WO2016008805A1 - Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component - Google Patents

Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component Download PDF

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WO2016008805A1
WO2016008805A1 PCT/EP2015/065740 EP2015065740W WO2016008805A1 WO 2016008805 A1 WO2016008805 A1 WO 2016008805A1 EP 2015065740 W EP2015065740 W EP 2015065740W WO 2016008805 A1 WO2016008805 A1 WO 2016008805A1
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mirror
layer sequence
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semiconductor layer
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Andreas PLÖSSL
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Definitions

  • an optoelectronic semiconductor device is specified.
  • An object to be solved is to specify optoelectronic semiconductor components with a small footprint. This object is achieved, inter alia, by a method and by an optoelectronic semiconductor component with the
  • the semiconductor device for generating and emitting light, in particular of visible light, set up.
  • the semiconductor device is preferably a
  • LED short LED.
  • LED short LED.
  • Semiconductor device in operation near ultraviolet light, colored light such as blue light or yellow light or red light, white light and / or near-infrared light emitted.
  • the emitted radiation is, in particular, incoherent radiation, so that the semiconductor component is then not a laser diode.
  • the semiconductor component is preferably free of a resonator and / or of exactly parallel
  • the method comprises the step of providing a carrier or a carrier
  • the carrier disk may be a so-called wafer.
  • the carrier and the carrier disc are preferably permeable, in particular clear, for a radiation generated during operation of the optoelectronic semiconductor component.
  • the carrier and / or the carrier disc are
  • amorphous materials such as fused silica or lead glass may be used for the support.
  • the method comprises the step of applying a semiconductor layer sequence to a carrier top side of the carrier and / or the carrier
  • Carrier disc The application may be a
  • epitaxial growth of the semiconductor layer sequence preferably act directly on the carrier top.
  • Carrier disk is transferred.
  • the semiconductor layer sequence is then applied to the carrier and / or the carrier wafer by means of wafer bonding or gluing. If a connecting means is present between the semiconductor layer sequence and the carrier and / or the carrier disk, the connecting means is preferably transparent.
  • the semiconductor layer sequence is preferred as
  • the semiconductor layer sequence has a clear
  • Carrier disk form a wafer or be transferred coherently from a growth substrate on the carrier disk.
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a 13-15 compound semiconductor material.
  • the semiconductor material is, for example, a nitride compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m P or an arsenide compound semiconductor material such as Al n In ] __ n _ m Ga m As, where each 0 ⁇ n 1, 0 ⁇ m 1 and n + m ⁇ 1.
  • the semiconductor layer sequence is, for example, a nitride compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m P or an arsenide compound semiconductor material such as Al n In ] __ n _ m Ga m As, where each 0 ⁇
  • the semiconductor layer sequence comprises at least one active zone, which is set up to generate the light.
  • the active zone includes at least one pn junction and / or one or more quantum well structures.
  • the method comprises the step of structuring the semiconductor layer sequence into individual component regions. This step is done
  • the carrier is preferably not or not significantly structured. That is, the carrier disk can be completely retained in the patterning of the semiconductor layer sequence.
  • the individual component areas, to which the semiconductor layer sequence is structured, are preferably each determined for exactly one of the finished semiconductor devices. In other words, then each of the finished semiconductor devices has exactly one component area.
  • the method comprises the step of applying at least one first mirror and / or at least one electrical contact layer to the component regions.
  • the application of the first mirror and / or the contact layer preferably takes place in the wafer composite, so that in this method step the component regions
  • the first is preferred
  • the first mirror and the electrical contact layer can have several
  • Insulation layers are still produced in the wafer composite.
  • the carrier disk is structured into carrier groups.
  • the structuring is done by forming a trench that surrounds the
  • Carrier group runs around and preferably forms a closed frame around the support group around, seen in plan view.
  • the trench can completely or preferably only partly penetrate the carrier disk.
  • the resulting trenches have trench walls. As ditch walls will be
  • each of the two elements are aligned. In accordance with at least one embodiment, each of the two elements
  • Carrier groups at least two or exactly two of the
  • Carrier disk takes place for example between the
  • Component areas in the carrier group form a single mechanical unit. Electrically, the device regions within the carrier group are preferably independent of each other
  • the method comprises the step of applying a second mirror at least on the trench walls.
  • the second mirror is preferably a metallic mirror having one or more metal layers.
  • the mirror may comprise at least one dielectric layer having a smaller refractive index than a material of the carrier wafer or may consist of such a dielectric layer and a metal layer. It is possible that the second mirror at least partially on the
  • Semiconductor layer sequence extends, in particular on
  • the carrier group is divided into individual carriers.
  • Each of the individual carriers then preferably has exactly one of the component regions.
  • the individual carriers are preferably no longer connected to each other by a material of the carrier disk connected. Further preferably, there is no connection between the individual carriers by a further component of the finished semiconductor devices.
  • the individual carriers with the component regions are preferably mechanically individual and can be handled independently of one another.
  • Carrier underside which is opposite to the carrier top, also applied the second mirror.
  • the second mirror on the underside of the carrier is also preferred
  • Metal mirror one or more metal layers
  • the method for producing an optoelectronic semiconductor component is set up and comprises at least the following steps, preferably in the cited
  • Carrier group around a ditch is formed with moat walls
  • Carrier base opposite to the vehicle upper side
  • a laterally emitting semiconductor component English also referred to as side looker, can be realized, the size of which is essentially limited to the carrier.
  • the semiconductor component is a so-called wafer composite
  • side emitters or side-lookers are manufactured with a separate housing.
  • a carrier on which a semiconductor layer sequence is attached, from a further housing body approximately from a
  • Semiconductor components can be produced, the largely or
  • Wafer level production can be produced.
  • the semiconductor devices may be made very flat, with a thickness of the semiconductor devices being similar to a thickness of the carriers.
  • the semiconductor layer sequence is preferably via a
  • Process steps A) to G) are carried out in the order indicated. Alternatively, the method steps F) and G) are reversed in their order.
  • step D) the carrier disk is retained as a coherent component.
  • the carrier disk is then preferably a continuous
  • the carrier disk is completely divided into the carrier groups only after step E). That is, when generating at least a portion of the second mirror, the carrier plate is preferably still a continuous, in particular mechanically stable component. The step of dividing the carrier disk takes place
  • step G preferably by a thinning, such as a grinding and / or a Polishing the carrier disc.
  • This step of dividing further preferably takes place before step G).
  • steps E) and F) are performed together. That means the second
  • step E) the carrier disk is already completely divided into the individual carrier groups and the trenches completely penetrate the carrier disk.
  • the carrier plate before the complete cutting on a
  • auxiliary carrier be attached.
  • Such an auxiliary carrier is preferably located on the same side of the carrier disk as the semiconductor layer sequence and the component regions.
  • step F preferably a mechanically stable, rigid auxiliary carrier is used.
  • step G) can also be a stretchable, mechanically flexible film as a subcarrier for
  • side surfaces generated exclusively in step G) constitute the carrier
  • the light exit surface is generated only in step G). Before the step G) then no surface corresponding to the light exit surface is present. By this late generating the
  • the trench walls and / or the light exit surfaces as seen in plan view of the carrier top side, curved.
  • the trench walls and / or the light exit surfaces can be a
  • the light exit surface can be designed as a lens.
  • the trench walls and / or the light exit surface as seen in plan view of the carrier top, as a jagged line or zigzag line formed. That is, finished within one
  • the trench walls and / or the light exit surface and in particular the second mirror are not contiguous, flat surfaces.
  • the trench walls and / or the light exit surfaces are vertical or
  • the light exit surfaces and / or the trench walls are oriented obliquely to the carrier top, for example at an angle of
  • the structuring of the carrier disk in step D) takes place with at least the following substeps:
  • Such a method is also referred to as the ISLE method and is described, for example, in the publication Hörstmann-Jungemann et al. in Journal of Laser Micro-Nano Engineering, Volume 5, Number 2, Volume 2010, on pages 145-149. Furthermore, such a method is found in the document DE 10 2013 104 270 AI. The disclosure of these documents for creating the trenches is hereby incorporated by reference.
  • the generation of the light exit surfaces and the division of the carrier groups in step G) takes place via scribing in conjunction with a breaking and / or splitting. It is possible that the generation of the light exit surfaces on the treatment with a
  • the scoring can be done by a scribe, such as a diamond trimmer, on the carrier surface or with a laser, which locally damages the carrier surface via ablation.
  • the step of breaking can by a laser treatment between the component areas in the support group are supported.
  • all side surfaces of the carriers after step G), in particular immediately after step G), are smooth.
  • this also applies to the
  • Mirror provided side surfaces of the carrier and the light exit surface are preferably designed smooth. Smooth may mean a mean roughness of the relevant
  • Area is at most 1.5 ym or 0.75 ym or 0.4 ym or 0.2 ym.
  • the surfaces in question then have a roughness which is lower than in the case of roughening, which are used to increase a light extraction efficiency.
  • the side surfaces with the second mirror and the light exit surface preferably only the
  • Carrier top can be depicted in itself.
  • the two component areas together with the associated electrical contact layers are also by a rotation about 180 ° about such an axis into one another, in
  • the carrier groups can be assigned to the individual
  • Carriers are parted. In other words, there is then a notch and / or a notch at the location of the carrier group on which the light exit surface is to be formed.
  • a notch and / or notch breakage of the carrier groups is simplified.
  • such a notch and / or notch forms a
  • the individual carriers and / or the carrier disc have a thickness of at most 400 ym or 200 ym or 150 ym.
  • the individual carriers and / or the carrier disc have a thickness of at most 400 ym or 200 ym or 150 ym.
  • Carrier disk at least 25 ym or 40 ym or 100 ym.
  • the finished semiconductor components have a thickness which
  • the thickness of the finished semiconductor device is at least 30 ym or 45 ym or 100 ym and / or at most 420 ym or 220 ym or 160 ym.
  • the light exit surface on a side length which is at least as large as a length of a side surface transverse to the light exit surface.
  • the side length of the light exit surface is at least 1.5 times or 2 times or 3 times or 4 times as long as the transverse to the light exit surface
  • the finished semiconductor components and / or the carriers after the step F) as seen in plan view of the carrier top, a square or rectangular or triangular or hexagonal plan view. It is also possible that a trapezoidal or semicircular plan is present.
  • the individual carriers preferably project beyond the semiconductor layer sequence in the component regions all around, seen in plan view, so that the component regions have a smaller base surface than associated carriers. These base areas preferably differ by at most 15% or 25%.
  • Carrier top seen, or averaged over all
  • an optoelectronic semiconductor device is specified.
  • the semiconductor device is manufactured by a method as described in connection with one or more of the above embodiments. Features of the Method are therefore also for the semiconductor device
  • the semiconductor layer sequence is mounted on the transparent carrier.
  • a first mirror covers at least side surfaces of the
  • Light exit surface of the semiconductor device is.
  • the second mirror is applied directly and directly to the side surfaces and / or the underside of the carrier.
  • Main emission direction of the semiconductor devices oriented parallel to the carrier top.
  • Light exit surface is aligned.
  • the main emission direction is in particular that direction along which the highest radiation power is emitted. In accordance with at least one embodiment, this is
  • the carrier may be the only mechanically supporting and stabilizing component of the semiconductor device. It may be the semiconductor device in particular free of a
  • soft preferably along all spatial directions or along individual Spaces, dimensions of the semiconductor device to
  • a size of the semiconductor device is then substantially equal to a size of the carrier.
  • FIGS 1 to 8 are schematic representations of
  • Figure 9 is a schematic representations of a
  • Figure 1A is a schematic sectional view and in Figure 1B is a schematic plan view of a
  • a semiconductor layer sequence 3 is applied to a carrier top side 20 of a carrier wafer 2.
  • the application is for example an epitaxial growth.
  • the Semiconductor layer sequence 3 has an active zone 33, for example a multi-quantum well structure or a pn junction.
  • An upper side 34 of the semiconductor layer sequence 3 faces away from the carrier disk 2.
