WO2014015567A1 - 刻蚀设备及其上部电极 - Google Patents

刻蚀设备及其上部电极 Download PDF

Info

Publication number
WO2014015567A1
WO2014015567A1 PCT/CN2012/083456 CN2012083456W WO2014015567A1 WO 2014015567 A1 WO2014015567 A1 WO 2014015567A1 CN 2012083456 W CN2012083456 W CN 2012083456W WO 2014015567 A1 WO2014015567 A1 WO 2014015567A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
upper electrode
electrode
region
holes
area
Prior art date
Application number
PCT/CN2012/083456
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
赵吾阳
傅永义
蒋冬华
李炳天
Original Assignee
京东方科技集团股份有限公司
成都京东方光电科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司 filed Critical 京东方科技集团股份有限公司
Publication of WO2014015567A1 publication Critical patent/WO2014015567A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape

Definitions

  • Embodiments of the invention relate to an etching apparatus and an upper electrode thereof. Background technique
  • a conventional dry etching apparatus uses a lower electrode and an upper electrode 10 as shown in Fig. 1 to generate plasma or the like.
  • the electrode holes 1 (points in the figure) are distributed very regularly over the entire upper electrode 10.
  • the distribution pattern of the electrode holes 1 is not set in combination with the material of the etched film layer, and may not be applicable to the material of the etched film layer, and the etch rate uniformity after etching is likely to be excessive. Affect the effect of etching.
  • the etch rate uniformity of the entire glass substrate the maximum etch rate - the etch rate minimum /2 (the average etch rate). Summary of the invention
  • Embodiments of the present invention provide an etching apparatus and an upper electrode thereof for improving etch rate uniformity of a film layer after etching.
  • An aspect of the present invention provides an upper electrode of an etching apparatus, wherein the upper electrode is provided with a plurality of electrode holes, and the upper electrode includes at least a first region and a second region juxtaposed to each other, the electrode hole being The distribution density of the first region and the distribution density of the electrode holes in the second region are different.
  • Another aspect of the present invention provides an etching apparatus including the above upper electrode.
  • the interval between the electrode hole on the upper electrode and the electrode hole is changed, thereby improving the etching uniformity.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of an upper electrode of the prior art according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an etch rate distribution after etching of an upper electrode of the prior art according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic structural view of an upper electrode of the present invention according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a schematic structural view of an upper electrode of the present invention according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 6 is a schematic view showing the structure of an upper electrode of the present invention according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 7 is a schematic view showing the distribution of electrode holes of the upper electrode of the present invention according to an embodiment of the present invention
  • the embodiment of the invention provides an upper electrode and an etching device therewith for improving the etch rate uniformity of the film layer after etching.
  • An upper electrode of an etch apparatus is provided in the embodiment of the present invention.
  • the upper electrode is provided with a plurality of electrode holes, and the electrode holes are used to transport the gas required for etching, and the upper electrode is at least The first region and the second region juxtaposed to each other, the distribution density of the electrode holes in the first region and the distribution density of the electrode holes in the second region are different.
  • the distribution regions of the first region and the second region and the distribution density of the upper electrode holes thereof may be determined according to different film material of the etching; in some cases, the electrode holes of the first region and the second region The distribution density can even be zero.
  • the size of the first region and the second region and the distribution density of the electrode holes therein can be adjusted a plurality of times by trial and error, by changing the interval between the electrode hole on the upper electrode and the electrode hole.
  • the density of the etching gas used in the etching process is changed, thereby reducing the rate uniformity.
  • the plurality of electrode holes are preferably distributed in a matrix in the first region to facilitate processing and production.
  • the shape of the electrode holes themselves may be any suitable shape, such as a circle, a square, a triangle, etc., and the size (e.g., diameter, side length, etc.) may be determined as needed.
