stacked structure. That is, the second light Lin2 may have a polarization state that rotates in a second direction, and may be reflected by the first electrode 210 as described above, thereby having a polarization state that rotates in the first direction. Accordingly, the second light Lin2 may pass through the polarization layer 280.

도 11을 참조한 본 발명의 제2 실시 예의 제1 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(290)이 상기 정공 수송층(230) 및 상기 전자 수송층(250)에 포함된 것을 설명하였으나, 상기 카이럴 물질(290)이 상기 정공 수송층(230) 및 상기 전자 수송층(250) 뿐 만 아니라, 상기 발광층(240)에도 포함될 수 있음은 물론이다.According to the first modified example of the second embodiment of the present invention with reference to FIG. 11, the chiral material 290 has been described as being included in the hole transport layer 230 and the electron transport layer 250. The 290 may be included in the light emitting layer 240 as well as the hole transport layer 230 and the electron transport layer 250.

도 12를 참조하면, 본 발명의 제2 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(290)이 상기 정공 주입층(220) 및 상기 전자 주입층(260) 중 적어도 하나의 층에 포함될 수 있다. 이 경우 상기 카이럴 물질(290)은 상기 정공 수송층(220)을 이루는 분자들 및/또는 상기 전자 수송층(260)을 이루는 분자들을 분자들의 두께 방향으로 나선형 구조로 적층시킬 수 있다.Referring to FIG. 12, according to a second modified example of the present invention, the chiral material 290 may be included in at least one of the hole injection layer 220 and the electron injection layer 260. In this case, the chiral material 290 may stack the molecules constituting the hole transport layer 220 and / or the molecules constituting the electron transport layer 260 in a spiral structure in the thickness direction of the molecules.

이 경우, 상기 발광층(240)에서 생성된 광 중 제2 전극(270)을 향하는 제1 광(Lin1)은 상기 분자들이 나선형 적층 구조를 가지는 전자 주입층(260)에 카이럴의하여 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 광(Lin1)은 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지므로, 상기 편광층(280)을 통과할 수 있다.In this case, the first light Lin1 directed toward the second electrode 270 of the light generated by the light emitting layer 240 may generate a rotational polarization state by chiral to the electron injection layer 260 having the spiral stacked structure. Can have That is, since the first light Lin1 has a polarization state rotating in the first direction, the first light Lin1 may pass through the polarization layer 280.

또한, 상기 발광층(240)에서 생성된 광 중 제1 전극(210)을 향하는 제2 광(Lin2)은 상기 분자들이 나선형 적층 구조를 가지는 정공 주입층(220)에 카이럴의하여 회전 편광 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 광(Lin2)은 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지며, 상술한 바와 같이 상기 제1 전극(210)에 의하여 반사됨으로써, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 광(Lin2)은 상기 편광층(280)을 통과할 수 있다.In addition, the second light Lin 2 of the light generated from the light emitting layer 240 toward the first electrode 210 may have a rotational polarization state by chirality to the hole injection layer 220 having the spiral stacked structure. Can be. That is, the second light Lin2 may have a polarization state that rotates in a second direction, and may be reflected by the first electrode 210 as described above, thereby having a polarization state that rotates in the first direction. Accordingly, the second light Lin2 may pass through the polarization layer 280.

도 12를 참조한 본 발명의 제2 실시 예의 제2 변형 예에 따르면, 상기 카이럴 물질(290)이 상기 정공 주입층(220) 및 상기 전자 주입층(260)에 포함된 것을 상정하였으나, 상기 카이럴 물질(290)이 상기 발광층(240), 상기 정공 수송층(230) 및 상기 전자 수송층(250) 중 적어도 하나의 층에 더 포함될 수 있음은 물론이다.According to a second modified example of the second embodiment of the present invention with reference to FIG. 12, it is assumed that the chiral material 290 is included in the hole injection layer 220 and the electron injection layer 260. This material 290 may be further included in at least one of the light emitting layer 240, the hole transport layer 230 and the electron transport layer 250.

본 발명의 제2 실시 예의 제3 변형 예에 따르면, 광출사층(205)의 분자들이 정렬된다는 점에서 본 발명의 제2 실시 예, 제2 실시 예의 제1 및 제2 변형 예와 차이가 있다. 그 외, 편광층(280), 제1 전극(210), 정공 주입층(220), 정공 수송층(230), 전자 수송층(250), 전자 주입층(260) 및 제2 전극(270)은 앞서 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한 바와 구조 및 기능이 대응되므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.According to the third modified example of the second embodiment of the present invention, the molecules of the light emitting layer 205 are different from the first and second modified examples of the second and second embodiments of the present invention in that the molecules are aligned. . In addition, the polarization layer 280, the first electrode 210, the hole injection layer 220, the hole transport layer 230, the electron transport layer 250, the electron injection layer 260, and the second electrode 270 are described above. Structures and functions corresponding to those described with reference to FIGS. 9 and 10 will be omitted.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예의 제3 변형 예에 따른 발광층(240)은 상술한 카이럴 물질(290)을 포함할 수 있음은 물론이며, 상기 발광층(240)을 이루는 유기 분자는 정렬될 수 있다는 점에서 특징이 있다. Referring to FIG. 13, the light emitting layer 240 according to the third modification of the second embodiment of the present invention may not only include the chiral material 290 described above, but also organic molecules constituting the light emitting layer 240. Is characterized in that it can be aligned.

일 실시 예에 따르면, 상기 발광층(240)의 유기 분자(242)는 상기 유기 분자(242)의 장축이 상기 제1 전극(210) 및 상기 제2 전극(270)과 실질적으로 평행하도록 도 14에 도시된 바와 같이, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. 카이럴카이럴이 때, 상기 유기 분자(242)와 카이럴 물질(190)은 제1 전극 및 제2 전극에 평행하게 정렬되되, y 축 방향으로, 유기 분자(242)의 장축이 나선형으로 회전하는 방식으로 정렬될 수 있다.According to an embodiment, the organic molecules 242 of the emission layer 240 may have a long axis of the organic molecules 242 substantially parallel to the first electrode 210 and the second electrode 270. As shown, they may be aligned in the xx 'direction. In chiral chiral, the organic molecules 242 and the chiral material 190 are aligned parallel to the first electrode and the second electrode, and in the y-axis direction, the long axis of the organic molecules 242 rotates helically. Can be sorted in such a way.

유기 분자의 정렬 방법은 앞서 제1 실시 예의 제4 변형 예에서 설명한 바와 대응되므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since the alignment method of the organic molecules corresponds to those described in the fourth modification of the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.

이하, 본 발명의 제2 실시 예의 제3 변형 예에 따른 효과가 설명된다. 본 발명의 제2 실시 예의 제3 변형 예에 따르면, 발광층(240)의 유기 분자(242)가 특정 방향 예를 들어, 도 13의 x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광층(240)이 출사하는 광은 선 편광을 가질 수 있다. 또한, 상기 발광층(240)에서 생성된 선 편광 광은, 상기 유기 분자(242)들이 층상으로 비틀림에 따라 형성된 나선형 구조에 의하여, 제1 방향 및 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가질 수 있다. Hereinafter, the effect according to the third modification of the second embodiment of the present invention will be described. According to the third modified example of the second embodiment of the present invention, the organic molecules 242 of the emission layer 240 may be aligned in a specific direction, for example, the x-x 'direction of FIG. 13. Accordingly, the light emitted from the emission layer 240 may have linear polarization. In addition, the linearly polarized light generated by the emission layer 240 may have a polarization state that rotates in the first direction and the second direction by a spiral structure in which the organic molecules 242 are twisted in layers.

이 때, 상기 발광층(240)이 상기 유기 분자(242)의 정렬에 의하여 선 편광 광을 출사하기 때문에 제1 방향 및 제2 방향으로 회전하는 편광의 효율이 증가할 수 있다. 다시 말해, 상기 발광층(240)이 무 편광된 광을 출사하는 경우에 비하여, 유기 분자(242)의 정렬에 의하여 선 편광된 광을 출사하는 경우에, 원 편광 효율(타원 편광 효율)을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 도 10을 참고하여 설명한 제1 광(Lin1) 및 제2 광(Lin2)중 편광층(280)을 통과하는 광의 비율이 증가하게 되므로 광 효율이 더 향상될 수 있다.In this case, since the light emitting layer 240 emits linearly polarized light by the alignment of the organic molecules 242, the efficiency of polarization rotating in the first direction and the second direction may increase. In other words, when the light emitting layer 240 emits light linearly polarized by the alignment of the organic molecules 242, the circularly polarized light efficiency (elliptical polarization efficiency) may be increased. Can be. Accordingly, since the ratio of the light passing through the polarization layer 280 among the first light Lin1 and the second light Lin2 described with reference to FIG. 10 is increased, the light efficiency may be further improved.

