WO2012018117A1 - Cnt集合体及び積層体 - Google Patents

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賢治 畠
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Definitions

  • the Herman orientation coefficient under 100% shear strain is increased by 20% or more compared to the Herman orientation coefficient when no shear strain is applied.
  • the CNT aggregate has a strain in which HOF is substantially constant in a shear strain region of 50% to 500%.
  • the laminate is formed by installing the above-described CNT aggregates above and below a base material.
  • a viscoelastic body including a CNT aggregate having properties similar to those of rubber itself or elastomer itself is provided.
  • CNTs including CNT aggregates that exhibit viscoelasticity similar to room temperature and that are stable even at high temperature conditions and / or low temperature conditions and superior in impact absorption compared to conventional silicon rubber and rubber containing CNTs Aggregates are provided.
  • the CNT aggregate according to the present invention has a loss elastic modulus: G x ° C. ”and a loss elastic modulus at 25 ° C .: G 25 measured by dynamic viscoelasticity measurement in a shear mode in a temperature range higher than 25 ° C.
  • the ratio to “ ° C. ” is a value within the range of 0.3 to 3, preferably 0.5 to 2.5, and more preferably 0.75 to 2.
  • the certain temperature range is 200 ° C. or higher and 400 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or higher and 450 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or higher and 500 ° C. or lower, and further preferably 50 ° C. or higher and 600 ° C. or lower.
  • the present inventors can form a CNT aggregate by forming a long network of long CNTs with very flexible elasticity and excellent strength, the viscoelasticity similar to that at room temperature is reduced under high temperature conditions. And / or thought that the CNT aggregate which can be shown also under low temperature conditions is realizable. Therefore, using CVD capable of producing a CNT aggregate having excellent characteristics, it has viscoelasticity similar to room temperature under high temperature conditions and / or low temperature conditions, and the rubber itself and / or under high temperature conditions and / or low temperature conditions. Intense studies were conducted to adapt to the production of CNT aggregates having the same characteristics as the elastomer itself and having excellent viscoelasticity.
  • the Herman coefficient may be calculated in an arbitrary direction X and X + 15 degrees, X + 30 degrees, X + 45, degrees, X + 60 degrees, and X + 75 degrees, and the direction in which the Hermann coefficient is the largest may be used as the reference direction.
  • the CNT aggregate 100 of the present invention when shear strain is applied, the CNTs constituting the CNT aggregate 100 expand and spread, so that the CNT aggregate 100 is deformed and sheared. Absorbs strain. At that time, each CNT stretches and straightens, so that the orientation of the CNT aggregate 100 increases. As shown in FIG. 20B, the HOF gradually increases as the shear strain applied to the CNT aggregate 100 increases.
  • FIG. 19 shows an SEM image obtained by photographing the manufactured CNT aggregate 100 from the lateral direction (thickness direction) using Hitachi S-4800.
  • the SEM image shows that the CNT aggregate 100 is substantially unoriented or has a low orientation and that the CNTs are interconnected at high density.
  • the CNT aggregate 100 has a high density of contact areas 35 made of CNTs in parallel contact.
  • FIG. 26 (a) shows a TEM image of the CNT aggregate 100 taken with JEOL JEM-2000FX
  • FIG. 26 (b) shows a histogram of CNT diameter distribution as SWCNT, DWCNT and TWCNT (three-wall CNT).
  • FIG. 26 (c) shows the relative number of average diameter and CNT type.
  • the storage elastic modulus, loss elastic modulus, and loss tangent of the CNT aggregate 100 were substantially constant at a frequency of 0.1 to 100 Hz, similar to silicon rubber at room temperature.
  • the CNT aggregate 100 exhibited similar frequency stability in the temperature range of ⁇ 140 ° C. to 600 ° C.
  • the CNT aggregate 100 is arranged between the vibration motor shown in FIG. 33 (b) and the earthen model as a vibration isolator as shown in FIG. 33 (a). .
  • An experiment was performed by generating vibration of 50 Hz with a vibration motor.
  • FIG. 34 shows a vibration experiment.
  • 34A shows a double-sided tape 800 as a vibration isolator
  • FIG. 34B shows a CNT aggregate 100
  • FIG. 34C shows a silicon rubber 900.
  • the CNT aggregate 100 like the silicon rubber 900, effectively separated vibration.
  • the conductivity of the vibration isolator was evaluated by the light emitted from the LEDs placed on the earth, but the CNT aggregate 100 showed a constant power conductivity, indicating that it maintained stable mechanical and electrical connections. It was.

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Abstract

従来のシリコンゴムやCNTを含有するゴムに比して、さらに高温条件及び/または低温条件でも安定した、室温と同様な粘弾性を示す、衝撃吸収性に優れたCNT集合体を含むCNT集合体を提供する。複数本のCNTで構成されるCNT集合体であり、該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃')が10Pa以上10Pa以下であり、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃")が10Pa以上~10Pa以下であり、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失正接(tanδ(=G25℃"/G25℃'))が10-3以上1以下であり、かつ、CNT集合体の液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径の分布極大が50nm以下である。

