WO2017026194A1

WO2017026194A1 - Laser system and method for cooling laser device

Info

Publication number: WO2017026194A1
Application number: PCT/JP2016/069483
Authority: WO
Inventors: 洋平葛西
Original assignee: 株式会社フジクラ
Priority date: 2015-08-07
Filing date: 2016-06-30
Publication date: 2017-02-16
Also published as: JP2017037890A

Abstract

The present invention provides a laser system capable of externally releasing heat generated by a laser device using a simple and inexpensive configuration. The laser system 101 is provided with a semiconductor laser module 120 for emitting a laser beam, a heat transfer member 80 on which the semiconductor laser module 120 is placed, and heat absorption members 70A, 70B. The heat transfer member 80 has a heat transfer surface 80A through which heat generated by a laser element 54 of the semiconductor laser module 120 is transmitted. The heat absorption members 70A, 70B can be disposed in a heat absorption space E, which is formed adjacent to the heat transfer surface 80A of the heat transfer member 80, in contact with the heat transfer surface 80A. The heat absorption members 70A, 70B can be moved from the heat absorption space E to a heat release space R for releasing the heat absorbed in the heat absorption space E. The laser system 101 is provided with a movement mechanism 74 for moving the heat absorption members 70A, 70B from the heat absorption space E to the heat release space R.

Description

レーザシステム及びレーザ装置の冷却方法Laser system and laser apparatus cooling method

　本発明は、レーザシステムに係り、特にレーザシステム内でレーザ光を出射するレーザ装置の冷却方法に関するものである。 The present invention relates to a laser system, and more particularly to a method for cooling a laser device that emits laser light within the laser system.

　近年のレーザ装置の高出力化に伴い、レーザ光を出射するレーザ素子の発熱量も増加する傾向にある。一般的に、このようなレーザ素子から生じる熱を吸収するために水冷による冷却方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。すなわち、内部に流路が形成されたヒートシンクをレーザ素子の近傍に設置し、ポンプを用いてヒートシンク内の流路に水を循環させる。ヒートシンク内の流路を流れる水は、レーザ素子から生じる熱を吸収する。レーザ素子からの熱を吸収して温度が上昇した水はタンクに導かれ、そこで熱交換器などによって冷却された後、再びヒートシンクに循環される。このとき用いられる熱交換器としては、ファンを用いた空冷式熱交換器や別個の水冷式熱交換器などがある。 With the recent increase in output of laser devices, the amount of heat generated by laser elements that emit laser light tends to increase. In general, a cooling method using water cooling is used to absorb heat generated from such a laser element (see, for example, Patent Document 1). That is, a heat sink having a flow path formed therein is installed in the vicinity of the laser element, and water is circulated through the flow path in the heat sink using a pump. The water flowing through the flow path in the heat sink absorbs heat generated from the laser element. The water whose temperature has risen due to absorption of heat from the laser element is guided to the tank, where it is cooled by a heat exchanger or the like and then circulated to the heat sink again. Examples of the heat exchanger used at this time include an air-cooled heat exchanger using a fan and a separate water-cooled heat exchanger.

　しかしながら、上述した水冷式ヒートシンクを用いた方法では、ヒートシンクの内部に流路を形成する必要があり、単純な金属製のブロックよりもコストがかかる。また、タンクや熱交換器、さらにこれらとヒートシンクとを接続する管路も必要となるため、さらにコストが上昇するとともに、必要とするスペースも大きくなる。さらに、流路や管路の目詰まりを防止するために、定期的に流路や管路をメンテナンスする必要もある。 However, in the method using the water-cooled heat sink described above, it is necessary to form a flow path inside the heat sink, which is more expensive than a simple metal block. Further, since a tank, a heat exchanger, and a pipe line connecting these with the heat sink are also required, the cost is further increased and the required space is increased. Furthermore, in order to prevent clogging of the flow path and the pipeline, it is necessary to periodically maintain the flow path and the pipeline.

特開２０１０－１３５７０４号公報JP 2010-135704 A

　本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、簡単かつ安価な構成によってレーザ装置から生じる熱を外部に放出することができるレーザシステム及びレーザ装置の冷却方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and provides a laser system and a laser device cooling method capable of releasing heat generated from the laser device to the outside with a simple and inexpensive configuration. For the purpose.

　本発明の第１の態様によれば、簡単かつ安価な構成によってレーザ装置から生じる熱を外部に放出することができるレーザシステムが提供される。このレーザシステムは、レーザ光を出射するレーザ装置と、上記レーザ装置が載置される伝熱部材とを備えている。この伝熱部材は、上記レーザ装置から生じた熱が伝達される伝熱面を有している。上記レーザシステムは、上記伝熱部材の上記伝熱面に接触した状態で該伝熱面に隣接して形成された吸熱空間に配置可能であって、上記吸熱空間から該吸熱空間で吸収した熱を放出するための放熱空間に移動可能に構成された少なくとも１つの吸熱部材を備える。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a laser system capable of releasing heat generated from the laser device to the outside with a simple and inexpensive configuration. This laser system includes a laser device that emits laser light and a heat transfer member on which the laser device is placed. The heat transfer member has a heat transfer surface to which heat generated from the laser device is transmitted. The laser system can be disposed in a heat absorption space formed adjacent to the heat transfer surface in contact with the heat transfer surface of the heat transfer member, and heat absorbed from the heat absorption space in the heat absorption space. At least one heat absorbing member configured to be movable in the heat dissipation space for releasing the heat.

　本発明の第１の態様によれば、レーザ装置から生じた熱を伝熱部材の伝熱面を介して吸熱空間に配置された吸熱部材に吸収させることができるとともに、加熱された吸熱部材を放熱空間に移動してそこで放熱させることができる。したがって、流路の形成されたヒートシンクやタンクや熱交換器などを必要とすることなく、単純な構成によってレーザ装置から生じる熱を外部に放出することができ、レーザシステム全体のコストを低減することができる。また、流体や流路を利用して冷却するものではないので、頻繁にメンテナンスをする必要もない。 According to the first aspect of the present invention, the heat generated from the laser device can be absorbed by the heat absorption member disposed in the heat absorption space via the heat transfer surface of the heat transfer member, and the heated heat absorption member is It can move to the heat dissipation space and dissipate heat there. Therefore, the heat generated from the laser device can be released to the outside with a simple configuration without the need for a heat sink, tank, heat exchanger or the like in which the flow path is formed, thereby reducing the cost of the entire laser system. Can do. Moreover, since it is not what cools using a fluid and a flow path, it is not necessary to maintain frequently.

　上記レーザシステムは、上記少なくとも１つの吸熱部材を上記吸熱空間から上記放熱空間に移動する移動機構をさらに備えていてもよい。また、上記少なくとも１つの吸熱部材が複数の吸熱部材を含んでいてもよい。この場合において、上記移動機構は、上記複数の吸熱部材のうち上記吸熱空間に位置していた吸熱部材を上記放熱空間に移動するとともに、上記複数の吸熱部材のうちの他の吸熱部材を上記吸熱空間に移動することが好ましい。このような構成とすることで、まだ加熱されていない吸熱部材を用いて連続的に吸熱することが可能となる。 The laser system may further include a moving mechanism that moves the at least one heat absorbing member from the heat absorbing space to the heat radiating space. Further, the at least one heat absorbing member may include a plurality of heat absorbing members. In this case, the moving mechanism moves the heat absorbing member located in the heat absorbing space among the plurality of heat absorbing members to the heat radiating space, and moves the other heat absorbing members of the plurality of heat absorbing members to the heat absorbing member. It is preferable to move to space. By setting it as such a structure, it becomes possible to absorb heat continuously using the heat absorption member which has not been heated yet.