이상, 본 발명의 제2 실시 예의 제3 변형 예에 따른 구조 및 효과를 설명하였다. 본 발명의 제2 실시 예의 제3 변형 예를 설명함에 있어서, 발광층(240)의 유기 분자가 정렬되는 것으로 설명하였지만, 광출사층(205)의 발광층(240) 외의 다른 층도 정렬될 수 있음은 물론이다. In the above, the structure and effects of the third modification of the second embodiment of the present invention have been described. In the third modification of the second embodiment of the present invention, the organic molecules of the light emitting layer 240 are described as being aligned, but other layers other than the light emitting layer 240 of the light emitting layer 205 may be aligned. Of course.

구체적으로 제3 변형 예의 기술적 사상은 제2 실시 예의 제1 변형 예에 적용될 수 있다. 이 경우, 카이럴 물질(290)이 포함된 상기 정공 수송층(230) 및 상기 전자 수송층(250)의 유기 분자도 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다. Specifically, the technical idea of the third modified example may be applied to the first modified example of the second embodiment. In this case, the organic molecules of the hole transport layer 230 and the electron transport layer 250 including the chiral material 290 may be aligned in a specific direction, for example, x-x 'direction.

또한, 제3 변형 예의 기술적 사상은, 제2 실시 예의 제2 변형 예에 적용될 수 있다. 이 경우, 카이럴 물질(290)이 포함된 상기 정공 주입층(220) 및 상기 전자 주입층(260)의 유기 분자도 특정 방향 예를 들어, x-x' 방향으로 정렬될 수 있다.In addition, the technical idea of the third modified example may be applied to the second modified example of the second embodiment. In this case, the organic molecules of the hole injection layer 220 and the electron injection layer 260 including the chiral material 290 may also be aligned in a specific direction, for example, x-x 'direction.

본 발명의 제2 실시 예, 그 제1 변형 예, 제2 변형 예, 제3 변형 예의 기술적 사상이 서로 조합되어 실시될 수 있음은 물론이다.Of course, the technical spirit of the second embodiment, the first modified example, the second modified example, and the third modified example of the present invention may be implemented in combination with each other.

상술한 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이, 그 변형 예들은 상부 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.The above-described display according to the second embodiment of the present invention, modifications thereof can be applied to the top light emitting display device.

도 14를 참조하면, 상부 발광 표시 장치는, 기판(S)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14, the upper light emitting display device may include a substrate S. FIG.

상기 서브 픽셀 별로, 상기 애노드 전극(AE) 상에는, 광출사층(LG)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광출사층(LG)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함할 수 있다. 이 때, 서브 픽셀 별로, 상기 발광층은, 서로 다른 색의 광을 출사할 수 있도록 마련될 수 있다. 이로써, 서브 픽셀 별로 상이한 색의 광을 출사할 수 있다.For each of the subpixels, a light emission layer LG may be formed on the anode AE. For example, the light emission layer LG may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In this case, the light emitting layer may be provided to emit light of different colors for each subpixel. As a result, light of different colors can be emitted for each subpixel.

상기 상부 발광 표시 장치는, 생성된 광을 기판과 반대 방향으로 출사할 수 있다. 이에 따라, 상기 상부 발광 표시 장치는, 상기 트랜지스터 소자(T)를 형성할 수 있는 공간이 넓고 개구율이 향상된다는 장점을 가진다.The upper light emitting display device may emit the generated light in a direction opposite to the substrate. Accordingly, the upper light emitting display device has an advantage that the space in which the transistor element T can be formed is large and the aperture ratio is improved.

본 발명의 제2 실시 예 및 그 변형 예들의 광출사층은, 상기 상부 발광 표시 장치의 광 출사층(LG)에 적용될 수 있다.The light emitting layer of the second exemplary embodiment and modified examples thereof may be applied to the light emitting layer LG of the upper light emitting display device.

이하 본 발명의 실험 예들 및 본 발명의 우수성이 설명된다.Hereinafter, the experimental examples of the present invention and the superiority of the present invention will be described.

실험을 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 상면 발광 디스플레이를 준비하였다. 보다 구체적으로 제1 실험 예에 따른 디스플레이는 LiF/Al으로 이루어진 애노드 전극, 애노드 전극 상에 형성되고 TPBi로 이루어진 정공 블로킹층, 정공 블로킹층 상에 형성되고 F8BT를 발광 분자로 하고 R5011을 오른쪽으로 비틀림 각도를 제공하는 카이럴 도펀트로 이루어진 발광층, 발광층 상에 형성되고 폴리이미드로 이루어진 정공 수송층, 정공 수송층 상에 형성되고 CuPC로 이루어진 정공 주입층 및 정공 주입층 상에 형성되고 ITO로 이루어진 캐소드 전극을 포함하도록 준비하였다. 이 때, 제1 실험 예에 따른 디스플레이는 폴리이미드로 이루어진 정공 수송층을 배향하여, 발광 분자가 정렬되도록 하였다. 즉, 제1 실험 예는 상술한 제2 실시 예의 제3 변형 예에 해당하는 것으로 볼 수 있다.For the experiment, a top-emitting display according to an embodiment of the present invention was prepared. More specifically, the display according to the first experimental example is formed on an anode electrode made of LiF / Al, a hole blocking layer made of TPBi, and a hole blocking layer made of TPBi, and F8BT is a light emitting molecule and twists R5011 to the right. A light emitting layer made of a chiral dopant providing an angle, a hole transport layer formed on the light emitting layer and made of polyimide, a hole injection layer formed on the hole transport layer and made of CuPC, and a cathode electrode made of ITO and formed of ITO To prepare. At this time, the display according to the first experimental example oriented the hole transport layer made of polyimide, so that the light emitting molecules are aligned. That is, the first experimental example may be regarded as corresponding to the third modified example of the second exemplary embodiment.

또한, 제2 실험 예로서, 제1 실험 예와 동일한 물질로 이루어지되, 배향되지 않은 디스플레이를 준비하였다. 즉, 제2 실험 예는 제2 실시 예에 해당하는 것으로 볼 수 있다.In addition, as a second experimental example, a display made of the same material as the first experimental example but not oriented was prepared. That is, the second experimental example may be regarded as corresponding to the second exemplary embodiment.

본 발명의 제1 실험 예와 제2 실험 예들과 대비를 위하여, R5011의 카이럴 도펀트를 포함하지 않는 제1 비교 예와 제2 비교 예를 준비하였다. 특히 제1 비교 예의 발광층은 배향되지 않은 F8BT 발광 분자를 포함하도록 구성하였고, 제2 비교 예의 발광층은 배향된 F8BT 발광 분자를 포함하도록 구성하였다. 앞서 설명한 바와 같이, 제1 비교 예와 제2 비교 예의 발광층은 카이럴 도펀트를 포함하지 않는다.In order to contrast with the first and second experimental examples of the present invention, a first comparative example and a second comparative example without the chiral dopant of R5011 were prepared. In particular, the light emitting layer of the first comparative example was configured to include unoriented F8BT light emitting molecules, and the light emitting layer of the second comparative example was configured to include oriented F8BT light emitting molecules. As described above, the light emitting layers of the first comparative example and the second comparative example do not include a chiral dopant.

표 1은 제1 실험 예, 제2 실험 예, 제1 비교 예 및 제2 비교 예의 특성을 비교한 표이다.Table 1 is a table comparing the characteristics of the first experimental example, the second experimental example, the first comparative example and the second comparative example.

구분division	제1 실험 예Experimental Example	제2 실험 예Experimental Example 2	제1 비교 예First Comparative Example	제2 비교 예Second comparison example
sample onlysample only	40294029	40314031	40234023	40144014
우원 편광판UW polarizer	28612861	24902490	18391839	18001800
좌원 편광판Left circle polarizer	792792	11751175	18191819	18371837
Sum of R+LSum of R + L	36523652	36653665	36583658	36373637
원편광비Circular polarization ratio	3.613.61	2.122.12	1.011.01	0.970.97
효율향상efficiency improvement	56.6%56.6%	35.9%35.9%	기준standard	기준standard
g-factorg-factor	-1.13-1.13	-0.71-0.71	00	00

표 1의 구분 란에 기재된 sample only는 편광판이 출사면에 형성되지 않은 경우의 출사 광의 세기를 의미하고, 우원 편광판과 좌원 편광판은 출사면에 각각 우원/좌원 편광판이 형성된 경우의 출사 광의 세기를 의미한다. Sum of R+L은 좌원/우원 편광판을 통과한 광의 세기를 의미한다.The sample only described in the division column of Table 1 means the intensity of the emitted light when the polarizer is not formed on the exit surface, and the right and left circle polarizers mean the intensity of the emitted light when the right / left polarizer is formed on the exit plane, respectively. do. Sum of R + L refers to the intensity of light passing through the left / right polarizer.

