WO2013117359A1 - Halbleiterlampe mit rückwärtigem sockelbereich - Google Patents

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WO2013117359A1
WO2013117359A1 PCT/EP2013/050238 EP2013050238W WO2013117359A1 WO 2013117359 A1 WO2013117359 A1 WO 2013117359A1 EP 2013050238 W EP2013050238 W EP 2013050238W WO 2013117359 A1 WO2013117359 A1 WO 2013117359A1
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WO
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socket
base
semiconductor lamp
base portion
housing
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PCT/EP2013/050238
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English (en)
French (fr)
Inventor
Roland Becht
Eric Korndoerfer
Original Assignee
Osram Gmbh
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Publication date
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Priority to CN201380008037.2A priority patent/CN104094050B/zh
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/06Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R33/00Coupling devices specially adapted for supporting apparatus and having one part acting as a holder providing support and electrical connection via a counterpart which is structurally associated with the apparatus, e.g. lamp holders; Separate parts thereof
    • H01R33/90Coupling devices specially adapted for supporting apparatus and having one part acting as a holder providing support and electrical connection via a counterpart which is structurally associated with the apparatus, e.g. lamp holders; Separate parts thereof adapted for co-operation with two or more dissimilar counterparts
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Definitions

  • the invention relates to a semiconductor lamp, comprising a housing and at least one arranged on the housing
  • the housing has a rear base portion of an electrically non-conductive material for engaging in a socket and wherein the
  • Socket area at least one electrical contact element for contacting the socket is arranged.
  • the invention further relates to a method for producing a
  • Bayonet socket wherein the method has at least the steps of attaching the contact cap and connecting at least one power supply element.
  • the invention is particularly advantageous for use with retrofit lamps with bipin socket, Edison socket and / or bayonet socket. LED lamps of the type in question are often called
  • Sockets can be used.
  • retrofit lamps are adapted to a type of lamp to be replaced in each case
  • the object is achieved by a semiconductor lamp
  • the housing comprising a housing and at least one on the housing arranged semiconductor light source, wherein the housing has a rear base portion of an electrically
  • This semiconductor lamp has the advantage that with a same base area different socket types
  • Arrangement of electrical contact elements of at least two types of sockets is designed from that group, which group comprises at least one Edison socket, a bipin socket and a bayonet socket. As a result, a large part of semiconductor lamps can be easily socketed.
  • the base region has a first, terminal base section, which is configured for the frontal reception of bipin contact pins and for use in a bipin socket, and also has a second base section adjoining the terminal base section to the front, which has a larger diameter than the first base portion and for laterally plugging the electrical
  • This embodiment has the advantage that the bipin contact pins can be equipped without or with only very slight changes with respect to existing sockets and, in addition, caps of the Edison socket or bayonet socket can be fastened to the same socket area in a simple manner, at least by frictional engagement.
  • the first base portion has a height of about 12 mm and / or at least at a maximum height
  • Base section to be designed in accordance with the standard for use in a socket matching the biped socket.
  • the second base portion has a diameter of about 25 mm (in particular comprising 24.8 mm) and / or a height of about 7.5 mm.
  • a sufficiently tight fit is provided for caps having a diameter of 26 mm and 27 mm, e.g. of the type B22d, E26 and E27.
  • Base portion laterally has at least one recess into which (typically at least for the most part
  • the base portion may be configured to be optional as an E27 type Edison socket, as a GU10 or GZ10 type bipin socket, or as a
  • Bajonettsockel type B22d is ausgestaltbar.
  • the base portion is a lower housing portion of a driver housing provided for receiving a driver. This is how the
  • Housing portion of the driver housing has a support surface for the at least one semiconductor light source.
  • the semiconductor lamp is a retrofit lamp, in particular for lamps with a bipin socket, Edison socket and bayonet socket.
  • the semiconductor lamp is an incandescent retrofit lamp to replace a conventional one
  • Light bulb or a halogen lamp retrofit lamp to replace a conventional halogen lamp is.
  • the method comprises at least the following steps: attaching the contact cap; Connecting at least one power supply element; and locally impressing the contact cap in at least one lateral recess of the second base portion. Also, the method allows the cap to be simple and easy
  • Fig.l shows in a view obliquely from below one
  • FIG. 2 shows the base region of the semiconductor lamp in a side view
  • FIG. 3 shows the semiconductor lamp as an exploded view in a view obliquely from above.