　上記レーザ装置は、上記レーザ光を生成するレーザ素子を含んでいてもよい。この場合において、上記レーザ素子を平面視したときの上記レーザ素子の面積は、上記少なくとも１つの吸熱部材を平面視したときの上記少なくとも１つの吸熱部材の面積以下であることが好ましく、上記レーザ素子と上記吸熱空間に位置する上記少なくとも１つの吸熱部材とを平面視したとき、上記少なくとも１つの吸熱部材と上記レーザ素子とが一致するか又は上記少なくとも１つの吸熱部材の内部に上記レーザ素子が含まれることが好ましい。さらに、上記レーザ素子を平面視したときの上記レーザ素子の面積は、上記少なくとも１つの吸熱部材を平面視したときの上記少なくとも１つの吸熱部材の面積よりも小さいことが好ましい。このような関係を維持することによって、レーザ素子で生じた熱をより確実に吸熱部材に伝達することが可能となる。 The laser device may include a laser element that generates the laser light. In this case, the area of the laser element when the laser element is viewed in plan is preferably equal to or less than the area of the at least one heat absorption member when the at least one heat absorbing member is viewed in plan. And the at least one endothermic member positioned in the endothermic space, the at least one endothermic member and the laser element coincide with each other, or the at least one endothermic member includes the laser element. It is preferable that Furthermore, it is preferable that an area of the laser element when the laser element is viewed in plan is smaller than an area of the at least one endothermic member when the at least one endothermic member is viewed in plan. By maintaining such a relationship, the heat generated by the laser element can be more reliably transmitted to the heat absorbing member.

　本発明の第２の態様によれば、簡単かつ安価な構成によってレーザ装置から生じる熱を外部に放出することができるレーザ装置の冷却方法が提供される。この方法では、伝熱部材上に載置されたレーザ装置を冷却する。上記レーザ装置から生じた熱が伝達される上記伝熱部材の伝熱面を介して上記レーザ装置からの熱を上記伝熱面に隣接して形成された吸熱空間に配置した少なくとも１つの吸熱部材に吸収させる。上記レーザ装置からの上記レーザ光の出射を停止させた後、上記少なくとも１つの吸熱部材を上記吸熱空間から放熱空間に移動させて、上記放熱空間で上記少なくとも１つの吸熱部材に吸収させた熱を放出させる。 According to the second aspect of the present invention, there is provided a method of cooling a laser device that can release heat generated from the laser device to the outside with a simple and inexpensive configuration. In this method, the laser device placed on the heat transfer member is cooled. At least one heat absorbing member in which heat from the laser device is disposed in a heat absorbing space formed adjacent to the heat transfer surface via a heat transfer surface of the heat transfer member to which heat generated from the laser device is transmitted. To absorb. After stopping the emission of the laser light from the laser device, the at least one heat absorbing member is moved from the heat absorbing space to the heat radiating space, and the heat absorbed by the at least one heat absorbing member in the heat radiating space is absorbed. Release.

　本発明の第２の態様によれば、レーザ装置から生じた熱をレーザ装置に隣接する位置に形成された吸熱空間に配置された吸熱部材に吸収させることができるとともに、加熱された吸熱部材を放熱空間に移動してそこで放熱させることができる。したがって、流路の形成されたヒートシンクやタンクや熱交換器などを必要とすることなく、単純な構成によってレーザ装置から生じる熱を外部に放出することができ、レーザシステム全体のコストを低減することができる。また、流体や流路を利用して冷却するものではないので、頻繁にメンテナンスをする必要もない。 According to the second aspect of the present invention, the heat generated from the laser device can be absorbed by the heat absorption member disposed in the heat absorption space formed at a position adjacent to the laser device, and the heated heat absorption member is It can move to the heat dissipation space and dissipate heat there. Therefore, the heat generated from the laser device can be released to the outside with a simple configuration without the need for a heat sink, tank, heat exchanger or the like in which the flow path is formed, thereby reducing the cost of the entire laser system. Can do. Moreover, since it is not what cools using a fluid and a flow path, it is not necessary to maintain frequently.

　ここで、上記レーザ装置からの前記レーザ光の出射を停止させた後、任意の時間Ｔが経過したときに再度上記レーザ光を出射する場合において、上記少なくとも１つの吸熱部材としてｎ個（ｎは２以上の整数）の吸熱部材を用意し、上記レーザ装置からの上記レーザ光の出射を停止させてから時間Ｔが経過する前に、上記熱を吸収させた上記吸熱部材を上記吸熱空間から上記放熱空間に移動するとともに、他の吸熱部材を上記伝熱面に接触するように上記吸熱空間に移動することが好ましい。このようにすることで、連続的にレーザ装置を冷却することができる。 Here, when the laser beam is emitted again when an arbitrary time T has elapsed after the emission of the laser beam from the laser device is stopped, the at least one heat absorbing member (n is (An integer of 2 or more) is prepared, and before the time T has elapsed since the emission of the laser beam from the laser device is stopped, the heat absorption member that has absorbed the heat is removed from the heat absorption space. It is preferable to move to the heat radiating space and move the other heat absorbing member to the heat absorbing space so as to be in contact with the heat transfer surface. By doing in this way, a laser apparatus can be cooled continuously.

　また、上記ｎ個の吸熱部材を順番に上記吸熱空間又は上記放熱空間に移動することとすれば冷却の効率が向上する。この場合において、上記レーザ装置からの上記レーザ光の出射を停止させてから時間Ｔ／ｎが経過する以前に、上記ｎ個の吸熱部材のうち最初の吸熱部材を上記吸熱空間から上記放熱空間に移動することとすれば、レーザ装置からの熱をｎ個の吸熱部材に効率的に分配することができ、放熱性が向上する。 Further, if the n heat absorbing members are sequentially moved to the heat absorbing space or the heat radiating space, the cooling efficiency is improved. In this case, before the time T / n elapses after the emission of the laser beam from the laser device is stopped, the first heat absorbing member among the n heat absorbing members is changed from the heat absorbing space to the heat radiating space. If it moves, the heat from the laser device can be efficiently distributed to the n heat absorbing members, and the heat dissipation is improved.

　本発明によれば、レーザ装置から生じた熱を伝熱部材の伝熱面を介して吸熱空間に配置された吸熱部材に吸収させることができるとともに、加熱された吸熱部材を放熱空間に移動してそこで放熱させることができる。したがって、流路の形成されたヒートシンクやタンクや熱交換器などを必要とすることなく、単純な構成によってレーザ装置から生じる熱を外部に放出することができ、レーザシステム全体のコストを低減することができる。また、流体や流路を利用して冷却するものではないので、頻繁にメンテナンスをする必要もない。 According to the present invention, the heat generated from the laser device can be absorbed by the heat absorption member disposed in the heat absorption space via the heat transfer surface of the heat transfer member, and the heated heat absorption member is moved to the heat dissipation space. Heat can be dissipated there. Therefore, the heat generated from the laser device can be released to the outside with a simple configuration without the need for a heat sink, tank, heat exchanger or the like in which the flow path is formed, thereby reducing the cost of the entire laser system. Can do. Moreover, since it is not what cools using a fluid and a flow path, it is not necessary to maintain frequently.

図１は、本発明の第１の実施形態におけるレーザシステムを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a laser system according to a first embodiment of the present invention. 図２は、図１のＡ－Ａ'線断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 図３は、図１のＢ－Ｂ'線断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 図４は、図１のレーザシステムにおいて吸熱部材を移動させた状態を示す断面図であり、図１のＡ－Ａ'線断面に対応するものである。4 is a cross-sectional view showing a state in which the heat absorbing member is moved in the laser system of FIG. 1, and corresponds to a cross section taken along line AA ′ of FIG. 図５は、図１のレーザシステムにおいて吸熱部材を移動させた状態を示す断面図であり、図１のＢ－Ｂ'線断面に対応するものである。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where the heat absorbing member is moved in the laser system of FIG. 1, and corresponds to a cross section taken along line BB ′ of FIG. 図６は、図１のレーザシステムにおいて一定の時間間隔でレーザ光を出射する場合のタイミングチャートである。FIG. 6 is a timing chart in the case of emitting laser light at regular time intervals in the laser system of FIG. 図７は、本発明の他の実施形態におけるレーザシステムを模式的に示す断面図であり、図１のＡ－Ａ'線断面に対応するものである。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a laser system according to another embodiment of the present invention, and corresponds to a cross section taken along line AA ′ of FIG. 図８は、図７のレーザシステムに使用される吸熱部材を模式的に示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view schematically showing a heat absorbing member used in the laser system of FIG. 図９は、本発明の第２の実施形態におけるレーザシステムの構成を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a laser system in the second embodiment of the present invention. 図１０は、図９のＣ－Ｃ'線断面図である。10 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 図１１は、図９の平面図である。FIG. 11 is a plan view of FIG. 図１２は、図９のレーザシステムにおけるファイバレーザ装置を模式的に示す図である。FIG. 12 is a diagram schematically showing a fiber laser device in the laser system of FIG. 図１３は、本発明の他の実施形態におけるレーザシステムを模式的に示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a laser system according to another embodiment of the present invention.

