WO2017217059A1 - 弾性波装置 - Google Patents
弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2017217059A1 WO2017217059A1 PCT/JP2017/011577 JP2017011577W WO2017217059A1 WO 2017217059 A1 WO2017217059 A1 WO 2017217059A1 JP 2017011577 W JP2017011577 W JP 2017011577W WO 2017217059 A1 WO2017217059 A1 WO 2017217059A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- electrode
- bus bar
- main surface
- wave device
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 2
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
Definitions
- the present invention relates to an elastic wave device, and more particularly to an elastic wave device including an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
- IDT Interdigital Transducer
- the second through-via electrode overlaps the second bus bar in the plan view, and at least a part of the second through-via electrode is arranged directly below the second bus bar.
- the wiring path from the second IDT electrode to the second external electrode is shortened. Therefore, the heat generated in the second IDT electrode is easily transmitted to the second external electrode through the second through via electrode. That is, the heat transfer efficiency to the second external electrode is increased. Therefore, heat easily escapes from the second IDT electrode, and at least a part of the second through via electrode is arranged directly under the second bus bar, whereby the substrate can be further downsized.
- the elastic wave includes a surface wave generated on the surface of the piezoelectric film 11 (first main surface 1a).
- the second IDT electrode 22 is a comb-like electrode having a second bus bar 221 and a plurality of second electrode fingers 222 extending from the second bus bar 221, and is formed on the first main surface 1a. (See FIG. 1).
- the second bus bar 221 extends substantially perpendicular to the extending direction of the second electrode fingers 222 and is directly connected to all of the one ends of the plurality of second electrode fingers 222. Is.
- the first through via electrode 41 is in a state where at least a part of the exposed surface 41b in the second main surface 1b is overlapped with the formation region of the first external electrode 31 in the second main surface 1b. It is connected to the first external electrode 31. That is, the first through via electrode 41 is directly connected to the first external electrode 31 without any other wiring. Thereby, the heat generated in the first IDT electrode 21 can be efficiently released to the first external electrode 31 through the first through via electrode 41.
- the elastic wave device As described above, according to the elastic wave device according to the first embodiment, heat generated in the first IDT electrode 21 and the second IDT electrode 22 can be efficiently released.
- the first through via electrode 41 is disposed directly below the first bus bar 211 and the second through via electrode 42 is disposed directly below the second bus bar 221, thereby reducing the size of the substrate 1. Can do.
