WO2014180471A1 - Solar cell and method for producing same - Google Patents

Solar cell and method for producing same Download PDF

Info

Publication number
WO2014180471A1
WO2014180471A1 PCT/DE2014/100162 DE2014100162W WO2014180471A1 WO 2014180471 A1 WO2014180471 A1 WO 2014180471A1 DE 2014100162 W DE2014100162 W DE 2014100162W WO 2014180471 A1 WO2014180471 A1 WO 2014180471A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
solar cell
boron
cell substrate
backside
dielectric
Prior art date
Application number
PCT/DE2014/100162
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Andreas Teppe
Christian Ehling
Harold WEISS WALLRATH
Jörg ISENBERG
Matthias Tumback
Original Assignee
Rct Solutions Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rct Solutions Gmbh filed Critical Rct Solutions Gmbh
Priority to KR1020157035167A priority Critical patent/KR20160034250A/en
Priority to CN201480039396.9A priority patent/CN105409010A/en
Publication of WO2014180471A1 publication Critical patent/WO2014180471A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • Crystalline silicon solar cells with dielectric back coating are now state of the art. Likewise, backside passivated solar cells exist.
  • the behavior of the parasitic contacts is still poorly studied.
  • the parasitic contacts seem to be characterized by locally high electrical resistances and high recombination losses.
  • no local Al-BSF forms here in contrast to the deliberately prepared contact openings.
  • the occurrence of these parasitic contacts is proven: If, for example, a "Centaurus" solar cell dispenses with the laser opening of the backside dielectric, the solar cell should have an efficiency of 0.0% for a 100% dense dielectric, in fact such solar cells have up to 5% efficiency
  • Electroluminescence images show a "starry sky", with parasitic contacts distributed over the entire cell surface and on the silver pad edges.
  • the invention enables the fabrication of backside dielectrically passivated solar cells using a low cost, rough, textured backside surface provided with a boron-backfilled surface area (boron-BSF), followed by a non-perfectly dense backside dielectric and a full-surface or almost full-surface metallized back.
  • boron-BSF now leads to a passivation of the resulting parasitic contacts.
  • a boron-doped dielectric applied over the entire area can be applied to the rear side.
  • the P0C13 diffusion used in the further process sequence drives the boron into the Si wafer by means of co-diffusion or by a separate heating step.
  • the reverse side is completed by a full-surface or almost full-surface metallization.
  • the boron-BSF from the boron-doped dielectric leads to a passivation of the resulting parasitic contacts, which results in an improvement in cell parameters.
  • the process flow of the new Centaurus-Bor solar cell for multicrystalline wafers is as follows:
  • Process sequence 1 1. Texturing wafers on both sides (acidic, eg NH 3 / HF) and cleaning (chemical)
  • the result is a solar cell with an alkaline texture on the front.
  • the cell edges i.e., the approximately 150-200pm "thick" faces
  • the cell backside are acid textured, and this edge treatment results in extremely little breakage.
  • the boron doped backside dielectric process is also feasible and useful on monocrystalline material. In this case, however, it would be preferred not to make an acidic texture in step 1.), but an alkaline (e.g., KOH / IPA).
  • an alkaline e.g., KOH / IPA.
  • Centaurus solar cell concept is supplemented by process points. The additional process steps are shown in italics.
  • the AI back side must fire at random through the dielectric and make good contact with the Si wafer.
  • Front passivation (PECVD layers) metallization The Al paste used may be more aggressive than standard pastes and will etch locally at random through the PECVD back side.
  • the Al paste used is more aggressive than standard pastes and locally randomly etches through the PECVD backside. Especially with a texture on the back, the texture peaks are not / not so thickly covered with the PECVD layer, so that the AI better water into the Si et passivate and saturate the parasitic contacts.
  • back surface field see, e.g., N.P. Härder et al., 31st IEEE-PVSC 2005, p.491-494.
  • an a-Si: B, a boron-containing dielectric or the like can be deposited.
  • process steps 2-4 can be replaced by a process step (deposition of a B-containing dielectric). Annealing can be done either in a separate process step or together with 7.)
  • FIG. 1 shows electroluminescent images of dielectrically passivated cells without rear-side contact opening. Both with and without boron diffusion the parasitic contacts are visible as white dots. The boron diffusion does not prevent the contact formation, but causes their passivation.
  • a rough back side of a solar cell substrate is understood to mean a non-polished and non-polish- or smooth-etched back side, which has a corresponding roughness.
  • the rear side of the solar cell substrate or solar cell is that side which, during operation of the solar cell, is arranged facing away from the incident light.
  • at least the back has a texture.
  • an aluminum-containing paste is to be understood as a paste in which, after application and contact sintering / firing, a back contact formed by this paste has an electrical conductivity. which is essentially determined by AI included in the back page contact.

Abstract

Solar cell having a solar cell substrate, preferably a silicon solar cell substrate, having a rough rear side and an aluminum-containing rear side contact, which is preferably printed on, and method for producing a solar cell having method steps comprising texturing a solar cell substrate at least on a rear side of the solar cell substrate, diffusing boron into the rear side of the solar cell substrate, and printing an aluminum-containing paste onto the rear side of the solar cell substrate for the purpose of forming a rear side contact.

