WO2014024627A1 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

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英賀谷　誠
真也 石崎
松田　誠
智一 名田
豊徳 植村
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device that can be used as a light source for a lighting device and a display device, and a method for manufacturing the same.
  • a light emitting device in which a wiring pattern is formed on a substrate and a light emitting chip mounted on the substrate is connected to the wiring pattern by die bonding is known. Further, in such a light emitting device, the alignment of the substrate is required in the die bonding step of the light emitting chip, and therefore an alignment mark is formed on the substrate.
  • the alignment mark has been formed by plating at the same time as the wiring pattern.
  • the method for forming alignment marks by plating has a problem in that the area of the alignment mark is small, so that the current density at the position where the alignment mark is formed increases during plating, and plating spots are generated in the plating layer. When plating spots are generated, there is a problem that the alignment mark is not recognized well.
  • Patent Document 1 discloses a technique for reducing defects due to plating spots by forming an alignment mark integrally with a wiring pattern or forming an alignment mark having a large area.
  • Patent Documents 2 and 3 disclose techniques for improving the adhesion between the metal wiring and the insulating substrate by including a glass component in both the metal wiring and the insulating substrate.
  • Patent Document 1 avoids an increase in current density at the location of alignment mark formation at the time of plating by reducing the formation of alignment marks having a small area, and reduces plating spots. For this reason, in the plating formation method in the above-mentioned patent document 1, it cannot be formed unless the alignment mark has a certain large area.
  • the alignment mark in order to form an alignment mark by plating, a support for passing a current through the alignment mark portion during plating is required as shown in FIG. Since the support body needs to be formed so as not to overlap other wiring patterns or light emitting element arrangement locations, this restricts the arrangement locations of the alignment marks.
  • the alignment mark can be formed separately, but a new process such as etching is required.
  • FIG. 6 is a top view of the light emitting device 100 when the alignment marks 110 and 111 having a large area are formed in Patent Document 1.
  • FIG. 6 is a top view of the light emitting device 100 when the alignment marks 110 and 111 having a large area are formed in Patent Document 1.
  • the light emitting device 100 includes a light emitting element forming region 101 and a power feeding pattern 102 formed on both sides thereof. Alignment marks 110 and 111 are formed further outside the power supply pattern 102.
  • the light reflecting resin frame 103 is formed so as to surround the periphery of the light emitting element forming region 101 and the power feeding pattern 102, and the region surrounded by the light reflecting resin frame 103 is filled with a sealing resin to fill the light emitting element and the power feeding pattern. 102 is protected.
  • the light emitting element formation region 101 is preferably formed so as to cover the alignment marks 110 and 111.
  • the alignment marks 110 and 111 are exposed to the region inside the frame without being covered by the light emitting element formation region 101, light is absorbed by the alignment marks 110 and 111, and the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is improved. It is because it falls.
  • the area of the alignment marks 110 and 111 is large, the formation area of the light-reflecting resin frame 103 also increases, and as a result, there arises a problem that the light-emitting device 100 itself increases in area.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a light emitting device including an alignment mark having a small area and a high degree of freedom in arrangement without causing defects due to plating spots, and a method for manufacturing the same. It is an object.
  • a light-emitting device of the present invention includes a substrate, a light-emitting element disposed on the substrate, a conductor wiring disposed on the substrate, and an alignment disposed on the substrate.
  • the alignment mark and the conductor wiring are formed by a printing method.
  • the alignment mark is formed by a printing method, it is possible to form an alignment mark that can be satisfactorily read without causing defects due to plating spots. Further, the alignment mark formed by the printing method does not require a support for passing an electric current through the alignment mark portion during plating. For this reason, it is possible to easily form an alignment mark having a small area and a high degree of freedom in arrangement.
  • the alignment mark and the conductor wiring are formed by a printing method, the alignment can be formed simultaneously with the conductor wiring, and the manufacturing process is not increased.
  • the light-emitting device includes a light-reflecting resin frame formed so as to surround the light-emitting element mounting region, and the alignment mark and the conductor wiring are covered with the light-reflecting resin frame. It can be.
  • the alignment mark and the conductor wiring are covered with the light reflecting resin frame, thereby improving the appearance of the light emitting device and preventing the light absorption by the alignment mark and the conductor wiring.
  • the light extraction efficiency in can be improved.
  • the light emitting device includes a light reflecting resin frame formed so as to surround a mounting region of the light emitting element, the alignment mark is disposed outside the conductor wiring, and the conductor wiring is
  • the light reflection resin frame may cover the alignment mark, and the alignment mark may not be covered with the light reflection resin frame.
  • the light emitting device includes a light reflecting resin frame formed so as to surround a mounting region of the light emitting element, and a pair of land portions disposed to face the center of the light reflecting resin frame. The land portion is not covered with the light reflecting resin frame.
  • the substrate is a ceramic substrate including a glass component
  • the conductor wiring and the alignment mark include the same glass component as the glass component contained in the substrate. be able to.
  • the glass component in the substrate and the glass component in the alignment mark mutually diffuse in the baking step after the alignment mark is printed. This improves the adhesion of the alignment mark to the substrate. Thereby, peeling of the alignment mark with a small area can be prevented.
  • the conductor wiring and the alignment mark contain a large amount of a glass component, and are formed on the first layer and in contact with the substrate, and do not contain a glass component or a glass component. It can be set as the structure which has a two-layer structure with the 2nd layer which is a layer with few.
  • the said conductor wiring is a layer which contains many glass components, and is formed on the said 1st layer closely_contact
  • the first layer improves the adhesion of the conductor wiring and the alignment mark to the substrate. Furthermore, in the conductor wiring, even if there is mutual diffusion, the second layer having a small glass component (needle crystals of Patent Document 2) is formed, thereby preventing wire peeling in wire bonding or flipping during wire bonding. Due to (adhesion failure), it is possible to reduce the defect that the wire is not attached.
  • the land portion for supplying power to the light emitting element contains a lot of glass components, and is formed on the first layer, which is in close contact with the substrate, and contains the glass components. It can be set as the structure which has a two-layer structure with the 2nd layer which is a layer with little or a glass component.
  • the second layer is less affected by the mutual diffusion of the glass components, and has the inherent electrical resistivity of the metal, thereby reducing the electrical influence on the light emitting device.
  • a method for manufacturing a light-emitting device includes a first step of forming a conductor wiring and an alignment mark on a substrate by a printing method, and the first step.
  • a second step of mounting a light emitting element on the substrate while aligning the substrate using an alignment mark, and wire-connecting the mounted light emitting element and the conductor wiring, and mounting of the light emitting element It includes a third step of forming a light reflecting resin frame so as to surround the region, and a fourth step of filling a sealing resin in the region surrounded by the light reflecting resin frame.
  • the alignment mark it is possible to easily form an alignment mark having a small area and a high degree of freedom in arrangement, like the light emitting device of the present invention. Further, the alignment can be formed simultaneously with the conductor wiring, and the manufacturing process is not increased.
