WO2012050060A1 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法 Download PDF

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喜田　哲也
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シャープ株式会社
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    • G02F1/13415—Drop filling process

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device.
  • a sealing material is formed on one surface of the first substrate and the second substrate, and after dropping the liquid crystal in a range surrounded by the sealing material, the first substrate and the second substrate Are sealed in a vacuum atmosphere to seal the liquid crystal.
  • ODF One Drop Fill
  • Patent Document 1 JP-A-2009-288364 (Patent Document 1) is a prior document disclosing a method for manufacturing a liquid crystal display device using ODF.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device described in Patent Document 1 includes a step of applying a main seal to one of a counter substrate or a TFT (Thin Film Transistor) substrate, and applying at least the main seal of the counter substrate or the TFT substrate.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the first substrate and the second substrate that are sealed so that the liquid crystal is sandwiched between them have different moisture adsorption amounts depending on the respective configurations. If the first substrate has a larger amount of moisture adsorption than the second substrate, after the liquid crystal is dropped on the first substrate, the first substrate and the second substrate are bonded together in a vacuum atmosphere. The water adsorbed on the liquid remains in the sealed liquid crystal without being substantially evaporated in a state covered with the liquid crystal. In this case, the distribution of the liquid crystal in the liquid crystal panel becomes non-uniform, and display unevenness occurs on the display screen of the liquid crystal display device.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a method for manufacturing an image display device that can improve the display quality of a liquid crystal display device.
  • a method for manufacturing a liquid crystal display device drops a liquid crystal on a first substrate or a second substrate, and a liquid crystal dropping surface side of the first substrate or the second substrate is not a second substrate or a liquid crystal is dropped.
  • This is a method of manufacturing a liquid crystal display device in which liquid crystal is injected by returning to atmospheric pressure after bonding in a vacuum while facing a first substrate.
  • a method for manufacturing a liquid crystal display device includes a step of dropping a liquid crystal on a substrate having a smaller moisture adsorption amount of the first substrate and the second substrate, and a step of dropping the liquid crystal, And laminating in a vacuum.
  • a liquid crystal display device is sequentially manufactured by repeatedly performing the above-described method for manufacturing a liquid crystal display device. First, the moisture absorption amount of the first substrate and the second substrate is small. In order to determine the other substrate, a step of measuring the moisture adsorption amount of the first substrate and the second substrate is performed. Thereafter, the step of dropping the liquid crystal is performed based on the above determination without repeating the step of measuring.
  • the method further includes a step of subjecting the first substrate and the second substrate having a higher moisture adsorption amount to a reduced pressure process.
  • the method further includes a step of heat-treating the substrate having the larger moisture adsorption amount among the first substrate and the second substrate.
  • the method further includes a step of performing heat treatment while decompressing the substrate having the larger moisture adsorption amount of the first substrate and the second substrate.
  • the substrate having a larger moisture adsorption amount in the heat treatment, is heated at a temperature of 40 ° C. or higher and 300 ° C. or lower.
  • the substrate having the larger moisture adsorption amount is depressurized to a pressure of 100 Pa or less.
  • the method includes a step of forming different resin films on the first substrate and the second substrate.
  • the difference in moisture adsorption amount between the first substrate and the second substrate is determined by the difference in moisture adsorption amount between the different resin films.
  • the substrate having the larger moisture adsorption amount in the heat treatment, is heated at a temperature of 40 ° C. or higher and 130 ° C. or lower.
  • the display quality of the liquid crystal display device can be improved.
  • Embodiment 1 of the present invention a method for manufacturing a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.
  • the same or corresponding parts in the drawings are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a part of a process for manufacturing a liquid crystal panel in the method for manufacturing a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a state in which a sealing material is formed on a substrate having a smaller moisture adsorption amount.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a state in which liquid crystal is dropped on a substrate having a smaller moisture adsorption amount.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which two substrates are bonded together to seal a liquid crystal.
  • a CF substrate is used as the first substrate and a TFT substrate is used as the second substrate.
  • a TFT substrate is used as the second substrate.
  • a glass substrate is used as the first substrate, and the second substrate is used.
  • a color filter on array substrate may be used as the substrate.
