WO2016039315A1

WO2016039315A1 - Electron source unit and electrification unit

Info

Publication number: WO2016039315A1
Application number: PCT/JP2015/075410
Authority: WO
Inventors: 恵樹松浦; 良俊石原; 明渥美
Original assignee: 浜松ホトニクス株式会社
Priority date: 2014-09-12
Filing date: 2015-09-08
Publication date: 2016-03-17
Also published as: JP2016058360A; JP6346532B2; TW201621962A

Abstract

　An electron source unit (3) is used in an electrification device for electrifying a processed object (PO) to a desired electric potential, and the electron source unit (3) generates electrons that excite molecules of a gas for forming electrically-charged particles that are present in a processing space (20) in which the processed object (PO) is located. The electron source unit (3) is provided with: an electron-generating source (5) for generating electrons; an electric-current-introducing terminal for supplying the electric potential to the electron-generating source (5); an electron source case (7) for accommodating the electron-generating source (5); and a mesh electrode (11) through which electrons generated by the electron-generating source (5) pass towards the outer space of the electron source case (7), the mesh electrode (11) being positioned so as to separate the outer space of the electron source case (7) and the space where the electron-generating source (5) within the electron source case (7) is located. The electrode (11) is configured to have the abovementioned desired electric potential.

Description

電子源ユニット及び帯電処理ユニットElectron source unit and charging unit

　本発明は、処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置に用いられる電子源ユニット、及び、当該電子源ユニットを備える帯電処理ユニットに関する。 The present invention relates to an electron source unit used in a charging processing apparatus that charges a processing object to a desired potential, and a charging processing unit including the electron source unit.

　所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源と、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体と、を備える電子源ユニットが知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された電子源ユニットは、帯電処理装置に用いられており、光電子放出体から放出された光電子により、処理対象物を所望の電位に帯電させる。 An electron source unit is known that includes an energy beam source that emits an energy beam having a predetermined wavelength and a photoelectron emitter that emits photoelectrons to the outside when the energy beam having a predetermined wavelength is incident (see, for example, Patent Document 1). . The electron source unit described in Patent Document 1 is used in a charging processing apparatus, and charges an object to be processed to a desired potential by photoelectrons emitted from a photoelectron emitter.

特開平４－２１８９４１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-28941

　本発明者らは、調査研究の結果、次のような事実を新たに見出した。光電子放出体から放出された光電子により、処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置では、処理対象物が電気絶縁物である場合、所望の電位に帯電させ得る効果が乏しい。処理対象物が負の電位に帯電している電気絶縁物である場合、上記帯電処理装置では、帯電電荷を中和する、すなわち除電する効果は極めて低い。 The present inventors have newly found the following facts as a result of research. In a charging apparatus that charges a processing object to a desired potential by photoelectrons emitted from the photoelectron emitter, when the processing object is an electrical insulator, the effect of being able to be charged to the desired potential is poor. In the case where the object to be treated is an electrical insulator charged to a negative potential, the above-described electrification apparatus has an extremely low effect of neutralizing the charged charge, that is, eliminating the charge.

　本発明の一つの態様は、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い帯電処理装置を実現することが可能な電子源ユニットを提供することを目的とする。本発明のもう一つの態様は、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い帯電処理装置を実現することが可能な帯電処理ユニットを提供することを目的とする。 An object of one aspect of the present invention is to provide an electron source unit capable of realizing a charging processing apparatus that has a very high effect of charging a processing object to a desired potential. Another object of the present invention is to provide a charging processing unit capable of realizing a charging processing apparatus having an extremely high effect of charging a processing object to a desired potential.

　本発明の一つの態様は、処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置に用いられ、処理対象物が位置する処理空間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起させる電子を発生させる電子源ユニットであって、電子を発生させる電子発生源と、電子発生源に電位を供給する給電部と、電子発生源を収容する筐体と、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように位置し、かつ、電子発生源にて発生する電子が筐体の外側空間に向けて通過し、所望の電位とされるメッシュ状の電極部と、を備えている。 One aspect of the present invention is used in a charging processing apparatus that charges a processing object to a desired potential, and generates electrons that excite molecules of a charged particle forming gas existing in a processing space where the processing object is located. An electron source unit that generates electrons, a power supply unit that supplies a potential to the electron generation source, a housing that houses the electron generation source, an outer space of the housing, and an electron generation source in the housing And a mesh-like electrode portion in which electrons generated by the electron generation source pass toward the outer space of the housing and have a desired potential. Yes.

　上記一つの態様に係る電子源ユニットが用いられた帯電処理装置では、給電部を通して、電極部の電位よりも小さい電位が電子発生源に供給されると、電子発生源と電極部との間には、電子発生源にて発生する電子を電極部に向けて加速させる加速電界が形成される。この加速電界により、電子発生源にて発生する電子は、メッシュ状の電極部を通過し、筐体の外側空間に効率よく導出される。ところで、帯電処理装置において、筐体の外側空間は、処理対象物が位置する処理空間であり、荷電粒子形成用ガスが存在している。このため、筐体の外側空間、すなわち処理空間に導出された電子は、処理空間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起する。これにより、荷電粒子形成用ガスの分子から、正及び負の荷電粒子が生じる。 In the charging processing apparatus using the electron source unit according to the one aspect described above, when a potential smaller than the potential of the electrode unit is supplied to the electron generation source through the power feeding unit, the electron generation unit is interposed between the electron source and the electrode unit. In this case, an acceleration electric field for accelerating electrons generated in the electron generation source toward the electrode portion is formed. Due to this accelerating electric field, electrons generated in the electron generation source pass through the mesh-like electrode portion and are efficiently led out to the outer space of the housing. By the way, in the charging processing apparatus, the outer space of the housing is a processing space in which a processing object is located, and there is a charged particle forming gas. For this reason, the electrons derived into the outer space of the casing, that is, the processing space excite the molecules of the charged particle forming gas existing in the processing space. As a result, positive and negative charged particles are generated from the molecules of the charged particle forming gas.

　生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか一方の荷電粒子が、電極部及び電極部と電気的に接続される部位の電位（所望の電位）と処理対象物の電位とで形成される電界に応じて、処理対象物側に移動する。生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか他方の荷電粒子は、電極部及び上記部位側に移動する。処理対象物に移動してきた荷電粒子により、処理対象物は、所望の電位に帯電する。処理対象物が所望の電位に帯電すると、電極部及び上記部位と処理対象物との間に電界が形成されず、荷電粒子は移動しない。したがって、処理対象物は、確実に所望の電位に帯電する。 An electric field formed by one of the generated positive and negative charged particles with the potential of the electrode portion and the portion electrically connected to the electrode portion (desired potential) and the potential of the object to be processed. Accordingly, the object moves to the processing object side. One of the generated positive and negative charged particles, the other charged particle moves to the electrode part and the part side. Due to the charged particles that have moved to the processing object, the processing object is charged to a desired potential. When the processing object is charged to a desired potential, an electric field is not formed between the electrode portion and the part and the processing object, and the charged particles do not move. Therefore, the object to be processed is reliably charged to a desired potential.

　これらの結果、電子源ユニットが用いられた帯電処理装置では、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い。所望の電位に帯電させるとは、正又は負の電位に帯電させることだけでなく、正又は負の電位の帯電を中和する、いわゆる除電することも含む。 As a result, in the charging processing apparatus using the electron source unit, the effect of charging the object to be processed to a desired potential is extremely high. Charging to a desired potential includes not only charging to a positive or negative potential, but also so-called neutralization that neutralizes charging of a positive or negative potential.

　上記一つの態様では、筐体は、筐体の外側空間と連通する開口部を含んでおり、電極部は、開口部を覆うように筐体に配置されていてもよい。この場合、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように、電極部を確実かつ容易に配置することができる。 In the above one aspect, the casing may include an opening communicating with the outer space of the casing, and the electrode portion may be disposed in the casing so as to cover the opening. In this case, the electrode portion can be reliably and easily disposed so as to partition the outer space of the housing and the space in which the electron generation source is located.

　上記一つの態様では、筐体は、平面視で長手方向と短手方向とを有しており、電子発生源は、筐体の長手方向に沿って延びていてもよい。この場合、電子源ユニットから外側空間に導出される電子により、処理空間に電子発生源が延びている方向に沿って存在する荷電粒子形成用ガスの分子が励起される。これにより、処理対象物が長尺状の物体であっても、当該処理対象物を確実に所望の電位に帯電させることができる。 In the above-described one aspect, the casing may have a longitudinal direction and a lateral direction in plan view, and the electron generation source may extend along the longitudinal direction of the casing. In this case, the electrons derived from the electron source unit to the outer space excite molecules of the charged particle forming gas existing along the direction in which the electron generation source extends in the processing space. Thereby, even if the processing object is a long object, the processing object can be reliably charged to a desired potential.

　上記一つの態様では、電子発生源は、熱電子を放出するカソードを含んでいてもよい。この場合、出力の高い電子発生源を容易に実現することができる。 In the above one aspect, the electron generation source may include a cathode that emits thermal electrons. In this case, a high-output electron generation source can be easily realized.

　上記一つの態様では、カソードは、イリジウムを含む材料からなる基材部と、基材部の表面を覆う、イットリウム酸化物を含む材料からなる被覆部と、を含んでいてもよい。この場合、出力が高く、かつ、安定性の高い電子発生源を容易に実現することができる。 In the above one aspect, the cathode may include a base material portion made of a material containing iridium and a covering portion made of a material containing yttrium oxide covering the surface of the base material portion. In this case, an electron source with high output and high stability can be easily realized.

　上記一つの態様では、電極部は、筒形状を呈し、カソードを囲むようにカソードの外側に配置されていてもよい。この場合、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように、電極部を確実に配置することができる。 In the above one aspect, the electrode portion may have a cylindrical shape and may be disposed outside the cathode so as to surround the cathode. In this case, the electrode portion can be reliably arranged so as to partition the outer space of the housing and the space in which the electron generation source is located.

　上記一つの態様は、カソードを囲むようにカソードと電極部との間に配置され、かつ、導電性を有するカバーを更に備え、カバーには、熱電子をカバー外に放出する開口が形成されており、カバーは、カソードの電位以下の電位とされてもよい。この場合、カバーにより、カバーに形成された開口に熱電子が効率よく向かうような電界が形成されるため、開口から熱電子を効率よく放出させることができる。 The above-described one aspect further includes a conductive cover disposed between the cathode and the electrode portion so as to surround the cathode, and the cover is formed with an opening for discharging thermoelectrons to the outside of the cover. The cover may be at a potential equal to or lower than the potential of the cathode. In this case, since the electric field is formed by the cover so that the thermal electrons are efficiently directed to the opening formed in the cover, the thermal electrons can be efficiently emitted from the opening.

　上記一つの態様では、電子発生源は、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源と、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体と、を含んでいてもよい。この場合、筐体部内の雰囲気に対して安定度の高い電子発生源を実現することができる。 In the above one aspect, the electron generation source may include an energy beam source that emits an energy beam having a predetermined wavelength, and a photoelectron emitter that emits photoelectrons to the outside when the energy beam having a predetermined wavelength is incident. In this case, an electron generation source having high stability with respect to the atmosphere in the casing can be realized.

　上記一つの態様では、エネルギー線源は、電子発生源から処理部への光電子入射軸とエネルギー線源のエネルギー線出射軸とが同軸とならないように、配置されていてもよい。この場合、エネルギー線が処理対象物に直接、影響を及ぼすことを抑制することができる。 In the above one aspect, the energy ray source may be arranged so that the photoelectron incident axis from the electron generation source to the processing unit and the energy ray emission axis of the energy ray source are not coaxial. In this case, it is possible to suppress the energy rays from directly affecting the object to be processed.

　上記一つの態様では、エネルギー線源は、光電子入射軸とエネルギー線出射軸とが交わるように配置され、光電子放出体は、エネルギー線出射軸に対して傾斜する傾斜面を含んでいてもよい。この場合、エネルギー線の処理対象物への直接的な影響をより抑制することができる。また、効率よく発生した光電子を処理室へ導くことができる。 In the above one aspect, the energy beam source may be arranged such that the photoelectron incident axis and the energy beam output axis intersect, and the photoelectron emitter may include an inclined surface that is inclined with respect to the energy beam output axis. In this case, the direct influence of the energy beam on the object to be processed can be further suppressed. In addition, photoelectrons generated efficiently can be guided to the processing chamber.

　上記一つの態様では、所定波長のエネルギー線は真空紫外光を含んでいてもよい。この場合、より効率よく光電子を発生することができる。 In the above one aspect, the energy beam having a predetermined wavelength may contain vacuum ultraviolet light. In this case, photoelectrons can be generated more efficiently.

　上記一つの態様は、エネルギー線源と光電子放出体との間に配置され、光電子放出体の電位と同等の電位とされるメッシュ状の電極部を更に備えていてもよい。この場合、光電子放出体から放出された光電子がエネルギー線源側に向かうのが抑制されるので、光電子を筐体の外側空間に向けて効率よく導出することができる。 The above-described one aspect may further include a mesh-like electrode portion that is disposed between the energy beam source and the photoelectron emitter and has a potential equal to the potential of the photoelectron emitter. In this case, since the photoelectrons emitted from the photoelectron emitter are suppressed from moving toward the energy beam source, the photoelectrons can be efficiently led out toward the outer space of the housing.

　上記一つの態様は、エネルギー線源と光電子放出体との間に配置され、かつ、所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、窓材により、筐体における光電子放出体が収容されている空間が気密に封止されてもよい。この場合、エネルギー線源に関する作業を、処理対象物が位置する処理空間内の所定の圧力雰囲気に影響を与えることなく、容易に行うことができる。 The one aspect further includes a window material disposed between the energy beam source and the photoelectron emitter and transmitting an energy beam having a predetermined wavelength, and the window material houses the photoelectron emitter in the housing. The existing space may be hermetically sealed. In this case, the work related to the energy ray source can be easily performed without affecting the predetermined pressure atmosphere in the processing space where the processing object is located.

　上記一つの態様は、所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、窓材の一方の面には、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜が形成されており、窓材は、薄膜と光電子放出体とが同等の電位となるように、エネルギー線源と光電子放出体との間に配置されていてもよい。この場合、薄膜からも光電子が放出されるため、筐体の外側空間に導出される光電子の量が増加する。また、光電子放出体から放出された光電子がエネルギー線源側に向かうのが抑制されるので、光電子を筐体の外側空間に向けて効率よく導出することができる。 The one aspect further includes a window material that transmits energy rays of a predetermined wavelength, and on one surface of the window material, a transmissive photocathode is formed, and a conductive thin film is formed, The window material may be disposed between the energy beam source and the photoelectron emitter so that the thin film and the photoelectron emitter have the same potential. In this case, since photoelectrons are also emitted from the thin film, the amount of photoelectrons led out to the outer space of the housing increases. Further, since the photoelectrons emitted from the photoelectron emitter are restrained from moving toward the energy ray source, the photoelectrons can be efficiently led out toward the outer space of the housing.

　上記一つの態様では、光電子放出体は、胴部と底部とを有し、所定波長のエネルギー線を導入するための開口が形成された有底筒形状を呈していてもよい。この場合、光電子放出体からの光電子の放出と、放出された光電子の筐体の外側空間側への移動と、が効率よく行われる。 In the above one aspect, the photoelectron emitter may have a bottomed cylindrical shape having a body portion and a bottom portion and having an opening for introducing an energy beam having a predetermined wavelength. In this case, the emission of photoelectrons from the photoelectron emitter and the movement of the emitted photoelectrons to the outer space side of the casing are efficiently performed.

　上記一つの態様は、光電子放出体と電極部との間に配置されている、光電子を制御するための光電子制御部を更に備えていてもよい。この場合、たとえば、処理部内における光電子の入射範囲を制御することができる。 The above-described one aspect may further include a photoelectron control unit for controlling photoelectrons disposed between the photoelectron emitter and the electrode unit. In this case, for example, the incident range of photoelectrons in the processing unit can be controlled.

　上記一つの態様では、光電子放出体は、光電子を放出する開口が形成された胴部を有し、電極部は、筒形状を呈し、胴部を囲むように胴部の外側に配置されていてもよい。この場合、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように、電極部を確実に配置することができる。 In the above one aspect, the photoelectron emitter has a body part in which an opening for emitting photoelectrons is formed, and the electrode part has a cylindrical shape and is arranged outside the body part so as to surround the body part. Also good. In this case, the electrode portion can be reliably arranged so as to partition the outer space of the housing and the space in which the electron generation source is located.

　本発明のもう一つの態様は、帯電処理ユニットであって、上記電子源ユニットと、筐体の外側空間を処理空間とするための処理部と、を備え、処理部は、処理対象物を処理空間に導入する導入部を有し、所望の電位とされる。 Another aspect of the present invention is a charging processing unit, comprising: the electron source unit; and a processing unit for setting the outer space of the housing as a processing space. The processing unit processes a processing object. It has an introduction part for introducing it into the space, and is set to a desired potential.

　上記もう一つの態様では、処理部内への処理対象物の導入及び導出を容易に行うことができる。処理部が、電極部と同じ所望の電位とされるため、処理空間を処理部内に適切に形成することができる。 In the above-described another aspect, the processing object can be easily introduced and derived from the processing unit. Since the processing unit has the same desired potential as the electrode unit, the processing space can be appropriately formed in the processing unit.

　上記もう一つの態様では、処理部は、導入部と対向するように位置し、処理対象物を処理部から導出する導出部を更に有していてもよい。この場合、処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。 In the above-described another aspect, the processing unit may further include a derivation unit that is positioned to face the introduction unit and derives the processing object from the processing unit. In this case, the charging process of the processing object can be performed continuously.

　上記もう一つの態様では、処理部は、互いに離間して配置された二つの部材を有し、二つの部材の間から処理空間に処理対象物を導入してもよい。この場合、より大きなサイズを有する処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。 In another embodiment, the processing unit may include two members that are spaced apart from each other, and may introduce the processing object into the processing space between the two members. In this case, the charging process of the processing object having a larger size can be continuously performed.

　本発明の上記一つの態様によれば、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い帯電処理装置を実現することが可能な電子源ユニットを提供することができる。本発明の上記もう一つの態様によれば、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い帯電処理装置を実現することが可能な帯電処理ユニットを提供することができる。 According to the above-described one aspect of the present invention, it is possible to provide an electron source unit capable of realizing a charging processing apparatus having an extremely high effect of charging a processing object to a desired potential. According to the another aspect of the present invention, it is possible to provide a charging processing unit capable of realizing a charging processing apparatus having an extremely high effect of charging a processing object to a desired potential.

図１は、第１実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a charging apparatus according to the first embodiment. 図２は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of an electron source unit. 図３は、処理室部の一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of the processing chamber. 図４は、第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the charging process in the charging apparatus according to the first embodiment. 図５は、第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。FIG. 5 is a view for explaining charging processing in the charging processing apparatus according to the first embodiment. 図６は、第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining charging processing in the charging processing apparatus according to the first embodiment. 図７は、第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining charging processing in the charging processing apparatus according to the first embodiment. 図８は、第２実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a charge removal processing apparatus according to the second embodiment. 図９は、電子源ユニットの一例を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of an electron source unit. 図１０は、電子源ユニットの変形例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a modification of the electron source unit. 図１１は、図１０におけるXI－XI線に沿った断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 図１２は、図１０におけるXII－XII線に沿った断面図である。12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 図１３は、電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a further modification of the electron source unit. 図１４は、電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a further modification of the electron source unit. 図１５は、電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a further modification of the electron source unit. 図１６は、電子源ユニットの更なる変形例を示す斜視図である。FIG. 16 is a perspective view showing a further modification of the electron source unit. 図１７は、図１６に示された電子源ユニットの断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view of the electron source unit shown in FIG. 図１８は、光電子放出体を示す斜視図である。FIG. 18 is a perspective view showing a photoelectron emitter. 図１９は、電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。FIG. 19 is a diagram for explaining the emission of photoelectrons from the electron source unit. 図２０は、光電子放出体の変形例を示す斜視図である。FIG. 20 is a perspective view showing a modification of the photoelectron emitter. 図２１は、電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。FIG. 21 is a diagram for explaining the emission of photoelectrons from the electron source unit. 図２２は、第４実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。FIG. 22 is a perspective view showing a charging processing apparatus according to the fourth embodiment. 図２３は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。FIG. 23 is a perspective view showing an example of an electron source unit. 図２４は、図２３に示された電子源ユニットの断面図である。24 is a cross-sectional view of the electron source unit shown in FIG. 図２５は、第４実施形態の変形例に係る除電処理装置を示す斜視図である。FIG. 25 is a perspective view showing a charge removal processing apparatus according to a modification of the fourth embodiment. 図２６は、第５実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。FIG. 26 is a perspective view showing a charge removal processing apparatus according to the fifth embodiment. 図２７は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。FIG. 27 is a perspective view showing an example of an electron source unit. 図２８は、除電処理装置に用いられる電子源ユニットの変形例を示す斜視図である。FIG. 28 is a perspective view showing a modification of the electron source unit used in the charge removal processing apparatus. 図２９は、帯電処理装置の適用例を説明するための図である。FIG. 29 is a diagram for explaining an application example of the charging apparatus. 図３０は、帯電処理装置の適用例を説明するための図である。FIG. 30 is a diagram for explaining an application example of the charging apparatus. 図３１は、帯電処理装置の適用例を説明するための図である。FIG. 31 is a diagram for explaining an application example of the charging apparatus. 図３２は、帯電処理ユニットを示す斜視図である。FIG. 32 is a perspective view showing the charging processing unit. 図３３は、帯電処理ユニットの変形例を示す斜視図である。FIG. 33 is a perspective view showing a modification of the charging unit. 図３４は、帯電処理ユニットの変形例を示す斜視図である。FIG. 34 is a perspective view showing a modification of the charging unit.

　以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.

　（第１実施形態）
　図１～図３を参照して、第１実施形態に係る帯電処理装置Ｃ１の構成を説明する。図１は、第１実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。図２は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。図３は、処理室部の一例を示す斜視図である。 (First embodiment)
With reference to FIGS. 1 to 3, the configuration of the charging processing device C1 according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing a charging apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing an example of an electron source unit. FIG. 3 is a perspective view showing an example of the processing chamber.

　帯電処理装置Ｃ１は、図１に示されるように、処理部１と電子源ユニット３とを備えている。帯電処理装置Ｃ１は、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させる装置である。帯電処理装置Ｃ１は、たとえば、帯電していない処理対象物ＰＯを正又は負の電位に帯電させることが可能である。帯電処理装置Ｃ１は、たとえば、正又は負の電位に帯電している処理対象物ＰＯを除電することも可能である。帯電処理装置Ｃ１は、たとえば、正又は負の電位に帯電している処理対象物ＰＯの電位を所望の電位に変えることも可能である。 The charging processing device C1 includes a processing unit 1 and an electron source unit 3 as shown in FIG. The charging processing device C1 is a device that charges the processing object PO to a desired potential. For example, the charging processing device C1 can charge an uncharged processing object PO to a positive or negative potential. For example, the charging processing device C1 can neutralize the processing object PO charged to a positive or negative potential. For example, the charging processing device C1 can change the potential of the processing object PO charged to a positive or negative potential to a desired potential.