  • electrode hole distribution density is defined on the basis of the electrode hole size, and refers to the number of electrode holes in the unit area.
  • the first region and the second region are located in the working region of the etch device, juxtaposed (i.e., not included or partially contained) with each other, and each have at least a size (i.e., area) that is larger than one electrode hole.
  • the film layer to be etched selected in this embodiment is made of SiNx (silicon nitride), and the etching gas used correspondingly is a mixed gas of 02 (oxygen) and SF6 (sulfur hexafluoride).
  • the SiNx film layer formed on the substrate is etched by, for example, the upper electrode 100 which is filled with the electrode holes 1 and has the same pitch between the electrode holes 1 as shown in FIG.
  • the uniformity is measured and calculated to be about 36%.
  • the light-colored portion of the figure has a problem of poor etch rate uniformity due to an excessive etching rate.
  • the inventors use the upper electrode 100 shown in FIG. 3 for the corresponding upper electrode, and no electrode hole 1 is provided in the region where the etching rate is too high (the second region 20). The etching rate of this portion is lowered; and the remaining region (first region 10) on the upper electrode 100 is still provided with the electrode hole 1 in accordance with, for example, the density of the electrode holes in the upper electrode 10 shown in FIG. After the experiment, the obtained etch rate uniformity was about 24%, and the etch rate uniformity was reduced by about half with respect to the upper electrode shown in Fig. 1, thereby achieving the purpose of improving the etch rate uniformity.
  • the shape and size of the upper electrode 100 can be set as needed, and is generally rectangular; the shape and size of the first region 10 and the second region 20 can also be set as needed, as shown in FIG. As shown, it can be an irregular graphic.
  • the upper electrode is generally provided in a square or rectangular shape, and a rectangular upper electrode having a size of 1007*1087.5 mm can be used.
  • the first region 10 is disposed at a middle portion of the upper electrode 100, wherein the electrode hole 1 is disposed according to a certain density; and the second region 20 is a blank region having a distribution density of the electrode holes of zero.
  • the periphery of the first area 10 is described.
  • the central portion of the upper electrode may be provided with the blank region in addition to the first region 10 as needed.
  • a blank area i.e., a second area 20
  • the first region 10 is disposed at a central portion of the upper electrode, and all other regions are blank regions (i.e., the second region 20) to achieve a good processing result.
  • the selected etched film layer is made of PR glue (photoresist), and the etching gas used is 02, SF6, and the upper electrode as shown in FIG. 4 is used, as shown in FIG.
  • the upper electrode, the etch rate uniformity is reduced by about 5%.
  • the selected etched film layer is made of Mo (the etching gas used for molybdenum is 02, SF6, C12 (chlorine gas), and the upper electrode as shown in FIG. 5 is used, as shown in FIG.
  • the upper electrode, the etch rate uniformity is reduced by about 15%.
  • the electrode holes 1 are distributed in a matrix in the first region 10 for ease of implementation. More preferably, for ease of arrangement, the electrode holes 1 are uniformly distributed in the first region 10, and the distance between adjacent electrode holes is equal.
  • the hole pitch can be 5mm ⁇ 20mm.
  • the electrode holes may be circular holes or square holes, or may be provided as electrode holes of other shapes as needed; when a circular hole is selected, the diameter of the circular holes may be 0.3 mm to 1 mm.
  • the first region and the second region are at least greater than 0.07 mm 2 .
  • the etching apparatus includes an upper electrode 37, a lower electrode 35, a support table 33, and the like, and the lower electrode 35 is disposed on the support table 33.
  • the upper electrode 37 and the lower electrode 35 are disposed in a cavity of the etching apparatus, disposed opposite to each other to define an etched region 40; and the support table 33 is for supporting the etched film material 36.
  • the electrode hole 32 provided in the upper electrode 37 is used to pass the etching gas 31 so as to be implanted into the etched region 40.
  • the etching gas When a voltage is applied between the upper electrode 37 and the lower electrode 35, the etching gas generates a plasma under the action of the generated electric field for etching.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

提供了一种刻蚀设备及其上部电极，该上部电极上设有多个电极孔，该上部电极至少由第一区域（10）和第二区域（20）组成，该电极孔在该第一区域（10）的分布密度和该电极孔在该第二区域（20）的分布密度不同。根据所刻蚀膜层材质的不同，改变上部电极上的电极孔的设置区域和电极孔间的间隔。

Description

刻蚀设备及其上部电极 技术领域
本发明的实施例涉及一种刻蚀设备及其上部电极。 背景技术
干法刻蚀是使用等离子体与未被掩模层覆盖的膜层材质反应来剥离、 去 除这部分膜层材质从而得到一定图形的一种微加工方法。
现有的一种干法刻蚀设备釆用下部电极以及如图 1 所示的上部电极 10 来产生等离子体等。 电极孔 1 (图中的点）分布非常规律地布满整个上部电 极 10。这种电极孔 1的分布方式没有与所刻蚀膜层的材质相结合起来进行设 置， 可能不适用与被刻蚀的膜层材质， 艮容易造成刻蚀后的刻蚀率均一性过 大， 影响刻蚀的效果。 整张玻璃基板的刻蚀率均一性=刻蚀率最大值-刻蚀率 最小值 /2 (刻蚀率平均值） 。 发明内容
本发明实施例提供了一种刻蚀设备及其上部电极， 用以改善刻蚀后膜层 的刻蚀率均一性。
本发明的一个方面提供了一种刻蚀设备的上部电极， 所述上部电极上设 有多个电极孔， 所述上部电极至少包括彼此并列的第一区域和第二区域， 所 述电极孔在所述第一区域的分布密度和所述电极孔在所述第二区域的分布密 度不同。
本发明的另一个方面提供了一种刻蚀设备， 包括上述的上部电极。
本发明实施例， 根据所刻蚀的膜层材质不同， 改变上部电极上的电极孔 的设置区域和电极孔间的间隔， 从而实现了改善刻蚀均一性。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。
图 1为本发明实施例提供的一种现有技术的上部电极结构示意图； 图 2为本发明实施例提供的一种釆用现有技术的上部电极刻蚀后的刻蚀 率分布示意图；
图 3为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图； 图 4为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图； 图 5为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图； 图 6为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图； 图 7为本发明实施例提供的一种本发明上部电极的电极孔分布示意图； 图 8为根据本发明实施例的刻蚀设备的示意图。 具体实施方式
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
除非另作定义， 此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。 本发明专利申请说明书以及权 利要求书中使用的 "第一" 、 "第二" 以及类似的词语并不表示任何顺序、 数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样， "一个 "或者 "一" 等类似词语也不表示数量限制， 而是表示存在至少一个。 "连接" 或者 "相 连" 等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接， 而是可以包括电性的 连接， 不管是直接的还是间接的。 "上" 、 "下" 、 "左" 、 "右" 等仅用 于表示相对位置关系， 当被描述对象的绝对位置改变后， 则该相对位置关系 也相应地改变。
本发明实施例提供了一种上部电极及具有其的刻蚀设备， 用以改善刻蚀 后膜层的刻蚀率均一性。
本发明实施例提供的一种刻蚀设备的上部电极， 所述上部电极上设有多 个电极孔， 通过所述电极孔用以输送刻蚀所需的气体， 所述上部电极至少包 括彼此并列的第一区域和第二区域， 所述电极孔在所述第一区域的分布密度 和所述电极孔在所述第二区域的分布密度不同。 例如， 可根据刻蚀的不同的 膜层材质决定第一区域和第二区域的分布区域和其上电极孔分布密度； 在一 些情况下， 所述第一区域和所述第二区域的电极孔分布密度甚至可以为零。 所述第一区域和所述第二区域的大小以及其中的电极孔分布密度都可以通过 反复试验进行多次调整， 目的是通过改变上部电极上的电极孔的设置区域和 电极孔间的间隔， 改变刻蚀过程中， 所用刻蚀气体的密度， 进而减小率刻蚀 均一性。
例如，所述多个电极孔在所述第一区域优选呈矩阵分布，便于加工生产。 电极孔本身的形状可以为任何适当的形状， 例如圓形、 正方形、 三角形等， 其大小 （例如直径、 边长等）可以根据需要确定。
本说明之中， "电极孔分布密度" 定义在电极孔大小不变基础上， 指单 位面积内电极孔的个数。 该第一区域和第二区域位于刻蚀设备的工作区域之 中， 彼此并列 （即非包含或部分包含） ， 且都至少具有大于一个电极孔所占 据的大小 （即面积） 。
实施例一
本实施例中选取的将被刻蚀的膜层材质为 SiNx (氮化硅)， 相应地使用的 刻蚀气体是 02(氧气)和 SF6(六氟化硫)的混合气体。
为了比较， 首先， 釆用例如图 1所示的布满电极孔 1且电极孔 1之间的 间距相等的上部电极 100对形成在基板上的 SiNx膜层进行刻蚀， 所得到的 刻蚀率均一性经测量、 计算后可得为 36%左右。 如图 2所示， 图中浅色的部 分处由于刻蚀率过大造成了刻蚀率均一性不佳的问题。
根据图 2的刻蚀率分布图， 发明人将对应的上部电极釆用图 3所示的上 部电极 100, 在刻蚀率过高的区域（第二区域 20 ) 中不再设置电极孔 1 , 以 降低这部分区域的刻蚀率； 而且上部电极 100上的其余区域（第一区域 10 ) 仍然按照例如图 1所示的上部电极 10中电极孔的密度设置电极孔 1。经过实 验后， 所得到的刻蚀率均一性大约为 24%, 相对于使用图 1所示的上部电极 的刻蚀率均一性降低了一半左右， 从而达到了改善刻蚀率均一性的目的。
所述上部电极 100的形状和大小可以根据需要设置， 一般为长方形； 所 述第一区域 10和第二区域 20的形状和大小也可根据需要进行设置， 如图 3 所示， 可以为不规则图形。
例如， 为了实施方便所述上部电极一般设置为正方形或长方形， 可釆用 尺寸为 1007*1087.5mm的长方形上部电极，
以下提供几种上部电极釆取尺寸为 1007mm* 1087.5mm时的其他示例。 如图 4所示，所述第一区域 10设置在所述上部电极 100中部，其中按照 一定密度设置电极孔 1；所述第二区域 20为电极孔分布密度为零的空白区域， 设在所述第一区域 10的***。 图 4所示的上部电极包括 4个空白区域， 即 4 个第二区域 20, 分别设置在所述上部电极的四个边角部位； 例如， 所述空白 区域的边长可以为 a=b=250mm~300mm。
在上述情况下， 根据需要， 所述上部电极的中部除了设置第一区域 10 夕卜， 也可设有所述空白区域。 在另一个示例中， 如图 5所示， 在所述第一区 域 10的中心部位设置了空白区域， 即第二区域 20。 例如， 本图 5中所述空 白区 i或的边长可以设置为 c=250mm~300mm, d=400mm~600mm。
如图 6所示，在另一个示例中，所述第一区域 10设在所述上部电极的中 心部位， 其它区域全部为空白区域（即第二区域 20 )就可以达到艮好的处理 结果。在本图 6中，例如，所述第一区域 10的边长可以为 e=f=400mm~500mm。
此外， 发明人还对以下膜层材质进行了实验。
实施例二， 选取的被刻蚀的膜层材质为 PR胶 (光刻胶)， 使用的刻蚀气 体为 02、 SF6, 釆用如图 4所述的上部电极， 相比于图 1所示的上部电极， 刻蚀率均一性降低约 5%。
实施例三，选取的被刻蚀的膜层材质为 Mo (钼 使用的刻蚀气体为 02、 SF6、 C12 (氯气） ， 釆用如图 5所述的上部电极， 相比于图 1所示的上部电 极， 刻蚀率均一性降低约 15%。
实施例四， 选取的被刻蚀的膜层材质为 Si(硅)， 使用的刻蚀气体为 C12、 SF6, 釆用如图 6所述的上部电极， 相比于图 1所示的上部电极， 刻蚀率均 一性降低约 5%。
更佳地， 为了便于实施， 电极孔 1在所述第一区域 10呈矩阵分布。 更佳地，为了便于设置，电极孔 1在可所述第一区域 10中分布密度均匀， 相邻电极孔之间的距离相等。 例如， 孔间距可为 5mm~20mm。
由于改变相邻电极孔的间距有助于刻蚀率均一性的降低， 所述电极孔在 所述第二区域中的分布密度不均，例如，每相邻两行电极孔之间的行距不等、 每相邻两列电极孔之间的列距不等。 在一个示例中， 如图 7所示， 也可以釆 取所述第一区域 10设在所述上部电极的中部， 所述第二区域 20设在所述第 一区域 10 的***。 例如， 第一区域 10 中电极孔 1 的孔间距固定， 可为 5mm~20mm; 第二区域 20中的电极孔 1的孔间距相对于该上部电极中心的 距离逐渐扩大， 可为 10mm~40mm。
在上述示例中， 电极孔可以为圓形孔或方形孔， 也可以根据需要设置为 其它形状的电极孔； 在选用圓形孔时， 圓形孔的直径可以为 0.3mm~lmm。
例如， 当圓形孔直径为 0.3mm 时， 第一区域和第二区域至少大于 0.07mm2。
本发明的另一个实施例还提供一种刻蚀设备， 包括上述任一技术方案所 述的上部电极， 能够明显改善膜层材质的刻蚀率均一性。 在如图 8所示的实 施例之中， 刻蚀设备包括上部电极 37、 下部电极 35、 支撑台 33等， 下部电 极 35设置在支撑台 33上。 该上部电极 37和下部电极 35设置在刻蚀设备的 腔体内， 彼此相对设置从而定义了刻蚀区域 40; 支撑台 33用于支撑被刻蚀 的膜层材料 36。该上部电极 37上设置的电极孔 32用于通过刻蚀气体 31 ,以 使其被注入刻蚀区域 40。 当在上部电极 37和下部电极 35之间施加电压时， 刻蚀气体在所产生的电场的作用下产生等离子体， 用于刻蚀。
此外， 该蚀设备还与高压射频电源发生器 39以及电源匹配器 34相连， 以进行供电。 刻蚀设备还可以包括泵 38, 以实现刻蚀设备的内部真空。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式， 而非用于限制本发明的保护范 围， 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims

权利要求书
1、 一种刻蚀设备的上部电极， 所述上部电极上设有多个电极孔， 其中， 所述上部电极至少包括彼此并列的第一区域和第二区域， 所述电极孔在所述 第一区域的分布密度和所述电极孔在所述第二区域的分布密度不同。
2、如权利要求 1所述的上部电极， 其中， 所述多个电极孔在所述第一区 域呈矩阵分布。
3、如权利要求 1或 2所述的上部电极， 其中， 所述电极孔在所述第一区 域分布密度均勾， 相邻电极孔之间的距离相等。
4、 如权利要求 1-3任一所述的上部电极， 其中， 所述电极孔在所述第二 区域分布密度不均。
5、 如权利要求 4所述的上部电极， 其中， ， 每相邻两行电极孔之间的行 距不等、 每相邻两列电极孔之间的列距不等
6、 如权利要求 1-5任一所述的上部电极， 其中， 所述第一区域设在所述 上部电极的中部， 所述第二区域设在所述第一区域的***。
7、 如权利要求 1-6所述的上部电极， 其中， 所述第二区域为电极孔分布 密度为零的空白区域。
8、如权利要求 6所述的上部电极， 其中， 所述第二区域还设在所述第一 区域的中部。
9、 如权利要求 1-8任一所述的上部电极， 其中， 所述上部电极的形状整 体为长方形。
10、 如权利要求 1-9任一所述的上部电极， 其中， 所述电极孔为圓形孔、 方形孔或三角形孔。
11、 一种刻蚀设备， 包括所述权利要求 1-10中任一权利要求所述的上部 电极。
PCT/CN2012/083456 2012-07-27 2012-10-24 刻蚀设备及其上部电极 WO2014015567A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012102656425A CN102797012A (zh) 2012-07-27 2012-07-27 一种刻蚀设备及其上部电极
CN201210265642.5 2012-07-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014015567A1 true WO2014015567A1 (zh) 2014-01-30

Family

ID=47196302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2012/083456 WO2014015567A1 (zh) 2012-07-27 2012-10-24 刻蚀设备及其上部电极

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN102797012A (zh)
WO (1) WO2014015567A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103745904B (zh) * 2013-12-31 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种干法刻蚀机及其刻蚀方法
CN109360779A (zh) * 2018-11-13 2019-02-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 干蚀刻设备的上电极及其制造方法
CN111599719A (zh) * 2020-05-20 2020-08-28 Tcl华星光电技术有限公司 刻蚀气体导入机构和蚀刻机
CN111893537B (zh) * 2020-07-16 2021-06-22 合肥微睿光电科技有限公司 一种通过改变装挂方式提高大尺寸上部电极板阳极氧化膜均匀性的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11149999A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
CN1758825A (zh) * 2005-09-30 2006-04-12 友达光电股份有限公司 用于等离子体蚀刻机器的气体分布电极
CN101030538A (zh) * 2006-02-27 2007-09-05 东京毅力科创株式会社 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
CN201181693Y (zh) * 2008-04-17 2009-01-14 上海华虹Nec电子有限公司 半导体刻蚀设备的上部电极
US20100319854A1 (en) * 2009-06-23 2010-12-23 Kenetsu Yokogawa Plasma processing apparatus
CN102738041A (zh) * 2011-03-31 2012-10-17 东京毅力科创株式会社 上部电极板以及基板处理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490049B1 (ko) * 2003-04-14 2005-05-17 삼성전자주식회사 일체형 디퓨저 프레임을 가지는 ｃｖｄ 장치
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
CN201215800Y (zh) * 2008-04-15 2009-04-01 上海华虹Nec电子有限公司 半导体刻蚀设备的上部电极

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11149999A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
CN1758825A (zh) * 2005-09-30 2006-04-12 友达光电股份有限公司 用于等离子体蚀刻机器的气体分布电极
CN101030538A (zh) * 2006-02-27 2007-09-05 东京毅力科创株式会社 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
CN201181693Y (zh) * 2008-04-17 2009-01-14 上海华虹Nec电子有限公司 半导体刻蚀设备的上部电极
US20100319854A1 (en) * 2009-06-23 2010-12-23 Kenetsu Yokogawa Plasma processing apparatus
CN102738041A (zh) * 2011-03-31 2012-10-17 东京毅力科创株式会社 上部电极板以及基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102797012A (zh) 2012-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101677053B (zh) 静电吸盘及其制备方法
EP1918978A3 (en) Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate
WO2014015567A1 (zh) 刻蚀设备及其上部电极
TW200830454A (en) Apparatus for substrate processing and methods therefor
KR102424818B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
US20160042918A1 (en) Etching method of multilayered film
JP2013014478A (ja) カーボンナノウォール配列体およびカーボンナノウォールの製造方法
KR101461139B1 (ko) 플라즈마 소스 및 플라즈마 에칭 장치
KR20080060763A (ko) 기판 지지 장치 및 기판 식각 장치
JPS62299031A (ja) 平行平板型エツチング装置の電極構造
KR20110025686A (ko) 정전척 및 그 제조방법
JP2006128446A (ja) プラズマｃｖｄ方法及び装置
CN101383278A (zh) 等离子体约束装置和等离子体加工设备
KR101262904B1 (ko) 플라즈마 식각 장치
JP6735098B2 (ja) ドライエッチング装置及び方法
KR101512793B1 (ko) 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법
JP2013131475A (ja) プラズマ処理装置及び半導体装置
CN104124185A (zh) 晶片盖板和晶片加工设备
KR20120083602A (ko) 기판 처리 장치
KR101181709B1 (ko) 축전 결합 플라즈마 발생 장치
KR101161169B1 (ko) 다중 용량 결합 전극 어셈블리 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치
KR100978812B1 (ko) 측정 패턴 구조체, 공정 패턴 구조체, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
TWI812598B (zh) 設置於基板處理設備的基座
JP2009076816A (ja) プラズマ処理装置
JP2011181625A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12881662

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 09/06/2015)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12881662

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1