WO2016059673A1 - X線薄膜検査装置 - Google Patents
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Definitions
- the sample stage is raised so that the X-ray intensity detected by the X-ray detector is 1 ⁇ 2 of the X-ray intensity emitted from the X-ray irradiation unit. Move in the direction.
- the image observation unit is controlled, and the inspection position in the height direction is measured by focusing the image observation unit on the inspection position from above.
- FIG. 1 is a perspective view showing the overall structure of an X-ray thin film inspection apparatus according to this embodiment
- FIG. 2 is a front view of the apparatus.
- the X-ray thin film inspection apparatus includes an optical microscope 70 (image observation means) including a sample stage 10, a positioning mechanism 20, a goniometer 30, an X-ray irradiation unit 40, an X-ray detector 50, a fluorescent X-ray detector 60, a CCD camera, and the like. It has.
- a plurality of (three in the figure) X-ray irradiation units 40 are mounted side by side in the turning direction on the first turning arm 32 that turns about the ⁇ X axis. Further, the second pivot arm 33 to pivot about the theta D shaft are mounted the X-ray detector 50. Note that the number of X-ray irradiation units 40 mounted on the first turning arm 32 can be arbitrarily set according to the application. For example, one, two, or four or more X-ray irradiation units 40 may be mounted on the first turning arm 32.
- X-ray thin film inspection apparatus According to the X-ray thin film inspection apparatus of the basic configuration described above, by mounting a plurality of (three in FIG. 1 and FIG. 2) X-ray irradiation units 40 side by side in the swivel direction on the first swivel arm 32, By simply turning the first turning arm 32, a plurality of X-ray irradiation units 40 can be selected, and the selected X-ray irradiation units 40 can be accurately positioned at an arbitrary angle with respect to the measurement position. .
- the X-ray reflected first by the second multilayer mirror 43b is further reflected by the first multilayer mirror 43a to be output as a convergent X-ray having a rectangular cross section as shown in FIG. 10A. Is done.
- X-rays are reflected between the other two adjacent multilayer mirrors 43c and 43d, and are emitted as convergent X-rays having a rectangular cross section as shown in FIG. 10A. Is done.
- the X-ray optical element 43 emits four convergent X-rays Xa, Xb, Xc, and Xd, each having four rectangular shapes, at the four corners of the virtual rectangle as shown in FIG. 10A.
- the X-ray irradiation unit 40 includes a movable slit mechanism for blocking a part of the emitted X-rays in front of the X-ray emission port 41 c of the tube shield 41. 46 is provided.
- this slit mechanism two shielding plates 46a and 46b arranged vertically are incorporated so as to be slidable in the orthogonal width direction (Y direction) and height direction (Z direction), respectively, and a drive motor (not shown) The position of these shielding plates 46a and 46b can be changed with the driving force from Each of the shielding plates 46a and 46b is made of a material that shields X-rays.
- all four convergent X-rays Xa, Xb, Xc, and Xd can be emitted from the X-ray emission port 41c by moving the shielding plates 46a and 46b to the retracted positions shown in FIG. it can.
- the shielding plates 46a and 46b are moved and arranged at a position to shield a part of the emitted X-rays as shown in FIG.
- two convergent X-rays Xc and Xd or Xb and Xd can be emitted from the X-ray exit 41c.
- the shielding plates 46a and 46b can be moved and arranged so that only one convergent X-ray Xc is emitted from the X-ray emission port 41c.
- the X-ray intensity is halved compared to the case of using two convergent X-rays, it does not spread in either the width direction (Y direction) or the height direction (Z direction).
- X-ray spread angle varies depending on the design. As an example, a single X-ray beam has a spread angle of 0.5 degrees and a spread angle of 4 degrees between the top and bottom. In X-ray fluorescence measurement (XRF), it is preferable to use four X-ray beams. On the other hand, it is preferable to use one or two X-ray beams in X-ray reflectivity measurement (XRR). Further, in the X-ray reflectivity measurement (XRR), a part of the X-ray beam to be used is shielded by the shielding plates 46a and 46b, and the beam width is limited to, for example, 0.2 degrees to 0.1 degrees. You can also In front of the X-ray detector, a receiving slit (RS) can be provided to limit the angle, and the resolution can be changed according to the inspection object.
- RS receiving slit
- the X-ray irradiation unit 40 has an appearance as shown in FIG. 16, and as shown in FIG. 17, an X-ray tube 42 and an X-ray optical element as an X-ray source are provided in a tube shield (unit main body) 41. 43 has a built-in module configuration.
- the tube shield 41 is made of a metal material that shields X-rays, and is divided into a first tube 41 a containing the X-ray tube 42 and a second tube 41 b containing the X-ray optical element 43. Each tube 41a, 41b is connected via a connecting member 41d.
- the X-ray irradiation unit 40 having the above-described configuration can form an optical system suitable for fluorescent X-ray measurement as shown in FIG. That is, X-rays radiated from the X-ray tube 42 are monochromatized by the X-ray optical element 43 and reflected and converged to irradiate the surface to be inspected of the semiconductor wafer. Then, fluorescent X-rays appearing from the semiconductor wafer are captured by the fluorescent X-ray detector 60 and analyzed.
