WO2016068460A1 - 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

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류동완
유은선
이한일
정호국
조영경
류진현
민수현
오재진
정성현
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Definitions

  • An organic optoelectronic device and a display device An organic optoelectronic device and a display device.
  • An organic optoelectric diode is a device capable of converting electrical energy and light energy.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is an optoelectronic device in which an exciton formed by light energy is separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to other electrodes, respectively, to generate electrical energy.
  • It is a light emitting device that generates light energy from electrical energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photo conductor drum.
  • organic light emitting diodes have recently attracted much attention as demand for flat panel displays increases.
  • the organic light emitting device converts electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting device has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode.
  • the present invention is to provide a long-life blue organic light emitting device to solve this problem.
  • One embodiment provides an organic optoelectronic device capable of realizing high efficiency characteristics.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • an anode and a cathode facing each other, the anode and the A light emitting layer located between the cathode, a hole transport layer located between the anode and the light emitting layer, and a light transport layer located between the hole transport layer and the light emitting layer
  • a hole transport auxiliary layer wherein the light emitting layer comprises at least one first compound represented by the following formula (1) and at least one second compound represented by the following formula (2), wherein the hole transport auxiliary layer is An organic optoelectronic device comprising at least one third compound represented by three is provided.
  • Z is independently N or CR a ,
  • At least one of Z is N,
  • R 1 to R 10 and R a are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, or a combination thereof, and L 1 is substituted or unsubstituted A phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, or a substituted or unsubstituted terphenylene group,
  • nl to n3 are each independently 0 or 1
  • Chemical Formula 2 ⁇ 'and ⁇ 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,
  • Ar la and Ar lb are substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
  • R 1 1 to R 16 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to
  • L 2 to L 7 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted heteroarylene group, or a combination thereof,
  • n4 to n9 are each independently an integer of any one of 0 to 3,
  • R 17 to R 22 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or Unsubstituted C3 to C20 cycloalkoxy group : substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthio group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aralkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6 To C30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthio group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 amino group, substituted or unsubstituted C3 to C30 si
  • R 17 to R 22 are each independently present, or R 17 and R I 8 , R 19 and R 20 , and R 2 ′ and R 22 are connected to each other to form a fused ring, "Substituted" of the formula 1 to 3 is at least one hydrogen is deuterium, halogen, hydroxy group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C1 to C40 silyl group, C1 To C30 alkyl group, C3 to C30
  • a cycloalkyl group a C2 to C30 heterocycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C2 to C30 heteroaryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a C1 to C10 trifluoroalkyl group or a cyano group.
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • 1 and 2 are cross-sectional views schematically illustrating an organic optoelectronic device according to an embodiment.
  • organic layer 31 hole transport layer
  • substituted means that at least one hydrogen in a substituent or compound is a deuterium, halogen group, hydroxy group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C2 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy Mean substituted by a C1 to C10 trifluoroalkyl group or a cyano group, such as a group and a trifluoromethyl group.
  • C1 to C10 trifluoroalkyl groups or cyano groups such as a heterocycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C2 to C30 heteroaryl group, a C1 to C20 alkoxy group, and a trifluoromethyl group, are fused to form a ring You may.
  • the substituted C6 to C30 aryl group can be fused to another adjacent substituted C6 to C30 aryl group to form a substituted or unsubstituted fluorene ring.
  • hetero means containing 1 to 3 heteroatoms selected from the group consisting of ⁇ , ⁇ , S, P and Si in one functional group, and the remainder being carbon. do.
  • alkyl group is aliphatic.
  • the alkyl group may be a "saturated alkyl group" that does not contain any double or triple bonds.
  • the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C30. More specifically, the alkyl group
  • a C1 to C4 alkyl group means that the alkyl chain contains 1 to 4 carbon atoms, with methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, ⁇ -butyl, iso-butyl, sec-butyl and t-butyl Selected from the group consisting of:
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, nucleosil group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclonucleus It means practical skill ⁇
  • aryl group 'means a substituent in which all elements of the cyclic substituent have a p-orbital, and these P-orbitals form a conjugated (monocyclic), monocyclic, polycyclic Or fused ring polycyclic (ie, rings having adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
  • a heterocyclic group is a hetero group selected from the group consisting of ⁇ , O, S, P, and Si in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof. Containing at least one atom, and the remainder being carbon, if said heterocyclic group is a fused ring, said heterocyclic group It may contain one or more heteroatoms for all or each ring.
  • the heterocyclic group is a higher concept encompassing the heteroaryl group.
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl group, substituted or unsubstituted
  • Phenanthryl groups substituted or unsubstituted naphthacenyl groups, substituted or unsubstituted pyrenyl groups, substituted or unsubstituted biphenyl groups, substituted or unsubstituted P-terphenyl groups, substituted or unsubstituted m-terphenyl groups, substituted Or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted
  • Triphenylenyl group substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted indenyl group, substituted or unsubstituted furanyl group, substituted or unsubstituted thiophenyl group, substituted or unsubstituted pyryl group, substituted or unsubstituted A substituted pyrazolyl group, a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted triazolyl group, a substituted or unsubstituted oxazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted oxadiazole Diary, Substituted or Unsubstituted
  • Thiadiazolyl group substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, Substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted indolyl group, substituted or unsubstituted quinolinyl group, substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, substituted or unsubstituted Quinazolinyl group, substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, substituted or unsubstituted benzoxazinyl group, substituted or unsub
  • a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, a combination thereof, or a combination thereof may be in a fused form, but is not limited thereto.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and injecting holes formed at the anode into the light emitting layer having conductive properties along the HOMO level, and emitting layer. It refers to a property that facilitates the movement of the hole formed in the anode and movement in the light emitting layer.
  • the electronic characteristic is a characteristic that can receive electrons when an electric field is applied.
  • it means a characteristic that has conductivity characteristics along the LUMO level to facilitate injection of electrons formed in the cathode into the light emitting layer, movement of electrons formed in the light emitting layer to the cathode, and movement in the light emitting layer.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as the device can switch electrical energy and light energy, and examples thereof include organic photoelectric devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photosensitive drums.
  • an organic light emitting device which is an example of an organic optoelectronic device, is illustrated.
  • the present invention is not limited thereto and may be equally applied to other organic optoelectronic devices.
  • an organic optoelectronic device according to an embodiment is disposed between an anode 10 and a cathode 20 facing each other, and between the anode 10 and the cathode 2.0.
  • the organic layer 30 is contained.
  • the anode 10 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 10 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, crumb, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( ⁇ ),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO and A1 or Sn02 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene) (polyehtylenedioxythiophene: PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like. It is not limited.
  • the cathode 20 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example. Can be.
  • the cathode 20 is, for example, a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or an alloy thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al, Li02 / Al, LiF / Ca, LiF / AI, and BaF2 / Ca, but are not limited thereto.
  • the organic layer 30 includes a hole transport layer 31, a light emitting layer 32, and a hole transport auxiliary layer 33 positioned between the hole transport layer 31 and the light emitting layer 32.
  • the organic layer 30 may further include a hole injection layer 37 between the hole transport layer 31 and the anode 10, and between the electron transport layer 34 and the cathode 20.
  • the electron injection layer 36 may be further included.
  • the hole injection layer 37 laminated between the hole transporting worm 31 and the anode 10 not only improves the interfacial properties between ⁇ used as the anode and the organic material used as the hole transporting layer 31, but also the surface thereof. It is applied on top of uneven ITO to soften the surface of ITO.
  • the hole injection layer 37 is used to determine the work function level of ITO and the HOMO level of the hole transport layer 31 in order to control the difference between the work function level of ITO and the HOMO level of the hole transport layer 31 which can be used as an anode.
  • a material having a median value a material having a particularly suitable conductivity is selected.
  • phenylamino] biphenyl DNTPD
  • HAT-CN hexaazatriphenylene-hexacarbonitirile
  • PEDOT poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrnesulfonate)
  • the hole injection layer 37 may be coated on top of ITO used as an anode, for example, at a thickness of 10 to 300 A.
  • the electron injection layer 36 is a layer that is stacked on top of the electron transport layer to facilitate electron injection from the cathode and ultimately improves power efficiency, and may be used without particular limitation as long as it is commonly used in the art.
  • materials such as LiF, Liq, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, and the like may be used.
  • a hole transport layer 31 is not a layer for easily ⁇ a hole transport to the light emitting layer 32 from the anode 10, for example, be an amine compound, but is not limited thereto.
  • the amine compound may include, for example, at least one aryl group and / or heteroaryl group.
  • the amine compound may be represented by, for example, the following Chemical Formula a or Chemical Formula b, but is not limited thereto.
  • Ar a to Ar g are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof ego,
  • At least one of Ar a to Ar c and at least one of Ar d to Ar 2 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
  • Ar h is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof.
  • the electron transport layer 34 is a layer for facilitating electron transfer from the cathode 20 to the light emitting layer 32.
  • the electron transport layer 34 is an organic compound having an electron withdrawing group, and a metal compound that can easily accept electrons. Or combinations thereof may be used.
  • Alq 3 aluminum trihydroxyquinoline (Alq 3 ), 2- (4-biphenylyl-5-phenyl-1,3,4-oxadia, which is a 1,3,4-oxadiazole derivative Sol ( 2- ( 4 -biphenylyl) -5 -phenyl-, 4 -oxadiazole, PBD), the quinoxaline derivative I, 3 , 4 -tris [(3-phenyl-6-trifluoromethyl) quinoxaline-2 -Yl] benzene (1,3,4-tris [(3-penyl-6- trifluoromethyl) quino-xaline-2-yl] benzene, TPQ), triazole derivatives and triazine derivatives 8- (4- (4- (naphthalen-2-yl) -6- (naphthalen-3-yl) -1 , 3,5-triazin-2-yl) phenyl) quinoline (8-
  • an organometallic compound represented by the following Chemical Formula c may be used alone or in combination with the electron transport layer material.
  • ' ⁇ is any portion selected from C, N, 0 and S is directly bonded to the M to form a single bond, and any one selected from c , N , o and s to M
  • a ligand comprising a coordinating moiety and a chelated ligand by coordination with the single bond
  • M is an alkali metal, alkaline earth metal, aluminum (A1) or boron (B) atom, and OA is a monovalent ligand capable of single bond or coordination with M,
  • A is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon group having 2 to 20 carbon atoms
  • ⁇ is one metal selected from alkali metals
  • 'Substituted' in the 'substituted or unsubstituted' is deuterium, cyano group, halogen group, hydroxy group, nitro group, alkyl group, alkoxy group, alkylamino group, arylamino group, hetero It is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of arylamino group, alkylsilyl group, arylsilyl group, aryloxy group, aryl group, heteroaryl group, germanium, phosphorus and boron— ⁇
  • Y is the same as or different from each other, and independently from each other may be any one selected from the following formula cl to formula c39, but is not limited thereto.
  • Formula cl] [Formula c2] [Formula c3] [Formula c4] [Formula c5]
  • R is the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 hetero Aryl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylamino group, substituted or unsubstituted Selected from a substituted C1 to C30 alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamino group, and a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylsilyl group, and connected to an adjacent substituent with al
  • the light emitting layer 32 is an organic layer having a light emitting function.
  • the light emitting layer 32 includes a host and a dopant.
  • the host mainly has a function of promoting recombination of electrons and holes and confining excitons in the light emitting layer, and the dopant has a function of efficiently emitting excitons obtained by recombination.
  • the light emitting layer can include known hosts and dopants.
  • the light emitting layer 32 includes at least two kinds of hosts and dopants, and the host has a bipolar characteristic having a relatively strong electronic property and a bipolar characteristic having a relatively strong hole characteristic. And a second compound.
  • the compound 1 is a compound having a bipolar (bipolar) properties having a relatively strong electronic properties, it can be represented by the formula (1). [Formula 1]
  • Z is independently N or CR a ,
  • At least one of Z is N,
  • R 1 to R 10 and R a are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, or a combination thereof, and L 1 is substituted or unsubstituted A phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, or a substituted or unsubstituted terphenylene group,
  • nl to n3 are each independently 0 or 1, and nl + n2 + n3 ⁇ l.
  • the 6-membered ring substituted with the triphenylene group refers to all 6-membered rings directly or indirectly linked to the triphenylene group, and includes 6-membered rings composed of carbon atoms, nitrogen atoms, or a combination thereof.
  • the first compound may be represented by, for example, the following Chemical Formula 1-I or Chemical Formula 1- ⁇ depending on the bonding position of the triphenylene group.
  • At least two or more of Z in the hexagonal ring including Z that is not designated as n2 and n3 in the formula 1, 1-1 and 1- ⁇ may be "N". That is, in the formula 1, 1-1 and 1- ⁇ hexagon ring containing Z not designated as n2 and n3 is It may be a pyrimidinylene group or a triazinylene group.
  • the C1 compound comprises a triphenylene group and at least one nitrogen-containing heteroaryl group.
  • the C1 compound may have a structure in which electrons are easily received when an electric field is applied by including a ring containing at least one nitrogen, thereby lowering a driving voltage of an organic optoelectronic device to which the first compound is applied.
  • the first compound includes a triphenylene structure that is easy to receive holes and a nitrogen-containing ring portion that is easy to accept electrons, thereby forming a bipolar structure to properly balance the flow of holes and electrons.
  • the efficiency of the organic optoelectronic device to which the first compound is applied can be improved.
  • the compound of Formula 1 represented by Formula 1 has at least one kink structure around an arylene group and / or a heteroarylene group.
  • the fold structure refers to a structure in which two connecting portions of an arylene group and / or a heteroarylene group do not form a straight structure.
  • a structure in which two connecting portions of an arylene group and / or a heteroarylene group do not form a straight structure For example, in the case of phenylene, para-phenylene (p-), in which the linking moieties, o-phenylene and meta-phenylene (m-phenylene), which do not form a straight structure, have the above bending structure, and the linking moieties form a straight structure, phenylene) does not have this bending structure.
  • the bending structure is a linking group (L) and / or
  • It may be formed around the arylene group / hetero arylene group.
  • an arylene group / heteroarylene group may be formed to be fold-by-centre, for example, a compound represented by the following formula la or lb have.
  • L 1 when nl of Formula 1 is 1, it is bent around the linking group (L 1 ).
  • a structure may be formed, and for example, L 1 may be a substituted or unsubstituted phenylene group having a folding structure, a substituted or unsubstituted biphenylene group having a folding structure, or a substituted or unsubstituted terphenylene group having a folding structure.
  • L 1 may be, for example, one selected from substituted or unsubstituted groups listed in Group 1 below.
  • substituted means that at least one hydrogen is deuterium, halogen, C1 to C20 alkyl group,
  • C3 to C20 cycloalkyl group C1 to C20 alkoxy group, C3 to C20 cycloalkoxy group, C1 to C20 alkylthio group, C6 to C30 aralkyl group, C6 to C30 aryl group, C6 to C30 aryloxy group, C6 to C30 arylti Or substituted with a C2 to C30 heteroaryl group, a C2 to C30 amino group, a C3 to C30 silyl group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, or a carboxyl group.
  • the first compound may preferably have at least two folding structures, for example, may have two to four folding structures.
  • the compound 1 may improve the efficiency of the organic optoelectronic device to which the composition is applied by appropriately localizing the charge and effectively controlling the flow of the conjugated system by having the above-described bending structure.
  • the compound 1 may be represented by, for example, any one of Formulas lc to It.
  • R 60 to R 77 each independently represent hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted group A substituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C6 to C30
  • Heteroarylamine groups substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy groups, halogen groups, halogen-containing groups, cyano groups, hydroxyl groups, amino groups, nitro groups, carboxyl groups, ferrocenyl groups or combinations thereof.
  • the compound 1 may be, for example, a compound listed in Group 2, but is not limited thereto.
  • One kind or two or more kinds of the first compound may be used.
  • the second compound may be represented by, for example, the following Chemical Formula 2.
  • Y 1 and Y 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,
  • Ar la and Ar lb are substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl groups, or a combination thereof
  • R ′′ to R 16 are each independently hydrogen, hydrogen, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C50 heteroaryl group, or a combination thereof to be.
  • Compound represented by Formula 2 has a relatively strong hole characteristics
  • the compound As a compound having a bipolar property, the compound is used in the light emitting layer together with the compound 1 to significantly improve the light emission efficiency and lifespan by increasing the mobility of charge and increasing stability.
  • the second compound may be represented by at least one of, for example, the following Chemical Formula 2- 1 to Chemical Formula 2-below depending on the binding position of bicarbazole.
  • the Crab 2 compound is a structure in which two carbazolyl groups having a substituent are connected.
  • Ar la and Ar lb of the second compound is a substituent having a hole or electronic properties, each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted
  • Biphenyl group substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted Benzothiophenyl groups, substituted or unsubstituted
  • Fluorenyl group substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or It may be an unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a combination thereof.
  • the Crab 2 compound may be represented by at least one of, for example, the following Chemical Formula 2-K to Chemical Formula 2-XI according to the properties of Ar la and Ar lb.
  • ET, ET1, and ET2 are each independently a substituent having electronic properties, and ⁇ , ⁇ and ⁇ 2 are each independently substituents having hole characteristics.
  • the substituents “ ⁇ ”, “ ⁇ and ⁇ 2” having electronic properties among Ar , a and Ar lb may be substituents represented by the following Chemical Formula A, for example.
  • Z are each independently N or CR d ,
  • A1 and A2 and R d are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
  • At least one of ⁇ , ⁇ and ⁇ 2 comprises ⁇
  • a and b are each independently 0 or 1.
  • the substituent represented by Formula A may be, for example, one of the functional groups listed in Group 3 below.
  • substituents' ⁇ '' ⁇ and ' ⁇ 2' having hole characteristics among Ar la and Ar lb of the second compound may be, for example, one of the functional groups listed in Group 4 below.
  • the C2 compound may be selected from, for example, the compounds listed in Group 5, but is not limited thereto.
  • One or two or more kinds of the Crab 2 compound may be used.
  • the Crab 1 compound and the second compound may be included at the same time as a host, at least one of the Crab 1 compounds represented by Formulas 1-1 and 1- ⁇ ; And at least one of the second compounds represented by Chemical Formulas 2-K to 2-X I. More specifically, the compound of Formula 1-1 represented by Chemical Formula 1-1 and the compound 2 represented by Chemical Formula 2-X I may be included.
  • first compound and the second compound may be included, for example, in a weight ratio of about 1:10 to 10: 1, and specifically, 2: 8 to 8: 2,3: 7 to 7: 3,4: 6 to 6 Can be included in increments of: 4 and 5: 5.
  • bipolar properties can be more effectively implemented to improve efficiency and life at the same time.
  • the light emitting layer 32 is one or more kinds other than the first compound and the second compound described above as a host. It may further comprise a compound.
  • the light emitting layer 32 may further include a dopant.
  • the dopant is a substance that is lightly mixed with the host to cause light emission, and is generally above the triplet state.
  • the dopant may be, for example, an inorganic, organic, or inorganic compound, and may be included in one kind or two or more kinds.
  • the dopant may be a red, green or blue dopant, for example a phosphorescent dopant.
  • a phosphorescent dopant examples include an organometallic compound including Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co : Ni, Ru, Rh, Pd, or a combination thereof.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, a compound represented by Chemical Formula Z, but is not limited thereto.
  • ⁇ is a metal
  • L and X are the same or different from each other and a ligand forming a complex with ⁇ .
  • the ⁇ can be for example Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd or combinations thereof, wherein L and X are for example bidentate It may be a ligand.
  • the hole transport auxiliary layer 33 contains compound 13 having a relatively good hole property.
  • the hole transport auxiliary layer 33 includes the third compound, thereby reducing the difference in the HOMO energy level between the hole transport layer 31 and the light emitting layer 32, thereby adjusting the hole injection characteristics to adjust the hole transport auxiliary layer 33 and Extinction is reduced by the accumulation of holes at the interface of the light emitting layer 32 so that the axtone due to polaron at the interface disappears
  • the quenching can be reduced. Accordingly, deterioration of the device may be reduced and the device may be stabilized to improve efficiency and lifespan.
  • the crab compound 3 may be a compound represented by Formula 3 below. 3]
  • L 2 to L 7 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted heteroarylene group, or a combination thereof,
  • n4 to n9 are each independently an integer of any one of 0 to 3,
  • R 17 to R 22 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or Unsubstituted C3 to C20 cycloalkoxy group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthio group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aralkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthio group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 amino group, substituted or unsubstituted C3 to C30 silyl
  • R 17 to R 22 may be each independently, or R 17 and R 18 , R 19 and R 20 , and R 21 and R 22 may be linked to each other to form a fused ring.
  • the third compound may be represented by, for example, the following Formula 3- 1 to Formula 3- ⁇ depending on whether the substituents R 17 to R 22 are fused.
  • L 2 to L 7 , n 4 to n 9 , and R 17 to R 22 are the same as described above.
  • the third compound may be, for example, at least one of Chemical Formulas 3a to 3k.
  • R 17 to R 22 , L 2 to L 7 , and n4 to n9 are the same as described above.
  • X 1 to X 3 are each independently 0, S, or CR b R c ,
  • X 3 are each independently 0 or S
  • R 23 , R 24 , R b , and R c are each independently hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 To C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthio group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aralkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group , Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthio group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 amino group,
  • R 17 to R 22 of Formula 3 are specifically, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrylene group, a substituted or unsubstituted Substituted biphenyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted or unsubstituted m-terphenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted furanyl group, substituted or unsubstituted thiophenyl group, Substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted
  • Fluorenyl group substituted or unsubstituted carbazolyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, a combination thereof,
  • substituted or unsubstituted phenyl group substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrylene group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted or unsubstituted m-terphenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted di Benzothiophenyl groups, and combinations thereof.
  • Ar 2 to ⁇ ⁇ 7 is specifically, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted
  • a quarterphenyl group a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substitution .
  • L 2 to L 7 may be specifically, a phenylenyl group, a biphenylenyl group, a naphthalenyl group, or a combination thereof,
  • substituted means that at least one hydrogen is deuterium, halogen, hydroxy, amino, substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C3 To C30 cycloalkyl group, C2 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, C1 to C10 trifluoroalkyl group or cyano group.
  • the third compound may be selected from, for example, a compound listed in Group 7, but is not limited thereto.
  • An organic optoelectronic device is a light emitting layer comprising a first compound having a strong electronic properties and a second compound having a strong hole properties at the same time, and
  • the hole transport auxiliary layer including a third compound having a good hole transport property that can adjust the hole injection characteristics can be included at the same time.
  • the accumulation of holes at the interface between the hole transport auxiliary layer 33 and the light emitting layer 32 can be reduced, thereby reducing quenching in which axtone due to polaron disappears at the interface. . Accordingly, deterioration of the device may be reduced and the device may be stabilized to improve efficiency and lifespan.
  • a light emitting layer comprising at least one of the first compound represented by Formula 1-1 or Formula 1- ⁇ , and at least one of the second compound represented by Formula 2-K to 2-X I, and
  • At least one of the third compounds represented by Chemical Formulas 3-1 to 3- ⁇ may be used together with a hole transport auxiliary layer containing a compound represented by Chemical Formula 3-1.
  • the light emitting layer includes a first compound represented by Chemical Formula 1-1, and a second compound represented by Chemical Formula 2-X I,
  • the hole transport auxiliary layer may be an organic optoelectronic device including a compound 3 represented by the following Chemical Formula 3-1.
  • the light emitting layer comprising at least one of the first compound represented by Formula 1 C to It, and at least one of the second compound represented by Formula 2-K to Formula 2-XI, and Formula 3a to Formula 3h
  • a hole transport auxiliary layer containing at least one of the third compound represented by may be used together.
  • a hole transport auxiliary layer containing one can be used together.
  • the light emitting layer includes a compound represented by Chemical Formula 1-1, and a second compound represented by Chemical Formula 2-X I,
  • Formula 3-1 which is a hole transport auxiliary layer, may be an organic optoelectronic device including at least one of the third compounds represented by Formulas 3a to 3e.
  • At least one of the first compound represented by Chemical Formula l h, the second compound represented by Chemical Formula 2-X I, and the three compounds represented by Chemical Formula 3a and Chemical Formula 3b may be used together.
  • the hole transport auxiliary layer 35 may be applied on the hole transport layer in a thickness of 0.1 nm to 20.0 nm by a deposition or inkjet process, for example, 0.2 nm to 100 nm, 0.3 nm to 5 nm, 0.3 nm to 2 nm, and 0.4 nm. To a thickness of 1.0 nm or the like.
  • the organic layer 30 may further include an electron transport layer 34.
  • the electron transport layer 34 is a layer for facilitating electron transfer from the cathode 20 to the light emitting layer 32, and may be omitted in some cases.
  • the organic layer 30 may optionally include a hole injection layer (not shown) located between the anode 10 and the hole transport layer 31 and / or an electron injection layer located between the cathode 20 and the electron transport layer 34 ( Not shown).
  • a hole injection layer (not shown) located between the anode 10 and the hole transport layer 31 and / or an electron injection layer located between the cathode 20 and the electron transport layer 34 ( Not shown).
  • the organic light emitting diode described above may be applied to an organic light emitting diode display.
  • 9-phenyl-9H-carbazol-3-yl boronic acid (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl boronic acid, -TCI) 10 g (34.83 mmol), 3-bromo-9-phenylcarbazole ( 3-bromo-9-phenylcarbazole, Aldrich), 1 1.77 g (38.31 mmol) and 14.44 g (104.49 mmol) potassium carbonate, tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0) 0.80 g (0.7 mmmol) was suspended in 140 ml of toluene and 50 ml of distilled water, followed by stirring under reflux for 12 hours.
  • Glass substrates coated with ⁇ (Indium tin oxide) to a thickness of 1500A were washed by distilled water ultrasonically. After washing the distilled water, ultrasonic cleaning with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol, etc., dried and transferred to a plasma cleaner and oxygen
  • the substrate was washed for 10 minutes using plasma, and the substrate was transferred to a vacuum laminator.
  • ⁇ 4, ⁇ 4'-diphenyl- ⁇ 4, ⁇ 4'-bis (9-phenyl-9 ⁇ -carbazol-3-yl) biphenyl-4,4'- on the ⁇ substrate using the prepared ⁇ transparent electrode as the anode Diamine ( ⁇ 4, ⁇ 4'-diphenyl-N4, .N4'-bis (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) ⁇ A) was vacuum deposited to form a hole injection layer having a thickness of 700 A and the hole injection layer At the top
  • Compound E-16 obtained in 32 was vacuum deposited to form a hole transport auxiliary layer having a thickness of 50 A. Then, compound A-33 obtained in Synthesis Example 8 and compound B- obtained in Synthesis Example 1 1 were formed on the hole transport auxiliary layer. 43 was used simultaneously as a host and doped with tris (4-methyl-2,5-diphenylpyridine) iridium ( ⁇ ) (Compound D) to 7wt 0 /. With a dopant to form a 400 A thick emitting layer by vacuum deposition. . Here Compound A-33 and Compound B-43 were used in a 4: 6 weight ratio.
  • Example 3 An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound E-7 obtained in Synthesis Example 33 instead of the compound E-16 for the hole transport auxiliary layer.
  • Example 3 An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound E-7 obtained in Synthesis Example 33 instead of the compound E-16 for the hole transport auxiliary layer.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound F-136 obtained in Synthesis Example 36 instead of the compound E-16 for the hole transport auxiliary layer. Comparative Example 1
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound C was deposited to have a thickness of 1020 A as a hole transport layer, without forming a hole transport auxiliary layer. evaluation
  • the current value flowing through the unit device was measured by using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0V to 10V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
  • the luminance was measured using a luminance meter (Minolta Cs-I OOOA) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • the width of the efficiency was calculated as 0 / ° by calculating with (Max value-numerical value at 6000 cd / m 2 / Max value).

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Abstract

서로 마주하는 애노드와 캐소드, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층, 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송층, 그리고 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송보조층을 포함하고, 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표현되는 적어도 1종의 제 1 화합물과 하기 화학식 2로 표현되는 적어도 1종의 제 2 화합물올 포함하고, 상기 정공수송보조층은 하기 화학식 3으로 표현되는 적어도 1종의 제 3 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. 화학식 1 내지 3은 명세서에 기재한 바와 같다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자 소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 액시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목 받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다.
장수명 풀 칼라 디스플레이의 가장 큰 문제가 되고 있는 요소 중의 하나는 청색유기발광소자의 수명이다. 따라서 장수명 청색유기발광소자의 개발올 위해 많은 연구가 진행되고 있는 중이다. 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 장수명 청색유기발광소자를 제공하고자 한다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
일 구현예는 고효율 특성을 구현할 수 있는 유기 광전자 소자를 제공한다. 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다ᅳ 【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면, 서로 마주하는 .애노드와 캐소드， 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층, 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송층, 그리고 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는
정공수송보조층을 포함하고, 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표현되는 적어도 1종의 제 1 화합물과 하기 화학식 2로 표현되는 적어도 1종의 제 2 화합물을 포함하고, 상기 정공수송보조층은 하기 화학식 3으로 표현되는 적어도 1종의 제 3 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 1에서, ,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고，
Z 중 적어도 하나는 N 이고,
R1 내지 R10 및 Ra는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고, L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
nl+n2+n3>l 이고，
Figure imgf000004_0002
상기 화학식 2에서 γ' 및 γ 2는 각각 독립적으로， 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
Arla 및 Arlb은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
R1 1 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20 알킬기， 치환 또는 된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
3]
Figure imgf000005_0001
상기 화학식 3 에서,
L2 내지 L7는 각각 독립적으로 단일결합, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n4 내지 n9은 각각 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고,
R17 내지 R22은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기: 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기， 시아노기, 니트로기, 히드록실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,
R17 내지 R22은 각각 독립적으로 존재하거나 , R17 및 RI 8, R19 및 R20, 그리고 R2' 및 R22는 서로 연결되어 융합고리를 형성하고， 상기 화학식 1 내지 3의 "치환 "은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기， 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30
시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【발명의 효과】 고효율 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
<부호의 설명 >
10: 애노드 20: 캐소드
30: 유기층 31 : 정공수송층
32: 발광층 33: 정공수송보조층
34: 전자수송층 35: 전자수송보조층
36: 전자주입층 37: 정공주입층
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만， 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 해테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 또한 상기 치환된 할로겐기 , 히드록시기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기， C2 내지 C30
헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 Ν, Ο, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미.한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"란 별도의 정의가 없는 한， 지방족
탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기"일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는
C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필 , η-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 핵실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기， 시클로핵실기 등을 의미한다ᅳ
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기' '는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)올 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나 ¥] 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)' '는 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 Ν, Ο, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 해테로 원자를 적어도 한 개를 함유하고, 나머지는 탄소인 것올 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다. 따라서, 헤테로고리기는 헤테로아릴기를 포괄하는 상위개념이다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는， 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된
페난트릴렌기， 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 P-터페닐기 , 치환 또는 비치환된 m-터페닐기， 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된
트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피를릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기， 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기， 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된
티아디아졸일기， 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된
아크리디닐기， 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기， 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서， 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자에 대하여 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며， 예컨대 유기 광전 소자， 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 예시적으로
설명하지만, 이에 한정되지 않고 다른 유기 광전자 소자에도 동일하게 적용될 수 있다ᅳ
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에'' 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 애노드 (10)와 캐소드 (20), 그리고 애노드 (10)와 캐소드 (2.0) 사이에 위치하는
유기층 (30)올 포함한다.
애노드 (10)는 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 애노드 ( 10)는 예컨대 니켈， 백금, 바나듐, 크름， 구리, 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물 (ΠΌ),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1 ,2- 디옥시)티오펜 )(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
캐소드 (20)는 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 캐소드 (20)는 예컨대 마그네슴, 칼슘, 나트륨, 칼륨， 타이타늄, 인듐, 이트륨 리튬， 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납， 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/AI 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (30)은 정공수송층 (31)， 발광층 (32), 그리고 정공수송층 (31)과 발광층 (32) 사이에 위치한 정공수송보조층 (33)을 포함한다.
도 2를 참고하면， 상기 유기층 (30)은 정공수송층 (31)과 애노드 (10)사이에 정공주입층 (37)을 더 포함할 수 있으며, 전자수송층 (34)과 캐소드 (20)사이에
전자주입층 (36)을 추가로 더 포함할 수 있다.
정공수송충 (31)과 애노드 (10)사이에 적층되는 정공주입층 (37)은 애노드로 사용되는 ΠΌ와, 정공수송층 (31)으로 사용되는 유기물질 사이의 계면 특성을 개선할 뿐만 아니라 그 표면이 평탄하지 않은 ITO의 상부에 도포되어 ITO의 표면을 부드럽게 만들어주는 기능을 한다. 예를 들어 정공주입층 (37)은 애노드로 사용될 수 있는 ITO의 일함수 수준과 정공수송층 (31)의 HOMO 수준의 차이를 조절하기 위하여 ΠΌ의 일함수 수준과 정공수송층 (31)의 HOMO 수준의 중간값을 가지는 물질로서, 특히 적절한 전도성올 갖는 물질을 선택한다. 본 발명과 관련하여 정공주입층 (37)을 구성하는 물질로서 Ν4,Ν4'-디페닐 -Ν4,Ν4'-비스 (9-페닐 -9Η-카바졸 -3-일)바이페닐 -4，4'- 디아민 (N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)bipheny^
사용될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다. 그 외에도 정공주입층 (37)올
구성하는 종래의 물질과 함께 사용될 수 있는데, 예를 들어, copper
phthlalocyanine(CuPc), N,N'-dinaphthyl-N,N'-phenyl-( 1 , 1 '-biphenyl)-4,4'-diamine, NPD), 4,4',4"-tris[methylphenyl(phenyl)amino] triphenyl amine(m-MTDATA), 4,4',4"-tris[l- naphthyl(phenyl)amino] triphenyl amine( 1 -TNATA), 4,4',4"-tris[2- naphthyl(phenyl)amino]triphenyl amine(2-TNATA), l ,3,5-tris[N-(4- diphenylaminophenyl)phenylamino] benzene(p-DPA-TDAB) 등과 같은 방향족 아민류는 물론이고, 4,4'-bis|lsi-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}ph^
phenylamino]biphenyl(DNTPD), hexaazatriphenylene-hexacarbonitirile (HAT-CN) 등의 화합물, 전도성 고분자로서의 폴리티오펜 유도체인 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)- poly(styrnesulfonate)(PEDOT)를 사용할 수 있다. 정공주입층 (37)는 예를 들어 10 내지 300 A의 두께로 애노드로 사용되는 ITO의 상부에 코팅될 수 있다. 전자주입층 (36)은 전자수송층의 상부에 적층되어 캐소드로부터의 전자 주입을 용이하게 해주어 궁극적으로 전력효율을 개선시키는 기능을 수행하는 층으로, 당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별한 제한없이 사용할 수 있으며, 예컨대, LiF, Liq, NaCl, CsF, Li20, BaO 등의 물질올 이용할 수 있다.
정공수송층 (31)은 애노드 (10)로부터 발광층 (32)으로 정공 전달을 용이하게 ■ 하기 위한 층으로, 예컨대 아민 화합물일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아민 화합물은 예컨대 적어도 하나의 아릴기 및 /또는 헤테로아릴기를 포함할 수 있다. 상기 아민 화합물은 예컨대 하기 화학식 a또는 화학식 b로 표현될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 a] [화학식 b] y
Figure imgf000011_0001
상기 화학식 a또는 화학식 b에서,
Ara 내지 Arg는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
Ara 내지 Arc 중 적어도 하나 및 Ard 내지 Ar2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
Arh는 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이다.
전자수송층 (34)은 캐소드 (20)로부터 발광층 (32)으로 전자 전달을 용이하게 하기 위한 층으로, 전자 받개 작용기 (electron withdrawing group)를 보유하고 있는 유기화합물， 전자를 잘 수용할 수 있는 금속화합물, 또는 이들의 흔합물이 사용될 수 있다. 예컨대 전자수송층 재료로서 알루미늄 트리하이드록시퀴놀린 (aluminum trihydroxyquinoline, Alq3), 1 ,3,4-옥사디아졸 유도체인 2-(4-바이페닐일 -5-페닐 -1,3,4- 옥사디아졸 (2-(4-biphenylyl)-5-phenyl- ,4-oxadiazole, PBD), 퀴녹살린 유도체인 I ,3,4- 트리스 [(3-페닐 -6-트리플루오로메틸)퀴녹살린 -2-일 ]벤젠 (1 ,3,4-tris[(3-penyl-6- trifluoromethyl)quino -xaline-2-yl] benzene, TPQ), 트리아졸 유도체 및 트리아진 유도체인 8-(4-(4- (나프탈렌 -2-일) -6- (나프탈렌 -3-일) -1,3，5-트리아진 -2-일)페닐)퀴놀린 (8-
(4-(4-(naphthalen-2-yl)-6-(naphthalen-3-yl)-l,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline) 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 전자수송층은 하기 화학식 c로 표시되는 유기 금속 화합물이 단독 또는 상기 전자수송층 재료와 흔합으로 사용될 수 있다.
[화학식 C]
Figure imgf000012_0001
상기 화학식 c에서， ' Υ는 C, N, 0 및 S에서 선택되는 어느 하나가 상기 M에 직접 결합되어 단일결합을 이루는 부분과, c, N, o 및 s에서 선택되는 어느 하나가 상기 M에 배위결합을 이루는 부분을 포함하며, 상기 단일결합과 배위결합에 의해 킬레이트된 리간드이고,
상기 M은 알카리 금속, 알카리 토금속, 알루미늄 (A1) 또는 붕소 (B)원자이고, 상기 OA는 상기 M과 단일결합 또는 배위결합 가능한 1가의 리간드로서,
상기 0는 산소이며,
A는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기， 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴기， 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기， 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기 및 치환 또는 비치환된 이종 원자로 Ο, Ν 또는 S를 갖는 탄소수 2 내지 50의
헤테로아릴기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 Μ이 알카리 금속에서 선택되는 하나의 금속인 경우에는 m=l, n=0이고, 상기 M이 알카리 토금속에서 선택되는 하나의 금속인 경우에는 m=l, n=l이거나, 또는 m=2, n=0이고,
상기 M이 붕소 또는 알루미늄인 경우에는 m = l 내지 3중 어느 하나이며 , η은 0 내지 2 중 어느 하나로서 m +n=3을 만족하며;
상기 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환 '은 중수소, 시아노기, 할로겐기， 히드록시기, 니트로기, 알킬기, 알콕시기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 해테로 아릴아미노기 , 알킬실릴기, 아릴실릴기 , 아릴옥시기， 아릴기, 헤테로아릴기, 게르마늄, 인 및 보론으로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다— ·
본 발명에서 Y는 각각 동일하거나 상이하며， 서로 독립적으로 하기 화학식 cl 내지 화학식 c39 로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다. 화학식 cl] [화학식 c2] [화학식 c3] [화학식 c4] [화학식 c5]
Figure imgf000013_0001
[화학식 c6 [화학식 c7] [화학식 c8] [화학식 c9] [화학식 clO]
Figure imgf000013_0002
[화학식 cl l] [화학식 cl2] [화학식 cl3] [화학식 cl4] [화학식 cl5]
Figure imgf000013_0003
[화학식 cl6] [화학식 cl7] [화학식 cl 8] [화학식 cl9] [화학식 O]
Figure imgf000014_0001
[화학식 c21] [화학식 c22] [화학식 c23] [화학식 c24] [화학식 c25]
Figure imgf000014_0002
[화학식 c26] [화학식 c27| [화학식 8] [화학식 c29] [화학식 c30]
Figure imgf000014_0003
[화학식 c31] [화학식 c32] [화학식 c33] [화학식 c34] [화학식
Figure imgf000014_0004
c36] [화학식 c37] [화학식 c38] [화학식 c39]
Figure imgf000015_0001
상기 화학식 ci 내지 화학식 c39에서,
R은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아미노기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴실릴기 증에서 선택되고, 인접한 치환체와 알킬렌 또는 알케닐렌으로 연결되어 스피로고리 또는 융합고리를 형성할 수 있다.
발광층 (32)은 발광 기능을 갖는 유기층으로서, 도핑 시스템을 채용하는 경우, 호스트와 도펀트를 포함하고 있다. 이때， 호스트는, 주로 전자와 정공의 재결합을 촉진하고, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 가지며， 도펀트는, 재결합으로 얻어진 여기자를 효율적으로 발광시키는 기능을 갖는다.
발광층은 공지의 호스트 및 도편트를 포함할 수 있다.
발광층 (32)은 적어도 두 종류의 호스트 (host)와 도편트 (dopant)를 포함하며, 상기 호스트는 전자 특성이 상대적으로 강한 바이폴라 특성을 가지는 게 1 화합물과 정공 특성이 상대적으로 강한 바이폴라 특성을 가지는 제 2 화합물올 포함한다. 상기 게 1 화합물은 전자 특성이 상대적으로 강한 바이폴라 (bipolar) 특성을 가지는 화합물로, 하기 화학식 1로 표현될 수 있다. [화학식 1]
Figure imgf000016_0001
상기 화학식 1에서，
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고，
Z 중 적어도 하나는 N 이고，
R1 내지 R10 및 Ra는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고, L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고， nl+n2+n3≥l 이다.
상기 트리페닐렌기에 치환된 6원환은 상기 트리페닐렌기에 직접 또는 간접적으로 연결된 모든 6원환을 말하는 것으로, 탄소 원자, 질소 원자 또는 이들의 조합으로 이루어진 6원환을 포함한다.
상기 제 1 화합물은 트리페닐렌기의 결합 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1- I 또는 화학식 1- Π로 표현될 수 있다.
1-1] [화학식 i- π ]
Figure imgf000016_0002
상기 화학식 1-1 또는 l- Π에서 , Ζ, Ι 1 내지 R10, Ll 및 nl 내지 n3는 전술한 바와 같다.
본 발명의 일예에서, 상기 화학식 1, 1-1 및 1- Π에서 n2 및 n3으로 지정되지 않은 Z를 포함하는 6각 고리에서 Z 중 적어도 2개 이상은 "N"일 수 있다. 즉, 상기 화학식 1, 1-1 및 1- Π에서 n2 및 n3으로 지정되지 않은 Z를 포함하는 6각 고리는 피리미디닐렌기이거나 트리아지닐렌기일 수 있다.
상기 게 1 화합물은 트리페닐렌기와 적어도 하나의 질소 함유 헤테로아릴기를 포함한다. 상기 게 1 화합물은 적어도 하나의 질소를 함유하는 고리를 포함함으로써 전기장 인가시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고, 이에 따라 상기 제 1 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
또한 상기 제 1 화합물은 정공을 받기 쉬운 트리페닐렌 구조와 전자를 받기 쉬운 질소 함유 고리 부분을 함께 포함함으로써 바이폴라 (bipolar) 구조를 형성하여 정공 및 전자의 흐름을 적절히 균형 맞출 수 있고, 이에 따라 상기 제 1 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 효율을 개선할 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 게 1 화합물은 아릴렌기 및 /또는 헤테로아릴렌기를 중심으로 적어도 하나의 찍임 (kink) 구조를 가진다.
상기 꺾임 구조는 아릴렌 기 및 /또는 헤테로아릴렌기의 두 개의 연결 부분들이 직선 구조를 이루지 않는 구조를 말한다. 예컨대 페닐렌의 경우 연결 부분들아 직선 구조를 이루지 않는 올쏘 페닐렌 (o-phenylene)과 메타 페닐렌 (m- phenylene)이 상기 꺾임 구조를 가지며, 연결 부분들이 직선 구조를 이루는 파라 페닐렌 (p-phenylene)은 상기 꺾임 구조를 가지지 않는다.
상기 화학식 1에서, 상기 꺾임 구조는 연결기 (L) 및 /또는
아릴렌기 /헤테로아릴렌기를 중심으로 형성될 수 있다.
예컨대 상기 화학식 1의 nl이 0인 경우, 즉 연결기 (L1)가 없는 구조에서는 아릴렌기 /헤테로아릴렌기를 증심으로 꺾임 구조를 형성할 수 있고, 예컨대 하기 화학식 la또는 lb로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 la] [화학식 lb]
Figure imgf000017_0001
상기 화학식 la또는 lb에서 , Z, R' 내지 R10 은 전술한 바와 같다.
예컨대 상기 화학식 1의 nl이 1인 경우에는 연결기 (L1)를 중심으로 꺾임 구조를 형성할 수 있고, 예컨대 L1은 꺾임 구조의 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 꺾임 구조의 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 꺾임 구조의 치환 또는 비치환된 터페닐렌기일 수 있다.
상기 L1은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택된 하나일 수 있다.
[그룹 1]
Figure imgf000018_0001
상기 그룹 1에서,
*은 연결 지점이고，
여기서, "치환"은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐, C1 내지 C20 알킬기,
C3 내지 C20 시클로알킬기, C1 내지 C20 알콕시기, C3 내지 C20 시클로알콕시기, C1 내지 C20 알킬티오기, C6 내지 C30 아르알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 아릴옥시기, C6 내지 C30 아릴티오기, C2 내지 C30 해테로아릴기, C2 내지 C30 아미노기, C3 내지 C30 실릴기, 시아노기, 니트로기， 히드록실기 또는 카르복실기로 치환된 것을 의마한다.
상기 제 1 화합물은 바람직하게는 적어도 두 개의 꺾임 구조를 가질 수 있으며, 예컨대 두 개 내지 네 개의 꺾임 구조를 가질 수 있다. 상기 게 1 화합물은 전술한 꺾임 구조를 가짐으로써 전하를 적절히 구역화 (localization)하고 공액계의 흐름을 효과적으로 제어함으로써 상기 조성물을 적용한 유기 광전자 소자의 효율을 개선할 수 있다.
상기 게 1 화합물은 예컨대 하기 화학식 lc 내지 It 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 lc] [화학식 Id]
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000019_0002
Figure imgf000019_0003
화학식 li] [화학식 lj]
Figure imgf000020_0001
[화학식 [화학식 lp]
Figure imgf000020_0002
화학식 lq] [화학식 lr]
Figure imgf000021_0001
상기 화학식 lc 내지 It에서,
Z 및 R1 내지 R10는 각각 전술한 바와 같고,
R60 내지 R77 은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30
헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기， 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기 또는 이들의 조합이다.
상기 게 1 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure imgf000021_0002
Figure imgf000022_0001
Ζ,ίΊ800/510ΖΗΜ/13Λ 091^890/91 ΟΛ\
02
Figure imgf000023_0001
0917890/9Ϊ0Ζ OAV
Figure imgf000024_0001
.l7Z800/SlOZaM/X3d 0917890/9Ϊ0Ζ OAV
zz
Figure imgf000025_0001
상기 제 1 화합물은 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.
상기 제 2 화합물은 예컨대 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.
Figure imgf000025_0002
상기 화학식 2에서
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
Arla 및 Arlb은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R" 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 증수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 2로 표현되는 화합물은 정공 특성이 상대적으로 강한
바이폴라 (bipolar) 특성을 가지는 화합물로, 상기 게 1 화합물과 함께 발광층에 사용되어 전하의 이동성을 높이고 안정성을 높임으로써 발광 효율 및 수명 특성올 현저히 개선시킬 수 있다. 또한 정공 특성을 가지는 상기 화학식 2로 표현되는 화합물과 상기 제 1 화합물의 비율을 조절함으로써 전하의 이동성을 조절할 수 있는 장점이 있다.
상기 제 2 화합물은 바이카바졸의 결합 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 2- 1 내지 화학식 2-珊 중 적어도 하나로 표현될 수 있다.
2- 1 ] [화학식 2- Π ]
Figure imgf000026_0001
[화학식 2-ΠΙ [화학식 2-IV] [화학식 2- V]
Figure imgf000026_0002
[ -VI] [화학식 2-νπ] [화학식 2-vm]
Figure imgf000027_0001
상기 화학식 2- 1 내지 2-珊에서
Y1 및 Y2, Arla 및 Ar^ R11 내지 R16는 각각 전술한 바와 같다.
상기 게 2 화합물은 치환기를 가진 두 개의 카바졸일기가 연결되어 있는 구조이다.
상기 제 2 화합물의 Arl a 및 Arl b는 정공 또는 전자 특성을 가지는 치환기로， 각각 독립적으로 예컨대 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된
바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된
플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 게 2 화합물은 Arla 및 Arlb의 특성에 따라 예컨대 하기 화학식 2-K 내지 화학식 2- X I 중 적어도 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 2-K] [화학식 2- X ] [화학식 2- X I ]
Figure imgf000027_0002
상기 화학식 2-K 내지 2- X I에서 Y1 및 Υ2, 그리고 R1 1 내지 R10는 전술한 바와 같고,
ET, ET1 , 및 ET2는 각각 독립적으로 전자 특성을 가지는 치환기이고, ΗΤ, ΗΤΙ 및 ΗΤ2는 각각 독립적으로 정공 특성을 가지는 치환기이다. 상기 제 2 화합물의
Ar, a 및 Arlb 중 전자 특성을 가지는 치환기 ΈΓ', 'ΈΤΓ 및 Τ2"는 예컨대 하기 화학식 Α로 표현되는 치환기일 수 있다.
[화학식 A]
Figure imgf000028_0001
상기 화학식 A에서,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRd 이고,
A1 및 A2, 및 Rd는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
상기 Ζ, Α Ι 및 Α2 중 적어도 하나는 Ν을 포함하고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.
상기 화학식 A로 표현되는 치환기는 예컨대 하기 그룹 3에 나열된 작용기 중 하나일 수 있다.
그룹 3]
Figure imgf000029_0001
또한, 상기 제 2 화합물의 Arl a및 Arl b 중 정공 특성을 가지는 치환기 'ΉΤ" 'ΉΤΓ 및 "ΗΤ2"는 예컨대 하기 그룹 4에 나열된 작용기 중 하나일 수 있다.
[그룹 4
Figure imgf000029_0002
상기 게 2 화합물은 예컨대 하기 그룹 5에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000030_0001
Figure imgf000030_0002
[ς 를 ΤΓ]
8Z I
Figure imgf000031_0001
Ltz oo/siozni/iJd 0917890/9Ϊ0Ζ OAV
62
Figure imgf000032_0001
8. O B-106
Figure imgf000032_0002
&- D-U3
상기 게 2 화합물은 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.
구체적으로, 발광층 (32)에서 상기 게 1 화합물과 상기 제 2 화합물이 동시에 호스트로서 포함될 수 있으며， 상기 화학식 1- 1 및 1-Π로 표현되는 게 1 화합물 중 적어도 1종; 및 상기 화학식 2-K 내지 2-X I로 표현되는 제 2 화합물 중 적어도 1종올 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 화학식 1- 1로 표현되는 저】 1 화합물과 상기 화학식 2-X I로 표현되는 게 2 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 화합물과 제 2 화합물은 예컨대 약 1:10 내지 10:1의 중량비로 포함될 수 있고, 구체적으로 2:8 내지 8:2,3:7 내지 7:3,4:6 내지 6:4, 그리고 5:5의 증량비로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 바이폴하 특성이 더욱 효과적으로 구현되어 효율과 수명을 동시에 개선할 수 있다.
발광층 (32)은 호스트로서 전술한 제 1 화합물과 제 2 화합물 외에 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.
발광층 (32)은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 도편트는 상기 호스트에 미량 흔합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항 상태 이상으로
여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 상기 도펀트는 예컨대 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며 , 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.
상기 도펀트는 적색, 녹색 또는 청색의 도편트일 수 있으며, 예컨대 인광 도편트일 수 있다. 상기 인광 도편트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co: Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 상기 인광 도펀트는 예컨대 하기 화학식 Z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L2MX
상기 화학식 Z에서 , Μ은 금속이고, L 및 X는 서로 같거나 다르며 Μ과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 Μ은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합일 수 있고, 상기 L 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 정공수송보조층 (33)은 정공 특성이 상대적으로 좋은 거 13 화합물을 포함한다. 정공수송보조층 (33)은 상기 제 3 화합물을 포함함으로써, 정공수송층 (31)과 발광층 (32) 사이의 HOMO 에너지 레벨 차이를 줄임으로써 정공의 주입 특성을 조절하여 정공수송보조층 (33)과 발광층 (32)의 계면에서 정공이 축적되는 것을 감소시켜 계면에서 폴라론 (polaron)에 의한 액시톤이 소멸되는 소광
현상 (quenching)을 줄일 수 있다. 이에 따라 소자의 열화현상이 감소하고 소자가 안정화되어 효율 및 수명을 개선할 수 있다.
상기 게 3 화합물은 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물일 수 있다. 3]
Figure imgf000034_0001
상기 화학식 3에서
L2 내지 L7는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n4 내지 n9은 각각 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고,
R17 내지 R22은 각각 독립적으로, 수소， 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 시아노기, 니트로기， 히드록실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고，
R17 내지 R22은 각각 독립적으로 존재하거나 , R17 및 R18, R19 및 R20, 그리고 R21 및 R22는 서로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있다.
상기 제 3 화합물은 치환기 R17 내지 R22의 융합 여부에 따라 예컨대 하기 화학식 3- 1 내지 화학식 3-ΠΙ로 표현될 수 있다.
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000035_0002
상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-m에서, L2 내지 L7,n4 내지 n9, 및 R17 내지 R22는 전술한 바와 같다.
상기 제 3 화합물은 예컨대 하기 화학식 3a 내지 화학식 3k 중 적어도 하나일 수 있다.
[화학식 3a] [화학식 3b]
Figure imgf000035_0003
3c] [화학식 3d]
Figure imgf000036_0001
Figure imgf000037_0001
상기 화학식 3a 내지 화학식 3k에서, R17 내지 R22, L2 내지 L7, 및 n4 내지 n9는 전술한 바와 같고,
X1 내지 X3은 각각 독립적으로 0, S, 또는 CRbRc이고,
X3은 각각 독립적으로 0 또는 S이고,
R23, R24, Rb, 및 Rc는 각각 독립적으로, 수소, 중수소， 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기， 시아노기， 니트로기, 히드록실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고, Ar2 내지 Ar7은 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이다.
상기 화학식 3의 R17 내지 R22은 구체적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P- 터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된
플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 이들의 조합일 수 있고,
더욱 구체적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m- 터페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 이들의 조합일 수 있다.
상기 Ar2 내지 Αι·7는 구체적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된
쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환.또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 또는 이들의 조합일 수 있고,
더욱 구체적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된
바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 L2 내지 L7는 구체적으로, 페닐레닐기, 바이페닐레닐기, 나프탈레닐기, 또는 이들의 조합일 수 있고,
예컨대, 하기 그룹 6에 나열된 치환 또는 비치환된 기 중 하나일 수 있다. [그룹 6]
Figure imgf000039_0001
상기 그룹 6에서,
*은 연결 지점이고,
여기서 "치환"은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기， C3 내지 C30 시클로알킬기， C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 상기 제 3 화합물은 예컨대 하기 그룹 7에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 7]
Figure imgf000039_0002
Figure imgf000040_0001
Figure imgf000041_0001
091^890/91 Οί OAV
6ε
Figure imgf000042_0001
09^890/9103 OAV
Of [F-34]
Figure imgf000043_0001
[F-37]
Figure imgf000043_0002
Figure imgf000044_0001
Figure imgf000045_0001
Figure imgf000046_0001
Figure imgf000047_0001
.l7Z800/SlOZaM/X3d 0917890/9Ϊ0Ζ OAV
Figure imgf000048_0001
巴πο-
寸
Figure imgf000050_0001
/-380/0sss¾/:l209/909si O.
Figure imgf000051_0001
Figure imgf000052_0001
Figure imgf000053_0001
09^890/910^ OAV
19 O//usooSSSMld- ½261266152--
Figure imgf000054_0001
ο
tz-R &.【쯕^【^--
Figure imgf000055_0001
【〕
Figure imgf000056_0001
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Figure imgf000058_0001
o
Figure imgf000059_0001
Figure imgf000060_0001
o
Figure imgf000061_0001
[£Z-0] [ΖΖ-Ό] [\Ζ-Ό]
Figure imgf000061_0002
-25] [G-26] [G-27] [G-28]
Figure imgf000062_0001
-45] [G-46] [G-47] [G-48]
Figure imgf000063_0001
본 발명의 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자는 전자 특성이 강한 제 1 화합물과 정공 특성이 강한 제 2 화합물을 동시에 포함하는 발광층, 그리고
정공수송층 (31)과 발광층 (32) 사이의 HOMO 에너지 레벨 차이를 줄임으로써 정공의 주입 특성을 조절할 수 있는 정공 수송 특성이 좋은 제 3 화합물을 포함하는 정공수송보조층올 동시에 포함할 수 있다.
이들을 함께 사용함으로써, 정공수송보조층 (33)과 발광층 (32)의 계면에서 정공이 축적되는 것을 감소시켜 계면에서 폴라론 (polaron)에 의한 액시톤이 소멸되는 소광 현상 (quenching)을 줄일 수 있다. 이에 따라 소자의 열화현상이 감소하고 소자가 안정화되어 효율 및 수명을 개선할 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1- 1 또는 화학식 1- Π로 표현되는 제 1 화합물 중 적어도 하나, 및 상기 화학식 2-K 내지 2- X I로 표현되는 제 2 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 발광층, 그리고
상기 화학식 3- 1 내지 화학식 3-ΠΙ로 표현되는 제 3 화합물 중 적어도 하나, 예컨대 상기 화학식 3- 1로 표현되는 화합물올 포함하는 정공수송보조층을 함께 사용할 수 있다.
또한， 본 발명의 일예에서， 상기 발광층은， 상기 화학식 1- 1로 표현되는 제 1 화합물, 및 상기 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물을 포함하고, 상기
정공수송보조층은, 하기 화학식 3-1로 표현되는 게 3 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자일 수 있다.
더욱 구체적으로, 상기 화학식 1C 내지 It로 표현되는 제 1 화합물 중 적어도 하나, 및 화학식 2-K 내지 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 발광층, 그리고 화학식 3a 내지 화학식 3h로 표현되는 제 3 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 정공수송보조층을 함께 사용할 수 있다.
더욱 구체적으로, 화학식 lc, Id, lg, 및 lh로 표현되는 제 1 화합물 중 적어도 하나, 및 화학식 2-K 내지 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 발광층， 그리고 화학식 3a, 3b, 3c, 3d, 3g, 3h 및 화학식 3j로 표현되는 제 3 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 정공수송보조층을 함께 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 일예에서 상가발광층은 상기 화학식 1- 1로 표현되는 게 1 화합물, 및 상기 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물을 포함하고, 상기
정공수송보조층인 상기 화학식 3- 1은 하기 화학식 3a 내지 화학식 3e로 표현되는 제 3 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 광전자 소자일 수 있다.
예컨대， 화학식 l h로 표현되는 제 1 화합물， 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물, 그리고 화학식 3a 및 화학식 3b로 표현되는 게 3 화합물 중 적어도 하나를 함께 사용할 수 있다.
정공수송보조층 (35)은 증착 또는 잉크젯 공정으로 0.1 nm 내지 20.0 nm의 두께로 정공수송층 위에 도포 가능하며, 예컨대 0.2 nm 내지 l O.O nm, 0.3 nm 내지 5 nm, 0.3 nm 내지 2 nm, 0.4 nm 내지 1.0 nm의 두께 등으로 도포 가능하다.
유기층 (30)은 전자수송층 (34)을 더 포함할 수 있다. 전자수송층 (34)은 캐소드 (20)로부터 발광층 (32)으로 전자 전달을 용이하게 하기 위한 층으로, 경우에 따라 생략될 수 있다.
유기층 (30)은 선택적으로 애노드 (10)와 정공수송층 (31) 사이에 위치하는 정공주입층 (도시하지 않음) 및 /또는 캐소드 (20)와 전자수송층 (34) 사이에 위치하는 전자주입층 (도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
[발명의 실시를 위한 형태]
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
제 1 화합물의 합성
합성예 1: 중간체 1-1와합성 [반응식 1]
Figure imgf000065_0001
질소 환경에서 2-브로모트리페닐렌 (2-bromotriphenylene, TCI) 100g (326 mmol)을 디메틸포름아미드 (dimethylformamide, DMF) 1L에 녹인 후, 여기에
비스 (피나콜라토)디보론 (bis(pinacolato)diboron, Aldrich) 99.2 g (391 mmol)와 (Ι,Γ- 비스 (디페닐포스핀)디클로로팔라듐 (Π)((1,Γ- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)) 2.66 g (3.26 mmol) 그리고
포타슘아세테이트 (potassium acetate) 80 g (815 mmol)을 넣고 150 °C에서 5시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 흔합물올 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피 (flash column chromatography)로 분리 정제하여 화합물 1-1 113 g (98 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H23B02: 354.1791, found: 354 .
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 7 % 합성예 2: 중간체 1-2의 합성
2]
Figure imgf000065_0002
1 -2
질소 환경에서 2-브로모트리페닐렌 (2-bromotriphenylene, TCI) 32.7 g (107 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (tetrahydrofuran, THF) 0.3 L에 녹인 후, 여기에 3- 클로로페닐보론산 (3-chlorophenyl boronic acid, TCI) (20 g, 128 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 1.23 g (1.07 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 36.8 g (267 mmol)을 넣고 80 °C에서 24시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후: 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-2 22.6 g (63 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H15C1: 338.0862, found: 338
Elemental Analysis: C, 85 %; H, 5 % 합성예 3: 중간체 1-3의 합성
[반웅식 3]
Figure imgf000066_0001
1-2 1-3
중간체 1-1의 합성방법과 동일한 방법으로 합성, 정제하여 화합물 1-3 18.6 g (65 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H27BO2: 430.2104, found: 430
Elemental Analysis: C, 84 %; H, 6 % 합성예 4: 중간체 1-4의 합성
[반웅식 4]
Figure imgf000066_0002
질소 환경에서 상기 화합물 1-1 100 g (282 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 1 L에 녹인 후， 여기에 1-브로모 -2-아이오도벤젠 (l-bromo-2-iodobenzene, Aldrich) 95.9 g (339mmol)와 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine) palladium) 3.26 g (2.82 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 9그 4 g (705 mmol)을 넣고 80 °C에서 53시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-4 95.1 g (88 %)를 얻었다ᅳ
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H15Br: 382.0357, found: 382
Elemental Analysis: C, 75 %; H, 4 % 합성예 5: 중간체 1-5의 합성
[반웅식 5]
Figure imgf000067_0001
I -4 I - 5 중간체 1-1의 합성방법과 동일한 방법으로 합성, 정제하여 화합물 1-574.8 g (74%)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H27BO2: 430.2104, found: 430
Elemental Analysis: C, 84 %; H, 6 % 합성예 6: 중간체 1-6의 합성
반웅식 6]
Figure imgf000067_0002
1-3 1-6 중간체 1_4의 합성방법과 동일한 방법으로 합성, 정제하여 화합물 1-642.6 g (80%)올 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H19Br: 458.0670, found: 458
Elemental Analysis: C, 78 %; H, 4 % 합성예 Ί: 중간체 1-7의 합성
[반웅식 기
Figure imgf000067_0003
I -£ 1-7
중간체 1-1의 합성방법과 동일한 방법으로 합성, 정제하여 화합물 1-734 g
(77%)을 얻었다. HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C36H31B02: 506.2417, found: 506
Elemental Analysis: C, 85 %; H, 6 % 합성예 8: 화합물 A-33의 합성
8]
Figure imgf000068_0001
질소 환경에서 상기 화합물 I -7 20 g (39.5 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐 -1 ,3,5-트리아진 P-chloro-^^diphenyl-l^S- triazine, TCI) 10.6 g (39.5 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.46 g (0.4 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 13.6 g (98.8 mmol)을 넣고 80 °C에서 23시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 화합물 A-33 17.9 g (74 %)을 얻었다ᅳ
H MS (70 eV, EI+): m/z calcd for C45H29N3: 61 1.2361 , found: 61 1
Elemental Analysis: C, 88 %; H, 5 % 제 2 화합물의 합성
합성예 9: 화합물 B-10의 합성
[반응식 9]
Figure imgf000068_0002
Figure imgf000069_0001
제 1 단계: 화합물 A의 합성
2-Benzalacetophenone 140.4 g (674 mmol, Aldrich), 피리딘염화합물 199.04 g (808.77 mmol), 암모늄아세테이트 415.6 g (5391 mmol)을 메탄올 (1720 ml)에 현탁시킨 후， l ure에서 2시간 동안 환류 교반하였다. 반웅 후, 생성물을 증류수에 침전시켜 고체를 형성시키고, 생성된 고체를 필터하여 화합물 A를 106 g (64 %) 수득하였다. 제 2 단계: 화합물 B의 합성
화합물 (A) 100 g (405.67 mmol)과 P205 172.74 g (1217 mmol), Tetra-"- butylammonium bromide(TBAB) 196.17 g (608.5 mmol, Aldrich)를 모두 넣고,
클로로벤젠에 현탁시킨 후, 140°C에,서 14시간 동안 환류 교반하였다. 반응 후 용매를 제거하고, 디클로로메탄과 증류수로 추출한 유기층을 실리카겔 필터하고， 얻은 유기층을 150ml까지 제거한 후 메탄올을 부어 침전물을 형성하고, 생성된 고형물을 필터하여 화합물 B를 89 g (71 %) 수득하였다.
제 3 단계: 화합물 J의 합성 '
9-페닐 -9H-카바졸 -3-일 보론산 (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl boronic acid, -TCI) 10 g (34.83 mmol), 3-브로모카바졸 (3-bromocarbazole, Aldrich), 11.77 g (38.31 mmol) 및
탄산칼륨 14.44 g (104.49 mmol), 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0) 0.80 g (0.7 mmmol) 올 를루엔 140 ml, 증류수 50 ml에 현탁시킨 후 12 시간 동안 환류
교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 반웅 종결 후 반웅물에 메탄올에 부어 생기는 고형물을 필터 한 다음, 고형물을 다시 클로로벤젠에 녹여 활성탄과 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터한 다음 클로로벤젠과 메탄올을 이용해 재결정하여 화합물 J, 22.6 g (68 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H20N2: 408.16, found: 408
Elemental Analysis: C, 88 %; H, 5 % 제 4 단계: 화합물 B-10의 합성
화합물 J로 표시되는 화합물 22.42 g (54.88 mmol), 2-브로모 -4,6- 다이페닐피리딘 (2-bromo-4,6-diphenylpyridine, 화합물 B, 20.43g(65.85 mmol) 및 터셔리부톡시나트륨 그 92 g (82.32 mmol)을 를루엔 400ml 녹인 후, 팔라듐
다이벤질리덴아민 1.65 g (1.65 mmol) 과 터셔리부틸인 1.78 g (4.39 mmol)을 적가한다. 반웅용액을 질소기류하에서 12 시간 동안 1 10 °C로 가열하여 교반하였다. 반웅 종결 후 반웅물에 메탄을을 부어 생기는 고형물을 필터 한 다음, 고형물을 다시
클로로벤젠에 녹여 활성탄과 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터한 다음 클로로벤젠과 메탄올을 이용해 재결정 하여 화합물 B-10, 28.10g (80 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C47H31N3: 637.25, found: 637
Elemental Analysis: C, 89 %; H, 5 % 합성예 10: 화합물 B-31의 합성
[반웅식 10]
Figure imgf000070_0001
3-31
9-페닐ᅳ 9H-카바졸 -3-일 보론산 (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl boronic acid, -TCI) 10 g (34.83 mmol), 3-브로모 -9-페닐카바졸 (3-bromo-9-phenylcarbazole, Aldrich), 1 1.77 g (38.31 mmol) 및 탄산칼륨 14.44 g (104.49 mmol), 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0) 0.80 g (0.7 mmmol) 을 를루엔 140 ml, 증류수 50 ml에 현탁시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기충을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 핵산:디클로로메탄 = 7:3(v/v) 으로 실리카 겔 컬럼하여 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 B-31 13.8 g (92 %)을 ᅳ 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C36H24N2: 484.19, found: 484
Elemental Analysis: C, 89 %; H, 5 % 합성예 11: 화합물 B-43의 합성
[반웅식 1 1
Figure imgf000071_0001
제 1 단계: 화합물 K의 합성 화합물 B-10의 합성 방법과 동일한 방법으로， 정제하여 화합물 K 20 g (90 %)을 수득하였다. 제 2 단계: 화합물 L의 합성
화합물 K 20g (62.6 mmol)을 DMF (200 ml)에 현탁시킨 후 , Ν-
Bromosuccinimide(NBS) 12.93 g (72.67 mmol, Aldrich)을 조금씩 첨가하고, 12 시간 동안 환류 교반하였다. 증류수를 넣고 반응 종결시킨 후, 디클로로메탄으로 추출하여 얻은 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 핵산:디클로로메탄 = 7:3(v/v) 으로 실리카 겔 컬럼하여 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 L 22.4 g (90 %)을 얻었다. 제 3 단계: 화합물 N의 합성
중간체 1-1의 합성 방법과 동일한 방법으로, 정제하여 화합물 N 22.5 g (90 %)을 수득하였다. 제 4 단계: 화합물 B-43의 합성
화합물 N, 10 g (34.83 mmol), 9-[1，1'-바이페닐 -4-일] -3-브로모 -9Η-카바졸 (9-[1,1'- Biphenyl-4-yl]-3-bromo-9H-carbazole, TCI), 1 1.77 g (38.31 mmol) 및 탄산칼륨 14.44 g (104.49 mmol), 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0) 0.80 g (0.7 mmmol) 을 를루엔 140 ml, 증류수 50 ml에 현탁시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 B-43 18.7g (92 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C48H32N2: 636.26, found: 636
Elemental Analysis: C, 91 %; H, 5 % 제 3 화합물의 합성
합성예 12: 중간체 M-1의 합성
[반웅식 12]
Figure imgf000072_0001
M-1 중간체 1-4의 합성방법과 동일한 방법으로 합성하되， 반응용매를 를루엔으로 하고, 12시간 환류시킨 후, 정제하여 중간체 M-1 27 g (89 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 322.00 g/mol, 측정치: M+ = 322.09 g/mol, M+2 = 324.04 g/mol) 합성예 13: 중간체 M-2의 합성
[반웅식 13]
Figure imgf000073_0001
M-2
상기 중간체 M-l의 합성방법과 동일한 방법으로 합성, 정제하여 중간체 M-2 29 g (91 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 337.98 g/mol, 측정치 : M+ = 338.04 g/mol, M+2 = 340.1 1 g/mol) 합성예 14: 중간체 M-3의 합성
[반웅식 14]
Figure imgf000073_0002
상기 중간체 M-1의 합성방법과 동일한 방법으로 합성， 정제하여 중간체 M-3 23.9 g (91 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 278.05 g/mol, 측정치 : M+ = 278.12 g/mol, M+2 = 280.13 g/mol) 합성예 15: 중간체 M-4의 합성.
[반응식 15]
Figure imgf000073_0003
중간체 M-1의 합성방법과 동일한 방법으로 합성, 정제하여 증간체 M-4 25.6 g (92 %)올 수득하였다. LC-Mass (이론치 : 294.03 g/mol, 측정치: M+ = 294.16 g/mol, M+2 = 296.13 g/mol) 합성예 16: 중간체 M-5의 합성
[반웅 16]
Figure imgf000074_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-1 10 g (30.9 mmol)과 4-아미노바이페닐 6.3 g (37.08 mmol, Aldrich), 소디움 t-부톡사이드 5.35 g (55.6 mmol)을 넣고 틀루엔 155 ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178 g (0.31 mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125 g (0.62 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시켰다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 증간체 M-5 9.92 g (78 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 411.16 g/mol, 측정치: M+ = 41 1.21 g/mol) 합성예 17: 중간체 M-6의 합성
Figure imgf000074_0002
중간체 M-4 9.1g (30.9mmol)과 4-아미노바이페닐 6.3g (37.08mmol, Aldrich), 소디움 t_부록사이드 5.35g (55.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml올 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g (0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다ᅳ 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-6을 흰색 고체로 1으 6g (수율 80%)을 수득하였다.
m/z calcd for C30H21NS: 427.14, found: 427.19
합성예 18: 중간체 M-7의 합성
18]
Figure imgf000075_0001
중간체 M-4 9.1 g (30.9mmol)과 1-아미노나프탈렌 5.3g (37.08mmol, Aldrich), 소디움 t-부특사이드 5.35g (55.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (( lmmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g (0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-7을 흰색 고체로
10g (수율 81%)을 수득하였다.
m/z calcd for C28H19NS: 401.12, found: 401.15 합성예 19: 중간체 M-8의 합성
Figure imgf000075_0002
중간체 M-2 31.9g (64.7mmol)과 아세트아미드 L74g (29.4mmol, Aldrich), 탄산칼륨 17.3g (I 17.6mmol)을 넣고 자일렌 130ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 요오드화구리 (I) L 12g (5.88mmol)과 Ν,Ν-디메틸에틸렌디아민 1.04g (1 L8mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 48시간 동안 환류 교반시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /에틸아세테이트 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-8을 14g (수율 93%)을 수득하였다. m/z calcd for C30H21NO: 575.14, found: 575.31 합성예 20: 중간체 M-9의 합성
Figure imgf000076_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-8 13g(25.2mmol)과 수산화칼륨
4.2g(75.6mmol)을 넣고 테트라하이드로퓨란 80ml와 에탄올 80mL을 가하여 용해시켰다. 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 반응액을 감압 농축한 후 디클로메탄과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 η-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-9를 12.1g (수율 90%)을 수득하였다.
m/z calcd for C36H23NS2: 533.13, found: 533.26 합성예 21: 중간체 M-10의 합성
[반응식 21]
Figure imgf000076_0002
M-10 등근바닥플라스크에 1 ,3-디브로모 -5-클로로벤젠 25g (92.47mmol, Aldrich)과 디페닐아민 31.3g (184.9mmol, TCI), 소디움 t-부특사이드 26.7g (277.41mmol)을 넣고 를루엔 463ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.266g (0.462mmol)과 트리- 터셔리 -부틸포스핀 0.187g(0.924mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (9: 1 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-10을 흰색 고체로 34.7g (수율 84%)을 수득하였다. m/z calcd for C30H23C1N2: 446.15, found: 446.23 합성예 22: 중간체 M-11의 합성
22]
Figure imgf000077_0001
M-11 등근바닥플라스크에 1,3-디브로모 -5-클로로벤젠 25g (92.47mmol, Aldrich)과 3- 메틸 -N-페닐아닐린 33.9g (184.9mmol, Aldrich), 소디움 t-부톡사이드
26.7g (277.4hnmol)을 넣고 를루엔 463ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.266g (0.462mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.187g (0.924mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반응 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9: 1 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-11을 흰색 고체로 37.3g (수율 85%)을 수득하였다.
m/z calcd for C32H27C1N2: 474.19, found: 474.28 합성예 23: 중간체 M-12의 합성
Figure imgf000077_0002
M-12 등근바닥플라스크에 1,3-디브로모ᅳ 5-클로로벤젠 25g (92.47mmol, Aldrich)과 바이페닐 -4-일 -페닐 아민 45.4g (184.9mmol, TCI), 소디움 t-부톡사이드
26.7g (27그 41mmol)을 넣고 를루엔 463ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.266g (0.462mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.187g (0.924mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M- 12를 흰색 고체로 44.9g (수율 81%)을 수득하였다.
m/z calcd for C42H31 C1N2: 598.22, found: 598.37 합성예 24: 중간체 M-13의 합성
Figure imgf000078_0001
· 등근바닥플라스크에 4-브로모디벤조티오펜 9.5g (36. lmmol, Shanghai Shaoyuan
Product list)과 4-아미노바이페닐 7.33g(43.32mmol, Aldrich), 소디움 t-부특사이드
5.2g (54.15mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.21 g (0.36mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.18g (0.72mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-13을 흰색 고체로 10.3g (수율 81 %)을 수득하였다.
m/z calcd for C24H17NS: 351.1 1 , found: 351.38 합성예 25: 중간체 M-14의 합성
Figure imgf000078_0002
M-14 둥근바닥플라스크에 1 ,3-디브로모 -5-클로로벤젠 25g (92.47mmol, Aldrich)과 카바졸 30.9g (184.9mmol, Aldrich), 소디움 t-부톡사이드 26.7g (277.41mmol)을 넣고 를루엔 463ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.266g (0.462mmol)과 트리- 터셔리 -부틸포스핀 0.187g (0.924mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-14를 흰색 고체로 33.2g (수율 81%)을 수득하였다.
m/z calcd for C30H19C1N2: 442.12, found: 442.36 합성예 26: 중간체 M-15의 합성
[반웅식 26]
Figure imgf000079_0001
M-15 둥근바닥플라스크에 1-브로모 -3,5-디클로로벤젠 25g (92.47mmol, Aldrich)과 카바졸 15.5g (92.47mmol, Aldrich), 소디움 t-부톡사이드 13.4g (138.7mmol)을 넣고 를루엔 463ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 (U33g (0.231mmol)과 트리- 터셔리 -부틸포스핀 0.094g (0.462mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반응 종료 후 에틸아세테이트과증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (9: 1 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-15를 흰색 고체로 24.0g (수율 83%)을 수득하였다.
m/z calcd for C18H11C12N: 311.03, found: 31 1.17 합성예 27: 중간체 M-16의 합성
Figure imgf000080_0001
등근바닥플라스크에 M- 15 28.9g (92.47mmol)과 바이페닐 -4-일 -페닐 아민
22.7g (92.47mmol, TCI), 소디움 t-부록사이드 13.4g (138.7mmol)올 넣고 를루엔
463ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.133g (으 23 hnmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.094g (0.462mmol) 을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M- 16을 흰색 고체로 38.1g (수율 79%)을 수득하였다.
m/z calcd for C36H25C1N2: 520.17, found: 520.36 합성예 28: 중간체 M-17의 합성
Figure imgf000080_0002
등근바닥폴라스크에 중간체 M-2 10.5g (30.9mmol)과 4-아미노바이페닐
6.3g (37.08mmol, Aldrich), 소디움 t-부톡사이드 5.35g (55.6mmol)을 넣고 를루엔
155ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31 mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g (0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-17을 흰색 고체로 9.91 g (수율 75%)을 수득하였다.
m/z calcd for C30H21NS: 427.14, found: 427.29 합성예 29: 중간체 M-18의 합성 반웅식 29]
Figure imgf000081_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 2-브로모디벤조퓨란 7.6g(30.9mmol, Aldrich)과 4- 아미노바이페닐 6.3g(37.08mmol, Aldrich), 소디움 t-부톡사이드 5.35g(55.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.3 1mmol)과 트리- 터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층올 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-18을 흰색 고체로 8.1 g (수율 78%)을 수득하였다.
m/z calcd for C24H17NO: 335.13, found: 335.42 합성예 30: 중간체 M-19의 합성
30]
Figure imgf000081_0002
등근바닥플라스크에 중간체 2-브로모디벤조티오펜 8.1 g(30.9mmol, Aldrich)과 2-아미노나프탈렌 5.3g(3그 08mmol, Aldrich), 소디움 t-부톡사이드 5.35g(55.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리- 터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-19을 흰색 고체로 7.9g (수율 79%)을 수득하였다.
m/z calcd for C22H15NS: 325.09, found: 325.33 합성예 31: 중간체 M-20의 합성 [반웅식 31]
Figure imgf000082_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 M-3 8.6g(30.9mmol)과 1-아미노나프탈렌
5.3g(37.08mmol, Aldrich), 소디움 t-부특사이드 5.35g(55.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba^ 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-20을 흰색 고체로 9.5g (수율 80%)을 수득하였다.
m/z calcd for C28H19NO: 385.15, found: 385.27 일반식 1 내지 3: 제 3 화합물의 구체 합성법
화합물 E-1 내지 E-18, F-1 내지 F-292, 및 G-1 내지 G-48은 하기 일반식 1 내지 일반식 3의 합성 방법에 따라 제조될 수 있다.
일반식 1: 화합물 E-1 내지 E-18의 합성
[일반식 1-1]
Figure imgf000082_0002
[일반식 1-2]
s Afyl, Hetefo aryl
Figure imgf000082_0003
일반식 2: 화합물 F-1 내지 F-292의 합성 Hf t to .11/ 1 、" I'
Figure imgf000083_0001
A
2-2]
Figure imgf000083_0002
-3]
Figure imgf000083_0003
Toluene, reflux, I2h
At. L - ryt. Metsro ar l
[일반식 2-4]
Figure imgf000083_0004
Toluene, reflux, 12h 일반식 3: 화합물 G-1 내지 G-48의 합성
[일반식 3-1]
Figure imgf000083_0005
-2]
Figure imgf000084_0001
본 발명의 일 구현예에 따른 구체 화합물들의 대표적인 합성법 및, 이에 대한 수율 및 LC-Mass 값은 하기 [표 1]과 같다.
Figure imgf000084_0002
Figure imgf000085_0001
합성예 32: 화합물 E-16의 합성
Figure imgf000086_0001
등근바닥플라스크에 1,3,5-트리브로모벤젠 9.5g(30.18mmol, Aldrich)과 바아페닐 -4-일 -페닐 아민 22.21 g(9().53mmol, TCI), 소디움 t-부특사이드
4.35g(45.27mmol)을 넣고 를루엔 300ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.174g(0.302mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.146(0.604mmol)올 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-16을흰색 고체로 21.5g (수율 90%)을 수득하였다.
m/z calcd for C60H45N3: 807.36, found: 807.41 합성예 33: 화합물 E-7의 합성
Figure imgf000086_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-10 10g(22.37mmol)과 비스바이페닐 -4-일 아민 7.2g(22.37mmol, TCI), 소디움 t-부톡사이드 3.2g(33.56mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.129g (0.224mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.091g(0.448mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 헥산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-7을흰색 고체로 14.6g (수율 89%)을 수득하였다.
m/z calcd for C54H41N3 : 731.33, found: 731.38 합성예 34: 화합물 F-34의 합성
34]
Figure imgf000087_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-10 10g(22.37mmol)과 중간체 M-5
9.2g(22.37mmol), 소디융 t-부톡사이드 32g(33.56mmol)을 넣고 를루엔 250ml올 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 ( 29g (0.224mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.091g(0.448mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 F-34를 흰색 고체로 16.9g (수율 92%)을 수득하였다.
m/z calcd for C60H43N3O: 821.34, found: 821.46 합성예 35: 화합물 F-104의 합성
Figure imgf000087_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-12 13.4g(22.37mmoI)과 중간체 M-6
9.6g(22.37mmol), 소디움 t-부특사이드 3.2g(33.56mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.129g (0.224mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀
0.091g(0.448mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 F-104를 흰색 고체로 2().6g (수율 93%)을 수득하였다.
m/z calcd for C72H51N3S: 989.38, found: 989.45 합성예 36: 화합물 F-136의 합성
Figure imgf000088_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-10 10.3g(23.04mmol)과 중간체 M-13 8.91g
(25.35mmol), 소디움 t-부특사이드 3.32g(34.57mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.13g (0.23mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.11g(0.461mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다ᅳ 반응 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 F-136을 흰색 고체로 19.8g (수율 90%)을 수득하였다. 합성예 37: 화합물 F-201의 합성
Figure imgf000088_0002
등근바닥플라스크에 증간체 M-1 1 10.6g(22.37mmol)과 중간체 M-9 1 1.9g
(22.37mmol), 소디움 t-부록사이드 3.2g(3 56mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.129g (0.224mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.091 g(0.448mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 F-201을 흰색 고체로 19.8g (수율 91 %)을 수득하였다.
m/z calcd for C68H49N3S2: 971.34, found: 971.51 합성예 38: 화합물 F-88의 합성
[반웅식 38]
Figure imgf000089_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M- 10 10g(22.37mmol)과 중간체 M-7 9.0g
(22.37mmol), 소디움 t-부톡사이드 3.2g(33.56mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.129g (0.224mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.091 g(0.448mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 F-88을 흰색 고체로 16.5g (수율 91 %)을 수득하였다.
m/z calcd for C58H41N3 S: 81 1.30, found: 81 1.61 합성예 39: 화합물 G-25의 합성
[반웅식 39]
Figure imgf000090_0001
등근바닥풀라스크에 증간체 M-16 1 1.7g(22.37mmol)과 중간체 M-5 9.2g (22.37mmol), 소디움 t-부특사이드 3.2g(33.56mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.129g (0.224mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.091g(0.448mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층올 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물올 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 G-25를 흰색 고체로 18g (수율 90%)을 수득하였다.
m/z calcd for C58H41N3S: 895.36, found: 895.48 합성예 40: 화합물 G-30의 합성
Figure imgf000090_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-14 9.9g(22.37mmol)과 중간체 M-17 9.6g
(22.37mmol), 소디움 t-부록사이드 3.2g(33.56mmol)을 넣고 를루엔 250ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.129g (0.224mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.091 g(0.448mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 G-30을흰색 고체로 17.5g (수율 94%)을 수득하였다. m/z calcd for C60H39N3S: 833.29, found: 833.42 유기 발광소자의 제작
실시예 1
ΠΌ (Indium tin oxide)가 1500A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소
플라즈마를 이용하여 상기 기판올 10분간 세정 한 후 진공 층착기로 기판을 이총하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ 기판 상부에 Ν4,Ν4'-디페닐 -Ν4,Ν4'-비스 (9-페닐 -9Η-카바졸 -3-일)바이페닐 -4,4'-디아민 (Ν4,Ν4'- diphenyl-N4,.N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)^ A)를 진공 증착하여 700 A두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 겋공 주입층 상부에
1 ,4,5,8,9, 1 1 -핵사아자트리페닐렌-핵사카보니트릴 (1 ,4,5,8,9, 1 1 -hexaazatriphenylene- hexacarbonitrile, HAT-CN)(화합물 B)를 50 A의 두께로 증착한 후， N- (바이페닐 -4-일) - 9,9-디메틸 -N-(4-(9-페닐 -9H-카바졸 -3-일)페닐) -9H-플루오렌 -2-아민 (N-(biphenyl-4-yl)-9,9- dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amm^ C)를
700 A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 합성예
32에서 얻어진 화합물 E-16을 진공 증착으로 50 A 두께의 정공수송보조층을 형성하였다ᅳ 이어서 상기 정공수송보조층 상부에 합성예 8에서 얻어진 화합물 A-33 및 합성예 1 1에서 얻어진 화합물 B-43을 호스트로 동시에 사용하고 도펀트로 트리스 (4-메틸 -2,5-디페닐피리딘)이리듐 (ΙΠ)(화합물 D)를 7wt0/。로 도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 A-33과 화합물 B-43은 4:6 중량비로 사용되었다.
이어서 상기 발광충 상부에 8-(4-(4- (나프탈렌 -2-일) -6- (나프탈렌 -3-일) -1 ,3,5- 트리아진 -2-일)페닐)퀴놀린 (8-(4-(4-(naphthalen-2-yl)-6-(naphthalen-3-yl)-l ,3,5-triazin-2^ yl)phenyl)quinoline) (화합물 E)와 Liq를 동시에 1 : 1 비율로 진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq l 5 A과 A1 1200 A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 6층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 ITO/A(700 A)/B(50 A)/C(720 A)/정공수송보조층 [E- 16(320 A)]/EML[A-33 :B-43 :D= X:X: 7%] (400 A )/E： Liq(300 A )/Liq( 15 A )/Al( 1200 A )≤1 구조로 제작하였다.
(X= 중량비) 실시예 2
정공수송보조층에 화합물 E-16 대신 합성예 33에서 얻어진 화합물 E-7을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 실시예 3
정공수송보조층에 화합물 E- 16 대신 합성예 36에서 얻어진 화합물 F- 136을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 1
정공수송보조층을 형성하지 않고, 정공수송층으로 화합물 C를 1020 A두께로 증착하여 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 평가
실시예 1 내지 실시예 3, 및, 비교예 1에 따른 유기발광소자의 발광효율 및 를 -오프 특성을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 [표 2]와 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-I OOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀 £ 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(4) Roll-off 측정
상기 (3)의 특성수치 중 (Max 수치 - 6000cd/m2일때의 수치 / Max 수치)로 계산하여 효율의 하락폭을 0/。로 계산하였다.
[표 2]
Figure imgf000093_0001
표 2을 참고하면, 실시예 1 내지 실시예 3에 따른 유기발광소자는 비교예 1에 따른 유기발광소자와 각각 비교하여 발광 효율 및 롤 -오프 특성이 동시에 현저하게 개선된 것을 확인할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【청구의 범위】
【청구항 11
서로 마주하는 애노드와 캐소드,
상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층,
상기 애노드와 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송층, 그리고
상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송보조층
을 포함하고,
상기 발광층은 하기 화학식 1로 표현되는 적어도 1종의 게 1 화합물과 하기 화학식 2로 표현되는 적어도 1종의 게 2 화합물을 포함하고,
상기 정공수송보조층은 하기 화학식 3으로 표현되는 적어도 1종의 제 3 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자:
[화학식 1]
Figure imgf000094_0001
상기 화학식 1에서,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
Z 중 적어도 하나는 N 이고,
R1 내지 R10 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고,
L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고',
nl+n2+n3>l 이고, 2]
Figure imgf000095_0001
상기 화학식 2에서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
Arla 및 Arlb은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R" 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
3]
Figure imgf000095_0002
상기 화학식 3 에서,
L2 내지 L7는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n4 내지 n9은 각각 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고,
R17 내지 R22은 각각 독립적으로， 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 시아노기， 니트로기, 히드록실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,
R17 내지 R22은 각각 독립적으로 존재하거나, R17 및 R18, R19 및 R20, 그리고 R21 및 R22는 서로 연결되어 융합고리를 형성하고,
상기 화학식 1 내지 3의 "치환' '은 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30
시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기， C 1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 사아노기로 치환된 것을 의미한다.
【청구항 2】
제 1항에서,
상기 게 1 화합물은 하기 화학식 1- I 또는 화학식 l- Π로 표현되는 유기 광전자 소자:
[화학식 1- 1 ] [화학식 1- Π ]
Figure imgf000096_0001
상기 화학식 i - i 및 i- Π에서,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
Z 중 적어도 하나는 N 이고，
R1 내지 R10 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고, Li은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 *터페닐렌기이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,'
nl+n2+n3>l 이고,
여기서，"치환"은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， 히드록시기， 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 3】
게 1항에서,
상기 게 1 화합물은 하기 그룹 2에 나열된 화합물 중 적어도 하나인 유기 광전자 소자:
[그룹 2]
A-t A*2 Λ-5
WO 2016/068460 PCT/K 2015/008247
Figure imgf000098_0001
Figure imgf000099_0001
L6
Figure imgf000100_0001
.l7Z800/SlOZaM/X3d 0917890/9Ϊ0Ζ OAV
86
Figure imgf000101_0001
【청구항 4】
거 U항에서， '
상기 제 2 화합물은 하기 화학식 2-K 내지 2-X I 중 적어도 하나로 표현되는 유기 광전자 소자:
[화학식 2-K] [화학식 2-X] [화학식 2-X I]
Figure imgf000101_0002
상기 화학식 2-K 내지 2-X I에서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C6 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
R" 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내 C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 ΕΤ,ΕΤΙ, 및 ΕΤ2는 각각 독립적으로 하기 그룹 3에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택되고,
상기 ΗΤ,ΗΤΙ, 및 ΗΤ2는 각각 독립적으로 하기 그룹 4에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택되는 유기 광전자 소자: [그룹 3
Figure imgf000102_0001
여기서 "치환 "은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미하고, 상기 그룹 3 및 4에서 *은 연결 지점이다.
【청구항 5】
제 1항에 있어서,
상기 제 2 화합물은 하기 그룹 5에 나열된 화합물에서 선택되는 소자:
[그룹 5]
Figure imgf000103_0001
^43
Figure imgf000104_0001
Ltz oo/siozni/iJd 0917890/9Ϊ0Ζ OAV
201 8.1.0S
Figure imgf000105_0001
m
【청구항 6】
게 1항에서,
상기 발광층은,
하기 화학식 1ᅳ I로 표현되는 제 1 화합물; 및
하기 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자: [ - 1 ]
Figure imgf000106_0001
상기 화학식 1- I에서,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고，
Z 중 적어도 하나는 N 이고，
R1 내지 R10 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고，
L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고，
nl+n2+n3>l 이고,
[ 2- X I ]
Figure imgf000106_0002
상기 화학식 2- X I에서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
R11 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내 7' C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 HT1, 및 HT2는 각각 독립적으로 하기 그룹 4에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택되고, [그룹 4]
Figure imgf000107_0001
상기 그룹 4에서 *은 연결 지점이고,
여기서 "치환''은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 7】
거 11항에서,
상기 제 3 화합물은 하기 화학식 3- 1 내지 화학식 3-ΠΙ 중 적어도 하나로 표현되는 유기 광전자 소자:
[화학식 3- 1 ] [화학식 3- Π ] 3-m]
Figure imgf000108_0001
상기 화학식 3- 1 내지 화학식 3-m에서,
L4 내지 L7는 각각 독립적으로 단일결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
n4 내지 n9은 각각 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고，
R17 내지 R22은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C20 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 시아노기, 니트로기, 히드록실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고, (
여기서 "치환"은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기., C1 내지 C30 알킬기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 8】
거 17항에서，
상기 게 3 화합물은 하기 화학식 3a 내지 화학식 3k 중 적어도 하나로 표현되는 유기 광전자 소자:
[화학식 3a] 화학식 3b]
Figure imgf000109_0001
[화학식 [화학식 3d]
Figure imgf000110_0001
상기 화학식 3a 내지 화학식 3k에서,
X1 내지 X3은 각각 독립적으로 0, S, 또는 CRbRc이고，
R17 내지 R24, Rb, 및 Rc는 각각 독립적으로, 수소, 중수소， 할로겐， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기， 시아노기, 니트로기, 히드록실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,
Ar2 내지 Ar7은 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30
아릴기이고,
L2 내지 L7는 각각 독립적으로 단일결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n4 내지 n9은 각각 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고, 여기서 "치환"은 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기, 히드록시기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 9】
제 1항에서，
상기 화학식 3의 R17 내지 R22은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P- 터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기 , 치환 또는 비치환된
플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 이들의 조합인 유기 광전자 소자.
【청구항 10】
거 U항에서，
상기 화학식 3의 L2 내지 L7는 각각 독립적으로 단일결합이거나 하기 그룹 6에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택된 하나인 유기 광전자 소자: 그룹 6]
Figure imgf000112_0001
상기 그룹 6에서,
*은 연결 지점이고,
여기서 "치환"은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 1 1】
제 1항에서,
상기 제 3 화합물은 하기 E-7, E-16, F-34, F-38, F-88, F-104, F-136, F-201 , F-203, F- 209, F-251 , G-8, G-17, G-25, G-30, 및 G-40에서 선택되는 화합물인 유기 광전자 소자:
[E-7] [E-16]
Figure imgf000112_0002
[F-34] [F-38] [F-88] 【청구항 12】
제 1항에서,
상기 발광층은, 상기 화학식 1- 1로 표현되는 제 1 화합물, 및 상기 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물을 포함하고,
상기 정공수송보조층은， 하기 화학식 3-1로 표현되는 제 3 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자: - 1
Figure imgf000114_0001
상기 화학식 1- 1에서,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
Z 중 적어도 하나는 N 이고，
R1 내지 R10 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고,
L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고，
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
nl+n2+n3>l 이고,
[ 2- X I ]
Figure imgf000114_0002
상기 화학식 2- X I에서，
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
R" 내지 R16는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내^ C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 HT1, 및 HT2는 각각 독립적으로 하기 그룹 4에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택되고, [그룹 4
Figure imgf000115_0001
상기 그룹 4에서 *은 연결 지점이고
화학식 3- 1 ]
Figure imgf000115_0002
상기 화학식 3- 1에서,
n4 내지 n9은 각각 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고,
R17 내지 R22은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기. 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 시아노기, 니트로기， 히드록실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,
여기서 "치환' '은 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C 10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 13 ]
제 12항에서,
상기 발광층은, 상기 화학식 1 - 1로 표현되는 제 1 화합물, 및 상기 화학식 2- X I로 표현되는 제 2 화합물을 포함하고,
상기 정공수송보조층인 상기 화학식 3- 1은 하기 화학식 3a 내지 화학식 3e로 표현되는 계 3 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 광전자 소자:
화학식 3a] [화학식 3b] '
Figure imgf000116_0001
[화학식 3c] [화학식 3d]
[화학식
Figure imgf000117_0001
상기 화학식 3a 내지 화학식 3e에서
X1 내지 X3은 각각 독립적으로 0, S, 또는 CRbR^]고,
R17 내지 R24, Rb, 및 Rc는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 시아노기, 니트로기, 히드특실기 또는 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,
Ar2 내지 Ar7은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고，
n4 내지 n9은 각각 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고, 여기서 "치환"은 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기, 히드록시기, 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 14】
제 1항에서，
상기 정공수송보조층은 상기 정공수송층과 상기 발광층에 각각 접해있는 유기 광전자 소자. 【청구항 15】
거 U항에서,
상기 발광층은 인광 도편트를 더 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 16】
제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표入' 장치.
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