WO2013129468A1 - Czts半導体薄膜の製造方法及び光電変換素子 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 68
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 18
- 239000011135 tin Substances 0.000 abstract description 15
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002475 Cu2ZnSnS4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02557—Sulfides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0057—Reactive sputtering using reactive gases other than O2, H2O, N2, NH3 or CH4
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/0256—Selenides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0326—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising AIBIICIVDVI kesterite compounds, e.g. Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnS4
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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Definitions
- the present invention relates to a method for producing a CZTS semiconductor thin film using a reactive sputtering method and a photoelectric conversion element.
- Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) semiconductors are composed of resource-rich and environmentally friendly elements, and are expected to be materials for high-efficiency thin-film solar cells because they are direct transition and have a suitable band gap for the solar spectrum. Has been. So far, solar cells using a reactive sputtering method to form a CZTS film and using it as a power generation layer have been reported (see, for example, Non-Patent Documents 1 and 2 and Patent Document 1).
- Non-Patent Document 1 Cu, Zn, and Sn metal elements are each set as a target in a film forming chamber, and serve as a reactive gas and a working gas.
- the CZTS film is formed while flowing 100% pure hydrogen sulfide (H 2 S) gas.
- a CZTS film is formed while flowing a mixed gas having a H 2 S / Ar ratio of 14% / 86% using Cu, Zn, and Sn as single targets. It is filming.
- Patent Document 1 uses a single-phase polycrystalline CZTS sintered target to form a CZTS thin film by sputtering in an atmosphere containing only Ar gas without introducing hydrogen sulfide gas.
- Patent Document 1 forms a CZTS film based on the idea that all raw materials for the CZTS film are obtained from the target. For this reason, the atmosphere of only Ar gas is used without introducing hydrogen sulfide gas.
- Non-Patent Documents 1 and 2 when adopting a film forming method in which each of Cu, Zn, and Sn is used as a target and sulfur (S) is supplied from hydrogen sulfide (H 2 S) gas, a plurality of methods are used.
- Target must be placed in the chamber. Since each target is made of metal, it takes a very long time to hit the target by plasma reaction. For this reason, the structure of the film forming apparatus is complicated, and it takes time to form the film.
- the uniformity of the reaction between the plasma of each metal element and the plasma derived from H 2 S gas is a problem, and it is expected that it will be difficult to form a CZTS thin film having a targeted composition. In particular, non-uniformity becomes a problem during large-area film formation.
- the CZTS thin film produced by the method of Patent Document 1 has a small crystal grain size and low surface flatness, as described later in Comparative Examples, and a satisfactory photoelectric conversion element was not obtained. This is presumably because the crystal growth of the CZTS thin film did not proceed sufficiently and only an incomplete film was obtained. Therefore, the inventor has stricter control of the composition ratio of the CZTS thin film by introducing hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas, which is generally considered to be extra, into the sputtering process when forming a film using a CZTS sintered target. Therefore, it was expected that a CZTS thin film composed of high-quality crystals could be obtained.
- the present invention provides a method for producing a CZTS semiconductor thin film capable of forming a uniform thin film with a desired composition quickly in time with a simple production apparatus when forming a CZTS film. It is something to try.
- the present inventor uses a CZTS sintered target at the time of forming a CZTS film, and introduces hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas into the sputtering process as an atmospheric gas, thereby quickly in a simple process. And it discovered that a high quality CZTS film
- the present invention is a method for producing a CZTS semiconductor thin film, in which a CZTS sintered target composed of Cu, Zn, Sn and S is prepared, the target and a substrate are arranged in a chamber, and hydrogen sulfide gas
- a method of forming a CZTS semiconductor thin film on the substrate using a reactive sputtering method by introducing hydrogen selenide gas into the chamber and applying AC power between the target and the substrate is provided. It is.
- the introduction amount of hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas is preferably 20 to 95% of the total gas introduction amount including hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas and an inert gas. More preferably, it is 40 to 90%.
- the pressure in the chamber during reactive sputtering is preferably 0.5 to 50 Pa. By setting the pressure to 0.5 Pa or more, the shortage of the S composition ratio in the CZTS thin film can be suppressed, and by setting the pressure to 50 Pa or less, problems such as device corrosion can be suppressed, and a CZTS thin film with good quality can be obtained. .
- the substrate temperature during reactive sputtering is preferably 50 to 300 ° C. By adjusting the temperature to 50 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, the adhesion between the substrate and the CZTS can be improved, and the quality of the CZTS thin film can be improved.
- a single CZTS sintered target is prepared, and hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas is used as the atmospheric gas, so that a rapid CZTS semiconductor thin film can be formed in only one step.
- the manufactured CZTS semiconductor thin film has an excellent effect that the surface roughness is improved.
- the manufactured CZTS semiconductor thin film has the outstanding effect that a crystal grain diameter improves.
- the hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas When mixed with an inert gas, the hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas has a reduced partial pressure, which reduces toxicity and corrosivity, protects the health of the operator, and protects the various equipment in the chamber and the attached vacuum. Pumps can be protected from corrosion.
- a photoelectric conversion element can be manufactured using the CZTS semiconductor thin film manufactured by this invention.
- FIG. 5 is a schematic view showing the internal arrangement of the sputtering film forming chamber 1 used in the method for producing a CZTS semiconductor thin film of the present invention.
- reference numeral 2 denotes a substrate for forming the CZTS semiconductor thin film
- 11 denotes a substrate holder for placing the substrate 2
- 12 denotes a heater for heating the substrate 2.
- the substrate 2, the substrate holder 11, and the heater 12 are connected to the outer wall of the sputtering film forming chamber 1 and are electrically grounded.
- a thermocouple (not shown) is attached to the substrate holder 11 so that the temperature of the substrate 2 can be measured.
- a backing plate 13 is installed facing the substrate holder 11.
- the CZTS target 3 is placed thereon.
- Reference numeral 14 denotes an electrode that is disposed under the backing plate 13 and applies a high-frequency magnetic field.
- a high-frequency power source 16 such as a magnetron is connected to the electrode 14 via a matching circuit 15. Further, the sputtering film forming chamber 1 is provided with a gas introduction port 17 and an exhaust port 18.
- the substrate 2 is formed by forming a thin film with high electrical conductivity and high adhesion to the glass plate on one surface of a glass plate such as SLG or quartz glass.
- a conductive thin film may be used as long as it satisfies the above-described properties.
- a Mo thin film or a Si thin film may be used. If a glass plate on which this Mo thin film or Si thin film is formed is used, when a solar cell using a CZTS semiconductor thin film as a power generation layer is produced, the conductive thin film becomes the lower electrode, which is preferable.
- the Mo thin film and the Si thin film have a crystal lattice constant close to that of the CZTS semiconductor thin film, it is advantageous for growing the CZTS semiconductor thin film.
- a polymer film, a polymer plate formed with a conductive thin film, or a metal foil may be used.
- a CZTS sintered body composed of Cu, Zn, Sn and S is prepared.
- a CZTS target for example, a separately prepared CZTS crystal is pulverized and then solidified by hot pressing, or Cu, Zn and Sn sulfide powders are mixed and solidified by hot pressing. Can be used.
- the substrate 2 is placed on the substrate holder 11, the CZTS target 3 is placed on the backing plate 13, and hydrogen sulfide (H 2 S) or while maintaining the pressure in the sputtering film forming chamber 1 at 0.5 Pa to 50 Pa.
- Hydrogen selenide (H 2 Se) is introduced through the gas inlet 17. It is preferable to introduce by mixing with argon (Ar).
- the substrate 2 is preferably heated to a range of 50 ° C. to 300 ° C. by the heater 12.
- the temperature of the substrate 2 is preferably 50 ° C. or more and 300 ° C. or less.
- the adhesion between the substrate and the CZTS thin film can be improved.
- the quality of the CZTS thin film can be improved.
- 100 ° C. to 280 ° C. is more preferable.
- the atmospheric pressure in the film forming chamber 1 is preferably 0.5 Pa to 50 Pa. If it is 0.5 Pa or more, it is possible to prevent the S composition ratio in the CZTS thin film from being insufficient, and by setting it to 50 Pa or less, it is possible to further suppress corrosion of the apparatus and to obtain a CZTS thin film with better quality. . At this time, the pressure is more preferably 1 Pa to 40 Pa.
- the reaction gas it is preferable to use a mixture of hydrogen sulfide gas or hydrogen selenide gas and an inert gas.
- the inert gas the aforementioned Ar gas, nitrogen gas, or the like can be used.
- the introduction amount of the hydrogen sulfide gas or the hydrogen selenide gas is preferably 20 to 95% of the total introduction amount of the hydrogen sulfide gas or the hydrogen selenide gas and the inert gas. More preferably, it is 40 to 90%.
- the shortage of S component or Se component in the thin film obtained by making it 20% or more can be suppressed.
- by setting it as 95% or less corrosion of an apparatus can be suppressed, and when using a board
- the high frequency power supply 16 is driven to apply high frequency power to the electrode 14.
- the high-frequency power applied to the electrode 14 depends on the device to be used and cannot be determined unconditionally. However, typically, the high-frequency power is preferably adjusted in the range of 50 to 400 W.
- the film forming time can be shortened by setting it to 50 W or more, and the quality of the CZTS thin film can be stabilized by setting it to 400 W or less.
- An ionized plasma is generated between the substrate 2 and the CZTS target 3.
- the components Cu, Zn, Sn and S of the CZTS target 3 are ionized and deposited on the surface of the substrate 2 having a low potential, thereby forming a CZTS semiconductor thin film on the substrate 2.
- the high frequency power applied to the electrode 14 and / or the application time is preferably adjusted so that the formed CZTS semiconductor thin film has a thickness in the range of 0.4 ⁇ m to 2 ⁇ m.
- a thin film type photoelectric conversion element using the CZTS semiconductor thin film manufactured through the above steps first, it has a conductivity type different from that of the CZTS semiconductor thin film, and a semiconductor junction is formed at the interface with the CZTS semiconductor thin film.
- a second semiconductor thin film to be formed is deposited on the CZTS semiconductor thin film.
- cadmium sulfide (CdS), zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), or the like is preferably used.
- a transparent conductive film made of ITO (indium tin oxide), AZO (ZnO: Al 2 O 3 ), ZnO (zinc oxide) or the like having high conductivity and low light absorption is formed thereon.
- a texture for reducing surface reflection may be formed on the transparent conductive film to give an antireflection effect.
- a current collecting electrode such as silver (Ag) or aluminum (Al) for taking out the generated current on the transparent conductive film.
- the current collecting electrode can be formed by using a vacuum deposition method, a screen printing method, a plating method, or the like.
- a CZTS film is produced by RF magnetron sputtering using a CZTS sintered target on a soda lime glass (SLG) substrate having a Mo thin film deposited to a thickness of about 0.4 ⁇ m. Filmed.
- the composition ratio of the CZTS sintered target was Cu 1.67 Zn 1.07 Sn 0.89 S 4 .
- the film forming conditions are a substrate temperature of 230 ° C. and a magnetron power of 200 W. H 2 S gas and Ar gas were mixed and used as the sputtering gas.
- the atmospheric pressure was 20 Pa.
- the film thickness of the CZTS film formed in both the example and the comparative example was about 1 ⁇ m according to the stylus method.
- 1A and 1B show SEM surface images of a CZTS film according to Comparative Example 1 formed only with Ar gas.
- FIG. 1A is an enlarged view of FIG. 1B.
- 2A and 2B show SEM surface images of the CZTS film according to Example 3 using a mixed gas of H 2 S gas and Ar gas.
- FIG. 2A is an enlarged view of FIG. 2B.
- the surface of the CZTS film is basically composed of crystal grains of about 10 to 20 nm, but in the case of Comparative Example 1 (FIGS. 1A and 1B), locally agglomerated and raised portions were observed. .
- Example 3 in which H 2 S gas was added to Ar gas, as shown in FIGS. 2A and 2B, a CZTS film in which columnar crystal grains of about 100 nm were densely arranged was obtained.
- a CZTS semiconductor thin film manufactured by adding H 2 S gas to Ar gas has a larger crystal particle diameter, improved surface roughness, and a uniform surface.
- FIG. 3 is a graph showing the XRD intensity of the surface of the CZTS film in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 (the horizontal axis is the diffraction angle in the direction with the (112) plane). Both Example and Comparative Example show strong (112) orientation.
- FIG. 4 is a graph obtained by accurately measuring and plotting the half width of the (112) peak. As can be seen from FIG. 4, as compared with Comparative Example 1 without addition of H 2 S, according to Examples 1 to 4 with the addition of H 2 S, which reduces the half-value width of (112) peak. This is consistent with the increasing tendency of the crystal grains in the SEM images (FIGS. 1A, 1B, 2A, and 2B). Therefore, it can be seen that [H 2 S] is preferably 0.25 or more as in Examples 1 to 4. From FIG. 4, this effect is recognized when [H 2 S] is 0.2 or more, that is, the amount of H 2 S introduced is about 20% or more.
- [H 2 S] is increased to 0.5 or more as in the first to third embodiments, the full width at half maximum is further decreased as compared with the fourth embodiment. Therefore, as in Examples 1 to 3, it is more preferable that [H 2 S] is 0.5 or more. From FIG. 4, this effect is recognized when [H 2 S] is 0.4 or more, that is, the amount of H 2 S introduced is about 40% or more. Note that the [H 2 S] as in Examples 1 and 2, it is found be increased up to 1 exceeds 0.5 that this effect is equivalent.
- Example 3 elemental composition analysis of the CZTS film was performed on Example 3 and Comparative Example 1 by energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX).
- EDX energy dispersive X-ray spectroscopy
- Table 1 shows the composition ratio in the film obtained from the EDX measurement.
- “at%” is an abbreviation of “atom%” and means the ratio of the number of corresponding element atoms to the total number of element atoms.
- Comparative Example 1 it can be seen that there is a shift in the composition ratio of Zn and Sn, which should be included to the same extent, and the Zn content is extremely reduced. As the solar cell has a higher Zn content, the characteristics are superior. Therefore, in Comparative Example 1, it can be said that a CZTS thin film unsuitable as a solar cell has been formed.
- Example 3 to which H 2 S was added, the composition ratio of Zn and Sn was a close value, and a CZTS thin film convenient for a solar cell was obtained.
- Photoelectric conversion element 10 shown in FIGS. 6A and 6B was produced according to the following procedure.
- a CZTS film (light absorption layer 16) was formed on the SLG substrate 12 on which the Mo thin film 14 was deposited to a thickness of about 1 ⁇ m by RF magnetron sputtering using a CZTS sintered target.
- the composition ratio of the CZTS sintered target was Cu 2 Zn 1.3 Sn 1.1 S 4.38 .
- the film forming conditions are a substrate temperature of 230 ° C. and a magnetron power of 200 W.
- H 2 S gas and Ar gas were mixed and used as the sputtering gas.
- the atmospheric pressure was 2 Pa.
- FIG. 7 shows a schematic perspective view of the photoelectric conversion element 10 ′ thus manufactured.
- the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element 10 ′ was measured at an air mass (AM) of 1.5 G and a substrate temperature of 25 ° C. and found to be 3.7%.
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Abstract
CZTS焼結ターゲットを用い、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスを雰囲気ガスとして、反応性スパッタリング法を用いて基板上にCZTS半導体薄膜を製膜する方法を提供する。製膜方法は、Cu、Zn、Sn及びSから構成されるCZTS焼結ターゲットを用意し、チャンバ内に前記ターゲットと、基板とを配置し、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスをチャンバ内に導入し、前記ターゲットと基板との間に交流電力を印加して、製膜する。
Description
本発明は反応性スパッタリング法を用いたCZTS半導体薄膜の製造方法及び光電変換素子に関するものである。
Cu2ZnSnS4 (CZTS) 半導体は、資源豊富で環境調和性の高い元素で構成され、直接遷移型で太陽光スペクトルに対し好適なバンドギャップを有することから、高効率薄膜太陽電池の材料として期待されている。
これまでに、反応性スパッタリング法を用いてCZTS膜を製膜し、これを発電層として用いた太陽電池が報告されている(例えば、非特許文献1,2、特許文献1参照)。
これまでに、反応性スパッタリング法を用いてCZTS膜を製膜し、これを発電層として用いた太陽電池が報告されている(例えば、非特許文献1,2、特許文献1参照)。
非特許文献1に開示されている製膜方法では、製膜チャンバ内に、Cu,Zn,Snの金属単体をそれぞれターゲットとして設置し、反応(reactive)ガス及び作用(working)ガスとして働く、ほぼ100%の純度の硫化水素(H2S)ガスを流しながら、CZTS膜を製膜している。
非特許文献2に開示されている製膜方法では、Cu,Zn,Snの金属単体をそれぞれターゲットとして、H2S/Ar比が14%/86%の混合ガスを流しながら、CZTS膜を製膜している。
非特許文献2に開示されている製膜方法では、Cu,Zn,Snの金属単体をそれぞれターゲットとして、H2S/Ar比が14%/86%の混合ガスを流しながら、CZTS膜を製膜している。
非特許文献1,2ともに、Cu,Zn,Snの供給はターゲットから得ているが、硫黄(S)はターゲットに存在しない。そこで硫黄(S)の供給は硫化水素(H2S)ガスから受けるという考え方のもとで、CZTS膜を製膜している。
一方、特許文献1では単相多結晶CZTS焼結ターゲットを用いて、硫化水素ガスを導入せずにArガスのみの雰囲気で、スパッタリング法によりCZTS薄膜を形成している。
一方、特許文献1では単相多結晶CZTS焼結ターゲットを用いて、硫化水素ガスを導入せずにArガスのみの雰囲気で、スパッタリング法によりCZTS薄膜を形成している。
特許文献1は、CZTS膜の原料をすべてターゲットから得る、という考え方のもとでCZTS膜を製膜している。このため、硫化水素ガスを導入せずにArガスのみの雰囲気を用いている。
Fangyang. Liu et al. 「反応性マグネトロン・スパッタリング法を用いたCu2ZnSnS4薄膜の製造」"In situ growth of Cu2ZnSnS4 thin films by reactive magnetron co-sputtering", Solar Energy Materials & Solar Cells 94-12 (2010) pp. 2431-2434
Vardaan Chawla et al. 「リアクティブ・スパッタリング製膜法を用いた太陽電池用の安価、豊富で毒性のない薄膜」"Inexpensive, abundant, non-toxic thin films for solar cell applications grown by reactive sputtering" 35th IEEE PVSC, pp.1902-1905 (2010).
非特許文献1,2のように、ターゲットとしてCu,Zn,Snの各単体を採用し、硫黄(S)は硫化水素(H2S)ガスから供給するという製膜方法を採用する場合、複数のターゲットをチャンバ内に設置しなければならない。また各ターゲットは金属からなるため、プラズマ反応でターゲットを叩くのに非常に時間がかかる。このため製膜装置の構造が複雑になるとともに、製膜時間がかかるという問題があった。また各金属元素のプラズマとH2Sガス由来のプラズマの反応の均一性が問題であり、狙った組成のCZTS薄膜を形成させることが困難になることも予想される。特に大面積製膜時には不均一性が問題となる。
一方、特許文献1の方法で製造されたCZTS薄膜は、後に比較例に掲げるように、結晶粒径が小さく、また表面の平坦性も低く、光電変換素子として満足なものが得られなかった。これは、CZTS薄膜の結晶成長が十分に進行せず、不完全な膜しか得られなかったためであると考えられる。
そこで発明者は、CZTS焼結ターゲットを用いて製膜する場合、一般には余分と考えられる硫化水素ガス又はセレン化水素ガスをスパッタリング工程に導入することにより、CZTS薄膜の組成比のコントロールをより厳密に行い、ひいては高品質結晶から成るCZTS薄膜を得ることができるのではないかと予想した。
そこで発明者は、CZTS焼結ターゲットを用いて製膜する場合、一般には余分と考えられる硫化水素ガス又はセレン化水素ガスをスパッタリング工程に導入することにより、CZTS薄膜の組成比のコントロールをより厳密に行い、ひいては高品質結晶から成るCZTS薄膜を得ることができるのではないかと予想した。
本発明は、かかる実情に鑑み、CZTS膜の製膜時に、簡単な製造装置で時間的に速やかに、かつ狙いどおりの組成で均一な薄膜を形成させることができるCZTS半導体薄膜の製造方法を提供しようとするものである。
本発明者は、CZTS膜の製膜時に、CZTS焼結ターゲットを用いて、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスを雰囲気ガスとしてスパッタリング工程に導入することにより、簡単な工程で時間的に速やかに、かつ高品質のCZTS膜を形成することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明はCZTS半導体薄膜の製造方法であって、Cu、Zn、Sn及びSから構成されるCZTS焼結ターゲットを用意し、チャンバ内に前記ターゲットと、基板とを配置し、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスをチャンバ内に導入し、前記ターゲットと基板との間に交流電力を印加して、反応性スパッタリング法を用いて前記基板上にCZTS半導体薄膜を製膜する方法を提供するものである。
すなわち、本発明はCZTS半導体薄膜の製造方法であって、Cu、Zn、Sn及びSから構成されるCZTS焼結ターゲットを用意し、チャンバ内に前記ターゲットと、基板とを配置し、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスをチャンバ内に導入し、前記ターゲットと基板との間に交流電力を印加して、反応性スパッタリング法を用いて前記基板上にCZTS半導体薄膜を製膜する方法を提供するものである。
前記ターゲットの組成はCuVZnWSnXSY(ただしV=1.6~2.0、W=1.0~1.3、X=0.9~1.2、Y=3.6~4.4)であることが好ましい。このような組成比の場合に太陽電池としてデバイス化した場合の光電変換特性に優れる。
硫化水素ガス又はセレン化ガスを導入する際、不活性ガスと混合して導入することが好ましい。さらに硫化水素ガス又はセレン化水素ガスの導入量が、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスと不活性ガスとを含む全ガス導入量の20~95%であることが好ましい。40~90%であればさらに好ましい。20%以上とすることでS成分又はセレン(Se)成分の不足を抑制でき、また95%以下とすることで、装置の腐食や、電極付き基板を用いる場合、電極の絶縁化などを抑制することができる。
硫化水素ガス又はセレン化ガスを導入する際、不活性ガスと混合して導入することが好ましい。さらに硫化水素ガス又はセレン化水素ガスの導入量が、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスと不活性ガスとを含む全ガス導入量の20~95%であることが好ましい。40~90%であればさらに好ましい。20%以上とすることでS成分又はセレン(Se)成分の不足を抑制でき、また95%以下とすることで、装置の腐食や、電極付き基板を用いる場合、電極の絶縁化などを抑制することができる。
反応性スパッタリング時のチャンバ内圧力は0.5~50Paであることが好ましい。0.5Pa以上とすることでCZTS薄膜中のS組成比の不足を抑制でき、また50Pa以下とすることで装置腐食の問題等を抑制でき、良好な品質のCZTS薄膜を得ることが可能となる。
反応性スパッタリング時の基板温度は50~300℃が好ましい。50℃以上300℃以下とすることで、基板とCZTSとの密着性を向上させることができ、またCZTS薄膜の品質を向上させることができる。
反応性スパッタリング時の基板温度は50~300℃が好ましい。50℃以上300℃以下とすることで、基板とCZTSとの密着性を向上させることができ、またCZTS薄膜の品質を向上させることができる。
本発明によれば、CZTS製膜時に、単一のCZTS焼結ターゲットを用意し、雰囲気ガスとして硫化水素ガス又はセレン化水素ガスを用いるという、1ステップのみの工程で、速やかなCZTS半導体薄膜を製造することができる。
製造されたCZTS半導体薄膜は、表面粗さが改善されるという優れた効果を奏する。
また製造されたCZTS半導体薄膜は、結晶粒子径が向上するという優れた効果を奏する。
製造されたCZTS半導体薄膜は、表面粗さが改善されるという優れた効果を奏する。
また製造されたCZTS半導体薄膜は、結晶粒子径が向上するという優れた効果を奏する。
また不活性ガスと混合した際には、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスの分圧が低下するので毒性、腐食性が軽減し、取扱者の健康を守り、チャンバ内の各種器具や付属する真空ポンプ類を腐食から守ることができる。
また本発明により製造したCZTS半導体薄膜を用いて光電変換素子を製造することができる。
また本発明により製造したCZTS半導体薄膜を用いて光電変換素子を製造することができる。
本発明における上述の、又はさらに他の利点、特徴及び効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。なお、本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明のCZTS半導体薄膜の製造方法の実施形態の一例として、図5を参照しながら説明する。図5は、本発明のCZTS半導体薄膜の製造方法に用いるスパッタリング製膜室1の内部配置を示す模式図である。
本発明のCZTS半導体薄膜の製造方法の実施形態の一例として、図5を参照しながら説明する。図5は、本発明のCZTS半導体薄膜の製造方法に用いるスパッタリング製膜室1の内部配置を示す模式図である。
図5において、符号2はCZTS半導体薄膜を形成するための基板、11は基板2を載置するための基板ホルダー、12は基板2を加熱するヒータを示す。基板2、基板ホルダー11、ヒータ12は、スパッタリング製膜室1の外壁に接続され電気的に接地されている。基板ホルダー11には図示しない熱電対が取り付けられてあり、基板2の温度が測定可能となっている。
基板ホルダー11に対向して、バッキングプレート13が設置されている。CZTSターゲット3はその上に載置される。14は、バッキングプレート13の下部に配置され、高周波磁場を印加するための電極であり、この電極14に、マッチング回路15を介してマグネトロンなどの高周波電源16が接続されている。さらにスパッタリング製膜室1には、ガス導入口17と排気口18とが設けられている。
基板2は、SLGや石英ガラスなどのガラス板の一面に、電気伝導度が高くかつガラス板との密着性が高い薄膜を形成したものである。このような導電性薄膜としては前述した性質を満たせばどのようなものを用いても良いが、例えばMo薄膜,Si薄膜を採用しても良い。このMo薄膜やSi薄膜を形成したガラス板を用いれば、CZTS半導体薄膜を発電層とする太陽電池を製作した場合、導電性薄膜が下部電極となるので好ましい。また、Mo薄膜やSi薄膜は結晶の格子定数がCZTS半導体薄膜の結晶の格子定数に近いので、CZTS半導体薄膜を成長させるのに有利となる。基板としては前記ガラス板の他に、ポリマーフィルムやポリマー板に導電性薄膜を形成させたもの、あるいは金属箔などを用いることも可能である。
CZTSターゲット3としては、Cu、Zn、Sn及びSから構成されるCZTS焼結体を用意する。このようなCZTSターゲットとしては、例えば別途調整したCZTS結晶を粉砕した後熱プレスで固化させたものや、Cu、Zn、Snそれぞれの硫化物粉末を混合し、熱プレスで固化させたものなどを使用することができる。化学量論比のCZTS結晶はCu2ZnSnS4と表現されるが、太陽電池としての特性はCu組成比が少なめでZn組成比が多めのCZTSが優れる。より具体的にはCuVZnWSnXSY(ただしV=1.6~2.0、W=1.0~1.3、X=0.9~1.2、Y=3.6~4.4)が好ましい。
前記スパッタリング製膜室1の中でCZTS半導体薄膜を製造する工程の一実施形態を説明する。基板2を基板ホルダー11に載置し、CZTSターゲット3をバッキングプレート13上に設置し、スパッタリング製膜室1の中を0.5Pa~50Paの圧力に保ちながら、硫化水素(H2S)又はセレン化水素(H2Se)を、ガス導入口17を通して導入する。アルゴン(Ar)と混合して導入することが好ましい。
基板2は、ヒータ12によって50℃から300℃の範囲に加熱することが好ましい。基板2の温度は50℃以上300℃以下とすることにより、基板とCZTS薄膜との密着性を向上させることができる。さらにCZTS薄膜の品質を向上させることができる。特に100℃~280℃がより好ましい。
また、製膜室1の気圧は0.5Pa~50Paが好ましい。0.5Pa以上にするとCZTS薄膜中のS組成比が不足することを防ぐことができ、また50Pa以下とすることにより装置腐食をより抑制でき、またより良好な品質のCZTS薄膜を得ることができる。この際、圧力は1Pa~40Paがより好ましい。
また、製膜室1の気圧は0.5Pa~50Paが好ましい。0.5Pa以上にするとCZTS薄膜中のS組成比が不足することを防ぐことができ、また50Pa以下とすることにより装置腐食をより抑制でき、またより良好な品質のCZTS薄膜を得ることができる。この際、圧力は1Pa~40Paがより好ましい。
反応ガスとしては、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスと不活性ガスと混合して用いることが好ましい。
不活性ガスとしては、上述のArガスや窒素ガスなどを用いることができる。
この際、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスの導入量は、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスと不活性ガスとを含む全ガス導入量の20~95%であることが好ましい。40~90%であればさらに好ましい。20%以上にすることにより得られる薄膜中のS成分またはSe成分の不足を抑制することができる。また95%以下とすることにより装置の腐食を抑制でき、また電極付き基板を用いる場合には電極の絶縁化を抑制できる。
不活性ガスとしては、上述のArガスや窒素ガスなどを用いることができる。
この際、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスの導入量は、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスと不活性ガスとを含む全ガス導入量の20~95%であることが好ましい。40~90%であればさらに好ましい。20%以上にすることにより得られる薄膜中のS成分またはSe成分の不足を抑制することができる。また95%以下とすることにより装置の腐食を抑制でき、また電極付き基板を用いる場合には電極の絶縁化を抑制できる。
この状態で高周波電源16を駆動して、電極14に高周波電力を印加する。電極14に印加する高周波電力は使用する装置に依存するため一概には決定できないが、典型的には50~400Wの範囲に調節すると良い。50W以上にすることにより製膜時間を短くすることができ、また400W以下にすることによりCZTS薄膜の品質を安定化させることができる。
基板2とCZTSターゲット3との間に電離プラズマが発生する。このプラズマにより、CZTSターゲット3の成分Cu,Zn,Sn及びSを電離させて、電位の低い基板2の表面に堆積させることにより、基板2の上にCZTS半導体薄膜を形成する。形成されるCZTS半導体薄膜は、膜厚0.4μm~2μmの範囲になるように、電極14に印加する高周波電力及び/又は印加時間を調整することが好ましい。
以上の各工程を経て製造されたCZTS半導体薄膜を用いて、薄膜型の光電変換素子を製造するには、まずCZTS半導体薄膜と異なる導電型を有し、CZTS半導体薄膜との界面において半導体接合を形成する第二の半導体薄膜を、CZTS半導体薄膜上に堆積させる。第二の半導体薄膜の材料としては、硫化カドミウム(CdS)、酸化亜鉛(ZnO)、硫化亜鉛(ZnS)などが好適に用いられる。その上に導電性が高くかつ光吸収が少ない、ITO(酸化インジウム・スズ)、AZO(ZnO:Al2O3)、ZnO(酸化亜鉛)等の透明導電膜を形成する。透明導電膜に、表面反射を低減するためのテクスチャを形成して反射防止効果を持たせてもよい。さらに透明導電膜の上に、発電された電流を取り出すための銀(Ag)、アルミニウム(Al)等の集電用の電極を形成することが好ましい。集電用の電極は真空蒸着法、スクリーン印刷法、あるいは、メッキ法等を用いて形成することができる。以上のような工程を経て、本発明のCZTS半導体薄膜を用いた太陽電池などの光電変換素子が製作される。
(1)CZTS半導体薄膜の製造
約0.4μmの厚さにMo薄膜を蒸着したソーダライムガラス(SLG)基板上に、CZTS焼結ターゲットを用いて、RFマグネトロン・スパッタリング法により、CZTS膜を製膜した。
CZTS焼結ターゲットの組成比は、Cu1.67Zn1.07Sn0.89S4のものを採用した。製膜条件は、基板温度230℃、マグネトロン電力200Wである。H2SガスとArガスを混合し、これをスパッタガスとして用いた。雰囲気圧力は20Paとした。H2Sガスの全ガス導入量に対する割合は100%(分圧比[H2S]=1;実施例1)、80%([H2S]=0.8;実施例2)、50%([H2S]=0.5;実施例3)、25%([H2S]=0.25;実施例4)とした。
約0.4μmの厚さにMo薄膜を蒸着したソーダライムガラス(SLG)基板上に、CZTS焼結ターゲットを用いて、RFマグネトロン・スパッタリング法により、CZTS膜を製膜した。
CZTS焼結ターゲットの組成比は、Cu1.67Zn1.07Sn0.89S4のものを採用した。製膜条件は、基板温度230℃、マグネトロン電力200Wである。H2SガスとArガスを混合し、これをスパッタガスとして用いた。雰囲気圧力は20Paとした。H2Sガスの全ガス導入量に対する割合は100%(分圧比[H2S]=1;実施例1)、80%([H2S]=0.8;実施例2)、50%([H2S]=0.5;実施例3)、25%([H2S]=0.25;実施例4)とした。
比較例1として、Arガスのみ(H2Sガスの分圧比[H2S]=0)を用いて、前記と同様の条件で製膜を行った。
実施例、比較例ともに製膜されたCZTS膜の膜厚は触針法によれば約1μmであった。
図1A、図1Bに、Arガスだけで製膜した比較例1に係るCZTS膜のSEM表面像を示す。図1Aは図1Bの拡大図である。図2A、図2BにH2SガスとArガスの混合ガスを用いた実施例3に係るCZTS膜のSEM表面像を示す。図2Aは図2Bの拡大図である。
実施例、比較例ともに製膜されたCZTS膜の膜厚は触針法によれば約1μmであった。
図1A、図1Bに、Arガスだけで製膜した比較例1に係るCZTS膜のSEM表面像を示す。図1Aは図1Bの拡大図である。図2A、図2BにH2SガスとArガスの混合ガスを用いた実施例3に係るCZTS膜のSEM表面像を示す。図2Aは図2Bの拡大図である。
CZTS膜の表面は、基本的には10~20nm程度の結晶粒で構成されているが、比較例1(図1A、図1B)の場合、局所的に凝集し盛り上がっている箇所が観測された。一方、ArガスにH2Sガスを添加した実施例3では、図2A、図2Bに示すように、100nm程度の柱状結晶粒が密に並んだCZTS膜が得られた。この結果、ArガスにH2Sガスを添加して製造されたCZTS半導体薄膜のほうが、結晶粒子径が大きくなり、かつ表面粗さが改善され表面が一様になるということが分かった。
図3は、実施例1~4、比較例1においてCZTS膜の表面のXRD強度を示すグラフ(横軸は(112)面のある方向の回折角)である。実施例、比較例ともに強い(112)配向を示す。
図4は、(112)ピークの半値幅を正確に測定してプロットしたグラフである。図4から分かるように、H2Sを添加しない比較例1と比べて、H2Sを添加した実施例1~4によれば、(112)ピークの半値幅が減少している。これは、SEM像(図1A、図1B、図2A、図2B)における結晶粒の増大傾向と一致している。よって、実施例1~4のように[H2S]が0.25以上であることが好ましいことが分かる。図4からはこの効果は[H2S]が0.2以上、すなわちH2Sの導入量が20%以上のあたりから認められる。
図4は、(112)ピークの半値幅を正確に測定してプロットしたグラフである。図4から分かるように、H2Sを添加しない比較例1と比べて、H2Sを添加した実施例1~4によれば、(112)ピークの半値幅が減少している。これは、SEM像(図1A、図1B、図2A、図2B)における結晶粒の増大傾向と一致している。よって、実施例1~4のように[H2S]が0.25以上であることが好ましいことが分かる。図4からはこの効果は[H2S]が0.2以上、すなわちH2Sの導入量が20%以上のあたりから認められる。
また、実施例1~3のように[H2S]を0.5以上に増加すれば、実施例4に比べて半値幅がさらに減少する。よって、実施例1~3のように[H2S]が0.5以上であればより好ましいといえる。図4からはこの効果は[H2S]が0.4以上、すなわちH2Sの導入量が40%以上のあたりから認められる。なお、実施例1,2のように[H2S]を、0.5を超えて1まで増加させてもこの効果が同等であることがわかる。
次に、エネルギー分散型X線分光法(EDX)により、実施例3と比較例1について、CZTS膜の元素組成分析を行った。
EDX測定から求めた膜中組成比を表1に示す。表1でat%とはatom%の略であり、全元素原子数に対する該当元素原子数の割合を意味する。
比較例1のArのみの場合、本来同程度含まれるはずのZnとSnの組成比にずれが生じており、Zn含有量が極端に少なくなっていることがわかる。太陽電池としてはZn含有量が多い方が特性に優れるため、比較例1では太陽電池として不適なCZTS薄膜が形成されてしまっていると言える。これに対しH2Sを添加した実施例3の場合、ZnとSnの組成比が近い値となっており、太陽電池として好都合なCZTS薄膜が得られている。
比較例1のArのみの場合、本来同程度含まれるはずのZnとSnの組成比にずれが生じており、Zn含有量が極端に少なくなっていることがわかる。太陽電池としてはZn含有量が多い方が特性に優れるため、比較例1では太陽電池として不適なCZTS薄膜が形成されてしまっていると言える。これに対しH2Sを添加した実施例3の場合、ZnとSnの組成比が近い値となっており、太陽電池として好都合なCZTS薄膜が得られている。
(2)光電変換素子の製作
以下の手順に従い、図6A、図6Bに示す光電変換素子10を作製した。
(a)約1μmの厚さにMo薄膜14を蒸着したSLG基板12上に、CZTS焼結ターゲットを用いて、RFマグネトロン・スパッタリング法により、CZTS膜(光吸収層16)を形成した。CZTS焼結ターゲットの組成比は、Cu2Zn1.3Sn1.1S4.38のものを採用した。製膜条件は、基板温度230℃、マグネトロン電力200Wである。H2SガスとArガスを混合し、これをスパッタガスとして用いた。雰囲気圧力は2Paとした。H2Sガスの全ガス導入量に対する割合は25%([H2S]=0.25)とした。
以下の手順に従い、図6A、図6Bに示す光電変換素子10を作製した。
(a)約1μmの厚さにMo薄膜14を蒸着したSLG基板12上に、CZTS焼結ターゲットを用いて、RFマグネトロン・スパッタリング法により、CZTS膜(光吸収層16)を形成した。CZTS焼結ターゲットの組成比は、Cu2Zn1.3Sn1.1S4.38のものを採用した。製膜条件は、基板温度230℃、マグネトロン電力200Wである。H2SガスとArガスを混合し、これをスパッタガスとして用いた。雰囲気圧力は2Paとした。H2Sガスの全ガス導入量に対する割合は25%([H2S]=0.25)とした。
(b)前記SLG基板を大気圧、5%H2S+N2ガス雰囲気中で550℃、3時間熱処理した。
(c)前記熱処理後、基板を蒸留水に5分間漬けて洗浄した。
(d) CZTS膜16上にバッファ層としてCdS膜18を溶液成長法により形成した。
(c)前記熱処理後、基板を蒸留水に5分間漬けて洗浄した。
(d) CZTS膜16上にバッファ層としてCdS膜18を溶液成長法により形成した。
(e)CdS膜18上に窓層としてZnO膜20とITO膜20′をスパッタリング法により順次積層形成した。
(f)ITO膜20′の上に集電用電極としてAg膜からなる合計4個の櫛形電極22をマスク蒸着法により形成した。
(g)櫛形電極22がその内部に完全に入る5mm×8mmの升目(合計4個)を残して、升目の外の窓層20,20′、バッファ層18及び光吸収層16を削って除去し、Mo膜14を露出させた。このようにして作製した光電変換素子10′の模式的な斜視図を、図7に示す。
(f)ITO膜20′の上に集電用電極としてAg膜からなる合計4個の櫛形電極22をマスク蒸着法により形成した。
(g)櫛形電極22がその内部に完全に入る5mm×8mmの升目(合計4個)を残して、升目の外の窓層20,20′、バッファ層18及び光吸収層16を削って除去し、Mo膜14を露出させた。このようにして作製した光電変換素子10′の模式的な斜視図を、図7に示す。
ソーラーシミュレーターを用いエアマス(AM)1.5G、基板温度25℃にて前記光電変換素子10′の光電変換効率を測定したところ、3.7%であった。
一方、CZTS膜16の形成時にスパッタガスをArガスのみ([H2S]=0)とした以外は、前述と同様の手順に従い光電変換素子を作製した。この素子の光電変換特性を評価したが、変換効率は0%であった。
一方、CZTS膜16の形成時にスパッタガスをArガスのみ([H2S]=0)とした以外は、前述と同様の手順に従い光電変換素子を作製した。この素子の光電変換特性を評価したが、変換効率は0%であった。
1 スパッタリング製膜室
2 基板
3 CZTSターゲット
10,10′光電変換素子
12 SLG基板
14 Mo膜
16 CZTS膜
18 CdS膜
20 ZnO膜
20′ITO膜
22 Ag膜
2 基板
3 CZTSターゲット
10,10′光電変換素子
12 SLG基板
14 Mo膜
16 CZTS膜
18 CdS膜
20 ZnO膜
20′ITO膜
22 Ag膜
Claims (8)
- CZTS半導体薄膜の製造方法であって、
Cu、Zn、Sn及びSの組成を有するCZTS焼結ターゲットを用意し、
チャンバ内に前記ターゲットと、基板とを配置し、
硫化水素ガス又はセレン化水素ガスをチャンバ内に導入し、
前記ターゲットと基板との間に電圧を印加して、反応性スパッタリング法を用いて前記基板上にCZTS半導体薄膜を製膜する、方法。 - 前記ターゲットの組成がCuVZnWSnXSY(ただしV=1.6~2.0、W=1.0~1.3、X=0.9~1.2、Y=3.6~4.4)である、請求項1に記載のCZTS半導体薄膜の製造方法。
- 硫化水素ガス又はセレン化水素ガスを導入する際、不活性ガスと混合して導入する、請求項1に記載のCZTS半導体薄膜の製造方法。
- 硫化水素ガス又はセレン化水素ガスの導入量が、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスと不活性ガスとを含む全ガス導入量の20~95%である、請求項3に記載のCZTS半導体薄膜の製造方法。
- 硫化水素ガス又はセレン化水素ガスの導入量が、硫化水素ガス又はセレン化水素ガスと不活性ガスとを含む全ガス導入量の40~90%である、請求項3に記載のCZTS半導体薄膜の製造方法。
- 反応性スパッタリング時の前記チャンバ内の圧力が0.5~50Paである、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のCZTS半導体薄膜の製造方法。
- 反応性スパッタリング時の前記基板の温度が50℃~300℃である、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のCZTS半導体薄膜の製造方法。
- 請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のCZTS半導体薄膜の製造方法によって製造されたCZTS半導体薄膜を含む光電変換素子。
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JP2012-042197 | 2012-02-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2013129468A1 true WO2013129468A1 (ja) | 2013-09-06 |
Family
ID=49082662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/055116 WO2013129468A1 (ja) | 2012-02-28 | 2013-02-27 | Czts半導体薄膜の製造方法及び光電変換素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015096626A (ja) |
WO (1) | WO2013129468A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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