WO2013137761A1 - Светодиод - Google Patents

Светодиод Download PDF

Info

Publication number
WO2013137761A1
WO2013137761A1 PCT/RU2012/000174 RU2012000174W WO2013137761A1 WO 2013137761 A1 WO2013137761 A1 WO 2013137761A1 RU 2012000174 W RU2012000174 W RU 2012000174W WO 2013137761 A1 WO2013137761 A1 WO 2013137761A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
radiation
emitting element
led
layer
Prior art date
Application number
PCT/RU2012/000174
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Петр Павлович АНИКИН
Сергей Анатольевич ЕВДОКИМОВ
Владимир Георгиевич ЗВОНОВ
Валерий Викторович КУЗНЕЦОВ
Дмитрий Анатольевич КОСТЮКОВ
Original Assignee
Общество С Ограниченной Ответственностью "Инфолед"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество С Ограниченной Ответственностью "Инфолед" filed Critical Общество С Ограниченной Ответственностью "Инфолед"
Priority to PCT/RU2012/000174 priority Critical patent/WO2013137761A1/ru
Publication of WO2013137761A1 publication Critical patent/WO2013137761A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Definitions

  • the invention relates to lighting engineering, namely to semiconductor light sources, mainly to white LEDs.
  • a semiconductor light-emitting element (LED crystal) is used that emits light in the blue region of the visible spectrum, is installed in the reflector light reflector and coated on the outside with a layer of gel-phosphor mixture or in the lens system, partially absorbing blue or ultraviolet radiation and, in turn, emitting light in green, yellow, orange or to a different region of the visible spectrum, so that the total radiation of the LED is perceived by a person as white light in the directional pattern of the optical system.
  • a common drawback of the known white LEDs is the unevenness of the radiation emitted from the optical system by color temperature.
  • the closest known by purpose and technical nature of the claimed invention relates to a white LED [RU 2331951], containing a blue light-emitting element, coated on the outside with a layer of gel-phosphor mixture to convert part of the energy of blue radiation into yellow radiation energy and a layer of transparent gel .
  • the light emitting element is installed in the lower part of the reflector bowl (light reflector).
  • Reflector bowl over a blue light-emitting element is flooded with a layer of a gel-phosphor mixture to form a total light in the form of white light above the reflector.
  • a layer of transparent gel is installed over the gel-phosphor mixture and covered with an additional optical lens.
  • a disadvantage of the known LED is the reduced brightness of the white glow due to the loss of blue photon energy on the reflector of the reflector, due to distortion of the angular color of the LED and optical losses in the additional lens.
  • the task of the invention is to increase the brightness of the white LED with a uniform distribution of its light over color temperature.
  • the technical result that provides a solution to this problem is to reduce the energy loss of the white color of the LED.
  • the white LED is a light emitting element of blue color, coated on the outside with a layer of gel-phosphor mixture to convert part of the energy of blue radiation into yellow radiation energy and a layer of transparent gel
  • a layer of a transparent gel is applied directly to the light-emitting element, and a layer of a gel-phosphor mixture is applied over a layer of a transparent gel and is made in the form of asfa lens with the ability to obtain a uniform white glow with the same color temperature, regardless of the viewing angle of the LED radiation.
  • ⁇ ( ⁇ , ⁇ ) is the thickness of the gel phosphor lens
  • R is the inner radius of the aspherical lens
  • R (e, p) is the outer radius of the aspherical lens
  • ⁇ is the direction of measuring the radiation intensity of the LED relative to its central axis in elevation
  • ⁇ is the azimuthal direction of measuring the radiation intensity of the LED relative to its central axis
  • p is the specific density of the phosphor in the gel-phosphor lens
  • j j (e, P) is the intensity of the blue radiation of the light-emitting element
  • F ⁇ n, j ⁇ is the function of the dependence of the color temperature of the radiation emitted from the LED on the density of the phosphor and the intensity of the blue radiation of the light-emitting element.
  • the transparent gel layer deposited on the light emitting element is made with a refractive index of k> 1.4.
  • an aspherical lens of decreasing thickness ⁇ ( ⁇ , ⁇ ) along the angle ⁇ from the center to the periphery makes it possible to reduce the number of phosphor particles on the path of the propagation of blue photons and proportionally compensate for the decrease in their energy in lateral direction ⁇ relative to the center axis of the LED.
  • This ensures a white color with the same color temperature of the LED regardless of the value of the vertical angle ⁇ of its observation relative to the central axis of the LED. The consequence of this is an additional increase in the brightness of the white LED due to the reduction of losses due to color angular distortion.
  • the figure shows a figure explaining the design of the white LED.
  • the white LED contains a light-emitting element 1 of blue or ultraviolet color, made on an InGaN crystal and coated on the outside with a transparent gel layer 2 deposited directly on the light-emitting element 1.
  • a layer of a gel-phosphor mixture is applied to layer 2 from the outside to convert part of the energy of blue radiation to the energy of yellow radiation.
  • ⁇ ( ⁇ , ⁇ ) is the thickness of the gel phosphor lens
  • TC the color temperature of the radiation emerging from the LED
  • R is the inner radius (radius of the notch) of the aspherical lens
  • R (e, P) is the outer radius of the aspherical lens
  • ⁇ is the direction of measuring the radiation intensity of the LED relative to its central axis in elevation
  • ⁇ is the azimuthal direction of measuring the radiation intensity of the LED relative to its central axis
  • j j (e,) is the intensity of the blue radiation of the light-emitting element
  • F ⁇ nj ⁇ is the function of the dependence of the color temperature of the radiation emerging from the LED.
  • the numerical value of the function F ⁇ n, j ⁇ depends on the density of the phosphor, the intensity of the blue radiation of the light-emitting element at the angles ⁇ and ⁇ , and its geometric parameters.
  • the form of the function F ⁇ n, j ⁇ and the specific value of its parameters (K4) are determined empirically at the experimental stand of Infoled LLC for each InGaN crystal.
  • the light emitting element 1 When current flows through the light emitting element 1, the latter emits light in the blue region of the visible spectrum, which passes through the transparent gel layer 2 and is scattered in the front hemisphere (180 °) without loss of photon energy due to re-reflection due to the exclusion of reflective elements from the LED design.
  • the scattered radiation of blue with an increased area of blue glow along compared with the radiating area of the crystal 1 from layer 2 through the interface of radius R penetrates into the lens 3.
  • Phosphor particles located in the lens 3 partially absorb the specified radiation, convert the energy received and during the luminescence process emit light in another (for example, yellow) region of the visible spectrum, changing the color of the radiation, in particular, in such a way that the total radiation is perceived by a person as white light.
  • the brightness of crystal 1 is compensated for by the vertical angle ⁇ with a decrease in the number of phosphor particles in lens 3 along the path of the propagation of blue photons, the total radiation of which is perceived by humans as white light in the entire upper hemisphere of the LED.
  • the design of the white LED is developed at the level of the prototype. Based on this design, prototypes of various modifications of luminaires for outdoor and indoor lighting are currently developed. The measurement results showed that the radiation intensity of the white LED of the proposed design increased by 10%, and the unevenness of the color temperature decreased significantly and amounted to ⁇ 100 degrees K.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света, преимущественно к светодиодам белого свечения. Светодиод белого свечения содержит светоизлучающий элемент 1 синего или ультрафиолетового цвета, выполненный на кристалле InGaN и покрытый с внешней стороны слоем 2 прозрачного геля, нанесенным непосредственно на светоизлучающий элемент 1. Для увеличения выхода излучения из светоизлучающего элемента 1 слой 2 выполнен с показателем к=к1>1.4 преломления максимально приближенным к показателю к=к2 преломления светоизлучающего элемента, разность значений которых к2-к1=min. Кроме того, нанесение слоя прозрачного геля непосредственно на светоизлучающий элемент позволяет увеличить выход излучения из кристалла. С внешней стороны прозрачного геля установлена асферическая линза из гель-люминофорной смеси с параметрами, обеспечивающими получение равномерного белого свечения с одинаковой цветовой температурой независимо от угла наблюдения излучения светодиода. Светодиод обладает повышенной яркостью белого свечения за счет снижения потерь на угловые искажения цветности, в его оптических элементах и на оптических переходах последних.

Description

Светодиод белого свечения
Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света, преимущественно к светодиодам белого свечения.
В современных светодиодах белого свечения [WO 2006059828, US 6069440, JP 200323451 1, RU 103892, RU 86795, RU 2007137160, RU 2002129264, RU 2379787, RU 2009128178, RU 2313157, RU 2219622, RU 2265917, RU 2416841, RU 2408816, RU 2251761, RU 2331951] используется полупроводниковый светоизлучающий элемент (светодиодный кристалл), излучающий свет в синей области видимого спектра, установленный в рефлекторном отражателе света и покрытый с внешней стороны слоем гель-люминофорной смеси или в линзовой системе, частично поглощающий синее или ультрафиолетовое излучение и, в свою очередь, излучающий свет в зеленой, желтой, оранжевой или красной области видимого спектра, так что суммарное излучение светодиода воспринимается человеком как белый свет в области диаграммы направленности оптической системы.
Общим недостатком известных светодиодов белого свечения является неравномерность вышедшего из оптической системы излучения по цветовой температуре.
Наиболее близким из известных по назначению и технической сущности к заявляемому изобретению относится светодиод белого свечения [RU 2331951], содержащий светоизлучающий элемент синего цвета, покрытый с внешней стороны слоем гель-люминофорной смеси для преобразования части энергии синего излучения в энергию желтого излучения и слоем прозрачного геля.
При этом светоизлучающий элемент установлен в нижней части чаши рефлектора (отражатель света). Чаша рефлектора над светоизлучающим элементом синего цвета залита слоем гель- люминофорной смеси для формирования над отражателем суммарного излучения в виде белого света. Слой прозрачного геля установлен над гель-люминофорной смесью и накрыт дополнительной оптической линзой.
Недостатком известного светодиода является пониженная яркость белого свечения из-за потери энергии фотонов синего цвета на отражателе рефлектора, из-за искажения угловой цветности светодиода и оптических потерь в дополнительной линзе.
Задачей заявляемого изобретения является повышение яркости свечения светодиода белого свечения с равномерным распределением его света по цветовой температуре.
Техническим результатом, обеспечивающим решение этой задачи, является снижение потерь энергии белого цвета светодиода.
Достижение заявленного технического решения и, как следствие, решение поставленной задачи, обеспечивается тем, что светодиод белого свечения, содержащий светоизлучающий элемент синего цвета, покрытый с внешней стороны слоем гель-люминофорной смеси для преобразования части энергии синего излучения в энергию желтого излучения и слоем прозрачного геля, согласно изобретению, слой прозрачного геля нанесен непосредственно на светоизлучающий элемент, а слой гель-люминофорной смеси нанесен поверх слоя прозрачного геля и выполнен в виде асферической линзы с возможностью получения равномерного белого свечения с одинаковой цветовой температурой независимо от угла наблюдения излучения светодиода.
При этом асферическая линза для получения равномерного белого свечения с одинаковой цветовой температурой независимо от угла наблюдения излучения светодиода содержит выпуклую линзу с полусферической выемкой в нижней ее части и уменьшающейся толщиной от центра к периферии с параметрами: D (ε,β) = R(e, ) - R,
Тц = F{n,j }= const,
ε = {0-90},
β = {0-180},
где:
ϋ(ε,β) - толщина гель-люминофорной линзы;
Тц - цветовая температура выходящего из светодиода излучения;
R - внутренний радиус асферической линзы;
R(e,p) - внешний радиус асферической линзы;
ε - направление измерения интенсивности излучения светодиода относительно его центральной оси по углу места;
β - азимутальное направление измерения интенсивности излучения светодиода относительно его центральной оси;
п - удельная плотность люминофора в гель— люминофорной линзе; j = j(e,P) -интенсивность синего излучения светоизлучающего элемента;
F{n,j} - функция зависимости цветовой температуры выходящего из светодиода излучения от плотности люминофора и интенсивности синего излучения светоизлучающего элемента.
Слой прозрачного геля, нанесенный на светоизлучающий элемент, выполнен с коэффициентом преломления к > 1.4.
Нанесение слоя прозрачного геля непосредственно на светоизлучающий элемент позволяет увеличить выход излучения из кристалла. Кроме того, исключение рефлекторного отражателя позволяет уменьшить потери энергии фотонов света при их отражении от стенок рефлектора и, как следствие, повысить яркость светодиода.
Кроме того, выполнение асферической линзы уменьшающейся толщины Ο(ε,β) по углу ε от центра к периферии позволяет уменьшать количество люминофорных частиц на пути распространения фотонов синего цвета и пропорционально компенсировать уменьшение их энергии в боковом направлении ε относительно центральной оси светодиода. Этим обеспечивается получение белого цвета с одинаковой цветовой температурой светодиода независимо от значения вертикального угла ε его наблюдения относительно центральной оси светодиода. Следствием этого является дополнительное повышение яркости белого свечения светодиода за счет снижения потерь на угловые искажения цветности. Исключение из конструкции светодиода дополнительной линзы исключает связанные с ней потери световой энергии как в самой линзе, так на переходе между линзой и прозрачным гелиевым слоем. Это дополнительно позволяет повысить яркость светодиода белого свечения. Выполнение слоя прозрачного геля, нанесенного на светоизлучающий элемент с коэффициентом преломления п > 1.4, позволяет уменьшить потери энергии на оптическом переходе кристалл - прозрачный гель и, тем самым, дополнительно увеличить яркость свечения светодиода.
В целом указанные технические преимущества позволяют обеспечить достижение заявленного технического результата и решить поставленную техническую задачу.
На фигуре представлен рисунок, поясняющий конструкцию светодиода белого свечения.
Светодиод белого свечения содержит светоизлучающий элемент 1 синего или ультрафиолетового цвета, выполненный на кристалле InGaN и покрытый с внешней стороны слоем 2 прозрачного геля, нанесенным непосредственно на светоизлучающий элемент 1. Для увеличения выхода излучения из светоизлучающего элемента 1 слой 2 выполнен с показателем к = Κι >1.4 преломления максимально приближенным к показателю к = кг преломления светоизлучающего элемента, разность значений которых к2— К\ = min. На слой 2 с внешней стороны нанесен слой гель-люминофорной смеси для преобразования части энергии синего излучения в энергию желтого излучения. Слой гель-люминофорной смеси выполнен в виде асферической гель-люминофорной линзы 3 с параметрами: D (ε,β) = R(e,p) - R, О)
Тц = F{nj} = const, (2)
ε = {0-90}, (3)
β = {0-180}, (4)
где:
ϋ(ε,β) - толщина гель-люминофорной линзы;
Тц - цветовая температура выходящего из светодиода излучения; R - внутренний радиус (радиус выемки) асферической линзы;
R(e,P) - внешний радиус асферической линзы;
ε - направление измерения интенсивности излучения светодиода относительно его центральной оси по углу места;
β - азимутальное направление измерения интенсивности излучения светодиода относительно его центральной оси;
п - удельная плотность люминофора в гель - люминофорной линзе; j = j(e, ) -интенсивность синего излучения светоизлучающего элемента;
F{nj} - функция зависимости цветовой температуры выходящего из светодиода излучения.
Численное значение функции F{n,j} зависит от плотности люминофора, интенсивности синего излучения светоизлучающего элемента по углам ε и β и геометрических его параметров. Вид функции F{n,j} и конкретное значение ее параметров (К4) определяется опытным путем на экспериментальном стенде ООО «Инфолед» для каждого кристалла InGaN.
Светодиод белого свечения работает следующим образом.
При протекании тока через светоизлучающий элемент 1 последний излучает свет в синей области видимого спектра, который проходит через слой 2 прозрачного геля и рассеивается в передней полусфере (180 °) без потерь энергии фотонов на переотражение за счет исключения из конструкции светодиода отражательных элементов. Далее рассеянное излучение синего цвета с увеличенной площадью синего свечения по сравнению с излучающей площадью кристалла 1 из слоя 2 через границу раздела радиусом R проникает в линзу 3. Люминофорные частицы, находящиеся в линзе 3 частично поглощают указанное излучение, преобразуют полученную энергию и в ходе процесса люминесценции излучают свет в другой (например - желтой) области видимого спектра, изменяя цветность излучения, в частности, таким образом, что суммарное излучение воспринимается человеком как белый свет. За счет уменьшения толщины D (ε,β) асферической линзы 3 от центральной оси 4 к периферии обеспечивается компенсация снижения яркости кристалла 1 по вертикальному углу ε с уменьшением числа частиц люминофора в линзе 3 на пути распространения фотонов синего цвета, суммарное излучение которого воспринимается человеком как белый свет во всей верхней полусфере светодиода.
Конструкция светодиода белого свечения разработана на уровне опытного образца. На основе этой конструкции в настоящее время разработаны опытные образцы различных модификаций светильников для наружного и внутреннего освещения. Результаты измерений показали, что интенсивность излучения светодиода белого свечения предложенной конструкции увеличилась на 10%, а неравномерность цветовой температуры значительно снизилась и составила ± 100 град К.

Claims

Формула изобретения
1. Светодиод белого свечения, содержащий светоизлучающий элемент синего цвета покрытый с внешней стороны слоем гель- люминофорной смеси для преобразования части энергии синего излучения в энергию желтого излучения и слоем прозрачного геля, отличающийся тем, что слой прозрачного геля нанесен непосредственно на светоизлучающий элемент, а слой гель-люминофорной смеси нанесен поверх слоя прозрачного геля и выполнен в виде асферической линзы с возможностью получения равномерного белого свечения с одинаковой цветовой температурой независимо от угла наблюдения излучения светодиода.
2. Светодиод по п. 1, отличающийся тем, что асферическая линза для получения равномерного белого свечения с одинаковой цветовой температурой независимо от угла наблюдения излучения светодиода содержит выпуклую линзу с полусферической выемкой в нижней ее части и уменьшающейся толщиной от центра к периферии с параметрами:
D (ε,β) = ΙΙ(ε,β) - R,
Тц = F{n,j}= const,
ε = {0-90},
β = {0-180},
где:
Ο(ε,β) - толщина гель-люминофорной линзы;
Тц - цветовая температура выходящего из светодиода излучения;
R - внутренний радиус асферической линзы;
Ι (ε,β) - внешний радиус асферической линзы;
ε - направление измерения интенсивности излучения светодиода относительно его центральной оси по углу места;
β - азимутальное направление измерения интенсивности излучения светодиода относительно его центральной оси;
п - удельная плотность люминофора в гель - люминофорной линзе; j = j(s,p) -интенсивность синего излучения светоизлучающего элемента;
F{n,j} - функция зависимости цветовой температуры выходящего из светодиода излучения от плотности люминофора и интенсивности синего излучения светоизлучающего элемента.
3. Светодиод по п. 1, отличающийся тем, что слой прозрачного геля, нанесенный на светоизлучающий элемент, выполнен с коэффициентом преломления к > 1.4.
PCT/RU2012/000174 2012-03-15 2012-03-15 Светодиод WO2013137761A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2012/000174 WO2013137761A1 (ru) 2012-03-15 2012-03-15 Светодиод

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2012/000174 WO2013137761A1 (ru) 2012-03-15 2012-03-15 Светодиод

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013137761A1 true WO2013137761A1 (ru) 2013-09-19

Family

ID=49161538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2012/000174 WO2013137761A1 (ru) 2012-03-15 2012-03-15 Светодиод

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2013137761A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105810806A (zh) * 2016-04-22 2016-07-27 江门市迪司利光电股份有限公司 一种色温均匀散热性良好的led封装结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110089455A1 (en) * 2007-06-27 2011-04-21 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
US20110128745A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. Lens and led module using the same
US20120014115A1 (en) * 2010-01-07 2012-01-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Aspherical led lens and light emitting device including the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110089455A1 (en) * 2007-06-27 2011-04-21 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
US20110128745A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. Lens and led module using the same
US20120014115A1 (en) * 2010-01-07 2012-01-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Aspherical led lens and light emitting device including the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105810806A (zh) * 2016-04-22 2016-07-27 江门市迪司利光电股份有限公司 一种色温均匀散热性良好的led封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6006547B2 (ja) 照明装置及びこれに用いるレンズシート
US10344950B2 (en) Light emitting arrangement with controlled spectral properties and angular distribution
CA2792869A1 (en) Scattered-photon extraction-based light fixtures
CN104712938B (zh) 大角度led灯
US9632295B2 (en) Flood optic
CN102788268B (zh) Led球泡灯
CN102644864A (zh) 发光装置及使用该发光装置的照明器具
CN101012916A (zh) 一种以led为光源的灯具
WO2010113098A1 (en) Reflector with mixing chamber
CN102679194B (zh) Led灯具
JP6238200B2 (ja) 照明器具
JP2013045530A (ja) 発光装置及び照明器具
US9638397B2 (en) Lighting apparatus and method for emitting light having different color temperatures
CN104806978A (zh) 具光色混合腔的高光束准直性发光模块
KR101069690B1 (ko) 측광원에 의해 발광하는 비구면렌즈를 이용한 엘이디 조명장치
WO2013137761A1 (ru) Светодиод
RU116602U1 (ru) Светодиод "инфолед"
TW201239264A (en) Method for color mixing
CN102606900B (zh) 一种色温可调的白光led光源
CN102606898B (zh) 一种色温可调的白光led光源及其应用
CN104075213B (zh) 一种汽车led远光灯的光学结构
CN104659195B (zh) 一种反射式白光led光源
RU2565419C1 (ru) Светоизлучающее тело и светодиодное осветительное устройство, содержащее такое тело
JP7053968B2 (ja) 固体ランプ
CN202152940U (zh) 一种使用折射灯罩的led救生定位灯

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12871293

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12871293

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1