WO2012138186A2 - 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 - Google Patents
전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012138186A2 WO2012138186A2 PCT/KR2012/002645 KR2012002645W WO2012138186A2 WO 2012138186 A2 WO2012138186 A2 WO 2012138186A2 KR 2012002645 W KR2012002645 W KR 2012002645W WO 2012138186 A2 WO2012138186 A2 WO 2012138186A2
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- silver paste
- paste composition
- carbon black
- electrode
- silver
- Prior art date
Links
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 169
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 144
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims abstract description 92
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 36
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 26
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000936 Agarose Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical group CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- -1 flakes Chemical compound 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- XKXIQBVKMABYQJ-UHFFFAOYSA-M tert-butyl carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC([O-])=O XKXIQBVKMABYQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/18—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Definitions
- the present invention is a silicon semiconductor substrate; An emitter layer formed on the substrate; An anti-reflection film formed on the emitter layer; A front electrode connected to the emitter layer through the anti-reflection film; And a back electrode connected to a rear surface of the substrate, wherein the front electrode fabricates a silicon solar cell formed by applying and baking the silver paste composition described above on the anti-reflection film in a predetermined pattern.
- a process of printing and firing the silver paste composition in a predetermined pattern on a substrate may be performed.
- FIG. 2 A schematic structure of a silicon solar cell including such a front electrode is shown in FIG. 2.
- the silicon solar cell includes a silicon substrate 201, an emitter layer (not shown) formed on the substrate 201, an antireflection film 202 formed on the emitter layer, and the antireflection film.
- a front electrode 203 connected through the 202 to the upper surface of the emitter layer and a rear electrode 205 connected to the rear surface of the substrate 201.
- a back surface field (BSF) layer 204 which is a p + layer, may be formed between the back electrode and the substrate, and the back electrode may include a silver electrode pattern 206 having a predetermined pattern.
- BSF back surface field
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 보다 향상된 인쇄성을 나타내며, 우수한 전기적 특성 및 에너지 변환 특성을 나타내는 태양전지용 전극의 형성을 가능케 하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 전극 형성용 은 페이스트 조성물은 은 분말, 유리 프릿 분말, 유기 바인더 및 카본블랙을 포함하며, 상기 카본블랙은 표면에 노출된 산소/탄소 원자비(O/C ratio)가 0.4 이상인 것이다.
Description
【명세세
【발명의 명칭】
전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법
【기술분야】
본 발명은 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법에 관 한 것이다. 보다 구체적으로， 본 발명은 보다 향상된 인쇄성을 나타내며， 우 수한 전기적 특성 및 에너지 변환 특성을 나타내는 태양전지용 전극의 형성 을 가능케 하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법과， 상기 은 페이스트 조성물로부터 형성된 태양전지용 전면전극 및 실리콘 태양전지 에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】 、
최근 전자 산업이 발달함에 따라 전자제품 및 소자의 소형화 및 높은 신뢰성이 요구되고 있으며, 높은 집적도가 요구되는 전자제품의 회로 패턴이 나 전극 형성을 위해 다양한 방법들이 시도되고 있다. 그 중에서 도전성 금 속 페이스트를 사용하는 것이 공정 중 부산물이나 오염물질의 생성이 적어 관심의 대상이 되고 있다.
일반적으로 사용되는 금속 페이스트는 도전성 금속, 유리 프릿, 유기 바인더를 포함하여 이루어지며， 도전성 금속으로는 은 또는 알루미늄 등이 사용되고 있다. 현재 도전성 금속 페이스트가 주로 사용되는 제품으로는 하 이브리드 IC, 반도체 IC의 실장이나 각종 콘덴서 및 전극 등이 있으며, 최근 PCB, EL, 터치패널， RFID, LCD, PDP 또는 태양전지 등의 첨단 전자제품에도 널리 사용되는 등， 관련 산업이 확대 발전함에 따라 그 수요도 더욱 증가하 고 있는 실정이다.
일 예로 태양전지의 경우에는 최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아 지고 있으며， 그 중에서도 태양전지가 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 주목 받고 있다.
태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와， 반도체의 성질을 이용하여 태양빛 (photons)을 전 기에너지로 변환시키는 태양광 전지로 분류되는데, 태양전지라고 하면 일반
작으로 태양광 전지 (이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.
태양전지는 원료 물질에 따라 크게 실리콘 태양전지 (silicon solar cell), 화합물 반도체 태양전지 (compound semiconductor solar cell) 및 적층형 태양전지 (tandem solar cell) 등으로 구분된다. 이러한 3가지 종류의 태양전지 중 실라콘 태양전지가주류를 이루고 있다.
도 1은 실리콘 태양전지의 기본적인 구조를 보여주는 단면도이다. 도 면을 참조하면, 실리콘 태양전지는 p형의 실리콘 반도체로 이루어진 기판 (101)과 n형 실리콘 반도체로 이루어진 에미터층 (102)을 포함하고, 기판 (101) 과 에미터층 (102)의 계면에는 다이오드와 유사하게 p-n 접합이 형성되어 있 다. 또한 도 2는 태양전지 구조에서 전면전극의 구성을 간략히 도시한 것이 다. 도 2에서와 같이, 태양전지의 기판 전면에는 전면전극으로서 주로 은 전극이 형성되고， 기판 후면에는 후면전극으로서 알루미늄 전극 및 은 전극 이 형성된다. 이때， 전면전극은 도면에 미도시하였지만, 실리콘태양전지 형성 시 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된다.
위와 같은 구조를 갖는 태양전지에 태양광이 입사되면, 광기전력효과
(photovoltaic effect)에 의해 불순물이 도핑된 실리콘ᅳ반도체에서 전자와 정공 이 발생한다. 참고로, n형 실리콘 반도체로 이루어친 에미터층 (102)에서는 전 자가 다수 캐리어로 발생되고, p형 실리콘 반도체로 이루어진 기판 (101)에서 는 정공이 다수 캐리어로 발생된다. 광기전력효과에 의해 :생된 전자와 정 공은 각각 n형 실리콘 반도체 및 p형 실리콘 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각 각 기판 (101) 하부 및 에미터층 (102) 상부와 접합된 전면전극 (103) 및 후면전 극 (104)으로 이동하며, 이 전극 (103, 104)들을 전선으로 연결하면 전류가 흐르 게 된다.
도전성 금속 페이스트는 태양전지에서 전면전극 또는 후면전극의 제 조를 위해 사용되며, 전술한 바와 같이 기타 다른 전자 제품에서 각종 전극 을 제조하기 위해 사용된다. 상용화된 결정형 실리콘 태양전지의 전면전극은 스크린 인쇄 공정을 통해 이루어진다. 상술한 과정을 통한 에너지 변환 효 율을 보다 높이기 위해서는, 먼저， 전면전극의 은과， 실리콘 에미터 층 사이 에 접합 특성이 보다 향상될 필요가 있고， 전면전극의 도전성을 높이기 위해 보다 미세한 선폭을 가지면서도 선고가 높은 전면전극을 형성할 필요가 있
다. 또, 태양전지의 충진 인자 (fill factor)를 향상시킬 필요가 있는데, 이를 위 해 전면전극에 포함된 은이 태양전지의 에미터 층으로 안정적으로 재결정화 될 필요가 있다.