　処理部１は、処理筐体２、処理室部２０、給気部２１、及び排気部２３を有している。処理筐体２は、処理筐体２の内部空間（処理空間）を気密状態で画成可能に構成されている。処理室部２０は、処理筐体２内に配置されている。処理室部２０の内部には、処理筐体２の内部雰囲気と連通する処理空間が形成される。このため、処理室部２０は、処理筐体２との連通部を有する。連通部は、たとえば、メッシュ又は開口などにより構成できる。処理筐体２及び処理室部２０は、たとえば、直方体形状を呈する導電性金属材料（たとえば、ステンレス鋼又はアルミニウムなど）からなる。 The processing unit 1 includes a processing housing 2, a processing chamber unit 20, an air supply unit 21, and an exhaust unit 23. The processing housing 2 is configured to be able to define an internal space (processing space) of the processing housing 2 in an airtight state. The processing chamber portion 20 is disposed in the processing housing 2. A processing space that communicates with the internal atmosphere of the processing housing 2 is formed inside the processing chamber 20. For this reason, the processing chamber part 20 has a communication part with the processing housing 2. The communication part can be constituted by, for example, a mesh or an opening. The processing housing 2 and the processing chamber portion 20 are made of, for example, a conductive metal material having a rectangular parallelepiped shape (for example, stainless steel or aluminum).

　処理筐体２及び処理室部２０は、処理室部２０内に処理対象物ＰＯを導入するための導入開口（図示せず）を有している。導入開口を介して処理室部２０内に導入された処理対象物ＰＯは、処理室部２０内に置かれる。これにより、処理室部２０（処理部１）は、処理対象物ＰＯを包囲する。処理対象物ＰＯの位置は、保持部材（不図示）によって規定される。処理対象物ＰＯを包囲する処理室部２０は、所望の電位とされる。処理対象物ＰＯは、処理室部２０と電気的に絶縁された状態で、処理室部２０内に置かれる。処理筐体２及び処理室部２０の導入開口は、少なくとも帯電処理時には閉塞されていてもよい。少なくとも処理室部２０の導入開口は、処理室部２０と同電位の部材で閉塞されていてもよい。処理筐体２は、絶縁性材料からなっていてもよい。 The processing housing 2 and the processing chamber 20 have an introduction opening (not shown) for introducing the processing object PO into the processing chamber 20. The processing object PO introduced into the processing chamber 20 through the introduction opening is placed in the processing chamber 20. Thereby, the processing chamber 20 (processing unit 1) surrounds the processing object PO. The position of the processing object PO is defined by a holding member (not shown). The processing chamber 20 surrounding the processing object PO is set to a desired potential. The processing object PO is placed in the processing chamber 20 in a state where it is electrically insulated from the processing chamber 20. The introduction openings of the processing housing 2 and the processing chamber 20 may be closed at least during the charging process. At least the introduction opening of the processing chamber 20 may be closed with a member having the same potential as that of the processing chamber 20. The processing housing 2 may be made of an insulating material.

　処理室部２０は、処理筐体２が設置される部位（以下、「設置部位」と称する）と電気的に絶縁されている。処理室部２０は、必ずしも、設置部位と電気的に絶縁されている必要はない。たとえば、帯電処理装置Ｃ１が除電処理装置のみとして用いられる場合であって、処理筐体２及び設置部位がグラウンド電位とされているときには、処理室部２０は、処理筐体２及び設置部位と電気的に接続されていてもよい。 The processing chamber section 20 is electrically insulated from a site where the processing housing 2 is installed (hereinafter referred to as “installed site”). The processing chamber part 20 does not necessarily need to be electrically insulated from the installation site. For example, when the charging processing device C1 is used only as a charge removal processing device and the processing case 2 and the installation site are at a ground potential, the processing chamber 20 is electrically connected to the processing case 2 and the installation site. May be connected to each other.

　電子源ユニット３は、図２にも示されているように、電子を発生させる電子発生源５と、電子発生源５を収容する電子源筐体７と、電極部１１と、を有している。電子発生源５は、熱電子を放出するカソード６を含んでいる。カソード６は、加熱されることにより熱電子を放出する。カソード６は、たとえば、フィラメントなどの直熱型電極である。具体的には、フィラメントは、イリジウムを含む材料からなる導電性部材６ａ（基材部）と、導電性部材６ａの表面を覆う、イットリウム酸化物を含む材料からなるコーティング層６ｂ（被覆部）と、を含んでいてもよい。イリジウムは、化学的に安定しており、酸素ガスなどと反応し難い。イットリウム酸化物は、仕事関数が低く、低温で熱電子を放出する。 As shown in FIG. 2, the electron source unit 3 includes an electron generation source 5 that generates electrons, an electron source housing 7 that houses the electron generation source 5, and an electrode unit 11. Yes. The electron generation source 5 includes a cathode 6 that emits thermal electrons. The cathode 6 emits thermoelectrons when heated. The cathode 6 is a direct heating type electrode such as a filament, for example. Specifically, the filament includes a conductive member 6a (base material portion) made of a material containing iridium, and a coating layer 6b (covering portion) made of a material containing yttrium oxide and covering the surface of the conductive member 6a. , May be included. Iridium is chemically stable and hardly reacts with oxygen gas. Yttrium oxide has a low work function and emits thermoelectrons at low temperatures.

　カソード６は、ヒータの加熱により熱電子を放出する傍熱型電極であってもよい。カソード６は、熱電子を放出する熱電子源に限られない。カソード６は、電界放出型電子源（たとえば、冷陰極など）又は弾導電子源などの電子源であってもよい。電子源筐体７は、電子発生源５を収容する胴部７ａと、電子源ユニット３から熱電子を放出するための開口部７ｂと、を含んでいる。胴部７ａは、断面が円形の円筒形状を呈している。胴部７ａの断面は、円形に限られず、多角形であってもよい。 The cathode 6 may be an indirectly heated electrode that emits thermoelectrons when the heater is heated. The cathode 6 is not limited to a thermoelectron source that emits thermoelectrons. The cathode 6 may be an electron source such as a field emission electron source (for example, a cold cathode) or a bullet conductor source. The electron source housing 7 includes a body portion 7 a that houses the electron generation source 5, and an opening portion 7 b for emitting thermal electrons from the electron source unit 3. The trunk portion 7a has a cylindrical shape with a circular cross section. The cross section of the trunk | drum 7a is not restricted circularly, A polygon may be sufficient.

　電子源ユニット３は、電極８と、一対のリード電極９と、ガラス管１０とを更に有している。電極８は、カソード６から放出された熱電子の運動を制御する。一対のリード電極９は、カソード６に電流を供給するための電極である。ガラス管１０は、カソード６（一対のリード電極９）を絶縁固定する。カソード６は、ガラス管１０内に位置している。ガラス管１０は、一端が開口している。ガラス管１０は、処理部１内が気密状態に維持されるように、電子源筐体７（胴部７ａ）に設けられている。電子源ユニット３では、ガラス管１０が用いられることなく、リード電極９を備えた絶縁ステム又は真空フランジ上にカソード６を組み上げた構造体が用いられてもよい。 The electron source unit 3 further includes an electrode 8, a pair of lead electrodes 9, and a glass tube 10. The electrode 8 controls the movement of thermoelectrons emitted from the cathode 6. The pair of lead electrodes 9 are electrodes for supplying a current to the cathode 6. The glass tube 10 insulates and fixes the cathode 6 (a pair of lead electrodes 9). The cathode 6 is located in the glass tube 10. One end of the glass tube 10 is open. The glass tube 10 is provided in the electron source housing 7 (body portion 7a) so that the inside of the processing unit 1 is maintained in an airtight state. In the electron source unit 3, a structure in which the cathode 6 is assembled on an insulating stem provided with the lead electrode 9 or a vacuum flange may be used without using the glass tube 10.

　カソード６の両端部は、リード電極９にそれぞれ電気的に接続されている。電極８は、一方のリード電極９に電気的に接続されている。一対のリード電極９は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。電子源筐体７は、導電性金属材料（たとえば、ステンレス鋼又はアルミニウムなど）からなる。電極８には、別の給電経路が設けられていてもよい。電極８に別の給電経路が設けられている場合、この給電経路を通して、カソード６とは別の電位を電極８に供給してもよい。 Both end portions of the cathode 6 are electrically connected to the lead electrodes 9, respectively. The electrode 8 is electrically connected to one lead electrode 9. The pair of lead electrodes 9 function as a power feeding unit that supplies a potential to the electron generation source 5 (cathode 6). The electron source housing 7 is made of a conductive metal material (for example, stainless steel or aluminum). The electrode 8 may be provided with another power supply path. When another power supply path is provided for the electrode 8, a potential different from that of the cathode 6 may be supplied to the electrode 8 through this power supply path.

　電子源ユニット３内には、カソード６及び電極８に供給される電位によって、加速電界が形成される。加速電界は、電子発生源５にて発生した熱電子を電極部１１に向けて加速させる。カソード６から放出された熱電子は、ガラス管１０の開口を通して、電子源ユニット３から導出される。加速電界を形成する電位差は、処理筐体２内に導入された熱電子が、処理対象物ＰＯに直接到達し難い大きさに設定される。加速電界を形成する電位差は、たとえば、１０～１０００Ｖの範囲内とされ、５０～５００Ｖの範囲内であることがより好ましい。 In the electron source unit 3, an accelerating electric field is formed by the potential supplied to the cathode 6 and the electrode 8. The acceleration electric field accelerates the thermoelectrons generated in the electron generation source 5 toward the electrode part 11. The thermoelectrons emitted from the cathode 6 are led out from the electron source unit 3 through the opening of the glass tube 10. The potential difference that forms the accelerating electric field is set to a size that makes it difficult for the thermoelectrons introduced into the processing housing 2 to reach the processing object PO directly. The potential difference for forming the acceleration electric field is, for example, in the range of 10 to 1000V, and more preferably in the range of 50 to 500V.

　電子源ユニット３は、真空フランジＶＦを有している。真空フランジＶＦは、処理筐体２に気密に着脱自在に装着される。すなわち、電子源ユニット３は、真空フランジＶＦが処理筐体２に装着されることにより、処理筐体２に設けられる。処理筐体２における電子源ユニット３が設けられる位置には、開口部２ａが形成されている。すなわち、電子源ユニット３（電子源筐体７）内の空間は、開口部２ａを通して、処理筐体２内の空間と連通している。真空フランジＶＦは、導電性金属材料（たとえば、ステンレス鋼又はアルミニウムなど）からなる。開口部２ａの形状は、電子源筐体７（胴部７ａ）の形状に対応して、円形状である。 The electron source unit 3 has a vacuum flange VF. The vacuum flange VF is detachably attached to the processing housing 2 in an airtight manner. That is, the electron source unit 3 is provided in the processing casing 2 by attaching the vacuum flange VF to the processing casing 2. An opening 2 a is formed at a position where the electron source unit 3 is provided in the processing housing 2. That is, the space in the electron source unit 3 (electron source housing 7) communicates with the space in the processing housing 2 through the opening 2a. The vacuum flange VF is made of a conductive metal material (for example, stainless steel or aluminum). The shape of the opening 2a is circular corresponding to the shape of the electron source housing 7 (body 7a).

　電子源ユニット３が、溶接などにより処理筐体２と一体的に設けられている場合、又は、処理筐体２（処理部１）内に配置される場合は、真空フランジＶＦは必ずしも必要ではない。真空フランジＶＦは、胴部７ａと一体形成されていてもよく、胴部７ａと別体に形成されていてもよい。 When the electron source unit 3 is provided integrally with the processing housing 2 by welding or the like, or when disposed in the processing housing 2 (processing section 1), the vacuum flange VF is not necessarily required. . The vacuum flange VF may be formed integrally with the body portion 7a, or may be formed separately from the body portion 7a.

　電極部１１は、図２に示されるように、メッシュ状の導電性部材である。メッシュには、網状の構造体だけでなく、格子状、多孔状、又は多段櫛刃状などの構造体が含まれる。メッシュは、所定の領域を複数の領域に二次元的に分割する構造体である。メッシュ状の導電性部材が電極部１１として用いられた際には、電極部１１は、電子の透過と電界の形成とを可能とする。電極部１１は、開口部７ｂを覆うように電子源筐体７に設けられている。電極部１１は、開口部７ｂの形状に対応して、平面視で、円形状を呈している。電極部１１は、電子源筐体７の外側空間と、電子源筐体７内の電子発生源５（カソード６）が位置する空間とを仕切るように配置されている。すなわち、電極部１１は、電子源ユニット３と処理筐体２（処理空間）とを仕切るように、電子源ユニット３と処理筐体２との間に位置する。電極部１１はメッシュ状であるため、カソード６にて発生した電子が電子源筐体７の外側空間に向けて電極部１１を通過する。 The electrode part 11 is a mesh-like conductive member as shown in FIG. The mesh includes not only a net-like structure but also a lattice, porous, or multi-stage comb blade. The mesh is a structure that two-dimensionally divides a predetermined area into a plurality of areas. When a mesh-like conductive member is used as the electrode part 11, the electrode part 11 enables transmission of electrons and formation of an electric field. The electrode part 11 is provided in the electron source housing 7 so as to cover the opening 7b. The electrode portion 11 has a circular shape in plan view corresponding to the shape of the opening 7b. The electrode portion 11 is disposed so as to partition the outer space of the electron source housing 7 and the space in the electron source housing 7 where the electron generation source 5 (cathode 6) is located. That is, the electrode unit 11 is positioned between the electron source unit 3 and the processing housing 2 so as to partition the electron source unit 3 and the processing housing 2 (processing space). Since the electrode portion 11 has a mesh shape, electrons generated at the cathode 6 pass through the electrode portion 11 toward the outer space of the electron source housing 7.

　電極部１１が電子源筐体７と絶縁され、かつ、電極部１１に所望の電位が供給されるように、たとえば、電極部１１が絶縁部材を介して電子源筐体７に固定されると共に、電極部１１に給電経路が接続されていてもよい。電極部１１は、導電部材などを介して処理室部２０に電気的に接触させることにより、処理室部２０と同電位としてもよい。別途設けた給電部材によって、電極部１１と処理室部２０とに同じ電位が供給されてもよい。所望の電位がグラウンド電位の場合、電極部１１は、電子源筐体７と電気的に接続されていてもよい。電極部１１は、たとえば、ステンレス鋼からなる。電極部１１のメッシュの大きさは、熱電子の通過率が高く、かつ、電子源ユニット３と処理筐体２との間で電界の染み出しが極めて少ない大きさに設定される。 For example, the electrode unit 11 is fixed to the electron source housing 7 via an insulating member so that the electrode unit 11 is insulated from the electron source housing 7 and a desired potential is supplied to the electrode unit 11. The power supply path may be connected to the electrode unit 11. The electrode unit 11 may have the same potential as the processing chamber unit 20 by making electrical contact with the processing chamber unit 20 through a conductive member or the like. The same potential may be supplied to the electrode unit 11 and the processing chamber unit 20 by a separately provided power supply member. When the desired potential is a ground potential, the electrode unit 11 may be electrically connected to the electron source housing 7. The electrode part 11 consists of stainless steel, for example. The size of the mesh of the electrode unit 11 is set to a size that has a high rate of passage of thermoelectrons and an extremely small amount of electric field oozing between the electron source unit 3 and the processing housing 2.

　処理室部２０は、図３中の（ａ）に示されるように、たとえば、直方体形状を呈している。処理室部２０には、処理筐体２における電子源ユニット３が設けられる面に対向する一つの面に開口部２０ａが形成されている。開口部２０ａは、処理筐体２における開口部２ａと対向するように位置している。すなわち、処理室部２０には、電子源ユニット３と対向する位置に開口部２０ａが形成されているため、電子源ユニット３（電子源筐体７）内の空間は、開口部２ａ及び開口部２０ａを通して、処理部１の処理室部２０内の処理空間と連通している。開口部２０ａは、処理室部２０と同電位とされるメッシュ状の電極ＭＥに覆われている。 The processing chamber 20 has a rectangular parallelepiped shape, for example, as shown in FIG. In the processing chamber portion 20, an opening 20 a is formed on one surface of the processing housing 2 that faces the surface on which the electron source unit 3 is provided. The opening 20 a is positioned so as to face the opening 2 a in the processing housing 2. That is, since the opening 20a is formed in the processing chamber portion 20 at a position facing the electron source unit 3, the space in the electron source unit 3 (electron source housing 7) has the opening 2a and the opening. Through 20a, it communicates with the processing space in the processing chamber 20 of the processing unit 1. The opening 20 a is covered with a mesh electrode ME having the same potential as the processing chamber 20.

　処理室部２０には、図３中の（ｂ）に示されるように、処理筐体２における電子源ユニット３が設けられる面に対向する一つの面の略全体が開口することにより、開口部２０ａが形成されていてもよい。開口部２０ａは、処理室部２０と同電位とされるメッシュ状の電極ＭＥに覆われている。処理室部２０には、図３中の（ｃ）に示されるように、六つの面の略全体が開口していてもよい。図３中の（ｃ）に示された処理室部２０は、直方体の各稜に枠部が位置する枠構造体、すなわち、直方体形状の枠構造体である。全ての開口部２０ａは、処理室部２０と同電位とされるメッシュ状の電極ＭＥに覆われている。図３中の（ａ）～図３中の（ｃ）のいずれにおいても、開口部２０ａは、メッシュ状の電極ＭＥで覆われることなく、開放されていてもよい。 As shown in (b) of FIG. 3, the processing chamber 20 has an opening formed by opening substantially the entire surface of the processing housing 2 facing the surface on which the electron source unit 3 is provided. 20a may be formed. The opening 20 a is covered with a mesh electrode ME having the same potential as the processing chamber 20. As shown in (c) of FIG. 3, the processing chamber 20 may have substantially the entire six surfaces open. The processing chamber portion 20 shown in FIG. 3C is a frame structure in which a frame portion is positioned at each ridge of the rectangular parallelepiped, that is, a rectangular parallelepiped frame structure. All the openings 20 a are covered with a mesh electrode ME having the same potential as the processing chamber 20. In any of (a) to (c) in FIG. 3, the opening 20a may be opened without being covered with the mesh electrode ME.

　処理筐体２と処理室部２０とには、それぞれ独立して、電位が供給される。この場合、処理筐体２と処理室部２０とは、互いに電気的に絶縁されている。処理筐体２と処理室部２０とは、必ずしも、互いに電気的に絶縁されている必要はない。処理筐体２と処理室部２０とは、互いに電気的に接続されていてもよい。この場合、処理筐体２と処理室部２０とは、同じ電位に設定される。帯電処理装置Ｃ１が除電処理装置のみとして用いられる場合には、処理筐体２と処理室部２０とは、電気的に接続されていてもよい。処理筐体２と処理室部２０とは、処理室部２０を処理筐体２と接触するように処理筐体２内に配置することにより、電気的に接続することができる。 A potential is supplied to the processing casing 2 and the processing chamber 20 independently of each other. In this case, the processing housing 2 and the processing chamber 20 are electrically insulated from each other. The processing housing 2 and the processing chamber 20 need not be electrically insulated from each other. The processing housing 2 and the processing chamber 20 may be electrically connected to each other. In this case, the processing housing 2 and the processing chamber 20 are set to the same potential. When the charging processing device C1 is used only as a charge removal processing device, the processing housing 2 and the processing chamber unit 20 may be electrically connected. The processing casing 2 and the processing chamber section 20 can be electrically connected by disposing the processing chamber section 20 in the processing casing 2 so as to be in contact with the processing casing 2.

　給気部２１及び排気部２３は、処理筐体２に設けられている。給気部２１及び排気部２３は、処理部１内を所定の圧力条件下に設定するために、処理部１（処理筐体２）内のガスの給排気を行う。所定の圧力条件下とは、減圧下はもちろんのこと、大気圧下又は加圧下であってもよい。処理部１内の圧力は、たとえば、数十～１０^－３Ｐａの範囲内とされ、より好ましくは１０～１０^－２Ｐａの範囲内とされる。給気部２１及び排気部２３は、荷電粒子形成用ガスの給排気を行う。これにより、処理部１（処理筐体２）内を、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とすることが可能である。荷電粒子形成用ガスには、たとえば、大気又はアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスを用いることができる。帯電処理装置Ｃ１を取り巻く雰囲気が荷電粒子形成用ガスとされる場合、処理筐体２内を減圧雰囲気とするには、排気部２３のみで実現することもできる。給気部２１及び排気部２３は、処理筐体２に設けられている必要はなく、処理室部２０に直接設けられていてもよい。この場合、給気部２１及び排気部２３が処理室部２０の電位に影響しないようにする必要がある。 The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 are provided in the processing housing 2. The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 supply and exhaust gas in the processing unit 1 (processing housing 2) in order to set the inside of the processing unit 1 under a predetermined pressure condition. The predetermined pressure condition may be under atmospheric pressure or increased pressure as well as under reduced pressure. The pressure in the processing unit 1 is, for example, in the range of several tens to 10 ⁻³ Pa, and more preferably in the range of 10 to 10 ⁻² Pa. The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 supply and exhaust the charged particle forming gas. Thereby, it is possible to make the inside of the processing unit 1 (processing housing 2) under a predetermined pressure atmosphere containing the charged particle forming gas. As the charged particle forming gas, for example, air or an inert gas such as argon (Ar) gas can be used. When the atmosphere surrounding the charging apparatus C1 is a charged particle forming gas, the exhaust of the exhausted part 23 can be realized in order to make the inside of the processing casing 2 a reduced pressure atmosphere. The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 do not have to be provided in the processing housing 2 and may be provided directly in the processing chamber unit 20. In this case, it is necessary that the air supply unit 21 and the exhaust unit 23 do not affect the potential of the processing chamber unit 20.

　次に、図４～図７を参照して、帯電処理装置Ｃ１による帯電処理について説明する。図４～図７は、第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。図４中の（ａ）～（ｃ）は、処理対象物ＰＯを負の電位に帯電させる処理を説明するための図である。図５中の（ａ）～（ｃ）は、処理対象物ＰＯを正の電位に帯電させる処理を説明するための図である。図６中の（ａ）～（ｃ）は、正の電位に帯電している処理対象物ＰＯを除電する処理を説明するための図である。図７中の（ａ）～（ｃ）は、負の電位に帯電している処理対象物ＰＯを除電する処理を説明するための図である。図４及び図５は、処理対象物ＰＯが絶縁体である場合を例示する。図６及び図７は、処理対象物ＰＯが導電体である場合を例示する。図４～図７では、説明の容易化のために、処理室部２０の開口部２０ａがメッシュ状の電極ＭＥで覆われていない態様が示されている。 Next, the charging process performed by the charging apparatus C1 will be described with reference to FIGS. 4 to 7 are diagrams for explaining charging processing in the charging processing apparatus according to the first embodiment. (A) to (c) in FIG. 4 are diagrams for explaining a process of charging the processing object PO to a negative potential. (A) to (c) in FIG. 5 are diagrams for explaining the process of charging the processing object PO to a positive potential. (A) to (c) in FIG. 6 are diagrams for explaining the process of neutralizing the processing object PO charged to a positive potential. (A) to (c) in FIG. 7 are diagrams for explaining a process of neutralizing the processing object PO charged to a negative potential. 4 and 5 illustrate a case where the processing object PO is an insulator. 6 and 7 illustrate a case where the processing object PO is a conductor. 4 to 7 show a mode in which the opening 20a of the processing chamber 20 is not covered with the mesh electrode ME for easy explanation.

