WO2015005053A1 - インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(igzo)の表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する液体組成物、およびその液体組成物を用いたigzo表面の洗浄方法、並びにその洗浄方法により洗浄される基板 - Google Patents
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Definitions
- Patent Document 4 does not describe the corrosiveness of the IGZO semiconductor layer. Moreover, it is described that the effect of removing metal contamination on the surface of the semiconductor substrate is improved by including a complexing agent, but IGZO may be corroded by the complexing agent (ammonium fluoride is exemplified). Yes (see Comparative Example 10).
- the liquid composition disclosed in Patent Document 5 is intended to etch IGZO, and there is no disclosure about the cleaning / removability of deposits containing copper or molybdenum. In addition, the use of the liquid composition may corrode the IGZO semiconductor layer and corrode the wiring containing copper.
- One or more concentrations selected from the group consisting of hydroxycarboxylic acid or a salt thereof (simply referred to as component (A)) or dicarboxylic acid or a salt thereof (simply referred to as component (B)) may be: It is preferably contained in the liquid composition in the range of 0.001 to 30% by mass, more preferably in the range of 0.01 to 25% by mass, particularly preferably in the range of 0.02 to 20% by mass. The range of 1 to 10% by mass is more preferable, and the range of 1 to 5% by mass is even more preferable.
- an IGZO semiconductor layer is formed on a substrate, and a substrate having a wiring containing copper or copper and molybdenum thereon is used as an object to be cleaned.
- a layer made of IGZO, a layer made of molybdenum and a layer made of copper are sequentially laminated on a substrate such as glass, and a resist is coated thereon, and a desired pattern mask is exposed and transferred, and developed. Thus, a desired resist pattern is formed. Thereafter, the multilayer wiring containing copper and molybdenum can be selectively etched with an etching solution.
- IGZO film thickness: 500 mm A layer of IGZO (IGZO film thickness: 500 mm) formed by sputtering IGZO having an element ratio of indium, gallium, zinc and oxygen of 1: 1: 1: 4 on a glass substrate (size: 150 mm ⁇ 150 mm). ) To form an IGZO / glass substrate.
- the substrate after immersion was rinsed with pure water and then dried with a blower.
- XPS X-ray photoelectron spectroscopy