Description

Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung  Solar cell and process for its production
Kristalline Silizium Solarzellen mit dielektrischer Rücksei- tenbeschichtung sind mittlerweile Stand der Technik. Ebenso existieren rückseitenpassivierte Solarzellen. Crystalline silicon solar cells with dielectric back coating are now state of the art. Likewise, backside passivated solar cells exist.
Ebenfalls gibt es zahlreiche Veröffentlichungen zu bifacialen Solarzellen, die auf der Rückseite mit einer Diffusion versehen sind, aber im Gegensatz zu dieser Erfindung auf der Rückseite ein Silbergrid aufweisen Also, there are numerous publications on bifacial solar cells which are diffusion-coated on the backside, but which, unlike this invention, have a silver grid on the backside
Bei Solarzellentypen mit dielektrischer Rückseitenpassivierung und ganzflächiger Rückseitenmetallisierung mit lokalen Kontakten gibt es ein gravierendes Problem: Ist die Rückseitenpassivierung nicht dicht genug, kommt es im Bereich der gesamten Rückseitenmetallisierung durch lokal durchspeikendes Aluminium zu parasitären Kontakten. Diese ungewollten, parasitären Kontakte sind elektrisch parallel zu den extra hergestellten, gewünschten Kontaktöffnungen geschal- tet . Die parasitären Kontakte verringern den Wirkungsgrad der Solarzellen. Besonders bei rauen, texturierten Solarzellenrückseiten ist der Effekt der parasitären Kontakte so stark, dass kein Wirkungsgradgewinn gegenüber herkömmlichen Solarzellen mit ganzflächigem Aluminium back surface field (Al-BSF) mehr möglich ist. There is a serious problem with solar cell types with dielectric backside passivation and full-surface backside metallization with local contacts: If the backside passivation is not tight enough, parasitic contacts occur in the area of the entire backside metallization due to locally trapped aluminum. These unwanted, parasitic contacts are electrically connected in parallel with the specially prepared desired contact openings. The parasitic contacts reduce the efficiency of the solar cells. Particularly in the case of rough, textured solar cell backs, the effect of the parasitic contacts is so strong that no gain in efficiency over conventional solar cells with full-surface aluminum back surface field (Al-BSF) is possible.
Das Verhalten der parasitären Kontakte ist noch wenig untersucht: Im Gegensatz zu den gewünschten Kontaktöffnungen, scheinen die parasitären Kontakte gekennzeichnet durch lokal hohe elektrische Widerstände und hohe Rekombinationsverluste. Vermutlich bildet sich hier im Gegensatz zu den bewusst hergestellten Kontaktöffnungen kein lokales Al-BSF aus. Das Auftreten dieser parasitären Kontakte ist bewiesen: Wird z.B. bei einer „Centaurus" Solarzelle auf die Laseröffnung des rückseitigen Dielektrikums verzichtet, sollte bei einem 100%- dichtem Dielektrikum die Solarzelle 0,0% Wirkungsgrad aufweisen. Tatsächlich weisen solche Solarzellen bis zu 5% Wirkungsgrad auf. Elektrolumineszenzaufnahmen (siehe unten) zeigen einen „Sternenhimmel", mit über die gesamte Zellfläche und an den Silberpadrändern verteilten parasitären Kontakten. The behavior of the parasitic contacts is still poorly studied. In contrast to the desired contact openings, the parasitic contacts seem to be characterized by locally high electrical resistances and high recombination losses. Presumably, no local Al-BSF forms here in contrast to the deliberately prepared contact openings. The occurrence of these parasitic contacts is proven: If, for example, a "Centaurus" solar cell dispenses with the laser opening of the backside dielectric, the solar cell should have an efficiency of 0.0% for a 100% dense dielectric, in fact such solar cells have up to 5% efficiency Electroluminescence images (see below) show a "starry sky", with parasitic contacts distributed over the entire cell surface and on the silver pad edges.
Bisher wurde keine preiswerte und gleichzeitig ausreichend dichte Rückseitenpassivierung gefunden. Da das Problem der parasitären Kontakte besonders bei rauen, texturierten Rückseiten auftritt, wurden diese bisher chemisch poliert, was beson- ders bei multikristallinen Wafern und einer HF/HN03 Politur sehr teuer ist. So far, no inexpensive and sufficiently dense backside passivation was found. Since the problem of parasitic contacts occurs especially on rough, textured backsheets, they have been chemically polished so far, which is very expensive especially with multicrystalline wafers and HF / HN03 polish.
Eine andere, bekannte Alternative ist ein rückseitig gedrucktes, selbstdurchfeuerndes Grid, welches zu Solarzellen für Bi- facialanwendungen führt. Logischerweise kann an den nichtbe- ruckten Bereichen kein Durchspeiken stattfinden, da hier kein Metall vorhanden ist. Um bei einem Rückseitengrid eine ausreichend hohe Leitfähigkeit zu erhalten, werden hier üblicherweise teure Silberpasten verwendet. Another known alternative is a back-printed, self-firing grid, which leads to solar cells for bi-facial applications. Logically, no spitting can take place at the non-pressed areas since no metal is present here. In order to obtain a sufficiently high conductivity in a backside grid, expensive silver pastes are usually used here.