　［負の電位への帯電処理］
　図４中の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、帯電していない、すなわち電位が０Ｖである処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。給気部２１及び排気部２３（図４では不図示）は、処理室部２０（処理筐体２）内を、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とする。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７～１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。 [Charging to negative potential]
As shown in (a) of FIG. 4, a processing object PO that is not charged, that is, has a potential of 0 V, is disposed in the processing chamber 20 in the charging processing device C1. The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 (not shown in FIG. 4) set the inside of the processing chamber 20 (processing housing 2) to a predetermined pressure atmosphere containing a charged particle forming gas. For example, the inside of the processing chamber 20 is under a pressure atmosphere containing Ar gas and 0.7 to 1.3 Pa (for example, 1 Pa).

　帯電処理装置Ｃ１では、処理室部２０（処理部１）が、所望の負の電位（たとえば、－２００Ｖ）に設定される。これにより、処理対象物ＰＯと処理室部２０との間に、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する電界が形成される。電極部１１と処理室部２０とが同じ電位とされているため、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、電極部１１の近傍まで形成される。 In the charging processing device C1, the processing chamber 20 (processing unit 1) is set to a desired negative potential (for example, −200 V). Thereby, an electric field corresponding to a potential difference (for example, 200 V) between the processing object PO and the processing chamber 20 is formed between the processing object PO and the processing chamber 20. Since the electrode unit 11 and the processing chamber unit 20 have the same potential, an electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 is formed up to the vicinity of the electrode unit 11.

　電子発生源５（カソード６）は、上述した加速電界が形成されるように、処理室部２０よりも低い電位（たとえば、－４００Ｖ）に設定される。これにより、電子源ユニット３内には、電子発生源５と処理室部２０（電極部１１）との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する加速電界が形成される。電極部１１は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界と、電子源ユニット３内の加速電界と、が互いに影響し合うのを抑制する。 The electron generation source 5 (cathode 6) is set to a potential (for example, −400 V) lower than that of the processing chamber 20 so that the acceleration electric field described above is formed. Thereby, in the electron source unit 3, an accelerating electric field corresponding to a potential difference (for example, 200 V) between the electron generation source 5 and the processing chamber portion 20 (electrode portion 11) is formed. The electrode unit 11 suppresses the influence of the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 and the electrode unit 11 and the acceleration electric field in the electron source unit 3 from each other.

　電子源ユニット３内に加速電界が形成され、かつ、処理対象物ＰＯと処理室部２０（電極部１１）との間に上記電界が形成されている状態で、カソード６が通電される。通電により、カソード６は、熱電子を放出する。カソード６から放出された熱電子は、加速電界により加速され、電極部１１を通過し、処理室部２０内に導入される。 The cathode 6 is energized while an accelerating electric field is formed in the electron source unit 3 and the electric field is formed between the processing object PO and the processing chamber 20 (electrode unit 11). When energized, the cathode 6 emits thermoelectrons. The thermoelectrons emitted from the cathode 6 are accelerated by the accelerating electric field, pass through the electrode portion 11, and are introduced into the processing chamber portion 20.

　図４中の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起する。これにより、荷電粒子形成用ガスの分子から、正及び負の荷電粒子が生じる。すなわち、荷電粒子形成用ガスの分子は、熱電子の衝突により、正及び負の荷電粒子に解離する。荷電粒子形成用ガスとして、Ａｒガスが用いられる場合、Ａｒ分子が、Ａｒ^＋イオンと電子とに開裂し、Ａｒ^＋イオンと電子とが生じる。 As shown in (b) of FIG. 4, the thermoelectrons introduced into the processing chamber section 20 are for forming charged particles that exist between the electrode section 11 in the processing chamber section 20 and the processing object PO. Excites gas molecules. As a result, positive and negative charged particles are generated from the molecules of the charged particle forming gas. That is, the molecules of the charged particle forming gas are dissociated into positive and negative charged particles by the collision of thermoelectrons. As the charged particles forming gas, when Ar gas is used, Ar molecule was cleaved into a Ar ⁺ ions and electrons, occurs and Ar ⁺ ions and electrons.

　生じた負の荷電粒子（電子）は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた負の荷電粒子により、負の電位に帯電する。生じた正の荷電粒子（Ａｒ^＋イオン）は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した正の荷電粒子は、中和される。 The generated negative charged particles (electrons) move to the processing object PO side in accordance with the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11. The processing object PO is charged to a negative potential by the negatively charged particles that have moved to the processing object PO. The generated positive charged particles (Ar ⁺ ions) move to the processing chamber unit 20 side and the electrode unit 11 side according to the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 and the electrode unit 11. . Positive charged particles that have reached the processing chamber 20 and the electrode 11 are neutralized.

　処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まる。処理対象物ＰＯが、上述した所望の負の電位に帯電すると、図４中の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、負の荷電粒子は移動しない。これにより、処理対象物ＰＯは、所望の負の電位に帯電され、処理対象物ＰＯの電位は、帯電した状態で安定する。 Depending on the charged state of the processing object PO, the electric field formed between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11 is weakened. When the processing object PO is charged to the above-described desired negative potential, an electric field is generated between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11 as shown in (c) of FIG. Not formed and negatively charged particles do not move. Thereby, the processing object PO is charged to a desired negative potential, and the potential of the processing object PO is stabilized in a charged state.

　［正の電位への帯電処理］
　図５中の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、帯電していない、すなわち電位が０Ｖである処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。給気部２１及び排気部２３（図５では不図示）は、処理室部２０（処理筐体２）内を、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とする。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７～１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。 [Charging to positive potential]
As shown in (a) of FIG. 5, a processing object PO that is not charged, that is, has a potential of 0 V, is disposed in the processing chamber 20 in the charging processing device C1. The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 (not shown in FIG. 5) place the inside of the processing chamber 20 (processing housing 2) in a predetermined pressure atmosphere containing a charged particle forming gas. For example, the inside of the processing chamber 20 is under a pressure atmosphere containing Ar gas and 0.7 to 1.3 Pa (for example, 1 Pa).

　帯電処理装置Ｃ１では、処理室部２０（処理部１）が、所望の正の電位（たとえば、＋２００Ｖ）に設定される。これにより、処理対象物ＰＯと処理室部２０との間に、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する電界が形成される。電極部１１と処理室部２０とが同じ電位とされているため、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、電極部１１の近傍まで形成される。 In the charging processing device C1, the processing chamber 20 (processing unit 1) is set to a desired positive potential (for example, +200 V). Thereby, an electric field corresponding to a potential difference (for example, 200 V) between the processing object PO and the processing chamber 20 is formed between the processing object PO and the processing chamber 20. Since the electrode unit 11 and the processing chamber unit 20 have the same potential, an electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 is formed up to the vicinity of the electrode unit 11.

　電子発生源５（カソード６）は、上述した加速電界が形成されるように、処理室部２０よりも低い電位（たとえば、－１００Ｖ）に設定される。これにより、電子源ユニット３内には、電子発生源５と処理室部２０（電極部１１）との電位差（たとえば、３００Ｖ）に対応する加速電界が形成される。電極部１１は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界と、電子源ユニット３内の加速電界と、が互いに影響し合うのを抑制する。 The electron generation source 5 (cathode 6) is set to a lower potential (for example, −100 V) than the processing chamber 20 so that the acceleration electric field described above is formed. Thereby, in the electron source unit 3, an accelerating electric field corresponding to a potential difference (for example, 300 V) between the electron generation source 5 and the processing chamber portion 20 (electrode portion 11) is formed. The electrode unit 11 suppresses the influence of the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 and the electrode unit 11 and the acceleration electric field in the electron source unit 3 from each other.

　図５中の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起する。これにより、荷電粒子形成用ガスの分子から、正及び負の荷電粒子が生じる。生じた正の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた正の荷電粒子により、正の電位に帯電する。生じた負の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した負の荷電粒子は、中和される。 As shown in (b) of FIG. 5, the thermoelectrons introduced into the processing chamber section 20 are for forming charged particles that exist between the electrode section 11 in the processing chamber section 20 and the processing object PO. Excites gas molecules. As a result, positive and negative charged particles are generated from the molecules of the charged particle forming gas. The generated positive charged particles move to the processing object PO side in accordance with the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11. The processing object PO is charged to a positive potential by the positive charged particles that have moved to the processing object PO. The generated negative charged particles move to the processing chamber unit 20 side and the electrode unit 11 side according to the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 and the electrode unit 11. Negatively charged particles that have reached the processing chamber 20 and the electrode 11 are neutralized.

　処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まる。処理対象物ＰＯが、上述した所望の正の電位に帯電すると、図５中の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、正の荷電粒子は移動しない。これにより、処理対象物ＰＯは、所望の正の電位に帯電され、処理対象物ＰＯの電位は、帯電した状態で安定する。 Depending on the charged state of the processing object PO, the electric field formed between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11 is weakened. When the processing object PO is charged to the above-described desired positive potential, an electric field is generated between the processing object PO and the processing chamber portion 20 and the electrode portion 11 as shown in (c) of FIG. Not formed and positively charged particles do not move. Thereby, the processing object PO is charged to a desired positive potential, and the potential of the processing object PO is stabilized in a charged state.

　［正の電荷の除電処理］
　図６中の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、正の電荷に帯電している処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。処理対象物ＰＯは、たとえば、＋１ｋＶに帯電している。給気部２１及び排気部２３（図６では不図示）は、処理室部２０（処理筐体２）内を、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とする。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７～１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。 [Positive charge neutralization]
As shown in (a) of FIG. 6, in the charging processing device C <b> 1, the processing object PO charged to a positive charge is disposed in the processing chamber 20. For example, the processing object PO is charged to +1 kV. The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 (not shown in FIG. 6) set the inside of the processing chamber 20 (processing housing 2) to a predetermined pressure atmosphere containing a charged particle forming gas. For example, the inside of the processing chamber 20 is under a pressure atmosphere containing Ar gas and 0.7 to 1.3 Pa (for example, 1 Pa).

　帯電処理装置Ｃ１では、処理室部２０及び処理筐体２が、グラウンド電位に設定される。これにより、処理対象物ＰＯと処理室部２０との間に、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差（たとえば、１ｋＶ）に対応する電界が形成される。電極部１１と処理室部２０とが同じ電位とされているため、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、電極部１１の近傍まで形成される。 In the charging processing device C1, the processing chamber 20 and the processing housing 2 are set to the ground potential. Thereby, an electric field corresponding to a potential difference (for example, 1 kV) between the processing object PO and the processing chamber 20 is formed between the processing object PO and the processing chamber 20. Since the electrode unit 11 and the processing chamber unit 20 have the same potential, an electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 is formed up to the vicinity of the electrode unit 11.

　電子発生源５（カソード６）は、上述した加速電界が形成されるように、処理室部２０よりも低い電位（たとえば、－２００Ｖ）に設定される。これにより、電子源ユニット３内には、電子発生源５と処理室部２０（電極部１１）との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する加速電界が形成される。電極部１１は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界と、電子源ユニット３内の加速電界と、が互いに影響し合うのを抑制する。 The electron generation source 5 (cathode 6) is set at a lower potential (for example, −200 V) than the processing chamber 20 so that the above-described acceleration electric field is formed. Thereby, in the electron source unit 3, an accelerating electric field corresponding to a potential difference (for example, 200 V) between the electron generation source 5 and the processing chamber portion 20 (electrode portion 11) is formed. The electrode unit 11 suppresses the influence of the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 and the electrode unit 11 and the acceleration electric field in the electron source unit 3 from each other.

　図６中の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起する。これにより、荷電粒子形成用ガスの分子から、正及び負の荷電粒子が生じる。生じた負の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた負の荷電粒子により、正の電位の帯電が中和される。生じた正の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した正の荷電粒子は、中和される。 As shown in (b) of FIG. 6, the thermoelectrons introduced into the processing chamber section 20 are for forming charged particles that exist between the electrode section 11 in the processing chamber section 20 and the processing object PO. Excites gas molecules. As a result, positive and negative charged particles are generated from the molecules of the charged particle forming gas. The generated negative charged particles move to the processing object PO side in accordance with the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11. The processing object PO is neutralized with a positive potential by the negatively charged particles that have moved to the processing object PO. The generated positive charged particles move to the processing chamber unit 20 side and the electrode unit 11 side according to the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 and the electrode unit 11. Positive charged particles that have reached the processing chamber 20 and the electrode 11 are neutralized.

　処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まる。処理対象物ＰＯが、除電されると、すなわち電位が０Ｖとなると、図６中の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、負の荷電粒子は移動しない。これにより、処理対象物ＰＯは、電位が０Ｖとされ、処理対象物ＰＯの電位は、除電された状態で安定する。 Depending on the charged state of the processing object PO, the electric field formed between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11 is weakened. When the processing object PO is neutralized, that is, when the potential becomes 0 V, an electric field is generated between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11 as shown in (c) of FIG. Are not formed, and negatively charged particles do not move. As a result, the potential of the processing object PO is set to 0 V, and the potential of the processing object PO is stabilized in a state of being neutralized.

　［負の電荷の除電処理］
　図７中の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、負の電荷に帯電している処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。処理対象物ＰＯは、たとえば、－１ｋＶに帯電している。給気部２１及び排気部２３（図７では不図示）は、処理室部２０（処理筐体２）内を、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とする。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７～１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。 [Negative charge neutralization]
As shown in (a) of FIG. 7, in the charging processing device C <b> 1, the processing object PO charged to a negative charge is disposed in the processing chamber 20. The processing object PO is charged to, for example, −1 kV. The air supply unit 21 and the exhaust unit 23 (not shown in FIG. 7) set the inside of the processing chamber 20 (processing housing 2) to a predetermined pressure atmosphere containing a charged particle forming gas. For example, the inside of the processing chamber 20 is under a pressure atmosphere containing Ar gas and 0.7 to 1.3 Pa (for example, 1 Pa).

　図７中の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起する。これにより、荷電粒子形成用ガスの分子から、正及び負の荷電粒子が生じる。生じた正の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた正の荷電粒子により、負の電位の帯電が中和される。生じた負の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した負の荷電粒子は、中和される。 As shown in (b) of FIG. 7, the thermoelectrons introduced into the processing chamber section 20 are for forming charged particles that exist between the electrode section 11 in the processing chamber section 20 and the processing object PO. Excites gas molecules. As a result, positive and negative charged particles are generated from the molecules of the charged particle forming gas. The generated positive charged particles move to the processing object PO side in accordance with the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11. In the processing object PO, the negatively charged electric charge is neutralized by the positive charged particles that have moved to the processing object PO. The generated negative charged particles move to the processing chamber unit 20 side and the electrode unit 11 side according to the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber unit 20 and the electrode unit 11. Negatively charged particles that have reached the processing chamber 20 and the electrode 11 are neutralized.

　処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まる。処理対象物ＰＯが、除電されると、すなわち電位が０Ｖとなると、図７中の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、正の荷電粒子は移動しない。これにより、処理対象物ＰＯは、電位が０Ｖとされ、処理対象物ＰＯの電位は、除電された状態で安定する。 Depending on the charged state of the processing object PO, the electric field formed between the processing object PO and the processing chamber part 20 and the electrode part 11 is weakened. When the processing object PO is neutralized, that is, when the potential becomes 0 V, an electric field is generated between the processing object PO and the processing chamber portion 20 and the electrode portion 11 as shown in (c) of FIG. Are not formed, and positively charged particles do not move. As a result, the potential of the processing object PO is set to 0 V, and the potential of the processing object PO is stabilized in a state of being neutralized.

　以上のように、電子源ユニット３が用いられた帯電処理装置Ｃ１では、一対のリード電極９（給電部）を通して、電極部１１の電位よりも小さい電位が電子発生源５（カソード６）に供給されると、電子発生源５と電極部１１との間には加速電界が形成される。この加速電界により、電子発生源５にて発生する電子は、メッシュ状の電極部１１を通過し、電子源筐体７の外側空間に効率よく導出される。ところで、帯電処理装置Ｃ１において、電子源筐体７の外側空間は、処理室部２０内の空間（処理対象物ＰＯが位置する処理空間）であり、荷電粒子形成用ガスが存在している。このため、電子源筐体７の外側空間、すなわち処理室部２０内に導出された電子は、処理室部２０内に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起する。これにより、荷電粒子形成用ガスの分子から、正及び負の荷電粒子が生じる。 As described above, in the charging apparatus C1 using the electron source unit 3, a potential smaller than the potential of the electrode portion 11 is supplied to the electron generation source 5 (cathode 6) through the pair of lead electrodes 9 (power feeding portion). Then, an acceleration electric field is formed between the electron generation source 5 and the electrode part 11. Due to this accelerating electric field, electrons generated in the electron generation source 5 pass through the mesh-shaped electrode portion 11 and are efficiently led out to the outer space of the electron source housing 7. By the way, in the charging processing apparatus C1, the outer space of the electron source housing 7 is a space inside the processing chamber 20 (a processing space where the processing object PO is located), and there is a charged particle forming gas. For this reason, the electrons derived into the outer space of the electron source housing 7, that is, the processing chamber 20, excite the molecules of the charged particle forming gas existing in the processing chamber 20. As a result, positive and negative charged particles are generated from the molecules of the charged particle forming gas.

　生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか一方の荷電粒子が、電極部１１及び処理室部２０（電極部１１と電気的に接続される部位）の電位（所望の電位）と処理対象物ＰＯの電位とで形成される電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか他方の荷電粒子は、電極部１１側及び処理室部２０側に移動する。処理対象物ＰＯに移動してきた荷電粒子により、処理対象物ＰＯは、所望の電位に帯電する。処理対象物ＰＯが所望の電位に帯電すると、電極部１１及び処理室部２０と処理対象物ＰＯとの間に電界が形成されず、荷電粒子は移動しない。したがって、処理対象物ＰＯは、確実に所望の電位に帯電する。 Any one of the generated positive and negative charged particles is caused by the potential (desired potential) of the electrode unit 11 and the processing chamber unit 20 (site electrically connected to the electrode unit 11) and the processing target. It moves to the processing object PO side in accordance with the electric field formed by the potential of PO. One of the generated positive and negative charged particles moves to the electrode unit 11 side and the processing chamber unit 20 side. The processing object PO is charged to a desired potential by the charged particles that have moved to the processing object PO. When the processing object PO is charged to a desired potential, an electric field is not formed between the electrode part 11 and the processing chamber part 20 and the processing object PO, and the charged particles do not move. Therefore, the processing object PO is reliably charged to a desired potential.

　図４～図７では、説明の容易化のために、処理室部２０の開口部２０ａがメッシュ状の電極ＭＥで覆われていない態様が示されている。処理室部２０の開口部２０ａに、処理室部２０と同電位のメッシュ状の電極が存在する場合であっても、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、メッシュ状の電極が存在する開口部２０ａまで形成される。このため、電極部１１から出射された電子は、慣性力でメッシュ状の電極が存在する開口部２０ａを通過する。したがって、開口部２０ａにメッシュ状の電極が存在する場合であっても、開口部２０ａにメッシュ状の電極が存在しない場合と同様の作用効果を奏する。 4 to 7 show a mode in which the opening 20a of the processing chamber 20 is not covered with the mesh electrode ME for easy explanation. Even if a mesh electrode having the same potential as the processing chamber 20 is present in the opening 20a of the processing chamber 20, the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing chamber 20 is a mesh. To the opening 20a where the electrode is present. For this reason, the electrons emitted from the electrode part 11 pass through the opening 20a where the mesh electrode exists due to inertial force. Therefore, even when the mesh-like electrode is present in the opening 20a, the same effects as when the mesh-like electrode is not present in the opening 20a are obtained.

　これらの結果、電子源ユニット３が用いられた帯電処理装置Ｃ１では、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い。 As a result, the charging apparatus C1 using the electron source unit 3 has a very high effect of charging the processing object PO to a desired potential.

　電子源筐体７は、処理筐体２内の処理空間と連通する開口部７ｂを含んでおり、電極部１１は、開口部７ｂを覆うように電子源筐体７に配置されている。これにより、電子源筐体７の外側空間と電子源筐体７内の電子発生源５が位置する空間とを仕切るように、電極部１１を確実かつ容易に配置することができる。 The electron source housing 7 includes an opening 7b communicating with the processing space in the processing housing 2, and the electrode portion 11 is disposed on the electron source housing 7 so as to cover the opening 7b. Thereby, the electrode part 11 can be reliably and easily arrange | positioned so that the outer space of the electron source housing | casing 7 and the space in which the electron generating source 5 is located in the electron source housing 7 may be partitioned off.

　帯電処理装置Ｃ１では、処理部１（処理筐体２）内の荷電粒子形成用ガスの圧力と、電子源ユニット３内の加速電界と、に応じ、荷電粒子形成用ガスの分子が解離する位置（以下、単に「解離位置」と称する）が変化する。加速電界が大きい場合、解離位置は電子源ユニット３から離れる。加速電界が小さい場合、解離位置は電子源ユニット３に近づく。荷電粒子形成用ガスの圧力が高い場合、電子（たとえば、熱電子）の平均自由行程が短くなるため、解離位置は電子源ユニット３に近づく。荷電粒子形成用ガスの圧力が低い場合、電子の平均自由行程が長くなるため、解離位置は電子源ユニット３から離れる。これらのことから、荷電粒子形成用ガスの圧力と加速電界とを調節することにより、解離位置を最適化することができる。したがって、加速電界は調整可能であることが好ましい。加速電界は、たとえば、カソード６及び電極８に供給される電位を調整することによって、調整することができる。 In the charging processing device C1, the charged particle forming gas molecules dissociate according to the pressure of the charged particle forming gas in the processing unit 1 (processing housing 2) and the acceleration electric field in the electron source unit 3. (Hereinafter simply referred to as “dissociation position”) changes. When the acceleration electric field is large, the dissociation position is separated from the electron source unit 3. When the acceleration electric field is small, the dissociation position approaches the electron source unit 3. When the pressure of the charged particle forming gas is high, the mean free path of electrons (for example, thermal electrons) is shortened, so that the dissociation position approaches the electron source unit 3. When the pressure of the charged particle forming gas is low, the mean free path of electrons becomes long, so that the dissociation position is separated from the electron source unit 3. From these facts, the dissociation position can be optimized by adjusting the pressure of the charged particle forming gas and the acceleration electric field. Therefore, the acceleration electric field is preferably adjustable. The acceleration electric field can be adjusted, for example, by adjusting the potential supplied to the cathode 6 and the electrode 8.

　（第２実施形態）
　図８及び図９を参照して、第２実施形態に係る除電処理装置ＮＡ１の構成を説明する。図８は、第２実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。図９は、電子源ユニットの一例を示す断面図である。 (Second Embodiment)
With reference to FIG.8 and FIG.9, the structure of static elimination processing apparatus NA1 which concerns on 2nd Embodiment is demonstrated. FIG. 8 is a perspective view showing a charge removal processing apparatus according to the second embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of an electron source unit.