상기 표1을 참조하면, 제1 비교 예와 제2 비교 예에 있어서, 발광층에서 생성되는 광의 g-factor가 0이므로 무 편광 상태인 것을 확인할 수 있다. 이와 달리 제1 실험 예의 경우, 발광층에서 생성되는 광의 g-factor가 무려 -1.13으로 효율을 약 60%로 증가시킴을 확인할 수 있었다. 또한, 제2 실험 예의 경우, 발광층에서 생성되는 광의 g-factor가 -0.71이며, 효율을 약40% 증가시킴을 확인할 수 있었다. Referring to Table 1, in the first comparative example and the second comparative example, since the g-factor of the light generated in the light emitting layer is 0 it can be confirmed that the polarization state. In contrast, in the case of the first experimental example, it was confirmed that the g-factor of the light generated in the light emitting layer was -1.13, which increased the efficiency to about 60%. In addition, in the case of the second experimental example, it was confirmed that the g-factor of the light generated in the light emitting layer is -0.71, which increases the efficiency by about 40%.

이러한 g-factor 증가의 이유는 제1 및 제2 실험 예에 포함된 카이럴 도펀트가 발광 분자들에게 비틀림 각도를 제공하여, 발광 분자에 의하여 생성하는 광이 발광 분자들로 형성된 나선형 구조에 의하여 회전 편광 상태를 가지기 때문인 것으로 해석된다.The reason for the increase of the g-factor is that the chiral dopants included in the first and second experimental examples provide the torsion angles to the light emitting molecules, so that the light generated by the light emitting molecules is rotated by the spiral structure formed of the light emitting molecules. It is interpreted as having a polarization state.

한편, 앞서 제1 실시 예 및 제2 실시 예를 설명함에 있어서는 생략하였으나, 본 발명자들은 제1 실시 예와 제2 실시 예를 준비함에 있어서, R5011 카이럴 도펀트가 F8BT의 발광 분자들에게 나선형 구조를 제공하기 위하여 열 처리 공정을 수행하였다. 열 처리 공정을 설명하기 위하여 도 15을 참조하기로 한다.In the meantime, in the foregoing description of the first and second embodiments, the present inventors prepared the first and second embodiments, in which the R5011 chiral dopant provided a helical structure to the light emitting molecules of F8BT. A heat treatment process was performed to provide. Reference will be made to FIG. 15 to describe the heat treatment process.

도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 공정이 나선형 구조 형성에 미치는 영향을 설명하기 위한 도면이다.15 is a view for explaining the effect of the heat treatment process on the formation of the spiral structure according to an embodiment of the present invention.

도 15(a)를 참조하면, 단순히 F8BT로 이루어진 발광 분자들에게 R5011 카이럴 도펀트를 포함시키는 것만으로는 F8BT 발광 분자들이 나선형 구조를 가지지 않음이 확인되었다. 도 15(a)의 붉은 색 표시는 발광층의 배향 방향을 의미하고, 각도는 편광층의 편광 방향과 배향 방향 사이의 각도를 의미한다. 도 15(a)에 도시된 바와 같이 배향 방향과 편광 방향이 변함에도 불구하고 광 강도의 변화가 없음을 알 수 있다. 이는 발광 분자가 정렬을 하지 못한 isotropic하다는 것을 의미한다.Referring to FIG. 15 (a), it was confirmed that the F8BT light emitting molecules did not have a helical structure simply by including the R5011 chiral dopant in the light emitting molecules made of F8BT. In FIG. 15A, the red color indicates an alignment direction of the light emitting layer, and an angle means an angle between the polarization direction and the alignment direction of the polarizing layer. As shown in FIG. 15A, it can be seen that there is no change in light intensity despite the change in the alignment direction and the polarization direction. This means that the luminescent molecules are isotropic with no alignment.

이와 달리, 도 15(b)를 참조하면, F8BT로 이루어진 발광 분자들에게 R5011 카이럴 도펀트를 포함시킨 상태에서 140도 이상으로 열 어닐링을 수행하고 상온에서 냉각시키는 경우, 발광 분자가 카이럴 도펀트에 의하여 나선형 적층 구조를 가짐을 보여준다. 보다 구체적으로 열 어닐링을 통하여, 메조 페이즈(mesophase)로 상 변이를 시킨 후 냉각시키는 경우, 발광 분자가 나선형 적층 구조를 가질 수 있다. 도 15(b)에 도시된 바와 같이, 배향 방향과 편광 방향이 변화는 경우, 출사 광의 세기가 변함을 확인할 수 있다. 이는 열 처리에 의하여 발광 분자들이 카이럴 도펀트가 제공하는 HTP에 의하여 나선형 적층 구조로 정렬된 것을 의미한다.In contrast, referring to FIG. 15 (b), when the thermal annealing is performed at 140 ° C. or higher with the R5011 chiral dopant included in the F8BT-containing light emitting molecules, the light emitting molecules are cooled to the chiral dopant. It shows that it has a spiral laminated structure. More specifically, in the case of cooling after the phase transition to a meso phase (mesophase) through thermal annealing, the light emitting molecules may have a spiral stacked structure. As shown in FIG. 15B, when the orientation direction and the polarization direction are changed, it may be confirmed that the intensity of the emitted light is changed. This means that the light emitting molecules are arranged in a spiral stacked structure by HTP provided by a chiral dopant by heat treatment.

도 15을 참조하여 설명한 열 처리 공정은 앞서 설명한 제1 실시 예 및 그 변형 예들, 제2 실시 예 및 그 변형 예들에 적용될 수 있음은 물론이다.The heat treatment process described with reference to FIG. 15 may be applied to the above-described first embodiment, its modifications, the second embodiment, and its modifications.

이하, 도 16을 참조하여 본 발명의 효과를 정리하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the effects of the present invention will be collectively described with reference to FIG. 16.

도 16(a)는 종래의 디스플레이를 도시하고, 도 16(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이를 도시한다. 공통적으로 도 16(a) 및 도 16(b)에 따른 디스플레이는 외부 광 반사 기능을 제공할 수 있다. Figure 16 (a) shows a conventional display, Figure 16 (b) shows a display according to an embodiment of the present invention. In general, the display according to FIGS. 16A and 16B may provide an external light reflection function.

그러나 광 출사 효율에 있어서는 현저한 차이를 보이게 된다. 도 16(a)에 도시된 종래 디스플레이의 경우 광 출사층에서 생성된 광은 출사면을 향하는 제1 광(L1') 50%와 아래 전극을 향하는 제2 광(L2') 50%로 구성된다. 이 때, 제1 광(L1')과 제2 광(L2')은 특정한 편광 상태를 가지고 있지 않다. 이 경우, 생성된 전체 광의 50%에 해당하는 제1 광(L1') 중 50%인 25%만이 원 편광층을 통과할 수 있다. 즉 원 편광층이 우원 편광층인 경우 제1 광(L1') 중 우원 편광 상태를 가지는 절반의 광만 원 편과층을 통과할 수 있는 것이다. 같은 원리로 생성된 전체 광의 50%에 해당하는 제2 광(L2') 중 50%인 25%만이 원 편광층을 통과할 수 있다. 따라서, 종래 디스플레이의 경우 출사 효율이 50%에 머물렀다.However, there is a remarkable difference in light emission efficiency. In the case of the conventional display shown in Fig. 16A, the light generated in the light emitting layer is composed of 50% of the first light L1 'facing the emission surface and 50% of the second light L2' facing the lower electrode. . At this time, the first light L1 'and the second light L2' do not have a specific polarization state. In this case, only 25% of the first light L1 ′ corresponding to 50% of the total light generated may pass through the circular polarization layer. That is, when the circular polarizing layer is the right polarizing layer, only half of the light having the right circular polarization state among the first light L1 ′ may pass through the circular knitting layer. By the same principle, only 25%, which is 50% of the second light L2 ′ corresponding to 50% of the total light generated, may pass through the circular polarization layer. Therefore, the emission efficiency of the conventional display remained at 50%.