  • Fig.l shows in a view obliquely from below a housing part of a semiconductor lamp 11 in the form of a rearward
  • Fig.2 shows the base area 12 in a side view.
  • the base portion 12 has a first, with respect to a longitudinal axis L terminal base portion Sl, which is designed for the frontal receiving Bipin contact pins 13 (see Figure 3) and to its rear
  • End face 14 has two receiving recesses 15.
  • Base portion 12 has a height Gl of at least about 12 mm (for example, including a height Gl of 12.5 mm) and is formed above this height Gl for use in a conventional biped socket.
  • Gl of at least about 12 mm (for example, including a height Gl of 12.5 mm) and is formed above this height Gl for use in a conventional biped socket.
  • the base portion 12 For a conformal use in the conventional bipin socket, the base portion 12
  • the first base portion Sl is constructed along the longitudinal axis L of two subsections Sla and Slb, which each have a circular outer cross-sectional contour.
  • the relatively rearward subsection Sla has the end face 14 with its diameter of about 16 mm and widens on the outside starting from it forward (in the direction of
  • the relatively front-side subsection Slb has an outer contour that is at least substantially cylindrical in shape.
  • the outer contour may spread slightly forward, e.g. by 2 °.
  • the first base section S1 is closed by a conically widening intermediate section S2
  • the second Base section S3 has a larger one with approx. 25 mm
  • a height G2 of the second base portion S3 is here between about 7 mm and about 8 mm.
  • the second base portion S3 has on its outer side in the circumferential direction uniformly distributed recesses 21.
  • a cup-shaped receiving section S5 for receiving a driver 16 adjoins the second base section S3 via a further conically widening intermediate section S4.
  • the receiving portion S5 has on its outside a plurality of circumferentially distributed, perpendicular (parallel to the longitudinal axis L extending) cooling fins 17.
  • the receiving portion S5 a plurality of circumferentially distributed latching hooks 19 for latching engagement in an upper or front housing part 20 (see Figure 3).
  • the base portion 12 may therefore also as a lower or rearward
  • the base portion 12 is formed as a plastic injection molded part
  • FIG 3 shows the semiconductor lamp 11 as an exploded view in a view obliquely from above.
  • Base portion 12 in which the driver 16 is inserted. On the driver 16 is front (toward the
  • an electrically insulating cover cap 22 is placed, which serves for fixing the driver 16 and for electrical insulation against the front housing part 20.
  • the front housing part 20 can be latched onto the base region 12 and thus forms a driver cavity for receiving the driver 16.
  • the front housing part 20 has on the front side a support surface 23 for supporting a support 24.
  • the carrier 24 lies with its rear side on the support surface 23 and carries on its front side an LED substrate 25.
  • the LED substrate 25 is three with it
  • front mounted semiconductor light sources in the form of light emitting diodes 26 equipped.
  • suitable electrical lines (o.Fig.) May be present between them and an output side of the driver 16.
  • a reflector 27 is also placed on the carrier 24, which can beam-form radiated light from the light-emitting diodes 26.
  • a translucent cover 28 is present, which on the front side of the front housing part 20 can be placed, in particular latching, is.
  • the base region 12 is designed such that optionally different electrical contact elements 13 or 29 can be arranged on it.
  • the electrical contact elements 13 or 29 may in particular be associated with different base types.
  • Electrical contact elements 13 or 29 here include purely by way of example and not limited to electrical
  • Socket area 12 a production of the semiconductor lamp 11 with different socket types can be significantly simplified. For example, a component reduction for different socket types can be achieved. This will be a simplified machine concept allows. In addition, a so-called "production-on-demand" with a smaller variety of parts easier. Also results in a reduction of Vormatteriallagerjob. In addition, shorter ones
  • Socketing process can be simplified.
  • the two contact pins 13 can be any type of contact pins 13.
  • Semiconductor lamp 11 in a suitable version e.g. Type GU10 results in a standard-compliant intervention of the first
  • the cap 29 is pulled pulled over the second base portion S3 and is located at the
  • the first base portion Sl is received in the cap 29.
  • current supply elements or discontinuities may be present in known manner, e.g. be threaded.
  • the cap 29 may be locally plastically pressed into the recesses, e.g. be crimped or pimped.

