WO2016129114A1 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置及び発光装置の製造方法 Download PDF

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WO2016129114A1
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insulating layer
light emitting
layer
emitting device
light
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PCT/JP2015/054010
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修一 関
真滋 中嶋
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パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.
  • organic EL elements are increasingly used as light sources for light emitting devices and the like.
  • the organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. And in order to demarcate the light emission area of an organic EL element, the light-emitting device has an insulating layer. On the other hand, the organic layer is vulnerable to moisture.
  • Patent Document 1 describes that when an organic insulating film is used as an insulating film for defining an organic EL element, peripheral deterioration occurs in the organic EL element. Further, in Patent Document 1, when an organic insulating film is formed on a wiring and an upper electrode of an organic EL element is formed on the organic insulating film, the wiring and the upper electrode are viewed from the substrate side. It is described that this peripheral deterioration can be suppressed by forming a gap between them.
  • Patent Document 2 describes that the outgas from the insulating film is suppressed by covering the upper surface and side surfaces of the insulating film defining the light emitting area of the organic EL element with a barrier film.
  • the organic layer of the light emitting part may be deteriorated due to outgas from the insulating film.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to reduce the amount of outgas generated itself in order to suppress the deterioration of the organic EL element.
  • the invention according to claim 1 is a substrate; A plurality of light emitting portions formed on the substrate and having an organic layer; An insulating layer formed on the substrate and defining the plurality of light emitting portions; Terminals formed on the substrate; Wiring formed on the substrate and electrically connecting the terminal and the light emitting unit; With At least a part of the wiring is covered with the insulating layer, In the insulating layer, the first portion located between the plurality of light emitting portions has a thickness smaller than that of the second portion located on the wiring in the insulating layer.
  • the invention according to claim 6 is a step of forming wiring on the substrate; Forming an insulating layer having a plurality of openings on the substrate, and covering at least a part of the wiring with a part of the insulating layer; Forming an organic layer to be a part of the light emitting part in each of the plurality of openings; With In the step of forming the insulating layer, the film thickness of the first portion which is a portion located between the plurality of openings in the insulating layer is a portion located on the wiring in the insulating layer. This is a method for manufacturing a light-emitting device that is thinner than the thickness of two portions.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
  • It is a top view for demonstrating the structure of the light-emitting device which concerns on a modification. It is sectional drawing of the light-emitting device shown in FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, and the organic layer 120 are removed from FIG.
  • FIG. 3 is a diagram in which the insulating layer 150 is removed from FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. 1 to 3, the sealing layer 160 is indicated by a dotted line for the sake of explanation.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting units 140, an insulating layer 150, a first terminal 112 (terminal), and a first lead wiring 114 (wiring).
  • the light emitting unit 140, the insulating layer 150, the first terminal 112, and the first lead wiring 114 are formed on the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 has an organic layer 120.
  • the insulating layer 150 defines a plurality of light emitting portions 140.
  • the first lead wiring 114 electrically connects the light emitting unit 140 and the first terminal 112. A portion of the first lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the thickness of the first portion 156 located between the plurality of light emitting units 140 in the insulating layer 150 is thinner than the thickness of the second portion 157 located on the first lead wiring 114 in the insulating layer 150. . Details will be described below.
  • the light emitting device 10 is a display device, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a plurality of first terminals 112, a plurality of second terminals 132, a light emitting portion 140, an insulating layer 150, and a plurality of openings 152.
  • the light emitting device 10 may be a lighting device. In this case, the light emitting device 10 may have the first terminal 112, the first lead wiring 114, the second terminal 132, and the second lead wiring 134 one by one.
  • the substrate 100 is formed of a light transmissive material such as glass or a light transmissive resin.
  • the substrate 100 may be formed of a material that does not have translucency.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle.
  • the substrate 100 may have flexibility.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the substrate 100 is a resin
  • the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.
  • an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from permeating the substrate 100. .
  • the light emitting unit 140 has an organic EL element.
  • This organic EL element has a configuration in which a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 are laminated in this order.
  • the light emitting unit 140 is provided for each pixel of the display device.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency.
  • the transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide), and the like. is there.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.
  • the organic layer 120 has a light emitting layer.
  • the organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked.
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer.
  • the organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method.
  • at least one layer of the organic layer 120 for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition.
  • all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply
  • the second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property.
  • the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the materials of the first electrode 110 and the second electrode 130 described above are for the case where the light emitting device 10 is a bottom emission type.
  • the material of the first electrode 110 and the material of the second electrode 130 are reversed. That is, the material of the second electrode 130 is used as the material of the first electrode 110, and the material of the first electrode 110 is used as the material of the second electrode 130.
  • the first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 1).
  • the end portion of the first electrode 110 is connected to the first lead wiring 114.
  • the first lead wiring 114 has a conductive layer made of the same material as the first electrode 110. This conductive layer is integrated with the first electrode 110.
  • the end of the first lead-out wiring 114 is the first terminal 112. Further, since a plurality of first terminals 112 are provided, a plurality of first lead wires 114 are also provided.
  • a conductor layer 180 may be formed on the first lead-out wiring 114.
  • the conductor layer 180 is made of a material having a lower resistance than that of the first lead wiring 114, for example, a metal.
  • the conductor layer 180 may have a multilayer structure.
  • the conductor layer 180 includes, for example, a first conductive layer that is a metal layer such as Mo or Mo alloy, a second conductive layer that is a metal layer such as Al or Al alloy, and a metal layer such as Mo or Mo alloy.
  • the third conductive layer is stacked in this order.
  • the thickness of the second conductive layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 1000 nm. Preferably it is 100 nm or less.
  • the first conductive layer and the third conductive layer are thinner than the second conductive layer, for example, 30 nm or less, preferably 25 nm or less. Note that the conductor layer 180 may or may not cover the first terminal 112.
  • the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region between them.
  • a plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 1).
  • a partition wall 170 which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (the Y direction in FIG. 1). The plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction of the second electrode 130 (X direction in FIG. 1). For this reason, the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 1, ie, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the second lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the second lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the second lead wiring 134 is a wiring for connecting the second electrode 130 to the second terminal 132 and has a conductive layer made of the same material as the first electrode 110. This conductive layer is separated from the first electrode 110. One end side of the second lead wire 134 is located below the opening 154, and the other end side of the second lead wire 134 is drawn to the outside of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the second lead wiring 134 is a second terminal 132.
  • a conductor layer 180 may be formed on the second lead wiring 134. The conductor layer 180 may or may not cover the second terminal 132. In the example shown in this figure, a plurality of second terminals 132 are provided. For this reason, a plurality of second lead wires 134 are also provided.
  • the organic layer 120 is formed.
  • the hole injection layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron injection layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.
  • the insulating layer 150 has the first portion 156 and the second portion 157.
  • the first portion 156 is a portion located between the plurality of light emitting units 140
  • the second portion 157 is a portion located on the first lead wire 114 and a portion located on the second lead wire 134. is there.
  • the film thickness of the first portion 156 is thinner than the film thickness of the second portion 157.
  • the thickness of the 1st part 156 should just be a thickness which can demarcate the light emission part 140.
  • the thickness of the second portion 157 needs to be thick enough to prevent the first lead-out wiring 114 from being short-circuited with other conductors. For this reason, the second portion 157 cannot be less than a certain thickness.
  • the film thickness of the first part 156 is 80% or less of the film thickness of the second part 157, more preferably 50% or less.
  • the film thickness of the 1st part 156 is 100 nm or more and 200 nm or less, for example, and the film thickness of the 2nd part 157 is 500 nm or more, for example, Preferably it is 650 nm or more.
  • (film thickness of the first electrode 110 + film thickness of the conductive layer 180)> film thickness of the second portion 157 is preferable.
  • a step 158 is formed at the boundary between the first portion 156 and the second portion 157.
  • the boundary portion between the first portion 156 and the step 158 may rise smoothly.
  • step difference 158 among the 2nd parts 157 may fall smoothly.
  • the surface constituting the step 158 may be inclined with respect to the substrate 100.
  • the step 158 is positioned so as to surround the plurality of light emitting units 140 (in other words, the openings 152). That is, the opening 152 is formed in the first portion 156 of the insulating layer 150.
  • each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude beyond the opening 152.
  • the organic layer 120 may be formed continuously between adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 6, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.
  • the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 1) intersecting the first direction.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the partition wall 170 is formed on the first portion 156 of the insulating layer 150. However, the end portion of the partition wall 170 may be located on the second portion 157.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively.
  • the partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.
  • a conductive member such as FPC (Flexible Printed Circuit) is connected to the first terminal 112 and the second terminal 132.
  • FPC Flexible Printed Circuit
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are arranged along the same side (first side) of the substrate 100. For this reason, when FPC is used as the conductive member, the first terminal 112 and the second terminal 132 can be connected to one FPC.
  • the light emitting device 10 further has a sealing layer 160.
  • the sealing layer 160 is provided to seal the light emitting unit 140.
  • the sealing layer 160 is formed on the surface of the substrate 100 where the light emitting unit 140 is formed, and covers the light emitting unit 140 and the insulating layer 150.
  • the sealing layer 160 is made of, for example, an insulating material, more specifically, an inorganic material.
  • the thickness of the sealing layer 160 is preferably 300 nm or less.
  • the thickness of the sealing layer 160 is, for example, 50 nm or more.
  • the sealing layer 160 is formed using an ALD (Atomic Layer Deposition) method. By using the ALD method, the step coverage of the sealing layer 160 is increased.
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • the sealing layer 160 may be formed using other film forming methods such as a CVD method or a sputtering method.
  • the sealing layer 160 is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN, and the film thickness is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.
  • the light emitting device 10 may have a sealing member instead of the sealing layer 160.
  • the sealing member may have a shape in which a concave portion is provided on an inorganic plate such as glass or stainless steel, or may have a shape in which a concave portion is formed by pressing an aluminum foil. Then, the sealing member is fixed to the substrate 100 so that the plurality of light emitting units 140 are positioned in the recesses.
  • the first electrode 110, the first terminal 112, the second terminal 132, and the first lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100.
  • a conductive film to be the conductor layer 180 is formed in a region including on the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134.
  • the conductive film is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method. Thereby, the conductor layer 180 is formed.
  • a photosensitive insulating layer to be the insulating layer 150 is formed on the first electrode 110 by using, for example, a coating method.
  • the insulating layer is exposed and developed. Thereby, the insulating layer 150 is formed.
  • the opening 152 and the opening 154 are also formed.
  • the first portion 156, the second portion 157, and the step 158 are exposed by exposing a portion that becomes the first portion 156 of the above-described photosensitive insulating layer with a smaller amount of light than other exposed portions. Is also formed. In order to do this, a portion located above the first portion 156 in the photomask for exposing the photosensitive insulating layer described above may be made thinner than the other portions.
  • step difference 158 is not limited to an above-described method.
  • the first portion 156, the second portion 157, and the step 158 may be formed by repeating the formation, exposure, and development of the photosensitive insulating layer twice.
  • a partition wall 170 is formed on the insulating layer 150.
  • the partition wall 170 is formed, for example, by forming a photosensitive film to be the partition wall 170 by a coating method, and exposing and developing the photosensitive film.
  • the organic layer 120, the second electrode 130, and the sealing layer 160 are formed.
  • the insulating layer 150 defines the light emitting portion 140, when a component that degrades the organic layer 120 is released from the insulating layer 150, the component immediately reaches the organic layer 120 and degrades the organic layer 120.
  • the first portion 156 of the insulating layer 150 is thinner than the second portion 157. For this reason, the volume of the insulating layer 150 is small as compared with the case where the thickness of the first portion 156 is equal to the thickness of the second portion 157. Accordingly, the amount of chemical components released from the insulating layer 150 is reduced. As a result, the organic layer 120 is unlikely to deteriorate.
  • FIG. 7 is a plan view for explaining the configuration of the light emitting device 10 according to the modification, and corresponds to FIG. 2 in the embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the light-emitting device 10 shown in FIG. 7 and corresponds to FIG. 5 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points.
  • the opening 152 of the insulating layer 150 extends in a direction parallel to the partition wall 170 (second direction: x direction in the figure). In other words, a plurality of light emitting portions 140 are formed in one opening 152 in a direction parallel to the partition wall 170. In other words, the insulating layer 150 is not formed between the two light emitting portions 140 adjacent in the direction parallel to the partition wall 170.
  • the organic layers 120 of the adjacent light emitting units 140 are connected to each other in the second direction. However, these organic layers 120 may be separated from each other.
  • the first portion 156 of the insulating layer 150 is thinner than the second portion 157, so that the amount of chemical components released from the insulating layer 150 is reduced. As a result, the organic layer 120 is unlikely to deteriorate. Furthermore, according to this modification, since the insulating layer 150 is not formed between the two light emitting units 140 adjacent in the direction parallel to the partition wall 170, the amount of chemical components released from the insulating layer 150 is further increased. Less. Therefore, the organic layer 120 is not easily deteriorated.

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Abstract

　発光部（１４０）、絶縁層（１５０）、第１端子（１１２）、及び第１引出配線（１１４）は、基板（１００）に形成されている。発光部（１４０）は有機層を有している。絶縁層（１５０）は複数の発光部（１４０）を画定している。第１引出配線（１１４）は発光部（１４０）と第１端子（１１２）とを電気的に接続している。第１引出配線（１１４）の一部は絶縁層（１５０）によって覆われている。そして、絶縁層（１５０）のうち複数の発光部（１４０）の間に位置する第１部分（１５６）の膜厚は、絶縁層（１５０）のうち第１引出配線（１１４）の上に位置する第２部分（１５７）の厚さよりも薄い。

Description

発光装置及び発光装置の製造方法
　本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
　近年は、発光装置などの光源として、有機ＥＬ素子を用いることが増えている。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして有機ＥＬ素子の発光エリアを画定するために、発光装置は絶縁層を有している。一方、有機層は水分などに弱い。
　例えば特許文献１には、有機ＥＬ素子を画定する絶縁膜に有機絶縁膜を用いた場合に、この有機ＥＬ素子に周辺劣化が生じる、と記載されている。さらに特許文献１には、配線の上に有機絶縁膜が形成され、さらにこの有機絶縁膜の上に有機ＥＬ素子の上部電極が形成される場合において、基板側から見た場合において配線と上部電極の間に間隙を形成することにより、この周辺劣化が抑制できる、と記載されている。
　また特許文献２には、有機ＥＬ素子の発光エリアを定義する絶縁膜の上面及び側面を、バリア膜で覆うことにより、この絶縁膜からのアウトガスを抑制することが記載されている。
特開２０１４－７５３５８号公報 特開２００５－３４７２７５号公報
　上記したように、発光部の有機層は、絶縁膜からのアウトガスに起因して劣化することがある。本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、このアウトガスの発生量そのものを少なくすることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、基板と、
　前記基板に形成され、有機層を有する複数の発光部と、
　前記基板に形成され、前記複数の発光部を画定する絶縁層と、
　前記基板に形成された端子と、
　前記基板に形成され、前記端子と前記発光部とを電気的に接続する配線と、
を備え、
　前記配線の少なくとも一部は、前記絶縁層によって覆われており、
　前記絶縁層のうち前記複数の発光部の間に位置する第１部分の膜厚は、前記絶縁層のうち前記配線の上に位置する第２部分の膜厚よりも薄い発光装置である。
　請求項６に記載の発明は、基板に、配線を形成する工程と、
　前記基板に、複数の開口を有する絶縁層を形成するとともに、前記配線の少なくとも一部を前記絶縁層の一部で覆う工程と、
　前記複数の開口のそれぞれの中に、発光部の一部となる有機層を形成する工程と、
を備え、
　前記絶縁層を形成する工程において、前記絶縁層のうち前記複数の開口の間に位置する部分である第１部分の膜厚は、前記絶縁層のうち前記配線の上に位置する部分である第２部分の膜厚よりも薄くする発光装置の製造方法である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１から隔壁、第２電極、及び有機層を取り除いた図である。 図２から絶縁層を取り除いた図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面図である。 図１のＣ－Ｃ断面図である。 変形例に係る発光装置の構成を説明するための平面図である。 図７に示した発光装置の断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は図１から隔壁１７０、第２電極１３０、及び有機層１２０を取り除いた図である。図３は、図２から絶縁層１５０を取り除いた図である。図４は図１のＡ－Ａ断面図であり、図５は図１のＢ－Ｂ断面図であり、図６は図１のＣ－Ｃ断面図である。図１～図３において、説明のため封止層１６０は点線で示されている。
　実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４０、絶縁層１５０、第１端子１１２（端子）、及び第１引出配線１１４（配線）を備える。発光部１４０、絶縁層１５０、第１端子１１２、及び第１引出配線１１４は、基板１００に形成されている。発光部１４０は有機層１２０を有している。絶縁層１５０は複数の発光部１４０を画定している。第１引出配線１１４は発光部１４０と第１端子１１２とを電気的に接続している。第１引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。そして、絶縁層１５０のうち複数の発光部１４０の間に位置する第１部分１５６の膜厚は、絶縁層１５０のうち第１引出配線１１４の上に位置する第２部分１５７の厚さよりも薄い。以下、詳細に説明する。
　本図に示す例において、発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２、複数の第２端子１３２、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の第１引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の第２引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。ただし、発光装置１０は照明装置であってもよい。この場合、発光装置１０は、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４を一つずつ有している場合もある。
　発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
　発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光部１４０は、表示装置の画素ごとに設けられている。
　第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。
　有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
　第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
　なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、発光装置１０がボトムエミッション型の場合である。発光装置１０がトップエミッション型である場合、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料は逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。
　また、第１電極１１０は、第１方向（図１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、第１引出配線１１４に接続している。第１引出配線１１４は、第１電極１１０と同様の材料からなる導電層を有している。この導電層は、第１電極１１０と一体になっている。本図に示す例において、第１引出配線１１４の端部が第１端子１１２になっている。また、第１端子１１２は複数設けられているため、第１引出配線１１４も複数設けられている。
　第１引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は、第１引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１８０は多層構造を有していてもよい。この場合、導体層１８０は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１８０は第１端子１１２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。
　絶縁層１５０は、図１、及び図４～図６に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
　開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、第２引出配線１３４の一部分が露出している。そして、第２引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　第２引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる導電層を有している。この導電層は第１電極１１０から分離している。第２引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、第２引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、第２引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして第２引出配線１３４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は第２端子１３２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。なお、本図に示す例において、第２端子１３２は複数設けられている。このため、第２引出配線１３４も複数設けられている。
　開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
　そして、上記したように、絶縁層１５０は第１部分１５６及び第２部分１５７を有している。第１部分１５６は、複数の発光部１４０の間に位置する部分であり、第２部分１５７は、第１引出配線１１４の上に位置する部分及び第２引出配線１３４の上に位置する部分である。第１部分１５６の膜厚は、第２部分１５７の膜厚よりも薄い。第１部分１５６の厚さは、発光部１４０を画定できる程度の厚さであればよい。また、第２部分１５７の厚さは、第１引出配線１１４が他の導体とショートすることを抑制できる程度の厚さが必要である。このため、第２部分１５７を一定の厚さ未満にすることはできない。
　例えば第１部分１５６の膜厚は、第２部分１５７の膜厚の８０％以下であり、さらに好ましくは５０％以下である。また、第１部分１５６の膜厚は、例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、第２部分１５７の膜厚は、例えば５００ｎｍ以上、好ましくは６５０ｎｍ以上である。また、（有機層１２０の膜厚＋第１部分１５６の膜厚）／２＞第１電極１１０の膜厚であるのが好ましい。また、（第１電極１１０の膜厚＋導電層１８０の膜厚）＞第２部分１５７の膜厚であるのが好ましい。
　そして、第１部分１５６と第２部分１５７の境目には段差１５８が形成されている。なお、断面視において、第１部分１５６のうち段差１５８との境界部分は滑らかに上がっていってもよい。また、第２部分１５７のうち段差１５８との境界部分は滑らかに下がっていってもよい。また、段差１５８を構成する面は、基板１００に対して傾斜していてもよい。なお、図１、図２、及び図４に示す例において、段差１５８は、複数の発光部１４０（言い換えると開口１５２）を囲むように位置している。すなわち開口１５２は、絶縁層１５０の第１部分１５６に形成されている。
　なお、図４及び図５に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図６に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
　第２電極１３０は、図１～図５に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０は、絶縁層１５０の第１部分１５６の上に形成されている。ただし、隔壁１７０の端部は、第２部分１５７の上に位置していてもよい。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
　また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの導通部材が接続される。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺（第１辺）に沿って配置されている。このため、導通部材としてＦＰＣを用いた場合、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣに接続することができる。
　発光装置１０は、さらに封止層１６０を有している。封止層１６０は発光部１４０を封止するために設けられている。封止層１６０は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０及び絶縁層１５０を被覆している。封止層１６０は、例えば絶縁材料、さらに具体的には無機材料によって形成されている。また、封止層１６０の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止層１６０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止層１６０は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法を用いることにより、封止層１６０の段差被覆性は高くなる。ただし封止層１６０は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止層１６０は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　なお、発光装置１０は、封止層１６０の代わりに封止部材を有していてもよい。この場合、封止部材は、ガラスやステンレスなどの無機板に凹部を設けた形状であってもよいし、アルミ箔をプレスして凹部を形成した形状であってもよい。そして複数の発光部１４０がこの凹部内に位置するように、封止部材は基板１００に固定される。
　次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、及び第１引出配線１１４，１３４を形成する。
　次いで、第１引出配線１１４上及び第２引出配線１３４上を含む領域に、導体層１８０となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１８０が形成される。
　次いで、第１電極１１０上に、絶縁層１５０となる感光性の絶縁層を、例えば塗布法を用いて形成する。次いで、この絶縁層を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０は形成される。この際、開口１５２及び開口１５４も形成される。
　ここで、上記した感光性の絶縁層のうち第１部分１５６となる部分を、他の露光される部分よりも少ない光量で露光することにより、第１部分１５６、第２部分１５７、及び段差１５８も形成される。このようにするためには、上記した感光性の絶縁層を露光するときのフォトマスクのうち第１部分１５６の上方に位置する部分を、他の部分と比較して薄くすればよい。
　なお、第１部分１５６、第２部分１５７、及び段差１５８の形成方法は、上記した方法に限定されない。例えば、感光性の絶縁層の形成、露光、及び現像を２回繰り返すことにより、第１部分１５６、第２部分１５７、及び段差１５８を形成してもよい。
　次いで、絶縁層１５０の上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０は、例えば隔壁１７０となる感光膜を塗布法により形成し、この感光膜を露光及び現像することにより、形成される。次いで、有機層１２０、第２電極１３０、及び封止層１６０を形成する。
　絶縁層１５０は発光部１４０を画定しているため、絶縁層１５０から有機層１２０を劣化させる成分が放出されると、その成分はすぐに有機層１２０に到達し、有機層１２０を劣化させる。これに対して本実施形態では、絶縁層１５０のうち第１部分１５６は、第２部分１５７と比較して薄くなっている。このため、第１部分１５６の厚さが第２部分１５７の厚さと等しい場合と比較して、絶縁層１５０の体積は少ない。従って、絶縁層１５０から放出される化学成分の量は少なくなる。この結果、有機層１２０は劣化しにくくなる。
（変形例）
　図７は、変形例に係る発光装置１０の構成を説明するための平面図であり、実施形態における図２に対応している。図８は、図７に示した発光装置１０の断面図であり、実施形態における図５に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
　絶縁層１５０の開口１５２は、隔壁１７０と平行な方向（第２の方向：図中ｘ方向）に延在している。言い換えると、隔壁１７０と平行な方向において、一つの開口１５２の中には複数の発光部１４０が形成される。さらに別の言い方をすれば、隔壁１７０と平行な方向に隣り合う２つの発光部１４０の間には、絶縁層１５０は形成されていない。
　なお、図８に示す例において、第２の方向において、隣り合う発光部１４０の有機層１２０は互いに繋がっている。ただし、これらの有機層１２０は互いに分離していてもよい。
　本変形例によっても、絶縁層１５０の第１部分１５６は第２部分１５７と比較して薄くなっているため、絶縁層１５０から放出される化学成分の量は少なくなる。この結果、有機層１２０は劣化しにくくなる。さらに本変形例によれば、隔壁１７０と平行な方向に隣り合う２つの発光部１４０の間には、絶縁層１５０は形成されていないため、絶縁層１５０から放出される化学成分の量はさらに少なくなる。従って、有機層１２０はさらに劣化しにくい。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (6)

  1. 　基板と、
    　前記基板に形成され、有機層を有する複数の発光部と、
    　前記基板に形成され、前記複数の発光部を画定する絶縁層と、
    　前記基板に形成された端子と、
    　前記基板に形成され、前記端子と前記発光部とを電気的に接続する配線と、
    を備え、
    　前記配線の少なくとも一部は、前記絶縁層によって覆われており、
    　前記絶縁層のうち前記複数の発光部の間に位置する第１部分の膜厚は、前記絶縁層のうち前記配線の上に位置する第２部分の膜厚よりも薄い発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記第１部分の膜厚は、前記第２部分の膜厚の８０％以下である発光装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の発光装置において、
    　前記絶縁層及び前記発光部を被覆する封止層を備える発光装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記絶縁層は、前記第１部分と前記第２部分の間に段差を有している発光装置。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記複数の発光部は、第１の方向に並んで配置されるとともに、前記第１の方向に交わる第２の方向にも並んで配置されており、
    　さらに、前記複数の発光部の間を前記第２の方向に延在し、前記絶縁層の上に位置する隔壁を備え、
    　前記絶縁層の前記第１部分は、前記絶縁層のうち前記隔壁の下に位置する部分であり、
    　前記第２の方向において前記複数の発光部の間に位置する部分には前記絶縁層が形成されていない発光装置。
  6. 　基板に、配線を形成する工程と、
    　前記基板に、複数の開口を有する絶縁層を形成するとともに、前記配線の少なくとも一部を前記絶縁層の一部で覆う工程と、
    　前記複数の開口のそれぞれの中に、発光部の一部となる有機層を形成する工程と、
    を備え、
    　前記絶縁層を形成する工程において、前記絶縁層のうち前記複数の開口の間に位置する部分である第１部分の膜厚は、前記絶縁層のうち前記配線の上に位置する部分である第２部分の膜厚よりも薄くする発光装置の製造方法。
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