이에 반해 도 16(b)에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이의 경우, 카이럴 도펀트에 의하여 발광 분자가 나선형 적층 구조를 가지기 때문에, 특정 방향으로 편광된 광이 생성된다. 즉, 전체 생성 광의 50%에 해당하는 출사면으로 향하는 광은 40%의 시계 방향으로 편광 상태를 가지는 L1a와 10%의 반 시계 방향으로 편광 상태를 가지는 L1b로 구성된다. 또한, 전체 생성 광의 50%에 해당하는 아래 전극으로 향하는 광은 40%의 반 시계 방향으로 편광 상태를 가지는 L2a와 10%의 시계 방향으로 편광 상태를 가지는 L2b로 구성된다. 이 경우, 시계 방향으로의 편광 상태를 가지는 광인 L1a와 L2a 즉 전체 광량의 80%가 우원 편광층을 통과할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이의 경우 출사 효율이 80%로 종래 디스플레이 대비 60% 효율을 향상시킬 수 있다.In contrast, in the display according to the exemplary embodiment of FIG. 16B, since the light emitting molecules have a spiral stacked structure by the chiral dopant, light polarized in a specific direction is generated. That is, the light directed to the emission surface corresponding to 50% of the total generated light is composed of L1a having a polarization state in the clockwise direction of 40% and L1b having a polarization state in the counterclockwise direction of 10%. Further, the light directed to the lower electrode corresponding to 50% of the total generated light is composed of L2a having a polarization state in the counterclockwise direction of 40% and L2b having a polarization state in the clockwise direction of 10%. In this case, L1a and L2a, that is, light having a polarization state in the clockwise direction, that is, 80% of the total amount of light may pass through the right polarizing layer. Accordingly, in the case of the display according to the embodiment of the present invention, the emission efficiency is 80%, which may improve the efficiency of 60% compared to the conventional display.

나아가, 본 발명의 실시 예에 따르면, 발광 분자들이 나선형 적층 구조를 가지도록 하기 위하여 카이럴 도펀트를 포함한다. 이와 달리, 발광 분자 자체가 나선형 구조를 가지거나 나선형 구조를 가지는 도펀트를 단순히 추가하는 것은 편광비인 g-factor가 낮으며 생성되는 광의 색상을 조정하기 위한 설계가 필요하다는 한계가 있었다. 그러나, 본 발명의 실시 예의 경우, 카이럴 도펀트가 발광 분자들 자체를 회전시킴으로써, 발광 분자들이 층 상으로 나선형의 구조를 가지게 된다. 따라서, 편광비인 g-factor가 현저히 증가하며 공정이 용이하다는 효과를 제공할 수 있다.Furthermore, according to an embodiment of the present invention, the chiral dopant is included to make the light emitting molecules have a spiral stacked structure. In contrast, simply adding a dopant having a helical structure or a helical structure itself has a limitation in that a low polarization ratio g-factor is required and a design for adjusting the color of generated light is required. However, in the embodiment of the present invention, the chiral dopant rotates the light emitting molecules themselves, such that the light emitting molecules have a spiral structure on the layer. Thus, the g-factor, which is the polarization ratio, can be significantly increased and can provide an effect that the process is easy.

한편, 상술한, 본 발명의 실시 예들에 따르면, 카이럴 물질이 광출사층 중 적어도 한 층에 포함되는 것으로 설명하였다. 이와 달리, 카이럴 물질이 포함된 필름이 광출사층을 이루는 개별 층 사이에 적층될 수도 있다.Meanwhile, according to the above-described embodiments of the present invention, the chiral material has been described as being included in at least one layer of the light emission layer. Alternatively, a film containing a chiral material may be laminated between the individual layers that make up the light exit layer.

이상 도 1 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 제1 및 제2 실시 예들 및 그 변형 예들에 대하여 설명하였다. 이하에서는 도 17 내지 도 21을 참조하여, 상술한 실시 예들 및 변형 예들의 g-factor를 향상시키는 구조 및 방법이 도입될 수 있다. 이 때, g-factor는 아래의 식으로 정의될 수 있다.The first and second embodiments of the present invention and the modifications thereof have been described above with reference to FIGS. 1 to 16. Hereinafter, referring to FIGS. 17 to 21, a structure and a method for improving a g-factor of the above-described embodiments and modifications may be introduced. In this case, the g-factor may be defined by the following equation.

G-factor : 2(IL-IR)/(IL+IR)G-factor: 2 (IL-IR) / (IL + IR)

(IL: 좌원 편광의 세기, IR: 우원편광의 세기)(IL: intensity of left circle polarization, IR: intensity of right circle polarization)

이하 g-factor 향상 구조 및 방법이 설명된다. The g-factor enhancement structure and method are described below.

이하 도 17을 참조하여, 향상된 g-factor를 제공하는 회전 편광 발광장치의 제조방법이 설명된다.Hereinafter, a method of manufacturing a rotation polarization light emitting device that provides an improved g-factor will be described with reference to FIG. 17.

도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의를 위하여 도 17을 참조하여 설명하는 제조방법은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 회전 편광 발광장치의 제조방법을 상정하나, 도 4 및 도 16을 참조하여 설명한 회전 편광 발광장치에도 적용될 수 있음은 물론이다.17 is a view for explaining a method of manufacturing a rotation polarization light emitting device according to an embodiment of the present invention. For convenience of description, the manufacturing method described with reference to FIG. 17 assumes a manufacturing method of the rotating polarization light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 3, but is also applied to the rotating polarization light emitting device described with reference to FIGS. 4 and 16. Of course it can.

도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치의 제조방법은, 제1 전극을 형성하는 단계(S110), 상기 제1 전극 상에 발광 분자 및 카이럴 도펀트로 이루어진 발광층을 포함하는 광출사층을 형성하는 단계(S120) 및 상기 광출사층 상에 제2 전극을 형성하는 단계(S130) 중 적어도 하나의 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. 이하 각 단계에 대하여 상술하기로 한다.Referring to FIG. 17, in the method of manufacturing a rotating polarization light emitting device according to an embodiment of the present disclosure, forming a first electrode (S110) and forming a light emitting layer including light emitting molecules and a chiral dopant on the first electrode. It may include at least one of the step (S120) of forming a light emitting layer comprising a step (S130) of forming a second electrode on the light emitting layer. Hereinafter, each step will be described in detail.

단계 S110에서 제1 전극이 형성될 수 있다. 이를 위하여 기판이 먼저 준비될 수 있다. 기판 상에, 포토리소그래피 공정을 통하여 각 픽셀을 제어하는 적어도 하나의 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시턴스를 포함하는 구동층이 형성될 수 있다. 상기 구동층 상에는, 제1 전극(110)이 포토 리소그래피 공정 또는 액상 공정으로 형성될 수 있다. 이로써 도 1에 도시된 제1 전극(110)이 형성될 수 있는 것이다.In operation S110, a first electrode may be formed. The substrate may be prepared first for this purpose. On the substrate, a driving layer including at least one transistor and at least one capacitance for controlling each pixel through a photolithography process may be formed. On the driving layer, the first electrode 110 may be formed by a photolithography process or a liquid phase process. As a result, the first electrode 110 illustrated in FIG. 1 may be formed.

단계 S120에서, 제1 전극 상에 광출사층이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 광출사층은, 유기 분자가 고분자인 경우, 용액 공정 즉, 솔루블(soluble) 공정으로 도포될 수 있다. 이와 달리, 유기 분자가 저분자인 경우, 기상 증착 공정을 통하여, 증착될 수 있다. 상기 카이럴 물질은, 상기 광출사층 예를 들어, 발광층과 함께 형성될 수 있다. In operation S120, a light emission layer may be formed on the first electrode. In this case, the light emitting layer may be applied in a solution process, that is, a soluble process, when the organic molecules are polymers. In contrast, when the organic molecules are low molecular weight, they may be deposited through a vapor deposition process. The chiral material may be formed together with the light emitting layer, for example, a light emitting layer.

예를 들어, 상기 제1 전극 상에, 전극 주입층, 전극 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 순차적으로 형성될 수 있다. 이로써 도 1에 도시된 광출사층(105)가 형성될 수 있다.For example, an electrode injection layer, an electrode transport layer, an emission layer, an electron transport layer, and an electron injection layer may be sequentially formed on the first electrode. As a result, the light emission layer 105 illustrated in FIG. 1 may be formed.