그러나， 이전에 알려진 은 페이스트로 전면전극을 형성할 경우， 전면 전극의 은과, 실리콘 사이에 접합 특성이 층분히 향상되기 어렵고， 미세 선 폭 및 보다 높은 선고를 갖는 전면전극을 형성하는데 한계가 있었던 것이 사실이다ᅳ 이로 인해, 태양전지의 에너지 변환 효율을 향상시키는데 한계가 있었고， 특히， 최근에는 에너지 변환 효율을 0.1%라도 향상시키는데 그 연구 의 초점이 맞춰지고 있다.
【발명의 내용】
【해결하고자 하는 과제】
본 발명은 보다 향상된 인쇄성을 나타내며， 우수한 전기적 특성 및 에너지 변환 특성을 나타내는 태양전지용 전극의 형성을 가능케 하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한， 본 발명은 상기 은 페이스트 조성물로부터 형성된 태양전지용 전면전극 및 실리콘 태양전지를 제공하는 것이다.
【과제의 해결 수단】 ,
본 발명은 은 분말, 유리 프릿 분말, 유기 바인더 및 카본블랙을 포함하며, 상기 카본블랙은 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 약 0.4 이상， 예를 들어， 약 0.4 내지 0.45인 것인 전극 형성용 은 페이스트 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 은 분말， 유리 프릿 분말, 유기 바인더 및 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 0.4 이상이고, 1 내지 5卿의 입경을 갖는 2차 입자 형태의 카본블랙을 포함하는 은 페이스트흔합물을 형성하는 단계; 및 상기 은 페이스트 흔합물을 분쇄하는 단계를 포함하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상술한 은 페이스트 조성물로부터 형성된 태양전지 용 전면전극을 제공한다.
또한， 본 발명은 실리콘 반도체 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 에미터층;
상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된 전면전극; 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면전극 을 포함하는 실리콘 태양전지이며, 상기 전면전극은 상술한 은 페이스트 조 성물을 상기 반사 방지막 상에 소정의 패턴으로 도포하고 소성시켜 형성된 실리콘 태양전지를쎄공한다.
【발명의 효과】
본 발명의 전극 형성용 은 페이스트 조성물은 특정 물성을 갖는 카본 블랙이 첨가됨으로써, 이러한 은 페이스트 조성물을 인쇄하여 태양전지용 전 극을 형성할、때, 은과 실리콘 사이의 접합특성을 보다 향상시킬 수 있다. 또 한， 상기 은 페이스트 조성물은 우수한 인쇄 특성을 나타내며， 미세 선폭 및 보다 높은 선고를 갖는 태양전지용 전극의 형성을 가능케 한다.
따라서， 상기 은 페이스트 조성물을 사용해 보다 향상된 전기적 특성 및 에너지 변환 특성을 갖는 태양전지 및 이의 전극을 효과적으로 형성할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 발명의 바람직한 구현예나 실 시예를 예시하는 것이며， 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 발명의 기술 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이다. 따라서 , 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정 해석될 수는 없고, 발명의 기술사상은 후술하는 청구 항에 의해서만 정의될 수 있다..
도 1은 통상적인 실리콘 태양전지의 개략적인 구조를 도시한 단면도 이다. ,
도 2는 일 구현예에 따른 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물을 이 용하여 제조된 태양전지의 개략도이다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1의 은 페이스트 조성물로 제조된 태양 전지의 전면전극을 전자현미경으로 각각 입체적인 모양을 볼 수 있도록 각 도를 기울여 관찰한사진이다.
도 4a는 비교예 1에서 사용된 카본블랙을 XPS로 분석한 1래프이다. 도 4b는 실시예 1에서 사용된 카본블랙을 XPS로 분석한 그래프이다. 도 5는 실시예 1 및 비교예 1의 태양전지의 에너지 (광전환) 변환 효
율을 비교하여 나타낸 그래프이다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
이하 발명의 구현예에 따른 전극 형성용 은 페이스트 조성물， 이의 제조 방법 및 이로부터 형성된 전극 및 태양전지에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
발명의 일 구현예에 따르면, 은 분말, 유리 프릿 분말, 유기 바인더 및 카본블랙을 포함하며, 상기 카본블택은 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 약 0.4 이상인 것인 전극 형성용 은 페이스트 조성물이 제공된다.
이러한 일 구현예의 은 페이스트 조성물은 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비가 약 0.4 이상, 예를 들어， 약 0.35 내지 0.50, 흑은 약 0.40 내지 0.45, 흑은 약 0.41 내지 0.44의 값을 갖는 카본블랙을 포함하는 것이다. 이러한 산소 /탄소 원자비는 카본블랙의 표면을 XPS (x-ray photoelectron spectroscopy)로 분석하여， 스펙트럼상에서 산소 및 탄소 원자에서 각각 유래한 피크 (산소 원자: 0ls 피크; 탄소 원자: Cls 피크)를 상대적 강도를 통해 측정 및 확인할 수 있다.
이와 같이 상대적으로 높은 산소 /탄소 원자비를 갖는 카본블랙을 포함함에 따라， 상기 은 페이스트 조성물을 인쇄한 후 소성하여 태양전지용 전면전극 등을 형성할 때， 은과， 기판의 실리콘 간의 접합 특성을 보다 향상시킬 수 있다. 이는 상기 특정 물성을 갖는 카본블랙이 소성 시에 유리 프릿 분말이 은 분말 표면에 보다 효과적으로 젖어 들어가게 하여 은 입자들이 보다 낮은 온도에서 녹아 에미터 층에 확산되어 '들어갈 수 있기 때문으로 예측된다. 그 결과， 상기 소성 시에 보다 안정적인 fire-through가 일어나 은과, 실리콘 간의 접합 특성이 보다 향상될 수 있고, 상기 전면전극 등과 기판의 안정적인 오음 접촉 (ohmic-contact)을 구현할 수 있게 된다. 따라서, 태양전지의 충진 계수 (fill factor)가 우수해지고， 보다 향상된 전기적 특성 및 에너지 변환 특성을 나타내는 태양전지의 제공이 가능해 진다.
또한, 일 구현예의 은 페이스트 조성불은 상술한 카본블택의 함유로 인해 유변학적 특성이 개선되어 스크린 인쇄를 통한 인쇄 특성이 보다 향상될 수 있고, 미세 선폭 및 보다 높은 선고를 갖는 전극을 효과적으로
형성할 수 있다. 따라서， 일 구현예의 은 페이스트 조성물을 사용해 보다 우수한 특성을 갖는 실리콘 태양전지 및 이의 전면전극 등을 효과적으로 형성할 수 있다.
만일, 상기 카본블랙에서 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비가 지나치게 작아지는 경우, 이전에 알려진 태양전지 및 이의 전면전극 등과 마찬가지로 태양전지의 전기적 특성 및 에너지 변환 효율을 향상시키기 어렵게 될 수 있다. 또, 산소 /탄소 원자비가 지나치게 커지는 경우, 은 페이스트의 유변학 적 특성이 스크린 인쇄에 적합하지 못한 상태로 변질이 되고， 전극 형성을 위한 소성 시에 fire-through가 불안정하게 되어 층전 인자의 향상을 기대하기 어려울 수 있다. 이하， 일 구현예의 은 페이스트 조성물을 각 성분 별로 보다 구체적 으로 설명한다.
