오늘날, 고갈되어 가는 화석 연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 고갈될 염려가 없을 뿐만 아니라 친환경적인 태양에너지를 활용하는 태양전지(Solar Cell)에 관한 연구 개발이 활발히 진행 중이다.Today, in order to reduce the dependence on depleted fossil fuels, research and development on solar cells that use not only the risk of depletion but also use environmentally friendly solar energy are in progress.
이러한 연구 개발의 일환으로, 태양광의 흡수율이 높고, 태양광 또는 방사선에 대한 열화 현상이 적으며, 박막화가 가능하고, 제작상 재료비를 절감할 수 있는 CIGS{Cu(In1-xGax)Se2}층이 형성된 박막형 태양전지가 개발되었다.As part of this research and development, CIGS {Cu (In 1-x Ga x ) Se which has high absorption rate of solar light, little degradation of sunlight or radiation, thin film and low material cost in manufacturing 2 } A thin film solar cell with a layer was developed.
박막형 태양전지는 유리 등의 기판, 기판 상에 형성된 금속층으로 이루어진 (+)극인 전극층, 전극층 상에 형성되며 광을 흡수하는 p형의 CIGS층, CIGS층 상에 형성된 n형의 버퍼층 및 버퍼층 상에 형성된 (-)극인 투명 전극층을 포함하는 다층 적층 구조이다.The thin film solar cell includes a substrate such as glass, an electrode layer which is a positive electrode made of a metal layer formed on the substrate, a p-type CIGS layer formed on the electrode layer and absorbing light, an n-type buffer layer and a buffer layer formed on the CIGS layer. It is a multilayer laminated structure containing the transparent electrode layer which is the formed (-) pole.
그리하여, 수광부인 투명 전극층을 통하여 태양광이 입사되면, p-n 접합 부근에서는 대략 1.04 eV 의 밴드갭 에너지를 갖는 여기된 한 쌍의 전자 및 정공이 생성된다. 그리고, 여기된 전자와 정공은 확산에 의해 p-n 접합부에 도달하고, 접합부의 내부 전계에 의해 전자가 n 영역에, 정공이 p 영역에 집합하여 분리된다.Thus, when sunlight enters through the transparent electrode layer serving as the light receiving portion, a pair of excited electrons and holes having a bandgap energy of approximately 1.04 eV are generated near the p-n junction. The excited electrons and holes reach the p-n junction by diffusion, and electrons are collected in the n region and holes are separated in the p region by the internal electric field of the junction.
그러면, n 영역은 마이너스로 대전되고, p 영역은 플러스로 대전되며, 각 영역에 형성된 전극 간에는 전위차가 생긴다. 그리고, 전위차를 기전력으로 하여 각 전극 사이를 도선으로 연결하면 광전류가 얻어진다.Then, the n region is negatively charged, the p region is positively charged, and a potential difference occurs between the electrodes formed in each region. Then, when the potential difference is set to electromotive force and the electrodes are connected by conducting wires, a photocurrent is obtained.
박막형 태양전지의 CIGS층을 형성하는 방법은, 기판에 형성된 전극층 상에 구리, 인듐, 갈륨의 원소를 적정 비율로 진공 스퍼터링하여 전구체막을 형성하는 전구체막 형성 공정과, 이와 같이 증착된 전구체막에 셀렌화 수소(H2Se) 기체를 흘려주면서 기판에 온도를 가하게 되는 셀렌화(selenization) 공정을 거친다. 이러한 일련의 공정에 따라, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 원소가 적정 조성 비율을 갖는 CIGS{Cu(In1-xGax)Se2}층을 형성할 수 있게 된다.A method of forming a CIGS layer of a thin-film solar cell includes a precursor film forming step of forming a precursor film by vacuum sputtering an element of copper, indium, and gallium on an electrode layer formed on a substrate at an appropriate ratio, and selenium in the precursor film thus deposited. Hydrogen (H 2 Se) gas is passed through a selenization process to apply a temperature to the substrate. According to this series of processes, elements of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga) and selenium (Se) form a CIGS {Cu (In 1-x Ga x ) Se 2 } layer with an appropriate composition ratio. You can do it.