  • Semiconductor layer sequence 3 is structured in individual component regions 31. The structuring of the
  • Semiconductor layer sequence 3 takes place for example via a
  • the carrier disk 2 is by structuring the
  • Semiconductor layer sequence 3 not or not significantly affected. Not essential here means in particular that a mechanical stability or optical properties of the carrier disk 2 do not change functionally relevant,
  • Semiconductor layer sequence 3 is, for example, at most 200 nm or 100 nm and / or at most 5% or 2% of the thickness of the semiconductor layer sequence and / or at most 0.5% or 0.1% or 0.02% of the thickness of the carrier disk 2 before this Procedural step.
  • Several, in particular exactly two of the component regions 31 are combined to form a carrier group 21.
  • the carrier groups 21 are symbolically separated from one another by dash-dot lines in FIG. In the method step, as in FIG. 2 As shown, the division into the individual carrier groups 21 is merely illustrative, a real subdivision has not yet taken place. In the sectional view in FIG. 3, a single one of the component regions 31 is shown in more detail.
  • the contact layers 43a, 43b cover, seen in plan view, a majority of the top surface 34, in total, for example, at least 60% or 80% of the top surface 34, seen in plan view.
  • Contact layer 43a penetrates the active region 33.
  • the contact layers 43a, 43b are shown in Figure 3 only greatly simplified, as well as the associated
  • Passivation layer 41 which electrically isolates the contact layers 43a, 43b from each other.
  • Contact layers 43a, 43b may also be configured as in connection with Figures 1 to 3 in the document
  • the first mirror 42 is preferably a metallic mirror which may have a plurality of partial layers not shown for the sake of simplicity of illustration. Likewise, it is optionally possible that on one side facing away from the semiconductor layer sequence 3 of the first Mirror 42 is applied a protective layer, not shown.
  • Contact surfaces 43a, 43b are applied to the individual component regions 31 only after separation.
  • the method steps can also be reversed, so that the etching is connected downstream of the component regions 31 to form the contact surfaces 43a, 43b.
  • the electrical contact surfaces 43a, 43b may also represent a part of the first mirror 42 and / or may themselves be formed as reflecting, reflecting surfaces.
  • the first mirror 42 may also be provided in places between the semiconductor layer sequence 3 and the contact layers 43a, 43b.
  • preferably for the most part for example at least 50% or 70% or 80%.
  • the electrical contact layers 43a, 43b are as
  • the two contact layers 43a, 43b are designed to be solderable, to about a
  • the prefabricated semiconductor devices to an external mounting bracket, not drawn to attach.
  • the contact layers 43a, 43b may be wire-wound.
  • the electrical contact layers 43a, 43b as mounting surfaces and as serve mechanical contact surfaces for attachment of the finished semiconductor devices.
  • Figure 4 is a schematic plan view of a
  • FIG. 5 is in plan view of the support plate 2 one of
  • Carrier groups 21 symbolized by a dash-dot line. Between adjacent carrier groups 21 and around the respective carrier group 21 around a trench 24th
  • the trenches 24 are preferably produced as indicated in connection with the sectional view in FIG.
  • a pulsed laser radiation L in the carrier disk 2, for example a sapphire disk, material defects in the region of the trenches 24 are produced.
  • the trenches 24 to be generated are symbolized in FIG. 5 by a dashed line.
  • wet-chemical etching in which the material defects caused by the pulsed laser radiation are selectively etched.
  • the trenches 24 preferably do not pass through the carrier disk 2, so that the carrier disk 2 is retained as a unit.
  • the support disk 2 can be completely penetrated by the trenches 24.
  • a second mirror 5A is created on trench walls 25 of the trenches 24.
  • the second Mirror 5a is preferably a metallic mirror which may comprise one or more metallic layers.
  • the second mirror 5 a it is possible for the second mirror 5 a to have the side surfaces 32 of FIGS.
  • the carrier disk 2 is approximately formed by grinding and / or
  • Polishing is diluted so that the trenches 24 from the
  • Subcarrier 6 is located, for example, on the
  • the preferably flat carrier underside 27 is generated. Subsequently, on the
  • Carrier base 27 of the second mirror 5b applied which may be designed according to the second mirror 5a on the trench walls 25. Deviating from the illustration, the mirror 5b can also be applied to the trench walls 25 and onto the trench walls 25
  • the carrier groups 21 can still be on the subcarrier, not shown in Figure 8.
  • the second mirror 5 Around the trench walls 25 is the second mirror 5, preferably in a closed, unbroken line.
  • the middle between the two component areas 31 is another
  • Light exit surface 29 is optionally a
  • Notch and / or notch 8 Above this notch and / or notch 8 is a subsequent cut
  • the metallic second mirror 5 can break more easily.
  • the individual component regions 31 at the notch and / or the notch 8 can break more easily.
  • Top 34 each have a polarity mark 7 through which a cathode and anode of the electrical contact layers 43 is uniquely identifiable. According to FIG. 8A, the polarity markings are each mounted in a top right corner of the individual component regions 31.
  • Light exit surface 29 is thus on the left in Figure 8A component area 31, the light exit surface 29 on the right side and in the right in Figure 8A semiconductor device 31 is to be formed light exit surface 29 on the left side. In other words, then after a cut to the
  • the light exit surfaces 29 mounted in different positions, relative to the
  • the polarity markings 7 and thus an embodiment of the contact points 43 are selected in such a way that over a rotation through 180 ° about an axis
  • the component areas 31 can merge into each other.
  • the light exit surfaces 29 are each located on the longitudinal side of the Component regions 31, on which the polarity mark 7 is located.
  • Carrier groups 21, as shown in FIG. 8, are finished by scratching and breaking
  • a main emission direction H is thus perpendicular to the
  • Light exit surface 29 oriented. Unlike in FIG. 9A, the trench walls 25 and the light exit surface 29, viewed in plan view, may also have other shapes than straight line sections, for example, for a light bundling towards the light exit surface 29.
  • a scribe to carry out the subsequent breaking can be a laser scribing. This laser scribing can already be carried out in preceding method steps, for example in conjunction with the method step illustrated in FIG. 5, that is to say in particular before the second mirror 5 is attached.
  • Such laterally emitting semiconductor components 1 according to FIG. 9 can be mounted, for example, on a light guide plate and serve for display backlighting. It can several, different colors emitting
  • blue light emitting and red light emitting and green light emitting for example, blue light emitting and red light emitting and green light emitting
  • Phosphor material is attached to a partial or complete wavelength conversion of radiation generated in the semiconductor layer sequence 3. Furthermore, it is optionally possible that a non-illustrated protective layer or passivation layer is applied to the outer side facing away from the carrier 22 of the second mirror 5. Such a non-illustrated protective layer or passivation layer is applied to the outer side facing away from the carrier 22 of the second mirror 5.
  • the protective layer or passivation layer is preferably made thin and has, for example, a thickness of at most 10 ⁇ m or 5 ⁇ m or 1 ⁇ m. As a result, by such, not shown protective layer or

Abstract

The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component, in particular an LED, comprising the following steps: A) applying a semiconductor layer sequence (3) to a light-permeable carrier wafer (2), B) structuring the semiconductor layer sequence (3) into individual component regions (31), C) applying at least one first mirror (42) and at least one electrical contact layer (43) to the component regions (31), D) structuring the carrier wafer (2) into carrier groups (21) in such a way that each carrier group (21) has at least two of the component regions (31) and in such a way that a trench (24) having trench walls (25) is formed around the carrier group (21), E) applying a second mirror (5) to the trench walls (25), F) applying the second mirror (5) to a carrier underside (27), and G) dividing the carrier group (21) into individual carriers (22) each having one of the component regions (31).

Description

Beschreibung description
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Process for producing an optoelectronic
Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil Semiconductor device and optoelectronic semiconductor device
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines There will be a method of making a
optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. specified optoelectronic semiconductor device.
Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. In addition, an optoelectronic semiconductor device is specified.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, optoelektronische Halbleiterbauteile mit einem geringen Platzbedarf anzugeben. Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren und durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit den An object to be solved is to specify optoelectronic semiconductor components with a small footprint. This object is achieved, inter alia, by a method and by an optoelectronic semiconductor component with the
Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Characteristics of the independent claims solved. Preferred developments are the subject of the dependent claims. In accordance with at least one embodiment, this is
Halbleiterbauteil zur Erzeugung und zur Emission von Licht, insbesondere von sichtbarem Licht, eingerichtet. Bei dem Halbleiterbauteil handelt es sich bevorzugt um eine  Semiconductor device for generating and emitting light, in particular of visible light, set up. The semiconductor device is preferably a
Leuchtdiode, kurz LED. Beispielsweise wird von dem LED, short LED. For example, of the
Halbleiterbauteil im Betrieb nahultraviolettes Licht, farbiges Licht wie blaues Licht oder gelbes Licht oder rotes Licht, weißes Licht und/oder nahinfrarotes Licht emittiert. Bei der emittierten Strahlung handelt es sich insbesondere um inkohärente Strahlung, so dass das Halbleiterbauteil dann keine Laserdiode ist. Das Halbleiterbauteil ist bevorzugt frei von einem Resonator und/oder von exakt parallel Semiconductor device in operation near ultraviolet light, colored light such as blue light or yellow light or red light, white light and / or near-infrared light emitted. The emitted radiation is, in particular, incoherent radiation, so that the semiconductor component is then not a laser diode. The semiconductor component is preferably free of a resonator and / or of exactly parallel
zueinander ausgerichteten, planen sich einander aligned, plan each other
gegenüberliegenden Spiegelflächen . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens eines Trägers oder einer opposite mirror surfaces. In accordance with at least one embodiment, the method comprises the step of providing a carrier or a carrier
Trägerscheibe. Bei der Trägerscheibe kann es sich um einen sogenannten Wafer handeln. Der Träger und die Trägerscheibe sind bevorzugt durchlässig, insbesondere klarsichtig für eine im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauteils erzeugte Strahlung. Der Träger und/oder die Trägerscheibe sind Carrier disc. The carrier disk may be a so-called wafer. The carrier and the carrier disc are preferably permeable, in particular clear, for a radiation generated during operation of the optoelectronic semiconductor component. The carrier and / or the carrier disc are
beispielsweise aus Saphir oder Siliziumcarbid oder anderen transparenten Kristallen wie Quarz geformt. Ebenso können für den Träger amorphe Materialien wie etwa Quarzglas, englisch Fused silica, oder Bleiglas verwendet werden. for example, formed of sapphire or silicon carbide or other transparent crystals such as quartz. Likewise, amorphous materials such as fused silica or lead glass may be used for the support.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufbringens einer Halbleiterschichtenfolge auf eine Trägeroberseite des Trägers und/oder der In accordance with at least one embodiment, the method comprises the step of applying a semiconductor layer sequence to a carrier top side of the carrier and / or the carrier
Trägerscheibe. Bei dem Aufbringen kann es sich um ein Carrier disc. The application may be a
epitaktisches Wachsen der Halbleiterschichtenfolge bevorzugt unmittelbar auf die Trägeroberseite handeln. Alternativ ist es möglich, dass die Halbleiterschichtenfolge auf einem epitaxial growth of the semiconductor layer sequence preferably act directly on the carrier top. Alternatively, it is possible that the semiconductor layer sequence on a
Substrat gewachsen und dann auf den Träger und/oder die Grown substrate and then on the carrier and / or the
Trägerscheibe transferiert wird. Beispielsweise wird dann die Halbleiterschichtenfolge mittels Waferbonden oder Kleben auf den Träger und/oder die Trägerscheibe aufgebracht. Ist ein Verbindungsmittel zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger und/oder der Trägerscheibe vorhanden, so ist das Verbindungsmittel bevorzugt lichtdurchlässig. Carrier disk is transferred. By way of example, the semiconductor layer sequence is then applied to the carrier and / or the carrier wafer by means of wafer bonding or gluing. If a connecting means is present between the semiconductor layer sequence and the carrier and / or the carrier disk, the connecting means is preferably transparent.
Bevorzugt wird die Halbleiterschichtenfolge als The semiconductor layer sequence is preferred as
zusammenhängende, flächige Schichtenfolge auf den Träger und/oder die Trägerscheibe aufgebracht. Mit anderen Worten weist dann die Halbleiterschichtenfolge eine deutlich continuous, planar layer sequence applied to the carrier and / or the carrier disc. In other words, then the semiconductor layer sequence has a clear
größere, zusammenhängende Fläche auf als in den fertig hergestellten Halbleiterbauteilen. Die larger, more coherent surface than in the finished manufactured semiconductor devices. The
Halbleiterschichtenfolge kann also zusammen mit der Semiconductor layer sequence can therefore together with the
Trägerscheibe einen Wafer bilden oder zusammenhängend von einem Aufwachssubstrat auf die Trägerscheibe transferiert werden. Carrier disk form a wafer or be transferred coherently from a growth substrate on the carrier disk.
Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem 13- 15-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamAs, wobei jeweils 0 ^ n 1, 0 ^ m 1 und n + m < 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge The semiconductor layer sequence is preferably based on a 13-15 compound semiconductor material. In the semiconductor material is, for example, a nitride compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m P or an arsenide compound semiconductor material such as Al n In ] __ n _ m Ga m As, where each 0 ^ n 1, 0 ^ m 1 and n + m <1. In this case, the semiconductor layer sequence
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Have dopants and additional components. For the sake of simplicity, however, only the essential ones are
Bestandteile des Kristallgitters, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst zumindest eine aktive Zone, die zur Erzeugung des Lichts eingerichtet ist. Die aktive Zone beinhaltet insbesondere wenigstens einen pn-Übergang und/oder eine oder mehrere Quantentopfstrukturen . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Strukturierens der Halbleiterschichtenfolge zu einzelnen Bauteilbereichen. Dieser Schritt erfolgt Components of the crystal lattice, so AI, As, Ga, In, N or P, indicated, even if they may be partially replaced by small amounts of other substances and / or supplemented. The semiconductor layer sequence comprises at least one active zone, which is set up to generate the light. In particular, the active zone includes at least one pn junction and / or one or more quantum well structures. In accordance with at least one embodiment, the method comprises the step of structuring the semiconductor layer sequence into individual component regions. This step is done
bevorzugt nach dem Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf die Trägeroberseite. Bei dem Strukturieren der preferably after the application of the semiconductor layer sequence on the carrier top side. In structuring the
Halbleiterschichtenfolge wird bevorzugt der Träger nicht oder nicht signifikant strukturiert. Das heißt, die Trägerscheibe kann bei dem Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge vollständig erhalten bleiben. Die einzelnen Bauteilbereiche, zu der die Halbleiterschichtenfolge strukturiert wird, sind bevorzugt je für genau eines der fertigen Halbleiterbauteile bestimmt. Mit anderen Worten weist dann jedes der fertigen Halbleiterbauteile genau einen Bauteilbereich auf. Semiconductor layer sequence, the carrier is preferably not or not significantly structured. That is, the carrier disk can be completely retained in the patterning of the semiconductor layer sequence. The individual component areas, to which the semiconductor layer sequence is structured, are preferably each determined for exactly one of the finished semiconductor devices. In other words, then each of the finished semiconductor devices has exactly one component area.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufbringens zumindest eines ersten Spiegels und/oder zumindest einer elektrischen Kontaktschicht an den Bauteilbereichen. Das Aufbringen des ersten Spiegels und/oder der Kontaktschicht erfolgt bevorzugt im Waferverbund, so dass sich bei diesem Verfahrensschritt die Bauteilbereiche In accordance with at least one embodiment, the method comprises the step of applying at least one first mirror and / or at least one electrical contact layer to the component regions. The application of the first mirror and / or the contact layer preferably takes place in the wafer composite, so that in this method step the component regions
allesamt an der Trägerscheibe befinden. Es ist möglich, dass der erste Spiegel teilweise durch die elektrische all located on the carrier disc. It is possible that the first mirror partly by the electric
Kontaktschicht realisiert ist. Bevorzugt sind der erste Contact layer is realized. The first is preferred
Spiegel und die elektrische Kontaktschicht aus mehreren Mirror and the electrical contact layer of several
Teilschichten zusammengesetzt. Insbesondere können der erste Spiegel und die elektrische Kontaktschicht mehrere  Partial layers assembled. In particular, the first mirror and the electrical contact layer can have several
metallische Teilschichten aufweisen oder aus mehreren have metallic partial layers or of several
metallischen Teilschichten bestehen. Ebenso können weitere funktionelle Schichten wie Passivierungsschichten und consist of metallic partial layers. Likewise, other functional layers such as passivation layers and
Isolationsschichten noch im Waferverbund erzeugt werden.  Insulation layers are still produced in the wafer composite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Trägerscheibe zu Trägergruppen strukturiert. Das Strukturieren erfolgt dabei durch das Bilden eines Grabens, der rings um die In accordance with at least one embodiment, the carrier disk is structured into carrier groups. The structuring is done by forming a trench that surrounds the
Trägergruppe herum verläuft und bevorzugt einen geschlossenen Rahmen um die Trägergruppe herum ausformt, in Draufsicht gesehen. Der Graben kann dabei die Trägerscheibe vollständig oder, bevorzugt, nur zum Teil durchdringen. Die entstehenden Gräben weisen Grabenwände auf. Als Grabenwände werden  Carrier group runs around and preferably forms a closed frame around the support group around, seen in plan view. The trench can completely or preferably only partly penetrate the carrier disk. The resulting trenches have trench walls. As ditch walls will be
bevorzugt lediglich Seitenwände aufgefasst, die senkrecht oder näherungsweise senkrecht zu der Trägeroberseite preferably only considers side walls that are perpendicular or approximately perpendicular to the carrier top
ausgerichtet sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst jede der are aligned. In accordance with at least one embodiment, each of the
Trägergruppen mindestens zwei oder genau zwei der Carrier groups at least two or exactly two of the
Bauteilbereiche. Im Schritt des Strukturierens der Component regions. In the step of structuring the
Trägerscheibe erfolgt beispielsweise zwischen den Carrier disk takes place for example between the
benachbarten Bauteilbereichen innerhalb der Trägergruppen keine Materialwegnahme und/oder keine Materialbeeinflussung der Trägerscheibe. Mit anderen Worten können die adjacent component areas within the carrier groups no material removal and / or no material influencing the carrier disk. In other words, the
Bauteilbereiche in der Trägergruppe eine einzige mechanische Einheit bilden. Elektrisch sind die Bauteilbereiche innerhalb der Trägergruppe bevorzugt unabhängig voneinander Component areas in the carrier group form a single mechanical unit. Electrically, the device regions within the carrier group are preferably independent of each other
beschaltbar . connectable.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren den Schritt des Aufbringens eines zweiten Spiegels zumindest auf den Grabenwänden auf. Bei dem zweiten Spiegel handelt es sich bevorzugt um einen metallischen Spiegel, der eine oder mehrere Metallschichten aufweist. Ebenso kann der Spiegel zumindest eine dielektrische Schicht mit einem kleineren Brechungsindex als ein Material der Trägerscheibe aufweisen oder aus einer solchen dielektrischen Schicht und einer Metallschicht bestehen. Es ist möglich, dass sich der zweite Spiegel wenigstens zum Teil auch auf die In accordance with at least one embodiment, the method comprises the step of applying a second mirror at least on the trench walls. The second mirror is preferably a metallic mirror having one or more metal layers. Likewise, the mirror may comprise at least one dielectric layer having a smaller refractive index than a material of the carrier wafer or may consist of such a dielectric layer and a metal layer. It is possible that the second mirror at least partially on the
Halbleiterschichtenfolge erstreckt, insbesondere auf Semiconductor layer sequence extends, in particular on
Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge und/oder auf alle Flächen der Halbleiterschichtenfolge, die nicht von der mindestens einen elektrischen Kontaktschicht bedeckt sind. Side surfaces of the semiconductor layer sequence and / or on all surfaces of the semiconductor layer sequence, which are not covered by the at least one electrical contact layer.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Trägergruppe zu einzelnen Trägern zerteilt. Jeder der einzelnen Träger weist dann bevorzugt genau einen der Bauteilbereiche auf. Nach dem Zerteilen sind die einzelnen Träger bevorzugt nicht mehr durch ein Material der Trägerscheibe miteinander verbunden. Weiterhin bevorzugt besteht auch keine Verbindung zwischen den einzelnen Trägern durch eine weitere Komponente der fertig hergestellten Halbleiterbauteile. Nach dem In accordance with at least one embodiment, the carrier group is divided into individual carriers. Each of the individual carriers then preferably has exactly one of the component regions. After cutting, the individual carriers are preferably no longer connected to each other by a material of the carrier disk connected. Further preferably, there is no connection between the individual carriers by a further component of the finished semiconductor devices. After this
Zerteilen sind die einzelnen Träger mit den Bauteilbereichen bevorzugt mechanisch einzeln und unabhängig voneinander handhabbar . The individual carriers with the component regions are preferably mechanically individual and can be handled independently of one another.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird auf einer According to at least one embodiment is on a
Trägerunterseite, die der Trägeroberseite gegenüberliegt, ebenfalls der zweite Spiegel aufgebracht. Auch der zweite Spiegel an der Trägerunterseite ist bevorzugt ein Carrier underside, which is opposite to the carrier top, also applied the second mirror. The second mirror on the underside of the carrier is also preferred
Metallspiegel, der eine oder mehrere Metallschichten Metal mirror, one or more metal layers
aufweisen kann oder hieraus bestehen kann. In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, insbesondere einer LED, eingerichtet und umfasst zumindest die folgenden Schritte, bevorzugt in der angegebenen may or may consist of. In at least one embodiment, the method for producing an optoelectronic semiconductor component, in particular an LED, is set up and comprises at least the following steps, preferably in the cited
Reihenfolge : Sequence :
A) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge auf eine A) applying a semiconductor layer sequence to a
Trägeroberseite einer lichtdurchlässigen Trägerscheibe,  Carrier top of a translucent carrier disc,
B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge zu einzelnen Bauteilbereichen,  B) structuring the semiconductor layer sequence to individual component regions,
C) Anbringen zumindest eines ersten Spiegels und/oder  C) attaching at least a first mirror and / or
zumindest einer elektrischen Kontaktschicht an den at least one electrical contact layer to the
Bauteilbereichen,  Device areas,
D) Strukturieren der Trägerscheibe zu Trägergruppen, so dass jede Trägergruppe mindestens zwei oder genau zwei der  D) structuring the carrier disc into carrier groups, so that each carrier group at least two or exactly two of the
Bauteilbereiche aufweist und so dass in der Trägerscheibe, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, rings um dieHaving component regions and so that seen in the carrier disk, in plan view of the carrier top, around the
Trägergruppe herum ein Graben mit Grabenwänden gebildet wird,Carrier group around a ditch is formed with moat walls,
E) Aufbringen eines zweiten Spiegels zumindest auf den E) applying a second mirror at least to the
Grabenwänden, F) Aufbringen des zweiten Spiegels zumindest auf einer Grave walls, F) applying the second mirror at least one
Trägerunterseite, die der Trägeroberseite gegenüberliegt, undCarrier base opposite to the vehicle upper side, and
G) Zerteilen der Trägergruppe zu einzelnen Trägern mit je einer der Bauteilbereiche. G) dividing the carrier group into individual carriers, each with one of the component regions.
Durch das angegebene Verfahren ist ein seitlich emittierendes Halbleiterbauteil, englisch auch als Side looker bezeichnet, realisierbar, dessen Größe im Wesentlichen auf den Träger beschränkt ist. Mit anderen Worten handelt es sich bei dem Halbleiterbauteil um ein sogenanntes im Waferverbund By the specified method, a laterally emitting semiconductor component, English also referred to as side looker, can be realized, the size of which is essentially limited to the carrier. In other words, the semiconductor component is a so-called wafer composite
hergestelltes, halbleiterchipgroßes Bauteil, englisch Wafer- Level Chip-Scale Package oder kurz WL-CSP. manufactured, semiconductor chip-sized component, English wafer-level chip-scale package or short WL-CSP.