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Abstract

Die Halbleiterlampe (11) weist ein Gehäuse und mindestens eine an dem Gehäuse angeordnete Halbleiterlichtquelle (26) auf, wobei das Gehäuse einen rückwärtigen Sockelbereich (12) aus einem elektrisch nichtleitenden Material zum Eingriff in ein Fassung aufweist, wobei an dem Sockelbereich (12) mindestens ein elektrisches Kontaktelement (13; 29) zur Kontaktierung der Fassung angeordnet ist und wobei der Sockelbereich (12) zur Anordnung von elektrischen Kontaktelementen (13; 29) unterschiedlicher Sockelarten ausgestaltet ist. Ein Verfahren dient zum Herstellen einer Halbleiterlampe (11), wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: Aufstecken der Kontaktkappe (29); Anschließen mindestens eines Stromzuführungselements; lokales Eindrücken der Kontaktkappe (29) in mindestens eine seitliche Vertiefung (21) des zweiten Sockelabschnitts (S3). Die Erfindung ist besonders vorteilhaft anwendbar für Retrofitlampen mit Bipin-Sockel, Edisonsockel und/oder Bajonettsockel.

Description

Beschreibung
Halbleiterlampe mit rückwärtigem Sockelbereich Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlampe, aufweisend ein Gehäuse und mindestens eine an dem Gehäuse angeordnete
Halbleiterlichtquelle, wobei das Gehäuse einen rückwärtigen Sockelbereich aus einem elektrisch nichtleitenden Material zum Eingriff in eine Fassung aufweist und wobei an dem
Sockelbereich mindestens ein elektrisches Kontaktelement zur Kontaktierung der Fassung angeordnet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer
Halbleiterlampe mit einem Edisonsockel oder einem
Bajonettsockel, wobei das Verfahren mindestens die Schritte Aufstecken der Kontaktkappe und Anschließen mindestens eines Stromzuführungselements aufweist. Die Erfindung ist besonders vorteilhaft anwendbar für Retrofitlampen mit Bipin-Sockel, Edisonsockel und/oder Bajonettsockel. LED-Lampen der betreffenden Art werden häufig als
Retrofitlampen verwendet, um herkömmliche Lampen
(verschiedener Typen Glühlampen, Halogenlampen usw.) zu ersetzen und müssen dabei in entsprechende herkömmliche
Fassungen einsetzbar sein. Dazu werden Retrofitlampen an einen jeweils zu ersetzenden Typ von Lampe angepasst
hergestellt .
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Nachteile des Standes der Technik zumindest teilweise zu überwinden und insbesondere eine vereinfachte Herstellung von
Halbleiterlampen bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen
Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind
insbesondere den abhängigen Ansprüchen entnehmbar.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleiterlampe,
aufweisend ein Gehäuse und mindestens eine an dem Gehäuse angeordnete Halbleiterlichtquelle, wobei das Gehäuse einen rückwärtigen Sockelbereich aus einem elektrisch
nichtleitenden Material zum Eingriff in eine Fassung
aufweist, wobei an dem Sockelbereich mindestens ein
elektrisches Kontaktelement zur Kontaktierung der Fassung angeordnet ist und wobei der Sockelbereich zur Anordnung von elektrischen Kontaktelementen unterschiedlicher Sockelarten ausgestaltet ist. Diese Halbleiterlampe ergibt den Vorteil, dass mit einem gleichen Sockelbereich unterschiedliche Sockeltypen
realisierbar sind. Dadurch kann eine Bauteilreduzierung für verschiedene Sockeltypen erreicht werden. So wird unter anderem auch ein vereinfachtes Maschinenkonzept ermöglicht. Zudem wird eine sog. "Production-on-Demand" mit geringerer Teilevielfalt einfacher möglich. Auch ergibt sich eine
Reduzierung von Vormateriallagerkosten. Darüber hinaus können kürzere Umstellzeiten in der Produktion zwischen
unterschiedlichen Sockeltypen realisiert werden. Auch kann ein Sockelungsablauf vereinfacht werden.
Es ist eine Ausgestaltung, dass der Sockelbereich zur
Anordnung von elektrischen Kontaktelementen mindestens zweier Sockelarten aus derjenigen Gruppe ausgestaltet ist, welche Gruppe zumindest einen Edisonsockel , einen Bipin-Sockel und einen Bajonettsockel umfasst. Dadurch kann auf einfache Weise ein großer Teil von Halbleiterlampen gesockelt werden.
Es ist eine weitere Ausgestaltung, dass der Sockelbereich einen ersten, endständigen Sockelabschnitt aufweist, welcher zur stirnseitigen Aufnahme von Bipin-Kontaktstiften und zum Einsatz in eine Bipin-Fassung ausgestaltet ist, als auch einen zweiten, an den endständigen Sockelabschnitt nach vorne anschließenden Sockelabschnitt aufweist, welcher einen größeren Durchmesser aufweist als der erste Sockelabschnitt und zum seitlichen Aufstecken des elektrischen
Kontaktelements in Form einer Kontaktkappe eines
Edisonsockels oder eines Bajonettsockels ausgestaltet ist. Diese Ausgestaltung ergibt den Vorteil, dass die Bipin- Kontaktstifte ohne oder mit nur sehr geringen Änderungen in Bezug auf bestehende Sockel bestückbar sind und zudem auch Kappen von Edisonsockel oder Bajonettsockel zumindest durch Reibschluss auf einfache Weise an dem gleichen Sockelbereich befestigt werden können.
Bevorzugt weist der erste Sockelabschnitt eine Höhe von ca. 12 mm und/oder zumindest auf einer maximalen Höhe einen
Durchmesser von ca. 22,6 mm auf. So kann der erste
Sockelabschnitt normgerecht zum Einsatz in eine zum Bipin- Sockel passende Fassung ausgestaltet werden.
Es ist ferner bevorzugt, dass der zweite Sockelabschnitt einen Durchmesser von ca. 25 mm (insbesondere umfassend 24,8 mm) und/oder eine Höhe von ca. 7,5 mm aufweist. So wird eine ausreichend enge Passung für Kappen mit einem Durchmesser von 26 mm und 27 mm bereitgestellt, z.B. vom Typ B22d, E26 und E27.
Es ist noch eine weitere Ausgestaltung, dass der zweite
Sockelabschnitt seitlich mindestens eine Vertiefung aufweist, in welche die (typischerweise zumindest größtenteils
metallische) Kontaktkappe lokal plastisch eindrückbar ist. Dadurch kann die Kappe auf einfache und preiswerte Weise formschlüssig und damit hochgradig gesichert gegen ein
Abziehen mit dem zweiten Sockelabschnitt verbunden werden.
Der Sockelbereich kann insbesondere so ausgestaltet sein, dass er wahlweise als ein Edisonsockel vom Typ E27 ist, als ein Bipin-Sockel vom Typ GU10 oder GZ10 oder als ein
Bajonettsockel vom Typ B22d ausgestaltbar ist.
Es ist ferner eine Ausgestaltung, dass der Sockelbereich ein unterer Gehäusebereich eines zur Aufnahme eines Treibers vorgesehenen Treibergehäuses ist. So lässt sich die
Halbleiterlampe besonders einfach zusammenbauen und elektrisch zwischen dem Treiber und dem mindestens einen elektrischen Kontaktelement verschalten.
Es ist auch eine Ausgestaltung, dass ein oberer
Gehäusebereich des Treibergehäuses eine Auflagefläche für die mindestens eine Halbleiterlichtquelle aufweist.
Es ist ferner eine Weiterbildung, dass die Halbleiterlampe eine Retrofitlampe ist, insbesondere für Lampen mit einem Bipin-Sockel, Edisonsockel und Bajonettsockel.
Es ist noch eine Weiterbildung, dass die Halbleiterlampe eine Glühlampen-Retrofitlampe zum Ersatz einer herkömmlichen
Glühlampe oder eine Halogenlampen-Retrofitlampe zum Ersatz einer herkömmlichen Halogenlampe ist.
Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zum
Herstellen einer Halbleiterlampe mit einem Edisonsockel oder einem Bajonettsockel, wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: Aufstecken der Kontaktkappe ; Anschließen mindestens eines Stromzuführungselements; und lokales Eindrücken der Kontaktkappe in mindestens eine seitliche Vertiefung des zweiten Sockelabschnitts. Auch das Verfahren ermöglicht es, die Kappe auf einfache und
preiswerte Weise formschlüssig und damit hochgradig gesichert gegen ein Abziehen mit dem zweiten Sockelabschnitt zu
verbinden .
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im
Zusammenhang mit der folgenden schematischen Beschreibung eines Ausführungsbeispiels, die im Zusammenhang mit den
Zeichnungen näher erläutert wird.
Fig.l zeigt in einer Ansicht von schräg unten einen
Sockelbereich einer Halbleiterlampe; Fig.2 zeigt den Sockelbereich der Halbleiterlampe in einer Seitenansicht; und
Fig.3 zeigt die Halbleiterlampe als Explosionsdarstellung in einer Ansicht von schräg oben.
Fig.l zeigt in einer Ansicht von schräg unten ein Gehäuseteil einer Halbleiterlampe 11 in Form eines rückwärtigen
Sockelbereichs 12. Fig.2 zeigt den Sockelbereich 12 in einer Seitenansicht .
Der Sockelbereich 12 weist einen ersten, in Bezug auf eine Längsache L endständigen Sockelabschnitt Sl auf, welcher zur stirnseitigen Aufnahme von Bipin-Kontaktstiften 13 (siehe Fig.3) ausgestaltet ist und dazu an seiner rückwärtigen
Stirnseite 14 zwei Aufnahmeaussparungen 15 aufweist. Der
Sockelbereich 12 weist eine Höhe Gl von mindestens ca. 12 mm auf (z.B. auch umfassend eine Höhe Gl von 12,5 mm) und ist über diese Höhe Gl zum Einsatz in eine herkömmliche Bipin- Fassung ausgebildet. Für einen konformen Einsatz in die herkömmliche Bipin-Fassung weist der Sockelbereich 12
zumindest auf einer maximalen Höhe Glmax einen
Außendurchmesser Hl von ca. 22 mm bis 23 mm auf.
Der erste Sockelabschnitt Sl ist entlang der Längsachse L aus zwei Unterabschnitten Sla und Slb aufgebaut, welche jeweils eine kreisförmige äußere Querschnittskontur aufweisen. Der relativ rückwärtigere Unterabschnitt Sla weist die Stirnseite 14 mit ihrem Durchmesser von ca. 16 mm auf und weitet sich außenseitig davon ausgehend nach vorne (in Richtung der
Längsachse L) auf, und zwar konusförmig unter einem Winkel von ca. 45°. Der relativ vorderseitigere Unterabschnitt Slb weist eine zumindest im Wesentlichen zylindermantelförmige Außenkontur auf. Die Außenkontur mag sich leicht in Richtung nach vorne aufweiten, z.B. um 2°.
An den ersten Sockelabschnitt Sl schließt sich über einen sich konusförmig aufweitenden Zwischenabschnitt S2
vorderseitig ein zweiter Sockelabschnitt S3 an. Der zweite Sockelabschnitt S3 weist mit ca. 25 mm einen größeren
Außendurchmesser H2 auf als der erste Sockelabschnitt Sl. Eine Höhe G2 des zweiten Sockelabschnitts S3 beträgt hier zwischen ca. 7 mm und ca. 8 mm.
Der zweite Sockelabschnitt S3 weist an seiner Außenseite in Umfangsrichtung gleichmäßig verteilt angeordnete Vertiefungen 21 auf. An den zweiten Sockelabschnitt S3 schließt sich über einen weiteren sich konusförmig aufweitenden Zwischenanschnitt S4 ein schalenförmiger Aufnahmeabschnitt S5 zur Aufnahme eines Treibers 16 (siehe Fig.3) an. Der Aufnahmeabschnitt S5 weist an seiner Außenseite mehrere in Umfangsrichtung verteilte, senkrecht stehende (parallel zu der Längsachse L verlaufende) Kühlrippen 17 auf. An einem vorderseitigen Rand 18 weist der Aufnahmeabschnitt S5 mehrere in Umfangsrichtung verteilte Rasthaken 19 zum rastenden Eingriff in ein oberes oder vorderes Gehäuseteil 20 (siehe Fig.3) auf. Der Sockelbereich 12 kann also auch als ein unteres oder rückwärtiges
Gehäuseteil bezeichnet werden.
Der Sockelbereich 12 ist als ein Kunststoff-Spritzgussteil ausgebildet
Fig.3 zeigt die Halbleiterlampe 11 als Explosionsdarstellung in einer Ansicht von schräg oben. Der am weitesten
rückwärtige Gehäuseteil der Halbleiterlampe 11 ist der
Sockelbereich 12, in welchen der Treiber 16 eingesetzt ist. Auf den Treiber 16 ist vorderseitig (in Richtung der
Längsachse L) eine elektrisch isolierende Abdeckkappe 22 aufgesetzt, welche zur Fixierung des Treibers 16 und zur elektrischen Isolation gegenüber dem vorderen Gehäuseteil 20 dient .
Das vordere Gehäuseteil 20 ist auf den Sockelbereich 12 aufrastbar und bildet damit eine Treiberkavität zur Aufnahme des Treibers 16. Das vordere Gehäuseteil 20 weist vorderseitig eine Auflagefläche 23 zur Auflage eines Trägers 24 auf. Der Träger 24 liegt mit seiner Rückseite auf der Auflagefläche 23 auf und trägt an seiner Vorderseite ein LED- Substrat 25. Das LED-Substrat 25 ist mit drei daran
vorderseitig angebrachten Halbleiterlichtquellen in Form von Leuchtdioden 26 bestückt. Zum Betreiben der Leuchtdioden 26 können zwischen ihnen und einer Ausgangsseite des Treibers 16 geeignete elektrische Leitungen (o.Abb.) vorhanden sein. Vorderseitig ist auf den Träger 24 ferner ein Reflektor 27 aufgesetzt, welcher von den Leuchtdioden 26 abgestrahltes Licht strahlformen kann. Als oberstes Element ist eine lichtdurchlässige Abdeckung 28 vorhanden, welche vorderseitig auf das vordere Gehäuseteil 20 aufsetzbar, insbesondere rastend aufsetzbar, ist.
Zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterlampe 11 ist an dem Sockelbereich 12 mindestens ein elektrisches
Kontaktelement 13 oder 29 angeordnet, welches mit mindestens einem passenden elektrischen (Gegen- ) Element der Fassung
(o.Abb.) elektrisch kontaktierbar ist. Der Sockelbereich 12 ist so ausgestaltet, dass an ihm wahlweise unterschiedliche elektrische Kontaktelemente 13 oder 29 anordenbar sind. Die elektrische Kontaktelemente 13 oder 29 können insbesondere unterschiedlichen Sockelarten zugeordnet sein. Die
elektrische Kontaktelemente 13 oder 29 umfassen hier rein beispielhaft und nicht darauf beschränkt elektrische
Kontaktelemente in Form von zwei Kontaktstiften 13 eines Bipin-Sockels (z.B. vom Typ GU, insbesondere GU10) als auch eine (Kontakt- ) Kappe 29 mit zwei Kontaktbereichen eines
Edison-Sockels (z.B. E27) . Anstelle der Kappe 29 des Edison- Sockels kann z.B. auch eine Kappe eines Bajonettsockels (z.B. B22d) verwendet werden. Aufgrund des dergestalt flexibel mit dem mindestens einen Kontaktelement 13, 29 bestückbaren
Sockelbereichs 12 kann eine Herstellung der Halbleiterlampe 11 mit unterschiedlichen Sockeltypen erheblich vereinfacht werden. Beispielsweise kann eine Bauteilreduzierung für verschiedene Sockeltypen erreicht werden. Dadurch wird ein vereinfachtes Maschinenkonzept ermöglicht. Zudem wird eine sog. "Production-on-Demand" mit geringerer Teilevielfalt einfacher möglich. Auch ergibt sich eine Reduzierung von Vormateriallagerkosten. Darüber hinaus können kürzere
Umstellzeiten in der Produktion zwischen unterschiedlichen Sockeltypen realisiert werden. Auch kann ein
Sockelungsprozess vereinfacht werden.
Insbesondere können die zwei Kontaktstifte 13 auf
grundsätzlich bekannte Weise in die Aufnahmeaussparungen 15 eingesetzt werden und mit einer Eingangsseite des Treibers 16 elektrisch verbunden werden. Bei einem Einsatz der
Halbleiterlampe 11 in eine passende Fassung z.B. vom Typ GU10 ergibt sich ein normgerechter Eingriff des ersten
Sockelabschnitts Sl mit der Fassung.
Alternativ kann auf die Bestückung mit den Kontaktstiften 13 verzichtet werden und vielmehr die Kappe 29 von hinten auf die (seitliche) Außenseite des Sockelabschnitts Sl
aufgesteckt werden. Die Kappe 29 wird dabei über den zweiten Sockelabschnitt S3 gezogen gezogen und liegt an dessen
Außenseite reibschlüssig an. Der erste Sockelabschnitt Sl wird in der Kappe 29 aufgenommen. Zur elektrischen Verbindung des Treibers 16 mit der Kappe 29 können auf bekannte Weise Stromzuführungselemente oder Strozen vorhanden sein, z.B. eingefädelt werden.
Zur formschlüssigen Fixierung der Kappe 29 an dem
Sockelbereich 12 kann die Kappe 29 lokal plastisch in die Vertiefungen eingedrückt sein, z.B. gecrimpt oder eingenoppt werden .
Obwohl die Erfindung im Detail durch das gezeigte
Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht darauf eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. Beispielsweise mögen mit einem einzigen Sockelbereich auch unterschiedliche Bipin-Sockel realisiert werden, z.B. vom Typ GU und GZ, oder unterschiedliche Edisonsockel, z.B. vom Typ E27 und E26. Auch sind einfache Stecksockel realisierbar.

Claims

Patentansprüche
Halbleiterlampe (11), aufweisend
ein Gehäuse (12, 20) und
mindestens eine an dem Gehäuse (20) angeordnete Halbleiterlichtquelle (26), wobei
das Gehäuse (12, 20) einen rückwärtigen Sockelbereich (12) aus einem elektrisch nichtleitenden Material zum Eingriff in ein Fassung aufweist, wobei
an dem Sockelbereich (12) mindestens ein elektrisches Kontaktelement (13; 29) zur Kontaktierung der Fassung angeordnet ist und
wobei
der Sockelbereich (12) zur Anordnung von elektrischen Kontaktelementen (13; 29) unterschiedlicher
Sockelarten ausgestaltet ist.
Halbleiterlampe (11) nach Anspruch 1, wobei der
Sockelbereich (12) zur Anordnung von elektrischen
Kontaktelementen (13; 29) mindestens zweier Sockelarten aus derjenigen Gruppe ausgestaltet ist, welche Gruppe zumindest einen Edisonsockel , einen Bipin-Sockel und einen Bajonettsockel umfasst.
Halbleiterlampe (11) nach Anspruch 2, wobei der
Sockelbereich (12)
einen ersten, endständigen Sockelabschnitt (Sl) aufweist, welcher zur stirnseitigen Aufnahme von Bipin-Kontaktstiften (13) und zum Einsatz in eine Bipin-Fassung ausgestaltet ist,
als auch einen zweiten, an den endständigen
Sockelabschnitt (Sl) nach vorne anschließenden Sockelabschnitt (S3) aufweist, welcher einen größeren Durchmesser aufweist als der erste Sockelabschnitt (Sl) und zum seitlichen Aufstecken des elektrischen Kontaktelements (13; 29) in Form einer Kontaktkappe (29) eines Edisonsockels oder eines Bajonettsockels ausgestaltet ist. Halbleiterlampe (11) nach Anspruch 3, wobei der erste Sockelabschnitt (Sl) eine Höhe (Gl) von ca. 12 mm aufweist .
Halbleiterlampe (11) nach Anspruch 4, wobei der erste Sockelabschnitt (Sl) zumindest auf einer maximalen Höhe (Glmax) einen Durchmesser (Hl) von ca. 22,6 mm aufweist.
Halbleiterlampe (11) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei der zweite Sockelabschnitt (S3) einen Durchmesser (H2) von ca. 25 mm aufweist.
Halbleiterlampe (11) nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei der zweite Sockelabschnitt (S3) eine Höhe (G2) von ca. 7,5 mm aufweist.
Halbleiterlampe (11) nach einem der Ansprüche 3 bis 7, wobei der zweite Sockelabschnitt (S3) seitlich
mindestens eine Vertiefung (21) aufweist, in welche die Kontaktkappe (29) lokal plastisch eindrückbar ist.
Halbleiterlampe (11) nach einem der Ansprüche 3 bis 7, wobei der Edisonsockel vom Typ E27 ist, der Bipin-Sockel vom Typ GU10 ist und der Bajonettsockel vom Typ B22d ist .
Halbleiterlampe (11) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, wobei der Sockelbereich (12) ein unterer Gehäusebereich eines zur Aufnahme eines Treibers (16) vorgesehenen Treibergehäuses ist.
Halbleiterlampe (11) nach Anspruch 10, wobei ein oberer Gehäusebereich (20) des Treibergehäuses eine
Auflagefläche (23) für die mindestens eine
Halbleiterlichtquelle (26) aufweist. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlampe (11) nach Anspruch 8 mit einem Edisonsockel oder einem
Bajonettsockel, wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist:
Aufstecken der Kontaktkappe (29);
Anschließen mindestens eines Stromzuführungselements; lokales Eindrücken der Kontaktkappe (29) in
mindestens eine seitliche Vertiefung (21) des zweiten Sockelabschnitts (S3) .
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