Ein weiteres Problem, dass bei rückseitig dielektrisch passivierten multikristallinen Zellen auftritt, ist die Tatsache, dass bei diesem Zelltyp häufig ein Füllfaktorverlust beobachtet wird, der weder durch die oben beschriebene Rekombination noch durch den Serienwiderstand des Basismaterials (Querleitfähigkeit) alleine erklärt werden kann. Eine Hypothese für diesen zusätzlichen Füllfaktorverlust ist, dass die Bandverbiegung an Korngrenzen und die Bandverbiegung auf Grund der positiven Ladung des Siliziumoxids bzw. des Siliziumnitrids auf der Zellrückseite zu einer Wechselwirkung führen, die die oberflächennahe Querleitfähigkeit im Bereich der Korngrenzen erheblich hemmt. Diese These ist bisher nicht bewiesen, erscheint jedoch als plausibles Erklärungsmodell. Direkte Lösun- gen sind bisher nicht bekannt, jedoch scheint der Effekt bei negativer Oberflächenladung (z.B. A1203) geringer auszufallen bzw. nicht vorhanden zu sein. Another problem that occurs with backside dielectrically passivated multicrystalline cells is the fact that in this cell type a fill factor loss is frequently observed which can not be explained by either the recombination described above or the series resistance of the base material (transverse conductivity) alone. One hypothesis for this additional fill factor loss is that the band bending at grain boundaries and the band bending due to the positive charge of the silicon oxide or the silicon nitride lead to an interaction on the cell back, which significantly inhibits the near-surface transverse conductivity in the grain boundaries. This thesis has not yet been proven, but appears as a plausible explanatory model. Direct solutions are not known yet, but the effect seems to be less with negative surface charge (eg A1203) or not present.
Die Erfindung ermöglicht die Herstellung von rückseitig die- lektrisch passivierten Solarzellen, bei welchen eine preiswerte, raue, texturierte Rückseitenoberfläche verwendet wird, welche mit einem ganzflächig Eindiffundiertem Bor-back surface field (Bor-BSF) versehen wird, gefolgt von einem nicht perfekt dichten Rückseitendielektrikum und einer ganzflächig oder na- hezu ganzflächig metallisierten Rückseite. Das Bor-BSF führt nun zu einer Passivierung der entstehenden parasitären Kontakte. The invention enables the fabrication of backside dielectrically passivated solar cells using a low cost, rough, textured backside surface provided with a boron-backfilled surface area (boron-BSF), followed by a non-perfectly dense backside dielectric and a full-surface or almost full-surface metallized back. The boron-BSF now leads to a passivation of the resulting parasitic contacts.
Alternativ zur Bor Diffusion kann auf die Rückseite ein ganz- flächig aufgebrachtes Bor-dotiertes Dielektrikum aufgebracht werden. Die in der weiteren Prozessfolge verwendete P0C13- Diffusion treibt das Bor mittels Co-Diffusion oder durch einen separaten Heizschritt in den Si-Wafer ein. Die Rückseite wird durch eine ganzflächige oder nahezu ganzflächige Metallisie- rung komplettiert. Genau wie das Bor-BSF aus der Bor-Diffusion führt das Bor-BSF aus dem Bor-dotierten Dielektrikum zu einer Passivierung der entstehenden parasitären Kontakte, was eine Verbesserung der Zellparameter zur Folge hat. Der Prozessfluss der neuen Centaurus-Bor Solarzelle für multikristalline Wafer stellt sich so dar: As an alternative to boron diffusion, a boron-doped dielectric applied over the entire area can be applied to the rear side. The P0C13 diffusion used in the further process sequence drives the boron into the Si wafer by means of co-diffusion or by a separate heating step. The reverse side is completed by a full-surface or almost full-surface metallization. Just like the boron-boride boron-boride (BSF), the boron-BSF from the boron-doped dielectric leads to a passivation of the resulting parasitic contacts, which results in an improvement in cell parameters. The process flow of the new Centaurus-Bor solar cell for multicrystalline wafers is as follows:
Prozessfolge 1: 1. Wafer beidseitig texturieren (sauer, z. B. NH3 / HF) und Reinigung (chemisch) Process sequence 1: 1. Texturing wafers on both sides (acidic, eg NH 3 / HF) and cleaning (chemical)
2. Bordiffusion zur Passivierung parasitärer Kontakte und/oder gegebenenfalls Optimierung der Querleitfähigkeit an Korngrenzen beziehungsweise „Passivierung" der Korngrenzen 2. Boron diffusion for passivation of parasitic contacts and / or optionally optimization of the transverse conductivity at grain boundaries or "passivation" of the grain boundaries
3. (Eventuell Borglasätze) 3. (possibly boron glass sets)
4. Rückseiten Passivierung (PECVD-Schichten)  4. Backside passivation (PECVD layers)
5. Vorderseitige Entfernung etwaiger bordiffundierter Schichten (chemisch)  5. Front-side removal of any surface-diffused layers (chemical)
6. Reinigung  6. Cleaning
7. Phosphordiffusion  7. Phosphorus diffusion
8. Optional Laserdiffusion zur Herstellung selektiver Emitter 8. Optionally laser diffusion for the production of selective emitters
9. Lokale Laseröffnung des Dielektrikums der Zellrückseite9. Local laser opening of the dielectric of the cell backside
10. Phosphorglasät ze und Reinigung 10. Phosphorglasät ze and cleaning
11. Vorderseiten Passivierung (PECVD-Schichten)  11. Front passivation (PECVD layers)
12. Metallisierung  12. Metallization
Für monokristalline Wafer hat sich stattdessen folgende Prozessfolge bewährt: For monocrystalline wafers, the following process sequence has instead proven itself:
Prozessfolge lb: Process sequence lb:
1. Monokristallinen Wafer beidseitig texturieren, sauer, z. B.  1. Texturing monocrystalline wafers on both sides, acidic, z. B.
NH3 / HF, nicht alkalisch, und Reinigung (chemisch) NH 3 / HF, non-alkaline, and cleaning (chemical)
2. Bordiffusion zur Passivierung parasitärer Kontakte und/oder gegebenenfalls Optimierung der Querleitfähigkeit an Korngrenzen beziehungsweise „Passivierung" der Korngrenzen 2. Boron diffusion for passivation of parasitic contacts and / or optionally optimization of the transverse conductivity at grain boundaries or "passivation" of the grain boundaries
