WO2017061703A1 - Laser processing device and laser processing method - Google Patents

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WO2017061703A1
WO2017061703A1 PCT/KR2016/009942 KR2016009942W WO2017061703A1 WO 2017061703 A1 WO2017061703 A1 WO 2017061703A1 KR 2016009942 W KR2016009942 W KR 2016009942W WO 2017061703 A1 WO2017061703 A1 WO 2017061703A1
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WO
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slide guide
wafer
axial direction
movement
laser processing
Prior art date
Application number
PCT/KR2016/009942
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Korean (ko)
Inventor
김용덕
조규환
정현택
이교준
Original Assignee
(주)이오테크닉스
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Definitions

  • the present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method, and more particularly, to a laser processing apparatus and a laser processing method capable of forming a processing groove formed on a wafer.
  • the laser processing apparatus irradiates a laser beam emitted from a laser light source to an object to be processed using an optical system, and marking, exposure, etching, and punching (processing) of the object by the irradiation of the laser beam is performed. Machining operations such as punching, scribing, dicing and grooving are performed.
  • the wafer chuck supporting the wafer is moved to form a groove extending in one direction on the wafer.
  • an error may occur in the movement path of the wafer chuck due to an external factor, and in order to match the machining path of the machining groove with the scheduled line, it is necessary to adjust the error of the movement path of the wafer chuck generated by the external factor. There is this.
  • the present invention provides a laser processing apparatus and a laser processing method capable of adjusting the error of the movement path of the wafer chuck.
  • the laser irradiation unit for forming a processing groove on the wafer by irradiating a laser;
  • a sensor unit configured to detect movement of the first slide guide with respect to a second axial direction perpendicular to the first axial direction.
  • the control unit for determining a control signal for compensating for the movement in the second axis direction of the first slide guide sensed by the sensor unit; And a driving unit generating a driving force for moving the first slide guide according to the control signal. It may further include.
  • the sensor unit may be disposed to face each other with the first slide guide at a predetermined interval therebetween.
  • the sensor unit may be an optical sensor including a light emitting element and a light receiving element.
  • the sensor unit may be disposed to contact the first slide guide.
  • the sensor unit may include an elastic member that is contracted or expanded according to the movement of the first slide guide in the second axial direction.
  • the sensor unit may measure the movement of the first slide guide for each processing pitch at which the wafer chuck moves along the first axis direction.
  • the processing pitch may be 1 mm or more and 40 mm or less.
  • the laser processing apparatus may further include a display unit for displaying a processing groove on the wafer formed according to the movement of the wafer chuck.
  • Laser processing method using a laser processing apparatus the step of irradiating a laser on the wafer; Moving the wafer chuck on which the wafer is seated along a first axis direction; And detecting a movement in a second axial direction orthogonal to the first axial direction of the first slide guide extending along the first axial direction and guiding a movement path of the wafer chuck; It may include.
  • a laser processing method using a laser processing apparatus includes: generating a control signal for compensating movement of the first slide guide in the second axial direction; And applying a driving force to the first slide guide according to the control signal.
  • the laser processing method using the laser processing apparatus further includes the step of inputting a processing pitch to which the wafer chuck moves, wherein the movement of the first slide guide is performed for each processing pitch to which the wafer chuck moves. Can be measured.
  • the sensor unit may be disposed to face each other with the first slide guide at a predetermined interval therebetween so as to sense the movement of the first slide guide.
  • the sensor unit may be disposed to contact the first slide guide to detect the movement of the first slide guide.
  • a laser processing method using a laser processing apparatus includes: moving the wafer chuck along the first slide guide to which the driving force is applied; Sensing movement of the first slide guide in the second axial direction; And generating a warning signal when a movement of the first slide guide with respect to the second axis direction is sensed.
  • the processing path of the processing groove may be constantly formed regardless of external factors, thereby improving the processing quality of the wafer.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view of a wafer support module according to one embodiment.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view of the wafer support module shown in FIG. 2.
  • FIG. 4A and 4B are partial perspective views of the wafer support module shown in FIG. 2.
  • 5A is a plan view of a cam and a cam guide according to one embodiment.
  • 5B is a top view of a wafer support module according to one embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of a wafer support module according to one embodiment.
  • FIG. 7A is a plan view of a wafer with a processing groove according to one embodiment.
  • FIG. 7B is a plan view of a wafer with a processing groove according to another embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic diagram of a sensor unit according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of a sensor unit according to another embodiment.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating a laser processing method according to an embodiment.
  • FIG. 11 is a flowchart of a laser processing method according to another embodiment.
  • any part of the specification is to “include” any component, this means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.
  • the terms “... unit”, “... module”, etc. described in the specification mean a unit for processing at least one function or operation, which may be implemented by hardware or software or a combination of hardware and software. Can be.
  • 1 is a block diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment.
  • 2 is a perspective view of a wafer support module according to one embodiment.
  • the laser processing apparatus 1 is a processing apparatus for forming a plurality of processing grooves G (grooves) on the wafer 2.
  • the wafer 2 is a plate-shaped member in which the processing groove G can be formed.
  • a semiconductor wafer such as a silicon wafer may be used, but the present invention is not limited thereto.
  • a plurality of stacked elements may be formed on the wafer 2, and a region where the grooves G are formed may be formed between the stacked elements.
  • the processing groove G may be formed to have a depth of about 5 to 10 ⁇ m and a width of about 6 to 10 ⁇ m, but this is merely illustrative, and the depth and width of the processing groove G may vary. Can be changed.
  • the laser processing apparatus 1 includes a wafer support module 10 on which a wafer 2 is supported, a laser irradiation unit 20 for irradiating a laser beam L onto the shock wafer 2, a wafer support module 10, and a laser irradiation unit.
  • 60 and a driver 70 capable of providing a driving force to the wafer support module 10.
  • the wafer support module 10 is a device capable of moving the wafer 2 in the first axial direction X and the second axial direction Y while supporting the wafer 2. More specific matters related to the wafer support module 10 will be described later.
  • the laser irradiation part 20 irradiates the laser beam L of the wavelength with which the wafer 2 absorbs with respect to the wafer 2 supported by the wafer support module 10, and laser-processes it on the surface of the wafer 2; It is a laser irradiation apparatus which can form the groove
  • the laser beam (L) may be a pulsed ultraviolet laser beam, and may have a pulse width in the range of femtosecond (fs; femto second), picosecond (ps; pico second) or nanoseconds (ns).
  • fs femtosecond
  • nanoseconds nanoseconds
  • the controller 30 may be hardware for controlling the driving of the wafer support module 10 and the laser irradiator 20.
  • the controller 30 may be configured to control the driving force applied to the wafer support module 10 and the laser irradiation unit 20 from the movement information of the guide unit 200 measured by the program and the sensor unit 60 stored in the memory (not shown).
  • a control signal can be generated.
  • a detailed method of generating a control signal for driving force applied to the wafer support module 10 from movement information of the guide unit 200 measured by a program stored in a memory (not shown) and the sensor unit 60 will be described later.
  • the controller 30 not only generates a control signal for the driving force applied to the wafer support module 10, but also, for example, an image signal for displaying a processing groove G formed in the wafer 2. You can also process
  • the controller 30 may be implemented in the form of one microprocessor module or in the form of a combination of two or more microprocessor modules. That is, the implementation form of the control unit 30 is not limited by any one.
  • the user interface module 40 may include an input unit 410 and a display unit 420.
  • the input unit 410 may include a button, a keypad, a switch, a dial, or a touch interface for operating the laser processing apparatus 1.
  • the display unit 420 may be implemented as a display panel for displaying information on the processing groove G formed on the wafer 2.
  • the display unit 420 may include an LCD panel, an OLED panel, and the like, and may display information on the processed groove G formed on the analyzed wafer 2 as an image or text.
  • the sensor unit 60 is a measuring device for measuring movement information of the wafer support module 10, more specifically, the guide unit 200.
  • the sensor unit 60 may measure movement information about the guide unit 200 in a contact manner or a non-contact manner. A detailed method of measuring movement information about the guide unit 200 using the sensor unit 60 will be described later.
  • the drive unit 70 is a power generating device capable of generating a driving force for moving the wafer 2 along the first axis direction X or the second axis direction Y.
  • the driving unit 70 may include a first driving device 71 for moving the wafer 2 in the second axis direction Y and a first driving device 71 for moving the wafer 2 in the first axis X direction. 2 may include a driving device (72). At this time, the driving unit 70 may generate a driving force according to the control signal generated from the control unit 30.
  • the movement of the wafer support module 10, more specifically, the guide part 200 may be sensed and the movement information of the guide part 200 may be detected.
  • the method for compensating for the movement of the guide unit 200 using the driving force generated according to the following will be described in more detail.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view of the wafer support module 10 shown in FIG. 2.
  • 4A and 4B are partial perspective views of the wafer support module shown in FIG. 2.
  • the wafer support module 10 includes a wafer chuck 100 capable of supporting the wafer 2, and a guide part 200 for moving the wafer chuck 100 in the first axial direction X. And a cam 108 and a cam for guiding the movement of the wafer chuck 100 in the second axial direction (Y), the base portion 300, and the first axial direction X of the wafer chuck 100.
  • Guide 308 may be included.
  • the wafer chuck 100 may be disposed to slide along the first axial direction X on the guide part 200, and the guide part 200 may be disposed on the base part 300 in the second axial direction Y. It may be arranged to slide along).
  • the first driving device 71 may be disposed on the base part 300 to provide a driving force for moving the guide part 200 in the second axial direction (Y), and the second driving device 72. May be disposed in the guide part 200 to provide a driving force for moving the wafer chuck 100 in the first axial direction X.
  • the sensor unit 60 may be disposed on the base unit 300 to measure movement information of the guide unit 200 along the second axial direction Y, more specifically, the first slide guide 203. .
  • the wafer chuck 100 includes a wafer chuck table 101 capable of accommodating a wafer 2, a first slide 103, and a third slide for moving the wafer chuck table 101 in a first axial direction X. It may include a central axis 105 extending in the axial direction (Z) is disposed to be fixed to the wafer chuck table 101.
  • the wafer chuck table 101 is an accommodating portion capable of accommodating the upper wafer 2 before processing.
  • the wafer chuck table 101 may have a disk shape formed of a porous ceramic or the like, and the wafer 2 may be a wafer chuck by sucking the wafer wafer 2 disposed thereon using a vacuum suction source (not shown).
  • the table 101 may be accommodated above.
  • the first slide 103 may be disposed to be fixed to the lower portion of the wafer chuck table 101 to move the wafer chuck table 101 in the first axis X direction.
  • the first slide 103 may be disposed to engage the first slide guide 203 included in the guide part 200, which will be described later.
  • the wafer chuck table 101 may be disposed on the first axis ( Move in the X) direction.
  • the cam 108 is a guide member for limiting the movement path of the wafer chuck table 101 along the first axis X direction.
  • the cam 108 may be formed of a circular plate-like member, disposed to be fixed to the wafer chuck table 101, and rotated about the central axis 105 extending in the third axis direction Z. It may be arranged to.
  • the cam 108 may be disposed to contact each other with the cam guide 308 included in the base portion 300 to be described later, thereby moving the wafer chuck 100 along the first axial direction X. You can restrict the path.
  • the guide part 200 may include a first slide guide 203, a sensor detector 204, first and second clamping devices 206 and 207, and a second slide 210.
  • the first slide guide 203 is a guide portion extending in the first axial direction X. As described above, the first slide guide 203 is engaged with the first slide 103 to guide the movement of the first axial direction X of the wafer chuck 100. can do.
  • the sensor detecting unit 204 is a sensing target that is detected by the sensor unit 60 which will be described later.
  • the sensor detecting unit 204 may be disposed to be fixed to the first slide guide 203, so that the sensor unit 60 may be the guide unit 200, more specifically, the first slide guide 203.
  • the second axis (Y) of the movement in the direction can be detected.
  • the first and second clamping devices 206 and 207 are fixing devices for maintaining the contact state of the cam guide 308 and the cam 108.
  • the first and second clamping devices 206 and 207 may be fastened to the second side portion 308-2 of the cam guide 308 provided in the base portion 300, which will be described later. The contact of the cam guide 308 and the cam 108 may be maintained.
  • the second slide 210 may be disposed to be fixed to the lower portion of the first slide guide 203 to move the first slide guide 203 in the second axial direction (Y).
  • the second slide 210 may be arranged to engage with the second slide guide 320 included in the base portion 300 to be described later, so that the first slide guide 203 is second axis. It can be moved along the direction Y.
  • the cam guide 308 may be formed to extend in the direction of the first axis X, and the first side portion 308-1 of the cam guide 308 contacts the cam 108 so that the cam guide 308 may be formed in the wafer chuck 100. It is possible to limit the movement path in one axis (X) direction.
  • the second side portion 308-2 of the cam guide 308 may be fastened by the first and second clamping devices 206 and 207 as described above, and thus the cam guide 308 may be fastened.
  • the contact between the first side 308-1 and the cam 108 may be maintained.
  • the sensor unit 60 may be disposed to be fixed to the cam guide 306, whereby the sensor unit 60 may move along the second axis Y along with the cam guide 306. .
  • the base 300 may include a third slide 310 and a second slide guide 320.
  • the third slide 310 is disposed to be fixed to the lower portion of the cam guide 308 to move the cam guide 308 in the second axis (Y) direction.
  • the third slide 310 may be disposed to be engaged with the second slide guide 320 which will be described later, and thus the sensor unit disposed to be fixed to the cam guide 308 and the cam guide 308. It is possible to move the 60 in the second axis Y direction.
  • the second slide guide 320 is a guide part extending in the second axis Y direction and may be engaged with the second slide 210 to guide the movement of the first slide guide 203 in the second axis Y direction. have. In addition, the second slide guide 320 may be engaged with the third slide 310 to guide movement of the cam guide 308 and the sensor unit 60 in the second axis Y direction.
  • 5A is a plan view of a cam and a cam guide according to one example.
  • 5B is a plan view of a wafer support module according to one example.
  • 6 is a plan view of a wafer support module according to one example.
  • 7 and 8 are plan views of wafers with processing grooves according to one example.
  • processing content information is input through the input unit 410 as shown in FIGS. 1 and 2, and the wafer support module spaced apart from the laser irradiation unit 20.
  • the control unit 30 applies a control signal to the first and second driving devices 71 and 72 to move the wafer chuck 100 and the guide unit 200 into the first axis X and the second axis Y. ) Can be moved along the direction.
  • the movement of the wafer chuck 100 in the first axis X direction may be constrained by the cam 108 and the cam guide 308.
  • the cam 108 may be formed in a circular plate member shape, and the cam guide 308 may be formed in a straight member shape extending in one axial direction.
  • the shape errors may be included in the circular and straight shapes of the cam 108 or the cam guide 308.
  • the first radius R 1 measured from the center portion O of the cam 108 may be shorter than the second radius R 2 , such that the cam 108 follows the cam guide 308.
  • the central axis 105 connected to be fixed to the cam 108 may be moved in the second axial direction Y.
  • the wafer chuck table 101 disposed to be fixed to the central axis 105 is also moved in the second axis direction Y, so that the wafer chuck 100 is not linearly moved along the first axis direction X. You may not be able to. Since the wafer chuck 100 does not move linearly along the first axial direction X, the first position A of the processing groove G formed on the wafer 2 as shown in FIG. It may be moved out of the machining line M and moved in the second axis direction Y.
  • the error in the movement direction of the wafer chuck 100 may be generated not only by the shape error of the cam 108, but also by the shape error of the cam guide 308 and the contaminants that may be inserted during processing.
  • the sensor unit 60 may detect a movement in the direction of the second axis Y of the first slide guide 203 in which the relative position with respect to the direction of the wafer chuck 100 and the second axis Y is constrained. In this way, movement information about the second axis direction Y of the wafer chuck 100 may be obtained.
  • the sensor unit 60 may be disposed to face the sensor detector 204 disposed to be fixed to the first slide guide 203, and the sensor detector 204 may be disposed.
  • the movement of the first slide guide 203 in the second axial direction Y may be sensed by detecting the movement in the second axial direction Y.
  • the sensor unit 60 may be formed in a contact manner or a non-contact manner.
  • the sensor unit 60 may be provided in the form of an optical displacement sensor including a light emitting element 610 and a plurality of light receiving elements 620, as shown in FIG. 8, wherein the first slide guide ( The movement of the 203 in the second axial direction Y may be determined according to the position of the light receiving element 620 to receive the light emitted from the light emitting element 610.
  • the sensor unit 60 may be provided in the form of a contact displacement sensor including the elastic member 630 as shown in FIG. 9, in which the second axial direction of the first slide guide 203 ( The movement relative to Y) may be determined by measuring whether the elastic member 630 is compressed or stretched.
  • the sensor unit 60 is not the wafer chuck 100, but the sensor detection unit 204 disposed on the first slide guide 203 as a measurement target, and thus the second portion of the wafer chuck 100.
  • the movement in the axial direction Y can be detected. Accordingly, while the process of forming the processing groove G in the first axial direction X is in progress, the measurement object measured by the sensor unit 60 may be kept constant, thereby making the first measurement more accurate.
  • the movement of the slide guide 203 and the wafer chuck 100 in the second axis direction Y may be detected.
  • the detection of the movement of the first slide guide 203 in the second axial direction Y by the sensor unit 60 is the processing pitch P in the first axial direction X of the wafer 2. It may be made every time, for example, the processing pitch (P) may be 1mm or more and 40mm or less. In this case, the processing pitch P in the first axial direction X of the wafer 2 may be input through the input unit 410 or stored in a memory (not shown).
  • the first processing groove G 1 may be measured on the wafer 2. Can be. In this case, whether the first slide guide 203 moves in the second axis direction Y may be detected 12 times.
  • the second processing groove G 2 may be measured on the wafer 2. . In this case, whether the first slide guide 203 moves in the second axis direction Y may be measured 24 times.
  • the processing pitch P in the first axis X direction is smaller, the movement of the first slide guide 203 in the second axis direction Y can be measured relatively more, and accordingly, the first The error between the processing groove G and the processing schedule line M of the wafer 2 according to the movement in the second axial direction Y of the slide guide 203 can be confirmed more accurately.
  • the controller 30 corrects the movement in the second axis direction Y of the first slide guide 203 by using the movement information in the second axis direction Y of the first slide guide 203 received. Can generate a control signal.
  • the controller 30 may include the first processing groove G 1 .
  • the control signal can be applied to the first drive device 71 so as to be aligned with the machining schedule line M.
  • the first driving device 71 applies a driving force to the first slide guide 203 in the second axial direction Y, so that the first slide guide in the second axial direction Y as shown in FIG. 6.
  • the position of 203 can be corrected.
  • the first processing groove G 1 on the wafer 2 may be formed to coincide with the processing schedule line M.
  • FIG. 10 is a flowchart schematically illustrating a laser processing method according to an example.
  • the laser irradiation unit 20 irradiates a laser on the wafer 2 disposed on the wafer chuck table 101 (S210).
  • the wafer 2 may move along the first axial direction X (S230).
  • the movement direction with respect to the 1st axial direction X of the wafer 2 is the cam 108 arrange
  • the matters relating to the movement of the wafer 2 along the first axial direction X by the cam 108 and the cam guide 308 are substantially the same as those described in connection with FIGS. 5A and 5B and are described herein. Omit.
  • the shape error of the cam 108 or the cam guide 308 or the insertion of other contaminants may cause the first slide guide 203 to move in the second axial direction (Y).
  • the sensor unit 60 may be disposed in a contact or non-contact manner with the first slide guide 203 to detect whether the first slide guide 203 moves in the second axial direction Y.
  • the sensor unit 60 may detect whether the first slide guide 203 moves in the second axial direction Y for each unit distance that the wafer chuck 100 moves. In this case, for example, The unit distance that the wafer chuck 100 moves may be input through the input unit 410.
  • the first driving device 71 applies a driving force in the second axial direction Y to the first slide guide 203 (S290), thereby providing a first slide.
  • the movement path of the guide 203 can be adjusted.
  • FIG. 11 is a flowchart schematically illustrating a laser processing method according to yet another example.
  • the movement path in the second axial direction Y of the first slide guide 203 may be adjusted. Accordingly, the wafer chuck 100 can move along the first axial direction X along the first slide guide 203 whose movement path is adjusted, and the wafer 2 disposed on the wafer chuck 100 is adjusted.
  • the laser processing may be performed by moving in the first axial direction X along the processed processing line (S310).
  • a warning signal may be displayed to the user through the display unit 420 illustrated in FIG. 1.
  • the user may readjust the moving path of the first slide guide 203.

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Abstract

A laser processing device according to one embodiment of the present invention can comprise: a laser emission unit emitting a laser beam so as to form a processing groove on a wafer; a wafer chuck on which the wafer is loaded, and which moves along a first axial direction; a cam disposed so as to be fixed to the wafer chuck; a cam guide formed to extend along the first axial direction, and making contact with the cam so as to guide a movement path of the wafer chuck; a first slide guide extending along the first axial direction and guiding the movement path of the wafer chuck; and a sensor unit for sensing the movement of the first slide guide in a second axial direction orthogonal to the first axial direction.

Description

레이저 가공장치 및 레이저 가공방법Laser processing equipment and laser processing method
본 발명은 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법에 관한 것으로, 구체적으로 웨이퍼 상에 형성되는 가공홈(groove)을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method, and more particularly, to a laser processing apparatus and a laser processing method capable of forming a processing groove formed on a wafer.
레이저 가공 장치는 레이저 광원으로부터 출사된 레이저 빔을 광학계를 이용하여 가공 대상물에 조사하고, 이러한 레이저 빔의 조사에 의해 가공 대상물에 대한 마킹(marking), 노광(exposure), 식각(etching), 펀칭(punching), 스크라이빙(scribing), 다이싱(dicing) 및 그루빙(grooving) 등과 같은 가공 작업을 수행한다.The laser processing apparatus irradiates a laser beam emitted from a laser light source to an object to be processed using an optical system, and marking, exposure, etching, and punching (processing) of the object by the irradiation of the laser beam is performed. Machining operations such as punching, scribing, dicing and grooving are performed.
그루빙 공정에서, 웨이퍼 상에 일 방향으로 연장되는 가공홈(groove)을 형성하기 위해 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척이 이동한다. 이 때, 외부 요인에 의해 웨이퍼 척의 이동 경로에 오차가 발생될 수 있으며, 가공홈의 가공 경로를 가공 예정 라인과 일치시키기 위해, 상기 외부 요인에 의해 발생된 웨이퍼 척의 이동 경로에 대한 오차를 조정할 필요성이 있다.In the grooving process, the wafer chuck supporting the wafer is moved to form a groove extending in one direction on the wafer. At this time, an error may occur in the movement path of the wafer chuck due to an external factor, and in order to match the machining path of the machining groove with the scheduled line, it is necessary to adjust the error of the movement path of the wafer chuck generated by the external factor. There is this.
본 발명은 웨이퍼 척의 이동 경로에 대한 오차를 조정할 수 있는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 제공한다.The present invention provides a laser processing apparatus and a laser processing method capable of adjusting the error of the movement path of the wafer chuck.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치는, 레이저를 조사하여 웨이퍼 상에 가공홈을 형성하는 레이저 조사부; 상기 웨이퍼가 안착되며, 제1 축 방향을 따라 이동하는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척에 고정되도록 배치된 캠; 상기 제1 축 방향을 따라 연장되도록 형성되며, 상기 캠과 접촉하여 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 캠 가이드; 상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드; 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향에 대한 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지하는 센서부;를 포함할 수 있다.Laser processing apparatus according to an example, the laser irradiation unit for forming a processing groove on the wafer by irradiating a laser; A wafer chuck on which the wafer is seated and moving along a first axis direction; A cam disposed to be fixed to the wafer chuck; A cam guide formed to extend along the first axial direction, the cam guide being in contact with the cam to guide the movement path of the wafer chuck; A first slide guide extending along the first axial direction and guiding a movement path of the wafer chuck; And a sensor unit configured to detect movement of the first slide guide with respect to a second axial direction perpendicular to the first axial direction.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치는, 상기 센서부에 의해 감지된 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 결정하는 제어부; 및 상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드를 이동시키기 위한 구동력을 생성하는 구동부; 를 더 포함할 수 있다.Laser processing apparatus according to an example, the control unit for determining a control signal for compensating for the movement in the second axis direction of the first slide guide sensed by the sensor unit; And a driving unit generating a driving force for moving the first slide guide according to the control signal. It may further include.
상기 센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치될 수 있다.The sensor unit may be disposed to face each other with the first slide guide at a predetermined interval therebetween.
상기 센서부는 발광 소자 및 수광 소자를 포함하는 광 센서일 수 있다.The sensor unit may be an optical sensor including a light emitting element and a light receiving element.
상기 센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 서로 접촉하도록 배치될 수 있다.The sensor unit may be disposed to contact the first slide guide.
상기 센서부는, 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동에 따라 수축 또는 팽창되는 탄성 부재를 포함할 수 있다.The sensor unit may include an elastic member that is contracted or expanded according to the movement of the first slide guide in the second axial direction.
상기 센서부는, 상기 웨이퍼 척이 상기 제1 축 방향을 따라 이동하는 가공 피치마다 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 측정할 수 있다.The sensor unit may measure the movement of the first slide guide for each processing pitch at which the wafer chuck moves along the first axis direction.
상기 가공 피치는 1mm 이상 40mm 이하일 수 있다. The processing pitch may be 1 mm or more and 40 mm or less.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치는, 상기 웨이퍼 척의 이동에 따라 형성되는 상기 웨이퍼 상의 가공홈을 표시하기 위한 표시부;를 더 포함할 수 있다.The laser processing apparatus according to an example may further include a display unit for displaying a processing groove on the wafer formed according to the movement of the wafer chuck.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 웨이퍼 상에 레이저를 조사하는 단계; 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척을 제1 축 방향을 따라 이동시키는 단계; 및 상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드의 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 를 포함할 수 있다.Laser processing method using a laser processing apparatus according to an example, the step of irradiating a laser on the wafer; Moving the wafer chuck on which the wafer is seated along a first axis direction; And detecting a movement in a second axial direction orthogonal to the first axial direction of the first slide guide extending along the first axial direction and guiding a movement path of the wafer chuck; It may include.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계; 및 상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드에 구동력을 인가하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, a laser processing method using a laser processing apparatus includes: generating a control signal for compensating movement of the first slide guide in the second axial direction; And applying a driving force to the first slide guide according to the control signal.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 상기 웨이퍼 척이 이동하는 가공 피치를 입력하는 단계;를 더 포함하며, 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동은 상기 웨이퍼 척이 이동하는 상기 가공 피치마다 측정될 수 있다.The laser processing method using the laser processing apparatus according to an example further includes the step of inputting a processing pitch to which the wafer chuck moves, wherein the movement of the first slide guide is performed for each processing pitch to which the wafer chuck moves. Can be measured.
센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지할 수 있다.The sensor unit may be disposed to face each other with the first slide guide at a predetermined interval therebetween so as to sense the movement of the first slide guide.
센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 서로 접촉하도록 배치되어 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지할 수 있다.The sensor unit may be disposed to contact the first slide guide to detect the movement of the first slide guide.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 상기 구동력이 인가된 상기 제1 슬라이드 가이드를 따라 상기 웨이퍼 척을 이동시키는 단계; 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 및 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동이 감지되는 경우, 경고 신호를 생성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, a laser processing method using a laser processing apparatus includes: moving the wafer chuck along the first slide guide to which the driving force is applied; Sensing movement of the first slide guide in the second axial direction; And generating a warning signal when a movement of the first slide guide with respect to the second axis direction is sensed.
일 예시에 따른 레이저 가공 장치에 의하면, 외부 요인에 관계 없이 가공홈의 가공 경로를 일정하게 형성할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 가공 품질을 향상시킬 수 있다.According to the laser processing apparatus according to an example, the processing path of the processing groove may be constantly formed regardless of external factors, thereby improving the processing quality of the wafer.
또한, 실시간으로 가공 경로를 모니터링할 수 있고, 경보 기능의 탑재로 웨이퍼의 품질 변동을 실시간으로 검출할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 품질 변동에 신속하게 대응할 수 있다.In addition, it is possible to monitor the processing path in real time, the detection of the wafer quality fluctuations in real time with the alarm function, it is possible to respond quickly to the wafer quality fluctuations.
도 1은 일 실시예에 따른 　 레이저　가공 장치의　구성을 나타내는 블록도이다. 1 is a block diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment.
도 2는 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈에 대한 사시도이다. 2 is a perspective view of a wafer support module according to one embodiment.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈에 대한 분리 사시도이다. 3 is an exploded perspective view of the wafer support module shown in FIG. 2.
*도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈에 대한 부분 사시도이다.4A and 4B are partial perspective views of the wafer support module shown in FIG. 2.
도 5a는 일 실시예에 따른 캠과 캠 가이드의 평면도이다. 5A is a plan view of a cam and a cam guide according to one embodiment.
도 5b는 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다. 5B is a top view of a wafer support module according to one embodiment.
도 6은 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다. 6 is a plan view of a wafer support module according to one embodiment.
도 7a는 일 실시예에 따른 가공홈이 표시된 웨이퍼의 평면도이다. 7A is a plan view of a wafer with a processing groove according to one embodiment.
도 7b 는 다른 실시예에 따른 가공홈이 표시된 웨이퍼의 평면도이다.7B is a plan view of a wafer with a processing groove according to another embodiment.
도 8은 일 실시예에 따른 센서부에 대한 개략도이다. 8 is a schematic diagram of a sensor unit according to an exemplary embodiment.
도 9는 다른 실시예에 따른 센서부에 대한 개략도이다.9 is a schematic diagram of a sensor unit according to another embodiment.
도 10은 일 실시예에 따른 레이저 가공 방법에 대한 흐름도이다.10 is a flowchart illustrating a laser processing method according to an embodiment.
도 11은 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법에 대한 흐름도이다.11 is a flowchart of a laser processing method according to another embodiment.
본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.The terms used in the present invention have been selected as widely used general terms as possible in consideration of the functions in the present invention, but this may vary according to the intention or precedent of the person skilled in the art, the emergence of new technologies and the like. In addition, in certain cases, there is also a term arbitrarily selected by the applicant, in which case the meaning will be described in detail in the description of the invention. Therefore, the terms used in the present invention should be defined based on the meanings of the terms and the contents throughout the present invention, rather than the names of the simple terms.
명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부" "...모듈"등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.When any part of the specification is to "include" any component, this means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated. In addition, the terms "... unit", "... module", etc. described in the specification mean a unit for processing at least one function or operation, which may be implemented by hardware or software or a combination of hardware and software. Can be.
아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described embodiments of the present invention;
도 1은 일 실시예에 따른 　 레이저　가공 장치의　구성을 나타내는 블록도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈에 대한 사시도이다. 1 is a block diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment. 2 is a perspective view of a wafer support module according to one embodiment.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 예시에 따른 레이저 가공 장치(1)는 웨이퍼(2) 상에 복수 개의 가공홈(G: groove)을 형성하기 위한 가공 장치이다. 여기서, 웨이퍼(2)는 가공홈(G)이 형성될　수 있는 판상 형상의 부재로서, 예를 들면, 실리콘　웨이퍼와 같은 반도체　웨이퍼 등이 사용될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 웨이퍼(2) 상에는 다수의 적층 소자들이 형성될 수 있으며, 상기 적층 소자들 사이에　가공홈(G) 영역이 형성될 수 있다.　일 예로서, 가공홈(G)은 대략 5~10㎛의 깊이와 대략 6~10㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있지만, 이는 단지 예시적인 것으로, 가공홈(G)의 깊이 및 폭은 다양하게 변경될 수 있다.1 and 2, the laser processing apparatus 1 according to an example is a processing apparatus for forming a plurality of processing grooves G (grooves) on the wafer 2. Here, the wafer 2 is a plate-shaped member in which the processing groove G can be formed. For example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer may be used, but the present invention is not limited thereto. A plurality of stacked elements may be formed on the wafer 2, and a region where the grooves G are formed may be formed between the stacked elements. As an example, the processing groove G may be formed to have a depth of about 5 to 10 μm and a width of about 6 to 10 μm, but this is merely illustrative, and the depth and width of the processing groove G may vary. Can be changed.
레이저 가공 장치(1)는 웨이퍼(2)가 지지되는 웨이퍼 지지 모듈(10), 상기　웨이퍼(2)에 레이저 빔(L)을 조사하는 레이저 조사부(20), 웨이퍼 지지 모듈(10)과 레이저 조사부(20)의 구동을 제어하기 위한 제어부(30), 입력부(410)와 표시부(420)가 구비된 사용자 인터페이스 모듈(40), 후술하게 될 가이드부(200)의 이동을 감지할 수 있는 센서부(60) 및 웨이퍼 지지 모듈(10)에 구동력을 제공할 수 있는 구동부(70)를 포함할 수 있다.The laser processing apparatus 1 includes a wafer support module 10 on which a wafer 2 is supported, a laser irradiation unit 20 for irradiating a laser beam L onto the shock wafer 2, a wafer support module 10, and a laser irradiation unit. A control unit 30 for controlling the driving of the 20, the user interface module 40 provided with the input unit 410 and the display unit 420, and a sensor unit for sensing the movement of the guide unit 200, which will be described later. 60 and a driver 70 capable of providing a driving force to the wafer support module 10.
웨이퍼 지지 모듈(10)은 웨이퍼(2)를 지지한 채, 상기 웨이퍼(2)를 제1 축 방향(X) 및 제2 축 방향(Y)으로 이동시킬 수 있는 장치이다. 웨이퍼 지지 모듈(10)과 관련된 보다 구체적인 사항은 후술한다.The wafer support module 10 is a device capable of moving the wafer 2 in the first axial direction X and the second axial direction Y while supporting the wafer 2. More specific matters related to the wafer support module 10 will be described later.
레이저 조사부(20)는 웨이퍼 지지 모듈(10)에 지지된　웨이퍼(2)에 대하여,　웨이퍼(2)가 흡수성을 갖는 파장의　레이저 빔(L)을 조사하여,　웨이퍼(2)의 표면에　레이저　가공홈(G)을 형성할 수 있는 레이저 조사 장치이다. 이 때, 레이저 빔(L)은 펄스형 자외선 레이저 빔일 수 있으며, 펨토초(fs;femto second), 피코초(ps; pico second) 또는 나노초(ns; nano second) 범위의 펄스폭을 구비할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The laser irradiation part 20 irradiates the laser beam L of the wavelength with which the wafer 2 absorbs with respect to the wafer 2 supported by the wafer support module 10, and laser-processes it on the surface of the wafer 2; It is a laser irradiation apparatus which can form the groove | channel G. At this time, the laser beam (L) may be a pulsed ultraviolet laser beam, and may have a pulse width in the range of femtosecond (fs; femto second), picosecond (ps; pico second) or nanoseconds (ns). However, the present invention is not limited thereto.
제어부(30)는 웨이퍼 지지 모듈(10)과 레이저 조사부(20)의 구동을 제어하기 위한 하드웨어일 수 있다. 제어부(30)는 메모리(미도시)에 저장된 프로그램 및 센서부(60)에 의해 측정된 가이드부(200)의 이동 정보로부터 웨이퍼 지지 모듈(10)과 레이저 조사부(20)에 인가되는 구동력에 대한 제어 신호를 생성할 수 있다. 메모리(미도시)에 저장된 프로그램 및 센서부(60)에 의해 측정된 가이드부(200)의 이동 정보로부터 웨이퍼 지지 모듈(10)에 인가되는 구동력에 대한 제어 신호를 생성하는 구체적인 방법은 후술한다. The controller 30 may be hardware for controlling the driving of the wafer support module 10 and the laser irradiator 20. The controller 30 may be configured to control the driving force applied to the wafer support module 10 and the laser irradiation unit 20 from the movement information of the guide unit 200 measured by the program and the sensor unit 60 stored in the memory (not shown). A control signal can be generated. A detailed method of generating a control signal for driving force applied to the wafer support module 10 from movement information of the guide unit 200 measured by a program stored in a memory (not shown) and the sensor unit 60 will be described later.
제어부(30)는 웨이퍼 지지 모듈(10)에 인가되는 구동력에 대한 제어 신호를 생성하는 작업을 수행할 뿐 아니라, 예를 들어, 웨이퍼(2)에 형성된 가공홈(G)을 디스플레이하기 위한 영상 신호를 처리할 수도 있다. 제어부(30)는 하나의 마이크로프로세서 모듈의 형태로 구현되거나, 또는 둘 이상의 마이크로프로세서 모듈들이 조합된 형태로 구현될 수도 있다. 즉, 제어부(30)의 구현 형태는 어느 하나에 의해 제한되지 않는다.The controller 30 not only generates a control signal for the driving force applied to the wafer support module 10, but also, for example, an image signal for displaying a processing groove G formed in the wafer 2. You can also process The controller 30 may be implemented in the form of one microprocessor module or in the form of a combination of two or more microprocessor modules. That is, the implementation form of the control unit 30 is not limited by any one.
사용자 인터 페이스 모듈(40)은 입력부(410)와 표시부(420)를 포함할 수 있다. 입력부(410)는 레이저 가공 장치(1)를 조작하기 위한 버튼, 키 패드, 스위치, 다이얼 또는 터치 인터페이스를 포함할 수 있다. 표시부 (420)는 웨이퍼(2) 상에 형성된 가공홈(G)에 대한 정보을 디스플레이하기 위한 디스플레이 패널 등으로 구현될 수 있다. 일 예로서, 표시부(420)는 LCD 패널, OLED 패널 등을 포함할 수 있으며, 분석된 웨이퍼(2)상에 형성된 가공홈(G)에 대한 정보를 영상 또는 텍스트로 표시할 수 있다.The user interface module 40 may include an input unit 410 and a display unit 420. The input unit 410 may include a button, a keypad, a switch, a dial, or a touch interface for operating the laser processing apparatus 1. The display unit 420 may be implemented as a display panel for displaying information on the processing groove G formed on the wafer 2. For example, the display unit 420 may include an LCD panel, an OLED panel, and the like, and may display information on the processed groove G formed on the analyzed wafer 2 as an image or text.
센서부(60)는 웨이퍼 지지 모듈(10), 보다 구체적으로 가이드부(200)의 이동 정보를 측정하기 위한 측정 장치이다. 일 예로서, 센서부(60)는 접촉 방식 또는 비접촉 방식으로 가이드부(200)에 대한 이동 정보를 측정할 수 있다. 센서부(60)를 이용하여 가이드부(200)에 대한 이동 정보를 측정하는 구체적인 방법은 후술한다. The sensor unit 60 is a measuring device for measuring movement information of the wafer support module 10, more specifically, the guide unit 200. As an example, the sensor unit 60 may measure movement information about the guide unit 200 in a contact manner or a non-contact manner. A detailed method of measuring movement information about the guide unit 200 using the sensor unit 60 will be described later.
구동부(70)는, 웨이퍼(2)를 제1축 방향(X) 또는 제2축 방향(Y)을 따라 이동시키기 위한 구동력을 생성할 수 있는 동력 발생 장치이다. 일 예로서, 구동부(70)는 웨이퍼(2)를 제2축 방향(Y)으로 이동시키기 위한 제1 구동 장치(71) 및 웨이퍼(2)를 제1축(X) 방향으로 이동시키기 위한 제2 구동 장치(72)를 포함할 수 있다. 이 때, 구동부(70)는 제어부(30)로부터 생성된 제어 신호에 따라 구동력을 생성할 수 있다.The drive unit 70 is a power generating device capable of generating a driving force for moving the wafer 2 along the first axis direction X or the second axis direction Y. FIG. For example, the driving unit 70 may include a first driving device 71 for moving the wafer 2 in the second axis direction Y and a first driving device 71 for moving the wafer 2 in the first axis X direction. 2 may include a driving device (72). At this time, the driving unit 70 may generate a driving force according to the control signal generated from the control unit 30.
이하에서는 웨이퍼(2)상에 형성된 가공홈(G)의 오정렬을 방지하기 위해, 웨이퍼 지지모듈(10), 보다 구체적으로 가이드부(200)의 이동을 감지하고, 가이드부(200)의 이동 정보에 따라 생성된 구동력을 이용하여 가이드부(200)의 이동을 보상할 수 있는 방법에 대해 보다 구체적으로 서술한다.Hereinafter, in order to prevent misalignment of the processing groove G formed on the wafer 2, the movement of the wafer support module 10, more specifically, the guide part 200, may be sensed and the movement information of the guide part 200 may be detected. The method for compensating for the movement of the guide unit 200 using the driving force generated according to the following will be described in more detail.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈(10)에 대한 분리 사시도이다. 도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈에 대한 부분 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the wafer support module 10 shown in FIG. 2. 4A and 4B are partial perspective views of the wafer support module shown in FIG. 2.
도면들을 참조하면, 웨이퍼 지지 모듈(10)은 웨이퍼(2)를 지지할 수 있는 웨이퍼 척(100), 상기 웨이퍼 척(100)을 제1 축 방향(X)으로 이동시키기 위한 가이드부(200), 상기 웨이퍼 척(100)을 제2 축 방향(Y)으로 이동시키기 위한 베이스부(300) 및 상기 웨이퍼 척(100)의 제1 축 방향(X) 이동을 가이드 하기 위한 캠(108)과 캠 가이드(308)를 포함할 수 있다. 일 예로서, 웨이퍼 척(100)은 가이드부(200) 상에서 제1 축 방향(X)을 따라 슬라이드 되도록 배치될 수 있으며, 가이드부(200)는 베이스부(300) 상에서 제2 축 방향(Y)을 따라 슬라이드 되도록 배치될 수 있다. 이 때, 제1 구동 장치(71)는 베이스부(300)에 배치되어 가이드부(200)를 제2 축 방향(Y)으로 이동시키기 위한 구동력을 제공할 수 있으며, 제2 구동 장치(72)는 가이드부(200)에 배치되어 웨이퍼 척(100)을 제1 축 방향(X)으로 이동시키기 위한 구동력을 제공할 수 있다. 또한, 센서부(60)는 베이스부(300)상에 배치되어 제2 축 방향(Y)을 따르는 가이드부(200), 보다 구체적으로 제1 슬라이드 가이드(203)의 이동 정보를 측정할 수 있다.Referring to the drawings, the wafer support module 10 includes a wafer chuck 100 capable of supporting the wafer 2, and a guide part 200 for moving the wafer chuck 100 in the first axial direction X. And a cam 108 and a cam for guiding the movement of the wafer chuck 100 in the second axial direction (Y), the base portion 300, and the first axial direction X of the wafer chuck 100. Guide 308 may be included. For example, the wafer chuck 100 may be disposed to slide along the first axial direction X on the guide part 200, and the guide part 200 may be disposed on the base part 300 in the second axial direction Y. It may be arranged to slide along). In this case, the first driving device 71 may be disposed on the base part 300 to provide a driving force for moving the guide part 200 in the second axial direction (Y), and the second driving device 72. May be disposed in the guide part 200 to provide a driving force for moving the wafer chuck 100 in the first axial direction X. In addition, the sensor unit 60 may be disposed on the base unit 300 to measure movement information of the guide unit 200 along the second axial direction Y, more specifically, the first slide guide 203. .
웨이퍼 척(100)은 웨이퍼(2)를 수용할 수 있는 웨이퍼 척 테이블(101), 상기 웨이퍼 척 테이블(101)을 제1 축 방향(X)으로 이동시키기 위한 제1 슬라이드(103), 제3축 방향(Z)으로 연장되어 상기 웨이퍼 척 테이블(101)에 고정되도록 배치되는 중심축(105)을 포함할 수 있다. The wafer chuck 100 includes a wafer chuck table 101 capable of accommodating a wafer 2, a first slide 103, and a third slide for moving the wafer chuck table 101 in a first axial direction X. It may include a central axis 105 extending in the axial direction (Z) is disposed to be fixed to the wafer chuck table 101.
웨이퍼 척 테이블(101)은 가공전의　웨이퍼(2)를 상부에 수용할 수 있는 수용부이다. 일 예로서, 웨이퍼 척 테이블(101)은 다공성 세라믹 등으로 형성된 원반 형상일 수 있으며, 진공 흡인원(미도시)을 이용하여 상부에 배치된　웨이퍼(2)를 흡인함으로써 웨이퍼(2)가 웨이퍼 척 테이블(101) 상부에 수용될 수 있다. The wafer chuck table 101 is an accommodating portion capable of accommodating the upper wafer 2 before processing. For example, the wafer chuck table 101 may have a disk shape formed of a porous ceramic or the like, and the wafer 2 may be a wafer chuck by sucking the wafer wafer 2 disposed thereon using a vacuum suction source (not shown). The table 101 may be accommodated above.
제1 슬라이드(103)는 웨이퍼 척 테이블(101)의 하부에 고정되도록 배치되어, 웨이퍼 척 테이블(101)을 제1 축(X) 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로서, 제1 슬라이드(103)는 후술하게 될 가이드부(200)에 포함된 제1 슬라이드 가이드(203)와 맞물리도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼 척 테이블(101)을 제1 축(X) 방향으로 이동시킬 수 있다. The first slide 103 may be disposed to be fixed to the lower portion of the wafer chuck table 101 to move the wafer chuck table 101 in the first axis X direction. As an example, the first slide 103 may be disposed to engage the first slide guide 203 included in the guide part 200, which will be described later. Accordingly, the wafer chuck table 101 may be disposed on the first axis ( Move in the X) direction.
캠(108)은, 제1 축(X) 방향을 따른 웨이퍼 척 테이블(101)의 이동 경로를 제한하기 위한 가이드 부재이다. 일 예로서, 캠(108)은 원형의 판상 부재로 형성될 수 있으며, 웨이퍼 척 테이블(101)에 고정되도록 배치되고, 제3축 방향(Z)으로 연장된 중심축(105)을 중심으로 회전하도록 배치될 수 있다. 또한, 캠(108)은 후술하게 될 베이스부(300)에 포함된 캠 가이드(308)와 서로 접촉하도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 제1 축 방향(X)을 따르는 웨이퍼 척(100)의 이동 경로를 제한할 수 있다. The cam 108 is a guide member for limiting the movement path of the wafer chuck table 101 along the first axis X direction. As an example, the cam 108 may be formed of a circular plate-like member, disposed to be fixed to the wafer chuck table 101, and rotated about the central axis 105 extending in the third axis direction Z. It may be arranged to. In addition, the cam 108 may be disposed to contact each other with the cam guide 308 included in the base portion 300 to be described later, thereby moving the wafer chuck 100 along the first axial direction X. You can restrict the path.
가이드부(200)는 제1 슬라이드 가이드(203), 센서 감지부(204), 제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207), 제2 슬라이드(210)를 포함할 수 있다. 제1 슬라이드 가이드(203)는 제1 축 방향(X)으로 연장된 가이드부로서, 상술한 바와 같이 제1 슬라이드(103)와 맞물려 웨이퍼 척(100)의 제1 축 방향(X) 이동을 가이드할 수 있다.The guide part 200 may include a first slide guide 203, a sensor detector 204, first and second clamping devices 206 and 207, and a second slide 210. The first slide guide 203 is a guide portion extending in the first axial direction X. As described above, the first slide guide 203 is engaged with the first slide 103 to guide the movement of the first axial direction X of the wafer chuck 100. can do.
센서 감지부(204)는 후술하게 될 센서부(60)에 의해 이동 여부가 감지되는 감지 대상이다. 일 예로서, 센서 감지부(204)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 고정되도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 센서부(60)는 가이드부(200), 보다 구체적으로 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축(Y) 방향 이동을 감지할 수 있다. The sensor detecting unit 204 is a sensing target that is detected by the sensor unit 60 which will be described later. As an example, the sensor detecting unit 204 may be disposed to be fixed to the first slide guide 203, so that the sensor unit 60 may be the guide unit 200, more specifically, the first slide guide 203. The second axis (Y) of the movement in the direction can be detected.
제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207)는 캠 가이드(308)와 캠(108)의 접촉 상태를 유지시키기 위한 고정 장치이다. 일 예로서, 제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207)는 베이스부(300)에 구비된 캠 가이드(308)의 제2 측부(308-2)에 체결될 수 있으며, 이에 따라 후술하게 될 캠 가이드(308)와 캠(108)의 접촉이 유지될 수 있다.The first and second clamping devices 206 and 207 are fixing devices for maintaining the contact state of the cam guide 308 and the cam 108. As an example, the first and second clamping devices 206 and 207 may be fastened to the second side portion 308-2 of the cam guide 308 provided in the base portion 300, which will be described later. The contact of the cam guide 308 and the cam 108 may be maintained.
제2 슬라이드(210)는 제1 슬라이드 가이드(203)의 하부에 고정되도록 배치되어, 제1 슬라이드 가이드(203)를 제2 축 방향(Y)으로 이동시킬 수 있다. 일 예로서, 제2 슬라이드(210)는 후술하게 될 베이스부(300)에 포함된 제2 슬라이드 가이드(320)와 맞물리도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 제1 슬라이드 가이드(203)를 제2 축 방향(Y)을 따라 이동시킬 수 있다. The second slide 210 may be disposed to be fixed to the lower portion of the first slide guide 203 to move the first slide guide 203 in the second axial direction (Y). As an example, the second slide 210 may be arranged to engage with the second slide guide 320 included in the base portion 300 to be described later, so that the first slide guide 203 is second axis. It can be moved along the direction Y.
캠 가이드(308)는 제1 축(X) 방향으로 연장되도록 형성될 수 있으며, 캠 가이드(308)의 제1 측부(308-1)가 캠(108)과 접촉하여 웨이퍼 척(100)의 제1 축(X) 방향 이동 경로를 제한할 수 있다. 이 때, 캠 가이드(308)의 제2 측부(308-2)는, 상술한 바와 같이 제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207)에 의해 체결될 수 있으며, 이에 따라 캠 가이드(308)의 제1 측부(308-1)와 캠(108)의 접촉이 유지될 수 있다. 또한, 센서부(60)는 캠 가이드(306)에 고정되도록 배치될 수 있으며, 이에 따라, 센서부(60)는 캠 가이드(306)와 함께 제2 축(Y) 방향을 따라 이동될 수 있다.The cam guide 308 may be formed to extend in the direction of the first axis X, and the first side portion 308-1 of the cam guide 308 contacts the cam 108 so that the cam guide 308 may be formed in the wafer chuck 100. It is possible to limit the movement path in one axis (X) direction. At this time, the second side portion 308-2 of the cam guide 308 may be fastened by the first and second clamping devices 206 and 207 as described above, and thus the cam guide 308 may be fastened. The contact between the first side 308-1 and the cam 108 may be maintained. In addition, the sensor unit 60 may be disposed to be fixed to the cam guide 306, whereby the sensor unit 60 may move along the second axis Y along with the cam guide 306. .
베이스부(300)는 제3 슬라이드(310) 및 제2 슬라이드 가이드(320)를 포함할 수 있다. 제3 슬라이드(310)는 캠 가이드(308)의 하부에 고정되도록 배치되어, 캠 가이드(308)를 제2 축(Y) 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로서, 제3 슬라이드(310)는 후술하게 될 제2 슬라이드 가이드(320)와 맞물리도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 캠 가이드(308) 및 상기 캠 가이드(308)에 고정되도록 배치된 센서부(60)를 제2 축(Y) 방향으로 이동시킬 수 있다. The base 300 may include a third slide 310 and a second slide guide 320. The third slide 310 is disposed to be fixed to the lower portion of the cam guide 308 to move the cam guide 308 in the second axis (Y) direction. As an example, the third slide 310 may be disposed to be engaged with the second slide guide 320 which will be described later, and thus the sensor unit disposed to be fixed to the cam guide 308 and the cam guide 308. It is possible to move the 60 in the second axis Y direction.
제2 슬라이드 가이드(320)는 제2 축(Y) 방향으로 연장된 가이드부로서, 제2 슬라이드(210)와 맞물려 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축(Y) 방향 이동을 가이드할 수 있다. 또한, 제2 슬라이드 가이드(320)는, 제3 슬라이드(310)와 맞물려 캠 가이드(308) 및 센서부(60)의 제2 축(Y) 방향 이동을 가이드 할 수 있다.The second slide guide 320 is a guide part extending in the second axis Y direction and may be engaged with the second slide 210 to guide the movement of the first slide guide 203 in the second axis Y direction. have. In addition, the second slide guide 320 may be engaged with the third slide 310 to guide movement of the cam guide 308 and the sensor unit 60 in the second axis Y direction.
도 5a는 일 예시에 따른 캠과 캠 가이드의 평면도이다. 도 5b는 일 예시에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다. 도 6은 일 예시에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다. 도 7 및 도 8은 일 예시에 따른 가공홈이 표시된 웨이퍼의 평면도이다. 5A is a plan view of a cam and a cam guide according to one example. 5B is a plan view of a wafer support module according to one example. 6 is a plan view of a wafer support module according to one example. 7 and 8 are plan views of wafers with processing grooves according to one example.
웨이퍼(2) 상부에 가공홈(G)을 형성하는 경우, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 입력부(410)를 통해 가공 내용 정보가 입력되고, 레이저 조사부(20)로부터 이격된 웨이퍼 지지 모듈(10) 상에 웨이퍼(2)를 배치한 후, 가공 동작의 개시 지시가 입력된 경우, 레이저 가공 장치(1)가 가공 동작을 개시한다. 이 때, 제어부(30)는 제1 및 제2 구동 장치(71, 72)에 제어 신호를 인가하여 웨이퍼 척(100) 및 가이드부(200)를 제1 축(X) 및 제2 축(Y) 방향을 따라 이동시킬 수 있다. 이 때, 웨이퍼 척(100)의 제1 축(X) 방향 이동은 캠(108) 및 캠 가이드(308)에 의해 구속될 수 있다.When the processing groove G is formed on the wafer 2, processing content information is input through the input unit 410 as shown in FIGS. 1 and 2, and the wafer support module spaced apart from the laser irradiation unit 20. After arranging the wafer 2 on (10), when the start instruction of a machining operation is input, the laser processing apparatus 1 starts a machining operation. At this time, the control unit 30 applies a control signal to the first and second driving devices 71 and 72 to move the wafer chuck 100 and the guide unit 200 into the first axis X and the second axis Y. ) Can be moved along the direction. In this case, the movement of the wafer chuck 100 in the first axis X direction may be constrained by the cam 108 and the cam guide 308.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 일 예시에 따른 캠(108)은 원형의 판상 부재 형상으로 형성될 수 있으며, 캠 가이드(308)는 일 축 방향으로 연장된 직선 부재 형상으로 형성될 수 있다. 이 때, 캠(108) 또는 캠 가이드(308)의 원형 및 직선 형상에는 형상 오차가 포함될 수 있다. 예를 들어, 캠(108)의 중심부(O)로부터 측정된 제1 반지름(R1) 이 제2 반지름(R2) 보다 짧을 수 있으며, 이에 따라 캠(108)이 캠 가이드(308)를 따라 회전하며 제1 축 방향(X)으로 이동하는 동안, 캠(108)에 고정되도록 연결된 중심축(105)이 제2 축 방향(Y)으로 이동될 수 있다. 이 때, 중심축(105)에 고정되도록 배치된 웨이퍼 척 테이블(101) 또한 제2 축 방향(Y)으로 이동됨으로써, 웨이퍼 척(100)이 제1 축 방향(X)을 따라 직선적으로 이동되지 못할 수 있다. 웨이퍼 척(100)이 제1 축 방향(X)을 따라 직선적으로 이동되지 못함으로써, 도 7a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2) 상에 형성되는 가공홈(G)의 제1 위치(A) 또한 가공 예정 라인(M)을 벗어나 제2 축 방향(Y)으로 이동될 수 있다. 5A and 5B, the cam 108 according to an example may be formed in a circular plate member shape, and the cam guide 308 may be formed in a straight member shape extending in one axial direction. In this case, the shape errors may be included in the circular and straight shapes of the cam 108 or the cam guide 308. For example, the first radius R 1 measured from the center portion O of the cam 108 may be shorter than the second radius R 2 , such that the cam 108 follows the cam guide 308. While rotating and moving in the first axial direction X, the central axis 105 connected to be fixed to the cam 108 may be moved in the second axial direction Y. FIG. At this time, the wafer chuck table 101 disposed to be fixed to the central axis 105 is also moved in the second axis direction Y, so that the wafer chuck 100 is not linearly moved along the first axis direction X. You may not be able to. Since the wafer chuck 100 does not move linearly along the first axial direction X, the first position A of the processing groove G formed on the wafer 2 as shown in FIG. It may be moved out of the machining line M and moved in the second axis direction Y.
이와 같은 웨이퍼 척(100)의 이동 방향의 오차는 캠(108)의 형상 오차뿐만 아니라 캠 가이드(308)의 형상 오차와 가공 도중 삽입될 수 있는 오염물질 등에 의해서도 발생될 수 있다. 이 때, 센서부(60)는 웨이퍼 척(100)과 제2 축(Y) 방향에 대한 상대적 위치가 구속된 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축(Y) 방향의 이동을 감지할 수 있으며, 이를 통해 웨이퍼 척(100)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 정보를 획득할 수 있다. The error in the movement direction of the wafer chuck 100 may be generated not only by the shape error of the cam 108, but also by the shape error of the cam guide 308 and the contaminants that may be inserted during processing. In this case, the sensor unit 60 may detect a movement in the direction of the second axis Y of the first slide guide 203 in which the relative position with respect to the direction of the wafer chuck 100 and the second axis Y is constrained. In this way, movement information about the second axis direction Y of the wafer chuck 100 may be obtained.
일 예로서, 도 8 및 도 9를 참조하면, 센서부(60)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 고정되도록 배치된 센서 감지부(204)와 마주보도록 배치될 수 있으며, 센서 감지부(204)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 감지함으로써 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 감지할 수 있다. For example, referring to FIGS. 8 and 9, the sensor unit 60 may be disposed to face the sensor detector 204 disposed to be fixed to the first slide guide 203, and the sensor detector 204 may be disposed. The movement of the first slide guide 203 in the second axial direction Y may be sensed by detecting the movement in the second axial direction Y.
일 예로서, 센서부(60)는 접촉 방식 또는 비접촉 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어 센서부(60)는 도 8에 도시된 바와 같이 발광 소자(610)와 복수 개의 수광 소자(620)를 포함하는 광학식 변위 센서 형태로 마련될 수 있으며, 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부는 발광 소자(610)로부터 조사된 광이 수광되는 수광 소자(620)의 위치에 따라 결정될 수 있다. 또한, 센서부(60)는 도 9에 도시된 바와 같이 탄성 부재(630)를 포함하는 접촉식 변위 센서 형태로 마련될 수 있으며, 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부는 탄성 부재(630)의 압축 및 인장 여부를 측정함으로써 결정될 수 있다. As an example, the sensor unit 60 may be formed in a contact manner or a non-contact manner. For example, the sensor unit 60 may be provided in the form of an optical displacement sensor including a light emitting element 610 and a plurality of light receiving elements 620, as shown in FIG. 8, wherein the first slide guide ( The movement of the 203 in the second axial direction Y may be determined according to the position of the light receiving element 620 to receive the light emitted from the light emitting element 610. In addition, the sensor unit 60 may be provided in the form of a contact displacement sensor including the elastic member 630 as shown in FIG. 9, in which the second axial direction of the first slide guide 203 ( The movement relative to Y) may be determined by measuring whether the elastic member 630 is compressed or stretched.
더불어, 일 예시에 따른 센서부(60)는 웨이퍼 척(100)이 아니라, 제1 슬라이드 가이드(203)에 배치된 센서 감지부(204)를 측정대상으로 하여, 웨이퍼 척(100)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있다. 이에 따라, 제1 축 방향(X)에 대한 가공홈(G)의 형성 과정이 진행되는 동안, 센서부(60)에 의해 측정되는 측정 대상이 일정하게 유지될 수 있으며, 이로 인해 보다 정확하게 제1 슬라이드 가이드(203) 및 웨이퍼 척(100)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있다.In addition, the sensor unit 60 according to an example is not the wafer chuck 100, but the sensor detection unit 204 disposed on the first slide guide 203 as a measurement target, and thus the second portion of the wafer chuck 100. The movement in the axial direction Y can be detected. Accordingly, while the process of forming the processing groove G in the first axial direction X is in progress, the measurement object measured by the sensor unit 60 may be kept constant, thereby making the first measurement more accurate. The movement of the slide guide 203 and the wafer chuck 100 in the second axis direction Y may be detected.
또한, 센서부(60)에 의한 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부 감지는, 웨이퍼(2)의 제1 축 방향(X)에 대한 가공 피치(P) 마다 이루어질 수 있으며, 일 예로서 가공 피치(P)는 1mm 이상 40mm 이하일 수 있다. 이 때, 웨이퍼(2)의 제1 축 방향(X)에 대한 가공 피치(P)는 입력부(410)를 통해 입력되거나 메모리(미도시) 등에 저장될 수 있다. In addition, the detection of the movement of the first slide guide 203 in the second axial direction Y by the sensor unit 60 is the processing pitch P in the first axial direction X of the wafer 2. It may be made every time, for example, the processing pitch (P) may be 1mm or more and 40mm or less. In this case, the processing pitch P in the first axial direction X of the wafer 2 may be input through the input unit 410 or stored in a memory (not shown).
일 예로서, 도 7a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2)의 제1 축(X) 방향 가공 피치(P)가 10μm인 경우, 웨이퍼(2) 상에 제1 가공홈(G1)이 측정될 수 있다. 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부가 12번 감지될 수 있다. 반면, 도 7b에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2)의 제1 축(X) 방향 가공 피치(P)가 5μm인 경우, 웨이퍼(2) 상에 제2 가공홈(G2)이 측정될 수 있다. 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부가 24번 측정될 수 있다. 따라서, 제1 축(X) 방향 가공 피치(P)가 작을수록 상대적으로 보다 많이 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부가 측정될 수 있으며, 이에 따라 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동에 따른 웨이퍼(2)의 가공홈(G)과 가공 예정 라인(M)의 오차를 보다 정확하게 확인할 수 있다.As an example, as shown in FIG. 7A, when the processing pitch P of the first axis X direction of the wafer 2 is 10 μm, the first processing groove G 1 may be measured on the wafer 2. Can be. In this case, whether the first slide guide 203 moves in the second axis direction Y may be detected 12 times. On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the processing pitch P of the first axis X direction of the wafer 2 is 5 μm, the second processing groove G 2 may be measured on the wafer 2. . In this case, whether the first slide guide 203 moves in the second axis direction Y may be measured 24 times. Therefore, as the processing pitch P in the first axis X direction is smaller, the movement of the first slide guide 203 in the second axis direction Y can be measured relatively more, and accordingly, the first The error between the processing groove G and the processing schedule line M of the wafer 2 according to the movement in the second axial direction Y of the slide guide 203 can be confirmed more accurately.
센서부(60)에 의해 감지된 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부는 제어부(30)에 전달될 수 있다. 제어부(30)는 전달받은 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 정보를 이용하여 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 보정하기 위한 제어 신호를 생성할 수 있다. Whether the first slide guide 203 sensed by the sensor unit 60 moves in the second axis direction Y may be transmitted to the controller 30. The controller 30 corrects the movement in the second axis direction Y of the first slide guide 203 by using the movement information in the second axis direction Y of the first slide guide 203 received. Can generate a control signal.
일 예로서, 제어부(30)는 도 7a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2)의 제1 가공홈(G1)이 제1 위치(A)에 배치되는 경우, 제1 가공홈(G1)이 가공 예정 라인(M)에 맞추어지도록 제1 구동 장치(71)에 제어 신호를 인가할 수 있다. 제1 구동 장치(71)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 대하여 제2 축 방향(Y)으로 구동력을 인가함으로써, 도 6에 도시된 바와 같이 제2 축 방향(Y)에 대한 제1 슬라이드 가이드(203)의 위치를 보정할 수 있다. 제1 슬라이드 가이드(203)의 위치가 보정됨으로써, 웨이퍼(2) 상의 제1 가공홈(G1)은 가공 예정 라인(M)과 일치하도록 형성될 수 있다.As an example, when the first processing groove G 1 of the wafer 2 is disposed at the first position A, as illustrated in FIG. 7A, the controller 30 may include the first processing groove G 1 . The control signal can be applied to the first drive device 71 so as to be aligned with the machining schedule line M. FIG. The first driving device 71 applies a driving force to the first slide guide 203 in the second axial direction Y, so that the first slide guide in the second axial direction Y as shown in FIG. 6. The position of 203 can be corrected. By correcting the position of the first slide guide 203, the first processing groove G 1 on the wafer 2 may be formed to coincide with the processing schedule line M. FIG.
도 10은 일 예시에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 설명하는 흐름도이다. 10 is a flowchart schematically illustrating a laser processing method according to an example.
일 예로서, 웨이퍼(2) 상에 가공홈(G)을 형성하기 위해, 레이저 조사부(20)는 웨이퍼 척 테이블(101) 상에 배치된 웨이퍼(2) 상부에 레이저를 조사한다(S210).As an example, in order to form the processing groove G on the wafer 2, the laser irradiation unit 20 irradiates a laser on the wafer 2 disposed on the wafer chuck table 101 (S210).
이 때, 웨이퍼(2)는 제1 축 방향(X)을 따라 이동할 수 있다(S230). 웨이퍼(2)의 제1 축 방향(X)에 대한 이동 방향은, 웨이퍼(2)가 지지되는 웨이퍼 척 테이블(101)에 고정되도록 배치된 캠(108)과, 상기 캠(108)과 접촉하도록 배치되는 캠 가이드(308)에 의해 제한될 수 있다. 캠(108)과 캠 가이드(308)에 의해 웨이퍼(2)가 제1 축 방향(X)을 따라 이동하는 것과 관련된 사항은 도 5a 및 도 5b와 관련하여 서술된 내용과 실질적으로 동일하므로 여기서는 서술을 생략한다.In this case, the wafer 2 may move along the first axial direction X (S230). The movement direction with respect to the 1st axial direction X of the wafer 2 is the cam 108 arrange | positioned so that it may be fixed to the wafer chuck table 101 on which the wafer 2 is supported, and to contact the cam 108 It may be limited by the cam guide 308 disposed. The matters relating to the movement of the wafer 2 along the first axial direction X by the cam 108 and the cam guide 308 are substantially the same as those described in connection with FIGS. 5A and 5B and are described herein. Omit.
다음. 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지한다. (S250)next. The movement of the first slide guide 203 in the second axis direction Y is detected. (S250)
캠(108) 또는 캠 가이드(308)의 형상 오차 또는 기타 오염 물질의 삽입으로 인해 제1 슬라이드 가이드(203)가 제2 축 방향(Y)으로 이동될 수 있다. 이 때, 센서부(60)를 이용하여 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지함으로써, 웨이퍼 척(100)이 제2 축 방향(Y)으로 이동하는지 여부를 판단할 수 있다. 이 때, 센서부(60)는 제1 슬라이드 가이드(203)와 접촉 방식 또는 비접촉 방식으로 배치되어 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있다. 또한, 센서부(60)는 웨이퍼 척(100)이 이동하는 단위거리마다 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있으며, 이 때, 예를 들어 웨이퍼 척(100)이 이동하는 단위거리는 입력부(410)를 통해 입력될 수 있다. The shape error of the cam 108 or the cam guide 308 or the insertion of other contaminants may cause the first slide guide 203 to move in the second axial direction (Y). At this time, by detecting whether the first slide guide 203 moves in the second axis direction Y by using the sensor unit 60, whether the wafer chuck 100 moves in the second axis direction Y. It can be determined. In this case, the sensor unit 60 may be disposed in a contact or non-contact manner with the first slide guide 203 to detect whether the first slide guide 203 moves in the second axial direction Y. In addition, the sensor unit 60 may detect whether the first slide guide 203 moves in the second axial direction Y for each unit distance that the wafer chuck 100 moves. In this case, for example, The unit distance that the wafer chuck 100 moves may be input through the input unit 410.
다음, 센서부(60)에 의해 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동이 감지된 경우, 제어부(30)는 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 생성한다. (S270)Next, when the movement of the first slide guide 203 in the second axis direction Y is detected by the sensor unit 60, the controller 30 compensates for the movement in the second axis direction Y. To generate a control signal. (S270)
다음, 제어부(30)에 의해 생성된 제어 신호에 따라 제1 구동 장치(71)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 제2 축 방향(Y)에 대한 구동력을 인가(S290)함으로써, 제1 슬라이드 가이드(203)의 이동 경로를 조정할 수 있다.Next, according to the control signal generated by the controller 30, the first driving device 71 applies a driving force in the second axial direction Y to the first slide guide 203 (S290), thereby providing a first slide. The movement path of the guide 203 can be adjusted.
도 11은 또 다른 예시에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 설명하는 흐름도이다. 11 is a flowchart schematically illustrating a laser processing method according to yet another example.
도 10과 관련하여 상술한 바와 같이 제1 구동 장치(71)에 의해 구동력이 인가됨으로써 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 경로가 조정될 수 있다. 이에 따라 웨이퍼 척(100)은 이동 경로가 조정된 제1 슬라이드 가이드(203)를 따라 제1 축 방향(X)을 따라 이동할 수 있으며, 웨이퍼 척(100)상에 배치된 웨이퍼(2)는 조정된 가공 라인을 따라 제1 축 방향(X)으로 이동됨으로써 레이저 가공이 이루어질 수 있다(S310).As described above with reference to FIG. 10, as the driving force is applied by the first driving device 71, the movement path in the second axial direction Y of the first slide guide 203 may be adjusted. Accordingly, the wafer chuck 100 can move along the first axial direction X along the first slide guide 203 whose movement path is adjusted, and the wafer 2 disposed on the wafer chuck 100 is adjusted. The laser processing may be performed by moving in the first axial direction X along the processed processing line (S310).
다만, 가공이 진행되는 동안 오염 물질 등이 캠(108)과 캠 가이드(308) 사이에 다시 삽입될 수 있으며, 이에 따라 센서부(60)를 통해 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동이 감지될 수 있다(S320).However, during processing, contaminants and the like may be inserted between the cam 108 and the cam guide 308 again, and accordingly, the second axial direction of the first slide guide 203 through the sensor unit 60. Movement for (Y) may be detected (S320).
센서부(60)에 의해 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동이 감지되는 경우, 사용자에게는 도 1에 도시된 표시부(420)를 통해 경고 신호가 표시될 수 있으며(S330) 사용자는 제1 슬라이드 가이드(203)의 이동 경로를 재조정할 수 있다.When the movement of the first slide guide 203 in the second axis direction Y is detected by the sensor unit 60, a warning signal may be displayed to the user through the display unit 420 illustrated in FIG. 1. In operation S330, the user may readjust the moving path of the first slide guide 203.
이상에서는 본 발명의 일 예시에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 예시에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the above has been illustrated and described with respect to one example of the present invention, the present invention is not limited to the specific examples described above, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Of course, various modifications can be made by the person having the above, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

Claims (15)

  1. 레이저를 조사하여 웨이퍼 상에 가공홈을 형성하는 레이저 조사부;A laser irradiation part for irradiating a laser to form a processing groove on the wafer;
    상기 웨이퍼가 안착되며, 제1 축 방향을 따라 이동하는 웨이퍼 척;A wafer chuck on which the wafer is seated and moving along a first axis direction;
    상기 웨이퍼 척에 고정되도록 배치된 캠;A cam disposed to be fixed to the wafer chuck;
    상기 제1 축 방향을 따라 연장되도록 형성되며, 상기 캠과 접촉하여 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 캠 가이드;A cam guide formed to extend along the first axial direction, the cam guide being in contact with the cam to guide the movement path of the wafer chuck;
    상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드;A first slide guide extending along the first axial direction and guiding a movement path of the wafer chuck;
    상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향에 대한 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지하는 센서부;를 포함하는And a sensor unit configured to detect movement of the first slide guide with respect to a second axial direction perpendicular to the first axial direction.
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  2. 제1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 센서부에 의해 감지된 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 결정하는 제어부; 및 A controller configured to determine a control signal for compensating for movement of the first slide guide in the second axis direction sensed by the sensor unit; And
    상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드를 이동시키기 위한 구동력을 생성하는 구동부; 를 더 포함하는,A driving unit generating a driving force for moving the first slide guide according to the control signal; Further comprising,
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  3. 제1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되는,The sensor unit is disposed to face each other with a predetermined distance between the first slide guide,
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  4. 제3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein
    상기 센서부는 발광 소자 및 수광 소자를 포함하는 광 센서인,The sensor unit is an optical sensor including a light emitting element and a light receiving element,
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  5. 제1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 서로 접촉하도록 배치되는,The sensor unit is disposed to be in contact with each other, the first slide guide,
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  6. 제5 항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 센서부는, 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동에 따라 수축 또는 팽창되는 탄성 부재를 포함하는,The sensor unit may include an elastic member that contracts or expands according to a movement of the first slide guide with respect to the second axial direction.
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  7. 제1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 센서부는, 상기 웨이퍼 척이 상기 제1 축 방향을 따라 이동하는 가공 피치마다 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 측정하는,The sensor unit measures the movement of the first slide guide for each processing pitch that the wafer chuck moves along the first axial direction.
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  8. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein
    상기 가공 피치는 1mm 이상 40mm 이하인, The processing pitch is 1 mm or more and 40 mm or less,
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  9. 제1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 웨이퍼 척의 이동에 따라 형성되는 상기 웨이퍼 상의 가공홈을 표시하기 위한 표시부;를 더 포함하는,Further comprising: a display unit for displaying a processing groove on the wafer formed in accordance with the movement of the wafer chuck,
    레이저 가공 장치.Laser processing device.
  10. 웨이퍼 상에 레이저를 조사하는 단계; Irradiating a laser onto the wafer;
    상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척을 제1 축 방향을 따라 이동시키는 단계; 및Moving the wafer chuck on which the wafer is seated along a first axis direction; And
    상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드의 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 를 포함하는,Detecting a movement in a second axial direction orthogonal to the first axial direction of a first slide guide extending along the first axial direction and guiding a movement path of the wafer chuck; Including,
    레이저 가공 방법.Laser processing method.
  11. 제10 항에 있어서,The method of claim 10,
    상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계; 및Generating a control signal to compensate for movement of the first slide guide in the second axial direction; And
    상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드에 구동력을 인가하는 단계;를 더 포함하는,Applying a driving force to the first slide guide according to the control signal;
    레이저 가공 방법.Laser processing method.
  12. 제10 항에 있어서,The method of claim 10,
    상기 웨이퍼 척이 이동하는 가공 피치를 입력하는 단계;를 더 포함하며,Inputting a processing pitch to which the wafer chuck moves;
    상기 제1 슬라이드 가이드의 이동은 상기 웨이퍼 척이 이동하는 상기 가공 피치마다 측정되는,Movement of the first slide guide is measured for each of the processing pitches the wafer chuck moves.
    레이저 가공 방법.Laser processing method.
  13. 제10 항에 있어서,The method of claim 10,
    센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지하는,The sensor unit is disposed to face each other with a predetermined distance therebetween to detect the movement of the first slide guide,
    레이저 가공 방법.Laser processing method.
  14. 제10 항에 있어서,The method of claim 10,
    센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 서로 접촉하도록 배치되어 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지하는,The sensor unit is disposed to contact with the first slide guide to detect the movement of the first slide guide,
    레이저 가공 방법.Laser processing method.
  15. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein
    상기 구동력이 인가된 상기 제1 슬라이드 가이드를 따라 상기 웨이퍼 척을 이동시키는 단계;Moving the wafer chuck along the first slide guide to which the driving force is applied;
    상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 및Sensing movement of the first slide guide in the second axial direction; And
    상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동이 감지되는 경우, 경고 신호를 생성하는 단계;를 더 포함하는,Generating a warning signal when a movement of the first slide guide in the second axial direction is detected;
    레이저 가공 방법.Laser processing method.
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