WO2016062499A1 - Illumination optics for euv projection lithography - Google Patents

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WO2016062499A1
WO2016062499A1 PCT/EP2015/072334 EP2015072334W WO2016062499A1 WO 2016062499 A1 WO2016062499 A1 WO 2016062499A1 EP 2015072334 W EP2015072334 W EP 2015072334W WO 2016062499 A1 WO2016062499 A1 WO 2016062499A1
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euv
photon
illumination
sieve
light source
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PCT/EP2015/072334
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Alexander Wolf
Toralf Gruner
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements

Definitions

  • the invention relates to an illumination optics for the EUV projection lithography for illuminating a lighting field with EUV Nutzlicht. Furthermore, the invention relates to a system with such a lighting optics and a cleaning device, an optical system with such illumination optics and a projection optics for imaging at least a portion of the illumination field in an image field; an illumination system with such an illumination optical system and an EUV light source, a projection exposure apparatus with such an optical system and an EUV light source, a production method for a micro- or nano-structured component, and a microstructured or nano-structured component produced by this method component. Furthermore, the illumination optics relates to a photon screen as part of an illumination optics for EUV projection lithography.
  • the light conductance or the etendue of the light source can be greater than 1 mm.
  • the optical conductivity is the smallest volume of a phase space that contains 90% of the light energy of an emission from a light source.
  • Corresponding definitions of the optical conductivity can be found in EP 1 072 957 A2 and US Pat. No. 6,198,793 B1, in which it is stated that the optical conductivity is obtained by multiplying the illumination data x, y and NA 2 , where x and y are the field dimensions Those who span a lit lighting field and NA are the numerical aperture of the field lighting.
  • the photon screen as part of the illumination optics is robust, since it works without coatings to influence a reflection or transmission value for EUV useful radiation.
  • the photon filter can be arranged as an optical component used close to the EUV light source.
  • the photon screen may be arranged in a pupil plane of the illumination optics.
  • An angle distribution of the EUV useful light transmitted by the photon filter can be used to achieve a uniformity correction over the illumination field.
  • Several photon sieves can be arranged one behind the other in the beam path of the EUV useful light. This can advantageously enhance a radiation-influencing effect of the overall photon sieve arrangement.
  • a central region according to claim 3 leads to an effective blocking of debris of the EUV light source, for example of tin plasma.
  • a pattern matching according to claim 4 makes it possible to make a selection or a preselection of illumination settings or illumination angle distributions of the EUV useful light via the photonic sieve. This simplifies the configuration of subsequent components of the illumination optics.
  • Subdivision of the photon screen into subregions according to claim 5 enhances the capabilities of the photon screen.
  • An arrangement according to claim 6 can lead to possible uses of the proton sieve, which correspond to those of a microlens array.
  • a change holder according to claim 7 may be designed so that exactly one photon wire is arranged in the beam path of the EUV radiation.
  • the changeover holder may have a changeover holder drive.
  • the changeover holder drive can be equipped with a control device for the purposeful selection of the photonic sieve arranged in the beam path.
  • a displacement drive according to claim 8 can be designed as a changeover holder drive and / or as a displacement drive for the arranged in the EUV beam path photon filter.
  • the displacement drive can be used for fine positioning of the photon screen or also for specifying an altered, the EUV Nutzlicht influencing effect.
  • the displacement drive the photon filter in particular pivot about an axis perpendicular to an assembly plane of the photon filter.
  • the changeover holder drive and / or the displacement drive can be designed as a rotary drive and / or as a translational drive.
  • a collector according to claim 9 increases an EUV throughput of the illumination optics.
  • the collector may have diffractive structures. This can be done via the collector an additional wavelength selection.
  • a system according to claim 10 can be used for cleaning not used for EUV radiation guidance photon screens. This can be done in particular in connection with a photon screen changer.
  • the cleaning device may have an acid bath.
  • an optical system according to claim 1 1, an illumination system according to claim 12, a projection exposure apparatus according to claim 13, a manufacturing method according to claim 14 and a micro- or nano-structured component according to claim 15 correspond to those described above with reference to the illumination optics according to the invention already explained.
  • the photon screen may be selected in the manufacturing process depending on a lighting setting to be specified.
  • Another object of the invention is to design a photonic sieve for use in an illumination optical system of an EUV projection exposure apparatus. This object is achieved according to the invention by a photon screen having the features specified in claim 16.
  • Such a photon screen can be used as a raster component within a design of an EUV illumination optics, which is known as a honeycomb condenser or as a field facet mirror / pupil facet mirror arrangement. Instead of a field facet, one of the photon-sieve subregions of such a photon sieve then emerges.
  • FIG. 1 schematically shows main components of a projection exposure apparatus for EUV projection lithography with an optical assembly for converting EUV radiation of an EUV light source into an intermediate focus;
  • FIG. 2 shows an embodiment of the optical assembly for transferring the emitted EUV radiation of the light source into the intermediate focus
  • FIGS. 2 and 3 shows in a plan view a section of a replaceable holder for receiving a plurality of photonic sieves as part of the optical assembly according to FIGS. 2 and 3, wherein two of these photonic sieves are shown, of which in each case exactly one photon sieve is arranged in the beam path of the EUV radiation ; in a plan view, another embodiment of a swap holder for receiving four photon screens, of which exactly one is arranged in the beam path as part of the optical assembly of Figure 2 or 3. a 3x4 multi-photon screen array, in particular as part of an illumination optics for EUV projection lithography; in a position similar to Fig. 1, another embodiment of main components of a projection exposure apparatus for EUV projection lithography with two of an optical assembly for transferring emitted EUV radiation of an EUV light source in an intermediate focus facet mirrors downstream.
  • FIG. 1 schematically shows an illumination optical unit 1, a light source 2 and an imaging optic or projection optics 3 of a projection exposure apparatus 4 of EUV microlithography.
  • An optical system 5 of the projection exposure apparatus 4 has, in addition to the illumination optics 1, which illuminates an illumination or object field 6 of the projection exposure apparatus, the projection optics 3 for imaging the object field 6 lying in an object plane into an image field 7 in an image field.
  • the projection exposure apparatus 4 has, in particular, a plurality of mechanical components, namely holders 8, 9 for an element 10 arranged in dashed lines in the object plane and arranged in dashed lines in FIG. in Fig. 1 dashed lines shown wafer
  • FIG. 1 shows a structure on the particle 10 on a light-sensitive layer of the wafer 1 1 arranged in the image plane 7 in the image plane.
  • the fields 6, 7 are indicated as arcuate in FIG. 1, but may alternatively also be rectangular.
  • the imaging optical system 3 is designed as a catoptric optical system with a plurality of mirrors, of which two mirrors M1, M2 are shown schematically in FIG.
  • the imaging optics 3 usually has a larger number of mirrors, for example four, six or eight mirrors.
  • the light or radiation source 2 is an EUV (extreme ultraviolet) light source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm.
  • the light source 2 has an optical conductivity or etendue that is greater than 1 mm.
  • the light conductance is the smallest volume of the phase space, which contains 90% of the light energy.
  • the light source 2 may be a plasma source in the form of a GDP (Gas Discharge Produced Plasma) or in the form of an LDP (Laser Discharge Produced Plasma) source.
  • a GDP Gas Discharge Produced Plasma
  • LDP Laser Discharge Produced Plasma
  • a wavelength band or a target wavelength range of the EUV radiation 8 used for the EUV projection exposure is 13.5 nm ⁇ 1 nm, but can also be in the range between 5 nm and 8 nm, for example.
  • the EUV radiation 12 is also referred to below as illumination and imaging light or as useful emission.
  • Another target wavelength range for example, between 5 nm and 17 nm, is possible.
  • a bandwidth of the used EUV wavelength band can be larger than 0.1 nm and can be used in particular. These are between 0, 1 nm and 2 nm.
  • a typical bandwidth of the EUV radiation 12 used is 1% of the center wavelength.
  • a wavelength bandwidth of the light source 2 can be much larger than the bandwidth of the EUV wavelength band used and, for example, can be at 0.1 ⁇ .
  • the light source 2 is followed by an optical subassembly 13 for transferring the emitted EUV radiation 12 of the light source 2 into an intermediate focus Z.
  • the optical subassembly 13 is indicated only schematically in FIG. Embodiments of the optical assembly 13 will be explained below with reference to FIG. 2 ff.
  • the optical assembly 13 may be arranged downstream of a deflecting mirror for the useful emission 12, as will also be explained below.
  • the generated useful EUV radiation 12 propagates through an intermediate focus plane 14, in which the intermediate focus Z is arranged, before it encounters an assembly 15 of subordinate optical components for generating predefined illumination parameters when illuminating the illumination field 6 with the EUV useful light 12 ,
  • the EUV radiation has the intermediate focus Z, that is, a location of the smallest transverse extent.
  • the optical assembly 13 for transferring the emitted EUV radiation 12 of the light source 2 into the intermediate focus Z as a whole or one
  • Photon sieves are basically described in the publications Laser & Photon. ev., 1-15 (2008) / DOI 10.1002 / lpor.200810009; Nature 414, 184-188 (08 Nov. 2001) / doi: 10.1038 / 35102526; J. Opt. Soc. At the. A / Vol. 22, No.2 / February 2005; Opt. Lett. 30, 2976 to 2978 (2005) and DE 101 25 870 AI. 4 shows a change holder 17 for holding a plurality of photon screens 16, of which two photonic screens 16 are shown in FIG. 4. Exactly one of these photonic sieves 16 is arranged in the beam path of the EUV radiation 12 and is also referred to below as the useful photon sieve 16 N.
  • Each of the photonic sieves has a characteristic array of port apertures 18 through which radiation can pass through the photon screen 16.
  • the passage or screen openings 18 are arranged on concentric circles around a center 19 of the respective photon screen 16.
  • the rings are staggered in the manner of the ring structures of a Fresnel zone plate.
  • This arrangement is such that a zeroth diffraction order of the EUV useful radiation 12, which is guided in the direction of the intermediate focus Z, positively interferes.