  • the alignment mark is formed by a printing method, it is possible to form an alignment mark that can be satisfactorily read without causing defects due to plating spots. In addition, it is possible to easily form an alignment mark having a small area and a high degree of freedom in arrangement.
  • FIG. 1 It is a top view which shows the structural example of the light-emitting device of this invention.
  • (A)-(d) is a figure which shows the manufacture procedure of the light-emitting device shown in FIG. It is a top view which shows the other structural example of the light-emitting device of this invention.
  • (A) is a top view which shows the other structural example of the light-emitting device of this invention
  • (b) is a side view which shows the example which made the conductor wiring 2 layers structure in the said light-emitting device
  • (c) is It is a side view which shows the example which made the alignment mark the two-layer structure in the said light-emitting device
  • (d) is a side view which shows the example which made the alignment mark the single-layer structure in the said light-emitting device.
  • the light-emitting device according to the present invention can be used as a light source for lighting devices and display devices.
  • the plan view of FIG. 1 is a top view.
  • FIG. 1 is a top view illustrating a configuration example of the light emitting device 10 according to the present embodiment.
  • the light emitting device 10 is a light emitting device using a light emitting element (also referred to as a semiconductor light emitting element), and generally includes a substrate 11, a light emitting element 12, a light reflecting resin frame 13, and a sealing resin.
  • a light emitting element also referred to as a semiconductor light emitting element
  • the substrate 11 is a ceramic substrate having a single layer structure made of ceramic.
  • the substrate 11 has a rectangular outer shape when viewed from above.
  • the light emitting element 12, the light reflecting resin frame 13, and the sealing resin are provided on one surface (hereinafter referred to as a surface) of the substrate 11.
  • the conductor wiring 14, the anode electrode 15 and the cathode electrode 16 as land portions, the alignment mark 18, the polarity mark 19, and the like are directly formed.
  • the conductor wiring 14 is an electrode that is electrically connected to the light emitting element 12 by wire bonding, and is a wiring routed for electrical connection.
  • the anode electrode 15 and the cathode electrode 16 are electrodes (land portions) for supplying power to the light emitting element 12 and can be connected to an external power source of the light emitting device 10.
  • the anode electrode 15 and the cathode electrode 16 are disposed in the vicinity of each corner on the diagonal line on the surface of the substrate 11 (upper left and lower right in FIG. 1). That is, the anode electrode 15 and the cathode electrode 16 are formed as a pair of land portions arranged to face the center of the light reflecting resin frame.
  • a protective element may be further formed on the surface of the substrate 11.
  • the protection element is formed as a resistance element for protecting the light emitting element 12 from electrostatic withstand voltage, and is formed so as to be connected in parallel with a circuit in which the plurality of light emitting elements 12 are connected in series.
  • the protective element can be formed by, for example, a printing resistor or a Zener diode.
  • the Zener diode is die-bonded on the wiring pattern and further electrically connected to a desired wiring by wire bonding. Also in this case, the Zener diode is connected in parallel with a circuit in which a plurality of light emitting elements 12 are connected in series.
  • the alignment mark 18 is a mark mainly used for alignment of the substrate 11 during the bonding process (die bonding or wire bonding).
  • the alignment mark 18 is formed of a metal film so as to have light reflectivity, and the position of the substrate 11 is recognized when a manufacturing apparatus (such as a bonding apparatus) reads the reflected light from the alignment mark 18.
  • the polarity mark 19 is a mark for making it possible to visually recognize the polarity of the anode electrode 15 and the cathode electrode 16. For this reason, it is preferable that the polarity mark 19 forms a plus-shaped mark near the anode electrode 15 and a minus-shaped mark near the cathode electrode 16.
  • the light emitting element 12 is, for example, a blue light emitting element having an emission peak wavelength of around 450 nm, but is not limited thereto.
  • a plurality of light emitting elements 12 (20 in this embodiment) are mounted on the surface of the substrate 11 at predetermined positions that satisfy a predetermined light emission amount. Electrical connection of the light emitting element 12 is performed by wire bonding using the wire 20. For example, a gold wire can be used as the wire 20.
  • the light reflecting resin frame 13 reflects light from the light emitting element 12 and prevents light absorption by the conductor wiring 14.
  • the light reflecting resin frame 13 also serves as a holding member for the conductor wiring 14.
  • the light reflecting resin frame 13 is provided in an annular shape in a top view so as to surround a mounting region in which all the light emitting elements 12 are mounted. Further, since the light reflecting resin frame 13 is formed so as to cover the conductor wiring 14, light absorption by the conductor wiring 14 is prevented. For this reason, when the light reflecting resin frame 13 is formed in an annular shape, the conductor wiring 14 is also formed so as to have a partial arc shape of the annular ring.
  • the protective element made of the printing resistor is also formed so as to have a circular arc shape of a part of the circular ring, and light reflection Covered by the resin frame 13.
  • the light reflection resin frame 13 can also prevent light absorption by the protection element.
  • the light reflecting resin frame 13 is made of, for example, an alumina filler-containing silicone resin, but is not limited thereto, and an insulating resin having light reflecting characteristics may be used.
  • the shape of the light reflection resin frame 13, the conductor wiring 14, and the protection element is not limited to the above-described annular shape (arc shape), and may be an arbitrary shape.
  • the sealing resin is a sealing resin layer made of a translucent resin, and is formed by being filled in a region surrounded by the light reflecting resin frame 13. That is, the sealing resin is formed on the mounting region of the light emitting element 12, and seals the light emitting element 12, the wire 20, and the like.
  • the sealing resin can contain a phosphor.
  • a phosphor that is excited by the primary light emitted from the light emitting element 12 and emits light having a longer wavelength than the primary light is used, and is appropriately selected according to desired white chromaticity. be able to.
  • daylight white color and light bulb color there are a combination of YAG yellow phosphor and (Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu red phosphor, and a combination of YAG yellow phosphor and CaAlSiN 3 : Eu red phosphor.
  • the light-emitting device 10 is formed as an integrated unit composed of a plurality of light-emitting device groups, and is formed as an individual light-emitting device by dividing the periphery (four sides) of each light-emitting device by dicing at the end of the manufacturing process. Is done. However, in the following description, for convenience of description, the description and illustration will focus on one light emitting device as appropriate.
  • FIGS. 2A to 2D are diagrams showing a manufacturing procedure of the light emitting device 10.
  • the conductor wiring 14, a part of the conductive portion for electrically connecting the conductor wiring 14 and the land portion, and the alignment mark 18 are formed on the substrate 11. To do. In the present embodiment, these are formed by a printing method. Specifically, after printing with a gold paste (film thickness of 2 ⁇ m or more), through a drying process and a baking process at 850 ° C. or more, the conductor wiring 14, the conductive portion, and the alignment mark 18 are formed.