상기 은 페이스트 조성물에서， 상기 카본블랙은 복수의 1차 입자가 부착 또는 응집된 2차 입자 형태를 가질 수 있다. 또, 이러한 카본블랙은 약 0.02 내지 2/zm, 혹은 약 0.03 내지 l//m, 혹은 약 30 내지 800nm의 입경을 가 질 수 있다. 이때， 카본블랙의 1차 입자라 함은 단일 입자 형태의 카본블랙 입자로 정의될 수 있고, 2차 입자라 함은 이러한 카본블랙의 단일 입자 (즉, 1 차 입자)들이 복수로 모여 서로 부착 또는 웅집된 형태의 입자로 정의될 수 있다. 이러한 2차 입자 형태의 카본블랙에서， 입경은 각 2차 입자의 표면 상 의 임의의 두 점을 이은 직선 중 가장 긴 직선 거리로 정의될 수 있다. 이러 한 2차 입자 형태의 카본블랙 입경은 SEM 사진 등으로 카본블랙을 분석함 으로써 측정될 수 있다.
상기 카본블랙을 1차 입자 형태 그대로 은 페이스트 조성물에 포함시 키거나 지나치게 작은 입경을 갖는 경우, 은 페이스트 조성물의 적절한 점도 범위를 구현하기 어렵고， 이러한 은 페이스트 조성물의 인쇄성 및 공정성이 저하될 수 있다. 또한, 카본블랙이 지나치게 큰 입경을 갖는 경우에는， 카본 블랙이 은 페이스트 조성물 내에 층분히 분산되지 않고 크게 뭉친 상태로 포함되어， 상기 카본블택의 함유에 따른 전기적 특성 등의 향상을 층분히 기 대하기 어렵고， 오히려 은 페이스트 조성물의 인쇄성 등이 저하될 수 있다.
이하에 더욱 상세히 설명하겠지만, 일 구현예의 은 페이스트 조성물 에 상술한 2차 입자 형태 및 입경 범위를 갖는 카본블랙을 포함시키기 위해， 1차 입자 형태의 카본블랙을 응집시켜 2차 입자 형태의 카본블랙을 형성할 수 있고 (이는 상업적으로 입수하거나， 직접 합성할 수 있다.)， 이러한 카본블 택을 다른 성분과 흔합하여 은 페이스트 흔합물을 형성한 후, 분쇄 공정을 통해 2차 입자 형태의 카본블랙의 미세한 분쇄를 조절하면서 각 성분을 양 호하게 분산시킬 수 있다.
또한, 상기 카본블랙이 표면에서 적절한 산소 /탄소 원자비를 갖도록 하기 위해, 이러한 카본블랙을 표면 열처리， 플라즈마 처리 또는 산 처리의 표면 처리 방법으로 처리하여 카본블랙 표면에 산소가 포함된 기능기의 양 을 조절시킬 수 있다. 이러한 카본블랙의 처리 공정 등에 대해서는， 후술하 는 은 페이스트의 제조 방법에 관하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 그리고， 상기 카본블랙의 함량은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 약 1 내지 10 중량 %， 흑은 약 2 내지 8 중량0 /0, 혹은 약 3 내지 7 중량 %로 포함될 수 있다. 상기 카본블랙의 함량이 지나치게 작아지면 은 페이스트 조 성물의 요변 지수(丁1 « 01^^1(16 1\ 1)가 낮아져 인쇄성 또는 공정성이 저하 되고, 카본블렉의 함유에 따른 전기적 특성 등의 향상이 층분치 못할 수 있 다. 반대로, 카본블랙의 함량이 지나치게 높아지면， 스크린 인쇄시 인쇄성 또 는 공정성이 저하되고 마스크 막힘도 일어날 수 있다.
한편, 일 구현예의 은 페이스트 조성물은 도전성 분말로서 은 분말을 포함한다ᅳ 상기 은 페이스트 조성물에 있어서， 전극 형성을 위한 소성 시에 fire-through가 안정적으로 일어나면서 최종 소결이 균일하게 이루어지는 조건 을 고려하여， 상기 은 분말의 입자 형태 및 입경을 일정한 범위로 조절할 수 있다. 예를 들어， 상기 은 분말은 플레이크 등의 비구형 은 분말을 포함할 수도 있지만, 적절하게는 평균입경이' 약 1 내지 3 urn,혹은 약 2 내지 3 /皿 인 구형의 은 분말을 포함할 수 있다.
만일, 은 분말의 평균입경이 지나치게 작아지면, ohmic-contact이 충분 히 일어나지 못할 수 있고, 지나치게 커지면 은 페이스트 조성물의 점도가 낮아져 전극의 선고를 층분히 높이지 못하게 될 수 있다.
또한， 상기 은 분말은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 약 70 내지
90 중량0 /0， 혹은 약 75 내지 85 중량%로 포함될 수 있다. 은 분말의 함량이 지나치게 높아지는 경우, 은 페이스트 조성물의 흐름성 및 인쇄성이 저하될 수 있고, 은 분말의 함량이 지나치게 낮아지면， 전극의 저항이 상승하여 전기적 특성이 저하될 수 있다.
또, 일 구현예의 은 페이스트 조성물은 유리 프릿 분말을 포함한다. 이러한 유리 프릿 분말은 소성 시에 은 분말의 표면에 젖어 들어가 은과， 기 판의 실리콘 간의 접합 구현을 가능케 하는 역할을 한다.
이러한 유리 프릿 분말로는 전극 형성용 페이스트에 일반적으로 사용되던 유리 프릿 분말이 별다른 제한 없이 모두 사용될 수 있다. 이러한 유리 프릿 분말은， 예를 들어， PbO를 포함한 유연 유리 프릿 분말 또는 Pb이 포함되지 않는 Bi 계열의 무연 유리 프릿 분말 등을 모두 포함할 수 있다. 다만, 전극 특성， 예를 들어, 상기 은과, 실리콘 간의 접착 특성 등을 보다 향상시키기 위해， 상기 유연 유리 프릿 분말을 보다 적합하게 사용할 수 있다.
상기 유연 유리 프릿 분말의 예로는, PbO-ZnO-Al203-Ti02,
PbO-Si02-B203, PbO-Si02-B203-ZnO, 또는 PbO-Si02-B203-Al203-ZnO 등을 들 수 있으며， 상기 무연 유리 프릿 분말의 예로는, Bi203-B203-Si02, Bi203-B203-ZnO 또는 Bi203-T10x-B203-Si02 등을 들— 수 있다. 다만, 이외에도 다양한 유리 프릿 분말이 사용될 수 있고, 위에서 선택된 2종 이상의 흔합물, 혹은 유연 유리 프릿 분말 및 무연 유리 프릿 분말의 흔합물이 사용될 수도 있다.
한편, 일 구현예의 은 페이스트 조성물은 유기 바인더를 포함한다. 이러한 유기 바인더는 은 분말, 유리 프릿 분말 및 카본블랙을 흔합하여 페이스트 상으로 제조하기 위해 각 성분을 균일하게 분산시키기 위한 목적으로 사용된다. 이러한 유기 바인더로는, 이전부터 도전성 페이스트 조성물을 제조하기 위해 사용되던 유기 바인더를 별다른 제한 없이 모두 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기' 유기 바인더는 셀를로오스 수지, 아크릴계 수지, 부틸카르비를 및 터피네을로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 흔합물을 포함할 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예에 따르면， 상기 유기 바인더는 에틸 셀롤로오스 또는 아크릴레이트 계
수지를 부틸카르비를 및 터피네올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 유기용매에 녹여서 사용할 수 있다.
또한, 상술한 유리 프릿 분말과 유기 바인더의 함량은 일 구현예의 은 페이스트 조성물이 스크린 인쇄 및 전극 형성에 적합한 점도 및 특성을 가지며, 흐름성이 최적화되어 보다 높은 선고를 갖는 전극을 형성할 수 있도 록 적절한 범위로 조절될 수 있다.