　本実施形態においては、帯電処理装置において、特に、正又は負の電位に帯電した処理対象物ＰＯの帯電を中和する、いわゆる除電するための除電処理装置ＮＡ１を説明する。処理部１は第１実施形態と同様に処理室部２０を備えていてもよい。図８では、説明を容易にするため、処理部１の処理空間が導電性材料からなる処理筐体２のみで構成された態様が示されている。処理筐体２（少なくとも処理筐体２の内表面）と電極部１１とは、所望の帯電中和レベル（たとえば、グラウンド電位）に設定できるように構成されている。このため、正負いずれに帯電した処理対象物ＰＯであっても、所望の帯電中和レベル（たとえば、グラウンド電位）にすることができる。除電処理とは、所望の帯電中和レベルへの帯電処理である。本変形例の除電処理装置の動作機構は、前述の帯電処理装置の動作機構と同様である。第２実施形態に係る除電処理装置ＮＡ１は、電子源ユニット３の構成に関して、第１実施形態に係る帯電処理装置Ｃ１と相違する。 In the present embodiment, a charge removal apparatus NA1 for neutralizing the charge of the processing object PO charged to a positive or negative potential, that is, so-called charge removal will be described. The processing unit 1 may include a processing chamber unit 20 as in the first embodiment. FIG. 8 shows an aspect in which the processing space of the processing unit 1 is configured only by the processing housing 2 made of a conductive material for ease of explanation. The processing housing 2 (at least the inner surface of the processing housing 2) and the electrode unit 11 are configured to be set to a desired charge neutralization level (for example, ground potential). For this reason, even if the processing object PO is charged positively or negatively, a desired charge neutralization level (for example, ground potential) can be obtained. The charge removal treatment is a charge treatment to a desired charge neutralization level. The operation mechanism of the static elimination processing apparatus of this modification is the same as the operation mechanism of the above-described charging processing apparatus. The charge removal processing device NA1 according to the second embodiment is different from the charge processing device C1 according to the first embodiment with respect to the configuration of the electron source unit 3.

　除電処理装置ＮＡ１は、図８及び図９に示されるように、処理部１と、電子源ユニット３と、を備えている。 The neutralization processing device NA1 includes a processing unit 1 and an electron source unit 3, as shown in FIGS.

　電子源ユニット３（電子源筐体７）は、図９にも示されているように、平面視で長手方向と短手方向とを有している。電子源ユニット３は、略直方体形状を呈している。カソード６（電子発生源５）は、電子源ユニット３の長手方向に沿って延びている。胴部７ａの断面は、矩形状である。電極部１１は、開口部７ｂの形状に対応して、平面視で、矩形状を呈している。処理筐体２の開口部２ａの形状は、電子源ユニット３の平面形状に対応させて、たとえば、長手方向と短手方向とを有している形状である。本実施形態では、開口部２ａの形状は矩形状である。 The electron source unit 3 (electron source casing 7) has a longitudinal direction and a short direction in plan view as shown in FIG. The electron source unit 3 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The cathode 6 (electron generation source 5) extends along the longitudinal direction of the electron source unit 3. The cross section of the trunk | drum 7a is rectangular shape. The electrode portion 11 has a rectangular shape in plan view corresponding to the shape of the opening 7b. The shape of the opening 2a of the processing housing 2 is, for example, a shape having a longitudinal direction and a lateral direction corresponding to the planar shape of the electron source unit 3. In the present embodiment, the shape of the opening 2a is rectangular.

　電子源ユニット３は、一対の電流導入端子１３を有している。一対の電流導入端子１３は、電子源筐体７に設けられ、かつ、カソード６に電気的に接続されている。一対の電流導入端子１３は、電子源筐体７の長手方向での両端部に配置されている。一対の電流導入端子１３は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。電極部１１は、電子源筐体７に直接固定されることにより、電子源筐体７及び処理筐体２と電気的に接続されている。このため、電極部１１、電子源筐体７、及び処理筐体２は、グラウンド電位とされている。電極部１１が電子源筐体７と絶縁され、かつ、所望の電位が電極部１１に供給されるように、たとえば、電極部１１が絶縁部材を介して電子源筐体７に固定されると共に、電極部１１に給電経路が接続されていてもよい。この場合、電極部１１がグラウンド電位とされるためには、電極部１１は処理筐体２と電気的に接続されてもよく、また、電極部１１は別途グラウンド電位と接続されてもよい。 The electron source unit 3 has a pair of current introduction terminals 13. The pair of current introduction terminals 13 is provided in the electron source housing 7 and is electrically connected to the cathode 6. The pair of current introduction terminals 13 are disposed at both ends of the electron source housing 7 in the longitudinal direction. The pair of current introduction terminals 13 function as a power feeding unit that supplies a potential to the electron generation source 5 (cathode 6). The electrode part 11 is electrically connected to the electron source casing 7 and the processing casing 2 by being directly fixed to the electron source casing 7. For this reason, the electrode part 11, the electron source housing | casing 7, and the process housing | casing 2 are made into ground potential. For example, the electrode unit 11 is fixed to the electron source housing 7 via an insulating member so that the electrode unit 11 is insulated from the electron source housing 7 and a desired potential is supplied to the electrode unit 11. The power supply path may be connected to the electrode unit 11. In this case, in order for the electrode part 11 to be set to the ground potential, the electrode part 11 may be electrically connected to the processing housing 2, and the electrode part 11 may be separately connected to the ground potential.

　本実施形態では、電子源筐体７が、平面視で長手方向と短手方向とを有しており、カソード６は、電子源筐体７の長手方向に沿って延びている。この場合、電子源ユニット３から処理筐体２内の処理空間に導出される電子により、処理空間にカソード６が延びている方向に沿って存在する荷電粒子形成用ガスの分子が励起される。これにより、除電処理装置ＮＡ１は、処理対象物が長尺状の物体又は面積が大きな物体であっても、処理対象物を確実に除電することができる。 In the present embodiment, the electron source housing 7 has a longitudinal direction and a short direction in plan view, and the cathode 6 extends along the longitudinal direction of the electron source housing 7. In this case, the electrons derived from the electron source unit 3 to the processing space in the processing housing 2 excite the molecules of the charged particle forming gas existing along the direction in which the cathode 6 extends in the processing space. Thereby, even if the processing target is a long object or an object having a large area, the static elimination processing apparatus NA1 can reliably neutralize the processing target.

　（第３実施形態）
　図１０～図１２を参照して、電子源ユニット３の変形例を説明する。図１０は、電子源ユニットの変形例を示す平面図である。図１１は、図１０におけるXI－XI線に沿った断面図である。図１２は、図１０におけるXII－XII線に沿った断面図である。第３実施形態に係る電子源ユニット３は、熱電子ではなく光電子を放出する点で、第１及び第２実施形態における電子源ユニット３と相違する。 (Third embodiment)
A modification of the electron source unit 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a plan view showing a modification of the electron source unit. FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. The electron source unit 3 according to the third embodiment is different from the electron source unit 3 in the first and second embodiments in that photoelectrons are emitted instead of thermal electrons.

　電子源ユニット３は、図１０～図１２に示されるように、光電子を放出する電子発生源３０と、電子発生源３０を収容する電子源筐体３１と、電極部１１と、を有している。電子源ユニット３は、図８及び図９に示された電子源ユニット３と同じく、平面視で長手方向と短手方向とを有している。電子発生源３０は、エネルギー線源３２と、光電子放出体３３と、を含んでいる。エネルギー線源３２は、所定波長のエネルギー線を出射する。光電子放出体３３は、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する。エネルギー線源３２には、たとえば、長尺状のエキシマランプなどが用いられる。 As shown in FIGS. 10 to 12, the electron source unit 3 includes an electron source 30 that emits photoelectrons, an electron source housing 31 that houses the electron source 30, and an electrode unit 11. Yes. Similarly to the electron source unit 3 shown in FIGS. 8 and 9, the electron source unit 3 has a longitudinal direction and a short direction in plan view. The electron generation source 30 includes an energy beam source 32 and a photoelectron emitter 33. The energy ray source 32 emits energy rays having a predetermined wavelength. The photoelectron emitter 33 emits photoelectrons to the outside when an energy beam having a predetermined wavelength is incident. For the energy ray source 32, for example, a long excimer lamp or the like is used.

　電子源ユニット３は、真空フランジＶＦが処理筐体２に装着されることにより、処理筐体２に設けられている。本実施形態においても、電子源ユニット３が、溶接などにより処理筐体２と一体的に設けられている場合、又は、処理部１内に配置される場合は、真空フランジＶＦは必ずしも必要ではない。真空フランジＶＦは、電子源筐体３１と一体形成されていてもよく、電子源筐体３１と別体に形成されていてもよい。 The electron source unit 3 is provided in the processing casing 2 by attaching the vacuum flange VF to the processing casing 2. Also in the present embodiment, the vacuum flange VF is not necessarily required when the electron source unit 3 is provided integrally with the processing housing 2 by welding or the like, or when disposed in the processing unit 1. . The vacuum flange VF may be formed integrally with the electron source housing 31 or may be formed separately from the electron source housing 31.

　エネルギー線源３２は、たとえばＸ線から赤外線までの帯域に含まれる波長のエネルギー線を放出するエネルギー線源である。光電子放出体３３の作成し易さ、及び、大気に曝される環境下での劣化などを考慮すると、エネルギー線源３２は、Ｘ線からＵＶ光までの帯域に含まれるエネルギー線を放出するエネルギー線源であってもよい。このエネルギー線源には、たとえば、ＵＶ光又はＶＵＶ光（真空紫外光）などを放出するエキシマランプ又は重水素ランプ、ＵＶレーザ光源、若しくは、Ｘ線管などがある。エネルギー線源３２として、光電子放出体３３の量子効率が比較的高くなる光エネルギーを有するＶＵＶ光を放出するエキシマランプなどが用いられてもよい。所定波長のエネルギー線が真空紫外光を含んでいる場合、より効率よく光電子を発生することができる。 The energy ray source 32 is an energy ray source that emits energy rays having a wavelength included in a band from, for example, X rays to infrared rays. In consideration of easiness of producing the photoelectron emitter 33 and deterioration in an environment exposed to the atmosphere, the energy beam source 32 emits energy rays included in a band from X-rays to UV light. It may be a radiation source. Examples of the energy ray source include an excimer lamp or deuterium lamp that emits UV light or VUV light (vacuum ultraviolet light), a UV laser light source, or an X-ray tube. As the energy ray source 32, an excimer lamp that emits VUV light having light energy with which the quantum efficiency of the photoelectron emitter 33 is relatively high may be used. When the energy beam having a predetermined wavelength includes vacuum ultraviolet light, photoelectrons can be generated more efficiently.

　電子源筐体３１は、一対の端面部３１ａと、一対の側面部３１ｂと、上面部３１ｃと、を有している。一対の端面部３１ａは、電子源ユニット３の長手方向で対向している。一対の側面部３１ｂは、一対の端面部３１ａを連結するように電子源ユニット３の長手方向に延び、かつ、互いに対向している。上面部３１ｃは、一対の端面部３１ａと一対の側面部３１ｂとに接続されている。電子源筐体３１は、電子源ユニット３から光電子を放出するための開口部３１ｄを、上面部３１ｃと対向する位置に含んでいる。 The electron source housing 31 has a pair of end surface portions 31a, a pair of side surface portions 31b, and an upper surface portion 31c. The pair of end surface portions 31 a face each other in the longitudinal direction of the electron source unit 3. The pair of side surface portions 31b extend in the longitudinal direction of the electron source unit 3 so as to connect the pair of end surface portions 31a, and face each other. The upper surface portion 31c is connected to the pair of end surface portions 31a and the pair of side surface portions 31b. The electron source casing 31 includes an opening 31d for emitting photoelectrons from the electron source unit 3 at a position facing the upper surface 31c.

　エネルギー線源３２は、ガス導入管３５内に配置されている。ガス導入管３５の両端部は、Ｏリングを介して、電子源筐体３１の一対の端面部３１ａに気密に保持されている。ガス導入管３５は、電子源筐体３１を電子源ユニット３の長手方向に貫通するように配置されている。エネルギー線源３２も、電子源筐体３１を電子源ユニット３の長手方向に貫通するように配置されている。ガス導入管３５は、エネルギー線源３２から出射される所定波長のエネルギー線を透過する材料からなる。ガス導入管３５は、たとえば、石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる。ガス導入管３５は、金属などからなる管状部材であってもよい。この場合、管状部材の所定位置に開口が設けられ、開口に石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる窓材が設けられていてもよい。 The energy ray source 32 is disposed in the gas introduction pipe 35. Both end portions of the gas introduction pipe 35 are airtightly held by the pair of end surface portions 31a of the electron source housing 31 via O-rings. The gas introduction pipe 35 is disposed so as to penetrate the electron source housing 31 in the longitudinal direction of the electron source unit 3. The energy beam source 32 is also disposed so as to penetrate the electron source housing 31 in the longitudinal direction of the electron source unit 3. The gas introduction pipe 35 is made of a material that transmits energy rays having a predetermined wavelength emitted from the energy ray source 32. The gas introduction pipe 35 is made of, for example, quartz glass or MgF ₂ . The gas introduction pipe 35 may be a tubular member made of metal or the like. In this case, an opening may be provided at a predetermined position of the tubular member, and a window material made of quartz glass or MgF ₂ may be provided in the opening.

　ガス導入管３５の一端部には、ガス導入管３５内にガスを導入するガス導入部３７が接続されている。ガス導入管３５の他端部は、ガス導入管３５内に導入されたガスを排出するガス排出部として機能する。ガス導入管３５内に導入されるガスには、窒素などの不活性ガスが用いられる。ガス導入管３５内に導入されたガスは、エネルギー線源３２を冷却する。ガスは、ガス導入部３７からガス導入管３５内に導入され、ガス排出部から排出されるため、光子の透過率が低下するのを抑制できる。ガス導入管３５の他端部からは、エネルギー線源３２の電極に接続された電源線３８，３９が導出されている。ガスの導入及び排出、並びに、電源線３８，３９の導出は、ガス導入管３５のいずれの端部から行われてもよい。電源線３８，３９が導出される部位は、ガス導入管３５の開放端に限られない。ガス導入管３５の両端がガス導排出可能に密閉されていると共に、電源線３８，３９に接続される給電部が、ガス導入管３５を貫通するように設けられていてもよい。電源線３８，３９は、給電部に接続されることにより、ガス導入管３５から導出される。 A gas introduction part 37 for introducing gas into the gas introduction pipe 35 is connected to one end of the gas introduction pipe 35. The other end of the gas introduction pipe 35 functions as a gas discharge part that discharges the gas introduced into the gas introduction pipe 35. An inert gas such as nitrogen is used as the gas introduced into the gas introduction pipe 35. The gas introduced into the gas introduction pipe 35 cools the energy ray source 32. Since the gas is introduced into the gas introduction pipe 35 from the gas introduction part 37 and is discharged from the gas discharge part, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of photons.

Power supply lines

38 and 39 connected to the electrode of the energy beam source 32 are led out from the other end of the gas introduction pipe 35. The introduction and discharge of the gas and the derivation of the

power supply lines

38 and 39 may be performed from either end of the gas introduction pipe 35. The part where the

power lines

38 and 39 are led out is not limited to the open end of the gas introduction pipe 35. Both ends of the gas introduction pipe 35 are hermetically sealed so that gas can be introduced and discharged, and a power supply unit connected to the

power supply lines

38 and 39 may be provided so as to penetrate the gas introduction pipe 35. The

power lines

38 and 39 are led out from the gas introduction pipe 35 by being connected to the power feeding unit.

　光電子放出体３３は、絶縁基板３６を介して電子源筐体３１に設けられている。光電子放出体３３は、電子源筐体３１と電気的に絶縁されている。光電子放出体３３は、電子源筐体３１の各面部３１ａ～３１ｃに沿うように延びている五つの面部を有している。光電子放出体３３では、五つの面部の内側表面が、光電子の放出面である。光電子放出体３３では、電子源筐体３１の開口部３１ｄに対応する位置が開口している。光電子放出体３３の五つの面部は、ガス導入管３５を介して、エネルギー線源３２を囲むように位置している。光電子放出体３３は、電子源筐体３１に設けられている電流導入端子３４と電気的に接続されている。光電子放出体３３は、電子源筐体３１に対し、着脱自在に設けられている。これにより、光電子放出体３３の交換が可能となる。電流導入端子３４は、電子発生源３０（光電子放出体３３）に電位を供給する給電部として機能する。光電子放出体３３の面部の数は、五つに限られない。光電子放出体３３の面部は、光電子が処理筐体２側に放出されやすい多面体構造であればよい。 The photoelectron emitter 33 is provided in the electron source housing 31 via the insulating substrate 36. The photoelectron emitter 33 is electrically insulated from the electron source housing 31. The photoelectron emitter 33 has five surface portions extending along the surface portions 31 a to 31 c of the electron source housing 31. In the photoelectron emitter 33, the inner surface of the five surface portions is a photoelectron emission surface. In the photoelectron emitter 33, a position corresponding to the opening 31d of the electron source housing 31 is open. The five surface portions of the photoelectron emitter 33 are positioned so as to surround the energy beam source 32 via the gas introduction pipe 35. The photoelectron emitter 33 is electrically connected to a current introduction terminal 34 provided in the electron source housing 31. The photoelectron emitter 33 is detachably attached to the electron source housing 31. As a result, the photoelectron emitter 33 can be replaced. The current introduction terminal 34 functions as a power feeding unit that supplies a potential to the electron generation source 30 (photoelectron emitter 33). The number of surface portions of the photoelectron emitter 33 is not limited to five. The surface portion of the photoelectron emitter 33 may be a polyhedral structure in which photoelectrons are easily emitted to the processing housing 2 side.

　光電子放出体３３には、大気に曝される環境下においても劣化が少なく、かつ、エネルギー線源３２から出射されるエネルギー線（たとえば、ＵＶ光又はＶＵＶ光など）に対して量子効率が高い材料が用いられる。光電子放出体３３の材料として、たとえは、Ａｕ、Ｎｉ、ステンレス鋼、Ａｌ、ダイヤモンド薄膜、ＤＬＣ（Diamond－Like　Carbon）薄膜、又はＡｌ_２Ｏ_３薄膜などが挙げられる。ＵＶ光又はＶＵＶ光に対し、量子効率が高い材料は、Ａｕが一般的である。ＶＵＶ光に対しては、Ａｌ、Ａｌ_２Ｏ_３薄膜、又はダイヤモンド薄膜が、量子効率が比較的高い材料である。各薄膜は、金属基体の表面に成膜される。光電子放出体３３の光電子の放出面は、鏡面処理が施されていてもよい。 The photoelectron emitter 33 is a material that has little deterioration even in an environment exposed to the atmosphere and that has a high quantum efficiency with respect to energy rays (for example, UV light or VUV light) emitted from the energy ray source 32. Is used. Examples of the material of the photoelectron emitter 33 include Au, Ni, stainless steel, Al, diamond thin film, DLC (Diamond-Like Carbon) thin film, and Al ₂ O ₃ thin film. A material having a high quantum efficiency with respect to UV light or VUV light is generally Au. For VUV light, Al, Al ₂ O ₃ thin film, or diamond thin film is a material with relatively high quantum efficiency. Each thin film is formed on the surface of a metal substrate. The photoelectron emission surface of the photoelectron emitter 33 may be subjected to a mirror surface treatment.

　電極部１１は、電子源筐体３１の開口部３１ｄを覆うように、開口部３１ｄに設けられている。電極部１１が電子源筐体３１と絶縁され、かつ、電極部１１に所望の電位が供給されるように、たとえば、電極部１１が絶縁部材を介して電子源筐体３１に固定されると共に、電極部１１に給電経路が接続されていてもよい。所望の電位の値によっては、電極部１１は、電子源筐体３１と同電位になるように、電子源筐体３１と直接固定されていてもよい。電極部１１は、開口部３１ｄの形状に対応して、平面視で、矩形状を呈している。電極部１１は、電流導入端子３４を通して光電子放出体３３に供給される電位との差により、電子発生源３０にて発生した光電子を電極部１１に向けて加速させる加速電界を電子源ユニット３内に形成する。 The electrode part 11 is provided in the opening part 31d so as to cover the opening part 31d of the electron source housing 31. For example, the electrode unit 11 is fixed to the electron source housing 31 via an insulating member so that the electrode unit 11 is insulated from the electron source housing 31 and a desired potential is supplied to the electrode unit 11. The power supply path may be connected to the electrode unit 11. Depending on the desired potential value, the electrode unit 11 may be directly fixed to the electron source housing 31 so as to have the same potential as the electron source housing 31. The electrode portion 11 has a rectangular shape in plan view corresponding to the shape of the opening 31d. The electrode unit 11 has an accelerating electric field in the electron source unit 3 for accelerating photoelectrons generated in the electron generation source 30 toward the electrode unit 11 due to a difference from the potential supplied to the photoelectron emitter 33 through the current introduction terminal 34. To form.

　電極部１１は、処理対象物ＰＯと処理筐体２との電位差に対応する電界を電子源ユニット３と処理筐体２との境界近傍まで形成する。電極部１１は、電子源ユニット３内に形成される加速電界と、処理対象物ＰＯと処理筐体２及び電極部１１との電位差に対応する電界と、が互いに影響し合うのを抑制する。電極部１１は、光電子放出体３３と電気的に絶縁されている。加速電界は、処理筐体２内に導入された光電子が、処理対象物ＰＯに直接到達し難い強さに設定される。加速電界は、上述したように、たとえば、１０～１０００Ｖの範囲内の電圧で形成される強さとされる。加速電界は、５０～５００Ｖの範囲内の電圧で形成される強さであることが好ましい。 The electrode unit 11 forms an electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO and the processing housing 2 up to the vicinity of the boundary between the electron source unit 3 and the processing housing 2. The electrode unit 11 suppresses the acceleration electric field formed in the electron source unit 3 and the electric field corresponding to the potential difference between the processing object PO, the processing housing 2 and the electrode unit 11 from affecting each other. The electrode part 11 is electrically insulated from the photoelectron emitter 33. The acceleration electric field is set to such a strength that the photoelectrons introduced into the processing housing 2 do not easily reach the processing object PO. As described above, the acceleration electric field has a strength formed by a voltage within the range of 10 to 1000 V, for example. The accelerating electric field preferably has a strength formed at a voltage in the range of 50 to 500V.

　本実施形態では、電子源ユニット３は、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源３２と、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体３３と、を含んでいる。これにより、帯電処理装置又は除電処理装置（電子源筐体３１）内の雰囲気（圧力及び真空度など）によって性能及び寿命などに影響を受けることの少ない、密封構造のエネルギー線源（たとえばランプなど）を用いることができる。この結果、帯電処理装置又は除電処理装置内の雰囲気に対して安定度の高い電子発生源を実現することができる。 In the present embodiment, the electron source unit 3 includes an energy beam source 32 that emits an energy beam having a predetermined wavelength, and a photoelectron emitter 33 that emits photoelectrons to the outside when the energy beam having a predetermined wavelength is incident. As a result, an energy ray source with a sealed structure (for example, a lamp or the like) that is less affected by the atmosphere (pressure, degree of vacuum, etc.) in the charging processing device or the static elimination processing device (electron source housing 31), etc. ) Can be used. As a result, it is possible to realize an electron generation source having high stability with respect to the atmosphere in the charging processing device or the charge removal processing device.

　本実施形態では、電子源筐体３１が、平面視で長手方向と短手方向とを有している。エネルギー線源３２は、電子源筐体７の長手方向に沿って延びている。この場合、電子源ユニット３から処理筐体２内の処理空間に導出される電子により、処理空間にカソード６が延びている方向に沿って存在する荷電粒子形成用ガスの分子が励起される。これにより、図９～図１１に示された電子源ユニット３を備える帯電処理装置は、処理対象物が長尺状の物体又は面積が大きな物体であっても、処理対象物を確実に所望の電位に帯電させることができる。 In the present embodiment, the electron source housing 31 has a longitudinal direction and a lateral direction in plan view. The energy beam source 32 extends along the longitudinal direction of the electron source housing 7. In this case, the electrons derived from the electron source unit 3 to the processing space in the processing housing 2 excite the molecules of the charged particle forming gas existing along the direction in which the cathode 6 extends in the processing space. As a result, the electrification processing apparatus including the electron source unit 3 shown in FIGS. 9 to 11 ensures that the processing object is a desired object even if the processing object is a long object or an object having a large area. It can be charged to a potential.