　以下、本発明に係るレーザシステムの実施形態について図１から図１３を参照して詳細に説明する。なお、図１から図１３において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、図１から図１３においては、各構成要素の縮尺や寸法が誇張されて示されている場合や一部の構成要素が省略されている場合がある。 Hereinafter, embodiments of a laser system according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 13. 1 to 13, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. In addition, in FIGS. 1 to 13, the scale and dimensions of each component are exaggerated, and some components may be omitted.

　図１は、本発明の第１の実施形態におけるレーザシステム１０１を模式的に示す断面図、図２は、図１のＡ－Ａ'線断面図、図３は、図１のＢ－Ｂ'線断面図である。図１から図３に示すように、本実施形態におけるレーザシステム１０１は、レーザ光を出射するレーザ装置として半導体レーザモジュール１２０を備えている。半導体レーザモジュール１２０は、４つの側壁４１～４４を有する枠体４０と、枠体４０の下方に配置された底板５０と、枠体４０の上方に配置された蓋体５１と、底板５０上に載置されたサブマウント５２と、サブマウント５２上に載置された半導体レーザ素子（半導体レーザダイオード）５４と、底板５０上に載置されたファイバマウント５６とを備えている。サブマウント５２及びファイバマウント５６は例えば半田によって底板５０上に固定される。 1 is a cross-sectional view schematically showing a laser system 101 according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. It is line sectional drawing. As shown in FIGS. 1 to 3, the laser system 101 in this embodiment includes a semiconductor laser module 120 as a laser device that emits laser light. The semiconductor laser module 120 includes a frame body 40 having four side walls 41 to 44, a bottom plate 50 disposed below the frame body 40, a lid body 51 disposed above the frame body 40, and a bottom plate 50. A submount 52 mounted, a semiconductor laser element (semiconductor laser diode) 54 mounted on the submount 52, and a fiber mount 56 mounted on the bottom plate 50 are provided. The submount 52 and the fiber mount 56 are fixed on the bottom plate 50 by, for example, solder.

枠体４０にはＸ方向に延びる光ファイバ６０を挿通するためのファイバ孔（図示せず）が形成されており、ファイバ孔に挿通された光ファイバ６０の端部がファイバマウント５６上に例えば半田５８によって固定されている。このとき、光ファイバ６０は、半導体レーザ素子５４から出射されたレーザ光（励起光）が光ファイバ６０の先端部６０Ａに結合するように配置される。半導体レーザ素子５４から出射されたレーザ光は、光ファイバ６０の先端部６０Ａに入射して光ファイバ６０内を伝搬し、例えば増幅用光ファイバに導かれるようになっている。 A fiber hole (not shown) for inserting an optical fiber 60 extending in the X direction is formed in the frame body 40, and an end portion of the optical fiber 60 inserted into the fiber hole is, for example, soldered on the fiber mount 56. 58 is fixed. At this time, the optical fiber 60 is arranged so that the laser light (excitation light) emitted from the semiconductor laser element 54 is coupled to the distal end portion 60 A of the optical fiber 60. The laser light emitted from the semiconductor laser element 54 is incident on the distal end portion 60A of the optical fiber 60, propagates in the optical fiber 60, and is guided to, for example, an amplification optical fiber.

図１から図３に示すように、レーザシステム１０１は、レーザ装置としての半導体レーザモジュール１２０が載置される伝熱部材８０と、上面に２つの吸熱部材７０Ａ，７０Ｂが載置された平板状のトレー７２とを備えている。例えば、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂは、金属やセラミックからなる部材である。伝熱部材８０には、半導体レーザ素子５４及びサブマウント５２の下方にＹ方向に延びる貫通孔８３が形成されており、この貫通孔８３の内部にトレー７２の一部が挿入されている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the laser system 101 includes a heat transfer member 80 on which a semiconductor laser module 120 as a laser device is placed, and a flat plate shape on which two heat absorbing members 70 A and 70 B are placed on the upper surface. The tray 72 is provided. For example, the

heat absorbing members

70A and 70B are members made of metal or ceramic. A through hole 83 extending in the Y direction is formed below the semiconductor laser element 54 and the submount 52 in the heat transfer member 80, and a part of the tray 72 is inserted into the through hole 83.

　ここで、半導体レーザ素子５４から生じた熱は、サブマウント５２及び底板５０を介して伝熱部材８０に伝達されて貫通孔８３を形成する面８０Ａまで伝達される。このように、伝熱部材８０は、半導体レーザ素子５４から生じた熱が伝達される伝熱面８０Ａを有している。この面８０Ａに隣接した（貫通孔８３内の）空間は吸熱空間Ｅとなっている。なお、伝熱部材８０は、半導体レーザモジュール１２０から生じた熱が伝熱される伝熱面８０Ａを有しているのであれば、複数の部材から構成されていてもよい。 Here, the heat generated from the semiconductor laser element 54 is transmitted to the heat transfer member 80 through the submount 52 and the bottom plate 50, and is transmitted to the surface 80A that forms the through hole 83. Thus, the heat transfer member 80 has the heat transfer surface 80A to which the heat generated from the semiconductor laser element 54 is transferred. A space adjacent to the surface 80A (in the through hole 83) is an endothermic space E. The heat transfer member 80 may be composed of a plurality of members as long as it has a heat transfer surface 80A through which heat generated from the semiconductor laser module 120 is transferred.

トレー７２は、図１及び図２に示すように、リニアコンベアやアクチュエータ、モータなどから構成される移動機構７４によりＹ方向に移動可能となっている。移動機構７４は、例えばＣＰＵを内蔵した制御部７６に接続されており、制御部７６が移動機構７４を制御することによって、半導体レーザ素子５４及びサブマウント５２の下方の吸熱空間Ｅに吸熱部材７０Ａと吸熱部材７０Ｂのいずれか一方を移動するようになっている。図１から図３は、吸熱部材７０Ａが半導体レーザ素子５４及びサブマウント５２の下方に位置し、吸熱部材７０Ｂが伝熱部材８０の外部に位置している状態を示している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the tray 72 is movable in the Y direction by a moving mechanism 74 composed of a linear conveyor, an actuator, a motor, and the like. The moving mechanism 74 is connected to, for example, a control unit 76 having a built-in CPU. The control unit 76 controls the moving mechanism 74, so that the heat absorbing member 70 A is placed in the heat absorbing space E below the semiconductor laser element 54 and the submount 52. Any one of the heat absorbing member 70B is moved. 1 to 3 show a state in which the heat absorbing member 70A is positioned below the semiconductor laser element 54 and the submount 52, and the heat absorbing member 70B is positioned outside the heat transfer member 80.

　図１から図３に示す状態において、半導体レーザ素子５４からレーザ光が出射されると、半導体レーザ素子５４が発熱するが、この熱はサブマウント５２及び底板５０を介して伝熱部材８０に伝達されて伝熱部材８０の伝熱面８０Ａまで伝達される。吸熱空間Ｅにある吸熱部材７０Ａは、伝熱部材８０の伝熱面８０Ａに接触しており、半導体レーザ素子５４から生じた熱は伝熱面８０Ａを介して吸熱部材７０Ａに吸収される。このとき、半導体レーザ素子５４からの熱を吸熱部材７０Ａに伝達しやすくするために、吸熱部材７０Ａの上面と伝熱部材８０の伝熱面８０Ａとの間にグリース（図示せず）を塗布することが好ましい。 In the state shown in FIGS. 1 to 3, when laser light is emitted from the semiconductor laser element 54, the semiconductor laser element 54 generates heat. This heat is transmitted to the heat transfer member 80 through the submount 52 and the bottom plate 50. Then, it is transmitted to the heat transfer surface 80A of the heat transfer member 80. The heat absorption member 70A in the heat absorption space E is in contact with the heat transfer surface 80A of the heat transfer member 80, and the heat generated from the semiconductor laser element 54 is absorbed by the heat absorption member 70A via the heat transfer surface 80A. At this time, grease (not shown) is applied between the upper surface of the heat absorbing member 70A and the heat transfer surface 80A of the heat transfer member 80 in order to easily transfer the heat from the semiconductor laser element 54 to the heat absorption member 70A. It is preferable.

