WO2012084461A1

WO2012084461A1 - Filter component

Info

Publication number: WO2012084461A1
Application number: PCT/EP2011/071657
Authority: WO
Inventors: Andreas Detlefsen; Franz Kubat
Original assignee: Epcos Ag
Priority date: 2010-12-22
Filing date: 2011-12-02
Publication date: 2012-06-28
Also published as: CN103262411A; DE102010055648B4; CN103262411B; DE102010055648A1

Abstract

A filter component (100) comprises a first filter (10) and a second filter (20), which are each connected between an input connection (E100) and an output connection (A100) of the filter component. The first and second filters (10, 20) are designed in such a way that the passband (D1) of the first filter (10) and the passband (D2) of the second filter (20) overlap one another at least regionally. A diplex network (30, 40) is connected in each case between the input side (E10) of the first filter and the input side (E20) of the second filter (20) and between the output side (A10) of the first filter and the output side (A20) of the second filter (20).

Description

Beschreibung description

FILTERBAUELEMENT Die Erfindung betrifft ein (Ultra- ) breitbandiges Filterbau^¬ element, bei dem mehrere Frequenzfilter in einem Gehäuse des Filterbauelements miteinander verschaltet sind. FILTERBAUELEMENT The invention relates to a (ultra-) wideband Filterbau ^¬ element, in which a plurality of frequency filters are interconnected in a housing of the filter device.

Filterbauelemente, bei denen die Filtereigenschaft durch Um- Wandlung eines elektrischen Signals in eine akustische Welle erfolgt, sind im Wesentlichen als Oberflächenwellen (SAW) - Filter oder Volumenwellen (BAW) -Filter ausgebildet. Bei einem Oberflächenwellenfilter ist auf einem Trägersubstrat eine metallische Struktur angeordnet, an die eine Spannung ange- legt wird. Die metallische Struktur wirkt als Eingangswand^¬ ler. Aufgrund der Kopplung zwischen dem Trägersubstrat und der metallischen Struktur des Eingangswandlers wird beim Anlegen einer Spannung an die metallische Struktur entlang der Oberfläche des Trägersubstrats eine akustische Welle erzeugt. Die akustische Welle wird an einer weiteren metallischenFilter components in which the filter property is effected by converting an electrical signal into an acoustic wave are essentially configured as surface wave (SAW) filters or bulk wave (BAW) filters. In a surface acoustic wave filter, a metallic structure, to which a voltage is applied, is arranged on a carrier substrate. The metallic structure acts as an input wall ^¬ ler. Due to the coupling between the carrier substrate and the metallic structure of the input transducer, when a voltage is applied to the metallic structure along the surface of the carrier substrate, an acoustic wave is generated. The acoustic wave is connected to another metallic

Struktur, die auf der Oberfläche des Trägersubstrats angeord^¬ net ist und als Ausgangswandler wirkt, wieder in ein elektrisches Signal umgewandelt. Die maximale Bandbreite von mit akustischen Wellen arbeitenden Filtern wird im Wesentlichen über die Kopplungseigenschaft des Trägersubstrats bestimmt. Bei einem Trägersubstrat aus Lithiumtantalat , beispielsweise LiTa03, ist die relative Bandbreite des Filters in Bezug auf die Mittenfrequenz des Filters auf zirka 4 % begrenzt. Mit akustischen Filtern, die ein Substrat aus Lithiumniobat aufweisen, das einen größeren Kopplungsfaktor als Lithiumtantalat besitzt, lassen sich zwar größere Bandbreiten realisieren, jedoch haben die Flanken derartiger Filter eine geringere Flankensteilheit. Structure, which is angeord ^¬ net on the surface of the carrier substrate and acts as output transducer, converted back into an electrical signal. The maximum bandwidth of acoustic wave filters is essentially determined by the coupling property of the carrier substrate. With a lithium tantalate support substrate, such as LiTaO 3, the relative bandwidth of the filter is limited to approximately 4% with respect to the center frequency of the filter. It is possible to use acoustic filters which have a substrate of lithium niobate which has a larger coupling factor than lithium tantalate realize larger bandwidths, but the edges of such filters have a lower edge steepness.

Es ist wünschenswert, ein Filterbauelement anzugeben, das ei- ne große Bandbreite und zusätzlich auch eine hohe Flanken^¬ steilheit aufweist. It is desirable to provide a filter device, which has a large bandwidth, and in addition, a high flanks ^¬ steepness.

Ein Filterbauelement umfasst gemäß einer Aus führungs form einen Eingangsanschluss zum Anlegen eines Signals, einen Ausgangsanschluss zum Ausgeben des Signals, ein erstes Filter mit einer Eingangsseite und mit einer Ausgangsseite und ein zweites Filter mit einer Eingangsseite und mit einer A filter device according to an embodiment comprises an input terminal for applying a signal, an output terminal for outputting the signal, a first filter having an input side and an output side, and a second filter having an input side and having a first filter

Ausgangsseite. Das erste und zweite Filter sind jeweils zwischen den Eingangsanschluss und den Ausgangsanschluss geschaltet. Das erste Filter in einem Frequenzspektrum einen ersten Durchlassbereich und das zweite Filter in dem Output side. The first and second filters are each connected between the input terminal and the output terminal. The first filter in a frequency spectrum has a first passband and the second filter in the first

Frequenzspektrum einen zweiten Durchlassbereich aufweist. Das erste und das zweite Filter sind derart ausgebildet, dass der erste Durchlassbereich und der zweite Durchlassbereich sich zumindest bereichsweise überlappen. Ein erstes Diplexnetzwerk ist zwischen die Eingangsseite des ersten Filters und die Eingangsseite des zweiten Filters geschaltet. Ein zweites Diplexnetzwerk ist zwischen die Ausgangsseite des ersten Filters und die Ausgangsseite des zweiten Filters geschaltet. Frequency spectrum has a second passband. The first and the second filter are designed such that the first passband and the second passband overlap at least in regions. A first diplex network is connected between the input side of the first filter and the input side of the second filter. A second diplex network is connected between the output side of the first filter and the output side of the second filter.

Das Filterbauelement weist eine deutlich größere Bandbreite als das jeweilige einzelne erste und zweite Filter auf. Ent^¬ sprechend der bandgebenden Eigenschaften der Einzelfilter, insbesondere entsprechend der Bandbreite und der Flanken- Steilheit der Einzelfilter, wird durch die Verschaltung ein (Ultra- ) breitbandiges und/oder ein besonders steilflankiges Filter mit niedriger Einfügedämpfung, beispielsweise einer Einfügedämpfung von höchstens 3dB, und mit einem kontinuier- liehen Durchlassbereich definiert. Im Durchlassbereich weist das Filterbauelement beispielsweise Schwankungen (Ripples) von weniger als 2dB auf. The filter component has a significantly greater bandwidth than the respective individual first and second filters. Ent ^¬ speaking of the band-forming properties of the individual filters, in particular according to the bandwidth and the flank steepness of the single filter is determined by the interconnection of an (ultra) broadband and / or a particularly high-slope filter with low insertion loss, for example, an insertion loss not exceeding 3 dB, and with a continuous defined passband. In the passband, the filter device has, for example, fluctuations (ripples) of less than 2 dB.

Weitere Aus führungs formen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen. Further embodiments of the invention can be found in the subclaims.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Figuren, die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zeigen, näher erläutert. Es zeigen: The invention will be explained in more detail below with reference to figures showing exemplary embodiments of the present invention. Show it:

Figur 1 eine Aus führungs form eines Filterbauelements mit zwei in ein Gehäuse des Filterbauelements integ^¬ rierten Filtern, 1 shows a disclosed embodiment of a filter device with two integ in a housing of the filter device ^{¬-configured} filters,

Figur 2 eine Aus führungs form eines Filters des Filterbau^¬ elements, Figure 2 is a disclosed embodiment, a filter of the Filterbau ^¬ elements,

Figur 3A Übertragungsfunktionen von Einzelfiltern des Filterbauelements, FIG. 3A shows transfer functions of individual filters of the filter component,

Figur 3B eine resultierende Übertragungsfunktion des Filterbauelements, FIG. 3B shows a resulting transfer function of the filter component,

Figur 4 eine Aus führungs form einer inneren Verschaltung von FIG. 4 shows an embodiment of an internal interconnection of FIG

Einzelfiltern des Filterbauelements, Individual filters of the filter component,

Figur 5 eine weitere Aus führungs form einer inneren Verschaltung von Einzelfiltern des Filterbauelements, FIG. 5 shows a further embodiment of an inner interconnection of individual filters of the filter component,

Figur 6A eine weitere Aus führungs form einer inneren Verschaltung von Einzelfiltern des Filterbauelements, Figur 6B eine weitere Aus führungs form einer inneren Ver- schaltung von Einzelfiltern des Filterbauelements, FIG. 6A shows a further embodiment of an internal interconnection of individual filters of the filter component, FIG. 6B shows a further embodiment of an internal connection of individual filters of the filter component,

Figur 7A eine weitere Aus führungs form einer inneren Ver- Schaltung von Einzelfiltern des Filterbauelements, FIG. 7A shows a further embodiment of an internal connection of individual filters of the filter component,