- Comparative Examples 9 and 10 A liquid composition was prepared and various evaluations were performed in the same manner as in Example 1 except that the composition shown in Table 5 was used. The results are shown in Table 5.
- the etching rate of copper and the etching rate of molybdenum are high, and the anticorrosion property of copper and the anticorrosion property of molybdenum may be reduced by containing hydrogen peroxide. I understood.
- the etching rate of IGZO was high, and it was found that the liquid composition was not applicable to cleaning and removal of deposits containing copper on the IGZO surface. .
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Abstract
Description
また、IGZOを腐食しない銅/モリブデンエッチング液として、特許文献2が紹介されている。
また、特許文献4には、カルボキシル基を少なくとも1個有する有機酸と錯化剤を含んでなる洗浄液で、金属配線を腐食することなく、Si半導体基板表面の金属汚染(Al、Fe、Cu)を除去することができるとの報告がある。
特許文献2には、IGZOを腐食しないことが記載されているが、エッチング液中に溶解した銅、モリブデンによるIGZOへの重金属汚染についての言及はない。
特許文献3には、IGZO半導体層や銅を含む配線の腐食性(エッチングレート)についての記載はない。また、過酸化水素を含むことによって、銅などの金属汚染の洗浄効果が向上すると記載されているが、過酸化水素によって腐食が増大する金属を配線に用いる場合は、過酸化水素を使用することはできない(例えば、過酸化水素はモリブデンを腐食する。また過酸化水素と酸を含む液体組成物は銅を腐食する。このため、銅やモリブデンなどの金属を配線に用いる場合には、過酸化水素や過酸化水素と酸を含む液体組成物をIGZO表面の洗浄に使用することはできない。比較例9参照)。さらに、エッチング液中の銅を含む化学種がIGZO表面に付着する場合は、Si半導体ウエハ表面に付着する銅などの重金属汚染とは化学状態が異なると考えられ、Si半導体表面に付着した銅などの重金属汚染を除去することはできても、IGZO表面上に付着した銅を含む付着物を除去しきれない可能性がある。また、IGZO半導体表面に付着した銅を含む付着物を除去することはできても、Si半導体表面に付着した銅などの重金属汚染を除去しきれない場合もある。
特許文献4には、IGZO半導体層の腐食性についての記述はない。また、錯化剤を含むことによって、半導体基板表面の金属汚染の除去効果が向上すると記載されているが、錯化剤(フッ化アンモニウムが例示されている)によってIGZOが腐食してしまう場合がある(比較例10参照)。
特許文献5に開示されている液体組成物はIGZOのエッチングを目的としており、銅やモリブデンを含む付着物の洗浄・除去性についての開示はない。また、該液体組成物の使用は、IGZO半導体層を腐食するうえ、銅を含む配線を腐食する可能性も存在する。
従って本発明は、IGZOの表面よりIGZO半導体層や銅または銅およびモリブデンを含む配線を腐食することなく、銅または銅およびモリブデンを含む付着物を洗浄・除去する液体組成物、およびこれを用いた洗浄方法、並びに該洗浄方法により洗浄された基板を提供することを目的とするものである。
すなわち、本発明は以下のとおりである。
1.銅を含む配線を腐食することなく、インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)の表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する液体組成物であって、
ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸、またはそれらの塩からなる群より選択される一種以上を含み、pH値が1.5~10である液体組成物。
2.前記銅を含む付着物が銅およびモリブデンを含む付着物である第1項に記載の液体組成物。
3.前記ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、酒石酸、乳酸、およびグリコール酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である第1項または第2項に記載の液体組成物。
4.前記ジカルボン酸が、マロン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、およびコハク酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である第1項~第3項のいずれか一項に記載の液体組成物。