　このようにして、半導体レーザ素子５４からレーザ光が出射されている間は、半導体レーザ素子５４から生じた熱が、サブマウント５２、底板５０、及び伝熱部材８０を介して吸熱空間Ｅに配置された吸熱部材７０Ａに吸収される。その後、半導体レーザ素子５４からのレーザ光の出射が停止されると、これを受けて制御部７６が移動機構７４を制御し、トレー７２を－Ｙ方向に移動して、図４及び図５に示すように、半導体レーザ素子５４の熱を吸収した吸熱部材７０Ａを伝熱部材８０の外部（放熱空間Ｒ）に移動するとともに、新しい吸熱部材７０Ｂを半導体レーザ素子５４及びサブマウント５２の下方の吸熱空間Ｅに移動する。 Thus, while the laser beam is emitted from the semiconductor laser element 54, the heat generated from the semiconductor laser element 54 is arranged in the heat absorption space E via the submount 52, the bottom plate 50, and the heat transfer member 80. The absorbed heat absorbing member 70A is absorbed. After that, when the emission of the laser light from the semiconductor laser element 54 is stopped, the control unit 76 receives this and controls the moving mechanism 74 to move the tray 72 in the −Y direction. As shown, the endothermic member 70A that has absorbed the heat of the semiconductor laser element 54 is moved to the outside of the heat transfer member 80 (heat dissipation space R), and the new endothermic member 70B is moved to the lower end of the semiconductor laser element 54 and the submount 52. Move to space E.

　その後、半導体レーザ素子５４から再びレーザ光が出射されると、半導体レーザ素子５４から生じた熱が、サブマウント５２及び伝熱部材８０の伝熱面８０Ａを介して伝熱面８０Ａに接触している吸熱部材７０Ｂに吸収される。このとき、先の工程で半導体レーザ素子５４の熱を吸収した吸熱部材７０Ａは、伝熱部材８０の外部（放熱空間Ｒ）で放熱されて冷却される。なお、伝熱部材８０の外部に移動させた吸熱部材７０Ａの冷却方法としては、自然冷却のほか、ファンなどを使って風を当てる風冷、水や氷などを吸熱部材７０Ａの表面に接触させることによる冷却などが考えられる。 Thereafter, when laser light is emitted again from the semiconductor laser element 54, the heat generated from the semiconductor laser element 54 comes into contact with the heat transfer surface 80A via the heat transfer surface 80A of the submount 52 and the heat transfer member 80. Is absorbed by the heat absorbing member 70B. At this time, the heat absorbing member 70A that has absorbed the heat of the semiconductor laser element 54 in the previous step is radiated and cooled outside the heat transfer member 80 (heat radiation space R). In addition, as a cooling method of the heat absorption member 70A moved to the outside of the heat transfer member 80, in addition to natural cooling, air cooling using a fan or the like, or water or ice is brought into contact with the surface of the heat absorption member 70A. Cooling by things can be considered.

　半導体レーザ素子５４からのレーザ光の出射が再び停止されると、これを受けて制御部７６が移動機構７４を制御し、トレー７２を＋Ｙ方向に移動して、半導体レーザ素子５４の熱を吸収した吸熱部材７０Ｂを伝熱部材８０の外部（放熱空間Ｒ）に移動するとともに、冷却された吸熱部材７０Ａを半導体レーザ素子５４及びサブマウント５２の下方の吸熱空間Ｅに移動する（図２及び図３参照）。 When the emission of the laser light from the semiconductor laser element 54 is stopped again, the control unit 76 receives this and controls the moving mechanism 74 to move the tray 72 in the + Y direction and absorb the heat of the semiconductor laser element 54. The heat absorbing member 70B is moved to the outside (heat radiation space R) of the heat transfer member 80, and the cooled heat absorption member 70A is moved to the heat absorption space E below the semiconductor laser element 54 and the submount 52 (FIG. 2 and FIG. 2). 3).

その後、半導体レーザ素子５４から再びレーザ光が出射されると、半導体レーザ素子５４から生じた熱が、サブマウント５２及び伝熱部材８０の伝熱面８０Ａを介して伝熱面８０Ａに接触している吸熱部材７０Ａに吸収されるとともに、吸熱部材７０Ｂが伝熱部材８０の外部（放熱空間Ｒ）で放熱されて冷却される。 Thereafter, when laser light is emitted again from the semiconductor laser element 54, the heat generated from the semiconductor laser element 54 comes into contact with the heat transfer surface 80A via the heat transfer surface 80A of the submount 52 and the heat transfer member 80. The heat absorbing member 70 A is absorbed by the heat absorbing member 70 A, and the heat absorbing member 70 B is radiated and cooled outside the heat transfer member 80 (heat radiation space R).

　このように、本実施形態では、レーザ装置としての半導体レーザモジュール１２０から生じた熱を伝熱部材８０の内部（吸熱空間Ｅ）に配置された吸熱部材７０Ａ又は吸熱部材７０Ｂに吸収させることができるとともに、加熱された吸熱部材７０Ｂ又は吸熱部材７０Ａを伝熱部材８０の外部（放熱空間Ｒ）で放熱させることができる。したがって、流路の形成されたヒートシンクやタンクや熱交換器などを必要とすることなく、単純な構成によって半導体レーザ素子５４から生じる熱を放出することができ、レーザシステム１０１全体のコストを低減することができる。また、流体や流路を利用して冷却するものではないので、頻繁にメンテナンスをする必要もない。 Thus, in this embodiment, the heat generated from the semiconductor laser module 120 as the laser device can be absorbed by the heat absorbing member 70A or the heat absorbing member 70B disposed inside the heat transfer member 80 (the heat absorbing space E). At the same time, the heated endothermic member 70B or endothermic member 70A can be dissipated outside the heat transfer member 80 (heat dissipating space R). Therefore, heat generated from the semiconductor laser element 54 can be released with a simple configuration without requiring a heat sink, a tank, a heat exchanger or the like in which a flow path is formed, and the cost of the entire laser system 101 is reduced. be able to. Moreover, since it is not what cools using a fluid and a flow path, it is not necessary to maintain frequently.

　ここで、半導体レーザ素子５４から吸熱部材７０Ａ，７０Ｂに効率的に熱を伝達するために、半導体レーザ素子５４を平面視したときの半導体レーザ素子５４の面積は、サブマウント５２を平面視したときのサブマウント５２の面積以下であり、サブマウント５２を平面視したときのサブマウント５２の面積は、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂのそれぞれを平面視したときの吸熱部材７０Ａ，７０Ｂの面積以下であることが好ましい。このとき、半導体レーザ素子５４とサブマウント５２と吸熱空間Ｅに位置している吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを平面視したとき、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂの内部にサブマウント５２が含まれ、サブマウント５２の内部に半導体レーザ素子５４が含まれることが好ましい。あるいは、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂがサブマウント５２に一致してもよいし、サブマウント５２が半導体レーザ素子５４に一致してもよい。このような関係を維持することによって、半導体レーザ素子５４で生じた熱がより確実に吸熱部材７０Ａ，７０Ｂに伝達される。 Here, in order to efficiently transfer heat from the semiconductor laser element 54 to the

heat absorbing members

70A and 70B, the area of the semiconductor laser element 54 when the semiconductor laser element 54 is viewed in plan is the same as that when the submount 52 is viewed in plan. The area of the submount 52 when the submount 52 is viewed in plan is less than the area of the

heat absorbing members

70A and 70B when each of the

heat absorbing members

70A and 70B is viewed in plan. Is preferred. At this time, when the semiconductor laser element 54, the submount 52, and the

heat absorbing members

70A and 70B located in the heat absorbing space E are viewed in plan view, the submount 52 is included inside the

heat absorbing members

70A and 70B. A semiconductor laser element 54 is preferably included inside. Alternatively, the heat absorbing members 70 A and 70 B may coincide with the submount 52, or the submount 52 may coincide with the semiconductor laser element 54. By maintaining such a relationship, the heat generated in the semiconductor laser element 54 is more reliably transmitted to the

heat absorbing members

70A and 70B.