  • the chamber is sealed and evacuated while the substrate is placed in the chamber. Measure the change in pressure in the chamber over time when evacuating, and estimate the amount of moisture adsorbed on the substrate by comparing with the change in pressure over time when the substrate is not placed in the chamber. Can do.
  • a sealing material 120 for sealing liquid crystal is formed on the CF substrate, which is the substrate 110 having the smaller moisture adsorption amount (S110).
  • the sealing material 120 is formed in a rectangular shape, for example.
  • a sealing material used in a conventional liquid crystal display device can be used.
  • the liquid crystal 130 is dropped on the substrate 110 on which the sealing material 120 is formed (S120).
  • the liquid crystal 130 is dropped in a lattice shape within a range surrounded by the sealing material 120.
  • the liquid crystal 130 can be dropped using a dispenser or the like.
  • the CF substrate which is the substrate 110 having the smaller moisture adsorption amount and the TFT substrate which is the substrate 140 having the larger moisture adsorption amount are bonded together in a vacuum.
  • the liquid crystal 130 is injected by returning the pressure to the atmospheric pressure after the liquid crystal dropping surface side of the CF substrate is opposed to the TFT substrate and bonded in a vacuum.
  • the liquid crystal 130 is sealed with the CF substrate, the TFT substrate, and the sealing material 120, most of the water adsorbed on the TFT substrate evaporates in a vacuum. In addition, it is possible to suppress the moisture adsorbed on the TFT substrate from remaining. As a result, the liquid crystal distribution in the liquid crystal panel can be made uniform, and the display quality of the liquid crystal display device can be improved.
  • a sealing material 120 for sealing liquid crystal is formed on the TFT substrate, which is the substrate 110 having the smaller moisture adsorption amount (S210).
  • the sealing material 120 is formed in a rectangular shape, for example.
  • a sealing material used in a conventional liquid crystal display device can be used.
  • the liquid crystal 130 is dropped on the substrate 110 on which the sealing material 120 is formed (S220).
  • the liquid crystal 130 is dropped in a lattice shape within a range surrounded by the sealing material 120.
  • the liquid crystal 130 can be dropped using a dispenser or the like.
  • the TFT substrate which is the substrate 110 having the smaller moisture adsorption amount
  • the CF substrate which is the substrate 140 having the larger moisture adsorption amount
  • the liquid crystal 130 is injected by returning the atmospheric pressure after returning the liquid crystal dropping surface side of the TFT substrate to the CF substrate and bonding them in a vacuum.
  • the liquid crystal 130 is sealed with the CF substrate, the TFT substrate, and the sealing material 120, most of the water adsorbed on the CF substrate evaporates in a vacuum. It is possible to suppress the moisture adsorbed on the CF substrate from remaining. As a result, the liquid crystal distribution in the liquid crystal panel can be made uniform, and the display quality of the liquid crystal display device can be improved.
  • the moisture adsorption amount of the CF substrate and the TFT substrate is measured first (S100). No further steps will be performed.
  • the measurement of the moisture adsorption amount (S100) is not repeated and the determination is made.
  • the process of forming the sealing material 120 on the substrate 110 having the smaller moisture adsorption amount and the subsequent processes are performed.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present embodiment is different from the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the first embodiment only in that additional processing is performed on the substrate 140 having the larger amount of moisture adsorption. Do not repeat.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing a part of a process of manufacturing a liquid crystal panel in the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
  • a method for manufacturing a liquid crystal display device when the moisture adsorption amount of the TFT substrate is larger than the moisture adsorption amount of the CF substrate as a result of the measurement of the moisture adsorption amount (R100) will be described.
  • the TFT substrate which is the substrate 140, is heat-treated while being decompressed (S140).
  • the pressure is reduced to a pressure of 100 Pa or less.
  • the substrate 140 is heated at a temperature of 40 ° C. or higher and 300 ° C. or lower. This is because when the heating temperature is lower than 40 ° C., the moisture adsorbed by the TFT substrate cannot be effectively evaporated, and when the heating temperature is higher than 300 ° C., the characteristics of the TFT substrate change. This is because the performance of the liquid crystal display device deteriorates.
  • the moisture adsorbed on the TFT substrate can be evaporated.
  • the TFT substrate from which moisture has evaporated slightly adsorbs moisture while being bonded to the CF substrate in a vacuum in the next step.