Figur 7B eine weitere Aus führungs form einer inneren Ver- schaltung von Einzelfiltern des Filterbauelements, Figur 8A eine Aus führungs form eines Diplexnetzwerks des Filterbauelements, FIG. 7B shows a further embodiment of an internal connection of individual filters of the filter component, FIG. 8A shows an embodiment of a diplex network of the filter component,

Figur 8B eine weitere Aus führungs form eines Diplexnetzwerks des Filterbauelements, FIG. 8B shows a further embodiment of a diplex network of the filter component,

Figur 8C eine weitere Aus führungs form eines Diplexnetzwerks des Filterbauelements, FIG. 8C shows a further embodiment of a diplex network of the filter component,

Figur 8D eine weitere Aus führungs form des Diplexnetzwerks des Filterbauelements, FIG. 8D shows a further embodiment of the diplex network of the filter component,

Figur 8E eine weitere Aus führungs form des Diplexnetzwerks des Filterbauelements, Figur 9A eine Aus führungs form eines Diplexnetzwerks und ei^¬ nes Filters des Filterbauelements, Figure 8E is a further disclosed embodiment of the Diplexnetzwerks of the filter device, Figure 9A is a disclosed embodiment of a Diplexnetzwerks and ei ^¬ nes filter of the filter device,

Figur 9B eine weitere Aus führungs form des Diplexnetzwerks und des Filters eines Filterbauelements, FIG. 9B shows a further embodiment of the diplex network and the filter of a filter component,

Figur 10 eine weitere Aus führungs form eines Diplexnetzwerks und eines Filters des Filterbauelements. Figur 1 zeigt eine Aus führungs form eines Filterbauelements 100 mit einem Eingangsanschluss E100 zum Anlegen eines Sig^¬ nals und einem Ausgangsanschluss A100 zum Ausgeben des Sig^¬ nals. Das Filterbauelement weist ein Gehäuse 70 auf, in dem zwei Einzelfilter 10 und 20 angeordnet sind. Die Einzelfilter sind jeweils derart ausgebildet, dass sie eine Filterfunktion als Übertragungsfunktion aufweisen. Die Filterfunktion kann beispielsweise einer Übertragungsfunktion eines Bandpassfil^¬ ters mit einem Sperrbereich und einem Durchlassbereich ent- sprechen. Im Durchlassbereich hat das Filter im Vergleich zum Sperrbereich eine deutlich niedrigere Einfügedämpfung. Im Ü- bergangsbereich zwischen Durchlass- und Sperrbereich weist das Filter jeweils eine linke und rechte Flanke auf. FIG. 10 shows a further embodiment of a diplex network and a filter of the filter component. 1 shows a disclosed embodiment of a filter device 100 having an input terminal for applying an E100 Sig ^¬ Nals and an output terminal for outputting the A100 Sig ^¬ Nals. The filter component has a housing 70, in which two individual filters 10 and 20 are arranged. The individual filters are each designed such that they have a filter function as a transfer function. The filter function can correspond to, for example, a transfer function of Bandpassfil ^¬ ters with a stop band and a passband. In the passband, the filter has a much lower insertion loss than the stopband. In the transition region between passband and stopband, the filter has a left and a right side flank.

Figur 2 zeigt eine mögliche Aus führungs form für die Einzel^¬ filter 10 und 20. Im Ausführungsbeispiel der Figur 2 kann das Filter beispielsweise als ein DMS (Dual-Mode-Surface Acoustic Wave ) -Oberflächenwellenfilter ausgeführt sein. Bei dem Beispiel der in Figur 2 gezeigten Aus führungs form weist das Filter 10 einen Eingangsanschluss E10 zum Anlegen eines Signals auf. Die DMS-Spur weist Wandlerstrukturen 1, 2 und 3 auf. Der Eingangsanschluss E10 ist mit der Wandlerstruktur 1 und der Wandlerstruktur 3 verbunden. Die Wandler 1 und 3 sind als Eingangswandler der DMS-Spur ausgebildet sind des Weiteren an einen Anschluss zum Anlegen eines Bezugspotentials M ange^¬ schlossen . Figure 2 shows a possible disclosed embodiment for the single filter ^¬ 10 and 20. In the embodiment of Figure 2, the filter can be configured for example as a DMS (dual-mode surface acoustic wave) -Oberflächenwellenfilter. In the example of the embodiment shown in FIG. 2, the filter 10 has an input terminal E10 for applying a signal. The DMS track has transducer structures 1, 2 and 3. The input terminal E10 is connected to the transducer structure 1 and the transducer structure 3. The transducers 1 and 3 are formed as input transducers of the strain gauge track are further connected to a terminal for applying a reference potential M ^¬ connected.

Ein Ausgangswandler 2 ist zwischen die beiden Eingangswandler 1 und 3 geschaltet. Der Ausgangswandler weist einen Ausgangs- anschluss A10 zum Ausgeben eines Signals auf. Ein weiterer Anschluss des Ausgangswandlers ist mit einem Anschluss zum Anlegen eines Bezugspotentials verbunden. Das Bezugspotential kann beispielsweise ein Massepotential sein. Die Wandlerstrukturen 1, 2 und 3 sind zwischen Reflektoren 4 und 5 angeordnet. Die Wandler können im Falle von Oberflä- chenwellenfiltern beispielsweise eine kammartige metallische Struktur aufweisen, die auf einem Trägersubstrat 6 angeordnet sind. Das Trägersubstrat kann beispielsweise ein Material aus Lithiumniobat , Lithiumtantalat oder Quarz enthalten. An output transducer 2 is connected between the two input transducers 1 and 3. The output transducer has an output terminal A10 for outputting a signal. Another terminal of the output transducer is connected to a terminal for applying a reference potential. The reference potential may be, for example, a ground potential. The transducer structures 1, 2 and 3 are arranged between reflectors 4 and 5. In the case of surface wave filters, for example, the transducers may have a comb-like metallic structure which is arranged on a carrier substrate 6. The carrier substrate may, for example, contain a material of lithium niobate, lithium tantalate or quartz.

Die in Figur 1 gezeigten Einzelfilter 10 und 20 können in ei- nem einfachen Ausführungsbeispiel jeweils die in Figur 2 ge^¬ zeigte Struktur aufweisen. Die Einzelfilter können auch deutlich komplexere Filterstrukturen enthalten. Die Einzelfilter 10 und 20 weisen jeweils eine charakteristische Filterüber^¬ tragungsfunktion auf. The individual filters 10 and 20 shown in Figure 1 can each have the ge in Figure 2 ^¬ showed structure in egg nem simple embodiment. The single filters can also contain much more complex filter structures. The individual filters 10 and 20 each have a characteristic filter About ^¬ tragungsfunktion.

Figur 3A zeigt jeweilige Übertragungsfunktionen der Filter 10 und 20, wobei eine Einfügedämpfung IL über einer Frequenz F aufgetragen ist. Das Filter 10 weist beispielsweise eine Mit^¬ tenfrequenz von zirka 1960 MHz auf. Das Filter 20 ist ober- halb des Filters 10 angeordnet und hat eine Mittenfrequenz von ungefähr 2040 MHz. Das Filter 10 kann beispielsweise die Eigenschaften eines Sendefilters mit steiler rechter Flanke und das Filter 20 kann beispielsweise die Eigenschaften eines Empfangsfilters mit steiler linker Flanke aufweisen. Figure 3A shows respective transfer functions of the filters 10 and 20, wherein an insertion loss IL is plotted against a frequency F. The filter 10, for example, has a center frequency of approximately ^¬ With 1960 MHz. The filter 20 is disposed above the filter 10 and has a center frequency of about 2040 MHz. For example, filter 10 may have the characteristics of a steep right edge transmit filter, and filter 20 may have the characteristics of, for example, a steep left edge receive filter.

Die Einzelfilter 10 und 20 des Filterbauelements 100 sind derart ausgebildet, dass sich der jeweilige Durchlassbereich der Filter überlappt. Bei der in Figur 3A gezeigten Ausführungsform überlappt sich die rechte Flanke des Filters 10 mit der linken Flanke des Filters 20. Die beiden Filterkurven sind derart zueinander verschoben, dass die rechte Flanke des Filters 10 die linke Flanke des Filters 20 überlappt, wenn die Einfügedämpfung des Filters 20 auf weniger als 10 dB ab- gefallen ist. Umgekehrt überlappt die linke Flanke des Fil^¬ ters 20 das Filter 10 in einem Bereich, in dem die rechte Flanke des Filters 10 um weniger als 10 dB gegenüber dem Durchlassbereich des Filters 10, insbesondere gegenüber der minimalen Einfügedämpfung im Durchlassbereich des Filters 10, abgefallen ist. Vorzugsweise weist das Filter 10 eine linke Flanke auf, die steiler als die rechte Flanke des Filters ist. Das Filter 20 weist vorzugsweise eine rechte Flanke auf, die steiler als seine linke Flanke ist. The individual filters 10 and 20 of the filter component 100 are designed such that the respective passage region of the filter overlaps. In the embodiment shown in FIG. 3A, the right flank of the filter 10 overlaps the left flank of the filter 20. The two filter plots are shifted relative to each other such that the right flank of the filter 10 overlaps the left flank of the filter 20 when the insertion loss of the filter 10 overlaps Filters 20 to less than 10 dB. has fallen. Conversely, the left flank of the Fil ^¬ ters 20 overlaps the filter 10 in an area that is in the de-energized the right flank of the filter 10 to less than 10 dB relative to the passband of the filter 10, in particular to the minimum insertion loss in the passband of the filter 10, , Preferably, the filter 10 has a left flank that is steeper than the right flank of the filter. The filter 20 preferably has a right flank which is steeper than its left flank.