　上述した実施形態においては、２つの吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを設けた例を説明したが、使用する吸熱部材を３つ以上としてもよく、あるいは１つの吸熱部材のみを用いてもよい。また、上述した実施形態では、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを水平方向（Ｙ方向）に移動する例を説明したが、鉛直方向（Ｚ方向）又は他の方向への移動により吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを吸熱空間及び放熱空間へ移動してもよい。また、水平方向（Ｙ方向）の移動と鉛直方向（Ｚ方向）の移動とを組み合わせて吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを移動させてもよい。さらに、上述した実施形態では、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを平行移動する例を説明したが、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂをある軸を中心として回転することによりこれらを吸熱空間及び放熱空間へ移動してもよい。また、吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを伝熱面８０Ａに押し付けて接触させるように構成してもよい。 In the above-described embodiment, the example in which the two

heat absorbing members

70A and 70B are provided has been described. However, three or more heat absorbing members may be used, or only one heat absorbing member may be used. In the above-described embodiment, the example in which the

heat absorbing members

70A and 70B are moved in the horizontal direction (Y direction) has been described. However, the

heat absorbing members

70A and 70B are endothermic by moving in the vertical direction (Z direction) or other directions. You may move to space and heat dissipation space. Further, the

endothermic members

70A and 70B may be moved by combining the movement in the horizontal direction (Y direction) and the movement in the vertical direction (Z direction). Further, in the above-described embodiment, the example in which the

endothermic members

70A and 70B are moved in parallel has been described. However, even if the

endothermic members

70A and 70B are rotated about a certain axis to move them to the endothermic space and the heat dissipation space. Good. Moreover, you may comprise so that the

heat absorption members

70A and 70B may be pressed and contacted to the heat-transfer surface 80A.

ここで、図６に示すように、レーザ光の出射が任意の時間間隔Ｔで行われる場合には、時間Ｔ内に吸熱部材７０Ａ，７０Ｂが上述した放熱空間Ｒにおいて環境温度程度まで冷却できないときに、レーザ光の出射が停止されてからＴ／２経過時に吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを入れ替えることが好ましい。このようにレーザ光の出射が停止されてからＴ／２経過時に吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを入れ替えることにより、半導体レーザ素子５４からの熱を吸熱部材７０Ａ，７０Ｂに均等に分配することができ、放熱性が向上する。 Here, as shown in FIG. 6, when the laser light is emitted at an arbitrary time interval T, the heat absorbing members 70 A and 70 B cannot be cooled to the environmental temperature in the heat radiation space R within the time T. In addition, it is preferable to replace the heat-absorbing

members

70A and 70B when T / 2 has elapsed after the emission of the laser light is stopped. In this way, by replacing the

heat absorbing members

70A and 70B when T / 2 has elapsed after the emission of the laser light is stopped, the heat from the semiconductor laser element 54 can be evenly distributed to the

heat absorbing members

70A and 70B. Improves.

　吸熱部材をｎ個（ｎは２以上の整数）設けた場合には、レーザ光の出射が停止されてから時間Ｔが経過する前、すなわち次にレーザ光が出射されるまでに、熱を吸収させた吸熱部材を吸熱空間Ｅから放熱空間Ｒに移動するとともに、他の吸熱部材を伝熱面８０Ａに接触するように吸熱空間Ｅに移動することが好ましい。この場合において、ｎ個の吸熱部材を順番に吸熱空間及び放熱空間へ移動することが好ましい。このようにすれば、半導体レーザ素子５４からの熱をｎ個の吸熱部材に分配することができ、放熱性が向上する。さらに、レーザ光の出射を停止させてから時間Ｔ／ｎが経過する以前に、ｎ個の吸熱部材のうち最初の吸熱部材を吸熱空間Ｅから放熱空間Ｒに移動することが好ましい。吸熱部材に伝達される熱量は温度差に依存するため、ｎ個の吸熱部材のうち最初の吸熱部材に伝達される熱量が最も多くなる。したがって、レーザ光の出射を停止させてから時間Ｔ／ｎが経過する以前に最初の吸熱部材を放熱空間Ｒに移動することにより、半導体レーザ素子５４からの熱をｎ個の吸熱部材により効率的に分配することが可能となり、放熱性が向上する。 When n heat absorbing members (n is an integer of 2 or more) are provided, heat is absorbed before the time T elapses after the emission of the laser beam is stopped, that is, until the next laser beam is emitted. It is preferable that the endothermic member thus moved is moved from the endothermic space E to the heat dissipating space R, and another endothermic member is moved to the endothermic space E so as to be in contact with the heat transfer surface 80A. In this case, it is preferable to move the n heat absorbing members sequentially to the heat absorbing space and the heat radiating space. In this way, heat from the semiconductor laser element 54 can be distributed to the n heat absorbing members, and heat dissipation is improved. Furthermore, it is preferable to move the first endothermic member out of the n endothermic members from the endothermic space E to the heat dissipating space R before the time T / n elapses after the emission of the laser light is stopped. Since the amount of heat transferred to the heat absorbing member depends on the temperature difference, the amount of heat transferred to the first heat absorbing member among the n heat absorbing members is the largest. Therefore, the heat from the semiconductor laser element 54 is more efficiently transferred to the n heat absorbing members by moving the first heat absorbing member to the heat radiating space R before the time T / n elapses after the emission of the laser light is stopped. It becomes possible to distribute to the heat and heat dissipation is improved.

　上述した実施形態においては、移動機構７４を用いて吸熱部材７０Ａ，７０Ｂを移動し、制御部７６を用いて移動機構７４を制御したが、移動機構７４や制御部７６は必ずしも設ける必要はない。例えば、図７に示すように、半導体レーザ素子５４及びサブマウント５２の下方に位置する挿入孔１８３を伝熱部材８０に形成し、把手１７１が設けられた吸熱部材１７０（図８参照）をこの挿入孔１８３に手で押し込んでもよい。この場合においても、伝熱部材８０の挿入孔１８３の内部の吸熱空間Ｅに押し込まれた吸熱部材１７０は、伝熱部材８０の伝熱面８０Ａと接触しており、半導体レーザ素子５４からの熱はこの吸熱部材１７０に吸収される。半導体レーザ素子５４からのレーザ光の出射が停止された後、吸熱部材１７０の把手１７１を手で掴んで伝熱部材８０の挿入孔１８３から吸熱部材１７０を取り出し、伝熱部材８０の外部（放熱空間）で吸熱部材１７０を冷却することができる。このとき、吸熱部材１７０を例えば水中や海水などに漬けて冷却することもできる。 In the embodiment described above, the

heat absorbing members

70A and 70B are moved using the moving mechanism 74 and the moving mechanism 74 is controlled using the control unit 76, but the moving mechanism 74 and the control unit 76 are not necessarily provided. For example, as shown in FIG. 7, an insertion hole 183 located below the semiconductor laser element 54 and the submount 52 is formed in the heat transfer member 80, and the heat absorption member 170 (see FIG. 8) provided with the handle 171 is attached to the heat absorption member 170. The insertion hole 183 may be pushed by hand. Also in this case, the heat absorption member 170 pushed into the heat absorption space E inside the insertion hole 183 of the heat transfer member 80 is in contact with the heat transfer surface 80A of the heat transfer member 80, and heat from the semiconductor laser element 54 is obtained. Is absorbed by the heat absorbing member 170. After the emission of the laser light from the semiconductor laser element 54 is stopped, the handle 171 of the heat absorbing member 170 is grasped by hand, the heat absorbing member 170 is taken out from the insertion hole 183 of the heat transfer member 80, and the heat transfer member 80 is exposed to the outside (heat radiation). The heat absorbing member 170 can be cooled in the space. At this time, the heat absorbing member 170 can be cooled by being immersed in, for example, water or seawater.

　上述した実施形態においては、本発明に係る冷却構造を半導体レーザモジュール１２０に対して適用した例について説明したが、本発明に係る冷却構造は半導体レーザモジュールに限らず、レーザ光を出射する任意のレーザ装置に適用できるものである。例えば、本発明に係る冷却構造をファイバレーザ装置に適用することもできる。以下、発明に係る冷却構造をファイバレーザ装置に適用した例について説明する。 In the above-described embodiment, the example in which the cooling structure according to the present invention is applied to the semiconductor laser module 120 has been described. However, the cooling structure according to the present invention is not limited to the semiconductor laser module, and an arbitrary laser beam that emits laser light. It can be applied to a laser device. For example, the cooling structure according to the present invention can be applied to a fiber laser device. Hereinafter, an example in which the cooling structure according to the invention is applied to a fiber laser device will be described.

　図９は、本発明の第２の実施形態におけるレーザシステム２０１の構成を模式的に示す断面図、図１０は、図９のＣ－Ｃ'線断面図、図１１は、図９の平面図である。図９から図１１に示すように、本実施形態におけるレーザシステム２０１は、レーザ光を出射するレーザ装置として、以下に述べるファイバレーザ装置１を有している。 9 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a laser system 201 in the second embodiment of the present invention, FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 9, and FIG. 11 is a plan view of FIG. It is. As shown in FIGS. 9 to 11, the laser system 201 in the present embodiment includes a fiber laser device 1 described below as a laser device that emits laser light.