- the temperature constant Cn corresponds to the position change amount when the effective temperature changes by 1 ° C. Then, the position fluctuation ⁇ Z [i] in the height direction (Z direction) at the i-th measurement time point (measurement time t [i]) from the start of measurement is the effective temperature T En [i] and temperature of each position fluctuation factor. Using the constant Cn, it can be estimated as the following equation (3).
- the reference position Z [0] corresponds to the inspection position at the start of temperature measurement.
- ⁇ Tn 0 and sufficient time is required as compared with the time constant of each position variation factor. It is preferable to use temperature measurement data after the passage. This is the same when obtaining position variations in the width direction (X direction) and the optical path direction (Y direction), which will be described later.
- the position variation ⁇ Y [i] in the width direction (Y direction) on the horizontal plane at the i-th measurement time point (measurement time t [i]) from the start of measurement is the effective temperature T E n [i] of each position variation factor.
- the temperature constant Cn can be estimated as in the following equation (7).
- the temperature correction system is configured to execute a temperature correction method described later based on temperature correction software stored in the central processing unit 100 shown in FIG.
- step S6 If the position variation is in the length direction (X direction) on the horizontal plane, the obtained measurement data is inserted into X [i] of the above equation (6), and the position variation factor is calculated by the least square method. A time constant ⁇ n and a temperature constant Cn are obtained (step S6). If the position variation is in the width direction (Y direction) on the horizontal plane, the obtained measurement data is inserted into Y [i] of the above equation (8), and the time constant of the position variation factor is obtained by the least square method. ⁇ n and temperature constant Cn are obtained (step S6).
- this distance h is the measured position in the height direction (Z direction) with respect to the inspection position.
- the inspection position (X-ray irradiation position by the X-ray irradiation unit 40) Px and the observation position Pc by the optical microscope 70 are on a horizontal plane. It is set at a position separated by a distance Lp. This is because, as shown in FIG. 22B, since the fluorescent X-ray detector 60 is installed above the inspection position, the optical microscope 70 cannot be installed at the same position. Therefore, first, as shown in FIG.
- the divergence width of the X-rays reflected from the inspection object is 2 ⁇
- the pixel width xM of the one-dimensional X-ray detector is the detection range.
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Abstract
Description