Figur 3B zeigt die resultierende Filterübertragungsfunktion des Filterbauelements 100 zwischen dem Eingangsanschluss E100 und dem Ausgangsanschluss A100. Dargestellt ist die Filter^¬ übertragungsfunktion in Form des Streuparameters S21, der zwischen dem Eingangsanschluss E100 und dem Ausgangsanschluss A100 beispielsweise mittels eines Netzwerkanalysators messbar ist. Die resultierende Filterübertragungsfunktion weist in Bezug auf die Mittenfrequenz von nunmehr zirka 2000 MHz eine relative Bandbreite von ungefähr 8 % auf. Das Filterbauele- ment lässt sich bezüglich der Impedanz am Ein- und Ausgang sowie bezüglich der Phasenlage beider Filter 10 und 20 an den Ein- und Ausgängen optimieren. FIG. 3B shows the resulting filter transfer function of the filter device 100 between the input terminal E100 and the output terminal A100. Shown is the filter ^¬ transfer function in the form of the scattering parameter S21, which is measurable between the input terminal E100 and the output terminal A100, for example by means of a network analyzer. The resulting filter transfer function has a relative bandwidth of approximately 8% with respect to the center frequency of now about 2000 MHz. The filter element can be optimized with regard to the impedance at the input and output as well as with respect to the phase position of both filters 10 and 20 at the inputs and outputs.

Am Beispiel der Figur 3B wird deutlich, dass im Vergleich zu einem Einzelfilter auf dem gleichen Trägersubstrat ein Filterbauelement durch Verschaltung zweier Einzelfilter mit einer wesentlich größeren Bandbreite, als die beiden Einzelfil^¬ ter jeweils aufweisen, realisiert werden kann. Gleichzeitig bleiben wesentliche Filtereigenschaften wie Flankensteilheit und spezifisches Temperaturverhalten unverändert. Bei einem derartigen Filterdesign wird die größte Bandbreite erzielt, wenn die Filterstrukturen der Einzelfilter 10 und 20 auf ei- nem Trägersubstrat mit hoher Kopplung, beispielsweise einem Trägersubstrat aus Lithiumniobat , aufgebracht sind. The example of FIG. 3B clearly shows that, in comparison to a single filter on the same carrier substrate, a filter component can be realized by interconnecting two individual filters with a significantly greater bandwidth than the two individual ^filters . At the same time, essential filter properties such as edge steepness and specific temperature behavior remain unchanged. In such a filter design, the greatest bandwidth is achieved if the filter structures of the individual filters 10 and 20 a carrier substrate with high coupling, for example, a carrier substrate of lithium niobate, are applied.

Figur 4 zeigt eine Aus führungs form einer inneren Verschaltung des Filterbauelements. Das Filterbauelement weist ein Filter 10 und ein Filter 20 auf. Die Filter 10 und 20 sind derart ausgebildet, dass ihre Übertragungsfunktion jeweils den cha^¬ rakteristischen Verlauf eines Bandpassfilters zeigt. Die Ü- bertragungsfunktion, insbesondere die Funktion des Streupara- meters S21, der Filter weist einen Durchlassbereich und einen Sperrbereich auf, wobei die Einfügedämpfung im Durchlassbereich niedriger als im Sperrbereich ist. Im Übergangsbereich zwischen dem Durchlassbereich und dem Sperrbereich weisen die beiden Filter jeweils Flanken auf. Die Übertragungsfunktion des Filters 10 und die Übertragungsfunktion des Filters 20 können beispielsweise den in Figur 3A gezeigten Filterübertragungsfunktionen entsprechen. FIG. 4 shows an embodiment of an inner interconnection of the filter component. The filter device has a filter 10 and a filter 20. The filters 10 and 20 are formed such that their transfer function in each case shows the cha ^¬ acteristic response of a band pass filter. The transmission function, in particular the function of the scattering parameter S21, the filter has a passband and a stopband, wherein the insertion loss in the passband is lower than in the stopband. In the transition region between the passband and the stopband, the two filters each have flanks. The transfer function of the filter 10 and the transfer function of the filter 20 may correspond, for example, to the filter transfer functions shown in FIG. 3A.

Das Filter 10 ist in einen Signalpfad SP1 zwischen den Ein- gangsanschluss E100 und den Ausgangsanschluss A100 des Fil^¬ terbauelements geschaltet. Das Filter 20 ist in einen Signal^¬ pfad SP2 zwischen den Eingangsanschluss E100 und den Aus^¬ gangsanschluss A100 des Filterbauelements geschaltet. Die beiden Signalpfade SP1 und SP2 sind somit parallel zwischen den Eingangs- und Ausgangsanschluss des Filterbauelements ge^¬ schaltet . The filter 10 is connected in a signal path SP1 between the input input terminal and the output terminal E100 A100 Fil ^¬ terbauelements. The filter 20 is connected in a signal ^¬ path SP2 between the input terminal E100 and the output ^¬ outlet A100 of the filter device. The two signal paths SP1 and SP2 are thus connected in parallel between the input and output terminals of the filter ^component .

Das Filter 10 weist eine Eingangsseite E10 zum Anlegen eines Signals und eine Ausgangsseite A10 zum Ausgeben eines Signals auf. Ebenso weist das Filter 20 eine Eingangsseite E20 zumThe filter 10 has an input side E10 for applying a signal and an output side A10 for outputting a signal. Likewise, the filter 20 has an input side E20

Anlegen eines Signals und eine Ausgangsseite A20 zum Ausgeben eines Signals auf. Die Eingangsseite E10 zum Anlegen eines Signals ist über eine Anpassschaltung 30 mit dem Eingangsan- schluss E100 des Filterbauelements verbunden. Die Ausgangs^¬ seite A10 zum Ausgeben eines Signals aus dem Filter 10 ist über eine weitere Anpassschaltung 40 mit dem Ausgangsan- schluss A100 des Filterbauelements verbunden. Die Eingangs- seite E20 zum Anlegen eines Signals an das Filter 20 ist unmittelbar mit dem Eingangsanschluss E100 des Filterbauele^¬ ments verbunden. Die Ausgangsseite A20 des Filters 20 zum Ausgeben eines Signals ist unmittelbar mit dem Ausgangsan- schluss A100 des Filterbauelements verbunden. Applying a signal and an output side A20 for outputting a signal. The input side E10 for applying a signal is connected via an adaptation circuit 30 to the input End E100 of the filter device connected. The output ^¬ page A10 for outputting a signal from the filter 10 is connected via a further matching circuit 40 to the output terminals of the circuit A100 filter device. The input side E20 for applying a signal to the filter 20 is connected directly to the input terminal E100 of the Filterbauele ^¬ ment. The output side A20 of the filter 20 for outputting a signal is directly connected to the output terminal A100 of the filter device.

Die Anpassschaltungen 30 und 40 können beispielsweise jeweils als ein Diplexnetzwerk ausgebildet sein. Die Diplexnetzwerke 30 und 40 sind jeweils derart ausgebildet, dass das Filter 10 an einer Frequenz im Durchlassbereich des Filters 20, bei- spielsweise in dem in Figur 3A gezeigten Durchlassbereich D2, hochohmige Eigenschaften aufweist. Das Filter 10 kann bei^¬ spielsweise an einer Frequenz im Durchlassbereich D2 des Filters 20 hochohmiger als an einer Frequenz im Sperrbereich S2 des Filters 20 sein. The matching circuits 30 and 40 may be formed, for example, each as a diplex network. The diplex networks 30 and 40 are each designed such that the filter 10 has high-impedance properties at a frequency in the passband of the filter 20, for example in the passband D2 shown in FIG. 3A. The filter 10 may be at higher impedance than at a frequency in the blocking region S2 of the filter 20 at ^¬ example, at a frequency in the passband D2 of the filter 20.

Des Weiteren können die Diplexnetzwerke 30 und 40 derart aus^¬ gebildet sein, dass das Filter 20 an einer Frequenz im Durchlassbereich Dl des Filters 10, beispielsweise in dem in Figur 3A gezeigten Durchlassbereich Dl, hochohmige Eigenschaften aufweist. Das Filter 20 kann beispielsweise für Frequenzen im Durchlassbereich 1 des Filters 10 hochohmiger als für Frequenzen im Sperrbereich Sl des Filters 10, beispielsweise in dem in Figur 3A gezeigten Sperrbereich Sl, ausgebildet sein. Die Diplexnetzwerke 30 und 40 können dazu ausgebildet sein, die Phase der Filter 10 und 20 derart einander anzupassen, dass das Filter 10 im Frequenzbereich des Durchlassbereichs des Filters 20 hochohmige Eigenschaften aufweist und das Fil- ter 20 im Frequenzbereich des Durchlassbereichs des Filters 10 ebenfalls hochohmige Eigenschaften aufweist. Furthermore, the Diplexnetzwerke can be 30 and 40 so formed from ^¬ that the filter 20 has, at a frequency in the passband of the filter 10 Dl, for example, in the example shown in Figure 3A passband Dl, high-impedance properties. The filter 20 may, for example, for frequencies in the passband 1 of the filter 10 higher impedance than for frequencies in the stopband Sl of the filter 10, for example, in the blocking region Sl shown in Figure 3A, be formed. The diplex networks 30 and 40 can be designed to adapt the phase of the filters 10 and 20 in such a way that the filter 10 in the frequency range of the passband of the filter 20 has high-impedance properties and the filter ter 20 in the frequency range of the passband of the filter 10 also has high impedance properties.

Das Diplexnetzwerk 30 ist bei der in Figur 4 gezeigten Aus- führungsform dazu ausgebildet, eine Phasenänderung des Sig^¬ nals zwischen dem Eingangsanschluss E100 des Filterbauele^¬ ments und der Eingangsseite E10 des Filters 10 zu bewirken. Das Diplexnetzwerk 40 ist dazu ausgebildet, eine Phasenände^¬ rung des Signals zwischen der Ausgangsseite A10 des Filters 10 und dem Ausgangsanschluss A100 des Filterbauelements zu bewirken . The Diplexnetzwerk 30 is guide in the form shown in Figure 4 to off configured to cause a phase change of the Sig ^¬ Nals between the input terminal of E100 Filterbauele ^¬ ment and the input side of the filter E10 10th The Diplexnetzwerk 40 is adapted to cause a Phasenände ^¬ tion of the signal between the output side A10 of the filter 10 and the output terminal of the filter device A100.

Mit der in Figur 4 gezeigten inneren Verschaltung des Filterbauelements aus den Einzelfilterstrukturen 10 und 20 und den Anpassschaltungen 30 und 40 lässt sich zwischen dem Eingangsanschluss E100 und dem Ausgangsanschluss A100 des Filterbau^¬ elements eine Filterübertragungsfunktion mit einer gegenüber den Filterübertragungsfunktionen der Einzelfilter 10 und 20 wesentlich größeren Bandbreite realisieren. Dabei bleiben we- sentliche Filtereigenschaften der Einzelfilterstrukturen 10 und 20, beispielsweise die Flankensteilheit und das spezifi^¬ sche Temperaturverhalten, unverändert. Wenn das Filter 10 einen Durchlassbereich aufweist, der an einer niedrigeren Frequenz als der Durchlassbereich des Filters 20 liegt, bleibt die linke Flanke des Filters 10 und die rechte Flanke desWith the internal interconnection of the filter component shown in FIG. 4 from the individual filter structures 10 and 20 and the matching circuits 30 and 40, a filter transfer function with a filter transfer function substantially greater than that of the filter transfer functions of the individual filters 10 and 20 can be established between the input terminal E100 and the output terminal A100 of the filter ^component Realize bandwidth. While remaining WE sentliche filter characteristics of the individual filter structures 10 and 20, for example, the slope and the specifi ^¬ specific temperature behavior unchanged. If the filter 10 has a passband that is at a lower frequency than the passband of the filter 20, the left flank of the filter 10 and the right flank of the filter 10 remain

Filters 20 bei der Zusammenschaltung der beiden Einzelfilter gemäß der in Figur 4 vorgesehenen Aus führungsform nahezu unverändert . Die Figuren 5, 6A, 6B, 7A und 7B zeigen weitere Möglichkeiten der inneren Verschaltung der Filter 10 und 20 des Filterbauelements 100, mit denen sich eine gegenüber den Einzelfiltern deutlich erhöhte Bandbreite erzielen lässt, wobei weitere charakteristische Filtereigenschaften, wie die Flankensteil^¬ heit und das spezifische Temperaturverhalten, der Einzelfil^¬ ter 10 und 20 nahezu unverändert bleiben. Figur 5 zeigt eine weitere Aus führungs form der inneren Ver- schaltung des Filterbauelements 100. Das Einzelfilter 10 ist in einem Signalpfad SP1 zwischen den Eingangsanschluss E100 und den Ausgangsanschluss A100 des Filterbauelements geschal^¬ tet. Das Filter 20 ist in den Signalpfad SP2 zwischen den Eingangsanschluss E100 und den Ausgangsanschluss A100 desFilters 20 in the interconnection of the two individual filters according to the proposed in Figure 4 from guide form almost unchanged. FIGS. 5, 6A, 6B, 7A and 7B show further possibilities for the internal connection of the filters 10 and 20 of the filter component 100, with which a bandwidth which is significantly increased in comparison to the individual filters can be achieved, whereby further ones are achieved Characteristic filter properties, such as the edge part ^{¬ unit} and the specific temperature behavior, the Einzelfil ^¬ ter 10 and 20 remain virtually unchanged. Figure 5 shows a further disclosed embodiment, the inner inter- connection of the filter device 100. The single filter 10 is in a signal path SP1 between the input terminal and the output terminal E100 A100 of filter device geschal ^¬ tet. The filter 20 is in the signal path SP2 between the input terminal E100 and the output terminal A100 of FIG

Filterbauelements geschaltet. Die beiden Einzelfilter 10 und 20 sind somit parallel zwischen den Eingangs- und Ausgangsan^¬ schluss des Filterbauelements geschaltet. Die Eingangsseite E10 des Filters 10 ist über die Anpassschaltung 30, bei- spielsweise ein Diplexnetzwerk, mit dem EingangsanschlussSwitched filter element. The two individual filters 10 and 20 are thus connected in parallel between the input and Ausgangsan ^¬ circuit of the filter component. The input side E10 of the filter 10 is connected via the matching circuit 30, for example a diplex network, to the input terminal

E100 des Filterbauelements verbunden. Die Ausgangsseite A10 des Filters 10 ist unmittelbar mit dem Ausgangsanschluss A100 des Filterbauelements verbunden. Die Eingangsseite E20 des Filters 20 ist unmittelbar mit dem Eingangsanschluss E100 des Filterbauelements verbunden. Die Ausgangsseite A20 des Fil^¬ ters 20 ist über die Anpassschaltung 40, beispielsweise ein Diplexnetzwerk, mit dem Ausgangsanschluss A100 des Filterbau^¬ elements verbunden. Das Diplexnetzwerk 30 ist dazu ausgebildet, dass die Impedanz im Pfad SP1 bei Frequenzen im Durchlassbereichs des Filters 20 hochohmig ist. Beispielsweise kann die Impedanz des Sig^¬ nalpfades SP1 für Frequenzen im Durchlassbereich des Filters 20 hochohmiger als für Frequenzen im Sperrbereich des Filters 20 sein. Entsprechend ist das Diplexnetzwerk 40 dazu ausge^¬ bildet, dass die Impedanz im Signalpfad SP2 bei Signalfre^¬ quenzen im Durchlassbereich des Filters 10 hochohmig wird. Beispielsweise kann die Impedanz im Signalpfad SP2 für Sig- nalfrequenzen im Durchlassbereich des Filters 10 hochohmiger als für Signalfrequenzen im Sperrbereich des Filters 10 sein. E100 connected to the filter device. The output side A10 of the filter 10 is directly connected to the output terminal A100 of the filter device. The input side E20 of the filter 20 is directly connected to the input terminal E100 of the filter device. The output side of the A20 Fil ^¬ ters 20 is connected via the matching circuit 40, for example a Diplexnetzwerk, connected to the output terminal of the A100 Filterbau ^¬ elements. The diplex network 30 is designed such that the impedance in the path SP1 is high-impedance at frequencies in the passband of the filter 20. For example, the impedance of Sig ^¬ nalpfades SP1 for frequencies in the passband of the filter 20 are higher impedance than for frequencies in the stopband of the filter 20. Accordingly, the diplex network 40 is designed to ^¬ that the impedance in the signal path SP2 at Signalfre ^¬ frequencies in the passband of the filter 10 is high impedance. For example, the impedance in the signal path SP2 for Sig- nalfrequenzen be in the passband of the filter 10 higher impedance than for signal frequencies in the stopband of the filter 10.

Das Diplexnetzwerk 30 kann beispielsweise derart ausgebildet sein, dass für Signale bei Frequenzen im Durchlassbereich des Filters 20 der Signalpfad SP1 beziehungsweise das Filter 10 als Leerlauf wirkt. Entsprechend kann das Diplexnetzwerk 40 dazu ausgebildet sein, dass für Signalfrequenzen im Durchlassbereich des Filters 10 der Signalpfad SP2 beziehungsweise das Filter 20 als ein Leerlauf wirkt. The diplex network 30 may be designed, for example, such that for signals at frequencies in the passband of the filter 20, the signal path SP1 or the filter 10 acts as idle. Accordingly, the diplex network 40 may be designed so that, for signal frequencies in the passband of the filter 10, the signal path SP2 or the filter 20 acts as an idling.

Im Ausführungsbeispiel der Figur 4 ist das Diplexnetzwerk 30 dazu ausgebildet, eine Phasenänderung des Signals zwischen dem Eingangsanschluss E100 des Filterbauelements und der Ein- gangsseite E10 des Filters 10 zu bewirken. Das Diplexnetzwerk 40 ist dazu ausgebildet, eine Phasenänderung des Signals zwi^¬ schen der Ausgangsseite A20 des Filters 20 und dem Ausgangs- anschluss A100 des Filterbauelements zu bewirken. Bei den in den Figuren 4 und 5 gezeigten Aus führungs formen des Filterbauelements weisen die einzelnen Filter 10 und 20 jeweils eine unsymmetrische Ein- und Ausgangsseite (unbalan- ced/unbalanced; Single ended/single ended) auf. Bei der in Figur 6A gezeigten Aus führungs form weist das Filter 10 eine unsymmetrische Eingangsseite (unbalanced; Single ended) und eine symmetrische Ausgangsseite (balanced) auf. Die einzelnen Filterstrukturen 10 und 20 sind in den Signalpfaden SP1 und SP2 parallel zwischen den Eingangsanschluss E100 und den Aus- gangsanschluss A100 des Filterbauelements geschaltet. In the exemplary embodiment of FIG. 4, the diplex network 30 is designed to effect a phase change of the signal between the input terminal E100 of the filter component and the input side E10 of the filter 10. The Diplexnetzwerk 40 is adapted to cause a phase change of the signal Zvi ^¬ rule A20 of the output side of the filter 20 and the output terminal of the filter device A100. In the embodiments of the filter component shown in FIGS. 4 and 5, the individual filters 10 and 20 each have an unbalanced input and output side (unbalanced / unbalanced, single ended / single ended). In the embodiment shown in FIG. 6A, the filter 10 has an unbalanced input side (unbalanced) and a balanced output side (balanced). The individual filter structures 10 and 20 are connected in parallel in the signal paths SP1 and SP2 between the input terminal E100 and the output terminal A100 of the filter component.

Der Eingangsanschluss E10 des Filters 10 ist über die Anpass^¬ schaltung 30, beispielsweise ein Diplexnetzwerk, mit dem Eingangsanschluss E100 des Filterbauelements verbunden. Die Aus- gangsseite A10 des Filters 10 ist über die Anpassschaltung 40, beispielsweise ein Diplexnetzwerk, mit dem Ausgangsanschluss AlOO des Filterbauelements verbunden. Aufgrund der symmetrischen Ausgänge weist das Filter 10 eine weitere Aus- gangsseite A10' auf, die über eine Anpassschaltung 50 mit dem Ausgangsanschluss AlOO des Filterbauelements verbunden ist. Die Eingangsseite E20 des Filters 20 ist unmittelbar mit dem Eingangsanschluss E100 des Filterbauelements verbunden. Die Ausgangsseite A20 des Filters 20 ist ebenso unmittelbar mit dem Ausgangsanschluss AlOO des Filterbauelements verbunden. The input terminal E10 of the filter 10 is connected via the matching ^¬ circuit 30, for example, a diplex network, with the input terminal E100 of the filter device. From- The input side A10 of the filter 10 is connected via the matching circuit 40, for example a diplex network, to the output terminal AlOO of the filter component. Due to the symmetrical outputs, the filter 10 has a further output side A10 ', which is connected via an adaptation circuit 50 to the output terminal AlOO of the filter component. The input side E20 of the filter 20 is directly connected to the input terminal E100 of the filter device. The output side A20 of the filter 20 is also directly connected to the output terminal AlOO of the filter device.

Figur 6B zeigt eine weitere Aus führungs form des Filterbau^¬ elements, bei der im Unterschied zu der in Figur 6A gezeigten Aus führungs form der Ausgangsport symmetrisch ausgebildet ist. Das Filterbauelement weist daher eine Ausgangsanschluss A100 und einen Ausgangsanschluss A100' auf. Das Filter 20 ist im Unterschied zu der in Figur 6A gezeigten Aus führungs form eingangsseitig unsymmetrisch und ausgangsseitig symmetrisch ausgebildet. Das Filter 20 weist daher eine Ausgangsseite A20 und eine weitere Ausgangsseite A20' auf. Die Ausgangseite A10 des Filters 10 und die Ausgangsseite A20 des Filters 20 sind mit dem Ausgangsanschluss A100 verbunden. Die weiteren Aus^¬ gangsseiten A10', A20' der Filter 10, 20 sind mit dem Figure 6B shows a further disclosed embodiment of the Filterbau ^¬ elements, the output port is in contrast to that shown in Figure 6A disclosed embodiment, symmetrically formed in the. The filter device therefore has an output terminal A100 and an output terminal A100 '. In contrast to the embodiment shown in FIG. 6A, the filter 20 is designed to be asymmetrical on the input side and symmetrically on the output side. The filter 20 therefore has an output side A20 and a further output side A20 '. The output side A10 of the filter 10 and the output side A20 of the filter 20 are connected to the output terminal A100. The further from ^¬ aisle A10 ', A20' of the filters 10, 20 are connected to the

weiteren Ausgangsanschluss A100' verbunden. Das Diplex- netzwerk 40 ist zwischen die Ausgangsseite A10 des Filters 10 und die Ausgangsseite A20 des Filters 20 geschaltet. Das Diplexnetzwerk 50 ist zwischen die weitere Ausgangsseite A10' des Filters 10 und die weitere Ausgangsseite A20' des Filters 20 geschaltet. another output terminal A100 'connected. The diplex network 40 is connected between the output side A10 of the filter 10 and the output side A20 of the filter 20. The diplex network 50 is connected between the further output side A10 'of the filter 10 and the further output side A20' of the filter 20.

Die Diplexnetzwerke 30, 40 und 50 sind ähnlich zu der in Fi^¬ gur 1 gezeigten Aus führungs form dazu ausgebildet, die Phase der Einzelfilter 10 und 20 einander anzupassen, sodass das Filter 20 im Frequenzbereich des Durchlassbereichs des Filters 10 hochohmige Eigenschaften aufweist. Des Weiteren sind die Diplexnetzwerke 30, 40 und 50 dazu ausgebildet, dass das Filter 10 bei Frequenzen im Durchlassbereich des Filters 20 hochohmige Eigenschaften hat. Insbesondere können die Anpass^¬ schaltungen 30, 40 und 50 derart ausgebildet sein, dass das Filter 20 für Frequenzen im Durchlassbereich des Filters 10 hochohmiger als für Frequenzen im Sperrbereich des Filters 10 wirkt und dass das Filter 10 für Frequenzen im Durchlassbe- reich des Filters 20 hochohmiger als für Frequenzen im Sperrbereich des Filters 20 ist. The Diplexnetzwerke 30, 40 and 50 are formed similar to that shown in Fi gur 1 ^¬ disclosed embodiment, to 10 and 20 to adjust the phase of the individual filters to one another, so that the Filter 20 in the frequency range of the passband of the filter 10 has high impedance properties. Furthermore, the diplex networks 30, 40 and 50 are designed such that the filter 10 has high-impedance properties at frequencies in the passband of the filter 20. In particular, the matching ^circuits 30, 40 and 50 can be designed such that the filter 20 has a higher impedance for frequencies in the passband of the filter 10 than for frequencies in the stopband of the filter 10 and that the filter 10 for frequencies in the passband of the filter 20 higher impedance than for frequencies in the stopband of the filter 20.

Figur 7A zeigt eine weitere Aus führungs form für die innere Verschaltung der Filter 10 und 20 des Filterbauelements 100. Im Unterschied zu der in Figur 6A gezeigten Aus führungs form ist das Filter 10 als ein Einzelfilter mit einer symmetrischen Eingangsseite (balanced/balanced) und einer symmetri^¬ schen Ausgangsseite (balanced/balanced) ausgebildet. Im Un^¬ terschied zu Figur 6A weist das Filter 10 somit eine weitere Eingangsseite E10' auf, die über eine Anpassschaltung 60, beispielsweise ein Diplexnetzwerk, mit dem Eingangsanschluss E100 des Filterbauelements verbunden ist. FIG. 7A shows a further embodiment for the internal connection of the filters 10 and 20 of the filter component 100. In contrast to the embodiment shown in FIG. 6A, the filter 10 is designed as a single filter with a symmetrical input side (balanced / balanced) and one SYMMETRI ^¬ rule output side (balanced / balanced) formed. Un ^¬ terschied to Figure 6A, the filter 10 therefore has a further input side to E10 'which is connected through a matching circuit 60, for example a Diplexnetzwerk E100 to the input terminal of the filter device.

Figur 7B zeigt ein andere Aus führungs form des Filerbauele- ments, bei der im Unterschied zu der in Figur 7A gezeigten Aus führungs form das Filterbauelement eingangsseitig symmet^¬ risch mit einem Eingangsanschluss E100 und einem weiteren Eingangsanschluss E100' als ausgangsseitig symmetrisch mit einem Ausgangsanschluss A100 und einem weiteren Ausgangsan- schluss A100' ausgebildet ist. Das Filter 10 weist eine Ein^¬ gangsseite E10 und eine weitere Eingangsseite E10' sowie eine Ausgangsseite A10 und eine weitere Ausgangsseite A10' auf. Ebenso weist das Filter 20 eine Eingangsseite E20 und eine weitere Eingangsseite E20' sowie eine Ausgangsseite A20 und eine weitere Ausgangsseite A20' auf. Figure 7B shows another disclosed embodiment of the Filerbauele- ment, in which, in contrast to that shown in Figure 7A disclosed embodiment, the filter device on the input side symmet ^¬ driven with an input terminal of E100 and another input terminal E100 'as the output side, symmetrically to an output terminal A100 and a further output terminal A100 'is formed. The filter 10 has a ^¬ A input side and another input side E10 E10 'and an output side of A10 and A10, another output side' on. Likewise, the filter 20 has an input side E20 and a another input side E20 'and an output side A20 and another output side A20' on.

Ein Diplexnetzwerk 30 ist zwischen die Eingangsseite E10 des Filters 10 und die Eingangsseite E20 des Filters 20 bezie^¬ hungsweise den Eingangsanschluss E100 des Filterbauelements geschaltet. Ein Diplexnetzwerk 40 ist zwischen die Ausgangsseite A10 des Filters 10 und die Ausgangsseite A20 des Fil^¬ ters 20 beziehungsweise den Ausgangsanschluss A100 des Fil- terbauelements geschaltet. Ein Diplexnetzwerk 50 ist zwischen die weitere Ausgangsseite A10' des Filters 10 und die weitere Ausgangsseite A20' des Filters 20 beziehungsweise den weite^¬ ren Ausgangsanschluss A100' des Filterbauelements geschaltet. Ein Diplexnetzwerk 60 ist zwischen die weitere Eingangsseite E10' des Filters 10 und die weitere Eingangsseite E20' des Filters 20 beziehungsweise den weiteren Eingangsanschluss E100' des Filterbauelements geschaltet. A Diplexnetzwerk 30 is connected to the input terminal of the filter device E100 Bezie ^¬ hung, between the input side of the filter 10 E10 and E20, the input side of the filter 20th A Diplexnetzwerk 40 is connected between the output side A10 of the filter 10 and the output side of the A20 Fil ^¬ ters 20 and the output terminal of the A100 FIL terbauelements. A Diplexnetzwerk 50 is connected between the further output page A10 'of the filter 10 and the further output side A20' of the filter 20 or the wide ^¬ ren output terminal A100 'of the filter device. A diplex network 60 is connected between the further input side E10 'of the filter 10 and the further input side E20' of the filter 20 or the further input connection E100 'of the filter component.

Auch bei der in den Figuren 7A, 7B gezeigten Aus führungs form sind die Diplexnetzwerke 30, 40, 50 und 60 dazu ausgebildet, die Phase der Filter derart zueinander anzupassen, dass das Filter 20 bei Signalfrequenzen im Durchlassbereich des Filters 10 hochohmige Eigenschaften aufweist und umgekehrt das Filter 10 bei Signalfrequenzen im Durchlassbereich des Fil- ters 20 seinerseits hochohmig ist. Beispielsweise kann dasIn the case of the embodiment shown in FIGS. 7A, 7B, the diplex networks 30, 40, 50 and 60 are designed to adapt the phase of the filters to one another such that the filter 20 has high-impedance properties at signal frequencies in the passband of the filter 10 and vice versa the filter 10 at signal frequencies in the passband of the filter 20 in turn has a high impedance. For example, that can

Filter 10 für Signale mit Frequenzen im Durchlassbereich des Filters 20 hochohmiger als für Signale im Sperrbereich des Filters 20 sein. Das Filter 20 kann für Signale mit Frequenzen im Durchlassbereich des Filters 10 hochohmigere Eigen- schaffen als für Signale im Sperrbereich des Filters 10 aufweisen. Die Diplexnetzwerke können beispielsweise auch hier derart ausgebildet sein, dass der Signalpfad SP1 für Signale im Durchlassbereich des Filters 20 nahezu einen Leerlauf dar- stellt und der Signalpfad SP2 für Signalfrequenzen im Durchlassbereich des Filters 10 nahezu als Leerlauf wirkt. Filter 10 for signals with frequencies in the passband of the filter 20 higher impedance than for signals in the stopband of the filter 20. For signals with frequencies in the passband of the filter 10, the filter 20 can have higher-impedance intrinsic properties than for signals in the stopband of the filter 10. The diplex networks, for example, can also be configured here in such a way that the signal path SP1 for signals in the passband of the filter 20 is almost an open circuit. and the signal path SP2 for signal frequencies in the passband of the filter 10 almost acts as idle.

Bei den in den Figuren 4, 5, 6A, 6B, 7A und 7B gezeigten Aus- führungsformen ist jeweils mindestens ein Anpassnetzwerk beziehungsweise Diplexnetzwerk zwischen die Eingangsseite E10, E10' des Filters 10 und die Eingangsseite E20 des Filters 20 geschaltet. Mindestens eine weitere Anpassschaltung bezie^¬ hungsweise ein weiteres Diplexnetzwerk ist zwischen die Aus- gangsseite A10, A10' und die Ausgangsseite A20 des Filters 20 geschaltet . In the embodiments shown in FIGS. 4, 5, 6A, 6B, 7A and 7B, in each case at least one matching network or diplex network is connected between the input side E10, E10 'of the filter 10 and the input side E20 of the filter 20. At least one additional matching rela ^¬ hung as another Diplexnetzwerk is connected between the output side of A10, A10 'A20 and the output side of the filter 20th

In den Ausführungsbeispielen der Figuren 6A und 7A ist lediglich das Filter 10 als ein Filter mit unsymmetrischen/ sym- metrischen Seiten (unbalanced/balanced) beziehungsweise im eingangsseitig und ausgangsseitig symmetrisch Zustand (balan- ced/balanced) ausgebildet. Ebenso kann auch das Filter 20 an einer Seite unsymmetrisch und an der anderen Seite symmetrisch (unbalanced/balanced) beziehungsweise eingangsseitig symmetrisch und ausgangsseitig symmetrisch (balanced/ balan- ced) ausgeführt sein. Bei dieser Art der Aus führungs form können die in den Figuren 6A und 7A vor und hinter das Filter 10 geschalteten Diplexnetzwerke auch entsprechend vor und hinter das Filter 20 geschaltet sein. In the exemplary embodiments of FIGS. 6A and 7A, only the filter 10 is designed as a filter with unbalanced / balanced sides (unbalanced / balanced) or in the input side and output side in a symmetrical state (balanced / balanced). Likewise, the filter 20 can also be designed asymmetrically on one side and symmetrically (unbalanced / balanced) on the other side or symmetrically on the input side and balanced on the output side (balanced / balanced). In this type of embodiment, the diplex networks connected in front of and behind the filter 10 in FIGS. 6A and 7A can also be connected in front of and behind the filter 20.

Die Figuren 8A, 8B, 8C, 8D und 8E zeigen mögliche Ausführungsformen der Diplexnetzwerke 30, 40, 50 und 60. Die Figures 8A, 8B, 8C, 8D and 8E show possible embodiments of the diplex networks 30, 40, 50 and 60. The

Diplexnetzwerke sind im Wesentlichen dazu ausgebildet, zwi^¬ schen ihrem Eingang und ihrem Ausgang eine Phasendrehung ei- nes Signals zu bewirken. Bei der in Figur 8A dargestelltenDiplexnetzwerke are essentially adapted to cause Zvi ^¬ rule its input and output a phase rotation signal egg nes. In the illustrated in Figure 8A

Aus führungs form ist das Diplexnetzwerk durch eine Leiterbahn P realisiert. Die Figuren 8B und 8C zeigen jeweils T- Verschaltungen von Spulen L und Kondensatoren C. Bei der in Figur 8B dargestellten Aus führungs form sind zwei Kondensatoren C in Serie zwischen einen Ein- und Ausgang des Diplex- netzwerks geschaltet und eine Spule L ist an einen Bezugs- spannungsanschluss geschaltet. Bei der in Figur 8C darge- stellten Aus führungs form sind zwei Spulen L in Serie zwischen den Ein- und Ausgang des Diplexnetzwerks geschaltet, wobei zwischen den Spulen ein Kondensator C mit einem Bezugsspan- nungsanschluss verbunden ist. Die Figuren 8D und 8E zeigen n- Verschaltungen von Spulen L und Kondensatoren C. Bei der in Figur 8D dargestellten Aus führungs form ist ein Kondensator C zwischen einen Eingangsanschluss und einen Ausgangsanschluss des Diplexnetzwerks geschaltet. Spulen L sind jeweils zwi^¬ schen den Eingangsanschluss und einen Bezugsspannungsan- schluss beziehungsweise zwischen den Ausgangsanschluss und einen Bezugsspannungsanschluss geschaltet. Bei der in Figur 8E gezeigten Aus führungs form ist eine Spule L zwischen den Eingangs- und Ausgangsanschluss des Diplexnetzwerks geschal^¬ tet. Ein Kondensator C ist zwischen den Eingangsanschluss und einen Bezugsspannungsanschluss und ein weiterer Kondensator C ist zwischen den Ausgangsanschluss und einen Bezugsspannungs^¬ anschluss geschaltet. Die Bezugsspannung kann beispielsweise ein Massepotential sein. The diplex network is realized by a conductor track P in the form of a guide. FIGS. 8B and 8C show T-connections of coils L and capacitors C, respectively 8B, two capacitors C are connected in series between an input and output of the diplex network, and a coil L is connected to a reference voltage terminal. In the embodiment shown in FIG. 8C, two coils L are connected in series between the input and output of the diplex network, a capacitor C being connected to a reference voltage connection between the coils. Figures 8D and 8E show n interconnections of coils L and capacitors C. In the embodiment shown in Figure 8D, a capacitor C is connected between an input terminal and an output terminal of the diplex network. Coils L are each Zvi ^¬ rule the input terminal and a reference voltage terminal respectively connected between the output terminal and a reference voltage terminal. In the embodiment shown in Figure 8E from a coil L between the input and output terminal of the Diplexnetzwerks guide is shape geschal ^¬ tet. A capacitor C is connected between the input terminal and a reference voltage terminal and a further capacitor C is connected between the output terminal and a reference voltage ^¬ connection. The reference voltage may be, for example, a ground potential.

Die Figur 9A zeigt eine Ausführungsform, bei der die als Diplexnetzwerk ausgebildete Anpassschaltung als eine T-FIG. 9A shows an embodiment in which the matching circuit formed as a diplex network is shown as a T

Verschaltung von Kondensatoren C und einer Spulen L ausgebildet ist. Das Diplexnetzwerk kann beispielsweise an den Eingangsanschluss E10 des Filters 10 geschaltet sein. Das An^¬ passnetzwerk kann vereinfacht werden, indem weniger als die in Figur 9A gezeigten drei diskreten Elemente vorgesehen werden. Bei der in Figur 9B gezeigten Aus führungs form weist das Anpassnetzwerk 30 beispielsweise lediglich einen Kondensator C und eine Spule L auf. Bei einer weiteren Aus führungs form können die diskreten Elemente teilweise in den Chip des nachgeschalteten Filters integriert werden. Die passiven Einzel^¬ elemente können auch in ein Gehäuse des Filterbauelements, beispielsweise in ein Nieder-Temperatur-Einbrandgehäuse Connection of capacitors C and a coil L is formed. The diplex network can be connected, for example, to the input terminal E10 of the filter 10. The on ^¬ matching network can be simplified by using less than three discrete elements shown in Figure 9A may be provided. In the embodiment shown in FIG. 9B, the matching network 30 has, for example, only one capacitor C and one coil L. In another embodiment The discrete elements can be partially integrated into the chip of the downstream filter. The passive individual ^¬ elements can also in a housing of the filter device, for example, in a low-temperature Einbrandgehäuse

(LTCC-Gehäuse) integriert sein. (LTCC enclosure).

Figur 10 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der das Anpassnetzwerk ein diskretes Element, beispielsweise eine Spule L, aufweist, die jeweils vor und hinter das Filterbauelement geschaltet ist. Das Anpassungsnetzwerk kann darüber hinaus auch Kondensatoren aufweisen, die beispielsweise auf dem a- kustischen Chip des Filterbauelements integriert sein können. FIG. 10 shows a further embodiment in which the matching network has a discrete element, for example a coil L, which is connected in each case in front of and behind the filter component. In addition, the matching network can also have capacitors, which can be integrated, for example, on the acoustic chip of the filter component.

Durch die Ausbildung der beiden Einzelfilter derart, dass sich die Filterübertragungsfunktionen im Durchlassbereich ü- berlappen und zwischen die beiden Filter eingangsseitig beziehungsweise ausgangsseitig ein Anpassungsnetzwerk, insbe^¬ sondere ein Diplexnetzwerk, geschaltet ist, lässt sich ein Filterbauelement mit einer Gesamtübertragungsfunktion reali- sieren, die eine deutlich größere Bandbreite als die Band^¬ breite der jeweiligen Einzelfilter aufweist. Auf einem Trägersubstrat aus Lithiumtantalat lässt sich beispielsweise ei^¬ ne relative Bandbreite erzielen, die deutlich größer als 4 % ist. Das Filterbauelement kann derart ausgebildet sein, dass die Gesamtübertragungsfunktion eine besonders steile linke oder eine besonders steile rechte Flanke aufweist. Es lassen sich auch Übertragungsfunktionen mit zwei besonders steilen Flanken realisieren. Bezugs zeichenliste By the formation of the two individual filters such that the filter transfer functions in the passband is berlappen Ü and between the two filter input side or the output side, is connected a matching network, in particular ^¬ sondere a Diplexnetzwerk, can be a filter device having an overall transfer function realized Sieren that a has significantly greater bandwidth than the band ^¬ wide of the respective individual filter. On a carrier substrate made of lithium is ei ^¬ ne relative bandwidth can be achieved, for example, which is significantly higher than 4%. The filter component may be designed such that the overall transfer function has a particularly steep left or a particularly steep right flank. It is also possible to realize transfer functions with two particularly steep edges. Reference sign list

10 Filter 10 filters

20 Filter 20 filters

30 Anpassschaltung (Diplexnetzwerk) 30 matching circuit (diplex network)

40 Anpassschaltung (Diplexnetzwerk)40 matching circuit (diplex network)

50 Anpassschaltung (Diplexnetzwerk)50 matching circuit (diplex network)

60 Anpassschaltung (Diplexnetzwerk)60 matching circuit (diplex network)

70 Gehäuse 70 housing

100 Filterbauelement 100 filter component

E Eingangsanschluss E input connection

A Ausgangsanschluss A output connection

L Spule L coil

C Kondensator C capacitor

Claims

Patentansprüche claims

1. Filterbauelement, umfassend: A filter device comprising:

- einen Eingangsanschluss (E100) zum Anlegen eines Signals, - einen Ausgangsanschluss (A100) zum Ausgeben des Signals, an input terminal (E100) for applying a signal, an output terminal (A100) for outputting the signal,

- ein erstes Filter (10) mit einer Eingangsseite (E10) und einer Ausgangsseite (A10), a first filter (10) having an input side (E10) and an output side (A10),

- ein zweites Filter (20) mit einer Eingangsseite (E20) und mit einer Ausgangsseite (A20), a second filter (20) having an input side (E20) and an output side (A20),

- wobei das erste und zweite Filter (10, 20) zwischen den Eingangsanschluss (E100) und den Ausgangsanschluss (A100) geschaltet sind, wherein the first and second filters (10, 20) are connected between the input terminal (E100) and the output terminal (A100),

- wobei das erste Filter (10) im Frequenzspektrum einen ersten Durchlassbereich (Dl) und das zweite Filter (20) im Frequenzspektrum einen zweiten Durchlassbereich (D2) - wherein the first filter (10) in the frequency spectrum, a first passband (Dl) and the second filter (20) in the frequency spectrum, a second passband (D2)

aufweisen, exhibit,

- wobei das erste und das zweite Filter (10, 20) derart aus^¬ gebildet sind, dass der erste Durchlassbereich (Dl) und der zweite Durchlassbereich (D2) sich zumindest bereichsweise überlappen, - wherein the first and the second filter (10, 20) are formed from ^¬ such that the first passband (Dl) and the second passband (D2) overlap at least partially,

- wobei ein erstes Diplexnetzwerk (30) zwischen die Eingangsseite (E10) des ersten Filters und die Eingangsseite (E20) des zweiten Filters (20) geschaltet ist, wherein a first diplex network (30) is connected between the input side (E10) of the first filter and the input side (E20) of the second filter (20),

- wobei ein zweites Diplexnetzwerk (40) zwischen die - Wherein a second diplex network (40) between the

Ausgangsseite (A10) des ersten Filters und die Ausgangsseite (A20) des zweiten Filters (20) geschaltet sind. Output side (A10) of the first filter and the output side (A20) of the second filter (20) are connected.

2. Filterbauelement nach Anspruch 1, 2. Filter component according to claim 1,

- wobei mindestens eines des ersten und zweiten Filters (10) mindestens eine weitere Ausgangsseite (ΑΙΟ') aufweist, - wherein at least one of the first and second filters (10) has at least one further output side (ΑΙΟ '),

- wobei ein drittes Diplexnetzwerk (50) zwischen die weitere Ausgangsseite (ΑΙΟ') des einen der Filter und die Ausgangsseite (A20) des anderen der Filter (20) geschaltet ist . - Wherein a third Diplexnetzwerk (50) between the other output side (ΑΙΟ ') of the one of the filters and the Output side (A20) of the other of the filter (20) is connected.

3. Filterbauelement nach Anspruch 2, 3. Filter component according to claim 2,

- wobei mindestens eines des ersten und zweiten Filters (10) mindestens eine weitere Eingangsseite (ΕΙΟ') aufweist, - wherein at least one of the first and second filters (10) has at least one further input side (ΕΙΟ '),

- wobei ein viertes Diplexnetzwerk (60) zwischen die weitere Eingangsseite (ΕΙΟ') des einen der Filter und die - Wherein a fourth Diplexnetzwerk (60) between the other input side (ΕΙΟ ') of the one of the filters and the

Eingangsseite (E20) des anderen der Filter (20) geschaltet ist. Input side (E20) of the other of the filter (20) is connected.

4. Filterbauelement nach Anspruch 1, 4. Filter component according to claim 1,

- wobei das erste und zweite Filter (10, 20) ausgangsseitig symmetrisch ausgebildet sind und jeweils eine weitere - Wherein the first and second filters (10, 20) are formed symmetrically on the output side and in each case a further

Ausgangsseite (ΑΙΟ', Α20') aufweisen, Have output side (ΑΙΟ ', Α20'),

- wobei ein drittes Diplexnetzwerk (50) zwischen die weitere Ausgangsseite (ΑΙΟ') des ersten Filters (10) und die weitere Ausgangsseite (Α20') des zweiten Filters (20) geschaltet ist. - Wherein a third Diplexnetzwerk (50) between the other output side (ΑΙΟ ') of the first filter (10) and the further output side (Α20') of the second filter (20) is connected.

5. Filterbauelement nach Anspruch 4, 5. Filter component according to claim 4,

- wobei das erste und zweite Filter (10, 20) eingangsseitig symmetrisch ausgebildet sind und jeweils eine weitere - Wherein the first and second filters (10, 20) are formed symmetrically on the input side and in each case one more

Eingangsseite (E10, E10') aufweisen, Have input side (E10, E10 '),

- wobei ein viertes Diplexnetzwerk (60) zwischen die weitere Eingangsseite (ΑΙΟ') des ersten Filters (10) und die weitere - Wherein a fourth diplex network (60) between the other input side (ΑΙΟ ') of the first filter (10) and the other

Eingangsseite (Α20') des zweiten Filters (20) geschaltet ist. Input side (Α20 ') of the second filter (20) is connected.

6. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, 6. Filter component according to one of claims 1 to 5,

wobei die Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) derart ausgebildet sind, dass das erste Filter (10) an einer Frequenz im zweiten Durchlassbereich (D2) hochohmiger als an einer Frequenz im Sperrbereich des zweiten Filters ausgebildet ist und das zweite Filter (20) an einer Frequenz im ersten Durchlass- bereich (Dl) hochohmiger als an einer Frequenz im Sperrbereich des zweiten Filters ausgebildet ist. wherein the diplex networks (30, 40, 50, 60) are formed such that the first filter (10) is formed at a higher frequency in the second passband (D2) than at a frequency in the stopband of the second filter and the second filter (20 ) at a frequency in the first pass- range (Dl) is formed with higher impedance than at a frequency in the stopband of the second filter.

7. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) derart ausgebildet sind, dass an einer Frequenz im ersten Durchlassbereich (Dl) ein Signalpfad, der das zweite Filter (20) mit dem jeweiligen Diplexnetzwerk an der Ein- und Ausgangsseite des zweiten Filters aufweist, eine hochohmige Impedanz besitzt und an einer Frequenz im zweiten Durchlassbereich (D2) ein weitere Signalpfad, der das erste Filter (10) mit dem jeweiligen Diplexnetzwerk an der Ein- und Ausgangsseite des ersten 7. Filter component according to one of claims 1 to 6, wherein the Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) are formed such that at a frequency in the first passband (Dl) a signal path, the second filter (20) with the respective Diplexnetzwerk on the input and output side of the second filter has a high impedance and at a frequency in the second passband (D2) has a further signal path, the first filter (10) with the respective Diplexnetzwerk on the input and output side of the first

Filters aufweist, eine hochohmige Impedanz besitzt. Filters has a high impedance.

8. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei zumindest eines der Diplexnetzwerke (30) dazu aus^¬ gebildet ist, eine Phasenänderung des Signals zwischen dem Eingangsanschluss (E100) des Filterbauelements und der 8. Filter component according to one of claims 1 to 7, wherein at least one of the Diplexnetzwerke (30) is formed from ^¬ , a phase change of the signal between the input terminal (E100) of the filter device and the

Eingangsseite (E10) des ersten Filters (10) zu bewirken. To cause input side (E10) of the first filter (10).

9. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei zumindest eines der Diplexnetzwerke (40) dazu aus^¬ gebildet ist, eine Phasenänderung des Signals zwischen dem Ausgangsanschluss (A100) des Filterbauelements und der 9. Filter component according to one of claims 1 to 8, wherein at least one of the Diplexnetzwerke (40) is formed from ^¬ , a phase change of the signal between the output terminal (A100) of the filter device and the

Ausgangsseite (A20) des zweiten Filters (20) zu bewirken. Output side (A20) of the second filter (20) to effect.

10. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) jeweils passive Elemente (P, L, C) , insbesondere n-Verschaltungen oder T- Verschaltungen von Spulen (L) , Kondensatoren (C) und/oder Leitungen (P) , umfassen. 10. Filter component according to one of claims 1 to 9, wherein the Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) respectively passive elements (P, L, C), in particular n-interconnections or T-connections of coils (L), capacitors ( C) and / or lines (P).

11. Filterbauelement nach Anspruch 10, wobei die Elemente (P, L, C) der Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) zumindest teilweise in dem ersten Filter (10) und/oder dem zweiten Filter (20) integriert sind. 11. Filter component according to claim 10, wherein the elements (P, L, C) of the diplex networks (30, 40, 50, 60) are at least partially integrated in the first filter (10) and / or the second filter (20).

12. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 10 oder 11,12. Filter component according to one of claims 10 or 11,

- wobei das erste und zweite Filter (10, 20) jeweils metal^¬ lische Strukturen (1, 2, 3, 4, 5) aufweist, die auf einem Substrat (6) angeordnet sind, - wherein the first and second filters (10, 20) each metal ^¬ lic structures (1, 2, 3, 4, 5), which are arranged on a substrate (6),

- wobei die Elemente (P, L, C) der Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) zumindest teilweise in dem Substrat integriert sind. - Wherein the elements (P, L, C) of the diplex networks (30, 40, 50, 60) are at least partially integrated in the substrate.

13. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei die Elemente (P, L, C) der Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) zumindest teilweise in ein Gehäuse (70), insbesondere in ein Nieder-Temperatur-Einbrandgehäuse, des Filterbauelements integriert sind. 13. Filter component according to one of claims 10 to 12, wherein the elements (P, L, C) of the Diplexnetzwerke (30, 40, 50, 60) at least partially in a housing (70), in particular in a low-temperature Einbrandgehäuse, the filter device are integrated.

14. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das erste und zweite Filter (10, 20) derart ausgebildet sind, dass der erste Durchlassbereich (Dl) in einem niedrigeren Frequenzbereich als der zweite Durchlassbereich (D2) liegt . 14. The filter device according to claim 1, wherein the first and second filters are configured such that the first passband lies in a lower frequency range than the second passband.

15. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, 15. Filter component according to one of claims 1 to 14,

- wobei das erste Filter (10) derart ausgebildet ist, dass der erste Durchlassbereich (Dl) eine linke Flanke aufweist, die steiler als die rechte Flanke des ersten Durchlass^¬ bereichs ist, - wherein the first filter (10) is formed such that the first passage region (Dl) has a left flank, which is steeper than the right flank of the first passage ^¬ area,

- wobei das zweite Filter (20) derart ausgebildet ist, dass der zweite Durchlassbereich (D2) eine rechte Flanke aufweist, die steiler als die linke Flanke des zweiten Durchlass^¬ bereichs ist. - Wherein the second filter (20) is formed such that the second passage region (D2) has a right flank, which is steeper than the left flank of the second passage ^¬ area.

16. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das erste Filter (10) und das zweite Filter (20) jeweils als ein akustisches Filter, insbesondere als ein Oberflächenwellen-Filter, ein Grenzwellenfilter oder ein Volumenwellenfilter, ausgebildet sind. 16. Filter component according to one of claims 1 to 15, wherein the first filter (10) and the second filter (20) each as an acoustic filter, in particular as a surface acoustic wave filter, a cutoff wave filter or a bulk wave filter are formed.

17. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, das einen dritten Durchlassbereich (D3) aufweist, der sich über den ersten Durchlassbereich (Dl) und den zweiten Durch- lassbereich (D2) erstreckt, wobei die Einfügedämpfung des17. Filter component according to one of claims 1 to 16, which has a third passage region (D3) which extends over the first passage region (Dl) and the second passage region (D2), wherein the insertion loss of the

Filterbauelements im dritten Durchlassbereich um weniger als 5 dB schwankt. Filter device in the third passband varies less than 5 dB.

18. Filterbauelement nach Anspruch 17, 18. Filter component according to claim 17,

wobei der dritte Durchlassbereich (D3) eine relative Band^¬ breite von mehr als 4 % aufweist. wherein the third passage region, a relative band width which ^¬ (D3) greater than 4%.

19. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 17 oder 18, wobei das Filterbauelement im dritten Durchlassbereich (D3) an dem Ein- oder Ausgangsanschluss (E100, A100) eine geringe Variation im Betrag der nominalen Impedanz aufweist. 19. The filter device of claim 17, wherein the filter device has a small variation in the amount of nominal impedance in the third passband at the input or output port.

20. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei das erste und zweite Filter (10, 20) jeweils die 20. Filter component according to one of claims 1 to 19, wherein the first and second filters (10, 20) respectively

Frequenzcharakteristik einer Bandsperre aufweisen. Have frequency characteristic of a band-stop filter.

21. Filterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, wobei das erste Filter (10) ein abstimmbares Filter ist. 21. Filter component according to one of claims 1 to 20, wherein the first filter (10) is a tunable filter.