図１２は、ファイバレーザ装置１を模式的に示す図である。図１２に示すように、本実施形態におけるファイバレーザ装置１は、例えばＹｂ（イッテルビウム）などの希土類元素が添加された増幅用光ファイバ１０と、増幅用光ファイバ１０の第１の端部１０Ａ側に接続された高反射ファイバブラッググレーティング（Fiber Bragg Grating（ＦＢＧ））１２と、増幅用光ファイバ１０の第２の端部１０Ｂ側に接続された低反射ＦＢＧ１４と、増幅用光ファイバ１０の第１の端部１０Ａから増幅用光ファイバ１０に励起光を導入する複数の励起光源ユニット２０Ａと、複数の励起光源ユニット２０Ａからの励起光を合波するコンバイナ２２Ａと、増幅用光ファイバ１０の第２の端部１０Ｂから増幅用光ファイバ１０に励起光を導入する複数の励起光源ユニット２０Ｂと、複数の励起光源ユニット２０Ｂからの励起光を合波するコンバイナ２２Ｂと、増幅用光ファイバ１０からの出力レーザ光（レーザ発振光）を例えば被加工物に向けて出射するレーザ出射部３０とを備えている。 FIG. 12 is a diagram schematically showing the fiber laser device 1. As shown in FIG. 12, the fiber laser device 1 according to the present embodiment includes an amplification optical fiber 10 to which a rare earth element such as Yb (ytterbium) is added, and the first end portion 10 A side of the amplification optical fiber 10. A high-reflection fiber Bragg grating (FBG) 12 connected to the optical fiber 10, a low-reflection FBG 14 connected to the second end portion 10 B side of the amplification optical fiber 10, and the first of the amplification optical fiber 10. A plurality of pumping light source units 20A for introducing pumping light into the amplifying optical fiber 10 from the end 10A, a combiner 22A for combining pumping light from the plurality of pumping light source units 20A, and a second of the amplifying optical fiber 10. From a plurality of pumping light source units 20B for introducing pumping light into the amplification optical fiber 10 from the end 10B of the optical fiber, and from the pumping light source units 20B Combiner 22B for multiplexing Okoshiko, and a laser emitting unit 30 for emitting toward the output laser beam from the amplification optical fiber 10 (the laser oscillation light), for example, the workpiece.

　励起光源ユニット２０Ａ，２０Ｂとしては、例えば、波長９１５ｎｍの高出力マルチモード半導体レーザ（ＬＤ）を用いることができ、このような励起光源ユニット２０Ａ，２０Ｂとして上述した第１の実施形態における半導体レーザモジュール１２０を用いることもできる。励起光源ユニット２０Ａからの励起光は、コンバイナ２２Ａにより合波され、高反射ＦＢＧ１２側から増幅用光ファイバ１０に導入される。同様に、励起光源ユニット２０Ｂからの励起光は、コンバイナ２２Ｂにより合波され、低反射ＦＢＧ１４側から増幅用光ファイバ１０に導入される。増幅用光ファイバ１０は、内部クラッドと、内部クラッドの屈折率よりも低い外部クラッドとを備えたダブルクラッド構造を有することが好ましい。コンバイナ２２Ｂには、レーザ出射部３０まで延びるシングルクラッドの光ファイバ（デリバリファイバ）３２が接続されている。 As the excitation

light source units

20A and 20B, for example, a high-power multimode semiconductor laser (LD) having a wavelength of 915 nm can be used, and the semiconductor laser module in the first embodiment described above as such excitation light source units 20A and 20B. 120 can also be used. Excitation light from the excitation light source unit 20A is combined by the combiner 22A and introduced into the amplification optical fiber 10 from the highly reflective FBG 12 side. Similarly, the excitation light from the excitation light source unit 20B is combined by the combiner 22B and introduced into the amplification optical fiber 10 from the low reflection FBG 14 side. The amplification optical fiber 10 preferably has a double clad structure having an inner clad and an outer clad lower than the refractive index of the inner clad. A single clad optical fiber (delivery fiber) 32 extending to the laser emitting section 30 is connected to the combiner 22B.

　ここで、高反射ＦＢＧ１２及び低反射ＦＢＧ１４は、レーザ光の波長に対応した波長の光を反射するように構成されており、所定の共振条件を満たすように配置されており、増幅用光ファイバ１０、高反射ＦＢＧ１２、及び低反射ＦＢＧ１４により、増幅用光ファイバ１０に生じたレーザ光を発振させる光共振器１６が構成されている。高反射ＦＢＧ１２の反射率は９０％～１００％であることが好ましく、低反射ＦＢＧ１４の反射率は３０％以下であることが好ましい。 Here, the high reflection FBG 12 and the low reflection FBG 14 are configured to reflect light having a wavelength corresponding to the wavelength of the laser light, and are arranged so as to satisfy a predetermined resonance condition. The high-reflection FBG 12 and the low-reflection FBG 14 constitute an optical resonator 16 that oscillates the laser light generated in the amplification optical fiber 10. The reflectance of the high reflection FBG 12 is preferably 90% to 100%, and the reflectance of the low reflection FBG 14 is preferably 30% or less.

　このような構成において、励起光源ユニット２０Ａ，２０Ｂから例えば９１５ｎｍの波長の励起光を増幅用光ファイバ１０に導入すると、増幅用光ファイバ１０のＹｂが励起され、自然放出光（ＡＳＥ光）が放出される。このＡＳＥ光は、所定の共振条件を満たすように配置された高反射ＦＢＧ１２及び低反射ＦＢＧ１４で反射して増幅された波長（１０００ｎｍ帯の波長）でレーザ発振する。光共振器１６内で生じたレーザ光は、その一部が低反射ＦＢＧ１４で反射して増幅用光ファイバ１０に戻るが、低反射ＦＢＧ１４を透過して光ファイバ３２を通ってレーザ出射部３０から出力レーザ光として照射される。例えば、この出力レーザ光は被加工物を加工するために用いられる。 In such a configuration, when excitation light having a wavelength of, for example, 915 nm is introduced from the excitation

light source units

20A and 20B into the amplification optical fiber 10, Yb of the amplification optical fiber 10 is excited and spontaneous emission light (ASE light) is emitted. Is done. This ASE light is laser-oscillated at a wavelength (1000 nm band wavelength) reflected and amplified by the high reflection FBG 12 and the low reflection FBG 14 arranged so as to satisfy a predetermined resonance condition. A part of the laser light generated in the optical resonator 16 is reflected by the low reflection FBG 14 and returns to the amplification optical fiber 10, but passes through the low reflection FBG 14 and passes through the optical fiber 32 from the laser emitting unit 30. Irradiated as output laser light. For example, this output laser beam is used for processing a workpiece.

図９から図１１に戻って、本実施形態におけるレーザシステム２０１は、ファイバレーザ装置１が載置される伝熱部材２８０と、上面に２つの吸熱部材２７０Ａ，２７０Ｂが載置された平板状のトレー２７２とを備えている。例えば、吸熱部材２７０Ａ，２７０Ｂは、金属やセラミックからなる部材である。伝熱部材２８０には、ファイバレーザ装置１の下方にＹ方向に延びる貫通孔２８３が形成されており、この貫通孔２８３の内部にトレー２７２の一部が挿入されている。 Returning to FIG. 9 to FIG. 11, the laser system 201 in the present embodiment is a flat plate shape in which the heat transfer member 280 on which the fiber laser device 1 is placed and the two heat absorbing members 270 A and 270 B are placed on the upper surface. A tray 272. For example, the

heat absorbing members

270A and 270B are members made of metal or ceramic. A through hole 283 extending in the Y direction is formed in the heat transfer member 280 below the fiber laser device 1, and a part of the tray 272 is inserted into the through hole 283.

　ここで、ファイバレーザ装置１で生じた熱は伝熱部材２８０に伝達されて貫通孔２８３を形成する面２８０Ａまで伝達される。このように、伝熱部材２８０は、ファイバレーザ装置１で生じた熱が伝達される伝熱面２８０Ａを有している。この面２８０Ａに隣接した（貫通孔２８３内の）空間は吸熱空間Ｅとなっている。なお、伝熱部材２８０は、ファイバレーザ装置１から生じた熱が伝熱される伝熱面２８０Ａを有しているのであれば、複数の部材から構成されていてもよい。 Here, the heat generated in the fiber laser device 1 is transmitted to the heat transfer member 280 to be transmitted to the surface 280A forming the through hole 283. Thus, the heat transfer member 280 has the heat transfer surface 280A to which the heat generated in the fiber laser device 1 is transferred. A space adjacent to the surface 280A (in the through hole 283) is a heat absorption space E. The heat transfer member 280 may be composed of a plurality of members as long as it has a heat transfer surface 280A through which heat generated from the fiber laser device 1 is transferred.

