WO2017085863A1 - 計測装置、計測方法及びコンピュータプログラム - Google Patents

計測装置、計測方法及びコンピュータプログラム Download PDF

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WO2017085863A1
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terahertz wave
sample
angle
irradiation
refractive index
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PCT/JP2015/082691
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French (fr)
Inventor
義行 奧田
Original Assignee
パイオニア株式会社
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
    • G01N21/3586Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation by Terahertz time domain spectroscopy [THz-TDS]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length

Definitions

  • the present invention relates to a technical field of a measuring apparatus, a measuring method, and a computer program for measuring a refractive index of a sample using, for example, a terahertz wave.
  • a measuring device using a terahertz wave is known as a measuring device for measuring the refractive index of a sample.
  • a sample is irradiated with a terahertz wave through a transmission member that is in contact with the sample, and based on the time waveform of the terahertz wave reflected by the transmission member and the time waveform of the terahertz wave reflected by the sample.
  • An information acquisition device for acquiring the refractive index of a sample is described.
  • Patent Document 2 discloses that a terahertz wave is irradiated on a specimen disposed between a reflecting member and a plate-like member through the plate-like member and reflected at the interface between the plate-like member and the specimen.
  • An information acquisition device is described that acquires the refractive index of a specimen based on the time waveform of the wave and the time waveform of the terahertz wave reflected at the interface between the specimen and the reflecting member.
  • JP 2014-209094 A Japanese Patent Laying-Open No. 2015-83964
  • the terahertz wave irradiated on the surface of the sample reaches the back surface of the sample located on the opposite side of the surface by passing through the inside of the sample, and then Acquisition means for acquiring the transmission time required to reach the surface again by being reflected by the back surface for each of a plurality of irradiation angles of the terahertz waves having different angles with respect to the surface, the transmission time, and the transmission time Calculating means for calculating a refractive index of the sample based on a plurality of irradiation angles.
  • the terahertz wave irradiated on the surface of the sample passes through the inside of the sample and reaches the back surface of the sample located on the opposite side of the surface.
  • An acquisition step of acquiring the transmission time required to reach the surface again by being reflected by the back surface for each of a plurality of irradiation angles of the terahertz waves having different angles with respect to the surface, the transmission time, and the transmission time And a calculation step of calculating a refractive index of the sample based on a plurality of irradiation angles.
  • the first example of the computer program of the present invention causes a computer to execute the first example of the measurement method of the present invention described above.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of the terahertz wave measuring apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart showing an example of the flow of measurement operation for measuring the refractive index and thickness performed by the terahertz wave measuring apparatus.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the irradiation angle changing operation.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the sample showing the optical path of the terahertz wave irradiated on the sample and the optical path of the terahertz wave reflected by the sample.
  • FIG. 5 is a graph showing a waveform signal of the terahertz wave detected by the terahertz wave detecting element.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the sample showing the optical path of the terahertz wave irradiated to the sample and the optical path of the terahertz wave reflected by the sample.
  • the terahertz wave irradiated on the surface of the sample passes through the inside of the sample, reaches the back surface of the sample located on the opposite side of the surface, and is then reflected by the back surface.
  • the acquisition means for acquiring the transmission time required to reach the surface again for each of the plurality of irradiation angles of the terahertz waves having different angles with respect to the surface
  • calculating means for calculating the refractive index of the sample.
  • a plurality of transmission times and a plurality of times corresponding to a plurality of irradiation angles can be obtained without bringing any special member into contact with the sample.
  • the refractive index of the sample can be suitably measured (that is, calculated).
  • the acquisition unit has the transmission time when the irradiation angle is the first angle, and the irradiation angle is a second angle different from the first angle. Get the transmission time of the case.
  • the measurement apparatus can suitably measure the refractive index of the sample if it acquires two transmission times respectively corresponding to two irradiation angles.
  • the measuring device does not have to acquire three or more transmission times corresponding to three or more irradiation angles in order to measure the refractive index of the sample.
  • the first angle is defined as ⁇ 1
  • the transmission time when the irradiation angle is the first angle is defined as Delta] t 1
  • the transmission time when the irradiation angle is the second angle Delta] t the variable a is defined by Equation 1 and the refractive index is defined by n
  • the calculating unit calculates the refractive index based on Equation 2.
  • the measurement apparatus can appropriately measure the refractive index of the sample based on the transmission time and the irradiation angle by performing the calculation based on the mathematical formulas 1 and 2.
  • the acquisition unit includes a first time required for the terahertz wave irradiated on the surface to reach a predetermined position after being reflected on the surface, and the surface A second time required to reach the predetermined position after the terahertz wave irradiated on the back surface is reflected on the back surface is acquired for each of the plurality of irradiation angles, and the transmission time is the second time and the second time The difference from the first time.
  • the measuring apparatus can preferably measure the refractive index of the sample based on the first and second times (or the transmission time that can be calculated from the first and second times) and the irradiation angle. it can.
  • an irradiation unit that irradiates the terahertz wave toward the surface, and a detection unit that detects the terahertz wave reflected by the sample.
  • the predetermined position is a position where the detection means is installed, and the terahertz wave reflected on the surface after the irradiation means irradiates the terahertz wave after the irradiation means irradiates the terahertz wave for the first time.
  • the time required to reach the detection means, and the second time is the time required for the terahertz wave reflected from the back surface to reach the detection means after the irradiation means irradiates the terahertz wave. It is.
  • the measuring apparatus can suitably measure the refractive index of the sample using the irradiation unit and the detection unit.
  • the acquisition unit is configured to determine the first and second times when the irradiation angle is the first angle and the irradiation angle.
  • the first and second times when the second angle is different from the first angle are acquired, the first angle is defined as ⁇ 1 , the second angle is defined as ⁇ 2, and the irradiation angle Are defined as t a1 and t b1, respectively, and the first and second times when the irradiation angle is the second angle are t a2, respectively.
  • t b2 the variable a is defined by Expression 3
  • the refractive index is defined as n
  • the calculation means calculates the refractive index based on Expression 4.
  • the measurement device performs the calculation based on the mathematical formulas 3 and 4, and thus based on the first and second times (or the transmission time that can be calculated from the first and second times) and the irradiation angle.
  • the refractive index of the sample can be suitably measured.
  • the measurement apparatus further includes a changing unit that changes the irradiation angle.
  • the measuring apparatus can preferably acquire the transmission time for each of a plurality of irradiation angles having different angles.
  • the calculation unit further calculates the thickness of the sample, which is a physical distance between the front surface and the back surface, based on the calculated refractive index. .
  • the measuring apparatus can measure (that is, calculate) the thickness of the sample in addition to the refractive index.
  • the terahertz wave irradiated on the surface of the sample passes through the inside of the sample, reaches the back surface of the sample located on the opposite side of the surface, and is then reflected by the back surface. And acquiring the transmission time required to reach the surface again for each of a plurality of irradiation angles of the terahertz waves having different angles with respect to the surface, and based on the transmission time and the plurality of irradiation angles And calculating a refractive index of the sample.
  • the measurement device of the present embodiment it is possible to suitably enjoy the same effects as those that can be enjoyed by the measurement device of the present embodiment described above.
  • the measurement method of this embodiment may adopt various aspects.
  • the computer program of this embodiment causes a computer to execute the measurement method of this embodiment described above.
  • the computer program of the present embodiment may adopt various aspects.
  • the computer program may be recorded on a computer-readable recording medium.
  • the measurement apparatus includes an acquisition unit and a calculation unit.
  • the measurement method of this embodiment includes an acquisition process and a calculation process.
  • the computer program of this embodiment causes a computer to execute the measurement method of this embodiment described above. Therefore, the refractive index of the sample is measured even when no special member is brought into contact with the sample.
  • the measurement apparatus the measurement method, and the computer program are described using an example in which the measurement apparatus, the measurement method, and the computer program are applied to the terahertz wave measurement apparatus 100 that measures the refractive index n of the sample 10 by irradiating the sample 10 with the terahertz wave THz. To proceed.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a terahertz wave measuring apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 irradiates the sample 10 with the terahertz wave THz, and detects the terahertz wave THz reflected by the sample 10 (that is, the terahertz wave THz irradiated on the sample 10).
  • the terahertz region is a frequency region that combines light straightness and electromagnetic wave transparency.
  • the terahertz region is a frequency region in which various substances have unique absorption spectra. Therefore, the terahertz wave measuring apparatus 100 can measure the characteristics of the sample 10 by analyzing the terahertz wave THz irradiated on the sample 10.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 can measure the refractive index n of the sample 10 which is an example of the characteristics of the sample 10 by analyzing the terahertz wave THz irradiated on the sample 10.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 indirectly detects the waveform of the terahertz wave THz by employing a pump-probe method based on time delay scanning.
  • a pump-probe method based on time delay scanning.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 includes a pulse laser apparatus 101, a terahertz wave generating element 110 which is a specific example of “irradiation means”, a beam splitter 161, a reflecting mirror 162, and a reflecting mirror 163.