この種の検査装置として、従来より断面透過電子顕微鏡(TEM)による直接計測や、光干渉やエリプソメトリを利用した膜厚検査装置や、光音響式装置などが知られている。断面透過電子顕微鏡(TEM)では、インライン製造工程に組み込みリアルタイムに検査対象の薄膜を検査することができず、しかも検査用に製造ラインから抜き取った製品は、検査後に廃棄されているのが実情であった。また、光干渉やエリプソメトリを利用した膜厚検査装置や、光音響式装置はインラインには適するが、数nmの薄い膜の測定には精度が不足している。
半導体デバイスメーカーにとっては、使い捨てにされる検査用ウエーハ(ブランケットウエーハ)が、コスト面で大きな負担となっている。特に、近年では半導体ウエーハの大口径化が進展しており、一枚のブランケットウエーハにかかるコストも高価格化してきている。
さらに、本出願人は、先に提案したX線薄膜検査装置の改良を重ね、本発明を完成させるに至った。
半導体製造ラインが設置されたクリーンルーム内は、高精度に温度管理がなされており、例えば、温度変化は1℃以内に保たれている。しかし、被検査部位である半導体ウエーハの微小パターンは数十μmの微小面積であり、この微小面積に収束されたX線を照射してX線検査が行われる過程においては、ミクロン単位での位置変動も測定結果に大きく影響を及ぼす。
そこで、本発明に係るX線薄膜検査装置は、温度変化に伴う検査位置の変動を補正して、X線の照射点に検査位置を合わせるための温度補正システムが組み込んである。
検査対象を上面に配置する試料台と、
試料台の上面に配置された検査対象における被検査部位の画像を観察する画像観察手段と、
画像観察手段による画像観察結果に基づき制御され、試料台を水平面上で直交する2方向、高さ方向、および面内回転方向に移動させて、検査対象の被測定部位をあらかじめ設定された装置の検査位置へ位置決めする位置決め機構と、
検査位置に配置された検査対象の被測定部位へX線を照射するX線照射ユニットと、
検査位置に配置された検査対象の被測定部位から発生する蛍光X線を検出する蛍光X線検出器と、
このX線薄膜検査装置の内部温度に相当する温度を測定する温度測定手段と、
温度測定手段により測定した温度に基づき、検査位置を補正する温度補正システムと、を備えている。
試料台の上面と直交する仮想平面に沿ってそれぞれ旋回する第1,第2の旋回部材を備えたゴニオメータを備え、
X線照射ユニットは、前記第1の旋回部材に搭載し、
第2の旋回部材には、前記検査位置に配置された前記検査対象の被測定部位から反射又は回折してくるX線を検出するX線検出器を搭載した構成とすることもできる。
(4-1) 温度変化に伴う位置変動の要因をN個に特定し、n番目の位置変動要因の時間経過に関する係数である時定数をτn、温度変化に関する係数である温度定数をCnとし、温度測定手段による温度測定をt秒間隔で実行していき、温度測定の開始からi回目の測定(測定時刻t[i])における測定温度TM[i]に基づき、そのときのn番目の位置変動要因の実効温度TEn[i]を、次式(a)から推定する。
(5-1) 温度測定手段による温度測定をt秒間隔で実行するとともに、各温度測定時点での検査位置を実測する。
(5-2) 温度変化に伴う位置変動がない状態の基準位置をP[0]とした次の関係式(c)を用いて、温度測定の開始からi回目の測定時点(測定時刻t[i])における検査位置P[i]に、当該測定時点において(5-1)のステップで実測した検査位置を挿入し、最小二乗法により各位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを算出する。
(8-1) ゴニオメータを制御して、第1の旋回部材に搭載されたX線照射ユニットから出射されるX線の中心軸を水平に調整するとともに、当該X線の中心軸上に第2の旋回部材に搭載されたX線検出器を対向配置する。
(8-2) X線照射ユニットを制御して、X線検出器に向けてX線を照射する。
(8-3) 位置決め機構を制御して、X線検出器が検出するX線強度が、X線照射ユニットから出射されるX線の強度の1/2となるように、試料台を高さ方向に移動する。
(8-4) 画像観察手段を制御し、上方から検査位置に当該画像観察手段の焦点を合わせて、高さ方向の検査位置を実測する。
温度補正システムは、次の(9-1)乃至(9-4)のステップを実行する温度補正ソフトウエアにより、試料台が移動する水平面上の検査位置を実測することができる。
(9-1) 位置決め機構を制御して、温度補正用の試料が検査位置に配置された試料台を水平移動し、画像観察手段からの画像情報に基づき、検査位置を画像観察手段の上方位置に配置する。
(9-2) X線照射ユニットから照射位置に向けてX線を照射する。
(9-3) 位置決め機構を制御して、検査位置に配置された温度補正用の試料にX線照射ユニットからのX線が照射され、当該試料から発生する蛍光X線がピーク強度に到達する位置へ、試料台を水平移動する。
(9-4) ステップ(9-1)の位置からステップ(9-3)の位置までの試料台の移動量に基づいて、水平面上の検査位置を実測する。
〔X線薄膜検査装置の基本構成〕
図1は本実施形態に係るX線薄膜検査装置の全体構造を示す斜視図、図2は同装置の正面図である。
X線薄膜検査装置は、試料台10、位置決め機構20、ゴニオメータ30、X線照射ユニット40、X線検出器50、蛍光X線検出器60、CCDカメラ等からなる光学顕微鏡70(画像観察手段)を備えている。
なお、第1の旋回アーム32に搭載するX線照射ユニット40の台数は、用途に応じて任意に設定することができる。例えば、第1の旋回アーム32に1台、2台、または4台以上のX線照射ユニット40を搭載した構成としてもよい。
X線照射ユニット40からのX線が照射される位置が検査位置となり、試料台10の上面に配置された検査対象の被測定部位は、位置決め機構20によってこの検査位置へ位置決めされる。
なお、X線照射ユニット40の詳細については後述する。
なお、第2の旋回アーム33に検出器交換機構を組み込むとともに、APD、一次元X線検出器、二次元検出器、シンチレーションカウンタなど各種のX線検出器を搭載し、検出器交換機構によりX線検出器を切り替えて利用できる構成とすることも可能である。
試料台10に配置した検査対象(例えば、半導体ウエーハ)の被測定部位は、位置決め機構20により試料台10を移動させることで、光学顕微鏡70の下方位置に配置される。そして、この位置から検査位置に向かって水平方向へLpだけ移動させることで、検査対象(例えば、半導体ウエーハ)の被測定部位が検査位置に位置決めされる。
本実施形態のX線薄膜査装置によれば、これらX線照射ユニット40の選択と位置決めが、第1の旋回アーム32を旋回移動させるだけで高精度に行うことができる。