Üblicherweise werden Seitenemitter oder Side looker mit einem separaten Gehäuse gefertigt. Bei einem solchen Gehäuse wird ein Träger, an dem eine Halbleiterschichtenfolge angebracht ist, von einem weiteren Gehäusekörper etwa aus einem Usually, side emitters or side-lookers are manufactured with a separate housing. In such a housing, a carrier, on which a semiconductor layer sequence is attached, from a further housing body approximately from a
Kunststoff oder aus einer Keramik umgeben. Bei solchen Plastic or surrounded by a ceramic. In such
Seitenemittern ist dann eine Bauteilgröße deutlich größer als an sich notwendige Abmessungen eines Trägers der Side emitters then a component size is significantly larger than necessary dimensions of a carrier of
Halbleiterschichtenfolge. Derartige Gehäuse sind oft  Semiconductor layer sequence. Such housings are often
leiterrahmenlose Gehäuse, englisch Quad-Flat No-Lead-Gehäuse oder kurz QFN-Gehäuse. Mit dem hier beschriebenen Verfahren sind kompakte Ladderless housings, English Quad-Flat No-Lead housing or short QFN housing. The method described here is compact
Halbleiterbauteile herstellbar, die weitgehend oder Semiconductor components can be produced, the largely or
vollständig in einer Scheibenfertigung, englisch auch completely in a disk production, English too
Waferlevel-Fertigung, hergestellt werden können. Insbesondere können die Halbleiterbauteile sehr flach gestaltet werden, wobei eine Dicke der Halbleiterbauteile ähnlich einer Dicke der Träger ist. Dadurch, dass die Halbleiterbauteile frei von einem Gehäuse etwa aus einem Kunststoff oder einer Keramik sind, ist auch eine wesentlich höhere Leuchtdichte erzielbar. Durch die höhere Leuchtdichte ist beispielsweise eine Wafer level production, can be produced. In particular, the semiconductor devices may be made very flat, with a thickness of the semiconductor devices being similar to a thickness of the carriers. The fact that the semiconductor components are free of a housing made of a plastic or a ceramic, a much higher luminance can be achieved. Due to the higher luminance is, for example, a
effizientere Einkopplung in Lichtleiterstrukturen und Optiken möglich . Basiert die Halbleiterschichtenfolge auf einem Phosphid-more efficient coupling in fiber optic structures and optics possible. Is the semiconductor layer sequence based on a phosphide
Halbleitermaterial oder einem Arsenid-Halbleitermaterial , so wird die Halbleiterschichtenfolge bevorzugt über ein Semiconductor material or an arsenide semiconductor material, the semiconductor layer sequence is preferably via a
Fügeverfahren wie einem Waferbonden oder ein Kleben an der Trägerscheibe angebracht. Im Falle eines Nitrid- Halbleitermaterials wird die Halbleiterschichtenfolge Joining methods such as a Waferbonden or gluing attached to the carrier disc. In the case of a nitride semiconductor material, the semiconductor layer sequence
bevorzugt durch Dampfphasenabscheidung oder Epitaxie preferably by vapor deposition or epitaxy
unmittelbar auf der Trägerscheibe erzeugt. generated directly on the carrier disk.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die According to at least one embodiment, the
Verfahrensschritte A) bis G) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt. Alternativ werden die Verfahrensschritte F) und G) in ihrer Reihenfolge vertauscht. Process steps A) to G) are carried out in the order indicated. Alternatively, the method steps F) and G) are reversed in their order.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bleibt im Schritt D) die Trägerscheibe als zusammenhängende Komponente erhalten.In accordance with at least one embodiment, in step D), the carrier disk is retained as a coherent component.
Die Gräben durchdringen dann die Trägerschreibe nur zum Teil. An einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite ist dann die Trägerscheibe bevorzugt eine durchgehende, The trenches then only partially penetrate the carrier writing. On a side facing away from the semiconductor layer sequence, the carrier disk is then preferably a continuous,
ununterbrochene Schicht. continuous layer.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Trägerscheibe vollständig in die Trägergruppen erst nach dem Schritt E) zerteilt. Das heißt, beim Erzeugen zumindest eines Teils des zweiten Spiegels ist die Trägerscheibe bevorzugt noch eine zusammenhängende, insbesondere mechanisch stabile Komponente. Der Schritt des Zerteilens der Trägerscheibe erfolgt In accordance with at least one embodiment, the carrier disk is completely divided into the carrier groups only after step E). That is, when generating at least a portion of the second mirror, the carrier plate is preferably still a continuous, in particular mechanically stable component. The step of dividing the carrier disk takes place
bevorzugt durch ein Dünnen, etwa ein Schleifen und/oder ein Polieren der Trägerscheibe. Dieser Schritt des Zerteilens erfolgt weiterhin bevorzugt vor dem Schritt G) . preferably by a thinning, such as a grinding and / or a Polishing the carrier disc. This step of dividing further preferably takes place before step G).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Schritte E) und F) gemeinsam durchgeführt. Das bedeutet, der zweite In accordance with at least one embodiment, steps E) and F) are performed together. That means the second
Spiegel wird dann gleichzeitig an der Trägerunterseite und an den Seitenflächen der Trägergruppen aufgebracht. Insbesondere wird dann im Schritt E) die Trägerscheibe bereits vollständig in die einzelnen Trägergruppen zerteilt und die Gräben durchdringen die Trägerscheibe vollständig. Hierbei kann die Trägerscheibe vor dem vollständigen Zerteilen an einem  Mirror is then applied simultaneously to the support base and to the side surfaces of the support groups. In particular, in step E), the carrier disk is already completely divided into the individual carrier groups and the trenches completely penetrate the carrier disk. In this case, the carrier plate before the complete cutting on a
Hilfsträger angebracht sein. Ein solcher Hilfsträger befindet sich bevorzugt an derselben Seite der Trägerscheibe wie die Halbleiterschichtenfolge und die Bauteilbereiche. Im Schritt F) kommt dabei bevorzugt ein mechanisch stabiler, starrer Hilfsträger zum Einsatz. Beim Schritt G) kann auch eine dehnbare, mechanisch flexible Folie als Hilfsträger zum Subcarrier be attached. Such an auxiliary carrier is preferably located on the same side of the carrier disk as the semiconductor layer sequence and the component regions. In step F), preferably a mechanically stable, rigid auxiliary carrier is used. In step G) can also be a stretchable, mechanically flexible film as a subcarrier for
Einsatz kommen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform stellen ausschließlich im Schritt G) erzeugte Seitenflächen der Träger Use come. In accordance with at least one embodiment, side surfaces generated exclusively in step G) constitute the carrier
Lichtaustrittsflächen der fertig hergestellten Light exit surfaces of the finished manufactured
Halbleiterbauteile dar. Das heißt, die Lichtaustrittsfläche wird erst im Schritt G) erzeugt. Vor dem Schritt G) ist dann noch keine der Lichtaustrittsfläche entsprechende Fläche vorhanden. Durch dieses späte Erzeugen der Semiconductor components. That is, the light exit surface is generated only in step G). Before the step G) then no surface corresponding to the light exit surface is present. By this late generating the
Lichtaustrittsfläche ist es möglich, dass die Light exit surface, it is possible that the
Lichtaustrittsfläche frei von dem ersten und dem zweiten Spiegel bleibt und dass kein Schützen der Light exit surface remains free of the first and the second mirror and that no protection of the
Lichtaustrittsfläche mit einem weiteren Material und damit auch kein nachträgliches Reinigen der Lichtaustrittsfläche erforderlich ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Grabenwände und/oder die Lichtaustrittsflächen, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, gekrümmt geformt. Die Grabenwände und/oder die Lichtaustrittsflächen können dabei eine Light exit surface with another material and thus no subsequent cleaning of the light exit surface is required. According to at least one embodiment, the trench walls and / or the light exit surfaces, as seen in plan view of the carrier top side, curved. The trench walls and / or the light exit surfaces can be a
zusammenhängende konkave oder konvexe Krümmung aufweisen oder auch mehrere ineinander übergehende Krümmungen, contiguous concave or convex curvature or even a plurality of merging curvatures,
beispielsweise ähnlich einem Sinusverlauf. Durch eine solche Krümmung insbesondere der Grabenwände ist eine Lichtsammlung und gesteigerte Lichtumlenkung hin zu der Austrittsfläche möglich. Ebenso kann die Lichtaustrittsfläche als Linse gestaltet werden. for example, similar to a sine wave. By such a curvature, in particular of the trench walls, a light collection and increased light deflection towards the exit surface is possible. Likewise, the light exit surface can be designed as a lens.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Grabenwände und/oder die Lichtaustrittsfläche, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, als gezackte Linie oder Zickzack- Linie geformt. Das heißt, innerhalb eines fertig According to at least one embodiment, the trench walls and / or the light exit surface, as seen in plan view of the carrier top, as a jagged line or zigzag line formed. That is, finished within one
hergestellten Halbleiterbauteils sind dann die Grabenwände und/oder die Lichtaustrittsfläche sowie insbesondere der zweite Spiegel keine zusammenhängenden, ebenen Flächen. produced semiconductor device then the trench walls and / or the light exit surface and in particular the second mirror are not contiguous, flat surfaces.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Grabenwände und/oder die Lichtaustrittsflächen senkrecht oder In accordance with at least one embodiment, the trench walls and / or the light exit surfaces are vertical or
näherungsweise senkrecht zu der Trägeroberseite orientiert. Alternativ ist es möglich, dass die Lichtaustrittsflächen und/oder die Grabenwände schräg zu der Trägeroberseite orientiert sind, beispielsweise in einem Winkel von oriented approximately perpendicular to the carrier top. Alternatively, it is possible that the light exit surfaces and / or the trench walls are oriented obliquely to the carrier top, for example at an angle of
mindestens 30° oder 45° oder 60° oder 75° und/oder mit einem Winkel von höchstens 85° oder 75° oder 60°. Es ist dabei nicht notwendig erforderlich, dass die Grabenwände und/oder die Lichtaustrittsflächen planar geformt sind und durchgängig einen gleichbleibenden Winkel zur Trägeroberseite aufweisen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Strukturieren der Trägerscheibe im Schritt D) mit zumindest den folgenden Teilschritten: at least 30 ° or 45 ° or 60 ° or 75 ° and / or with a maximum angle of 85 ° or 75 ° or 60 °. It is not necessary here that the trench walls and / or the light exit surfaces are planar in shape and consistently have a constant angle to the carrier top. According to at least one embodiment, the structuring of the carrier disk in step D) takes place with at least the following substeps:
Dl) Erzeugen einer Vielzahl von selektiv ätzbaren  Dl) generating a plurality of selectively etchable
Materialveränderungen in der Trägerscheibe in Bereichen für die Gräben durch eine fokussierte, gepulste Laserstrahlung, wobei die Laserstrahlung eine Wellenlänge aufweist, bei der die Trägerscheibe transparent ist, sowie nachfolgend Material changes in the carrier disc in areas for the trenches by a focused, pulsed laser radiation, wherein the laser radiation has a wavelength at which the carrier disc is transparent, and subsequently
D2) nasschemisches Ätzen der Materialveränderungen, so dass die Gräben erzeugt werden. D2) wet-chemical etching of the material changes, so that the trenches are produced.