- the size reduction of the elastic wave apparatus is implement
- FIG. 3A and 3B are diagrams showing temperature distributions generated on the first main surface 1a of the substrate 1 during operation of the acoustic wave device, and these temperature distributions are derived by simulation. It is a thing.
- FIG. 3A shows the result of simulation for the elastic wave device according to the first embodiment
- FIG. 3B shows the result of simulation for the conventional elastic wave device. It is.
- the first through-via electrode 41 and the second through-via electrode 42 are the first bus bar 211 and the second bus bar 221 in plan view from the first main surface 1a side, respectively.
- the second through-via electrode 42 is not shown.
- the first IDT electrode 21 and the second IDT electrode 22 are formed on the surface of the piezoelectric film 11 (the first main surface 1a of the substrate 1).
- the first IDT electrode 21 and the second IDT electrode 22 are formed using a lift-off method which is a kind of vapor deposition method.
- the Bosch process is used for etching the support 12, and the straightness of the through holes 41c and 42c in the direction substantially perpendicular to the second main surface 1b. Is preferable in that it improves.
- the intermediate layer 13 contains SiO 2 as a main component, it is preferable to use RIE using a fluorine-based gas for etching the intermediate layer 13 from the following points. That is, after the through holes 41c and 42c reach the first main surface 1a, the first IDT electrode 21 and the second IDT electrode 22 formed of an electrode material such as Al, Pt, Cu, Au, etc. Etching is prevented.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
弾性波装置は、圧電膜(11)を含む基板(1)と、第1のIDT電極(21)と、第1の外部電極(31)と、第1の貫通ビア電極(41)と、を備える。第1のIDT電極(21)は、基板(1)の第1の主面(1a)に形成されており、第1のバスバー(211)と、当該第1のバスバー(211)から延びた複数の第1の電極指(212)と、を有する。第1の外部電極(31)は、基板(1)の第2の主面(1b)に形成されている。第1の貫通ビア電極(41)は、基板(1)を第1の主面(1a)から第2の主面(1b)まで貫通しており、第1のIDT電極(21)と第1の外部電極(31)とを電気的に接続している。そして、第1の主面(1a)側からの平面視において第1の貫通ビア電極(41)の少なくとも一部が第1のバスバー(211)と重なっており、且つ、当該少なくとも一部は第1のバスバー(211)の直下に配されている。
Description
本発明は、弾性波装置に関し、特にIDT(Interdigital Transducer)電極を備えた弾性波装置に関する。
弾性波装置の一例として、圧電基板の主面に、複数の電極指を有するIDT電極が形成されたものが存在する。この様な弾性波装置においては、IDT電極(主に電極指)にて熱が発生し易い。
しかし、従来の弾性波装置では、IDT電極で発生する熱について十分な対策がなされていなかった。即ち、IDT電極から外部電極までの配線経路が放熱経路となり得るが、従来の弾性波装置では、例えば、IDT電極から外部電極までの配線距離が大きいものや、配線幅が狭いものが多かった。この様な弾性波装置では、IDT電極から熱を十分に逃がすことができず、IDT電極及びその近傍に留まり易くなる。このため、電極指の温度が過度に上昇し、延いてはストレスマイグレーションにより電極指が破壊される虞があった。
特許文献1には、IDT電極から外部電極までの配線距離が比較的小さい構成が開示されている。この構成では、圧電基板の主面にてIDT電極から引き出された配線と、圧電基板を貫通する貫通ビア電極とを介して、IDT電極と外部電極とが互いに接続されている。
しかしながら、特許文献1では、熱伝導率の高い金属で形成された貫通ビア電極が、動作時の発熱部であるIDT電極から離れた位置に配されているため、十分に高い放熱性が発揮されない。更に、パッド部の下方に貫通電極を設けた場合、その貫通電極を大きくすることにより放熱性を向上させることはできるが、弾性波装置の大型化を招いてしまう。
そこで本発明の目的は、小型化を実現しつつ、且つ、IDT電極で発生する熱を効率良く逃がすことが可能な弾性波装置を提供することである。
本発明に係る弾性波装置は、基板と、第1のIDT電極と、第1の外部電極と、第1の貫通ビア電極と、を備える。基板は、互いに反対側に位置する第1の主面及び第2の主面を有し、圧電膜を含む。第1のIDT電極は、第1の主面に形成されており、第1のバスバーと、当該第1のバスバーから延びた複数の第1の電極指と、を有する。第1の外部電極は、第2の主面に形成されている。第1の貫通ビア電極は、基板を第1の主面から第2の主面まで貫通しており、第1のIDT電極と第1の外部電極とを電気的に接続している。そして、第1の主面側からの平面視において第1の貫通ビア電極の少なくとも一部が第1のバスバーと重なっており、且つ、当該少なくとも一部は第1のバスバーの直下に配されている。
上記弾性波装置によれば、上記平面視において第1の貫通ビア電極の少なくとも一部が第1のバスバーと重なっており、且つ、当該少なくとも一部が第1のバスバーの直下に配されているため、第1のIDT電極から第1の外部電極までの配線経路が短くなる。従って、第1のIDT電極で発生した熱が、第1の貫通ビア電極を通じて第1の外部電極まで伝達され易くなる。即ち、第1の外部電極までの熱の伝達効率が高くなる。よって、第1のIDT電極から熱が逃げ易くなる。又、第1の貫通ビア電極の少なくとも一部が第1のバスバーの直下に配されることにより、基板を小型化することができる。
本発明に係る弾性波装置では、第1の貫通ビア電極は、第1の外部電極に直接的に接続されていることが好ましい。
この構成によれば、第1の貫通ビア電極が、他の配線を介さずに、第1の外部電極に直接的に接続されることになる。よって、第1のIDT電極で発生した熱を、第1の外部電極へ効率良く伝達させることができる。
本発明に係る弾性波装置では、第1の貫通ビア電極は、上記平面視において複数の第1の電極指の少なくとも一部と重なる重複部を有していてもよい。
この構成によれば、第1のIDT電極で発生した熱を、重複部を通じて更に効率良く逃がすことができる。
本発明に係る弾性波装置は、第2のIDT電極と、第2の外部電極と、第2の貫通ビア電極と、を更に備えていてもよい。ここで、第2のIDT電極は、第1の主面に形成されており、第1のバスバーに対向配置された第2のバスバーと、当該第2のバスバーから第1のバスバーの方へ延びた複数の第2の電極指と、を有する。第2の外部電極は、第2の主面に形成されている。第2の貫通ビア電極は、基板を第1の主面から第2の主面まで貫通しており、第2のIDT電極と第2の外部電極とを電気的に接続している。そして、上記平面視において第2の貫通ビア電極の少なくとも一部が第2のバスバーと重なっており、且つ、当該少なくとも一部は第2のバスバーの直下に配されていることが好ましい。
この構成によれば、上記平面視において第2の貫通ビア電極の少なくとも一部が第2のバスバーと重なっており、且つ、当該少なくとも一部が第2のバスバーの直下に配されているため、第2のIDT電極から第2の外部電極までの配線経路が短くなる。従って、第2のIDT電極で発生した熱が、第2の貫通ビア電極を通じて第2の外部電極まで伝達され易くなる。即ち、第2の外部電極までの熱の伝達効率が高くなる。よって、第2のIDT電極からも熱が逃げ易くなる、又、第2の貫通ビア電極の少なくとも一部が第2のバスバーの直下に配されることにより、基板をより小型化することができる。
本発明に係る弾性波装置では、基板は、圧電膜を支持する支持体を更に含んでいることが好ましい。そして、圧電膜は、タンタル酸リチウム及びニオブ酸リチウムより成る群から選択される少なくとも1つを主成分として含み、支持体は、ケイ素を主成分として含んでいることが好ましい。より好ましくは、基板は、圧電膜と支持体との間に介在した中間層を更に含み、中間層は、酸化ケイ素を主成分として含む。
これらの構成によれば、圧電膜の厚さを小さくすることができる。よって、熱伝導率の高い支持体までのIDT電極から距離が小さくなり、支持体をも通じて熱を逃がすことが可能となる。又、貫通ビア電極の形成が容易になる。
本発明に係る弾性波装置によれば、小型化を実現しつつ、且つ、IDT電極で発生する熱を効率良く逃がすことが可能となる。
[1]第1の実施形態
[1-1]弾性波装置の構成
図1は、第1の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した平面図である。又、図2(A)及び(B)は、図1に示されたIIa-IIa線及びIIb-IIbのそれぞれでの断面図である。図1、図2(A)及び(B)に示される様に、弾性波装置は、基板1と、第1のIDT電極21と、第2のIDT電極22と、第1の外部電極31と、第2の外部電極32と、第1の貫通ビア電極41と、第2の貫通ビア電極42と、を備える。
[1-1]弾性波装置の構成
図1は、第1の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した平面図である。又、図2(A)及び(B)は、図1に示されたIIa-IIa線及びIIb-IIbのそれぞれでの断面図である。図1、図2(A)及び(B)に示される様に、弾性波装置は、基板1と、第1のIDT電極21と、第2のIDT電極22と、第1の外部電極31と、第2の外部電極32と、第1の貫通ビア電極41と、第2の貫通ビア電極42と、を備える。
基板1は、圧電膜11と、当該圧電膜11を支持する支持体12と、これらの間に介在した中間層13と、を含む(図2(B)参照)。具体的には、基板1は、支持体12、中間層13、及び圧電膜11がこの順に積層されたものである。そして、基板1は、圧電膜11が露出した第1の主面1aと、当該第1の主面1aとは反対側に位置する第2の主面1bとを有する。即ち、圧電膜11の表面により第1の主面1aが構成され、支持体12の裏面により第2の主面1bが構成されている。
圧電膜11は、高い圧電特性を発揮するタンタル酸リチウム(LT)及びニオブ酸リチウム(LN)の少なくとも何れか1つを主成分として含んでいることが好ましい。尚、圧電膜11は、LTやLNに限らず、弾性波装置に適した圧電特性を発揮する種々の圧電材料を主成分として含んでいてもよい。
支持体12は、バルク波の伝搬速度を圧電膜11よりも速くする高音速層として機能する。支持体12を高音速層として機能させるべく、支持体12は、ケイ素(Si)を主成分として含んでいることが好ましい。尚、支持体12は、Siに限らず、支持体12を高音速層として機能させることができる種々の材料を主成分として含んでいてもよい。
中間層13は、バルク波の伝搬速度を圧電膜11よりも遅くする低音速層として機能する。中間層13を低音速層として機能させるべく、中間層13は、酸化ケイ素(SiO2)を主成分として含んでいることが好ましい。尚、中間層13は、SiO2に限らず、中間層13を低音速層として機能させることができる種々の材料を主成分として含んでいてもよい。
この様な基板1の構成によれば、低音速層である中間層13により、圧電膜11で生じた弾性波が基板1の第2の主面1b側へ漏れることを抑制することができる。尚、弾性波には、圧電膜11の表面(第1の主面1a)に生じた表面波が含まれる。
第1のIDT電極21は、第1のバスバー211と、当該第1のバスバー211から延びた複数の第1の電極指212と、を有する櫛状電極であり、第1の主面1aに形成されている(図1参照)。ここで、第1のバスバー211は、第1の電極指212の延在方向に対して略垂直に延びると共に、複数の第1の電極指212がそれぞれ有する一端の全てに直接的に接続されるものである。
第2のIDT電極22は、第2のバスバー221と、当該第2のバスバー221から延びた複数の第2の電極指222と、を有する櫛状電極であり、第1の主面1aに形成されている(図1参照)。ここで、第2のバスバー221は、第2の電極指222の延在方向に対して略垂直に延びると共に、複数の第2の電極指222がそれぞれ有する一端の全てに直接的に接続されるものである。
具体的には、第1のバスバー211と第2のバスバー221とは互いに対向配置されており、第1の電極指212は、第1のバスバー211から第2のバスバー221の方へ延び、第2の電極指222は、第2のバスバー221から第1のバスバー211の方へ延びている。又、一例として、第1の電極指212と第2の電極指222とは、第1のバスバー211(又は第2のバスバー221)の延在方向において交互に配置されている。尚、第1の電極指212と第2の電極指222との配置関係は、これに限定されない種々の変形が可能である。
基板1の第2の主面1bには、ソルダーレジスト50が形成されている(図2(A)及び(B)参照)。このソルダーレジスト50は、第1の外部電極31及び第2の外部電極32が形成される領域を開口させている。
第1の外部電極31は、第2の主面1bに形成されており、第1の貫通ビア電極41を通じて第1のIDT電極21に接続されている。又、第2の外部電極32は、第2の主面1bに形成されており、第2の貫通ビア電極42を通じて第2のIDT電極22に接続されている。本実施形態において、第1の外部電極31及び第2の外部電極32は何れもバンプ電極である。尚、第1の外部電極31及び第2の外部電極32には、バンプ電極に限らず、平面電極等、種々の電極を用いることができる。又、本実施形態では、第1の外部電極31が2つ設けられているが、これに限らず、その数は1つであってもよいし3つ以上の複数であってもよい。第2の外部電極32についても同様である。
本実施形態において、第1の外部電極31は、第1の主面1a(又は第2の主面1b)側からの平面視において、その少なくとも一部が第1のバスバー211と重なる領域に形成されている(図1参照)。又、第2の外部電極32は、第1の主面1a(又は第2の主面1b)側からの平面視において、その少なくとも一部が第2のバスバー221と重なる領域に形成されている。尚、これに限らず、第1の外部電極31及び第2の外部電極32の少なくとも何れか一方は、第1のバスバー211及び第2のバスバー221の何れとも重ならない領域に形成されてもよい(例えば、図6参照)。
第1の貫通ビア電極41は、基板1を第1の主面1aから第2の主面1bまで貫通しており、第1のIDT電極21と第1の外部電極31とを電気的に接続している(図2(B)参照)。具体的には、第1の貫通ビア電極41は、第1のバスバー211の直下に配されており、第1の主面1aから第2の主面1bまで、これらの主面に対して略垂直な方向へ直線的に延びている。尚、「直下」という意味には、少なくとも一部が真下に位置し、当該少なくとも一部が直接接触するという意味が含まれる。以下、同様である。即ち、第1の貫通ビア電極41は、少なくとも一部が第1のバスバー211の真下に位置にし、当該少なくとも一部が第1のバスバー211に直接接触している。
そして本実施形態では、第1の貫通ビア電極41は、第1の主面1aにおける露出面41aの全てを、第1の主面1aにおける第1のバスバー211の形成領域に重ねた状態で、第1のバスバー211に接続されている。これにより、第1の貫通ビア電極41は、他の配線を介さずに、第1のバスバー211に直接的に接続されている。
尚、第1の貫通ビア電極41は、第1の主面1aにおける露出面41aの少なくも一部を、第1の主面1aにおける第1のバスバー211の形成領域に重ねた状態で、第1のバスバー211に接続されていてもよい。即ち、第1の貫通ビア電極41の少なくとも一部が、第1のバスバー211の直下に配されていてもよい。又、第1の貫通ビア電極41と、第1のバスバー211との間には、これらを互いに密着させる密着導電層が介在していてもよい。
この様に、第1の主面1a(又は第2の主面1b)側からの平面視において第1の貫通ビア電極41の少なくとも一部が第1のバスバー211と重なっており、且つ、当該少なくとも一部は第1のバスバー211の直下に配されていることが好ましい。なぜなら、第1のバスバー211は面積が大きいが故に、その直下に配される第1の貫通ビア電極41を断面積の大きなものとすることができ、その結果として、熱を効率良く逃がすことが可能となるからである。又、上述した様に、第1の貫通ビア電極41は、第1のバスバー211に直接的に接続されることが好ましい。なぜなら、第1のIDT電極21で発生した熱を、第1の貫通ビア電極41へ効率良く逃がすことができるからである。
更に、第1の貫通ビア電極41は、第2の主面1bにおける露出面41bの少なくも一部を、第2の主面1bにおける第1の外部電極31の形成領域に重ねた状態で、第1の外部電極31に接続されている。即ち、第1の貫通ビア電極41は、他の配線を介さずに、第1の外部電極31に直接的に接続されている。これにより、第1のIDT電極21で発生した熱を、第1の貫通ビア電極41を通じて第1の外部電極31まで効率良く逃がすことができる。
第2の貫通ビア電極42は、基板1を第1の主面1aから第2の主面1bまで貫通しており、第2のIDT電極22と第2の外部電極32とを電気的に接続している。具体的には、第2の貫通ビア電極42は、第2のバスバー221の直下に配されており、第1の主面1aから第2の主面1bまで、これらの主面に対して略垂直な方向へ直線的に延びている。即ち、第2の貫通ビア電極42は、少なくとも一部が第2のバスバー221の真下に位置にし、当該少なくとも一部が第2のバスバー221に直接接触している。
そして本実施形態では、第2の貫通ビア電極42は、第1の主面1aにおける露出面42aの全てを、第1の主面1aにおける第2のバスバー221の形成領域に重ねた状態で、第2のバスバー221に接続されている。これにより、第2の貫通ビア電極42は、他の配線を介さずに、第2のバスバー221に直接的に接続されている。
尚、第2の貫通ビア電極42は、第1の主面1aにおける露出面42aの少なくも一部を、第1の主面1aにおける第2のバスバー221の形成領域に重ねた状態で、第2のバスバー221に接続されていてもよい。即ち、第2の貫通ビア電極42の少なくとも一部が、第2のバスバー221の直下に配されていてもよい。又、第2の貫通ビア電極42と、第2のバスバー221との間には、これらを互いに密着させる密着導電層が介在していてもよい。
この様に、第1の主面1a(又は第2の主面1b)側からの平面視において第2の貫通ビア電極42の少なくとも一部が第2のバスバー221と重なっており、且つ、当該少なくとも一部は第2のバスバー221の直下に配されていることが好ましい。なぜなら、第2のバスバー221は面積が大きいが故に、その直下に配される第2の貫通ビア電極42を断面積の大きなものとすることができ、その結果として、熱を効率良く逃がすことが可能となるからである。又、上述した様に、第2の貫通ビア電極42は、第2のバスバー221に直接的に接続されることが好ましい。なぜなら、第2のIDT電極22で発生した熱を、第2の貫通ビア電極42へ効率良く逃がすことができるからである。
更に、第2の貫通ビア電極42は、第2の主面1bにおける露出面42bの少なくも一部を、第2の主面1bにおける第2の外部電極32の形成領域に重ねた状態で、第1の外部電極31に接続されている。即ち、第2の貫通ビア電極42は、他の配線を介さずに、第2の外部電極32に直接的に接続されている。これにより、第2のIDT電極22で発生した熱を、第2の貫通ビア電極42を通じて第2の外部電極32まで効率良く逃がすことができる。
第1の実施形態に係る弾性波装置によれば、第1の貫通ビア電極41が、第1のバスバー211の直下に配されている。従って、第1のバスバー211から第1の外部電極31までの配線経路が短く、その結果として、第1のIDT電極21で発生した熱が、第1の貫通ビア電極41を通じて第1の外部電極31まで伝達され易い。即ち、第1の外部電極31までの熱の伝達効率が高い。よって、第1のIDT電極21から熱が逃げ易い。同様の観点から、第2のIDT電極22で生じた熱についても逃げ易くなる。
更に、本実施形態では、第1の貫通ビア電極41は、他の配線を介さずに、第1の外部電極31に直接的に接続されている。よって、第1の実施形態に係る弾性波装置によれば、第1の外部電極31までの熱の伝達効率が更に高められている。同様の観点から、第2の外部電極32までの熱の伝達効率も更に高められている。
更に又、本実施形態では、基板1が、支持体12、中間層13、及び圧電膜11がこの順に積層されたものとなっている。この様な構成の基板1においては、800nm以下の厚さで圧電膜11を形成することが可能となる。尚、圧電膜11は、その機能が低下することがない様に、厚さが200nm以上であることが好ましい。
圧電膜11の厚さが800nm以下であれば、圧電膜11が、加工の難しいLTやLNを主成分として含むものであったとしても、圧電膜11に対し、クラック等の欠陥を生じずに加工を施すことが可能になる。よって、第1のバスバー211と重なる位置に第1の貫通ビア電極41を形成したとしても、圧電膜11に欠陥が生じ難いため、弾性波装置の高周波特性に悪影響が及び難い。又、圧電膜11が薄くなることにより、第1のIDT電極21で生じた熱は、圧電膜11の厚さに相当する距離(中間層13の厚さを含む)を移動するだけ、支持体12に達する。ここで、支持体12が、熱伝導率が高いSi(熱伝導率:約180W/m・k)を主成分として含んだものである場合、第1のIDT電極21で生じた熱は、第1の貫通ビア電極41を通じて逃げるだけでなく、支持体12をも通じて逃げることになる。よって、第1のIDT電極21からは熱が更に逃げ易い。同様の観点から、第2のIDT電極22からも熱が更に逃げ易くなる。
この様に、第1の実施形態に係る弾性波装置によれば、第1のIDT電極21及び第2のIDT電極22で発生する熱を効率良く逃がすことができる。又、第1の貫通ビア電極41が第1のバスバー211の直下に配され、第2の貫通ビア電極42が第2のバスバー221の直下に配されることにより、基板1を小型化することができる。そして、その様な基板1の小型化により、弾性波装置の小型化が実現されている。尚、支持体12にSiを主成分として含ませることは、支持体12への加工が容易になるという点でも好ましい。
図3(A)及び(B)は何れも、弾性波装置の動作時において基板1の第1の主面1aに生じる温度分布を示した図であり、それらの温度分布は、シミュレーションによって導かれたものである。そして、図3(A)は、第1の実施形態に係る弾性波装置に対するシミュレーションの結果を示したものであり、図3(B)は、従来の弾性波装置に対するシミュレーションの結果を示したものである。尚、従来の弾性波装置として、第1の主面1a側からの平面視において、第1の貫通ビア電極41及び第2の貫通ビア電極42がそれぞれ第1のバスバー211及び第2のバスバー221の何れとも重ならない構成を用いた(第2の貫通ビア電極42は図示せず)。
図3(A)及び(B)に示された温度分布において、一点鎖線は85℃の等温線を示し、二点鎖線は90℃の等温線を示している。又、図3(B)に示された温度分布において、最も内側に位置する太い実線は105℃の等温線を示している。図3(A)及び(B)のそれぞれに示された温度分布を比較することにより、第1の実施形態に係る弾性波装置によれば、従来の弾性波装置に比べて、動作時の温度が著しく低下することが分かる。即ち、第1の実施形態に係る弾性波装置において、第1のIDT電極21及び第2のIDT電極22で発生する熱がそれぞれ、第1の貫通ビア電極41及び第2の貫通ビア電極42を通じて効率良く逃げることが分かる。
[1-2]弾性波装置の製造方法
図4(A)~(D)は、上述した弾性波装置を製造する際に実行する工程を順に示した図である。
図4(A)~(D)は、上述した弾性波装置を製造する際に実行する工程を順に示した図である。
先ず、図4(A)に示される様に、支持体12、中間層13、及び圧電膜11がこの順に積層された基板1を形成する。
一例として、基板1は次の様に形成される。先ず、LT基板に、その一方の表面から水素イオン(H+)を注入することにより、クラック層を形成する。次に、LT基板の他方の表面(クラック層とは反対側の表面)上にSiO2層(中間層13)を形成する。SiO2層の形成には、例えば、スパッタリング法やCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の成膜法が用いられる。そして、SiO2層の表面を平坦化させた後、その表面上にSi基板(支持体12)を接合する。その後、LT基板を加熱することにより、クラック層を分離させると共に、残りの部分をSiO2層の表面に残置させる。これにより、SiO2層の表面にLT膜(圧電膜11)を形成する。そして、形成したLT膜を平坦化させる。
尚、LT膜は、LT基板におけるクラック層の形成及び分離という上記の製法で形成されてもよいし、LT基板に切削加工を施すことにより形成されてもよい。
次に、図4(B)に示される様に、圧電膜11の表面(基板1の第1の主面1a)に第1のIDT電極21及び第2のIDT電極22を形成する。一例として、第1のIDT電極21及び第2のIDT電極22は、蒸着法の一種であるリフトオフ法を用いて形成される。
具体的には、圧電膜11の表面にパターニング用レジストを形成した後、第1のIDT電極21及び第2のIDT電極22の形成領域のレジストを除去することにより、IDT電極形成用のパターンを形成する。次に、圧電膜11の露出表面及びレジスト表面に電極材料を蒸着させ、その後、レジストを除去することにより、圧電膜11の露出表面に形成された蒸着膜のみを残す。尚、電極材料には、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)等、フッ素系ガスを使用した反応性イオンエッチング(RIE)のプラズマに晒されても蒸気圧の高い反応生成物を生じない材料が用いられる。
次に、図4(C)に示される様に、第1の貫通ビア電極41及び第2の貫通ビア電極42のそれぞれの形成に用いられる貫通孔41c及び42cを形成する。具体的には、支持体12の裏面(基板1の第2の主面1b)にパターニング用レジストを形成した後、貫通孔41c及び42aの形成領域のレジストを除去することにより、貫通孔形成用のパターンを形成する。次に、そのパターンに基づいて、基板1に反応性イオンエッチング(RIE)を施すことにより、貫通孔41c及び42cを形成する。その後、レジストを除去する。
尚、支持体12がSiを主成分として含むものである場合、支持体12のエッチングにはボッシュプロセスを用いることが、第2の主面1bに略垂直な方向への貫通孔41c及び42cの直進性が良くなる点で好ましい。又、中間層13がSiO2を主成分として含むものである場合、フッ素系ガスを使用したRIEを中間層13のエッチングに用いることが、次の点で好ましい。即ち、貫通孔41c及び42cが第1の主面1aに到達した後、Al、Pt、Cu、Au等の電極材料で形成された第1のIDT電極21及び第2のIDT電極22までもがエッチングされてしまうことが防止される。
次に、図4(D)に示される様に、貫通孔41c及び42cを電極材料で充填することにより、第1の貫通ビア電極41及び第2の貫通ビア電極42形成する。一例として、貫通孔41c及び42cへの電極材料の充填には、フィリングメッキが用いられる。尚、電極材料には、電気伝導度が高く且つ熱伝導率が著しく高いCu(熱伝導率:約400W/k・m)を用いることが好ましい。
次に、Si基板の裏面(基板1の第2の主面1b)にソルダーレジスト50を形成する(図2(B)参照)。このソルダーレジスト50は、第1の外部電極31及び第2の外部電極32が形成される領域を開口させたパターンを有したものである。その後、ソルダーレジスト50の開口部に、第1の外部電極31及び第2の外部電極32を形成する。第1の外部電極31及び第2の外部電極32には、例えば、バンプ電極や平面電極が用いられる。
[2]第2の実施形態
図5(A)は、第2の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した平面図であり、図5(B)は、図5(A)に示されたVb-Vb線での断面図である。図5(A)及び(B)に示される様に、第1の貫通ビア電極41は、第1の主面1a(又は第2の主面1b)側からの平面視において複数の第1の電極指212の少なくとも一部と重なる重複部411を有していてもよい。本実施形態では、重複部411は、全ての第1の電極指212と重なる様に形成されている。又、重複部411は、図5(B)に示される様に、基板1のうちの圧電膜11と異なる領域(主に支持体12)に形成されること好ましい。
図5(A)は、第2の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した平面図であり、図5(B)は、図5(A)に示されたVb-Vb線での断面図である。図5(A)及び(B)に示される様に、第1の貫通ビア電極41は、第1の主面1a(又は第2の主面1b)側からの平面視において複数の第1の電極指212の少なくとも一部と重なる重複部411を有していてもよい。本実施形態では、重複部411は、全ての第1の電極指212と重なる様に形成されている。又、重複部411は、図5(B)に示される様に、基板1のうちの圧電膜11と異なる領域(主に支持体12)に形成されること好ましい。
第2の実施形態に係る弾性波装置によれば、第1のIDT電極21及び第2のIDT電極22で発生した熱を、重複部411を通じて更に効率良く逃がすことができる。
尚、重複部は、第1の貫通ビア電極41に代えて、第2の貫通ビア電極42に形成されていてもよい。又、重複部は、第1の貫通ビア電極41及び第2の貫通ビア電極42の両方に形成されていてもよい。この場合、それぞれの重複部は、基板1内にて互いに導通することがない様に形成される。
[3]第3の実施形態
図6は、第3の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した断面図である。図6に示される様に、第1の外部電極31は、第2の主面1bにおいて、第1の貫通ビア電極41の露出面41bと重ならない領域に形成されていてもよい。この場合、第1の貫通ビア電極41と第1の外部電極31とは、第2の主面1bに形成された配線層33により接続されることになる。
図6は、第3の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した断面図である。図6に示される様に、第1の外部電極31は、第2の主面1bにおいて、第1の貫通ビア電極41の露出面41bと重ならない領域に形成されていてもよい。この場合、第1の貫通ビア電極41と第1の外部電極31とは、第2の主面1bに形成された配線層33により接続されることになる。
尚、第1の外部電極31に代えて、第2の外部電極32が、第2の主面1bにおいて、第2の貫通ビア電極42の露出面42bと重ならない領域に形成されていてもよい。又、第1の外部電極31及び第2の外部電極32のそれぞれが、露出面41b及び42bの何れとも重ならない領域に形成されていてもよい。
[4]第4の実施形態
図7は、第4の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した断面図である。図7に示される様に、第1の実施形態で説明した各部構成は、基板1に中間層13がない弾性波装置にも適用することができる。同様に第2の実施形態及び第3の実施形態のそれぞれで説明した各部構成も、基板1に中間層13がない弾性波装置にも適用することができる。
図7は、第4の実施形態に係る弾性波装置を概念的に示した断面図である。図7に示される様に、第1の実施形態で説明した各部構成は、基板1に中間層13がない弾性波装置にも適用することができる。同様に第2の実施形態及び第3の実施形態のそれぞれで説明した各部構成も、基板1に中間層13がない弾性波装置にも適用することができる。
尚、第1~第4の実施形態で説明した弾性波装置の各部構成は、フィルタ、デュプレクサ、マルチプレクサなどの様々な弾性波装置に適用することができる。
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。更に、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
1 基板
1a 第1の主面
1b 第2の主面
11 圧電膜
12 支持体
13 中間層
21 第1のIDT電極
22 第2のIDT電極
31 第1の外部電極
32 第2の外部電極
33 配線層
41 第1の貫通ビア電極
41a、41b 露出面
41c 貫通孔
42 第2の貫通ビア電極
42a、42b 露出面
42c 貫通孔
50 ソルダーレジスト
211 第1のバスバー
212 第1の電極指
221 第2のバスバー
222 第2の電極指
411 重複部
1a 第1の主面
1b 第2の主面
11 圧電膜
12 支持体
13 中間層
21 第1のIDT電極
22 第2のIDT電極
31 第1の外部電極
32 第2の外部電極
33 配線層
41 第1の貫通ビア電極
41a、41b 露出面
41c 貫通孔
42 第2の貫通ビア電極
42a、42b 露出面
42c 貫通孔
50 ソルダーレジスト
211 第1のバスバー
212 第1の電極指
221 第2のバスバー
222 第2の電極指
411 重複部
Claims (6)
- 互いに反対側に位置する第1の主面及び第2の主面を有し、圧電膜を含む基板と、
前記第1の主面に形成されており、第1のバスバーと、当該第1のバスバーから延びた複数の第1の電極指と、を有する第1のIDT電極と、
前記第2の主面に形成された第1の外部電極と、
前記基板を前記第1の主面から前記第2の主面まで貫通しており、前記第1のIDT電極と前記第1の外部電極とを電気的に接続する第1の貫通ビア電極と、
を備え、
前記第1の主面側からの平面視において前記第1の貫通ビア電極の少なくとも一部が前記第1のバスバーと重なっており、且つ、当該少なくとも一部は前記第1のバスバーの直下に配されている、弾性波装置。 - 前記第1の貫通ビア電極は、前記第1の外部電極に直接的に接続されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第1の貫通ビア電極は、前記平面視において前記複数の第1の電極指の少なくとも一部と重なる重複部を有する、請求項1又は2に記載の弾性波装置。
- 前記第1の主面に形成されており、前記第1のバスバーに対向配置された第2のバスバーと、当該第2のバスバーから前記第1のバスバーの方へ延びた複数の第2の電極指と、を有する第2のIDT電極と、
前記第2の主面に形成された第2の外部電極と、
前記基板を前記第1の主面から前記第2の主面まで貫通しており、前記第2のIDT電極と前記第2の外部電極とを電気的に接続する第2の貫通ビア電極と、
を更に備え、
前記平面視において前記第2の貫通ビア電極の少なくとも一部が前記第2のバスバーと重なっており、且つ、当該少なくとも一部は前記第2のバスバーの直下に配されている、請求項1~3の何れか1つに記載の弾性波装置。 - 前記基板は、前記圧電膜を支持する支持体を更に含み、
前記圧電膜は、タンタル酸リチウム及びニオブ酸リチウムより成る群から選択される少なくとも1つを主成分として含み、
前記支持体は、ケイ素を主成分として含む、請求項1~4の何れか1つに記載の弾性波装置。 - 前記基板は、前記圧電膜と前記支持体との間に介在した中間層を含み、
前記中間層は、酸化ケイ素を主成分として含む、請求項5に記載の弾性波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/177,546 US10666223B2 (en) | 2016-06-14 | 2018-11-01 | Elastic wave device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016117572 | 2016-06-14 | ||
JP2016-117572 | 2016-06-14 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US16/177,546 Continuation US10666223B2 (en) | 2016-06-14 | 2018-11-01 | Elastic wave device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2017217059A1 true WO2017217059A1 (ja) | 2017-12-21 |
Family
ID=60664109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/011577 WO2017217059A1 (ja) | 2016-06-14 | 2017-03-23 | 弾性波装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10666223B2 (ja) |
WO (1) | WO2017217059A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019134370A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
WO2023058727A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 |
WO2023210764A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波素子および弾性波装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06310547A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH08335782A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Nippondenso Co Ltd | 多層基板 |
JP2007019425A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Cmk Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
JP2011071693A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、および圧電素子の固定方法 |
WO2016084526A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3774782B2 (ja) | 2003-05-14 | 2006-05-17 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2008258578A (ja) | 2007-03-12 | 2008-10-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2009159195A (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-03-23 WO PCT/JP2017/011577 patent/WO2017217059A1/ja active Application Filing
-
2018
- 2018-11-01 US US16/177,546 patent/US10666223B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06310547A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH08335782A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Nippondenso Co Ltd | 多層基板 |
JP2007019425A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Cmk Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
JP2011071693A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、および圧電素子の固定方法 |
WO2016084526A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019134370A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP7068837B2 (ja) | 2018-02-01 | 2022-05-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
WO2023058727A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 |
WO2023210764A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波素子および弾性波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10666223B2 (en) | 2020-05-26 |
US20190074815A1 (en) | 2019-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102205855B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
US10250223B2 (en) | Acoustic wave device | |
CN106256087B (zh) | 弹性波装置 | |
WO2017217059A1 (ja) | 弾性波装置 | |
CN106575958A (zh) | 弹性波装置及其制造方法 | |
JP2019125871A (ja) | 弾性波装置 | |
JP6401088B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
US8477483B2 (en) | Electronic component and method for manufacturing electronic component | |
KR102163886B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
US20190372551A1 (en) | Surface acoustic wave element | |
JP7175503B2 (ja) | 表面弾性波デバイス及びその製造方法 | |
JP6556081B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2012004613A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP4655796B2 (ja) | 弾性境界波装置の製造方法及び弾性境界波装置 | |
US9998095B2 (en) | Surface acoustic wave filter having metal parts on a passivation part | |
JP2019103127A (ja) | 弾性波装置 | |
JP6166190B2 (ja) | 弾性波素子および弾性波装置 | |
JP2008235979A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
JP5483851B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JP2017220924A (ja) | 弾性波装置の製造方法 | |
JP2013198073A (ja) | 弾性波素子の製造方法及び弾性波素子 | |
JP5293376B2 (ja) | 弾性境界波装置の製造方法 | |
JP7518154B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP2019022093A (ja) | 弾性波デバイス | |
JP6029829B2 (ja) | 弾性波デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 17812965 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 17812965 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |