WO2018080085A1 - 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자 - Google Patents

칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자 Download PDF

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WO2018080085A1
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chalcogen compound
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thermoelectric
chalcogen
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민유호
박철희
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주식회사 엘지화학
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    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth

Definitions

  • the present invention relates to a novel chalcogen compound exhibiting low thermal conductivity and excellent thermoelectric properties and excellent phase stability even at relatively low temperatures, a method for preparing the same, and a thermoelectric device including the same.
  • thermoelectric conversion materials using waste heat as one of alternative energy is being accelerated.
  • thermoelectric conversion material depends on ZT, which is a figure of merit value of the thermoelectric conversion material.
  • ZT is determined according to Seebeck coefficient, electrical conductivity, thermal conductivity, etc. More specifically, ZT is proportional to the square and electrical conductivity of the Seebeck coefficient and inversely proportional to the thermal conductivity. Therefore, in order to increase the energy conversion efficiency of the thermoelectric conversion element, it is necessary to develop a thermoelectric conversion material having a high Seebeck coefficient or high electrical conductivity or low thermal conductivity.
  • thermoelectric conversion materials previously known, for example,
  • thermoelectric conversion materials such as PbTe, Bi 2 Te 3 , SnSe, and the like, which have a crystal lattice structure related to or similar to sodium chloride (NaCI) and have some of the lattice sites empty, exhibit excellent thermoelectric conversion properties. That is, the materials having such a crystal lattice structure exhibit excellent electrical conductivity due to the crystal lattice structure similar to that of sodium chloride, and appear to exhibit low thermal conductivity as some of the lattice sites become vacancies. Accordingly, thermoelectric conversion materials having the above crystal lattice structure are known and applied to have excellent thermoelectric conversion characteristics.
  • thermoelectric materials with a lattice structure (face-centered cubic lattice) with some lattice vacancies empty.
  • FIG. 2 shows phase stability of representative Sn-Bi-Se based chalcogen compounds.
  • Sn 4 Bi 2 Se 7 a temperature of about 580 to 720 ° C. (circular with FIG. 2) In the display portion, it is known to have the face-centered cubic lattice structure.
  • the chalcogen compound maintains a stable phase only at a temperature of about 580 to 72 CTC, and at lower temperatures, in particular, at a driving temperature of the thermoelectric element, decomposition occurs in other phases and thus does not exhibit phase stability.
  • the chalcogenide compound exhibits the same face-centered cubic lattice structure as that of sodium chloride and is expected to exhibit low thermal conductivity and excellent thermoelectric properties, including some empty lattice sites, but it is not limited to the alternative operating temperature of the thermoelectric element. Poor phase stability at low temperatures below about 580 ° C, resulting in very limited application to thermoelectric materials.
  • the present invention provides a novel chalcogen compound exhibiting low thermal conductivity and excellent thermoelectric characteristics and excellent phase stability even at a temperature comparable to the driving temperature of the thermoelectric element, and a method of manufacturing the same.
  • the present invention also provides a thermoelectric device including the chalcogen compound.
  • the present invention provides a chalcogen compound represented by the following formula (1):
  • M is an alkali metal
  • X, y and z are the molar ratios of M, Sn and Bi, respectively, x is greater than 0 and less than or equal to 2, y is It is more than 0 and 4 or less, z is more than 0 and 2 or less, y + z is more than 0 and 6 or less and x + y + z is more than 0 and less than 7.
  • the present invention also provides a solid phase reaction of a raw material including Sn, Bi and Se and a mixture comprising a raw material including alkali metal (M); Pulverizing the resultant product of the solid phase reaction; And it provides a method for producing the chalcogen compound comprising the step of sintering the ground product.
  • the present invention provides a thermoelectric element comprising the chalcogen compound soil thermoelectric conversion material.
  • a chalcogenide compound, a method for preparing the same, and a thermoelectric element including the same according to a specific embodiment of the present invention will be described in detail.
  • chalcogen compound represented by the following formula (1) is provided:
  • ⁇ is an alkali metal
  • X, y and ⁇ are the molar ratios of M, Sn and Bi, respectively : x is greater than 0 and 2 or less, y is greater than 0 and 4 or less, z is greater than 0 and 2 or less, y + z is greater than 0 and 6 or less, x + y + z is greater than 0 and less than 7.
  • chalcogenide is Sn 4 as the chalcogen compound such as Bi 2 Se 7 represented by the following formula (1) the alkali metal is added, and the Sn 4 Bi 2 Se 7 - gu same crystal lattice i crude, i.e., sodium chloride It has the same crystal structure as the face-centered cubic lattice.
  • the compound of the one embodiment in the face-centered cubic lattice structure, it is seen that the alkali metal element fills a part of the vacancy except for the sites filled with Se, Sn, and Bi.
  • the vacancy remaining after the alkali metal element is filled may be maintained, and a value of 7 ⁇ (x + y + z) may be defined as the molar ratio of the vacancy.
  • the compound of this embodiment is composed of the crystal lattice structure and alkali metal of the face-centered cubic lattice structure. It has been found that the addition can exhibit good electrical conductivity. This seems to be due to the crystal lattice structure, and at the same time, it is possible to provide additional electrons as the alkali metal is in ionic form.
  • the compound of one embodiment while having the specific crystal lattice structure, it was confirmed that the alkali metal does not completely fill the empty lattice sites, and as a part of them remain low, exhibits low thermal conductivity.
  • the compounds of one embodiment have been found to exhibit excellent thermoelectric conversion properties due to high electrical conductivity and low thermal conductivity.
  • the chalcogenide compound of one embodiment exhibits an excellent phase even at low temperatures (e.g., lower than about 580 ° C) corresponding to the driving temperature of the thermoelectric element as the alkali metal is added to the crystal lattice structure. It was confirmed to exhibit phase stability.
  • This superior phase stability is that even when the chalcogenide compound of one embodiment is finally prepared after being left in the form of sintered body, no decomposition of the compound occurs and the same crystal structure is maintained by maintaining the same XRD pattern. Can be identified from.
  • the chalcogenide compound of one embodiment solves the problem of poor phase stability of Sn 4 Bi 2 Se 7 , which is known in the art, and exhibits excellent phase stability even at a general driving temperature of the thermoelectric element, and is due to a unique crystal lattice structure. It can exhibit excellent electrical conductivity, low thermal conductivity and excellent thermoelectric conversion characteristics. Therefore, the chalcogenide compound of one embodiment can be very preferably used as a thermoelectric conversion material in various fields and applications.
  • the chalcogen compound in the above-described face-centered cubic lattice structure, appears to be filled by the alkali metal element with a part of the vacancy except for the sites filled with the Se, Sn and Bi. More specifically, in this face-centered cubic lattice structure, Se fills the anion sites of the face-centered cubic lattice, Sn and Bi fill the cation sites of the face-centered cubic lattice, and the alkali metal M is filled by the Sn and Bi It appears to fill some of the vacancy in the remaining cation sites.
  • the addition of the alkali metal may contribute to excellent phase stability, and also because some of the empty lattice sites remain while the alkali metal does not fill all of the empty lattice sites, the compound of one embodiment exhibits low thermal conductivity. Seems to be.
  • alkali metal all one or more alkali metals selected from the group consisting of Na and K may be used.
  • Na may be suitably used.
  • X, y and z may each represent a molar ratio of alkali metals M, Sn, ⁇ , where X is greater than 0 and less than 2 (black is greater than 0 and less than 2), and y is greater than 0 and less than 4 And z is greater than 0 and less than or equal to 2, y + z is greater than 0 and less than or equal to 6 and x + y + z is less than 0 and less than 7.
  • X may be 0.05 to 0.8
  • black may be 0.1 to 0.5
  • y may be 3.5 to 4, or 3.7 to 4, or 3.9 to 4
  • z may be 1 .5 to 2, or 1.7 to 2, or 1.9 to 2.
  • y + z may be 5 to 6, or 5.4 to 6, or 5.8 to 6
  • x + y + z may be 5 to 6.8, or 6.1 to 6.8, or 6.2 to 6.8.
  • the value of 7- (x + y + z) may be defined as the molar ratio of the vacancy left by each element described above, and may be greater than zero, or greater than zero and less than or equal to 0.2. Can be.
  • one embodiment of the compound maintains its unique crystal lattice structure, but may exhibit better phase stability due to the addition of alkali metals, and the alkali metals do not fill too many empty lattice sites. Therefore, it may exhibit low thermal conductivity.
  • the molar ratio of alkali metal and Bi ⁇ to provide electrons is optimized so that the compounds of one embodiment can exhibit better electrical conductivity.
  • the chalcogenide compound of one embodiment described above has low thermal conductivity, high electrical conductivity, and thus excellent thermoelectric conversion characteristics and high phase stability. Therefore, it can be preferably used as a thermoelectric conversion material in various thermoelectric cooling systems or thermoelectric power generation systems. '
  • a method for producing the chalcogen compound described above comprises the steps of: solid-phase reaction of a mixture of raw materials including Sn, Bi and Se, and raw materials including alkali metal (M); Grinding the result of the solid phase reaction; And sintering the pulverized result.
  • each powder of Sn, Bi and Se can be used, and as the raw material containing the alkali metal, in particular, is not limited However, a powder of M 2 Se (M is an alkali metal) can be used.
  • these raw materials may be mixed at a ratio corresponding to the molar ratio (X, y, z, 7) of the general formula (1).
  • the Sn, Bi, and when to use each powder and powder of a M 2 Se in the Se as a starting material considering that contains Se in a raw material of M 2 Se M 2 Se, Sn, Bi And each raw material of Se can be mixed in a molar ratio of x / 2: y: z: 7-x.
  • Hin "In the formation of eu common compounds of the raw materials: gig” was added to the raw materials at a predetermined ratio, may be carried out by screen grinding or milling, and, optionally the pellet to the thus formed mixture powder in accordance with the forming process State, pellet state or ingot state.
  • This mixture can be formed and a solid reaction reaction proceeded.
  • This solid reaction step can be carried out in a manner corresponding to various previously known intermetallic reaction processes, for example, for a mixture of each raw material in a powder state, for example, to be carried out at a temperature of 500 to 700 ° C Can be.
  • the heat treatment for such a solid phase reaction may be performed in a furnace such as an electric furnace, and vacuum may be performed in an inert gas atmosphere.
  • the heat treatment and the solid phase reaction step may be performed in a single step, but may be divided into two or more steps.
  • This crushing step is a method for producing a thermoelectric conversion material known from the prior And it can proceed by applying the device, through this grinding step can be obtained in the form of powder.
  • the solid phase reaction step and the grinding step it may further proceed to form an ingot by engraving the result of the solid phase step.
  • the cooling can be performed using various angle media, and all the angle mechanisms / methods previously applied in the manufacturing of thermoelectric conversion materials can be applied without any limitation.
  • the grinding step may be performed on the ingot.
  • the step of sintering the pulverized result can be proceeded.
  • the chalcogen compound of the above-described embodiment in the sintered body state can be prepared.
  • This sintering step can be carried out by the spark plasma sintering (Spark Plasma Sintering) and the like that are well known to those skilled in the art, for example, can be carried out under a temperature of 550 ° C or more and pressure of 10 MPa or more. In a more specific example, the sintering step may be carried out at a temperature of 550 to 700 ° C, may be performed for 5 to 10 minutes under a pressure of 10 to 100 MPa. Then, after the above sintering process, it is possible to further proceed to the optional step.
  • spark Plasma Sintering Spark Plasma Sintering
  • thermoelectric conversion materials such as thermoelectric conversion materials or chalcogen compounds
  • reaction conditions and methods are described in the following examples. And, further description thereof will be omitted.
  • thermoelectric element comprising the chalcogen compound of the above-described embodiment as a thermoelectric conversion material.
  • a thermoelectric element may include the thermoelectric conversion material of the embodiment as a p-type or n-type thermoelectric conversion material, for this purpose in a state doped with an additional p-type element or n-type element as the thermoelectric conversion material of the embodiment It may include.
  • the type or doping method of the p-type element or n-type element that can be used at this time is not particularly limited, and the elements and doping methods that have been generally used to apply the thermoelectric conversion material to p-type or n-type can be applied. Can be. ,
  • the thermoelectric element may include a thermoelectric element formed by obtaining the ⁇ - or ⁇ -type thermoelectric conversion material in a sintered state, and then processing and molding the thermoelectric element, and may include an insulating substrate and an electrode.
  • the coupling structure of the thermoelectric element, the insulating substrate, and the electrode may be in accordance with the structure of a conventional thermoelectric element.
  • a sapphire substrate, a silicon substrate, a Pyrex substrate or a quartz substrate may be used as the insulating substrate, and an electrode containing any metal or a conductive metal compound may be used as the electrode.
  • thermoelectric device includes the thermoelectric conversion material of one embodiment, and thus may exhibit excellent thermoelectric conversion characteristics.
  • the thermoelectric device may be preferably applied to a thermoelectric angle system or a thermoelectric power generation system in various fields and applications.
  • thermoelectric device exhibiting excellent characteristics can be provided.
  • FIG. 3 is a view showing an X-ray, diffraction analysis results for Examples 1 to 3 and Comparative chalcogenide powder of the previous undergo a sintering operation in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a view showing the results of X-ray diffraction analysis after the final sintered body obtained by the sintering process in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 after the slow cooling and room temperature.
  • Figure 5a shows the electrical conductivity according to temperature of the chalcogen compounds of Examples 1 to 3 It is a graph showing the result of the measurement.
  • 5B is a graph showing the results of measuring the Seebeck coefficient for each silver of the chalcogen compounds of Examples 1 to 3.
  • FIG. 5B is a graph showing the results of measuring the Seebeck coefficient for each silver of the chalcogen compounds of Examples 1 to 3.
  • Figure 5c is a graph showing the results of measuring the output factor for each temperature of the chalcogen compounds of Examples 1 to 3.
  • 5D is a graph showing the results of measuring thermal conductivity of the chalcogenide compounds of Examples 1 to 3 by temperature.
  • 5E is a graph showing the results of measuring lattice thermal conductivity for each temperature of the chalcogen compounds of Examples 1 to 3;
  • Figure 5f is a graph showing the results of measuring the thermoelectric performance index for each temperature of the chalcogen compounds of Examples 1 to 3.
  • Each powder of high purity raw material is Sn, Bi, Se, and Na 2 Se in a glove box 4: 1.7: 6.625 (7 to 0.375), except that the combined common in a molar ratio of 0.375 is Na 0 in the same manner as in Example 1 .
  • 75 Sn 4 Bh. A chalcogen compound of 7 Se 7 was prepared. Comparative Example 1: Preparation of Chalcogen Compound (Sn 4 Bi ? Se 7 )
  • a chalcogenide compound of Sn 4 Bi 2 Se 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixture was mixed in a molar ratio of 2: 7.
  • the chalcogenide powders of Examples 1 to 3 are all chalcogenide compounds of Comparative Example 1 (ie, Sn 4 Bi 2 Se 7 , which is known to have a face-centered cubic lattice structure at a high temperature). It was confirmed that the crystal lattice structure is the same as, from which the compounds of Examples 1 to 3 were all confirmed to have a crystal lattice structure of the face-centered cubic lattice structure.
  • the electrical conductivity was measured according to the temperature change and is shown in FIG. 5A. This electrical conductivity was measured in a temperature range of 100 to 30CTC by using a DC resistance probe using Linseis LSR-3, a resistivity measuring instrument.
  • Examples 1 to 3 generally exhibit excellent electrical conductivity, and in particular, Examples 2> Example 1> Example 3 It was confirmed that the conductivity is excellent. It is expected that the electrical conductivity of Example 2, which has a higher alkali metal content, is excellent because the alkali metal is cationized and can provide electrons, and in Example 3, it is cationized with Bi 3+ to produce more electrons. It is predicted to show relatively low electrical conductivity as the content of Bi which can provide electrons is low.
  • the Seebeck coefficient (S) was measured according to the temperature change and is shown in FIG. 5B. This Seebeck coefficient was measured in the temperature range of 100 to 300 ° C using a measuring instrument Linseis LSR-3 and applying a differential voltage / temperature technique.
  • thermoelectric conversion materials As shown in Fig. 5B, it was found that Examples 1 to 3 all exhibited positive or negative Seebeck coefficients applicable as thermoelectric conversion materials.
  • the output factor was calculated according to the temperature change and is shown in FIG. 5C.
  • the thermal conductivity and the lattice thermal conductivity were measured according to the change in silver and shown in FIGS. 5D and 5E, respectively.
  • thermo conductivity in Examples 1 to 3 is generally low thermal conductivity and lattice. Thermal conductivity are shown. In particular, the sample of Example 1 in the k E contributed to the high electrical conductivity. Block to obtain the lowest The thermal conductivity value is shown because the lattice thermal conductivity value is the lowest value as shown in Fig. 5E The lattice thermal conductivity is shown in Table 2, the vacancy concentration in the lattice In particular, the lattice thermal conductivity of the specimen of Example 1 was very low, 0.51 W / mK, at 200 ° C.
  • thermoelectric performance index S 2 o T / k, by using the values of S (see white coefficient), ⁇ (electric conductivity), T (absolute temperature) and k (thermal conductivity) obtained in the above experimental examples Calculated.

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Abstract

본 발명은 낮은 열전도도 및 우수한 열전특성을 나타내며, 상대적으로 낮은 온도에서도 우수한 상(phase) 안정성을 나타내는 신규한 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자에 관한 것이다.

Description

【발명의 명칭】
칼코겐 화합물， 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자
【기술분야】
관련 출원 (들)과의 상호 인용
본 출원은 2016 년 10 월 31 일자 한국 특허 출원 제 10-2016-
0142891 호 및 2017 년 10 월 16 일자 한국 특허 출원 제 10-2017-
0134204 호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 낮은 열전도도 및 우수한 열전특성을 나타내며， 상대적으로 낮은 온도에서도 우수한 상 (phase) 안정성을 나타내는 신규한 칼코겐 화합물， 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자에 관한 것이다. 【배경기술】
최근 자원 고갈 및 연소에 의한 환경 문제로 인해, 대체에너지 중 하나로 폐열을 이용한 열전 변환 재료에 대한 연구가 가속화되고 있다.
이러한 열전 변환 재료의 에너지 변환 효율은 열전 변환 재료의 성능 지수 값인 ZT 에 의존한다. 여기서， ZT 는 제백 (Seebeck) 계수, 전기 전도도 및 열 전도도 등에 따라 결정되는데， 보다 구체적으로는 제백 계수의 제곱 및 전기 전도도에 비례하며， 열 전도도에 반비례한다. 따라서, 열전 변환 소자의 에너지 변환 효율을 높이기 위하여, 제백 계수 또는 전기 전도도가 높거나 열 전도도가 낮은 열전 변환 재료의 개발이 필요하다.
이전부터 알려진 다양한 열전 변환 재료들 중에서도， 예를 들어,
PbTe, Bi2Te3, SnSe 등과 같이, 염화나트륨 (NaCI)과 관련되거나 유사한 결정 격자 구조를 가지며， 격자 자리 중 일부가 비어 있는 열전 변환 재료가 우수한 열전 변환 특성을 나타내는 것으로 알려져 있다. 즉， 이러한 결정 격자 구조를 갖는 재료들은 상기 염화나트륨과 유사한 결정 격자 구조로 인해 우수한 전기 전도도를 나타내며， 격자 자리 중 일부가 빈 자리 (vacancy)로 됨에 따라 낮은 열 전도도를 나타내는 것으로 보인다. 이에 따라， 위 결정 격자 구조를 갖는 열전 변환 재료들은 우수한 열전 변환 특성을 갖는 것으로 알려져 적용되고 있다.
그럼에도 불구하고， 도 1 과 같이 염화나트륨과 동일한 면심 입방 격자 구조 (face-centered cubic lattice)를 가지면서, 격자 자리 증 일부가 빈 자리로 된 열전 변환 소재는 거의 알려진 바 없다.
다만, Sn-Bi-Se 계 칼코겐 화합물 중 하나인 Sn4Bi2Se7의 경우， 염화 나트륨과 동일한 면심 입방 격자 구조를 가지며， 일부 격자 자리가 빈 자리로 되어 있는 것으로 알려져 있다. 참고로， 도 2 에는 대표적인 Sn-Bi- Se 계 칼코겐 화합물들의 상 (phase) 안정도가 도시되어 있는데， 상기 Sn4Bi2Se7의 경우, 약 580 내지 720°C의 온도 (도 2 와 원형 표시 부분)에서, 상기 면심 입방 격자 구조를 갖는 것으로 알려져 있다.