단계 S120는, 향상된 g-factor를 제공하기 위하여, 광출사층의 굴절율 제어, 발광 분자의 꼬임 각도 제어, 발광 존 제어(emission zone), 선 편광 상태 중 적어도 하나를 제어할 수 있다.Step S120 may control at least one of refractive index control of the light emitting layer, twist angle control of the light emitting molecules, emission zone control, and linear polarization state in order to provide an improved g-factor.

이 때, 상기 광출사층의 굴절율 제어라 함은, 상술한 광 출사층의 굴절율으로 정의될 수 있다. 상기 광출사층의 굴절율은 광출사층을 이루는 물질의 종류에 따라 정의될 수 있다.In this case, the refractive index control of the light emitting layer may be defined as the refractive index of the light emitting layer described above. The refractive index of the light exit layer may be defined according to the type of material forming the light exit layer.

상기 발광 분자의 꼬임 각도라 함은 카이럴 도펀트가 제공하는 헬리컬 트위스팅 파워(HTP)에 의하여 발광 분자가 층 상으로 꼬인 각도를 의미할 수 있다. 상기 발광 분자의 꼬임 각도는 도펀트의 종류 및 도펀트의 농도에 따라 정의될 수 있다.The twist angle of the light emitting molecules may mean an angle at which the light emitting molecules are twisted in a layer by helical twisting power (HTP) provided by the chiral dopant. The twist angle of the light emitting molecules may be defined according to the type of dopant and the concentration of the dopant.

상기 발광 분자의 꼬임 각도가 증가할수록 g-factor는 사이파의 형상을 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 발광 분자의 꼬임 각도는 사인파의 첫 번째 봉우리에 해당하는 꼬임 각도 범위 내에서 두 번째 봉우리보다 g-factor가 큰 꼬임 각도를 정의될 수 있다. 또한 상기 발광 분자의 꼬임 각도는 180도 이하로 제어될 수 있다.As the twist angle of the light emitting molecules increases, the g-factor may have the shape of a wave. According to an embodiment, the twist angle of the light emitting molecule may define a twist angle with a larger g-factor than the second peak within the twist angle range corresponding to the first peak of the sine wave. In addition, the twist angle of the light emitting molecules may be controlled to 180 degrees or less.

상기 발광 존이라 함은 발광층에서 전자와 정공이 만나서 광이 생성되는 존을 의미할 수 있다. 예를 들어, 도 1을 참조하여 설명한 하부 발광 방식의 경우, 상기 발광 존이 전자 수송층(150)에 가까울수록 g-factor가 증가할 수 있다. 이를 위하여, 정공 수송층(130)을 통하여 발광 존을 전자 수송층(150) 방향으로 이동시킬 수 있다. 다른 관점에서, 상기 제1 전극(110)이 투명 전극이고 상기 제2 전극(170)이 반사 전극인 경우, 상기 발광층의 발광 존은 상기 제2 전극(170)에 가깝도록 제어될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 발광층의 발광 존은, 상기 발광층의 두께 대비 20%이내에서, 상기 제2 전극(170)에 가깝도록 제어될 수 있다.The emission zone may mean a zone where light is generated by electrons and holes in the emission layer. For example, in the lower emission method described with reference to FIG. 1, a g-factor may increase as the emission zone is closer to the electron transport layer 150. To this end, the emission zone may be moved toward the electron transport layer 150 through the hole transport layer 130. In another aspect, when the first electrode 110 is a transparent electrode and the second electrode 170 is a reflective electrode, the emission zone of the light emitting layer may be controlled to be close to the second electrode 170. More specifically, the emission zone of the light emitting layer may be controlled to be close to the second electrode 170 within 20% of the thickness of the light emitting layer.

상기 선 편광 상태라 함은 상기 발광층(140)에서 생성되는 광이 선 편광 상태를 가짐을 의미한다. 이는 상기 발광층(240)에서 생성된 선 편광 상태의 광이 도 2(b)를 참조하여 설명한 발광 분자의 나선형 적층 구조를 통과하면서 회전 편광 상태로 변이되는 경우 g-factor가 보다 높이지는 현상을 고려한 것이다.The linearly polarized state means that light generated in the emission layer 140 has a linearly polarized state. This is to consider the phenomenon that the g-factor becomes higher when the light of the linearly polarized state generated in the light emitting layer 240 transitions to the rotationally polarized state while passing through the spiral stacked structure of the light emitting molecules described with reference to FIG. 2 (b). will be.

상기 발광층(140)이 선 편광을 생성하기 위해서는 발광층(140)을 이루는 발광 분자가 특정 방향으로 배향되어야 하는 바, 발광 분자의 배향 방법을 설명하기로 한다.In order for the light emitting layer 140 to generate linearly polarized light, the light emitting molecules constituting the light emitting layer 140 should be aligned in a specific direction, and thus the alignment method of the light emitting molecules will be described.

상기 발광층(140)의 발광 분자가 정렬되기 위해서, 상기 발광층(140)과 계면하는 인접하는 층이 특정 방향으로 배향될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(140)보다 먼저 형성되는 정공 수송층(130)이 특정 방향으로 배향될 수 있다. 상기 정공 수송층(130)의 표면이 특정 방향으로 배열됨으로써, 상기 정공 수송층(130)과 계면하는 발광층(140)도 특정 방향으로 배열 유도될 수 있다.In order to align the light emitting molecules of the light emitting layer 140, adjacent layers interfacing with the light emitting layer 140 may be aligned in a specific direction. For example, the hole transport layer 130 formed before the light emitting layer 140 may be aligned in a specific direction. Since the surface of the hole transport layer 130 is arranged in a specific direction, the light emitting layer 140 interfacing with the hole transport layer 130 may also be induced in a specific direction.

단계 S130에서 제2 전극이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(170)은 포토 리소그래피 공정 또는 액상 공정으로 형성될 수 있다. 이로써 도 1에 도시된 제2 전극(170)이 형성될 수 있는 것이다.In operation S130, a second electrode may be formed. The second electrode 170 may be formed by a photolithography process or a liquid phase process. As a result, the second electrode 170 illustrated in FIG. 1 may be formed.

이상 도 17을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치의 제조방법을 설명하였다. 이하, 본 발명의 실험 예들 및 본 발명의 우수성이 설명된다.The method of manufacturing the rotation polarization light emitting device according to the exemplary embodiment of the present invention has been described above with reference to FIG. 17. Hereinafter, the experimental examples of the present invention and the superiority of the present invention will be described.

도 18 내지 도 20는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 분자의 꼬임 각도에 따른 회전 편광비(g-facator)를 나타내는 그래프이다.18 to 20 are graphs illustrating a rotation polarization ratio (g-facator) according to a twist angle of light emitting molecules according to an embodiment of the present invention.

먼저, ITO(두께 : 100 nm, 제1 전극)/CuPC(두께 : 2 nm, 정공 주입층)/polyimide(두께 : 20 nm, 배향층 및 정공 수송층)/F8BT(발광 분자)+R5011(카이럴 도펀트)(두께 : 200 nm)/TPBi (두께 : 20 nm, hole blocking layer)/LiF:Al (1 nm:70 nm, 제2 전극)으로 이루어진 회전 편광 발광장치를 준비하였다. 또한, F8BT로 이루어진 발광 분자들에게 R5011 카이럴 도펀트를 포함시킨 상태에서 140도 이상으로 열 어닐링을 수행하고 상온에서 냉각시켜, 발광 분자에 본 발명의 일 실시 예에 따른 나선형 적층 구조를 부여하였다. 또한, 정공 수송층을 러빙하여 발광 분자가 배향되도록 하였다.First, ITO (thickness: 100 nm, first electrode) / CuPC (thickness: 2 nm, hole injection layer) / polyimide (thickness: 20 nm, alignment layer and hole transport layer) / F8BT (light emitting molecule) + R5011 (chiral A rotatable polarization light emitting device consisting of dopant) (thickness: 200 nm) / TPBi (thickness: 20 nm, hole blocking layer) / LiF: Al (1 nm: 70 nm, second electrode) was prepared. In addition, thermal annealing was performed at 140 ° C. or more in a state in which R5011 chiral dopant was included in F8BT, and the light emitting molecules were cooled at room temperature to give the light emitting molecules a spiral laminate structure according to an embodiment of the present invention. In addition, the hole transport layer was rubbed to align the light emitting molecules.