예를 들면， 상기 유리 프릿 분말의 함량은 전체 은 페이스트 조성물 에 대하여 약 내지 5 중량0 /0, 혹은 약 2 내지 3 중량 %로 될 수 있다. 또, 상기 유기 바인더가 유기용매에 용해된 수지 상태로 되는 경우, 이러한 용액 상태의 유기 바인더는 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 약 5 내지 15 중 량0 /0, 흑은 8 내지 12 중량 %로 포함될 수 있다. 이때, 용액 상태의 유기 바인 더를 얻기 위해 사용되는 수지 및 유기용매의 함량은 특별히 한정되지는 않 으며， 수지를 적절히 용해시킬 수 있고, 용액 상태의 유기 바인더가 다른 성 분을 적절히 분산시킬 수 있는 함량으로 될 수 있다.
선택적으로, 일 구현예의 은 페이스트 조성물은 추가적인 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들면， 은 분말 외의 도전성 금속 입자, 소포제, 분 산제 또는 가소제 등을 필요에 따라 상기 은 페이스트 조성물에 더 첨가할 수 있다. 이러한 각 첨가제의 종류나 함량은 당업자에게 잘 알려져 있으며， 상기 은 페이스트 조성물은 필요에 따라 추가적인 유기용매를 더 포함 수 도 있다.
상술한 일 구현예의 은 페이스트 조성물은 약 100,000 내지 400,000 cP, 흑은 약 200,000 내지 300,000 cP의 점도 (브룩필드 점도계, 스핀들 14， 측 정온도 25 °C, 회전속도 10 rpm)를 나타낼 수 있다. 이러한 점도를 가짐에 따 라， 은 페이스트 조성물의 인쇄성이 보다 우수해질 수 있고, 상기 은 페이스 트 조성물을 사용해 미세 선폭 및 보다 높은 선고를 갖는 전극의 형성이 가 능해진다.
한편， 발명의 다른 구현예에 따르면， 상술한 은 페이스트 조성물의 제조 방법이 제공된다. 이러한 제조 방법은 은 분말， 유리 프릿 분말, 유기 바인더 및 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 약 0.4 '이상이고, 약 1 내지 5 의 입경을 갖는 2차 입자 형태의 카본블랙을 포함하는 은
페이스트를 형성하는 단계; 및 상기 은 페이스트를 분쇄하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 이러한 제조 방법은 상기 페이스트 형성 단계 전에, 약 20 내지 50nm의 입경을 갖는 1차 입자 형태의 카본블랙을 표면 처리하여， 표면에 노 출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 약 0.4 이상인 카본블랙을 형성하는 단계; 및 상기 표면 처리된 카본블랙을 응집시켜 약 1 내지 5/m의 입경을 갖는 2 차 입자 형태의 카본블랙을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이와 같이， 상기 1차 입자 형태를 갖는 카본블택을 표면 처리하여， 표 면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 약 0.4 이상인 카본블랙을 형성한 후, 이를 응집시켜 2차 입자 형태를 갖는 카본블랙을 형성하고 나서， 이러한 카본블택을 다른 성분과 흔합하고 분쇄하여 분산시킴으로써, 우수한 인쇄성， 전기적 특성 및 에너지 변환 특성 등을 나타내는 일 구현예의 은 페이스트 조성물을 효과적으로 제조할 수 있다.
이러한 다른 구현예의 은 페이스 B 조성물의 제조 방법을 각 단계별 로 설명하면 이하와 같다.
먼저, 상기 카본블랙을 표면 처리함에 있어서는, 상업적으로 입수 가 능한 1차 입자 형태의 카본블랙을 표면 열처리, 플라즈마 처리 또는 산 처리 의 표면 처리 방법으로 카본블랙 표면에 노출된 산소 원자수를 보다 증가시 킬 수 있다. 이때, 상기 1차 입자 형태의 카본블랙은 약 20 내지 50 nm, 혹은 약 20 내지 30 nm의 입경을 가질 수 있으며, 이를 이용해 적절히 표면 처리 를 진행한후 웅집시켜 2차 입자 형태의 카본블랙을 형성할 수 있다.
상기 카본블랙을 표면 처리 함에 있어서는, 예를 들어, 상기 카본블랙 을 초음파 플라즈마 처리 장치에 넣고 약 5 내지 20 W 정도의 전력을 부여 하여 약 100 내지 130분, 혹은 약 110 내지 120분 동안 플라즈마 표면 처리 를 진행하거나, 상기 카본블랙을 소성로 등에 넣고 약 600 내지 1000°C, 혹 은 약 700 내지 900 °C의 온도로 약 10분 내지 1시간， 혹은 약 20분 내지 50 분 동안 표면 열처리할 수 있다.
이때, 상기 1차 입자 형태의 카본블랙은 약 100 내지 200 mVg, 혹은 약 100 내지 150 m7g의 BET 비표면적을 가질 수 있는데, 이러한 1차 입자 형태의 카본블랙을 사용해 적절히 표면 처리를 진행하여 상술한 산소 /탄소
원자비를 충족하는 카본블랙을 형성할 수 있다. 또한， 최종 은 페이스트 조 성물 내에서 상기 카본블랙이 보다 양호하게 분산되게 할 수 있고, 상기 은 페이스트 조성물이 보다 향상된 인쇄성 등을 나타내게 할 수 있다.
그리고, 상기 표면 처리 후에는， 1차 입자 형태의 카본블랙을 응집시 켜 약 1 내지 5 ， 혹은 약 2 내지 4/zm의 입경을 갖는 2차 입자 형태의 카본 블랙을 형성할 수 있다. 이러한 응집은 잘 알려진 방법에 따라, 소정의 용매 내에서 진행할 수 있다. 이렇게 웅집한 후 2차 입자 형태의 카본블랙을 다른 성분과 흔합하여 은 페이스트 흔합물을 형성하고 나서, 분쇄에 의해 은 페이 스트 조성물을 형성함에 따라, 최종적으로 은 페이스트 조성물의 적절한 점 도를 조절하기가 보다 용이하게 되고 최종 제조된 은 페이스트 조성물이 보 다 향상된 인쇄성 및 공정성 등을 가질 수 있다.
이어서， 상기 2차 입자 형태의 카본블랙은 은 분말, 유리 프릿 분말 및 유기 바인더 등의 다른 성분과 흔합되어 은 페이스트 흔합물 형태로 형 성되며, 이어서 상기 은 페이스트 흔합물은 분쇄되어 은 페이스트 조성물로 될 수 있다. ' 이때, 각 성분의 흔합에는 통상적인 흔합기가 사용될 수 있고, 흔합기 내에 각 성분이 투입되어 적절히 흔합될 수 있다.
또한， 상술한 분쇄 공정을 통해， 상기 카본블랙의 입경이 약 0.02 내 지 2/m, 혹은 약 0.03 내지 1 , 혹은 약 30 내지 800nm으로 조절될 수 있고， 카본블랙을 포함한 각 성분들이 균일하게 분산되어 일 구현예의 은 페이스 트 조성물이 제조될 수 있다. 또, 이러한 분쇄를 통해, 은 페이스트 조성물의 점성 및 접착력과 관련된 유변학적 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 이렇 게 얻어진 일 구현예의 은 페이스트 조성물을 사용해 보다 높은 선고를 갖 는 미세 선폭의 전극을 형성할 수 있다. 또한, 상기 은 페이스트 조성물은 보다 향상된 인쇄성 및 공정성을 나타낼 수 있다.
그리고, 상기 분쇄 공정은 3를 밀 (3 roll mill), 볼밀 또는 해머밀 등을 이용하여 3 내지 6회 동안 반복 수행할 수 있으나 반드시 이에 한정되지 않 는다.
한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상술한 은 페이스트 조성물로부터 형성된 태양전지용 전면전극 및 이를 포함하는 실리콘
태양전지가 제공된다. 이러한 실리콘 태양전지는 실리콘 반도체 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 에미터층; 상기 에미터충 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된 전면전극; 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면전극을 포함하며， 상기 전면전극은 상술한 일 구현예의 은 페이스트 조성물을 상기 반사 방지막 상에 소정의 패턴으로 도포하고 소성시켜 형성된 것일 수 있다.
이와 같이, 일 구현예의 은 페이스트 조성물로 전면전극이 형성됨에 따라， 상기 실리콘 태양전지는 약 60 내지 90im, 혹은 약 70 내지 80 ， 흑은 약 60 내지 의 미세 선폭을 가지면서도, 약 20 내지 35//m, 흑은 약 25 내지 30，， 혹은 약 20 내지 25/皿의 높은 선고를 갖는 전극 패턴을 포함하는 전면전극을 포함할 수 있게 된다. 이러한 높은 선고에 따라， 상기 전면전극의 저항이 감소되고 전기적 특성이 향상될 수 ^다.
또한， 이미 상술한 바와 같이, 소정의 물성 (예를 들어, 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 또는 적절한 입자 형태나 입경 범위)을 층족하는 카본블랙 을 포함한 은 페이스트 조성물로 전극을 형성함에 따라, 상기 태0^전지는 전 면전극의 은과， 에미터층의 실리콘 간의 접착 특성이 보다 향상되어 뛰어난 에너지 변환 효율을 나타낼 수 있다.
한편, 상기 은 페이스트 조성물을 사용해 전면전극을 형성함에 있어 서는， 기판 상에 상기 은 페이스트 조성물을 소정의 패턴으로 인쇄하고 소성 하는 공정을 진행할 수 있다.
이때， 상기 기판은 반사 방지막과 에미터층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판은 통상의 반도체 소자 제조시 사용되는 기판을 사용할 수 있고, 예를 들어, 실리콘 기판을 적절히 사용할 수 있다.
일 구현예의 은 페이스트 조성물을 인쇄함에 있어서는, 스크린 인쇄， 닥터 블레이드 인쇄, 옵셋 인쇄 또는 잉크젯 인쇄 등의 방법을 적용할 수 있 고， 적합하게는 스크린 인쇄 방법을 적용할 수 있다. ,
또, 상기 은 페이스트 조성물올 인쇄한 후, 소성함에 있어서는， 은 분 말이 에미터층에 안정적으로 재결정화될 수 있도록, 피크 온도 (peak temperature) 약 700 내지 900 °C, 혹은 약 750 내지 850 °C의 넓은 범위에서 약 30초 내지 1분 동안 소성을 수행할 수 있다. 상기 소성을 통해， 상기 카
본블랙 및 유기 바인더는 제거될 수 있고, 유리 프릿 분말이 은 분말 표면에 젖어 들어가면서 은 분말이 녹아서 fire-through 및 ohmic-contact이 일어나 우 수한 접합 특성을 나타내는 전면전극이 형성될 수 있다.
이러한 전면전극을 포함하는 실리콘 태양전지의 개략적인 구조가 도 2에 도시되어 있다. 도 2를 참고하면, 상기 실리콘 태양전지는, 실리콘 기판 (201), 상기 기판 (201)의 상부에 형성되는 에미터층 (미도시)， 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막 (202)， 상기 반사방지막 (202)을 관통하여 에미터층의 상부 표면과 접속된 전면전극 (203)， 및 상기 기판 (201)의 배면에 접속된 후면 전극 (205)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 후면전극과 기판 사이에는 p+층인 후면전계 (Back Surface Field, BSF)층 (204)이 형성될 수 있으며， 후면전극의 경 우 소정 패턴의 은 전극 패턴 (206)을 포함할 수 있다.
기판 (201)에는 p형 불순물로서 3족 원소인 B, Ga, In등이 불순물로 도 핑될 수 있고， 에미터층에는 n형 불순물로서 5족 원소인 P, As, Sb 등이 불순 물로 도핑될 수 있다. 이처럼 기판 (201)과 에미터층에 반대 도전형의 불순물 이 도핑되면, 기판 (201)과 에미터층의 계면에는 p-n 접합이 형성된다. 한편 p-n 접합은 기판 (201)에 n형 불순물을 도핑하고 에미터층에 p형 불순물을 도 핑하여 형성해도 무방하다.
상기 반사방지막 (202)은 에미터층의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함 (예컨대, 댕글링 본드)을 부동화하고 기판 (201)의 전면으로 입사되는 태 양광의 반사율을 감소시킨다. 에미터층에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지의 개방전압이 증가한다. 그리 고 태양광의 반사율이 감소되면 p-n 접합까지 도달되는 빛의 량이 증대되어 태양전지의 단락전류가 증가한다. 이처럼 반사방지막 (202)에 의해 태양전지의 개방전압과 단락전류가 증가되면 그 만큼 태양전지의 변환효율이 향상된다. 상기 반사방지막 (202)은 예를 들면 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실 리콘 질화막 (SiNx), 실리콘산화막， 실리콘 산화질화막, MgF2, ZnS, MgF2, Ti02 및 Ce02로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 물질막이 조합된 다중막 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 상기 반사방지막 (202)은 진공 증착법， 화학 기상 증착법， 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있다. 하지만 본 발명에
따른 상기 반사방지막 (202)의 형성방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전면전극 (203)과 후면전극 (205)은 각각 은과 알루미늄으로 이루 어진 금속 전극이다. 상기 전면전극 (203)는 일 구현예의 은 페이스트 조성물 을 이용하여 제조될 수 있고 후면전극 (205)은 통상의 알루미늄 페이스트 조 성물 및 후면전극용 은 페이스트 조성물 등을 이용하여 제^될 수 있다. 상기 전면전극 (203)과 후면전극 (205)은 공지된 여러 가지 기술에 의해 제조 가능하지만， 바람직하게는 스크린 인쇄법에 의해 형성된 것이다. 즉， 전 면전극 (203)은 상술한 일 구현예의 은 페이스트 조성물을 전면전극 형성 지 점에 스크린 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 열처리가 시행되면 편 치 스루 (punch through, 흑은 fire-through) 현상에 의해 전면전극이 반사방지막 (202)을 뚫고 에미터층 (202)과 접속된다.
이와 유사하게, 후면전극 (205)은 통상의 알루미늄, 석영 실리카, 유기 바인더 등이 첨가된 후면전극용 알루미늄 페이스트 조성물을 이용하여， 기관 (201)의 배면에 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 후면전극의 열처리 시에는 전극 구성 물질인 알루미늄이 기판 (201)의 배면을 통해 확산됨으로써 후면전극 (205)과 기판 (201)의 경계면에 후면 전계 (Back Surface field)층 (204)이 형성될 수 있다. 후면 전계층이 형성되면 캐리어가 기판 (201)의 배면으로 이 동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있다. 캐리어의 재결합이 방지되면 개방 전압과 층실도가 상승하여 태양전지의 변환효율이 향상된다. 또한 상기 알 루미늄 페이스트 조성물을 이용하여 알루미늄 전극을 형성하는 경우 통상의 증착 또는 스크린 인쇄 방법으로 후면 은 전극 패턴 (206)인 후면 은 패드 (Back Ag pad)를 소정의 패턴으로 형성할 수 있다. 이하， 발명의 구체적인 실시예를 통해, 발명의 작용 및 효과를 보다 상세히 상술하기로 한다. 다만， 이러한 실시예는 발명의 예시로 제시된 것 에 불과하며， 이에 의해 발명의 권리범위가 정해지는 것은 아니다.
<실시예 1>
먼저, 20 내지 30 nm의 입경을 갖는 1차 입자 형태의 카본블랙 (상품 명 ; MA100, BET 비표면적: 약 100m2/g)을 초음파 플라즈마 처리 장치에 넣고,
10 W의 전력에서 120분 동안 표면 열처리를 진행하여, 표면에 노출된 산소 / 탄소 원자비 (O/C ratio)가 0.42인 카본블랙을 형성하였다. 이러한 산소 /탄소 원 자비는 후술하는 실험예 2와 같이 카본블랙을 XPS로 분석하여 산소 및 탄소 원자에서 유래한 피크 (산소 원자: ols 피크; 탄소 원자: Cls 피크)의 상대적 강도를 통해 확인하였다.
이후, 상기 1차 입자 형태의 카본블랙을 웅집시켜 1 내지 5 의 입경 을 갖는 2차 입자 형태의 카본블랙을 형성하였다.
평균입경이 1 내지 3 인 구형의 은 분말 80 중량 %, 유리 프릿 분말 (평균입경 10 의 Bi203-B203-Si02) 3 중량0 /0， 유기 바인더 (에틸셀를로오스) 10g 을 부틸카르비를 61g에 녹인 바인더 용액 11.5 중량 %를 흔합하고, 여기에 위 에서 형성된 2차 입자 형태의 카본블랙 5.5 중량 %를 흔합하여 은 페이스트 를 제조하였다. 이후， 상기 은 페이스트에 대하여, 3를 밀을 이용한 페이스 트내 입자들의 분쇄를 통해, 약 lOOnm 내지 1 / 의 입경을 갖는 2차 입자 형태의 카본블랙을 포함하는 은 페이스트 조성물을 제조하였다. 최종 얻어진 은 페이스트 조성물의 점도는 250,000 cP 였다.
<실시예 2>
유리 프릿 분말로서 PbO를 포함하는 평균입경 10mi의 PbO-ZnO-Al203-Ti02를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트 조성물을 제조하였다. 이러한 은 페이스트 조성물 내의 카본블 랙은 약 200nm 내지 800 nm의 입경을 갖는 2차 입자 형태를 갖는 것으로 확 인되었으며, 최종 얻어진 은 페이스트 조성물의 점도는 260,000 cP 였다.
<실시예 3>
유리 프릿 분말로서 PbO를 포함하는 평균입경 10卿의
PbO-ZnO-Al203-Ti02의 제 1 유리 프릿 분말 2/7 중량%와, 평균입경 10卿의 Bi203-T10x-B203-Si02의 제 2 유리 프릿 분말 0.3 중량 %를 사용한 것을 제외 하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트 조성물을 제조하였다. 이러 한 은 페이스트 조성물 내의 카본블랙은 약 400nm 내지 1.2μπι의 입경을 갖 는 2차 입자 형태를 갖는 것으로 확인되었으며， 최종 얻어진 은 페이스트 조
성물의 점도는 230,000 cP 였다.
<실시예 4>
은 분말로서 평균입경이 2 내지 3 인 구형의 은 분말 80 중량 %를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트 조성물을 제조하였다. 이러한 은 페이스트 조성물 내의 카본블랙은 약 300nm 내지 900 nm의 입경을 갖는 2차 입자 형태를 갖는 것으로 확인되었으며, 최종 얻 어진 은 페이스트 조성물의 점도는 270,000 cP 였다. <실시예 5>
먼저， 20 내지 30 nm의 입경을 갖는 1차 입자 형태의 카본블랙 (상품 명: MA77; BET 비표면적: 약 100m2/g)을 소성로에 넣고, 800°C로 30분간 열처 리하여， 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 0.41인 카본블랙을 형성 하였다. 이후, 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트 조성물을 제조하였 다. 이러한 은 페이스트 조성물 내의 카본블랙은 약 300nm 내지 Ιμιη의 입경 을 갖는 2차 밉자 형태를 갖는 것으로 확인되었으며， 최종 얻어진 은 페이스 트 조성물의 점도는 240,000 cP 였다.
<비교예 1>
카본블랙에 대한 초음파 플라즈마 처리를 진행하지 않은 것을 제외하 고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트 조성물을 제조하였다. 이러 한 카본블랙의 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)를 후술하는 실험예 2와 같이 XPS로 분석하여 확인한 결과, 산소 및 탄소 원자에서 유래한 피크 (산소 원자: 0ls 피크; 탄소 원자: Cls 피크)의 상대적 강도, 즉, 상기 0ls 피 크의 강도 /Cls 피크의 강도로 정의되는 산소 /탄소 원자비가 <0.01으로 측정되 었다.
<실험예 1>
통상의 방법으로 도 2에 도시된 실리콘 반도체 기판 (201), 상기 기판 (201)의 상부에 형성되는 에미터층, 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막
(202), 상기 반사방지막 (202)을 관통하여 에미터층의 상부 표면과 접속된 전 면전극 (203)， 및 상기 기판 (201)의 배면에 접속된 후면전극 (205)을 포함하는 구조의 실리콘 태양전지를 제조하였다. 이때, 전면전극 형성시, 실시예 1 내 지 5 및 비교예 1 의 은 페이스트 조성물을 이용하여 기판 위에 스크린 인 쇄 방법으로 도포하고 소성하였다. 상기 소성은 600 내지 800 °C의 온도에 서 30초 동안 진행하였다.
이어서， 각 태양전지에 대하여 통상적인 방법으로 물성 (Jsc, Voc, 층 진계수 (FF), 에너지 변환 효율)을 측정하여 그 결과를 표 1에 나타내었다. 또 한， 실시예 및 비교예에서 형성된 전극의 선폭 및 선고를 하기 표 1에 함께 나타내었다.
또한， 실시예 1 및 비교예 1의 은 페이스트 조성물로 제조된 태양 전 지의 전면전극을 전자현미경으로 각각 입체적인 모양을 볼 수 있도록 각도 를 기울여 관찰한사진을 도 3에 나타내었다. [표 1]
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 5의 경우 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비가 증가된 카본블렉을 포함한 은 페이스트 조성물을 사용하여 전극을 형성함에 따라, 태양전지가보다 우수한 에너지 변환 효율 (광전환 변환 효율) 을 나타내는 것으로 확인되었다. 특히， 당업계에서 0.1% 에너지 변환 효율 향상도 쉽지 않은 것으로 알려져 있음을 고려할 때， 상기 실시예에서의 변환
효율 향상은 매우 유의미한 것으로 관찰되었다.
또한, 표 1 및 도 3을 참고하면, 실시예 1 내지 5의 은 페이스트 조성 물을 사용하여, 비교예 1보다 선 퍼짐이 억제되고 보다 높은 선고를 갖는 전 극의 형성이 가능한 것으로 확인되었다. 보다 구체적으로， 도 3을 참조하면, 비교예 1에서 구현된 전극에 비하여 실시예 1에서 구현된 전극의 선폭이 더 미세하고 선고도 높다는 점이 확인되었고, 실시예 1 내지 5의 은 페이스트 조성물이 보다 양호한 인쇄성을 나타냄에 따라 비교예 1에 비해 전극의 선 퍼짐도 크게 감소됨이 확인되었다. <실험예ᅳ2>
도 4a 및 4b는 비교예 1 및 실시예 1에서 사용된 카본블랙을 XPS (기 기 제품명 : ESCALab250)로 분석한 그래프를 각각 나타낸 것이다. 도 4a 및 4b에서 보면, 실시예 1의 카본블랙은 표면에 노출된 산소 원자수가 탄소에 비해 높아 산소 /탄소 원자비가 약 0.42인 것으로 확인되었으며, 비교예 1의 카본블랙은 산소 /탄소 원자비가 약 < 0.01인 것으로 '확인되었다.
<실험예 .3>
도 5는 실시예 1 및 비교예 1의 태양전지를 각각 6장씩 제조하여, 열 처리 조건을 변화시켰을 때의 에너지 (광전환) 변환 효율을 비교하여 나타낸 그래프이다. 도 5에서 알 수 있듯이, 실시예 1은 미세한 선폭을 구현할 뿐 만 아니라 우수한 저항 접촉 (ohmic contact)를 이루어 FF 값이 향상됨에 따라, 비교예 1의 태양전지에 비해 에너지 변환효율이 더 우수한 것으로 확인되었 다.
【부호의 설명】
101: 기판 102: 에미터^
103: 전면전극 104: 후면전극
201: 기판 202: 반사방지막
203: 전면전극 204: BSF층
205: 후면전극 206: (후면) 은 전극 패턴
Claims
【청구항 1】
은 분말, 유리 프릿 분말, 유기 바인더 및 카본블랙을 포함하며, 상기 카본블랙은 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가 0.4 이 상인 것인 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 2】
제 1 항에 있어서, 상기 카본블랙은 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/Cratio)가 0.4 내지 0.45인 것인 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 3]
제 1 항에 있어서, 상기 카본블택은 복수의 1차 입자가 부착 또는 응 집된 2차 입자 형태를 갖는 은 페이스트 조성물.
【청구항 4】
제 3 항에 있어서， 상기 2차 입자 형태의 카본블랙은 0.02 내지 2/ai의 입경을 갖는 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 5]
제 1 항에 있어서， 상기 카본블랙은 표면 열처리， 플라즈마 처리 또는 산 처리의 표면 처리 방법으로 카본블택 표면에 노출된 산소 원자수를 증가시킨 것인, 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 6】
제 1 항에 있어서, 상기 카본블랙은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 1 내지 10 중량0 /0로 포함되는 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 7】
제 1 항에 있어서， 점도가 100,000 내지 400,000 cP (브룩필드 점도계， 스핀들 14, 측정온도 25 °C, 회전속도 10 rpm)인 전극 형성용 은 페이스트
조성
【청구항 8】 . 제 1 항에 있어서， 상기 은 분말은 평균입경이 1 내지 3 인 구형의 은 분말을 포함하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 9】
제 1 항에 있어서, 상기 은 분말은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 70 내지 90 중량 %로 포함되는 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
[청구항 10】
제 1 항에 있어서, 상기 유리 프릿 분말은 PbO를 포함한 유연 유리 프릿 분말인 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 11】
제 1 항에 있어서, 상기 유리 프릿 분말은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 1 내지 5 중량%로 포함되는 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 12】
제 1 항에 있어서, 상기 유기 바인더는 샐를로오스 수지, 아크릴계 수지, 부틸카르비를 및 터피네올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 13】
제 1 항에 있어서, 상기 유기 바인더는 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 5 내지 15 중량%로 포함되는 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 14]
은 분말, 유리 프릿 분말， 유기 바인더 및 표면에 노출된 산소 /탄소
원자비 (O/C ratio)가 0.4 이상이고， 1 내지 5 의 입경을 갖는 2차 입자 형태의 카본블랙을 포함하는 은 페이스트를 형성하는 단계; 및
상기 은 페이스트를 분쇄하는 단계를 포함하는 전극 형성용 은 페이 스트 조성물의 제조 방법.
【청구항 15】
제 14 항에 있어서, 상기 페이스트 형성 단계 전에，
20 내지 50nm의 입경을 갖는 1차 입자 형태의 카본블랙을 표면 처리 하여, 표면에 노출된 산소 /탄소 원자비 (O/C ratio)가으4 이상인 카본블랙을 형 성하는 단계; 및 - 상기 표면 처리된 카본블랙을 응집시켜 1 내지 5i/m의 입경을 갖는 2 차 입자 형태의 카본블랙을 형성하는 단계를 더 포함하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물의 제조 방법.
[청구항 16】
제 14 항에 있어서， 상기 분쇄 단계 후의 은 페이스트는 입경이 0.02 내지 2 인 2차 입자 형태를 갖는 카본블랙을 포함하는 전극 형성용 은 페 이스트 조성물의 제조 방법.
【청구항 17】
제 15 항에 있어서, 상기 1차 입자 형태의 카본블랙은 100 내지 200 m7g의 BET 비표면적을 갖는 전극 형성용 은 페이스트 조성물의 제조 방법.
【청구항 18]
제 14 항에 있어서， 상기 분쇄 단계는 3를 밀， 볼밀 또는 해머밀을 사용하여 3회 내지 6회 동안 반복 수행하는 전극 형성용 은 페이스트 조성물의 제조방법.
【청구항 19]
제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 은 페이스트
조성물로부터 형성된 태양전지용 전면전극.
【청구항 20】 r
실리콘 반도체 기판;
, 상기 기판 상부에 형성되는 에미터층;
상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막;
상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된 전면전극; 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면전극을 포함하는 실리콘 태양전지이 며，
상기 전면전극은 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 은 페 이스트 조성물을 상기 반사 방지막 상에 소정의 패턴으로 도포하고 소성시 켜 형성된 실리콘 태양전지.
【청구항 21】
제 20 항에 있어서, 상기 전면전극은 60 내지 90加의 선폭 및 20 내지 35 의 선고를 갖는 전극 패턴을 포함하는 실리콘 태양전지.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/008,312 US20140020751A1 (en) | 2011-04-07 | 2012-04-06 | Ag paste composition for forming electrode and preparation method thereof |
| CN201280027854.8A CN103582916B (zh) | 2011-04-07 | 2012-04-06 | 用于形成电极的银浆料组合物及其制备方法 |
| EP12768065.0A EP2696352B1 (en) | 2011-04-07 | 2012-04-06 | Silver paste composition for forming an electrode, and method for preparing same |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2011-0032244 | 2011-04-07 | ||
| KR20110032244 | 2011-04-07 | ||
| KR10-2012-0035794 | 2012-04-06 | ||
| KR1020120035794A KR101497038B1 (ko) | 2011-04-07 | 2012-04-06 | 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2012138186A2 true WO2012138186A2 (ko) | 2012-10-11 |
| WO2012138186A3 WO2012138186A3 (ko) | 2013-01-10 |
Family
ID=47284095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2012/002645 WO2012138186A2 (ko) | 2011-04-07 | 2012-04-06 | 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140020751A1 (ko) |
| EP (1) | EP2696352B1 (ko) |
| KR (1) | KR101497038B1 (ko) |
| CN (1) | CN103582916B (ko) |
| TW (1) | TWI489492B (ko) |
| WO (1) | WO2012138186A2 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109215842A (zh) * | 2017-05-14 | 2019-01-15 | 吴彬 | 一种电阻率较低的导电银浆 |
| CN114550970A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-05-27 | 上海银浆科技有限公司 | 用于硅太阳能电池的正面银浆及其制法、硅太阳能电池的正面电极、硅太阳能电池 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104078090B (zh) * | 2013-03-28 | 2016-09-07 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
| JP2015228191A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-17 | カシオ計算機株式会社 | コンテンツ出力システム、コンテンツ出力方法、コンテンツ出力プログラム、および通信端末 |
| TW201618319A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-05-16 | Taiwan Carbon Nano Technology Corp | 用於太陽能電池製程之導電助劑及使用該導電助劑的導電漿料 |
| KR101975497B1 (ko) * | 2017-05-30 | 2019-05-07 | 주식회사 대유플러스 | 난연성 도료 조성물 제조방법 |
| US20190092647A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Eastman Kodak Company | Non-aqueous silver-containing dispersions |
| EP3687716A1 (en) * | 2017-09-25 | 2020-08-05 | Eastman Kodak Company | Method of making silver-containing dispersions with nitrogenous bases |
| KR102178011B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-11-12 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 응집도를 조절하는 은 분말의 제조방법 |
| CN111128434A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-05-08 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种银电极及其制备方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3091069A (en) * | 1960-01-14 | 1963-05-28 | Research Corp | Apparatus and method for production of carbon black |
| US4184640A (en) * | 1978-05-05 | 1980-01-22 | Williams Robert M | Coal grinding apparatus for direct fired burners |
| JPS61123665A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性樹脂組成物の製造方法 |
| US5154886A (en) * | 1987-10-08 | 1992-10-13 | At&T Bell Laboratories | Protection of devices |
| TWI326297B (en) * | 2005-03-21 | 2010-06-21 | Inktec Co Ltd | Conductive ink composition and preparing method thereof |
| KR100989744B1 (ko) * | 2005-07-13 | 2010-10-26 | 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 | 은 페이스트 조성물, 및 그것을 이용한 도전성 패턴의 형성방법 및 그의 도전성 패턴 |
| US7608784B2 (en) * | 2006-07-13 | 2009-10-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode |
| CN101192628B (zh) * | 2006-11-30 | 2010-10-13 | 比亚迪股份有限公司 | 半导体电极及制法和含有该半导体电极的太阳能电池 |
| CN101772831B (zh) * | 2007-07-19 | 2011-12-21 | 积水化学工业株式会社 | 切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法 |
| US8309844B2 (en) * | 2007-08-29 | 2012-11-13 | Ferro Corporation | Thick film pastes for fire through applications in solar cells |
| CN102593243A (zh) * | 2007-08-31 | 2012-07-18 | 费罗公司 | 用于太阳能电池的分层触点结构 |
| KR20090030995A (ko) * | 2007-09-21 | 2009-03-25 | 엘지마이크론 주식회사 | 전도성 페이스트 조성물 |
| KR101156122B1 (ko) * | 2009-05-26 | 2012-06-20 | 주식회사 엘지화학 | 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지 |
| KR101278976B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2013-07-02 | 주식회사 엘지화학 | 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 그 제조 방법과 그를이용한 실리콘 태양전지 |
| WO2009148259A2 (ko) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | 주식회사 엘지화학 | 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지 |
| CN101620938B (zh) * | 2008-07-05 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种半导体电极及制法和含有该半导体电极的太阳能电池 |
| CN101633788B (zh) * | 2008-07-22 | 2012-03-07 | 比亚迪股份有限公司 | 一种聚合物基正温度系数热敏电阻复合材料及其制备方法 |
| US7976734B2 (en) * | 2008-09-10 | 2011-07-12 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell electrodes |
| KR20100064633A (ko) * | 2008-12-05 | 2010-06-15 | 삼성전자주식회사 | 전기 흡착 탈이온화용 전극 및 이를 구비하는 전기 흡착 탈이온 장치와 전기이중층 커패시터 |
| KR20100069950A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 에스에스씨피 주식회사 | 태양전지용 전극, 그 제조방법 및 태양전지 |
| WO2010103998A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池セル電極の接続用シート、太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール |
| WO2010118004A1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell electrode |
| CN101609849B (zh) * | 2009-07-13 | 2010-11-03 | 中南大学 | 太阳能电池正面电极用银导体浆料及其制备工艺 |
-
2012
- 2012-04-06 EP EP12768065.0A patent/EP2696352B1/en active Active
- 2012-04-06 WO PCT/KR2012/002645 patent/WO2012138186A2/ko active Application Filing
- 2012-04-06 US US14/008,312 patent/US20140020751A1/en not_active Abandoned
- 2012-04-06 CN CN201280027854.8A patent/CN103582916B/zh active Active
- 2012-04-06 KR KR1020120035794A patent/KR101497038B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-06 TW TW101112236A patent/TWI489492B/zh active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| None |
| See also references of EP2696352A4 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109215842A (zh) * | 2017-05-14 | 2019-01-15 | 吴彬 | 一种电阻率较低的导电银浆 |
| CN109215842B (zh) * | 2017-05-14 | 2021-10-26 | 吴彬 | 一种电阻率较低的导电银浆 |
| CN114550970A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-05-27 | 上海银浆科技有限公司 | 用于硅太阳能电池的正面银浆及其制法、硅太阳能电池的正面电极、硅太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012138186A3 (ko) | 2013-01-10 |
| CN103582916A (zh) | 2014-02-12 |
| KR20120115128A (ko) | 2012-10-17 |
| US20140020751A1 (en) | 2014-01-23 |
| EP2696352A2 (en) | 2014-02-12 |
| EP2696352A4 (en) | 2014-09-10 |
| CN103582916B (zh) | 2016-06-01 |
| TWI489492B (zh) | 2015-06-21 |
| EP2696352B1 (en) | 2015-12-09 |
| TW201303895A (zh) | 2013-01-16 |
| KR101497038B1 (ko) | 2015-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2012138186A2 (ko) | 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 | |
| JP4714633B2 (ja) | 太陽電池電極用導電性ペースト | |
| TWI570748B (zh) | 電極用膠組成物及太陽電池 | |
| JP2012502503A (ja) | 太陽電池電極 | |
| CN105670390A (zh) | 导电油墨 | |
| JP2014209598A (ja) | 太陽電池素子表面電極用導電性ペースト及び太陽電池素子の製造方法 | |
| WO2016084915A1 (ja) | 導電性組成物 | |
| KR101396444B1 (ko) | 태양전지의 전극의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 | |
| WO2016147867A1 (ja) | 太陽電池電極形成用導電性ペースト | |
| JP2016127212A (ja) | 導電性組成物 | |
| TW201721890A (zh) | 形成電極的方法、由其製造的電極以及太陽能電池 | |
| CN105655009A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池用银浆 | |
| CN105637046B (zh) | 包含纳米级化学熔料的导电糊料或导电油墨 | |
| JP2016510486A (ja) | メタルラップスルーシリコン太陽電池のための導電性銀ペースト | |
| JP2017092253A (ja) | 導電性組成物 | |
| TWI655784B (zh) | 用於太陽能電池的前電極和包括其的太陽能電池 | |
| US9640298B2 (en) | Silver paste composition for forming an electrode, and silicon solar cell using same | |
| US20130160835A1 (en) | Back-side electrode of p-type solar cell and method for forming the same | |
| TWI657119B (zh) | 用於太陽能電池之背面電極糊料組成物 | |
| JP5990315B2 (ja) | 導電性組成物 | |
| KR20140048465A (ko) | 전극형성용 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지 | |
| TWI532061B (zh) | 銀導電膠及其製造方法 | |
| KR20130067693A (ko) | 전극형성용 은 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지 | |
| KR20120086389A (ko) | 태양전지 전극 형성용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 태양전지의 제조 방법 | |
| KR20140048464A (ko) | 전극형성용 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 12768065 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012768065 Country of ref document: EP |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14008312 Country of ref document: US |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |