WO2014129666A1 - 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

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WO2014129666A1
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範高 新納
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京セラ株式会社
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Definitions

  • the present invention is for housing electronic components for hermetically sealing electronic components such as acceleration sensor elements, infrared sensor elements, gyro sensor elements, crystal resonators, surface acoustic wave elements, and microelectromechanical system elements (MEMS elements).
  • the present invention relates to a package and an electronic device.
  • Electronic components such as an acceleration sensor element, an infrared sensor element, a gyro sensor element, a crystal resonator, a surface acoustic wave element, and a microelectromechanical system element (MEMS element) are hermetically sealed in a storage portion of an electronic component storage package.
  • An electronic device is manufactured. Electronic devices are used as components in various electronic devices such as in-vehicle detectors, infrared detectors, and portable terminals. In such an electronic device, in order to protect or improve the function of the electronic component, it is required to reduce the amount of gas molecules present in the storage unit in which the electronic component is hermetically sealed.
  • the getter material is provided, for example, as a component in which a metal powder that adsorbs a gas is heated and joined to a metal plate or the like.
  • the metal powder as the getter material is bonded to each other at the contact interface. Further, the metal powder and the metal plate or the like are bonded to each other at the contact interface.
  • the metal plate is bonded to the storage part of the electronic component storage package by a bonding material such as glass.
  • JP-A-8-236660 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-254820 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-227920
  • the metal powders and the metal powder and the metal plate are only joined together at the contact interface with each other. Is relatively small. For this reason, there is a problem that the metal powder as the getter material provided on the inner surface of the storage part of the electronic component storage package may spill or peel off.
  • the getter material (metal powder) spilled or peeled off causes an electrical short circuit between the electrodes of the electronic component, or between the electrode of the electronic component and the wiring conductor provided in the electronic component storage package, etc. An electrical short circuit or the like may occur.
  • the electronic component storage package is made of a ceramic sintered body, and is directly bonded to the recess, the substrate including the insulating base including the recess, and the wiring conductor provided on the insulating base. And a metal part made of a sintered body of a getter metal material.
  • An electronic device includes the electronic component storage package having the above-described configuration and the electronic component accommodated in the recess.
  • the strength of the sintered body itself made of the gettering metal material forming the metal part and the bonding strength between the metal part and the recess are higher than in the past. large. Therefore, it can suppress effectively that a part of metal part (getter property metal material) spills and peels.
  • the electronic component storage package having the above-described configuration since the electronic component storage package having the above-described configuration is used, it is possible to effectively suppress the metal part from being spilled or peeled off. Therefore, gas molecules in the recess can be adsorbed by the metal portion, and an electronic device with high long-term reliability in electrical characteristics can be provided.
  • FIG. 1A is a plan view showing an electronic component storage package and an electronic device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a sectional view taken along line AA in FIG.
  • (A) is a top view which shows the electronic component storage package and electronic device of the 2nd Embodiment of this invention
  • (b) is sectional drawing in the BB line of (a). It is sectional drawing which shows the modification in the principal part of the electronic component storage package and electronic device which are shown in FIG.
  • (A) is a top view which shows the modification of the electronic component storage package and electronic device of the 2nd Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in CC line of (a).
  • (A) is a top view which shows the modification of FIG. 5,
  • (b) is sectional drawing in CC line of (a). It is sectional drawing which expands and shows the principal part of the electronic component storage package and electronic device which are shown in FIG.
  • the insulating substrate 1 has, for example, a rectangular plate shape (a rectangular parallelepiped shape) and has an upper surface including the recess 2 as described above.
  • the inner surface of the recess 2 has a recessed portion 4, and the metal portion 3 is provided in the recessed portion 4.
  • the recess 2 includes a side surface and a bottom surface as inner surfaces, and the side surface has a stepped portion 2a.
  • a wiring conductor 5 is provided on the upper surface of the stepped portion 2a.
  • the wiring conductor 5 is formed by a metallized layer provided on the upper surface of the stepped portion 2a.
  • the insulating base 1 and the wiring conductor 5 constitute a substrate part of an electronic component storage package.
  • the indentation 4 is located on the side surface of the stepped portion 2a.
  • the recessed portion 4 is a groove-shaped portion formed on the side surface of the stepped portion 2a so as to extend in the vertical direction.
  • the concave portion 2 of the insulating base 1 is a portion forming a part of a container for hermetically sealing the electronic component 6.
  • the recess 2 is closed by the lid 8.
  • the electronic component 6 is hermetically sealed in a container composed of the recess 2 and the lid 8.
  • An electronic device is formed by mounting the electronic component 6 on the electronic component storage package.
  • the recess 2 has, for example, a square shape in plan view.
  • the insulating substrate 1 is made of a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a glass ceramic sintered body, a mullite sintered body, or an aluminum nitride sintered body.
  • the insulating substrate 1 may be made of a resin material such as an epoxy resin or a polyimide resin, or a composite material of a resin material and an inorganic filler.
  • the insulating base 1 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, it can be manufactured by a manufacturing method such as a ceramic green sheet lamination method. That is, a raw material powder such as aluminum oxide and silicon oxide can be formed into a sheet shape together with an additive such as an organic binder to produce a plurality of ceramic green sheets, which can be laminated and fired. In this case, if the ceramic green sheet laminated on the upper part is formed into a frame shape by a method such as punching, the insulating substrate 1 having the recess 2 on the upper surface can be manufactured.
  • a manufacturing method such as a ceramic green sheet lamination method. That is, a raw material powder such as aluminum oxide and silicon oxide can be formed into a sheet shape together with an additive such as an organic binder to produce a plurality of ceramic green sheets, which can be laminated and fired.
  • the ceramic green sheet laminated on the upper part is formed into a frame shape by a method such as punching, the insulating substrate 1 having the recess 2 on
  • the concave portion 2 of the insulating base 1 is a portion in which the electronic component 6 is accommodated as described above. Therefore, the recess 2 is provided in a shape and size (size, depth, etc. in plan view) suitable for the shape and size of the electronic component 6.
  • the electronic component 6 include an acceleration sensor element, an infrared sensor element, a gyro sensor element, and a piezoelectric element (including a crystal resonator).
  • These electronic components 6 may be those having a fine electromechanical mechanism on the surface of a semiconductor substrate, so-called microelectromechanical system elements (MEMS elements).
  • the metal part 3 is for adsorbing gas molecules present in the container including the recess 2, and is made of a sintered body of a getter metal material directly joined to the recess 2.
  • the gas molecules in the container adsorbed by the metal part 3 include gases generated from members constituting the electronic device such as the insulating base 1 and the lid 8 during the manufacture and use of the electronic device, and the electronic device Examples thereof include gas molecules such as moisture (H 2 O) entering from the outside during the production.
  • the metal part 3 is formed by, for example, simultaneously firing a metal paste with the insulating substrate 1 (a laminate of a plurality of ceramic green sheets). Details of the metal part 3 will be described later.
  • the wiring conductor 5 is a conductive path for electrically connecting the electronic component 6 to an external electric circuit (not shown), for example. Therefore, the wiring conductor 5 has a portion that is electrically connected to the electronic component 6.
  • One end of the wiring conductor 5 in the electronic component storage package of the first embodiment is located in the recess 2, and the electronic component 6 is electrically connected to the one end via the conductive connecting member 7. Yes.
  • a portion (for example, the other end portion) (not shown) other than one end portion of the wiring conductor 5 is electrically led to an outer surface such as a side surface or a lower surface of the insulating base, and this portion is electrically connected to an external electric circuit. Connected.
  • Such a wiring conductor 5 may include internal conductors (not shown) such as internal wiring and via conductors in the insulating base 1 in addition to the portion shown in FIG.
  • the wiring conductor 5 is a metallized layer formed of a metal material such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, palladium, platinum, gold, nickel, cobalt, or titanium. These metal materials are deposited on the surface of the insulating substrate 1 in the form of, for example, a plating layer or a vapor deposition layer in addition to the metallized layer.
  • a metal material such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, palladium, platinum, gold, nickel, cobalt, or titanium.
  • the wiring conductor 5 includes a tungsten metallized layer
  • a ceramic green sheet that becomes the insulating substrate 1 by a method such as screen printing using a metal paste prepared by kneading tungsten metal powder together with an organic solvent and a binder. It can be formed by printing on the surface and co-firing.
  • the side surface of the recess 2 has the stepped portion 2a as described above, and the wiring conductor 5 is provided on the upper surface of the stepped portion 2a.
  • the wiring conductor 5 is provided on the upper surface of the stepped portion 2a, for example, the connection part (electrode or the like) of the electronic component 6 provided on the upper surface of the electronic component 6 and the wiring conductor 5 are close to each other, The electrical connection between the two is easily performed with a low resistance.
  • a bonding wire is used as the conductive connecting material 7.
  • the bonding wire is made of gold, aluminum, or the like, and is connected to the wiring conductor 5 and the electronic component 6 (electrode, etc.) by a wedge bond or a ball bond.
  • the lid body 8 is joined to the insulating substrate 1 via a joining material (no symbol).
  • a joining material a metal material such as Au, Ag, Zn, Sn, or Cu, or an alloy of these metal materials as a main component can be used.
  • the lid 8 examples include an insulating material such as a ceramic material or a glass material, a metal material, or silicon. If the lid 8 is made of an insulating material, it is preferable that the lid 8 has a metallized layer (not shown) formed on the bonding surface to the insulating substrate 1. In this case, a metallized layer (no symbol) is also provided at a portion where the lid 8 on the upper surface of the insulating substrate 1 is joined. If the lid 8 is made of a ceramic material, for example, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, or the like is used.
  • the metal portion 3 is provided in the recess 2 as described above.
  • the metal part 3 is located in the recessed part 4.
  • the metal part 3 is provided in the recess 2.
  • the metal portion 3 is made of a sintered body of a getter metal material that is directly bonded to the inner surface of the recess 2.
  • the metal portion 3 is provided in the groove-like recess portion 4 provided on the side surface of the stepped portion 2a. Yes.
  • the metal part 3 is made of a getter-type metal material, gas molecules in a container (between the recess 2 and the lid 8) in which the electronic component 6 is sealed are adsorbed by the metal part 3. Therefore, the degree of vacuum in the container can be improved. Therefore, it is easy to improve the reliability and function of the electronic component 6 (the electronic component 6 hermetically sealed in the electronic device) accommodated in the container.
  • the gettering metal material becomes a sintered body by filling the indented portion 4 provided on the side surface of the stepped portion 2a with an unfired gettering metal material and firing it.
  • At least one component of the ceramic of the insulating base 1 constituting the body and the inner surface of the recess 2 diffuses to the other at the interface and in the vicinity of the interface, and is bonded to each other. Therefore, the metal part 3 made of a sintered body of a getter metal material is firmly held on the inner surface of the recess 2 and hardly peels off. Further, since the metal part 3 itself is neck-bonded with gettering metal materials, a part of the metal part 3 is not easily spilled off.
  • the metal part 3 is embedded in the hollow part 4 (groove-like part) located on the side surface of the stepped part 2a, the space in the concave part 2 is used more effectively for storing the electronic component 6. be able to. In other words, it is possible to provide an electronic component storage package and an electronic device that have the metal portion 3 in the recess 2 and are advantageous in terms of miniaturization.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the main parts of the electronic component storage package and the electronic device shown in FIG. In FIG. 2, the same parts as those in FIG. In the sintered body of the getter metal material forming the metal part 3, for example, particles of the getter metal material are sintered and integrated, and directly joined to the inner surface of the recess 2.
  • the metal part 3 is a sintered body of a getter metal material directly joined to the recess 2, the strength of the getter metal material itself forming the metal part 3, and the metal part 3 and the recess 2. Bonding strength with is greater than in the past.
  • an electronic device with high long-term reliability in electrical characteristics can be provided.
  • the insulating base 1 constituting the inner surface of the recess 2 and the metal part 3 are diffusion-bonded, mutual diffusion of mutual components (aluminum oxide and a metal material such as titanium described later) occurs between the two. Also good. In this case, the bonding strength between the insulating base 1 and the metal part 3 is improved, and the peeling of the metal part 3 from the insulating base 1 can be more effectively suppressed.
  • the diffusion of the components in the interface between the insulating base 1 and the metal part 3 and in the vicinity of the interface may be from either one to the other.
  • the aluminum oxide component of the insulating base 1 may be diffused in the metal part 3, and the material of the metal part 3 (titanium or the like described later) may be diffused in the insulating base 1.
  • the getter metal material forming the metal portion 3 provided on the inner surface of the recess 2 can adsorb gas molecules as described above effectively, and is a chemically active metal material. Specific examples include titanium (Ti), zirconium (Zr), iron (Fe), and vanadium (V).
  • a metal powder containing at least one of these metal materials as a main component is kneaded together with an organic solvent and a binder to produce a metal paste, and this metal paste is used on the surface of the ceramic green sheet (recessed portion 2 of the recess 2). If it is applied to the inner surface) and fired together with the ceramic green sheet or the like, the gettering metal material adheres to the inner surface of the recess 2 and the metal part 3 made of a sintered body of the gettering metal material is formed in the recess 2. It is directly bonded to the inner surface.
  • the metal paste is applied to the ceramic green sheet by a printing method such as a screen printing method.
  • a groove portion that becomes the groove-like indented portion 4 is provided by a method such as mechanical punching or grinding, or laser processing at a portion that becomes the side surface of the stepped portion 2a.
  • a metal paste that becomes the metal part 3 may be printed and filled in the groove part and simultaneously fired.
  • a through hole is provided at a position that is the inner periphery of the stepped portion 2a of the concave portion 2, and the metal paste is filled in the through hole. Punching may be performed from
  • a hole is formed in the green sheet, the hole is filled with a metal paste mainly composed of a getter metal material, and the metal paste is dried in an oven or the like.
  • the step portion 2a is formed by punching the green sheet and the metal paste so as to cut through the hole in which the metal paste is embedded, so that the metal paste is exposed on the side surface of the step portion 2a.
  • the punching may be processed using a mold, a laser, or the like.
  • the space in the concave part 2 can be effectively used for storing the electronic component 4A. Further, it is advantageous in increasing the bonding strength by increasing the bonding area between the metal portion 3A and the insulating base 1. Therefore, it is more effective for downsizing the electronic component storage package or the like.
  • the insulating base 1 may be provided with a heating part (not shown) that heats the metal part 3 located on the inner surface of the recess 2. This is because when an oxide film or the like is formed on the surface of the getter metal material forming the metal portion 3, the oxide film can be effectively removed by heating. Thereby, the effect of adsorbing gas molecules by the metal part 3 can be improved.
  • the heating temperature is preferably 250 to 500 ° C.
  • the above heating unit is, for example, an electric heater that generates resistance.
  • the electric heater can be provided on the insulating base 1 by a method similar to that of the wiring conductor 5 using a material having a relatively high electrical resistance (resistivity) such as tungsten among metal materials used as the wiring conductor 5.
  • a connection conductor (not shown) for supplying a current to the electric heater from an external power source may be provided on the insulating base 1 or the like.
  • the connection conductor can be formed by the same method using, for example, the same metal material as that of the wiring conductor 5.
  • heating may be performed simultaneously with reflow when the element is mounted on the concave surface.
  • the lid When the lid is transparent, it may be heated with a laser after sealing.
  • the metal part 3 preferably has a larger volume. However, when the volume of the metal part 3 is increased, the storage space for the electronic component 6 in the recess 2 is reduced. On the other hand, when the electronic component 6 having a certain size is accommodated, there is a possibility that it is difficult to reduce the size of the recess 2, that is, the size of the electronic component storage package and the electronic device. Considering such conditions, productivity, cost and the like, it is more preferable that the metal part 3 is entirely contained in the recessed part 4 on the side surface of the stepped part 2a.
  • FIG. 1 can be regarded as an example in which the metal part 3 is housed in the indentation part 4.
  • the space in the recessed portion 4 is more effectively used for the arrangement of the metal portion 3. Therefore, for example, downsizing as an electronic component storage package and an electronic device can be facilitated.
  • the recessed part 4 does not necessarily have to be filled with the metal part 3.
  • the metal part 3 may be provided in layers along the inner peripheral surface of the groove (recess 4). . Since the ratio of the bonding area between the metal part 4 and the inner peripheral surface of the groove (recessed part 4) is higher than the volume of the metal part 4, the bonding reliability of the metal part 4 to the insulating substrate 1 is high.
  • the recessed portion 4 is located on the side surface of the stepped portion 2 a included in the side surface of the recessed portion 2, and the metal portion 3 is located in the recessed portion 4.
  • a part of the stepped portion 2 a is formed by the metal portion 3. Therefore, the area of the electronic component storage package and the electronic device in a plan view including the stepped portion 2a can be reduced, and the electronic component storage package and the electronic device advantageous for downsizing can be obtained.
  • the metal part 3 may be provided from the inside of the recessed part 4 to the inner surface such as the side surface or the bottom surface of the recess 2. In this case, the bonding area between the metal part 3 and the inner surface of the recess 2 is increased, and the bonding strength between them can be improved. Moreover, the volume of the gas which can adsorb
  • the recessed part 4 is large in the range which can prevent the electrical short circuit with the wiring conductor 5 and the metal part 3 which are provided in the upper surface of the step-shaped part 2a.
  • the size of the indentation part 4 means, for example, the volume of the space between the opening part and the inner surface of the indentation part 4 in the groove-like indentation part 4.
  • the indentation portion 4 becomes larger if the radius is increased.
  • the distance between the indented portion 4 and the wiring conductor 5 may be a distance within a range in which electrical insulation between the metal portion 3 in the indented portion 4 and the wiring conductor 5 is favorably secured.
  • the recessed portion 4 is located on the side surface of the stepped portion 2a.
  • the indentation 4 is preferably located at the corner of the upper surface of the polygonal frame. In this case, it is advantageous in terms of securing electrical insulation between the wiring conductor 5 and the metal part 3. This is due to the relatively large space between the wiring conductors 5 at the corners on the top surface.
  • the dimension of the metal part 3 (for example, the radius etc. of the fan-shaped metal part 3) may be comparatively large in the corner
  • the metal portion 3 is made porous (a large number of holes on the surface, that is, It is preferable to have a void).
  • the size of the hole is 10 to 150 ⁇ m, and it is assumed that the adsorbed gas molecules can easily pass through.
  • the degree of porosity is preferably such that it does not short-circuit (not chipped) when an impact or the like is applied, and preferably has a gap of about 30 to 60% of the volume of the metal part 3. .
  • an organic substance that does not dissolve in the binder and its solvent and remains as a solid may be added to the metal paste forming the metal part 3.
  • the organic material is preferably an organic material that is not vaporized during firing, such as polypropylene polymer, ammonium carbamate, and a highly degradable acrylic binder.
  • the organic material is vaporized in the course of firing, whereby a void is formed in the metal part 3.
  • a void may be formed by mixing a foaming material such as carbonates or a vinyl compound in the binder and generating gas during firing.
  • FIG. 3A is a plan view showing an electronic component storage package and an electronic apparatus according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. is there.
  • the same parts as those in FIG. Also in FIG. 3A, the electronic components and the lid are omitted for easy viewing.
  • the metal portion 3A is provided on the bottom surface of the recess 2.
  • the side surface of the recess 2 does not have a stepped portion.
  • the wiring conductor 5 ⁇ / b> A is a metallized layer such as tungsten, and is provided on the bottom surface of the recess 2.
  • a substrate portion is formed by the insulating base 1 and the wiring conductor 5A (metallized layer).
  • the conductive connecting material 7A that electrically connects the electronic component 6A and the wiring conductor 5A is an adhesive such as a conductive adhesive.
  • the electronic component 6A hermetically sealed in the electronic component storage package of the second embodiment is a piezoelectric element such as a crystal resonator element.
  • An electronic device in which an electronic component 6A such as a piezoelectric element is hermetically sealed in an electronic component storage package is a piezoelectric device such as a crystal oscillator. Except for these points, the electronic component storage package and electronic device of the second embodiment are the same as the electronic component storage package and electronic device of the first embodiment. A description of this similar point will be omitted in the following description.
  • the metal part 3A in this case can also be provided by the same method using the same gettering metal material as in the first embodiment.
  • printing of a metal paste (titanium or the like) is performed on the portion of the ceramic green sheet that will be the insulating substrate 1 that will be the bottom surface of the recess 2.
  • the wiring conductor 5A is provided on the bottom surface of the recess 2 at a position facing an electrode provided on a corner portion or the like of the main surface of the electronic component 6A that is a piezoelectric element or the like.
  • the electrode of the electronic component 6A and the wiring conductor 5A face each other and are electrically and mechanically connected to each other via the conductive connecting material 7A such as a conductive adhesive.
  • the electronic component 6A housed in the concave portion 2 is electrically connected to the wiring conductor 5A, and the concave portion 2 is closed by the lid 8, so that an electronic device such as a crystal oscillator is formed.
  • the metal portion 3A made of a getter metal material is provided on the inner surface of the recess 2, so that the gap between the recess 2 and the lid 8 is provided.
  • the gas molecules in the container formed in the above can be effectively adsorbed by the metal portion 3A. Therefore, an electronic device having a high degree of vacuum in the container and excellent functions such as oscillation by the crystal resonator element can be manufactured.
  • the metal portion 3A is made of a sintered body of a getter metal material.
  • the sintered body is formed by simultaneous firing with the insulating base 1, it is possible to effectively suppress the metal portion 3A from being partially peeled from the insulating base 1.
  • the sintered body of the gettering metal material forming the metal part 3 is obtained by sintering and integrating the particles of the gettering metal material and neck-joining the gettering metal materials. Some are difficult to spill.
  • the metal portion 3A provided on the bottom surface of the recess 2 has a function of suppressing mechanical destruction of the crystal resonator as the electronic component 6A mounted in the recess 2 (function as a so-called pillow material portion). is doing.
  • the piezoelectric diaphragm quartz vibration element as the electronic component 6A
  • the piezoelectric diaphragm is provided to prevent damage.
  • the deflection width of the piezoelectric diaphragm can be reduced by the metal part 3 as the pillow part. Therefore, the piezoelectric diaphragm is prevented from hitting the bottom surface of the recess 2 or the like.
  • the pillow material portion by replacing the pillow material portion with a gettering metal material, it is difficult to peel off, and the space in the cavity (recess 2) can be effectively utilized. Packages and electronic devices can be obtained.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modification of the main part of the electronic component storage package and the electronic device shown in FIG. 4, parts similar to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals.
  • the bottom surface of the recess 2 has a recessed portion 4A.
  • the metal portion 3A does not entirely enter the recessed portion 4A, but includes a portion that protrudes outward from the recessed portion 4A.
  • the recessed portion 4A is filled with a part of the metal portion 3A, and the other metal portion 3A is located outside the recessed portion 4A.
  • the metal portion 3A is provided on the inner surface of the recess 2, gas molecules in the container can be effectively adsorbed by the metal portion 3A.
  • the space in the recess 2 (container) is the same as in the first embodiment. Can be effectively used for storing the electronic component 4A. Further, it is advantageous in increasing the bonding strength by increasing the bonding area between the metal portion 3A and the insulating base 1.
  • the metal portion 3A has a two-layer structure of a lower stage and an upper stage (no symbol).
  • a metal paste of a getter metal material that becomes the metal portion 3A is printed in two portions. Therefore, since the printing thickness of the metal paste per time can be kept small, printing is easy and workability is high. Moreover, since each printing thickness is comparatively thin, the malfunction that the printed metal paste peels off accidentally is suppressed more effectively. In other words, it is easy to form the metal portion 3A as a pillow material portion having a relatively high height.
  • FIG. 5A is a plan view showing a modification of the electronic component storage package and the electronic device according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 5A. It is sectional drawing. 5, parts similar to those in FIGS. 1 and 3 are denoted by the same reference numerals.
  • the lid is omitted for easy viewing.
  • the metal part 3B is provided on the bottom surface of the recess 2. Moreover, the side surface of the recessed part 2 does not have a step part.
  • the wiring conductor 5 ⁇ / b> B is provided on the bottom surface of the recess 2.
  • the conductive connecting material 7B that electrically connects the electronic component 6 and the wiring conductor 5B is, for example, a brazing material such as solder or an adhesive material such as a conductive adhesive.
  • the electronic component 6B hermetically sealed in the electronic component storage package of this modification is, for example, a semiconductor element in which a plurality of electrodes are arranged on the main surface of an electronic component main body (no symbol).
  • the semiconductor element is a semiconductor integrated circuit element (IC), an optical semiconductor element, a semiconductor sensor element (including a so-called MEMS element), or the like.
  • the electronic component 6B is accommodated in the recess 2 by so-called flip chip mounting in which the main surface on which the electrodes are arranged is mounted downward.
  • An electronic device in which an electronic component 6B such as a semiconductor element is hermetically sealed in the electronic component storage package is a semiconductor device (semiconductor device), a sensor device, an imaging device, a light emitting device, or the like. Except for these points, the electronic component storage package and electronic device of this modification are the same as the electronic component storage package and electronic device of the first and second embodiments. A description of this similar point will be omitted in the following description.
  • the metal part 3B is provided on the bottom surface of the recess 2 in the same manner as the metal part 3A in the second embodiment, but the arrangement form is a frame surrounding the mounting part of the electronic component 6B to be flip-chip mounted in a plan view. It has become a shape. That is, for example, the same metal material paste as in the second embodiment is printed on the main surface of the ceramic green sheet to be the insulating base 1 in a region surrounding the mounting portion of the electronic component 6B on the insulating base 1.
  • the metal portion 3B is provided by simultaneous firing.
  • the wiring conductor 5B is provided on the bottom surface of the recess 2 at a position facing an electrode provided in the form of a vertical and horizontal arrangement on the main surface of the electronic component 6B to be flip-chip mounted.
  • the electrode of the electronic component 6B and the wiring conductor 5B face each other and are electrically and mechanically connected to each other via the conductive connecting material 7B such as tin-silver solder.
  • the electronic component 6B accommodated in the concave portion 2 is electrically connected to the wiring conductor 5B, and the concave portion 2 is closed by the lid 8, so that an electronic device such as a semiconductor device is formed.
  • the metal portion 3B made of a sintered body of a getter metal material is provided on the inner surface of the recess 2, the recess 2 and the lid 8 Gas molecules in the container formed during the period can be effectively adsorbed by the metal part 3B. Therefore, an electronic device having a high degree of vacuum in the container and excellent in long-term reliability of an IC or detection accuracy of a physical quantity such as acceleration by a sensor element (MEMS element) can be manufactured.
  • MEMS element sensor element
  • the metal part 3B is formed of a sintered body of a getter metal material, so that the metal part 3B constitutes the inner surface of the recess 2. Partial peeling off from the substrate 1 can be effectively suppressed.
  • the getter metal material may be formed by bonding with the insulating base 1 by simultaneous firing, whereby the bonding strength between the metal portion 3B and the insulating base 1 is further improved.
  • the metal part 3B in this modification has a function of suppressing the resin material from flowing out when a resin material (so-called underfill) is filled between the electronic component 6B and the bottom surface of the recess 2, for example. (Function as a so-called dam).
  • the metal part 3B also has the function, which is advantageous in terms of downsizing and improvement in productivity. obtain.
  • FIG. 6 (a) is a plan view showing a modification of FIG. 5, and FIG. 6 (b) is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 6 (a).
  • FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of FIG. 6 and 7, the same parts as those in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals. Also in FIG. 6A, the lid is omitted for easy viewing.
  • the metal part 3 is provided on the metallized layer 9 provided on the bottom surface of the recess 2.
  • the points A description of the same points as in the example of FIG. 5 will be omitted.
  • the metallized layer 9 provided on the bottom surface of the recess 2 has a relatively large area, for example, for grounding.
  • the insulating base 1, the wiring conductor 5 ⁇ / b> B, and the metallized layer 9 on the bottom surface of the recess 2 constitute a substrate portion.
  • the metal part 3 made of a sintered body of a getter metal material is interdiffused with the metallized layer 9 and joined to the metallized layer 9.
  • the metal portion 3B is made of a sintered body of a getter metal material directly bonded to the metallized layer 9 provided on the inner surface of the recess 2, so that the metal portion The peeling of 3B from the metallized layer 9 can be effectively suppressed.
  • the getter metal material may be formed by simultaneous firing of the metallized layer 9 and the insulating base 1, thereby increasing the bonding strength between the metal part 3B and the substrate part (metallized layer 9). Further improve.
  • the getter metal material is formed by simultaneous firing of the metallized layer 9 and the insulating substrate 1, the bonding strength between the metal part 3B and the substrate part (metallized layer 9) is further improved. In this case, as in the above example, any one component diffuses between the insulating base 1 and the metal part 3 to the other.
  • the diffusion of the components of the metal part 3 and the metallized layer 9 may be from one to the other.
  • a component such as tungsten in the metallized layer 9 may be diffused in the metal part 3, and the material of the metal part 3 (such as titanium described above) may be diffused in the metallized layer 9.
  • the electronic component storage package and the electronic device according to the present invention are not limited to the examples and modifications of the above embodiments, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention.
  • the recess 4 is not limited to the example shown in FIG. 1, and may be located on the bottom surface of the recess 2, or may be provided on the side surface of the recess 2 that does not have the stepped portion 2 a.
  • a plurality of forms may be combined.
  • a recess (not shown) is provided on the bottom surface of the recess 2 in addition to the side of the step 2a.
  • a metal part (not shown) may be positioned.
  • the metal part 3 may not fill the hollow part 4.
  • it may be in a form (castellation-like form) (not shown) in which a metal part (not shown) adheres in layers along the surface of the groove-like depression 4 as shown in FIG. .
  • a part of the metal part 3 may protrude outside the recessed part 4. In this case, it is advantageous in increasing the volume of the metal part 3 present in the recess 2.
  • the metal part 3 may be provided in several surfaces, such as a side surface and a bottom face, and also the side surface of a stepped part among the inner surfaces of the recessed part 2, and the hollow part 4 may be provided in each surface. .
  • the metal portion 3 may be provided as an alignment mark when the electronic component 6 is accommodated in the recess 2 or as an index mark when the wiring conductor 5 and the electronic component 6 are electrically connected. . Further, the metal part 3 may be simply provided on the inner surface such as the side surface of the recess 2. In this case, the metal part 3 is provided at a position (such as a side surface of the recess 2) where electrical insulation between the wiring conductor 5 and the electronic component 6 and the metal part 3 is ensured.

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Abstract

 【課題】 ゲッター性金属材料からなる金属部の絶縁基体に対する接合の強度が大きい電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供すること。 【解決手段】 セラミック焼結体からなり、凹部2を含む絶縁基体1と、絶縁基体1に設けられた配線導体5とを含む基板部と、凹部2に直接接合されたゲッター性金属材の焼結体からなる金属部3とを備えている電子部品収納用パッケージ、およびこの電子部品収納用パッケージと、凹部2内に収容された電子部品6とを備えている電子装置である。

Description

電子部品収納用パッケージおよび電子装置
 本発明は、加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子、水晶振動子、弾性表面波素子および微小電子機械システム素子(MEMS素子)のような電子部品を気密封止するための電子部品収納用パッケージ、および電子装置に関するものである。
 加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子、水晶振動子、弾性表面波素子および微小電子機械システム素子(MEMS素子)のような電子部品が電子部品収納用パッケージの収納部内に気密封止されて、電子装置が作製される。電子装置は、車載用検知器、赤外線検知器、または携帯端末等の種々の電子機器において部品として使用される。このような電子装置においては、上記電子部品の保護または機能向上等のために、電子部品が気密封止された収納部内に存在する気体分子の量を少なくすることが求められている。
 この気体分子の量を少なくするために、収納部内にゲッター材を設けることが知られている。収納部内に存在する気体分子がゲッター材に吸着されるので、収納部内に存在する気体分子の量を少なくすることができる。
 ゲッター材は、例えば気体を吸着する金属粉末が加熱されて金属板等に接合された部品として設けられている。ゲッター材である金属粉末は、互いの接触界面で接合し合っている。また、金属粉末と金属板等とは互いの接触界面で接合し合っている。金属板は、ガラス等の接合材によって電子部品収納用パッケージの収納部に接合されている。
特開平8-236660号公報 特開2003-254820号公報 特開2000-227920号公報
 しかしながら、上記従来技術の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においては、金属粉末同士、および金属粉末と金属板等とが互いの接触界面で接合し合っているのみであるため、互いの接合の強度が比較的小さい。そのため、電子部品収納用パッケージの収納部の内表面に設けられたゲッター材としての金属粉末がこぼれ落ちたり、剥がれる可能性があるという問題点があった。そして、こぼれ落ちたり、剥がれたゲッター材(金属粉末)により、電子部品の電極同士の間の電気的な短絡、または電子部品の電極と電子部品収納用パッケージに設けられた配線導体等との間の電気的な短絡等が生じる可能性がある。
 特に近年、電子部品の小型化、高密度化等が進んでいるため、ゲッター材の金属粉末の剥がれ(脱落等)がわずかな量であっても、上記短絡等の不具合が発生しやすくなってきている。
 本発明の一つの態様の電子部品収納用パッケージは、セラミック焼結体からなり、凹部を含む絶縁基体と、該絶縁基体に設けられた配線導体とを含む基板部と、前記凹部に直接接合されたゲッター性金属材の焼結体からなる金属部と、を備えている。
 本発明の一つの態様の電子装置は、上記構成の電子部品収納用パッケージと、前記凹部内に収容された電子部品とを有している。
 本発明の一つの態様の電子部品収納用パッケージによれば、金属部を形成しているゲッター性金属材からなる焼結体自体の強度、および金属部と凹部との接合強度が従来に比べて大きい。そのため、金属部(ゲッター性金属材)の一部がこぼれ落ちたり、剥がれることを効果的に抑制できる。
 本発明の一つの態様の電子装置によれば、上記構成の電子部品収納用パッケージを用いることから、金属部の一部がこぼれ落ちたり、剥がれることを効果的に抑制できる。そのため、金属部によって凹部内の気体分子を吸着することができ、電気特性における長期信頼性の高い電子装置を提供することができる。
(a)は本発明の第1の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置を示す平面図であり、(b)は(a)のA-A線における断面図である。 図1に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の要部を拡大して示す断面図である。 (a)は本発明の第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置を示す平面図であり、(b)は(a)のB-B線における断面図である。 図3に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の要部における変形例を示す断面図である。 (a)は、本発明の第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のC-C線における断面図である。 (a)は図5の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のC-C線における断面図である。 図6に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の要部を拡大して示す断面図である。
 以下、本発明の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置について、図面を参照して説明する。以下の図面について、断面図ではないものについても識別のため部分的にハッチングを施す場合がある。
 (第1の実施形態)
 図1(a)は本発明の第1の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA-A線における断面図である。凹部2を含む絶縁基体1と、絶縁基体1に設けられた配線導体5と、凹部2内に直接接合された金属部3とによって電子部品収納用パッケージが基本的に構成されている。なお、図1(a)においては見やすくするために後述する電子部品および蓋体を省略している。
 絶縁基体1は、例えば四角板状(直方体状)であり、上記のように凹部2を含む上面を有している。第1の実施形態の電子部品収納用パッケージにおいては、凹部2の内表面がくぼみ部4を有し、このくぼみ部4内に金属部3が設けられている。
 また、凹部2は、内表面として側面と底面とを含み、側面が段状部2aを有している。そして、段状部2aの上面に配線導体5が設けられている。配線導体5は、段状部2aの上面に設けられたメタライズ層によって形成されている。絶縁基体1と配線導体5とによって電子部品収納用パッケージの基板部が構成されている。
 図1に示すように、くぼみ部4は、段状部2aの側面に位置している。この例において、くぼみ部4は、段状部2aの側面に上下方向に延びるように形成された溝状の部分である。
 絶縁基体1の凹部2は、電子部品6を気密に封止するための容器の一部を形成する部分である。例えば、凹部2内に電子部品6が収容され、電子部品6と配線導体5とが導電性接続材7を介して互いに電気的に接続された後、凹部2が蓋体8で塞がれれば、凹部2と蓋体8とからなる容器内に電子部品6が気密封止される。電子部品収納用パッケージに電子部品6が実装されて電子装置が形成される。凹部2は例えば平面視で四角形状をしている。
 絶縁基体1は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、ムライト質焼結体またはチッ化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料によって形成されている。また、絶縁基体1は、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料または樹脂材料と無機フィラーとの複合材料からなるものでも構わない。
 絶縁基体1は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、セラミックグリーンシート積層法等の製造方法で製作することができる。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を有機バインダ等の添加材とともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製し、これを積層して焼成することによって製作することができる。この場合、上部に積層するセラミックグリーンシートを打ち抜き加工等の方法で枠状に成形しておけば、上面に凹部2を有する絶縁基体1を製作することができる。
 この場合、複数のセラミックグリーンシートのうち一部のセラミックグリーンシートを打ち抜き加工等の方法で枠状に成形し、この枠状のセラミックグリーンシートを上部に積層すれば、上面に凹部を有する絶縁基体1を作製することができる。また、内周の寸法(打ち抜き部分の大きさ)が互いに異なる複数の枠状のセラミックグリーンシートを作製し、内周の寸法が小さいものが下側になるように積層すれば、側面に段状部2aを有する凹部2を形成することができる。
 絶縁基体1の凹部2は、上記のように電子部品6が収容される部分である。そのため、凹部2は、電子部品6の形状および寸法に適した形状および寸法(平面視における大きさ、および深さ等)で設けられている。この電子部品6としては、例えば加速度センサ素子、赤外線センサ素子、ジャイロセンサ素子および圧電素子(水晶振動子を含む)等が挙げられる。これらの電子部品6は、半導体基板の表面に微細な電子機械機構を有するもの、いわゆる微小電子機械システム素子(MEMS素子)であってもよい。
 金属部3は、凹部2を含む上記の容器内に存在する気体分子を吸着するためのものであり、凹部2に直接接合されたゲッター性金属材の焼結体からなる。金属部3が設けられていることにより容器内の真空度が向上し、容器内に気密封止される電子部品6の信頼性および機能等が向上する。金属部3によって吸着される容器内の気体分子としては、電子装置の作製時および使用時において、絶縁基体1および蓋体8のような電子装置を構成する部材から発生するガス、および電子装置の作製時に外部から侵入する水分(HO)等の気体分子が挙げられる。
 金属部3は、例えば金属ペーストが絶縁基体1(複数のセラミックグリーンシートの積層体)と同時焼成されて形成されている。金属部3の詳細については後述する。
 配線導体5は、例えば、電子部品6を外部の電気回路(図示せず)に電気的に接続するための導電路である。そのため、配線導体5は、電子部品6と電気的に接続される部位を有している。第1の実施形態の電子部品収納用パッケージにおける配線導体5は、その一端部が凹部2内に位置し、この一端部に電子部品6が導電性接続材7を介して電気的に接続されている。配線導体5のうち一端部以外の部位(例えば他端部)(図示せず)が絶縁基体の側面または下面等の外表面に電気的に導出され、この部位が外部の電気回路と電気的に接続される。これにより、凹部2内に収容されて気密封止される電子部品6と外部の電気回路とが電気的に接続される。このような配線導体5は、図1に示された部分に加えて、絶縁基体1の内部における内部配線およびビア導体等の内部導体(図示せず)が含まれていてもよい。
 配線導体5は、例えばタングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、白金、金、ニッケル、コバルトまたはチタン等の金属材料によって形成されたメタライズ層である。これらの金属材料は、例えばメタライズ層に加えてめっき層または蒸着層等の形態で絶縁基体1の表面に被着される。
 配線導体5がタングステンのメタライズ層を含む場合であれば、タングステンの金属粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して作製した金属ペーストを、スクリーン印刷法等の方法で絶縁基体1となるセラミックグリーンシートの表面に印刷し、同時焼成することによって形成することができる。
 第1の実施形態の電子部品収納用パッケージにおいては、前述のように凹部2の側面が段状部2aを有し、この段状部2aの上面に配線導体5が設けられている。段状部2aの上面に配線導体5が設けられていることにより、例えば電子部品6の上面に設けられている電子部品6の接続用部分(電極等)と配線導体5とが互いに近くなり、両者の電気的な接続が容易に、また低抵抗で行なわれる。
 この実施形態の例においては、導電性接続材7としてボンディングワイヤが用いられている。ボンディングワイヤは、金またはアルミニウム等からなり、ウエッジボンドまたはボールボンドによって配線導体5および電子部品6(電極等)に接続される。
 蓋体8は、接合材(符号なし)を介して絶縁基体1と接合される。接合材としては、Au,Ag,Zn,Sn,Cu等の金属材料、およびこれらの金属材料の合金を主成分とするものを用いることができる。
 蓋体8としては、セラミック材料またはガラス材料のような絶縁性材料、金属材料またはシリコンからなるものが挙げられる。蓋体8が絶縁性材料からなる場合であれば、蓋体8のうち絶縁基体1に対する接合面にメタライズ層(図示せず)が形成されたものが好ましい。この場合、絶縁基体1の上面の蓋体8が接合される部分にもメタライズ層(符号なし)が設けられる。蓋体8がセラミック材料からなる場合であれば、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等が用いられる。
 第1の実施形態の電子部品収納用パッケージは、上記のように、凹部2に金属部3が設けられている。この金属部3は、くぼみ部4内に位置している。言い換えれば、凹部2内に金属部3を有している。この金属部3は、凹部2の内表面に直接接合されたゲッター性金属材の焼結体からなる。また、この第1の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置において、前述のように、金属部3は、段状部2aの側面に設けられた溝状のくぼみ部4内に設けられている。
 金属部3がゲッター性金属材からなるため、電子部品6が封止される容器(凹部2と蓋体8との間)内の気体分子が金属部3によって吸着される。そのため、容器内の真空度が向上し得る。したがって、容器内に収容される電子部品6(電子装置において気密封止された電子部品6)の信頼性および機能等の向上が容易である。
 本実施形態において、段状部2aの側面に設けられたくぼみ部4に、未焼成のゲッター性金属材を充填して焼成することにより、ゲッター性金属材が焼結体になり、この焼結体および凹部2の内表面を構成する絶縁基体1のセラミックスの少なくとも一方の成分が界面および界面近傍で他方に拡散し、互いに接合している。そのため、ゲッター性金属材の焼結体からなる金属部3が凹部2の内表面に強固に保持されて剥れ難い。また、金属部3自体はゲッター性金属材同士がネック接合しているため、金属部3の一部がこぼれ落ちにくい。
 したがって、例えば、こぼれ落ちたり、剥がれた金属粉末に起因した配線導体5と電子部品6との間等の電気的短絡、および赤外線センサ素子の検知部分が金属粉末で遮られること等を抑制することができる。また、段状部2aの側面に位置するくぼみ部4(溝状の部分)内に金属部3が埋設されているため、凹部2内の空間を電子部品6の収納用に、より有効活用することができる。言い換えれば、金属部3を凹部2内に有し、小型化の点においても有利な電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供することができる。
 なお、図2は図1に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の要部を拡大して示す断面図である。図2において図1と同様の部位には同様の符号を付している。金属部3を形成しているゲッター性金属材の焼結体は、例えばゲッター性金属材の粒子同士が焼結一体化しているとともに、凹部2の内表面と直接接合されている。
 つまり、金属部3が、凹部2に直接接合されたゲッター性金属材の焼結体であることから、金属部3を形成しているゲッター性金属材自体の強度、および金属部3と凹部2との接合強度が従来に比べて大きい。
 そのため、金属部3(ゲッター性金属材)の一部がこぼれ落ちたり、剥がれることを効果的に抑制でき、例えば電子部品6の電極同士の短絡等が効果的に抑制される。
 また、このような電子部品収納用パッケージに電子部品6を封止してなる電子装置によれば、電気特性における長期信頼性の高い電子装置を提供することができる。
凹部2の内表面を構成する絶縁基体1と金属部3とが拡散接合している場合、両者間で互いの成分(酸化アルミニウムおよび後述するチタン等の金属材料等)の相互拡散が生じていてもよい。この場合には、絶縁基体1と金属部3との間の接合の強度が向上して、絶縁基体1からの金属部3の剥がれがより効果的に抑制され得る。
 なお、上記の絶縁基体1と金属部3との間の界面および界面近傍における互いの成分の拡散は、いずれか一方から他方へのものであってもよい。例えば、絶縁基体1の酸化アルミニウム成分が金属部3に拡散していてもよく、金属部3の材料(後述するチタン等)が絶縁基体1に拡散していてもよい。凹部2の内表面に設けられた金属部3を形成しているゲッター性金属材は、上記のような気体分子を効果的に吸着し得るものであり、化学的に活性な金属材料である。具体的には、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、鉄(Fe)およびバナジウム(V)等が挙げられる。これらの金属材料の少なくとも一種を主成分とする金属粉末を、有機溶剤およびバインダ等とともに混練して金属ペーストを作製し、この金属ペーストを、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートの表面(凹部2の内表面となる部分)に塗布し、セラミックグリーンシート等ともに同時焼成すれば、凹部2の内表面にゲッター性金属材が付着し、ゲッター性金属材の焼結体からなる金属部3を凹部2の内表面に直接に接合される。なお、セラミックグリーンシートに対する金属ペーストの塗布は、例えばスクリーン印刷法等の印刷法で行なわれる。 段状部3の側面のくぼみ部4に金属部3を設けるには、次のようにすればよい。すなわち、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートのうち段状部2aの側面となる部位に機械的な打ち抜き加工または研削加工、またはレーザ加工等の方法で溝状のくぼみ部4となる溝部分を設けておき、この溝部分内に金属部3となる金属ペーストを印刷、充填して、同時焼成すればよい。また、セラミックグリーンシートの一部を枠状に成形する前に、凹部2の段状部2aの内周となる位置に貫通孔を設けておき、この貫通孔内に上記金属ペーストを充填してから打ち抜き加工を行なうようにしてもよい。
 この場合、グリーンシートに穴を形成し、この穴にゲッター性金属材料を主成分とする金属ペーストを充填し、金属ペーストをオーブン等で乾燥させる。次に金属ペーストを埋設した穴を縦断するようにグリーンシート及び金属ペーストを打ち抜くことにより、段状部2aを形成し、段状部2aの側面に金属ペーストが露出するようにする。打ち抜きは、金型やレーザ等を用いて加工してもよい。
 実施形態の例のように金属部3の少なくとも一部がくぼみ部4内に位置している場合には、凹部2(容器)内のスペースが電子部品4Aの収納用等により有効に利用できる。また、金属部3Aと絶縁基体1との接合面積をより大きくして接合強度を高める上でも有利である。したがって、電子部品収納用パッケージ等の小型化に対してより有効である。
 なお、絶縁基体1には、凹部2の内表面に位置する金属部3を加熱するような加熱部(図示せず)が設けられていてもよい。これは、金属部3を形成しているゲッター性金属材の表面に酸化膜等が生成している場合、この酸化膜を効果的に加熱除去できるためである。これにより、金属部3による気体分子を吸着する効果を向上させることができる。ゲッター性金属材3の表面について、酸化膜の除去等による活性の向上の効率を高める上では、上記加熱温度は250~500℃であることが好ましい。
 上記の加熱部は、例えば抵抗発熱する電気ヒータである。電気ヒータは、例えば配線導体5となる金属材料のうちタングステン等の電気抵抗(抵抗率)が比較的高い材料を用い、配線導体5と同様の方法で絶縁基体1に設けることができる。また、この電気ヒータに対して外部の電源から電流を供給するための接続導体(図示せず)が絶縁基体1等に設けられていてもよい。接続導体は、例えば配線導体5と同様の金属材料を用い、同様の方法で形成することができる。
 また、酸化膜の除去等による活性の向上の効率を高める方法として、素子を凹部表面に実装する際のリフロー時の加熱と同時に加熱しても良い。また、蓋体が透明である場合は、封止後にレーザで加熱しても良い。
 凹部2(容器)内における気体分子の吸着を考慮すれば、金属部3は、その体積が大きい方が好ましい。しかし、金属部3の体積が大きくなると、凹部2内における電子部品6の収納スペースが小さくさる。逆に、一定の大きさの電子部品6を収容するときに凹部2の小型化、つまり電子部品収納用パッケージおよび電子装置の小型化が難しくなる可能性がある。このような条件、および生産性ならびにコスト等を考慮すれば、金属部3は、その全部が、段状部2aの側面のくぼみ部4内に収まっていることが、より好ましい。
 また、図1の例は、金属部3がくぼみ部4内に納まっている例とみなすこともできる。この場合、くぼみ部4内のスペースが金属部3の配置に対してより有効に利用されている。そのため、例えば電子部品収納用パッケージおよび電子装置としての小型化等がより容易になり得る。
 ただし、金属部3の全部がくぼみ部4内に収まっている形態において、必ずしもくぼみ部4が金属部3で満たされている必要はない。例えば、図1の例のように溝状のくぼみ部4が設けられている例において、その溝(くぼみ部4)の内周面に沿って層状に金属部3が設けられていても構わない。金属部4の体積に比べて金属部4と溝(くぼみ部4)の内周面との接合面積の割合がより高くなるため、金属部4の絶縁基体1に対する接合の信頼性が高い。
 また、図1の例は、凹部2の側面が有する段状部2aの側面にくぼみ部4が位置し、このくぼみ部4内に金属部3が位置している。この場合には、段状部2aの一部が金属部3によって形成されている。そのため、段状部2aを含む平面視における電子部品収納用パッケージおよび電子装置の面積を小さく抑えることができ、小型化に有利な電子部品収納用パッケージおよび電子装置とすることができる。
 金属部3は、くぼみ部4内から凹部2の側面または底面等の内表面にわたって設けられていても構わない。この場合には、金属部3と凹部2の内表面との接合面積が大きくなって両者の接合強度が向上し得る。また、金属部3の全体の体積が大きくなって吸着できるガスの量がより大きくなる。
 なお、図1の例では、段状部2aの上面に設けられている配線導体5と金属部3との電気的な短絡が防止され得る範囲で、くぼみ部4が大きいことが好ましい。くぼみ部4の大きさは、例えば溝状のくぼみ部4において、くぼみ部4の開口部分と内面との間の空間の体積を意味する。平面視において扇形状で溝状のくぼみ部4の場合であれば、その半径を大きくすれば、くぼみ部4が大きくなる。このとき、くぼみ部4と配線導体5との間の距離を、くぼみ部4内の金属部3と配線導体5との電気絶縁性が良好に確保される範囲内の距離とすればよい。
 平面視において四角枠状等の多角形の枠状の段状部2aの上面に配線導体5が設けられているときに、段状部2aの側面にくぼみ部4が位置するような場合には、くぼみ部4が多角形をした枠状の上面における角部に位置していることが好ましい。この場合、配線導体5と金属部3との電気絶縁性の確保の点で有利である。これは、上面の角部において配線導体5同士の間のスペースが比較的大きいことによる。
 なお、上面の角部において金属部3の寸法(例えば扇形状の金属部3の半径等)が比較的大きく、辺部分において金属部3の寸法が比較的小さくなっていてもよい。この場合には、金属部3の体積を比較的大きく確保しながら、金属部3と配線導体5との間の電気絶得性を確保することができる。
 また、限られた収容スペース(凹部2と蓋体8との間のスペース)の中で、ゲッター金属材料の表面積を大きくするために、金属部3を多孔質(表面等に多数の穴、つまり空隙を有するもの)にすることが好ましい。穴の大きさとしては、10~150μmの大きさで、吸着する気体分子が通り抜け易いことが前提として挙げられる。また、多孔質度合としては、衝撃等が加わった際に、短絡(欠けない)しない程度の多孔質具合が好ましく、金属部3の体積に対し、3~6割程度の空隙があることが好ましい。また、それぞれの空隙が連なっていることが好ましい。
 金属部3を多孔質にするためには、例えば、金属部3を形成する金属ペーストの中に、バインダとその溶剤には溶けず固体として残留する有機物質を添加しておけばよい。この有機物質は、例えばポリプロピレンポリマーやカルバミン酸アンモニウム、分解性の高いアクリル系バインダ等のように、焼成中に気化して無くなるような有機材料が好ましい。この有機物質が焼成時の過程で気化することにより金属部3に空隙が形成される。また、バインダの中に例えば炭酸塩類等やビニル系の化合物のような発泡材を混ぜ合せ、焼成中にガスを発生させることにより空隙を形成するようにしてもよい。
 図3(a)は本発明の第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置を示す平面図であり、図3(b)は図3(a)のB-B線における断面図である。図3において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図3(a)においても、見やすくするために電子部品および蓋体を省略している。
 第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においては、金属部3Aが凹部2の底面に設けられている。また、この例においては凹部2の側面が段状部を有していない。配線導体5Aは、例えばタングステン等のメタライズ層であり、凹部2の底面に設けられている。絶縁基体1と配線導体5A(メタライズ層)とによって基板部が形成されている。電子部品6Aと配線導体5Aとを電気的に接続している導電性接続材7Aは、例えば導電性接着剤等の接着材である。第2の実施形態の電子部品収納用パッケージに気密封止される電子部品6Aは、例えば水晶振動素子等の圧電素子である。また、電子部品収納用パッケージに圧電素子等の電子部品6Aが気密封止されてなる電子装置は、水晶発振器等の圧電装置である。これらの点を除けば、第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置は、第1の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置と同様である。この同様な点についての説明は、以下の説明においては省略する。
 金属部3Aは、凹部2の底面に設けられている点を除けば、第1の実施形態における金属部3と同様である。すなわち、チタン等のゲッター性金属材が絶縁基体1の凹部2の底面に、絶縁基体1の表面に直接に接合されたゲッター性金属材の焼結体からなる金属部3Aが設けられている。この場合の金属部3Aも、第1の実施形態の場合と同様のゲッター性金属材料を用い、同様の方法で設けることができる。なお、第2の実施形態においては、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートのうち凹部2の底面となる部分に金属ペースト(チタン等)の印刷が行なわれる。
 配線導体5Aは、凹部2の底面に、圧電素子等である電子部品6Aの主面の角部分等に設けられた電極と対向する位置に設けられている。これにより、電子部品6Aの電極と配線導体5Aとが互いに対向し合い、導電性接着剤等の導電性接続材7Aを介して互いに電気的および機械的に接続される。
 凹部2内に収容された電子部品6Aが配線導体5Aと電気的に接続され、凹部2が蓋体8で塞がれて、水晶発振器等の電子装置が形成される。
 第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においても、凹部2の内表面に、ゲッター性金属材からなる金属部3Aが設けられていることから、凹部2と蓋体8との間に形成される容器内の気体分子が金属部3Aによって効果的に吸着され得る。そのため、容器内の真空度が高く、水晶振動素子による発振等の機能に優れた電子装置を作製することができる。
 また、第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においても、金属部3Aがゲッター性金属材の焼結体からなる。また、この焼結体は絶縁基体1との同時焼成によって形成されていることから、金属部3Aが部分的に絶縁基体1から剥がれることが効果的に抑制され得る。さらに、金属部3を形成しているゲッター性金属材の焼結体は、ゲッター性金属材の粒子同士が焼結一体化し、ゲッター性金属材同士がネック接合しているため、金属部3の一部がこぼれ落ちにくい。
 また、凹部2の底面に設けられた金属部3Aは、凹部2内に実装された電子部品6Aとしての水晶振動子の機械的な破壊を抑制する機能(いわゆる枕材部としての機能)も有している。すなわち、例えば電子装置が実装された電子機器の落下等の外部衝撃によって圧電振動板(電子部品6Aとしての水晶振動素子)にたわみが生じても、圧電振動板の破損をなくすために設けられた枕材部としての金属部3によって圧電振動板のたわみ幅を低減できる。そのため、圧電振動板が凹部2の底面等にぶつかることが抑制される。この実施形態においては、その枕材部をゲッター性金属材に置き換えることにより、剥れ難く、キャビティ(凹部2)内の空間を有効活用できる、高真空な気密封止が可能な電子部品収納用パッケージおよび電子装置を得ることができる。
 図4は、図3に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の要部における変形例を示す断面図である。図4において図3と同様の部位には同様の符号を付している。図4に示す例においては、凹部2の底面がくぼみ部4Aを有している。また、金属部3Aは、全部がくぼみ部4A内に入っているのではなく、くぼみ部4Aから外側に出ている部分を含んでいる。言い換えれば、くぼみ部4Aが金属部3Aの一部により充填され、その他の金属部3Aがくぼみ部4Aから外側に位置している。この場合にも、凹部2の内表面に金属部3Aが設けられているため、容器内の気体分子が金属部3Aにより効果的に吸着され得る。
 また、図4の例(変形例)においては、金属部3Aの一部がくぼみ部4A内に位置しているので、第1の実施形態の場合と同様に、凹部2(容器)内のスペースが電子部品4Aの収納用等により有効に利用できる。また、金属部3Aと絶縁基体1との接合面積をより大きくして接合強度を高める上でも有利である。
 なお、図3および図4の例において、金属部3Aは、下段と上段(符号なし)との2層構造になっている。この場合、例えば金属部3Aとなるゲッター性金属材の金属ペーストが2回に分けて印刷される。そのため、1回あたりの金属ペーストの印刷厚みが小さく抑えられるため、印刷が容易であり、作業性が高い。また、それぞれの印刷厚みが比較的薄いため、印刷した金属ペーストが誤って剥がれるような不具合もより効果的に抑制される。言い換えれば、高さが比較的高い枕材部としての金属部3Aの形成が容易である。
 図5(a)は本発明の第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置の変形例を示す平面図であり、図5(b)は図5(a)のC-C線における断面図である。図5において図1および図3と同様の部位には同様の符号を付している。なお、図5(a)においては見やすくするために蓋体を省略している。
 この変形例の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においても、金属部3Bが凹部2の底面に設けられている。また、凹部2の側面が段状部を有していない。配線導体5Bは凹部2の底面に設けられている。電子部品6と配線導体5Bとを電気的に接続している導電性接続材7Bは、例えばはんだ等のろう材、または導電性接着剤等の接着材である。この変形例の電子部品収納用パッケージに気密封止される電子部品6Bは、例えば電子部品本体(符号なし)の主面に複数の電極が配列された半導体素子等である。半導体素子は、半導体集積回路素子(IC)、光半導体素子、半導体センサ素子(いわゆるMEMS素子を含む)等である。電子部品6Bは、電極が配置された主面が下向きに実装される、いわゆるフリップチップ実装によって凹部2内に収容される。この電子部品収納用パッケージに半導体素子等の電子部品6Bが気密封止されてなる電子装置は、半導体装置(半導体デバイス)、センサ装置、撮像装置または発光装置等である。これらの点を除けば、この変形例の電子部品収納用パッケージおよび電子装置は、第1および第2の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置と同様である。この同様な点についての説明は、以下の説明においては省略する。
 金属部3Bは、第2の実施形態における金属部3Aと同様に凹部2の底面に設けられているが、その配置形態は、平面視においてフリップチップ実装される電子部品6Bの搭載部を取り囲む枠状となっている。すなわち、例えば第2の実施形態の場合と同様の金属材料のペーストが、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートの主面に、絶縁基体1において電子部品6Bの搭載部を取り囲むような部位に印刷され、同時焼成されて金属部3Bが設けられている。
 配線導体5Bは、凹部2の底面に、フリップチップ実装される電子部品6Bの主面に縦横の並び等の形態で設けられた電極と対向する位置に設けられている。これにより、電子部品6Bの電極と配線導体5Bとが互いに対向し合い、例えばスズ-銀系はんだ等の導電性接続材7Bを介して互いに電気的および機械的に接続される。
 凹部2内に収容された電子部品6Bが配線導体5Bと電気的に接続され、凹部2が蓋体8で塞がれて半導体装置等の電子装置が形成される。
 この変形例の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においても、凹部2の内表面に、ゲッター性金属材の焼結体からなる金属部3Bが設けられていることから、凹部2と蓋体8との間に形成される容器内の気体分子が金属部3Bによって効果的に吸着され得る。そのため、容器内の真空度が高く、ICの長期信頼性、またはセンサ素子(MEMS素子)による加速度等の物理量の検知精度等に優れた電子装置を作製することができる。
 また、この変形例の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においても、金属部3Bがゲッター性金属材の焼結体によって形成されていることから、金属部3Bが凹部2の内表面を構成する絶縁基体1から部分的に剥がれることが効果的に抑制され得る。また、この場合にも、ゲッター性金属材が絶縁基体1との同時焼成によって接合されて形成されていてもよく、これにより金属部3Bと絶縁基体1との接合の強度がさらに向上する。
 なお、この変形例における金属部3Bは、例えば電子部品6Bと凹部2の底面との間に樹脂材料(いわゆるアンダーフィル)が充填されるときに、その樹脂材料が外側に流れ出ることを抑制する機能(いわゆるダムとしての機能)も有する。このようなダムとしての機能を有する部位が必要な電子部品収納用パッケージおよび電子装置においては、金属部3Bがその機能を兼ね備えるため、小型化および生産性等の向上の点においても有利なものとなり得る。
 図6(a)は図5の変形例を示す平面図であり、図6(b)は図6(a)のC-C線における断面図である。また、図7は図6の要部を拡大して示す断面図である。図6および図7において図1~図5と同様の部位には同様の符号を付している。図6(a)においても、見やすくするために蓋体を省略している。
 この変形例の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においては、凹部2の底面に設けられたメタライズ層9上に金属部3が設けられている点が図5で示された例と異なり、他の点については同様である。図5の例と同様の点についての説明は省略する。
 凹部2の底面に設けられたメタライズ層9は、例えば接地用等の比較的広面積のものである。絶縁基体1と配線導体5Bと凹部2の底面のメタライズ層9とによって基板部が構成されている。ゲッター性金属材の焼結体からなる金属部3は、メタライズ層9との間で相互拡散して、メタライズ層9に接合されている。
 この変形例の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においても、金属部3Bが凹部2の内表面に設けられたメタライズ層9に直接接合されたゲッター性金属材の焼結体からなるため、金属部3Bがメタライズ層9から剥がれることが効果的に抑制され得る。
 また、この場合にも、ゲッター性金属材がメタライズ層9および絶縁基体1との同時焼成によって形成されていてもよく、これにより金属部3Bと基板部(メタライズ層9)との接合の強度がさらに向上する。ゲッター性金属材がメタライズ層9および絶縁基体1との同時焼成によって形成されている場合には、金属部3Bと基板部(メタライズ層9)との接合の強度がさらに向上する。なお、この場合には、上記の例と同様に、絶縁基体1と金属部3との間でいずれか一方の成分が他方に拡散する。
 この場合、焼成時に金属部3とメタライズ層9との間で互いの成分の相互拡散が生じていることが望ましい。これによって、金属部3とメタライズ層9との間の接合の強度が向上して、金属部3の剥がれがより効果的に抑制され得る。
 なお、金属部3とメタライズ層9との互いの成分の拡散は、いずれか一方から他方へのものであってもよい。例えば、メタライズ層9のタングステン等の成分が金属部3に拡散していてもよく、金属部3の材料(前述したチタン等)がメタライズ層9に拡散していてもよい。 本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子装置は、以上の各実施形態の例および変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、くぼみ部4は、図1に示した例に限らず、凹部2の底面に位置していていもよく、また段状部2aを有しない凹部2の側面に設けられていてもよい。また、複数の形態が組み合わされていてもよい。例えば、凹部2の側面に段状部2aを有する電子部品収納用パッケージにおいて、段状部2aの側面に加えて凹部2の底面等にもくぼみ部(図示せず)を設け、このくぼみ部内にも金属部(図示ず)を位置させるようにしてもよい。
 また、金属部3がくぼみ部4を充填していなくても構わない。例えば、図1に示すような溝状のくぼみ部4の表面に沿って層状に金属部(図示せず)が付着した形態(キャスタレーション状の形態)(図示せず)であっても構わない。また、金属部3の一部がくぼみ部4の外側にはみ出ていてもよい。この場合には、凹部2内に存在する金属部3の体積をより大きくする上では有利である。
 また、凹部2の内表面のうち側面および底面、さらに段状部の側面等の複数の面に金属部3が設けられていてもよく、それぞれの面にくぼみ部4が設けられていてもよい。
 また、凹部2内に電子部品6が収納される時のアライメントマーク、または配線導体5と電子部品6との電気的な接続が行なわれる時のインデックスマークとして金属部3が設けられていてもよい。また、単に凹部2の側面等の内表面に金属部3が設けられていてもよい。この場合、配線導体5および電子部品6と金属部3との電気絶縁性が確保されるような位置(凹部2の側面等)に金属部3が設けられる。
1・・・・絶縁基体
2・・・・凹部
3(A、B)・・・金属部
4(A)・・・・・くぼみ部
5(A、B)・・・配線導体
6(A、B)・・・電子部品
7(A、B)・・・導電性接続材
8・・・・蓋体
9・・・(凹部の底面の)メタライズ層

Claims (13)

  1. セラミック焼結体からなり、凹部を含む絶縁基体と、該絶縁基体に設けられた配線導体とを含む基板部と、
    前記凹部に直接接合されたゲッター性金属材の焼結体からなる金属部と、を備えていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
  2. 前記凹部の内表面にくぼみ部を有しており、
    前記金属部が前記くぼみ部内に位置していることを特徴とする請求項1に記載の電子部品収納用パッケージ。
  3. 前記金属部の全部が前記くぼみ部内に収まっていることを特徴とする請求項2に記載の電子部品収納用パッケージ。
  4. 前記金属部が前記くぼみ部内から前記内表面にわたって設けられていることを特徴とする請求項2に記載の電子部品収納用パッケージ。
  5. 前記凹部の内表面が、側面と底面とを含み、前記側面が段状部を有しており、
    前記くぼみ部が前記段状部の側面に設けられていることを特徴とする請求項2~請求項4のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。 
  6. 前記配線導体が前記段状部の上面に設けられており、平面視において、前記段状部の前記上面が多角形の枠状であるとともに、前記くぼみ部が前記上面の角部に位置していることを特徴とする請求項5記載の電子部品収納用パッケージ。
  7. 前記凹部の内表面が、側面と底面とを含み、前記金属部が前記凹部の底面に設けられていることを特徴とする請求項1~請求項6のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
  8. 前記凹部の前記底面が電子部品の搭載部を含んでおり、
    前記金属部が、前記凹部の前記底面に前記搭載部を囲んで設けられていることを特徴とする請求項7記載の電子部品収納用パッケージ。
  9. 前記金属部は前記凹部の内表面と直接接合されていることを特徴とする請求項1~請求項8のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
  10. 前記金属部と前記凹部の前記内表面との界面近傍において、前記金属部および前記凹部の前記内表面のうち少なくとも一方の成分が他方にあることを特徴とする請求項9に記載の電子部品収納用パッケージ。
  11. 前記金属部は前記凹部の内表面に設けられたメタライズ層と直接接合されていることを特徴とする請求項1~請求項8のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。
  12. 前記金属部と前記メタライズ層との界面近傍において、前記金属部および前記メタライズ層のうち少なくとも一方の成分が他方にあることを特徴とする請求項9に記載の電子部品収納用パッケージ。
  13. 請求項1~請求項12のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージと、
    前記凹部内に収容された電子部品と、を備えることを特徴とする電子装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9887687B2 (en) * 2015-01-28 2018-02-06 Analog Devices Global Method of trimming a component and a component trimmed by such a method
US10497682B2 (en) * 2016-01-12 2019-12-03 Apple Inc. Backplane LED integration and functionalization structures
KR102173099B1 (ko) * 2016-09-14 2020-11-02 구글 엘엘씨 로컬 진공 캐비티를 사용한 양자 장치들에서의 소산 및 주파수 노이즈 감소
US10474027B2 (en) * 2017-11-13 2019-11-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming an aligned mask
CN111584371B (zh) * 2020-05-25 2022-04-01 苏州融睿电子科技有限公司 一种封装壳体的制作方法、封装壳体
US20230077877A1 (en) * 2021-09-10 2023-03-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Photonic package and method of manufacturing the same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53128291A (en) * 1977-04-14 1978-11-09 Citizen Watch Co Ltd Crystal vibrator
JPH08236660A (ja) 1994-12-27 1996-09-13 Corning Inc 気密シ−ルされた電子パッケ−ジ
JP2000227920A (ja) 1999-02-05 2000-08-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 情報フィルタリング方法及び装置並びに情報フィルタリングプログラムを記録した記録媒体
JP2003254820A (ja) 2002-03-05 2003-09-10 Mitsubishi Electric Corp 赤外線検出器
JP2006086585A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Daishinku Corp 表面実装型圧電振動デバイス
WO2010010721A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 日本電気株式会社 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法
JP2010040767A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Olympus Corp 気密封止パッケージ
WO2013008919A1 (ja) * 2011-07-14 2013-01-17 株式会社東芝 セラミックス回路基板

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1201540B (it) * 1986-12-22 1989-02-02 Getters Spa Dispositivo getter non evaporabile comprendente un supporto ceramico e metodo per la sua fabbricazione
WO2004074210A1 (ja) * 1992-07-03 2004-09-02 Masanori Hirano セラミックス-金属複合体およびその製造方法
US5921461A (en) * 1997-06-11 1999-07-13 Raytheon Company Vacuum package having vacuum-deposited local getter and its preparation
US5929515A (en) * 1997-10-01 1999-07-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Gettering enclosure for a semiconductor device
KR20000000549A (ko) * 1998-06-01 2000-01-15 구자홍 가스방전표시장치의 게타구조
US6396207B1 (en) * 1998-10-20 2002-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus and method for producing the same
US6992375B2 (en) * 2000-11-30 2006-01-31 Texas Instruments Incorporated Anchor for device package
US6534850B2 (en) * 2001-04-16 2003-03-18 Hewlett-Packard Company Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation
TW533188B (en) * 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
US6923625B2 (en) * 2002-01-07 2005-08-02 Integrated Sensing Systems, Inc. Method of forming a reactive material and article formed thereby
US7160368B1 (en) * 2002-07-12 2007-01-09 Em4, Inc. System and method for gettering gas-phase contaminants within a sealed enclosure
US7193364B2 (en) * 2002-09-12 2007-03-20 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Encapsulation for organic devices
ITMI20031178A1 (it) * 2003-06-11 2004-12-12 Getters Spa Depositi multistrato getter non evaporabili ottenuti per
US20050085053A1 (en) 2003-10-20 2005-04-21 Chien-Hua Chen Method of activating a getter structure
US7871660B2 (en) * 2003-11-14 2011-01-18 Saes Getters, S.P.A. Preparation of getter surfaces using caustic chemicals
US7042076B2 (en) * 2004-03-09 2006-05-09 Northrop Grumman Corporation Vacuum sealed microdevice packaging with getters
US20050253283A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-17 Dcamp Jon B Getter deposition for vacuum packaging
JP4453546B2 (ja) * 2004-12-22 2010-04-21 日産自動車株式会社 パッケージ素子
US20070013305A1 (en) * 2005-07-18 2007-01-18 Wang Carl B Thick film getter paste compositions with pre-hydrated desiccant for use in atmosphere control
US7789949B2 (en) * 2005-11-23 2010-09-07 Integrated Sensing Systems, Inc. Getter device
JP2007251238A (ja) * 2006-03-13 2007-09-27 Epson Toyocom Corp 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法
WO2007136706A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-29 Qualcomm Mems Technologies Inc. Desiccant in a mems device
JP4844322B2 (ja) * 2006-09-26 2011-12-28 パナソニック電工株式会社 真空封止デバイスの製造方法
KR101464305B1 (ko) * 2007-09-11 2014-11-21 주식회사 동진쎄미켐 게터 페이스트 조성물
CN102197585A (zh) * 2008-08-27 2011-09-21 精工电子有限公司 压电振动器的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟
WO2010023727A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動子の製造方法
JP5128671B2 (ja) * 2008-08-27 2013-01-23 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計、並びに圧電振動子の製造方法
JP5128670B2 (ja) * 2008-08-27 2013-01-23 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計、並びに圧電振動子の製造方法
EP2400540A4 (en) * 2009-02-19 2013-10-09 Nec Corp VACUUM-SEALED HOUSING, PCB WITH VACUUM-SEALED HOUSING, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A VACUUM-SEALED HOUSING
JP2010251702A (ja) * 2009-03-27 2010-11-04 Kyocera Corp 電子部品、パッケージおよび赤外線センサ
FR2950877B1 (fr) * 2009-10-07 2012-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure a cavite comportant une interface de collage a base de materiau getter
JP2011203194A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Kyocera Corp 赤外線センサ
FR2971083B1 (fr) * 2011-02-02 2014-04-25 Ulis Procede d'assemblage et de fermeture hermetique d'un boitier d'encapsulation
JP6030436B2 (ja) * 2011-12-27 2016-11-24 京セラ株式会社 電子デバイスの製造方法および電子デバイス製造装置
JP5939385B2 (ja) * 2012-04-13 2016-06-22 日本電気株式会社 赤外線センサパッケージ、赤外線センサモジュール、および電子機器
JP2014090118A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Kyocera Corp イメージセンサ用パッケージおよびイメージセンサ
JP5997393B2 (ja) * 2013-09-27 2016-09-28 京セラ株式会社 蓋体、パッケージおよび電子装置
FR3014241B1 (fr) * 2013-11-29 2017-05-05 Commissariat Energie Atomique Structure d'encapsulation comprenant des tranchees partiellement remplies de materiau getter

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53128291A (en) * 1977-04-14 1978-11-09 Citizen Watch Co Ltd Crystal vibrator
JPH08236660A (ja) 1994-12-27 1996-09-13 Corning Inc 気密シ−ルされた電子パッケ−ジ
JP2000227920A (ja) 1999-02-05 2000-08-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 情報フィルタリング方法及び装置並びに情報フィルタリングプログラムを記録した記録媒体
JP2003254820A (ja) 2002-03-05 2003-09-10 Mitsubishi Electric Corp 赤外線検出器
JP2006086585A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Daishinku Corp 表面実装型圧電振動デバイス
WO2010010721A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 日本電気株式会社 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法
JP2010040767A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Olympus Corp 気密封止パッケージ
WO2013008919A1 (ja) * 2011-07-14 2013-01-17 株式会社東芝 セラミックス回路基板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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JPWO2014129666A1 (ja) 2017-02-02
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