このように入射角度を低角度に設定することで、検査対象への入射X線が蛍光X線検出器60に遮られない余裕空間ができ、機器交換機構80に内蔵されている上下移動機構により蛍光X線検出器60を下降させ、他の元素を測定するときに比べ蛍光X線検出器60を検査対象の表面に近接する位置に配置することが可能となる。
これにより、検査対象の測定面と蛍光X線検出器60との間のX線通路(X線の入射空間)を微小空間とすることができ、検査対象の測定面から発生する蛍光X線の多くを空気に吸収される前に蛍光X線検出器60が捕捉可能となる。
X線照射ユニット40に組み込まれたX線管42への高圧電源47の供給、およびシャッター45の開閉操作は、XGコントローラ101が実行する。また、光学顕微鏡70が捉えた画像は、画像認識回路102で画像認識される。なお、光学顕微鏡70の焦点位置はフォーカスコントローラ103によって調整される。位置決めコントローラ104は、光学顕微鏡で捉えられ、画像認識回路102により認識された画像情報に基づいて位置決め機構20を駆動制御する。ゴニオメータ30は、ゴニオコントローラ106によって駆動制御される。
XGコントローラ101、画像認識回路102、フォーカスコントローラ103、位置決めコントローラ104、ゴニオコントローラ106は、中央処理装置(CPU)100からの設定情報に基づいてそれぞれ作動する。また、X線検出器50と蛍光X線検出器60は、それぞれ計数制御回路107,108によって制御される。これら各コントローラ、CPU、計数制御回路が、X線薄膜検査装置の制御手段を構成している。
試料台10上に検査対象となる半導体ウエーハを配置した後、まず半導体ウエーハの被測定部位を検査位置へ位置決めする(ステップS1)。この位置決めは、位置決め機構20の駆動制御をもって実行される。すなわち、光学顕微鏡70が試料台10上の半導体ウエーハを捉え、画像認識回路102で認識した画像情報に基づいて位置決めコントローラ104が位置決め機構20を駆動制御する。位置決め機構20は、水平2方向(X-Y方向)および高さ方向(Z方向)に移動して、半導体ウエーハの被測定部位を検査位置へ配置する。
以上の各ステップは半導体ウエーハに設定した被測定部位のすべてについて実行され(ステップS6)、すべての被測定部位の検査が終了した後に終了する。
次に、X線照射ユニット40に係る第1の実施形態について、図6~図15を参照して詳細に説明する。
X線照射ユニット40は、図6に示すような外観をしており、図7及び図8に示すように、チューブシールド(ユニット本体)41内に、X線源であるX線管42とX線光学素子43とを内蔵したモジュール構成として小形軽量化を実現している。チューブシールド41は、X線を遮蔽する金属材料で構成してあり、X線管42を内蔵する第1チューブ41aと、X線光学素子43を内蔵する第2チューブ41bとに分割されている。各チューブ41a,41bは、ボルト等の締結手段によって連結され一体化する。
X線光学素子43に入射したX線は、4枚の多層膜ミラーのうち隣接する2枚の多層膜ミラー43aと43bの間で反射し、単色化された収束X線となって出射される。すなわち、最初に第1の多層膜ミラー43aで反射したX線は、さらに第2の多層膜ミラー43bで反射することで、図10Aに示すような断面矩形状の収束X線となって出射される。一方、最初に第2の多層膜ミラー43bで反射したX線は、さらに第1の多層膜ミラー43aで反射することで、同じく図10Aに示すような断面矩形状の収束X線となって出射される。同様に、図には示されないが、隣接する他の2枚の多層膜ミラー43cと43dの間でもX線が反射して、図10Aに示すような断面矩形状の収束X線となって出射される。
したがって、X線光学素子43からは、図10Aに示すように仮想四角形の4隅に、それぞれ4本の矩形状をした収束X線Xa,Xb,Xc,Xdが出射される。
したがって、収束位置bで4本の収束X線Xa,Xb,Xc,Xdが一つに重なり合えば、1本の収束X線の4倍のX線強度を得ることができる。また、後述するように、収束位置bで2本の収束X線Xb,Xdが一つに重なり合えば、1本の収束X線の2倍のX線強度を得ることができる。
F2=F1(L2/L1)
したがって、収束X線の焦点サイズF2を小さくするためには、X線管42の焦点faからX線光学素子43の反射中心位置までの距離L1をできるだけ長くすることが好ましい。なお、X線光学素子43の反射中心位置から収束X線の収束位置fbまでの距離L2を短くする方法は、半導体ウエーハに干渉してしまう等の制約があって困難である。
一方、蛍光X線測定においては、半導体ウエーハから励起して出てくる蛍光X線Xfを蛍光X線検出器60で捕捉するため、反射X線Xra,Xrb,Xrc,Xrdの広がりは測定精度に何ら影響しない。
そこで、蛍光X線測定においては、図10Aや図10Bに示すような4本の収束X線Xa,Xb,Xc,Xdを利用して、1本の収束X線の4倍のX線強度をもって測定を実施することで、高精度な測定結果を得ることが可能となる。一般的に、X線計測における計測誤差のうち統計誤差は√Nであらわされ(NはX線強度)、統計誤差率は√(N/N)となる。X線強度が4倍になると、統計誤差率は√(4N/4N)=1/2となる。すなわち、4倍のX線強度を有する上記構成とすることで、統計誤差率を1/2に低減することができる。
そして、図6に示す退避位置に遮蔽板46a、46bを移動させることで、X線出射口41cから4本すべての収束X線Xa,Xb,Xc,Xd(図10参照)を出射させることができる。
一方、図12に示すように出射してくるX線の一部を遮蔽する位置に一定の隙間を空けて遮蔽板46a、46bを移動配置することで、例えば、図13A又は図13Bに示すように、X線出射口41cから2本の収束X線Xc,Xd又はXb,Xdを出射させることができる。
次に、X線照射ユニット40に係る第2の実施形態について、図16~図19を参照して詳細に説明する。
本実施形態のX線照射ユニット40は、蛍光X線測定に適した大きな強度のX線を照射することができるように構成されている。
このように各種のX線照射ユニット40を第1の旋回アーム32に搭載しておけば、X線照射ユニット40を旋回移動させるだけで、X線反射率測定や蛍光X線測定に適したX線照射ユニット40を短時間で効率的にセッティングすることができる。
次に、X線薄膜検査装置の温度補正システムについて詳細に説明する。
X線薄膜検査装置の内部温度が変化すると、同装置を構成する各部材が僅かながらではあるが膨張又は収縮し、X線の照射点である同装置の検査位置が3次元的に変動する。検査位置には、例えば、半導体ウエーハの微小パターン(被測定部位)が配置され、ここにX線が照射される。しかしながら、温度変化に伴い検査位置に変動が生じた場合、被測定部位である半導体ウエーハの微小パターンにX線を適正に照射できず、X線による測定精度の低下をまねくおそれがある。