　トレー２７２は、第１の実施形態のトレー７２と同様に移動機構２７４によりＹ方向に移動可能となっている。移動機構２７４は、例えばＣＰＵを内蔵した制御部２７６に接続されており、制御部２７６が移動機構２７４を制御することによって、吸熱空間Ｅに吸熱部材２７０Ａと吸熱部材２７０Ｂのいずれか一方を移動するようになっている。 The tray 272 can be moved in the Y direction by the moving mechanism 274 similarly to the tray 72 of the first embodiment. The moving mechanism 274 is connected to, for example, a control unit 276 having a built-in CPU, and the control unit 276 controls the moving mechanism 274 to move either the heat absorbing member 270A or the heat absorbing member 270B to the heat absorbing space E. It is like that.

　ファイバレーザ装置１で生じた熱は伝熱部材２８０に伝達されて伝熱部材２８０の伝熱面２８０Ａまで伝達される。吸熱空間Ｅにある吸熱部材２７０Ａは、伝熱部材２８０の伝熱面２８０Ａに接触しており、ファイバレーザ装置１で生じた熱は伝熱面２８０Ａを介して吸熱部材２７０Ａに吸収される。このとき、ファイバレーザ装置１で生じた熱を吸熱部材２７０Ａに伝達しやすくするために、吸熱部材２７０Ａの上面と伝熱部材２８０の伝熱面２８０Ａとの間にグリース（図示せず）を塗布することが好ましい。 The heat generated in the fiber laser device 1 is transmitted to the heat transfer member 280 and is transmitted to the heat transfer surface 280A of the heat transfer member 280. The heat absorption member 270A in the heat absorption space E is in contact with the heat transfer surface 280A of the heat transfer member 280, and the heat generated in the fiber laser device 1 is absorbed by the heat absorption member 270A via the heat transfer surface 280A. At this time, grease (not shown) is applied between the upper surface of the heat absorbing member 270A and the heat transfer surface 280A of the heat transfer member 280 in order to easily transfer the heat generated in the fiber laser device 1 to the heat absorption member 270A. It is preferable to do.

　このようにして、ファイバレーザ装置１で生じた熱が伝熱部材２８０を介して吸熱空間Ｅに配置された吸熱部材２７０Ａに吸収される。その後、ファイバレーザ装置１の動作が停止されると、これを受けて制御部２７６が移動機構２７４を制御し、トレー２７２を－Ｙ方向に移動して、ファイバレーザ装置１の熱を吸収した吸熱部材２７０Ａを伝熱部材２８０の外部（放熱空間Ｒ）に移動するとともに、新しい吸熱部材２７０Ｂをファイバレーザ装置１の下方の吸熱空間Ｅに移動する。 In this way, the heat generated in the fiber laser device 1 is absorbed by the heat absorbing member 270A disposed in the heat absorbing space E via the heat transfer member 280. Thereafter, when the operation of the fiber laser device 1 is stopped, the control unit 276 receives this and controls the moving mechanism 274 to move the tray 272 in the −Y direction and absorb the heat of the fiber laser device 1. The member 270A is moved to the outside of the heat transfer member 280 (heat radiation space R), and the new heat absorption member 270B is moved to the heat absorption space E below the fiber laser device 1.

　その後、ファイバレーザ装置１が駆動されると、ファイバレーザ装置１で生じた熱が伝熱部材２８０の伝熱面２８０Ａを介して伝熱面２８０Ａに接触している吸熱部材２７０Ｂに吸収される。このとき、先の工程でファイバレーザ装置１の熱を吸収した吸熱部材２７０Ａは、伝熱部材２８０の外部（放熱空間Ｒ）で放熱されて冷却される。 Thereafter, when the fiber laser device 1 is driven, the heat generated in the fiber laser device 1 is absorbed by the heat absorbing member 270B in contact with the heat transfer surface 280A via the heat transfer surface 280A of the heat transfer member 280. At this time, the heat absorbing member 270A that has absorbed the heat of the fiber laser device 1 in the previous step is radiated and cooled outside the heat transfer member 280 (heat radiation space R).

　ファイバレーザ装置１の動作が再び停止されると、これを受けて制御部２７６が移動機構２７４を制御し、トレー２７２を＋Ｙ方向に移動して、ファイバレーザ装置１の熱を吸収した吸熱部材２７０Ｂを伝熱部材２８０の外部（放熱空間Ｒ）に移動するとともに、冷却された吸熱部材２７０Ａをファイバレーザ装置１の下方の吸熱空間Ｅに移動する。 When the operation of the fiber laser device 1 is stopped again, the control unit 276 controls the movement mechanism 274 in response to this, and moves the tray 272 in the + Y direction to absorb the heat of the fiber laser device 1. Is moved to the outside (heat radiation space R) of the heat transfer member 280, and the cooled heat absorption member 270A is moved to the heat absorption space E below the fiber laser device 1.

　その後、再びファイバレーザ装置１が駆動されると、ファイバレーザ装置１で生じた熱が伝熱部材２８０の伝熱面２８０Ａを介して伝熱面２８０Ａに接触している吸熱部材２７０Ａに吸収されるとともに、吸熱部材２７０Ｂが伝熱部材２８０の外部（放熱空間Ｒ）で放熱されて冷却される。 Thereafter, when the fiber laser device 1 is driven again, the heat generated in the fiber laser device 1 is absorbed by the heat absorbing member 270A in contact with the heat transfer surface 280A via the heat transfer surface 280A of the heat transfer member 280. At the same time, the heat absorbing member 270B is radiated and cooled outside the heat transfer member 280 (heat radiation space R).

　このように、ファイバレーザ装置１に対しても本発明に係る冷却構造を適用することができる。ファイバレーザ装置１に対して本発明に係る冷却構造を適用することにより、流路の形成されたヒートシンクやタンクや熱交換器などを必要とすることなく、単純な構成によってファイバレーザ装置１を冷却することができ、レーザシステム２０１全体のコストを低減することができる。 Thus, the cooling structure according to the present invention can also be applied to the fiber laser device 1. By applying the cooling structure according to the present invention to the fiber laser device 1, the fiber laser device 1 can be cooled with a simple configuration without requiring a heat sink, a tank, a heat exchanger or the like in which a flow path is formed. The cost of the entire laser system 201 can be reduced.

　また、第１の実施形態の伝熱部材８０の上に第２の実施形態の励起光源ユニット２０Ａや励起光源ユニット２０Ｂ、増幅用光ファイバ１０を載置してレーザシステムを構成してもよい。あるいは、第１の実施形態の伝熱部材８０の上に複数の励起光源ユニット２０Ａ，２０Ｂを載置して複数の励起光源ユニット２０Ａ，２０Ｂを同時に冷却するように構成してもよい。例えば、図１３に示すレーザシステム３０１のように、複数の励起光源ユニット２０Ａ（２０Ｂ）を含むレーザ装置１を伝熱部材８０上に配置し、吸熱空間Ｅに位置する吸熱部材７０Ａ（又は７０Ｂ）がこれらの励起光源ユニット２０Ａ（２０Ｂ）に跨がるように構成してもよい。 Further, the laser system may be configured by mounting the excitation light source unit 20A, the excitation light source unit 20B, and the amplification optical fiber 10 of the second embodiment on the heat transfer member 80 of the first embodiment. Or you may comprise so that several excitation

light source unit

20A, 20B may be mounted on the heat-transfer member 80 of 1st Embodiment, and several excitation

light source unit

20A, 20B may be cooled simultaneously. For example, as in a laser system 301 shown in FIG. 13, a laser device 1 including a plurality of excitation light source units 20 A (20 B) is arranged on a heat transfer member 80, and a heat absorption member 70 A (or 70 B) located in the heat absorption space E. May be configured to straddle these excitation light source units 20A (20B).

　これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.

　本発明は、レーザシステム内でレーザ光を出射するレーザ装置に好適に用いられる。 The present invention is suitably used for a laser apparatus that emits laser light in a laser system.