5.前記ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸、またはそれらの塩からなる群より選択される一種以上の濃度が、0.001~30質量%である、第1項~第4項のいずれか一項に記載の液体組成物。
6.pH調節剤として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、2-アミノエタノール、および1-アミノ-2-プロパノールからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、第1項~第5項のいずれか一項に記載の液体組成物。
7.インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)の表面より、IGZO半導体層を腐食することなく、かつ銅を含む配線を腐食することなく、銅を含む付着物を洗浄・除去する方法であって、IGZO半導体層と銅を含む配線を有した基板上のIGZO表面に、第1項~第6項のいずれか一項に記載の液体組成物を接触させることを含む、IGZO表面の洗浄方法。
8.インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)の表面より、IGZO半導体層を腐食することなく、かつ銅およびモリブデンを含む配線を腐食することなく、銅およびモリブデンを含む付着物を洗浄・除去する方法であって、IGZO半導体層と、銅およびモリブデンを含む配線とを有した基板上のIGZO表面に、第1項~第6項のいずれか一項に記載の液体組成物を接触させることを含む、IGZO表面の洗浄方法。
9.第7項または第8項に記載の方法により洗浄された、インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)半導体層と、銅または銅およびモリブデンを含む配線とを有した基板。
本発明による液体組成物は、IGZO半導体層や銅を含む配線を腐食することなく、IGZO表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する液体組成物であって、該液体組成物はヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸、またはそれらの塩からなる群より選択される一種以上を含み、pH値が1.5~10である。
本明細書において「銅を含む付着物」とは、IGZO表面に付着した、少なくとも銅を含む金属の酸化物、水酸化物または塩などの金属化合物、あるいは、少なくとも銅を含む金属のイオンなどをいい、金属単体を除く。なお、この「銅を含む付着物」には、IGZO表面の欠損部位に取り込まれた、エッチング液に溶解した遷移金属元素を含む化学種も包含される。
また、本明細書において、「IGZO半導体層を腐食することがない」とは、IGZOのエッチングレートが30Å/min未満であることを意味する。また、「銅を含む配線を腐食することがない」とは、銅のエッチングレートが30Å/min未満であることを意味する。また、「銅およびモリブデンを含む配線を腐食することがない」とは、銅のエッチングレートが30Å/min未満であり、かつモリブデンのエッチングレートが30Å/min未満であることを意味する。
このような特定の成分を含有する液体組成物を用いることで、IGZO半導体層や銅を含む配線を腐食することなく、IGZO表面より銅を含む付着物を洗浄・除去することができる。また、本発明の好ましい態様によれば、モリブデンを含む付着物を洗浄・除去することもできる。また、銅を含む付着物およびモリブデンを含む付着物を同時に除去することもできる。
本発明による液体組成物の、特に好ましい様態においては、IGZOを半導体層とし、銅を含む単層膜または多層膜を配線としたTFT構造を有する基板において、IGZO半導体層を腐食することなく、また銅または銅およびモリブデンを含む配線を腐食することなく、IGZO表面より銅または銅およびモリブデンを含む付着物を洗浄・除去することができる。
本発明による液体組成物に含まれるヒドロキシカルボン酸は金属イオンと錯体を形成し、IGZO表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する機能を有するものである。ヒドロキシカルボン酸としては、ヒドロキシカルボン酸およびヒドロキシカルボン酸の塩からなる群より選択されるものである。ここで言うヒドロキシカルボン酸とは、ヒドロキシ基とカルボキシル基をそれぞれ1つ以上、分子内に含む化合物のことである。ヒドロキシカルボン酸としては、クエン酸、酒石酸、乳酸、グリコール酸、リンゴ酸、シトラマル酸、イソクエン酸、グルカル酸、ガラクタル酸などが好ましく挙げられる。これらの中でも、特にクエン酸、酒石酸、乳酸、グリコール酸が好ましい。これらヒドロキシカルボン酸は単独で使用してもよく、また、複数を組み合わせて使用してもよい。また、これらのヒドロキシカルボン酸の塩を使用してもよく、たとえば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩などが例示される。
本発明による液体組成物に含まれるジカルボン酸は金属イオンと錯体を形成し、IGZO表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する機能を有するものである。ジカルボン酸としては、ジカルボン酸、ジカルボン酸の塩、カルボン酸無水物からなる群より選択されるものである。ここで言うジカルボン酸とは分子内にカルボキシル基を2つ有し、ヒドロキシル基を有さない化合物のことである。ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、グルタル酸、コハク酸、アジピン酸、1,2―シクロヘキサンジカルボン酸、フタル酸などが好ましく挙げられる。これらジカルボン酸化合物は、単独で使用してもよく、また、複数を組み合わせて使用してもよい。また、これらのジカルボン酸の塩を使用してもよく、たとえば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩などが例示される。
本発明による液体組成物は、必要に応じて、pH調節剤(単に(C)成分という場合がある)を含んでいてもよい。pH調節剤は液体組成物のpH値を1.5~10の範囲に調節する役割を持つ。
本発明によるIGZO表面の洗浄方法は、IGZO表面よりIGZO半導体層や銅を含む配線を腐食することなく、銅を含む付着物を洗浄・除去する洗浄方法であって、IGZO半導体層と銅を含む配線を有した基板上のIGZO表面に、上記の液体組成物を接触させる工程を含むものである。本発明の方法によれば、IGZO表面よりIGZO半導体層を腐食することなく、かつ銅を含む配線を腐食することなく、銅を含む付着物を洗浄・除去することができる。
銅イオン付着処理として、参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を、0.25質量%-硫酸銅水溶液(硫酸銅5水和物、和光純薬工業株式会社製、試薬特級、分子量249.69)(銅イオンとして1000ppm含有)に25℃、1分間浸漬させた。基板上の余分な硫酸銅水溶液を純水で洗い流した(リンス処理)後、ブロワーで乾燥した。続いて上記基板を表1~4に記載の液体組成物に25℃、1分間浸漬させ、液体組成物浸漬後の基板を純水でリンス処理した後、ブロワーで乾燥した。得られたIGZO/ガラス基板について、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製X線光電子分光計K-alphaを用いて、IGZO表面の銅元素を分析した(C1sのピーク(285.2eV)を標準としてピーク位置を補正した)。銅元素(Cu2pのピーク)が検出されないものを合格品とした。
モリブデンイオン付着処理として、参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を0.17質量%-7モリブデン酸6アンモニウム水溶液(7モリブデン酸6アンモニウム4水和物、和光純薬工業株式会社製、試薬特級、分子量1235.86)(モリブデンイオンとして1000ppm含有)に25℃、1分間浸漬させた。基板上の余分な7モリブデン酸6アンモニウム水溶液を純水で洗い流した(リンス処理)後、ブロワーで乾燥した。続いて上記基板を、表1に記載の液体組成物に25℃、1分間浸漬させ、液体組成物浸漬後の基板を純水でリンス処理した後、ブロワーで乾燥した。得られたIGZO/ガラス基板について、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製X線光電子分光計K-alphaを用いて、IGZO表面のモリブデン元素を分析した(C1sのピーク(285.2eV)を標準としてピーク位置を補正した)。モリブデン元素(Mo3dのピーク)が検出されないものを合格品とした。
モリブデンイオンの付着処理として、参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を、0.17質量%-7モリブデン酸6アンモニウム水溶液(7モリブデン酸6アンモニウム4水和物、和光純薬工業株式会社製、試薬特級、分子量1235.86)(モリブデンイオンとして1000ppm含有)に25℃で1分間浸漬させた。基板上の余分な7モリブデン酸6アンモニウム水溶液を純水で洗い流した後、銅イオン付着処理として、0.25質量%-硫酸銅水溶液(硫酸銅5水和物、和光純薬工業株式会社製、試薬特級、分子量249.69)(銅イオンとして1000ppm含有)に25℃で1分間浸漬させた。基板上の余分な硫酸銅水溶液を純水で洗い流した後、ブロワーで乾燥した。続いて上記基板を表1に記載の液体組成物に25℃で1分間浸漬させ、液体組成物浸漬後の基板を純水でリンス処理した後、ブロワーで乾燥した。得られたIGZO/ガラス基板について、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製X線光電子分光計K-alphaを用いて、IGZO表面の銅元素およびモリブデン元素を分析した(C1sのピーク(285.2eV)を標準としてピーク位置を補正した)。銅元素(Cu2pのピーク)およびモリブデン元素(Mo3dのピーク)がいずれも検出されないものを合格品とした。
参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を表1~4に記載の液体組成物に25℃で1分間浸漬させ、処理前後のIGZO膜厚を、n&k Technology Inc.製の光学式薄膜特性測定装置n&k Analyzer 1280により測定し、処理前後の膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。IGZOのエッチングレートが30Å/min未満であるものを合格品とした。
参考例2で得られた銅/モリブデン/ガラス基板を表1~4に記載の液体組成物に25℃で60分間浸漬させた。浸漬処理前後の銅の膜厚をSIIナノテクノロジー社製の蛍光X線分析装置SEA1200VXにより測定し、処理前後の膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。銅のエッチングレートが30Å/min未満であるものを合格品とした。
