WO2012148127A2

WO2012148127A2 - Compound, organic electronic element using same, and electronic device thereof

Info

Publication number: WO2012148127A2
Application number: PCT/KR2012/002990
Authority: WO
Inventors: 김동하; 문성윤; 주진욱; 김은경; 김혜령; 소기호; 이범성; 최대혁; 박정환
Original assignee: 덕산하이메탈(주)
Priority date: 2011-04-29
Filing date: 2012-04-19
Publication date: 2012-11-01
Also published as: KR101123047B1; WO2012148127A3

Abstract

The present invention provides a compound, an organic electronic element using the same, and an electronic device thereof.

Description

화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치Compound, organic electric element using same, electronic device thereof

본 발명은 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치에 관한 것이다.The present invention relates to a compound, an organic electronic device using the same, and an electronic device thereof.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.In general, organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material. An organic electric element using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. In this case, the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic electric device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer.

유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고, 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.Materials used as the organic material layer in the organic electric element may be classified into light emitting materials and charge transport materials such as hole injection materials, hole transport materials, electron transport materials, electron injection materials and the like depending on their functions. The light emitting material may be classified into a polymer type and a low molecular type according to molecular weight, and may be classified into a fluorescent material derived from a singlet excited state of electrons and a phosphorescent material derived from a triplet excited state of electrons according to a light emitting mechanism. Can be. In addition, the light emitting material may be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to achieve a better natural color according to the light emitting color.

한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. On the other hand, when only one material is used as the light emitting material, the maximum emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the emission attenuation effect. In order to increase the light emitting efficiency through the light emitting material, a host / dopant system may be used.

그 원리는 발광층을 형성하는 호스트 보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.The principle is that when a small amount of dopant having an energy band gap smaller than that of a host forming the light emitting layer is mixed in the light emitting layer, excitons generated in the light emitting layer are transported to the dopant, thereby producing high-efficiency light. At this time, since the wavelength of the host is shifted to the wavelength of the dopant, light having a desired wavelength can be obtained according to the type of dopant to be used.

전술한 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to fully exhibit the excellent characteristics of the above-described organic electroluminescent device, a material constituting the organic material layer in the device, such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, etc., is supported by a stable and efficient material. Although this should be preceded, the development of a stable and efficient organic material layer for an organic electric element has not yet been made sufficiently, and therefore, the development of new materials is continuously required.

본 발명은 유기 전자 소자의 효율 상승, 구동전압 하강, 수명 상승 및 안정성 상승 효과를 제공하기 위한 것이다.The present invention provides an effect of increasing the efficiency of the organic electronic device, lowering the driving voltage, increasing the life and stability.

본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다. The present invention provides a compound represented by the following formula.

또한 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다. In another aspect, the present invention provides an organic electroluminescent device comprising the compound represented by the formula and an electronic device thereof.

본 발명은 화합물로서 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공수송, 전자 주입, 전자 수송, 발광 물질 및 패시베이션(케핑) 물질로 사용될 수 있다. The present invention can be used as a compound in the hole injection, hole transport, electron injection, electron transport, light emitting material and passivation (kepping) material in the organic electronic device.

또한, 본 발명은 화합물로서 유기 전자 소자에서 단독으로 발광물질 및 호스트/도판트에서 호스트 또는 도판트로 사용될 수 있으며, 정공 주입, 정공수송층으로 사용될 수 있다.In addition, the present invention can be used as a compound or a host or dopant in the host / dopant alone as an organic electronic device as a compound, can be used as a hole injection, a hole transport layer.

또한 본 발명은 이를 포함하는 유기 전자 소자의 효율 상승, 구동전압 하강, 수명 상승 및 안정성 상승 효과가 나타내었다. In addition, the present invention has shown the effect of increasing the efficiency of the organic electronic device including the same, lowering the driving voltage, increasing the life and stability.

따라서, 본 발명은 화합물, 이를 이용한 유기 전자 소자 및 이 유기 전자 소자를 포함하는 전자 장치를 제공한다. Accordingly, the present invention provides a compound, an organic electronic device using the same, and an electronic device including the organic electronic device.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 화합물을 적용할 수 있는 유기전계발광소자의 예를 도시한 것이다.1 to 6 show examples of the organic light emitting display device to which the compound of the present invention can be applied.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail through exemplary drawings.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible even though they are shown in different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a),(b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the component of this invention, terms, such as 1st, 2nd, A, B, (a), (b), can be used. These terms are only for distinguishing the components from other components, and the nature, order or order of the components are not limited by the terms. If a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, that component may be directly connected to or connected to that other component, but there may be another configuration between each component. It is to be understood that the elements may be "connected", "coupled" or "connected".

본 발명의 일 실시예는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다.One embodiment of the present invention is a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식에서,In the above formula,

(1) R₁~R₁₄는 각각 독립적으로,(1) R ₁ to R ₁₄ are each independently,

수소; 중수소; 삼중수소; 니트로기; 니트릴기; 아미드기; 실란기;Hydrogen; heavy hydrogen; Tritium; Nitro group; Nitrile group; Amide group; Silane group;

할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₆~C₆₀의 아릴티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴기; A halogen group, C ₁ ~ C ₆₀ alkyl group, C ₁ ~ C ₆₀ alkoxy group, C ₁ ~ C ₆₀ alkyl amine group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl amine group, C ₁ ~ C ₆₀ alkyl thiophene group , C ₆ ~ C ₆₀ arylthiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group, deuterium Substituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, C ₈ -C ₆₀ arylalkenyl group, substituted or unsubstituted silane group, substituted or unsubstituted boron group, substituted or unsubstituted germanium group, and substituted or unsubstituted C ₆ ~ C ₆₀ aryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of C ₅ ~ C ₆₀ heterocyclic group;

할로겐기, CN, NO₂, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로고리기; Halogen group, CN, NO ₂ , C ₁ ~ C ₆₀ alkyl group, C ₁ ~ C ₆₀ alkoxy group, C ₁ ~ C ₆₀ alkylamine group, C ₆ ~ C ₆₀ arylamine group, C ₁ ~ C ₆₀ Alkylthiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group, deuterium substituted C ₆ ~ C One or more selected from the group consisting of an aryl group of ₆₀ , a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C ₅ to C ₆₀ heterocyclic group C ₄ ~ C ₆₀ heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with a substituent and includes at least one heteroatom of O, N, S;

C₆~C₆₀의 방향족 고리와 C₄~C₆₀의 지방족고리의 축합 고리기; 및Condensed ring groups of C ₆ -C ₆₀ aromatic rings and C ₄ -C ₆₀ aliphatic rings; And

C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기;로 이루어진 군에서 선택된다.An amine unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a C ₁ to C ₆₀ alkyl group, a C ₂ to C ₆₀ alkenyl group, a C ₆ to C ₆₀ aryl group, and a C ₈ to C ₆₀ aryl alkenyl group It is selected from the group consisting of.

상기 화학식에서 m은 1 또는 2이다.M is 1 or 2 in the above formula.

한편, R₁~R₁₄는 서로 인접한 기와 결합 또는 반응하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. 여기서 이웃한 기라 함은 치환기나 모핵에 결합된 기(치환기)뿐만 아니라 모핵 자체를 포함하는 개념이다. 또한, 포화 또는 불포화 고리는 지환족 고리, 방향족 또는 이종원자로 O, N, S 등을 포함하는 헤테로고리(헤테로아릴을 포함함)를 말한다. 예를 들어 R₁~R₇ 중 둘 또는 둘 이상, 예를 들어 R₁ 및 R₂,R₁ 및 R₃,...R₆ 및 R₇ 이 서로 결합하여 지방족 또는 이종원자로 O, N, S 중 적어도 하나를 포함하는 헤테로고리를 형성할 수 있다. R₈~R₁₄ 도 R₁~R₇과 동일한 방식으로 서로 결합하여 지방족 또는 이종원자로 O, N, S 를 적어도 하나 포함하는 헤테로고리를 형성할 수 있다.Meanwhile, R_One~ R₁₄May combine or react with groups adjacent to each other to form a saturated or unsaturated ring. Here, the neighboring group is a concept including not only a substituent or a group (substituent) bonded to the mother nucleus, but also the mother nucleus itself. In addition, a saturated or unsaturated ring refers to a heterocyclic ring (including heteroaryl) containing O, N, S, etc. as an alicyclic ring, aromatic or hetero atom. R for example_One~ R₇ Two or more than one, for example R_One And R₂,R_One And R₃, ... R₆ And R₇ These may be combined with each other to form a heterocycle including at least one of O, N, and S as an aliphatic or hetero atom. R₈~ R₁₄ R_One~ R₇In the same manner as in combination with each other to form a heterocyclic ring containing at least one of O, N, S as aliphatic or heteroatoms.

(2) A는 O, S, 또는 N(Ar₁)이다. 여기서 Ar₁은 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₆~C₆₀의 아릴 티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴기; 또는 할로겐기, CN, NO₂, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로고리기;이다. (2) A is O, S, or N (Ar ₁ ). Wherein Ar ₁ is a halogen group, C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, C ₁ -C ₆₀ alkylamine group, C ₆ -C ₆₀ arylamine group, C ₁ -C ₆₀ Alkylthiophene group, C ₆ -C ₆₀ aryl thiophene group, C ₂ -C ₆₀ alkenyl group, C ₂ -C ₆₀ alkynyl group, C ₃ -C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ -C ₆₀ aryl A group, a C ₆ to C ₆₀ aryl group substituted with deuterium, a C ₈ to C ₆₀ arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and an aryl group, a substituted or unsubstituted substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic ring of the _{_{_{C 5 ~ C 60 C 6 ~}}} C 60; Or halogen group, CN, NO ₂ , C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, C ₁ -C ₆₀ alkylamine group, C ₆ -C ₆₀ arylamine group, C ₁ -C ₆₀ alkylthiophene groups, C ₂ to C ₆₀ alkenyl groups, C ₂ to C ₆₀ alkynyl groups, C ₃ to C ₆₀ cycloalkyl groups, C ₆ to C ₆₀ aryl groups, substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₆₀ heteroatom being unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of ring group O, N, at least one hetero atom heterocyclic group of C ₄ ~ C ₆₀ containing one S; a.

(3) B는 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₆~C₆₀의 아릴 티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴렌기; (3) B is a halogen group, C ₁ to C ₆₀ alkyl group, C ₁ to C ₆₀ alkoxy group, C ₁ to C ₆₀ alkylamine group, C ₆ to C ₆₀ arylamine group, C ₁ to C ₆₀ Alkylthiophene group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl thiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ Aryl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group substituted with deuterium, C ₈ ~ C ₆₀ aryl alkenyl group, substituted or unsubstituted silane group, substituted or unsubstituted boron group, substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C ₅ ~ optionally substituted with one or more substituents selected from the group consisting of the C ₆₀ heterocyclic or unsubstituted C ₆ ~ C ₆₀ arylene group;

할로겐, CN, NO₂, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로고리기;Halogen, CN, NO ₂ , C ₁ ~ C ₆₀ alkyl group, C ₁ ~ C ₆₀ alkoxy group, C ₁ ~ C ₆₀ alkylamine group, C ₆ ~ C ₆₀ arylamine group, C ₁ ~ C ₆₀ Alkylthiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group, C ₆ ~ C ₆₀ substituted with deuterium One or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C ₅ to C ₆₀ heterocyclic group C ₄ ~ C ₆₀ heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with and containing at least one heteroatom of O, N, S;

C₆~C₆₀의 방향족 고리와 C₄~C₆₀의 지방족고리의 축합 고리기; 실란기; 및Condensed ring groups of C ₆ -C ₆₀ aromatic rings and C ₄ -C ₆₀ aliphatic rings; Silane group; And

N(Ar₂)_p, 여기서 Ar₂는 상기 Ar₁과 동일하며, p는 0 또는 1이며;로 이루어진 군에서 선택된다.N (Ar ₂ ) _p , wherein Ar ₂ is the same as Ar _1, and p is 0 or 1;

(4) L은 단일결합; 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴렌기; 및 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₁~C₆₀의 알콕시기, 헤테로 원자로 O, N, S 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실란기, C₆~C₆₀의 아릴기, 및 C₈~C₆₀의 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~ C₆₀의 헤테로 아릴렌기;로 이루어진 군에서 선택된다.(4) L is a single bond; A halogen group, a C ₁ to C ₆₀ alkyl group, a C ₂ to C ₆₀ alkenyl group, a C ₁ to C ₆₀ alkoxy group, a C ₆ to C ₆₀ aryl group, a C ₈ to C ₆₀ aryl alkenyl group, a substitution or C ₆ ~ unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₆₀ heterocyclic group including at least one heteroatom of O, N, or S; C ₆₀ arylene group; And a substituted or unsubstituted C ₅ including at least one of a halogen group, a C ₁ to C ₆₀ alkyl group, a C ₂ to C ₆₀ alkenyl group, a C ₁ to C ₆₀ alkoxy group and a hetero atom O, N, S Or substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group of -C ₆₀ , a substituted or unsubstituted silane group, a C ₆ -C ₆₀ aryl group, and an aryl alkenyl group of C ₈ -C ₆₀ It is selected from the group consisting of; C ₄ ~ C ₆₀ hetero arylene group containing at least one hetero atom of N, S.

이때, L은 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 안트라세닐기, 플루오레닐기등으로 나타낼 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, L may be represented by a phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, anthracenyl group, fluorenyl group and the like, but is not limited thereto.

위 화학식에 있어서, 헤테로 고리기는 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2-60일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤즈티아졸기, 벤즈카바졸기, 벤즈티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤즈퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the above formula, the heterocyclic group is a heterocyclic group containing O, N or S as a hetero atom, carbon number is not particularly limited, but may be 2-60 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridyl group, bipyridyl group, triazine group, acridil group, pyridazine group , Quinolinyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzthiazole group, benzcarbazole group, benzthiophene group, dibenzothiophene group, benzfuranyl group, dibenzofura Although there exist a nil group etc., it is not limited to these.

이때 치환기들은 이웃한 치환기끼리 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리 또는 환, 예를 들어 지방족, 방향족, 또는 헤테로방향족의 단환식 또는 다환식 고리를 형성할 수 있다. In this case, the substituents may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated ring or ring, for example, an aliphatic, aromatic, or heteroaromatic monocyclic or polycyclic ring.

본 발명의 또 하나의 실시상태에 따르면, 본 발명은 화학식1의 구조를 2이상 포함할 수 있다. According to yet an embodiment of the present invention, the present invention may include two or more structures of the formula (1).

한편 상기 구조식을 가지는 화합물은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수 있다. 다시말해 상기 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 후술할 유기전기소자의 유기물층을 형성할 수 있다. 즉 상기 화합물을 유기물층으로 사용할 때 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조될 수 있다.Meanwhile, the compound having the structural formula may be used in a solution process. In other words, the compound may form an organic material layer of an organic electric device, which will be described later, by a soluble process. In other words, when the compound is used as an organic material layer, the organic material layer may be formed by using various polymer materials, rather than a solution process or a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be produced in fewer layers by the method.

화학식 1로 표시되는 화합물은 치환기들의 종류에 따라 화학식 2 내지 화학식 8 중 하나로 표시될 수 있다. 특히 화학식 5에서 R₅와 R₆이 중수소일 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by one of Chemical Formulas 2 to 8 according to the type of substituents. In particular, in Formula 5, R ₅ and R ₆ may be deuterium.

[화학식 2][Formula 2]

[화학식 3][Formula 3]

[화학식 4][Formula 4]

[화학식 5][Formula 5]

[화학식 6][Formula 6]

[화학식 7][Formula 7]

[화학식 8][Formula 8]

상기 화학식 2 내지 8의 R₁~R₁₄, A, B, m은 화학식 1의 R₁~R₁₄, A, B, m 과 동일하다. Formula 2 to 8 of _{_{R 1 ~ R 14, A,}} B, m is the same as the _{_{R 1 ~ R 14, A,}} B, m of formula (1).

한편, 화학식 2 내지 8의 R’, R”은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기, 니트릴기, 아세틸렌기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C₁ ~ C₅₀의알킬기; 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴기; 할로겐, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N, S 중 적어도 하나를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다. Meanwhile, R ′ and R ″ in Formulas 2 to 8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen, C_One~ C₆₀Alkyl group, C₂~ C₆₀Alkenyl, C_One~ C₆₀Alkoxy group, C₆~ C₆₀Aryl group, C₈~ C₆₀Aryl alkenyl group, substituted or unsubstituted arylalkyl group, substituted or unsubstituted C₅~ C₆₀C unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocyclic group, a nitrile group and an acetylene group_One ~ C₅₀ofAlkyl groups; Halogen, C_One~ C₆₀Alkyl group, C_One~ C₆₀Alkoxy group, C₂~ C₆₀Alkenyl, C₂~ C₆₀Alkynyl, C₆~ C₆₀Aryl group, C₈~ C₆₀Aryl alkenyl group, substituted or unsubstituted C₅~ C₆₀C unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of heterocyclic groups₆ ~ C₆₀Aryl group; Halogen, C_One~ C₆₀Alkyl group, C_One~ C₆₀Alkoxy group, C_One~ C₆₀Alkylamine groups, C₆~ C₆₀Arylamine group, C₂~ C₆₀Alkenyl, C₂~ C₆₀Alkynyl, C₃~ C₆₀Cycloalkyl group, C₆~ C₆₀Aryl group, substituted or unsubstituted C₅~ C₆₀C substituted or unsubstituted with one or more groups selected from the group consisting of heterocyclic groups and containing at least one of O, N, and S as a hetero atom.₄ ~ C₆₀It may be one selected from the group consisting of a heterocyclic group.

상기 R’, R”은 이웃한 기와 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다.R ′ and R ″ may combine with adjacent groups to form a saturated or unsaturated ring.

이때 a는 1~4의 정수이고, b는 1~6의 정수이며, c는 1~8의 정수일 수 있다. In this case, a may be an integer of 1 to 4, b may be an integer of 1 to 6, and c may be an integer of 1 to 8.

한편, 화학식 1 내지 8 각각으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 9로 표시되는 화합물들 중 하나 또는 하나 이상일 수 있다. Meanwhile, the compounds represented by Formulas 1 to 8 may be one or more than one of the compounds represented by Formula 9 below.

[화학식 9] [Formula 9]

이하, 제조예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 제조예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Preparation Examples and Experimental Examples. However, the following Production Examples and Experimental Examples are for illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

제조예Production Example

이하, 화학식 1 내지 9에 속하는 화합물들에 대한 제조예 또는 합성예를 설명한다. 다만, 화학식 1 내지 9에 속하는 화합물들의 수가 많기 때문에 화학식 1 내지 9에 속하는 화합물들 중 일부를 예시적으로 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자, 즉 당업자라면 하기에서 설명한 제조예들을 통해, 예시하지 않은 본 발명에 속하는 화합물을 제조할 수 있다.Hereinafter, the preparation or synthesis examples for the compounds belonging to the formula (1) to 9 will be described. However, some of the compounds belonging to the formula 1 to 9 because of the large number of compounds belonging to the formula 1 to 9 will be described by way of example. Those skilled in the art to which the present invention pertains, that is, those skilled in the art can prepare the compounds belonging to the present invention which are not illustrated through the preparation examples described below.

이하 위에서 설명한 합성법에 따라 화합물들을 합성하고 그 화합물들을 유기전기소자, 예를 들어 유기전계발광소자의 유기물층에 적용한 예를 일반적으로 사용하는 화합물들과 비교하였다.Hereinafter, the compounds were synthesized according to the synthesis method described above, and the examples in which the compounds were applied to an organic material layer of an organic electroluminescent device, for example, an organic electroluminescent device, were compared with those of commonly used compounds.

상기 화학식 1에 속하는 화합물에 대한 제조예 또는 합성예를 설명한다. The preparation example or the synthesis example of the compound which belongs to the said Formula (1) is demonstrated.

본 발명이 속하는 기술분야는 통상의 지식을 가진 자, 즉 당업자 라면 아래에서 설명한 제조 예들을 바탕으로, 예시하지 않은 본 발명에 속하는 1-나프틸, 2-나프틸 유도체를 포함하는 화합물을 제조할 수 있다.The technical field to which the present invention pertains is based on the preparation examples described below by those skilled in the art, to prepare compounds including 1-naphthyl, 2-naphthyl derivatives belonging to the present invention which are not illustrated. Can be.

[반응식 1]Scheme 1

1a-1의 합성법 (Synthesis of 1a-1 ( MethodMethod 1) One)

둥근바닥플라스크에 3번 또는 4번 화합물 (1 당량), 1번 화합물 (1.2 당량), K₂CO₃ (1.5 당량), Cu powder (1.1 당량), 18-crown-6 (0.1 당량), DMF (5mL/1mmol)을 넣고 24시간 동안 가열 환류시킨다. 반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 물로 추출하고 얻어진 유기층을 5% 염산, brine으로 씻어준다. 유기층을MgSO4로 건조하여 농축한 후 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다. Compound 3 or 4 (1 equiv), Compound 1 (1.2 equiv), K ₂ CO ₃ (1.5 equiv), Cu powder (1.1 equiv), 18-crown-6 (0.1 equiv), DMF in a round bottom flask (5 mL / 1 mmol) was added and heated to reflux for 24 hours. After the reaction was completed, the mixture was extracted with methylene chloride and water, and the obtained organic layer was washed with 5% hydrochloric acid and brine. The organic layer was dried over MgSO 4, concentrated and the compound was purified by silicagel column and recrystallized to obtain a product.

2a-1의 합성법 (Synthesis of 2a-1 ( MethodMethod 1) One)

둥근바닥플라스크에 3번 또는 4번 화합물 (1 당량), 1번 화합물 (1.2 당량), K₂CO₃ (1.5 당량), Cu powder (2.2 당량), 18-crown-6 (0.2 당량), DMF (7mL/1mmol)을 넣고 24시간 동안 가열 환류시킨다. 반응이 완료되면 메틸렌클로라이드와 물로 추출하고 얻어진 유기층을 5% 염산, brine으로 씻어준다. 유기층을MgSO4로 건조하여 농축한 후 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다. Compound 3 or 4 (1 equiv), Compound 1 (1.2 equiv), K ₂ CO ₃ (1.5 equiv), Cu powder (2.2 equiv), 18-crown-6 (0.2 equiv), DMF in a round bottom flask (7mL / 1mmol) was added and heated to reflux for 24 hours. After the reaction was completed, the mixture was extracted with methylene chloride and water, and the obtained organic layer was washed with 5% hydrochloric acid and brine. The organic layer was dried over MgSO 4, concentrated and the compound was purified by silicagel column and recrystallized to obtain a product.

2a-1의 합성법 (Synthesis of 2a-1 ( MethodMethod 2) 2)

둥근바닥플라스크에 1 (1당량), 5번 화합물 (1.1당량), Pd(PPh₃)₄ (0.03~0.05당량),NaOH (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 넣는다. In a round bottom flask, 1 (1 equiv), compound 5 (1.1 equiv), Pd (PPh ₃ ) ₄ (0.03-0.05 equiv), NaOH (3 equiv), THF (3 mL / 1 mmol), water (1.5 mL / 1 mmol).

그런 후에 80℃~90℃ 상태에서 가열 환류 시킨다. 반응이 완료되면 상온에서 증류수를 넣어 희석 시킨다. 그런 후에 메틸렌클로라이드와 물로 추출하고 유기층을 MgSO₄로 건조하여 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다.After that, the mixture is heated to reflux at 80 ° C to 90 ° C. After the reaction is completed, distilled water is diluted at room temperature. Then, the mixture was extracted with methylene chloride and water, the organic layer was dried over MgSO ₄ and concentrated, and the resulting compound was purified by silicagel column and recrystallized to obtain a product.

1a-1, 2b-1의 합성 예시Synthesis Example of 1a-1, 2b-1

[화학식 10][Formula 10]

1a-1-1 : 1-(4-bromophenoxy)naphthalene의 합성1a-1-1: Synthesis of 1- (4-bromophenoxy) naphthalene

둥근 바닥플라스크에 1-naphthaol (7.21g, 50mmol), 1,4-Dibromobenzene (14.2g, 60 mmol)K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 10.77 g (72 %)의 생성물을 얻었다1-naphthaol (7.21 g, 50 mmol), 1,4-Dibromobenzene (14.2 g, 60 mmol) K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18- crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was purified using the synthesis method of 1a-1 (Method 1) to obtain 10.77 g (72%) of the product.

1a-1-2 : (4-bromophenyl)(naphthalen-1-yl)sulfane의 합성1a-1-2: Synthesis of (4-bromophenyl) (naphthalen-1-yl) sulfane

둥근 바닥플라스크에 1-naphthalenethiol (8.01g, 50mmol), 1,4-Dibromobenzene (14.2g, 60 mmol) K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 11.03 g (70 %)의 생성물을 얻었다1-naphthalenethiol (8.01 g, 50 mmol), 1,4-Dibromobenzene (14.2 g, 60 mmol) K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18- crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was obtained using the synthesis method of 1a-1 (Method 1), to obtain 11.03 g (70%) of the product.

1a-1-3 : N-(4-bromophenyl)-N-phenylnaphthalen-1-amine의 합성1a-1-3: Synthesis of N- (4-bromophenyl) -N-phenylnaphthalen-1-amine

둥근 바닥플라스크에 N-Phenyl-1-naphthylamine (11g, 50mmol), 1,4-Dibromobenzene (14.2g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 13.7 g (73 %)의 생성물을 얻었다N-Phenyl-1-naphthylamine (11g, 50mmol), 1,4-Dibromobenzene (14.2g, 60 mmol), K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol) in a round bottom flask ), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was obtained using the synthesis method of 1a-1 (Method 1) to give 13.7 g (73%) of the product.

1a-1-4 : N-(4-bromo-3-methylphenyl)-4-phenyl[D5]-N-phenylnaphthalen-1-amine의 합성1a-1-4: Synthesis of N- (4-bromo-3-methylphenyl) -4-phenyl [D5] -N-phenylnaphthalen-1-amine

둥근 바닥플라스크에 4-phenyl[D5]-N-phenylnaphthalen-1-amine (15.0g, 50mmol), 2,5-Dibromotoluene (15g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 16.2 g (69 %)의 생성물을 얻었다4-phenyl [D5] -N-phenylnaphthalen-1-amine (15.0g, 50mmol), 2,5-Dibromotoluene (15g, 60mmol), K ₂ CO ₃ (10.4g, 75mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was prepared using 16.2 g (69%) of the product using the synthesis method of 1a-1 (Method 1). Got

1a-1-5 : 7-bromo-N-(naphthalen-1-yl)-N-(naphthalen-2-yl)phenanthren-2-amine의 합성1a-1-5: Synthesis of 7-bromo-N- (naphthalen-1-yl) -N- (naphthalen-2-yl) phenanthren-2-amine

둥근 바닥플라스크에 N-(naphthalen-2-yl)naphthalen-1-amine (13.5 g, 50mmol), 2,7-dibromo phenanthrene (20.2g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 18.4 g (70 %)의 생성물을 얻었다N- (naphthalen-2-yl) naphthalen-1-amine (13.5 g, 50 mmol), 2,7-dibromo phenanthrene (20.2 g, 60 mmol) and K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol) in a round bottom flask , Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was synthesized using 18.4 g (70%) using the synthesis method of 1a-1 (Method 1). Obtained the product

1a-1-6:7-bromo-N-phenyl-N-(4-phenylnaphthalen-1-yl)dibenzo[b,d]thiophen-3-amine의 합성 Synthesis of 1a-1-6: 7-bromo-N-phenyl-N- (4-phenylnaphthalen-1- yl) dibenzo [b, d] thiophen-3-amine

둥근 바닥플라스크에 N,4-diphenylnaphthalen-1-amine (14.8 g, 50mmol), 3,7-dibromodibenzo thiophene (20.5 g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 18.9 g (68 %)의 생성물을 얻었다N, 4-diphenylnaphthalen-1-amine (14.8 g, 50 mmol), 3,7-dibromodibenzo thiophene (20.5 g, 60 mmol), K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder (3.5) g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol) and DMF (250 mL) were obtained using the synthesis method of 1a-1 (Method 1) to obtain 18.9 g (68%) of the product.

1a-1-7 : 4-(biphenyl-4-yl(4-bromophenyl)amino)-1-naphthonitrile의 합성1a-1-7: Synthesis of 4- (biphenyl-4-yl (4-bromophenyl) amino) -1-naphthonitrile

둥근 바닥플라스크에 4-(biphenyl-4-ylamino)-1-naphthonitrile (16.02 g, 50mmol), 1,4-dibromo benzene (14.2g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 16 g (67 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 4- (biphenyl-4-ylamino) -1-naphthonitrile (16.02 g, 50 mmol), 1,4-dibromo benzene (14.2 g, 60 mmol), K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was purified using 16 g (67%) of the product using the synthesis of 1a-1 (Method 1) above. Got

1a-1-8 : 1-(4-bromophenoxy)-4-phenyl[D5]naphthalene의 합성1a-1-8: Synthesis of 1- (4-bromophenoxy) -4-phenyl [D5] naphthalene

둥근 바닥플라스크에 4-phenyl[D5]naphthalen-1-ol (11.3 g, 50mmol), 1,4-dibromobenzene(14.2g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 13.1 g (69 %)의 생성물을 얻었다4-phenyl [D5] naphthalen-1-ol (11.3 g, 50 mmol), 1,4-dibromobenzene (14.2 g, 60 mmol), K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder ( 3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol) and DMF (250 mL) were obtained using 13.1 g (69%) of the product using the synthesis of 1a-1 (Method 1).

1a-1-9 : 1-(4-bromophenoxy)-4-phenylnaphthalene의 합성1a-1-9: Synthesis of 1- (4-bromophenoxy) -4-phenylnaphthalene

둥근 바닥플라스크에 4-phenylnaphthalen-1-ol (11.01 g, 50mmol), 1,4-dibromobenzene(14.2g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 13g (69 %)의 생성물을 얻었다4-phenylnaphthalen-1-ol (11.01 g, 50 mmol), 1,4-dibromobenzene (14.2 g, 60 mmol), K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55) mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was obtained using the synthesis method of 1a-1 (Method 1) to obtain 13g (69%) of the product.

2b-1-1 : 4-bromo-1,2'-binaphthyl의 합성2b-1-1: synthesis of 4-bromo-1,2'-binaphthyl

둥근바닥플라스크에 1,4-dibromonaphthalene (8.58 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 6.5 g (65 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 1,4-dibromonaphthalene (8.58 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were used to synthesize 6.5 g (65%) of the product using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above.

2b-1-2 : 6-bromo-2,2'-binaphthyl의 합성2b-1-2: Synthesis of 6-bromo-2,2'-binaphthyl

둥근바닥플라스크에 2,6-dibromonaphthalene (8.58 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 6.7 g (67 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 2,6-dibromonaphthalene (8.58 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to yield 6.7 g (67%) of product.

2b-1-3 : 2-(4-bromophenyl)naphthalene의 합성2b-1-3: Synthesis of 2- (4-bromophenyl) naphthalene

둥근바닥플라스크에 1,4-dibromobenzene (7.08 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 5.95 g (70 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 1,4-dibromobenzene (7.08 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to yield 5.95 g (70%) of the product.

2b-1-4 : 5-bromo-1,2'-binaphthyl의 합성2b-1-4: Synthesis of 5-bromo-1,2'-binaphthyl

둥근바닥플라스크에 1,5-dibromonaphthalene (8.58 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 6.8 g (68 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 1,5-dibromonaphthalene (8.58 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to yield 6.8 g (68%) of product.

2b-1-5 : 2-(4-bromo-3-methylphenyl)naphthalene의 합성2b-1-5: Synthesis of 2- (4-bromo-3-methylphenyl) naphthalene

둥근바닥플라스크에 1,4-dibromo-2-methylbenzene (7.5 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 6.06 g (68 %)의 생성물을 얻었다1,4-dibromo-2-methylbenzene (7.5 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g) , 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to yield 6.06 g (68%) of the product.

2b-1-6 : 9-bromo-10-(naphthalen-2-yl)anthracene의 합성2b-1-6: Synthesis of 9-bromo-10- (naphthalen-2-yl) anthracene

2b-1-7 : 4-bromo-N,N-di(naphthalen-2-yl)naphthalen-1-amine의 합성2b-1-7: Synthesis of 4-bromo-N, N-di (naphthalen-2-yl) naphthalen-1-amine

둥근 바닥플라스크에 dinaphthalen-2-ylamine (13.5 g, 50mmol), 1,4-dibromonaphthalene (17.2g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 16.6 g (70 %)의 생성물을 얻었다Dinaphthalen-2-ylamine (13.5 g, 50 mmol), 1,4-dibromonaphthalene (17.2 g, 60 mmol), K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol) in a round bottom flask , 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was purified using the synthesis method of 1a-1 (Method 1) to obtain 16.6 g (70%) of the product.

2b-1-8 : 3-bromo-7-(naphthalen-2-yl)dibenzo[b,d]furan의 합성2b-1-8: Synthesis of 3-bromo-7- (naphthalen-2-yl) dibenzo [b, d] furan

둥근바닥플라스크에 3,7-dibromodibenzo[b,d]furan (9.78 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 7.73 g (69 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 3,7-dibromodibenzo [b, d] furan (9.78 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH ( 6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to yield 7.73 g (69%) of the product.

2b-1-9 : 2-bromo-7-(naphthalen-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole의 합성2b-1-9: Synthesis of 2-bromo-7- (naphthalen-2-yl) -9-phenyl-9H-carbazole

둥근바닥플라스크에 2,7-dibromo-9-phenyl-9H-carbazole (12.03 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 9.01 g (67 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 2,7-dibromo-9-phenyl-9H-carbazole (12.03 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) was obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to give 9.01 g (67%) of product.

2b-1-10 : 2-bromo-5-(naphthalen-2-yl)thiophene의 합성2b-1-10: Synthesis of 2-bromo-5- (naphthalen-2-yl) thiophene

둥근바닥플라스크에 2,5-dibromothiophene (7.26 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 5.99 g (69 %)의 생성물을 얻었다2,5-dibromothiophene (7.26 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were obtained using 5.2 g (69%) of the product using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above.

2b-1-11 : N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-bromophenyl)naphthalen-2-amine의 합성2b-1-11: Synthesis of N- (biphenyl-4-yl) -N- (4-bromophenyl) naphthalen-2-amine

둥근 바닥플라스크에 N-(biphenyl-4-yl)naphthalen-2-amine (14.77 g, 50mmol), 1,4-dibromo benzene (14.15g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 16.44 g (73 %)의 생성물을 얻었다.N- (biphenyl-4-yl) naphthalen-2-amine (14.77 g, 50 mmol), 1,4-dibromo benzene (14.15 g, 60 mmol) and K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol) in a round bottom flask , Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was added 16.44 g (73%) using the synthesis method of 1a-1 (Method 1). The product was obtained.

2b-1-12:N-(biphenyl-4-yl)-7-bromo-N-(naphthalen-2-yl)phenanthren-2-amine의 합성Synthesis of 2b-1-12: N- (biphenyl-4-yl) -7-bromo-N- (naphthalen-2-yl) phenanthren-2- amine

둥근 바닥플라스크에 N-(biphenyl-4-yl)naphthalen-2-amine (14.77 g, 50mmol), 2,7-dibromo phenanthrene (20.16 g, 60 mmol), K₂CO₃ (10.4 g ,75 mmol), Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL)을 상기 1a-1(Method 1)의 합성법을 사용하여 19.54 g (71 %)의 생성물을 얻었다.N- (biphenyl-4-yl) naphthalen-2-amine (14.77 g, 50 mmol), 2,7-dibromo phenanthrene (20.16 g, 60 mmol) and K ₂ CO ₃ (10.4 g, 75 mmol) in a round bottom flask , Cu powder (3.5 g, 55 mmol), 18-crown-6 (1.32 g, 5 mmol), DMF (250 mL) was prepared using 19.54 g (71%) of the above-described synthesis of 1a-1 (Method 1). The product was obtained.

2b-1-13 : 3-bromo-9-(naphthalen-1-yl)-6-(naphthalen-2-yl)-9H-carbazole의 합성 2b-1-13: Synthesis of 3-bromo-9- (naphthalen-1-yl) -6- (naphthalen-2-yl) -9H-carbazole

둥근바닥플라스크에 3,6-dibromo-9-(naphthalen-1-yl)-9H-carbazole (13.53 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 10.17 g (68 %)의 생성물을 얻었다.3,6-dibromo-9- (naphthalen-1-yl) -9H-carbazole (13.53 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73) g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) were obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to give 10.17 g (68%) of the product.

2b-1-14 : 3-bromo-6-(naphthalen-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole의 합성2b-1-14: Synthesis of 3-bromo-6- (naphthalen-2-yl) -9-phenyl-9H-carbazole

둥근바닥플라스크에 3,6-dibromo-9-phenyl-9H-carbazole (12.03 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33mmol), Pd(PPh₃)₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150mmol), THF (90 mL), 물 (45 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 9.01 g (67 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 3,6-dibromo-9-phenyl-9H-carbazole (12.03 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (8.39 g, 33 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), NaOH (6 g, 150 mmol), THF (90 mL), water (45 mL) was obtained using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above to give 9.01 g (67%) of product.

2b-1-15 : 2,2'-(5-bromo-1,3-phenylene)dinaphthalene의 합성2b-1-15: Synthesis of 2,2 '-(5-bromo-1,3-phenylene) dinaphthalene

둥근바닥플라스크에 1,3,5-tribromobenzene (9.44 g, 30mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (15.25 g, 60mmol), Pd(PPh₃)₄ (3.46 g, 3 mmol), NaOH (12 g, 300mmol), THF (120 mL), 물 (60 mL)을 상기 2a-1 (Method 2)의 합성법을 사용하여 7.61 g (62 %)의 생성물을 얻었다1,3,5-tribromobenzene (9.44 g, 30 mmol), 2-naphthylboronic pinacol ester (15.25 g, 60 mmol), Pd (PPh ₃ ) ₄ (3.46 g, 3 mmol), NaOH (12 g, 300 mmol) in a round bottom flask ), THF (120 mL), water (60 mL) using the synthesis of 2a-1 (Method 2) above yielded 7.61 g (62%) of product.

1a-2, 2b-2의 합성법 (Method 3) Synthesis of 1a-2 and 2b-2 (Method 3)

둥근바닥플라스크에 1a의 화합물(1당량), Bis(pinacolato)diboron (1.1당량), Pd(dppf)Cl₂ (0.03당량). KOAc (3당량), DMF (6.3 mL / 1 mmol)을 넣은후에 130℃에서 가열, 환류반응을 진행한다. Compound 1a (1 equiv), Bis (pinacolato) diboron (1.1 equiv), Pd (dppf) Cl ₂ (0.03 equiv) in a round bottom flask. KOAc (3 equiv) and DMF (6.3 mL / 1 mmol) were added, followed by heating to reflux at 130 ° C.

반응이 완료되면 MC 와 물로 추출하고 얻어진 유기층을 MgSO₄ 로 건조, 농축한 후에 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다. After the reaction was completed, the resultant was extracted with MC and water, and the obtained organic layer was dried over MgSO ₄ , concentrated, and silicagel column and recrystallized to obtain a product.

1a-2, 2b-2의 합성 예시Synthesis Example of 1a-2, 2b-2

[화학식 11][Formula 11]

1a-2-1:4,4,5,5-1a-2-1: 4,4,5,5- tetramethyltetramethyl -2-(4-(-2- (4- ( naphthalennaphthalen -1--One- yloxyyloxy )) phenylphenyl )-1,3,2-dioxaborolane의 합성Synthesis of) -1,3,2-dioxaborolane

둥근바닥플라스크에 1-(4-bromophenoxy)naphthalene (11.97 g, 40 mmol), Bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 9 g, (65 %)의 생성물을 얻었다. In a round bottom flask, 1- (4-bromophenoxy) naphthalene (11.97 g, 40 mmol), Bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd (dppf) Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using 9g, (65%) of the product using the synthesis of 1a-2, 2b-2 (Method 3).

1a-2-2:4,4,5,5-tetramethyl-2-(4-(naphthalen-1-ylthio)phenyl)-1,3,2-dioxaborolane의 합성Synthesis of 1a-2-2: 4,4,5,5-tetramethyl-2- (4- (naphthalen-1-ylthio) phenyl) -1,3,2-dioxaborolane

둥근바닥플라스크에 (4-bromophenyl)(naphthalen-1-yl)sulfane (12.6 g, 40 mmol),bis(pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 9.42 g, (65 %)의 생성물을 얻었다. (4-bromophenyl) (naphthalen-1-yl) sulfane (12.6 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd (dppf) Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol) in a round bottom flask ). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using the synthesis method of 1a-2, 2b-2 (Method 3) above to yield 9.42 g, (65%).

1a-2-3:N-phenyl-N-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)naphthalen-1-amine의 합성Synthesis of 1a-2-3: N-phenyl-N- (4- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) phenyl) naphthalen-1-amine

둥근바닥플라스크에 N-(4-bromophenyl)-N-phenylnaphthalen-1-amine (14.97 g, 40 mmol), bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 11.29 g, (67 %)의 생성물을 얻었다. In a round bottom flask, N- (4-bromophenyl) -N-phenylnaphthalen-1-amine (14.97 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd (dppf) Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using the synthesis method of 1a-2, 2b-2 (Method 3), to obtain 11.29 g, (67%).

1a-2-4:N-(3-methyl-4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-4-phenyl[D5]-N-phenylnaphthalen-1-amine의 합성1a-2-4: N- (3-methyl-4- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) phenyl) -4-phenyl [D5] -N- Synthesis of phenylnaphthalen-1-amine

둥근바닥플라스크에 N-(4-bromo-3-methylphenyl)-N,4-diphenylnaphthalen-1-amine (18.58 g, 40 mmol), bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 13.22 g, (64 %)의 생성물을 얻었다. N- (4-bromo-3-methylphenyl) -N, 4-diphenylnaphthalen-1-amine (18.58 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd (dppf) in a round bottom flask Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using the synthesis of 1a-2, 2b-2 (Method 3) above to give 13.22 g, (64%) of the product.

1a-2-5:N-(naphthalen-1-yl)-N-(naphthalen-2-yl)-7-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenanthren-2-amine의 합성1a-2-5: N- (naphthalen-1-yl) -N- (naphthalen-2-yl) -7- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl Synthesis of phenanthren-2-amine

둥근바닥플라스크에 7-bromo-N-(naphthalen-1-yl)-N-(naphthalen-2-yl)phenanthren-2-amine (20.98 g, 40 mmol),bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 15.09 g, (66 %)의 생성물을 얻었다. 7-bromo-N- (naphthalen-1-yl) -N- (naphthalen-2-yl) phenanthren-2-amine (20.98 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44) in a round bottom flask mmol), Pd (dppf) Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using 15.09 g (66%) of the product using the synthesis of 1a-2, 2b-2 (Method 3) above.

1a-2-6 : N-phenyl-N-(4-phenylnaphthalen-1-yl)-7-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-1a-2-6: N-phenyl-N- (4-phenylnaphthalen-1-yl) -7- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-

2-yl)dibenzo[b,d]thiophen-3-amine의 합성Synthesis of 2-yl) dibenzo [b, d] thiophen-3-amine

둥근바닥플라스크에 7-bromo-N-phenyl-N-(4-phenylnaphthalen-1-yl)dibenzo[b,d]thiophen-3-amine (22.26 g, 40 mmol),bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 15.21 g, (63 %)의 생성물을 얻었다. 7-bromo-N-phenyl-N- (4-phenylnaphthalen-1-yl) dibenzo [b, d] thiophen-3-amine (22.26 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g) in a round bottom flask , 44 mmol), Pd (dppf) Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using 15.21 g (63%) of the product using the synthesis of 1a-2, 2b-2 (Method 3) above.

1a-2-7:4-(biphenyl-4-yl(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)amino)-1-naphthonitrile 의 합성Synthesis of 1a-2-7: 4- (biphenyl-4-yl (4- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) phenyl) amino) -1-naphthonitrile

둥근바닥플라스크에 4-(biphenyl-4-yl(4-bromophenyl)amino)-1-naphthonitrile (19.02 g, 40 mmol),bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 13.37 g, (64 %)의 생성물을 얻었다4- (biphenyl-4-yl (4-bromophenyl) amino) -1-naphthonitrile (19.02 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd (dppf) Cl _{2 in a} round bottom flask (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using the synthesis method of 1a-2, 2b-2 (Method 3) to obtain 13.37 g, (64%).

1a-2-8:44,4,5,5-tetramethyl-2-(4-(4-phenyl[D5]naphthalen-1-yloxy)phenyl)-1,3,2-dioxaborolane의 합성Synthesis of 1a-2-8: 44,4,5,5-tetramethyl-2- (4- (4-phenyl [D5] naphthalen-1-yloxy) phenyl) -1,3,2-dioxaborolane

둥근바닥플라스크에 1-(4-bromophenoxy)-4-phenyl[D5]naphthalene (15.21 g, 40 mmol), bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 11.62 g, (68 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 1- (4-bromophenoxy) -4-phenyl [D5] naphthalene (15.21 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd (dppf) Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using the synthesis method of 1a-2, 2b-2 (Method 3) to give 11.62 g, (68%).

1a-2-9 :4,4,5,5-1a-2-9: 4,4,5,5- tetramethyltetramethyl -2-(4-(4--2- (4- (4- phenylnaphthalenphenylnaphthalen -1--One- yloxyyloxy )) phenylphenyl )-1,3,2-dioxaborolane의 합성Synthesis of) -1,3,2-dioxaborolane

둥근바닥플라스크에 1-(4-bromophenoxy)-4-phenylnaphthalene (15.01 g, 40 mmol), bis(pinacolato)diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd(dppf)Cl₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol), DMF (252 mL)을 상기 1a-2, 2b-2(Method 3)의 합성법을 사용하여 11.49 g, (68 %)의 생성물을 얻었다In a round bottom flask, 1- (4-bromophenoxy) -4-phenylnaphthalene (15.01 g, 40 mmol), bis (pinacolato) diboron (11.17 g, 44 mmol), Pd (dppf) Cl ₂ (0.98 g, 1.2 mmol). KOAc (11.78 g, 120 mmol) and DMF (252 mL) were obtained using the synthesis method of 1a-2, 2b-2 (Method 3) to obtain 11.49 g, (68%).

6a의 합성법 (Method 3)Synthesis of 6a (Method 3)

둥근바닥플라스크에 1a-1 또는 1a-2의 화합물 (1당량), 1b, 2b의 화합물 (1.1당량), Pd(PPh₃)₄ (0.03~0.05당량),NaOH (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 넣는다. 1a-1 or 1a-2 compound (1 equiv), 1b, 2b compound (1.1 equiv), Pd (PPh ₃ ) ₄ (0.03 ~ 0.05 equiv), NaOH (3 equiv), THF (3 mL / 1 mmol) and water (1.5 mL / 1 mmol).

[표1]Table 1

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기발광소자를 비롯한 유기전자소자의 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송층 물질, 발광층 물질, 및 전자 수송층 물질에 사용되는 치환기를 상기 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 제조할 수 있다.Moreover, the compound which has the intrinsic property of the introduced substituent can be synthesize | combined by introducing various substituents into the core structure of the above structure. For example, by introducing a substituent used in the hole injection layer material, the hole transport layer material, the light emitting layer material, and the electron transport layer material used in the manufacture of the organic electronic device, including the organic light emitting device to satisfy the conditions required for each organic material layer Materials can be prepared.

본 발명에 따른 화합물은 치환기의 종류 및 성질에 따라 유기전계발광전자소자에서 다양한 용도로 사용될 수 있다.The compound according to the present invention can be used for various purposes in the organic light emitting electronic device according to the type and nature of the substituent.

본 발명의 화합물은 코어와 치환체에 의해 조절이 자유롭기 때문에 인광 또는 형광 발광층의 호스트 이외의 다양한 층으로 작용할 수 있다.The compounds of the present invention can act as various layers other than the host of the phosphorescent or fluorescent light emitting layer because they are freely controlled by the core and the substituents.

본 발명의 유기전자소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기전자소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic electronic device, except that at least one organic material layer is formed using the above-described compounds.

본 발명의 화합물들을 유기전계발광소자의 다른 유기물층들, 예를 들어 발광 보조층, 전자주입층, 전자수송층, 및 정공주입층에 사용되더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다.When the compounds of the present invention are used in other organic material layers of the organic light emitting device, for example, a light emitting auxiliary layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole injection layer, it is obvious that the same effect can be obtained.

한편 본 발명의 화합물은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수 있다. 다시 말해 상기 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 후술할 유기전자소자의 유기물층을 형성할 수 있다. 즉 상기 화합물을 유기물층으로 사용할 때 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조될 수 있다.Meanwhile, the compound of the present invention can be used in a soluble process. In other words, the compound may form an organic material layer of an organic electronic device, which will be described later, by a solution process. In other words, when the compound is used as an organic material layer, the organic material layer may be formed by using various polymer materials, rather than a solution process or a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be produced in fewer layers by the method.

본 발명의 화합물들이 사용될 수 있는 유기전기소자는 예를 들어, 유기전계발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT) 등이 있다.Organic electroluminescent devices in which the compounds of the present invention can be used include, for example, organic electroluminescent devices (OLEDs), organic solar cells, organic photoconductor (OPC) drums, organic transistors (organic TFTs), and the like.

본 발명의 화합물들이 적용될 수 있는 유기전기소자 중 일예로 유기전계발광소자(OLED)에 대하여 설명하나, 본 발명은 이에 제한되지 않고 다양한 유기전기소자에 위에서 설명한 화합물들이 적용될 수 있다.As an example of the organic electroluminescent device to which the compounds of the present invention can be applied, an organic light emitting diode (OLED) will be described. However, the present invention is not limited thereto, and the above-described compounds may be applied to various organic electroluminescent devices.

본 발명의 다른 실시예는 제1 전극, 제2 전극 및 이들 전극 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물들을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.Another embodiment of the present invention is an organic electroluminescent device comprising a first electrode, a second electrode and an organic material layer disposed between the electrodes, wherein at least one of the organic material layer comprises an organic electroluminescent device comprising the compounds of the present invention to provide.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자는, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층 중 1층 이상을 본 발명의 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 통상의 제조 방법 및 재료를 이용하여 당 기술 분야에 알려져 있는 구조로 제조될 수 있다.The organic light emitting device according to another embodiment of the present invention, except that at least one layer of an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer to include the compound of the present invention. Can be prepared with a structure known in the art using conventional manufacturing methods and materials in the art.

본 발명에 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구조는 도 1 내지 6에 예시되어 있으나, 이들 구조에만 한정된 것은 아니다. 이때, 도면번호 101은 기판, 102는 양극, 103는 정공주입층(HIL), 104는 정공수송층(HTL), 105는 발광층(EML), 106은 전자주입층(EIL), 107은 전자수송층(ETL), 108은 음극을 나타낸다. The structure of the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 to 6, but is not limited thereto. In this case, reference numeral 101 denotes a substrate, 102 an anode, 103 a hole injection layer (HIL), 104 a hole transport layer (HTL), 105 a light emitting layer (EML), 106 an electron injection layer (EIL), 107 an electron transport layer ( ETL), 108 represents a negative electrode.

미도시하였지만, 이러한 유기전계발광소자는 정공의 이동을 저지하는 정공저지층(HBL), 전자의 이동을 저지하는 전자저지층(EBL), 발광을 돕거나 보조하는 발광보조층 및 보호층이 더 위치할 수도 있다. 보호층의 경우 최상위층에서 유기물층을 보호하거나 음극을 보호하도록 형성될 수 있다.Although not shown, the organic light emitting diode further includes a hole blocking layer (HBL) that blocks hole movement, an electron blocking layer (EBL) that blocks electrons from moving, a light emitting auxiliary layer that helps or assists light emission, and a protective layer. It may be located. The protective layer may be formed to protect the organic material layer or the cathode at the uppermost layer.

이때, 본 발명의 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층 중 하나 이상에 포함될 수 있다.In this case, the compound of the present invention may be included in one or more of an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer.

구체적으로, 본 발명의 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층 및 보호층 중 하나 이상을 대신하여 사용되거나 이들과 함께 층을 형성하여 사용될 수도 있다. 물론 유기물층 중 한층에만 사용되는 것이 아니라 두층 이상에 사용될 수 있다.Specifically, the compound of the present invention is used in place of or in combination with one or more of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, a light emitting auxiliary layer and a protective layer It may be used to form. Of course, the organic layer may be used not only in one layer but also in two or more layers.

특히, 본 발명의 화합물에 따라서 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자주입 재료, 전자수송 재료, 발광 재료 및 패시베이션(케핑) 재료로 사용될 수 있고, 특히 단독으로 발광물질 및 호스트/도판트에서 호스트 또는 도판트로 사용될 수 있으며, 정공 주입, 정공수송층으로 사용될 수 있다.In particular, it can be used as a hole injection material, a hole transport material, an electron injection material, an electron transport material, a luminescent material and a passivation (kepping) material according to the compound of the present invention, in particular a host or in a luminescent material and host / dopant alone Can be used as a dopant, can be used as a hole injection, a hole transport layer.

예컨대, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.For example, the organic light emitting device according to another embodiment of the present invention is a metal having a metal or conductivity on a substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation An oxide or an alloy thereof is deposited to form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed thereon, and then a material that can be used as a cathode is deposited thereon. Can be prepared.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기전기소자를 만들 수도 있다. 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. In addition to the above method, an organic electronic device may be fabricated by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate. The organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure.

또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.In addition, the organic layer may be formed using a variety of polymer materials, but not by a deposition process or a solvent process, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be made with a small number of layers.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자는 위에서 설명한 화합물을 스핀 코팅(spin coating)이나 잉크젯(ink jet) 공정과 같은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수도 있다.The organic light emitting device according to another embodiment of the present invention may be used in a solution process such as spin coating or ink jet process.

기판은 유기전계발광소자의 지지체이며, 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용될 수 있다.The substrate is a support of the organic light emitting device, and a silicon wafer, quartz or glass plate, metal plate, plastic film or sheet, or the like can be used.

기판 위에는 양극이 위치된다. 이러한 양극은 그 위에 위치되는 정공주입층으로 정공을 주입한다. 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질일 수 있다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.An anode is positioned over the substrate. This anode injects holes into the hole injection layer located thereon. The positive electrode material may be a material having a large work function to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of oxides with metals such as ZnO: Al or SnO 2: Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.

양극 위에는 정공주입층이 위치된다. 이러한 정공주입층의 물질로 요구되는 조건은 양극으로부터의 정공주입 효율이 높으며, 주입된 정공을 효율적으로 수송할 수 있어야 한다. 이를 위해서는 이온화 포텐셜이 작고 가시광선에 대한 투명성이 높으며, 정공에 대한 안정성이 우수해야 한다.The hole injection layer is located on the anode. The conditions required for the material of the hole injection layer are high hole injection efficiency from the anode, it should be able to transport the injected holes efficiently. This requires a small ionization potential, high transparency to visible light, and excellent hole stability.

정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이일 수 있다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole injection material is a material that can be injected well from the anode at a low voltage, the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material may be between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organics, hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone-based organics, perylene-based organics, Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공주입층 위에는 정공수송층이 위치된다. 이러한 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 전달받아 그 위에 위치되는 유기발광층으로 수송하는 역할을 하며, 높은 정공 이동도와 정공에 대한 안정성 및 전자를 막아주는 역할를 한다. 이러한 일반적 요구 이외에 차체 표시용으로 응용할 경우 소자에 대한 내열성이 요구되며, 유리 전이 온도(Tg)가 70 ℃ 이상의 값을 갖는 재료일 수 있다.The hole transport layer is positioned on the hole injection layer. The hole transport layer receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the organic light emitting layer located thereon, and serves to prevent high hole mobility, hole stability, and electrons. In addition to these general requirements, applications for vehicle body display require heat resistance to the device, and may be a material having a glass transition temperature (Tg) of 70 ° C. or higher.

이와 같은 조건을 만족하는 물질들로는 NPD(혹은 NPB라 함), 스피로-아릴아민계화합물, 페릴렌-아릴아민계화합물, 아자시클로헵타트리엔화합물, 비스(디페닐비닐페닐)안트라센, 실리콘게르마늄옥사이드화합물, 실리콘계아릴아민화합물 등이 될 수 있다.Materials satisfying these conditions include NPD (or NPB), spiro-arylamine compounds, perylene-arylamine compounds, azacycloheptatriene compounds, bis (diphenylvinylphenyl) anthracene and silicon germanium oxide. Compound, a silicon-based arylamine compound, and the like.

정공수송층 위에는 유기발광층이 위치된다. 이러한 유기발광층는 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자가 재결합하여 발광을 하는 층이며, 양자효율이 높은 물질로 이루어져 있다. 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질일 수 있다.The organic light emitting layer is positioned on the hole transport layer. The organic light emitting layer is a layer for emitting light by recombination of holes and electrons injected from the anode and the cathode, respectively, and is made of a material having high quantum efficiency. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and may be a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence.

이와 같은 조건을 만족하는 물질 또는 화합물로는 녹색의 경우 Alq3가, 청색의 경우 Balq(8-hydroxyquinoline beryllium salt), DPVBi(4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl) 계열, 스피로(Spiro) 물질, 스피로-DPVBi(Spiro-4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl), LiPBO(2-(2-benzoxazoyl)-phenollithium salt), 비스(디페닐비닐페닐비닐)벤젠, 알루미늄-퀴놀린 금속착체, 이미다졸, 티아졸 및 옥사졸의 금속착체 등이 있으며, 청색 발광 효율을 높이기 위해 페릴렌, 및 BczVBi(3,3'[(1,1'-biphenyl)-4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl]bis(9-ethyl)-9H-carbazole; DSA(distrylamine)류)를 소량 도핑하여 사용할 수 있다. 적색의 경우는 녹색 발광 물질에 DCJTB([2-(1,1-dimethylethyl)-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo(ij)quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene]-propanedinitrile)와 같은 물질을 소량 도핑하여 사용할 수 있다. Substances or compounds that satisfy these conditions include Alq3 for green, Balq (8-hydroxyquinoline beryllium salt) for blue, DPVBi (4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) -1,1'- biphenyl) series, Spiro material, Spiro-DPVBi (Spiro-4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) -1,1'-biphenyl), LiPBO (2- (2-benzoxazoyl) -phenollithium salt ), Bis (diphenylvinylphenylvinyl) benzene, aluminum-quinoline metal complex, metal complexes of imidazole, thiazole and oxazole, and the like, perylene, and BczVBi (3,3 '[ (1,1'-biphenyl) -4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl] bis (9-ethyl) -9H-carbazole; DSA (distrylamine) can be used by doping in small amounts. In the case of red, DCJTB ([2- (1,1-dimethylethyl) -6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H, 5H Small amounts of doping such as -benzo (ij) quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene] -propanedinitrile) can be used.

잉크젯프린팅, 롤코팅, 스핀코팅 등의 공정을 사용하여 발광층을 형성할 경우에, 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 계통의 고분자나 폴리 플로렌(poly 플루오렌(fluorene)) 등의 고분자를 유기발광층에 사용할 수 있다.When the light emitting layer is formed using a process such as inkjet printing, roll coating, or spin coating, an organic light emitting layer is formed of a polymer of polyphenylene vinylene (PPV) or a polymer such as poly fluorene. Can be used for

유기발광층 위에는 전자수송층이 위치된다. 이러한 전자수송층은 그 위에 위치되는 음극으로부터 전자주입 효율이 높고 주입된 전자를 효율적으로 수송할 수 있는 물질이 필요하다. 이를 위해서는 전자 친화력과 전자 이동속도가 크고 전자에 대한 안정성이 우수한 물질로 이루어져야 한다. The electron transport layer is positioned on the organic light emitting layer. The electron transport layer needs a material having high electron injection efficiency from the cathode positioned thereon and capable of efficiently transporting the injected electrons. To this end, it must be made of a material having high electron affinity and electron transfer speed and excellent stability to electrons.

이와 같은 조건을 충족시키는 전자수송 물질로는 구체적인 예로 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the electron transport material that satisfies such conditions include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq3; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.

전자수송층 위에는 전자주입층이 적층된다. 전자주입층은 Balq, Alq3,Be(bq)2, Zn(BTZ)2, Zn(phq)2, PBD, spiro-PBD, TPBI, Tf-6P 등과 같은 금속착제화합물, imidazole ring 을 갖는 aromatic화합물이나 boron화합물 등을 포함하는 저분자 물질을 이용하여 제작할 수 있다. 이때, 전자주입층은 100Å ~ 300Å의 두께 범위에서 형성될 수 있다.The electron injection layer is stacked on the electron transport layer. The electron injection layer is a metal complex compound such as Balq, Alq3, Be (bq) 2, Zn (BTZ) 2, Zn (phq) 2, PBD, spiro-PBD, TPBI, Tf-6P, aromatic compound with imidazole ring, It can be produced using a low molecular material containing a boron compound and the like. At this time, the electron injection layer may be formed in a thickness range of 100 ~ 300Å.

전자주입층 위에는 음극이 위치된다. 이러한 음극은 전자를 주입하는 역할을 한다. 음극으로 사용하는 재료는 양극에 사용된 재료를 이용하는 것이 가능하며, 효율적인 전자주입을 위해서는 일 함수가 낮은 금속일 수 있다. 특히 주석, 마그네슘, 인듐, 칼슘, 나트륨, 리튬, 알루미늄, 은 등의 적당한 금속, 또는 그들의 적절한 합금이 사용될 수 있다. 또한 100 ㎛ 이하 두께의 리튬플루오라이드와 알루미늄, 산화리튬과 알루미늄, 스트론튬산화물과 알루미늄 등의 2 층 구조의 전극도 사용될 수 있다.The cathode is positioned on the electron injection layer. This cathode serves to inject electrons. The material used as the cathode may use the material used for the anode, and may be a metal having a low work function for efficient electron injection. In particular, a suitable metal such as tin, magnesium, indium, calcium, sodium, lithium, aluminum, silver, or a suitable alloy thereof can be used. In addition, electrodes having a two-layer structure such as lithium fluoride and aluminum, lithium oxide and aluminum, strontium oxide and aluminum having a thickness of 100 μm or less may also be used.

전술하였듯이, 본 발명의 화합물에 따라서 적색, 녹색, 청색, 흰색 등의 모든 칼라의 형광과 인광소자에 적합한 정공주입 재료, 정공수송 재료, 발광 재료, 전자수송 재료 및 전자주입 재료로 사용할 수 있으며, 다양한 색의 호스트 또는 도판트 물질로 사용될 수 있다.As described above, according to the compound of the present invention, it can be used as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, and an electron injection material suitable for fluorescence and phosphorescent devices of all colors such as red, green, blue, and white, It can be used as a host or dopant material of various colors.

본 발명에 따른 유기전계발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type or a double-sided emission type according to the material used.

한편 본 발명은, 위에서 설명한 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 단말을 포함한다. 이 단말은 현재 또는 장래의 유무선 통신단말을 의미한다. 이상에서 전술한 본 발명에 따른 단말은 휴대폰 등의 이동 통신 단말기일 수 있으며, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 단말을 포함한다.Meanwhile, the present invention includes a display device including the organic electric element described above, and a terminal including a control unit for driving the display device. This terminal means a current or future wired or wireless communication terminal. The terminal according to the present invention described above may be a mobile communication terminal such as a mobile phone, and includes all terminals such as a PDA, an electronic dictionary, a PMP, a remote control, a navigation device, a game machine, various TVs, various computers, and the like.

비교예Comparative example

유기전기소자의 제조평가Manufacturing Evaluation of Organic Electrical Device

합성을 통해 얻은 여러 화합물을 각각 발광층의 발광 호스트 물질이나 정공 수송층으로 사용하여 통상적인 방법에 따라 유기전계 발광소자를 제작하였다. Various compounds obtained through synthesis were used as light emitting host materials or hole transporting layers of the light emitting layer, respectively, to fabricate an organic light emitting device according to a conventional method.

먼저, 유기 기판에 형성된 ITO층(양극)위에 우선 정공주입층으로서 구리프탈로사이아닌 (이하 CuPc로 약기함)막을 진공증착하여 10nm 두께로 형성하였다. 이어서 전술한 실시예들에 따른 화합물들을 발광층의 호스트로 사용시에는 이 막 상에 정공수송층 화합물로서 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 (이하 α-NPD로 약기함)을 30 nm 의 두께로 진공증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이 정공 수송층 상부에 45nm 두께의 BD-052X (Idemitsu사)가 7% 도핑된 발광층[이때 BD-052X는 청색 형광 도펀트이고, 발광 호스트 물질로는 전술한 실시예들에 따른 화합물들 또는 9, 10-다이-(나프탈렌-2-안트라센)=AND]을 사용하였다. First, a copper phthalocyanine (hereinafter abbreviated as CuPc) film was vacuum-deposited on the ITO layer (anode) formed on the organic substrate to form a thickness of 10 nm. Subsequently, when the compounds according to the above embodiments are used as a host of the light emitting layer, 4,4-bis [ N- (1-naphthyl) -N -phenylamino] biphenyl (hereinafter α- Abbreviated as NPD) was vacuum deposited to a thickness of 30 nm to form a hole transport layer. A light emitting layer in which 45% thick BD-052X (Idemitsu Co., Ltd.) is doped with a 7% doped light emitting layer (where BD-052X is a blue fluorescent dopant, and the light emitting host material is a compound according to the aforementioned embodiments or 9, 10). -Di- (naphthalene-2-anthracene) = AND] was used.

인광 호스트 재료로 측정 할 시에는 인광재료를 증착하여 발광층을 성막함과 동시에 인광 발광성의 Ir 금속 착체 도펀트로서 트리스(2-페닐피리딘)이리듐 (이하 Ir(ppy)₃로 약기함)을 첨가하였다. 이때 발광층 중에 있어서의 Ir(ppy)₃의 농도는 10중량 % 로 하였다. 정공저지층으로 {(1,1’-비스페닐)-4-올레이토}비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄 (이하 BAlq로 약기함)을 10 nm 의 두께로 진공증착하고, 이어서 전자주입층으로 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄 (이하 Alq3로 약기함)을 40 nm 의 두께로 성막하였다. 이 후, 할로겐화 알킬리 금속인 LiF를 0.2 nm의 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 이 Al/LiF를 음극으로 사용함으로서 유기전계 발광소자를 제조하였다. When measuring with a phosphorescent host material, a phosphorescent material was deposited to form a light emitting layer and tris (2-phenylpyridine) iridium (hereinafter abbreviated as Ir (ppy) ₃ ) was added as a phosphorescent Ir metal complex dopant. At this time, the concentration of Ir (ppy) _{3 in} the light emitting layer was 10% by weight. {(1,1'-bisphenyl) -4-oleito} bis (2-methyl-8-quinolineoleito) aluminum (hereinafter abbreviated as BAlq) was vacuum-deposited to a hole blocking layer to a thickness of 10 nm, Subsequently, tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter abbreviated as Alq3) was formed into an electron injection layer to a thickness of 40 nm. Subsequently, LiF, an alkyl halide metal, was deposited to a thickness of 0.2 nm, and then Al was deposited to a thickness of 150 nm to use an Al / LiF as a cathode to prepare an organic light emitting device.

비교실험예Comparative Experiment

전술한 실시예들에 따른 화합물들을 형광 호스트, 정공수송층으로 측정했을 경우, 비교를 위해 전술한 실시예들에 따른 화합물들 대신에 α-NPD(화학식 12)을 정공수송층으로, AND [9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene, 화학식 13] 을 형광 호스트 물질로 사용하여 실험예와 동일한 구조의 유기전계발광 소자를 제작하였다. When the compounds according to the above embodiments were measured by a fluorescent host and a hole transport layer, for comparison, α-NPD (Formula 12) was used as the hole transport layer instead of the compounds according to the above embodiments. An organic electroluminescent device having the same structure as that of the experimental example was manufactured using -di (naphthalene-2-yl) anthracene (Formula 13) as a fluorescent host material.

[화학식 12] [Formula 12]

[화학식 13] [Formula 13]

정공수송층과 정공수송층으로 실시예들에 따른 화합물을 사용한 제조예들과 비교실험예들의 물성을 표로 정리하면 다음의 표 2와 같다.The physical properties of the preparation examples and the comparative test examples using the compounds according to the embodiments as a hole transport layer and a hole transport layer as shown in Table 2 below.

[표2][Table 2]

상기 표의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전계발광소자용 재료를 이용한 유기전계발광소자는 고효율이면서 색순도가 향상된 청색 발광이 얻어지므로 유기전계발광소자의 발광 호스트, 정공수송재료로 사용되어 낮은 구동전압과 높은 발광효율 및 수명을 현저히 개선시킬 수 있다. As can be seen from the results of the above table, the organic electroluminescent device using the organic electroluminescent device material of the present invention is used as a light emitting host and hole transport material of the organic electroluminescent device because the blue light emission with improved color purity is obtained with high efficiency. Significantly improve voltage, high luminous efficiency and lifetime.

상기 실시예와 비교예의 표를 통하여 본 발명의 화합물의 발광효율 및 구동특성이 현저히 우수함을 확인하였으나 상기 실시예와 비교예의 표의 화합물들에서 치환기들은 다른 치환체로 치환될 수 있다. 따라서, 상기 실시예와 비교예의 표의 화합물들에서 치환기들이 다른 치환체로 치환된 실시예와 비교예는 본 명세서의 일부를 구성할 수 있다.Although the luminous efficiency and driving characteristics of the compounds of the present invention were remarkably excellent through the tables of Examples and Comparative Examples, the substituents in the compounds of the Examples and Comparative Examples may be substituted with other substituents. Therefore, the Examples and Comparative Examples in which the substituents are substituted with other substituents in the compounds of Tables of Examples and Comparative Examples may form part of the present specification.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may various modifications without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed herein are not intended to limit the present invention but to describe the present invention, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all the technologies within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

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본 특허출원은 2011년 04월 29일 한국에 출원한 특허출원번호 제 10-2011-0040649 호에 대해 미국 특허법 119(a)조 (35 U.S.C § 119(a))에 따라 우선권을 주장하며, 그 모든 내용은 참고문헌으로 본 특허출원에 병합된다. 아울러, 본 특허출원은 미국 이외에 국가에 대해서도 위와 동일한 이유로 우선권을 주장하면 그 모든 내용은 참고문헌으로 본 특허출원에 병합된다.This patent application claims priority under Patent Application No. 10-2011-0040649, filed in Korea on April 29, 2011, pursuant to Section 119 (a) (35 USC § 119 (a)). All content is incorporated by reference in this patent application. In addition, if this patent application claims priority to a country other than the United States for the same reason, all its contents are incorporated into this patent application by reference.

Claims

하기 화학식으로 표시되는 화합물.Compound represented by the following formula.

상기 화학식에서,In the above formula,

(1) R₁~R₁₄는 각각 독립적으로,(1) R ₁ to R ₁₄ are each independently,

수소; 중수소; 삼중수소; 니트로기; 니트릴기; 아미드기; 실란기;Hydrogen; heavy hydrogen; Tritium; Nitro group; Nitrile group; Amide group; Silane group;

할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₆~C₆₀의 아릴티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴기; A halogen group, C ₁ ~ C ₆₀ alkyl group, C ₁ ~ C ₆₀ alkoxy group, C ₁ ~ C ₆₀ alkyl amine group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl amine group, C ₁ ~ C ₆₀ alkyl thiophene group , C ₆ ~ C ₆₀ arylthiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group, deuterium Substituted C ₆ -C ₆₀ aryl group, C ₈ -C ₆₀ arylalkenyl group, substituted or unsubstituted silane group, substituted or unsubstituted boron group, substituted or unsubstituted germanium group, and substituted or unsubstituted C ₆ ~ C ₆₀ aryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of C ₅ ~ C ₆₀ heterocyclic group;

할로겐기, CN, NO₂, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로고리기; Halogen group, CN, NO ₂ , C ₁ ~ C ₆₀ alkyl group, C ₁ ~ C ₆₀ alkoxy group, C ₁ ~ C ₆₀ alkylamine group, C ₆ ~ C ₆₀ arylamine group, C ₁ ~ C ₆₀ Alkylthiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group, deuterium substituted C ₆ ~ C One or more selected from the group consisting of an aryl group of ₆₀ , a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C ₅ to C ₆₀ heterocyclic group C ₄ ~ C ₆₀ heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with a substituent and includes at least one heteroatom of O, N, S;

C₆~C₆₀의 방향족 고리와 C₄~C₆₀의 지방족고리의 축합 고리기; 및Condensed ring groups of C ₆ -C ₆₀ aromatic rings and C ₄ -C ₆₀ aliphatic rings; And

C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기;로 이루어진 군에서 선택되며,An amine unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a C ₁ to C ₆₀ alkyl group, a C ₂ to C ₆₀ alkenyl group, a C ₆ to C ₆₀ aryl group, and a C ₈ to C ₆₀ aryl alkenyl group It is selected from the group consisting of;

(2) A는 O, S, N(Ar₁)이며, 여기서 Ar₁은 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₆~C₆₀의 아릴 티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴기; 또는 할로겐기, CN, NO₂, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로고리기;이며, (2) A is O, S, N (Ar ₁ ), wherein Ar ₁ is a halogen group, C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, C ₁ -C ₆₀ alkylamine group, C ₆ -C ₆₀ arylamine group, C ₁ -C ₆₀ alkylthiophene group, C ₆ -C ₆₀ aryl thiophene group, C ₂ -C ₆₀ alkenyl group, C ₂ -C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ cycloalkyl group of C _60, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group, of a C ₆ ~ C ₆₀ substituted by deuterium aryl group, a C ₈ ~ arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted ring of C ₆₀ Or C ₆ -C ₆₀ aryl unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C ₅ -C ₆₀ heterocyclic group. group; Or halogen group, CN, NO ₂ , C ₁ -C ₆₀ alkyl group, C ₁ -C ₆₀ alkoxy group, C ₁ -C ₆₀ alkylamine group, C ₆ -C ₆₀ arylamine group, C ₁ -C ₆₀ alkylthiophene groups, C ₂ to C ₆₀ alkenyl groups, C ₂ to C ₆₀ alkynyl groups, C ₃ to C ₆₀ cycloalkyl groups, C ₆ to C ₆₀ aryl groups, substituted or unsubstituted C ₅ a,; ~ C ₆₀ heterocyclic group consisting of with one or more substituents selected is unsubstituted or substituted with O, N, S, at least one hetero atom heterocyclic group of C ₄ ~ C ₆₀ containing of

(3) B는 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₆~C₆₀의 아릴 티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴렌기; (3) B is a halogen group, C ₁ to C ₆₀ alkyl group, C ₁ to C ₆₀ alkoxy group, C ₁ to C ₆₀ alkylamine group, C ₆ to C ₆₀ arylamine group, C ₁ to C ₆₀ Alkylthiophene group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl thiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ Aryl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group substituted with deuterium, C ₈ ~ C ₆₀ aryl alkenyl group, substituted or unsubstituted silane group, substituted or unsubstituted boron group, substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C ₅ ~ optionally substituted with one or more substituents selected from the group consisting of the C ₆₀ heterocyclic or unsubstituted C ₆ ~ C ₆₀ arylene group;

할로겐, CN, NO₂, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₁~C₆₀의 알킬티오펜기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 중수소로 치환된 C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로고리기;Halogen, CN, NO ₂ , C ₁ ~ C ₆₀ alkyl group, C ₁ ~ C ₆₀ alkoxy group, C ₁ ~ C ₆₀ alkylamine group, C ₆ ~ C ₆₀ arylamine group, C ₁ ~ C ₆₀ Alkylthiophene group, C ₂ ~ C ₆₀ alkenyl group, C ₂ ~ C ₆₀ alkynyl group, C ₃ ~ C ₆₀ cycloalkyl group, C ₆ ~ C ₆₀ aryl group, C ₆ ~ C ₆₀ substituted with deuterium One or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C ₅ to C ₆₀ heterocyclic group C ₄ ~ C ₆₀ heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with and containing at least one heteroatom of O, N, S;

C₆~C₆₀의 방향족 고리와 C₄~C₆₀의 지방족고리의 축합 고리기; 실란기; 및Condensed ring groups of C ₆ -C ₆₀ aromatic rings and C ₄ -C ₆₀ aliphatic rings; Silane group; And

N(Ar₂)_p, 여기서 Ar₂는 상기 Ar₁과 동일하며, p는 0 또는 1이며;로 이루어진 군에서 선택되며,N (Ar ₂ ) _p , wherein Ar ₂ is the same as Ar _1, and p is 0 or 1;

(4) L은 단일결합; 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴렌기; 및 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₁~C₆₀의 알콕시기, 헤테로 원자로 O, N, S 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실란기, C₆~C₆₀의 아릴기, 및 C₈~C₆₀의 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~ C₆₀의 헤테로 아릴렌기;로 이루어진 군에서 선택되며,(4) L is a single bond; A halogen group, a C ₁ to C ₆₀ alkyl group, a C ₂ to C ₆₀ alkenyl group, a C ₁ to C ₆₀ alkoxy group, a C ₆ to C ₆₀ aryl group, a C ₈ to C ₆₀ aryl alkenyl group, a substitution or C ₆ ~ unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₆₀ heterocyclic group including at least one heteroatom of O, N, or S; C ₆₀ arylene group; And a substituted or unsubstituted C ₅ including at least one of a halogen group, a C ₁ to C ₆₀ alkyl group, a C ₂ to C ₆₀ alkenyl group, a C ₁ to C ₆₀ alkoxy group and a hetero atom O, N, S Or substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group of -C ₆₀ , a substituted or unsubstituted silane group, a C ₆ -C ₆₀ aryl group, and an aryl alkenyl group of C ₈ -C ₆₀ It is selected from the group consisting of; C ₄ ~ C ₆₀ hetero arylene group containing at least one hetero atom of N, S,

(5) 상기 R₁~R₁₄는 이웃한 기와 결합 또는 반응하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있으며,(5) R ₁ to R ₁₄ may be bonded or reacted with a neighboring group to form a saturated or unsaturated ring,

(6) m은 1 또는 2이다.(6) m is 1 or 2.
제 1항에 있어서, The method of claim 1,

하기 화학식 중 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물. Compound represented by one of the following formula.

상기 화학식에서,In the above formula,

(1) R’, R”은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기, 니트릴기, 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₁ ~ C₅₀의알킬기; 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₆~C₆₀의 아릴기, C₈~C₆₀의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C₆ ~ C₆₀의 아릴기; 및 할로겐기, C₁~C₆₀의 알킬기, C₁~C₆₀의 알콕시기, C₁~C₆₀의 알킬아민기, C₆~C₆₀의 아릴아민기, C₂~C₆₀의 알케닐기, C₂~C₆₀의 알키닐기, C₃~C₆₀의 시클로알킬기, C₆~C₆₀의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₆₀의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C₄ ~C₆₀의 헤테로 고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,(1) R 'and R "are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen, C_One~ C₆₀Alkyl group, C₂~ C₆₀Alkenyl, C_One~ C₆₀Alkoxy group, C₆~ C₆₀Aryl group, C₈~ C₆₀Aryl alkenyl group, substituted or unsubstituted arylalkyl group, substituted or unsubstituted C₅~ C₆₀C unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, a nitrile group and an acetylene group_One ~ C₅₀ofAlkyl groups; Halogen, C_One~ C₆₀Alkyl group, C_One~ C₆₀Alkoxy group, C₂~ C₆₀Alkenyl, C₂~ C₆₀Alkynyl, C₆~ C₆₀Aryl group, C₈~ C₆₀Aryl alkenyl group, substituted or unsubstituted C₅~ C₆₀C unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of heterocyclic groups₆ ~ C₆₀Aryl group; And halogen group, C_One~ C₆₀Alkyl group, C_One~ C₆₀Alkoxy group, C_One~ C₆₀Alkylamine groups, C₆~ C₆₀Arylamine group, C₂~ C₆₀Alkenyl, C₂~ C₆₀Alkynyl, C₃~ C₆₀Cycloalkyl group, C₆~ C₆₀Aryl group, substituted or unsubstituted C₅~ C₆₀C substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heterocyclic groups and containing at least one heteroatom of O, N, and S₄ ~ C₆₀Heterocyclic group of; selected from the group consisting of,

(2) 상기 R’, R”은 이웃한 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,(2) R ′, R ″ may combine with a neighboring group to form a ring,

(3) a는 1~4의 정수이고, b는 1~6의 정수이며, c는 1~8의 정수이다. (3) a is an integer of 1-4, b is an integer of 1-6, c is an integer of 1-8.
제 2항에 있어서, The method of claim 2,

하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물.Compound which is one of the following compounds.
제 1항의 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자.An organic electronic device comprising at least one organic material layer comprising the compound of claim 1.
제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein

용액 공정 (soluble process)에 의해 상기 유기물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. An organic electronic device, characterized in that to form the organic material layer by a solution process (soluble process).
제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein

순차적으로 적층된 제 1전극, 상기 1층 이상의 유기물층 및 제 2전극을 포함하는 유기전계발광소자인 것을 특징으로 하는 유기전기소자. An organic electroluminescent device comprising a first electrode, one or more organic material layers and a second electrode sequentially stacked.
제 6항에 있어서, The method of claim 6,

상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.The organic material layer is an organic electric device, characterized in that at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer.
제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein

상기 화합물은 상기 발광층의 호스트 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.And the compound is used as a host material of the light emitting layer.
제 6항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이 장치; 및Claim 6 display device comprising the organic electroluminescent element; And

상기 디스플레이 장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치. And a controller for driving the display device.
제 9항에 있어서, The method of claim 9,

상기 유기전기소자는 유기전계발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT)중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치. The organic electronic device is at least one of an organic light emitting diode (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC) drum, and an organic transistor (organic TFT).