半導体製造ラインが設置されたクリーンルーム内は、高精度に温度管理がなされており、例えば、温度変化は1℃以内に保たれている。しかし、被測定部位である半導体ウエーハの微小パターンは数十μmの微小面積であり、この微小面積に収束されたX線を照射してX線検査が行われる過程においては、ミクロン単位での位置変動も測定結果に大きく影響を及ぼす。
そこで、本実施形態に係るX線薄膜検査装置には、温度変化に伴う検査位置(X線の照射位置)の変動を補正して、X線の照射点に検査位置を合わせるための温度補正システムが組み込んである。
本実施形態に係るX線薄膜検査装置の温度補正システムは、次の原理に基づいて温度変化に基づく位置変動を補正している。
温度変化に伴う検査位置(X線照射位置)を変動させる要因(位置変動要因)を大きく分類すると、X線ビームの移動、検査対象の移動、光学顕微鏡70の移動が考えられる。例えば、ゴニオメータ30の膨張・収縮などからX線ビームが移動し、試料台10の膨張・収縮などから検査対象が移動し、光学顕微鏡70を支持する支持枠の膨張・収縮などから光学顕微鏡70による観察位置が移動する。
そこで、温度変化に伴う位置変動の要因をN個に特定し、各位置変動要因の時間経過に関する係数(時定数τ)と温度変化に関する係数(温度定数C)とを考慮して、温度変化に伴う位置変動を推定する。
具体的には、n番目の位置変動要因の時定数をτn、温度定数をCnとし、t秒間隔で温度を測定していき、測定開始からi回目の測定(測定時刻t[i])における測定温度がTM[i]であったとする。このときの実効温度TEn[i]は、漸化式(1)で算出することができる。
本実施形態に係る温度補正システムは、図3に示した中央処理装置100に格納された温度補正ソフトウエアに基づき、後述する温度補正方法を実行する構成となっている。
中央処理装置100は、格納された温度補正ソフトウエアに基づき、次の温度補正方法を実行する。温度補正方法は、上述した原理における位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを求める準備段階と、求めた位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを挿入した上記の式(1)(3)(5)(7)に基づき、温度測定と位置補正を繰り返す実行段階とに分けられる。
図20のフローチャートに示すように、準備段階では、まず温度変化に伴う位置変動要因を設定して測定を開始し(ステップS1、S2)、一定の測定間隔毎に温度測定と検査位置の実測を行う(ステップS3,S4)。これら温度測定と検査位置の実測をあらかじめ設定した時間だけ繰り返し実行する(ステップS5)。
そして、高さ方向(Z方向)の位置変動であれば、得られた測定データを上記式(4)のZ[i]に挿入して、最小二乗法により位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを求める(ステップS6)。同様に、水平面上での長さ方向(X方向)の位置変動であれば、得られた測定データを上記式(6)のX[i]に挿入して、最小二乗法により位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを求める(ステップS6)。また、水平面上での幅方向(Y方向)の位置変動であれば、得られた測定データを上記式(8)のY[i]に挿入して、最小二乗法により位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを求める(ステップS6)。
まず、図21に示すように、試料台10の上面に温度補正用の試料Sを配置し、この試料Sの被測定部SAを、光学顕微鏡70の下方位置へ移動させる。続いて、ゴニオメータ30の各旋回アーム32,33を回転駆動して、所定のX線照射ユニット40とX線検出器50とが試料台10を挟んで水平対向位置に配置されるように設定する。このような配置関係では、X線照射ユニット40から照射されたX線の中心軸は水平となり、対向配置したX線検出器50における検出面の中心へ入射する。
次いで、中間位置にある試料台10を高さ方向(Z方向)に移動し、X線検出器50で検出されるX線の強度が、X線管42から放射されるX線強度の1/2となるように調整する。これにより、X線管42から放射されたX線の1/2が試料台10及び試料Sの側面に遮られ、残りの1/2が試料Sの上方を通過してX線検出器50に入射する位置に試料Sが配置される。この配置において、試料Sの上面はX線管42から放射されるX線の中心軸と一致する。この高さ位置が高さ方向の検査位置となり、X線薄膜検査に際しては、この高さ位置にX線照射ユニット40からX線が照射される。これら一連の操作を、一般に「半割り」と称している。
図1に示したX線薄膜検査装置では、図22Aに示すように、検査位置(X線照射ユニット40によるX線の照射位置)Pxと、光学顕微鏡70による観察位置Pcとが、水平面上で距離Lpだけ離間した位置に設定されている。これは、図22Bに示すように、検査位置の上方には蛍光X線検出器60が設置されるため、光学顕微鏡70を同じ位置に設置できないからである。
そこで、まず図22Aに示すように、試料台10を水平移動して、試料台10の上面に配置した試料Sの測定点SAを、光学顕微鏡70による観察位置Pcの中心に配置する。これは光学顕微鏡70が捉えた映像を、画像認識回路102で画像認識して、当該画像に基づき中央処理装置100が位置決め機構20を制御することで実行することができる。
同様に、試料台10の検査位置に配置した試料Sの測定点SAを、光学顕微鏡70による観察位置から検査位置Pxへと移動したときの、幅(Y方向)の移動量yを、試料台10の検査位置に関する水平面上での幅方向(Y方向)の実測位置としている。
これにより、常にX線の照射点に試料台10の検査位置を合致させて、高精度なX線の薄膜検査を行うことが可能となる。
半導体製造ラインが設置されたクリーンルーム内に設置してあるX線薄膜検査装置を対象として、同装置の内部温度を測定し、同装置の温度変化に伴う位置変動を補正した。
本実験では、温度変化に伴う位置変動要因として、時定数が266.2秒と小さいもの(位置変動要因n1)と、時定数が10272.5秒と大きいもの(位置変動要因n2)の2つを設定し、上述した式(4)に基づいて、光学顕微鏡70から試料台10の上面までの距離hの計算値を算出した(図23のDATA3参照)。なお、位置変動要因n1の温度定数は-12.98μm/℃、位置変動要因n2の温度定数は13.20μm/℃である。