参考例3で得られたモリブデン/ガラス基板を表1~4に記載の液体組成物に25℃で60分間浸漬させた。浸漬処理前後のモリブデンの膜厚をSIIナノテクノロジー社製の蛍光X線分析装置SEA1200VXにより測定し、処理前後の膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。モリブデンのエッチングレートが30Å/min未満であるものを合格品とした。
ガラス基板(寸法:150mm×150mm)上にインジウム、ガリウム、亜鉛および酸素の元素比が1:1:1:4であるIGZOをスパッタ法により成膜してIGZOからなる層(IGZO膜厚:500Å)を形成し、IGZO/ガラス基板を作製した。
ガラス基板(寸法:150mm×150mm)上にモリブデンをスパッタ法により成膜してモリブデン(金属)からなる層(モリブデン膜厚:300Å)を形成し、次いで銅をスパッタ法により成膜して銅(金属)からなる層(銅膜厚:3000Å)を形成し、銅/モリブデン/ガラス基板を作製した。
ガラス基板(寸法:150mm×150mm)上にモリブデンをスパッタ法により成膜してモリブデン(金属)からなる層(モリブデン膜厚:2000Å)を形成し、モリブデン/ガラス基板を作製した。
液体組成物の調製
容量10Lのポリプロピレン容器に純水9.90kgと、(A)カルボン酸化合物であるクエン酸(和光純薬工業株式会社製、食品添加物グレード、分子量210.14)0.1kgを投入した。攪拌してクエン酸の溶解を確認し、液体組成物(1質量%-クエン酸水溶液)を得た。得られた液体組成物のpH値は2.2であった。
参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を0.25質量%-硫酸銅水溶液(銅イオンとして1000ppm含有)に25℃で1分間浸漬させ、銅イオンを付着させた。余分の硫酸銅水溶液を除去するために浸漬後の基板を純水でリンス処理した後、ブロワーで乾燥した。銅イオン付着処理後のIGZO/ガラス基板をX線光電子分光法(XPS)により分析したところ、933eVと953eVにCu2pのピークが観察された。このピークよりIGZO表面に銅を含む付着物が銅元素として0.7at%付着していることがわかった。得られたスペクトルを図2に示す。
参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を0.17質量%-7モリブデン酸6アンモニウム水溶液(モリブデンイオンとして1000ppm含有)に25℃で1分間浸漬させ、モリブデンイオンを付着処理をした。7モリブデン酸6アンモニウム水溶液浸漬後の基板を純水でリンス処理した後、ブロワーで乾燥した。モリブデンイオン付着処理後のIGZO/ガラス基板をX線光電子分光法(XPS)により分析したところ、228eVと231eVにMo3dのピークが検出され、表面にモリブデンを含む付着物がモリブデン元素として0.3at%付着していることがわかった。
参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を0.17質量%-7モリブデン酸6アンモニウム水溶液(モリブデンイオンとして1000ppm含有)に25℃で1分間浸漬させ、モリブデンイオンを付着処理させた。余分な7モリブデン酸6アンモニウム水溶液を純水で洗い流した後、0.25質量%-硫酸銅水溶液(銅イオンとして1000ppm含有)に25℃で1分間浸漬させ、銅イオンを付着させた。余分な硫酸銅水溶液を除去するために浸漬後の基板を純水でリンス処理した後、ブロワーで乾燥した。銅イオンおよびモリブデンイオンの付着処理後のIGZO/ガラス基板をX線光電子分光法(XPS)により分析したところ、933eVと953eVにCu2pのピーク、および228eVと231eVにMo3dのピークが観察された。これらのピークよりIGZO表面に銅を含む付着物が銅元素として0.4at%、およびモリブデンを含む付着物がモリブデン元素として0.3at%付着していることがわかった。
参考例1で得られたIGZO/ガラス基板を、先に調製した液体組成物(1質量%-クエン酸水溶液)に25℃で1分間浸漬させた。処理後のIGZO/ガラス基板を、n&k Technology Inc.製の光学式薄膜特性測定装置n&k Analyzer 1280により測定し、処理前後のIGZOの膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。結果を表1に示す。IGZOのエッチングレートは3.0Å/minであり、合格であった。
参考例2で得られた銅/モリブデン/ガラス基板を、先に調製した液体組成物(1質量%-クエン酸水溶液)に25℃で60分間浸漬させた。処理後の銅/モリブデン/ガラス基板を、SIIナノテクノロジー社製の蛍光X線分析装置SEA1200VXにより測定し、処理前後の銅の膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。結果を表1に示す。銅のエッチングレートは2.7Å/minであり、合格であった。
参考例3で得られたモリブデン/ガラス基板を、先に調製した液体組成物(1質量%-クエン酸水溶液)に25℃で60分間浸漬させた。処理後のモリブデン/ガラス基板をSIIナノテクノロジー社製の蛍光X線分析装置SEA1200VXにより測定し、処理前後のモリブデンの膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。結果を表1に示す。モリブデンのエッチングレートは1Å/min未満であり、合格であった。