3. (Eventuell Borglasätze) 3. (possibly boron glass sets)
4. Rückseiten Passivierung (PECVD-Schichten)  4. Backside passivation (PECVD layers)
5. Vorderseitige Entfernung etwaiger bordiffundierter Schichten (chemisch) . Zunächst Entfernung des Borglases (falls noch vorhanden) auf der Zellvorderseite durch ein HF- haltige Ätzmischung, anschließend alkalische Textur der Zellvorderseite .  5. Front-side removal of any surface-diffused layers (chemical). First, remove the boron glass (if any) on the front of the cell with an etching mixture containing HF, followed by an alkaline cell surface texture.
Die Zell Rückseite bleibt durch den rückseitigen Passivie- rungsstack geschützt. Eventuell mögliche Alternative: Verwendung einer Einseitenät zanlage für die einseitige Entfernung vom Borglas nur auf der Zellvorderseite. Das verbleibende Borglas auf der Zellrückseite schützt dann vor der alkalischen Textur. The back of the cell remains due to the backside passivation protected. Possible alternative: Use of a one-side etch unit for the one-sided removal of boron glass only on the front of the cell. The remaining boron glass on the back of the cell then protects against the alkaline texture.
6. Reinigung 6. Cleaning
7. Phosphordiffusion  7. Phosphorus diffusion
8. Optional Laserdiffusion zur Herstellung selektiver Emitter 8. Optionally laser diffusion for the production of selective emitters
9. Lokale Laseröffnung des Dielektrikums der Zellrückseite9. Local laser opening of the dielectric of the cell backside
10. Phosphorglasät ze und Reinigung 10. Phosphorglasät ze and cleaning
11. Vorderseiten Passivierung (PECVD-Schichten)  11. Front passivation (PECVD layers)
12. Metallisierung  12. Metallization
Ergebnis ist eine Solarzelle mit alkalischer Textur auf der Vorderseite. Die Zellkanten (d.h. die ca. 150-200pm „dicken" Seitenflächen) und die Zellrückseite sind sauer texturiert. Durch diese Kantenbehandlung ergibt sich extrem wenig Bruch. The result is a solar cell with an alkaline texture on the front. The cell edges (i.e., the approximately 150-200pm "thick" faces) and the cell backside are acid textured, and this edge treatment results in extremely little breakage.
Der Prozessfluss der neuen Centaurus-Bor Solarzelle für multikristalline Wafer mit Bor-dotiertem rückseiten-Dielektrikum sieht folgendermaßen aus: The process flow of the new Centaurus-Boron solar cell for multicrystalline wafers with boron-doped backside dielectric looks like this:
Prozessfolge 2: Process sequence 2:
13. Wafer beidseitig texturieren (sauer, z. B. NH3 / HF) und Reinigung (chemisch) 13. Texturing wafers on both sides (acidic, eg NH 3 / HF) and cleaning (chemical)
14. Bor dotiertes Dielektrikum auf der Zell-Rückseite. Das Bor wird im Folgenden mittels einer Co-Diffusion in den Si- Wafer eingetrieben. Das Bor passiviert die parasitären Kontakte  14. Boron-doped dielectric on the back of the cell. The boron is subsequently driven into the Si wafer by co-diffusion. The boron passivates the parasitic contacts
15. Reinigung, evtl. Glanzrand auf Vorderseite beim Umgriff des Dielektrikums mittels z.B. HF entfernen, verwendete Chemie ist abhängig von verwendetem Dielektrikum  15. Cleaning, possibly gloss edge on front side when wringing the dielectric by means of e.g. Remove HF, the chemistry used depends on the dielectric used
16. Phosphordiffusion und Tempersehritt um Bor aus Dielektrikum in Silizium-Wafer einzudiffundieren 17. Optional Laserdiffusion zur Herstellung eines selektiven Phosphor-Emitters 16. Phosphorus diffusion and tempering to diffuse boron from dielectric into silicon wafers 17. Optional laser diffusion for the production of a selective phosphorus emitter
18. Lokale Laseröffnung des Dielektrikums der Zellrückseite 18. Local laser opening of the dielectric of the cell backside
19. Phosphorglasät ze und Reinigung 19. Phosphorglasät ze and cleaning
20. Vorderseiten-Passivierung ( PECVD-Schichten ) 20. Front passivation (PECVD layers)
21. Metallisierung  21. Metallization
Der Prozess mit Bor-dotiertem Rückseiten-Dielektrikum ist auch auf monokristallinem Material denkbar und sinnvoll. In diesem Fall würde man allerdings bevorzugt keine saure Textur in Schritt 1.) vornehmen, sondern eine alkalische (z.B. KOH / IPA) . Das Centaurus-Solarzellen-Konzept wird dabei um Prozesspunkte ergänzt. Kursiv dargestellt sind die zusätzlichen Prozessschritte . The boron doped backside dielectric process is also feasible and useful on monocrystalline material. In this case, however, it would be preferred not to make an acidic texture in step 1.), but an alkaline (e.g., KOH / IPA). The Centaurus solar cell concept is supplemented by process points. The additional process steps are shown in italics.
Prozessfolge3 : Process sequence 3:
22. Wafer beidseitig Sägeschaden-Ätzen  22. Wafer sawing etching on both sides
23. Bor dotiertes Dielektrikum auf der Zell-Rückseite . Das do¬ tierte Dielektrikum fungiert als Back-Surface-Field; das Bor wird im Folgenden mittels einer Co-Diffusion in den Si-23. Boron-doped dielectric on the back of the cell. The do ¬ oriented dielectric acts as a back-surface field; The boron is subsequently converted into the Si by co-diffusion.
Wafer eingetrieben . Das Bor passiviert die parasitären Kon¬ takte Wafer driven. The boron passivated parasitic con ¬ tacts
24. Reinigung und Textur  24. Cleaning and texture
25. POC13-Diffusion  25. POC13 diffusion
26. Laserdiffusion auf der Vorderseite zur Bildung eines selektiven Phosphor-Emitters 26. Laser diffusion on the front to form a selective phosphorus emitter
27. Je nach Beschaffenheit des gewählten Rückseitendielektri¬ kums evtl. keine Laseröffnung auf der Rückseite nötig. 27. Depending on the nature of the selected Rückseitendielektri ¬ kums possibly no laser opening on the back needed.