  • a gold paste film thickness of 2 ⁇ m or more
  • the light emitting device 10 is characterized in that the alignment mark 18 is formed by printing. That is, by forming the alignment mark 18 by printing, the problem of uneven plating when forming the alignment mark by plating can be avoided, and an alignment mark that can be well recognized can be formed. In addition, an alignment mark having a small area can be formed at any location without being restricted in arrangement, and light absorption by the alignment mark can be reduced, and light extraction efficiency in the light emitting device 10 can be improved.
  • the land portion that is, the anode electrode 15 and the cathode electrode 16
  • the conductive portion for electrically connecting the conductor wiring 14 and the land portion are formed by a printing method. Specifically, after printing with a silver (or silver platinum, silver palladium) paste (film thickness of 18 ⁇ m or more), a land part and the conductive part are formed through a drying process and a baking process at 850 ° C. or more.
  • the polarity mark 19 is formed by a printing method.
  • the polar mark is formed after printing with a gold paste (film thickness of 18 ⁇ m or more), a drying process, and a baking process at 850 ° C. or more. Further, at the time of forming the polarity mark, a symbol indicating the model number of the substrate may be formed at the same time.
  • the protective element may be formed on the substrate 11 as a printing resistor by a manufacturing process including printing and baking.
  • the paste containing the resistance component is screen-printed at a predetermined position so as to overlap the end of the conductor wiring 14 (partly in contact with the conductor wiring 14).
  • the paste is composed of ruthenium dioxide (RuO 2 , ruthenium as a conductive powder), a cohesive agent, a resin, and a solvent.
  • a protective element is formed by fixing the printed paste on the substrate 11 by a baking process.
  • the conductive powder is not limited to ruthenium and may be any metal or oxide that does not soften below the firing temperature.
  • the light emitting element 12 is mounted on the substrate 11. Specifically, first, the light emitting element 12 is die-bonded using an adhesive resin such as a silicone resin. In the present embodiment, 20 light emitting elements 12 are arranged in a region surrounded by the conductor wiring 14.
  • the light emitting element 12 is a chip having a rectangular outer shape when viewed from above, and has a thickness of 100 to 180 ⁇ m, for example.
  • Two chip electrodes for anode and cathode are provided on the rectangular upper surface of the light emitting element 12 so as to face each other in the longitudinal direction.
  • the light emitting elements 12 are arranged substantially in a row. In this embodiment, four light emitting elements 12 are arranged in five rows per row.
  • wire bonding is performed using the wire 20.
  • wire bonding is performed between the conductor wiring 14 and the chip electrode on the light emitting element 12 arranged adjacent to the conductor wiring 14.
  • Adjacent light emitting elements 12 not sandwiching the conductor wiring 14 directly connect both chip electrodes by wire bonding. Thereby, between the anode electrode 15 and the cathode electrode 16, five series circuit parts in which the four light emitting elements 12 are connected in series are connected in parallel.
  • the light reflecting resin frame 13 is formed so as to cover the conductor wiring 14. Specifically, for example, using a resin discharge device (not shown), the liquid alumina filler-containing silicone resin is drawn at a predetermined position while being discharged from a nozzle having a round opening. And the light reflection resin frame 13 is formed by performing a heat-hardening process on the conditions of hardening temperature: 120 degreeC and hardening time: 1 hour.
  • the curing temperature and the curing time are examples, and are not limited thereto.
  • the light reflecting resin frame 13 has a width of 0.9 mm, for example.
  • the height of the uppermost portion of the light reflecting resin frame 13 is set to be higher than the height of the upper surface of the light emitting element 12 and higher than the wire 20 (wire loop) connecting the light emitting elements 12. Thereby, it becomes possible to form sealing resin so that the light emitting element 12 and the wire 20 may not be exposed, and it becomes possible to protect these.
  • the wire 20 connected to the conductor wiring 14 is covered with the light reflecting resin frame 13. Thereby, it is possible to reduce the peeling of the wire or prevent the peeling of the wire. Further, the land portions (that is, the anode electrode 15 and the cathode electrode 16) are not covered with the light reflecting resin frame 13.
  • the alignment mark 18 may be disposed in the formation region of the light reflecting resin frame 13 and the alignment mark 18 may be covered with the light reflecting resin frame 13.
  • the alignment mark 18 is covered with the light reflecting resin frame 13 not only the appearance of the light emitting device 10 is improved, but also light absorption by the alignment mark 18 can be prevented and light extraction efficiency can be improved.
  • the alignment mark 18 does not necessarily have to be covered with the light reflecting resin frame 13. Even if the alignment mark 18 is not covered by the light reflecting resin frame 13, the light emitting device 10 according to the present embodiment absorbs light by the alignment mark 18 by forming the alignment mark 18 having a small area. Can be minimized.
  • a nozzle having a round opening is used for the resin discharge device.
  • the present invention is not limited to this.
  • a nozzle having an opening that matches the drawing shape of the light reflecting resin frame 13 here, an annular shape
  • the resin is discharged from the opening at a time, so that the seamless light reflecting resin frame 13 can be produced in a short time.
  • a sealing resin is formed on the substrate 11. Specifically, a phosphor-containing resin obtained by dispersing a phosphor in a liquid translucent resin is injected so as to fill a region surrounded by the light reflecting resin frame 13. After injecting the phosphor-containing resin, it is cured at a predetermined temperature and time. Thereby, the light emitting element 12 and the wire 20 are covered and protected by the sealing resin.
  • ⁇ Substrate division process> Finally, this is divided along a dividing line from a single substrate on which a plurality of light emitting devices 10 are formed, and individual light emitting devices 10 are obtained.
  • a dividing method there is a method in which the upper part of the dividing groove provided on the back surface of the substrate 11 along the dividing line is sheared from the front surface side by a dividing blade. According to this method, the substrate 11 is cracked along the dividing groove, so that it can be easily divided.
  • the light emitting device 10 can be manufactured as a single piece.
  • the alignment mark 18 is formed on the inner side of the conductor wiring 14 as in the light emitting device 30 illustrated in FIG. 3. It may be formed.
  • the alignment mark 18 is formed outside the conductor wiring 14, it may be better not to cover the alignment mark 18 with the light reflecting resin frame 13. This is because, when the alignment mark 18 is formed outside the conductor wiring 14, if the alignment mark 18 is covered with the light reflecting resin frame 13, the width of the light reflecting resin frame 13 becomes too wide. is there. Further, when the alignment mark 18 is outside the conductor wiring 14, light is not absorbed by the alignment mark 18 even if it is not covered by the light reflecting resin frame 13, and it is not necessary to cover it with the light reflecting resin frame 13. is there.
  • the recognition failure can be reduced by arranging the alignment mark 18 inside the conductor wiring 14 (inside the light reflecting resin frame 13). Further, as shown in FIG. 3, when the number of light emitting elements is small, the area of the light emitting element mounting region is small, so that the alignment mark 18 may be outside the conductor wiring 14 (outside the light reflecting resin frame 13). .
  • the same identification device can be used regardless of the area of the light emitting element mounting region. For this reason, as in the light emitting device 10 according to the present embodiment, it is extremely important that the alignment mark 18 having a small area can be formed by printing and the arrangement of the alignment mark 18 is free.
  • the arrangement of the light emitting elements 12 is different from that of the light emitting device 10 shown in FIG. Specifically, in the light emitting device 10, the arrangement of the light emitting elements 12 in the uppermost row and the lowermost row of the drawing is an arc shape along the shape of the light reflecting resin frame 13.
  • column of the light emitting element 12 is a linear array.
  • Such an array of light emitting elements can be arbitrarily designed according to the uniformity of light required for the light emitting device.
  • the substrate 11 is a ceramic substrate, and the conductor wiring 14, the land portion, and the alignment mark 18 formed by printing are the same as the glass components contained in the substrate 11. It is preferable that the glass component is included. In this case, in the baking process after printing, the glass component in the substrate 11 and the glass component in the conductor wiring 14, the land portion, and the alignment mark 18 are interdiffused. Thereby, the adhesiveness with respect to the board
  • the conductor wiring 14 and the alignment mark 18 may have a two-layer structure.
  • the first layer that is in close contact with the substrate 11 is a layer having a large glass component, and a metal only (that is, a glass component is not included) or a layer having a small glass component.
  • a second layer is formed.
  • the surface of the conductor wiring 14 is wire-bonded for electrical connection with the light emitting element 12, it is preferable that the surface of the conductor wiring 14 does not contain a glass component.
  • the wire may be stuck poorly).
  • the glass component in the surface layer (second layer) of the conductor wiring 14 can be eliminated or reduced, Wire peeling in wire bonding can be prevented.
  • the land portion (the anode electrode 15 and the cathode electrode 16) may have a similar two-layer structure.
  • the first layer that is in close contact with the substrate 11 side is a layer having a large glass component, and a second layer that is a metal only (that is, not including a glass component) or a layer having a small glass component is formed thereon.
  • soldering is performed at the land portion, soldering is improved between the solder and the second layer of the land portion, and defects such as poor soldering are reduced.
  • the second layer is less affected by the mutual diffusion of the glass components, and has the inherent electrical resistivity of the metal, thereby reducing the electrical influence on the light emitting device.
  • the alignment mark 18 is formed in the same printing process as the conductor wiring 14, it can also have a two-layer structure as shown in FIG. However, unlike the conductor wiring 14, the alignment mark 18 does not need to have an electrical function, and thus may have a single-layer structure (a layer containing a lot of glass components) as shown in FIG. In this case, the alignment mark 18 may be printed at the same time when the first layer of the conductor wiring 14 is printed, and the alignment mark 18 may not be printed when the second layer of the conductor wiring 14 is printed.

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Abstract

　発光装置(10)は、基板(11)上に、発光素子(12)と、導電体配線(14)と、アライメントマーク(18)とが形成されているものであり、アライメントマーク(18)と導電体配線(14)とが印刷法により形成されている。

Description

発光装置および発光装置の製造方法
　本発明は、照明装置および表示装置の光源などに利用可能な発光装置およびその製造方法に関する。
　従来、発光素子（半導体発光素子とも言う）を光源として用いた照明装置および表示装置などが種々開発されている。このような発光装置として、基板上に配線パターンを形成し、さらに基板上に搭載された発光チップをダイボンディングによって配線パターンと接続した発光装置が知られている。また、このような発光装置では、発光チップのダイボンディング工程等において、基板の位置合わせが必要となるため、基板上にアライメントマークが形成される。