Ein solches Verfahren wird auch als ISLE-Verfahren bezeichnet und ist beispielsweise in der Druckschrift Hörstmann- Jungemann et al . in Journal of Laser Micro-Nano Engineering, Volume 5, Nummer 2, Jahrgang 2010, auf den Seiten 145 bis 149 angegeben. Ferner findet sich ein solches Verfahren in der Druckschrift DE 10 2013 104 270 AI. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschriften zu dem Erzeugen der Gräben wird hiermit durch Rückbezug mit aufgenommen. Such a method is also referred to as the ISLE method and is described, for example, in the publication Hörstmann-Jungemann et al. in Journal of Laser Micro-Nano Engineering, Volume 5, Number 2, Volume 2010, on pages 145-149. Furthermore, such a method is found in the document DE 10 2013 104 270 AI. The disclosure of these documents for creating the trenches is hereby incorporated by reference.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Erzeugen der Lichtaustrittsflächen und das Zerteilen der Trägergruppen im Schritt G) über ein Ritzen in Verbindung mit einem Brechen und/oder Spalten. Es ist möglich, dass auch das Erzeugen der Lichtaustrittsflächen auf die Behandlung mit einer In accordance with at least one embodiment, the generation of the light exit surfaces and the division of the carrier groups in step G) takes place via scribing in conjunction with a breaking and / or splitting. It is possible that the generation of the light exit surfaces on the treatment with a
fokussierten, gepulsten Laserstrahlung zurückgreift, analog zum Verfahrensschritt Dl), oder dass als Ritzen eine solche Technik, auch als Stealth Dicing bezeichnet, zum Einsatz kommt, die Störstellen innerhalb der Trägerscheibe focused, pulsed laser radiation, similar to the method step Dl), or that such a technique, also referred to as stealth dicing, is used as the scratches, the impurities within the carrier disk
hervorruft. Ebenso kann das Ritzen über einen Ritzer, wie einem Diamantritzer, an der Trägeroberfläche erfolgen oder mit einem Laser, der über Ablation die Trägeroberfläche lokal schädigt. Insbesondere der Schritt des Brechens kann durch eine Laserbehandlung zwischen den Bauteilbereichen in der Trägergruppe unterstützt werden. causes. Likewise, the scoring can be done by a scribe, such as a diamond trimmer, on the carrier surface or with a laser, which locally damages the carrier surface via ablation. In particular, the step of breaking can by a laser treatment between the component areas in the support group are supported.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind alle Seitenflächen der Träger nach dem Schritt G) , insbesondere unmittelbar nach dem Schritt G) , glatt. Bevorzugt gilt dies auch für die According to at least one embodiment, all side surfaces of the carriers after step G), in particular immediately after step G), are smooth. Preferably, this also applies to the
Trägerunterseite. Das heißt, sowohl die mit dem zweiten Carrier base. That is, both with the second
Spiegel versehenen Seitenflächen des Trägers als auch die Lichtaustrittsfläche sind bevorzugt glatt gestaltet. Glatt kann bedeuten, dass eine mittlere Rauheit der betreffendenMirror provided side surfaces of the carrier and the light exit surface are preferably designed smooth. Smooth may mean a mean roughness of the relevant
Flächen höchstens 1,5 ym oder 0,75 ym oder 0,4 ym oder 0,2 ym beträgt. Insbesondere weisen die betreffenden Flächen dann eine Rauheit auf, die geringer ist als bei Aufrauungen, die zu einer Steigerung einer Lichtauskoppeleffizienz verwendet werden. Alternativ können die Seitenflächen mit dem zweiten Spiegel und die Lichtaustrittsfläche, bevorzugt nur die Area is at most 1.5 ym or 0.75 ym or 0.4 ym or 0.2 ym. In particular, the surfaces in question then have a roughness which is lower than in the case of roughening, which are used to increase a light extraction efficiency. Alternatively, the side surfaces with the second mirror and the light exit surface, preferably only the
Lichtaustrittsfläche, mit einer Aufrauung zur Steigerung der Lichtauskoppeleffizienz versehen werden, beispielsweise mit Hilfe des ISLE-Verfahrens, wie in der Druckschrift DE 10 2013 104 270 AI beschrieben. Light exit surface to be provided with a roughening to increase the Lichtauskoppeleffizienz, for example by means of the ISLE method, as described in the document DE 10 2013 104 270 AI.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jede der In accordance with at least one embodiment, each of the
Trägergruppen unmittelbar vor dem Schritt G) durch eine Carrier groups immediately before step G) by a
Drehung um 180° um eine Achse senkrecht zu der Rotation through 180 ° about an axis perpendicular to the
Trägeroberseite in sich selbst abbildbar. Mit anderen Worten sind dann die beiden Bauteilbereiche samt den zugehörigen elektrischen Kontaktschichten ebenfalls durch eine Rotation um 180° um eine solche Achse ineinander überführbar, im Carrier top can be depicted in itself. In other words, then the two component areas together with the associated electrical contact layers are also by a rotation about 180 ° about such an axis into one another, in
Rahmen der Herstellungstoleranzen. Alternativ ist es möglich, dass die beiden Bauteilbereiche samt den zugehörigen Framework of manufacturing tolerances. Alternatively, it is possible that the two component areas together with the associated
Komponenten durch eine Translation ohne Drehung ineinander überführbar sind, im Rahmen der Herstellungstoleranzen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich vor dem Schritt G) an einem Rand der Trägergruppen zwischen Components are translated into one another by a translation without rotation, within the manufacturing tolerances. In accordance with at least one embodiment, there is an intermediate between the carrier groups before step G)
benachbarten Bauteilbereichen, insbesondere in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, eine Auskerbung und/oder eine Einkerbung. Ausgehend von dieser Auskerbung oder Einkerbung können im Schritt G) die Trägergruppen zu den einzelnen adjacent component areas, in particular seen in plan view of the carrier top, a notch and / or a notch. Starting from this notch or indentation, in step G) the carrier groups can be assigned to the individual
Trägern zerteilt werden. Mit anderen Worten befindet sich dann eine Auskerbung und/oder eine Einkerbung an der Stelle der Trägergruppe, an der die Lichtaustrittsfläche gebildet werden soll. Durch eine solche Auskerbung und/oder Einkerbung ist ein Brechen der Trägergruppen vereinfachbar. Insbesondere bildet eine solche Einkerbung und/oder Auskerbung eine Carriers are parted. In other words, there is then a notch and / or a notch at the location of the carrier group on which the light exit surface is to be formed. By such a notch and / or notch breakage of the carrier groups is simplified. In particular, such a notch and / or notch forms a
Sollrissstelle am zweiten Spiegel. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die einzelnen Träger und/oder die Trägerscheibe eine Dicke von höchstens 400 ym oder 200 ym oder 150 ym auf. Alternativ oder Sollrissstelle the second mirror. In accordance with at least one embodiment, the individual carriers and / or the carrier disc have a thickness of at most 400 ym or 200 ym or 150 ym. Alternatively or
zusätzlich liegt die Dicke der Träger und/oder der In addition, the thickness of the carrier and / or the
Trägerscheibe bei mindestens 25 ym oder 40 ym oder 100 ym. Carrier disk at least 25 ym or 40 ym or 100 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die fertig hergestellten Halbleiterbauteile eine Dicke auf, die In accordance with at least one embodiment, the finished semiconductor components have a thickness which
höchstens 10 % und/oder höchstens 5 ym oder 10 ym oder 20 ym über der Dicke des zugehörigen Trägers und/oder der at most 10% and / or at most 5 ym or 10 ym or 20 ym over the thickness of the associated carrier and / or the
zugehörigen Trägerscheibe liegt. Beispielsweise liegt die Dicke des fertigen Halbleiterbauteils bei mindestens 30 ym oder 45 ym oder 100 ym und/oder bei höchstens 420 ym oder 220 ym oder 160 ym. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, die Lichtaustrittsfläche eine Seitenlänge auf, die mindestens so groß ist wie eine Länge einer Seitenfläche quer zur Lichtaustrittsfläche. Bevorzugt ist die Seitenlänge der Lichtaustrittsfläche mindestens 1,5-fach oder 2-fach oder 3-fach oder 4-fach so lang wie die quer zur Lichtaustrittsfläche verlaufenden associated carrier disk is located. For example, the thickness of the finished semiconductor device is at least 30 ym or 45 ym or 100 ym and / or at most 420 ym or 220 ym or 160 ym. According to at least one embodiment, seen in plan view of the carrier top, the light exit surface on a side length which is at least as large as a length of a side surface transverse to the light exit surface. Preferably, the side length of the light exit surface is at least 1.5 times or 2 times or 3 times or 4 times as long as the transverse to the light exit surface
Seitenflächen . Side surfaces.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die fertig hergestellten Halbleiterbauteile und/oder die Träger nach dem Schritt F) , in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, einen quadratischen oder rechteckigen oder dreieckigen oder sechseckigen Grundriss auf. Ebenso ist es möglich, dass ein trapezförmiger oder halbkreisförmiger Grundriss vorliegt. According to at least one embodiment, the finished semiconductor components and / or the carriers after the step F), as seen in plan view of the carrier top, a square or rectangular or triangular or hexagonal plan view. It is also possible that a trapezoidal or semicircular plan is present.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen laterale According to at least one embodiment, have lateral
Abmessungen der fertig hergestellten Halbleiterbauteile ähnliche laterale Abmessungen wie die Träger, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, und/oder wie die Dimensions of finished semiconductor devices similar lateral dimensions as the carrier seen in plan view of the carrier top, and / or as the
Bauteilbereiche auf. Die einzelnen Träger überragen dabei die Halbleiterschichtenfolge in den Bauteilbereichen bevorzugt ringsum, in Draufsicht gesehen, so dass die Bauteilbereiche eine kleinere Grundfläche aufweisen als dazugehörige Träger. Diese Grundflächen unterscheiden sich bevorzugt um höchstens 15 % oder 25 %. Die lateralen Abmessungen der fertig Component areas on. In this case, the individual carriers preferably project beyond the semiconductor layer sequence in the component regions all around, seen in plan view, so that the component regions have a smaller base surface than associated carriers. These base areas preferably differ by at most 15% or 25%. The lateral dimensions of the finished
hergestellten Halbleiterbauteile unterscheiden sich manufactured semiconductor components differ
alternativ oder zusätzlich bevorzugt um höchstens 15 % oder 25 % von lateralen Abmessungen der Träger. Dies kann in jede einzelne Raumrichtung gelten, in Draufsicht auf die alternatively or additionally preferably at most 15% or 25% of lateral dimensions of the supports. This can apply in any single spatial direction, in plan view of the
Trägeroberseite gesehen, oder gemittelt über alle Carrier top seen, or averaged over all
Raumrichtungen . Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das Halbleiterbauteil wird mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das Halbleiterbauteil Spatial directions. In addition, an optoelectronic semiconductor device is specified. The semiconductor device is manufactured by a method as described in connection with one or more of the above embodiments. Features of the Method are therefore also for the semiconductor device
offenbart und umgekehrt. revealed and vice versa.
Bei dem Halbleiterbauteil ist die Halbleiterschichtenfolge auf den lichtdurchlässigen Träger angebracht. Ein erster Spiegel bedeckt zumindest Seitenflächen der In the semiconductor device, the semiconductor layer sequence is mounted on the transparent carrier. A first mirror covers at least side surfaces of the
Halbleiterschichtenfolge und ein zweiter Spiegel bedeckt, bis auf genau eine Seitenfläche, alle Seitenflächen des Trägers sowie eine Trägerunterseite. Nur die nicht von dem zweiten Spiegel bedeckte Seitenfläche des Trägers stellt eine  Semiconductor layer sequence and a second mirror covered, except for just one side surface, all side surfaces of the carrier and a carrier base. Only the non-covered by the second mirror side surface of the carrier provides a
Lichtaustrittsfläche des Halbleiterbauteils dar. Light exit surface of the semiconductor device is.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der zweite Spiegel direkt und unmittelbar auf die Seitenflächen und/oder die Trägerunterseite aufgebracht. In accordance with at least one embodiment, the second mirror is applied directly and directly to the side surfaces and / or the underside of the carrier.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine According to at least one embodiment is a
Hauptemissionsrichtung der Halbleiterbauteile parallel zu der Trägeroberseite orientiert. Insbesondere ist es möglich, dass die Hauptemissionsrichtung senkrecht zu der  Main emission direction of the semiconductor devices oriented parallel to the carrier top. In particular, it is possible that the main emission direction perpendicular to the
Lichtaustrittsfläche ausgerichtet ist. Die Light exit surface is aligned. The
Hauptemissionsrichtung ist insbesondere diejenige Richtung, entlang der die höchste Strahlungsleistung emittiert wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das  The main emission direction is in particular that direction along which the highest radiation power is emitted. In accordance with at least one embodiment, this is
Halbleiterbauteil frei von einem weiteren Gehäuse. Bei dem Träger kann es sich um die einzige mechanisch tragende und stabilisierende Komponente des Halbleiterbauteils handeln. Es kann das Halbleiterbauteil insbesondere frei von einem  Semiconductor component free of another housing. The carrier may be the only mechanically supporting and stabilizing component of the semiconductor device. It may be the semiconductor device in particular free of a
Kunststoff sein. Be plastic.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weichen, bevorzugt entlang aller Raumrichtungen oder entlang einzelner Raumrichtungen, Abmessungen des Halbleiterbauteils um According to at least one embodiment, soft, preferably along all spatial directions or along individual Spaces, dimensions of the semiconductor device to
höchstens 40 % oder 20 % oder 15 % von entsprechenden not more than 40% or 20% or 15% of corresponding
Abmessungen des Trägers ab. Mit anderen Worten ist dann eine Größe des Halbleiterbauteils im Wesentlichen gleich einer Größe des Trägers. Dimensions of the carrier from. In other words, a size of the semiconductor device is then substantially equal to a size of the carrier.
Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Hereinafter, a method described herein and an optoelectronic semiconductor device described herein with reference to the drawings by means of embodiments will be explained in more detail. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.
Es zeigen: Show it:
Figuren 1 bis 8 schematische Darstellungen von Figures 1 to 8 are schematic representations of
Verfahrensschritten eines hier beschriebenen  Process steps of one described here
Verfahrens zur Herstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, und  Method for producing an optoelectronic semiconductor component described here, and
Figur 9 schematische Darstellungen eines Figure 9 is a schematic representations of a
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.  Embodiment of an optoelectronic semiconductor device described here.
In Figur 1A ist eine schematische Schnittdarstellung und in Figur 1B eine schematische Draufsicht auf einen In Figure 1A is a schematic sectional view and in Figure 1B is a schematic plan view of a
Verfahrensschritt eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils gezeigt. Gemäß Figur 1 wird eine Halbleiterschichtenfolge 3 auf eine Trägeroberseite 20 einer Trägerscheibe 2 aufgebracht. Das Aufbringen ist beispielsweise ein epitaktisches Aufwachsen. Die Halbleiterschichtenfolge 3 weist eine aktive Zone 33, beispielsweise eine Multiquantentopfstruktur oder einen pn- Übergang auf. Eine Oberseite 34 der Halbleiterschichtenfolge 3 ist der Trägerscheibe 2 abgewandt. Process step of a method for producing an optoelectronic semiconductor device shown. According to FIG. 1, a semiconductor layer sequence 3 is applied to a carrier top side 20 of a carrier wafer 2. The application is for example an epitaxial growth. The Semiconductor layer sequence 3 has an active zone 33, for example a multi-quantum well structure or a pn junction. An upper side 34 of the semiconductor layer sequence 3 faces away from the carrier disk 2.
In Figur 2 ist dargestellt, siehe die Schnittdarstellung in Figur 2A und die Draufsicht in Figur 2B, dass die In Figure 2 is shown, see the sectional view in Figure 2A and the plan view in Figure 2B that the
Halbleiterschichtenfolge 3 in einzelne Bauteilbereiche 31 strukturiert ist. Das Strukturieren der Semiconductor layer sequence 3 is structured in individual component regions 31. The structuring of the
Halbleiterschichtenfolge 3 erfolgt beispielsweise über einSemiconductor layer sequence 3 takes place for example via a
Ätzen. Bei diesem Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge 3 werden Seitenflächen 32, auch als Mesaflanken bezeichnet, gebildet. Es ist möglich, dass beim Strukturieren der Etching. In this structuring of the semiconductor layer sequence 3, side surfaces 32, also referred to as mesaflanks, are formed. It is possible that when structuring the
Halbleiterschichtenfolge 3 die Trägeroberseite 20 Semiconductor layer sequence 3, the carrier top 20
stellenweise freigelegt wird. is exposed in places.
Die Trägerscheibe 2 ist durch dieses Strukturieren der The carrier disk 2 is by structuring the
Halbleiterschichtenfolge 3 nicht oder nicht wesentlich betroffen. Nicht wesentlich bedeutet dabei insbesondere, dass eine mechanische Stabilität oder optische Eigenschaften der Trägerscheibe 2 sich nicht funktionsrelevant ändern, Semiconductor layer sequence 3 not or not significantly affected. Not essential here means in particular that a mechanical stability or optical properties of the carrier disk 2 do not change functionally relevant,
ebensowenig wie eine Dicke der Trägerscheibe 2. Eine Ätztiefe in der Trägerscheibe 2 durch das Ätzen der Just as little as a thickness of the carrier disk 2. An etching depth in the carrier disk 2 by the etching of
Halbleiterschichtenfolge 3 liegt zum Beispiel bei höchstens 200 nm oder 100 nm und/oder höchstens 5 % oder 2 % der Dicke der Halbleiterschichtenfolge und/oder höchstens 0,5 % oder 0,1 % oder 0,02 % der Dicke der Trägerscheibe 2 vor diesem Verfahrensschritt . Mehrere, insbesondere genau zwei der Bauteilbereiche 31 sind zu einer Trägergruppe 21 zusammengefasst . Die Trägergruppen 21 sind durch Strich-Punkt-Linien in Figur 2 voneinander symbolisch separiert. Beim Verfahrensschritt, wie in Figur 2 dargestellt, ist die Unterteilung in die einzelnen Trägergruppen 21 lediglich zur Veranschaulichung, eine reale Unterteilung ist noch nicht erfolgt. In der Schnittdarstellung in Figur 3 ist ein einzelner der Bauteilbereiche 31 detaillierter dargestellt. Auf die der Trägerscheibe 2 abgewandte Oberseite 34 werden elektrische Kontaktschichten 43a, 43b aufgebracht. Die Kontaktschichten 43a, 43b bedecken, in Draufsicht gesehen, einen Großteil der Oberseite 34, insgesamt beispielsweise mindestens 60 % oder 80 % der Oberseite 34, in Draufsicht gesehen. Die Semiconductor layer sequence 3 is, for example, at most 200 nm or 100 nm and / or at most 5% or 2% of the thickness of the semiconductor layer sequence and / or at most 0.5% or 0.1% or 0.02% of the thickness of the carrier disk 2 before this Procedural step. Several, in particular exactly two of the component regions 31 are combined to form a carrier group 21. The carrier groups 21 are symbolically separated from one another by dash-dot lines in FIG. In the method step, as in FIG. 2 As shown, the division into the individual carrier groups 21 is merely illustrative, a real subdivision has not yet taken place. In the sectional view in FIG. 3, a single one of the component regions 31 is shown in more detail. On the carrier disc 2 facing away from the top 34 electrical contact layers 43a, 43b are applied. The contact layers 43a, 43b cover, seen in plan view, a majority of the top surface 34, in total, for example, at least 60% or 80% of the top surface 34, seen in plan view. The
Kontaktschicht 43a durchdringt die aktive Zone 33. Contact layer 43a penetrates the active region 33.
Die Kontaktschichten 43a, 43b sind in Figur 3 nur stark vereinfacht dargestellt, ebenso wie die zugehörige The contact layers 43a, 43b are shown in Figure 3 only greatly simplified, as well as the associated
Passivierungsschicht 41, die die Kontaktschichten 43a, 43b elektrisch voneinander isoliert. Eine elektrische  Passivation layer 41, which electrically isolates the contact layers 43a, 43b from each other. An electric
Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge und die Contacting the semiconductor layer sequence and the
Kontaktschichten 43a, 43b können auch gestaltet sein, wie in Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 in der Druckschrift Contact layers 43a, 43b may also be configured as in connection with Figures 1 to 3 in the document
DE 10 2007 019 775 AI gezeigt. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschrift hinsichtlich der elektrischen Kontaktflächen und der Passivierungsschicht wird hiermit durch Rückbezug mit aufgenommen .  DE 10 2007 019 775 AI shown. The disclosure of this document with regard to the electrical contact surfaces and the passivation layer is hereby incorporated by reference.
Ferner ist in Figur 3 zu sehen, dass auf der Furthermore, it can be seen in FIG
Passivierungsschicht 41 ein erster Spiegel 42 aufgebracht wird. Bei dem ersten Spiegel 42 handelt es sich bevorzugt um einen metallischen Spiegel, der mehrere, zur Vereinfachung der Darstellung nicht gezeichnete Teilschichten aufweisen kann. Ebenso ist es optional möglich, dass auf einer der Halbleiterschichtenfolge 3 abgewandten Seite des ersten Spiegels 42 eine nicht dargestellte Schutzschicht aufgebracht wird . Passivation layer 41, a first mirror 42 is applied. The first mirror 42 is preferably a metallic mirror which may have a plurality of partial layers not shown for the sake of simplicity of illustration. Likewise, it is optionally possible that on one side facing away from the semiconductor layer sequence 3 of the first Mirror 42 is applied a protective layer, not shown.
Gemäß der Figuren 2 und 3 werden die elektrischen According to Figures 2 and 3, the electrical
Kontaktflächen 43a, 43b erst nach dem Separieren zu den einzelnen Bauteilbereichen 31 aufgebracht. Alternativ hierzu können die Verfahrensschritte auch umgekehrt erfolgen, so dass das Ätzen zu den Bauteilbereichen 31 dem Ausbilden der Kontaktflächen 43a, 43b nachgeschaltet ist. Contact surfaces 43a, 43b are applied to the individual component regions 31 only after separation. Alternatively, the method steps can also be reversed, so that the etching is connected downstream of the component regions 31 to form the contact surfaces 43a, 43b.
Die elektrischen Kontaktflächen 43a, 43b können auch einen Teil des ersten Spiegels 42 darstellen und/oder selbst als reflektierende, spiegelnde Flächen ausgebildet sein. The electrical contact surfaces 43a, 43b may also represent a part of the first mirror 42 and / or may themselves be formed as reflecting, reflecting surfaces.
Alternativ kann der erste Spiegel 42, anders als dargestellt, stellenweise auch zwischen der Halbleiterschichtenfolge 3 und den Kontaktschichten 43a, 43b angebracht sein. Die beiden elektrischen Kontaktflächen 43a, 43b zusammengenommen Alternatively, the first mirror 42, unlike the one shown, may also be provided in places between the semiconductor layer sequence 3 and the contact layers 43a, 43b. The two electrical contact surfaces 43a, 43b taken together
bedecken die Halbleiterschichtenfolge 3 und/oder die cover the semiconductor layer sequence 3 and / or the
Trägeroberseite 20 innerhalb eines Bauteilbereichs 31 Carrier top 20 within a component portion 31
bevorzugt zum größten Teil, zum Beispiel zu mindestens 50 % oder 70 % oder 80 %. preferably for the most part, for example at least 50% or 70% or 80%.
Die elektrischen Kontaktschichten 43a, 43b sind als The electrical contact layers 43a, 43b are as
Mehrlagenmetallisierungen ausgebildet, die eine möglichst gleichmäßige Strominjektion in die Halbleiterschichtenfolge 3 ermöglicht. Bevorzugt sind die beiden Kontaktschichten 43a, 43b lötbar ausgeführt, um etwa über ein Multilayer metallization formed that allows the most uniform current injection into the semiconductor layer sequence 3. Preferably, the two contact layers 43a, 43b are designed to be solderable, to about a
Oberflächenmontageverfahren, englisch Surface Mount Surface mounting method, English Surface Mount
Technology, die fertig hergestellten Halbleiterbauteile an einen externen Montageträger, nicht gezeichnet, anbringen zu können. Alternativ können die Kontaktschichten 43a, 43b drahtbondbar geformt sein. Damit können die elektrischen Kontaktschichten 43a, 43b auch als Montageflächen und als mechanische Kontaktflächen zu einer Befestigung der fertig hergestellten Halbleiterbauteile dienen. Technology, the prefabricated semiconductor devices to an external mounting bracket, not drawn to attach. Alternatively, the contact layers 43a, 43b may be wire-wound. Thus, the electrical contact layers 43a, 43b as mounting surfaces and as serve mechanical contact surfaces for attachment of the finished semiconductor devices.
In Figur 4 ist eine schematische Draufsicht für einen In Figure 4 is a schematic plan view of a
weiteren Verfahrensschritt dargestellt, siehe auch die further process step shown, see also the
Figuren 5 und 6. Jeweils zwei der Bauteilbereiche 31, die in den Figuren 4 bis 9 nur stark vereinfacht gezeichnet sind, sind zu einer der Trägergruppen 21 zusammengefasst . In Figur 4 ist in Draufsicht auf die Trägerscheibe 2 einer der  Figures 5 and 6. Each two of the component areas 31, which are drawn only greatly simplified in Figures 4 to 9 are summarized to one of the support groups 21. In Figure 4 is in plan view of the support plate 2 one of
Trägergruppen 21 durch eine Strich-Punkt-Linie symbolisiert. Zwischen benachbarten Trägergruppen 21 und rings um die jeweilige Trägergruppe 21 herum ist ein Graben 24 Carrier groups 21 symbolized by a dash-dot line. Between adjacent carrier groups 21 and around the respective carrier group 21 around a trench 24th
ausgebildet . Die Gräben 24 werden bevorzugt erzeugt, wie in Verbindung mit der Schnittdarstellung in Figur 5 angegeben. Über eine gepulste Laserstrahlung L werden in der Trägerscheibe 2, beispielsweise eine Saphirscheibe, Materialstörstellen im Bereich der Gräben 24 erzeugt. Die zu erzeugenden Gräben 24 sind in Figur 5 durch eine Strich-Linie symbolisiert. Nach dieser Laserbehandlung erfolgt ein insbesondere educated . The trenches 24 are preferably produced as indicated in connection with the sectional view in FIG. By means of a pulsed laser radiation L, in the carrier disk 2, for example a sapphire disk, material defects in the region of the trenches 24 are produced. The trenches 24 to be generated are symbolized in FIG. 5 by a dashed line. After this laser treatment is a particular
nasschemisches Ätzen, bei dem die Materialfehlstellen, hervorgerufen durch die gepulste Laserstrahlung, selektiv geätzt werden. wet-chemical etching, in which the material defects caused by the pulsed laser radiation are selectively etched.
Die Gräben 24 reichen bevorzugt nicht durch die Trägerscheibe 2 hindurch, so dass die Trägerscheibe 2 als Einheit erhalten bleibt. Alternativ kann die Trägerscheibe 2 vollständig von den Gräben 24 durchdrungen werden. The trenches 24 preferably do not pass through the carrier disk 2, so that the carrier disk 2 is retained as a unit. Alternatively, the support disk 2 can be completely penetrated by the trenches 24.
Nach dem Ausbilden der Gräben 24, siehe die After forming the trenches 24, see the
Schnittdarstellung in Figur 6, wird ein zweiter Spiegel 5A an Grabenwänden 25 der Gräben 24 erzeugt. Bei dem zweiten Spiegel 5a handelt es sich bevorzugt um einen metallischen Spiegel, der eine oder mehrere metallische Schichten umfassen kann. Anders als in Figur 6 dargestellt ist es möglich, dass der zweite Spiegel 5a die Seitenflächen 32 der In sectional view in FIG. 6, a second mirror 5A is created on trench walls 25 of the trenches 24. At the second Mirror 5a is preferably a metallic mirror which may comprise one or more metallic layers. Other than shown in FIG. 6, it is possible for the second mirror 5 a to have the side surfaces 32 of FIGS
Bauteilbereiche 31 und/oder die Oberseite 34 teilweise bedeckt, wobei die elektrischen Kontaktschichten 43 bevorzugt frei von dem zweiten Spiegel 5a bleiben. Component regions 31 and / or the top 34 partially covered, wherein the electrical contact layers 43 preferably remain free from the second mirror 5a.
In der Schnittdarstellung in Figur 7 ist dargestellt, dass die Trägerscheibe 2 etwa durch ein Schleifen und/oder In the sectional view in FIG. 7, it is shown that the carrier disk 2 is approximately formed by grinding and / or
Polieren verdünnt wird, so dass die Gräben 24 von der Polishing is diluted so that the trenches 24 from the
Unterseite 27 her freigelegt werden. Vor diesem Dünnen der Trägerscheibe 2 und dem Vereinzeln zu den Trägern 22 wird bevorzugt ein temporärer Hilfsträger 6 angebracht. Der Bottom 27 are exposed forth. Before this thinning of the carrier disk 2 and the separation to the carriers 22, a temporary auxiliary carrier 6 is preferably attached. Of the
Hilfsträger 6 befindet sich beispielsweise an den Subcarrier 6 is located, for example, on the
Kontaktstellen 43. Contact points 43.
Durch das Dünnen der Trägerscheibe 2 wird die bevorzugt ebene Trägerunterseite 27 erzeugt. Anschließend wird auf die By thinning the carrier disk 2, the preferably flat carrier underside 27 is generated. Subsequently, on the
Trägerunterseite 27 der zweite Spiegel 5b aufgebracht, der entsprechend dem zweiten Spiegel 5a an den Grabenwänden 25 gestaltet sein kann. Abweichend von der Darstellung kann der Spiegel 5b sich auch auf die Grabenwände 25 und auf den Carrier base 27 of the second mirror 5b applied, which may be designed according to the second mirror 5a on the trench walls 25. Deviating from the illustration, the mirror 5b can also be applied to the trench walls 25 and onto the trench walls 25
Spiegel 5a erstrecken. Mirror 5a extend.
In Figur 8 sind schematische Draufsichten auf die In Figure 8 are schematic plan views of the
resultierenden Trägergruppen 21 gezeigt. Hierbei können sich die Trägergruppen 21 noch auf dem Hilfsträger befinden, in Figur 8 nicht gezeichnet. Ringsum um die Grabenwände 25 befindet sich der zweite Spiegel 5, bevorzugt in einer geschlossenen, ununterbrochenen Linie. Mittig zwischen den beiden Bauteilbereichen 31 befindet sich ein weiterer resulting support groups 21. Here, the carrier groups 21 can still be on the subcarrier, not shown in Figure 8. Around the trench walls 25 is the second mirror 5, preferably in a closed, unbroken line. In the middle between the two component areas 31 is another
Trennbereich, in dem eine Lichtaustrittsfläche 29 nachfolgend erzeugt wird. An einem Beginn und/oder an einem Ende der zu erzeugenden, in Figur 8 noch nicht gebildeten Separation area in which a light exit surface 29 below is produced. At a beginning and / or at an end of the to be generated, not yet formed in Figure 8
Lichtaustrittsfläche 29 befindet sich optional eine Light exit surface 29 is optionally a
Einkerbung und/oder eine Auskerbung 8. Über diese Einkerbung und/oder Auskerbung 8 ist ein nachfolgendes Zerteilen Notch and / or notch 8. Above this notch and / or notch 8 is a subsequent cut
vereinfacht. Insbesondere kann an der Einkerbung und/oder der Auskerbung 8 der metallische zweite Spiegel 5 leichter reißen . Optional verfügen die einzelnen Bauteilbereiche 31 an dersimplified. In particular, at the notch and / or the notch 8, the metallic second mirror 5 can break more easily. Optionally, the individual component regions 31 at the
Oberseite 34 jeweils über eine Polaritätsmarkierung 7, über die eine Kathode und Anode der elektrischen Kontaktschichten 43 eindeutig identifizierbar ist. Gemäß Figur 8A sind die Polaritätsmarkierungen jeweils in einer rechten oberen Ecke der einzelnen Bauteilbereiche 31 angebracht. Beim nachfolgenden Bilden der Top 34 each have a polarity mark 7 through which a cathode and anode of the electrical contact layers 43 is uniquely identifiable. According to FIG. 8A, the polarity markings are each mounted in a top right corner of the individual component regions 31. When subsequently forming the
Lichtaustrittsfläche 29 ist damit an dem in Figur 8A linken Bauteilbereich 31 die Lichtaustrittsfläche 29 rechtsseitig und bei dem in Figur 8A rechten Halbleiterbauteil 31 befindet sich die zu formende Lichtaustrittsfläche 29 linksseitig. Mit anderen Worten sind dann nach einem Zerteilen zu den  Light exit surface 29 is thus on the left in Figure 8A component area 31, the light exit surface 29 on the right side and in the right in Figure 8A semiconductor device 31 is to be formed light exit surface 29 on the left side. In other words, then after a cut to the
einzelnen Halbleiterbauteilen die Lichtaustrittsflächen 29 in unterschiedlichen Positionen angebracht, relativ zu der individual semiconductor components, the light exit surfaces 29 mounted in different positions, relative to the
Polaritätsmarkierung 7. Polarity mark 7.
Demgegenüber in Figur 8B sind die Polaritätsmarkierungen 7 und damit eine Ausgestaltung der Kontaktstellen 43 derart gewählt, dass über eine Drehung um 180° um eine Achse In contrast, in FIG. 8B, the polarity markings 7 and thus an embodiment of the contact points 43 are selected in such a way that over a rotation through 180 ° about an axis
senkrecht zur Zeichenebene der Figur 8B die Bauteilbereiche 31 ineinander übergehen können. Hierdurch befinden sich dann die Lichtaustrittsflächen 29 jeweils an der Längsseite der Bauteilbereiche 31, an der sich auch die Polaritätsmarkierung 7 befindet. perpendicular to the plane of Figure 8B, the component areas 31 can merge into each other. As a result, the light exit surfaces 29 are each located on the longitudinal side of the Component regions 31, on which the polarity mark 7 is located.
Die Trägergruppen 21, wie in Figur 8 dargestellt, werden durch ein Ritzen und ein Brechen zu den fertigen Carrier groups 21, as shown in FIG. 8, are finished by scratching and breaking
Halbleiterbauteilen 1 vereinzelt, siehe die Draufsicht in Figur 9A und die perspektivische Darstellung in Figur 9B .  Semiconductor devices 1 isolated, see the plan view in Figure 9A and the perspective view in Figure 9B.
Bis auf die Lichtaustrittsfläche 29 sind alle Flächen des Trägers 22 und optional des Bauteilbereichs 31 von dem ersten Spiegel 42 sowie von dem zweiten Spiegel 5 bedeckt. Eine Hauptemissionsrichtung H ist damit senkrecht zu der Except for the light exit surface 29, all surfaces of the carrier 22 and optionally of the component region 31 are covered by the first mirror 42 as well as by the second mirror 5. A main emission direction H is thus perpendicular to the
Lichtaustrittsfläche 29 orientiert. Anders als in Figur 9A dargestellt können die Grabenwände 25 und die Lichtaustrittsfläche 29, in Draufsicht gesehen, auch andere Formen als Geradenabschnitte aufweisen, beispielsweise zu einer Lichtbündelung hin zur Lichtaustrittsfläche 29. Ein Ritzen, um das nachfolgende Brechen durchzuführen, kann ein Laserritzen sein. Dieses Laserritzen kann bereits in vorhergehenden Verfahrensschritten durchgeführt werden, beispielsweise in Verbindung mit dem in Figur 5 dargestellten Verfahrensschritt, also insbesondere noch vor dem Anbringen des zweiten Spiegels 5. Light exit surface 29 oriented. Unlike in FIG. 9A, the trench walls 25 and the light exit surface 29, viewed in plan view, may also have other shapes than straight line sections, for example, for a light bundling towards the light exit surface 29. A scribe to carry out the subsequent breaking can be a laser scribing. This laser scribing can already be carried out in preceding method steps, for example in conjunction with the method step illustrated in FIG. 5, that is to say in particular before the second mirror 5 is attached.
Solche seitlich emittierenden Halbleiterbauteile 1 gemäß Figur 9 können beispielsweise an eine Lichtleiterplatte montiert und zu einer Displayhinterleuchtung dienen. Dabei können mehrere, verschiedenfarbig emittierende Such laterally emitting semiconductor components 1 according to FIG. 9 can be mounted, for example, on a light guide plate and serve for display backlighting. It can several, different colors emitting
Halbleiterbauteile 1 miteinander kombiniert werden,  Semiconductor components 1 are combined with each other,
beispielsweise blaues Licht emittierende und rotes Licht emittierende und grünes Licht emittierende for example, blue light emitting and red light emitting and green light emitting
Halbleiterbauteile . Semiconductor components.
Abweichend von der Darstellung insbesondere in Figur 9 ist es möglich, dass an der Lichtaustrittsfläche 29 ein Notwithstanding the representation in particular in Figure 9, it is possible that at the light exit surface 29 a
Leuchtstoffmaterial zu einer teilweisen oder vollständigen Wellenlängenumwandlung von in der Halbleiterschichtenfolge 3 erzeugter Strahlung angebracht ist. Weiterhin ist es optional möglich, dass an dem Träger 22 abgewandten Außenseiten des zweiten Spiegels 5 eine nicht gezeichnete Schutzschicht oder Passivierungsschicht aufgebracht wird. Eine solche  Phosphor material is attached to a partial or complete wavelength conversion of radiation generated in the semiconductor layer sequence 3. Furthermore, it is optionally possible that a non-illustrated protective layer or passivation layer is applied to the outer side facing away from the carrier 22 of the second mirror 5. Such
Schutzschicht oder Passivierungsschicht ist bevorzugt dünn gestaltet und weist beispielsweise eine Dicke von höchstens 10 ym oder 5 ym oder 1 ym auf. Dadurch wird durch eine solche, nicht gezeichnete Schutzschicht oder The protective layer or passivation layer is preferably made thin and has, for example, a thickness of at most 10 μm or 5 μm or 1 μm. As a result, by such, not shown protective layer or
Passivierungsschicht eine Größe des Halbleiterbauteils 1 nicht oder nicht signifikant erhöht.  Passivierungsschicht a size of the semiconductor device 1 is not or not significantly increased.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die The invention described here is not by the
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Description limited to the embodiments.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .  Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 110 071.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2014 110 071.9, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen 1. A method for producing an optoelectronic
Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten:  Semiconductor component (1) with the steps:
A) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf eine Trägeroberseite (20) einer lichtdurchlässigen Trägerscheibe (2),  A) applying a semiconductor layer sequence (3) to a carrier top side (20) of a transparent carrier disk (2),
B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einzelnen Bauteilbereichen (31),  B) structuring the semiconductor layer sequence (3) into individual component regions (31),
C) Anbringen zumindest eines ersten Spiegels (42) und zumindest einer elektrischen Kontaktschicht (43) an den Bauteilbereichen (31),  C) attaching at least one first mirror (42) and at least one electrical contact layer (43) to the component regions (31),
D) Strukturieren der Trägerscheibe (2) zu Trägergruppen (21), sodass jede Trägergruppe (21) mindestens zwei oder genau zwei der Bauteilbereiche (31) aufweist und sodass in der Trägerscheibe (2), in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen, rings um die Trägergruppe D) structuring the carrier disc (2) to carrier groups (21), so that each carrier group (21) has at least two or exactly two of the component regions (31) and so seen in the carrier disc (2), in plan view of the carrier top (20) around the carrier group
(21) herum ein Graben (24) mit Grabenwänden (25) gebildet wird, (21) around a trench (24) is formed with trench walls (25),
E) Aufbringen eines zweiten Spiegels (5) zumindest auf den Grabenwänden (25) ,  E) applying a second mirror (5) at least on the trench walls (25),
F) Aufbringen des zweiten Spiegels (5) zumindest auf einer Trägerunterseite (27), die der Trägeroberseite (20) gegenüberliegt, und  F) applying the second mirror (5) at least on a carrier underside (27) which is opposite to the carrier top (20), and
G) Zerteilen der Trägergruppe (21) zu einzelnen Trägern G) dividing the carrier group (21) into individual carriers
(22) mit je einer der Bauteilbereiche (31) . (22) each having one of the component regions (31).
2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, 2. Method according to the preceding claim,
bei dem die Verfahrensschritte A) bis G) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden,  in which the method steps A) to G) are carried out in the stated order,
wobei im Schritt D) die Trägerscheibe (2) als  wherein in step D) the carrier disc (2) as
zusammenhängende Komponente erhalten bleibt und die Trägerscheibe (2) durch ein Dünnen erst nach dem Schritt E) und vor dem Schritt G) vollständig in die Trägergruppen (21) zerteilt wird, und contiguous component is maintained and the carrier disc (2) by a thinning after the Step E) and before step G) is completely divided into the carrier groups (21), and
wobei nur im Schritt G) erzeugte Seitenflächen der Träger (22) Lichtaustrittsflächen (29) der fertig hergestellten Halbleiterbauteile (1) bilden und die Lichtaustrittsflächen (29) frei von dem ersten und dem zweiten Spiegel (42, 5) bleiben. wherein only in step G) generated side surfaces of the carrier (22) light exit surfaces (29) of the finished semiconductor devices (1) form and the light exit surfaces (29) remain free from the first and the second mirror (42, 5).
Verfahren nach Anspruch 1, Method according to claim 1,
bei dem die Schritte E) und F) gemeinsam durchgeführt werden, sodass im Schritt E) die Trägerscheibe (2) vollständig in die Trägergruppen (21) zerteilt wird, wobei nur im Schritt G) erzeugte Seitenflächen der Träger (22) Lichtaustrittsflächen (29) der fertig hergestellten Halbleiterbauteile (1) bilden und die Lichtaustrittsflächen (29) frei von dem ersten und dem zweiten Spiegel (42, 5) bleiben. in which the steps E) and F) are carried out jointly, so that in step E) the carrier disc (2) is completely divided into the carrier groups (21), wherein only in step G) generated side surfaces of the carrier (22) light exit surfaces (29) the finished semiconductor devices (1) form and the light exit surfaces (29) remain free from the first and the second mirror (42, 5).
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, Method according to one of claims 2 or 3,
bei dem die Grabenwände (25) und/oder die in which the trench walls (25) and / or the
Lichtaustrittsflächen, in Draufsicht auf die Light exit surfaces, in plan view of the
Trägeroberseite (20) gesehen, konkav gekrümmt, konvex gekrümmt oder als Zickzacklinie verlaufen. Carrier top (20) seen concavely curved, convex curved or zigzagged.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Trägerscheibe (2) im Schritt B) Method according to one of the preceding claims, wherein the carrier disc (2) in step B)
unstrukturiert bleibt, sodass sich eine Dicke der Trägerscheibe (2) im Schritt B) um höchstens 0,1 % ändert, remains unstructured, so that a thickness of the carrier disc (2) in step B) changes by at most 0.1%,
wobei das Strukturieren der Trägerscheibe (2) im wherein the structuring of the carrier disc (2) in
Schritt D) die beiden folgenden Teilschritte aufweist: Dl) Erzeugen einer Vielzahl von selektiv ätzbaren Materialveränderungen in der Trägerscheibe (2) in Bereichen für die Gräben (24) durch eine fokussierte, gepulste Laserstrahlung (L) , die eine Wellenlänge aufweist, bei der die Trägerscheibe (2) transparent ist, sowie nachfolgend Step D) comprises the following two sub-steps: D1) generating a plurality of selectively etchable material changes in the carrier disc (2) in regions for the trenches (24) by a focused, pulsed laser radiation (L) having a wavelength at which the carrier disc (2) is transparent, and subsequently
D2) nasschemisches Ätzen der Materialveränderungen, sodass die Gräben (24) erzeugt werden, und  D2) wet-chemical etching of the material changes so that the trenches (24) are produced, and
wobei der Schritt G) ein Ritzen und Brechen umfasst. wherein step G) comprises scribing and breaking.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem alle Seitenflächen der Träger (22) nach dem Schritt G) glatt sind, sodass eine mittlere Rauheit der Seitenflächen höchstens 0,75 ym beträgt. Method according to one of the preceding claims, in which all side surfaces of the carriers (22) are smooth after step G), so that an average roughness of the side surfaces is at most 0.75 μm.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem jede der Trägergruppen (21) unmittelbar vor dem Schritt G) durch eine Drehung um 180° um eine Achse senkrecht zur Trägeroberseite (20) ineinander abbildbar ist . Method according to one of the preceding claims, in which each of the carrier groups (21) can be imaged immediately before step G) by a rotation through 180 ° about an axis perpendicular to the carrier top side (20).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zumindest im Schritt G) die BauteilbereicheMethod according to one of the preceding claims, wherein at least in step G) the component areas
(31) an einem Hilfsträger (6) angebracht sind, wobei der Hilfsträger (6) in den fertigen Halbleiterbauteilen(31) are mounted on a subcarrier (6), wherein the subcarrier (6) in the finished semiconductor components
(1) nicht mehr vorhanden ist und der Hilfsträger entweder mechanisch starr oder eine dehnbare Folie ist. (1) is no longer present and the subcarrier is either mechanically rigid or a stretchable film.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (3) auf AlInGaN basiert und der Träger (2) ein Saphirsubstrat ist und ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge (3) ist. Method according to one of the preceding claims, in which the semiconductor layer sequence (3) is based on AlInGaN and the carrier (2) is a sapphire substrate and is a growth substrate for the semiconductor layer sequence (3).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich vor dem Schritt G) an einem Rand der Method according to one of the preceding claims, in which, prior to step G), an edge of the
Trägergruppen (21) zwischen benachbarten - 2 \ Carrier groups (21) between adjacent - 2 \
Bauteilbereichen (31) eine Auskerbung und/oder eine Einkerbung (8) befindet, ausgehend von der im Schritt G) die Trägergruppen (21) zerteilt werden. Component regions (31) is a notch and / or a notch (8), starting from the in step G) the carrier groups (21) are divided.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die einzelnen Träger (22) eine Dicke zwischen einschließlich 40 ym und 200 ym aufweisen, wobei eine Dicke der fertig hergestellten Halbleiterbauteile (1) zwischen einschließlich 45 ym und 220 ym liegt, wobei, in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen, die genau eine Seitenfläche des Trägers (22), an der eine Lichtauskopplung erfolgt, mindestens 1,5- mal so lange ist wie eine quer hierzu verlaufende Seitenfläche des Trägers (22) . A method according to any one of the preceding claims, wherein the individual carriers (22) have a thickness of between 40 ym and 200 ym inclusive, wherein a thickness of the finished semiconductor devices (1) is between 45 ym and 220 ym including, in plan view seen the carrier top (20), which is at least one side surface of the support (22), at which a Lichtauskopplung occurs, at least 1.5 times as long as a transverse thereto extending side surface of the support (22).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem, in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen, laterale Abmessungen der fertig hergestellten Halbleiterbauteile (1) um höchstens 15 % von lateralen Abmessungen der Träger (22) und um höchstens 25 ~6 von lateralen Abmessungen der Bauteilbereiche (31) Method according to one of the preceding claims, wherein, viewed in plan view of the carrier top side (20), lateral dimensions of the finished semiconductor devices (1) by at most 15% of lateral dimensions of the carrier (22) and by at most 25 ~ 6 of lateral dimensions the component areas (31)
abweichen . deviate.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit Optoelectronic semiconductor device (1) with
- einem Träger (22),  a carrier (22),
- einer Halbleiterschichtenfolge (3) , die auf einer Trägeroberseite (20) des lichtdurchlässigen Trägers (22) angebracht ist,  a semiconductor layer sequence (3) which is mounted on a carrier top side (20) of the transparent carrier (22),
- mindestens einer elektrischen Kontaktschicht (43) an einer der Trägeroberseite (20) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer externen  - At least one electrical contact layer (43) on one of the carrier top side (20) facing away from the semiconductor layer sequence (3) to an external
elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils (1),electrical contacting of the semiconductor device (1),
- einem ersten Spiegel (41) an der a first mirror (41) on the
Halbleiterschichtenfolge (3) , wobei der erste Spiegel (41) Seitenflächen (32) der Halbleiterschichtenfolge (3) bedeckt, und Semiconductor layer sequence (3), wherein the first mirror (41) side surfaces (32) of the semiconductor layer sequence (3) covered, and
- einem zweiten Spiegel (5) , der bis auf genau eine Seitenfläche (29) alle übrigen Seitenflächen des Trägers (22) sowie ein Trägerunterseite (27) des Trägers (22), die der Trägeroberseite (20)  - A second mirror (5), which except for just one side surface (29) all other side surfaces of the carrier (22) and a carrier underside (27) of the carrier (22), the carrier top (20)
gegenüberliegt, direkt bedeckt. opposite, directly covered.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, Optoelectronic semiconductor component (1) according to the preceding claim,
bei der die nicht von dem zweiten Spiegel (5) bedeckte Seitenfläche des Trägers (22) die einzige in which the side surface of the carrier (22) not covered by the second mirror (5) is the only one
Lichtaustrittsfläche (29) des Halbleiterbauteils (1) bildet, sodass eine Hauptemissionsrichtung (H) des Halbleiterbauteils (1) parallel zur Trägeroberseite (20) orientiert ist, Light exit surface (29) of the semiconductor device (1) so that a main emission direction (H) of the semiconductor device (1) is oriented parallel to the carrier top side (20),
wobei das Halbleiterbauteil (1) als einzige mechanisch tragende Komponente den Träger (22) aufweist, und wobei entlang aller Raumrichtungen Abmessungen des Halbleiterbauteils (1) um höchstens 40 % größer sind als entsprechende Abmessungen des Trägers (22) . wherein the semiconductor device (1) as the sole mechanically supporting component comprises the carrier (22), and wherein along all spatial directions dimensions of the semiconductor device (1) by at most 40% greater than corresponding dimensions of the carrier (22).
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