Hierbei muss die AI-Rückseite zufällig durch das Dielektri- kum feuern und den Si-Wafer gut kontaktieren . Das Bor im In this case, the AI back side must fire at random through the dielectric and make good contact with the Si wafer. The boron in the
Dielektrikum passiviert die so entstehenden Kontakte . Dielectric passivates the resulting contacts.
28. Phosphorglasät ze und Reinigung  28. Phosphorglasät ze and cleaning
29. Vorderseiten-Passivierung (PECVD -Schichten) Metallisierung; Die verwendete Al-Paste ist evtl. aggress ver als Standard-Pasten zu wählen und ätzt sich örtlich g sehen zufällig durch die PECVD-Rückseite Prozessfolge4 : 29. Front passivation (PECVD layers) metallization; The Al paste used may be more aggressive than standard pastes and will etch locally at random through the PECVD back side.
31. Wafer beidseitig Texturieren  31. Wafer texturing on both sides
32. Bor dotiertes Dielektrikum auf der Zell-Rückseite . Das do¬ tierte Dielektrikum fungiert als Back-Surface-Field; das Bor wird im Folgenden mittels einer Co-Diffusion in den Si- Wafer eingetrieben . Das Bor passiviert die parasitären Kon¬ takte 32. Boron-doped dielectric on the back of the cell. The do ¬ oriented dielectric acts as a back-surface field; The boron is subsequently driven into the Si wafer by co-diffusion. The boron passivated parasitic con ¬ tacts
33. Reinigung, auf Textur kann verzichtet werden  33. Cleaning, texture can be omitted
34. POC13-Diffusion, evtl- mit Temperschritt um Bor aus rück¬ seitigem Dielektrium in den Si-Wafer einzudiffundieren 35. Laserdiffusion auf der Vorderseite zur Bildung eines selektiven Phosphor-Emitters 34. POC13 diffusion, evtl- with annealing to boron from back ¬ sided dielectricum in the Si wafer 35. diffuse laser diffusion on the front side for forming a selective emitter phosphorus
36. keine Laseröffnung auf der Rückseite, aufgrund der Bor- Ansättigung sind die parasitären Kontakte passiviert, und aufgrund der Textur auf der Zell-Rückseite kontaktiert die AI-Rückseite bevorzugt an den Textur-Spitzen  36. no laser opening on the back, due to boron saturation, the parasitic contacts are passivated, and due to the texture on the cell back, the AI back preferably contacts the texture tips
37. Phosphorglasät ze und Reinigung  37. Phosphor glassware and cleaning
38. Vorderseiten-Passivierung (PECVD -Schichten)  38. Front passivation (PECVD layers)
39. Metallisierung; Die verwendete Al-Paste ist aggressiver als Standard-Pasten und ätzt sich örtlich gesehen zufällig durch die PECVD-Rückseite . Vor allem bei einer Textur auf der Rückseite sind die Textur-Spitzen nicht/nicht so dick mit der PECVD-Schicht bedeckt, damit kann sich das AI bes¬ ser ins Si ätzen und die parasitären Kontakte Passivie- ren/Absättigen . 39. metallization; The Al paste used is more aggressive than standard pastes and locally randomly etches through the PECVD backside. Especially with a texture on the back, the texture peaks are not / not so thickly covered with the PECVD layer, so that the AI better water into the Si et passivate and saturate the parasitic contacts.
Die Vorteile der Erfindung sind: The advantages of the invention are:
Passivierung parasitärer Kontakte auf rückseitig die- lektrisch passivierten Solarzellen 2. Passivierung parasitärer Kontakte durch Bor-dotierte Dielektrika auf der Zellrückseite Passivation of parasitic contacts on backside dielectrically passivated solar cells 2. Passivation of parasitic contacts by boron-doped dielectrics on the back of the cell
3. Vermeidung das rückseitigen Laser-Öffnungsschritts bei der centaurus-Technologie durch die Verwendung eines Bordotierten Dielektrikums auf der Zell-Rückseite, bzw. einer aggressiven Al-Paste  3. Prevention of the rear laser opening step in centaurus technology through the use of a boron doped dielectric on the back of the cell, or an aggressive Al paste
4. Möglichkeit des Verzichts auf Politurprozesse der Zellrückseite im centaurus Prozess  4. Possibility of dispensing with polishing processes of the cell back in the centaurus process
5. Höherer Wirkungsgrad als herkömmliche Centaurus Solarzellen durch  5. Higher efficiency than conventional Centaurus solar cells through
a. gute Passivierung der unvermeidlich entstehenden parasitären Kontakte  a. good passivation of the inevitable parasitic contacts
b. gute Passivierung auch der Silberlötpads  b. good passivation of the silver solder pads
c. Niederohmiger Anschluss des Zellrandes.  c. Low-impedance connection of the cell edge.
d. Gute Querleitfähigkeit zwischen den rückseitigen Kontaktbereichen  d. Good transverse conductivity between the back contact areas
e. Möglicherweise gute Passivierung der Korngrenzen an der Rückseite durch „back surface field" (siehe z.B. N.P. Härder et al, 31st IEEE-PVSC 2005, p.491-494)  e. Possibly good passivation of the back grain boundaries by "back surface field" (see, e.g., N.P. Härder et al., 31st IEEE-PVSC 2005, p.491-494).
f. Möglicherweise Verbesserung der Querleitfähigkeit des Siliziums nahe der Zellrückseite über Korngrenzen hinweg  f. Possibly improving the transverse conductivity of silicon near the cell backside across grain boundaries
6. Verwendung preiswerter Aluminiumpasten anstelle von Silberpasten. Die Anforderungen an die Al-Pasten hängen vom verwendeten Konzept in 5 ab. Es ist denkbar, dass in den Prozessfolgen 22.) -30.) und 31.) -40.) aggressivere Al-Pasten verwendet werden müssen, um die Kontaktierung durch das verwendete Dielektrikum zu gewährleisten.  6. Use of inexpensive aluminum pastes instead of silver pastes. The requirements for the Al pastes depend on the concept used in FIG. 5. It is conceivable that in the process sequences 22.) -30.) And 31.) -40.) More aggressive Al pastes must be used in order to ensure contact with the dielectric used.