表2および表3に示す組成とした以外は実施例1と同様にして、液体組成物を調製した。該液体組成物を用いて、銅を含む付着物の洗浄・除去性能、IGZO、銅、およびモリブデンのエッチングレート(防食性)の評価を行った。結果を表2および表3に示す。実施例2~36のいずれの液体組成物に関しても、銅を含む付着物の洗浄・除去性は合格(銅元素に基づく933eVと953eVのCu2pピークが検出されない)であり、またIGZO、銅、およびモリブデンのエッチングレートはいずれも合格(30Å/min未満)であった。
容量10Lのポリプロピレン容器に純水9.85kgと、10%硫酸(和光純薬工業株式会社製、分子量98.08)0.05kgと、酢酸(和光純薬工業株式会社製、分子量60.05)0.1kgを投入、攪拌し、液体組成物を調製した。得られた液体組成物のpH値は2.0であった。該液体組成物を用いて各種評価を行った結果を表4に示す。IGZOのエッチングレートが68Å/minであり、不合格であった。
容量10Lのポリプロピレン容器に純水9.29kgと、酢酸 0.1kgと、25%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)0.61kgを投入、攪拌し、液体組成物を調製した。得られた液体組成物のpH値は9.0であった。該液体組成物を用いて各種評価を行った結果を表4に示す。銅を含む付着物を洗浄・除去することができず、IGZO表面の洗浄性能に劣ることが分かった。
表4に示す組成とした以外は、実施例1と同様にして、液体組成物を調製し、各種評価を行った。結果を表4に示す。比較例3~8のいずれの液体組成物もIGZOのエッチングレートが高い、もしくは銅を含む付着物を洗浄・除去できず、不合格であった。
表5に示す組成とした以外は、実施例1と同様にして、液体組成物を調製し、各種評価を行った。結果を表5に示す。液体組成物が過酸化水素を含む比較例9では、銅のエッチングレートおよびモリブデンのエッチングレートが高く、過酸化水素を含むことによって、銅の防食性およびモリブデンの防食性が低下してしまうことが分かった。また、液体組成物が錯化剤であるフッ化アンモニウムを含む比較例10では、IGZOのエッチングレートが高く、IGZO表面上の銅を含む付着物の洗浄・除去には適用出来ないことが分かった。
Claims (9)
- 銅を含む配線を腐食することなく、インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)の表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する液体組成物であって、
ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸、またはそれらの塩からなる群より選択される一種以上を含み、pH値が1.5~10である液体組成物。 - 前記銅を含む付着物が銅およびモリブデンを含む付着物である請求項1に記載の液体組成物。
- 前記ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、酒石酸、乳酸、およびグリコール酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項1または2に記載の液体組成物。
- 前記ジカルボン酸が、マロン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、およびコハク酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項1~3のいずれか一項に記載の液体組成物。
- 前記ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸、またはそれらの塩からなる群より選択される一種以上の濃度が、0.001~30質量%である請求項1~4のいずれか一項に記載の液体組成物。
- pH調節剤として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、2-アミノエタノール、および1-アミノ-2-プロパノールからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む請求項1~5のいずれか一項に記載の液体組成物。
- インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)の表面より、IGZO半導体層を腐食することなく、かつ銅を含む配線を腐食することなく、銅を含む付着物を洗浄・除去する方法であって、IGZO半導体層と銅を含む配線を有した基板上のIGZO表面に請求項1~6のいずれか一項に記載の液体組成物を接触させることを含む、IGZO表面の洗浄方法。
- インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)の表面より、IGZO半導体層を腐食することなく、かつ銅およびモリブデンを含む配線を腐食することなく、銅およびモリブデンを含む付着物を洗浄・除去する方法であって、IGZO半導体層と、銅およびモリブデンを含む配線とを有した基板上のIGZO表面に、請求項1~6のいずれか一項に記載の液体組成物を接触させることを含む、IGZO表面の洗浄方法。
- 請求項7または8に記載の方法により洗浄された、インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(IGZO)半導体層と、銅または銅およびモリブデンを含む配線とを有した基板。
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