　図１３～図１５を参照して、電子源ユニット３の更なる変形例を説明する。図１３～図１５は、電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。図１３～図１５に示された断面構成は、電子源ユニット３の長手方向に直交する面で切断した際の断面構成に相当する。いずれの変形例においても、電極部１１が電子源筐体３１と絶縁され、かつ、電極部１１に所望の電位が供給されるように、たとえば、電極部１１が絶縁部材を介して電子源筐体３１に固定されると共に、電極部１１に給電経路が接続されていてもよい。所望の電位の値によっては、電極部１１は、電子源筐体３１と同電位になるように、電子源筐体３１と直接固定されていてもよい。 A further modification of the electron source unit 3 will be described with reference to FIGS. 13 to 15 are cross-sectional views showing further modifications of the electron source unit. The cross-sectional configurations shown in FIGS. 13 to 15 correspond to the cross-sectional configurations when cut along a plane orthogonal to the longitudinal direction of the electron source unit 3. In any of the modifications, for example, the electrode unit 11 is insulated from the electron source housing 31 via an insulating member so that the electrode unit 11 is insulated from the electron source housing 31 and a desired potential is supplied to the electrode unit 11. While being fixed to the body 31, a power feeding path may be connected to the electrode portion 11. Depending on the desired potential value, the electrode unit 11 may be directly fixed to the electron source housing 31 so as to have the same potential as the electron source housing 31.

　図１３に示された変形例では、エネルギー線源３２は、一方の側面部３１ｂ側に配置されている。すなわち、エネルギー線源３２は、電子源ユニット３から処理空間への光電子入射軸Ａ１と、エネルギー線源３２のエネルギー線出射軸Ａ２とが同軸とならないように配置されている。より詳細には、エネルギー線源３２は、光電子入射軸Ａ１とエネルギー線出射軸Ａ２とが略直交するように配置されている。一方の側面部３１ｂと、光電子放出体３３における一方の側面部３１ｂに対向する面とには、エネルギー線源３２からのエネルギー線を光電子放出体３３の内側空間に導くための開口が形成されている。光電子放出体３３は、電子源ユニット３の長手方向に直交する断面において、光電子が開口部３１ｄに向けて放出されるように傾斜面を有している。すなわち、光電子放出体３３は、エネルギー線源３２のエネルギー線出射軸Ａ２に対して傾斜する傾斜面を含んでいる。傾斜面は、それぞれ角度が異なる複数の傾斜面からなっていてもよい。 In the modification shown in FIG. 13, the energy ray source 32 is disposed on one side surface portion 31 b side. That is, the energy beam source 32 is disposed so that the photoelectron incident axis A1 from the electron source unit 3 to the processing space and the energy beam output axis A2 of the energy beam source 32 are not coaxial. More specifically, the energy beam source 32 is arranged such that the photoelectron incident axis A1 and the energy beam emitting axis A2 are substantially orthogonal. An opening for guiding the energy beam from the energy beam source 32 to the inner space of the photoelectron emitter 33 is formed on one side surface 31b and the surface of the photoelectron emitter 33 facing the one side surface 31b. Yes. The photoelectron emitter 33 has an inclined surface in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the electron source unit 3 so that photoelectrons are emitted toward the opening 31d. That is, the photoelectron emitter 33 includes an inclined surface that is inclined with respect to the energy ray emission axis A <b> 2 of the energy ray source 32. The inclined surface may consist of a plurality of inclined surfaces having different angles.

　電子源ユニット３は、メッシュ状の電極部４１を含んでいる。電極部４１は、エネルギー線源３２と光電子放出体３３との間に配置され、光電子放出体３３と同じの電位とされる。本変形例では、電極部４１は、光電子放出体３３に設けられている。電極部４１は、たとえば、Ａｕ又はＡｌなどの光電子放出特性が高い材料からなる。電極部４１は、たとえば、ステンレス鋼からなるメッシュであってもよい。ステンレス鋼からなるメッシュの表面には、Ａｕ、Ａｌ、又はＡｌ_２Ｏ_３などからなる薄膜が形成されている。電子源ユニット３は、必ずしも電極部４１を含んでいる必要はなく、電子源ユニット３は、電極部４１を含んでいなくてもよい。 The electron source unit 3 includes a mesh electrode portion 41. The electrode portion 41 is disposed between the energy beam source 32 and the photoelectron emitter 33 and has the same potential as the photoelectron emitter 33. In this modification, the electrode part 41 is provided on the photoelectron emitter 33. The electrode portion 41 is made of a material having high photoelectron emission characteristics such as Au or Al. The electrode part 41 may be a mesh made of stainless steel, for example. A thin film made of Au, Al, Al ₂ O ₃ or the like is formed on the surface of the mesh made of stainless steel. The electron source unit 3 does not necessarily include the electrode part 41, and the electron source unit 3 may not include the electrode part 41.

　本変形例では、電極部４１は、光電子放出体３３から放出された光電子がエネルギー線源３２側に向かうのを抑制するので、光電子を処理部１（図１２では不図示）に向けて効率よく導くことができる。電極部４１は、エネルギー線源３２などの帯電を防ぐ。 In the present modification, the electrode unit 41 suppresses the photoelectrons emitted from the photoelectron emitter 33 from moving toward the energy beam source 32, so that the photoelectrons are efficiently directed toward the processing unit 1 (not shown in FIG. 12). Can lead. The electrode unit 41 prevents the energy ray source 32 and the like from being charged.

　図１３に示された電子源ユニット３では、エネルギー線源３２は、光電子入射軸Ａ１とエネルギー線出射軸Ａ２とが同軸とならないように、一つの側面部３１ｂ側に配置されている。詳細には、エネルギー線源３２は、光電子入射軸Ａ１とエネルギー線出射軸Ａ２とが略直交するように配置されている。これにより、エネルギー線源３２から放出されたエネルギー線が、処理部１（図１２では不図示）に直接照射され難い。このため、処理部１におけるエネルギー線が照射された部位に物質の解離などが生じるのを抑制することができる。光電子放出体３３は、電子源ユニット３の長手方向に直交する断面において、光電子が開口部３１ｄに向けて放出されるように傾斜面を有している。すなわち、光電子放出体３３は、エネルギー線源３２のエネルギー線出射軸Ａ２に対して傾斜する傾斜面を含んでいる。これにより、光電子放出体３３は、効率よく発生した光電子を処理空間へ導くことができる。 In the electron source unit 3 shown in FIG. 13, the energy beam source 32 is arranged on one side surface 31b side so that the photoelectron incident axis A1 and the energy beam emission axis A2 are not coaxial. Specifically, the energy beam source 32 is arranged such that the photoelectron incident axis A1 and the energy beam emitting axis A2 are substantially orthogonal. Thereby, the energy beam emitted from the energy beam source 32 is difficult to be directly applied to the processing unit 1 (not shown in FIG. 12). For this reason, it can suppress that dissociation of a substance, etc. arise in the site | part irradiated with the energy beam in the process part 1. FIG. The photoelectron emitter 33 has an inclined surface in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the electron source unit 3 so that photoelectrons are emitted toward the opening 31d. That is, the photoelectron emitter 33 includes an inclined surface that is inclined with respect to the energy ray emission axis A <b> 2 of the energy ray source 32. Thereby, the photoelectron emitter 33 can guide the photoelectrons generated efficiently to the processing space.

　図１４に示された変形例では、電子源ユニット３は、窓材４２を含んでいる。窓材４２は、エネルギー線源３２と光電子放出体３３との間に配置され、かつ、所定波長のエネルギー線を透過する。エネルギー線源３２がたとえば軟Ｘ線源である場合には、窓材４２は、Ｂｅ又はＴｉの薄膜などのＸ線透過性材料からなる。エネルギー線源３２がたとえばＵＶ光源又はＶＵＶ光源である場合には、窓材４２は、石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる。 In the modification shown in FIG. 14, the electron source unit 3 includes a window member 42. The window material 42 is disposed between the energy beam source 32 and the photoelectron emitter 33 and transmits energy beams having a predetermined wavelength. When the energy ray source 32 is, for example, a soft X-ray source, the window member 42 is made of an X-ray transmissive material such as a thin film of Be or Ti. When the energy ray source 32 is, for example, a UV light source or a VUV light source, the window member 42 is made of quartz glass, MgF ₂ or the like.

　窓材４２は、電子源ユニット３（電子源筐体３１）における光電子放出体３３が収容されている空間を気密に封止する。窓材４２は、Ｏリング４３を介して、電子源筐体３１に設けられている。エネルギー線源３２は、収容部４４内に収容されている。収容部４４は、電子源筐体３１に着脱可自在でかつ気密に設けられている。窓材４２は、収容部４４が電子源筐体３１に取り付けられる際に、収容部４４と電子源筐体３１とで挟持されることにより、電子源筐体３１に設けられる。エネルギー線源３２の冷却及びエネルギー線量の低下を抑制するため、収容部４４の内部空間には、たとえば窒素ガスなどの不活性ガスを流通させてもよい。 The window member 42 hermetically seals a space in the electron source unit 3 (electron source casing 31) in which the photoelectron emitter 33 is accommodated. The window material 42 is provided in the electron source housing 31 via an O-ring 43. The energy ray source 32 is accommodated in the accommodating portion 44. The accommodating portion 44 is detachably attached to the electron source housing 31 and is airtightly provided. The window member 42 is provided in the electron source housing 31 by being sandwiched between the housing portion 44 and the electron source housing 31 when the housing portion 44 is attached to the electron source housing 31. In order to suppress cooling of the energy beam source 32 and a decrease in energy dose, an inert gas such as nitrogen gas may be circulated in the internal space of the housing portion 44.

　本変形例では、窓材４２が、電子源筐体３１における光電子放出体３３が収容されている空間を気密に封止している。このため、エネルギー線源３２に関する交換及び保守などの作業を、処理対象物ＰＯが位置する処理空間内の所定の圧力雰囲気に影響を与えることなく、容易に行うことができる。本変形例でも、電極部４１は、光電子を処理部１に向けて効率よく導くと共に、エネルギー線源３２及び窓材４２などの帯電を防ぐ。 In this modification, the window member 42 hermetically seals the space in the electron source housing 31 in which the photoelectron emitter 33 is accommodated. Therefore, work such as replacement and maintenance related to the energy beam source 32 can be easily performed without affecting the predetermined pressure atmosphere in the processing space where the processing object PO is located. Also in this modification, the electrode unit 41 efficiently guides photoelectrons toward the processing unit 1 and prevents charging of the energy beam source 32, the window material 42, and the like.

　図１４に示された電子源ユニット３でも、エネルギー線源３２が一つの側面部３１ｂ側に配置されているので、エネルギー線源３２から放出されたエネルギー線が、処理部１に直接照射され難い。このため、処理部１におけるエネルギー線が照射された部位に物質の解離などが生じるのを抑制することができる。 Also in the electron source unit 3 shown in FIG. 14, since the energy beam source 32 is arranged on the side surface portion 31 b side, the energy beam emitted from the energy beam source 32 is difficult to be directly irradiated to the processing unit 1. . For this reason, it can suppress that dissociation of a substance, etc. arise in the site | part irradiated with the energy beam in the process part 1. FIG.

　図１５に示された変形例では、窓材４２は、光電子放出体３３に設けられている。窓材４２は、収容部４４が電子源筐体３１に取り付けられる際に、収容部４４と光電子放出体３３とで挟持されることにより、光電子放出体３３に設けられる。収容部４４は、Ｏリング４３を介して、電子源筐体３１に設けられている。光電子放出体３３は、電子源ユニット３の長手方向に直交する断面において、光電子が開口部３１ｄに向けて放出されるように湾曲面を有している。 In the modification shown in FIG. 15, the window member 42 is provided on the photoelectron emitter 33. The window member 42 is provided in the photoelectron emitter 33 by being sandwiched between the housing portion 44 and the photoelectron emitter 33 when the housing portion 44 is attached to the electron source housing 31. The accommodating portion 44 is provided in the electron source housing 31 via the O-ring 43. The photoelectron emitter 33 has a curved surface so that photoelectrons are emitted toward the opening 31 d in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the electron source unit 3.

　窓材４２における光電子放出体３３側の面に、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜４５が形成されている。薄膜４５は、たとえば、厚みが数ｎｍ～数百ｎｍであり、かつ、Ａｕ、Ａｌ、又はＡｌ_２Ｏ_３などからなる。薄膜４５は、窓材４２が光電子放出体３３に設けられている状態で、光電子放出体３３と同等の電位となるように光電子放出体３３と接触している。すなわち、窓材４２は、薄膜４５と光電子放出体３３とが接触するように、エネルギー線源３２と光電子放出体３３との間に配置されている。薄膜４５は、光電子放出体３３との接触により、光電子放出体３３と同じ電位とされる。薄膜４５と光電子放出体３３とは、物理的に接触することなく、導電部材などを介して電気的に接触させて同電位としてもよい。別途設けた給電部材によって、光電子放出体３３と同じ電位が薄膜４５に供給されてもよい。必要に応じて光電子放出体３３と薄膜４５の電位を変えてもよい。この場合、放出される光電子の分布を変えることができる。 On the surface of the window material 42 on the photoelectron emitter 33 side, a transmissive photocathode and a conductive thin film 45 are formed. The thin film 45 has, for example, a thickness of several nm to several hundred nm and is made of Au, Al, Al ₂ O ₃ or the like. The thin film 45 is in contact with the photoelectron emitter 33 so as to have the same potential as the photoelectron emitter 33 in a state where the window member 42 is provided on the photoelectron emitter 33. That is, the window material 42 is disposed between the energy beam source 32 and the photoelectron emitter 33 so that the thin film 45 and the photoelectron emitter 33 are in contact with each other. The thin film 45 is brought to the same potential as the photoelectron emitter 33 by contact with the photoelectron emitter 33. The thin film 45 and the photoelectron emitter 33 may be brought into the same potential by being brought into electrical contact via a conductive member or the like without being in physical contact. The same potential as that of the photoelectron emitter 33 may be supplied to the thin film 45 by a separately provided power supply member. The potentials of the photoelectron emitter 33 and the thin film 45 may be changed as necessary. In this case, the distribution of emitted photoelectrons can be changed.

　本変形例では、薄膜４５からも光電子が放出されるため、処理部１に導かれる光電子の量が増加する。薄膜４５は、光電子を処理部１に向けて効率よく導く。これらの結果、本変形例によれば、帯電処理の効果を高めることができる。 In this modification, since photoelectrons are also emitted from the thin film 45, the amount of photoelectrons guided to the processing unit 1 increases. The thin film 45 efficiently guides photoelectrons toward the processing unit 1. As a result, according to this modification, the effect of the charging process can be enhanced.

　図１６～図１８を参照して、電子源ユニット３の更なる変形例を説明する。図１６は、電子源ユニットを示す斜視図である。図１７は、図１６に示された電子源ユニットの断面図である。図１８は、光電子放出体を示す斜視図である。 A further modification of the electron source unit 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 16 is a perspective view showing the electron source unit. FIG. 17 is a cross-sectional view of the electron source unit shown in FIG. FIG. 18 is a perspective view showing a photoelectron emitter.

　電子源ユニット３は、電子源筐体３１、エネルギー線源３２、光電子放出体３３、及び電極部１１を含んでいる。エネルギー線源３２は、たとえば、エキシマランプ又は重水素ランプなどが用いられる。エネルギー線源３２は、発光部組立体４８とガラス製の密封容器４９とを備えている。密封容器４９は、側管部４９ａと、突出部４９ｂと、を有している。側管部４９ａは、発光部組立体４８を収容する。突出部４９ｂは、側管部４９ａから突出すると共に側管部４９ａに連通している。突出部４９ｂの先端は、エネルギー線（ＶＵＶ光）を出射する光出射窓によって封止されている。 The electron source unit 3 includes an electron source casing 31, an energy beam source 32, a photoelectron emitter 33, and an electrode unit 11. As the energy ray source 32, for example, an excimer lamp or a deuterium lamp is used. The energy beam source 32 includes a light emitting unit assembly 48 and a glass sealed container 49. The sealed container 49 has a side tube portion 49a and a protruding portion 49b. The side tube portion 49 a accommodates the light emitting unit assembly 48. The protruding portion 49b protrudes from the side tube portion 49a and communicates with the side tube portion 49a. The tip of the protrusion 49b is sealed by a light exit window that emits energy rays (VUV light).

　電子源筐体３１は、両端が開口した筒形状を呈している。電子源筐体３１の一方の端部には、真空フランジＶＦが設けられている。電極部１１は、真空フランジＶＦの開口を覆うように真空フランジＶＦに設けられている。電極部１１が電子源筐体３１と絶縁され、かつ、電極部１１に所望の電位が供給されるように、たとえば、電極部１１は絶縁部材を介して電子源筐体３１に固定されると共に、電極部１１に給電経路が接続されていてもよい。所望の電位の値によっては、電極部１１は、電子源筐体３１と同電位になるように、電子源筐体３１と直接固定されていてもよい。 The electron source casing 31 has a cylindrical shape with both ends open. A vacuum flange VF is provided at one end of the electron source housing 31. The electrode portion 11 is provided on the vacuum flange VF so as to cover the opening of the vacuum flange VF. For example, the electrode unit 11 is fixed to the electron source housing 31 via an insulating member so that the electrode unit 11 is insulated from the electron source housing 31 and a desired potential is supplied to the electrode unit 11. The power supply path may be connected to the electrode unit 11. Depending on the desired potential value, the electrode unit 11 may be directly fixed to the electron source housing 31 so as to have the same potential as the electron source housing 31.

　電子源筐体３１の他方の端部には、他方の端部の開口を塞ぐように、電気絶縁性の基板５０が配置されている。電子源筐体３１の他方の端部は、基板５０が配置された状態で、クイックカップリング（Quick-release　Coupling）５１により気密に封止されている。クイックカップリング５１は、クランプ５１ａを有している。基板５０には、電流導入端子５２が気密に設けられている。電流導入端子５２は、たとえば、溶接などにより、基板５０に固定される。基板５０は、クイックカップリング５１のブランクフランジとして機能する。 An electrically insulating substrate 50 is disposed at the other end of the electron source housing 31 so as to close the opening at the other end. The other end of the electron source casing 31 is hermetically sealed by a quick-coupling coupling 51 in a state where the substrate 50 is disposed. The quick coupling 51 has a clamp 51a. The substrate 50 is provided with a current introduction terminal 52 in an airtight manner. The current introduction terminal 52 is fixed to the substrate 50 by, for example, welding. The substrate 50 functions as a blank flange of the quick coupling 51.

　光電子放出体３３は、電子源筐体３１内に配置されている。光電子放出体３３は、図１７にも示されるように、胴部３３ａと底部３３ｂとを有しており、底部３３ｂと対向する一端が開口した有底筒形状を呈している。胴部３３ａは、断面が円形の円筒形状を呈している。胴部３３ａの断面は、円形に限られず、多角形であってもよい。底部３３ｂの内側面は、平面とされている。光電子放出体３３は、固定基板５３及び絶縁性基板５４を介して、基板５０に設けられている。固定基板５３は、導電性を有している。固定基板５３は、ねじ止めなどにより、絶縁性基板５４に着脱自在に設けられる。絶縁性基板５４は、ねじ止めなどにより、基板５０に着脱自在に設けられる。 The photoelectron emitter 33 is disposed in the electron source housing 31. As shown in FIG. 17, the photoelectron emitter 33 has a body 33 a and a bottom 33 b, and has a bottomed cylindrical shape with one end facing the bottom 33 b opened. The trunk portion 33a has a cylindrical shape with a circular cross section. The cross section of the trunk portion 33a is not limited to a circle, and may be a polygon. The inner surface of the bottom 33b is a flat surface. The photoelectron emitter 33 is provided on the substrate 50 via the fixed substrate 53 and the insulating substrate 54. The fixed substrate 53 has conductivity. The fixed substrate 53 is detachably provided on the insulating substrate 54 by screwing or the like. The insulating substrate 54 is detachably provided on the substrate 50 by screwing or the like.

　光電子放出体３３は、底部３３ｂに形成された突部が固定基板５３と螺合することにより、固定基板５３に固定される。すなわち、光電子放出体３３は、固定基板５３に着脱自在に設けられる。これにより、光電子放出体３３の交換を容易に行うことができる。電流導入端子５２の先端には、スリーブ５５が設けられている。スリーブ５５が螺合などにより固定基板５３に設けられることにより、光電子放出体３３は、固定基板５３及びスリーブ５５を介して、電流導入端子５２に電気的に接続される。電流導入端子５２は、電子発生源３０（光電子放出体３３）に電位を供給する給電部として機能する。 The photoelectron emitter 33 is fixed to the fixed substrate 53 by the protrusion formed on the bottom 33 b being screwed with the fixed substrate 53. That is, the photoelectron emitter 33 is detachably provided on the fixed substrate 53. Thereby, replacement | exchange of the photoelectron emitter 33 can be performed easily. A sleeve 55 is provided at the tip of the current introduction terminal 52. By providing the sleeve 55 on the fixed substrate 53 by screwing or the like, the photoelectron emitter 33 is electrically connected to the current introduction terminal 52 via the fixed substrate 53 and the sleeve 55. The current introduction terminal 52 functions as a power feeding unit that supplies a potential to the electron generation source 30 (the photoelectron emitter 33).

　光電子放出体３３の胴部３３ａには、図１８にも示されるように、エネルギー線源３２が備える密封容器４９の突出部４９ｂが挿通される開口が形成されている。突出部４９ｂは、電子源筐体３１に一体的に形成された筒状部５６にも挿通されており、Ｏリング５７を介して、筒状部５６に気密に設けられている。エネルギー線源３２は、電子源筐体３１に着脱自在に設けられている。エネルギー線源３２からのエネルギー線が胴部３３ａの開口を介して光電子放出体３３の光電子放出面に照射されるのであれば、密封容器４９の突出部４９ｂは、光電子放出体３３の胴部３３ａの開口に挿通されていなくてもよい。電子源筐体３１は、胴部３３ａの開口を臨む位置に、エネルギー線を透過する窓材を備えていてもよい。この場合、エネルギー線源３２は電子源筐体３１の内部雰囲気外に配置される。 As shown in FIG. 18, the body portion 33 a of the photoelectron emitter 33 is formed with an opening through which the protruding portion 49 b of the sealed container 49 included in the energy ray source 32 is inserted. The protruding portion 49 b is also inserted into a cylindrical portion 56 formed integrally with the electron source housing 31, and is airtightly provided on the cylindrical portion 56 via an O-ring 57. The energy beam source 32 is detachably provided on the electron source housing 31. If the energy beam from the energy beam source 32 is applied to the photoelectron emission surface of the photoelectron emitter 33 through the opening of the body portion 33 a, the protruding portion 49 b of the sealed container 49 is the body portion 33 a of the photoelectron emitter 33. It does not need to be inserted through the opening. The electron source housing 31 may include a window material that transmits energy rays at a position facing the opening of the trunk portion 33a. In this case, the energy beam source 32 is disposed outside the internal atmosphere of the electron source housing 31.

　光電子放出体３３は、エネルギー線源３２からのエネルギー線が照射されることにより、光電子を放出する。このとき、電子源ユニット３内に加速電界（たとえば、２００Ｖ）が形成されている場合、図１９に示されるように、放出された光電子が、電子源ユニット３から放出される。図１９は、電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。図１９では、光電子の飛行軌跡が示されている。光電子は、広範囲に拡がりながらも、処理室部２０の中央部に向けて集中するように飛行している。実際には、光電子は、荷電粒子形成用ガスの分子に衝突することにより、処理対象物ＰＯには殆ど到達しない。 The photoelectron emitter 33 emits photoelectrons when irradiated with energy rays from the energy ray source 32. At this time, when an acceleration electric field (for example, 200 V) is formed in the electron source unit 3, the emitted photoelectrons are emitted from the electron source unit 3 as shown in FIG. 19. FIG. 19 is a diagram for explaining the emission of photoelectrons from the electron source unit. In FIG. 19, the flight trajectory of photoelectrons is shown. While the photoelectrons spread over a wide range, they fly so as to concentrate toward the center of the processing chamber 20. Actually, the photoelectrons hardly reach the processing object PO by colliding with molecules of the charged particle forming gas.

　本変形例では、光電子放出体３３からの光電子の放出と、放出された光電子の処理部１側への移動と、が効率よく行われる。図１６に示された電子源ユニット３では、エネルギー線源３２の突出部４９ｂが光電子放出体３３の胴部３３ａに形成された開口に挿通されているため、エネルギー線源３２から放出されたエネルギー線が、処理空間に直接照射され難い。このため、処理空間におけるエネルギー線が照射された部位に物質の解離などが生じるのを抑制することができる。 In this modification, the photoelectron emission from the photoelectron emitter 33 and the movement of the emitted photoelectron to the processing unit 1 side are efficiently performed. In the electron source unit 3 shown in FIG. 16, the protrusion 49b of the energy beam source 32 is inserted into the opening formed in the body portion 33a of the photoelectron emitter 33, so that the energy emitted from the energy beam source 32 is The line is difficult to irradiate directly into the processing space. For this reason, dissociation of a substance and the like can be suppressed from occurring at a site irradiated with energy rays in the processing space.

　図２０及び図２１を参照して、光電子放出体３３の変形例を説明する。図２０は、光電子放出体の変形例を示す斜視図である。図２１は、電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。 A modification of the photoelectron emitter 33 will be described with reference to FIGS. FIG. 20 is a perspective view showing a modification of the photoelectron emitter. FIG. 21 is a diagram for explaining the emission of photoelectrons from the electron source unit.

　図２０中の（ａ）に示された光電子放出体３３では、底部３３ｂの内側面は、平面部分と、傾斜面部分と、を含んでいる。平面部分は、胴部３３ａの内径より小さい直径を有している。傾斜面部分は、胴部３３ａの端から胴部３３ａの平面部分にテーパ状に傾斜している。すなわち、底部３３ｂの内側面により形成される空間は、円錐台形状を呈する。図２０中の（ｂ）に示された光電子放出体３３では、底部３３ｂの内側面は、凹状球面を呈している。 In the photoelectron emitter 33 shown in FIG. 20A, the inner surface of the bottom 33b includes a flat surface portion and an inclined surface portion. The plane portion has a smaller diameter than the inner diameter of the body portion 33a. The inclined surface portion is inclined in a tapered manner from the end of the trunk portion 33a to the flat portion of the trunk portion 33a. That is, the space formed by the inner surface of the bottom 33b has a truncated cone shape. In the photoelectron emitter 33 shown in FIG. 20B, the inner surface of the bottom 33b has a concave spherical surface.

　図２０中の（ａ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合、図２１中の（ａ）に示されるように、図１８に示された光電子放出体３３が用いられた場合よりも、光電子は、処理筐体２の中央部に向けてより集中するように飛行する。図２０中の（ｂ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合、図２１中の（ｂ）に示されるように、図１８に示された光電子放出体３３が用いられた場合よりも、光電子は、処理筐体２の中央部のより広い範囲に向けて飛行する。 When the photoelectron emitter 33 shown in FIG. 20A is used, as shown in FIG. 21A, the photoelectron emitter 33 shown in FIG. 18 is used. However, the photoelectrons fly so as to concentrate more toward the central portion of the processing housing 2. When the photoelectron emitter 33 shown in FIG. 20B is used, as shown in FIG. 21B, the photoelectron emitter 33 shown in FIG. 18 is used. However, the photoelectrons fly toward a wider area in the central portion of the processing housing 2.

　図２０中の（ｃ）に示された光電子放出体３３は、複数の電極部分（本変形例では、第一、第二、及び第三電極部分５８ａ，５８ｂ，５８ｃ）を有している。第一電極部分５８ａは、光電子放出部を備えており、光電子放出体３３の本体部である。第一電極部分５８ａと第二電極部分５８ｂとの間には、電気絶縁体５９ａが配置されており、第一電極部分５８ａと第二電極部分５８ｂとは、電気絶縁体５９ａにより電気的に絶縁されている。第二電極部分５８ｂと第三電極部分５８ｃとの間には、電気絶縁体５９ｂが配置されており、第二電極部分５８ｂと第三電極部分５８ｃとは、電気絶縁体５９ｂにより電気的に絶縁されている。たとえば、第一電極部分５８ａと第三電極部分５８ｃとが負の電位とされ、第二電極部分５８ｂがグラウンド電位とされる。第二電極部分５８ｂは、メッシュ形状を呈していてもよい。第一電極部分５８ａには、エネルギー線源３２が備える密封容器４９の突出部４９ｂが挿通される開口が形成されている。第一電極部分５８ａの底部には、固定基板５３と螺合する突部が形成されている。 The photoelectron emitter 33 shown in (c) of FIG. 20 has a plurality of electrode portions (first, second, and

third electrode portions

58a, 58b, and 58c in this modification). The first electrode portion 58 a includes a photoelectron emission portion and is a main body portion of the photoelectron emitter 33. An electrical insulator 59a is disposed between the first electrode portion 58a and the second electrode portion 58b, and the first electrode portion 58a and the second electrode portion 58b are electrically insulated by the electrical insulator 59a. Has been. An electrical insulator 59b is disposed between the second electrode portion 58b and the third electrode portion 58c, and the second electrode portion 58b and the third electrode portion 58c are electrically insulated by the electrical insulator 59b. Has been. For example, the first electrode portion 58a and the third electrode portion 58c are set to a negative potential, and the second electrode portion 58b is set to the ground potential. The second electrode portion 58b may have a mesh shape. The first electrode portion 58a is formed with an opening through which the protruding portion 49b of the sealed container 49 provided in the energy ray source 32 is inserted. At the bottom of the first electrode portion 58a, a protrusion that is screwed with the fixed substrate 53 is formed.

　図２０中の（ｃ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合、図２１中の（ｃ）に示されるように、図１８並びに図２０中の（ａ）及び（ｂ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合よりも、処理筐体２の中央部に向けて全体的に集中するように飛行する。図２０中の（ｃ）に示された光電子放出体３３は、図２１中の（ｃ）に示されるように、電子源ユニット３が、処理筐体２の本体部分から突出する突出部に設けられる構成において、有用である。この場合、突出部での光電子の吸収などが抑制され、光電子を効率よく、電子源ユニット３に導くことができる。すなわち、光電子放出体３３の本体部である第一電極部分５８ａと電極部１１との間に、光電子を制御するための光電子制御部としての第二電極部分５８ｂ及び第三電極部分５８ｃが配置されているので、処理空間内における光電子の入射範囲を制御することができる。第一、第二、及び第三電極部分５８ａ，５８ｂ，５８ｃの電位を変更することにより、光電子を集中させることなく、発散するように飛行させることができる。 When the photoelectron emitter 33 shown in (c) of FIG. 20 is used, as shown in (c) of FIG. 21, it is shown in (a) and (b) of FIG. 18 and FIG. As compared with the case where the photoelectron emitter 33 is used, it flies so as to concentrate on the whole toward the central portion of the processing housing 2. In the photoelectron emitter 33 shown in (c) of FIG. 20, the electron source unit 3 is provided in a protruding portion protruding from the main body of the processing housing 2 as shown in (c) of FIG. 21. Is useful in certain configurations. In this case, absorption of photoelectrons at the protrusion is suppressed, and photoelectrons can be efficiently guided to the electron source unit 3. That is, the second electrode portion 58b and the third electrode portion 58c as a photoelectron control unit for controlling photoelectrons are disposed between the first electrode portion 58a and the electrode portion 11 which are main body portions of the photoelectron emitter 33. Therefore, the incident range of photoelectrons in the processing space can be controlled. By changing the potentials of the first, second, and

third electrode portions

58a, 58b, and 58c, the photoelectrons can be caused to diverge without being concentrated.

　（第４実施形態）
　図２２～図２４を参照して、第４実施形態に係る帯電処理装置Ｃ２の構成を説明する。図２２は、第４実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。図２３は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。図２４は、図２３に示された電子源ユニットの断面図である。 (Fourth embodiment)
With reference to FIGS. 22 to 24, the configuration of the charging apparatus C2 according to the fourth embodiment will be described. FIG. 22 is a perspective view showing a charging processing apparatus according to the fourth embodiment. FIG. 23 is a perspective view showing an example of an electron source unit. 24 is a cross-sectional view of the electron source unit shown in FIG.

　帯電処理装置Ｃ２は、図２２に示されるように、処理部１と電子源ユニット３とを備えている。処理部１は、処理筐体２、処理室部２０、給気部２１、及び排気部２３を有している。帯電処理装置Ｃ２は、帯電処理装置Ｃ１と同じく、帯電していない処理対象物を正又は負の電位に帯電させることが可能である。帯電処理装置Ｃ２は、正又は負の電位に帯電している処理対象物を除電すること又は所望の電位に変えることも可能である。 The charging processing device C2 includes a processing unit 1 and an electron source unit 3 as shown in FIG. The processing unit 1 includes a processing housing 2, a processing chamber unit 20, an air supply unit 21, and an exhaust unit 23. Similarly to the charging processing device C1, the charging processing device C2 can charge an uncharged processing target to a positive or negative potential. The electrification processing device C2 can neutralize a processing target charged to a positive or negative potential or change it to a desired potential.

　電子源ユニット３は、処理室部２０（処理部１）内に配置されている。電子源ユニット３は、図２３にも示されるように、電極部１１、電子発生源３０、電流導入端子３４、窓材６０、固定基板６１、絶縁性基板６２、及びフランジ６３を有している。電子発生源３０は、エネルギー線源３２と、光電子放出体３３と、を含んでいる。 The electron source unit 3 is disposed in the processing chamber unit 20 (processing unit 1). As shown in FIG. 23, the electron source unit 3 includes an electrode unit 11, an electron generation source 30, a current introduction terminal 34, a window material 60, a fixed substrate 61, an insulating substrate 62, and a flange 63. . The electron generation source 30 includes an energy beam source 32 and a photoelectron emitter 33.

　光電子放出体３３は、図２４にも示されるように、胴部３３ａと一対の底部３３ｂとを有しており、両端が閉塞された筒形状を呈している。各底部３３ｂの内側面は、平面とされている。胴部３３ａには、開口が形成されている。胴部３３ａに形成された開口から、光電子が電子源ユニット３外に放出される。 As shown in FIG. 24, the photoelectron emitter 33 has a body portion 33a and a pair of bottom portions 33b, and has a cylindrical shape with both ends closed. The inner surface of each bottom 33b is a flat surface. An opening is formed in the body portion 33a. Photoelectrons are emitted out of the electron source unit 3 from the opening formed in the trunk portion 33a.

　一方の底部３３ｂにも、開口が形成されている。底部３３ｂに形成された開口には、窓材６０が設けられており、開口は窓材６０により封止されている。窓材６０は、所定波長のエネルギー線を透過する。窓材６０を通して、光電子放出体３３内にエネルギー線が入射する。エネルギー線がたとえば軟Ｘ線である場合には、窓材６０は、Ｂｅ又はＴｉの薄膜などのＸ線透過性材料からなる。エネルギー線がたとえばＵＶ光又はＶＵＶ光である場合には、窓材６０は、石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる。窓材６０における光電子放出体３３の内側に向かう面には、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜が形成されていてもよい。 An opening is also formed in one bottom 33b. A window material 60 is provided in the opening formed in the bottom 33 b, and the opening is sealed by the window material 60. The window material 60 transmits energy rays having a predetermined wavelength. Energy rays enter the photoelectron emitter 33 through the window member 60. When the energy beam is, for example, soft X-rays, the window member 60 is made of an X-ray transmissive material such as a thin film of Be or Ti. When the energy beam is, for example, UV light or VUV light, the window material 60 is made of quartz glass, MgF ₂ or the like. A thin film having a transmissive photocathode and having conductivity may be formed on the surface of the window member 60 facing the photoelectron emitter 33.

　光電子放出体３３は、固定基板６１及び絶縁性基板６２を介して、フランジ６３に設けられている。固定基板６１及びフランジ６３は、導電性を有している。光電子放出体３３は、ねじ止めにより、固定基板６１に着脱自在に設けられる。光電子放出体３３は、固定基板６１と電気的に接続されている。固定基板６１は、ねじ止めなどにより、絶縁性基板６２に着脱自在に設けられる。絶縁性基板６２は、ねじ止めなどにより、フランジ６３に着脱自在に設けられる。フランジ６３には、二つの電流導入端子３４ａ，３４ｂが気密に設けられている。電流導入端子３４ａは、固定基板６１と電気的に接続され、固定基板６１を通して光電子放出体３３と電気的に接続されている。電流導入端子３４ｂは、絶縁性基板６２に固定された電極部１１と電気的に接続されている。電流導入端子３４ａを通して光電子放出体３３に、後述する加速電界を形成するための電位がそれぞれ供給される。電流導入端子３４ｂを通して電極部１１に、後述する加速電界を形成するための電位がそれぞれ供給される。加速電界は、光電子放出体３３にて発生した光電子を電極部１１に向けて加速させる。 The photoelectron emitter 33 is provided on the flange 63 via the fixed substrate 61 and the insulating substrate 62. The fixed substrate 61 and the flange 63 have conductivity. The photoelectron emitter 33 is detachably provided on the fixed substrate 61 by screwing. The photoelectron emitter 33 is electrically connected to the fixed substrate 61. The fixed substrate 61 is detachably provided on the insulating substrate 62 by screwing or the like. The insulating substrate 62 is detachably provided on the flange 63 by screwing or the like. The flange 63 is provided with two

current introduction terminals

34a and 34b in an airtight manner. The current introduction terminal 34 a is electrically connected to the fixed substrate 61, and is electrically connected to the photoelectron emitter 33 through the fixed substrate 61. The current introduction terminal 34 b is electrically connected to the electrode portion 11 fixed to the insulating substrate 62. Potentials for forming an accelerating electric field to be described later are supplied to the photoelectron emitter 33 through the current introduction terminal 34a. A potential for forming an accelerating electric field described later is supplied to the electrode portion 11 through the current introduction terminal 34b. The acceleration electric field accelerates the photoelectrons generated in the photoelectron emitter 33 toward the electrode portion 11.

　エネルギー線源３２は、エネルギー線の出射部位（たとえば、光出射窓など）が窓材６０と対向（接触）するように配置されている。エネルギー線源３２は、固定基板６１、絶縁性基板６２、及びフランジ６３に形成された各貫通孔に挿通された状態で、フランジ６３に設けられている。エネルギー線源３２は、Ｏリング６４を介して、フランジ６３に気密に設けられている。光電子放出体３３に形成された開口に窓材６０が設けられることなく、開口にエネルギー線源３２のエネルギー線出射部が挿入されてもよい。光電子放出体３３に形成された開口を通して、エネルギー線のみをエネルギー線源３２から光電子放出体３３に導入してもよい。この場合、Ｏリングなどを用いて、固定基板６１とエネルギー線源３２との間が気密に密閉されていてもよい。 The energy ray source 32 is disposed such that an exit portion (for example, a light exit window) of the energy ray faces (contacts) the window material 60. The energy ray source 32 is provided in the flange 63 in a state of being inserted through the through holes formed in the fixed substrate 61, the insulating substrate 62, and the flange 63. The energy ray source 32 is airtightly provided on the flange 63 via an O-ring 64. The energy beam emitting part of the energy beam source 32 may be inserted into the opening without providing the window member 60 in the opening formed in the photoelectron emitter 33. Only the energy beam may be introduced from the energy beam source 32 to the photoelectron emitter 33 through the opening formed in the photoelectron emitter 33. In this case, the space between the fixed substrate 61 and the energy ray source 32 may be hermetically sealed using an O-ring or the like.

　電極部１１は、図２３にも示されるように、筒形状を呈し、胴部３３ａの外周外側に位置している。すなわち、電極部１１は、胴部３３ａを囲むように、胴部３３ａの外側に配置されている。電極部１１は、ねじ止めなどにより、絶縁性基板６２に着脱自在に設けられる。電極部１１は、処理室部２０と同じ電位とされる。電極部１１は、処理室部２０との直接接触、又は、導電性部材を介した電気的接続により、処理室部２０と同じ電位としてもよい。電極部１１は、別途設けた給電部材によって処理室部２０と同じ電位を供給することにより、処理室部２０と同じ電位としてもよい。所望の電位がフランジ６３の電位と等しい場合（たとえば、除電する場合）には、絶縁性基板６２を設けることなく、電極部１１はフランジ６３に直接固定されてもよい。本実施形態においても、電極部１１は、光電子放出体３３とは電気的に絶縁されている。 As shown in FIG. 23, the electrode part 11 has a cylindrical shape and is located outside the outer periphery of the body part 33a. That is, the electrode part 11 is arrange | positioned on the outer side of the trunk | drum 33a so that the trunk | drum 33a may be enclosed. The electrode part 11 is detachably provided on the insulating substrate 62 by screwing or the like. The electrode unit 11 is set to the same potential as the processing chamber unit 20. The electrode unit 11 may have the same potential as the processing chamber unit 20 by direct contact with the processing chamber unit 20 or by electrical connection via a conductive member. The electrode unit 11 may have the same potential as that of the processing chamber unit 20 by supplying the same potential as that of the processing chamber unit 20 by a separately provided power supply member. When the desired potential is equal to the potential of the flange 63 (for example, when neutralizing), the electrode unit 11 may be directly fixed to the flange 63 without providing the insulating substrate 62. Also in this embodiment, the electrode part 11 is electrically insulated from the photoelectron emitter 33.

　電極部１１は、胴部３３ａに形成された開口と対向するように、絶縁性基板６２に設けられている。電極部１１は、電子源ユニット３（電子発生源３０）と処理対象物ＰＯとの間に配置される。電極部１１のメッシュの大きさは、光電子の通過率が高く、かつ、電極部１１の内側と外側との間で電界の染み出しが極めて少ない大きさに設定される。電極部１１は、胴部３３ａに形成された開口と対向する領域のみが、メッシュ状とされていてもよい。電子源ユニット３内の空間は、胴部３３ａに形成された開口及びメッシュ状の電極部１１を通して、処理部１の処理室部２０内の処理空間と連通している。メッシュには、網状の構造体だけでなく、格子状、多孔状、又は多段櫛刃状などの構造体が含まれる。メッシュは、所定の領域を複数の領域に二次元的に分割する構造体である。メッシュ状の導電性部材が電極部１１として用いられた際には、電極部１１は、電子の透過と電界の形成とを可能とする。 The electrode portion 11 is provided on the insulating substrate 62 so as to face the opening formed in the body portion 33a. The electrode unit 11 is disposed between the electron source unit 3 (electron generation source 30) and the processing object PO. The size of the mesh of the electrode portion 11 is set to a size with a high photoelectron transmission rate and very little electric field leakage between the inside and the outside of the electrode portion 11. Only the area | region which opposes the opening formed in the trunk | drum 33a for the electrode part 11 may be made into mesh shape. The space in the electron source unit 3 communicates with the processing space in the processing chamber section 20 of the processing section 1 through the opening formed in the trunk section 33a and the mesh-shaped electrode section 11. The mesh includes not only a net-like structure but also a lattice, porous, or multi-stage comb blade. The mesh is a structure that two-dimensionally divides a predetermined area into a plurality of areas. When a mesh-like conductive member is used as the electrode part 11, the electrode part 11 enables transmission of electrons and formation of an electric field.

　電子源ユニット３には、電子発生源３０（光電子放出体３３）にて発生した光電子を電極部１１に向けて加速させる加速電界が形成される。加速電界は、電極部１１と光電子放出体３３との電位差により形成される。光電子放出体３３から放出された光電子は、胴部３３ａに形成された開口を通して、電子源ユニット３から導出される。 In the electron source unit 3, an accelerating electric field for accelerating photoelectrons generated from the electron generation source 30 (photoelectron emitter 33) toward the electrode portion 11 is formed. The acceleration electric field is formed by a potential difference between the electrode portion 11 and the photoelectron emitter 33. Photoelectrons emitted from the photoelectron emitter 33 are led out from the electron source unit 3 through an opening formed in the body portion 33a.

　帯電処理装置Ｃ２は、管状部材６５を備えている。管状部材６５の一端部には、フランジ６３が着脱自在でかつ気密に設けられている。すなわち、管状部材６５は、電子源ユニット３（光電子放出体３３）が配置されている一端部を有する。フランジ６３は、ねじ止めなどにより、管状部材６５の一端部に設けられる。フランジ６３と管状部材６５の一端部との間には、Ｏリング６６が設けられている。Ｏリング６６は、フランジ６３の気密状態を保つ。管状部材６５の一端部は、フランジ６３により閉塞される。 The charging device C2 includes a tubular member 65. A flange 63 is detachably and airtightly provided at one end of the tubular member 65. That is, the tubular member 65 has one end where the electron source unit 3 (photoelectron emitter 33) is disposed. The flange 63 is provided at one end of the tubular member 65 by screwing or the like. An O-ring 66 is provided between the flange 63 and one end of the tubular member 65. The O-ring 66 keeps the flange 63 airtight. One end of the tubular member 65 is closed by a flange 63.

　管状部材６５の他端部には、真空フランジ６７が設けられている。管状部材６５の他端部は、開放されている。管状部材６５は、真空フランジ６７が処理筐体２に装着されることにより、処理筐体２に設けられる。管状部材６５は、着脱自在に処理筐体２に設けられている。管状部材６５及び真空フランジ６７は、導電性を有している。フランジ６３、管状部材６５、及び真空フランジ６７は、たとえばステンレス鋼などからなる。真空フランジ６７は、管状部材６５と一体形成されていてもよく、また、管状部材６５と別体に形成されていてもよい。 A vacuum flange 67 is provided at the other end of the tubular member 65. The other end of the tubular member 65 is open. The tubular member 65 is provided in the processing casing 2 by attaching the vacuum flange 67 to the processing casing 2. The tubular member 65 is detachably provided in the processing housing 2. The tubular member 65 and the vacuum flange 67 have conductivity. The flange 63, the tubular member 65, and the vacuum flange 67 are made of, for example, stainless steel. The vacuum flange 67 may be formed integrally with the tubular member 65, or may be formed separately from the tubular member 65.

　処理筐体２における管状部材６５が設けられる位置には、開口部が形成されている。処理室部２０にも、管状部材６５の一端部側で保持された電極部１１が挿通される開口部が形成されている。すなわち、管状部材６５は、一端部（電子源ユニット３）が処理筐体２内に位置すると共に、電極部１１が処理室部２０内に位置するように、開口部に挿通された状態で、処理筐体２に設けられる。したがって、管状部材６５の他端部は、管状部材６５の内側空間が処理部１（処理室部２０）の外側空間と繋がるように、処理筐体２に設けられる。管状部材６５が処理筐体２に設けられた状態であっても、管状部材６５の内側空間は、処理部１の外気と同じ雰囲気となる。管状部材６５の長さ、及び、処理筐体２及び処理室部２０における開口部が形成される位置は、処理対象物ＰＯの位置などに応じて、適宜設定される。 An opening is formed at a position where the tubular member 65 is provided in the processing housing 2. The processing chamber portion 20 is also formed with an opening through which the electrode portion 11 held on one end side of the tubular member 65 is inserted. That is, the tubular member 65 is inserted into the opening so that the one end (electron source unit 3) is located in the processing housing 2 and the electrode 11 is located in the processing chamber 20. Provided in the processing housing 2. Therefore, the other end portion of the tubular member 65 is provided in the processing housing 2 so that the inner space of the tubular member 65 is connected to the outer space of the processing portion 1 (processing chamber portion 20). Even when the tubular member 65 is provided in the processing housing 2, the inner space of the tubular member 65 has the same atmosphere as the outside air of the processing unit 1. The length of the tubular member 65 and the position where the opening in the processing housing 2 and the processing chamber 20 is formed are appropriately set according to the position of the processing object PO and the like.

　電流導入端子３４に接続される電源線、及び、エネルギー線源３２に接続される電源線は、管状部材６５の内側空間を通り、処理筐体２外に導出される。エネルギー線源３２を冷却する必要がある場合、管状部材６５の内側空間は、エネルギー線源３２を冷却する流体の導入及び排出経路に利用される。 The power supply line connected to the current introduction terminal 34 and the power supply line connected to the energy ray source 32 pass through the inner space of the tubular member 65 and are led out of the processing casing 2. When the energy beam source 32 needs to be cooled, the inner space of the tubular member 65 is used for the introduction and discharge paths of the fluid that cools the energy beam source 32.

　本実施形態においても、電子源ユニット３が用いられた帯電処理装置Ｃ２では、上述した帯電処理装置Ｃ１と同様に、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い。 Also in the present embodiment, in the charging processing device C2 using the electron source unit 3, the effect of being able to charge the processing object PO to a desired potential is extremely high as in the above-described charging processing device C1.

　光電子放出体３３は、光電子を電子源ユニット３外に放出する開口が形成された胴部３３ａを有している。電極部１１は、筒形状を呈し、胴部３３ａを囲むように胴部３３ａの外側に配置されている。これらにより、メッシュ状の電極部１１を電子源ユニット３と処理対象物ＰＯとの間に確実に配置することができる。 The photoelectron emitter 33 has a body portion 33 a in which an opening for emitting photoelectrons to the outside of the electron source unit 3 is formed. The electrode part 11 has a cylindrical shape and is arranged outside the body part 33a so as to surround the body part 33a. Thus, the mesh-like electrode portion 11 can be reliably disposed between the electron source unit 3 and the processing object PO.

　本実施形態では、帯電処理装置Ｃ２は、電子源ユニット３が配置されている一端部を有する管状部材６５を備えている。管状部材６５の他端部は、管状部材６５の内側空間が処理部１（処理室部２０）の外側空間と繋がるように、処理部１に設けられている。このため、管状部材６５の内側空間を、電子源ユニット３に接続される電源線の配線スペースと、電子源ユニット３を冷却する流体の導入及び排出経路と、に利用することができる。 In the present embodiment, the charging device C2 includes a tubular member 65 having one end where the electron source unit 3 is disposed. The other end of the tubular member 65 is provided in the processing unit 1 such that the inner space of the tubular member 65 is connected to the outer space of the processing unit 1 (processing chamber unit 20). For this reason, the inner space of the tubular member 65 can be used for the wiring space of the power supply line connected to the electron source unit 3 and the introduction and discharge paths of the fluid for cooling the electron source unit 3.

　次に、図２５を参照して、第４実施形態の変形例を説明する。図２５は、第４実施形態の変形例に係る除電処理装置を示す斜視図である。 Next, a modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 25 is a perspective view showing a charge removal processing apparatus according to a modification of the fourth embodiment.

　本変形例においては、帯電処理装置が、特に、正又は負の電位に帯電した処理対象物ＰＯの帯電を中和する、いわゆる除電処理装置である変形例を説明する。処理部１は前述の実施形態と同様に処理室部２０を備えていてもよい。図２５では、説明を容易にするため、処理部１の処理空間が導電性材料からなる処理筐体２のみで構成された態様が示されている。処理筐体２（少なくとも処理筐体２の内表面）と電極部１１は、所望の帯電中和レベル（たとえばグラウンド電位）に設定できるように構成されている。このため、正負いずれに帯電した処理対象物ＰＯであっても、所望の帯電中和レベル（たとえばグラウンド電位）にすることができる。除電処理とは、所望の帯電中和レベルへの帯電処理である。本変形例の除電処理装置の動作機構は、前述の帯電処理装置の動作機構と同様である。 In this modification, a modification will be described in which the charging apparatus is a so-called static elimination apparatus that neutralizes the charging of the processing object PO charged to a positive or negative potential. The processing unit 1 may include a processing chamber unit 20 as in the above-described embodiment. FIG. 25 shows an aspect in which the processing space of the processing unit 1 is configured only by the processing casing 2 made of a conductive material for ease of explanation. The processing housing 2 (at least the inner surface of the processing housing 2) and the electrode unit 11 are configured to be set to a desired charge neutralization level (for example, ground potential). For this reason, even if the processing object PO is charged positively or negatively, a desired charge neutralization level (for example, ground potential) can be obtained. The charge removal treatment is a charge treatment to a desired charge neutralization level. The operation mechanism of the static elimination processing apparatus of this modification is the same as the operation mechanism of the above-described charging processing apparatus.

　図２５に示された除電処理装置ＮＡ２では、管状部材６５が屈曲可能なフレキシブル管である。管状部材６５がフレキシブル管である場合、処理筐体２内における電子源ユニット３の位置を自由に設定することができる。たとえば、装置としての構成上、処理筐体２内に除電処理に際しての障害物６９が存在する場合、障害物６９を回避して、電子源ユニット３を処理対象物ＰＯの近傍に位置させることができる。 In the static elimination apparatus NA2 shown in FIG. 25, the tubular member 65 is a flexible tube that can be bent. When the tubular member 65 is a flexible tube, the position of the electron source unit 3 in the processing housing 2 can be freely set. For example, in the configuration of the apparatus, when there is an obstacle 69 for the static elimination process in the processing housing 2, the obstacle 69 can be avoided and the electron source unit 3 can be positioned in the vicinity of the processing object PO. it can.

　（第５実施形態）
　図２６及び図２７を参照して、第５実施形態に係る除電処理装置ＮＡ３の構成を説明する。図２６は、第５実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。図２７は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。第５実施形態に係る除電処理装置ＮＡ３は、管状部材６５を備えていない点で、図２５に示された除電処理装置ＮＡ２と相違する。 (Fifth embodiment)
With reference to FIG.26 and FIG.27, the structure of static elimination processing apparatus NA3 which concerns on 5th Embodiment is demonstrated. FIG. 26 is a perspective view showing a charge removal processing apparatus according to the fifth embodiment. FIG. 27 is a perspective view showing an example of an electron source unit. The charge removal processing device NA3 according to the fifth embodiment is different from the charge removal processing device NA2 shown in FIG. 25 in that the tubular member 65 is not provided.

　除電処理装置ＮＡ３は、図２６に示されるように、処理部１と電子源ユニット３とを備えている。処理部１は、処理筐体２、給気部２１、及び排気部２３を有している。 The static elimination processing device NA3 includes a processing unit 1 and an electron source unit 3 as shown in FIG. The processing unit 1 includes a processing housing 2, an air supply unit 21, and an exhaust unit 23.

　電子源ユニット３は、処理筐体２（処理部１）内に配置されている。電子源ユニット３は、電子発生源５（カソード６）、電極部１１、複数の電流導入端子７１，７３，７７、基板７４、カバー７５、及び絶縁性基板７６を有している。 The electron source unit 3 is disposed in the processing housing 2 (processing unit 1). The electron source unit 3 includes an electron generation source 5 (cathode 6), an electrode portion 11, a plurality of

current introduction terminals

71, 73, 77, a substrate 74, a cover 75, and an insulating substrate 76.

　カソード６の一端部は、電流導入端子７１に電気的に接続されている。カソード６の他端部は、導電性を有する支持ピン７２に接続されている。これにより、カソード６が直線状に架設される。支持ピン７２は、電流導入端子７３に電気的に接続されており、カソード６の他端部は、支持ピン７２を通して、電流導入端子７３に電気的に接続される。一対の電流導入端子７１，７３は、導電性を有する基板７４に気密に設けられている。 One end of the cathode 6 is electrically connected to the current introduction terminal 71. The other end of the cathode 6 is connected to a support pin 72 having conductivity. Thereby, the cathode 6 is constructed in a straight line. The support pin 72 is electrically connected to the current introduction terminal 73, and the other end of the cathode 6 is electrically connected to the current introduction terminal 73 through the support pin 72. The pair of

current introduction terminals

71 and 73 are airtightly provided on a conductive substrate 74.

　電子源ユニット３内には、カソード６に供給される電位によって、カソード６にて発生した熱電子を電極部１１に向けて加速させる加速電界が形成される。加速電界は、電極部１１とカソード６との電位差により形成される。一対の電流導入端子７１，７３は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。 In the electron source unit 3, an accelerating electric field for accelerating the thermoelectrons generated at the cathode 6 toward the electrode portion 11 is formed by the potential supplied to the cathode 6. The acceleration electric field is formed by a potential difference between the electrode portion 11 and the cathode 6. The pair of

current introduction terminals

71 and 73 function as a power feeding unit that supplies a potential to the electron generation source 5 (cathode 6).

　カバー７５は、導電性を有する。カバー７５は、有底筒形状を呈しており、カソード６及び支持ピン７２を囲むように、カソード６と電極部１１との間に配置されている。カバー７５の断面は、円形に限られず、多角形であってもよい。カバー７５には、開口７５ａが形成されている。熱電子は、カバー７５に形成された開口７５ａから電子源ユニット３外に放出される。カバー７５は、開口端側において、絶縁性基板７６に設けられている。絶縁性基板７６は、基板７４に設けられている。カバー７５は、基板７４と電気的に絶縁されている。 The cover 75 has conductivity. The cover 75 has a bottomed cylindrical shape, and is disposed between the cathode 6 and the electrode portion 11 so as to surround the cathode 6 and the support pin 72. The cross section of the cover 75 is not limited to a circle, and may be a polygon. An opening 75 a is formed in the cover 75. The thermoelectrons are emitted out of the electron source unit 3 through an opening 75 a formed in the cover 75. The cover 75 is provided on the insulating substrate 76 on the opening end side. The insulating substrate 76 is provided on the substrate 74. The cover 75 is electrically insulated from the substrate 74.

　電極部１１は、カバー７５を囲み、かつ、カバー７５全体を収容するようにカバー７５の外側に配置される。したがって、電極部１１は、カソード６を囲むようにカソード６の外側に配置される。電極部１１は、カソード６とは電気的に絶縁されている。電極部１１は、カバー７５に形成された開口７５ａと対向する領域のみが、メッシュ状とされていてもよい。電極部１１は、図示しない給電部材（たとえば真空対応のケーブル）を通して、処理筐体２と電気的に接続されている。たとえば、電極部１１が固定されていると共に電気的に接続された基板７４と、真空フランジ８０とが、真空対応のケーブルの外側の被覆網線を通して電気的に接続されると共に、真空フランジ８０が処理筐体２に固定される。真空フランジ８０が処理筐体２に固定されることにより、真空フランジ８０と処理筐体２とが電気的に接続される。これらにより、電極部１１と処理筐体２とが電気的に接続される。 The electrode unit 11 is disposed outside the cover 75 so as to surround the cover 75 and accommodate the entire cover 75. Accordingly, the electrode portion 11 is disposed outside the cathode 6 so as to surround the cathode 6. The electrode part 11 is electrically insulated from the cathode 6. In the electrode unit 11, only a region facing the opening 75 a formed in the cover 75 may be meshed. The electrode portion 11 is electrically connected to the processing casing 2 through a power supply member (not shown) (not shown). For example, the substrate 74 to which the electrode portion 11 is fixed and electrically connected, and the vacuum flange 80 are electrically connected through a sheathed wire outside the vacuum-compatible cable, and the vacuum flange 80 is Fixed to the processing housing 2. By fixing the vacuum flange 80 to the processing casing 2, the vacuum flange 80 and the processing casing 2 are electrically connected. By these, the electrode part 11 and the process housing | casing 2 are electrically connected.

　カバー７５は、電流導入端子７７と電気的に接続されている。電流導入端子７７は、基板７４に気密に設けられている。カバー７５には、電流導入端子７７を通して、カソード６の電位より小さい電位、又は、カソード６の電位と同等の電位が供給される。絶縁性基板７６には、各電流導入端子７１，７３，７７が挿通される貫通孔が形成されている。 The cover 75 is electrically connected to the current introduction terminal 77. The current introduction terminal 77 is airtightly provided on the substrate 74. A potential smaller than the potential of the cathode 6 or a potential equivalent to the potential of the cathode 6 is supplied to the cover 75 through the current introduction terminal 77. The insulating substrate 76 is formed with through holes through which the

current introduction terminals

71, 73 and 77 are inserted.

　各電流導入端子７１，７３，７７は、それぞれ真空対応のケーブル７８を通して、対応する電流導入端子７９に電気的に接続されている。各電流導入端子７９は、真空フランジ８０に気密に設けられている。真空フランジ８０は、着脱自在に処理筐体２に設けられる。処理筐体２における真空フランジ８０が設けられる位置には、開口部が形成されている。真空フランジ８０は、電子源ユニット３及び各ケーブル７８が処理筐体２内に位置するように開口部から挿通された状態で、処理筐体２に設けられる。すなわち、電子源ユニット３は、各ケーブル７８により、真空フランジ８０から吊り下げられた状態で、処理筐体２内に位置する。 Each

current introduction terminal

71, 73, 77 is electrically connected to a corresponding current introduction terminal 79 through a vacuum cable 78, respectively. Each current introduction terminal 79 is airtightly provided on the vacuum flange 80. The vacuum flange 80 is detachably provided on the processing housing 2. An opening is formed in the processing housing 2 at a position where the vacuum flange 80 is provided. The vacuum flange 80 is provided in the processing casing 2 in a state where the electron source unit 3 and each cable 78 are inserted through the opening so as to be positioned in the processing casing 2. That is, the electron source unit 3 is positioned in the processing housing 2 in a state where it is suspended from the vacuum flange 80 by the cables 78.

　本実施形態においても、電子源ユニット３が用いられた除電処理装置ＮＡ３では、上述した帯電処理装置Ｃ１，Ｃ２及び除電処理装置ＮＡ１，ＮＡ２と同様に、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させ得る（処理対象物ＰＯを除電させ得る）効果が極めて高い。 Also in the present embodiment, in the static eliminator NA3 using the electron source unit 3, the processing object PO is charged to a desired potential in the same manner as the above-described charging processors C1 and C2 and the static eliminator NA1 and NA2. The effect of obtaining (the processing object PO can be neutralized) is extremely high.

　本実施形態では、電子源ユニット３は、各ケーブル７８により吊り下げられているので、処理筐体２内における電子源ユニット３の位置を自由に設定することができる。この結果、処理対象物ＰＯを確実に除電することができる。 In the present embodiment, since the electron source unit 3 is suspended by the cables 78, the position of the electron source unit 3 in the processing housing 2 can be freely set. As a result, the processing object PO can be reliably discharged.

　本実施形態では、開口７５ａが形成されたカバー７５が、カソード６を囲むようにカソード６と電極部１１との間に配置されている。熱電子は、カソード６から放射状に放出される。カバー７５が、カソード６の電位以下の電位、つまりカソード６の電位と同等の電位、又は、カソード６の電位より小さい電位とされている場合、カソード６から放出された熱電子がカバー７５に形成された開口７５ａに効率よく向かうような電界が形成される。このため、開口７５ａから熱電子を効率よく放出させることができる。 In this embodiment, the cover 75 in which the opening 75 a is formed is disposed between the cathode 6 and the electrode portion 11 so as to surround the cathode 6. Thermal electrons are emitted radially from the cathode 6. When the cover 75 is at a potential lower than the potential of the cathode 6, that is, a potential equivalent to the potential of the cathode 6 or a potential lower than the potential of the cathode 6, the thermoelectrons emitted from the cathode 6 are formed in the cover 75. An electric field is formed so as to efficiently go to the opened opening 75a. For this reason, thermoelectrons can be efficiently emitted from the opening 75a.

　電極部１１は、筒形状を呈し、カソード６（カバー７５）を囲むようにカソード６（カバー７５）の外側に配置されている。これにより、メッシュ状の電極部１１を電子源ユニット３と処理対象物ＰＯとの間に確実に配置することができる。 The electrode part 11 has a cylindrical shape and is arranged outside the cathode 6 (cover 75) so as to surround the cathode 6 (cover 75). Thereby, the mesh-shaped electrode part 11 can be reliably arrange | positioned between the electron source unit 3 and the process target PO.

　次に、図２８を参照して、除電処理装置ＮＡ３に用いられる電子源ユニット３の変形例を説明する。図２８は、除電処理装置に用いられる電子源ユニットの変形例を示す斜視図である。 Next, a modification of the electron source unit 3 used in the charge removal processing device NA3 will be described with reference to FIG. FIG. 28 is a perspective view showing a modification of the electron source unit used in the charge removal processing apparatus.

　図２８に示された電子源ユニット３は、カソード６、電極部１１、一対の電流導入端子８１，８２、及び一対の基板８３を有している。カソード６の両端部は、一対の電流導入端子８１，８２に電気的に接続されている。カソード６は、一対の電流導入端子８１，８２の間を直線状に延びている。筒形状を呈する電極部１１は、カソード６を囲むようにカソード６の外側に配置されている。一対の電流導入端子８１，８２は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。 The electron source unit 3 shown in FIG. 28 has a cathode 6, an electrode portion 11, a pair of

current introduction terminals

81 and 82, and a pair of substrates 83. Both ends of the cathode 6 are electrically connected to a pair of

current introduction terminals

81 and 82. The cathode 6 extends linearly between the pair of

current introduction terminals

81 and 82. The electrode portion 11 having a cylindrical shape is disposed outside the cathode 6 so as to surround the cathode 6. The pair of

current introduction terminals

81 and 82 function as a power feeding unit that supplies a potential to the electron generation source 5 (cathode 6).

　カソード６が延びている方向での電極部１１の両端部は、一対の基板８３に電気的に接続されている。各基板８３は、対応する電流導入端子８１，８２に電気的に絶縁された状態で設けられている。一対の基板８３は、図示しない給電部材（たとえば真空対応のケーブル）を通して、処理筐体２と電気的に接続されている。たとえば、真空対応のケーブルの外側の被覆網線を通して、基板８３と真空フランジ８０とが電気的に接続されると共に、真空フランジ８０が処理筐体２に固定される。これにより、電極部１１と処理筐体２とは、一対の基板８３及び図示しない給電部材（たとえば真空対応のケーブル）を通して、互いに電気的に接続される。 Both ends of the electrode part 11 in the direction in which the cathode 6 extends are electrically connected to a pair of substrates 83. Each substrate 83 is provided in a state of being electrically insulated from the corresponding

current introduction terminals

81 and 82. The pair of substrates 83 is electrically connected to the processing housing 2 through a power supply member (for example, a vacuum compatible cable) not shown. For example, the substrate 83 and the vacuum flange 80 are electrically connected through the coated mesh wire outside the cable corresponding to vacuum, and the vacuum flange 80 is fixed to the processing casing 2. Thereby, the electrode part 11 and the process housing | casing 2 are mutually electrically connected through a pair of board | substrate 83 and the electric power feeding member (for example, cable corresponding to a vacuum) which is not shown in figure.

　各電流導入端子８１，８２は、それぞれ真空対応のケーブル８５を通して、対応する電流導入端子８６に電気的に接続されている。各電流導入端子８６は、真空フランジ８０に気密に設けられている。図示は省略するが、真空フランジ８０は、上述した第５実施形態での真空フランジ８０と同様に、着脱自在に処理筐体２に設けられる。処理筐体２における真空フランジ８０が設けられる位置には、開口部が形成されている。真空フランジ８０は、電子源ユニット３及び各ケーブル８５が処理筐体２内に位置するように開口部から挿通された状態で、処理筐体２に設けられる。すなわち、電子源ユニット３は、各ケーブル８５により、真空フランジ８０から吊り下げられた状態で、処理筐体２内に位置する。 The

current introduction terminals

81 and 82 are electrically connected to the corresponding current introduction terminals 86 through vacuum-compatible cables 85, respectively. Each current introduction terminal 86 is airtightly provided on the vacuum flange 80. Although illustration is omitted, the vacuum flange 80 is detachably provided in the processing casing 2 in the same manner as the vacuum flange 80 in the fifth embodiment described above. An opening is formed in the processing housing 2 at a position where the vacuum flange 80 is provided. The vacuum flange 80 is provided in the processing casing 2 in a state where the electron source unit 3 and each cable 85 are inserted through the opening so as to be positioned in the processing casing 2. That is, the electron source unit 3 is located in the processing housing 2 in a state where it is suspended from the vacuum flange 80 by the cables 85.

　本変形例でも、電子源ユニット３は、各ケーブル８５により吊り下げられているので、処理筐体２内における電子源ユニット３の位置を自由に設定することができる。この結果、処理対象物ＰＯを確実に除電することができる。 Also in this modification, since the electron source unit 3 is suspended by the cables 85, the position of the electron source unit 3 in the processing housing 2 can be freely set. As a result, the processing object PO can be reliably discharged.

　熱電子は、カソード６から放射状に放出される。このため、正及び負の荷電粒子を広範囲に生じさせることができ、除電処理を広範囲で行うことができる。 Thermoelectrons are emitted radially from the cathode 6. For this reason, positive and negative charged particles can be generated in a wide range, and the charge removal process can be performed in a wide range.

　続いて、図２９～図３１を参照して、本実施形態に係る帯電処理装置の適用例を説明する。図２９～図３１は、帯電処理装置の適用例を説明するための図である。 Subsequently, an application example of the charging apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 29 to 31 are diagrams for explaining application examples of the charging processing apparatus.

　図２９では、本実施形態に係る帯電処理装置が、フィルムＦの表面に機能性膜（たとえば、反射防止膜又はガスバリア膜など）を成膜する装置９０に適用されている。装置９０は、処理筐体２内に位置している。電子源ユニット３は、成膜部９１の前段に配置されており、成膜前のフィルムＦを除電する。 In FIG. 29, the charging apparatus according to the present embodiment is applied to an apparatus 90 for forming a functional film (for example, an antireflection film or a gas barrier film) on the surface of the film F. The device 90 is located in the processing housing 2. The electron source unit 3 is disposed in front of the film forming unit 91 and removes the film F before film formation.

　図３０では、本実施形態に係る帯電処理装置が、スパッタリング装置９２に適用されている。スパッタリング装置９２は、ターゲットＴを保持するターゲットホルダー９３、磁場発生用のマグネット９４、及び成膜対象物（たとえば、Ｓｉウェハなど）を保持する電極９５を備えている。本実施形態に係る帯電処理装置は、スパッタリングを行う前に、成膜対象物を除電する。電子源ユニット３は、処理筐体２内に位置していてもよい。 In FIG. 30, the charging apparatus according to this embodiment is applied to a sputtering apparatus 92. The sputtering apparatus 92 includes a target holder 93 that holds the target T, a magnet 94 for generating a magnetic field, and an electrode 95 that holds a film formation target (for example, a Si wafer). The charging apparatus according to the present embodiment neutralizes the film formation target before performing sputtering. The electron source unit 3 may be located in the processing housing 2.

　図３１では、本実施形態に係る帯電処理装置が、ハードディスクメディア用の基板９６の除電処理装置９７に適用されている。基板９６は、たとえばＡｌ又はガラスなどからなる。除電処理装置９７では、基板９６は、メディアホルダ９８に保持されている。除電処理装置９７で除電された基板９６には、成膜装置により、磁性体などからなる薄膜が形成される。本適用例でも、電子源ユニット３は、処理筐体２内に位置していてもよい。 In FIG. 31, the electrification processing apparatus according to the present embodiment is applied to a static elimination processing apparatus 97 for a substrate 96 for hard disk media. The substrate 96 is made of, for example, Al or glass. In the charge removal processing apparatus 97, the substrate 96 is held by the media holder 98. A thin film made of a magnetic material or the like is formed on the substrate 96 that has been neutralized by the neutralization processing apparatus 97 by the film deposition apparatus. Also in this application example, the electron source unit 3 may be located in the processing housing 2.

　以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not necessarily limited to embodiment mentioned above, A various change is possible in the range which does not deviate from the summary.

　たとえば、電子源ユニット３は、複数の電子発生源５を有していてもよい。電子発生源５は、複数のカソード６を含んでいてもよい。電子発生源３０は、複数のエネルギー線源３２を含んでいてもよい。帯電処理装置Ｃ１，Ｃ２及び除電処理装置ＮＡ１～ＮＡ３は、複数の電子源ユニット３を備えていてもよい。 For example, the electron source unit 3 may have a plurality of electron generation sources 5. The electron generation source 5 may include a plurality of cathodes 6. The electron generation source 30 may include a plurality of energy beam sources 32. The electrification processing devices C1 and C2 and the charge removal processing devices NA1 to NA3 may include a plurality of electron source units 3.

　図３２に示されるように、電子源ユニット３と処理部１とは、これらが一体化された帯電処理ユニットＣＵを構成していてもよい。すなわち、帯電処理ユニットＣＵは、電子源ユニット３と処理部１とを備えている。本例では、処理部１は、電子源筐体７の外側空間を処理空間とするための部材である。図３２は、帯電処理ユニットを示す斜視図である。処理部１の一端側には電子源ユニット３が固定されると共に、処理部１の他端側には開口部１ａが形成されている。開口部１ａは、処理対象物（図示せず）を処理部１内に導入するための導入部である。帯電処理は、たとえば、処理対象物が処理部１によって覆われるように、処理対象物に処理部１が被せられた状態で行われる。処理部１は、電極部１１と同じ所望の電位とされる。 As shown in FIG. 32, the electron source unit 3 and the processing unit 1 may constitute a charging processing unit CU in which they are integrated. That is, the charging processing unit CU includes an electron source unit 3 and a processing unit 1. In this example, the processing unit 1 is a member for setting the outer space of the electron source housing 7 as a processing space. FIG. 32 is a perspective view showing the charging processing unit. An electron source unit 3 is fixed to one end side of the processing unit 1, and an opening 1 a is formed on the other end side of the processing unit 1. The opening 1 a is an introduction unit for introducing a processing object (not shown) into the processing unit 1. For example, the charging process is performed in a state where the processing unit 1 is covered with the processing target so that the processing target is covered by the processing unit 1. The processing unit 1 has the same desired potential as the electrode unit 11.

　帯電処理ユニットＣＵでは、処理部１内への処理対象物の導入及び導出を容易に行うことができる。処理部１が、電極部１１と同じく所望の電位とされるため、処理空間を処理部１内に適切に形成することができる。 In the charging processing unit CU, the processing object can be easily introduced and derived from the processing unit 1. Since the processing unit 1 is set to a desired potential in the same manner as the electrode unit 11, the processing space can be appropriately formed in the processing unit 1.

　処理対象物の周囲が処理部１と同電位である場合、処理対象物に処理部１を被せることにより、開口部１ａが処理部１と同電位の部材で覆われてもよい。たとえば、処理対象物が処理部１と同電位である処理台上に配置され、その処理台に対して処理部１が被せられてもよい。処理部１と処理台とは、処理部１内において電界が安定に形成できるように十分に近接していればよい。また、処理部１と処理台とは、接触していてもよい。導入部となる開口部１ａは、電子発生源５と対向する面に限られず、たとえば側面などの電子源筐体７との接合部以外の部位に設けられていてもよい。電子発生源５と対向する面（図３２における開口部１ａに相当する面）は、処理部１と同電位の部材によって覆われていてもよい。 When the periphery of the processing object has the same potential as the processing unit 1, the opening 1 a may be covered with a member having the same potential as the processing unit 1 by covering the processing object with the processing unit 1. For example, the processing object may be disposed on a processing table having the same potential as the processing unit 1, and the processing unit 1 may be put on the processing table. The processing unit 1 and the processing table may be sufficiently close to each other so that an electric field can be stably formed in the processing unit 1. Moreover, the process part 1 and the process stand may be contacting. The opening 1a serving as the introduction portion is not limited to the surface facing the electron generation source 5, and may be provided at a site other than the junction with the electron source housing 7 such as a side surface. A surface facing the electron generation source 5 (a surface corresponding to the opening 1 a in FIG. 32) may be covered with a member having the same potential as that of the processing unit 1.

　処理部１の内部空間を、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とするために、帯電処理ユニットＣＵが配置される帯電処理部の内部空間自体が所定の圧力雰囲気下とされてもよい。また、図示しない荷電粒子形成用ガス供給部（及び排気部）によって、処理部１内が所定の圧力雰囲気下とされてもよい。前者の場合、処理部１は、帯電処理部の内部空間と連通しやすいようにメッシュ部が設けられていてもよい。後者の場合、図３２にも示されるように、処理部１は、処理部１の内側に帯電処理部の内部空間とは区画された空間が形成されるように、内側空間を囲む壁状部材からなっていてもよい。 Even if the internal space itself of the charging processing unit in which the charging processing unit CU is disposed is placed in a predetermined pressure atmosphere so that the internal space of the processing unit 1 is in a predetermined pressure atmosphere containing the charged particle forming gas. Good. Further, the inside of the processing unit 1 may be placed in a predetermined pressure atmosphere by a charged particle forming gas supply unit (and an exhaust unit) (not shown). In the former case, the processing unit 1 may be provided with a mesh unit so as to easily communicate with the internal space of the charging processing unit. In the latter case, as shown in FIG. 32, the processing unit 1 is a wall-shaped member that surrounds the inner space so that a space partitioned from the inner space of the charging processing unit is formed inside the processing unit 1. It may consist of

　電極部１１と処理部１とが同電位とされる場合、電極部１１と処理部１とは直接接触していてもよい。電極部１１と処理部１とは、導電性部材を介することにより、電気的に接続されていてもよい。電極部１１と処理部１とは、互いに個別の給電経路を通して同電位が供給されていてもよい。電極部１１は、処理部１と一体に形成されることにより、電子源筐体７と接続されていてもよい。電極部１１及び処理部１が電子源筐体７と絶縁され、かつ、電極部１１及び処理部１に所望の電位が供給されるように、たとえば、電極部１１及び処理部１は絶縁部材を介して電子源筐体７に固定されると共に、電極部１１及び処理部１に給電経路が接続されていてもよい。所望の電位の値によっては、電極部１１及び処理部１は、電子源筐体７と同電位になるように、電子源筐体７と直接固定されていてもよい。 When the electrode unit 11 and the processing unit 1 are at the same potential, the electrode unit 11 and the processing unit 1 may be in direct contact with each other. The electrode part 11 and the process part 1 may be electrically connected through the electroconductive member. The electrode unit 11 and the processing unit 1 may be supplied with the same potential through separate power feeding paths. The electrode unit 11 may be connected to the electron source housing 7 by being formed integrally with the processing unit 1. For example, the electrode unit 11 and the processing unit 1 are made of an insulating member so that the electrode unit 11 and the processing unit 1 are insulated from the electron source housing 7 and a desired potential is supplied to the electrode unit 11 and the processing unit 1. The power supply path may be connected to the electrode unit 11 and the processing unit 1 while being fixed to the electron source housing 7. Depending on the desired potential value, the electrode unit 11 and the processing unit 1 may be directly fixed to the electron source housing 7 so as to have the same potential as the electron source housing 7.

　図３３に示された処理部１は、開口部１ａと、処理対象物（図示せず）を処理部１から導出する開口部（導出部）１ｂと、を有している。一対の開口部１ａ，１ｂは、互いに対向するように位置している。処理部１における、電子発生源５と対向する部位は、閉塞されている。一対の開口部１ａ，１ｂの間において、連続した処理対象物、又は、連続した台座（図示せず）に搭載された処理対象物を移動させてもよい。これにより、処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。 33 has an opening 1a and an opening (derivation unit) 1b for deriving a processing object (not shown) from the processing unit 1. The processing unit 1 shown in FIG. The pair of

openings

1a and 1b are positioned so as to face each other. The site | part which opposes the electron generation source 5 in the process part 1 is obstruct | occluded. Between the pair of

openings

1a and 1b, a continuous processing object or a processing object mounted on a continuous base (not shown) may be moved. Thereby, the charging process of the processing object can be performed continuously.

　開口部１ａ，１ｂの大きさ（開口面積）は、処理対象物の大きさに極力近い大きさに設定されてもよい。処理対象物が台座に搭載される場合には、開口部１ａ，１ｂの大きさは、上記台座を含んだ大きさに極力近い大きさに設定されてもよい。この場合、処理部１の周辺に存在する別の電界が開口部１ａ，１ｂから処理部１内に浸入するのが抑制される。これにより、処理部１内の処理領域の電界に影響を与えることを抑制することができる。 The size (opening area) of the

openings

1a and 1b may be set as close as possible to the size of the object to be processed. When the processing object is mounted on the pedestal, the sizes of the

openings

1a and 1b may be set as close as possible to the size including the pedestal. In this case, another electric field existing around the processing unit 1 is prevented from entering the processing unit 1 from the

openings

1a and 1b. Thereby, it can suppress affecting the electric field of the process area | region in the process part 1. FIG.

　開口部１ａ，１ｂの数は、一対に限られない。処理部１は、複数対の開口部１ａ，１ｂを有していてもよい。複数対の開口部１ａ，１ｂは、処理対象物の導入方向（導出方向）から見て、左右に並ぶように位置させることができる。この場合、複数の処理対象物を並列して帯電処理することができる。 The number of

openings

1a and 1b is not limited to a pair. The processing unit 1 may have a plurality of pairs of

openings

1a and 1b. The plurality of pairs of

openings

1a and 1b can be positioned so as to be lined up on the left and right when viewed from the introduction direction (derivation direction) of the processing object. In this case, a plurality of processing objects can be charged in parallel.

　図３４に示された処理部１は、互いに離間して配置された二つの部材１０１，１０３を有している。二つの部材１０１，１０３は、たとえば、一面が開口した箱状の部材であり、同電位とされる。部材１０３における、電子発生源５と対向する部位は、閉塞されている。二つの部材１０１，１０３の間において、連続した処理対象物（図示せず）、又は、連続した台座（図示せず）に搭載された処理対象物を移動させる。すなわち、二つの部材１０１，１０３の間に処理対象物を位置させることにより、二つの部材１０１，１０３が処理対象物を包囲する。これにより、より大きなサイズを有する処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。 The processing unit 1 shown in FIG. 34 has two

members

101 and 103 that are spaced apart from each other. The two

members

101 and 103 are, for example, box-shaped members that are open on one side, and have the same potential. A portion of the member 103 facing the electron generation source 5 is closed. A continuous processing object (not shown) or a processing object mounted on a continuous base (not shown) is moved between the two

members

101 and 103. That is, by positioning the processing object between the two

members

101 and 103, the two

members

101 and 103 surround the processing object. Thereby, the charging process of the processing target having a larger size can be continuously performed.

　二つの部材１０１，１０３の間隔は、処理対象物の大きさ（厚み）に極力近い大きさに設定されてもよい。処理対象物が台座に搭載される場合には、二つの部材１０１，１０３の間隔は、上記台座を含んだ大きさ（厚み）に極力近い大きさに設定されてもよい。この場合、処理部１の周辺に存在する別の電界が二つの部材１０１，１０３の間から処理室部１内に浸入するのが抑制される。これにより、処理部１内の処理領域の電界に影響を与えることを抑制することができる。処理対象物の幅に対し、二つの部材１０１，１０３の幅が大きく設定されてもよい。二つの部材１０１，１０３の間において、複数の処理対象物を横方向に並べて、同時に帯電処理してもよい。 The interval between the two

members

101 and 103 may be set as close as possible to the size (thickness) of the processing object. When the processing object is mounted on the pedestal, the distance between the two

members

101 and 103 may be set as close as possible to the size (thickness) including the pedestal. In this case, another electric field existing around the processing unit 1 is prevented from entering the processing chamber unit 1 between the two

members

101 and 103. Thereby, it can suppress affecting the electric field of the process area | region in the process part 1. FIG. The width of the two

members

101 and 103 may be set larger than the width of the processing object. A plurality of objects to be processed may be arranged in the horizontal direction between the two

members

101 and 103 and charged simultaneously.

　本発明は、処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置の電子源ユニットに利用できる。 The present invention can be used for an electron source unit of a charging processing apparatus for charging a processing object to a desired potential.

　１…処理部、２…処理筐体、３…電子源ユニット、５…電子発生源、６…カソード、７…電子源筐体、７ａ…胴部、７ｂ…開口部、１１…電極部、１３…電流導入端子、３０…電子発生源、３１…電子源筐体、３２…エネルギー線源、３３…光電子放出体、３３ａ…胴部、３３ｂ…底部、３４…電流導入端子、４１…電極部、４２…窓材、４５…薄膜、５２…電流導入端子、７１，７３…電流導入端子、７５…カバー、８１，８２…電流導入端子、Ｃ１，Ｃ２…帯電処理装置、ＮＡ１～ＮＡ３…除電処理装置、ＣＵ…帯電処理ユニット、ＰＯ…処理対象物。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing part, 2 ... Processing housing, 3 ... Electron source unit, 5 ... Electron generation source, 6 ... Cathode, 7 ... Electron source housing, 7a ... Trunk part, 7b ... Opening part, 11 ... Electrode part, 13 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Current introduction terminal, 30 ... Electron generation source, 31 ... Electron source housing, 32 ... Energy ray source, 33 ... Photoelectron emitter, 33a ... Body, 33b ... Bottom, 34 ... Current introduction terminal, 41 ... Electrode part, 42 ... Window material, 45 ... Thin film, 52 ... Current introduction terminal, 71, 73 ... Current introduction terminal, 75 ... Cover, 81, 82 ... Current introduction terminal, C1, C2 ... Charge treatment device, NA1-NA3 ... Static elimination treatment device , CU ... charging processing unit, PO ... processing object.

Claims

　処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置に用いられ、前記処理対象物が位置する処理空間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起させる電子を発生させる電子源ユニットであって、
　電子を発生させる電子発生源と、
　前記電子発生源に電位を供給する給電部と、
　前記電子発生源を収容する筐体と、
　前記筐体の外側空間と前記筐体内の前記電子発生源が位置する空間とを仕切るように位置し、かつ、前記電子発生源にて発生する電子が前記筐体の外側空間に向けて通過し、前記所望の電位とされるメッシュ状の電極部と、を備えている。 An electron source unit that is used in a charging processing apparatus that charges a processing object to a desired potential and generates electrons that excite molecules of a charged particle forming gas existing in a processing space where the processing object is located,
An electron source that generates electrons;
A power supply for supplying a potential to the electron generation source;
A housing that houses the electron source;
The outer space of the housing and the space in the housing where the electron generation source is located are positioned so that electrons generated in the electron generation source pass toward the outer space of the housing. And a mesh-like electrode portion having a desired potential.
　請求項１に記載の電子源ユニットであって、
　前記筐体は、前記筐体の外側空間と連通する開口部を含んでおり、
　前記電極部は、前記開口部を覆うように前記筐体に配置されている。 The electron source unit according to claim 1,
The housing includes an opening communicating with an outer space of the housing;
The electrode portion is disposed on the housing so as to cover the opening.
　請求項１又は２に記載の電子源ユニットであって、
　前記筐体は、平面視で長手方向と短手方向とを有しており、
　前記電子発生源は、前記筐体の長手方向に沿って延びている。 The electron source unit according to claim 1 or 2,
The housing has a longitudinal direction and a lateral direction in plan view,
The electron generation source extends along the longitudinal direction of the casing.
　請求項１～３のいずれか一項に記載の電子源ユニットであって、
　前記電子発生源は、熱電子を放出するカソードを含んでいる。 The electron source unit according to any one of claims 1 to 3,
The electron generation source includes a cathode that emits thermal electrons.
　請求項４に記載の電子源ユニットであって、
　前記カソードは、イリジウムを含む材料からなる基材部と、前記基材部の表面を覆う、イットリウム酸化物を含む材料からなる被覆部と、を含んでいる。 The electron source unit according to claim 4,
The cathode includes a base part made of a material containing iridium and a covering part made of a material containing yttrium oxide and covering the surface of the base part.
　請求項４に記載の電子源ユニットであって、
　前記電極部は、筒形状を呈し、前記カソードを囲むように前記カソードの外側に配置されている。 The electron source unit according to claim 4,
The electrode portion has a cylindrical shape and is disposed outside the cathode so as to surround the cathode.
　請求項６に記載の電子源ユニットであって、
　前記カソードを囲むように前記カソードと前記電極部との間に配置され、かつ、導電性を有するカバーを更に備え、
　前記カバーには、熱電子を前記カバー外に放出する開口が形成されており、
　前記カバーは、前記カソードの電位以下の電位とされる。 The electron source unit according to claim 6,
A cover that is disposed between the cathode and the electrode portion so as to surround the cathode and has conductivity;
The cover is formed with an opening for emitting thermoelectrons to the outside of the cover,
The cover has a potential equal to or lower than the potential of the cathode.
　請求項１～３のいずれか一項に記載の電子源ユニットであって、
　前記電子発生源は、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源と、前記所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体と、を含んでいる。 The electron source unit according to any one of claims 1 to 3,
The electron generation source includes an energy beam source that emits an energy beam having a predetermined wavelength, and a photoelectron emitter that emits photoelectrons to the outside when the energy beam having the predetermined wavelength is incident.
　請求項８に記載の電子源ユニットであって、
　前記エネルギー線源は、前記電子発生源から前記処理空間への光電子入射軸と前記エネルギー線源のエネルギー線出射軸とが同軸とならないように、配置されている。 The electron source unit according to claim 8,
The energy beam source is arranged so that the photoelectron incident axis from the electron generation source to the processing space and the energy beam emission axis of the energy beam source are not coaxial.
　請求項９に記載の電子源ユニットであって、
前記エネルギー線源は、前記光電子入射軸と前記エネルギー線出射軸とが交わるように配置され、
　前記光電子放出体は、前記エネルギー線出射軸に対して傾斜する傾斜面を含んでいる。 The electron source unit according to claim 9, wherein
The energy beam source is arranged so that the photoelectron incident axis and the energy beam emitting axis intersect,
The photoelectron emitter includes an inclined surface that is inclined with respect to the energy beam emission axis.
　請求項８に記載の電子源ユニットであって、
　前記所定波長のエネルギー線は真空紫外光を含んでいる。 The electron source unit according to claim 8,
The energy beam having the predetermined wavelength includes vacuum ultraviolet light.
　請求項８に記載の電子源ユニットであって、
　前記エネルギー線源と前記光電子放出体との間に配置され、前記光電子放出体の電位と同等の電位とされるメッシュ状の電極部を更に備えている。 The electron source unit according to claim 8,
It further includes a mesh-like electrode portion that is disposed between the energy beam source and the photoelectron emitter and has a potential equal to the potential of the photoelectron emitter.
　請求項８又は１２に記載の電子源ユニットであって、
　前記エネルギー線源と前記光電子放出体との間に配置され、かつ、前記所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、
　前記窓材により、前記筐体における前記光電子放出体が収容されている空間が気密に封止される。 The electron source unit according to claim 8 or 12,
A window material disposed between the energy beam source and the photoelectron emitter and transmitting the energy beam having the predetermined wavelength;
The window member hermetically seals the space in the housing in which the photoelectron emitter is accommodated.
　請求項８に記載の電子源ユニットであって、
　前記所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、
　前記窓材の一方の面には、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜が形成されており、
　前記窓材は、前記薄膜と前記光電子放出体とが同等の電位となるように、前記エネルギー線源と前記光電子放出体との間に配置されている。 The electron source unit according to claim 8,
Further comprising a window material that transmits the energy rays of the predetermined wavelength,
On one surface of the window material, a transmissive photocathode is formed, and a conductive thin film is formed,
The window material is disposed between the energy beam source and the photoelectron emitter so that the thin film and the photoelectron emitter have the same potential.
　請求項８に記載の電子源ユニットであって、
　前記光電子放出体は、胴部と底部とを有し、前記所定波長のエネルギー線を導入するための開口が形成された有底筒形状を呈している。 The electron source unit according to claim 8,
The photoelectron emitter has a body portion and a bottom portion, and has a bottomed cylindrical shape in which an opening for introducing the energy beam having the predetermined wavelength is formed.
　請求項８に記載の電子源ユニットであって、
　前記光電子放出体と前記電極部との間に配置されている、前記光電子を制御するための光電子制御部を更に備えている。 The electron source unit according to claim 8,
A photoelectron control unit for controlling the photoelectrons is further provided between the photoelectron emitter and the electrode unit.
　請求項８に記載の電子源ユニットであって、
　前記光電子放出体は、光電子を放出する開口が形成された胴部を有し、
　前記電極部は、筒形状を呈し、前記胴部を囲むように前記胴部の外側に配置されている。 The electron source unit according to claim 8,
The photoelectron emitter has a body portion in which an opening for emitting photoelectrons is formed,
The electrode part has a cylindrical shape and is arranged outside the body part so as to surround the body part.
　帯電処理ユニットであって、
　請求項１又は２に記載の電子源ユニットと、
　前記筐体の前記外側空間を処理空間とするための処理部と、を備え、
　前記処理部は、前記処理対象物を前記処理空間に導入する導入部を有し、前記所望の電位とされる。 A charging unit,
The electron source unit according to claim 1 or 2,
A processing unit for setting the outer space of the housing as a processing space,
The processing unit includes an introduction unit that introduces the processing object into the processing space, and is set to the desired potential.
　請求項１８に記載の帯電処理ユニットであって、
　前記処理部は、前記導入部と対向するように位置し、前記処理対象物を前記処理部から導出する導出部を更に有している。 The charging unit according to claim 18,
The processing unit further includes a derivation unit that is positioned to face the introduction unit and derives the processing object from the processing unit.
　請求項１８に記載の帯電処理ユニットであって、
　前記処理部は、互いに離間して配置された二つの部材を有し、
　前記二つの部材の間から前記処理空間に前記処理対象物を導入する。 The charging unit according to claim 18,
The processing unit has two members that are spaced apart from each other,
The processing object is introduced into the processing space from between the two members.