次に、X線薄膜検査装置のX線反射率測定に関するシステムの改良について説明する。
周知のとおり、X線反射率測定は、特に薄膜の厚さや、薄膜表面の粗さ、薄膜と基材との間の界面の粗さ、薄膜の密度等を測定するのに適している。このX線反射率測定の原理は、以下のとおりである(図24、図25参照)。
図27に示すように、X線照射ユニット40から入射X線(収束X線)X0を薄膜試料W(例えば、半導体ウエーハ)の表面すれすれに照射し、薄膜試料Wから反射してきた反射X線X1を一次元X線検出器51で検出する。X線照射ユニット40としては、例えば、既述したようなX線光学素子43にコンフォーカルミラーを用いた構成のものを採用する(図6~図15参照)。この場合、図13や図15に示したように反射X線X1の走査方向への発散を抑えて利用する必要が無く、逆に広い発散角の入射X線X0に対する反射X線を同時に計測ことにより計測時間を短縮することができる。そして、TDI方式をもって一次元X線検出器51を走査し、X線の検出データを取得する。
このように受光スリットを使用せず発散X線の全範囲を利用してTDI方式のX線反射率測定を実施するために、測定速度が格段に向上する。
このようにX線遮蔽部材53を配置することで、空気からの散乱X線や反射ミラーからのゴースト等をX線遮蔽部材53によって遮蔽し、それら反射X線以外のX線の一次元X線検出器51への入射を抑制し、バックグラウンド(BG)成分を低減させることが可能となる。これにより、主として一次元X線検出器51に入射する反射X線強度が弱くなる比較的高角の領域においてSN比を向上し、X線反射率測定のダイナミックレンジを向上することができる。
また、X線吸収部材52を一次元X線検出器又は二次元検出器の受光面に取り付けることもできる。この場合は、得られたX線検出データをソフトウエアにより補正して、角度ごとに積分していく。
Claims (9)
- 検査対象を上面に配置する試料台と、
前記試料台の上面に配置された前記検査対象における被検査部位の画像を観察する画像観察手段と、
前記画像観察手段による画像観察結果に基づき制御され、前記試料台を水平面上で直交する2方向、高さ方向、および面内回転方向に移動させて、前記検査対象の被測定部位をあらかじめ設定された装置の検査位置へ位置決めする位置決め機構と、
前記検査位置に配置された前記検査対象の被測定部位へX線を照射するX線照射ユニットと、
前記検査位置に配置された前記検査対象の被測定部位から発生する蛍光X線を検出する蛍光X線検出器と、
このX線薄膜検査装置の内部温度に相当する温度を測定する温度測定手段と、
前記温度測定手段により測定した温度に基づき前記検査位置を補正する温度補正システムと、
を備えたX線薄膜検査装置。 - 前記試料台の上面と直交する仮想平面に沿ってそれぞれ旋回する第1,第2の旋回部材を備えたゴニオメータを備え、
前記X線照射ユニットは、前記第1の旋回部材に搭載され、
前記第2の旋回部材には、前記検査位置に配置された前記検査対象の被測定部位から反射又は回折してくるX線を検出するX線検出器が搭載されている請求項1のX線薄膜検査装置。 - 前記温度補正システムは、前記測定した温度に対して、一定の時定数をもって遅延して変化する実効温度に基づき前記検査位置を補正する請求項1又は2のX線薄膜検査装置。
- 前記温度補正システムは、前記温度測定手段による温度測定を繰り返し、
次の(4-1)及び(4-2)のステップを実行する温度補正ソフトウエアにより前記検査位置を補正する請求項1又は2のX線薄膜検査装置。
(4-1) 温度変化に伴う位置変動の要因をN個に特定し、n番目の位置変動要因の時間経過に関する係数である時定数をτn、温度変化に関する係数である温度定数をCnとし、前記温度測定手段による温度測定をt秒間隔で実行していき、温度測定の開始からi回目の測定(測定時刻t[i])における測定温度TM[i]に基づき、そのときの前記n番目の位置変動要因の実効温度TEn[i]を、次式(a)から推定する。
(4-2) 温度測定の開始からi回目の測定時点(測定時刻t[i])における位置変動ΔP[i]を、次式(b)によって算出する。
- 前記温度補正システムは、次の(5-1)及び(5-2)のステップを実行する前記温度補正ソフトウエアにより、前記各位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを算出する請求項4のX線薄膜検査装置。
(5-1) 前記温度測定手段による温度測定をt秒間隔で実行するとともに、各温度測定時点での前記検査位置を実測する。
(5-2) 温度変化に伴う位置変動がない状態の基準位置をP[0]とした次の関係式(c)を用いて、温度測定の開始からi回目の測定時点(測定時刻t[i])における検査位置P[i]に、当該測定時点において前記(5-1)のステップで実測した検査位置を挿入し、最小二乗法により前記各位置変動要因の時定数τnと温度定数Cnを算出する。
- 前記温度測定手段は、このX線薄膜検査装置の内部温度に相当する温度として、当該X線薄膜検査装置が設置された検査室内の空気温度、又は当該検査室の排気口から排出されてくる空気温度を測定する請求項1のX線薄膜検査装置。
- 前記温度補正システムは、前記画像観察手段による画像観察結果を参照して、前記検査位置を実測する請求項5のX線薄膜検査装置。
- 前記温度補正システムは、前記試料台が移動する高さ方向の検査位置を補正する構成であり、次の(8-1)乃至(8-4)のステップを実行する前記温度補正ソフトウエアにより当該高さ方向の検査位置を実測する請求項7のX線薄膜検査装置。
(8-1) 前記ゴニオメータを制御して、前記第1の旋回部材に搭載されたX線照射ユニットから出射されるX線の中心軸を水平に調整するとともに、当該X線の中心軸上に前記第2の旋回部材に搭載されたX線検出器を対向配置する。
(8-2) 前記X線照射ユニットを制御して、前記X線検出器に向けてX線を照射する。
(8-3) 前記位置決め機構を制御して、前記X線検出器が検出するX線強度が、前記X線照射ユニットから出射されるX線の強度の1/2となるように、前記試料台を高さ方向に移動する。
(8-4) 前記画像観察手段を制御し、上方から前記検査位置に当該画像観察手段の焦点を合わせて、高さ方向の前記検査位置を実測する。 - 前記X線照射ユニットによるX線の照射位置と、前記画像観察手段による画像観察位置とが水平面上の異なる位置に設定されたX線薄膜検査装置において、
前記温度補正システムは、前記試料台が移動する水平面上の検査位置を補正する構成であり、次の(9-1)乃至(9-4)のステップを実行する前記温度補正ソフトウエアにより当該水平面上の検査位置を実測する請求項7のX線薄膜検査装置。
(9-1) 前記位置決め機構を制御して、温度補正用の試料が前記検査位置に配置された前記試料台を水平移動し、前記画像観察手段からの画像情報に基づき、前記検査位置を前記画像観察手段の上方位置に配置する。
(9-2) 前記X線照射ユニットから照射位置に向けてX線を照射する。
(9-3) 前記位置決め機構を制御して、前記検査位置に配置された前記温度補正用の試料に前記X線照射ユニットからのX線が照射され、当該試料から発生する蛍光X線がピーク強度に到達する位置へ、前記試料台を水平移動する。
(9-4) 前記ステップ(9-1)の位置から前記ステップ(9-3)の位置までの前記試料台の移動量に基づいて、水平面上の前記検査位置を実測する。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019124598A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質試料の結晶化温度測定方法および結晶化温度測定システム |
JP2019124599A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質試料の結晶化温度測定方法および結晶化温度測定システム |
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Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6351740B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2018-07-04 | 株式会社リガク | X線薄膜検査装置 |
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KR102348995B1 (ko) * | 2016-07-15 | 2022-01-10 | 가부시키가이샤 리가쿠 | X선 검사 장치, x선 박막 검사 방법 및 로킹 커브 측정 방법 |
WO2018016430A1 (ja) * | 2016-07-16 | 2018-01-25 | 株式会社リガク | 複合検査システム |
US10481111B2 (en) * | 2016-10-21 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corporation | Calibration of a small angle X-ray scatterometry based metrology system |
EP3620778A4 (en) * | 2017-07-03 | 2020-08-19 | Shimadzu Corporation | X-RAY CT DEVICE |
JP7394464B2 (ja) * | 2018-07-04 | 2023-12-08 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析装置 |
CN112823280A (zh) | 2018-09-07 | 2021-05-18 | 斯格瑞公司 | 用于深度可选x射线分析的***和方法 |
KR102015792B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2019-08-29 | 주식회사 메디코어스 | 정량화 엑스선 시스템의 온도에 따른 오차 보정 방법 |
WO2021046059A1 (en) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | Sigray, Inc. | System and method for computed laminography x-ray fluorescence imaging |
JP7321523B2 (ja) * | 2019-11-20 | 2023-08-07 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | X線検査装置及びx線検査方法 |
US11175243B1 (en) | 2020-02-06 | 2021-11-16 | Sigray, Inc. | X-ray dark-field in-line inspection for semiconductor samples |
JP7360978B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-10-13 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
CN115667896B (zh) | 2020-05-18 | 2024-06-21 | 斯格瑞公司 | 使用晶体分析器和多个检测元件的x射线吸收光谱的***和方法 |
EP3961199A1 (en) * | 2020-08-24 | 2022-03-02 | Malvern Panalytical B.V. | X-ray detector for x-ray diffraction analysis apparatus |
DE112021004828T5 (de) | 2020-09-17 | 2023-08-03 | Sigray, Inc. | System und verfahren unter verwendung von röntgenstrahlen für tiefenauflösende messtechnik und analyse |
JP2024501623A (ja) | 2020-12-07 | 2024-01-15 | シグレイ、インコーポレイテッド | 透過x線源を用いた高スループット3d x線撮像システム |
WO2023145101A1 (ja) | 2022-01-31 | 2023-08-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 検査装置および検査方法 |
WO2023177981A1 (en) | 2022-03-15 | 2023-09-21 | Sigray, Inc. | System and method for compact laminography utilizing microfocus transmission x-ray source and variable magnification x-ray detector |
US11885755B2 (en) | 2022-05-02 | 2024-01-30 | Sigray, Inc. | X-ray sequential array wavelength dispersive spectrometer |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09218170A (ja) * | 1996-02-14 | 1997-08-19 | Rigaku Corp | X線回折測定方法 |
JP2006153767A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Rigaku Corp | X線薄膜検査装置と、プロダクトウエーハの薄膜検査装置およびその方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0915392A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Hitachi Ltd | X線解析装置 |
JPH102998A (ja) | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Rigaku Corp | X線回折装置のスリット装置 |
US6831072B2 (en) * | 1999-10-29 | 2004-12-14 | Cygene, Inc. | Compositions and methods of synthesis and use of novel nucleic acid structures |
WO2007072906A1 (ja) * | 2005-12-21 | 2007-06-28 | Kyoto University | 曲率分布結晶レンズの製造方法、偏光制御装置、x線反射率測定装置およびx線反射率測定方法 |
US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
TWI588446B (zh) | 2013-03-14 | 2017-06-21 | Tokyo Electron Ltd | X-ray non-destructive inspection device |
US10514345B2 (en) | 2014-10-14 | 2019-12-24 | Rigaku Corporation | X-ray thin film inspection device |
-
2014
- 2014-10-14 US US15/518,095 patent/US10514345B2/en active Active
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2015
- 2015-06-26 TW TW104120715A patent/TWI638996B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09218170A (ja) * | 1996-02-14 | 1997-08-19 | Rigaku Corp | X線回折測定方法 |
JP2006153767A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Rigaku Corp | X線薄膜検査装置と、プロダクトウエーハの薄膜検査装置およびその方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
M.BECK ET AL.: "Simultaneous determination of specimen temperature and specimen displacement in high-temperature X-ray diffractometry applying Bragg-Brentano geometry", JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY, vol. 35, no. 1, 2002, pages 103 - 107 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019124598A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質試料の結晶化温度測定方法および結晶化温度測定システム |
JP2019124599A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質試料の結晶化温度測定方法および結晶化温度測定システム |
JP7187775B2 (ja) | 2018-01-17 | 2022-12-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質試料の結晶化温度測定方法および結晶化温度測定システム |
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WO2021229772A1 (ja) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | 株式会社島津製作所 | 質量分析方法及び質量分析装置 |
CN115427802A (zh) * | 2020-05-14 | 2022-12-02 | 株式会社岛津制作所 | 质量分析方法及质量分析装置 |
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Also Published As
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ENP | Entry into the national phase |
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WWE | Wipo information: entry into national phase |
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NENP | Non-entry into the national phase |
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ENP | Entry into the national phase |
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122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
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