　また、上記アライメントマークは、従来では、配線パターンと同時にメッキにより形成されていた。しかしながら、メッキによるアライメントマークの形成方法では、アライメントマークの面積が小さいことにより、メッキ時にアライメントマーク形成箇所での電流密度が高くなり、メッキ層にメッキ斑を生じるという問題があった。そして、メッキ斑を生じると、アライメントマークの認識が良好に行われないという問題があった。
　これに対し、特許文献１には、アライメントマークを配線パターンと一体的に形成したり、面積の大きなアライメントマークを形成したりすることで、メッキ斑による不良を低減する技術が開示されている。
　また、面積の小さなアライメントマークは、基板からの剥がれを防止するために、基板に対して密着性を高めることが好ましい。特許文献２，３には、金属配線と絶縁基板との両方にガラス成分を含有させ、金属配線と絶縁基板との密着性を向上させる技術が開示されている。
ＷＯ ２０１２／０５７０３８ Ａ１ 特開２００７－２７３９１４号公報 特開平１１－１２６９７１号公報
　特許文献１における従来技術は、面積が小さいアライメントマークを形成しないことで、メッキ時にアライメントマーク形成箇所での電流密度が高くなることを回避し、メッキ斑を低減するものである。このため、上記特許文献１におけるメッキ形成方法では、ある程度面積が大きいアライメントマークでなければ形成することができない。
　このため、特許文献１における従来技術では、以下のような問題が生じる。
(A) アライメントマークの配置の自由度が減る。
(B) アライメントマークを光反射樹脂枠で覆う場合に、当該樹脂枠の幅が広くなり、発光装置の面積が大きくなる。
(C) アライメントマークを分離して、小さいアライメントマークを形成しようとする場合には、エッチングなどの新たな工程が必要となる。
(D) アライメントマークを配線パターンと一体的に形成する場合、アライメントマークが配線パターンの外側に形成され、アライメントマークが外側を向く。
　例えば、上記(A)の課題に関しては、メッキによってアライメントマークを形成するためには、図５に示すように、メッキ時にアライメントマーク部分に電流を通すための支持体が必要となる。上記支持体は、他の配線パターンや発光素子の配置箇所と重ならないように形成される必要があるため、これにより、アライメントマークの配置箇所が制限される。また、図５の場合、アライメントマークは分離形成できるが、エッチングなどの新たな工程が必要となる。
　また、上記(B)の課題に関して、図６を参照して説明すると以下の通りである。図６は、特許文献１において、面積の大きなアライメントマーク１１０，１１１を形成した場合の発光装置１００の上面図である。
　発光装置１００は、発光素子形成領域１０１とその両側に形成された給電パターン１０２とを有している。給電パターン１０２のさらに外側には、アライメントマーク１１０，１１１が形成されている。光反射樹脂枠１０３は、発光素子形成領域１０１と給電パターン１０２との周囲を囲むように形成され、光反射樹脂枠１０３により囲まれた領域に封止樹脂を充填することにより発光素子および給電パターン１０２が保護される。このとき、発光素子形成領域１０１は、アライメントマーク１１０，１１１を覆うように形成されることが好ましい。これは、アライメントマーク１１０，１１１が発光素子形成領域１０１によって覆われることなく枠内部の領域に露出していると、アライメントマーク１１０，１１１による光の吸収が生じ、発光装置１００の光取り出し効率が低下するためである。しかしながら、アライメントマーク１１０，１１１の面積が大きければ、光反射樹脂枠１０３の形成面積も大きくなり、その結果、発光装置１００自体が大面積化するといった問題が生じる。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、メッキ斑による不良を発生させること無く、面積が小さく、配置の自由度が高いアライメントマークを備えた発光装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
　上記の課題を解決するために、本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に配置された発光素子と、前記基板上に配置された導電体配線と、前記基板上に配置されたアライメントマークとを備えており、前記アライメントマークと前記導電体配線とが印刷法により形成されていることを特徴としている。
　上記の構成によれば、アライメントマークが印刷法によって形成されるため、メッキ斑による不良が発生すること無く、良好な読み取りが可能なアライメントマークを形成できる。また、印刷法によって形成されるアライメントマークは、メッキ時にアライメントマーク部分に電流を通すための支持体を必要としない。このため、面積が小さく、配置の自由度が高いアライメントマークを容易に形成することが可能となる。
　さらに、アライメントマークと導電体配線とが印刷法により形成されることで、アライメントを導電体配線と同時に形成することができ、製造工程の増加を招くことも無い。
　また、前記発光装置は、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠を備えており、前記アライメントマークと前記導電体配線とが前記光反射樹脂枠に覆われている構成とすることができる。
　上記の構成によれば、アライメントマークと導電体配線とが光反射樹脂枠に覆われることによって、発光装置の外観が良くなるとともに、アライメントマークおよび導電体配線による光の吸収が防止され、発光装置における光の取り出し効率を向上させることができる。
　また、前記発光装置は、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠を備えており、前記アライメントマークは、前記導電体配線の外側に配置され、前記前記導電体配線が前記光反射樹脂枠に覆われており、前記アライメントマークは前記光反射樹脂枠に覆われていない構成とすることができる。
　上記の構成によれば、アライメントマークが導電体配線の外側に離れて形成される場合に、アライメントマークを光反射樹脂枠によって覆うことで光反射樹脂枠の幅が広くなりすぎることを回避できる。
　また、前記発光装置は、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠と、前記光反射樹脂枠の中心に対して対向して配置された一対のランド部とを備えており、前記ランド部は前記光反射樹脂枠で覆われていない構成とすることができる。
　また、前記発光装置では、前記基板は、ガラス成分を含むセラミック基板であり、前記導電体配線および前記アライメントマークは、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含んでいる構成とすることができる。
　上記の構成によれば、アライメントマークの印刷後の焼成工程において、基板中のガラス成分と、アライメントマーク中のガラス成分とが相互拡散する。これにより、アライメントマークの基板に対する密着性が向上する。これにより、面積の小さなアライメントマークの剥がれを防止できる。
　また、前記発光装置では、前記導電体配線および前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有する構造とすることができる。
　あるいは、前記発光装置では、前記導電体配線は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有し、前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層のみの単層構造を有する構造とすることができる。
　上記の構成によれば、第一層によって、導電体配線およびアライメントマークの基板に対する密着性が向上する。さらに、導電体配線では、相互拡散があってもガラス成分（特許文献２の針状結晶）の少ない第二層を形成することによって、ワイヤボンディングにおけるワイヤ剥がれ防止、または、ワイヤボンディングの際の弾きによる（密着性不良）ワイヤが付かないという不良が低減できる。
　また、前記発光装置では、前記発光素子に電源を供給するためのランド部は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有する構造とすることができる。
　上記の構成によれば、ランド部での半田付けの際に半田とランド部の第二層とで半田付きがよくなり、半田付きが悪いと言う不良が低減される。また、第二層はガラス成分の相互拡散の影響が少なく、金属本来の電気抵抗率を有することになり発光装置におよぼす電気的影響が少なくなる。