Mögliche Abwandlungen: Possible modifications:
• Leiterbahnen aus gedruckten Aluminium in interdigitated  • Conductors made of printed aluminum in interdigitated
back contact (IBC) -Solarzellen • Statt Bordiffusion kann ein a-Si:B, ein borhaltiges Dielektrikum oder dergleichen abgeschieden werden. Eintreiben entweder in einem gesonderten Temperschritt oder in 7.)back contact (IBC) solar cells Instead of boron diffusion, an a-Si: B, a boron-containing dielectric or the like can be deposited. Driving either in a separate annealing step or in 7.)
• Prozessschritte 2-4 können ggfs. durch einen Prozessschritt (Abscheidung eines B-haltigen Dielektrikums) ersetzt werden. Das Tempern (Eintreiben) kann entweder in einem gesonderten Prozessschritt oder zusammen mit 7.) erfolgen• If necessary, process steps 2-4 can be replaced by a process step (deposition of a B-containing dielectric). Annealing can be done either in a separate process step or together with 7.)
• Unterlassen von Prozessschritt 9.) (lokales öffnen der • omission of process step 9.) (local opening of the
Rückseite), stattdessen Verwendung einer agressiveren  Back), instead using a more aggressive one
(durchfeuernden) metallhaltige Paste für die Rückseitenkon- taktierung  (firing) metal-containing paste for Rückseitenkon- taktierung
Zur Ergänzung sind sind in Fig. 1 Elektrolumineszenz-Bilder von dielektrisch passivierten Zellen ohne Rückseiten-Kontakt- Öffnung dargestellt. Sowohl mit als auch ohne Bordiffusion sind die parasitären Kontakte als weiße Punkte zu erkennen. Die Bordiffusion verhindert nicht die Kontaktbildung, sondern bewirkt deren Passivierung. Unter einer rauen Rückseite eines Solarzellensubstrats ist vorliegend eine nicht polierte und nicht politur- oder glattgeätzte Rückseite zu verstehen, welche eine entsprechende Rau- igkeit aufweist. Die Rückseite des Solarzellensubstrats oder Solarzelle ist diejenige Seite, welche im Betrieb der Solar- zelle dem einfallenden Licht abgewandt angeordnet wird. Vorzugsweise weist zumindest die Rückseite eine Textur auf. To supplement this, FIG. 1 shows electroluminescent images of dielectrically passivated cells without rear-side contact opening. Both with and without boron diffusion the parasitic contacts are visible as white dots. The boron diffusion does not prevent the contact formation, but causes their passivation. In the present case, a rough back side of a solar cell substrate is understood to mean a non-polished and non-polish- or smooth-etched back side, which has a corresponding roughness. The rear side of the solar cell substrate or solar cell is that side which, during operation of the solar cell, is arranged facing away from the incident light. Preferably, at least the back has a texture.
Unter einem Aluminium enthaltenden Rückseitenkontakt ist vorliegend ein Rückseitenkontakt zu verstehen, dessen elektrische Leitfähigkeit maßgeblich durch im Rückseitenkontakt enthaltenes AI bestimmt ist. Entsprechend ist unter einer aluminium- haltigen Paste eine Paste zu verstehen, bei welcher nach Aufbringen und Kontaktsintern/Feuern ein durch diese Paste ausgebildeter Rückseitenkontakt eine elektrische Leitfähigkeit auf- weist, die maßgeblich durch im Rückseitenkontakt enthaltenes AI bestimmt ist. Under a rear side contact containing aluminum is presently to be understood a backside contact whose electrical conductivity is largely determined by AI contained in the back contact. Accordingly, an aluminum-containing paste is to be understood as a paste in which, after application and contact sintering / firing, a back contact formed by this paste has an electrical conductivity. which is essentially determined by AI included in the back page contact.
Die Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen oder die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt - auch nicht in Bezug auf funktionale Merkmale. Die bisherige Beschreibung wie auch die Figuren enthalten zahlreiche Merkmale, die in den abhängigen Unteransprüchen teilweise zu mehreren zusammengefasst wiedergegeben sind. Diese Merkmale wie auch alle übrigen oben oder in den Figuren offenbarten Merkmale wird der Fachmann jedoch auch einzeln betrachten und zu sinnvollen weiteren Kombinationen zusammenfügen. Insbesondere sind alle Merkmale jeweils einzeln und in beliebiger geeigneter Kombination mit dem Verfahren und/oder der Solarzelle der unabhängigen Ansprüche kombinierbar. The invention is not limited to the embodiments described above or illustrated in the figures - not even in terms of functional features. The previous description as well as the figures contain numerous features, which are given in the dependent subclaims in part to several summarized. However, those features as well as all other features disclosed above or in the figures will also be considered individually by those skilled in the art and combined to make meaningful further combinations. In particular, all features can be combined individually and in any suitable combination with the method and / or the solar cell of the independent claims.
Obwohl die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist die Erfindung durch die offenbarten Beispiele nicht eingeschränkt und andere Varianten können vom Fachmann aus diesen abgleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. Although the invention has been described by means of exemplary embodiments, the invention is not restricted by the disclosed examples, and other variants can be derived by the person skilled in the art without departing from the scope of the invention.

