WO2014048792A1 - Optoelektronisches bauteil und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauteils - Google Patents

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WO2014048792A1
WO2014048792A1 PCT/EP2013/069235 EP2013069235W WO2014048792A1 WO 2014048792 A1 WO2014048792 A1 WO 2014048792A1 EP 2013069235 W EP2013069235 W EP 2013069235W WO 2014048792 A1 WO2014048792 A1 WO 2014048792A1
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WO
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quantum well
energy
quantum
auger
band gap
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Application number
PCT/EP2013/069235
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English (en)
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Inventor
Bastian Galler
Roland Zeisel
Michael Binder
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic component.
  • the invention further relates to a method for operating an optoelectronic component.
  • the invention relates to Wei ⁇ nic a computer program.
  • Publication WO 01/39282 A2 discloses an optical semiconductor device with a multiple quantum well structure.
  • the object underlying the invention to be therein may be sailed ⁇ hen to an improved optoelectronic component give ⁇ .
  • the object underlying the invention can also be seen in providing a corresponding method for operating an optoelectronic device.
  • an opto-electronic component comprises a semiconductor layer sequence with a multiple quantum well structure.
  • the multiple quantum well structure has a quantum well with a first bandgap energy.
  • the multiple quantum well structure comprises a second quantum well having a second bandgap energy.
  • the second bandgap energy greater than the first bandgap energy.
  • the first quantum well and the second quantum well are formed adjacent zuei ⁇ Nander. It is a difference between the first and the second
  • Band gap energy is selected such that by means of an excitation of the first quantum well formed charge carriers insbesonde ⁇ re Auger carriers can use a power from a loss process, in particular an Auger process, to enter the second quantum well to recombine radiatively in the second quantum well. That means in particular that the charge carriers, especially the Auger carriers have an energy that they have added to the ⁇ particular the Auger process by the loss process.
  • a method for operating the optoelectronic component is provided.
  • the first quantum well is excited so that charge carriers formed by the excitation of the first quantum well, in particular Auger carriers, can use energy from a loss process, in particular an Auger process, to enter the second quantum well to radiantly recombine in the second quantum well.
  • charge carriers are generally meant to include energy from a loss process.
  • a concrete numbers such as the first two ⁇ ter, the third of a quantum well is not necessarily equates to a corresponding position of the quantum well within the multiple quantum well structure, but is generally used to distinguish the individual quantum wells.
  • the invention therefore encompasses the idea of reusing or recycling auger carriers or charge carriers which are formed or formed upon excitation of the first quantum well, by virtue of the selected difference between the first and second bandgap energy in the second quantum well can reach, so that these Auger carriers can then radiantly recombine in the second quantum well in an advantageous manner. That means in particular that losing the extra energy of the Auger carriers on the band edge of the first quantum well beyond or carriers generally not without radiation, but can be recycled for a Strah ⁇ lung generation.
  • Quantum well structure of an optoelectronic device usually occur Augerpense. Through these the Auger ⁇ charge carriers are formed. The additional energy of the Augerla ⁇ carrier beyond the band edge of the excited quantum well addition is thus usually lost for a radiation generation or light generation by relaxation to the corresponding band edge of the excited quantum well. This means that due to the Auger processes taking place in the known components, part of the energy supplied to the optoelectronic component for the radiation and light generation is always lost. In known multiple quantum well structures, the eye carriers relax in particular emitting phonons at band edges of the corresponding quantum wells so that their energy is converted into heat.
  • these eye charge carriers can be used for a radiant recombination process. Therefore, this because a Diffe ⁇ rence between the first and the second band gap energy of the quantum wells is selected such that at least a part of the Auger charge carriers, in particular all, can pass into the second quantum well. That is, as insbesonde ⁇ re that the spatial distribution of a stay ⁇ probability of Auger carrier as well as the possibility of scattering processes, a part of the Auger charge ⁇ carrier may enter bound higher energy states of the second quantum well, at least, and defined for this radiant recombined ⁇ .
  • charge carriers comprise, in particular, electrons and holes.
  • a barrier layer is formed between the first quantum well and the second quantum well, which has a barrier bandgap energy that is greater than the second bandgap energy. energy.
  • a further barrier layer is formed adjacent to a side of the first quantum well remote from the second quantum well, wherein the further barrier layer has a further barrier band gap energy that is greater than the second bandgap energy.
  • the invention comprises the case where the first quan ⁇ tentopf and the second quantum well are arranged directly adjacent to ⁇ each other.
  • Immediately adjacent in the sense of the present invention means, in particular, that between the first quantum well and the second quantum well no further quantum well is located.
  • An intermediate space between the two quantum wells is thus in particular free of quantum wells.
  • a third quantum well adjacent to a side remote from the first quantum well side of the second quantum well is gebil ⁇ det, is in particular formed in mirror image to the first quantum well.
  • This third quantum well can be stimulated in an advantageous manner, so Augerladungsträ- ger be formed that then but do not go without radiation verlo ⁇ reindeer, but can get into the second quantum well to recombine from this radiant.
  • the third quantum well is formed analogously to the first quantum well.
  • a distance between the third quantum well and the second quantum well is equal to the distance between the first quantum well and the second quantum well. This means in particular that the first quantum well and the third quantum well are arranged symmetrically around the second quantum well.
  • the second quantum well has two more
  • the Auger charge carriers can recombine radiatively and not by non-radiative processes quantum wells, the first and third quantum well. That means, in particular, that the second quantum well is used particularly efficiently and effectively twice, which advantageously increases an efficiency of the optoelectronic component. It is noted that the statements made in connection with the first quantum well apply analogously to the third quantum well and vice versa. Embodiments or embodiments with respect to the first quantum well, respectively The third quantum well may in particular comprise embodiments or embodiments comprising in addition the third quantum well or first quantum well.
  • an excitation device for providing an excitation energy in order to excite the first quantum well, in particular to excite the third quantum well, in particular to excite the first and the third quantum well. That means in particular that the excitation device provides an excitation energy that can excite the single quantum ⁇ pots, so that electromagnetic radiation is emitted in the subsequent radiative recombination in the respective quantum wells.
  • a controller for controlling the excitation means may be provided to excite primarily the first quantum well and / or the third quantum well by means of the excitation energy. This means in particular that primarily only the first quantum well or the third quantum well is excited without the second quantum well being excited. This second quantum well is le ⁇ diglich excited by the generated due to the primary excitation Auger charge carriers. This advantageously increases an efficiency of the optoelectronic device.
  • the difference between the first and the second bandgap energy is between 0 eV and 1.5 eV, in particular between 0.5 eV and 1.5 eV.
  • the second bandgap energy is greater than or equal to (>) 3 eV.
  • the first band gap energy between 0 eV and 3.4 eV, in particular ⁇ sondere between 1.5 eV and 3.4 eV is.
  • the excitation of the first quantum well or of the third quantum well comprises an electrical pumping and / or an optical pumping of the first and third quantum well, respectively. That means in particular that in an electrophotographic ⁇ African pump, an electrical voltage is applied to the semiconductor layer sequence, so that there is a displacement of charge carriers. These charge carriers can then enter the first and third quantum well, respectively, in order to radiantly recombine out of them.
  • the semiconductor layer sequence is irradiated by means of electromagnetic radiation, in which case electron-hole pairs are produced by absorption of the electromagnetic radiation, so that electromagnetic radiation is emitted or emitted again upon subsequent recombination of the electrons and the holes.
  • the opti- cal pumping is performed by means of electromagnetic radiation having a wavelength that speaks a pump energy ent ⁇ which is greater than the first bandgap energy and smaller than the second band gap energy. Because the energy corresponding to the wavelength, referred to here as pump energy, is smaller than the second bandgap energy, the second quantum well will not be excited. According to one embodiment it can be provided that a sequence of quantum wells is formed, wherein alternately the quantum wells have different bandgap energies. That means in particular that each quantum well is assigned a of adjacent quantum well having a higher band gap energy ⁇ .
  • the generated auger carriers can reach the quantum wells with the higher band gap energy assigned to these quantum wells. From these quantum wells with the higher bandgap energy, the Auger carriers can then radiantly recombine in an advantageous manner.
  • a sequence of quantum wells may be provided, consisting of a first quantum well, the second quantum well and then back to the first quantum well and the second quantum well and the first quantum well and is once again returned to the second quantum well and arbitrarily so on gebil ⁇ det.
  • a number of alternating first and second quantum wells can be varied as desired.
  • it may be provided in such a sequence that at least one of the first quantum wells is replaced by the third quantum well.
  • an optoelectron ⁇ ronic component is created in an advantageous manner, which can emit different wavelengths.
  • the optoelectronic device may depending on how the bandgap of the second quantum well is set to emit differing ⁇ che wavelengths. That means in particular ⁇ sondere that depending on the used band gaps of the individual quantum wells, so in particular of the first, the second and the third quantum well, different Wel ⁇ lendorfn the emitted electromagnetic radiation can be adjusted. Depending on requirements and application, a multiplicity of possible color combinations of the emitted light or the radiated electromagnetic radiation can thus advantageously be effected. In particular, white light can thus be generated in an advantageous manner.
  • the quantum wells can also be referred to as optically active quantum wells. This referred in particular to Abgren ⁇ Zung to such pre-quantum wells, also called “pre-wells" that are not optically active, ie not emit electromag ⁇ genetic radiation.
  • the semiconductor layer sequence may comprise the following semiconductor layers to form the multiple quantum well structure:
  • the Ga a N-type semiconductor layer comprises.
  • the second quantum well comprises in particular as the semiconductor layer the In b Gai_ b semiconductor layer.
  • the barrier layers are preferably formed of Al y Ga y N.
  • the barrier layers following the first quantum wells have a different Al content than the barrier layers following the second quantum wells.
  • the Al contents of these two types of barrier layers differ by at least 2 percentage points or 5 percentage points and / or at most
  • a corresponding bandgap energy of the quantum wells is set. That means in particular that the second quantum well having the higher band gap energy in particular more indium on ⁇ has, as the first quantum well with the lower band gap energy.
  • a corresponding band gap energy is provided a ⁇ depending on a thickness of the respective semiconductor layer of the first respectively third and second quantum well. That means in particular that are both half ⁇ conductor layers of the first respectively second and of the third quantum well of a same material, such as InGaN formed, but have different thicknesses. That the bandgap energies due to the different
  • the GaN layer can be of any desired thickness, for example.
  • the other above semiconductor layers may in particular each having a thickness of between 2 nm and 20 nm, where ei ⁇ ne respective thickness of the individual layers, in particular un- may be different.
  • a content of indium in one of the layers can be greater than 10 percent.
  • one or more or all of the above layers may be replaced by an aluminum gallium indium nitride (AlGalnN).
  • AlGalnN aluminum gallium indium nitride
  • the aforementioned layer sequence is repeated axially symmetrically. This means in particular that after the In b Gai b N-
  • Semiconductor layer is a Al y Ga y N layer connects to wel ⁇ cher back the in a Ga a N-type semiconductor layer of the first quantum well connects at which the Al x Ga x N semiconductor layer adjoins at which the GaN semiconductor layer connects.
  • b Ga b N layers are formed such that one quantum well having a lower band gap energy associated with a quantum well having a higher band gap energy, discloses arranged so Benach ⁇ each other is.
  • the multiple quantum well having a lower band gap energy associated with a quantum well having a higher band gap energy discloses arranged so Benach ⁇ each other is.
  • Quantum well structure more of the first and several of the second quantum wells on.
  • the first quantum wells and the second quantum wells (109, 305) are arranged alternately one after the other so that a first quantum well follows a second quantum well. Between adjacent quantum wells there is preferably a respective barrier layer with a band gap energy exceeding the band gap energy of the quantum wells.
  • all the first quantum wells are identical to each other within the scope of the manufacturing tolerances. This can also apply to the second quantum wells, to the third quantum wells and / or to the barrier layers.
  • the number of second quantum wells exceeds one number of the first quantum wells by one.
  • the multiple quantum well structure can then begin with ei ⁇ nem quantum well and also end.
  • the number of first quantum wells is larger by one.
  • FIG. 1 shows an optoelectronic component
  • FIG. 2 is a flowchart of a method for operating an optoelectronic device
  • Fig. 3 shows a multiple quantum well structure which is electrically pumped
  • Fig. 4 shows the multiple quantum well structure of Fig. 3 which is optically pumped.
  • the component 101 has a semiconductor layer sequence 103 comprising a multiple quantum well structure 105.
  • the multiple quantum well structure 105 includes a first quantum well 107 and a second quantum well 109.
  • the two quantum wells 107 and 109 are formed adjacent to each other.
  • the first quantum well 107 has a first bandgap energy.
  • the second quantum well 109 has a second bandgap energy.
  • a difference between the first and the second band gap energy is selected such that Auger carrier formed with ⁇ means of an excitation of the first quantum well 107 may enter the second quantum well 109 113 to kidney beam to recombine in the quantum well 109th
  • the eye carriers 113 are formed.
  • the Auger charge carriers 113 can enter the second quantum well 109 in order to then radiantly recombine therefrom. That is to say insbesonde re ⁇ that electromagnetic radiation 109 is irradiated off by this radiating recombination process in the second quantum well, which is symbolically represented here by an arrow with the reference sign ⁇ 115th 1, the Auger charge carriers 113 are shown as Auger electrons "e-.”
  • Auger holes can alternatively or additionally be formed as Auger charge carriers, which can then enter the second quantum well 109 in order to radiantly recombine therefrom.
  • Fig. 2 shows a method for operating the opto-electronic component 101 according to Fig. 1.
  • a step 201 the first quantum well 107 is stimulated, so that in accordance with a step 203, the Auger carriers are ge ⁇ forms 113th
  • the Auger carriers 113 access due to the selected difference between the first and second band-gap energy in the second quantum well 109 in accordance with a step 205.
  • a step 207 can then use these Auger ⁇ charge carriers recombine radiatively in the second quantum well 109 113th
  • 3 shows a multiple quantum well structure 301.
  • the energy ratios for the valence band VB and the conduction band CB are shown.
  • the bandgap energy eV is plotted.
  • the individual quantum wells are applied with a width corresponding to the layer thickness.
  • the multiple quantum well structure 301 comprises three sequentially arranged quantum wells 303, 305 and 307, wherein the the quantum wells 303 and 305 and the two quantum wells are arranged 305 and 307 respectively adjacent to each other at ⁇ .
  • a semiconductor layer sequence comprising the following semiconductor layers applied to one another is provided:
  • a GaN layer 309 is provided as the n-doped semiconductor layer.
  • an Al x Ga x N semiconductor layer 311 is deposited.
  • a Ga In a a N-type semiconductor layer 313 is applied.
  • an Al y Ga y N-type semiconductor layer 315 is applied on the Ga In a a N-type semiconductor layer 313, an Al y Ga y N-type semiconductor layer 315 is applied.
  • a In b Ga b N-type semiconductor layer 317 is applied on the Al y Ga y N-type semiconductor layer 315 .
  • the In b Ga b N-type semiconductor layer 317 as ⁇ derum is the Al y Ga y N-type semiconductor layer 315 applied.
  • the In a Ga a N-type semiconductor layer is placed listed 313th
  • the Al x Gai x N semiconductor layer 311 is applied, on which the GaN semiconductor layer 309 is applied as a p-doped layer.
  • the semiconductor layer 313 forms a quantum well layer for the quantum well 303.
  • the semiconductor layer 317 in particular forms a quantum well layer of the quantum well 305.
  • the semiconductor layer 313 in particular forms a quantum well layer of the quantum ⁇ pot 307th
  • the two semiconductor layers 311 are respectively provided on opposite sides of the quantum well 303 and 307 relative to the quantum well 305.
  • the two semiconductor layers 315 are formed between the quantum well 305 and see the quantum well 307, respectively 303 provided ⁇ .
  • the two quantum wells 303 and 307 have a lower bandgap energy than the quan ⁇ tentopf 305. That means in particular that the two quantum wells 303 and 307 each have a first bandgap energy, which is smaller than a second bandgap energy of the quantum well 305th
  • Electrons as negative charge carriers are identified here by reference numeral 318a. Holes as positive charge carriers are identified here by the reference numeral 318b. Due to the electrical pumping so each one radiant recombination of charge carriers shifted 318a and 318b takes place in the quantum ⁇ pot 303 and in the quantum well 307th At the same time as these recombination processes, auger processes take place, which can lead to the formation of Auger electrons and / or eye holes.
  • the Auger electrons are identified by the reference numeral 319.
  • the eye holes are identified by the reference numeral 321.
  • the Auger electrons 319 and the Augerlöcher 321 ge in the quantum well 305 ge ⁇ long to radiant from there to recombine.
  • the radiative recombination processes occurring in the quantum wells 303, 305 and 307 emit electromagnetic radiation.
  • the electromagnetic radiation which is emitted from the quantum wells 303 and 307 on the basis of the primary excitations is symbolically identified here by an arrow with the reference numeral 323.
  • the electromagnetic ⁇ specific radiation emitted due to excitation of the quantum well 305 by means of the Auger carriers 319 and 321 and the subsequent recombination is symbolically marked with an arrow with reference numeral 325th
  • the provision of the two semiconductor layers 311 causes in particular that a probability of capture by the higher energy quantum well 305 is advantageously increased.
  • the two semiconductor layers 311 may be referred to in particular as further barrier layers.
  • the two semiconductor layers 315 cause a probability that Auger carriers 319 and 321 from a bound state in the quantum well 319 in the energetically more favorable quantum wells 303 and 307 can reach, whereby their potential energy would be lost again, is lowered in an advantageous manner.
  • the two semiconductor layers 315 can be referred to in particular as barrier layers.
  • FIG. 4 shows the multiple quantum well structure 301 according to FIG. 3, in which case the multiple quantum well structure 301 is optically and not electrically pumped.
  • the multiple quantum well structure 301 is optically pumped by means of electromagnetic radiation having a wavelength, wherein the wavelength ei ⁇ ner pump energy corresponding to which is greater than the first bandgap energy and is smaller than the second bandgap ⁇ energy.
  • the pumping at this wavelength is shown symbolically by arrows with the reference numeral 401.
  • the multiple quantum well structure 301 can be pumped by means of electromagnetic radiation having a wavelength of 450 nanometers.
  • the two quantum wells 303 and 307 can be correspondingly optically excited to ⁇ , at the same time possibly occurring
  • the multiple quantum well structure 301 is pumped both optically and electrically.
  • the band gap of the first quantum well 303 and the second quantum well 207 is about 1.5 eV. So that means the ⁇ special is that these quantum wells to be pumped for an optical excitation with 800 nanometers. In further embodiments, not shown, it may be provided that the corresponding band gap is less than or equal to ( ⁇ ) 800 nanometers.
  • the second band gap energy that is to say in particular the band gap of the quantum well 205, is equal to 3 eV.
  • the corresponding band gap of the quantum well 305 is greater than 3 eV.
  • the light emitted by this quantum well 305 may be in the UV range in particular. This can, for example, cause a converter substance to be excited more effectively than by the light of the primarily pumped quantum wells 303 and 307.
  • the band gaps of the individual quantum wells 303, 305 and 307 are in the infrared range.
  • III-V compounds are also used as the material for the semiconductor layers: for example (CdZn) Se or (MgZn) O.
  • the invention therefore encompasses the idea of using part or all of the energy otherwise lost in the Auger processes involved for generating shorter-wave light.
  • the efficiency of an optoelectronic component according to the invention can be increased in comparison with a known optoelectronic component.
  • the invention also offers the possibility of producing a white light impression without the inevitable in the case of conventional converter solutions Stokes losses occur.
  • Any other combination of colors to display a different color light may be formed in an advantageous manner through first and second quantum wells with appropriate ⁇ speaking band gap.
  • This also includes semiconductor heterostructures consisting of other material systems.
  • the invention in particular includes the idea of bringing charge carriers, in particular Auger carriers, which are produced during a primary excitation of a quantum well into a second quantum well, so that they can radiantly recombine in the second quantum well.
  • charge carriers in particular Auger carriers
  • the formed eye carriers can be recycled or recycled and are available for further light generation.
  • An efficiency of a corresponding optoelectronic component is thus increased in an advantageous manner.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend : - eine Halbleiterschichtenfolge (103) mit einer Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301), - wobei die Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301) einen ersten Quantentopf (107, 303) mit einer ersten Bandlückenenergie und - einen zweiten Quantentopf (109, 305) mit einer zweiten Bandlückenenergie aufweist, die größer ist als die erste Bandlückenenergie - wobei der erste Quantentopf (107, 303) und der zweite Quantentopf (109, 305) benachbart zu einander gebildet sind, - wobei eine Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie derart gewählt ist, dass mittels einer Anregung des ersten Quantentopfes (107, 303) gebildete Ladungsträger (319, 321) eine Energie aus einem Verlustprozeß, insbesondere einem Augerprozess, nutzen können, um in den zweiten Quantentopf (109, 305) zu gelangen, um in dem zweiten Quantentopf (109, 305) strahlend zu rekombinieren. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben des optoelektronischen Bauteils (101).

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils. Die Erfindung betrifft des Wei¬ teren ein Computerprogramm.
Aus der Offenlegungsschrift WO 01/39282 A2 ist eine optische Halbleitervorrichtung mit einer Mehrfach-Quantentopf-Struktur bekannt . Die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe kann darin gese¬ hen werden, ein verbessertes optoelektronisches Bauteil anzu¬ geben .
Die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe kann auch darin gesehen werden, ein entsprechendes Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils bereitzustellen.
Diese Aufgaben werden mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand jeweils abhängigen Unteransprüchen.
Nach einem Aspekt wird ein optoelektronisches Bauteil bereit¬ gestellt. Das Bauteil umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer Mehrfach-Quantentopf-Struktur . Die Mehrfach- Quantentopf-Struktur weist einen Quantentopf mit einer ersten Bandlückenenergie auf. Des Weiteren umfasst die Mehrfach- Quantentopf-Struktur einen zweiten Quantentopf mit einer zweiten Bandlückenenergie. Hierbei ist die zweite Bandlücken- energie größer als die erste Bandlückenenergie. Der erste Quantentopf und der zweite Quantentopf sind benachbart zuei¬ nander gebildet. Es ist eine Differenz zwischen der ersten und der zweiten
Bandlückenenergie derart gewählt, dass mittels einer Anregung des ersten Quantentopfes gebildete Ladungsträger, insbesonde¬ re Augerladungsträger, eine Energie aus einem Verlustprozeß nutzen können, insbesondere einem Augerprozess , um in den zweiten Quantentopf zu gelangen, um in dem zweiten Quantentopf strahlend zu rekombinieren. Das heißt also insbesondere, dass die Ladungsträger, insbesondere die Augerladungsträger, eine Energie aufweisen, die sie durch den Verlustprozeß, ins¬ besondere den Augerprozess, aufgenommen haben.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Betreiben des optoelektronischen Bauteils bereitgestellt. Hierbei wird der erste Quantentopf angeregt, sodass mittels der Anregung des ersten Quantentopfs gebildete Ladungsträger, insbesondere Augerladungsträger, eine Energie aus einem Verlustprozeß, insbesondere einem Augerprozess, nutzen können, um in den zweiten Quantentopf zu gelangen, um in dem zweiten Quantentopf strahlend zu rekombinieren. Die folgenden Ausführungen sind in Bezug zu Augerladungsträ- gern und zu Augerprozessen formuliert. Dies ist nicht ein¬ schränkend. Soweit konkret Augerladungsträger aufweisend eine Energie aus einem Augerprozess beschrieben werden, sind hierbei stets Ladungsträger allgemein aufweisend eine Energie aus einem Verlustprozeß gemeint.
Eine konkrete Nummerierung wie beispielsweise erster, zwei¬ ter, dritter eines Quantentopfes ist nicht zwangsläufig gleichzusetzen mit einer entsprechenden Position des Quantentopfes innerhalb der Mehrfach-Quantentopf-Struktur, sondern dient in der Regel zu einer Unterscheidung der einzelnen Quantentöpfe .
Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, Augerladungsträger oder Ladungsträger im allgemeinen, die bei einer Anregung des ersten Quantentopfes entstehen oder gebildet werden, wieder zu verwenden oder zu recyceln, indem diese aufgrund der gewählten Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie in den zweiten Quantentopf gelangen können, sodass diese Augerladungsträger dann in dem zweiten Quantentopf in vorteilhafter Weise strahlend rekombinieren können. Das heißt also insbesondere, dass die zusätzliche Energie der Augerladungsträger über die Bandkante des ersten Quantentopfes hinaus oder der Ladungsträger im Allgemeinen nicht strahlungslos verloren geht, sondern für eine Strah¬ lungserzeugung wiederverwertet werden kann. Bei der Anregung eines Quantentopfes einer Mehrfach-
Quantentopf-Struktur eines optoelektronischen Bauteils treten in der Regel Augerprozesse auf. Durch diese werden die Auger¬ ladungsträger gebildet. Die zusätzliche Energie der Augerla¬ dungsträger über die Bandkante des angeregten Quantentopfes hinaus geht somit in der Regel für eine Strahlungserzeugung oder Lichterzeugung durch Relaxation zu der entsprechenden Bandkante des angeregten Quantentopfes verloren. Das heißt also, dass aufgrund der stattfindenden Augerprozesse in den bekannten Bauteilen stets ein Teil der dem optoelektronischen Bauteil für die Strahlung und Lichterzeugung zugeführten Energie verloren geht. In bekannten Mehrfach-Quantentopf- Strukturen relaxieren die Augerladungsträger insbesondere un- ter Aussendung von Phononen an Bandkanten der entsprechenden Quantentöpfe, sodass ihre Energie in Wärme umgewandelt wird.
Die diesen Prozessen zu Grunde liegenden theoretischen Be- rechnungen sind beispielsweise in dem Artikel „Indirect Auger recombination as a cause of efficiency droop in nitride light-emitting diodes" von E. Kioupakis, P. Rinke, K. T.
Delaney, and C. G. van der Walle, veröffentlicht in Appl . Phys. Lett. 98, 161107 (2011), beschrieben.
In dem erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauteil können diese Augerladungsträger aber für einen strahlenden Rekombi- nationsprozess verwendet werden. Dies deshalb, da eine Diffe¬ renz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie der beiden Quantentöpfe derart gewählt ist, dass zumindest ein Teil der Augerladungsträger, insbesondere alle, in den zweiten Quantentopf gelangen kann. Das heißt als insbesonde¬ re, dass durch die räumliche Verteilung einer Aufenthalts¬ wahrscheinlichkeit der Augerladungsträger sowie die Möglich- keit von Streuprozessen zumindest ein Teil der Augerladungs¬ träger in gebundene höher energetische Zustände des zweiten Quantentopfs gelangen kann und aus diesem strahlend rekombi¬ niert . Ladungsträger im Sinne der vorliegenden Erfindung umfassen insbesondere Elektronen und Löcher. Das heißt also insbeson¬ dere, dass es sich bei den Augerladungsträgern um Augerelekt- ronen und/oder Augerlöcher handeln kann. Gemäß einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass zwischen dem ersten Quantentopf und dem zweiten Quantentopf eine Barriereschicht gebildet ist, die eine Barrierebandlücken- energie aufweist, die größer ist als die zweite Bandlücken- energie. Das Vorsehen einer solchen Barriereschicht reduziert in vorteilhafter Weise eine Wahrscheinlichkeit, dass ein La¬ dungsträger in einem gebundenen Zustand des zweiten Quantentopfes in den energetisch günstigeren ersten Quantentopf ge- langen kann, womit die potentiell gewonnene Energie wieder verloren wäre. Ein Wirkungsgrad des optoelektronischen Bauteils wird somit in vorteilhafter Weise erhöht.
Gemäß einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine weitere Barriereschicht benachbart zu einer dem zweiten Quantentopf abgewandten Seite des ersten Quantentopfs gebildet ist, wobei die weitere Barriereschicht eine weitere Barrierebandlückenenergie aufweist, die größer ist als die zweite Bandlückenenergie. Dadurch wird in vorteilhafter Weise eine Wahrscheinlichkeit eines Einfangs der Ladungsträger durch den höher energetischen zweiten Quantentopf erhöht. Dadurch wird ein Wirkungsgrad des optoelektronischen Bauteils in vorteilhafter Weise erhöht. Benachbart zueinander angeordnet im Sinne der vorliegenden
Erfindung umfasst insbesondere den Fall, dass der erste Quan¬ tentopf und der zweite Quantentopf unmittelbar benachbart zu¬ einander angeordnet sind. Unmittelbar benachbart im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet insbesondere, dass sich zwi- sehen dem ersten Quantentopf und dem zweiten Quantentopf kein weiterer Quantentopf mehr befindet. Ein Zwischenraum zwischen den beiden Quantentöpfen ist somit insbesondere quantentopf- frei. Hier ist es in der Regel so, dass eine Wahrscheinlich¬ keit, dass Ladungsträger von dem ersten Quantentopf in den zweiten Quantentopf gelangen können, je größer ist desto näher die beiden Quantentöpfe zueinander angeordnet sind. Das heißt also insbesondere, dass bei einem kleineren Abstand zwischen den beiden Quantentöpfen die Wahrscheinlichkeit grö- ßer ist im Vergleich zu einem größeren Abstand zwischen den beiden Quantentöpfen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass ein dritter Quantentopf benachbart zu einer dem ersten Quantentopf abgewandten Seite des zweiten Quantentopfs gebil¬ det ist, insbesondere spiegelbildlich zu dem ersten Quantentopf gebildet ist. Auch dieser dritte Quantentopf kann in vorteilhafter Weise angeregt werden, sodass Augerladungsträ- ger gebildet werden, die dann aber nicht strahlungslos verlo¬ ren gehen, sondern in den zweiten Quantentopf gelangen können, um aus diesem strahlend zu rekombinieren. Insbesondere ist der dritte Quantentopf analog zu dem ersten Quantentopf gebildet. Insbesondere ist ein Abstand zwischen dem dritten Quantentopf und dem zweiten Quantentopf gleich dem Abstand zwischen dem ersten Quantentopf und dem zweiten Quantentopf. Das heißt also insbesondere, dass der erste Quantentopf und der dritte Quantentopf symmetrisch um den zweiten Quantentopf angeordnet sind. In der Ausführungsform mit den drei Quanten- topfen stehen dem zweiten Quantentopf gleich zwei weitere
Quantentöpfe, der erste und der dritte Quantentopf, zur Ver¬ fügung, um die Augerladungsträger, die in dem ersten und dem dritten Quantentopf gebildet werden, aufzunehmen, sodass die Augerladungsträger strahlend rekombinieren können und nicht durch strahlungslose Prozesse verloren gehen. Das heißt also insbesondere, dass der zweite Quantentopf besonders effizient und effektiv doppelt genutzt wird, was in vorteilhafter Weise einen Wirkungsgrad des optoelektronischen Bauteils erhöht. Es wird angemerkt, dass die im Zusammenhang mit dem ersten Quantentopf gemachten Ausführungen analog für den dritten Quantentopf und umgekehrt gelten. Ausführungen oder Ausführungsformen bezogen auf den ersten Quantentopf respektive dritten Quantentopf können insbesondere Ausführungen oder Ausführungsformen umfassend zusätzlich den dritten Quantentopf respektive ersten Quantentopf umfassen. Nach noch einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine Anregungseinrichtung zum Bereitstellen einer Anregungsenergie gebildet ist, um den ersten Quantentopf anzuregen, insbesondere um den dritten Quantentopf anzuregen, insbesondere um den ersten und den dritten Quantentopf anzuregen. Das heißt also insbesondere, dass die Anregungseinrichtung eine Anregungsenergie bereitstellt, welche die einzelnen Quanten¬ töpfe anregen kann, sodass bei den anschließenden strahlenden Rekombinationsprozessen in den entsprechenden Quantentöpfen elektromagnetische Strahlung emittiert wird.
Nach einer Ausführungsform kann eine Steuerung zum Steuern der Anregungseinrichtung vorgesehen sein, um mittels der Anregungsenergie primär den ersten Quantentopf und/oder den dritten Quantentopf anzuregen. Das heißt also insbesondere, dass primär ausschließlich der erste Quantentopf respektive der dritte Quantentopf angeregt wird, ohne dass der zweite Quantentopf angeregt wird. Dieser zweite Quantentopf wird le¬ diglich durch die aufgrund der primären Anregung entstehenden Augerladungsträger angeregt. Dies steigert in vorteilhafter Weise einen Wirkungsgrad des optoelektronischen Bauteils.
Gemäß einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie zwischen 0 eV und 1,5 eV, insbesondere zwischen 0,5 eV und 1,5 eV, beträgt.
In einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die zweite Bandlückenenergie größer gleich (>) 3 eV beträgt. Nach einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die erste Bandlückenenergie zwischen 0 eV und 3,4 eV, insbe¬ sondere zwischen 1,5 eV und 3,4 eV, beträgt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Anregen des ersten Quantentopfes respektive des dritten Quantentopfes ein elektrisches Pumpen und/oder ein optisches Pumpen des ersten respektive dritten Quantentopfes umfasst. Das heißt also insbesondere, dass bei einem elektro¬ nischen Pumpen eine elektrische Spannung an die Halbleiterschichtenfolge angelegt wird, sodass es zu einer Verschiebung von Ladungsträgern kommt. Diese Ladungsträger können dann in den ersten respektive dritten Quantentopf gelangen, um aus diesen strahlend zu rekombinieren.
Bei einem optischen Pumpen wird die Halbleiterschichtenfolge mittels elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, wobei hier durch Absorption der elektromagnetischen Strahlung Elektro- nen-Loch-Paare erzeugt werden, sodass bei anschließender Re¬ kombination der Elektronen und der Löcher wieder elektromagnetische Strahlung emittiert oder abgegeben wird.
Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das op- tische Pumpen mittels elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge durchgeführt wird, die einer Pumpenergie ent¬ spricht, die größer ist als die erste Bandlückenenergie und kleiner ist als die zweite Bandlückenenergie. Dadurch, dass die der Wellenlänge entsprechende Energie, hier als Pumpener- gie bezeichnet, kleiner ist als die zweite Bandlückenenergie, wird der zweite Quantentopf nicht angeregt werden. Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine Folge von Quantentöpfen gebildet ist, wobei alternierend die Quantentöpfe unterschiedliche Bandlückenenergien aufweisen. Das heißt also insbesondere, dass jedem Quantentopf ein be- nachbarter Quantentopf zugeordnet ist, der eine höhere Band¬ lückenenergie aufweist. Das heißt also insbesondere, dass bei einer primären Anregung der Quantentöpfe mit der niedrigeren Energie die erzeugten Augerladungsträger in den diesen Quantentöpfen zugeordneten Quantentöpfen mit der höheren Bandlü- ckenenergie gelangen können. Aus diesen Quantentöpfen mit der höheren Bandlückenenergie können die Augerladungsträger dann in vorteilhafter Weise strahlend rekombinieren.
Beispielsweise kann eine Folge von Quantentöpfen vorgesehen sein, die aus einem ersten Quantentopf, dem zweiten Quantentopf und dann wieder dem ersten Quantentopf und wieder dem zweiten Quantentopf und wieder dem ersten Quantentopf und wieder dem zweiten Quantentopf und beliebig so weiter gebil¬ det ist. Eine Anzahl an alternierenden ersten und zweiten Quantentöpfen kann beliebig variiert werden. Vorzugsweise kann in einer solchen Folge vorgesehen sein, dass zumindest einer der ersten Quantentöpfe durch den dritten Quantentopf ersetzt ist. Somit ist in vorteilhafter Weise ein optoelekt¬ ronisches Bauteil geschaffen, das verschiedene Wellenlängen emittieren kann.
Da der zweite Quantentopf aufgrund der strahlenden Rekombina¬ tionsprozesse der Augerladungsträger eine elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge entsprechend seiner Bandlücke emittiert, kann das optoelektronische Bauteil unterschiedli¬ che Wellenlängen emittieren, je nachdem wie die Bandlücke des zweiten Quantentopfes eingestellt wird. Das heißt also insbe¬ sondere, dass abhängig von den verwendeten Bandlücken der einzelnen Quantentöpfe, also insbesondere des ersten, des zweiten und des dritten Quantentopfes, unterschiedliche Wel¬ lenlängen der emittierten elektromagnetischen Strahlung eingestellt werden können. Je nach Bedarf und Anwendung kann so- mit in vorteilhafter Weise eine Vielzahl von möglichen Farbkombinationen des abgestrahlten Lichts oder der abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung bewirkt werden. Insbesondere kann somit in vorteilhafter Weise Weißlicht erzeugt werden. Da aufgrund der strahlenden Rekombinationsprozesse in den einzelnen Quantentöpfen elektromagnetische Strahlung emittiert wird, können die Quantentöpfe auch als optisch aktive Quantentöpfe bezeichnet werden. Dies insbesondere zur Abgren¬ zung gegenüber solchen Vor-Quantentöpfen, auch „Pre-Wells" genannt, die optisch nicht aktiv sind, also keine elektromag¬ netische Strahlung emittieren.
Nach einer Ausführungsform kann die Halbleiterschichtenfolge folgende Halbleiterschichten umfassen, um die Mehrfach- Quantentopf-Struktur zu bilden:
GaN I AlxGa!-xN | InaGai_aN | AlyGai_yN | InbGai_bN | , wobei
0 -S a,b,x,y -S 1 und x ^ y, a ^ b sind. Das heißt also insbesondere, dass der erste Quantentopf als
Halbleiterschicht die InaGai-aN-Halbleiterschicht umfasst. Der zweite Quantentopf umfasst insbesondere als Halbleiterschicht die InbGai_b - Halbleiterschicht. Die Barriereschichten sind bevorzugt aus AlyGai-yN gebildet. Die Abfolge
InaGai_aN | AlyGai_yN | InbGai_bN | AlyGai_yN tritt hierbei bevorzugt mehrmals wiederholt und aufeinanderfolgend auf. Dabei ist es möglich, dass die den ersten Quantentöpfen nachfolgenden Barriereschichten einen anderen Al-Gehalt aufweisen als die den zweiten Quantentöpfen nachfolgenden Barriereschichten. Zum Beispiel unterscheiden sich die Al-Gehalte dieser zwei Arten von Barriereschichten um mindestens 2 Prozentpunkte oder 5 Prozentpunkte und/oder um höchstens
10 Prozentpunkte oder 7 Prozentpunkte.
Hier kann insbesondere vorgesehen sein, dass basierend auf einem unterschiedlichen Gehalt an Indium (In) eine entsprechende Bandlückenenergie der Quantentöpfe eingestellt wird. Das heißt also insbesondere, dass der zweite Quantentopf mit der höheren Bandlückenenergie insbesondere mehr Indium auf¬ weist als der erste Quantentopf mit der niedrigeren Bandlü- ckenenergie.
Es kann beispielsweise nach einer anderen Ausführungsform vorgesehen sein, dass eine entsprechende Bandlückenenergie abhängig von einer Dicke der jeweiligen Halbleiterschicht des ersten respektive dritten und des zweiten Quantentopfes ein¬ gestellt wird. Das heißt also insbesondere, dass beide Halb¬ leiterschichten des ersten respektive zweiten und des dritten Quantentopfes aus einem gleichen Material, beispielsweise InGaN, gebildet sind, aber unterschiedliche Dicken aufweisen. Dass die Bandlückenenergien aufgrund der unterschiedlichen
Dicken unterschiedlich sind, hat ihre Ursache insbesondere in der Quantisierungsenergie und des quantum-confined Stark- Effekts . Die GaN-Schicht kann beispielsweise beliebig dick sein. Die weiteren obigen Halbleiterschichten können insbesondere jeweils eine Dicke zwischen 2 nm und 20 nm aufweisen, wobei ei¬ ne jeweilige Dicke der einzelnen Schichten insbesondere un- terschiedlich sein kann. Insbesondere kann ein Gehalt an Indium in einer der Schichten größer als 10 Prozent betragen.
Vorzugsweise kann eine oder mehrere oder alle der obigen Schichten durch eine Aluminiumgalliumindiumnitrid (AlGalnN) ersetzt werden.
In einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die vorgenannte Schichtfolge achsensymmetrisch wiederholt wird. Das heißt also insbesondere, dass sich nach der InbGai-bN-
Halbleiterschicht eine AlyGai-yN-Schicht anschließt, an wel¬ cher sich wieder die InaGai-aN-Halbleiterschicht des ersten Quantentopfes anschließt, an welcher sich die AlxGai-xN- Halbleiterschicht anschließt, an welcher sich die GaN- Halbleiterschicht anschließt.
In einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass zwischen den beiden GaN-Halbleiterschichten eine beliebige Kombination aus den AlxGai-xN-, InaGai_aN-, AlyGai-yN- und
InbGai-bN-Schichten gebildet sind, derart, dass einem Quantentopf mit einer niedrigeren Bandlückenenergie ein Quantentopf mit einer höheren Bandlückenenergie zugeordnet, also benach¬ bart zueinander angeordnet, ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Mehrfach-
Quantentopf-Struktur mehrere der ersten und mehrere der zweiten Quantentöpfe auf. Die ersten Quantentöpfe und die zweiten Quantentöpfe (109, 305) sind einander abwechselnd aufeinander folgend angeordnet, sodass je ein erster Quantentopf auf ei- nen zweiten Quantentopf folgt. Zwischen benachbarten Quantentöpfen befindet sich bevorzugt je eine Barriereschicht mit einer die Bandlückenenergie der Quantentöpfe übersteigenden Bandlückenenergie . Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind alle ersten Quantentöpfe untereinander baugleich, im Rahmen der Herstellungstoleranzen. Dies kann ebenso für die zweiten Quantentöpfe, für die dritten Quantentöpfe und/oder für die Barriereschichten gelten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform übersteigt die Anzahl der zweiten Quantentöpfe eine Anzahl der ersten Quantentöpfe um eins. Die Mehrfach-Quantentopf-Struktur kann dann mit ei¬ nem zweiten Quantentopf beginnen und auch enden. Alternativ gilt, dass die Anzahl der ersten Quantentöpfe um eins größer ist . Die Erfindung wird im Folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Hierbei zeigen
Fig. 1 ein optoelektronisches Bauteil; Fig. 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils;
Fig. 3 eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur, die elektrisch gepumpt wird, und
Fig. 4 die Mehrfach-Quantentopf-Struktur gemäß Fig. 3, die optisch gepumpt wird.
Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszei- chen verwendet werden.
Fig. 1 zeigt ein optoelektronisches Bauteil 101. Das Bauteil 101 weist eine Halbleiterschichtenfolge 103 auf, die eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur 105 umfasst.
Die Mehrfach-Quantentopf-Struktur 105 umfasst einen ersten Quantentopf 107 und einen zweiten Quantentopf 109. Die beiden Quantentöpfe 107 und 109 sind benachbart zueinander gebildet.
Der erste Quantentopf 107 weist eine erste Bandlückenenergie auf. Der zweite Quantentopf 109 weist eine zweite Bandlücken- energie auf. Hierbei ist eine Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie derart gewählt, dass mit¬ tels einer Anregung des ersten Quantentopfes 107 gebildete Augerladungsträger 113 in den zweiten Quantentopf 109 gelangen können, um in dem Quantentopf 109 strahlend zu rekombi- nieren.
Das heißt also insbesondere, dass bei einer Anregung des ers¬ ten Quantentopfes 107 zum einen elektromagnetische Strahlung abgestrahlt wird, was hier mittels eines Pfeils mit dem Be- zugszeichen 111 symbolisch dargestellt ist. Gleichzeitig fin¬ den Augerprozesse in dem ersten Quantentopf 107 statt.
Dadurch werden die Augerladungsträger 113 gebildet.
Die Augerladungsträger 113 können aufgrund der gewählten Dif- ferenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie in den zweiten Quantentopf 109 gelangen, um aus diesem dann wieder strahlend zu rekombinieren. Das heißt also insbesonde¬ re, dass durch diesen strahlenden Rekombinationsprozess in dem zweiten Quantentopf 109 elektromagnetische Strahlung ab- gestrahlt wird, was hier mittels eines Pfeils mit dem Bezugs¬ zeichen 115 symbolisch dargestellt ist. In Fig. 1 sind die Augerladungsträger 113 als Augerelektronen „e-" exemplarisch dargestellt. Insbesondere können alternativ oder zusätzlich Augerlöcher als Augerladungsträger gebildet werden, die dann in den zweiten Quantentopf 109 gelangen kön- nen, um aus diesem strahlend zu rekombinieren.
Fig. 2 zeigt ein Verfahren zum Betreiben des optoelektronischen Bauteils 101 gemäß Fig. 1. In einem Schritt 201 wird der erste Quantentopf 107 angeregt, sodass gemäß einem Schritt 203 die Augerladungsträger 113 ge¬ bildet werden. Die Augerladungsträger 113 gelangen aufgrund der gewählten Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie in den zweiten Quantentopf 109 gemäß einem Schritt 205. Gemäß einem Schritt 207 können dann diese Auger¬ ladungsträger 113 in dem zweiten Quantentopf 109 strahlend rekombinieren .
Fig.3 zeigt eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur 301.
Insbesondere sind die Energieverhältnisse für das Valenzband VB und das Leitungsband CB gezeigt. In Ordinatenrichtung ist die Bandlückenenergie eV aufgetragen. In Abszissenrichtung sind die einzelnen Quantentöpfe mit einer Breite, die der Schichtdicke entspricht, aufgetragen.
Die Mehrfach-Quantentopf-Struktur 301 umfasst drei nacheinander angeordnete Quantentöpfe 303, 305 und 307, wobei die bei¬ den Quantentöpfe 303 und 305 und die beiden Quantentöpfe 305 und 307 jeweils benachbart zueinander angeordnet sind. Zum Bilden der drei Quantentöpfe 303, 305 und 307 ist eine Halbleiterschichtenfolge umfassend die folgenden aufeinander aufgebrachten Halbleiterschichten vorgesehen: Als n-dotierte Halbleiterschicht ist eine GaN-Schicht 309 vorgesehen. Auf dieser GaN-Halbleiterschicht 309 ist eine AlxGai-xN-Halbleiterschicht 311 aufgebracht. Auf der AlxGai-xN- Halbleiterschicht 311 ist eine InaGai-aN-Halbleiterschicht 313 aufgebracht. Auf der InaGai-aN-Halbleiterschicht 313 ist eine AlyGai-yN-Halbleiterschicht 315 aufgebracht. Auf der AlyGai-yN- Halbleiterschicht 315 ist eine InbGai-bN-Halbleiterschicht 317 aufgebracht. Auf der InbGai-bN-Halbleiterschicht 317 ist wie¬ derum die AlyGai-yN-Halbleiterschicht 315 aufgebracht. Auf dieser Schicht ist die InaGai-aN-Halbleiterschicht 313 aufge- bracht. Auf dieser ist die AlxGai-xN-Halbleiterschicht 311 aufgebracht, auf welcher die GaN-Halbleiterschicht 309 als p- dotierte Schicht aufgebracht ist.
Hierbei gilt insbesondere, dass 0 ^ a,b,x,y ^ 1 und x y, a ^ b sind.
Das heißt also insbesondere, dass die Halbleiterschicht 313 eine QuantentopfSchicht für den Quantentopf 303 bildet. Die Halbleiterschicht 317 bildet insbesondere eine Quantentopf- schicht für den Quantentopf 305. Die Halbleiterschicht 313 bildet insbesondere eine Quantentopfschicht für den Quanten¬ topf 307.
Die beiden Halbleiterschichten 311 sind jeweils auf abgewand- ten Seiten des Quantentopfes 303 respektive 307 relativ zu dem Quantentopf 305 vorgesehen. Die beiden Halbleiterschichten 315 sind jeweils zwischen dem Quantentopf 305 und dem Quantentopf 307 respektive 303 vorge¬ sehen . Wie die Ordinate zeigt, weisen die beiden Quantentöpfe 303 und 307 eine niedrigere Bandlückenenergie auf als der Quan¬ tentopf 305. Das heißt also insbesondere, dass die beiden Quantentöpfe 303 und 307 jeweils eine erste Bandlückenenergie aufweisen, die kleiner ist als eine zweite Bandlückenenergie des Quantentopfes 305.
Bei einem elektrischen Pumpen dieser Halbleiterschichtenfolge, also insbesondere wenn an die Halbleiterschichtenfolge eine elektrische Spannung angelegt wird, kommt es zu einer Verschiebung von Ladungsträgern. Elektronen als negative Ladungsträger sind hier mit dem Bezugszeichen 318a gekennzeichnet. Löcher als positive Ladungsträger sind hier mit dem Bezugszeichen 318b gekennzeichnet. Aufgrund des elektrischen Pumpens findet also in dem Quanten¬ topf 303 und in dem Quantentopf 307 jeweils ein strahlender Rekombinationsprozess der verschobenen Ladungsträger 318a und 318b statt. Gleichzeitig mit diesen Rekombinationsprozessen finden Augerprozesse statt, welche zur Bildung von Auger- elektronen und/oder Augerlöchern führen können. Die Augerelektronen sind mit dem Bezugszeichen 319 gekennzeichnet. Die Augerlöcher sind mit dem Bezugszeichen 321 gekennzeichnet.
Aufgrund der gewählten Energiedifferenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie können die Augerelektronen 319 respektive die Augerlöcher 321 in den Quantentopf 305 ge¬ langen, um von dort aus strahlend zu rekombinieren. Durch die in den Quantentöpfen 303, 305 und 307 auftretenden strahlenden Rekombinationsprozesse wird elektromagnetische Strahlung emittiert. Die elektromagnetische Strahlung, die aufgrund der primären Anregungen aus den Quantentöpfen 303 und 307 emittiert wird, ist hier symbolisch mit einem Pfeil mit dem Bezugszeichen 323 gekennzeichnet. Die elektromagneti¬ sche Strahlung, die aufgrund der Anregung des Quantentopfes 305 mittels der Augerladungsträger 319 und 321 und der anschließenden Rekombinationsprozesse emittiert wird, ist sym- bolisch mit einem Pfeil mit dem Bezugszeichen 325 gekennzeichnet .
Der Prozess des Gelangens eines Augerladungsträgers 319 und 321 in den energetisch höher gelegenen Quantentopf 305 ist symbolisch mit gestrichelten Pfeilen mit dem Bezugszeichen
327 gekennzeichnet. Das heißt also insbesondere, dass die Au¬ gerladungsträger 319 und 321 in höhere Energiezustände gelan¬ gen und von dort in den Quantentopf 305 relaxieren. Ein Energiegewinn aufgrund der Wiederverwertung der Augerladungsträger 319 und 321 ist hier symbolisch mit einem Pfeil mit dem Bezugszeichen 329 gekennzeichnet.
Das Vorsehen der beiden Halbleiterschichten 311 bewirkt ins- besondere, dass eine Wahrscheinlichkeit eines Einfangs durch den höher energetischen Quantentopf 305 in vorteilhafter Weise erhöht wird. Die beiden Halbleiterschichten 311 können insofern insbesondere als weitere Barriereschichten bezeichnet werden .
Die beiden Halbleiterschichten 315 bewirken insbesondere, dass eine Wahrscheinlichkeit, dass Augerladungsträger 319 und 321 aus einem gebundenen Zustand im Quantentopf 319 in den energetisch günstigeren Quantentopf 303 respektive 307 gelangen können, womit ihre potentiell gewonnene Energie wieder verloren wäre, in vorteilhafter Weise erniedrigt wird. Die beiden Halbleiterschichten 315 können insofern insbesondere als Barriereschichten bezeichnet werden.
Fig. 4 zeigt die Mehrfach-Quantentopf-Struktur 301 gemäß Fig. 3, wobei hier die Mehrfach-Quantentopf-Struktur 301 optisch und nicht elektrisch gepumpt wird.
Das heißt also insbesondere, dass die Mehrfach-Quantentopf- Struktur 301 optisch mittels elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge gepumpt wird, wobei die Wellenlänge ei¬ ner Pumpenergie entspricht, die größer ist als die erste Bandlückenenergie und kleiner ist als die zweite Bandlücken¬ energie. Das Pumpen mit dieser Wellenlänge ist symbolisch mittels Pfeilen mit dem Bezugszeichen 401 dargestellt.
Insbesondere kann die Mehrfach-Quantentopf-Struktur 301 mit- tels elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge von 450 Nanometern gepumpt werden. Bei einer Bandlücke von etwa 2,8 eV bezüglich der beiden Quantentöpfe 303 und 307 können die beiden Quantentöpfe 303 und 307 entsprechend optisch an¬ geregt werden, wobei gleichzeitig eventuell auftretende
Stokes-Verluste aufgrund der etwas höheren Energie der Pump¬ wellenlänge kompensiert werden.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Mehrfach-Quantentopf-Struktur 301 sowohl op- tisch als auch elektrisch gepumpt wird.
Nach einer nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Bandlücke des ersten Quantentopfs 303 und des zweiten Quantentopfs 207 etwa 1,5 eV ist. Das heißt also ins¬ besondere, dass diese Quantentöpfe für eine optische Anregung mit 800 Nanometern gepumpt werden müssen. In weiteren nicht gezeigten Ausführungsformen kann vorgesehen sein, dass die entsprechende Bandlücke kleiner gleich (<) 800 Nanometer ist.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die zweite Bandlückenenergie, also insbesondere die Bandlücke des Quantentopfs 205, gleich 3 eV ist. Das heißt also insbesondere, dass bei einem strahlenden Rekombi- nationsprozess von Augerladungsträgern elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von etwa 400 Nanometern emittiert wird. In weiteren nicht gezeigten Ausführungsformen kann vorgesehen sein, dass die entsprechende Bandlücke des Quantentopfes 305 größer als 3 eV ist. Somit kann beispielsweise das von diesem Quantentopf 305 emittierte Licht insbesondere im UV-Bereich liegen. Das kann beispielsweise bewirken, dass ein Konverter- Stoff effektiver angeregt wird als durch das Licht der primär gepumpten Quantentöpfe 303 und 307.
In einer weiteren nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Bandlücken der einzelnen Quantentöpfe 303, 305 und 307 im Infrarotbereich liegen.
In weiteren nicht gezeigten Ausführungsformen kann vorgesehen sein, dass als Materialien für die einzelnen Halbleiterschichten beispielsweise Halbleiter mit direkter Bandlücke verwendet werden, also beispielsweise III-V-Verbindungen, wo¬ bei Phosphide und/oder Nitride insbesondere bevorzugt für den sichtbaren Bereich verwendet werden. Nach einer weiteren nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass als Material für die Halbleiterschichten auch II-VI-Verbindungen verwendet werden: Beispielsweise (CdZn)Se oder (MgZn)O.
Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, einen Teil oder alles der in den beteiligten Augerprozessen ansonsten verlorenen Energie zur Erzeugung kürzerwelligen Lichts zu verwenden. Dadurch lässt sich der Wirkungsgrad eines erfin- dungsgemäßen optoelektronischen Bauteils im Vergleich zu einem bekannten optoelektronischen Bauteil erhöhen.
Dieser Effekt kann insbesondere noch dadurch verstärkt wer¬ den, dass nun ein geringerer Anteil der Augerenergie zur Er- wärmung der LED zur Verfügung steht. Die daraus resultierende verringerte Betriebstemperatur erhöht an sich wiederum den Anteil der gewünschten strahlenden Rekombination in den niederenergetischen Quantentöpfen. Entsprechend lässt sich nur mit diesem Sekundäreffekt auch der Wirkungsgrad einer blauen Leuchtdiode (LED) , also einer im blauen Spektralbereich (insbesondere 430 nm bis 480 nm, insbesondere 440 nm bis 460nm) emittierenden LED, verbessern, ohne dass die entstehenden (unsichtbaren) UV-Photonen wieder konvertiert werden.
Insbesondere bietet die Erfindung jedoch auch die Möglichkeit, weißen Lichteindruck zu erzeugen, ohne dass die im Fall konventioneller Konverterlösungen unumgänglichen Stokes- Verluste auftreten.
Die Kombination einer langwellig (aus dem ersten Quantenopf) (zum Beispiel: gelb-grün) emittierenden InGaN-LED mit darin enthaltenen blauen Quantenöpfe (zweiter Quantentopf) kehren das heute bekannte verwendete Prinzip der Teilkonversion ge¬ wissermaßen um, indem ausschließlich ansonsten verlorenen Energie (Augerenergie) zur Erzeugung blauverschobener Photo- nen verwendet wird.
Durch Verzicht auf einen Konverter bzw. weitere halbleiterba¬ sierte Lichtquellen besteht neben der Möglichkeit zur Steige¬ rung der Energieeffizienz auch Potenzial zur Senkung der Her- Stellungskosten einer weißen LED.
Jegliche sonstige Farbkombination zur Darstellung andersfarbigen Lichts kann über erste und zweite Quantentöpfe mit ent¬ sprechender Bandlücke in vorteilhafter Weise gebildet werden. Dies umschließt auch Halbleiter-Heterostrukturen, welche aus anderen Materialsystemen bestehen.
Zusammenfassend umfasst also die Erfindung insbesondere den Gedanken, Ladungsträger, insbesondere Augerladungsträger, die bei einer primären Anregung eines Quantentopfes entstehen, in einen zweiten Quantentopf zu bringen, sodass diese in dem zweiten Quantentopf strahlend rekombinieren können. Das heißt also insbesondere, dass die gebildeten Augerladungsträger wiederverwertet oder recycelt werden können und für eine wei- tere Lichterzeugung zur Verfügung stehen. Ein Wirkungsgrad eines entsprechenden optoelektronischen Bauteils ist somit in vorteilhafter Weise erhöht.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal o- der diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2012 217 681.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
101 optoelektronisches Bauteil
103 Halbleiterschichtenfolge
105,301 Mehrfach-Quantentopf-Struktur
107,303 erster Quantentopf
109, 305 zweiter Quantentopf
319, 321 Augerladungsträger
315 BarriereSchicht
311 weitere Barriereschicht
307 dritter Quantentopf

Claims

Ansprüche
1. Optoelektronisches Bauteil (101), umfassend:
- eine Halbleiterschichtenfolge (103) mit einer Mehrfach- Quantentopf-Struktur (105, 301),
- wobei die Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301) min¬ destens einen ersten Quantentopf (107, 303) mit einer ersten Bandlückenenergie, und
- mindestens einen zweiten Quantentopf (109, 305) mit einer zweiten Bandlückenenergie aufweist, die größer ist als die erste Bandlückenenergie,
- wobei der erste Quantentopf (107, 303) und der zweite
Quantentopf (109, 305) benachbart zueinander gebildet sind,
- wobei eine Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie derart gewählt ist, dass mittels einer Anregung des ersten Quantentopfes (107, 303) gebildete Ladungsträger (319, 321) Energie aus einem Verlustprozess nutzen können, um in den zweiten Quantentopf (109, 305) zu gelangen, um in dem zweiten Quantentopf (109, 305) strahlend zu rekombinieren.
2. Optoelektronisches Bauteil (101) nach Anspruch 1,
bei dem der Verlustprozess ein Augerprozess ist,
wobei die mehreren ersten Quantentöpfe (107, 303) und die mehreren zweiten Quantentöpfe (109, 305) einander abwechselnd aufeinander folgend angeordnet sind.
3. Optoelektronisches Bauteil (101) nach einem der vorheri¬ gen Ansprüche,
wobei zwischen dem ersten Quantentopf (107, 303) und dem zweiten Quantentopf (109, 305) eine Barriereschicht (315) gebildet ist, die eine Barrierebandlückenenergie auf¬ weist, die größer ist als die zweite Bandlückenenergie.
4. Optoelektronisches Bauteil (101) nach einem der vorheri¬ gen Ansprüche,
wobei eine weitere Barriereschicht (311) benachbart zu einer dem zweiten Quantentopf (109, 305) abgewandten Seite des ersten Quantentopfs (107, 303) gebildet ist, wobei die weitere Barriereschicht (311) eine weitere Barriere¬ bandlückenenergie aufweist, die größer ist als die zweite Bandlückenenergie .
5. Optoelektronisches Bauteil (101) nach einem der vorheri¬ gen Ansprüche,
wobei ein dritter Quantentopf (307) benachbart zu einer dem ersten Quantentopf (107, 303) abgewandeten Seite des zweiten Quantentopfs (109, 305) spiegelbildlich zu dem ersten Quantentopf (107, 303) gebildet ist.
6. Optoelektronisches Bauteil (101) nach einem der vorheri¬ gen Ansprüche,
wobei eine Anregungseinrichtung zum Bereitstellen einer Anregungsenergie gebildet ist, um den ersten Quantentopf (107, 303) anzuregen.
7. Optoelektronisches Bauteil (101) nach Anspruch 6,
wobei eine Steuerung zum Steuern der Anregungseinrichtung vorgesehen ist, um mittels der Anregungsenergie primär den ersten Quantentopf (107, 303) anzuregen.
8. Optoelektronisches Bauteil (101) nach einem der vorheri¬ gen Ansprüche,
wobei die Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie zwischen 0 eV und 1,5 eV, insbesondere zwischen 0,5 eV und 1,5 eV, beträgt.
Optoelektronisches Bauteil (101) nach einem der vorheri¬
Figure imgf000029_0001
gen Ansprüche,
wobei die erste Bandlückenenergie zwischen 0 eV und 3,4 eV, insbesondere zwischen 1,5 eV und 3,4 eV, beträgt.
10 Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils (101) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der erste Quantentopf (107, 303) angeregt (200) wird, so dass mittels der Anregung des ersten Quantentopfs (107, 303) gebildete Ladungsträger (319, 321) eine Energie aus einem Verlustprozeß, insbesondere einem Augerprozess , nutzen können, um in den zweiten Quantentopf (109, 305) zu ge¬ langen (205), um in dem zweiten Quantentopf (109, 305) strahlend zu rekombinieren (207).
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das optische Pumpen
mittels elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge durchgeführt wird, die einer Pumpenergie ent¬ spricht, die größer ist als die erste Bandlückenenergie und kleiner ist als die zweite Bandlückenenergie.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei das Anregen des ersten Quantentopfes (107, 303) ein elektrisches Pumpen und/oder ein optisches Pumpen des ersten Quantentopfes (107, 303) umfasst.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110854246A (zh) * 2019-11-15 2020-02-28 芜湖德豪润达光电科技有限公司 发光二极管和发光二极管制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015100029A1 (de) 2015-01-05 2016-07-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070090339A1 (en) * 2005-10-25 2007-04-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
DE102007044439A1 (de) * 2007-09-18 2009-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip mit Quantentopfstruktur
WO2011115529A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-22 Yuri Georgievich Shreter Light-emitting device with heterophase boundaries

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19955747A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
KR20110057541A (ko) * 2009-11-24 2011-06-01 삼성엘이디 주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI566429B (zh) * 2010-07-09 2017-01-11 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070090339A1 (en) * 2005-10-25 2007-04-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
DE102007044439A1 (de) * 2007-09-18 2009-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip mit Quantentopfstruktur
WO2011115529A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-22 Yuri Georgievich Shreter Light-emitting device with heterophase boundaries

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BINDER M ET AL: "Identification of nnp and npp Auger recombination as significant contributor to the efficiency droop in (GaIn)N quantum wells by visualization of hot carriers in photoluminescence", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 103, no. 7, 071108, 12 August 2013 (2013-08-12), AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS USA, pages 071108-1 - 071108-5, XP002717137, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.4818761 *
MACHIDA S ET AL: "Anti-Stokes photoluminescence between Inx(Al0.17Ga0.83)1-xAs/Al0.17Ga0.83As quantum wells with different x values", PHYSICA E - LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES, vol. 33, no. 1, 1 June 2006 (2006-06-01), ELSEVIER SCIENCE BV, NL, pages 196 - 200, XP028038449, ISSN: 1386-9477, [retrieved on 20060601] *
YATSUI T ET AL: "Nanophotonic energy up conversion using ZnO nanorod double-quantum-well structures", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 94, no. 8, 083113, 27 February 2009 (2009-02-27), AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, XP012119228, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.3090491 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110854246A (zh) * 2019-11-15 2020-02-28 芜湖德豪润达光电科技有限公司 发光二极管和发光二极管制备方法

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