  • Other orders of diffraction of the EUV useful radiation 12 or radiation of other wavelengths emitted by the light source 2 either interfere destructively or are diffracted in other directions, as shown in dashed lines in FIG. 2, so that they pass through a pinhole 20 in the intermediate focus plane 14 be blocked at the location of the intermediate focus Z.
  • the photon filter 16 is thus designed so that it diffraction on the one hand Suppresses orders for the EUV Nutzlicht 12, which are greater than a zeroth diffraction order, and on the other hand diffracted by the EUV light source 2 generated radiation of wavelength unlike the EUV Nutzlicht 12 in the opposite direction than the EUV Nutzlicht 12th
  • a central area 21 of the photon screen 16 around the center 19 is configured as a debris blocking area of the EUV light source 2.
  • the blocked debris may be tin plasma from a plasma source.
  • a pattern of the screen apertures 18 of the photon screen 16 may be adapted to a predetermined illumination angle distribution of the EUV useful light 12 in the illumination of the illumination field 6.
  • the sieve openings 18, which are arranged above or below the center 19 are larger than the sieve openings 18, which are arranged to the right and left of the center 19.
  • the EUV useful radiation 12 is preferably passed through the photonic sieve 16 for y-dipole illumination.
  • Fig. 4 below shows an embodiment of the photon sieve 16, which emerges by rotation of the embodiment of FIG. 4 above by 90 degrees about the center 19.
  • the screen openings 18 on the right and left of the center 19 are larger than the screen openings 18 above and below the center 19, so that correspondingly an x-dipole illumination is preferably transmitted from the photon screen 16 according to FIG. 4 below.
  • the photon sieve 16 can be arranged in a pupil plane 22 of the illumination optical unit 1, which is conjugated to a pupil plane 23 (see FIG. 1) of the projection optics 3. With such an arrangement in the pupil plane 22, a uniformity correction of the illumination of the illumination field 6 via the illumination field 6 can be achieved via an angular distribution of the transmitted EUV useful light 12.
  • the changeover holder 17 is indicated in FIG. 4 for the two photonic sieves 16 shown there as well as schematically for further photonic sieves, indicated by broken lines, which are arranged above and below the photon sieves shown overall.
  • the changeover holder 17 is connected to a changeover holder drive 24.
  • a displacement of the change holder 17 along the y- direction in Fig. 4 is possible.
  • the changeover holder drive 24 is controlled by a central control device 25 of the projection exposure system 4. About this control can specify which of the photon screens 16, which are held by the change holder 17, acts as a useful photon filter 16 N in the beam path of the EUV radiation 12.
  • the changeover holder 17 may have a further displacement drive 26 for the individual displacement of the respective Nutz-Photonensiebs 16 N in the EUV beam path 12.
  • FIG. 4 shows such a further displacement drive 26 schematically for the photon sieve 16 shown below.
  • Via the further displacement drive 26, driven pivoting of the associated photon sieve 16 about its center 19 is possible, as indicated by a directional arrow 27 in FIG. indicated.
  • a dipole direction of a dipole illumination can be finely influenced.
  • the further displacement drive 26 is in a manner not shown with the central control device 25 in signal communication. Via a further displacement drive for the individual displacement of the respective useful photon sieve 16 N , a fine positioning of this useful photon sieve 16 N in the EUV beam path 12 is also possible.
  • a cleaning device 27 for cleaning photon filters 16, which are not arranged in the beam path of the EUV radiation, is indicated at the bottom.
  • the cleaning device 27 comprises an acid bath 28 in a cleaning container 29.
  • at least one of the further, unused photon sieves 16 can be cleaned in the acid bath 28 for cleaning, in particular, in FIG Central region 21 accumulated debris be arranged.
  • all photon sieves 16 present in the exchangeable holder 17 can be cleaned in an acid-free exposure in an acid bath 28.
  • an EUV collector 30 in the form of a spherical mirror is present for transferring the emitted EUV radiation 12 of the light source 2 into the intermediate focus Z next to the photon sieve 16.
  • the light source 2 lies in the center of the sphere of the collector 30, so that radiation emitted by the light source 2 and reflected by the collector 30 is reflected back into the light source 2. From the light source 2 in the direction of the photon sieve 16 to the beam path of the optical assembly 13 of FIG. 3 roughly corresponds to that of FIG. 2.
  • Fig. 5 shows another variant of a photon screen exchange holder 33, which instead of the change holder 17 of FIG. 4 can be used.
  • the change holder 33 has a change holder drive 34, via which the change holder 33 can be pivoted about a pivot axis 35.
  • the pivot axis 35 is perpendicular to the plane of FIG. 5 and passes through a center of the change holder 33. This pivoting is indicated in Fig. 5 by a directional arrow 36.
  • the change holder 33 carries a total of four photonic sieves 16 in the manner of the photon sieves, which have already been explained above in connection with FIG. These photon sieves 16 are indexed with an index i, starting with the top of the photon sieve 16 l 5 shown in FIG. 5, where the index i is counted up in a clockwise direction.
  • the photon screens 16i to 16 3 in the change holder 33 are performed in the manner of the photon screens 16 of FIG. 4, so in turn provide for a dipole selection of EUV useful radiation 12.
  • the photon filter I6 1 is with an orientation of the screen openings 18 in the manner of 4 upper photonic sieve 16 shown in FIG.
  • the photon sieve I6 3 is shown with an orientation of the screen openings 18 in the manner of the bottom in FIG. 4 Photonensiebs sixteenth
  • the photon screen 16 2 has an orientation of the screen openings 18, which emerges by rotation of the photonic sieve I6 3 about its center 19 by 45 ° in a clockwise direction.
  • the photonic sieve 16 4 shown on the left in FIG. 5 is the optically used useful photon sieve 16 N.
  • all sieve openings 18 are the same size and distributed in the circumferential direction around the center 19 of the photon sieve 16 4 evenly distributed.
  • FIGS. 4 and 5 show the photonic sieves 16 in a plan view.
  • the changeover holder 33 can also be designed such that each of the photonic sieves 16 1 to 16 4 can be displaced individually about a further displacement drive 26 about its center 19, as in FIG. 5 optically used photon filter 16 N indicated.
  • the changeover holder 33 is designed in the manner of a turret arrangement, as is already known in connection with aumpsssetting- selection in EUV projection exposure systems.
  • FIG. 6 shows another embodiment of a photon screen 37 which is subdivided into a plurality of juxtaposed photomultiplier subareas 38.
  • These photomultiplier subareas 38 are arranged in FIG. 6 in the manner of a 3 ⁇ 4 array with three rows and four columns.
  • the total of 12 photon-screen subregions are thus designed such that the respective photon-screen subregion 38 suppresses diffraction orders for an EUV useful light sub-beam 12j which acts on them and which are larger than a zeroth diffraction order.
  • the photon screen subregions 38 are arranged in the manner of a microlens array.
  • photon screen subregions 38 in the range, for example, between 4 and 1000 photon screen subregions is possible, for example 50, 100, 200, 300 or 500 photon screen subregions.
  • the photon screen subregions 38 can all be designed with identical orientation and arrangement of the screen openings 18.
  • the arrangements and / or orientations of the screen openings 18 of the photon screen sub-areas 38 differ from each other.
  • configurations of the photon screen 37 are possible in which various types of orientations and / or arrangements of the screen openings 18 are given, these types of photon screen being arranged in a predetermined pattern over the photon screen 37.
  • the photon screen 37 with the plurality of photon screen subregions 38 can be designed as a raster element with the function of a honeycomb condenser or a facet mirror of an EUV illumination optics.
  • the photon sieve 37 can then take on the function of a field facet mirror of the further embodiment of an illumination optical system 39 described below, for example.
  • the generated useful EUV radiation 12 propagates through the intermediate focus plane 14 and then strikes a field facet mirror 40 with field facets 41, which are acted upon by the EUV useful radiation 12.
  • the field facets 41 are curved, but may also be rectangular. Another form of field facets 41 is possible.
  • the EUV useful radiation 12 reflected by the field facet mirror 40 is constructed from a multiplicity of illumination channels, that is to say from partial radiation beams, each partial beam being reflected by a specific field facet 41. Each sub-beam in turn strikes a pupil facet 42 of a pillar facet mirror 43 assigned to the sub-beam via the illumination channel.
  • the pupil facets 42 are arranged on a common carrier plate 44 of the pupil facet mirror 43.
  • the pupil facet mirror 43 is arranged in an illumination pupil plane 45.
  • the pupil facets 42 are round. Alternatively, a hexagonal or rectangular embodiment of the pupil facets 42 is possible.
  • the pupil facets 42 are arranged tightly packed. With the field facet mirror 40, secondary light sources are generated at the location of the pupil facets 42 of the pupil facet mirror 43 as images of the intermediate focus Z in the intermediate focus plane 14.
  • the pupil facet mirror 43 is arranged in a plane of the illumination optics 39, which coincides with the pupil plane 23 of the projection optics 3 or is optically conjugate to the latter.
  • An intensity distribution of the EUV radiation 12 on the pupil facet mirror 43 is therefore directly correlated with an illumination angle distribution of illumination of the object field 6 in the object plane and illumination of the image field 7 in the image plane.
  • the pupil facet mirror 43 and an imaging optical assembly in the form of a schematically indicated transfer optics 46 the field facets 41 of the field facet mirror 40 are imaged into the object field 6.
  • the transfer optics 46 can also be dispensed with.
  • the projection exposure apparatus 4 is used as follows: First, the particle 10 and the wafer 11 are provided.
  • the desired photon sieve 16 is then configured as a useful photon sieve 16 N with regard to its arrangement or orientation of the sieve openings 18 and inserted into the beam path of the EUV radiation. It can be done using one of the variants of the above-described change holder 17 and 33, respectively. Then, a structure on the reticle 10 is projected on a photosensitive layer of the wafer 1 1 by means of the projection exposure apparatus 4.
  • a microstructure is then produced on the wafer 1 1 and thus the microstructured or nanostructured component.

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Abstract

Illumination optics for EUV projection lithography for illuminating an illumination field with useful EUV light (12) from an EUV light source (2) have an optical unit (13) for transferring emitted EUV radiation from the light source (2) to an intermediate focus (Z). The optical unit (13) has a photon screen (16) arranged in the optical path of the EUV radiation (12). This leads to illumination optics with improved stability during use with EUV light sources.

Description

Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie  Illumination optics for EUV projection lithography
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2014 221 313.4 in Anspruch, deren Inhalt durch Be- zugnahme hierin aufgenommen wird. The present patent application claims the priority of German Patent Application DE 10 2014 221 313.4, the content of which is incorporated herein by reference.
Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes mit EUV-Nutzlicht. Ferner betrifft die Erfindung ein System mit einer derartigen Beleuchtungs- optik und einer Reinigungseinrichtung, ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und einer Projektionsoptik zur Abbildung zumindest eines Abschnitts des Beleuchtungsfeldes in ein Bildfeld; ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und einer EUV- Lichtquelle, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen opti- sehen System und einer EUV-Lichtquelle, ein Herstellungsverfahren für ein mikro- bzw. nano strukturiertes Bauteil sowie ein durch dieses Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nano strukturiertes Bauteil. Ferner betrifft die Beleuchtungsoptik ein Photonensieb als Teil einer Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie. The invention relates to an illumination optics for the EUV projection lithography for illuminating a lighting field with EUV Nutzlicht. Furthermore, the invention relates to a system with such a lighting optics and a cleaning device, an optical system with such illumination optics and a projection optics for imaging at least a portion of the illumination field in an image field; an illumination system with such an illumination optical system and an EUV light source, a projection exposure apparatus with such an optical system and an EUV light source, a production method for a micro- or nano-structured component, and a microstructured or nano-structured component produced by this method component. Furthermore, the illumination optics relates to a photon screen as part of an illumination optics for EUV projection lithography.
Komponenten für die EUV-Projektionslithografie sind bekannt aus der US 2003/0002022 AI, der DE 10 2009 025 655 AI, der US 6,700,952, der US 2004/0140440 A, der DE 10 2006 022 352 AI, der DE 101 36 620 AI, der US 2006/0109533 AI, der DE 101 09 242 Cl, der US 7,164,534 B2, der US 6,940,587 B2, der US 6,861,273 B2, der WO 2005/1 19 365 A2 und der EP 1 796 147 AI . Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik hinsichtlich ihrer Standfestigkeit bei der Nutzung mit EUV-Lichtquellen zu verbessern. Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 gegebenen Merkmalen. Components for the EUV projection lithography are known from US 2003/0002022 A1, DE 10 2009 025 655 AI, US 6,700,952, US 2004/0140440 A, DE 10 2006 022 352 AI, DE 101 36 620 A1, US 2006/0109533 A1, DE 101 09 242 C1, US Pat. No. 7,164,534 B2, US Pat. No. 6,940,587 B2, US Pat. No. 6,861,273 B2, WO 2005/1 19 365 A2 and EP 1 796 147 A1. It is an object of the present invention to improve an illumination optics in terms of their stability in use with EUV light sources. This object is achieved by an illumination optical system with the given in claim 1 features.
Der Lichtleitwert bzw. die Etendue der Lichtquelle kann größer sein als 1 mm . Beim Lichtleitwert handelt es sich um das kleinste Volumen eines Phasenraums, der 90 % der Lichtenergie einer Emission einer Lichtquelle enthält. Hierzu entsprechende Definitionen des Lichtleitwertes finden sich in der EP 1 072 957 A2 und der US 6 198 793 B l, in denen angegeben ist, dass der Lichtleitwert durch Multiplikation der Beleuchtungsdaten x, y und NA2 erhalten ist, wobei x und y die Felddimensionen sind, die ein beleuchtetes Beleuchtungsfeld aufspannen und NA die numerische Apertur der Feldbeleuchtung. Das Photonensieb als Teil der Beleuchtungsoptik ist robust, da es ohne Beschichtungen zur Beeinflussung eines Reflexions- bzw. Transmissionswertes für EUV-Nutzstrahlung auskommt. Damit kann das Photonensieb als nahe an der EUV-Lichtquelle genutzte optische Komponente angeordnet sein. Das Photonensieb kann in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik angeordnet sein. Über eine Winkelverteilung des vom Photonensieb durchgelassenen EUV-Nutzlichts lässt sich eine Uniformi- tätskorrektur über das Beleuchtungsfeld erreichen. Mehrere Photonensiebe können im Strahlengang des EUV-Nutzlichts hintereinander angeordnet sein. Dies kann eine nutzstrahlungsbeeinflussende Wirkung der Photonen- sieb-Gesamtanordnung vorteilhaft verstärken. The light conductance or the etendue of the light source can be greater than 1 mm. The optical conductivity is the smallest volume of a phase space that contains 90% of the light energy of an emission from a light source. Corresponding definitions of the optical conductivity can be found in EP 1 072 957 A2 and US Pat. No. 6,198,793 B1, in which it is stated that the optical conductivity is obtained by multiplying the illumination data x, y and NA 2 , where x and y are the field dimensions Those who span a lit lighting field and NA are the numerical aperture of the field lighting. The photon screen as part of the illumination optics is robust, since it works without coatings to influence a reflection or transmission value for EUV useful radiation. Thus, the photon filter can be arranged as an optical component used close to the EUV light source. The photon screen may be arranged in a pupil plane of the illumination optics. An angle distribution of the EUV useful light transmitted by the photon filter can be used to achieve a uniformity correction over the illumination field. Several photon sieves can be arranged one behind the other in the beam path of the EUV useful light. This can advantageously enhance a radiation-influencing effect of the overall photon sieve arrangement.
Bei der Ausgestaltung des Photonensiebs nach Anspruch 2 wird die nullte Beugungsordnung des EUV-Nutzlichts durch die Anordnung von Sieböff- nungen des Photonensiebs gezielt bevorzugt. Dies führt zu einer hohen Transmission des Photonensiebs. In the embodiment of the photon filter according to claim 2, the zeroth diffraction order of the EUV Nutzlichts by the arrangement of Sieböff- tions of the photon filter specifically preferred. This leads to a high transmission of the photon filter.
Ein Zentralbereich nach Anspruch 3 führt zu einer effektiven Blockung von Debris der EUV-Lichtquelle, beispielsweise von Zinnplasma. A central region according to claim 3 leads to an effective blocking of debris of the EUV light source, for example of tin plasma.
Eine Musteranpassung nach Anspruch 4 ermöglicht es, über das Photonensieb eine Auswahl oder eine Vorauswahl von Beleuchtungssettings bzw. Beleuchtungswinkelverteilungen des EUV-Nutzlichts vorzunehmen. Dies vereinfacht die Konfiguration nachfolgender Komponenten der Beleuchtungsoptik. A pattern matching according to claim 4 makes it possible to make a selection or a preselection of illumination settings or illumination angle distributions of the EUV useful light via the photonic sieve. This simplifies the configuration of subsequent components of the illumination optics.
Eine Unterteilung des Photonensiebs in Unterbereiche nach Anspruch 5 erhöht die Einsatzmöglichkeiten des Photonensiebs. Subdivision of the photon screen into subregions according to claim 5 enhances the capabilities of the photon screen.
Eine Anordnung nach Anspruch 6 kann zu Einsatzmöglichkeiten des Protonensiebs führen, die denjenigen eines Mikrolinsenarrays entsprechen. An arrangement according to claim 6 can lead to possible uses of the proton sieve, which correspond to those of a microlens array.
Ein Wechselhalter nach Anspruch 7 kann so ausgeführt sein, dass genau ein Photonensieb im Strahlengang der EUV- Strahlung angeordnet ist. Der Wechselhalter kann einen Wechselhalterantrieb aufweisen. Der Wechselhalterantrieb kann mit einer Steuereinrichtung zur gezielten Auswahl des im Strahlengang angeordneten Photonensiebs ausgerüstet sein. Ein Verlagerungsantrieb nach Anspruch 8 kann als Wechselhalterantrieb und/oder als Verlagerungsantrieb für das im EUV-Strahlengang angeordnete Photonensieb gestaltet sein. Der Verlagerungsantrieb kann zur Feinpositionierung des Photonensiebs oder auch zur Vorgabe einer geänderten, das EUV-Nutzlicht beeinflussenden Wirkung herangezogen werden. Zur Ände- rung der Wirkung kann der Verlagerungsantrieb das Photonensieb insbesondere um eine Achse senkrecht zu einer Anordnungsebene des Photonensiebs verschwenken. Der Wechselhalterantrieb und/oder der Verlagerungsantrieb kann als Rotationsantrieb und/oder als Translationsantrieb ausgeführt sein. A change holder according to claim 7 may be designed so that exactly one photon wire is arranged in the beam path of the EUV radiation. The changeover holder may have a changeover holder drive. The changeover holder drive can be equipped with a control device for the purposeful selection of the photonic sieve arranged in the beam path. A displacement drive according to claim 8 can be designed as a changeover holder drive and / or as a displacement drive for the arranged in the EUV beam path photon filter. The displacement drive can be used for fine positioning of the photon screen or also for specifying an altered, the EUV Nutzlicht influencing effect. To change tion of the effect, the displacement drive, the photon filter in particular pivot about an axis perpendicular to an assembly plane of the photon filter. The changeover holder drive and / or the displacement drive can be designed as a rotary drive and / or as a translational drive.
Ein Kollektor nach Anspruch 9 erhöht einen EUV-Durchsatz der Beleuchtungsoptik. Der Kollektor kann diffraktive Strukturen aufweisen. Hierüber kann eine zusätzliche Wellenlängenauswahl über den Kollektor erfolgen. A collector according to claim 9 increases an EUV throughput of the illumination optics. The collector may have diffractive structures. This can be done via the collector an additional wavelength selection.
Ein System nach Anspruch 10 kann zur Reinigung nicht zur EUV- Strahlungsführung genutzter Photonensiebe genutzt werden. Dies kann insbesondere im Zusammenhang mit einem Photonensieb-Wechselhalter ge- schehen. Die Reinigungseinrichtung kann ein Säurebad aufweisen. A system according to claim 10 can be used for cleaning not used for EUV radiation guidance photon screens. This can be done in particular in connection with a photon screen changer. The cleaning device may have an acid bath.
Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 1 1, eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 und eines mikro- bzw. nano strukturierten Bauteils nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend in Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Das Photonensieb kann beim Herstellungsverfahren abhängig von einem vorzugebenden Beleuchtungssetting ausgewählt werden. The advantages of an optical system according to claim 1 1, an illumination system according to claim 12, a projection exposure apparatus according to claim 13, a manufacturing method according to claim 14 and a micro- or nano-structured component according to claim 15 correspond to those described above with reference to the illumination optics according to the invention already explained. The photon screen may be selected in the manufacturing process depending on a lighting setting to be specified.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Photonensieb zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage zu gestalten. Diese Aufgabe ist erfmdungsgemäß gelöst durch ein Photonensieb mit den im Anspruch 16 angegebenen Merkmalen. Another object of the invention is to design a photonic sieve for use in an illumination optical system of an EUV projection exposure apparatus. This object is achieved according to the invention by a photon screen having the features specified in claim 16.
Ein derartiges Photonensieb kann als Rasterkomponente innerhalb einer Auslegung einer EUV-Beleuchtungsoptik genutzt werden, die als Wabenkondensor bzw. als Feldfacettenspiegel/Pupillenfacettenspiegel- Anordnung bekannt ist. Anstelle einer Feldfacette tritt dann einer der Photonensieb- Unterbereiche eines derartigen Photonensiebs. Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen: Such a photon screen can be used as a raster component within a design of an EUV illumination optics, which is known as a honeycomb condenser or as a field facet mirror / pupil facet mirror arrangement. Instead of a field facet, one of the photon-sieve subregions of such a photon sieve then emerges. Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:
Fig. 1 schematisch Hauptkomponenten einer Projektionsbelich- tungsanlage für die EUV-Projektionslithografie mit einer optischen Baugruppe zur Überführung von EUV-Strah- lung einer EUV-Lichtquelle in einen Zwischenfokus; 1 schematically shows main components of a projection exposure apparatus for EUV projection lithography with an optical assembly for converting EUV radiation of an EUV light source into an intermediate focus;
Fig. 2 eine Ausführung der optischen Baugruppe zur Überführung der emittierten EUV- Strahlung der Lichtquelle in den Zwischenfokus; 2 shows an embodiment of the optical assembly for transferring the emitted EUV radiation of the light source into the intermediate focus;
Fig. 3 eine weitere Ausführung der optischen Baugruppe; 3 shows a further embodiment of the optical assembly;
Fig. 4 in einer Aufsicht einen Ausschnitt eines Wechselhalters zur Aufnahme mehrerer Photonensiebe als Teil der optischen Baugruppe nach den Fig. 2 und 3, wobei zwei dieser Photonensiebe dargestellt sind, von denen jeweils genau ein Photonensieb im Strahlengang der EUV-Strah- lung angeordnet ist; in einer Aufsicht eine weitere Ausführung eines Wechselhalters zur Aufnahme von vier Photonensieben, von denen genau eines im Strahlengang als Teil der optischen Baugruppe nach Fig. 2 oder 3 angeordnet ist; ein 3x4-Multi-Photonensieb-Array, insbesondere als Teil einer Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslitho- grafie; in einer zu Fig. 1 ähnlichen Stellung eine weitere Ausführung von Hauptkomponenten einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie mit zwei einer optischen Baugruppe zur Überführung emittierter EUV-Strahlung einer EUV-Lichtquelle in einen Zwischenfokus nachgeordneten Facettenspiegeln. 4 shows in a plan view a section of a replaceable holder for receiving a plurality of photonic sieves as part of the optical assembly according to FIGS. 2 and 3, wherein two of these photonic sieves are shown, of which in each case exactly one photon sieve is arranged in the beam path of the EUV radiation ; in a plan view, another embodiment of a swap holder for receiving four photon screens, of which exactly one is arranged in the beam path as part of the optical assembly of Figure 2 or 3. a 3x4 multi-photon screen array, in particular as part of an illumination optics for EUV projection lithography; in a position similar to Fig. 1, another embodiment of main components of a projection exposure apparatus for EUV projection lithography with two of an optical assembly for transferring emitted EUV radiation of an EUV light source in an intermediate focus facet mirrors downstream.
Fig. 1 zeigt schematisch eine Beleuchtungsoptik 1 , eine Lichtquelle 2 und eine abbildende Optik beziehungsweise Projektionsoptik 3 einer Projekti- onsbelichtungsanlage 4 der EUV-Mikrolithografie. Ein optisches System 5 der Projektionsbelichtungsanlage 4 hat neben der Beleuchtungsoptik 1, die zur Beleuchtung eines Beleuchtungs- bzw. Objektfeldes 6 der Projektionsbelichtungsanlage dient, die Projektionsoptik 3 zur Abbildung des Objektfeldes 6, das in einer Objektebene liegt, in ein Bildfeld 7 in einer Bildebe- ne. Neben dem Beleuchtungssystem 5 und der EUV-Lichtquelle 2 hat die Projektionsbelichtungsanlage 4 insbesondere noch eine Mehrzahl mechanischer Komponenten, nämlich Halter 8, 9 für ein in der Objektebene angeordnetes, in der Fig. 1 gestrichelt dargestelltes etikel 10 und für einen in der Bildebene angeordneten, in der Fig. 1 gestrichelt dargestellten Wafer 1 1. Abgebildet wird eine Struktur auf dem etikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des im Bereich des Bildfeldes 7 in der Bildebene angeordneten Wafers 1 1. Die Felder 6, 7 sind in der Fig. 1 bogenförmig angedeutet, können alternativ aber auch rechteckig sein. 1 schematically shows an illumination optical unit 1, a light source 2 and an imaging optic or projection optics 3 of a projection exposure apparatus 4 of EUV microlithography. An optical system 5 of the projection exposure apparatus 4 has, in addition to the illumination optics 1, which illuminates an illumination or object field 6 of the projection exposure apparatus, the projection optics 3 for imaging the object field 6 lying in an object plane into an image field 7 in an image field. ne. In addition to the illumination system 5 and the EUV light source 2, the projection exposure apparatus 4 has, in particular, a plurality of mechanical components, namely holders 8, 9 for an element 10 arranged in dashed lines in the object plane and arranged in dashed lines in FIG. in Fig. 1 dashed lines shown wafer FIG. 1 shows a structure on the particle 10 on a light-sensitive layer of the wafer 1 1 arranged in the image plane 7 in the image plane. The fields 6, 7 are indicated as arcuate in FIG. 1, but may alternatively also be rectangular.
Die abbildende Optik 3 ist als katoptrische Optik mit einer Mehrzahl von Spiegeln ausgeführt, von denen in der Fig. 1 schematisch zwei Spiegel Ml, M2, dargestellt sind. Die abbildende Optik 3 hat in der Regel eine größere Anzahl von Spiegeln beispielsweise vier, sechs oder acht Spiegel. The imaging optical system 3 is designed as a catoptric optical system with a plurality of mirrors, of which two mirrors M1, M2 are shown schematically in FIG. The imaging optics 3 usually has a larger number of mirrors, for example four, six or eight mirrors.
Bei der Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 2 handelt es sich um eine EUV-(Extremes Ultraviolett) Lichtquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Die Lichtquelle 2 hat einen Lichtleitwert bzw. eine Etendue, die größer ist als 1 mm . Der Lichtleitwert ist das kleinste Volumen des Phasenraums, welcher 90% der Lichtenergie enthält. The light or radiation source 2 is an EUV (extreme ultraviolet) light source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. The light source 2 has an optical conductivity or etendue that is greater than 1 mm. The light conductance is the smallest volume of the phase space, which contains 90% of the light energy.
Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine Plasmaquelle in Form einer GDP (Gas Discharge Produced Plasma) oder in Form einer LDP (Laser Discharge Produced Plasma)-Quelle handeln. The light source 2 may be a plasma source in the form of a GDP (Gas Discharge Produced Plasma) or in the form of an LDP (Laser Discharge Produced Plasma) source.
Ein für die EUV-Projektionsbelichtung genutztes Wellenlängenband beziehungsweise ein Ziel- Wellenlängenbereich der EUV-Strahlung 8 liegt beispielsweise bei 13,5 nm ± 1 nm, kann aber auch beispielsweise im Be- reich zwischen 5 nm und 8 nm liegen. Die EUV-Strahlung 12 wird nachfolgend auch als Beleuchtungs- und Abbildungslicht oder als Nutz-Emission bezeichnet. Auch ein anderer Ziel- Wellenlängenbereich, beispielsweise zwischen 5 nm und 17 nm, ist möglich. Eine Bandbreite des genutzten EUV- Wellenlängenbandes kann größer sein als 0,1 nm und kann insbeson- dere zwischen 0, 1 nm und 2 nm liegen. Eine typische Bandbreite der genutzten EUV-Strahlung 12 beträgt 1 % der Mittelwellenlänge. Eine Wellenlängen-Bandbreite der Lichtquelle 2 kann sehr viel größer sein als die Bandbreite des genutzten EUV- Wellenlängenbandes und kann beispiels- weise bei 0, 1 μηι liegen. A wavelength band or a target wavelength range of the EUV radiation 8 used for the EUV projection exposure, for example, is 13.5 nm ± 1 nm, but can also be in the range between 5 nm and 8 nm, for example. The EUV radiation 12 is also referred to below as illumination and imaging light or as useful emission. Another target wavelength range, for example, between 5 nm and 17 nm, is possible. A bandwidth of the used EUV wavelength band can be larger than 0.1 nm and can be used in particular. These are between 0, 1 nm and 2 nm. A typical bandwidth of the EUV radiation 12 used is 1% of the center wavelength. A wavelength bandwidth of the light source 2 can be much larger than the bandwidth of the EUV wavelength band used and, for example, can be at 0.1 μηι.
Der Lichtquelle 2 ist im Strahlengang der Nutz-Emission 12 nachgeordnet eine optische Baugruppe 13 zur Überführung der emittierten EUV-Strahlung 12 der Lichtquelle 2 in einen Zwischenfokus Z. Die optische Bau- gruppe 13 ist in der Fig. 1 lediglich schematisch angedeutet. Ausführungen der optischen Baugruppe 13 werden nachfolgend anhand der Fig. 2 ff. noch erläutert. Der optischen Baugruppe 13 kann ein Umlenkspiegel für die Nutz-Emission 12 nachgeordnet sein, wie nachfolgend ebenfalls noch erläutert wird. In the beam path of the useful emission 12, the light source 2 is followed by an optical subassembly 13 for transferring the emitted EUV radiation 12 of the light source 2 into an intermediate focus Z. The optical subassembly 13 is indicated only schematically in FIG. Embodiments of the optical assembly 13 will be explained below with reference to FIG. 2 ff. The optical assembly 13 may be arranged downstream of a deflecting mirror for the useful emission 12, as will also be explained below.
Die erzeugte EUV-Nutzstrahlung 12 propagiert durch eine Zwischenfokus- ebene 14, in der der Zwischenfokus Z angeordnet ist, bevor sie auf eine Baugruppe 15 nachgeordneter optischer Komponenten zur Erzeugung vorgegebener Beleuchtungsparameter bei der Beleuchtung des Beleuchtungs- feldes 6 mit dem EUV-Nutzlicht 12 trifft. In der Zwischenfokusebene 14 hat die EUV-Strahlung den Zwischenfokus Z, das heißt einen Ort kleinster transversaler Ausdehnung. The generated useful EUV radiation 12 propagates through an intermediate focus plane 14, in which the intermediate focus Z is arranged, before it encounters an assembly 15 of subordinate optical components for generating predefined illumination parameters when illuminating the illumination field 6 with the EUV useful light 12 , In the intermediate focus plane 14, the EUV radiation has the intermediate focus Z, that is, a location of the smallest transverse extent.
Die optische Baugruppe 13 zur Überführung der emittierten EUV-Strah- lung 12 der Lichtquelle 2 in den Zwischenfokus Z insgesamt oder eineThe optical assembly 13 for transferring the emitted EUV radiation 12 of the light source 2 into the intermediate focus Z as a whole or one
Komponente hiervon ist durch ein Photonensieb 16 gebildet, welches in der Fig. 2 in einer Seitenansicht und in zwei Ausführungen in der Fig. 4 in einer Aufsicht dargestellt ist. Photonensiebe sind grundsätzlich beschrieben in den Veröffentlichungen Laser & Photon. ev., 1-15 (2008)/DOI 10.1002/lpor.200810009; Nature 414, 184-188 (08. November 2001 )/doi: 10.1038/35102526; J. Opt. Soc. Am. A/Vol. 22, No.2/Februar 2005; Opt. Lett. 30, 2976 bis 2978 (2005) und der DE 101 25 870 AI . Fig. 4 zeigt einen Wechselhalter 17 zur Halterung einer Mehrzahl von Photonensieben 16, von denen in der Fig. 4 zwei Photonensiebe 16 dargestellt sind. Genau eines dieser Photonensiebe 16 ist im Strahlengang der EUV- Strahlung 12 angeordnet und wird nachfolgend auch als Nutz-Photonensieb 16N bezeichnet. Component thereof is formed by a photon filter 16, which is shown in a side view in FIG. 2 in a side view and in a plan view in two embodiments in FIG. Photon sieves are basically described in the publications Laser & Photon. ev., 1-15 (2008) / DOI 10.1002 / lpor.200810009; Nature 414, 184-188 (08 Nov. 2001) / doi: 10.1038 / 35102526; J. Opt. Soc. At the. A / Vol. 22, No.2 / February 2005; Opt. Lett. 30, 2976 to 2978 (2005) and DE 101 25 870 AI. 4 shows a change holder 17 for holding a plurality of photon screens 16, of which two photonic screens 16 are shown in FIG. 4. Exactly one of these photonic sieves 16 is arranged in the beam path of the EUV radiation 12 and is also referred to below as the useful photon sieve 16 N.
Jedes der Photonensiebe hat eine charakteristische Anordnung von Durchtritts- bzw. Sieböffnungen 18, durch die Strahlung das Photonensieb 16 durchtreten kann. Die Durchtritts- bzw. Sieböffnungen 18 sind auf konzentrischen Kreisen um ein Zentrum 19 des jeweiligen Photonensiebs 16 herum angeordnet. Bei den Ausführungen nach den Fig. 4 und 5 liegt jeweils genau ein Ring mit Durchtritts- bzw. Sieböffnungen 18 vor. In der Praxis liegt eine wesentlich größere Anzahl konzentrischer Ringe derartiger Durchtritts- bzw. Sieböffnungen 18 mit einer charakteristischen Abfolge von Ringradien vor, wie beispielsweise in der vorstehend zitierten Ver- öffentlichung Laser & Photon.Rev. dargestellt. Die Ringe sind nach Art der Ringstrukturen einer Fresnel-Zonenplatte gestaffelt angeordnet. Diese Anordnung ist so, dass eine nullte Beugungsordnung der EUV-Nutzstrahlung 12, die in Richtung des Zwischenfokus Z geführt ist, positiv interferiert. Andere Beugungsordnungen der EUV-Nutzstrahlung 12 bzw. Strahlung anderer Wellenlängen, die von der Lichtquelle 2 emittiert wird, interferieren entweder destruktiv oder werden in andere Richtungen gebeugt, wie in der Fig. 2 gestrichelt dargestellt, sodass sie über eine Lochblende 20 in der Zwischenfokusebene 14 am Ort des Zwischenfokus Z geblockt werden. Das Photonensieb 16 ist also so ausgeführt, dass es einerseits Beugungs- ordnungen für das EUV-Nutzlicht 12 unterdrückt, die größer sind als eine nullte Beugungsordnung, und andererseits von der EUV-Lichtquelle 2 erzeugte Strahlung anderer Wellenlänge als das EUV-Nutzlicht 12 in andere Richtung beugt als das EUV-Nutzlicht 12. Each of the photonic sieves has a characteristic array of port apertures 18 through which radiation can pass through the photon screen 16. The passage or screen openings 18 are arranged on concentric circles around a center 19 of the respective photon screen 16. In the embodiments according to FIGS. 4 and 5, there is in each case exactly one ring with passage or sieve openings 18. In practice, there is a substantially larger number of concentric rings of such passage or sieve openings 18 with a characteristic sequence of ring radii, as described, for example, in the above cited publication Laser & Photon.Rev. shown. The rings are staggered in the manner of the ring structures of a Fresnel zone plate. This arrangement is such that a zeroth diffraction order of the EUV useful radiation 12, which is guided in the direction of the intermediate focus Z, positively interferes. Other orders of diffraction of the EUV useful radiation 12 or radiation of other wavelengths emitted by the light source 2 either interfere destructively or are diffracted in other directions, as shown in dashed lines in FIG. 2, so that they pass through a pinhole 20 in the intermediate focus plane 14 be blocked at the location of the intermediate focus Z. The photon filter 16 is thus designed so that it diffraction on the one hand Suppresses orders for the EUV Nutzlicht 12, which are greater than a zeroth diffraction order, and on the other hand diffracted by the EUV light source 2 generated radiation of wavelength unlike the EUV Nutzlicht 12 in the opposite direction than the EUV Nutzlicht 12th
Ein Zentralbereich 21 des Photonensiebs 16 um das Zentrum 19 herum ist als Blockungsbereich für Debris der EUV-Lichtquelle 2 ausgestaltet. Bei dem geblockten Debris kann es sich um Zinnplasma einer Plasmaquelle handeln. A central area 21 of the photon screen 16 around the center 19 is configured as a debris blocking area of the EUV light source 2. The blocked debris may be tin plasma from a plasma source.
Ein Muster der Sieböffnungen 18 des Photonensiebs 16 kann an eine vorgegebene Beleuchtungswinkelverteilung des EUV-Nutzlichts 12 bei der Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes 6 angepasst sein. Bei dem in der Fig. 4 oben dargestellten Photonensieb 16 sind die Sieböffnungen 18, die ober- halb bzw. unterhalb des Zentrums 19 angeordnet sind, größer, als die Sieböffnungen 18, die rechts und links des Zentrums 19 angeordnet sind. Bei der in der Fig. 4 dargestellten Orientierung dieses oberen Photonensiebs 16 mit x-Achse rechts und y- Achse nach oben wird also die EUV-Nutzstrah- lung 12 für eine y-Dipol-Beleuchtung bevorzugt durch das Photonensieb 16 hindurchgelassen. A pattern of the screen apertures 18 of the photon screen 16 may be adapted to a predetermined illumination angle distribution of the EUV useful light 12 in the illumination of the illumination field 6. In the photonic sieve 16 shown in FIG. 4 above, the sieve openings 18, which are arranged above or below the center 19, are larger than the sieve openings 18, which are arranged to the right and left of the center 19. In the orientation of this upper photonic sieve 16 shown in FIG. 4 with the x-axis on the right and y-axis upward, therefore, the EUV useful radiation 12 is preferably passed through the photonic sieve 16 for y-dipole illumination.
Fig. 4 unten zeigt eine Ausführung des Photonensiebes 16, die durch Drehung der Ausführung nach Fig. 4 oben um 90 Grad um das Zentrum 19 hervorgeht. Hier sind die Sieböffnungen 18 rechts und links des Zentrums 19 größer als die Sieböffnungen 18 oberhalb und unterhalb des Zentrums 19, sodass entsprechend eine x-Dipol-Beleuchtung bevorzugt vom Photonensieb 16 nach Fig. 4 unten durchgelassen wird. Das Photonensieb 16 kann in einer Pupillenebene 22 der Beleuchtungsoptik 1 angeordnet sein, die zu einer Pupillenebene 23 (vgl. Fig. 1) der Projektionsoptik 3 konjugiert ist. Bei einer derartigen Anordnung in der Pupillenebene 22 lässt sich über eine Winkelverteilung des durchgelassenen EUV-Nutzlichts 12 eine Uniformitätskorrektur der Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes 6 über das Beleuchtungsfeld 6 erreichen. Fig. 4 below shows an embodiment of the photon sieve 16, which emerges by rotation of the embodiment of FIG. 4 above by 90 degrees about the center 19. Here, the screen openings 18 on the right and left of the center 19 are larger than the screen openings 18 above and below the center 19, so that correspondingly an x-dipole illumination is preferably transmitted from the photon screen 16 according to FIG. 4 below. The photon sieve 16 can be arranged in a pupil plane 22 of the illumination optical unit 1, which is conjugated to a pupil plane 23 (see FIG. 1) of the projection optics 3. With such an arrangement in the pupil plane 22, a uniformity correction of the illumination of the illumination field 6 via the illumination field 6 can be achieved via an angular distribution of the transmitted EUV useful light 12.
Der Wechselhalter 17 ist in der Fig. 4 für die beiden dort dargestellten Photonensiebe 16 sowie schematisch für weitere, gebrochen angedeutete Pho- tonensiebe, die oberhalb und unterhalb der insgesamt dargestellten Photonensiebe angeordnet sind, angedeutet. Der Wechselhalter 17 ist mit einem Wechselhalterantrieb 24 verbunden. Über den Wechselhalterantrieb 24 ist eine Verlagerung des Wechselhalters 17 längs der y- ichtung in Fig. 4 möglich. The changeover holder 17 is indicated in FIG. 4 for the two photonic sieves 16 shown there as well as schematically for further photonic sieves, indicated by broken lines, which are arranged above and below the photon sieves shown overall. The changeover holder 17 is connected to a changeover holder drive 24. About the change holder drive 24, a displacement of the change holder 17 along the y- direction in Fig. 4 is possible.
Der Wechselhalterantrieb 24 wird gesteuert über eine zentrale Steuereinrichtung 25 der Projektionsbelichtungsanlage 4. Über diese Steuerung lässt sich vorgeben, welches der Photonensiebe 16, die vom Wechselhalter 17 gehalten werden, als Nutz-Photonensieb 16N im Strahlengang der EUV- Strahlung 12 fungiert. The changeover holder drive 24 is controlled by a central control device 25 of the projection exposure system 4. About this control can specify which of the photon screens 16, which are held by the change holder 17, acts as a useful photon filter 16 N in the beam path of the EUV radiation 12.
Zusätzlich kann der Wechselhalter 17 noch einen weiteren Verlagerungsantrieb 26 zur individuellen Verlagerung des jeweiligen Nutz-Photonensiebs 16N im EUV- Strahlengang 12 aufweisen. Fig. 4 zeigt einen derartigen weiteren Verlagerungsantrieb 26 schematisch für das dort unten dargestellte Photonensieb 16. Über den weiteren Verlagerungsantrieb 26 ist ein angetriebenes Verschwenken des zugehörigen Photonensiebes 16 um dessen Zentrum 19 möglich, wie in der Fig. 4 durch einen Richtungspfeil 27 ange- deutet. Hierdurch lässt sich beispielsweise eine Dipolrichtung einer Dipol- Beleuchtung fein beeinflussen. In addition, the changeover holder 17 may have a further displacement drive 26 for the individual displacement of the respective Nutz-Photonensiebs 16 N in the EUV beam path 12. FIG. 4 shows such a further displacement drive 26 schematically for the photon sieve 16 shown below. Via the further displacement drive 26, driven pivoting of the associated photon sieve 16 about its center 19 is possible, as indicated by a directional arrow 27 in FIG. indicated. As a result, for example, a dipole direction of a dipole illumination can be finely influenced.
Auch der weitere Verlagerungsantrieb 26 steht in nicht dargestellter Weise mit der zentralen Steuereinrichtung 25 in Signalverbindung. Über einen weiteren Verlagerungsantrieb zur individuellen Verlagerung des jeweiligen Nutz-Photonensiebs 16N ist auch eine Feinpositionierung dieses Nutz-Photonensiebs 16N im EUV- Strahlengang 12 möglich. In der Fig. 4 ganz unten ist eine Reinigungseinrichtung 27 zur Reinigung von Photonensieben 16 angedeutet, die nicht im Strahlengang der EUV- Strahlung angeordnet sind. Die Reinigungseinrichtung 27 umfasst ein Säurebad 28 in einem Reinigungsbehälter 29. Während der Projektionsbelichtung, bei der eines der Photonensiebe 16 als Nutz-Photonensieb 16N zum Einsatz kommt, kann mindestens eines der weiteren, nicht genutzten Photonensiebe 16 im Säurebad 28 zur Reinigung insbesondere von im Zentralbereich 21 angesammeltem Debris angeordnet sein. Alternativ können alle im Wechselhalter 17 vorliegenden Photonensiebe 16 in einer Belichtungspause im Säurebad 28 gereinigt werden. The further displacement drive 26 is in a manner not shown with the central control device 25 in signal communication. Via a further displacement drive for the individual displacement of the respective useful photon sieve 16 N , a fine positioning of this useful photon sieve 16 N in the EUV beam path 12 is also possible. 4, a cleaning device 27 for cleaning photon filters 16, which are not arranged in the beam path of the EUV radiation, is indicated at the bottom. The cleaning device 27 comprises an acid bath 28 in a cleaning container 29. During the projection exposure, in which one of the photon sieves 16 is used as the useful photon sieve 16 N , at least one of the further, unused photon sieves 16 can be cleaned in the acid bath 28 for cleaning, in particular, in FIG Central region 21 accumulated debris be arranged. Alternatively, all photon sieves 16 present in the exchangeable holder 17 can be cleaned in an acid-free exposure in an acid bath 28.
Bei der optischen Baugruppe 13 nach Fig. 3 liegt zur Überführung der emittierten EUV-Strahlung 12 der Lichtquelle 2 in den Zwischenfokus Z neben dem Photonensieb 16 noch ein EUV-Kollektor 30 in Form eines sphärischen Spiegels vor. Die Lichtquelle 2 liegt im Zentrum der Sphäre des Kol- lektors 30, sodass Strahlung, die von der Lichtquelle 2 emittiert und vom Kollektor 30 reflektiert wird, in sich zurück zur Lichtquelle 2 reflektiert wird. Ab der Lichtquelle 2 in Richtung auf das Photonensieb 16 zu entspricht der Strahlengang der optischen Baugruppe 13 nach Fig. 3 grob demjenigen nach Fig. 2. Fig. 5 zeigt eine weitere Variante eines Photonensieb-Wechselhalters 33, der anstelle des Wechselhalters 17 nach Fig. 4 zum Einsatz kommen kann. Der Wechselhalter 33 hat einen Wechselhalterantrieb 34, über den der Wechselhalter 33 um eine Schwenkachse 35 verschwenkt werden kann. Die Schwenkachse 35 steht senkrecht auf der Zeichenebene nach Fig. 5 und durchtritt ein Zentrum des Wechselhalters 33. Dieses Verschwenken ist in der Fig. 5 durch einen Richtungspfeil 36 angedeutet. In the case of the optical assembly 13 according to FIG. 3, an EUV collector 30 in the form of a spherical mirror is present for transferring the emitted EUV radiation 12 of the light source 2 into the intermediate focus Z next to the photon sieve 16. The light source 2 lies in the center of the sphere of the collector 30, so that radiation emitted by the light source 2 and reflected by the collector 30 is reflected back into the light source 2. From the light source 2 in the direction of the photon sieve 16 to the beam path of the optical assembly 13 of FIG. 3 roughly corresponds to that of FIG. 2. Fig. 5 shows another variant of a photon screen exchange holder 33, which instead of the change holder 17 of FIG. 4 can be used. The change holder 33 has a change holder drive 34, via which the change holder 33 can be pivoted about a pivot axis 35. The pivot axis 35 is perpendicular to the plane of FIG. 5 and passes through a center of the change holder 33. This pivoting is indicated in Fig. 5 by a directional arrow 36.
Der Wechselhalter 33 trägt insgesamt vier Photonensiebe 16 nach Art der Photonensiebe, die vorstehend im Zusammenhang mit der Fig. 4 bereits erläutert wurden. Diese Photonensiebe 16 sind mit einem Index i indiziert, beginnend mit dem in der Fig. 5 zuoberst dargestellten Photonensieb 16l 5 wobei der Index i im Uhrzeigersinn hochgezählt ist. Die Photonensiebe 16i bis 163 im Wechselhalter 33 sind nach Art der Photonensiebe 16 nach Fig. 4 ausgeführt, sorgen also wiederum für eine Dipol-Auswahl der EUV- Nutzstrahlung 12. Das Photonensieb I61 ist dabei mit einer Orientierung der Sieböffnungen 18 nach Art des in der Fig. 4 oberen Photonensiebs 16 dargestellt. Das Photonensieb I63 ist mit einer Orientierung der Sieböffnungen 18 nach Art des in der Fig. 4 unteren Photonensiebs 16 dargestellt. Das Photonensieb 162 hat eine Orientierung der Sieböffnungen 18, die durch Verdrehung des Photonensiebs I63 um dessen Zentrum 19 um 45° im Uhrzeigersinn hervorgeht. The change holder 33 carries a total of four photonic sieves 16 in the manner of the photon sieves, which have already been explained above in connection with FIG. These photon sieves 16 are indexed with an index i, starting with the top of the photon sieve 16 l 5 shown in FIG. 5, where the index i is counted up in a clockwise direction. The photon screens 16i to 16 3 in the change holder 33 are performed in the manner of the photon screens 16 of FIG. 4, so in turn provide for a dipole selection of EUV useful radiation 12. The photon filter I6 1 is with an orientation of the screen openings 18 in the manner of 4 upper photonic sieve 16 shown in FIG. The photon sieve I6 3 is shown with an orientation of the screen openings 18 in the manner of the bottom in FIG. 4 Photonensiebs sixteenth The photon screen 16 2 has an orientation of the screen openings 18, which emerges by rotation of the photonic sieve I6 3 about its center 19 by 45 ° in a clockwise direction.
Bei dem in der Fig. 5 links dargestellten Photonensieb 164 handelt es sich um das optisch genutzte Nutz-Photonensieb 16N. Bei diesem Photonensieb 164 sind alle Sieböffnungen 18 gleich groß und in Umfangsrichtung um das Zentrum 19 des Photonensiebs 164 gleich verteilt angeordnet. The photonic sieve 16 4 shown on the left in FIG. 5 is the optically used useful photon sieve 16 N. In this photon sieve 16 4 , all sieve openings 18 are the same size and distributed in the circumferential direction around the center 19 of the photon sieve 16 4 evenly distributed.
Die Fig. 4 und 5 zeigen die Photonensiebe 16 jeweils in einer Aufsicht. FIGS. 4 and 5 show the photonic sieves 16 in a plan view.
Wie vorstehend im Zusammenhang mit dem Wechselhalter 17 bereits erläutert, kann auch der Wechselhalter 33 so ausgeführt sein, dass jedes der Photonensiebe 161 bis 164 individuell über einen weiteren Verlagerungsantrieb 26 um dessen Zentrum 19 verlagerbar ist, wie in der Fig. 5 für das optisch genutzte Photonensieb 16N angedeutet. As already explained above in connection with the changeover holder 17, the changeover holder 33 can also be designed such that each of the photonic sieves 16 1 to 16 4 can be displaced individually about a further displacement drive 26 about its center 19, as in FIG. 5 optically used photon filter 16 N indicated.
Der Wechselhalter 33 ist nach Art einer Revolveranordnung ausgeführt, wie dies im Zusammenhang mit einer Beleuchtungssetting- Auswahl bei EUV-Projektionsbelichtungsanlagen bereits bekannt ist. The changeover holder 33 is designed in the manner of a turret arrangement, as is already known in connection with a Beleuchtungssetting- selection in EUV projection exposure systems.
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführung eines Photonensiebs 37, das unterteilt ist in eine Mehrzahl nebeneinander angeordneter Photonensieb-Unterbereiche 38. Diese Photonensieb-Unterbereiche 38 sind in der Fig. 6 nach Art eines 3x4-Arrays mit drei Zeilen und vier Spalten angeordnet. Die insge- samt also 12 Photonensieb-Unterbereiche sind so ausgeführt, dass der jeweilige Photonensieb-Unterbereich 38 Beugungsordnungen für ein diesen beaufschlagendes EUV-Nutzlicht-Teilbündel 12j unterdrückt, die größer sind als eine nullte Beugungsordnung. Die Photonensieb-Unterbereiche 38 sind nach Art eines Mikrolinsenarrays angeordnet. FIG. 6 shows another embodiment of a photon screen 37 which is subdivided into a plurality of juxtaposed photomultiplier subareas 38. These photomultiplier subareas 38 are arranged in FIG. 6 in the manner of a 3 × 4 array with three rows and four columns. The total of 12 photon-screen subregions are thus designed such that the respective photon-screen subregion 38 suppresses diffraction orders for an EUV useful light sub-beam 12j which acts on them and which are larger than a zeroth diffraction order. The photon screen subregions 38 are arranged in the manner of a microlens array.
Auch eine andere Anzahl von Photonensieb-Unterbereichen 38 im Bereich z.B. zwischen 4 und 1000 Photonensieb-Unterbereichen ist möglich, beispielsweise 50, 100, 200, 300 oder 500 Photonensieb-Unterbereiche. Die Photonensieb-Unterbereiche 38 können, wie in der Fig. 6 angedeutet, alle mit identischer Orientierung und Anordnung der Sieböffnungen 18 ausgeführt sein. Alternativ ist es möglich, dass sich die Anordnungen und/oder Orientierungen der Sieböffnungen 18 der Photonensieb-Unterbe- reiche 38 voneinander unterscheiden. Auch Gestaltungen des Photonensiebs 37 sind möglich, bei denen verschiedene Typen von Orientierungen und/oder Anordnungen der Sieböffnungen 18 gegeben sind, wobei diese Photonensieb-Typen in einem vorgegebenen Muster über das Photonensieb 37 angeordnet sind. Also, a different number of photon screen subregions 38 in the range, for example, between 4 and 1000 photon screen subregions is possible, for example 50, 100, 200, 300 or 500 photon screen subregions. As is indicated in FIG. 6, the photon screen subregions 38 can all be designed with identical orientation and arrangement of the screen openings 18. Alternatively, it is possible that the arrangements and / or orientations of the screen openings 18 of the photon screen sub-areas 38 differ from each other. Also, configurations of the photon screen 37 are possible in which various types of orientations and / or arrangements of the screen openings 18 are given, these types of photon screen being arranged in a predetermined pattern over the photon screen 37.
Soweit das Photonensieb 37 in der Pupillenebene 22 angeordnet ist, kann hierüber beispielsweise eine Uniformitätskorrektur der Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes mit der EUV-Nutzstrahlung 12 herbeigeführt werden. Alternativ oder zusätzlich kann das Photonensieb 37 mit der Mehrzahl von Photonensieb-Unterbereichen 38 als Rasterelement mit der Funktion eines Wabenkondensors bzw. eines Facettenspiegels einer EUV-Beleuchtungs- optik ausgebildet sein. Das Photonensieb 37 kann dann beispielweise die Funktion eines Feldfacettenspiegels der nachfolgend beschriebenen, weiteren Ausführung einer Beleuchtungsoptik 39 übernehmen. Komponenten und Funktionen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 6 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. As far as the photon screen 37 is arranged in the pupil plane 22, a uniformity correction of the illumination of the illumination field with the EUV useful radiation 12 can be brought about here, for example. Alternatively or additionally, the photon screen 37 with the plurality of photon screen subregions 38 can be designed as a raster element with the function of a honeycomb condenser or a facet mirror of an EUV illumination optics. The photon sieve 37 can then take on the function of a field facet mirror of the further embodiment of an illumination optical system 39 described below, for example. Components and functions which have already been explained above with reference to FIGS. 1 to 6 bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
Bei der Beleuchtungsoptik 39 propagiert die erzeugte EUV-Nutzstrahlung 12 durch die Zwischenfokusebene 14 und trifft anschließend auf einen Feldfacettenspiegel 40 mit Feldfacetten 41 , die von der EUV-Nutzstrahlung 12 beaufschlagt werden. Die Feldfacetten 41 sind bogenförmig, können aber auch rechteckig gestaltet sein. Auch eine andere Form der Feldfacetten 41 ist möglich. Die vom Feldfacettenspiegel 40 reflektierte EUV-Nutzstrahlung 12 ist aus einer Vielzahl von Ausleuchtungskanälen, also von Strahlungs-Teilbün- deln, aufgebaut, wobei jedes Teilbündel von einer bestimmten Feldfacette 41 reflektiert wird. Jedes Teilbündel trifft wiederum auf eine dem Teilbündel über den Ausleuchtungskanal zugeordnete Pupillenfacette 42 eines Pu- pillenfacettenspiegels 43. In the case of the illumination optics 39, the generated useful EUV radiation 12 propagates through the intermediate focus plane 14 and then strikes a field facet mirror 40 with field facets 41, which are acted upon by the EUV useful radiation 12. The field facets 41 are curved, but may also be rectangular. Another form of field facets 41 is possible. The EUV useful radiation 12 reflected by the field facet mirror 40 is constructed from a multiplicity of illumination channels, that is to say from partial radiation beams, each partial beam being reflected by a specific field facet 41. Each sub-beam in turn strikes a pupil facet 42 of a pillar facet mirror 43 assigned to the sub-beam via the illumination channel.
Die Pupillenfacetten 42 sind auf einer gemeinsamen Trägerplatte 44 des Pupillenfacettenspiegels 43 angeordnet. Der Pupillenfacettenspiegel 43 ist in einer Beleuchtungs-Pupillenebene 45 angeordnet. Die Pupillenfacetten 42 sind rund ausgeführt. Alternativ ist auch eine hexagonale oder rechteckige Ausführung der Pupillenfacetten 42 möglich. Die Pupillenfacetten 42 sind dicht gepackt angeordnet. Mit dem Feldfacettenspiegel 40 werden am Ort der Pupillenfacetten 42 des Pupillenfacettenspiegels 43 sekundäre Lichtquellen als Bilder des Zwischenfokus Z in der Zwischenfokusebene 14 erzeugt. Der Pupillenfacettenspiegel 43 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 39 angeordnet, die mit der Pupillenebene 23 der Projektionsoptik 3 zusammenfällt oder zu dieser optisch konjugiert ist. Eine Intensitäts- Verteilung der EUV-Strahlung 12 auf dem Pupillenfacettenspiegel 43 ist daher direkt korreliert mit einer Beleuchtungswinkelverteilung einer Beleuchtung des Objektfeldes 6 in der Objektebene und einer Beleuchtung des Bildfeldes 7 in der Bildebene. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 43 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer schematisch angedeuteten Übertragungsoptik 46 werden die Feldfacetten 41 des Feldfacettenspiegels 40 in das Objektfeld 6 abgebildet. Auch Ausführungen der Projektionsbelichtungsanlage 4 sind möglich, bei denen die Beleuchtungs-Pupillenebene 45 mit der Projekt!- onsoptik-Pupillenebene 23 zusammenfällt. In einem solchen Fall kann auf die Übertragungsoptik 46 auch verzichtet werden. The pupil facets 42 are arranged on a common carrier plate 44 of the pupil facet mirror 43. The pupil facet mirror 43 is arranged in an illumination pupil plane 45. The pupil facets 42 are round. Alternatively, a hexagonal or rectangular embodiment of the pupil facets 42 is possible. The pupil facets 42 are arranged tightly packed. With the field facet mirror 40, secondary light sources are generated at the location of the pupil facets 42 of the pupil facet mirror 43 as images of the intermediate focus Z in the intermediate focus plane 14. The pupil facet mirror 43 is arranged in a plane of the illumination optics 39, which coincides with the pupil plane 23 of the projection optics 3 or is optically conjugate to the latter. An intensity distribution of the EUV radiation 12 on the pupil facet mirror 43 is therefore directly correlated with an illumination angle distribution of illumination of the object field 6 in the object plane and illumination of the image field 7 in the image plane. By means of the pupil facet mirror 43 and an imaging optical assembly in the form of a schematically indicated transfer optics 46, the field facets 41 of the field facet mirror 40 are imaged into the object field 6. Embodiments of the projection exposure apparatus 4 are also possible, in which the illumination pupil plane 45 with the project! onsoptik pupil plane 23 coincides. In such a case, the transfer optics 46 can also be dispensed with.
Zur Herstellung eines mikro- oder nano strukturierten Bauteils wird die Pro- jektionsbelichtungsanlage 4 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden das etikel 10 und der Wafer 1 1 bereitgestellt. Dann wird das gewünschte Photonensieb 16 als Nutz-Photonensieb 16N hinsichtlich seiner Anordnung bzw. Orientierung der Sieböffnungen 18 konfiguriert und in den Strahlengang der EUV-Strahlung eingesetzt. Es kann mithilfe einer der Varianten der vorstehend beschriebenen Wechselhalter 17 bzw. 33 geschehen. Dann wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 1 1 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 4 projiziert. To produce a micro- or nano-structured component, the projection exposure apparatus 4 is used as follows: First, the particle 10 and the wafer 11 are provided. The desired photon sieve 16 is then configured as a useful photon sieve 16 N with regard to its arrangement or orientation of the sieve openings 18 and inserted into the beam path of the EUV radiation. It can be done using one of the variants of the above-described change holder 17 and 33, respectively. Then, a structure on the reticle 10 is projected on a photosensitive layer of the wafer 1 1 by means of the projection exposure apparatus 4.
Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikrostruktur auf dem Wafer 1 1 und somit das mikro- beziehungsweise na- no strukturierte Bauteil erzeugt. By developing the photosensitive layer, a microstructure is then produced on the wafer 1 1 and thus the microstructured or nanostructured component.

Claims

Patentansprüche claims
1. Beleuchtungsoptik (1 ; 39) für die die EUV-Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes (6) mit EUV-Nutzlicht (12) ei- ner EUV-Lichtquelle (2), 1. illumination optics (1; 39) for the EUV projection lithography for illuminating an illumination field (6) with EUV useful light (12) of an EUV light source (2),
mit einer optischen Baugruppe (13) zur Überführung emittierter EUV-Strahlung der Lichtquelle (2) in einen Zwischenfokus (Z), wobei die optische Baugruppe (13) ein im Strahlengang der EUV- Strahlung (12) angeordnetes Photonensieb (16N; 37) umfasst. with an optical assembly (13) for transferring emitted EUV radiation of the light source (2) into an intermediate focus (Z), the optical assembly (13) having a photon sieve (16 N , 37) arranged in the beam path of the EUV radiation (12). includes.
2. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch dem Photonensieb (16N) nachgeordnete optische Komponenten (20, 15; 20, 40, 43, 46; 20, 37, 43, 46; 43, 46) zur Erzeugung vorgegebener Beleuchtungsparameter bei der Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes (6) mit dem EUV-Nutzlicht (12), wobei das Photonensieb (16N) so ausgeführt ist, dass es Beugungsordnungen für das EUV-Nutzlicht (12) unterdrückt, die größer sind als eine nullte Beugungsordnung. 2. Illumination optics according to claim 1, characterized by the photon sieve (16 N ) downstream optical components (20, 15, 20, 40, 43, 46, 20, 37, 43, 46, 43, 46) for generating predetermined illumination parameters in the illumination the illumination field (6) with the EUV useful light (12), wherein the photon filter (16 N ) is designed so that it suppresses diffraction orders for the EUV useful light (12) which are greater than a zeroth diffraction order.
3. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Zentralbereich (21) des Photonensiebs (16N; 37) als Blockungsbereich für Debris der EUV-Lichtquelle (2) ausgestaltet ist. 3. Illumination optics according to claim 1 or 2, characterized in that a central region (21) of the photon filter (16 N ; 37) is configured as a blocking region for debris of the EUV light source (2).
4. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Muster von Sieböffnungen (18) des Photonen- siebs (16; 37) angepasst ist an eine vorgegebene Beleuchtungswinkelverteilung des EUV-Nutzlichts (12) bei der Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes (6). 4. Illumination optics according to one of claims 1 to 3, characterized in that a pattern of sieve openings (18) of the photon sieve (16; 37) is adapted to a predetermined illumination angle distribution of the EUV useful light (12) in the illumination of the illumination field ( 6).
5. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Photonensieb (37) unterteilt ist in eine Mehrzahl nebeneinander angeordneter Photonensieb-Unterbereiche (38), die so ausgeführt sind, dass der jeweilige Photonensieb-Unterbereich (38) Beugungsordnungen für ein diesen beaufschlagendes EUV-Nutzlicht-5. Illumination optics according to one of claims 1 to 4, characterized in that the photon screen (37) is subdivided into a plurality of juxtaposed photon screen sub-areas (38), which are designed so that the respective photon screen sub-area (38) diffraction orders for an EUV useful light acting upon this
Teilbündel unterdrückt, die größer sind als eine nullte Beugungsordnung. Suppressed sub-beams that are greater than a zeroth order of diffraction.
6. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Photonensieb-Unterbereiche (38) zeilen- und/oder spaltenweise angeordnet sind. 6. Illumination optics according to claim 5, characterized in that the photon screen subregions (38) are arranged in rows and / or columns.
7. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch einen Wechselhalter (17; 33) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Photonensieben (16). 7. Illumination optics according to one of claims 1 to 6, characterized by a change holder (17; 33) for receiving a plurality of photon screens (16).
8. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch einen Verlagerungsantrieb (24; 26; 34) zur Verlagerung des Photonensiebs (16) im EUV-Strahlengang. 8. Illumination optics according to one of claims 1 to 7, characterized by a displacement drive (24; 26; 34) for displacing the photon wire (16) in the EUV beam path.
9. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Baugruppe (13) einen Kollektor (30) zur Erfassung emittierter EUV-Strahlung der Lichtquelle (2) umfasst, wobei der Kollektor (30) im Strahlengang vor dem Photonensieb (16N; 37) angeordnet ist. 9. Illumination optics according to one of claims 1 to 8, characterized in that the optical assembly (13) comprises a collector (30) for detecting emitted EUV radiation of the light source (2), wherein the collector (30) in the beam path in front of the photon sieve (16 N , 37) is arranged.
10. System mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch eine Reinigungseinrichtung (27) zur Reinigung von nicht im EUV-Strahlengang angeordneten Photonensieben (16). 10. System with an illumination optical system according to one of claims 1 to 9, characterized by a cleaning device (27) for cleaning not in the EUV beam path arranged photon screens (16).
1 1. Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und mit einer Projektionsoptik (3) zur Abbildung eines etikels, welches zumindest abschnittsweise im Beleuchtungsfeld (6) anordenbar ist, in ein Bildfeld (7). 1 1. An optical system with an illumination optical system according to one of claims 1 to 9 and with a projection optics (3) for imaging a label, which at least partially in the illumination field (6) can be arranged in an image field (7).
12. Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und mit einer EUV-Lichtquelle (2). 12. Illumination system with an illumination optics according to one of claims 1 to 9 and with an EUV light source (2).
13. Projektionsbelichtungsanlage (4) mit einem optischen System nach Anspruch 1 1 und mit einer EUV-Lichtquelle (2). 13. projection exposure system (4) with an optical system according to claim 1 1 and with an EUV light source (2).
14. Herstellungsverfahren für ein mikro- bzw. nano strukturiertes Bauteil mit folgenden Verfahrensschritten: 14. Manufacturing method for a micro- or nano-structured component with the following method steps:
Bereitstellung eines Retikels (10) und eines Wafers (1 1),  Providing a reticle (10) and a wafer (11),
- Bereitstellen eines Photonensiebs (16N; 37) mit vorgegebener Anordnung und/oder Orientierung von Sieböffnungen (18) im EUV- Strahlengang einer Projektionsbelichtungsanlage (4); - Providing a photon filter (16 N ; 37) with a predetermined arrangement and / or orientation of screen openings (18) in the EUV beam path of a projection exposure apparatus (4);
Abbildung einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (1 1) mithilfe der Projektionsbelich- tungsanlage (4);  Imaging a structure on the reticle (10) onto a photosensitive layer of the wafer (1 1) using the projection exposure apparatus (4);
Entwickeln der lichtempfindlichen Schicht auf dem Retikel (10) zur Erzeugung einer Mikro- bzw. Nanostruktur auf dem Wafer (1 1).  Developing the photosensitive layer on the reticle (10) to create a micro or nanostructure on the wafer (11).
15. Mikro- bzw. nano strukturiertes Bauteil, hergestellt durch ein Verfahren nach Anspruch 14. 15. Micro- or nano-structured component, produced by a method according to claim 14.
16. Photonensieb als optische Komponente einer EUV-16. Photon sieve as an optical component of an EUV
Projektionsbelichtungsanlage, dadurch gekennzeichnet, dass das Photonensieb (37) unterteilt ist in eine Mehrzahl nebeneinander angeordneter Photonensieb-Unterbereiche (38), die so ausgeführt sind, dass der jeweilige Photonensieb-Unterbereich (38) Beugungsordnungen für ein diesen beaufschlagendes EUV-Nutzlicht-Teilbündel unterdrückt, die größer sind als eine nullte Beugungsordnung. Projection exposure apparatus, characterized in that the Photon screen (37) is subdivided into a plurality of juxtaposed photon screen subregions (38), which are configured so that the respective photon screen subarea (38) suppresses diffraction orders for an EUV useful light sub-beam impinging on it which are greater than one zeroth diffraction order.
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