Claims

Solarzelle aufweisend Having solar cell
— ein Solarzellensubstrat, vorzugsweise ein Siliziumsolarzellensubstrat, mit einer rauen Rückseite;  A solar cell substrate, preferably a silicon solar cell substrate, with a rough back side;
— einen Aluminium enthaltenden Rückseitenkontakt, welcher vorzugsweise aufgedruckt ist.  - An aluminum containing backside contact, which is preferably printed.
Solarzelle nach Anspruch 1, Solar cell according to claim 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass der Rückseitenkontakt im Wesentlichen frei von Silber ist . that the backside contact is substantially free of silver.
Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , Solar cell according to one of the preceding claims, d a d u c h e c e n e c e n e,
dass auf die Rückseite des Solarzellensubstrats texturiert ist . that is textured on the back of the solar cell substrate.
Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , Solar cell according to one of the preceding claims, d a d u c h e c e n e c e n e,
dass auf der Rückseite der Solarzelle eine dielektrische Passivierungsschicht angeordnet ist, welche vorzugsweise frei von Aluminiumoxid ist und besonders bevorzugt aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid gebildet ist. a dielectric passivation layer is arranged on the rear side of the solar cell, which is preferably free of aluminum oxide and is particularly preferably formed from silicon nitride and / or silicon oxide.
Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , Solar cell according to one of the preceding claims, d a d u c h e c e n e c e n e,
dass der Rückseitenkontakt als flächiger Rückkontakt ausgeführt ist, welcher die Rückseite des Solarzellensubstrats zu mehr als 50 %, vorzugsweise im Wesentlichen vollständig, bedeckt . in that the rear-side contact is designed as a planar back contact which covers the back side of the solar cell substrate by more than 50%, preferably substantially completely.
6. Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , 6. Solar cell according to one of the preceding claims, d a d u c h e c e n e c e n e,
dass das Solarzellensubstrat ein multikristallines Solarzellensubstrat ist.  the solar cell substrate is a multicrystalline solar cell substrate.
7. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aufweisend Verfahrenssehritte 7. A process for producing a solar cell having Verfahrenssehritte
— des Texturierens eines Solarzellensubstrats wenigstens auf einer Rückseite des Solarzellensubstrats;  - Texturing a solar cell substrate at least on a back side of the solar cell substrate;
— des Eindiffundierens von Bor in die Rückseite des Solarzellensubstrats ;  - the indiffusion of boron in the back of the solar cell substrate;
— des Aufdruckens einer aluminiumhaltigen Paste auf die Rückseite des Solarzellensubstrats zum Zwecke des Ausbildens eines Rückseitenkontakts.  - Printing an aluminum-containing paste on the back of the solar cell substrate for the purpose of forming a backside contact.
8. Verfahren nach Anspruch 7, 8. The method according to claim 7,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,  characterized ,
dass als aluminiumhaltige Paste eine Paste verwendet wird, welche im Wesentlichen frei von Silber ist.  in that a paste which is substantially free of silver is used as the aluminum-containing paste.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 8, 9. The method according to any one of claims 7 to 8,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,  characterized ,
dass als Borquelle für das Eindiffundieren von Bor in die Rückseite des Solarzellensubstrats ein borhaltiges Dielektrikum auf die Rückseite des Solarzellensubstrats aufgebracht wird.  a boron-containing dielectric is applied to the rear side of the solar cell substrate as the boron source for the diffusion of boron into the back side of the solar cell substrate.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 8, 10. The method according to any one of claims 7 to 8,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,  characterized ,
dass das Bor mittels einer BBr3-Röhrendiffusion in die Rückseite des Solarzellensubstrats eindiffundiert wird. the boron is diffused into the backside of the solar cell substrate by BBr 3 tube diffusion.
PCT/DE2014/100162 2013-05-10 2014-05-10 Solar cell and method for producing same WO2014180471A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020157035167A KR20160034250A (en) 2013-05-10 2014-05-10 Solar cell and method for producing same
CN201480039396.9A CN105409010A (en) 2013-05-10 2014-05-10 Solar cell and method for producing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013104861 2013-05-10
DE102013104861.7 2013-05-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014180471A1 true WO2014180471A1 (en) 2014-11-13

Family

ID=51136271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2014/100162 WO2014180471A1 (en) 2013-05-10 2014-05-10 Solar cell and method for producing same

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20160034250A (en)
CN (1) CN105409010A (en)
WO (1) WO2014180471A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3398208A1 (en) * 2015-12-28 2018-11-07 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Method for producing a bifacial solar cell and bifacial solar cell

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0933822A2 (en) * 1998-01-20 1999-08-04 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for forming high-strenght thin semiconductor element and method for manufacturing high-strength thin semiconductor element
US20050133084A1 (en) * 2003-10-10 2005-06-23 Toshio Joge Silicon solar cell and production method thereof
JP3872428B2 (en) * 2000-10-06 2007-01-24 信越半導体株式会社 Manufacturing method of solar cell
KR20100119293A (en) * 2009-04-30 2010-11-09 주식회사 효성 Solar cell manufactured by aao and the method for manufacturing
KR20100137271A (en) * 2009-06-22 2010-12-30 주식회사 효성 Method for making of back contact in solar cell
US20110108098A1 (en) * 2006-10-09 2011-05-12 Pawan Kapur Structures and methods for high-efficiency pyramidal three-dimensional solar cells
US20120037224A1 (en) * 2009-04-29 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corporation Solar battery cell and method of manufacturing the same
US20120211066A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0933822A2 (en) * 1998-01-20 1999-08-04 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for forming high-strenght thin semiconductor element and method for manufacturing high-strength thin semiconductor element
JP3872428B2 (en) * 2000-10-06 2007-01-24 信越半導体株式会社 Manufacturing method of solar cell
US20050133084A1 (en) * 2003-10-10 2005-06-23 Toshio Joge Silicon solar cell and production method thereof
US20110108098A1 (en) * 2006-10-09 2011-05-12 Pawan Kapur Structures and methods for high-efficiency pyramidal three-dimensional solar cells
US20120037224A1 (en) * 2009-04-29 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corporation Solar battery cell and method of manufacturing the same
KR20100119293A (en) * 2009-04-30 2010-11-09 주식회사 효성 Solar cell manufactured by aao and the method for manufacturing
KR20100137271A (en) * 2009-06-22 2010-12-30 주식회사 효성 Method for making of back contact in solar cell
US20120211066A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
N. . HARDER ET AL., 31ST IEEE-PVSC, 2005, pages 491 - 494

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3398208A1 (en) * 2015-12-28 2018-11-07 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Method for producing a bifacial solar cell and bifacial solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
CN105409010A (en) 2016-03-16
KR20160034250A (en) 2016-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010035582B4 (en) Process for producing a solar cell with a textured front side and corresponding solar cell
EP0630525B1 (en) Process for producing a solar cell with combined metallization
KR101241617B1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
DE102009005168A1 (en) Solar cell and method for producing a solar cell from a silicon substrate
DE69811511T2 (en) MANUFACTURING METHOD FOR A PHOTOVOLTAIC COMPONENT
EP1977442A1 (en) Method for fabricating a semiconductor component having regions with different levels of doping
WO2014000845A1 (en) Method for producing solar cells with local back surface field (lbsf)
EP2494615A2 (en) Method for producing solar cells having a selective emitter
DE102008056456A1 (en) Process for producing a solar cell with a two-stage doping
EP2135300A2 (en) Method for the production of a solar cell and solar cell produced using said method
EP1968123A2 (en) Method for manufacturing silicon solar cells
EP2561557B1 (en) Method for producing a solar cell
EP3101696A1 (en) Solar cell and solar cell manufacturing method
EP2737543A2 (en) Method for producing a solar cell and solar cell
WO2012083944A2 (en) Method for producing silicon solar cells having a front-sided texture and a smooth rear side surface
WO2014180471A1 (en) Solar cell and method for producing same
WO2011107094A2 (en) Solar cell having dielectric back reflective coating and method for the production thereof
JP2005136081A (en) Method for manufacturing solar cell
DE102014103303A1 (en) Process for producing solar cells with simultaneously etched-back doped regions
DE102013219603A1 (en) Process for producing a solar cell
DE102016207303A1 (en) Solar cell and method of manufacture
JP2005136062A (en) Manufacturing method of solar battery
DE102011001946A1 (en) Method for manufacturing wafer solar cell, involves carrying out wet-chemical oxidation of front and back side surfaces of substrate and deposition of passivation layer consisting of metal oxide or nitride compound on substrate surfaces
DE102013102574A1 (en) Method for manufacturing back contact solar cell, involves diffusing second type dopant containing paste into solar cell substrate in common-emitter type impurity regions by sintering second type dopant containing paste
DE102008044882A1 (en) Method for local contacting and local doping of a semiconductor layer

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201480039396.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14736270

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120140023582

Country of ref document: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157035167

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: FESTSTELLUNG EINES RECHTSVERLUSTS NACH REGEL 112(1) EPUE (EPA FORM 1205A VOM 17/03/2016)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14736270

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1