Description

CNT集合体及び積層体
本発明は、衝撃吸収性に優れた粘弾性体に関する。特に、広い温度範囲で安定した粘弾性を示すカーボンナノチューブ(以下、CNTという)集合体を含むCNT集合体、積層体及びそれらの製造方法に関する。
粘弾性体とは、エネルギーを散逸する粘性と、可逆的に変形する弾性とを兼ね備えた部材である。一般的に、弾性は部材の構成要素の結合により生じ、また、粘性は、構成要素の熱運動により生じる。代表的な、粘弾性体であるゴムの場合、ゴムを構成する架橋した鎖状高分子から弾性が生じ、架橋点間の鎖状部分は自由に運動できるため粘性が生じる。
鎖状高分子から構成されるゴムは、低温にすると鎖状部分の運動が遅くなり、粘弾性特性が変化する。特に、ガラス転移温度以下では、全ての部分がその位置で熱振動を行うだけのガラス状態となり、粘弾性特性を失う。また高温では架橋点で分子鎖がすべるようになり、分子同士の位置が自由に変化し、流動性が大きくなり、より高温では、ゴムが溶解してしまう。このように、従来の粘弾性材料の粘弾性特性は、非常に大きな温度依存性を示し、かつ、低温、高温においては、粘弾性特性を失ってしまう。そのため、より高い温度安定性を有する、および/または、より高温、低温で粘弾性特性を示す、粘弾性体の実現が望まれている。
シリコンゴムは、一般的な樹脂のゴムに対して、高温・低温ともに比較的安定した粘弾性を示すことが知られている。例えば、特許文献1には高減衰性を発現し、弾性率の温度依存性も少ないシリカ配合高減衰ゴム組成物が開示されている。また、特許文献2には、基材ゴムに、所定量の液状ゴム、パラフィンオイル及びナフテンオイルからなる群から選択される1種以上の軟化剤、カーボンブラック、シリカ、シラン化合物を配合することで、弾性率の温度依存性が小さく、大変形時においても高い制振性能を発揮する高減衰ゴムが開示されている。
また、高温での急激な弾性の低下を防止するために、ジエン系ゴム成分にCNTを多量に配合し、かつCNTの分散性を向上させたタイヤ用ゴム組成物が特許文献3に開示されている。また、特許文献4には熱・電気伝導性に優れ、かつ、補強性および破壊物性が良好で、タイヤ使用時にはグリップ性が良好なゴム組成物として、ゴム成分に対し、繊維径5~40nm、アスペクト比150以上、およびグラファイト化度8以上であるカーボンナノファイバーを含有させるとことが開示されている。
特開平7-41603号公報 特開2009-30016号公報 特開2009-46547号公報 特開2010-59303号公報
しかし、上述のシリコンゴムやCNTを含有するゴムでは、-10℃~230℃の範囲での粘弾性についてしか開示されていなかった。シリコンゴムやCNTを含有するゴムは、室温以下の低温、室温以上の高温では、上記した理由により、その粘弾性が変化し、さらなる低温、および高温では、融解したり、ガラス相転移をおこしたりし、粘弾性特性が著しく劣化する。
本発明は、ゴム自体やエラストマー自体が有している特性と同様な特性を有するCNT集合体を含む粘弾性体を提供することを課題とする。さらに、別の課題として、従来のシリコンゴムやCNTを含有するゴムに比して、さらに高温条件及び/または低温条件でも安定した、室温と同様の特性を示す、衝撃吸収性に優れたCNT集合体を含むCNT集合体を提供することを課題とする。
本発明の一実施形態によると、複数本のCNTで構成されるCNT集合体であり、(1)該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)が10Pa以上10Pa以下であり、(2)該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)が10Pa以上~10Pa以下であり、(3)該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失正接(tanδ(=G25℃”/G25℃’))が10-3以上1以下であり、かつ、(4)該CNT集合体の液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径の分布極大が50nm以下である。
前記CNT集合体は、100%剪断歪み下でのヘルマンの配向係数が、剪断歪みを加えない時のヘルマンの配向係数と比較して20%以上増加する。
前記CNT集合体は、50%以上500%以下の剪断歪領域内に、HOFが略一定となる歪みを備える。
前記CNT集合体は、ヘルマン配向係数が0.01以上0.4以下の部位を有する。
また、本発明の一実施形態によると、複数本のCNTで構成されるCNT集合体であり、該CNT集合体は、分布極大が50nm以下の液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径を備え、かつ、該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)と、100以上1000℃以下の温度範囲内の貯蔵弾性率(Gx℃’)との比(Gx℃’/G25℃’)が0.75以上1.5以下を備える貯蔵弾性率(Gx℃’)が100以上1000℃以下の温度範囲において存在し、かつ、周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)と、100以上1000℃以下の温度範囲内の損失弾性率(Gx℃”)との比(Gx℃”/G25℃”)が0.75以上1.5以下を備える損失弾性率(Gx℃”)が100以上1000℃以下の範囲において存在する。
前記CNT集合体において、前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.8以上1.2以下である。
前記CNT集合体において、前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.85以上1.1以下である。
前記CNT集合体において、前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)が10以上10Pa以下である。
前記CNT集合体において、前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)が10以上10Pa以下である。
前記CNT集合体は、ヘルマン配向係数が0.01以上0.4以下の部位を有する。
また、本発明の一実施形態によると、複数本のCNTで構成されるCNT集合体であり、該CNT集合体は、分布極大が50nm以下の液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径を備え、該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)と、-200~0℃の温度範囲内の貯蔵弾性率(Gx℃’)との比(Gx℃’/G25℃’);0.75~1.5を備える貯蔵弾性率(Gx℃’)が-200~-0℃の範囲において存在し、かつ周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)と、-200~-0℃の温度範囲内の損失弾性率(Gx℃”)との比(Gx℃”/G25℃”);0.75~1.5を備える貯蔵弾性率(Gx℃”)が-200~-0℃の範囲において存在する。
前記CNT集合体において、前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.8以上1.2以下である。
前記CNT集合体において、前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.85以上1.1以下である。
前記CNT集合体において、前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)が10以上10Pa以下である。
前記CNT集合体において、前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)が10以上10Pa以下である。
前記CNT集合体は、ヘルマン配向係数が0.01以上0.4以下の部位を有する。
また、上述した前記CNT集合体を複数積層してなるCNT集合体を形成することができる。
また、積層体は、上述した前記CNT集合体を備える。
また、前記積層体は、上述した前記CNT集合体を基材の上に設置してなる。
前記積層体は、上述した前記CNT集合体を基材の上下に設置してなる。
本発明の方法によると、ゴム自体やエラストマー自体が有している特性と同様な特性を有するCNT集合体を含む粘弾性体が提供される。また、従来のシリコンゴムやCNTを含有するゴムに比して、さらに高温条件及び/または低温条件でも安定した、室温と同様の粘弾性を示す、衝撃吸収性に優れたCNT集合体を含むCNT集合体が提供される。
本発明に係るCNT集合体100の一例を示す模式図であり、(a)はCNT集合体100を示し、(b)はCNT集合体100を水平方向に積層したCNT集合体100を示し、(c)はCNT集合体100を垂直方向に積層したCNT集合体100を示す。 本発明に係る積層体200の一例を示す模式図であり、(a)はCNT集合体100を基材210に密着した積層体200を示し、(b)はCNT集合体100を水平方向に積層した積層体200を示し、(c)はCNT集合体100を基材210の上に配置した積層体200を示し、(d)はCNT集合体100を基材210の上下に配置した積層体200を示す。 本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδ(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδ(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδ(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδ(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度、ある周波数範囲での貯蔵弾性率:GxHz’と、1Hzでの貯蔵弾性率:G1Hz’との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度、ある周波数範囲での損失弾性率:GxHz”と、1Hzでの損失弾性率:G1Hz”との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体のある温度、ある周波数範囲での損失正接:tanδxHz(=GxHz”/GxHz’)と、1Hzでの損失正接:tanδ1Hz(=G1Hz”/G1Hz’)との比の好ましい範囲を示す図である。 本発明に係るCNT集合体100の模式図である。 本発明に係るCNT集合体100の走査電子顕微鏡(SEM)画像である。 (a)はCNT集合体100に剪断歪を加えた時のSEM画像であり、(b)は、ヘルマンの配向係数を示す図であり、(c)は各歪によるCNT30の間の構造の変化を示す模式図であり、(d)は1000%歪におけるCNT30の透過電子顕微鏡(TEM)画像である。 本発明に係るCNT集合体100のSEM画像である。 本発明に係るCNT集合体100の2-D高速フーリエ計算(FFT)画像である。 本発明に係るCNT集合体100の長さに対する方位角と回折強度のプロファイルである。 (a)は本発明の本実施形態に係るCNT集合体100のTEM画像であり、(b)は接触域35の開閉を通じたエネルギー散逸過程を示す模式図である。 基板上に形成された本発明に係るCNT集合体の模式図である。 (a)はCNT集合体のTEM画像を示し、(b)はCNTの直径の分布のヒストグラムを示し、(c)に平均直径とCNTのタイプとの相対的な数を示す。 DMA試験装置を示し、(a)はDMA試験装置の写真を示し、(b)は模式図を示す。 応力-歪み関係から計算した粘弾性特性を示す。 CNT集合体100の粘弾性特性の定量結果を示し、(a)は室温でのCNT集合体100の貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接の周波数依存性を示す図であり、(b)は室温でのCNT集合体100とシリコンゴムの歪み依存性を示す図であり、(c)はCNT集合体100の疲労試験を示し、(d)は疲労試験の応力-歪み曲線である。 極端に広い温度範囲にわたる不変特性を示す図であり、(a)はCNT集合体100の貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接の温度依存性を示し、(b)は衝突試験の模式図であり、(c)は-196℃、25℃及び1000℃で行ったボールの軌跡の分割像であり、上段はSEMを示し、下段はレーザー顕微鏡の3-Dマッピングを示す。 -140℃以上600℃以下の温度条件下、0.1以上100Hz以下の周波数でのCNT集合体100の粘弾性特性を示し、(a)は貯蔵弾性率を、(b)は損失弾性率を、(c)は損失正接をそれぞれ示す。 -140℃以上600℃以下の温度条件下、1%以上1000%以下の歪みでのCNT集合体100の粘弾性特性を示し、(a)は貯蔵弾性率、(b)は損失弾性率、(c)は損失正接を示す。 (a)は振動絶縁装置を示し、(b)はCNT集合体100用の実験装置を示す。 振動実験の様子を示し、(a)は振動絶縁装置として両面テープを、(b)はCNT集合体100を、(c)はシリコンゴムを用いた様子を示す。 振動実験の様子を示し、(a)は-190℃での実験結果を示し、(b)は900℃での実験結果を示す。 貯蔵弾性率と応力を示す図である。 大きな歪み振幅での循環試験と構造観察を示し、(a)は20%歪みでのCNT集合体100の粘弾性特性と、異なるサイクルでの応力-歪み曲線を示し、(b)は100%歪みでのCNT集合体100の粘弾性特性と、異なるサイクルでの応力-歪み曲線を示す。 大きな歪み振幅での循環試験と構造観察を示し、(a)は20%で歪ませた1サイクル目と1000サイクル目のCNT集合体100のSEM画像であり、(b)は100%で歪ませた1サイクル目と1000サイクル目のCNT集合体100のSEM画像である。 1%歪み、100Hz、10サイクルの繰り返し試験の結果を示し、(a)は-140℃、(b)は25℃、(c)は600℃での結果を示し、(d)は-140℃、(e)は25℃、(f)は600℃での、10サイクル目、10サイクル目及び10サイクル目の疲労耐性試験の応力-歪み曲線を示す。 疲労耐性試験前と10サイクル後のCNT集合体100の微細構造を示し、(a)は疲労耐性試験前、(b)は-140℃、(c)は25℃、(d)は600℃での10サイクル後のCNT集合体100のSEM画像を示し、(e)は、疲労耐性試験前及び各温度での10サイクル後のヘルマンの配向係数の計算値を示す。 構造体のTEM観察から着脱可能な接触域を測定した図であり、(a)は着脱可能な接触域を示すCNT集合体100のTEM画像であり、(b)は接触域と歪の配向関係を示す模式図であり、(c)は成長した状態のCNTアセンブリの写真であり、(d)個々のCNT構造の模式図である。 CNT集合体100のラマンスペクトルを示す。 (a)は本実施例に係るCNT集合体100の応力・歪挙動を示し、(b)はCNT配向集合体の応力・歪挙動を示し、(c)は本実施例に係るCNT集合体100の応力・歪挙動を示す。 本実施例に係るCNT集合体100及びシリコンゴムの応力・歪挙動を示す。
本発明は、CNT集合体、好ましくは粘弾性を有するCNT集合体を用いて、高温および/または低温において、室温でゴム自体やエラストマー自体が有している特性と同様な特性を有する粘弾性体を実現したことを特徴とする。本発明でいう粘弾性とは、粘性及び弾性、両方の性質を有する特性を示す。粘弾性は、例えば、動的粘弾性測定(DMA)により評価することが可能である。動的粘弾性測定(DMA)による、粘弾性の測定は、三角関数や正弦波で表されるような、ある周波数の振動するひずみを与え、その応答(応力)を測定するものである。完全弾性体ならば、振動するひずみに対して応力がすぐに(位相がずれることなく)発生する。粘性体(Newton流体)ならば、振動するひずみに対して応力がずれて(位相角90度)発生する。粘弾性体では完全弾性体と粘性体との中間の挙動を示し、位相がδ(0<δ<90)ずれて応力が発生する。この位相δから、粘弾性体の弾性の大きさ、粘性の大きさを評価することができる。本発明の粘弾性は、より好適には位相がδ(5<δ<85)である。
理想弾性体に相当する応力から、貯蔵弾性率G’、粘性体に相当する応力から、損失弾性率G”が定義されている。損失正接tanδは、損失弾性率G”と貯蔵弾性率G’との比(G”/G’)で与えられる。本明細書においては、特に断りがない場合には、貯蔵弾性率G’、粘性、損失弾性率G”、損失正接tanδは周波数1Hzでの剪断モード(ねじれ剪断モード)で1%の歪み量で、鉛直方向に0.5Nの応力を与えた動的粘弾性測定により計測する。また、それらの温度依存性や周波数依存性を測定することができる。
DMAの変形モードとしては、引張り、圧縮、両持ち梁曲げ、3点曲げまたは剪断等があり、試験片の形状や弾性率、または測定の目的に応じて選択すれば良い。剪断モード、特に、ねじれ剪断モードを用いるのが好ましい。
本明細書において、CNT集合体とは、複数本のCNTを含み、異なるCNT間での接触点(接触域)を、少なくとも一つ以上有し、接触点(接触域)およびCNTが移動・変形するための細孔を有する、CNT集合体を指す。本発明に係るCNT集合体は、CNTのみで構成されているのが、好ましいが、用途によって金属、セラミックス、多孔質材料などの無機材料や有機材料を含有するものであってもよい。ただ、本発明によりCNT集合体が粘弾性を有するためには、下記に記載するように、異なるCNT間での接触点(接触域)が移動・変形する余地、空間が必要である。すなわちCNT集合体は細孔を有することが好ましい。高温、及びまたは、低温で、用いるためには、CNTと複合する材料は耐熱性を有するのが好ましい。耐熱性を有するとは、所望の温度で、材料が、融解・蒸発したり、ガラス相転移を起こしたりしないことを意味する。本発明のCNT集合体は、粉の状態、複合体などコンポジットの状態でもよい。フィルムや膜状の状態は装着が容易であるため、好適である。
本明細書において、CNT集合体(以下、CNT集合体100という)は、CNT集合体そのものでもよく、またCNT集合体が積層されているものでもよい。CNT集合体の形状、材質、装着方法はCNT集合体の少なくとも一部が粘弾性を示せば、適宜の形態でよい。図1に示すように、CNT集合体として、CNT集合体を水平方向(図1(b))又は垂直方向(図1(c))に複数積層してなるCNT集合体でもよい。また、図2に示すように、CNT集合体100を基材210に設置した積層体200として用いてもよく、CNT集合体100を基材210の上部表面に配置したもの(図2(a))、2枚の基材210の間にCNT集合体100を挟んだもの(図2(d))を例示できる。基材210に装着するCNT集合体100は一つでも良いし複数でもよい。複数のCNT集合体100は基材210の上に配置してもよく(図2(b))、基材210の上下に配置してもよい(図2(c))。基材210の形状は平面のほか、曲面やフレキシブルなものが考えられ、基材210の厚みは問わない。基材210の材質は、例えば各種金属、セラミックス、シリコン、樹脂、無機質などが考えられる。
CNTはグラファイトの1枚面を巻いて筒状にした形状を有しており、1層に巻いたものを単層CNT、2層に巻いたものを2層CNT、多層に巻いたものを多層CNTというが、本発明のCNT集合体は、層数が1層~3層であるCNTを含むことが好ましい。層数が1層~3層であるCNTはより層数が多いCNTに比較して、欠陥が少なく、直径方向の機械的強度が大きく、優れた弾性特性を得るために好ましい。また、層数が1層~3層であるCNTは、直径が比較的小さいため、容易に接触域を形成することができ、粘性特性に優れたCNT集合体を与える。本発明によるCNT集合体は層数が1層~3層であるCNTに限定されず、本発明による粘弾性特性が得られれば、適宜、4層以上のCNTを含んでも良い。
(室温での粘弾性)
本発明の体CNT集合体の貯蔵弾性率:G’は、必要に応じて種々の範囲をとることができる。例えば、本発明の体CNT集合体の、25℃、周波数1Hzでの剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、貯蔵弾性率:G’は、10以上10Pa以下の間の値としうる。体CNT集合体の貯蔵弾性率:G’は好ましくは、5×10以上5×10Pa以下、より好ましくは10以上10Pa以下、さらに好ましくは2×10以上5×10Pa以下である。このような貯蔵弾性率を有するCNT集合体は、いわばゴムやエラストマーと同等の硬さを有し、粘弾性体として使用するのに好適である。
本発明のCNT集合体の損失弾性率:G”は、必要に応じて種々の範囲をとることができる。例えば、本発明のCNT集合体の、25℃、周波数1Hzでの剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失弾性率:G”は、10以上10Pa以下の間の値をとりうる。CNT集合体の損失弾性率:G”は好ましくは5×10以上5×10Pa以下、より好ましくは10以上10Pa以下、さらに好ましくは2×10以上5×10Pa以下である。このような損失弾性率を有するCNT集合体は、いわばゴムやエラストマーと同等の柔らかさを有し、粘弾性体として使用するのに好適である。
本発明のCNT集合体の、貯蔵弾性率(G’)と損失弾性率(G”)の比である、損失正接:tanδ(=G”/G’)は、必要に応じて種々の範囲をとることができる。例えば、本発明のCNT集合体の、25℃、周波数1Hzでの剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失正接:tanδ(=G”/G’)は、10-3以上1以下の間の値をとりうる。CNT集合体の貯蔵弾性率:G’は好ましくは、2×10-3以上0.9以下、より好ましくは5×10-3以上0.8以下、さらに好ましくは1×10-2以上0.7以下、さらに好ましくは2×10-2以上0.6以下である。このような損失正接を有するCNT集合体は、いわばゴムやエラストマーと同等のエネルギー散逸能を有し、粘弾性体として使用するのに好適である。
(高温での粘弾性)
本発明のCNT集合体は、高温においても、ゴム自体やエラストマー自体が有している特性と同様な特性を有し、優れた粘弾性を示す。すなわち、本発明によるCNT集合体は、25℃より高いある温度において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、ある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比が、0.75以上1.5以下、好ましくは0.8以上1.2以下、さらに好ましくは0.85以上1.1以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度は、100℃以上1000℃以下、より好ましくは、150℃以上800℃以下、さらに好ましくは200℃以上600℃以下、さらに好ましくは200℃以上500℃以下の温度範囲内に存在する。このような貯蔵弾性率を高温で有するCNT集合体は、室温でのゴムやエラストマーと同等の硬さを高温で有し、高温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図3にまとめる。図3は本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。図3において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より高いある温度において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、ある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比が、0.75以上1.5以下、好ましくは0.8以上1.2以下、さらに好ましくは0.85以上1.1以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度は、100℃以上1000℃以下、より好ましくは、150℃以上800℃以下、さらに好ましくは200℃以上600℃以下、さらに好ましくは200℃以上500℃以下の温度範囲内に存在する。このような損失弾性率を高温で有するCNT集合体は、室温でのゴムやエラストマーと同等の柔らかさを高温で有し、高温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図4にまとめる。図4は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。図4において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より高いある温度において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、ある温度での損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比が、0.75以上2以下、好ましくは0.8以上1.8以下、さらに好ましくは0.85以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度は、100℃以上1000℃以下、より好ましくは、150℃以上800℃以下、さらに好ましくは200℃以上600℃以下、さらに好ましくは200℃以上500℃以下の温度範囲内に存在する。このような損失正接を有するCNT集合体は、室温のゴムやエラストマーと同等のエネルギー散逸能を高温で有し、高温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図5にまとめる。図5は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。図5において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
このように、高温において、ゴムやエラストマーと同様な、貯蔵弾性率:G’、損失弾性率:G”、損失正接:tanδを有するCNT集合体は、今まで世の中に存在せず、本発明において初めて得られるようになったのである。高温で、ゴム自体やエラストマー自体と同様な特性を有し、優れた粘弾性を示すCNT集合体は、高温で粘弾性体として用いるのに好適である。
本発明によるCNT集合体は、25℃より高いある温度範囲において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上2以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度範囲は、200℃以上400℃以下、より好ましくは、150℃以上450℃以下、さらに好ましくは100℃以上500℃以下、さらに好ましくは50℃以上600℃以下である。このような室温と同様な貯蔵弾性率を高温のある温度範囲で有するCNT集合体は、室温と同様な硬さを高温で有し、高温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図6にまとめる。図6は本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。図6において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より高いある温度範囲において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上2以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度範囲は、200℃以上400℃以下、より好ましくは、150℃以上450℃以下、さらに好ましくは100℃以上500℃以下、さらに好ましくは50℃以上600℃以下である。このような室温と同様な損失弾性率を高温のある温度範囲で有するCNT集合体は、室温と同様な柔らかさを高温で有し、高温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図7にまとめる。図7は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。図7において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より高いある温度範囲において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度範囲は、200℃以上400℃以下、より好ましくは、150℃以上450℃以下、さらに好ましくは100℃以上500℃以下、さらに好ましくは50℃以上600℃以下である。このような室温と同様な損失正接を高温のある温度範囲で有するCNT集合体は、室温と同様なエネルギー散逸能を高温で有し、高温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図8にまとめる。図8は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。図8において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
このように、高温において、室温と同様な、貯蔵弾性率:G’、損失弾性率:G”、損失正接:tanδを有するCNT集合体は、今まで世の中に存在せず、本発明において初めて得られるようになったのである。高温で、室温と同様な粘弾性を示す、粘弾性体CNT集合体は、高温で、粘弾性体として用いるのに好適である。
(低温での粘弾性)
本発明のCNT集合体は、室温より低温において、ゴム自体やエラストマー自体が有している特性と同様な特性を有し、優れた粘弾性を示す。すなわち、本発明によるCNT集合体は、25℃より低いある温度において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、ある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比が、0.75以上2以下、好ましくは0.8以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度は-274℃以上-25℃以下、より好ましくは、-200℃以上-25℃以下、さらに好ましくは-150℃以上-50℃以下の温度範囲内に存在する。このような貯蔵弾性率を低温で有するCNT集合体は、室温でのゴムやエラストマーと同等の硬さを低温で有し、低温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図9にまとめる。図9は本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。図9において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より低いある温度において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、ある温度での損失弾性率:Gx℃’と、25℃での損失弾性率:G25℃’との比が、0.75以上2以下、好ましくは0.8以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度は-274℃以上-25℃以下、より好ましくは、-200℃以上-25℃以下、さらに好ましくは-150℃以上-50℃以下の温度範囲内に存在する。このような損失弾性率を低温で有するCNT集合体は、低温でのゴムやエラストマーと同等の柔らかさを低温で有し、低温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図10にまとめる。図10は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。図10において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より低いある温度において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、ある温度での損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比が、0.75以上2以下、好ましくは0.8以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度は-274℃以上-25℃以下、より好ましくは、-200℃以上-25℃以下、さらに好ましくは-150℃以上-50℃以下の温度範囲内に存在する。このような損失正接を低温において有するCNT集合体は、低温で、室温のゴムやエラストマーと同等のエネルギー散逸能を有し、低温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図11にまとめる。図11は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。図11において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
このように、低温度で、ゴムやエラストマーと同様な、貯蔵弾性率:G’、損失弾性率:G”、損失正接:tanδを有するCNT集合体は、今まで世の中に存在せず、本発明において初めて得られるようになったのである。低温で、ゴムやエラストマーと同様な粘弾性を示す、CNT集合体は、低温で、粘弾性体として用いるのに好適である。
本発明によるCNT集合体は、25℃より低いある温度範囲において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上2以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度範囲は-100℃以上-50℃以下、より好ましくは、-150℃以上-25℃以下、さらに好ましくは-150℃以上0℃以下である。このような室温と同様な貯蔵弾性率を低温のある温度範囲で有するCNT集合体は、室温と同様な硬さを高温で有し、低温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図12にまとめる。図12は本発明に係るCNT集合体のある温度での貯蔵弾性率:Gx℃’と、25℃での貯蔵弾性率:G25℃’との比の好ましい範囲を示す図である。図12において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より低いある温度範囲において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上2以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度範囲は-100℃以上-50℃以下、より好ましくは、-150℃以上-25℃以下、さらに好ましくは-150℃以上0℃以下である。このような室温と同様な損失弾性率を低温で有するCNT集合体は、低温で室温と同等の柔らかさを低温で有し、低温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図13にまとめる。図13は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失弾性率:Gx℃”と、25℃での損失弾性率:G25℃”との比の好ましい範囲を示す図である。図13において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明によるCNT集合体は、25℃より低いある温度範囲において、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上2以下の範囲内の値となる。ここで、ある温度範囲は-100℃以上-50℃以下、より好ましくは、-150℃以上-25℃以下、さらに好ましくは-150℃以上0℃以下である。このような室温と同様な損失正接を低温において有するCNT集合体は、低温で、室温と同等のエネルギー散逸能を有し、低温で粘弾性体として使用するのに好適である。以上を図14にまとめる。図14は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδx℃(=Gx℃”/Gx℃’)と、25℃での損失正接:tanδ25℃(=G25℃”/G25℃’)との比の好ましい範囲を示す図である。図14において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
このように、低温において、室温と同様な、貯蔵弾性率:G’、損失弾性率:G”、損失正接:tanδを有するCNT集合体は、今まで世の中に存在せず、本発明において初めて得られるようになったのである。低温で、室温と同様な粘弾性を示す、CNT集合体は、低温で、粘弾性体として用いるのに好適である。
(粘弾性の周波数依存性)
本発明によるCNT集合体の室温、及びまたは、高温、及びまたは、低温での粘弾性特性は動的粘弾性測定の周波数に対して、極めて安定している。すなわち、本発明のCNT集合体の、ある温度、ある周波数範囲において得られる、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、貯蔵弾性率:GxHz’と、1Hzでの貯蔵弾性率:G1Hz’との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある周波数範囲は0.5Hz以上5Hz以下、より好ましくは0.2Hz以上10Hz以下、さらに好ましくは0.1Hz以上25Hz以下、さらに好ましくは、0.1Hz以上50Hz以下である。また、ある温度は、-140℃以上から、600℃の温度範囲内の任意の温度となる。以上を図15にまとめる。図15は本発明に係るCNT集合体のある温度、ある周波数範囲での貯蔵弾性率:GxHz’と、1Hzでの貯蔵弾性率:G1Hz’との比の好ましい範囲を示す図である。図15において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明のCNT集合体の、ある温度、ある周波数において得られる、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失弾性率:GxHz”と、1Hzでの貯蔵弾性率:G1Hz”との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある周波数は、0.5Hz以上5Hz以下、より好ましくは0.2Hz以上10Hz以下、さらに好ましくは0.1Hz以上25Hz以下、さらに好ましくは、0.1Hz以上50Hz以下に存在する。また、ある温度は、-140℃以上から、600℃の温度範囲内の任意の温度となる。以上を図16にまとめる。図16は本発明に係るCNT集合体のある温度、ある周波数範囲での損失弾性率:GxHz”と、1Hzでの損失弾性率:G1Hz”との比の好ましい範囲を示す図である。図16において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
本発明のCNT集合体の、ある温度、ある周波数において得られる、剪断モードでの動的粘弾性測定により計測した、損失正接:tanδxHz(=GxHz”/GxHz’)と、1Hzでの損失正接tanδ1Hz(=G1Hz”/G1Hz’)との比が、0.3以上3以下、好ましくは0.5以上2.5以下、さらに好ましくは0.75以上1.5以下の範囲内の値となる。ここで、ある周波数は0.5Hz以上5Hz以下、より好ましくは0.2Hz以上10Hz以下、さらに好ましくは0.1Hz以上25Hz以下、さらに好ましくは、0.1Hz以上50Hz以下に存在する。また、ある温度は、-140℃以上から、600℃の温度範囲内の任意の温度となる。以上を図17にまとめる。図17は本発明に係るCNT集合体のある温度での損失正接:tanδxHz(=GxHz”/GxHz’)と、1Hzでの損失正接:tanδ1Hz(=G1Hz”/G1Hz’)との比の好ましい範囲を示す図である。図17において、本発明に係るCNT集合体の好ましい範囲を矩形で示した。
このような広い範囲の周波数で、変動幅の少ない、いわば一定の貯蔵弾性率を有するCNT集合体は、低温、及びまたは、室温、及びまたは、高温において、安定な粘弾性体として使用するのに好適である。
以下、図面を参照して本発明に係るCNT集合体の構造と、CNT集合体のメカニズムとその製造方法について説明する。但し、本発明のCNT集合体とその製造方法は、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態及び実施例で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
上述した従来のシリコンゴムやCNTを含有するゴムは、架橋した鎖状高分子のネットワークにより優れた粘弾性を示すが、この鎖状高分子が有機物であるため、極端な高温条件や低温条件では安定した粘弾性を示すことができない。一方、CNT自体は非常にしなやかな弾性を有し、破断しにくく、同時に優れた強度を有する。しかし、CNTをゴム成分と混合する従来の方法では、耐熱性がゴム成分に影響されるため、高低温度条件での室温と同様な粘弾性を実現するのは困難であると考えられた。
本発明者らは、非常にしなやかな弾性と、優れた強度を有する長いCNTのランダムなネットワークを形成してCNT集合体を形成できれば、温度依存性が少なく室温と同様な粘弾性を高温条件下及び/または低温条件下でも示すことのできるCNT集合体が実現できるのではないかと考えた。そこで、優れた特性を有するCNT集合体を製造可能なCVDを用い、高温条件下及び/または低温条件下でも室温と同様な粘弾性を有し高温条件下及び/または低温条件下でもゴム自体やエラストマー自体と同様な特性を有し、優れた粘弾性を有するCNT集合体の製造に適応すべく鋭意検討を行った。
本発明に係るCNT集合体の構造的な特徴について説明する。
(CNT集合体の構造)図18は、本発明の本実施形態に係るCNT集合体100の模式図である。CNT集合体100は、長く曲がりくねったCNT30の集合体により形成される。CNT30の集合体はゴムの鎖状高分子と似た構造をしており、ゴムに含まれる架橋した鎖状高分子に代わって、長いCNT30同士が互いに接触する接触域35を有するCNTネットワークを形成している。図19は、本発明の本実施形態に係るCNT集合体100の厚み方向からの走査電子顕微鏡(SEM)画像である。図20(a)は、CNT集合体100に1000%までの剪断歪を加えた時のSEM画像である。図20(b)は、剪断歪の関数として計算したヘルマンの配向係数(HOF)を示す図であり、差し込み図は0%及び100%歪でのSEM画像の2-D高速フーリエ計算(FFT)を示す図である。図20(c)は、各歪によるCNT30の間の構造の変化を示す模式図である。図20(d)は、1000%歪におけるCNT30の透過電子顕微鏡(TEM)画像である。
本発明のCNT集合体100は、図19の厚み方向からのSEM画像に示すように、実質的に無配向であるか、低い配向性しか有さない部位を備えることを特徴としている。単層CNT集合体の配向性の評価は、例えばヘルマンの配向係数(HOF)に基づいて行う。定量的に配向の向きを決めるためにはCNT集合体のSEM画像等を高速フーリエ変換して得られたFFT画像から得た強度プロフィールを用いて計算したヘルマンの配向係数(0:無配向状態、1:配向状態)を計算するとよい。
配向の方向は、CNT集合体を構成する個々の単層CNTの方向ベクトルの平均となる。そのため、CNT集合体の場所、配向性を評価する領域のサイズにより、配向の方向は異なる可能性がある。
ここで、ヘルマンの配向係数(HOF)を計算する方は、CNT集合体を1万倍の倍率で横方向(厚み方向)から観察した走査型電子顕微鏡画像(図21)を用いる。CNT集合体の上部端、および下部端の配向性は、全体の配向性とは異なる可能性があるため、走査型電子顕微鏡による観察は、CNT集合体の厚みの中心部で行うのが好ましい。具体的には、CNT集合体の厚み中心から、±30%内の領域で観察を行う。走査型電子顕微鏡画像に2-D高速フーリエ計算(FFT)を施し、FFT画像(図22)を得る。
次いで、ヘルマン係数を計算する参照方向(φ=0)を決定する。配向性を有するCNT集合体のFFT画像は、扁平な楕円状をなし、楕円が扁平であるほど配向性が高い。楕円の長軸方向は、配向性に起因する単層CNTの周期性が最大となる方向であり、楕円の短軸方向は、FFT画像の元画像の視野における、配向の向きとなる。ヘルマン配向係数を計算する参照方位は、楕円の長軸方向とする(もしくは、ヘルマン係数がもっとも大きくなる方向)。ただ、配向性が低い、もしくは実質的にない、場合には、FFT画像が真円状となり、参照方向(φ=0)の決定が容易でない。そのため、ある任意の方向Xと、X+15度、X+30度、X+45、度、X+60度、X+75度で、ヘルマン係数を計算し、ヘルマン係数がもっとも大きくなる方向を参照方向としてもよい。
FFT画像の原点から等距離を保って動径方向に参照方向(φ=0)からφ=π/2までの変換強度を求め、これを回折強度関数I(φ)とする(図22及び図23)。回折強度関数を計算する原点からの距離は、実空間の距離は100nmに対応する距離(10×10(m-1)から実空間の距離は50nmに対応する周波数Hzの間とする。この範囲にある少なくとも異なる10の距離から、回折強度関数I(φ)を求める。この回折強度関数を変数として
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上式を少なくとも異なる10の距離から計算し、もっとも値の大きな2値と、もっとも小さな値の2値を除いた、少なくとも6の距離からの計算値の平均値をSEM画像のヘルマンの配向係数とする。このような計算を少なくとも異なる観察箇所でとった、5枚以上のSEM画像でおこない、平均値をCNT集合体のヘルマンの配向係数と規定する。但し、Fはヘルマンの配向係数、φはφ=0を参照(基準)方位とした方位角(azimuthal angle)であり、I(φ)は回折強度関数である。ヘルマンの配向係数においては、φ=0方向について完全配向ならばF=1となり、無配向ならばF=0となる。
本発明のCNT集合体100の実質的に無配向であるか、配向性が低い部位のヘルマン配向係数は、0.01以上0.4以下、より好ましくは0.05以上0.3以下となる。一般的に配向しているCNT集合体のヘルマン配向係数は0.5から0.8であり、本発明による、CNT集合体100の配向性が低いことがわかる。本明細書では、実質的に無配向であるか、配向性が低いとは、ヘルマン配向係数は、0.01以上0.4以下、より好ましくは0.05以上0.3以下となることを示す。このように、本発明のCNT集合体100は、ヘルマン配向係数が0.01以上0.4以下の部位を有する。
本発明のCNT集合体100は、図20(a)に示したように、剪断歪を加えると、CNT集合体100を構成するCNTが伸びて広がることにより、CNT集合体100が変形し、剪断歪を吸収する。その際に、各のCNTが伸びてまっすぐになるため、CNT集合体100の配向性が増す。図20(b)に示したように、CNT集合体100に加えた剪断歪が大きくなるにつれて、HOFは徐々に増加する。
本発明のCNT集合体100は100%剪断歪の時のHOFが、剪断歪を加えない初期状態のHOFと比較して、20%以上、より好ましくは50%以上、さらに好ましくは100%以上増加する部位を備えている。上限幅に特段の制限はないが、ヘルマンの配向係数は1以下の値をとるため、2000%以上増加することは難しい。このように歪みを加えた時に、HOFが増加するCNT集合体100は、CNTが伸びてまっすぐになることで、破断破壊されることなく、歪みを吸収することがきる。さらには、歪みが解放されたときに、弾性を有するCNTが元に戻ることで、元の状態に復帰できる。すなわち、CNT集合体100は可逆的に歪みを吸収することができるため、粘弾性体として、好適に用いることができる。
ここで、CNT集合体100は、ある歪みを超えると、それ以上の歪みを加えても配向度は増加せず、HOFが略一定となる部位を備えている。ある歪みの値に制限はないが、一般的に50%以上500%以下の歪みの範囲内になる。HOFが略一定となる歪みより、大きな歪み領域では、CNT集合体100が変形し、断続的に接触していたCNTが次第にバンドル化しすることで、歪みが吸収される。バンドル化したCNTは、歪みが解放されたときに、完全には元に戻れず、この歪み領域では、CNT集合体100は不可逆的に歪みを吸収する。そのため、繰り返し歪みを与えると、CNT集合体100の粘弾性は劣化する。
略一定となるHOFは、大きい方が、より大きな歪みを可逆的に吸収できるため好ましいが、0.4から0.95、より好ましくは、0.4から0.8の範囲になることが好ましい。このような、略一定となるHOFを備えるCNT集合体100は、大きな歪みでも可逆的に、歪みを吸収することができ、粘弾性体として、好適に用いることができる。HOFが略一定となったかの判断は以下の手順で決定する。すなわち、ある歪みX%と、100%歪みを増加させたX%+100%の歪みにおいて得られる、HOFの比(HOF(x%+100%)/HOFx%)が、0.8以上1.2以下の範囲にある場合、歪みXにおいて、HOFは略一定になったとする。また、材料が破断するような極端な歪み(<1000%)においては、HOFが再び増加する場合も考えられるが本発明では、このような歪み領域は考慮しない。
本発明のCNT集合体100は、略一定となるHOFが、剪断歪を加えない初期状態のHOFと比較して、1.2倍以上、より好ましくは1.5倍以上、さらに好ましくは2倍以上の値となる部位を備えている。上限幅に特段の制限はないが、ヘルマンの配向係数は1以下の値をとるため、20倍以上にはならない。このような本発明のCNT集合体100は、上記した理由により、可逆的に大きな歪みを吸収するためことができ、粘弾性体として好適である。
以上をまとめると、図20(c)に示すように、小さな歪みでは、CNTが力のかかる方向に変形するほど、CNT集合体100を構成しているCNT30同士の接触域が解放方向に移動し及び又は摺動して、可逆的に伸びて広がることにより歪みが吸収され、100%歪を超えると、CNT30が真っ直ぐ伸びてバンドル化する不可逆的なプロセスにより歪みが吸収されると考えられる。
すなわち、CNT集合体100に負荷として剪断歪を加えない(0%)の時は、曲がりくねったCNT30が互いに接触して接触域35を形成する。CNT集合体100に加える剪断歪を大きくすると、曲がりくねったCNT30が徐々に伸ばされて互いに接触域を形成しなくなり、最終的には真っ直ぐに伸びきってしまう。図20(d)からも明らかなように、1000%歪みを加えると、CNT30は真っ直ぐで、隣接するCNTに接触してバンドル化したことがわかる。一方、CNT集合体100は、100%歪みまでは、剪断歪が負荷されると変位し、負荷された剪断歪の解放により変位が元に戻る力学的可逆変位を示す。
(エネルギー散逸モデル)
本発明のCNT集合体が優れた粘弾性を有するメカニズムは、現時点では確定していないが、以下のように推察している。図24(a)は、本発明の本実施形態に係るCNT集合体100のTEM画像であり、差し込み図に選択された部分は接触域35を示す。図24(a)からもわかるように、CNT集合体100のCNT30は、接触域35を有する。図24(b)は、接触域35の開閉を通じたエネルギー散逸過程を示す模式図である。
図24(a)に示すように、CNT集合体100において、各CNTが無数の他のCNTと接触する。CNT30の構造の特徴は、平行に接触するCNTから成る、接触域35を高密度で有することである。ここで、接触域35の長さは、短く、150nm以下であり、より好ましくは500nm以下であり、さらに好ましくは1000nm以下である。さらに、接触域35は、好ましくは5本以下、より好ましくは10本以下のCNTから構成される。このような接触域35を高密度で有する、CNT集合体100は、下記に示すメカニズムで、ゴムやエラストマーと同様な粘弾性を示すとともに、大きな変形を構造的に許容するものと考えられる。
ゴムの鎖状高分子が架橋した構造に対して、CNT集合体100は、長いCNT30が接触域35を有する構造体である。接触域35はゴムの中の固定した架橋と類似しているが、その数や位置は固定されていない。図20(b)に示すように、CNT集合体100に歪が負荷されると、接触域35のCNT30は開閉を通して可逆的に着脱すると考えられる。負荷が加わると、1つの接触域35のCNT30同士の接触が開き、また別のCNT30同士が接触して接触域35を形成する。接触域が負荷の掛かる方向に移動することで、負荷によるエネルギーを吸収する。したがって、負荷として加えられた剪断歪が大きいほど、接触域の移動距離が大きくなり、CNT集合体100は大きく変形する。また、CNT集合体100を圧縮する方向に負荷がかかるほど、多くの接触域35が形成される。CNT30の間で、接触域35を開く(unzip)ときは、CNT間の大きなファンデルワールス力に打ち勝つためにエネルギーが消費されるが、CNT30の間で、接触域35が形成されるときには、エネルギーは必要ない。したがって、CNT集合体100が非常に高密度の着脱可能な接触域を有することで、高いエネルギー散逸能を示すと考えられる。
このような機構で、CNT集合体100は、ゴムやエラストマーと同等の優れたエネルギー散逸能、すなわち粘弾性を示すと考えられる。また、ファンデルワールス力は、温度依存性が極めて少ないため、CNT集合体100は高温、及び/または低温においても、室温と同様な粘弾性を示すと考えられる。さらには、極めて高速に接触域35の開閉が可能なため、CNT集合体100は広い範囲の周波数で、いわば一定の粘弾性を有すると考えられる。
このエネルギー散逸モデルにおいては、臨界歪以下で、歪方向に垂直な接触域は開閉可能であって、エネルギーを散逸できる。歪が増加すると、着脱可能な接触域は開くか、または配向することで徐々に減少し(図20c)、最終的にはCNT集合体100のエネルギーを散逸する能力が減少した。臨界歪を超えると、この開閉プロセスは可逆的ではなくなり、循環運動で異なる場所で閉じ、及び/又はバンドル化して配向したCNTは劣化を生じる。
本発明のCNT集合体が粘弾性を有するためには、CNT間、及び/または、接触域間にナノサイズの隙間(細孔)が存在することが好ましい。このナノサイズの隙間(細孔)がCNT間、及び/または接触域間に存在するために、本発明のCNT集合体のCNT及び/または接触域の周囲に空間があり、CNT及び/または接触域が歪みを受けた時に、移動、変形、開閉、生成消滅することができる。そのため、CNT集合体がゴム自体やエラストマー自体が有する特性と同様な特性を有し、優れた粘弾性を示すとともに、大きな変形を構造的に許容することができる。CNT集合体は、液体やゲルなどの、CNT及び/または接触域の移動、変形、開閉、生成消滅を妨げない、異材料と複合化もしくは浸されていてもよい。
CNT間のナノサイズの細孔径は、液体窒素の77Kでの吸着等温線から求めることができる。細孔径分布を求める理論式としては、細孔がシリンダ状であると仮定したBJH法(J. Amer. Chem. Soc.誌、第73巻(1951年)、第373頁を参照されたい)を用いるのがよい。本明細書で定義する細孔径は、77Kでの液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めたものである。
本発明のCNT集合体のBJH法で求めた細孔径の極大分布は、50nm以下が好ましく、より好ましくは、40nm以下、さらに好ましくは30nm以下、さらに好ましくは1nm以上、50nm以下、さらに好ましくは、2nm以上40nm以下、さらに好ましくは、2nm以上30nm以下である。
このような、細孔径の極大分布を有するCNT集合体は、CNT集合体のCNT及び/または接触域の周囲に十分な空間があり、CNT及び/または接触域が歪みを受けた時に、移動、変形、開閉、生成消滅することができる。そのため、CNT集合体がゴム自体やエラストマー自体が有する特性と同様な特性を有し、優れた粘弾性を示すとともに、大きな変形を構造的に許容することができる。細孔径の分布極大が1nm未満の場合には、CNT間、および接触域の間の隙間が少なくなり、CNT及びまたは接触域が自由に移動できず、粘弾性が劣化する。この逆に、細孔径の分布極大が100nm超の場合には、CNT間に隙間が多くなり、CNT同士の結合力が弱くなり、CNT集合体の一体性が失われ、歪みを受けたときにばらならになる。CNT集合体が液体やゲルに含浸されていたり、ゲル等の異材料と複合化されていたりする場合には、液体や異材料を除去した後に、CNT集合体の細孔径を求めればよい。
以上説明したように、本発明の本実施形態に係るCNT集合体は、長く曲がりくねったCNTが互いに無数の着脱可能な接触域を形成したネットワーク構造を有することで、ゴムの架橋した鎖状高分子と似た構造を実現する。CNT集合体は、無数の接触域を着脱し、配向及び無配向の配置をとることで、可逆的な粘弾性を生じる優れた効果を奏する。また、CNT集合体はCNTのみで形成され、ゴム成分を有しないため、後述する実施例で説明するように、極端な温度条件での安定した粘弾性を実現することができる。
(製造方法)
上述したように、本発明に係るCNT集合体100を製造するためには、長く曲がりくねった、配向性の少なく、無数の接触域を有するCNTを成長させる必要があるため、高配向性のCNTの製造工程は用いることができない。
酸化層を有するシリコン基板10の上部表面に、アルミナ(Al)からなる助触媒層を高周波スパッタリング(RFスパッタリング)法により形成する。次に、アルミナ層上に鉄(Fe)からなる触媒層をRFスパッタリングによって形成する。
触媒層は、フォーメーション工程により触媒粒子20にするが、CNTを形成する間隔を広げるために、本実施形態のおいては、助触媒層及び触媒層に対して、反応性イオンエッチング(以下、RIEという)を行う。RIEを行うことで、フォーメーション工程により形成される触媒粒子20の触媒密度が減少し、形成されるCNTの間隔がまばらとなる。この触媒粒子20の触媒密度は、形成する助触媒層及び触媒層の厚さと、RIEとにより調整することが出来る。製造するCNT集合体に要求される粘弾性に応じて任意に変更可能である。
CNT30は、触媒粒子20を形成したシリコン基板10を用いて形成する。CNT30の成長過程は、本発明者らが報告した水分添加しながら行うCVD法(以下、スーパーグロース法という)により行う。スーパーグロース法を用いることで、非常に長いCNTが短時間で、高効率に触媒粒子20から成長し、触媒粒子20の間隔が広いため、この長いCNTが無配向に曲がりくねり、CNTが相互接触し、接触域35を増加させる(図25)。
形成したCNTは、圧縮することで、CNT集合体100の密度を増加させる。この圧縮により、CNT集合体100の密度の増加とともに、CNTの相互接触も増加し、接触域35を増加させる。その結果、CNT集合体100は、より大きな粘弾性を獲得することができる。
以上説明したように、本発明の本実施形態に係るCNT集合体の製造方法は、RIEで触媒層を処理し触媒粒子の間隔を広げ、スーパーグロース法を用いて長いCNTを成長させることで、長く曲がりくねったCNTを形成し、長く曲がりくねったCNTが互いに無数の着脱可能な接触域を形成したネットワーク構造を有することで、ゴムの架橋した鎖状高分子と似た構造を実現することができる。さらに、CNT集合体を圧縮することで、CNTの相互接触も増加し、接触域を増加させることができる。本発明の本実施形態に係るCNT集合体の製造方法は、無数の接触域を着脱し、配向及び無配向の配置をとることで、可逆的な粘弾性を生じるCNT集合体を製造できる優れた効果を奏する。また、本発明の本実施形態に係るCNT集合体の製造方法は、CNTを含んでCNT集合体を形成し、ゴム成分を有しないため、後述する実施例で説明するように、極端な温度条件での安定した粘弾性を実現することができる。
上述した本発明に係るCNT集合体の一例について、以下に詳細に説明する。なお、以下の実施例は、一例であってこれらに限定されるものではない。
(CNT集合体の製造方法)
本発明の本実施に係るCNT集合体は、酸化層(600nm)を有する1センチ角のシリコン基板を用い、基板10の上部表面に、アルミナ(Al)からなる厚さ30nmの助触媒層を高周波スパッタリング(RFスパッタリング)法により形成した。次に、アルミナ層上に鉄(Fe)からなる厚さ2nmの触媒層をRFスパッタリングによって形成した。
助触媒層及び触媒層を形成した基板10をRIEで処理した。背圧5×10-3PaのRIE装置で、アルゴンを10sccm流しながら、圧力を10Paにし、20Wで、助触媒層及び触媒層を形成した基板10を15~20分処理した。
CNT製造装置の合成炉で金属粒子20を形成するためフォーメーション工程を行った。フォーメーションは、炉内圧力:1.02×10Paに保持されたCVD装置の合成炉内にRIE処理を施した、助触媒層及び触媒層を形成した基板10を搬送・設置し、合成炉内のガス流量の総量が1000sccmとなるように、雰囲気ガスとしてHeを100sccm、還元ガスとしてHを900sccmで流しつつ、15分間で室温から、750℃まで昇温した。つづいて、750℃で6分間、雰囲気ガスとしてHeを100sccm、還元ガスとしてHを900sccm流した。フォーメーション工程は、触媒(Fe)を微粒子化する工程であり、炉内温度、還元ガス流量、ガスの種類、還元時間で、触媒粒子の大きさや個数密度を調整するものである。
つづいて、炉内温度:750℃、炉内圧力:1.02×10Pa(大気圧)に保持された状態の合成炉内に、ガス流量の総量が1000sccmとなるようにHe(雰囲気ガス):885sccm、C(原料ガス):75sccm、HO含有He(相対湿度23%)(キャリアガスに混入した触媒賦活物質):40sccmをガス供給管から22~35分間供給し、密度が0.007g/cmのCNT集合体を高さ4mmまで成長させた。
つづいて、成長させたCNT集合体は、圧縮工程により圧縮した。成長させたCNT集合体の上面と下面を動的機械分析装置(DMA)の測定ヘッドに取付け、CNT集合体を固定するために2つの測定ヘッドの間隔を調整し、CNT集合体の高さの初期値を記録した。ここで、測定ヘッドの間隔は、CNT集合体の高さの初期値に等しい。次に、所望のCNT集合体の高さを入力した。高さの初期値が4mm、密度が0.007g/cmのCNT集合体を、0.028g/cmに圧縮する場合、高さを1mmとして入力した。これにより、動的機械分析装置(DMA)は、CNT集合体を加圧し、高さを1/4に、CNT集合体の密度を4倍の、密度が0.028g/cmに圧縮する。この圧縮工程において、測定ヘッドとCNT集合体との接触面積は変化しない。CNT集合体は、圧縮状態の均衡を取るため、5~10分程度加圧状態を維持する。このようにして、密度が0.028g/cmの1センチ角で厚みが1mmのCNT集合体を得た。
このようにして製造した、CNT集合体を複数、基板から剥離し、20mgをBELSORP-MINI(株式会社日本ベル製)を用いて77Kで液体窒素の吸脱着等温線を計測した(吸着平衡時間は600秒とした)。液体窒素の吸着等温線からBJHの方法で細孔径の分布極大を計測したところ、13nmであった。
(CNT集合体の構造)
上述の製造工程により、本発明に係る本実施例のCNT集合体100を製造した。製造されたCNT集合体100を横方向(厚み方向)から日立S-4800を用いて撮影したSEM画像を図19に示す。SEM画像はCNT集合体100の実質的に無配向であるか、低い配向性しか有さないことを示し、かつ、CNTは高密度に相互接続していることを示す。図24(a)に示すように、CNT集合体100において、平行に接触するCNTから成る、接触域35を高密度で有する。図26(a)にCNT集合体100のJEOL JEM-2000FXで撮影したTEM画像を示し、図26(b)にCNTの直径の分布のヒストグラムをSWCNT、DWCNT及びTWCNT(三層CNT)で示し、図26(c)に平均直径とCNTのタイプとの相対的な数を示す。
図26(a)から明らかなように、本実施例のCNT集合体100は、SWCNT、DWCNT及びTWCNT(三層CNT)からなる。図26(b)と図26(c)に示したように、本実施例のCNT集合体100は、平均外径が5.5nm、平均内径が4.5nmで、主にDWCNTを含み、その割合は68%であった。
(動的粘弾性測定(DMA))
粘弾性特性はTAインスツルメンツのねじれ方式動的粘弾性測定装置、AR-2000ex及びARES-G2を用いて、測定した。断りがない限り、測定の温度は室温の25℃である。CNT30の試料は、滑り止めのギザギザの表面の2枚のステンレス鋼平行板の間に固定した。ステンレス鋼は高温試験に耐性であるため選択し、試験中、熱膨張は補正した。循環試験は正弦関数の応力/歪みパターンを用いた振幅モードで実施した。DMAには150℃から600℃の温度で試験可能な加熱冷却装置を用意した。
図27及び図28は粘弾性ねじれ剪断モードのDMA試験を示す。図27は、異なる正弦関数の応力又は歪みのはねじれモード(剪断)DMA試験の模式図である。図28は応力-歪み関係から計算した粘弾性特性を示す。
図27(a)及び図27(b)に示すように、正弦関数の応力を試料に加え、合力の正弦関数の歪を測定する、ねじれモードでの動的振動試験を用いた。応力-歪みループのループに相当する2つの正弦波の間に中間位相角δが存在する。貯蔵弾性率G’は弾性要素であり、試料の剛性を示す。損失弾性率G”は粘性要素であり、試料のエネルギー散逸能力を示す(図28)。
表1及び図29にCNT集合体100の粘弾性特性の定量結果を示す。図29(a)は室温でのCNT集合体100のStorage Modulus(貯蔵弾性率)、Loss Modulus(損失弾性率)及びDamping Ratio/Tan(delta)(損失正接)の周波数依存性の試験結果を示す図であり、表1はその代表的な周波数における貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。比較例としてシリコンゴム900を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 
図29(a)及び表1に示したように、CNT集合体100がシリコンゴムと同様の粘弾性の挙動を保持すること(貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接)がわかる。CNT集合体100は0.1以上25Hz以下の範囲で変動幅の少ない、いわば一定の粘弾性特性を示した。CNT集合体100の貯蔵弾性率(1MPa)はシリコンゴム(1MPa)と同様であったが、損失弾性率(0.3MPa)と損失正接(0.3MPa)は2倍高く、周波数範囲全体にわたりエネルギー散逸能が優れている。
ここで、図20(b)を参照して、本発明の本実施例に係るCNT集合体100の歪みとヘルマンの配向係数(HOF)の関係について説明する。HOFの計算は、CNT集合体100を1万倍の倍率で横方向(厚み方向)から観察した走査型電子顕微鏡画像から計算したFFT画像から計算した。た走査型電子顕微鏡画像は、CNT集合体の厚みの中心部で行い、異なる5つの場所から、1万倍の倍率で5枚の画像を得た。HOFは5枚の画像から得られた、それぞれのHOFの平均値とした。
また、表2に各歪みに対するHOFを示す。HOFは、歪みがない、初期状態では、0.06であり、CNT集合体100が質的に無配向であるか、低い配向性しか有さないことを示す。また、100%歪みまでは、HOFは歪みとともに単調に増加した。100%歪み以上では、HOFは増加せず、0.5の略一定の値となった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 
図30は低温から高温に渡る広い温度範囲でのCNT集合体100と、比較例として従来のシリコンゴム900の粘弾性特性を示す図である。図30(a)はCNT集合体100(黒線)とシリコンゴム900(灰色線)の貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接の温度依存性を示す。表3はCNT集合体100の代表的な温度における貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。また、表4は従来のシリコンゴム900の代表的な温度における貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。シリコンゴム900は、400℃を超えると融解するため、図30(a)及び表4において、これ以上の温度条件での測定結果は示していない。図30(a)、表3及び表4に示したように、粘弾性の特徴をN環境下でDMAにより測定した結果、シリコンゴム900が大きな変化を示したのに対して、CNT集合体100では非常に広い温度範囲(-140℃以上600℃以下)にわたりほぼ一定であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 
温度範囲を広げるため、図30(b)に示したように、-196℃、25℃及び1000℃で鉄のボールを用いて衝突試験を実施し、ボールの軌跡を解析した。ボールの軌跡は、SEMと3-Dマッピングにより観察し、すべての例で同様であった。図30(c)に示したように、DMA、振動絶縁及び衝突試験の結果を組合せると、-196℃から1000℃の全温度範囲にわたり、同様の粘弾性特性を有すると考えられる。
次に、粘弾性特性について、周波数と熱安定性との関係について検討した。図31は-140℃以上600℃以下の温度条件下、0.1以上100Hz以下の周波数でのCNT集合体100の粘弾性特性を示し、図31(a)は貯蔵弾性率を、図31(b)は損失弾性率を、図31(c)は損失正接をそれぞれ示す。また、表5~7は各温度における代表的な周波数での貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
 
DMAの結果、CNT集合体100は0.1以上100Hz以下の周波数において、貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接は室温のシリコンゴムと同様に、略一定であった。また、CNT集合体100は-140℃以上600℃以下の温度範囲において、同様の周波数安定性を示した。
また、粘弾性特性について、温度と歪みとの関係について検討した。図32は-140℃以上600℃以下の温度条件下、1%以上1000%以下の歪みでのCNT集合体100の粘弾性特性を示し、図32(a)は貯蔵弾性率を、図32(b)は損失弾性率を、図32(c)は損失正接をそれぞれ示す。また、表8~10は各温度における代表的な周波数での貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
 
DMAの結果、CNT集合体100の臨界歪み、すなわち可逆的な変形が可能な最大歪みは、室温のシリコンゴムと同様に、5%以下であった。また、-140℃以上600℃以下の温度範囲において、CNT集合体100は同レベルの可逆的な変形を維持した。シリコンゴムは、-60℃~-70℃でもろくなり(耐歪み特性は0.3%未満)、350℃より高温では軟化するため、-140℃以上600℃以下の温度範囲での試験は行えない。-140℃以上600℃以下の温度範囲では、破壊歪みは50%以上100%以下で変動した。熱膨張または熱収縮による大きな歪みでは、測定ヘッドの間隔が不安定になることが原因で、このような変動が生じると予想される。
より、高温、低温での粘弾性を示すために、図33(a)のような振動絶縁装置として、図33(b)に示す振動モータと土俵の模型の間にCNT集合体100を配置した。振動モータで50Hzの振動を発生させて実験を行った。図34に振動実験の様子を示す。図34(a)は、振動絶縁装置として両面テープ800を、図34(b)はCNT集合体100を、図34(c)はシリコンゴム900をそれぞれ配置した。図34(a)~図34(c)に示すように、CNT集合体100は、シリコンゴム900と同様に、効果的に振動を分離した。加えて、土俵に配置したLEDの発光により、振動絶縁装置の導電性を評価したが、CNT集合体100は定電力の導電性を示し、安定に機械的、電気的接続を維持することを示した。
また、上述のような安定した粘弾性が極端な温度条件でも維持されるかを検証した。図35(a)は-190℃での実験結果を示し、図35(b)は900℃での実験結果を示す。図35に示したように、CNT集合体100は室温で観察されたのと同様に、例えば、液体窒素につけたり(-190℃)、ブタンのトーチに曝したり(900℃以上、)する極端な温度でも室温と同様な、安定した粘弾性を示した。
図29(b)は室温でのCNT集合体100とシリコンゴム900の歪み依存性を示す図であり、表2はその代表的な歪みにおける貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。図29(b)及び表2に示すように、CNT集合体100の歪みの範囲を調べるために、粘弾性特性の歪み依存性について検討した。シリコンゴム900と同様に、CNT集合体100の貯蔵弾性率は5%までの歪み(臨界歪み)まで変動幅が少なく、いわば一定であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
 
図29(c)はCNT集合体100(1%歪み、20Hz、10サイクル)の疲労試験を示す図であり、表3はその代表的な試験サイクルにおける貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。10サイクル後の貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接は、1サイクル目に比して10%以内の変化にとどまっていた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
 
図29(d)は疲労試験(10サイクル目、10サイクル目及び目)の応力-歪み曲線である。図29(c)、図29(d)及び表12から明らかなように、1%の歪みで1,000,000回後でも同一の周期的な挙動であることにより立証されるように、この歪み以下では変形が可逆的であることを意味する。
(臨界歪と破壊歪の測定)
図36は歪みの関数として貯蔵弾性率と応力を示す。図36のγで示すように、臨界歪みは応力と歪みとの関係が非線形になる点で定義する。定義により、破損歪みは一定状態(線形の応力-歪み領域)の貯蔵弾性率の傾きの交点であり、大きな歪みでは貯蔵弾性率の最終領域である。CNT集合体100の破壊歪みは、100%以下と推定され、シリコンゴム(200%以下)より低い。
(大きな歪み振幅での循環試験と構造観察)
図37は、大きな歪み振幅での循環試験と構造観察を示す。図37(a)は20%歪みでのCNT集合体100の粘弾性特性を示し、図37(b)は20%歪みでの異なるサイクルでのCNT集合体100の応力-歪み曲線を示す。また、表13は、その代表的な試験サイクルにおける貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。1000サイクル後の貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接は、1サイクル目に比して10%以内の変化にとどまっていた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
 
図37(c)は100%歪みでのCNT集合体100の粘弾性特性を示し、図37(d)は100%歪みでの異なるサイクルでのCNT集合体100の応力-歪み曲線を示す。表14に、その代表的な試験サイクルにおける貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。また、図38(a)は20%で歪ませた1サイクル目と1000サイクル目のCNT集合体100のSEM画像である。図38(b)は100%で歪ませた1サイクル目と1000サイクル目のCNT集合体100のSEM画像である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
 
図37(a)~図37(d)、表13及び表14からわかるように、CNT集合体100は、20%歪みでの1000サイクル試験においては相対的に安定な挙動を示したが、100%歪みでの1000サイクル試験後には、機械的な特性が明らかに崩壊した。20%歪みでの1000サイクル後の貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接は、1サイクル目に比して10%以内の変化にとどまっていた。一方、100%歪みでの1000サイクル後の貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接では、1サイクル目に比して大きく変化した。また、図38(a)に示したように、20%歪みでの1000サイクル後のCNT集合体100の構造は1サイクル目と比較してほとんど変化しない。一方、図38(b)に示したように、CNT集合体100のランダムなネットワークは100%歪みでの1000サイクル後に破壊し、その構造は高度に配向し、接触域がほとんど観察されない。これは、接触域がCNT集合体100の機械的な特性の主要な因子であるとするモデルを結論づけるものである。また、「着脱可能な」接触域の減少のため、配向性が高まるに連れて、この特性は低下した。
(疲労耐性)
また、-140℃以上600℃以下の温度範囲におけるCNT集合体100の疲労耐性について検討した。図24は1%歪み、100Hz、10サイクルの繰り返し試験の結果を示し、図39(a)は-140℃、図39(b)は25℃、図39(c)は600℃での結果をそれぞれ示す。また、図39(d)は-140℃、図39(e)は25℃、図39(f)は600℃での、10サイクル目、10サイクル目及び10サイクル目の疲労耐性試験の応力-歪み曲線をそれぞれ示す。表15~17はその代表的な試験サイクルにおける貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失正接を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
 
疲労耐性試験の結果、図39(b)及び図39(e)に示したように、25℃ではCNT集合体100は優れた疲労耐性を示し、1%歪みで10サイクル目以降でも略一定の粘弾性率と応力-歪み曲線を示した。また、図39(a)、図39(c)、図39(d)及び図39(f)に示したように、CNT集合体100は-140℃及び600℃においても同様の粘弾性率とサイクル特性を示し、同様の疲労耐性が確認された。既存の粘弾性体では、高温での内部熱及び低温での弾性の喪失により疲労耐性が低下するので、CNT集合体100の結果は予想外の現象である。これらの結果から、既存の粘弾性体とは異なり、CNT集合体100の粘弾性特性は上述の温度範囲において、温度不変的であり、異なる機構を有することを暗示するものである。
さらに、上述の疲労耐性試験前と10サイクル後のCNT集合体100の微細構造を比較した。図40(a)は疲労耐性試験前、図40(b)~図40(d)は10サイクル後のSEM画像によるCNT集合体100の微細構造の観察結果を示し、図40(b)は-140℃、図40(c)は25℃、図40(d)は600℃での結果をそれぞれ示す。図40(e)は、疲労耐性試験前及び10サイクル後のヘルマンの配向係数の計算値を示す。差し込み図は、SEM画像の2-D高速フーリエ計算を示す。
図40(a)~図40(e)から明らかなように、CNT集合体100の微細構造は長期間の疲労耐性試験後においても不変的であり、極端な温度条件下でも機械的挙動の安定性を維持している。ここで、疲労耐性試験前及び10サイクル後の各温度でのCNT集合体100のヘルマンの配向係数は、それぞれ、試験前で0.15、-140℃試験後で0.18、25℃試験後で0.14、600℃試験後で0.14であった。
本発明の本実施例に係るCNT集合体100は、非常に広範な温度範囲において、Strage Modulus(貯蔵弾性率)、Loss Modulus(損失弾性率)温度依存性がなく一定であり、また、Damping Ratio/Tan(delta)(損失正接)も一定である。本発明の本実施例に係るCNT集合体100は、極端な温度でも温度依存性がなく安定した粘弾性を示す、衝撃吸収性に優れたCNT集合体である。
(損失弾性率の推定)
次に、接触域の開閉によるエネルギー散逸モデルの妥当性について言及するために、損失弾性率を推定した。歪み方向に垂直に配向した画分を説明するために、接触域の損失弾性率(G”)は、全体の接触域の総和に、開くための接触域当たりのエネルギーを掛け、形態係数、<cosθ>を掛けて概算した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000019
 
2つのCNTが開くための単位長さ当たりのファンデルワールス吸着エネルギー、EvdW、接触域の密度、N、接触域の長さ、l=150nm(TEMによる)、剪断歪及び割合、それぞれγ及びγ(・)、歪みの角振動数、ω、及び接触域と、歪みに垂直な方向との間の角度、θ。ファンデルワールス吸着エネルギー、EvdWはレナード-ジョーンズ・ポテンシャル(Lennard-Jones potential)を受けて2つの平行な円柱の結合エネルギーからの計算値として0.36nJ/mと推定される。CNT接触域の密度(4.5×1015/cm)は、CNTのバルク密度(0.009g/cm)と個々のCNTの密度(1.5×1013/cm)から推定したCNTの密度(4.24×1010/cm)と、TEM画像によって得た濃度頻度(1/300nm)のより推定したCNT当たりの接触域の密度(2.12×10/CNT)を掛けることで推定した。これらの値を用いて、計算されたG”は0.51MPaであり、接触域での開いているファンデルワールス相互作用から生じたエネルギー散逸を示す実験値(0.3MPa)とよく一致した。エネルギーを散逸するためのこの機構は、エネルギーが分子運動により散逸するゴムとは異なる。
(着脱可能な接触域の測定)
上述したように、図41は構造体のTEM観察から接触域を測定した。図41(a)は白でマークした接触域を示すCNT集合体100のTEM画像である。図41(b)は接触域と歪の配向関係を示す模式図である。図41(c)は成長した状態のCNTアセンブリの写真である。図41(d)は個々のCNT構造の模式図である。
TEM観察は、三次元のハイウェイ系のように各CNTが多くの他のCNTと接触し、模式図の無数の平行な接触が形成されたCNT間構造である接触域を示す。これらの接触域はゴムの固定した架橋に似ているが、開閉により着脱可能である。図41(a)に示すように、着脱可能な接触域の平均長は、150nm以下隔てられた150nm以下と実験的に決定した。着脱可能な接触域は、歪みとの配向との関係を示すように、三次元空間にランダムに分布していた(図41(b))。
図41(c)に示したように、成長した状態のCNT試料は4.5nmで、100%まで歪んだ。CNTの密度は、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000020
 
と見積もられる。ここで、CNT集合体の質量密度はρ、CNTの長さ当たりの質量はλである。図41(d)に示したように、CNTの曲線をなすパスを考え、歪みの制限によって決定した曲線因子を示すためにα=1.141を用いた。個々のCNTは6.36mm以下と見積もられ、CNT当たりの着脱可能な接触域の数は
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000021
 
と見積もられた。このように、接触域の密度は、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000022
 
と見積もられた(接触域はCNTの組からなる)。
(着脱可能な接触域からのエネルギー散逸)
損失弾性率を求めるために、まず損失弾性率を定義する。損失弾性率は、総散逸エネルギーが同一な接触域の和であるととらえ、角度のある要素が分離可能であると概算することで、以下の損失弾性率の概算(式(1))に到達できる。したがって、この式は3つの要素からなる。前因子は、歪み振幅γ、歪み率γ(・)及び角振動数ω(損失弾性率が一定であると認められる実験条件から得た(図29(b)))のような実験条件を示す。2つの部分の積分は、エネルギー散逸に関わる各方向の接触域を仮定する開く過程からのCNT集合体100の総エネルギー損失を示す。歪み方向に垂直に配向した接触域だけがエネルギー散逸に関与するので、単純な形態係数<cosθ>が歪み方向に垂直な平均的な配向を説明するために導入される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000023
 
 ・・・(1)
 
ここで、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000024
 
で、接触域と歪みに垂直な方向との間の角度はθである。
図42にCNT集合体のラマンスペクトルを示す。ラマンスペクトルは、532nmの励起波長を用いて測定した。CNTの直線性(結晶性)は、ラマンスペクトルのG/D比で評価できる。
本発明のCNT集合体は、鋭いGバンドピークが1590カイザー近傍で観察され、これより本発明のCNT集合体を構成するCNTにグラファイト結晶構造が存在することが分かる。また欠陥構造などに由来するDバンドピークが1340カイザー近傍で観察されている。
図43(a)及び図43(c)に本発明の本実施例に係るCNT集合体100の応力・歪み挙動を示す。CNT集合体100は破壊することなく3倍の歪みに耐えた。一方、高度に配向したCNT配向集合体700について同様の歪を加えると破断した(図43(b))。
図44に示すうように、定量的に、動的粘弾性測定(DMA)から応力・歪み挙動は、例えば、シリコンゴムのような、粘弾性、エネルギー散逸及び変形しやすい物質に典型的な突然の変化なしに、100%歪みまで高度な非線形と閉じたヒステリシスを示した。CNT集合体100のヒステリシスループの大きな囲まれた領域は、シリコンゴムより高いエネルギー散逸能を有することを意味する。
 10 基板、 20 触媒粒子、 30 CNT、 35 接触域、100 本発明に係るCNT集合体、200 本発明に係る積層体、210 基材、700 CNT配向集合体、800 両面テープ、900 シリコンゴム

Claims (28)

  1. 複数本のCNTで構成されるCNT集合体であり、
    (1)該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)が10Pa以上10Pa以下であり、
    (2)該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)が10Pa以上~10Pa以下であり、
    (3)該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失正接(tanδ(=G25℃”/G25℃’))が10-3以上1以下であり、かつ、
    (4)該CNT集合体の液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径の分布極大が50nm以下であることを特徴とするCNT集合体。
  2. 前記CNT集合体は、100%剪断歪み下でのヘルマンの配向係数が、剪断歪みを加えない時のヘルマンの配向係数と比較して20%以上増加することを特徴とする請求項1に記載のCNT集合体。
  3. 前記CNT集合体は、50%以上500%以下の剪断歪領域内に、HOFが略一定となる歪みを備えることを特徴とする請求項1に記載のCNT集合体。
  4. 前記CNT集合体は、ヘルマン配向係数が0.01以上0.4以下の部位を有することを特徴とする請求項1に記載のCNT集合体。
  5. 請求項1に記載のCNT集合体を複数積層してなるCNT集合体。
  6. 請求項1に記載のCNT集合体を備える積層体。
  7. 前記CNT集合体を基材の上に設置してなる請求項6記載の積層体。
  8. 前記CNT集合体を基材の上下に設置してなる請求項6記載の積層体。
  9. 複数本のCNTで構成されるCNT集合体であり、該CNT集合体は、
    分布極大が50nm以下の液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径を備え、かつ、
    該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)と、100以上1000℃以下の温度範囲内の貯蔵弾性率(Gx℃’)との比(Gx℃’/G25℃’)が0.75以上1.5以下を備える貯蔵弾性率(Gx℃’)が100以上1000℃以下の温度範囲において存在し、かつ、周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)と、100以上1000℃以下の温度範囲内の損失弾性率(Gx℃”)との比(Gx℃”/G25℃”)が0.75以上1.5以下を備える損失弾性率(Gx℃”)が100以上1000℃以下の範囲において存在することを特徴とするCNT集合体。
  10. 前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.8以上1.2以下であることを特徴とする請求項9に記載のCNT集合体。
  11. 前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.85以上1.1以下であることを特徴とする請求項9に記載のCNT集合体。
  12. 前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)が10以上10Pa以下である請求項9に記載のCNT集合体。
  13. 前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)が10以上10Pa以下である請求項9に記載のCNT集合体。
  14. 前記CNT集合体は、ヘルマン配向係数が0.01以上0.4以下の部位を有することを特徴とする請求項9に記載のCNT集合体。
  15. 請求項9に記載のCNT集合体を複数積層してなるCNT集合体。
  16. 請求項9に記載のCNT集合体を備える積層体。
  17. 前記CNT集合体を基材の上に設置してなる請求項16記載の積層体。
  18. 前記CNT集合体を基材の上下に設置してなる請求項16記載の積層体。
  19. 複数本のCNTで構成されるCNT集合体であり、該CNT集合体は、
    分布極大が50nm以下の液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径を備え、
    該CNT集合体は、周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)と、-200~0℃の温度範囲内の貯蔵弾性率(Gx℃’)との比(Gx℃’/G25℃’);0.75~1.5を備える貯蔵弾性率(Gx℃’)が-200~-0℃の範囲において存在し、かつ周波数1Hzの剪断モードで動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)と、-200~-0℃の温度範囲内の損失弾性率(Gx℃”)との比(Gx℃”/G25℃”);0.75~1.5を備える貯蔵弾性率(Gx℃”)が-200~-0℃の範囲において存在することを特徴とするCNT集合体。
  20. 前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.8以上1.2以下であることを特徴とする請求項19に記載のCNT集合体。
  21. 前記比(Gx℃’/G25℃’)および前記比(Gx℃”/G25℃”)が0.85以上1.1以下であることを特徴とする請求項19に記載のCNT集合体。
  22. 前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での貯蔵弾性率(G25℃’)が10以上10Pa以下である請求項19に記載のCNT集合体。
  23. 前記周波数1Hzの剪断モードでの動的粘弾性測定により得られる25℃での損失弾性率(G25℃”)が10以上10Pa以下である請求項19に記載のCNT集合体。
  24. 前記CNT集合体は、ヘルマン配向係数が0.01以上0.4以下の部位を有することを特徴とする請求項19に記載のCNT集合体。
  25. 請求項19に記載のCNT集合体を複数積層してなるCNT集合体。
  26. 請求項19に項記載のCNT集合体を備える積層体。
  27. 前記CNT集合体を基材の上に設置してなる請求項26記載の積層体。
  28. 前記CNT集合体を基材の上下に設置してなる請求項26記載の積層体。
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