이 때, 광 출사층의 굴절율은 0.67으로 하였고, 발광 존은 발광층과 TPBi의 계면인 0nm로 하였다. 다른 관점에서 발광층과 TPBi가 계면하는 면을 발광 존의 기준 라인으로 정의하였다.At this time, the refractive index of the light emitting layer was 0.67, and the light emitting zone was 0 nm, which is an interface between the light emitting layer and TPBi. From another viewpoint, the surface where the light emitting layer and TPBi interface is defined as a reference line of the light emitting zone.

실험 결과, 도 18에 도시된 바와 같이, g-factor는 발광 분자의 나선형 층상 꼬임 각도가 증가할수록 사인파 형태로 증가 및 감소를 반복하는 것으로 나타났다. 따라서, 카이럴 도펀트를 적게 포함하도록 나선형 층상 꼬임 각도는 180도 이하로 하는 것이 바람직한 것을 확인할 수 있다. As a result of the experiment, as shown in FIG. 18, the g-factor was repeatedly increased and decreased in the form of a sine wave as the spiral layer twist angle of the light emitting molecule was increased. Therefore, it can be confirmed that the spiral layer twist angle is preferably 180 degrees or less so as to include less chiral dopants.

또한 꼬임 각도는 첫 번째 봉우리 중 두 번째 봉우리의 g-factor 피크보다 큰 값으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 발광 존이 0nm인 경우 꼬임 각도는 14.73도 내지 127.31도 사이의 값이 될 수 있다. 이로써, 최소의 꼬임 각도로 최대의 g-factor를 도출할 수 있는 것으로 해석된다.The twist angle can also be defined as a value greater than the g-factor peak of the second of the first peaks. For example, when the emission zone is 0 nm, the twist angle may be a value between 14.73 degrees and 127.31 degrees. Thus, it is interpreted that the maximum g-factor can be derived with the minimum twist angle.

또한, g-factor는 발광 존의 위치에 영향을 받는 것으로 확인되었다. 도 18 및 도 19의 g-factor가 음수인 경우 좌원 편광이 우원 편광 대비 우세하고, g-factor가 양수인 경우 우원 편광이 좌원 편광 대비 우세한 것을 의미하는데 g-factor의 절대 값을 보면, 발광 존의 위치가 0nm 인 경우가 가장 우세한 것을 확인할 수 있다. In addition, the g-factor was found to be affected by the position of the light emitting zone. If the g-factor of FIGS. 18 and 19 is negative, the left circle polarization is superior to the right polarization, and if the g-factor is positive, the right polarization is superior to the left circle polarization. It can be seen that the case where the position is 0 nm is the most dominant.

또한 다른 변수를 동일하게 유지한 상태에서 발광 존의 위치를 제어하는 것으로 발광층에서 생성되는 광의 편광 상태를 좌원 편광 또는 우원 편광으로 제어할 수 있음을 확인할 수 있다.In addition, it can be seen that the polarization state of the light generated in the light emitting layer can be controlled by the left circularly polarized light or the right circularly polarized light by controlling the position of the light emitting zone while keeping other variables the same.

한편 도 20를 참조하면, 발광 존의 위치 별로, 출사면에서 보았을 때를 기준으로 도 3의 Lin1(도 20에서 top로 표기)과 Lin2(도 20에서 bottom으로 표기)의 편광 상태를 확인할 수 있다. 도 20를 살펴보면, 발광 존의 위치가 40nm까지는 g-factor의 첫 번째 골까지 Lin1과 Lin2의 편광 상태가 비슷하게 나오는 것을 확인할 수 있다. 이 경우 도 3을 참조하여 설명한 광 효율 극대화가 보다 원활하게 수행될 것으로 예상된다. 따라서, 발광 존의 위치는 발광층의 전체 두께 200nm에서 정공 수송층 방향으로 20% 이내인 40nm 이내로 제어되는 것이 바람직할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 20, the polarization states of Lin1 (indicated as top in FIG. 20) and Lin2 (indicated as bottom in FIG. 20) of FIG. 3 may be confirmed for each emission position. . Referring to FIG. 20, it can be seen that the polarization states of Lin1 and Lin2 are similar to the first valley of the g-factor until the position of the emission zone is 40 nm. In this case, it is expected that the light efficiency maximization described with reference to FIG. 3 will be performed more smoothly. Therefore, it may be preferable that the position of the light emitting zone is controlled to be within 40 nm which is within 20% in the hole transport layer direction at the total thickness of 200 nm of the light emitting layer.

이상 도 18 내지 도 20를 참조하여 발광 존의 위치, 꼬임 각도가 g-factor에 미치는 영향에 대한 시뮬레이션 결과를 설명하였다.18 to 20, the simulation result of the influence of the position and the twist angle of the light emitting zone on the g-factor has been described.

도 21은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 존의 위치 별 회전 편광비를 나타내는 그래프이다. 21 is a graph illustrating a rotation polarization ratio for each position of a light emitting zone according to an embodiment of the present invention.

실험을 위하여 도 18 내지 도 20를 참조하여 설명한 회전 편광 발광장치를 준비하였다. 이 때, 카이럴 도펀트에 의한 발광 분자의 층 상 꼬임 각도는 60도로 하였다.For the experiment, the rotation polarization light emitting device described with reference to FIGS. 18 to 20 was prepared. At this time, the layer twist angle of the light emitting molecules by chiral dopant was 60 degrees.

도 21의 가로축은 발광 존의 위치를 의미하는 것으로 전체 광 출사층의 두께 200nm에 대한 발광 존의 위치를 비율로 표시한 것이다. 발광 존의 값이 0인 경우는 광의 생성 위치가 발광층과 TPBi의 계면임을 의미하고, 발광 존의 값이 1.0인 경우는 광의 생성 위치가 발광층과 polyimide의 계면임을 의미한다.The horizontal axis in FIG. 21 means the position of the light emitting zone, and indicates the position of the light emitting zone relative to the thickness of 200 nm of the total light emitting layer. When the value of the emission zone is 0, the position where light is generated is an interface between the light emitting layer and TPBi, and when the value of the emission zone is 1.0, it means that the position where the light is generated is an interface between the light emitting layer and the polyimide.

도 21을 참조하면, 발광 존의 위치에 따라 굴절율이 g-factor에 미치는 영향이 상이함을 확인할 수 있다. 즉 발광 존의 위치가 0에서 0.23까지는 굴절율이 1.1인 경우 가장 높은 g-factor를 제공함을 확인할 수 있고, 발광 존의 위치가 0.23에서 0.87까지는 굴절율이 1.5인 경우 가장 높은 g-factor를 제공함을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 21, it can be seen that the influence of the refractive index on the g-factor is different depending on the position of the light emitting zone. That is, it can be seen that the position of the emission zone provides the highest g-factor when the refractive index is 1.1 from 0 to 0.23, and the position of the emission zone provides the highest g-factor when the refractive index is 1.5 from 0.23 to 0.87. Can be.

이상 도 1 내지 도 21을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법에 따르면, 카이럴 도펀트를 통하여 나선 적층 구조의 발광 분자를 통하여 회전 편광 상태의 광을 생성할 수 있다. 이로써, 외부 광 차단을 위한 원 편광판을 통과할 수 있는 광량을 증가시킴으로써, 광 효율을 향상시킬 수 있다.According to the rotating polarization light emitting device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 1 to 21, the light of the rotation polarization state is generated through the light emitting molecules having a spiral stacked structure through a chiral dopant. Can be. Thereby, the light efficiency can be improved by increasing the amount of light that can pass through the circular polarizing plate for blocking external light.

나아가, 본 발명의 일 실시 예에 따른 회전 편광 발광장치 및 그 제조방법에 따르면, 광출사층의 굴절율 제어, 발광 분자의 꼬임 각도 제어, 발광 존 제어(emission zone), 선 편광 상태 중 적어도 하나의 변수를 제어함으로써, g-factor를 향상시킬 수 있다. 이로써, 광 효율을 보다 향상시킬 수 있다.Further, according to the rotating polarization light emitting device according to an embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof, at least one of the refractive index control of the light emitting layer, the twist angle control of the light emitting molecules, the emission zone control, the linear polarization state By controlling variables, you can improve the g-factor. Thereby, light efficiency can be improved more.

또한, 본 발명의 실시 예들에 따르면, 발광층이 유기 발광층인 경우를 상정하였으나, 이와 달리 무기 발광층 예를 들어, 퀀텀 발광층일 수도 있다. 이 경우, 광출사층 자체가 무기 발광층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 퀀텀 발광층은 퀀텀닷 및/또는 퀀텀 로드로 이루어질 수 있다. 이 경우, 퀀텀닷 및/또는 퀀텀 로드와 같은 발광 무기 분자들도 카이럴 도펀트에 의하여 나선형 적층 구조를 가질 수 있으며, 나선형 적층 구조는 출사되는 광의 편광 상태를 상술한 바와 같이 변경할 수 있다.퀀텀닷 및 퀀텀 로드는, 나노 사이즈의 반도체 물질일 수 있고, Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅵ족, Ⅳ족 물질 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상의 물질일 수 있다. 구체적으로, 퀀텀닷 및 퀀텀 로드는, 산화 마그네슘(MgO), 황화 마그네슘(MgS), 마그네슘 셀레나이드(MgSe), 마그네슘 텔루라이드(MgTe), 산화 칼슘(CaO), 황화 칼슘(CaS), 칼슘 셀레나이드(CaSe), 칼슘 텔루라이드(CaTe), 산화 스트론튬(SrO), 황화 스트론튬(SrS), 스트론튬 셀레나이드(SrSe), 스트론튬 텔루라이드(SrTe), 산화 바륨(BaO), 황화 바륨(BaS), 바륨 셀레나이드(BaSe), 바륨 텔루라이드(BaTE), 산화 아연(ZnO), 산화 구리(Cu2O), 황화 아연(ZnS), 징크 셀레나이드(ZnSe), 징크 텔루라이드(ZnTe), 산화 카드뮴(CdO), 황화 카드뮴(CdS), 카드뮴 셀레나이드(CdSe), 카트뮴 텔루라이드(CdTe), 산화 수은(HgO), 황화 수은(HgS), 머큐리 셀레나이드(HgSe), 머큐리 텔루라이드(HgTe), 황화 알루미늄(Al2S3), 알루미늄 셀레나이드(Al2Se3), 알루미늄 텔루라이드(A12Te3), 산화 갈륨(Ga2O3), 황화 갈륨(Ga2S3), 갈륨 셀레나이드(Ga2Se3), 갈륨 텔루라이드(Ga2Te3), 산화 인듐(In2O3), 황화 인듐(In2S3), 인듐 셀레나이드(In2Se3), 인듐 텔루라이드(In2Te3), 산화 저마늄(GeO2), 산화 주석(SnO2), 황화 주석(SnS), 스탠넘 셀레나이드(SnSe), 스탠넘 텔루라이드(SnTe), 산화 납(PbO), 이산화 납(PbO2), 황화 납(PbS), 납 셀레나이드(PbSe), 납 텔루라이드(PbTe), 질화 알루미늄(AlN), 인화 알루미늄(AlP), 알루미늄 아스나이드(AlAs), 알루미늄 안티모나이드(AlSb), 질화 갈륨(GaN), 인화 갈륨(GaP), 갈륨 아스나이드(GaAs), 갈륨 안티모나이드(GaSb), 질화 인듐(InN), 인화 인듐(InP), 인듐 아스나이드(InAs), 인듐 안티모나이드(InSb), 인화 보론(BP), 실리콘(Si) 또는 저마늄(Ge) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, it is assumed that the light emitting layer is an organic light emitting layer. Alternatively, the inorganic light emitting layer may be, for example, a quantum light emitting layer. In this case, the light emitting layer itself may be composed of an inorganic light emitting layer. For example, the quantum emission layer may be formed of a quantum dot and / or a quantum rod. In this case, luminescent inorganic molecules such as quantum dots and / or quantum rods may also have a spiral stacked structure by chiral dopants, and the spiral stacked structure may change the polarization state of the emitted light as described above. And the quantum rod may be a nano-sized semiconductor material, and may be any one or more materials of group II-VI, group III-VI, group IV materials, and mixtures thereof. Specifically, the quantum dot and the quantum rod may include magnesium oxide (MgO), magnesium sulfide (MgS), magnesium selenide (MgSe), magnesium telluride (MgTe), calcium oxide (CaO), calcium sulfide (CaS), and calcium selenium. Nide (CaSe), calcium telluride (CaTe), strontium oxide (SrO), strontium sulfide (SrS), strontium selenide (SrSe), strontium telluride (SrTe), barium oxide (BaO), barium sulfide (BaS), Barium selenide (BaSe), barium telluride (BaTE), zinc oxide (ZnO), copper oxide (Cu2O), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), cadmium oxide (CdO) ), Cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), cadmium telluride (CdTe), mercury oxide (HgO), mercury sulfide (HgS), mercury selenide (HgSe), mercury telluride (HgTe), sulfide Aluminum (Al2S3), Aluminum Selenide (Al2Se3), Aluminum Telluride (A12Te3), Gallium Oxide (Ga2O3), Gallium Sulfide (Ga2S3), Gallium Selena Id (Ga2Se3), Gallium Telluride (Ga2Te3), Indium Oxide (In2O3), Indium Sulfide (In2S3), Indium Selenide (In2Se3), Indium Telluride (In2Te3), Germanium Oxide (GeO2), Tin Oxide (SnO2) , Tin sulfide (SnS), stannum selenide (SnSe), stannum telluride (SnTe), lead oxide (PbO), lead dioxide (PbO2), lead sulfide (PbS), lead selenide (PbSe), lead tellurium Ride (PbTe), Aluminum nitride (AlN), Aluminum phosphide (AlP), Aluminum arsenide (AlAs), Aluminum antimonide (AlSb), Gallium nitride (GaN), Gallium phosphide (GaP), Gallium arsenide (GaAs) , Gallium antimonide (GaSb), indium nitride (InN), indium phosphide (InP), indium arsenide (InAs), indium antimonide (InSb), boron phosphide (BP), silicon (Si) or germanium ( Ge) may be made of at least one material.

또한 본 발명의 일 실시 예를 설명함에 있어서 발광층이 전계 발광(electroluminescence)인 경우를 상정하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 발광층이 포토 전계(photoluminescence)인 경우에도 적용됨은 물론이다.In addition, in the description of an embodiment of the present invention, a case in which the light emitting layer is electroluminescence has been described, but the technical idea of the present invention is applied to the case in which the light emitting layer is photoluminescence.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using the preferable embodiment, the scope of the present invention is not limited to a specific embodiment, Comprising: It should be interpreted by the attached Claim. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

Claims

광 출사 방향에 배치되는 제1 전극;A first electrode disposed in the light output direction;

상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극;A second electrode facing the first electrode;

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 전극을 향하여, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제2 전극을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사하는, 광출사층; 및A first light disposed between the first electrode and the second electrode, the first light having a polarization state rotating in a first direction toward the first electrode, and directed toward the second electrode; A light emitting layer for emitting a second light having a polarization state rotating in a second direction that is a reverse direction; And

상기 제1 전극을 기준으로 광 출사 방향에 배치되며, 상기 제1 방향으로 회전하는 광을 통과시키는, 편광층을 포함하는 회전 편광 발광장치.And a polarizing layer disposed in the light output direction with respect to the first electrode and configured to pass the light rotating in the first direction.
제1 항에 있어서, According to claim 1,

상기 제2 광은, 상기 제2 전극에 반사되어, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어 상기 편광층을 통과하며,The second light is reflected by the second electrode, has a polarization state to rotate in the first direction and passes through the polarization layer,

외부 입사 광은, 상기 편광층을 통과함에 따라, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되고, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광상태를 가지는 외부 입사 광은, 상기 제2 전극에 반사되어, 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어, 상기 편광층에 의하여 외부로의 출사가 차단되는, 회전 편광 발광장치.As the external incident light passes through the polarization layer, the external incident light has a polarization state rotating in the first direction, and the external incident light having the polarization state rotating in the first direction is reflected by the second electrode. And a polarization state that rotates in the second direction, so that emission to the outside is blocked by the polarization layer.
제1 항에 있어서,According to claim 1,

상기 제1 방향 및 제2 방향은, 제1 위치에서 제2 위치로 향하는 광 진행 경로 상에서, 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치를 바라보는 관점을 기준으로 하여 정의되는 방향인, 회전 편광 발광장치.The first direction and the second direction are directions defined on the basis of the viewpoint of viewing the second position from the first position on a light propagation path from the first position to the second position. .
제3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein

상기 광출사층은, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제1 광이 상기 제1 전극을 향하여 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지고, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제2 광이 상기 제2 전극을 향하여 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지도록 상기 광출사층의 발광 분자들의 층상 비틀림 각도를 조절하는, 카이럴(chiral) 물질을 포함하는, 회전 편광 발광장치.The light emitting layer has a polarization state in which the first light emitted from the light emitting layer is rotated in the first direction toward the first electrode, and the second light emitted from the light emitting layer is the second light. And a chiral material that adjusts the layer twist angle of the light emitting molecules of the light emitting layer to have a polarization state that rotates in the second direction toward the second electrode.
제4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein

상기 층상 비틀림 각도는 180도 이하인, 회전 편광 발광장치.And said layer twist angle is 180 degrees or less.
제1 전극;A first electrode;

상기 제1 전극과 대향하며 광 출사 방향에 위치하는 제2 전극;A second electrode facing the first electrode and positioned in a light emission direction;

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 상기 제2 전극을 향하여, 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고 상기 제1 전극을 향하여, 상기 제1 방향과 역 방향인 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사하는 광출사층; 및A first light disposed between the first electrode and the second electrode and emitting a first light having a polarization state rotating toward the second electrode in a first direction, and toward the first electrode, opposite to the first direction; A light emitting layer for emitting a second light having a polarization state rotating in a second direction that is a direction; And

상기 제2 전극을 기준으로 광 출사 방향에 배치되며, 상기 제1 방향으로 회전하는 광을 통과시키는, 편광층을 포함하는 회전 편광 발광장치.And a polarizing layer disposed in the light output direction with respect to the second electrode and configured to pass light rotating in the first direction.
제6 항에 있어서,The method of claim 6,

상기 제2 광은, 상기 제1 전극에 반사되어, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어 상기 편광층을 통과하며,The second light is reflected by the first electrode, has a polarization state to rotate in the first direction and passes through the polarization layer,

외부 입사 광은, 상기 편광층을 통과함에 따라, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되고, 상기 제1 방향으로 회전하는 편광상태를 가지는 외부 입사 광은, 상기 제1 전극에 반사되어, 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지게 되어, 상기 편광층에 의하여 외부로의 출사가 차단되는, 회전 편광 발광장치.As the external incident light passes through the polarization layer, the external incident light has a polarization state rotating in the first direction, and the external incident light having the polarization state rotating in the first direction is reflected by the first electrode, And a polarization state that rotates in the second direction, so that emission to the outside is blocked by the polarization layer.
제6 항에 있어서,The method of claim 6,

상기 제1 방향 및 제2 방향은, 제1 위치에서 제2 위치로 향하는 광 진행 경로 상에서, 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치를 바라보는 관점을 기준으로 하여 정의되는 방향인, 회전 편광 발광장치.The first direction and the second direction are directions defined on the basis of the viewpoint of viewing the second position from the first position on a light propagation path from the first position to the second position. .
제8 항에 있어서,The method of claim 8,

상기 광출사층은, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제1 광이 상기 제2 전극을 향하여 상기 제1 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지고, 상기 광출사층에서 출사된 상기 제2 광이 상기 제1 전극을 향하여 상기 제2 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지도록 상기 광출사층의 발광 분자들의 층상 비틀림 각도를 조절하는, 카이럴(chiral) 물질을 포함하는, 회전 편광 발광장치.The light emitting layer has a polarization state in which the first light emitted from the light emitting layer is rotated in the first direction toward the second electrode, and the second light emitted from the light emitting layer is the second light. And a chiral material that adjusts the layer twist angle of the light emitting molecules of the light emitting layer to have a polarization state that rotates in the second direction toward the first electrode.
제9 항에 있어서,The method of claim 9,

상기 층상 비틀림 각도는 180도 이하인, 회전 편광 발광장치.And said layer twist angle is 180 degrees or less.
제1 전극;A first electrode;

상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극;A second electrode facing the first electrode;

상기 제1 전극 외측 또는 상기 제2 전극 외측에 배치되는 좌현 또는 우현 광을 선택적으로 통과시키는 편광층; 및A polarizing layer for selectively passing port or starboard light disposed outside the first electrode or the outside of the second electrode; And

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 카이럴 물질을 포함하는 광출사층;을 포함하고And a light emission layer disposed between the first electrode and the second electrode and comprising a chiral material.

상기 카이럴 물질은, 상기 광출사층에서 생성된 광이 상기 편광층을 통과하도록 좌현 또는 우현 편광시키고,The chiral material is polarized in the port or starboard so that the light generated in the light emitting layer passes through the polarizing layer,

상기 편광층 외측에서 측정되는 광출사층에서 생성된 광 세기는. 상기 카이럴 물질을 비 포함한 광 출사층 대비, 상기 카이럴 물질을 포함하는 광출사층이 강한, 회전 편광 발광장치. The light intensity generated in the light emitting layer measured outside the polarizing layer is. And a light emitting layer including the chiral material is stronger than the light emitting layer including the chiral material.
제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein

상기 광출사층은, 발광 분자를 포함하며, The light emitting layer includes a light emitting molecule,

상기 발광 분자는 선 편광된 광(linearly polarized light)을 출사하도록 특정 방향으로 정렬된 회전 편광 발광장치.And the light emitting molecules are aligned in a specific direction to emit linearly polarized light.
비-카이럴 발광 분자들; 및Non-chiral luminescent molecules; And

상기 발광 분자들의 두께 방향으로 비틀림 각도를 제공하여, 상기 발광 분자들을 나선형 구조로 적층시키는 도펀트를 포함하는 회전 편광 발광체.And a dopant that provides a twist angle in the thickness direction of the light emitting molecules to stack the light emitting molecules in a spiral structure.
제13 항에 있어서,The method of claim 13,

상기 도펀트는 상기 비틀림 각도로 상기 발광 분자를 회전시키도록 헬리컨 트위스팅 파워(Helical Twisiting Power)를 상기 발광 분자에게 제공하는 회전 편광 발광체.And the dopant provides a helical twisting power to the light emitting molecules to rotate the light emitting molecules at the torsion angle.
제1 전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode;

상기 제1 전극 상에 발광 분자 및 카이럴 도펀트로 이루어진 발광층을 포함하는 광출사층을 형성하는 단계; 및Forming a light emitting layer on the first electrode, the light emitting layer including a light emitting layer comprising a light emitting molecule and a chiral dopant; And

상기 광출사층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,Forming a second electrode on the light emitting layer;

상기 광출사층을 형성하는 단계에서, 상기 카이럴 도펀트는 상기 발광 분자의 층상 비틀림 각도를 조절하여, 상기 발광층에서 발광되는 광의 g-factor가 제어되는, 회전 편광 발광장치의 제조방법.In the forming of the light emitting layer, the chiral dopant by adjusting the layer twist angle of the light emitting molecules, the g-factor of the light emitted from the light emitting layer is controlled, manufacturing method of a rotation polarized light emitting device.
제15 항에 있어서,The method of claim 15,

상기 광출사층을 형성하는 단계는,Forming the light exit layer,

상기 층상 비틀림 각도의 제어, 상기 광출사층의 굴절율 제어, 상기 발광층의 발광 존 제어 중 적어도 하나를 제어하며, Controlling at least one of controlling the layer twist angle, controlling the refractive index of the light emitting layer, and controlling the light emitting zone of the light emitting layer,

상기 발광층의 발광 존은, 상기 제1 및 제2 전극 중 어느 하나의 전극과의 거리를 기준으로 정의되는, 회전 편광 발광장치의 제조방법.The light emitting zone of the light emitting layer is defined on the basis of the distance from any one of the first and second electrodes, the manufacturing method of the rotation polarization light emitting device.
제16 항에 있어서,The method of claim 16,

상기 층상 비틀림 각도는 180도 이하로 제어되는, 회전 편광 발광장치의 제조방법.And the layer twist angle is controlled to 180 degrees or less.
제17 항에 있어서,The method of claim 17,

상기 제1 전극은 투명 전극이고 상기 제2 전극은 반사 전극인 경우, 상기 발광층의 발광 존은 상기 제2 전극에 가깝도록 제어되는, 회전 편광 발광장치의 제조방법.When the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a reflective electrode, the light emitting zone of the light emitting layer is controlled to be close to the second electrode.
제18 항에 있어서,The method of claim 18,

상기 발광층의 발광 존은, 상기 발광층의 두께 대비 20%이내에서, 상기 제2 전극에 가깝도록 제어되는, 회전 편광 발광장치의 제조방법.And a light emitting zone of the light emitting layer is controlled to be close to the second electrode within 20% of the thickness of the light emitting layer.
제16 항에 있어서,The method of claim 16,

상기 광출사층의 굴절율은, 상기 발광층의 발광 존의 위치에 따라 제어되는, 회전 편광 발광장치의 제조방법.The refractive index of the light emitting layer is controlled according to the position of the light emitting zone of the light emitting layer.