이러한 셀렌화 공정은 전구체막이 형성된 기판을 밀폐된 챔버에 로딩시키고, 챔버를 불활성가스로 치환한 다음, 챔버에 처리가스인 셀렌화 수소(H2Se)을 도입한 후, 챔버를 일정 온도로 승온시켜 일정 시간 유지함으로써 셀렌화된 CIGS층을 형성하는 공정이다.The selenization process loads the substrate on which the precursor film is formed into a closed chamber, replaces the chamber with an inert gas, introduces hydrogen selenide (H 2 Se) as a processing gas into the chamber, and then raises the chamber to a predetermined temperature. It is a process of forming a selenized CIGS layer by maintaining it for a predetermined time.
CIGS층을 형성하기 위한 종래의 열처리 장치는 쿼츠나 세라믹으로 대면적의 기판을 처리하기 위한 챔버를 제조할 때, 원가가 상승하는 단점이 있었다.The conventional heat treatment apparatus for forming the CIGS layer has a disadvantage in that the cost increases when manufacturing a chamber for processing a large area substrate with quartz or ceramic.
그리고, 쿼츠 또는 세라믹으로 형성된 본체는 파손될 수 있으므로, 본체의 파손으로 인하여 가스가 외부로 누설될 우려가 있었다. 또한, 단일의 본체 내부에 챔버가 형성되므로, 챔버로 투입된 가스가 더욱 외부로 누설될 우려가 있었다.In addition, since the main body formed of quartz or ceramic may be damaged, gas may leak to the outside due to breakage of the main body. In addition, since the chamber is formed inside a single main body, there is a fear that the gas introduced into the chamber leaks further to the outside.
그리고, 기판을 가열하는 히터가 본체의 외부에 설치되므로, 가열 성능이 저하되는 단점이 있었다.And since the heater which heats a board | substrate is provided in the exterior of a main body, there existed a disadvantage that a heating performance falls.
그리고, 복수의 기판이 적재 보관된 하나의 보트만 챔버에 로딩되어 처리되므로, 생산성이 저하되는 단점이 있었다.In addition, since only one boat in which a plurality of substrates are loaded and stored is loaded and processed in the chamber, there is a disadvantage in that productivity is lowered.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It is to be understood that the various embodiments of the invention, although different from one another, need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and features described herein may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. In addition, it is to be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치를 설명함에 있어서, CIGS{Cu(In1-xGax)Se2}층 형성장치를 예로 들어 설명한다.In describing the heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, a CIGS {Cu (In1-xGax) Se 2 } layer forming apparatus will be described as an example.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 열처리 장치의 일부 절개 분해 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 내부본체의 측단면도이고, 도 4는 도 3의 "A"부 확대도이다.1 is a perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a partially cutaway exploded perspective view of the heat treatment apparatus shown in Figure 1, Figure 3 is a side cross-sectional view of the inner body shown in FIG. 4 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 3.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 열처리 장치(100)는 외관을 형성하는 본체(110)를 포함한다. 본체(110)의 내부에는 유리 등의 기판(50)(도 5 참조)이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버(110a)가 형성되고, 전면에는 기판(50)이 출입하는 출입구(110b)가 형성된다.As shown, the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment includes a main body 110 forming an appearance. A chamber 110a, which is a space in which a substrate 50 (see FIG. 5) such as glass is loaded and processed, is formed in the main body 110, and an entrance 110b through which the substrate 50 enters and exits is formed in the front surface. .
본체(110)는 내부에 챔버(110a)가 형성된 내부본체(111)와 내부본체(110)를 감싸는 외부본체(115)를 포함하며, 출입구(110b)는 내부본체(111)의 전면에 형성된 내부출입구(110ba)와 내부출입구(110ba)와 대향되게 외부본체(115)의 전면에 형성된 외부출입구(110bb)를 포함한다.The main body 110 includes an inner body 111 in which a chamber 110a is formed and an outer body 115 surrounding the inner body 110, and the doorway 110b includes an inner body formed on the front surface of the inner body 111. It includes an entrance 110ba and an exterior entrance 110bb formed on the front surface of the exterior body 115 to face the interior entrance 110ba.