그러나, 이러한 칼코겐 화합물의 경우, 약 580 내지 72CTC의 온도에서만， 안정상을 유지하며， 이보다 낮은 온도 특히, 열전소자의 구동 온도에서는 다른 상들로 분해가 발생하여 상 안정성을 나타내지 못한다. 결과적으로， 상기 칼코겐 화합물은 염화나트륨과 동일한 면심 입방 격자 구조를 나타내며, 일부 빈 격자 자리를 포함하여, 낮은 열전도도 및 우수한 열전특성을 나타낼 컷으로 예측되었으나, 열전소자의 대체적인 구동 온도에 대웅하는 약 580 °C 이하의 낮은 온도에서 열악한 상 안정성을 나타냄에 따라, 열전 변환 소재로 적용하기에 매우 제한적인 문제점이 있었디
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
이에 본 발명은 낮은 열전도도 및 우수한 열전특성을 나타내며， 열전소자의 구동 온도에 대웅하는 온도에서도 우수한 상 (phase) 안정성을 나타내는 신규한 칼코겐 화합물 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 상기 칼코겐 화합물을 포함하는 열전 소자를 제공하는 것이다.
【기술적. 해결 방법】
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 칼코겐 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
MxSnyBizSe7
상기 화학식 1에서， M은 알칼리 금속이고，
X， y 및 z는 각각 M, Sn, Bi의 몰비로서， x는 0 초과 2 이하이고， y는 0 초과 4 이하이고, z 는 0 초과 2 이하이며， y+z 는 0 초과 6 이하이고， x+y+z는 0초과 7 미만이다.
본 발명은 또한, Sn, Bi 및 Se 를 포함한 원료 물질과, 알칼리 금속 (M)을 포함한 원료 물질을 포함하는 흔합물을 고상 반응시키는 단계; 상기 고상 반응의 결과물올 분쇄하는 단계; 및 상기 분쇄된 결과물을 소결하는 단계를 포함하는 상기 칼코겐 화합물의 제조 방법을 제공한다. 또한， 본 발명은 상기 칼코겐 화합물을 열전 변환 재료토 포함하는 열전 소자를 제공한다. 이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 칼코겐 화합물， 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전 소자에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1 로 표시되는 칼코겐 화합이 제공된다:
[화학식 1]
MxSnyBizSe7
상기 화학식 1 에서 , Μ은 알칼리 금속이고,
X, y 및 ζ는 각각 M, Sn, Bi의 몰비로서 : x는 0 초과 2 이하이고, y는 0 초과 4 이하이고, z 는 0 초과 2 이하이며, y+z 는 0 초과 6 이하이고， x+y+z는 0초과 7 미만이다.
일 구현예의 칼코겐 화합물은 Sn4Bi2Se7 와 같은 칼코겐 화합물에 알칼리 금속이 첨가된 화학식 1 로 표시되는 것으로서, 상기 Sn4Bi2Se7 와 -동일한 결정 격자 구ᅵ조， 즉, 염화나트륨과 동일한 면심 입방 격자 구조 (face- centered cubic lattice)의 결정 구조를 갖는다.
보다 구체적으로， 상기 일 구현예의 화합물은 상기 면심 입방 격자 구조에서, 상기 Se, Sn 및 Bi 가 채운 자리를 제외한 빈 자리 (vacancy)의 일부를 상기 알칼리 금속 원소가 채우고 있는 것으로 보인다. 상기 알칼리 금속 원소가 채우고 남은 빈 자리 (vacancy)는 그대로 유지될 수 있으며, 7- (x+y+z)의 값이 상기 빈 자리 (vacancy)의 몰 비로 정의될 수 있다.
후술하는 실시예에서도 입증되는 바와 같이， 이러한 일 구현예의 화합물은 상기 면심 입방 격자 구조의 결정 격자 구조 및 알칼리 금속의 첨가로 인해 우수한 전기 전도도를 나타낼 수 있는 것으로 확인되었다. 이는 상기 결정 격자 구조에서 기인하는 동시에， 알칼리 금속이 이온 형태로 되면서 추가 전자를 제공할 수 있기 때문으로 보인다.
또한, 상기 일 구현예의 화합물은 상기 특정한 결정 격자 구조를 가지면서도, 알칼리 금속이 빈 격자 자리를 완전히 채우지 못하고， 일부가 빈 자리로 남아 있음에 따라, 낮은 열전도도를 나타내는 것으로 확인되었다. 따라서, 일 구현예의 화합물은 높은 전기 전도도 및 낮은 열전도도에서 기인한 우수한 열전 변환 특성을 나타내는 것으로 확인되었다.
더 나아가， 일 구현예의 칼코겐 화합물은 그 결정 격자 구조 중에 알칼리 금속이 첨가됨에 따라, 열전소자의 구동 온도에 대응하는 낮은 온도 (예를 들어, 약 580 °C 이하의 낮은 온도)에서도, 우수한 상 (phase) 안정성을 나타냄이 확인되었다. 이러한 우수한 상 안정성은 도 2와 같이, 일 구현예의 칼코겐 화합물을 소결체 형태로 최종 제조한 후 방치하였을 때에도, 화합물의 분해가 발생하지 않고， 동일한 XRD 패턴을 유지하여 동일한 결정 구조를 유지하고 있는 점으로부터 확인될 수 있다.
따라서, 일 구현예의 칼코겐 화합물은 기존에 알려진 Sn4Bi2Se7 등이 갖는 열악한 상 안정성의 문제점을 해결하여 열전소자의 일반적인 구동 온도에서도 우수한 상 안정성을 나타내면서도, 특유의 결정 격자 구조에 기인하는 우수한 전기 전도도， 낮은 열 전도도 및 뛰어난 열전 변환 특성을 나타낼 수 있다. 그러므로， 일 구현예의 칼코겐 화합물은 여러 가지 분야 및 용도에서， 열전 변환 소재로서 매우 바람직하게 사용될 수 있다.
한편ᅵ，ᅵ 상기 일 구현예의. 칼코겐 화합물은 상술한 바와 같이, 상술한- 면심 입방 격자 구조에서， 상기 Se, Sn 및 Bi 가 채운 자리를 제외한 빈 자리 (vacancy)의 일부를 상기 알칼리 금속 원소가 채우고 있는 것으로 보인다. 보다 구체적으로, 이러한 면심 입방 격자 구조에서는, 상기 Se 는 면심 입방 격자의 음이온 자리를 채우고 있으며， 상기 Sn 및 Bi 는 면심 입방 격자의 양이온 자리를 채우고 있으며， 상기 알칼리 금속 M 은 상기 Sn 및 Bi 가 채우고 남은 양이온 자리의 빈 자리의 일부를 채우고 있는 것으로 보인다.
이때， 각 양이온 자리를 채우고 있는 상기 알칼리 금속과， Sn 및 Bi 등이 양이온으로 되면서 전자를 제공할 수 있으므로, 일 구현예의 화합물이 나타내는 우수한 전기 전도도에 기여할 수 있는 것으로 보인다. 또한, 상기 알칼리 금속이 첨가되면서 우수한 상 안정성에 기여할 수 있으며, 또한, 상기 알칼리 금속이 빈 격자 자리의 전부를 채우지는 못하면서 일부 빈 격자 자리가 남아 있게 되므로, 일 구현예의 화합물이 낮은 열 전도도를 나타낼 수 있는 것으로 보인다.
이때， 상기 알칼리 금속으로는 Na 및 K로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상의 알칼리 금속을 모두 사용할 수 있으나. 일 구현예의 화합물의 높은 전기 전도도 및 우수한 상 안정성 등을 고려하여, Na를 적절히 사용할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서, X, y 및 z는 각각 알칼리 금속 M, Sn, Βί의 몰비를 나타낼 수 있는데， X는 0 초과 2 이하 (흑은 0 초과 2 미만)이고， y는 0 초과 4 이하이고， z 는 0 초과 2 이하이며, y+z 는 0 초과 6 이하이고, x+y+z는 0초과 7 미만으로 될 수 있다. 보다 구체적인 일 예에서， X는 0.05 내지 0.8， 흑은 0.1 내지 0.5, 혹은 0.2 내지 0.4 로 될 수 있으며， y 는 3.5 내지 4, 혹은 3.7 내지 4, 혹은 3.9 내지 4 로 될 수 있고， z 는 1 .5 내지 2, 혹은 1.7 내지 2, 혹은 1 .9 내지 2로 될 수 있다. 또, y+z는 5 내지 6, 혹은 5.4 내지 6, 혹은 5.8 내지 6 으로 될 수 있고， x+y+z 는 5 내지 6.8， 혹은 6.1 내지 6.8, 혹은 6.2 내지 6.8로 될 수 있다.
이미 상술한 바와 같이， 7-(x+y+z)의 값은 상술한 각 원소들이 채우고 남은 빈 자리 (vacancy)의 몰 비로 정의될 수 있으며， 0 초과, 혹은 0 초과 0.2 이하로 될. 수 있다.
이러한 각 몰비를 충족함에 따라， 일 구현예의 화합물이 특유의 결정 격자 구조를 유지하면서도， 알칼리 금속의 첨가에 따른 보다 .우수한 상 안정성을 나타낼 수 있으며， 알칼리 금속이 빈 격자 자리를 지나치게 많이 채우지 않음에 따라 낮은 열 전도도를 나타낼 수 있다. 또한， 전자를 제공하는 알칼리 금속 및 Bi ^의 몰비가 최적화되어， 일 구현예의 화합물이 보다 우수한 전기 전도도를 나타낼 수 있다.
상술한 일 구현예의 칼코겐 화합물은 낮은 열 전도도， 높은 전기 전도도 및 이에 따른 우수한 열전 변환 특성과, 높은 상 안정성을 가짐에 따라， 각종 열전 냉각 시스템 또는 열전 발전 시스템 등에서 열전 변환 .재료로서 바람직하게 사용될 수 있다. '
한편， 발명의 다른 구현예에 따르면， 상술한 칼코겐 화합물의 제조 방법이 제공된다. 이러한 제조 방법은 Sn, Bi 및 Se 를 포함한 원료 물질과， 알칼리 금속 (M)을 포함한 원료 물질을 포함하는 흔.합물을 고상 반웅시키는 단계; 상기 고상 반응의 결과물을 분쇄하는 단계; 및 상기 분쇄된 결과물을 소결하는 단계를 포함할 수 있다.
이러한 제조 방법에세 상기 Sn, Bi 및 Se 를 포함한 원료 물질로는, 예를 들어， Sn, Bi 및 Se 의 각 분말을 사용할 수 있으며， 상기 알칼리 금속을 포함한 원료 물질로는， 특히， 제한되지는 않지만, M2Se(M 은 알칼리 금속)의 분말을 사용할 수 있다.
또한， 이들 각 원료 물질을 화학식 1 의 몰비 (X, y, z, 7)에 대응하는 비율로 흔합할 수 있다. 예를 들어 , 상기 Sn, Bi 및 Se의 각 분말과 , M2Se의 분말을 원료 물질로 사용하는 경우， M2Se 의 원료 물질에도 Se 가 포함되어 있음을 고려하여 M2Se, Sn, Bi 및 Se의 각 원료 물질을 x/2 ： y: z ： 7-x의 몰비로 흔합할 수 있다.
이러힌' 원료 물질의ᅳ 흔합물을 형성함에 있어서는: 긱" 원료 물질을 소정의 비율로 가한 후, 그라인딩 또는 밀링하고, 선택적으로 펠릿화하여 진행할 수 있다. 이렇게 형성된 혼합물은 그 형성 공정에 따라 분말 상태， 펠릿 상태 또는 잉곳 상태 등으로 될 수 있다.
이러한 흔합물을 형성하고 이에 대한 고상 반웅 단계를 진행할 수 있다. 이러한 고상 반웅 단계는 이전부터 알려진 다양한 금속 간 반응 공정에 준하는 방법으로 수행할 수 있으며， 일 예로서, 분말 상태의 각 원료 물질의 흔합물에 대해, 예를 들어 500 내지 700 °C의 온도에서 진행될 수 있다. 이러한 고상 반응을 위한 열처리는 전기로 등의 노 (furnace)에서 진행할 수 있으며， 진공 도는 불활성 기체 분위기 하에서 진행할 수 있다. 그리고, 상기 열처리 및 고상 반응 단계는 단일 단계로 진행될 수도 있지만， 2 단계 이상으로 나누어 진행할 수도 있다.
상기 고상 반응 단계 후에는 그 반웅 결과물을 분쇄하는 단계를 진행한다. 이러한 분쇄 단계는 이전부터 알려진 열전 변환 재료의 제조 방법 및 장치를 적용하여 진행할 수 있으며, 이러한 분쇄 단계를 거쳐 분말 상태의 결과물을 얻을 수 있다.
. 한편 , 상기 고상 반응 단계 및 분쇄 단계 사이에는, 상기 고상 단계의 결과물을 넁각하여 잉곳을 형성하는 단계를 더 진행할 수도 있다. 이때의 냉각은 각종 넁각 매체를 사용하여 진행할 수 있고， 이전부터 열전 변환 재료의 제조 과정에서 적용되던 넁각 장치 /방법을 별다른 제한 없이 모두 적용할 수 있다. 이러한 냉각 단계를 통한 잉곳 형성의 경우， 이러한 잉곳에 대해 상기 분쇄 단계를 진행할 수 있다.
한편, 상술한 분쇄 단계 후에는， 상기 분쇄된 결과물을 소결하는 단계를 진행할 수 있다. 이러한 소결 단계의 진행에 의해， 소결체 상태로 이미 상술한 일 구현예의 칼코겐 화합물이 제조될 수 있다.
이러한 소결 단계는 당업자에게 잘 알려진 방전 플라즈마 소결법 (Spark Plasma Sintering) 등에 의해 진행될 수 있으며, 예를 들어， 550 °C 이상의 온도 및 10MPa 이상의 압력 하에서 진행될 수 있다. 보다 구체적인 일 예에서， 상기 소결 단계는 550 내지 700 °C의 온도에서 진행될 수 있고， 10 내지 100MPa의 압력 하에 5 내지 10 분 동안 진행될 수 있다. 그리고， 위 소결을 진행한 후에는， 선택적으로 넁각 단계를 더 진행할 수 있다.
다만, 상술한 각 단계는 열전 변환 재료 또는 칼코겐 화합물 등의 금속 화합물을 형성하는 통상적인 제조 조건, 방법 및 장치를 적용하여 진행할 수 있고， 구체적인 반웅 조건 및 방법은 후술하는 실시예에 기재되어 있으므로， 이에 관한 추가적인 설명은 생략하기로 한다.
한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 상술한 일 구현예의 칼코겐 화합물을 열전 변환 재료로 포함하는 열전소자를 제공한다. 이러한 열전소자는 상기 일 구현예의 열전 변환 재료를 p 형 또는 n 형 열전 변환 재료로서 포함할 수 있으며， 이를 위해 상기 일 구현예의 열전 변환 재료로서 추가적인 p 형 원소 또는 n 형 원소를 추가 도핑한 상태로 포함할 수 있다. 다만, 이때 사용 가능한 p 형 원소 또는 n 형 원소의 종류나 도핑 방법은 특히 제한되지 않으며, 이전부터 열전 변환 재료를 p 형 또는 n 형으로 적용하기 위해 일반적으로 사용되던 원소 및 도핑 방법을 적용할 수 있다. ,
상기 열전소자는 이러한 ρ 형 또는 η 형 열전 변환 재료를 소결 상태로 얻은 후, 가공 및 성형하여 형성된 열전엘리먼트를 포함할 수 있으며ᅳ 이와 함께 절연기판 및 전극을 포함할 수 있다. 이러한 열전앨리먼트, 절연기판 및 전극의 결합 구조는 통상적인 열전소자의 구조에 따를 수 있다. 또한, 상기 절연기판으로는 사파이어 기판, 실리콘 기판， 파이렉스 기판 또는 석영 기판 등을 사용할 수 있고， 전극으로는 임의의 금속 또는 도전성 금속 화합물을 포함하는 전극을 사용할 수 있다.
상술한 열전소자는 일 구현예의 열전 변환 재료를 포함함에 따라, 우수한 열전 변환 특성 등을 나타낼 수 있으며, 다양한 분야 및 용도에서, 열전 넁각 시스템 또는 열전 발전 시스템 둥으로 바람직하게 적용될 수 있다.
[발명의 효과】
본 발명에 따르면， 낮은 열전도도 및 우수한 열전.특성을 나타내며， 열전소자의 구동 온도에 대웅하는 온도에서도 우수한 상 (phase) 안정성을 나타내는 신규한 칼코겐 화합물 및 이의 제조 방법을 제공될 수 있다. 이러한 칼코겐 화합물을 적용하여， 우수한 특성을 나타내는 열전 소자가 제공될 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 은 염화나트륨 등이 나타내는 면심 입방 격자 구조를 나타내는 모식도이다.
도 2 는 대표적인 Sn-Bi-Se 계 칼코겐 화합물들의 상 (phase) 안정도이다.
도 3 은 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 에서 소결 공정을 거치기 직전의 칼코겐 화합물 분말에 대한 X 선 '회절 분석 결과를 나타내는 도면이다.
도 4 는 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 에서 소결 공정을 거쳐 최종 제조된 소결체를 서냉 및 상온 방치한 후의 X선 회절 분석 결과를 나타내는 도면이다.
도 5a는 실시예 1 내지 3의 칼코겐 화합물의 온도별 전기 전도도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5b 는 실시예 1 내지 3 의 칼코겐 화합물의 은도별 제백계수를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5c 는 실시예 1 내지 3 의 칼코겐 화합물의 온도별 출력인자를 측정한 결과를 나타낸 그래프미다.
도 5d 는 실시예 1 내지 3 의 칼코겐 화합물의 온도별 열전도도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5e 는 실시예 1 내지 3 의 칼코겐 화합물의 온도별 격자 열전도도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5f 는 실시예 1 내지 3 의 칼코겐 화합물의 온도별 열전 성능 지수를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
【발명의 실시를 위한 형태】
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단， 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 실시예 1 : 칼코겐 화합물의 제조 (Na^Sn Bi^e^
고순도 원료 물질인 Sn, Bi, Se 및 Na2Se 의 각 분말을 글로브 박스에서 4 ： 2 ： 6.9 (7-0.1 ) ： 0.1 의 몰비로 무게를 측정하여 흑연 도가니 (carbon crucible)에 넣은 후, 석영관에 장입하였다. 석영관 내부는 진공되고 밀봉되었다. 그리고, 상기 원료 물질을 620°C에서 24 시간 동안 furnace 내부에서. 항온 유지하였다.
다음으로, 상기 반응이 진행된 석영관을 물로서 넁각시킨 후 잉곳을 얻었으며， 상기 잉곳을 입경 75 ni 이하의 분말로 곱게 분쇄하고， 50MPa 의 압력， 620 °C의 온도에서 10 분 동안 방전 플라즈마 소결법 (SPS)에 따라 소결하여 Na0.2Sn4Bj2Se7의 칼코겐 화합물을 제조하였다. 실시예 2: 칼코겐 화합물의 제조 (Ν30_43η4Βί?5ΘΖ)
고순도 원료 물질인 Sn, Bi, Se 및 Na2Se 의 각 분말을 글로브 박스에서 4 ： 2 ： 6.8 (7-0.2) ： 0.2의 몰비로 흔합한 것을 제외하고는 실시예 1과.동일한 방법으로 Na0.4Sn4Bi2Se7의 칼코겐 화합물을 제조하였다. 실시예 3: 칼코겐 화합물의 제조 (Nan 75Sn4Bi1 7Se7)
고순도 원료 물질인 Sn, Bi, Se 및 Na2Se 의 각 분말을 글로브 박스에서 4： 1.7： 6.625 (7-0.375)： 0.375의 몰비로 흔합한 것을 제외하고는 실시예 1 과 동일한 방법으로 Na0.75Sn4Bh.7Se7 의 칼코겐 화합물을 제조하였다. 비교예 1 : 칼코겐 화합물의 제조 (Sn4Bi?Se7)
고순도 원료 물질인 Sn, Bi 및 Se 의 각 분말을 글로브 박스에서 4 ：
2 ： 7 의 몰비로 흔합한 것을 제외하고는 실시예 1 과 동일한 방법으로 Sn4Bi2Se7의 칼코겐 화합물을 제조하였다. 실험예
1. XRD 패턴에 따른 상분석
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 에서 소결 공정 직전의 분말 상태 칼코겐 화합물에 대해, X 선 회절 분석을 진행하여 그 결과를 도 3 예 도시하였다. 또한， 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 에서 소결 공정을 통해 최종 제조된 소결체를 약 620°C에서 300°C로 서서히 냉각시킨 후 다시 상온 (25 °C )으로 넁각시키고 나서 소결체를 15 일간 대기 분위기에서 유지한 다음 각 소결체에 대해 X 선 회절 분석을 진행하여 그 결과를 도 4 에 도시하였다.
그리고， TOPAS 프로그램을 이용하여 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 의 각 분말 상태 칼코겐 화합물에 대해， 격자 상수를 계산하였으며 이를 하기 표 1에 나타내었다. [표 1]
Figure imgf000013_0001
추가로， 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 의 각 분말 상태 칼코겐 화합물에 대해， 단위 격자 내부의 각 성분 별 원자 수를 하기 표 2 에 나타내었다.
[표 2]
Figure imgf000013_0002
먼저， 도 3 을 참고하면， 실시예 1 내지 3 의 분말 상태 칼코겐 화합물은 모두 비교예 1 의 칼코겐 화합물 (즉, 이전부터 고온에서 면심 입방 격자 구조를 갖는 것으로 알려진 Sn4Bi2Se7)과 동일한 결정 격자 구조를 갖는 것으로 확인되었고， 이로부터 실시예 1 내지 3 의 화합물은 모두 면심 입방 격자 구조의 결정 격자 구조를 갖는 것으로 확인되었다.
또, 상기 표 1 을 참고하면， 실시예 1 내지 3 에서는， 알칼리 금속 (Na)가 추가되면서, 비교예 1 에 비해 격자 상수 값이 증가하였으며, 이로부터 알칼리 금속이 위 결정 격자 구조의 빈 자리를 채운 것으로 유추될 수 있다. 특히, 실시예 1 및 2 를 비교하면， 알칼리 금속 함량이 증가할수록 격자 상수는 증가하나， Bi 의 비율이 상대적으로 작은 실시예 3 에서 실시예 2 대비 감소된 격자 상수가 나타남이 확인되는데, 이로부터 알칼리 금속이 위 결정 격자 구조의 빈 자리를 채우고 있으며,다만 Bi 대비 알칼리 금속 (Na)의 원자 반경이 작음에 따라， 실시예 3 이 감소된 격자 상수를 나타내는 것으로 확인될 수 있다.
ϋ리고, 상기 표 2를 참고하면， 알칼리 금속이 추가된 실시예 1 내지 3 에서는， 격자 구조의 빈 자리 (vacancy) 농도가 비교예 1 에 비해 감소하게 되며, 실시예 1 및 2 에서는， 알칼리 금속으로부터 전자를 공급받아 전자농도가 증가할 것으로 예측된다. 한편 Bi 의 함량이 감소한 실시예 3 의 경우 Bi3+ 대비 Na+ 가 2개의 전자 (electron)를 덜 공급하게 되어 결과적으로 전자농도가 감소 (홀 농도 증가)할 것으로 예측된다.
또한, 도 4를 참고하면, 비교예 1 의 경우, 상대적으로 낮은 은도에서 방치하였을 때 열악한 상 안정성을 나타냄에 따라, Sn4Bi2Se7 의 칼코겐 화합물의 분해가 발생하여 다수의 이차상들 (Bi3Se4, Bi8Se9; Sn3Bi9Se13)이 형성되었음이 확인된다 (XRD 패턴상에 다수의 이차상들에서 기인한 피크들 확인됨.) . 이에 비해, 실시예 1 내지 3 의 화합물은 이차상들의 생성 없이， 면심 입방 격자 구조를 그대로 유지하고 있고, 우수한 상 안정성을 나타냄이 확인돠었다. 이로부터, 실시예 1 내지 3 은 상대적으로 낮은 온도에서도 우수한 상 안정성을 나타냄이 확인된다.
2. 전기전도도의 온도 의존성
실시예 1 내지 3 에서 제조된 칼코겐 화합물 시편에 대하여 전기 전도도를 온도 변화에 따라 측정하여 도 5a 에 나타내었다. 이러한 전기 전도도는 비저항 측정 장비인 Linseis사 LSR-3을 사용하고, 직류사탐침법을 통하여 100 내지 30CTC의 온도 영역에서 측정되었다.
도 5a를 참고하면, 실시예 1 내지 3은 대체로 우수한 전기 전도도를 나타냄이 확인되었고， 특히， 실시예 2>실시예 1 >실시예 3 의 순으로 전기 전도도가 우수함이 확인되었다. 이는 알칼리 금속이 양이온화되면서 전자를 제공할 수 있으므로， 알칼리 금속의 함량이 보다 높은 실시예 2 의 전기 전도도가 우수한 것으로 예측되며， 실시예 3 의 경우, Bi3+로 양이온화되어 보다 많은. 전자를 제공할 수 있는 Bi 의 함량이 낮음에 따라 상대적으로 낮은 전기 전도도를 나타내는 것으로 예측된다.
3. 제백계수 측정 및 제백계수의 은도 의존성
실시예 1 내지 3 에서 제조된 칼코겐 화합물 시편에 대하여 제백계수 (S)를 온도 변화에 따라 측정하여 도 5b 에 나타내었다. 이러한 제백계수는 측정 장비 Linseis 사 LSR-3 을 사용하고, differential voltage/temperature technique을 적용하여 100 내지 300°C의 온도 영역에서 측정되었다.
도 5b에 도시된 바와 같이， 실시예 1 내지 3은 모두 열전 변환 재료로서 적용 가능한 양 또는 음의 제백 계수를 나타내는 것으로 확인되었다.
다만， 실시예 1 및 2를 비교하면, 알칼리 금속 함량이 0.2에서 0.4로 증가함에 따라， 제백계수가 양 (이 에서 음 (-) 의 값으로 변함이 확인된다. 이는 알칼리 금속의 추가적인 전자 공급에 따른 소재의 주요 전하 운반자가 홀 (hole)에서 전자로 바뀐 것을 의미하며， P형에서 N형 반도체 소재로의 특성 변화를 나타낸다. 이는 알칼리 금속의 추가적인 전자 공급에도 불구하고 여전히 실시예 1에서는 주요 전하 운반자가 홀 (hole)이었음을 의미한다. 실시예 3의 경우처럼 Bi 함량이 감소하고 알칼리 금속 함량이 증가하면 Bi 감소분 대비 알칼리 금속이 전자를 덜 공급하게 되어서 실시예 1과 마찬가지로 P형 소재특성을 보이게 된다.
4. 출력 인자에 대한 은도 의존성
실시예 1 내지 3 에서 제조된 칼코겐 화합물 시편에 대하여 출력 인자를 온도 변화에 따라 계산하여 도 5c에 나타내었다.
출력 인자는 Power factor(PF) = o S2으로 정의되며， 도 5a 및 도 5b에 나타난 σ (전기전도도) 및 S (제백계수)의 값을 이용하여 계산하였다. 도 5c 에 도시된 바와 같이， 실시예 1 내지 3 은 모두 대체로 우수한 출력 인자를 나타내는 것으로 확인되며, 이 중에서도 실시예 1 의 시편에서 가장 우수한 출력인자 값이 나타남을 확인하였다. 특히， 10C C에서 측정된 출력인자는 약 3.62 μ W/cmK2 값을 나타내었다.
5. 열전도도 및 격자 열전도도의 온도 의존성
실시예 1 내지 3 에서 제조된 칼코겐 화합물 시편에 대하여 열전도도 및 격자 열전도도를 은도 변화에 따라 측정하여 도 5d 및 도 5e 에 각각 나타내었다. 이러한 열전도도의 측정에 있어서는， 먼저 열전도도 측정 장비인 Netzsch 사 LFA457 장비를 사용하고 레이저 섬광법을 적용하여 열확산도 (D) 및 열용량 (Cp)을 측정하였다. 이러한 측정 값을 식 "열전도도 (k) = D p Cp ( p는 아르키메데스법으로 측정된 샘플 밀도이다)"의 식에 적용하여 열전도도 (k)를 산출하였다.
또， 총 열전도도 ( κ = L + κ Ε)는 격자 열전도도 ( K L)와 Wiedemann- Franz law( K E= L σ Τ 따라 계산된 열전도도 ( κ Ε)로 구분되는데， 로렌츠수 (L)는 온도에 따른 제백계수로부터 계산된 값을 사용하였다.
도 5(1및 5e 를 참고하면, 실시예 1 내지 3 은 대체로 낮은 열전도도 및 격자. 열전도도를 나타내었다. 특히, 실시예 1 의 시편은 높은 전기전도도에 기여한 kE 에도 . 블구하고 가장 낮은 열전도도 값을 나타내었으며， 이는 도 5e 에 도시된 바와 같이 격자 열전도도 값이 상대적으로 가장 낮은 값을 나타내었기 때문이다. 격자열전도도는 표 2 에서 보여지듯이, 격자 내 빈 자리 (vacancy) 농도가 증가할수록 보다 감소하게 된다. 특히, 200°C에서는 실시예 1 의 시편에서 격자 열전도도가 0.51 W/mK으로 매우 낮은 값을 나타내었다.
6. 열전성능지수 (ZT) 의 온도 의존성
실시예 1 내지 3 에서 제조된 칼코겐 화합물 시편에 대하여 열전성능지수를 온도 변화에 따라 계산하여 도 5f 에 나타내었다. 열전성능지수는 ZT=S2 o T/k 로 정의되며, 상기 실험예들에서 얻어진 S (제백계수)， σ (전기전도도)， T (절대온도) 및 k (열전도도)의 값을 이용하여 계산하였다.
도 5f 를 참고하면， 실시예 1 내지 3 은 열전 변환 재료로서 적용 가능한 우수한 열전 성능 지수를 나타냄이 확인되었다. 구체적으로， 온도가 상승함에 따라 20C C까지 ZT 값은 증가하였고， 이후 감소하는 경향성을 보였다. 실시예 1 시편의 경우, 20CTC에서 가장 우수한 열전 성능 지수 (ZT=0.24) 값을 보였다.

Claims

【청구의 범위】 【청구항 1】 하기 화학식 1로 표시되는 칼코겐 화합물:
[화학식 1]
MxSnyBizSe7
상기 화학식 1에서 , Μ은 알칼리 금속이고，
X， y 및 ζ는 각각 M, Sn, Bi의 몰비로서， x는 0 초과 2 이하이고, y는 0 초과 4 이하이고, z 는 0 초과 2 이하이며, y+z 는 0 초과 6 이하이고， x+y+z는 0초과 1 미만이다.
【청구항 2】
제 1 항에 있어서， M은 Na 및 K로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상의 알칼리 금속인 칼코겐 화합물.
【청구항 3】
제 1 항에 있어서， 면심 입방 격자 구조 (face-centered cubic lattice)의 결정 구조를 갖는 칼코겐 화합물.
【청구항 4】
제 3 항에 있어서, 상기 M 은 상기 면심 입방 격자 구조에서, 상기 Se, Sn 및 Bi 가 채운 자리를 제외한 빈 자리의 알부를 채우고 있는 칼코겐 화합물.
【청구항 5】
제 3 항에 있어서，
상기 Se 면심 입방 격자의 음이은 자리를 채우고 있으며, 상기 Sn 및 Bi는 면심 입방 격자의 양이은 자리를 채우고 있으며 , 상기 M 은 상기 Sn 및 Bi 가 채우고 남은 양이온 자리의 빈 자리의 일부를 채우는 칼코겐 화합물.
【청구항 6】
제 1 항에 있어서, 열전 변환 재료로 사용되는 칼코겐 화합물.
[청구항 7]
Sn, Bi 및 Se 를 포함한 원료 물질과, 알칼리 금속 (M)을 포함한 원료 물질을 포함하는 흔합물을 고상 반웅시키는 단계;
상기 고상 반응의 결과물을 분쇄하는 단계; 및
상기 분쇄된 결과물을 소결하는 단계를 포함하는 제 1 항의 칼코겐 화합물의 제조 방법.
【청구항 8】
제 7 항에 있어서, 상기 알칼리 금속을 포함한 원료 물질은 M2Se(M은 알칼리 금속)의 분말을 포함하는 칼코겐 화합물의 제조 방법 .
【청구항 9】 .
제 7 항에 있어서, 상기 고상 반웅 단계는 분말 상태의 각 원료 물질에 대해, 500 내지 70( C의 온도에서 진행되는 칼코겐 화합물의 제조 방법.
【청구항 10】
제 7 항에 있어서， 상기 고상 반웅 단계 및 분쇄 단계 사이에, 상기 고상 단계의 결과물을 냉각하여 잉곳을 형성하는 단계를 더 포함하는 칼코겐 화합물의 제조 방법.
【청구항 1 1】
제 7 항에 있어서， 상기 소결 단계는 방전 플라즈마 소결법에 의해 진행되는 칼코겐 화합물의 제조 방법.
【청구항 12】
제 7 항에 있어서, 상기 소결 단계는 550 °C 이상의 온도 및 10MPa 이상의 압력 하에서 진행되는 칼코겐 화합물의 제조 방법.
【청구항 13】
제 1 항 내지 제 5 항 증 어느 한 항에 따른 칼코겐 화합물을 열전 변환 재료로 포함하는 열전 소자.
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