　　１　　ファイバレーザ装置
　１０　　増幅用光ファイバ
　１２　　高反射ＦＢＧ
　１４　　低反射ＦＢＧ
　１６　　光共振器
　２０Ａ，２０Ｂ　　励起光源ユニット
　２２Ａ，２０Ｂ　　コンバイナ
　３０　　レーザ出射部
　３２　　光ファイバ
　４０　　枠体
　４１～４４　　側壁
　５０　　底板
　５１　　蓋体
　５２　　サブマウント
　５４　　半導体レーザ素子
　５６　　ファイバマウント
　５８　　半田
　６０　　光ファイバ
　７０Ａ，７０Ｂ　吸熱部材
　７２　　トレー
　７４　　移動機構
　７６　　制御部
　８０　　伝熱部材
　８０Ａ　伝熱面
　８３　　貫通孔
１０１　　レーザシステム
１８３　　挿入孔
１７０　　吸熱部材
１７１　　把手
２０１　　レーザシステム
２８０　　伝熱部材
２８０Ａ　伝熱面
２８３　　貫通孔
３０１　　レーザシステム
　　Ｅ　　吸熱空間
　　Ｒ　　放熱空間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fiber laser apparatus 10 Optical fiber for amplification 12 High reflection FBG
14 Low reflection FBG
16

Optical resonators

20A and 20B Excitation

light source units

22A and 20B Combiner 30 Laser emission part 32 Optical fiber 40 Frame body 41 to 44 Side wall 50 Bottom plate 51 Lid body 52 Submount 54 Semiconductor laser element 56 Fiber mount 58 Solder 60

Optical fiber

70A, 70B Heat absorbing member 72 Tray 74 Moving mechanism 76 Control unit 80 Heat transfer member 80A Heat transfer surface 83 Through hole 101 Laser system 183 Insertion hole 170 Heat absorption member 171 Handle 201 Laser system 280 Heat transfer member 280A Heat transfer surface 283 Through hole 301 Laser system E Heat absorption space R Heat dissipation space

Claims

　レーザ光を出射するレーザ装置と、
　前記レーザ装置が載置される伝熱部材であって、前記レーザ装置から生じた熱が伝達される伝熱面を有する伝熱部材と、
　前記伝熱部材の前記伝熱面に接触した状態で該伝熱面に隣接して形成された吸熱空間に配置可能であって、前記吸熱空間から該吸熱空間で吸収した熱を放出するための放熱空間に移動可能に構成された少なくとも１つの吸熱部材と、
を備えた、レーザシステム。 A laser device for emitting laser light;
A heat transfer member on which the laser device is mounted, the heat transfer member having a heat transfer surface to which heat generated from the laser device is transmitted; and
The heat transfer member can be disposed in a heat absorption space formed adjacent to the heat transfer surface in contact with the heat transfer surface, and for releasing the heat absorbed in the heat absorption space from the heat absorption space. At least one heat absorbing member configured to be movable to the heat dissipation space;
With a laser system.
　前記少なくとも１つの吸熱部材を前記吸熱空間から前記放熱空間に移動する移動機構をさらに備えた、請求項１に記載のレーザシステム。 The laser system according to claim 1, further comprising a moving mechanism for moving the at least one heat absorbing member from the heat absorbing space to the heat radiating space.
　前記少なくとも１つの吸熱部材は、複数の吸熱部材を含み、
　前記移動機構は、前記複数の吸熱部材のうち前記吸熱空間に位置していた吸熱部材を前記放熱空間に移動するとともに、前記複数の吸熱部材のうちの他の吸熱部材を前記吸熱空間に移動する、
請求項２に記載のレーザシステム。 The at least one heat absorbing member includes a plurality of heat absorbing members;
The moving mechanism moves a heat absorbing member located in the heat absorbing space among the plurality of heat absorbing members to the heat radiating space, and moves another heat absorbing member of the plurality of heat absorbing members to the heat absorbing space. ,
The laser system according to claim 2.
　前記レーザ装置は、前記レーザ光を生成するレーザ素子を含み、
　前記レーザ素子を平面視したときの前記レーザ素子の面積は、前記少なくとも１つの吸熱部材を平面視したときの前記少なくとも１つの吸熱部材の面積以下であり、
　前記レーザ素子と前記吸熱空間に位置する前記少なくとも１つの吸熱部材とを平面視したとき、前記少なくとも１つの吸熱部材と前記レーザ素子とが一致するか又は前記吸熱部材の内部に前記レーザ素子が含まれる、
請求項１から３のいずれか一項に記載のレーザシステム。 The laser device includes a laser element that generates the laser light,
The area of the laser element when the laser element is viewed in plan is equal to or less than the area of the at least one heat absorption member when the at least one heat absorbing member is viewed in plan,
When the laser element and the at least one endothermic member located in the endothermic space are viewed in plan, the at least one endothermic member and the laser element coincide with each other, or the endothermic member includes the laser element. The
The laser system according to any one of claims 1 to 3.
　前記レーザ素子を平面視したときの前記レーザ素子の面積は、前記少なくとも１つの吸熱部材を平面視したときの前記少なくとも１つの吸熱部材の面積よりも小さい、請求項４に記載のレーザシステム。 5. The laser system according to claim 4, wherein an area of the laser element when the laser element is viewed in plan is smaller than an area of the at least one endothermic member when the at least one endothermic member is viewed in plan.
　伝熱部材上に載置されたレーザ装置を冷却する方法であって、
　前記レーザ装置から生じた熱が伝達される前記伝熱部材の伝熱面を介して前記レーザ装置からの熱を前記伝熱面に隣接して形成された吸熱空間に配置した少なくとも１つの吸熱部材に吸収させ、
　前記レーザ装置からの前記レーザ光の出射を停止させた後、前記少なくとも１つの吸熱部材を前記吸熱空間から放熱空間に移動させ、
　前記放熱空間で前記少なくとも１つの吸熱部材に吸収させた熱を放出させる、
レーザ装置の冷却方法。 A method of cooling a laser device placed on a heat transfer member,
At least one heat absorbing member in which heat from the laser device is disposed in a heat absorbing space formed adjacent to the heat transfer surface via a heat transfer surface of the heat transfer member to which heat generated from the laser device is transmitted. To absorb,
After stopping the emission of the laser light from the laser device, the at least one heat absorbing member is moved from the heat absorbing space to the heat radiating space,
Releasing the heat absorbed by the at least one heat absorbing member in the heat dissipation space;
Laser device cooling method.
　前記レーザ装置からの前記レーザ光の出射を停止させた後、任意の時間Ｔが経過したときに再度前記レーザ光を出射する場合において、
　前記少なくとも１つの吸熱部材としてｎ個（ｎは２以上の整数）の吸熱部材を用意し、
　前記レーザ装置からの前記レーザ光の出射を停止させてから時間Ｔが経過する前に、前記熱を吸収させた前記吸熱部材を前記吸熱空間から前記放熱空間に移動するとともに、他の吸熱部材を前記伝熱面に接触するように前記吸熱空間に移動する、
請求項６に記載のレーザ装置の冷却方法。 In the case of emitting the laser light again when an arbitrary time T has elapsed after stopping the emission of the laser light from the laser device,
N (n is an integer of 2 or more) endothermic members are prepared as the at least one endothermic member,
Before the time T elapses after the emission of the laser light from the laser device is stopped, the heat absorbing member that has absorbed the heat is moved from the heat absorbing space to the heat radiating space, and another heat absorbing member is mounted. Move to the endothermic space to contact the heat transfer surface;
The method for cooling a laser device according to claim 6.
　前記ｎ個の吸熱部材を順番に前記吸熱空間又は前記放熱空間に移動する、請求項７に記載のレーザ装置の冷却方法。 The laser device cooling method according to claim 7, wherein the n heat absorbing members are sequentially moved to the heat absorbing space or the heat radiating space.
　前記レーザ装置からの前記レーザ光の出射を停止させてから時間Ｔ／ｎが経過する以前に、前記ｎ個の吸熱部材のうち最初の吸熱部材を前記吸熱空間から前記放熱空間に移動する、請求項８に記載のレーザ装置の冷却方法。 The first heat-absorbing member among the n heat-absorbing members is moved from the heat-absorbing space to the heat-dissipating space before the time T / n elapses after the emission of the laser light from the laser device is stopped. Item 9. A method for cooling a laser device according to Item 8.