본체(110)는 금속재로 형성된다. 이로 인해, 많은 양의 기판(50)을 한번에 로딩하여 처리할 수 있는 대용량으로 용이하게 제작할 수 있고, 본체(110)가 파손되지 않으므로 가스의 누설이 방지되며, 상대적으로 저렴하므로 원가가 절감된다.The main body 110 is formed of a metal material. As a result, a large amount of substrate 50 can be easily loaded and processed at a time, and since the main body 110 is not damaged, leakage of gas is prevented and cost is relatively low.
더 구체적으로 설명하면, 내부본체(111)는 내부함체(112), 내부함체(112)의 외면에 접촉 결합된 외부함체(113) 및 외부함체(113)의 외면에 형성된 복수의 강성 보강용 지지리브(114)를 가진다. 그리고, 내부함체(112)는 내부식성을 가진 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈늄(Ta), 니오브(Nb), 니켈합금, 티타늄합금 또는 Si-DLC(Silicon-Diamondlike Carbon) 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있고, 외부함체(113)는 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(Steel)로 형성될 수 있다. 지지리브(114)도 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(steel)로 형성되는 것이 바람직하다.In more detail, the inner body 111 has a plurality of rigid reinforcement supports formed on the outer surface of the inner body 112, the outer case 113 and the outer case 113 is in contact with the outer surface of the inner case 112. Has a rib 114. In addition, the inner housing 112 is aluminum (Al), titanium (Ti), zirconium (Zr), tantalum (Ta), niobium (Nb), nickel alloy, titanium alloy or Si-DLC (Silicon-) having corrosion resistance Diamondlike Carbon) may be formed of any one, and the outer housing 113 may be formed of stainless steel (SUS) or steel (Steel). Support rib 114 is also preferably formed of stainless steel (SUS) or steel (steel).
외부본체(115)는 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(Steel)로 형성될 수 있다.The outer body 115 may be formed of stainless steel (SUS) or steel (Steel).
외부본체(115)의 전면에는 본체(110)의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩가능하게 설치되어 외부출입구(110bb)를 개폐하는 도어(120)가 설치된다. 도어(120)에 의하여 외부출입구(110bb)가 폐쇄되면 챔버(110a)가 밀폐되고, 개방되면 챔버(110a)가 개방됨은 당연하다. 도어(120)에 의하여 외부출입구(110bb)가 완전하게 실링되도록 도어(120)와 외부본체(115)의 전면 사이에는 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다.The front of the outer body 115 is installed to be slidable in the front and rear and left and right directions of the main body 110 is provided with a door 120 for opening and closing the external entrance (110bb). When the exterior entrance 110bb is closed by the door 120, the chamber 110a is sealed, and when the chamber 110a is opened, the chamber 110a is opened. A sealing member (not shown) may be interposed between the front surface of the door 120 and the outer body 115 so that the outer entrance 110bb is completely sealed by the door 120.
내부본체(111)의 내부에는 기판(50)을 가열하는 제1히터(130)가 설치될 수 있다. 더 구체적으로 설명하면, 제1히터(130)는 판형으로 형성되어 내부본체(111)의 내부 측면, 전후면 및 상하면에 각각 설치된다.The first heater 130 for heating the substrate 50 may be installed in the inner body 111. More specifically, the first heater 130 is formed in a plate shape is installed on the inner side, front and rear and upper and lower surfaces of the inner body 111, respectively.
예를 들어, 500℃에서 기판(50)을 가열한다고 가정한다. 그런데, 기판(50)을 가열하기 위한 제1히터(130)가 내부본체(111)의 외부에 설치되어 있다면, 내부본체(111)를 500℃ 이상으로 가열하여야 챔버(110a)의 온도가 500℃가 되며, 금속으로 된 내부본체(111)는 소정 이상의 온도에서는 부식성 공정 가스에 의하여 부식된다.For example, assume that the substrate 50 is heated at 500 ° C. By the way, if the first heater 130 for heating the substrate 50 is installed outside the inner body 111, the inner body 111 is heated to 500 ° C or more, the temperature of the chamber 110a is 500 ° C The inner body 111 made of metal is corroded by the corrosive process gas at a predetermined temperature or more.
이를 방지하기 위하여, 본 실시예에 따른 열처리 장치(100)는 제1히터(130)가 내부본체(111)의 내부에 설치되어 챔버(110a)를 직접 가열한다. 즉, 기판(50)의 가열에 필요한 온도로 챔버(110a)를 가열하면 되므로, 내부본체(111)가 기판(50)의 가열에 필요한 온도 이상으로 가열되지 않는다. 따라서, 내부본체(111)가 고온에서 가스에 의하여 부식되는 것이 상대적으로 방지된다.In order to prevent this, in the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment, the first heater 130 is installed inside the inner body 111 to directly heat the chamber 110a. That is, since the chamber 110a may be heated to a temperature necessary for heating the substrate 50, the inner body 111 is not heated above the temperature required for heating the substrate 50. Therefore, the inner body 111 is relatively prevented from being corroded by the gas at a high temperature.
이때, 내부함체(112)와 제1히터(130) 사이에 단열재(135)를 개재하여 내부본체(111)가 챔버(110a)의 열에 의하여 온도가 상승하는 것을 방지할 수도 있다.In this case, the temperature of the inner body 111 may be prevented from rising by the heat of the chamber 110a through the heat insulating material 135 between the inner body 112 and the first heater 130.
본 실시예에 따른 열처리 장치(100)는 내부본체(111)의 내부에 챔버(110a)가 형성되고, 내부본체(111)를 감싸는 형태로 외부본체(115)가 설치되므로, 챔버(110a)로 유입된 가스가 외부로 누설되는 것이 방지된다. 그리고, 제1히터(130)가 내부본체(111)의 내부에 설치되어 기판(50)을 가열하므로, 가열 성능이 향상된다.In the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment, the chamber 110a is formed inside the inner body 111, and the outer body 115 is installed to surround the inner body 111, and thus, the chamber 110a. The introduced gas is prevented from leaking to the outside. In addition, since the first heater 130 is installed inside the inner body 111 to heat the substrate 50, the heating performance is improved.
내부본체(111)의 외면, 더 구체적으로 설명하면, 지지리브(114)와 지지리브(114) 사이의 외부함체(113)의 외면에는 제2히터(141)가 설치될 수 있다. 제2히터(141)는 내부본체(111)를 가열하여 내부본체(111)가 소정 이하의 온도로 하강하는 것을 방지한다. 즉, 내부본체(111)가 소정 이하의 온도로 하강하면, 내부본체(111)의 내부함체(112)의 내면에 공정 가스가 응착될 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 제2히터(141)는 내부본체(111)를 가열한다.The outer surface of the inner body 111, more specifically, the second heater 141 may be installed on the outer surface of the outer housing 113 between the support ribs 114 and the support ribs 114. The second heater 141 heats the inner body 111 to prevent the inner body 111 from falling below a predetermined temperature. That is, when the inner body 111 is lowered to a predetermined temperature or less, the process gas may adhere to the inner surface of the inner body 112 of the inner body 111. In order to prevent this, the second heater 141 heats the inner body 111.
그리고, 제2히터(141)의 외면에는 냉각관(144)이 설치된다. 냉각관(144)은 내부본체(111)를 냉각시켜, 내부본체(111)가 고온에서 가스에 의하여 부식되는 것을 방지한다. 제2히터(141)와 냉각관(144) 사이에는 단열판(147)이 개재될 수 있다.The cooling tube 144 is installed on the outer surface of the second heater 141. The cooling tube 144 cools the inner body 111 to prevent the inner body 111 from being corroded by the gas at a high temperature. An insulation plate 147 may be interposed between the second heater 141 and the cooling tube 144.
기판(50)은 복수개가 보트(500)에 적재 보관되며, 복수의 보트(500)가 챔버(110a)에 로딩된다. 즉, 기판(50)은 보트(500)에 적재 보관된 상태로 챔버(110a)에 로딩되어 처리된다.A plurality of substrates 50 are stored in a boat 500, and a plurality of boats 500 are loaded in the chamber 110a. That is, the substrate 50 is loaded and processed in the chamber 110a while being loaded and stored in the boat 500.
내부본체(111)의 내면에는 팬(151)이 설치될 수 있다. 팬(151)은 각 기판(50)으로 균일한 기류가 공급되게 한다. 그리고, 팬(151)에 의하여 강제로 흐르는 기류가 기판(50)측으로 공급될 수 있도록, 팬(151)을 감싸는 형태로 차단테(155)가 내부본체(111)에 지지 설치될 수 있다.The fan 151 may be installed on the inner surface of the inner body 111. The fan 151 allows a uniform air flow to each substrate 50. In addition, the blocking frame 155 may be installed on the inner body 111 so as to surround the fan 151 so that the air flow forced by the fan 151 may be supplied to the substrate 50.
본 실시예에 따른 열처리 장치(100)가 사용된 열처리 시스템을 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 시스템의 사시도이고, 도 6은 도 5에 도시된 제1이송장치의 확대 사시도이며, 도 7은 도 5에 도시된 제2이송장치의 확대 사시도이다.A heat treatment system using the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 7. 5 is a perspective view of a heat treatment system according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is an enlarged perspective view of the first transfer device shown in FIG. 5, and FIG. 7 is an enlarged perspective view of the second transfer device shown in FIG. 5. .
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 열처리 시스템은 열처리 장치(100), 제1이송장치(200), 제2이송장치(300) 및 냉각장치(400)를 포함한다.As shown, the heat treatment system according to the present embodiment includes a heat treatment apparatus 100, a first transfer apparatus 200, a second transfer apparatus 300, and a cooling apparatus 400.
제1이송장치(200)는 열처리 장치(100)의 본체(110)의 전면 일측에 설치되어 도어(120)를 본체(110)의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩시킨다. 제1이송장치(200)는 지지프레임(210), 모터(미도시) 및 실린더(미도시) 등을 포함할 수 있다.The first transfer device 200 is installed on one side of the front surface of the main body 110 of the heat treatment apparatus 100 to slide the door 120 in the front and rear and left and right directions of the main body 110. The first transfer device 200 may include a support frame 210, a motor (not shown) and a cylinder (not shown).
제2이송장치(300)는 본체(110)의 전방측에 설치되어 기판(50)이 적재 저장된 보트(500)를 이송시켜 챔버(110a)(도 2 참조)에 로딩하거나 챔버(110a)로부터 언로딩한다. 제2이송장치(300)는 본체(110)의 좌우방향과 평행하게 설치된 안내레일(310)(도 7 참조), 안내레일(310)에 설치되어 안내레일(310)을 따라 이동하며 보트(500)가 탑재 지지되는 지지프레임(320)을 포함할 수 있다.The second transfer device 300 is installed at the front side of the main body 110 to transfer the boat 500 loaded with the substrate 50 to be loaded into the chamber 110a (see FIG. 2) or freed from the chamber 110a. Load. The second transfer device 300 is installed on the guide rail 310 (see FIG. 7) and the guide rail 310 installed in parallel with the left and right directions of the main body 110 to move along the guide rail 310 and to the boat 500. ) May include a support frame 320 mounted and supported.
이때, 보트(500)가 탑재된 지지프레임(320)의 부위는 본체(110)의 전후방향으로 신축되면서 보트(500)를 챔버(110a)에 로딩하거나, 챔버(110a)로부터 언로딩할 수 있다.In this case, the portion of the support frame 320 on which the boat 500 is mounted may be stretched in the front and rear direction of the main body 110 to load the boat 500 into the chamber 110a or to unload it from the chamber 110a. .
보트(500)가 탑재된 지지프레임(320)의 부위는 내측프레임(321), 내측프레임(321)을 감싸는 중간프레임(323), 중간프레임(323)을 감싸는 외측프레임(325)으로 마련되어, 중간프레임(323)이 내측프레임(321)의 외측으로 돌출되고, 외측프레임(325)이 중간프레임(323)의 외측으로 돌출되면서 신장된다.The portion of the support frame 320 on which the boat 500 is mounted is provided as an inner frame 321, an intermediate frame 323 surrounding the inner frame 321, and an outer frame 325 surrounding the intermediate frame 323, and the middle The frame 323 protrudes outward of the inner frame 321, and the outer frame 325 extends while protruding outward of the intermediate frame 323.
그리고, 중간프레임(323)이 내측프레임(321)의 내측으로 삽입되고, 외측프레임(325)이 중간프레임(323)의 내측으로 삽입되면서 수축된다. 즉, 중간프레임(323)은 모터(미도시) 또는 실린더(미도시) 등에 의하여 내측프레임(321)을 출입하고, 외측프레임(325)은 모터(미도시) 또는 실린더(미도시) 등에 의하여 중간프레임(323)을 출입하므로, 보트(500)가 탑재된 지지프레임(320)의 부위는 신축되는 것이다.The intermediate frame 323 is inserted into the inner frame 321, and the outer frame 325 is contracted while being inserted into the inner frame 323. That is, the intermediate frame 323 enters and exits the inner frame 321 by a motor (not shown) or a cylinder (not shown), and the outer frame 325 is intermediate by a motor (not shown) or a cylinder (not shown). Since the frame 323 enters and exits, the portion of the support frame 320 on which the boat 500 is mounted is stretched.
보트(500)를 이송하는 제2이송장치(300)는 본 출원인이 출원한 한국특허출원 10-2012-0053970호 또는 한국특허출원 10-2012-0053971호에 개시된 "보트 이송장치"로 대체될 수 있다.The second transfer device 300 for transporting the boat 500 may be replaced by the "boat transfer device" disclosed in Korean Patent Application No. 10-2012-0053970 or Korean Patent Application No. 10-2012-0053971 filed by the present applicant have.
보트(500)는 복수개가 챔버(110a)에 로딩된다. 즉, 복수의 기판(50)이 각각 적재 보관된 복수의 보트(500)가 챔버(110a)에 로딩되어 처리되므로, 한번에 많은 개수의 기판(50)을 처리할 수 있다.A plurality of boats 500 are loaded into the chamber 110a. That is, since the plurality of boats 500 in which the plurality of substrates 50 are loaded and stored are loaded and processed in the chamber 110a, a large number of substrates 50 may be processed at one time.
냉각장치(400)는 본체(110)의 전면 일측에 설치되어 처리된 기판(50)이 적재 저장된 보트(500)를 제2이송장치(300)로부터 전달받아 기판(50)을 냉각시킨다. 냉각장치(400)는 공지의 냉각장치를 사용할 수 있다.The cooling device 400 receives the boat 500 loaded with the processed substrate 50 installed on one side of the front surface of the main body 110 from the second transfer device 300 to cool the substrate 50. The cooling device 400 may use a known cooling device.
전극층과 적정 원소 비율로 형성된 구리, 인듐, 갈륨으로 이루어진 전구체막이 형성된 기판(50)을 보트(500)에 지지시킨 다음, 보트(500)를 챔버(110a)에 로딩한 다음 챔버(110a)를 밀폐시킨다. 이러한 상태에서, 챔버(110a)에 질소 가스를 유입한 다음, 셀렌화 가스(H2Se)를 주입하여 소정 온도에서 CIGS층을 형성하고, CIGS층 형성한 다음에는 또 다른 소정 온도에서 황화 가스(H2S)를 주입하여 기판(50)에 형성된 CIGS층을 처리한다.The substrate 50 having the electrode layer and a precursor film made of copper, indium, and gallium formed at an appropriate element ratio is supported on the boat 500, and then the boat 500 is loaded into the chamber 110a, and then the chamber 110a is sealed. Let's do it. In this state, nitrogen gas is introduced into the chamber 110a, and selenization gas (H 2 Se) is injected to form a CIGS layer at a predetermined temperature, and after forming the CIGS layer, a sulfide gas ( H 2 S) is injected to treat the CIGS layer formed on the substrate 50.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 예로 들어 도시하여 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been described with reference to preferred embodiments as described above by way of example, it is not limited to the above embodiments and should be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Many variations and modifications are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.