　上記の課題を解決するために、本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、導電体配線とアライメントマークとを印刷法によって形成する第１工程と、前記第１工程にて形成されたアライメントマークを用いて前記基板の位置合わせを行いながら、前記基板上に発光素子を搭載し、搭載された前記発光素子と前記導電体配線とをワイヤ接続する第２工程と、前記発光素子の搭載領域を囲むように光反射樹脂枠を形成する第３工程と、前記光反射樹脂枠により囲まれた領域に封止樹脂を充填する第４工程とを含むことを特徴としている。
　上記の構成によれば、本発明の発光装置と同様、面積が小さく、配置の自由度が高いアライメントマークを容易に形成することが可能となる。また、アライメントを導電体配線と同時に形成することができ、製造工程の増加を招くことも無い。
　本発明は、アライメントマークが印刷法によって形成されるため、メッキ斑による不良が発生すること無く、良好な読み取りが可能なアライメントマークを形成できる。また、面積が小さく、配置の自由度が高いアライメントマークを容易に形成することが可能となる。
本発明の発光装置の構成例を示す上面図である。 （ａ）～（ｄ）は、図１に示す発光装置の製造手順を示す図である。 本発明の発光装置の他の構成例を示す上面図である。 （ａ）は本発明の発光装置の他の構成例を示す上面図であり、（ｂ）は上記発光装置において導電体配線を二層構造とした例を示す側面図であり、（ｃ）は上記発光装置においてアライメントマークを二層構造とした例を示す側面図であり、（ｄ）は上記発光装置においてアライメントマークを単層構造とした例を示す側面図である。 従来の発光装置の構成例を示す上面図である。 従来の発光装置の他の構成例を示す上面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明に係る発光装置は、照明装置および表示装置などの光源として利用することが可能である。なお、以下の説明では、図１の平面視を上面視とする。
　〔発光装置の構成〕
　図１は、本実施の形態に係る発光装置１０の一構成例を示す上面図である。発光装置１０は、発光素子（半導体発光素子とも言う）を用いた発光装置であり、概略的には、基板１１、発光素子１２、光反射樹脂枠１３および封止樹脂を備えている。
　基板１１は、セラミックからなる単層構造のセラミック基板である。基板１１は、上面視で矩形の外形形状を有している。基板１１の一方の面（以下、表面と称する）に、発光素子１２、光反射樹脂枠１３、および封止樹脂が設けられる。また、基板１１の表面には、導電体配線１４、ランド部としてのアノード電極１５およびカソード電極１６、アライメントマーク１８、および極性マーク１９等が直接形成されている。
　導電体配線１４は、ワイヤボンディングにより発光素子１２と電気的に接続される電極であり、電気的な接続を行うために引き回された配線である。アノード電極１５およびカソード電極１６は、発光素子１２に電源を供給するための電極（ランド部）であり、発光装置１０の外部電源と接続可能となっている。アノード電極１５およびカソード電極１６は、基板１１の表面における、対角線上の各隅付近（図１中の左上および右下）に配置されている。すなわち、アノード電極１５およびカソード電極１６は、光反射樹脂枠の中心に対して対向して配置された一対のランド部として形成されている。
　また、基板１１の表面には、さらに保護素子（図示せず）を形成してもよい。保護素子は、発光素子１２を静電耐圧から保護するための抵抗素子として形成されるものであり、複数の発光素子１２が直列接続された回路と並列接続されるように形成される。また、上記保護素子は、例えば、印刷抵抗にて形成するか、あるいはツェナーダイオードにより形成することができる。保護素子にツェナーダイオードを用いる場合には、該ツェナーダイオードが配線パターン上にダイボンドされ、さらにワイヤボンディングによって所望の配線と電気接続される。この場合も、ツェナーダイオードが複数の発光素子１２が直列接続された回路と並列接続される。
　アライメントマーク１８は、主にボンディング工程時（ダイボンディングまたはワイヤボンディング）の基板１１の位置合わせ等に用いられるマークである。アライメントマーク１８は光反射性を有するように金属膜にて形成され、製造装置（ボンディング装置等）がアライメントマーク１８からの反射光を読み取ることによって基板１１の位置が認識される。
　極性マーク１９は、アノード電極１５およびカソード電極１６の極性を目視で認識可能とするためのマークである。このため、極性マーク１９は、アノード電極１５の付近にプラス形状のマークを形成し、カソード電極１６の付近にマイナス形状のマークを形成することが好ましい。
　発光素子１２は、例えば、発光ピーク波長が４５０ｎｍ付近の青色発光素子であるが、これに限るものではない。発光素子１２としては、例えば、発光ピーク波長が３９０ｎｍ～４２０ｎｍの紫外（近紫外）発光素子を用いてもよく、これにより、さらなる発光効率の向上を図ることができる。発光素子１２は、基板１１の表面に、所定の発光量を満たすような所定の位置に複数（本実施例では２０個）搭載されている。発光素子１２の電気的接続は、ワイヤ２０を用いたワイヤボンディングによって行われている。ワイヤ２０は、例えば金ワイヤを用いることができる。
　光反射樹脂枠１３は、発光素子１２からの光を反射するとともに、導電体配線１４による光の吸収を防止するものである。また、光反射樹脂枠１３は導電体配線１４の押さえにもなる。光反射樹脂枠１３は、全ての発光素子１２が搭載される搭載領域を囲むように、例えば、上面視で円環状に設けられている。また、光反射樹脂枠１３が導電体配線１４を覆うように形成されることで、導電体配線１４による光の吸収が防止される。このため、光反射樹脂枠１３が円環状に形成される場合は、導電体配線１４も上記円環の一部の円弧状となるように形成される。また、印刷抵抗からなる保護素子（もしくは保護素子の一部）が形成される場合には、該印刷抵抗からなる保護素子も上記円環の一部の円弧状となるように形成され、光反射樹脂枠１３によって覆われる。これにより、光反射樹脂枠１３は、保護素子による光の吸収をも防止することができる。光反射樹脂枠１３は、例えばアルミナフィラー含有シリコーン樹脂からなるが、これに限らず、光反射特性を持つ絶縁性樹脂を用いればよい。また、光反射樹脂枠１３、導電体配線１４および保護素子の形状は、上述のような円環状（円弧状）に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。
　封止樹脂は、透光性樹脂からなる封止樹脂層であり、光反射樹脂枠１３により囲まれた領域に充填されて形成されている。すなわち、封止樹脂は、発光素子１２の搭載領域上に形成され、発光素子１２、ワイヤ２０等を封止する。
　上記封止樹脂には蛍光体を含有させることができる。上記蛍光体としては、発光素子１２から放出された１次光によって励起され、１次光よりも長波長の光を放出する蛍光体が用いられ、所望の白色の色度に応じて適宜選択することができる。例えば、昼白色や電球色の組合せとして、ＹＡＧ黄色蛍光体と（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ赤色蛍光体との組合せや、ＹＡＧ黄色蛍光体とＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ赤色蛍光体との組合せがあり、高演色の組合せとして、（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ赤色蛍光体とＣａ3（Ｓｃ、Ｍｇ）2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ緑色蛍光体との組合せなどがある。但し、これらに限らず、他の蛍光体の組み合わせでもよく、擬似白色としてＹＡＧ黄色蛍光体のみを含む構成でもよい。
　〔発光装置の製造方法〕
　次に、上記構成を有する発光装置１０の製造方法について説明する。なお、発光装置１０は、複数の発光装置群からなる一体ものとして形成され、製造工程の最後に個々の発光装置の周囲（四方）がダイシングにて分割されることで、個々の発光装置として形成される。但し、以下の説明では、説明の便宜上、適宜ある１つの発光装置に着目して説明および図示する。
　＜導電体配線形成工程＞
　図２（ａ）～（ｄ）は、発光装置１０の製造手順を示す図である。
　まず、図２（ａ）に示すように、基板１１上に、導電体配線１４、導電体配線１４とランド部とを電気的に接続するための導電部の一部、およびアライメントマーク１８を形成する。本実施の形態においては、これらは印刷法によって形成される。具体的には、金ペーストによる印刷後（膜厚２μｍ以上）、乾燥工程、および８５０℃以上での焼成工程を経て、導電体配線１４、上記導電部およびアライメントマーク１８が形成される。
　本実施の形態に係る発光装置１０は、アライメントマーク１８が印刷によって形成される点に特徴を有する。すなわち、アライメントマーク１８が印刷によって形成されることで、メッキにてアライメントマークを形成する場合のメッキ斑の問題を回避でき、良好な認識が可能なアライメントマークを形成できる。また、面積の小さなアライメントマークを配置の制限を受けることなく、任意の箇所に形成可能であり、アライメントマークによる光吸収を低減して、発光装置１０における光の取り出し効率を向上させることができる。
　次に、図２（ｂ）に示すように、基板１１上に、ランド部（すなわち、アノード電極１５およびカソード電極１６）、導電体配線１４とランド部とを電気的に接続するための導電部の一部を形成する。本実施の形態においては、これらは印刷法によって形成される。具体的には、銀（または銀白金、銀パラジウム）ペーストによる印刷後（膜厚１８μｍ以上）、乾燥工程、および８５０℃以上での焼成工程を経て、ランド部および上記導電部が形成される。
　さらに、印刷法によって極性マーク１９を形成する。極性マークは、金ペーストによる印刷後（膜厚１８μｍ以上）、乾燥工程、および８５０℃以上での焼成工程を経て形成される。また、極性マークの形成時には、同時に基板の型番を示す記号を形成しても良い。
　尚、保護素子を形成する場合には、印刷および焼成を含む製造工程により、印刷抵抗として保護素子を基板１１上に形成すればよい。印刷工程では、抵抗成分を含むペーストを、導電体配線１４の端に重ねるように（導電体配線１４上に一部が接触するように）所定の位置にスクリーン印刷する。上記ペーストは、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ2、導電粉末としてルテニウム）、団結剤、樹脂、および溶剤により構成される。そして焼成工程によって、印刷したペーストを基板１１上に定着させることにより、保護素子を形成する。なお、導電粉末としては、ルテニウムに限らず、焼成温度以下では軟化しない金属または酸化物であればよい。
　＜発光素子搭載工程＞
　続いて、図２（ｃ）に示すように、発光素子１２を基板１１に実装する。具体的には、まず、発光素子１２を、例えばシリコーン樹脂などの接着樹脂を用いてダイボンディングする。本実施の形態では、発光素子１２は、導電体配線１４で囲まれる領域に２０個配置される。
　発光素子１２は、上面視長方形の外形形状を有するチップであり、例えば、厚みが１００～１８０μｍである。発光素子１２の長方形の上面には、アノード用およびカソード用の２つのチップ電極が、長手方向に対向するように設けられている。発光素子１２は、ほぼ列状に並べられており、本実施の形態では、１列につき４個の発光素子１２が５列配置されている。
　続いて、ワイヤ２０を用いて、ワイヤボンディングを行う。このとき、導電体配線１４に隣接して配置された発光素子１２には、その導電体配線１４とチップ電極との間でワイヤボンディングを行う。導電体配線１４を挟んでいない、隣接する発光素子１２は、両者のチップ電極間をワイヤボンディングにより直接接続する。これにより、アノード電極１５とカソード電極１６との間において、４個の発光素子１２が直列に接続された直列回路部が、５個並列に接続される。
　＜第２光反射樹脂層形成工程＞
　続いて、図２（ｄ）に示すように、光反射樹脂枠１３を、導電体配線１４を覆うように形成する。具体的には、例えば樹脂吐出装置（図示せず）を用いて、液状のアルミナフィラー含有シリコーン樹脂を、丸形状の開口部を持つノズルから吐出しながら、所定の位置に描画する。そして、硬化温度：１２０℃、硬化時間：１時間の条件で加熱硬化処理を施すことにより、光反射樹脂枠１３を形成する。なお、硬化温度および硬化時間は一例であり、これに限定されない。
　光反射樹脂枠１３は、例えば、幅が０．９ｍｍである。光反射樹脂枠１３の最上部の高さは、発光素子１２の上面の高さよりも高く、かつ、発光素子１２間を接続するワイヤ２０（ワイヤーループ）よりも高くなるように設定されている。これにより、発光素子１２とワイヤ２０とを露出しないように封止樹脂を形成することが可能となり、これらを保護することが可能となる。
　また、導電体配線１４に接続されたワイヤ２０は、光反射樹脂枠１３によって、少なくとも一部が覆われる。これにより、ワイヤ剥がれを低減したり、ワイヤ剥がれを防止することが可能となっている。また、ランド部（すなわち、アノード電極１５およびカソード電極１６）は、光反射樹脂枠１３によって覆われない。
　また、本実施の形態に係る発光装置１０では、アライメントマーク１８を光反射樹脂枠１３の形成領域に配置し、光反射樹脂枠１３によってアライメントマーク１８を覆う構造としても良い。アライメントマーク１８を光反射樹脂枠１３によって覆う場合、発光装置１０の外観が良くなるだけでなく、アライメントマーク１８による光の吸収を防止して光の取り出し効率を向上させることができる。尚、アライメントマーク１８は、必ずしも光反射樹脂枠１３によって覆われている必要は無い。アライメントマーク１８が光反射樹脂枠１３によって覆われていない場合であっても、本実施の形態に係る発光装置１０では、面積の小さなアライメントマーク１８を形成することで、アライメントマーク１８による光の吸収を最小限にすることができる。
　樹脂吐出装置には、丸形状の開口部を持つノズルを用いたが、これに限らず、例えば、光反射樹脂枠１３の描画形状（ここでは、円環状）に合わせた開口部を持つノズルを用いてもよい。このようなノズルを用いる場合においては、開口部から一度に樹脂が吐き出されるので、継ぎ目の無い環状の光反射樹脂枠１３を短時間で作製することができる。つまりは、継ぎ目部の膨らみが抑えられ、封止樹脂の漏れを低減することが可能な光反射樹脂枠１３を形成することができる。
　＜封止樹脂形成工程＞
　続いて、封止樹脂を基板１１上に形成する。具体的には、液状の透光性樹脂に蛍光体を分散させたものである蛍光体含有樹脂を、光反射樹脂枠１３により囲まれた領域を満たすよう注入する。蛍光体含有樹脂を注入した後は、所定の温度および時間で硬化させる。これによって、発光素子１２およびワイヤ２０が封止樹脂によって覆われて保護される。
　＜基板分割工程＞
　最後に、複数の発光装置１０が作りこまれた一枚の基板から、これを分割ラインに沿って分割し、個々の発光装置１０を得る。分割方法としては、分割ラインに沿って基板１１の裏面に設けられた分割溝の上方を、表面側から分割ブレードにより剪断する方法がある。この方法によれば、基板１１は分割溝に沿って割れるので、容易に分割することができる。分割することにより、個片化された発光装置１０を作製し得る。
　〔変形例〕
　図１に示す発光装置１０では、アライメントマーク１８を導電体配線１４の内側に形成した例を示したが、図３に示す発光装置３０のように、アライメントマーク１８を導電体配線１４の外側に形成しても良い。尚、アライメントマーク１８を導電体配線１４の外側に形成する場合には、アライメントマーク１８は光反射樹脂枠１３によって覆われない方が良い場合もある。これは、アライメントマーク１８が導電体配線１４の外側に離れて形成される場合には、アライメントマーク１８を光反射樹脂枠１３によって覆おうとすると、光反射樹脂枠１３の幅が広くなりすぎるためである。また、アライメントマーク１８を導電体配線１４の外側にある場合は、光反射樹脂枠１３によって覆わなくてもアライメントマーク１８による光の吸収が生じず、光反射樹脂枠１３によって覆う必要がないためでもある。
　ここで、図１に示すように基板１１上に搭載される発光素子数が多い場合、発光素子搭載領域の面積が大きくなりすぎ、チップダイボンド時にアライメントマーク識別装置の認識領域から外れ、アライメントマーク１８が認識できないことが起こりうる。このような場合、導電体配線１４の内側（光反射樹脂枠１３の枠内）にアライメントマーク１８を配置することで上記認識不良を低減することができる。また、図３に示すように発光素子数が少ない場合は、発光素子搭載領域の面積が小さいため、アライメントマーク１８は導電体配線１４の外側（光反射樹脂枠１３の枠外）にあってもよい。すなわち、アライメントマーク１８の配置箇所を調整することで、発光素子搭載領域の面積の大小に係らず同じ識別装置が使用できる。このため、本実施の形態に係る発光装置１０のように、印刷によって面積の小さなアライメントマーク１８が形成でき、アライメントマーク１８の配置が自由になることは極めて重要なことである。
　また、図３に示す発光装置３０では、発光素子１２の配置が図１に示す発光装置１０と異なっている。具体的には、発光装置１０では、図面の最上列および最下列における発光素子１２の配列が、光反射樹脂枠１３の形状に沿って円弧状となっているが、発光装置３０では、全ての発光素子１２の列が直線状の配列となっている。このような発光素子の配列は、発光装置に要求される光の均一性等に応じて任意に設計することが可能である。
　また、本実施の形態に係る発光装置１０および３０では、基板１１をセラミック基板とし、印刷によって形成される導電体配線１４やランド部やアライメントマーク１８は、基板１１に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含むことが好ましい。この場合、印刷後の焼成工程において、基板１１中のガラス成分と、導電体配線１４やランド部やアライメントマーク１８中のガラス成分とが相互拡散する。これにより、導電体配線１４、ランド部およびアライメントマーク１８の基板１１に対する密着性が向上する。本実施の形態のように、面積の小さなアライメントマーク１８が形成される場合には、基板１１に対する密着性を向上させることによってアライメントマーク１８の剥がれを防止でき、製造歩留まりを向上させることができる。
　また、導電体配線１４およびアライメントマーク１８に、基板１１に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含ませる場合には、図４（ａ）～（ｃ）に示すように、導電体配線１４およびアライメントマーク１８は二層構造としても良い。この場合、導電体配線１４およびアライメントマーク１８は、基板１１側に密着する第一層をガラス成分が多い層とし、その上に金属のみ（すなわち、ガラス成分を含まない）またはガラス成分が少ない層である第二層を形成する。このような二層構造とすることで、導電体配線１４は、基板１１に対する密着性と、発光素子１２とのワイヤボンディングの良好性とを兼ね備えることができる。すなわち、導電体配線１４の表面は、発光素子１２との電気接続のためにワイヤボンディングされるため、ガラス成分が含まれてないことが好ましい（ガラス成分が多いと、ワイヤ剥がれが発生し易く、ワイヤの付きが悪いことが生じる）。導電体配線１４を、図４（ｂ）に示すような二層構造とすることで、導電体配線１４の表面層（第二層）でのガラス成分をなくすか、もしくは少なくすることができ、ワイヤボンディングにおけるワイヤ剥がれを防止できる。または、ワイヤボンディングの際の弾きによる（密着性不良）ワイヤが付かないという不良が低減できる。
　さらには、図４（ｂ）に示すように、ランド部（アノード電極１５およびカソード電極１６）を同様の二層構造としても良い。ランド部においても、基板１１側に密着する第一層をガラス成分が多い層とし、その上に金属のみ（すなわち、ガラス成分を含まない）またはガラス成分が少ない層である第二層を形成することで、ランド部での半田付けの際に半田とランド部の第二層とで半田付きがよくなり、半田付きが悪いと言う不良が低減される。また、第二層はガラス成分の相互拡散の影響が少なく、金属本来の電気抵抗率を有することになり発光装置におよぼす電気的影響が少なくなる。
　尚、アライメントマーク１８は、導電体配線１４と同じ印刷工程で形成されるため、図４（ｃ）に示すような二層構造とすることもできる。但し、アライメントマーク１８は、導電体配線１４とは異なり、電気的な機能を持たす必要がないため、図４（ｄ）に示すような単層構造（ガラス成分を多く含む層）としても良い。この場合、導電体配線１４の第一層を印刷するときに同時にアライメントマーク１８を印刷し、導電体配線１４の第二層を印刷するときにはアライメントマーク１８を印刷しなければよい。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
１０，３０　　発光装置
１１　　　　　基板
１２　　　　　発光素子
１３　　　　　光反射樹脂枠
１４　　　　　導電体配線
１５　　　　　アノード電極
１６　　　　　カソード電極
１８　　　　　アライメントマーク
１９　　　　　極性マーク

Claims (15)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に配置された発光素子と、
    　前記基板上に配置された導電体配線と、
    　前記基板上に配置されたアライメントマークとを備えており、
    　前記アライメントマークと前記導電体配線とが印刷法により形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠を備えており、
    　前記アライメントマークと前記導電体配線とが前記光反射樹脂枠に覆われていることを特徴とする発光装置。
  3. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠を備えており、
    　前記アライメントマークは、前記導電体配線の外側に配置され、
    　前記前記導電体配線が前記光反射樹脂枠に覆われており、前記アライメントマークは前記光反射樹脂枠に覆われていないことを特徴とする発光装置。
  4. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠と、
    　前記光反射樹脂枠の中心に対して対向して配置された一対のランド部とを備えており、
    　前記ランド部は前記光反射樹脂枠で覆われていないことを特徴とする発光装置。
  5. 　請求項１から４の何れか一項に記載の発光装置であって、
    　前記基板は、ガラス成分を含むセラミック基板であり、
    　前記導電体配線および前記アライメントマークは、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含んでいることを特徴とする発光装置。
  6. 　請求項５に記載の発光装置であって、
    　前記導電体配線および前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置。
  7. 　請求項５に記載の発光装置であって、
    　前記導電体配線は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有し、
    　前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層のみの単層構造を有することを特徴とする発光装置。
  8. 　請求項５に記載の発光装置であって、
    　前記発光素子に電源を供給するためのランド部は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置。
  9. 　基板上に、導電体配線とアライメントマークとを印刷法によって形成する第１工程と、
    　前記第１工程にて形成されたアライメントマークを用いて前記基板の位置合わせを行いながら、前記基板上に発光素子を搭載し、搭載された前記発光素子と前記導電体配線とをワイヤ接続する第２工程と、
    　前記発光素子の搭載領域を囲むように光反射樹脂枠を形成する第３工程と、
    　前記光反射樹脂枠により囲まれた領域に封止樹脂を充填する第４工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  10. 　請求項９に記載の発光装置の製造方法であって、
    　前記光反射樹脂枠は、前記アライメントマークと前記導電体配線とを覆うように形成されることを特徴とする発光装置の製造方法。
  11. 　請求項９に記載の発光装置の製造方法であって、
    　前記アライメントマークは、前記導電体配線の外側に配置され、
    　前記光反射樹脂枠は、前記導電体配線を覆い、前記アライメントマークを覆わないように形成されることを特徴とする発光装置の製造方法。
  12. 　請求項９から１１の何れか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    　前記基板は、ガラス成分を含むセラミック基板であり、
    　前記導電体配線および前記アライメントマークは、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含んでいることを特徴とする発光装置の製造方法。
  13. 　請求項１２に記載の発光装置の製造方法であって、
    　前記導電体配線および前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  14. 　請求項１２に記載の発光装置の製造方法であって、
    　前記導電体配線は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有し、
    　前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層のみの単層構造を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  15. 　請求項１２に記載の発光装置の製造方法であって、
    　前記発光素子に電源を供給するためのランド部は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
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