  • the pulse laser device 101 generates sub-picosecond order or femtosecond order pulse laser light LB having a light intensity corresponding to the drive current input to the pulse laser device 101.
  • the pulse laser beam LB generated by the pulse laser device 101 is incident on the beam splitter 161 via a light guide (not shown) (for example, an optical fiber).
  • the beam splitter 161 branches the pulsed laser light LB into pump light LB1 and probe light LB2.
  • the pump light LB1 is incident on the terahertz wave generating element 110 through a light guide path (not shown).
  • the probe light LB2 enters the optical delay mechanism 120 via a light guide path and a reflecting mirror 162 (not shown). Thereafter, the probe light LB2 emitted from the optical delay mechanism 120 is incident on the terahertz wave detection element 130 via the reflecting mirror 163 and a light guide path (not shown).
  • the terahertz wave generating element 110 emits a terahertz wave THz.
  • the terahertz wave generating element 110 includes a pair of electrode layers facing each other through a gap.
  • a bias voltage generated by the bias voltage generation unit 141 is applied to the gap via a pair of electrode layers.
  • an effective bias voltage for example, a bias voltage other than 0 V
  • the pump light LB1 is also applied to the photoconductive layer formed below the gap. Is irradiated. In this case, carriers are generated in the photoconductive layer irradiated with the pump light LB1 by light excitation by the pump light LB1.
  • the terahertz wave generating element 110 generates a pulse-shaped current signal in the order of subpicoseconds or in the order of femtoseconds corresponding to the generated carrier.
  • the generated current signal flows through the pair of electrode layers.
  • the terahertz wave generating element 110 emits the terahertz wave THz resulting from the pulsed current signal.
  • the terahertz wave THz emitted from the terahertz wave generating element 110 passes through the half mirror 164.
  • the terahertz wave THz transmitted through the half mirror 164 is irradiated to the sample 10 (particularly, the surface 10a of the sample 10).
  • the terahertz wave THz irradiated on the sample 10 is reflected by the sample 10 (particularly, by the front surface 10a and the back surface 10b of the sample).
  • the terahertz wave THz reflected by the sample 10 is reflected by the half mirror 164.
  • the terahertz wave THz reflected by the half mirror 164 enters the terahertz wave detection element 130.
  • the terahertz wave detecting element 130 detects the terahertz wave THz incident on the terahertz wave detecting element 130.
  • the terahertz wave detection element 130 includes a pair of electrode layers facing each other with a gap interposed therebetween.
  • the probe light LB2 is irradiated to the gap
  • the probe light LB2 is also irradiated to the photoconductive layer formed below the gap.
  • carriers are generated in the photoconductive layer irradiated with the probe light LB2 by light excitation by the probe light LB2.
  • a current signal corresponding to the carrier flows through the pair of electrode layers included in the terahertz wave detection element 130.
  • the signal intensity of the current signal flowing through the pair of electrode layers changes according to the light intensity of the terahertz wave THz.
  • a current signal whose signal intensity changes according to the light intensity of the terahertz wave THz is output to the IV conversion unit 142 via the pair of electrode layers.
  • the optical delay mechanism 120 adjusts the difference (that is, the optical path length difference) between the optical path length of the pump light LB1 and the optical path length of the probe light LB2. Specifically, the optical delay mechanism 120 adjusts the optical path length difference by adjusting the optical path length of the probe light LB2.
  • the timing at which the pump light LB1 enters the terahertz wave generation element 110 (or the timing at which the terahertz wave generation element 110 emits the terahertz wave THz) and the probe light LB2 at the terahertz wave detection element 130
  • the time difference from the timing at which the light enters (or the timing at which the terahertz wave detecting element 130 detects the terahertz wave THz) is adjusted.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 indirectly detects the waveform of the terahertz wave THz by adjusting the time difference.
  • the timing at which the probe light LB2 enters the terahertz wave detection element 130 is delayed by 1 picosecond.
  • the timing at which the terahertz wave detecting element 130 detects the terahertz wave THz is delayed by 1 picosecond.
  • the timing at which the terahertz wave detecting element 130 detects the terahertz wave THz is gradually shifted.
  • the terahertz wave detection element 130 can indirectly detect the waveform of the terahertz wave THz. That is, the lock-in detection unit 151 described later can detect the waveform of the terahertz wave THz based on the detection result of the terahertz wave detection element 130.
  • the current signal output from the terahertz wave detection element 130 is converted into a voltage signal by the IV conversion unit 142.
  • the control unit 150 performs a control operation for controlling the entire operation of the terahertz wave measuring apparatus 100.
  • the control unit 150 includes a CPU (Central Processing Unit) and a memory.
  • the memory stores a computer program for causing the control unit 150 to perform a control operation.
  • a logical processing block for performing a control operation is formed inside the CPU.
  • the computer program may not be recorded in the memory. In this case, the CPU may execute a computer program downloaded via a network.
  • the control unit 150 performs a measurement operation for measuring the characteristics of the sample 10 based on the detection result of the terahertz wave detection element 130 (that is, the voltage signal output from the IV conversion unit 142).
  • the control unit 150 includes a lock-in detection unit 151 and a signal processing unit 152 as logical processing blocks formed in the CPU.
  • the lock-in detection unit 151 performs synchronous detection on the voltage signal output from the IV conversion unit 142 using the bias voltage generated by the bias voltage generation unit 141 as a reference signal. As a result, the lock-in detection unit 151 detects a sample value of the terahertz wave THz. Thereafter, the same operation is repeated while appropriately adjusting the difference between the optical path length of the pump light LB1 and the optical path length of the probe light LB2 (that is, the optical path length difference).
  • the waveform (time waveform) of the terahertz wave THz detected by the detection element 130 can be detected.
  • the lock-in detection unit 151 outputs a waveform signal indicating the waveform of the terahertz wave THz detected by the terahertz wave detection element 130 to the signal processing unit 152. That is, the lock-in detection unit 151 removes a noise component having a frequency different from that of the reference signal from the voltage signal output from the IV conversion unit 142 (that is, the detection signal of the terahertz wave THz). That is, the lock mark detection unit 151 detects the time waveform signal with relatively high sensitivity and relatively high accuracy by performing synchronous detection using the detection signal and the reference signal. If the terahertz wave measuring apparatus 100 does not use lock-in detection, a DC voltage may be applied to the terahertz wave generating element 110 as a bias voltage.
  • the signal processing unit 152 measures the characteristics of the sample 10 based on the waveform signal output from the lock-in detection unit 151. For example, the signal processing unit 152 acquires the frequency spectrum of the terahertz wave THz using terahertz time domain spectroscopy, and measures the characteristics of the sample 10 based on the frequency spectrum.
  • the signal processing unit 152 performs a measurement operation of measuring the refractive index n of the sample 10 based on the waveform signal output from the lock-in detection unit 151 as an example of the control operation. Further, as an example of the control operation, the signal processing unit 152 is based on the waveform signal output from the lock-in detection unit 151, and the thickness d of the sample 10 (that is, the direction in which the terahertz wave THz is incident on the sample 10). A measurement operation for measuring the thickness d) along the line is performed.
  • the thickness d means “physical distance between the front surface 10a and the back surface 10b”.
  • the signal processing unit 152 includes a detection time acquisition unit 1521 that is a specific example of the “acquisition unit” and a “calculation unit” as logical processing blocks formed inside the CPU.
  • a refractive index calculation unit 1522 as a specific example and a thickness calculation unit 1523 as a specific example of “calculation means” are provided. Note that specific examples of operations of the detection time acquisition unit 1521, the refractive index calculation unit 1522, and the thickness calculation unit 1523 will be described in detail later and will not be described here.
  • the control unit 150 further includes an irradiation angle changing unit 153 as a logical processing block formed inside the CPU.
  • the irradiation angle changing unit 153 controls the terahertz wave generating element 110 so as to change the irradiation angle (typically, the incident angle) ⁇ of the terahertz wave THz with respect to the sample 10.
  • the irradiation angle ⁇ changes, the emission angle of the terahertz wave THz reflected from the sample 10 from the sample 10 also changes.
  • the irradiation angle changing unit 153 that controls the terahertz wave generating element 110 to change the irradiation angle ⁇ is reflected by the sample 10 when the terahertz wave generating element 110 is controlled to change the irradiation angle ⁇ .
  • the terahertz wave detecting element 130 is controlled so that the terahertz wave detecting element 130 appropriately detects the terahertz wave THz.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a flow of a measurement operation for measuring the refractive index n and the thickness d performed by the terahertz wave measuring apparatus 100.
  • the irradiation angle changing unit 153 controls the terahertz wave generating element 110 so that the irradiation angle ⁇ becomes “ ⁇ 1 ”, which is a specific example of “first angle” (step S101). ). Further, the irradiation angle changing unit 153 also controls the terahertz wave detecting element 130 so that the terahertz detecting element 130 appropriately detects the terahertz wave THz irradiated at the irradiation angle ⁇ 1 (step 101).