  • the moisture adsorbed on the TFT substrate is suppressed from remaining in the sealed liquid crystal 130 by bonding the CF substrate and the TFT substrate in a vacuum. be able to.
  • the liquid crystal distribution in the liquid crystal panel can be made uniform, and the display quality of the liquid crystal display device can be improved.
  • the CF substrate which is the substrate 140 with the larger amount of moisture adsorption is subjected to a heat treatment while being decompressed. (S240).
  • the pressure is reduced to a pressure of 100 Pa or less.
  • the substrate 140 is heated at a temperature of 40 ° C. or higher and 130 ° C. or lower. This is because when the heating temperature is lower than 40 ° C., the moisture adsorbed by the CF substrate cannot be effectively evaporated, and when the heating temperature is higher than 130 ° C., the colored layer of the CF substrate is removed. This is because the performance of the liquid crystal display device is deteriorated due to the decomposition of the resin film to be formed.
  • the CF substrate from which the moisture has evaporated slightly adsorbs moisture while being bonded to the TFT substrate in a vacuum in the next step.
  • the moisture adsorbed on the CF substrate is suppressed from remaining in the sealed liquid crystal 130 by bonding the CF substrate and the TFT substrate in a vacuum. be able to.
  • the liquid crystal distribution in the liquid crystal panel can be made uniform, and the display quality of the liquid crystal display device can be improved.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present embodiment is different from the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the second embodiment only in that different resin films are formed on the first substrate and the second substrate. Do not repeat.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a part of a process of manufacturing a liquid crystal panel in the method of manufacturing a liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the method for manufacturing a liquid crystal display device includes a step (S10) of forming a resin film to be a colored layer on a CF substrate which is a first substrate.
  • the method for manufacturing a liquid crystal display device includes a step (S20) of forming a resin film serving as an insulating layer on the TFT substrate.
  • the resin film formed on the TFT substrate is made of, for example, a novolac resin.
  • This resin film for example, has a function of preventing unintentional alignment of the liquid crystal due to the wiring voltage in the TFT substrate, or a function of preventing a short circuit caused by a foreign substance such as a metal between the TFT substrate and the CF substrate. Have.
  • the proportion of the moisture adsorption amount by the resin film included in each substrate is large. For this reason, the difference in moisture adsorption between the CF substrate and the TFT substrate is determined by the difference between the moisture adsorption amount of the resin film formed on the CF substrate and the moisture adsorption amount of the resin film formed on the TFT substrate.
  • the moisture adsorption amount of the resin film formed on the TFT substrate is larger than the moisture adsorption amount of the resin film formed on the CF substrate, the moisture adsorption amount of the CF substrate is determined as a result of the measurement of the moisture adsorption amount (S100).
  • the amount of moisture adsorption on the TFT substrate is larger (R100).
  • a sealing material is formed on the CF substrate (S110), and liquid crystal is dropped on the CF substrate (S120).
  • the TFT substrate which is the substrate 140 having the larger moisture adsorption amount, is heat-treated while being decompressed (S140).
  • the TFT substrate is subjected to a decompression process or a heat treatment.
  • the pressure is reduced to a pressure of 100 Pa or less.
  • the TFT substrate 140 is heated at a temperature of 40 ° C. or higher and 130 ° C. or lower. This is because when the heating temperature is lower than 40 ° C., the moisture adsorbed by the TFT substrate cannot be effectively evaporated, and when the heating temperature is higher than 130 ° C., the insulating layer of the TFT substrate is removed. This is because the performance of the liquid crystal display device is deteriorated due to the decomposition of the resin film to be formed.
  • the CF substrate and the TFT substrate are bonded together in a vacuum (S130).
  • the liquid crystal 130 is injected by returning the pressure to the atmospheric pressure after the liquid crystal dropping surface side of the CF substrate is opposed to the TFT substrate and bonded in a vacuum.
  • the liquid crystal display device By manufacturing the liquid crystal display device in this way, it is possible to suppress the moisture adsorbed on the CF substrate and the TFT substrate from remaining in the sealed liquid crystal 130. As a result, the liquid crystal distribution in the liquid crystal panel can be made uniform, and the display quality of the liquid crystal display device can be improved.
  • the moisture adsorption amount of the resin film formed on the CF substrate is larger than the moisture adsorption amount of the resin film formed on the TFT substrate, the moisture adsorption amount of the CF substrate is determined as a result of the measurement of the moisture adsorption amount (S100). This is larger than the moisture adsorption amount of the TFT substrate (R200).
  • a sealing material is formed on the TFT substrate (S210), and liquid crystal is dropped on the TFT substrate (S220).
  • the CF substrate which is the substrate 140 with the larger amount of moisture adsorption, is heat-treated while being decompressed (S240).
  • the CF substrate is subjected to a decompression process or a heat treatment.
  • the pressure is reduced to a pressure of 100 Pa or less.
  • the CF substrate 140 is heated at a temperature of 40 ° C. or higher and 130 ° C. or lower. This is because when the heating temperature is lower than 40 ° C., the moisture adsorbed by the CF substrate cannot be effectively evaporated, and when the heating temperature is higher than 130 ° C., the colored layer of the CF substrate is removed. This is because the performance of the liquid crystal display device is deteriorated due to the decomposition of the resin film to be formed.
  • the CF substrate and the TFT substrate are bonded together in a vacuum (S230).
  • the liquid crystal 130 is injected by returning the atmospheric pressure after returning the liquid crystal dropping surface side of the TFT substrate to the CF substrate and bonding them in a vacuum.
  • the liquid crystal display device By manufacturing the liquid crystal display device in this way, it is possible to suppress the moisture adsorbed on the CF substrate and the TFT substrate from remaining in the sealed liquid crystal 130. As a result, the liquid crystal distribution in the liquid crystal panel can be made uniform, and the display quality of the liquid crystal display device can be improved.

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Abstract

　ＣＦ基板およびＴＦＴ基板のうち水分吸着量が少ない方の基板(１１０)上に液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)と、液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)の後、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせる工程(Ｓ１３０，Ｓ２３０)とを備える。このようにすることにより、液晶表示装置の表示品質を向上できる。

Description

液晶表示装置の製造方法
　本発明は、液晶表示装置の製造方法に関する。
　液晶表示装置の製造方法においては、第１基板および第２基板のうち一方の表面にシール材を形成し、シール材で囲まれた範囲内に液晶を滴下した後、第１基板および第２基板を真空雰囲気中で貼り合わせることにより液晶を封止している。このように、液晶を滴下した後に基板を貼り合わせる方法は、ＯＤＦ(One　Drop　Fill)と称されている。
　ＯＤＦを用いた液晶表示装置の製造方法を開示した先行文献として、特開２００９－２８８３６４号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載の液晶表示装置の製造方法は、対向基板またはＴＦＴ(Thin　Film　Transistor)基板のうちの一方にメインシールを塗布する工程と、対向基板またはＴＦＴ基板のうち、少なくともメインシールが塗布された一方を減圧処理する工程と、対向基板およびＴＦＴ基板を貼り合わせることにより貼り合せ基板を形成する工程とを備える。
特開２００９－２８８３６４号公報
　液晶を互いの間に挟むように封止する第１基板および第２基板は、それぞれの構成によって水分吸着量が互いに異なる。仮に第１基板の方が第２基板より水分吸着量が多い場合に、第１基板上に液晶を滴下した後、第１基板と第２基板とを真空雰囲気中で貼り合わせると、第１基板に吸着されていた水分は液晶に覆われた状態でほとんど蒸発することなく、封止された液晶中に残留する。この場合、液晶パネルにおける液晶の分布が不均一となって、液晶表示装置の表示画面に表示ムラが発生する。
　本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、液晶表示装置の表示品質を向上できる、画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明に基づく液晶表示装置の製造方法は、第１基板または第２基板上に液晶を滴下し、第１基板または第２基板の液晶滴下面側を、液晶が滴下されていない第２基板または第１基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行なう液晶表示装置の製造方法である。液晶表示装置の製造方法は、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板上に液晶を滴下する工程と、液晶を滴下する工程の後、第１基板と第２基板とを真空中で貼り合わせる工程とを備える。
　本発明の一形態においては、上記の液晶表示装置の製造方法を繰り返し行なうことにより液晶表示装置を順次製造する方法であって、最初に、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板を決定するために、第１基板および第２基板の水分吸着量を測定する工程を行なう。それ以降、上記の測定する工程を繰り返すことなく上記の決定に基づいて、液晶を滴下する工程を行なう。
　好ましくは、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理する工程をさらに備える。または、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を加熱処理する工程をさらに備える。もしくは、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理しつつ加熱処理する工程をさらに備える。
　本発明の一形態においては、加熱処理において、水分吸着量が多い方の基板を４０℃以上３００℃以下の温度で加熱する。
　好ましくは、減圧処理において、水分吸着量が多い方の基板を１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。
　本発明の一形態においては、第１基板および第２基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する工程を備える。第１基板および第２基板における水分吸着量の違いは、上記のそれぞれ異なる樹脂膜の水分吸着量の違いによって決定される。
　本発明の一形態においては、加熱処理において、水分吸着量が多い方の基板を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。
　本発明によれば、液晶表示装置の表示品質を向上できる。
本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。 水分吸着量の少ない方の基板にシール材を形成した状態を示す斜視図である。 水分吸着量の少ない方の基板に液晶を滴下した状態を示す斜視図である。 ２枚の基板を貼り合わせて液晶を封止した状態を示す断面図である。 本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。 本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。
　以下、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰返さない。
　(実施形態１)
　図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。図２は、水分吸着量の少ない方の基板にシール材を形成した状態を示す斜視図である。図３は、水分吸着量の少ない方の基板に液晶を滴下した状態を示す斜視図である。図４は、２枚の基板を貼り合わせて液晶を封止した状態を示す断面図である。
　図１に示すように、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法においては、最初に、第１基板であるＣＦ(color　filter)基板と、第２基板であるＴＦＴ基板との水分吸着量の測定を行なう(Ｓ１００)。本実施形態においては、第１基板としてＣＦ基板を用い、第２基板としてＴＦＴ基板を用いたが、たとえば、カラーフィルタオンアレイの液晶表示装置においては、第１基板としてガラス基板を用い、第２基板としてカラーフィルタオンアレイ基板を用いてもよい。
　基板の水分吸着量の測定方法としては、たとえば、チャンバ内に基板を入れた状態で、チャンバ内を密閉して真空引きする。この真空引きする際の、時間の経過によるチャンバ内の圧力の変化を測定し、チャンバ内に基板を入れていないときの圧力の経時変化と比較することにより、基板の水分吸着量を推定することができる。
　まず、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量よりＴＦＴ基板の水分吸着量の方が多かった場合(Ｒ１００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
　この場合、図１，２に示すように、水分吸着量が少ない方の基板１１０であるＣＦ基板上に液晶を封止するためのシール材１２０を形成する(Ｓ１１０)。シール材１２０は、たとえば、矩形状に形成される。シール材１２０としては、従来の液晶表示装置に使用されるシール材を使用することができる。
　次に、図３に示すように、シール材１２０が形成された基板１１０上に液晶１３０を滴下する(Ｓ１２０)。液晶１３０は、シール材１２０で囲まれた範囲内において、格子状に滴下される。液晶１３０の滴下は、ディスペンサなどを用いて行なうことができる。
　図４に示すように、液晶１３０を滴下する工程の後、水分吸着量の少ない方の基板１１０であるＣＦ基板と水分吸着量の多い方の基板１４０であるＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせる(Ｓ１３０)。具体的には、ＣＦ基板の液晶滴下面側をＴＦＴ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
　上記のようにして、ＣＦ基板、ＴＦＴ基板およびシール材１２０により液晶１３０を封止することにより、ＴＦＴ基板に吸着されていた水分の多くは真空中で蒸発するため、封止された液晶１３０中にＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
　次に、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量の方がＴＦＴ基板の水分吸着量より多かった場合(Ｒ２００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
　この場合、図１，２に示すように、水分吸着量が少ない方の基板１１０であるＴＦＴ基板上に液晶を封止するためのシール材１２０を形成する(Ｓ２１０)。シール材１２０は、たとえば、矩形状に形成される。シール材１２０としては、従来の液晶表示装置に使用されるシール材を使用することができる。
　次に、図３に示すように、シール材１２０が形成された基板１１０上に液晶１３０を滴下する(Ｓ２２０)。液晶１３０は、シール材１２０で囲まれた範囲内において、格子状に滴下される。液晶１３０の滴下は、ディスペンサなどを用いて行なうことができる。
　図４に示すように、液晶１３０を滴下する工程の後、水分吸着量の少ない方の基板１１０であるＴＦＴ基板と水分吸着量の多い方の基板１４０であるＣＦ基板とを真空中で貼り合わせる(Ｓ２３０)。具体的には、ＴＦＴ基板の液晶滴下面側をＣＦ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
　上記のようにして、ＣＦ基板、ＴＦＴ基板およびシール材１２０により液晶１３０を封止することにより、ＣＦ基板に吸着されていた水分の多くは真空中で蒸発するため、封止された液晶１３０中にＣＦ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
　なお、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板の水分吸着量の大小関係は、各々の構成が同一であれば変わらないため、液晶表示装置の量産時には、水分吸着量の測定(Ｓ１００)は、最初に行なってそれ以降は行なわない。
　すなわち、水分吸着量の測定(Ｓ１００)を一度行なって、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板の水分吸着量の大小関係が決定した後は、水分吸着量の測定(Ｓ１００)を繰り返すことなく、その決定に基づいて、水分吸着量の少ない方の基板１１０上にシール材１２０を形成する工程およびそれ以降の工程を行なう。
　以下、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。
　(実施形態２)
　本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、水分吸着量の多い方の基板１４０について追加的処理を行なう点のみ実施形態１の液晶表示装置の製造方法と異なるため、その他の工程については説明を繰り返さない。
　図５は、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。まず、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量よりＴＦＴ基板の水分吸着量の方が多かった場合(Ｒ１００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
　図５に示すように、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法においては、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす工程(Ｓ１３０)の前に、水分吸着量の多い方の基板１４０であるＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ１４０)。
　減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
　加熱処理においては、基板１４０を４０℃以上３００℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が３００℃より高い場合には、ＴＦＴ基板の特性が変化して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
　上記のようにＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理することにより、ＴＦＴ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。水分が蒸発したＴＦＴ基板は、次の工程においてＣＦ基板と真空中で貼り合わされる間にわずかに水分を吸着する。ただし、減圧処理および加熱処理しない場合に比べて、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
　本実施形態の変形例として、ＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理する代わりに、減圧処理のみまたは加熱処理のみ行なってもよい。この場合にも、ＴＦＴ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。
　次に、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量の方がＴＦＴ基板の水分吸着量より多かった場合(Ｒ２００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
　この場合、図５に示すように、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす工程(Ｓ２３０)の前に、水分吸着量の多い方の基板１４０であるＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ２４０)。
　減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
　加熱処理においては、基板１４０を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＣＦ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が１３０℃より高い場合には、ＣＦ基板の着色層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
　上記のようにＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理することにより、ＣＦ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。水分が蒸発したＣＦ基板は、次の工程においてＴＦＴ基板と真空中で貼り合わされる間にわずかに水分を吸着する。ただし、減圧処理および加熱処理しない場合に比べて、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＣＦ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
　本実施形態の変形例として、ＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理する代わりに、減圧処理のみまたは加熱処理のみ行なってもよい。この場合にも、ＣＦ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＣＦ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。
　以下、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。
　(実施形態３)
　本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第１基板および第２基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する点のみ実施形態２の液晶表示装置の製造方法と異なるため、その他の工程については説明を繰り返さない。
　図６は、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。
　本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、図６に示すように、第１基板であるＣＦ基板に着色層となる樹脂膜を形成する工程(Ｓ１０)を備える。
　本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法においては、図６に示すように、第２基板であるＴＦＴ基板にＣＦ基板に形成される樹脂膜とは異なる樹脂膜が形成される。具体的には、液晶表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板に絶縁層となる樹脂膜を形成する工程(Ｓ２０)を備える。
　ＴＦＴ基板に形成される樹脂膜は、たとえば、ノボラック系樹脂から構成される。この樹脂膜は、たとえば、ＴＦＴ基板内の配線電圧による液晶の意図しない配向を防止する機能、または、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の金属などの異物によるショートが発生することを防止する機能を有する。
　ＣＦ基板およびＴＦＴ基板の各水分吸着量においては、それぞれの基板が含む樹脂膜による水分吸着量の割合が大きい。そのため、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板における水分吸着量の違いは、ＣＦ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量と、ＴＦＴ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量との違いによって決定される。
　すなわち、ＣＦ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量よりＴＦＴ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量の方が多い場合、水分吸着量の測定(Ｓ１００)の結果、ＣＦ基板の水分吸着量よりＴＦＴ基板の水分吸着量の方が多くなる(Ｒ１００)。
　この場合、ＣＦ基板上にシール材を形成し(Ｓ１１０)、ＣＦ基板上に液晶を滴下する(Ｓ１２０)。また、水分吸着量が多い方の基板１４０であるＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ１４０)。本実施形態の変形例の液晶表示装置の製造方法においては、ＴＦＴ基板を減圧処理または加熱処理する。
　減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
　加熱処理においては、ＴＦＴ基板１４０を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が１３０℃より高い場合には、ＴＦＴ基板の絶縁層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
　その後、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす(Ｓ１３０)。具体的には、ＣＦ基板の液晶滴下面側をＴＦＴ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
　このように液晶表示装置を製造することにより、封止された液晶１３０中にＣＦ基板およびＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
　一方、ＣＦ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量の方がＴＦＴ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量より多い場合、水分吸着量の測定(Ｓ１００)の結果、ＣＦ基板の水分吸着量の方がＴＦＴ基板の水分吸着量より多くなる(Ｒ２００)。
　この場合、ＴＦＴ基板上にシール材を形成し(Ｓ２１０)、ＴＦＴ基板上に液晶を滴下する(Ｓ２２０)。また、水分吸着量が多い方の基板１４０であるＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ２４０)。本実施形態の変形例の液晶表示装置の製造方法においては、ＣＦ基板を減圧処理または加熱処理する。
　減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＣＦ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
　加熱処理においては、ＣＦ基板１４０を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＣＦ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が１３０℃より高い場合には、ＣＦ基板の着色層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
　その後、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす(Ｓ２３０)。具体的には、ＴＦＴ基板の液晶滴下面側をＣＦ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
　このように液晶表示装置を製造することにより、封止された液晶１３０中にＣＦ基板およびＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
　なお、今回開示した上記実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
　１１０　水分吸着量の少ない方の基板、１２０　シール材、１３０　液晶、１４０　水分吸着量の多い方の基板。

Claims (9)

  1. 　第１基板または第２基板上に液晶(１３０)を滴下し、前記第１基板または前記第２基板の液晶滴下面側を、液晶(１３０)が滴下されていない前記第２基板または前記第１基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行なう液晶表示装置の製造方法であって、
    　前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板(１１０)上に液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)と、
    　前記液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)の後、前記第１基板と前記第２基板とを真空中で貼り合わせる工程(Ｓ１３０，Ｓ２３０)と
    を備える、液晶表示装置の製造方法。
  2. 　請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法を繰り返し行なうことにより液晶表示装置を順次製造する方法であって、
    　最初に、前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板(１１０)を決定するために、前記第１基板および前記第２基板の水分吸着量を測定する工程(Ｓ１００)を行ない、
    　以降、前記測定する工程(Ｓ１００)を繰り返すことなく前記決定に基づいて、前記液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)を行なう、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  3. 　前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板(１４０)を減圧処理する工程(Ｓ１４０，Ｓ２４０)をさらに備える、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  4. 　前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板(１４０)を加熱処理する工程(Ｓ１４０，Ｓ２４０)をさらに備える、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  5. 　前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板(１４０)を減圧処理しつつ加熱処理する工程(Ｓ１４０，Ｓ２４０)をさらに備える、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  6. 　前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板(１４０)を４０℃以上３００℃以下の温度で加熱する、請求項４または５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  7. 　前記減圧処理において、前記水分吸着量が多い方の基板(１４０)を１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する、請求項３または５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  8. 　前記第１基板および前記第２基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する工程(Ｓ１０，Ｓ２０)を備え、
    　前記第１基板および前記第２基板における水分吸着量の違いは、前記それぞれ異なる樹脂膜の水分吸着量の違いによって決定される、請求項４または５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  9. 　前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板(１４０)を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する、請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
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