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the operation of changing the irradiation angle ⁇ .
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 includes an actuator 171, a guide rail 172, an actuator 173, and a guide rail 174 in order to change the irradiation angle ⁇ .
  • the actuator 171 controls the terahertz wave generating element 110 and the optical element 111 that guides the terahertz wave THz emitted from the terahertz wave generating element 110 to the surface of the sample 10 along the guide rail 173 under the control of the irradiation angle changing unit 153.
  • the irradiation angle changing unit 153 changes (in other words, adjusts) the irradiation angle ⁇ by controlling (for example, adjusting) the moving direction and the moving amount of the terahertz wave generating element 110 and the optical element 111.
  • the actuator 173 moves the optical element 131 that guides the terahertz wave detection element 130 and the terahertz wave THz reflected by the sample 10 to the terahertz wave detection element 130 along the guide rail 174 under the control of the irradiation angle changing unit 153.
  • the irradiation angle changing unit 153 is capable of appropriately detecting the terahertz wave THz reflected by the sample 10 by controlling (for example, adjusting) the moving direction and moving amount of the terahertz wave detecting element 130 and the optical element 131.
  • the terahertz wave detecting element 130 can be moved to the position.
  • the irradiation angle changing unit 153 changes the irradiation angle ⁇ from “ ⁇ 1 ” to “ ⁇ 2 (where ⁇ 2 ⁇ ⁇ 1 )”.
  • the emission angle of the terahertz wave THz reflected by the sample 10 with respect to the surface 10a of the sample 10 is also changed from “ ⁇ 1 ” to “ ⁇ 2 ”.
  • the irradiation angle changing unit 153 emits the terahertz wave detection element 130 from the sample 10 at the emission angle ⁇ 2 from the detection position where the terahertz wave THz emitted from the sample 10 at the emission angle ⁇ 1 can be detected.
  • the terahertz wave THz is moved to a detectable position.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 may change the irradiation angle ⁇ by an operation different from the changing operation shown in FIG.
  • the terahertz wave generating element 110 emits the terahertz wave THz toward the surface 10a of the sample 10 (step S102). That is, the terahertz wave generating element 110, a terahertz wave THz irradiating the surface 10a of the sample 10 at an irradiation angle theta 1 (step S102).
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the sample 10 showing the optical path of the terahertz wave THz irradiated on the sample 10 and the optical path of the terahertz wave THz reflected by the sample 10.
  • a part of the terahertz wave THz irradiated on the sample 10 at the irradiation angle ⁇ 1 is reflected by the surface 10 a of the sample 10.
  • a part of the terahertz wave THz irradiated to the sample 10 at the irradiation angle ⁇ 1 is transmitted through the sample 10 without being reflected by the surface 10a. Thereafter, the terahertz wave THz transmitted through the sample 10 reaches the back surface 10 b of the sample 10. As a result, a part of the terahertz wave THz transmitted through the sample 10 is reflected by the back surface 10 b of the sample 10. The terahertz wave THz reflected by the back surface 10b passes through the sample 10 again. Thereafter, the terahertz wave THz transmitted through the sample 10 reaches the surface 10 a of the sample 10. As a result, some of the terahertz wave THz reflected by the rear surface 10b, so as to emit from the sample 10 at the emission angle theta 1, propagates to the terahertz wave detecting element 130 from the sample 10.
  • the front surface 10a and the back surface 10b are the two outer surfaces of the sample 10 that face each other along the propagation direction of the terahertz wave THz in the sample 10 (the horizontal direction in FIGS. 1 and 4).
  • the surface 10a corresponds to one outer surface close to the terahertz wave generating element 110 and the terahertz wave detecting element 130 among the two outer surfaces.
  • the back surface 10b corresponds to the other outer surface far from the terahertz wave generating element 110 and the terahertz wave detecting element 130 out of the two outer surfaces.
  • a reflecting member may be arranged so as to be in contact with or in close contact with the back surface 10b of the sample 10.
  • the terahertz wave THz reflected by the sample 10 is detected by the terahertz wave detecting element 130 (step S102).
  • a waveform signal indicating the waveform of the terahertz wave THz detected by the terahertz wave detecting element 130 is input to the signal processing unit 152.
  • the detection time acquisition unit 1521 acquires the first detection time t a1 and the second detection time t b1 based on the waveform signal input to the signal processing unit 152 (step S103). That is, the terahertz wave measuring apparatus 100 based on the detection result of the irradiation at an angle theta 1 terahertz wave THz, to obtain a first detection time t a1 and the second detection time t b1.
  • the detection time acquisition unit 1521 outputs the first detection time t a1 and the second detection time t b1 acquired when the terahertz wave THz is irradiated at the irradiation angle ⁇ 1 to the refractive index calculation unit 1522.
  • the first detection time t a1 and the second detection time t b1 are specific examples of “first time” and “second time”, respectively.
  • FIG. 5 is a graph showing a waveform signal of the terahertz wave THz detected by the terahertz wave detecting element 130.
  • the waveform signal includes a waveform signal corresponding to the terahertz wave THz reflected by the front surface 10a and a waveform signal corresponding to the terahertz wave THz reflected by the back surface 10b.
  • the terahertz wave THz reflected by the back surface 10b reaches the terahertz wave detecting element 130 after passing through the inside of the sample 10, while the terahertz wave THz reflected by the front surface 10a does not pass through the inside of the sample 10 and does not pass through the terahertz wave.
  • the wave detection element 130 is reached.
  • the terahertz wave THz reflected by the back surface 10b reaches the terahertz wave detecting element 130 later in time than the terahertz wave THz reflected by the front surface 10a. Therefore, also on the waveform signal, the waveform signal corresponding to the terahertz wave THz reflected by the back surface 10b is delayed in time from the waveform signal corresponding to the terahertz wave THz reflected by the front surface 10a.
  • the first detection time ta1 is a time required for the terahertz wave THz reflected from the surface 10a of the sample 10 to reach the terahertz wave detecting element 130 after the terahertz wave generating element 110 starts irradiation with the terahertz wave THz. is there.
  • the second detection time t b1 is from when the terahertz wave generating element 110 starts irradiation of the terahertz wave THz until the terahertz wave THz reflected by the back surface 10b of the sample 10 reaches the terahertz wave detecting element 130. It takes time.
  • the detection time acquisition unit 1521 can easily acquire (in other words, calculate or specify) the first detection time t a1 and the second detection time t b1 by analyzing the waveform signal.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 performs the above-described operation (that is, the operation for acquiring the first detection time t a2 and the second detection time t b2 ) again after changing the irradiation angle ⁇ .
  • the irradiation angle changing unit 153 includes the terahertz wave generating element 110 so that the irradiation angle ⁇ is different from “ ⁇ 1 ” and becomes “ ⁇ 2 ” which is a specific example of “second angle”. Is controlled (step S111).
  • the irradiation angle changing unit 153 also controls the terahertz wave detecting element 130 so that the terahertz detecting element 130 appropriately detects the terahertz wave THz irradiated at the irradiation angle ⁇ 2 (step 111). Then, the terahertz wave generating element 110, a terahertz wave THz irradiating the surface 10a of the sample 10 at an irradiation angle theta 1 (step S112). Thereafter, the terahertz wave detecting element 130 detects the terahertz wave THz reflected by the sample 10 (step S112).
  • a waveform signal indicating the waveform of the terahertz wave THz detected by the terahertz wave detecting element 130 is input to the signal processing unit 152.
  • the detection time acquisition unit 1521 acquires the first detection time t a2 and the second detection time t b2 based on the waveform signal input to the signal processing unit 152 (step S113). That is, the terahertz wave measuring apparatus 100 based on the detection result of the irradiation at an angle theta 2 terahertz wave THz, to obtain a first detection time t a2 and the second detection time t b2.
  • the detection time acquisition unit 1521 outputs the first detection time t a2 and the second detection time t b2 acquired when the terahertz wave THz is irradiated at the irradiation angle ⁇ 2 to the refractive index calculation unit 1522.
  • the first detection time t a2 and the second detection time t b2 are specific examples of “first time” and “second time”, respectively.
  • the refractive index n of the sample 10 is calculated (step S121). Specifically, the refractive index calculation unit 1522 calculates the refractive index n using Equation 5. Note that the variable a in Equation 5 is defined by Equation 6. ⁇ t 1 in Expression 6 corresponds to the time required for the terahertz wave THz to pass through the inside of the sample 10 when the terahertz wave THz is irradiated at the irradiation angle ⁇ 1 .
  • ⁇ t 1 in Equation 6 is the time required for the terahertz wave THz to reach the surface 10 a again from the front surface 10 a of the sample 10 through the back surface 10 b when the terahertz wave THz is irradiated at the irradiation angle ⁇ 1.
  • Equivalent to. ⁇ t 2 in Expression 6 corresponds to the time required for the terahertz wave THz to pass through the inside of the sample 10 when the terahertz wave THz is irradiated at the irradiation angle ⁇ 2 .
  • ⁇ t 2 in Equation 6 is the time required for the terahertz wave THz to reach the surface 10a again from the front surface 10a of the sample 10 via the back surface 10b when the terahertz wave THz is irradiated at the irradiation angle ⁇ 2.
  • Equivalent to. ⁇ t 1 and ⁇ t 2 are specific examples of the transmission time.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the sample 10 showing the optical path of the terahertz wave THz irradiated on the sample 10 and the optical path of the terahertz wave THz reflected by the sample 10.
  • the terahertz wave THz irradiated on the surface 10a of the sample 10 at the irradiation angle ⁇ 1 enters (propagates) into the sample 10 at the refraction angle ⁇ 1 ′.
  • Equation 7 can be expanded as shown in Equation 8.
  • Equation 9 is satisfied.
  • Equation 10 is solved for n, Equation 5 described above is obtained.
  • the thickness calculator 1523 obtains the first detection time t a1 and the second detection time t b1 (more specifically, the first detection time t a1 and the second detection time t b1. Based on ⁇ t 1 ), the refractive index n, and the irradiation angle ⁇ 1 , the thickness d of the sample 10 is calculated (step S122). Specifically, the thickness calculation unit 1523 calculates the thickness d of the sample 10 using Formula 11 obtained by solving Formula 8 for d.
  • the thickness calculation unit 1523 performs the first detection time t a2 and the second detection time t b2 (more specifically, ⁇ t 2 obtained from the first detection time t a2 and the second detection time t b2 ), refraction.
  • the thickness d of the sample 10 may be calculated based on the rate n and the irradiation angle ⁇ 2 (step S122).
  • the thickness calculation unit 1523 may calculate the thickness d of the sample 10 using Formula 12 obtained by solving Formula 9 for d instead of Formula 11.
  • the terahertz measurement apparatus 100 of the present embodiment can suitably measure (that is, calculate) the refractive index n of the sample 10.
  • the terahertz measurement apparatus 100 according to the present embodiment suitably irradiates the sample 10 with the terahertz wave THz at a plurality of different irradiation angles ⁇ , so that the refractive index n is suitably set without bringing any special member into contact with the sample 10. It can be measured.
  • the terahertz measuring apparatus 100 of the present embodiment can suitably measure the refractive index n, the thickness d of the sample 10 can also be favorably measured.
  • the sample 10 is irradiated with the terahertz wave THz after setting the irradiation angle ⁇ to zero.
  • a terahertz wave measuring device is assumed.
  • the terahertz wave measuring apparatus of the comparative example to obtain a first detection time t a and the second detection time t b.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 of the comparative example needs to measure the refractive index n in order to measure the original thickness d.
  • the measurement of the refractive index n is generally troublesome.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 of the present embodiment has a great advantage that the refractive index n can be measured relatively easily.
  • the numerical formula 5 mentioned above is a numerical formula obtained by solving simultaneous equations (namely, simultaneous equations consisting of two equations having d and n as unknowns) composed of numerical formulas 8 to 9 with respect to n. .
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 may calculate the refractive index n by solving simultaneous equations composed of Expressions 8 to 9 for n instead of using Expression 5.
  • the terahertz wave measuring apparatus 100 determines whether the simultaneous equations are satisfied by substituting the assumed values of n into the simultaneous equations, and adjusts the assumed values of n that are substituted into the simultaneous equations until the simultaneous equations are satisfied. The operation may be repeated. In this case, an assumed value of n that satisfies the simultaneous equations corresponds to the refractive index n of the sample 10.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the gist or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification.
  • a measurement method and a computer program are also included in the technical scope of the present invention.

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Abstract

計測装置100は、試料10の表面10aに照射されたテラヘルツ波THzが、試料の内部を透過することで試料の裏面10bに到達し、その後当該裏面によって反射されることで試料の表面に再度到達するために要する透過時間Δt、Δtを、表面に対する角度が互いに異なるテラヘルツ波の複数の照射角度θ、θの夫々毎に取得する取得手段1521と、透過時間及び照射角度に基づいて、試料の屈折率nを算出する算出手段1522とを備える。

Description

計測装置、計測方法及びコンピュータプログラム
 本発明は、例えばテラヘルツ波を用いて試料の屈折率を計測する計測装置、計測方法及びコンピュータプログラムの技術分野に関する。
 試料の屈折率を計測するための計測装置として、テラヘルツ波を用いた計測装置が知られている。例えば、特許文献1には、試料と接している透過部材を介してテラヘルツ波を試料に照射すると共に、透過部材で反射したテラヘルツ波の時間波形及び試料で反射したテラヘルツ波の時間波形に基づいて試料の屈折率を取得する情報取得装置が記載されている。例えば、特許文献2には、反射部材と板状部材との間に配置された検体に対して板状部材を介してテラヘルツ波を照射すると共に、板状部材と検体との界面で反射したテラヘルツ波の時間波形及び検体と反射部材との界面で反射したテラヘルツ波の時間波形に基づいて検体の屈折率を取得する情報取得装置が記載されている。
特開2014-209094号公報 特開2015-83964号公報
 特許文献1及び2に記載された情報取得装置では、屈折率を計測するためには、試料(言い換えれば、検体)に対して特殊な部材(具体的には、透過部材、又は、板状部材及び反射部材)を密着させる必要がある。しかしながら、何らかの要因によって、特殊な部材を試料に密着させることができない可能性が出てくる。この場合、特許文献1及び2に記載された情報取得装置が試料の屈折率を計測することができないという技術的問題点が生ずる。
 本発明が解決しようとする課題には上記のようなものが一例として挙げられる。本発明は、試料の屈折率を計測するために試料に何らかの特殊な部材を接触させなくてもよい計測装置、計測方法及びコンピュータプログラムを提供することを課題とする。
 本発明の計測装置の第1の例は、試料の表面に照射されたテラヘルツ波が、前記試料の内部を透過することで前記表面の反対側に位置する前記試料の裏面に到達し、その後当該裏面によって反射されることで前記表面に再度到達するために要する透過時間を、前記表面に対する角度が互いに異なる前記テラヘルツ波の複数の照射角度の夫々毎に取得する取得手段と、前記透過時間及び前記複数の照射角度に基づいて、前記試料の屈折率を算出する算出手段とを備える。
 本発明の計測方法の第1の例は、試料の表面に照射されたテラヘルツ波が、前記試料の内部を透過することで前記表面の反対側に位置する前記試料の裏面に到達し、その後当該裏面によって反射されることで前記表面に再度到達するために要する透過時間を、前記表面に対する角度が互いに異なる前記テラヘルツ波の複数の照射角度の夫々毎に取得する取得工程と、前記透過時間及び前記複数の照射角度に基づいて、前記試料の屈折率を算出する算出工程とを備える。
 本発明のコンピュータプログラムの第1の例は、コンピュータに上述した本発明の計測方法の第1の例を実行させる。
図1は、本実施例のテラヘルツ波計測装置の構成を示すブロック図である。 図2は、テラヘルツ波計測装置が行う屈折率及び厚さを計測する計測動作の流れの一例を示すフローチャートである。 図3は、照射角度の変更動作の一例を示す平面図である。 図4は、試料に照射されるテラヘルツ波の光路及び試料によって反射されたテラヘルツ波の光路を示す試料の断面図である。 図5は、テラヘルツ波検出素子が検出したテラヘルツ波の波形信号を示すグラフである。 図6は、試料に照射されるテラヘルツ波の光路及び試料によって反射されたテラヘルツ波の光路を示す試料の断面図である。
 以下、計測装置、計測方法及びコンピュータプログラムの実施形態について説明を進める。
 (計測装置の実施形態)
 <1>
 本実施形態の計測装置は、試料の表面に照射されたテラヘルツ波が、前記試料の内部を透過することで前記表面の反対側に位置する前記試料の裏面に到達し、その後当該裏面によって反射されることで前記表面に再度到達するために要する透過時間を、前記表面に対する角度が互いに異なる前記テラヘルツ波の複数の照射角度毎に取得する取得手段と、前記透過時間及び前記複数の照射角度に基づいて、前記試料の屈折率を算出する算出手段とを備える。
 本実施形態の計測装置によれば、後に具体的な数式を用いて詳述するように、試料に何らかの特殊な部材を接触させることなく、複数の照射角度に対応する複数の透過時間及び複数の照射角度に基づいて、試料の屈折率を好適に計測する(つまり、算出する)ことができる。
 <2>
 本実施形態の計測装置の他の態様では、前記取得手段は、前記照射角度が第1角度となる場合の前記透過時間、並びに、前記照射角度が前記第1角度とは異なる第2角度となる場合の前記透過時間を取得する。
 この態様によれば、計測装置は、2つの照射角度に夫々対応する2つの透過時間を取得すれば、試料の屈折率を好適に計測することができる。つまり、計測装置は、試料の屈折率を計測するために、3つ以上の照射角度に夫々対応する3つ以上の透過時間を取得しなくてもよい。
 <3>
 上述の如く照射角度が第1角度となる場合の透過時間及び照射角度が第2角度となる場合の透過時間を取得する計測装置の他の態様では、前記第1角度をθと定義し、前記第2角度をθと定義し、前記照射角度が前記第1角度となる場合の前記透過時間をΔtと定義し、前記照射角度が前記第2角度となる場合の前記透過時間をΔtと定義し、変数aを数式1で定義し、屈折率をnと定義すると、前記算出手段は、数式2に基づいて、前記屈折率を算出する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
 この態様によれば、計測装置は、数式1及び2に基づく演算を行うことで、透過時間及び照射角度に基づいて、試料の屈折率を好適に計測することができる。
 <4>
 本実施形態の計測装置の他の態様では、前記取得手段は、前記表面に照射された前記テラヘルツ波が前記表面で反射された後に所定位置に到達するまでに要する第1時間、及び、前記表面に照射された前記テラヘルツ波が前記裏面で反射された後に前記所定位置に到達するまでに要する第2時間を、前記複数の照射角度毎に取得し、前記透過時間は、前記第2時間と前記第1時間との差分である。
 この態様によれば、計測装置は、第1及び第2時間(或いは、第1及び第2時間から算出可能な透過時間)並びに照射角度に基づいて、試料の屈折率を好適に計測することができる。
 <5>
 上述の如く第1及び第2時間を算出する計測装置の他の態様では、前記表面に向けて前記テラヘルツ波を照射する照射手段と、前記試料によって反射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段とを更に備え、前記所定位置は、前記検出手段が設置されている位置であり、前記第1時間は、前記照射手段が前記テラヘルツ波を照射してから前記表面で反射された前記テラヘルツ波が前記検出手段に到達するまでに要する時間であり、前記第2時間は、前記照射手段が前記テラヘルツ波を照射してから前記裏面で反射された前記テラヘルツ波が前記検出手段に到達するまでに要する時間である。
 この態様によれば、計測装置は、照射手段及び検出手段を用いて、試料の屈折率を好適に計測することができる。
 <6>
 上述の如く第1及び第2時間を算出する計測装置の他の態様では、前記取得手段は、前記照射角度が第1角度となる場合の前記第1及び第2時間、並びに、前記照射角度が前記第1角度とは異なる第2角度となる場合の前記第1及び第2時間を取得し、前記第1角度をθと定義し、前記第2角度をθと定義し、前記照射角度が前記第1角度となる場合の前記第1及び第2時間を夫々ta1及びtb1と定義し、前記照射角度が前記第2角度となる場合の前記第1及び第2時間を夫々ta2及びtb2と定義し、変数aを数式3で定義し、屈折率をnと定義すると、前記算出手段は、数式4に基づいて、前記屈折率を算出する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
 この態様によれば、計測装置は、数式3及び4に基づく演算を行うことで、第1及び第2時間(或いは、第1及び第2時間から算出可能な透過時間)並びに照射角度に基づいて、試料の屈折率を好適に計測することができる。
 <7>
 本実施形態の計測装置の他の態様では、前記照射角度を変更する変更手段を更に備える。
 この態様によれば、計測装置は、角度が互いに異なる複数の照射角度の夫々毎の透過時間を好適に取得することができる。
 <8>
 本実施形態の計測装置の他の態様では、前記算出手段は更に、算出した前記屈折率に基づいて、前記表面と前記裏面との間の物理的な距離である前記試料の厚さを算出する。
 この態様によれば、計測装置は、屈折率に加えて、試料の厚さを計測する(つまり、算出する)ことができる。
 (計測方法の実施形態)
 <9>
 本実施形態の計測方法は、試料の表面に照射されたテラヘルツ波が、前記試料の内部を透過することで前記表面の反対側に位置する前記試料の裏面に到達し、その後当該裏面によって反射されることで前記表面に再度到達するために要する透過時間を、前記表面に対する角度が互いに異なる前記テラヘルツ波の複数の照射角度毎に取得する取得工程と、前記透過時間及び前記複数の照射角度に基づいて、前記試料の屈折率を算出する算出工程とを備える。
 本実施形態の計測装置によれば、上述した本実施形態の計測装置が享受することが可能な効果と同様の効果を好適に享受することができる。
 尚、本実施形態の計測装置が採用する各種態様に対応して、本実施形態の計測方法も、各種態様を採用してもよい。
 (コンピュータプログラムの実施形態)
 <10>
 本実施形態のコンピュータプログラムは、コンピュータに上述した本実施形態の計測方法を実行させる。
 本実施形態のコンピュータプログラムによれば、上述した本実施形態の計測装置が享受する効果と同様の効果を好適に享受することができる。
 尚、本実施形態の計測装置が採用する各種態様に対応して、本実施形態のコンピュータプログラムも、各種態様を採用してもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されていてもよい。
 本実施形態の計測装置、計測方法及びコンピュータプログラムの作用及び他の利得については、以下に示す実施例において、より詳細に説明する。
 以上説明したように、本実施形態の計測装置は、取得手段と、算出手段とを備える。本実施形態の計測方法は、取得工程と、算出工程とを備える。本実施形態のコンピュータプログラムは、コンピュータに上述した本実施形態の計測方法を実行させる。従って、試料に何らかの特殊な部材を接触させない場合であっても、試料の屈折率が計測される。
 以下、図面を参照しながら、計測装置、計測方法及びコンピュータプログラムの実施例について説明する。特に、以下では、計測装置、計測方法及びコンピュータプログラムが、テラヘルツ波THzを試料10に照射することで当該試料10の屈折率nを計測するテラヘルツ波計測装置100に適用された例を用いて説明を進める。
 (1)テラヘルツ波計測装置100の構成
 初めに、図1を参照しながら、本実施例のテラヘルツ波計測装置100の構成について説明する。図1は、本実施例のテラヘルツ波計測装置100の構成を示すブロック図である。
 図1に示すように、テラヘルツ波計測装置100は、テラヘルツ波THzを試料10に照射すると共に、試料10が反射したテラヘルツ波THz(つまり、試料10に照射されたテラヘルツ波THz)を検出する。
 テラヘルツ波THzは、1テラヘルツ(1THz=1012Hz)前後の周波数領域(つまり、テラヘルツ領域)に属する電磁波成分を含む電磁波である。テラヘルツ領域は、光の直進性と電磁波の透過性を兼ね備えた周波数領域である。テラヘルツ領域は、様々な物質が固有の吸収スペクトルを有する周波数領域である。従って、テラヘルツ波計測装置100は、試料10に照射されたテラヘルツ波THzを解析することで、試料10の特性を計測することができる。本実施例では、テラヘルツ波計測装置100は、試料10に照射されたテラヘルツ波THzを解析することで、試料10の特性の一例である試料10の屈折率nを計測することができる。
 ここで、テラヘルツ波THzの周期は、サブピコ秒のオーダーの周期であるがゆえに、当該テラヘルツ波THzの波形を直接的に検出することが技術的に困難である。そこで、テラヘルツ波計測装置100は、時間遅延走査に基づくポンプ・プローブ法を採用することで、テラヘルツ波THzの波形を間接的に検出する。以下、このようなポンプ・プローブ法を採用するテラヘルツ波計測装置100についてより具体的に説明を進める。
 図1に示すように、テラヘルツ波計測装置100は、パルスレーザ装置101と、「照射手段」の一具体例であるテラヘルツ波発生素子110と、ビームスプリッタ161と、反射鏡162と、反射鏡163と、ハーフミラー164と、光学遅延機構120と、「検出手段」の一具体例であるテラヘルツ波検出素子130と、バイアス電圧生成部141と、I-V(電流-電圧)変換部142と、制御部150とを備えている。
 パルスレーザ装置101は、当該パルスレーザ装置101に入力される駆動電流に応じた光強度を有するサブピコ秒オーダー又はフェムト秒オーダーのパルスレーザ光LBを生成する。パルスレーザ装置101が生成したパルスレーザ光LBは、不図示の導光路(例えば、光ファイバ等)を介して、ビームスプリッタ161に入射する。
 ビームスプリッタ161は、パルスレーザ光LBを、ポンプ光LB1とプローブ光LB2とに分岐する。ポンプ光LB1は、不図示の導光路を介して、テラヘルツ波発生素子110に入射する。一方で、プローブ光LB2は、不図示の導光路及び反射鏡162を介して、光学遅延機構120に入射する。その後、光学遅延機構120から出射したプローブ光LB2は、反射鏡163及び不図示の導光路を介して、テラヘルツ波検出素子130に入射する。
 テラヘルツ波発生素子110は、テラヘルツ波THzを出射する。具体的には、テラヘルツ波発生素子110は、ギャップを介して互いに対向する一対の電極層を備えている。ギャップには、一対の電極層を介して、バイアス電圧生成部141が生成したバイアス電圧が印加されている。有効なバイアス電圧(例えば、0Vでないバイアス電圧)がギャップに印加されている状態でポンプ光LB1がギャップに照射されると、ギャップの下側に形成されている光伝導層にもまたポンプ光LB1が照射される。この場合、ポンプ光LB1が照射された光伝導層には、ポンプ光LB1による光励起によってキャリアが発生する。その結果、テラヘルツ波発生素子110には、発生したキャリアに応じたサブピコ秒オーダーの又はフェムト秒オーダーのパルス状の電流信号が発生する。発生した電流信号は、一対の電極層に流れる。その結果、テラヘルツ波発生素子110は、当該パルス状の電流信号に起因したテラヘルツ波THzを出射する。
 テラヘルツ波発生素子110から出射したテラヘルツ波THzは、ハーフミラー164を透過する。その結果、ハーフミラー164を透過したテラヘルツ波THzは、試料10(特に、試料10の表面10a)に照射される。試料10に照射されたテラヘルツ波THzは、試料10によって(特に、試料の表面10a及び裏面10bの夫々によって)反射される。試料10によって反射されたテラヘルツ波THzは、ハーフミラー164によって反射される。ハーフミラー164によって反射されたテラヘルツ波THzは、テラヘルツ波検出素子130に入射する。
 テラヘルツ波検出素子130は、テラヘルツ波検出素子130に入射するテラヘルツ波THzを検出する。具体的には、テラヘルツ波検出素子130は、ギャップを介して互いに対向する一対の電極層を備えている。ギャップにプローブ光LB2が照射されると、ギャップの下側に形成されている光伝導層にもまたプローブ光LB2が照射される。この場合、プローブ光LB2が照射された光伝導層には、プローブ光LB2による光励起によってキャリアが発生する。その結果、キャリアに応じた電流信号が、テラヘルツ波検出素子130が備える一対の電極層に流れる。プローブ光LB2がギャップに照射されている状態でテラヘルツ波検出素子130にテラヘルツ波THzが照射されると、一対の電極層に流れる電流信号の信号強度は、テラヘルツ波THzの光強度に応じて変化する。テラヘルツ波THzの光強度に応じて信号強度が変化する電流信号は、一対の電極層を介して、I-V変換部142に出力される。
 光学遅延機構120は、ポンプ光LB1の光路長とプローブ光LB2の光路長との間の差分(つまり、光路長差)を調整する。具体的には、光学遅延機構120は、プローブ光LB2の光路長を調整することで、光路長差を調整する。光路長差が調整されると、ポンプ光LB1がテラヘルツ波発生素子110に入射するタイミング(或いは、テラヘルツ波発生素子110がテラヘルツ波THzを出射するタイミング)と、プローブ光LB2がテラヘルツ波検出素子130に入射するタイミング(或いは、テラヘルツ波検出素子130がテラヘルツ波THzを検出するタイミング)との時間差が調整される。テラヘルツ波計測装置100は、この時間差を調整することで、テラヘルツ波THzの波形を間接的に検出する。例えば、光学遅延機構120によってプローブ光LB2の光路が0.3ミリメートル(但し、空気中での光路長)だけ長くなると、プローブ光LB2がテラヘルツ波検出素子130に入射するタイミングが1ピコ秒だけ遅くなる。この場合、テラヘルツ波検出素子130がテラヘルツ波THzを検出するタイミングが、1ピコ秒だけ遅くなる。テラヘルツ波検出素子130に対して同一の波形を有するテラヘルツ波THzが数十MHz程度の間隔で繰り返し入射することを考慮すれば、テラヘルツ波検出素子130がテラヘルツ波THzを検出するタイミングを徐々にずらすことで、テラヘルツ波検出素子130は、テラヘルツ波THzの波形を間接的に検出することができる。つまり、後述するロックイン検出部151は、テラヘルツ波検出素子130の検出結果に基づいて、テラヘルツ波THzの波形を検出することができる。
 テラヘルツ波検出素子130から出力される電流信号は、I-V変換部142によって、電圧信号に変換される。
 制御部150は、テラヘルツ波計測装置100の全体の動作を制御するための制御動作を行う。制御部150は、CPU(Central Processing Unit))と、メモリとを備える。メモリには、制御部150に制御動作を行わせるためのコンピュータプログラムが記録されている。当該コンピュータプログラムがCPUによって実行されることで、CPUの内部には、制御動作を行うための論理的な処理ブロックが形成される。但し、メモリにコンピュータプログラムが記録されていなくてもよい。この場合、CPUは、ネットワークを介してダウンロードしたコンピュータプログラムを実行してもよい。
 制御部150は、制御動作の一例として、テラヘルツ波検出素子130の検出結果(つまり、I-V変換部142が出力する電圧信号)に基づいて、試料10の特性を計測する計測動作を行う。計測動作を行うために、制御部150は、CPUの内部に形成される論理的な処理ブロックとして、ロックイン検出部151と、信号処理部152とを備えている。
 ロックイン検出部151は、I-V変換部142から出力される電圧信号に対して、バイアス電圧生成部141が生成するバイアス電圧を参照信号とする同期検波を行う。その結果、ロックイン検出部151は、テラヘルツ波THzのサンプル値を検出する。その後、ポンプ光LB1の光路長とプローブ光LB2の光路長との間の差分(つまり、光路長差)を適宜調整しながら同様の動作が繰り返されることで、ロックイン検出部151は、テラヘルツ波検出素子130が検出したテラヘルツ波THzの波形(時間波形)を検出することができる。ロックイン検出部151は、テラヘルツ波検出素子130が検出したテラヘルツ波THzの波形を示す波形信号を、信号処理部152に対して出力する。つまりロックイン検出部151は、I-V変換部142から出力される電圧信号(つまり、テラヘルツ波THzの検出信号)から参照信号とは異なる周波数のノイズ成分を除去する。即ちロック印検出部151は、検出信号と参照信号とを用いて同期検波をすることによって、時間波形信号を相対的に高い感度で且つ相対的に高精度に検波する。尚、テラヘルツ波計測装置100がロックイン検出を用いない場合は、テラヘルツ波発生素子110には、バイアス電圧として直流電圧が印加されればよい。
 信号処理部152は、ロックイン検出部151から出力される波形信号に基づいて、試料10の特性を計測する。例えば、信号処理部152は、テラヘルツ時間領域分光法を用いてテラヘルツ波THzの周波数スペクトルを取得すると共に、当該周波数スペクトルに基づいて試料10の特性を計測する。
 本実施例では特に、信号処理部152は、制御動作の一例として、ロックイン検出部151から出力される波形信号に基づいて、試料10の屈折率nを計測する計測動作を行う。更に、信号処理部152は、制御動作の一例として、ロックイン検出部151から出力される波形信号に基づいて、試料10の厚さd(つまり、試料10に対してテラヘルツ波THzが入射する方向に沿った厚さd)を計測する計測動作を行う。尚、ここでいう厚さdは、「表面10aと裏面10bとの間の物理的な距離」を意味する。計測動作を行うために、信号処理部152は、CPUの内部に形成される論理的な処理ブロックとして、「取得手段」の一具体例である検出時間取得部1521と、「算出手段」の一具体例である屈折率算出部1522と、「算出手段」の一具体例である厚さ算出部1523とを備える。尚、検出時間取得部1521、屈折率算出部1522、厚さ算出部1523の動作の具体例については、後に詳述するためここでの説明を省略する。
 制御部150は更に、CPUの内部に形成される論理的な処理ブロックとして、照射角度変更部153を備える。照射角度変更部153は、テラヘルツ波THzの試料10に対する照射角度(典型的には、入射角度)θを変更するように、テラヘルツ波発生素子110を制御する。尚、照射角度θが変わると、試料10によって反射されたテラヘルツ波THzの試料10からの出射角度もまた変わる。従って、照射角度θを変更するようにテラヘルツ波発生素子110を制御する照射角度変更部153は、照射角度θを変更するようにテラヘルツ波発生素子110を制御する場合には、試料10によって反射されたテラヘルツ波THzをテラヘルツ波検出素子130が適切に検出するように、テラヘルツ波検出素子130を制御する。
 (2)テラヘルツ波計測装置100が行う屈折率n及び厚さdを計測する計測動作
 続いて、図2を参照しながら、テラヘルツ波計測装置100が行う屈折率n及び厚さdを計測する計測動作について説明する。図2は、テラヘルツ波計測装置100が行う屈折率n及び厚さdを計測する計測動作の流れの一例を示すフローチャートである。
 図2に示すように、照射角度変更部153は、照射角度θが、「第1角度」の一具体例である“θ”になるように、テラヘルツ波発生素子110を制御する(ステップS101)。更に、照射角度変更部153は、照射角度θで照射されるテラヘルツ波THzをテラヘルツ検出素子130が適切に検出するように、テラヘルツ波検出素子130もまた制御する(ステップ101)。
 ここで、図3を参照しながら、照射角度θの変更動作の一例について説明する。図3は、照射角度θの変更動作の一例を示す平面図である。
 図3に示すように、照射角度θを変更するために、テラヘルツ波計測装置100は、アクチュエータ171と、ガイドレール172と、アクチュエータ173と、ガイドレール174とを備えている。
 アクチュエータ171は、照射角度変更部153の制御下で、テラヘルツ波発生素子110及び当該テラヘルツ波発生素子110から出射したテラヘルツ波THzを試料10の表面に導く光学素子111を、ガイドレール173に沿って移動させる。テラヘルツ波発生素子110及び光学素子111が移動すると、照射角度θが変わる。従って、照射角度変更部153は、テラヘルツ波発生素子110及び光学素子111の移動方向及び移動量を制御する(例えば、調整する)ことで、照射角度θを変更する(言い換えれば、調整する)ことができる。
 アクチュエータ173は、照射角度変更部153の制御下で、テラヘルツ波検出素子130及び試料10によって反射されたテラヘルツ波THzを当該テラヘルツ波検出素子130に導く光学素子131を、ガイドレール174に沿って移動させる。照射角度変更部153は、テラヘルツ波検出素子130及び光学素子131の移動方向及び移動量を制御する(例えば、調整する)ことで、試料10によって反射されたテラヘルツ波THzを適切に検出可能な検出位置にテラヘルツ波検出素子130を移動させることができる。
 例えば、照射角度変更部153が照射角度θを“θ”から“θ(但し、θ≠θ)”に変更した場合を想定する。この場合、図3に示すように、試料10によって反射されたテラヘルツ波THzの試料10の表面10aに対する出射角度もまた“θ”から“θ”に変更される。この場合には、照射角度変更部153は、テラヘルツ波検出素子130を、出射角度θで試料10から出射するテラヘルツ波THzを検出可能な検出位置から、出射角度θで試料10から出射するテラヘルツ波THzを検出可能な検出位置へと移動させる。
 尚、図3に示す照射角度θの変更動作は、あくまで一例である。従って、テラヘルツ波計測装置100は、図3に示す変更動作とは異なる動作で、照射角度θを変更してもよい。
 再び図2において、その後、テラヘルツ波発生素子110は、テラヘルツ波THzを試料10の表面10aに向けて出射する(ステップS102)。つまり、テラヘルツ波発生素子110は、照射角度θでテラヘルツ波THzを試料10の表面10aに照射する(ステップS102)。
 試料10aに照射されたテラヘルツ波THzは、試料10によって反射される。ここで、図4を参照しながら、試料10によるテラヘルツ波THzの反射について説明する。図4は、試料10に照射されるテラヘルツ波THzの光路及び試料10によって反射されたテラヘルツ波THzの光路を示す試料10の断面図である。
 図4に示すように、照射角度θで試料10に照射されたテラヘルツ波THzの一部は、試料10の表面10aによって反射される。表面10aによって反射されたテラヘルツ波THzは、出射角度θで試料10から出射するように、試料10からテラヘルツ波検出素子130に伝搬していく。
 一方で、照射角度θで試料10に照射されたテラヘルツ波THzの一部は、表面10aによって反射されることなく、試料10の内部を透過していく。その後、試料10の内部を透過したテラヘルツ波THzは、試料10の裏面10bに到達する。その結果、試料10の内部を透過したテラヘルツ波THzの一部は、試料10の裏面10bによって反射される。裏面10bによって反射されたテラヘルツ波THzは、再び試料10の内部を透過していく。その後、試料10の内部を透過したテラヘルツ波THzは、試料10の表面10aに到達する。その結果、裏面10bによって反射されたテラヘルツ波THzの一部は、出射角度θで試料10から出射するように、試料10からテラヘルツ波検出素子130に伝搬していく。
 尚、本実施例において、表面10a及び裏面10bは、試料10内でのテラヘルツ波THzの伝搬方向(図1及び図4で言えば、図面横方向)に沿って対向する試料10の2つの外面を意味する。この場合、表面10aは、2つの外面のうちテラヘルツ波発生素子110及びテラヘルツ波検出素子130に近い一方の外面に相当する。一方で、裏面10bは、2つの外面のうちテラヘルツ波発生素子110及びテラヘルツ波検出素子130から遠い他方の外面に相当する。
 また、試料10の裏面10bによるテラヘルツ波THzの反射を促進するべく、試料10の裏面10bに接する又は密着するように反射部材が配置されていてもよい。
 再び図2において、試料10によって反射されたテラヘルツ波THzは、テラヘルツ波検出素子130によって検出される(ステップS102)。その結果、テラヘルツ波検出素子130が検出したテラヘルツ波THzの波形を示す波形信号が、信号処理部152に入力される。
 その後、検出時間取得部1521は、信号処理部152に入力された波形信号に基づいて、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1を取得する(ステップS103)。つまり、テラヘルツ波計測装置100は、照射角度θで照射されたテラヘルツ波THzの検出結果に基づいて、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1を取得する。検出時間取得部1521は、照射角度θでテラヘルツ波THzを照射した場合に取得された第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1を、屈折率算出部1522に出力する。尚、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1は、夫々、「第1時間」及び「第2時間」の一具体例である。
 ここで、図5を参照しながら、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1の取得動作について説明する。図5は、テラヘルツ波検出素子130が検出したテラヘルツ波THzの波形信号を示すグラフである。
 図5に示すように、波形信号には、表面10aで反射されたテラヘルツ波THzに相当する波形信号及び裏面10bで反射されたテラヘルツ波THzに相当する波形信号が含まれている。裏面10bで反射されたテラヘルツ波THzが試料10の内部を透過した後にテラヘルツ波検出素子130に到達する一方で、表面10aで反射されたテラヘルツ波THzは試料の10の内部を透過することなくテラヘルツ波検出素子130に到達する。このため、裏面10bで反射されたテラヘルツ波THzは、表面10aで反射されたテラヘルツ波THzよりも時間的に遅れてテラヘルツ波検出素子130に到達する。従って、波形信号上でも、裏面10bで反射されたテラヘルツ波THzに相当する波形信号は、表面10aで反射されたテラヘルツ波THzに相当する波形信号よりも時間的に遅れている。
 第1検出時間ta1は、テラヘルツ波発生素子110がテラヘルツ波THzの照射を開始してから試料10の表面10aで反射されたテラヘルツ波THzがテラヘルツ波検出素子130に到達するまでに要する時間である。一方で、第2検出時間tb1は、テラヘルツ波発生素子110がテラヘルツ波THzの照射を開始してから試料10の裏面10bで反射されたテラヘルツ波THzがテラヘルツ波検出素子130に到達するまでに要する時間である。検出時間取得部1521は、波形信号を解析することで、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1を容易に取得する(言い換えれば、算出する又は特定する)ことができる。
 再び図2において、その後、テラヘルツ波計測装置100は、照射角度θを変更した後に、上述した動作(つまり、第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2を取得する動作)を再度行う。具体的には、照射角度変更部153は、照射角度θが、“θ”とは異なり且つ「第2角度」の一具体例である“θ”になるように、テラヘルツ波発生素子110を制御する(ステップS111)。更に、照射角度変更部153は、照射角度θで照射されるテラヘルツ波THzをテラヘルツ検出素子130が適切に検出するように、テラヘルツ波検出素子130もまた制御する(ステップ111)。その後、テラヘルツ波発生素子110は、照射角度θでテラヘルツ波THzを試料10の表面10aに照射する(ステップS112)。その後、テラヘルツ波検出素子130は、試料10によって反射されたテラヘルツ波THzを検出する(ステップS112)。その結果、テラヘルツ波検出素子130が検出したテラヘルツ波THzの波形を示す波形信号が、信号処理部152に入力される。その後、検出時間取得部1521は、信号処理部152に入力された波形信号に基づいて、第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2を取得する(ステップS113)。つまり、テラヘルツ波計測装置100は、照射角度θで照射されたテラヘルツ波THzの検出結果に基づいて、第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2を取得する。検出時間取得部1521は、照射角度θでテラヘルツ波THzを照射した場合に取得された第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2を、屈折率算出部1522に出力する。尚、第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2は、夫々、「第1時間」及び「第2時間」の一具体例である。
 その後、屈折率算出部1522は、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1、第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2、並びに、照射角度θ及びθに基づいて、試料10の屈折率nを算出する(ステップS121)。具体的には、屈折率算出部1522は、数式5を用いて、屈折率nを算出する。尚、数式5中の変数aは、数式6によって定義される。数式6中のΔtは、照射角度θでテラヘルツ波THzを照射した場合において、テラヘルツ波THzが試料10の内部を透過するために要する時間に相当する。つまり、数式6中のΔtは、照射角度θでテラヘルツ波THzを照射した場合において、テラヘルツ波THzが試料10の表面10aから裏面10bを介して再度表面10aに到達するために要する時間に相当する。数式6中のΔtは、照射角度θでテラヘルツ波THzを照射した場合において、テラヘルツ波THzが試料10の内部を透過するために要する時間に相当する。つまり、数式6中のΔtは、照射角度θでテラヘルツ波THzを照射した場合において、テラヘルツ波THzが試料10の表面10aから裏面10bを介して再度表面10aに到達するために要する時間に相当する。尚、Δt及びΔtは、夫々、透過時間の一具体例である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
 ここで、図6を参照しながら、数式5を用いて屈折率nを算出可能な理由について説明する。図6は、試料10に照射されるテラヘルツ波THzの光路及び試料10によって反射されたテラヘルツ波THzの光路を示す試料10の断面図である。
 まず、照射角度θで試料10の表面10aに照射されたテラヘルツ波THzは、屈折角θ’で試料10内に進入(伝搬)していく。この場合、試料10の内部において表面10aから裏面10bに至るまでのテラヘルツ波THzの光路の物理的な長さd1は、d1=d/cosθ’である。加えて、試料10の内部でのテラヘルツ波THzの速度c’は、c’=c/n(但し、cは、空気中の光速であるものとする)という数式から算出される。従って、テラヘルツ波THzが試料10の内部を透過するために要する時間(つまり、Δt=ta1-tb1)は、数式7で示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
 ここで、スネルの法則より、n=sinθ/sinθ’が成立していることは言うまでもない(但し、説明の便宜上、試料10が空気中に位置しており、且つ、空気の屈折率を1と近似する)。このため、数式7は、数式8に示すように展開できる。照射角度θでテラヘルツ波THzが試料10の表面10aに照射される場合においても同様に、数式9が成立する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
 数式8と数式9を上述の数式6に代入すると、数式10が得られる。数式10をnについて解くと、上述した数式5が得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
 再び図2において、その後、厚さ算出部1523は、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1(より具体的には、第1検出時間ta1及び第2検出時間tb1から得られるΔt)、屈折率n、並びに、照射角度θに基づいて、試料10の厚さdを算出する(ステップS122)。具体的には、厚さ算出部1523は、数式8をdについて解くことで得られる数式11を用いて、試料10の厚さdを算出する。
 但し、厚さ算出部1523は、第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2(より具体的には、第1検出時間ta2及び第2検出時間tb2から得られるΔt)、屈折率n、並びに、照射角度θに基づいて、試料10の厚さdを算出してもよい(ステップS122)。具体的には、厚さ算出部1523は、数式11に代えて、数式9をdについて解くことで得られる数式12を用いて、試料10の厚さdを算出してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000016
 以上説明したように、本実施例のテラヘルツ計測装置100は、試料10の屈折率nを好適に計測する(つまり、算出する)ことができる。特に、本実施例のテラヘルツ計測装置100は、異なる複数の照射角度θでテラヘルツ波THzを試料10に照射することで、試料10に何らかの特殊な部材を接触させることなく、屈折率nを好適に計測することができる。更に、本実施例のテラヘルツ計測装置100は、屈折率nを好適に計測することができるがゆえに、試料10の厚さdもまた好適に計測することができる。
 ここで、屈折率nを計測することなく試料10の厚さdを計測する比較例のテラヘルツ波計測装置の一例として、照射角度θをゼロに設定した上でテラヘルツ波THzを試料10に照射するテラヘルツ波計測装置が想定される。この場合、比較例のテラヘルツ波計測装置は、第1検出時間t及び第2検出時間tを取得する。更に、比較例のテラヘルツ波計測装置は、厚さd=c×(t-t)/2という数式を用いて、試料10の厚さdを計測する。しかしながら、上述したように、試料10の内部でのテラヘルツ波THzの速度c’は、屈折率nに応じて変動する。このため、比較例のテラヘルツ波計測装置によって計測される厚さdは、試料10の本来の厚さd=(c/n)×(t-t)/2よりも大きな値となってしまう。
 このため、比較例のテラヘルツ波計測装置100は、本来の厚さdを計測するためには、屈折率nを計測する必要がある。しかしながら、特許文献1及び2に記載されているように、屈折率nの計測には手間がかかるのが一般的である。しかしながら、本実施例のテラヘルツ波計測装置100は、比較的容易に屈折率nを計測することができると言う大きな利点を有している。
 尚、上述した数式5は、数式8から数式9より構成される連立方程式(つまり、d及びnを未知数とする2つの方程式からなる連立方程式)をnについて解くことで得られる数式であるとも言える。このため、テラヘルツ波計測装置100は、数式5を用いることに代えて、数式8から数式9より構成される連立方程式をnについて解くことで、屈折率nを算出してもよい。例えば、テラヘルツ波計測装置100は、nの仮定値を連立方程式に代入することで連立方程式が成立するか否かを判断し、連立方程式が成立するまで連立方程式に代入するnの仮定値を調整する動作を繰り返してもよい。この場合、連立方程式が成立するnの仮定値が、試料10の屈折率nに相当する。
 本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う計測装置、計測方法、及び、コンピュータプログラムもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
 10 試料
 10a 表面
 10b 裏面
 100 テラヘルツ波計測装置
 101 パルスレーザ装置
 110 テラヘルツ波発生素子
 120 光学遅延機構
 130 テラヘルツ波検出素子
 150 制御部
 151 ロックイン検出部
 152 信号処理部
 1521 検出時間取得部
 1522 屈折率算出部
 1523 厚さ算出部
 153 照射角度変更部
 LB1 ポンプ光
 LB2 プローブ光
 THz テラヘルツ波
 θ、θ 照射角度(入射角度)

Claims (10)

  1.  試料の表面に照射されたテラヘルツ波が、前記試料の内部を透過することで前記表面の反対側に位置する前記試料の裏面に到達し、その後当該裏面によって反射されることで前記表面に再度到達するために要する透過時間を、前記表面に対する角度が互いに異なる前記テラヘルツ波の複数の照射角度の夫々毎に取得する取得手段と、
     前記透過時間及び前記複数の照射角度に基づいて、前記試料の屈折率を算出する算出手段と
     を備えることを特徴とする計測装置。
  2.  前記取得手段は、前記照射角度が第1角度となる場合の前記透過時間、並びに、前記照射角度が前記第1角度とは異なる第2角度となる場合の前記透過時間を取得する
     ことを特徴とする請求項1からに記載の計測装置。
  3.  前記第1角度をθと定義し、前記第2角度をθと定義し、前記照射角度が前記第1角度となる場合の前記透過時間をΔtと定義し、前記照射角度が前記第2角度となる場合の前記透過時間をΔtと定義し、変数aを数式1で定義し、屈折率をnと定義すると、前記算出手段は、数式2に基づいて、前記屈折率を算出する
     ことを特徴とする請求項2に記載の計測装置。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001

    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
  4.  前記取得手段は、前記表面に照射された前記テラヘルツ波が前記表面で反射された後に所定位置に到達するまでに要する第1時間、及び、前記表面に照射された前記テラヘルツ波が前記裏面で反射された後に前記所定位置に到達するまでに要する第2時間を、前記複数の照射角度毎に取得し、
     前記透過時間は、前記第2時間と前記第1時間との差分である
     をことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の計測装置。
  5.  前記表面に向けて前記テラヘルツ波を照射する照射手段と、
     前記試料によって反射された前記テラヘルツ波を検出する検出手段と
     を更に備え、
     前記所定位置は、前記検出手段が設置されている位置であり、
     前記第1時間は、前記照射手段が前記テラヘルツ波を照射してから前記表面で反射された前記テラヘルツ波が前記検出手段に到達するまでに要する時間であり、
     前記第2時間は、前記照射手段が前記テラヘルツ波を照射してから前記裏面で反射された前記テラヘルツ波が前記検出手段に到達するまでに要する時間である
     ことを特徴とする請求項4に記載の計測装置。
  6.  前記取得手段は、前記照射角度が第1角度となる場合の前記第1及び第2時間、並びに、前記照射角度が前記第1角度とは異なる第2角度となる場合の前記第1及び第2時間を取得し、
     前記第1角度をθと定義し、前記第2角度をθと定義し、前記照射角度が前記第1角度となる場合の前記第1及び第2時間を夫々ta1及びtb1と定義し、前記照射角度が前記第2角度となる場合の前記第1及び第2時間を夫々ta2及びtb2と定義し、変数aを数式3で定義し、屈折率をnと定義すると、前記算出手段は、数式4に基づいて、前記屈折率を算出する
     ことを特徴とする請求項4又は5に記載の計測装置。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003

    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
  7.  前記照射角度を変更する変更手段を更に備える
     ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の計測装置。
  8.  前記算出手段は更に、算出した前記屈折率に基づいて、前記表面と前記裏面との間の物理的な距離である前記試料の厚さを算出する
     ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の計測装置。
  9.  試料の表面に照射されたテラヘルツ波が、前記試料の内部を透過することで前記表面の反対側に位置する前記試料の裏面に到達し、その後当該裏面によって反射されることで前記表面に再度到達するために要する透過時間を、前記表面に対する角度が互いに異なる前記テラヘルツ波の複数の照射角度の夫々毎に取得する取得工程と、
     前記透過時間及び前記複数の照射角度に基づいて、前記試料の屈折率を算出する算出工程と
     を備えることを特徴とする計測方法。
  10.  コンピュータに請求項9に記載の計測方法を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
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