WO2012013426A1 - Light source and method for producing a light source - Google Patents

Light source and method for producing a light source Download PDF

Info

Publication number
WO2012013426A1
WO2012013426A1 PCT/EP2011/060346 EP2011060346W WO2012013426A1 WO 2012013426 A1 WO2012013426 A1 WO 2012013426A1 EP 2011060346 W EP2011060346 W EP 2011060346W WO 2012013426 A1 WO2012013426 A1 WO 2012013426A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
light source
mounting surface
reflector layer
emitting semiconductor
Prior art date
Application number
PCT/EP2011/060346
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Jürgen Moosburger
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of WO2012013426A1 publication Critical patent/WO2012013426A1/en

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/238—Arrangement or mounting of circuit elements integrated in the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • F21V23/004—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board
    • F21V23/005—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board the substrate is supporting also the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/10—Construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/24—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/28—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/04—Optical design
    • F21V7/05—Optical design plane
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components

Definitions

  • At least one object of certain embodiments is to specify a light source with at least one light-emitting semiconductor chip. Another object of certain embodiments is to provide a method of manufacturing such a light source.
  • a light source has a carrier with a mounting surface, on which at least one light-emitting semiconductor component is arranged.
  • the carrier may be, for example, a
  • Be contact carrier which has a base body made of an electrically insulating material, in or on the electrical connection points, contact points and / or traces are applied or applied.
  • the carrier can be used as a circuit board with electrical contacts for be formed electrical connection of the at least one light-emitting semiconductor chip.
  • the carrier may be particularly preferably designed as a printed circuit board (PCB) or as a metal core printed circuit board (MCPCB), for example as a so-called FR4 board.
  • the light-emitting semiconductor component may be particularly suitable for light in a wavelength range of
  • the light-emitting semiconductor component can emit monochromatic or mixed-color light, particularly preferably white light.
  • the light-emitting semiconductor component can, for example, also comprise a dye which can convert at least a part of the radiation generated by the semiconductor layer sequence into light with a different wavelength, so that the semiconductor component can emit mixed-colored light.
  • Semiconductor component may be formed in particular as an epitaxially grown semiconductor layer sequence or an epitaxially grown semiconductor layer sequence
  • the semiconductor layer sequence can be embodied in particular as a semiconductor chip.
  • the semiconductor layer sequence may comprise an arsenide, phosphide and / or nitride compound semiconductor material, which is formed in accordance with the desired light in terms of its composition and in terms of its layer structure.
  • the light-emitting semiconductor component can in particular be designed as a light-emitting diode (LED).
  • the emitting semiconductor component can have, for example, a housing body into which the epitaxially
  • the semiconductor light-emitting device may also be epitaxially grown
  • Semiconductor layer sequence may be mounted in the form of a semiconductor chip directly on the carrier without a housing body.
  • the light-emitting semiconductor device is on the
  • Semiconductor component can be attached to the mounting surface of the carrier, for example, by soldering and electrically connected to electrical terminals of the carrier.
  • the light source has a reflector layer, which is arranged on the light-emitting semiconductor component and the mounting surface, and which has a matrix material with reflective particles. Above the light-emitting surface of the light
  • Reflector layer has an opening through which the from the Light emitting surface of the semiconductor device radiated light can be transmitted. That the
  • Reflector layer is disposed on the semiconductor device may for example also mean that the
  • Semiconductor device is disposed in the opening of the reflector layer and the reflector layer adjacent to
  • the reflector layer may have, in particular as a matrix material, a silicone. Furthermore, the reflector layer may alternatively or additionally comprise as matrix material an epoxy, acrylate and / or imide.
  • the reflective particles of the reflector layer may in particular comprise titanium oxide and / or zirconium oxide. The reflective particles can be so in terms of their size, structure,
  • Composition and their material may be chosen so that the light emitted from the semiconductor light emitting device light can be reflected as best as possible.
  • the light source has a translucent cover over the mounting surface and the light emitting surface of the light emitting
  • the translucent cover can diffuse in particular for the light of the semiconductor chip
  • Cover be formed for example of a plastic or glass and reflector particles, be roughened and / or be covered with a diffuser layer or film. Due to the translucent cover, it may be possible for the light-emitting semiconductor component not to be directly visible and recognizable through the cover and for the light source to have a uniform luminous impression taught.
  • the translucent cover can be used both for light scattering and at the same time for protecting the at least one light-emitting semiconductor component on the
  • the translucent cover Due to the translucent cover, however, it may be possible for light emitted by the semiconductor component in the direction of the cover to be reflected by the latter back toward the mounting surface. Because the reflector layer is arranged on the light-emitting semiconductor component and the mounting surface, it is possible to prevent the back-reflected light from being avoided
  • the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not be designed as a circuit board, for example, the carrier could not
  • Components are arranged which can absorb the light emitted by the semiconductor device light.
  • Reflector layer it is possible that the light reflected back from the cover is reflected back to this, so that increases the likelihood that this light can pass through the cover and thus emitted from the light source to the outside. Due to the reflector layer thus efficiency losses in
  • a plurality of light-emitting semiconductor components can be arranged on the mounting surface, which in each case can emit light via a light emission surface during operation.
  • Semiconductor devices can light with the same wavelength or the same wavelength range or with different wavelengths or different
  • the reflector layer has over each light emitting surface of the plurality of light
  • emitting semiconductor devices each have an opening.
  • At least one or more electronic components may be arranged on the mounting surface, which may be selected from resistors, capacitors,
  • Coils, IC chips, transistors and other electronic components Coils, IC chips, transistors and other electronic components.
  • Electronic components can in particular as
  • Control electronics for the at least one light emitting semiconductor device executed and interconnected.
  • the at least one or the plurality of electronic components are also covered by the reflector layer, so that, as described above, it can be avoided that light reflected from the translucent cover, which could strike an electronic component, is absorbed by the latter.
  • the mounting surface can be completely covered by the reflector layer.
  • this may mean that the wearer on the side of the mounting surface with all the components, that is, all the light-emitting
  • the advantage can result from the fact that the emission characteristic of the light emitted by the at least one light-emitting semiconductor component does not come from the reflector layer
  • the light flux of the one or more light-emitting semiconductor components is advantageously at least largely unaffected by the one or more openings above the one or more light emission surfaces. This may be possible, for example, by virtue of the fact that in the area of the openings
  • the reflector layer by being adapted to the surface course of the mounting surface with the components mounted thereon, has good adhesion to it, as a result of which the mechanical stability of the device comprising the carrier and the components mounted thereon with the
  • Reflector layer can improve.
  • the reflector layer can, for example, as a film
  • the reflector layer may be a silicone-based film filled with the above-mentioned reflective particles, which means that the film has a silicone matrix material into which the
  • Such a film may also have the advantage that it is particularly easy to the surface course of the mounting surface with the on it
  • the film After the application of the film such that the light emission surface of the at least one light-emitting semiconductor component remains uncovered due to an opening in the film, the film can
  • the opening can already be formed in the film prior to application or can only be shaped after application by a patterning process.
  • Bi-Stage film According to another embodiment of a method for producing the light source described above, the
  • Reflector layer as a liquid material with the
  • the reflector layer or the liquid material can be dropped such that in the manner described above the entire mounting surface is covered except for the light emission surface of the at least one light-emitting semiconductor component. Subsequently, the liquid material can be cured with the reflective particles, in which case a film can be formed.
  • the reflector layer may adhere to the mounting surface, adhere to it, be networked with the mounting surface and / or connected.
  • the respective material of the mounting surface and the reflector layer can thereby
  • the light source may comprise a housing, wherein the translucent cover may be part of this housing.
  • the carrier, the at least one light-emitting semiconductor component and the reflector layer can be arranged in the housing.
  • the housing may be formed as a so-called retrofit housing, which means that the housing plug contacts or
  • the light source described here can be designed as a so-called LED retrofit lamp, in the thanks the reflector layer has an internal reabsorption of light through the mounting surface or the mounted thereon
  • Components can be prevented, so compared to known corresponding retrofit lamps a
  • Figure 1 is a schematic representation of a light source
  • Figures 2A and 2B are schematic representations a
  • Figure 3 is a schematic representation of a light source
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment of a light source 100 which has a carrier 1.
  • the carrier 1 is designed as a board, in particular as a FR4 board, which has a mounting surface 10.
  • a light-emitting semiconductor device 2 On the mounting surface 10 is a light-emitting semiconductor device 2
  • the light-emitting semiconductor device 2 is grown epitaxially
  • Semiconductor layer sequence in the form of a semiconductor chip, which is arranged directly on the carrier 1, ie without a housing body.
  • semiconductor component 2 can emit light during operation via a light emitting surface 20, which is turned away from the carrier.
  • the semiconductor device 2 can also be used as a light-emitting diode in the form of a semiconductor chip
  • a housing body preferably a preformed housing body, mounted and electrically
  • a translucent cover body 3 is arranged, which is formed of a plastic and the light emitting from the semiconductor device 2
  • the translucent cover 4 serves at the same time for a diffuse scattering and homogenization of the light radiated from the semiconductor component 2 as well as for the protection of the semiconductor component on the carrier 1. However, a certain part of the light radiated from the semiconductor component 2 becomes again from the cover 4 in the direction of the mounting surface 10 reflected back. To one To avoid absorption of this light by the mounting surface 10 is on the mounting surface 10 and the light
  • Reflector layer 3 is designed as a silicone-based film, with the reflective particles of titanium oxide and / or
  • Zirconia is filled and the entire surface of the mounting surface 10 and the semiconductor device 2 except for the Lichtabstrahl Treatment 20.
  • the reflector layer 3 is applied as partially crosslinked silicone film such that the opening 30 is located above the light emitting surface 20.
  • the reflector layer 3 is readily deformable in this state and therefore adapts well to the surface profile of the mounting surface 10 and of the light-emitting semiconductor component 2 in comparison with known rigid reflector plates.
  • the reflector film 3 is completely cross-linked and cured, whereby a good adhesion of
  • one of the other materials described in the general part may additionally or alternatively be used.
  • the reflector layer 3 as in the preceding
  • FIGS. 2A and 2B show a further exemplary embodiment of a light source 200.
  • the illustration in FIG. 2B corresponds to the view of the mounting surface 10 of FIG.
  • Reflector layer 3 and the cover 4 are shown. The following description refers equally to Figs. 2A and 2B.
  • the light source 200 has a plurality of light-emitting
  • LEDs Semiconductor chips are executed, ie as LEDs, which have a housing body in which a semiconductor layer sequence is arranged. Furthermore, the semiconductor components 2 of the respective semiconductor layer sequence downstream of a dye, wherein the semiconductor layer sequences and the dyes are selected such that the
  • Semiconductor devices 2 each emit white light.
  • one or more or all of the semiconductor devices 2 may also be mounted as unhoused semiconductor chips directly on the mounting surface.
  • electrical components 6 are arranged on the mounting surface 10 of the carrier 1, the one
  • Each of the semiconductor devices 2 has a
  • Reflector layer 3 arranged such that the mounting surface 10 and the components mounted thereon, so the light emitting semiconductor devices 2 and the electronic components 6, are completely covered, wherein the
  • Reflector layer 3 via the light outcoupling surfaces 20 of the semiconductor devices 2 each having an opening 30. Above the mounting surface 10 and the light emitting
  • Semiconductor devices 2 is again a translucent
  • the reflector layer 3 can increase the light extraction efficiency by about 5%.
  • FIG. 3 shows a further exemplary embodiment of a light source 300, which has a housing 5.
  • the housing 5 is designed as a so-called retrofit housing and has an electrical screw thread connection for conventional lamp sockets.
  • the housing 5 are the
  • Reflector layer 3 arranged according to the previous embodiment, wherein the translucent cover 4 forms a part of the housing 5.
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention includes any novel feature and any combination of features, which in particular includes the combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly in the

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

A light source is specified, comprising a carrier (1) having a mounting surface (10), at least one light-emitting semiconductor component (2) on the mounting surface (10), said at least one light-emitting semiconductor component having a light emission surface (20) facing away from the carrier (1), and a reflector layer (3) on the light-emitting semiconductor component (2) and the mounting surface (10), which comprises a matrix material with reflective particles and which has an opening (30) above the light emission surface (20). Furthermore, a method for producing a light source is specified.

Description

Beschreibung description
Lichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle Light source and method for producing a light source
Im Folgenden werden eine Lichtquelle sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle angegeben. In the following, a light source and a method for producing a light source are indicated.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 032 836.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German patent application 10 2010 032 836.7, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, eine Lichtquelle mit zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterchip anzugeben. Eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Lichtquelle anzugeben. At least one object of certain embodiments is to specify a light source with at least one light-emitting semiconductor chip. Another object of certain embodiments is to provide a method of manufacturing such a light source.
Diese Aufgaben werden durch einen Gegenstand und ein These tasks are covered by an object and a
Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands sind in den abhängigen Ansprüchen Method solved with the features of the independent claims. Advantageous embodiments and further developments of the subject matter are defined in the dependent claims
gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor. and continue to be apparent from the following description and the drawings.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine Lichtquelle einen Träger mit einer Montagefläche auf, auf der zumindest ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angeordnet ist. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen In accordance with at least one embodiment, a light source has a carrier with a mounting surface, on which at least one light-emitting semiconductor component is arranged. The carrier may be, for example, a
Anschlussträger handeln, der einen Grundkörper aus einem elektrisch isolierenden Material aufweist, in den oder auf dem elektrische Anschlussstellen, Kontaktstellen und/oder Leiterbahnen ein- bzw. aufgebracht sind. Besonders bevorzugt kann der Träger als Platine mit elektrischen Kontakten zum elektrischen Anschluss des zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterchips ausgebildet sein. Dazu kann der Träger besonders bevorzugt als Leiterplatte ("printed circuit board", PCB) oder als Metallkernplatine („metal core printed circuit board", MCPCB) , beispielsweise als so genannte FR4- Platine, ausgeführt sein. Be contact carrier, which has a base body made of an electrically insulating material, in or on the electrical connection points, contact points and / or traces are applied or applied. Particularly preferably, the carrier can be used as a circuit board with electrical contacts for be formed electrical connection of the at least one light-emitting semiconductor chip. For this purpose, the carrier may be particularly preferably designed as a printed circuit board (PCB) or as a metal core printed circuit board (MCPCB), for example as a so-called FR4 board.
Das Licht emittierende Halbleiterbauelement kann insbesondere geeignet sein, Licht in einem Wellenlängenbereich von The light-emitting semiconductor component may be particularly suitable for light in a wavelength range of
ultravioletter Strahlung bis infraroter Strahlung, besonders bevorzugt von sichtbarem Licht, abzustrahlen. Dabei kann das Licht emittierende Halbleiterbauelement einfarbiges Licht oder auch mischfarbiges Licht abstrahlen, besonders bevorzugt weißes Licht. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement kann dazu beispielsweise auch einen Farbstoff aufweisen, der zumindest einen Teil der von der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Strahlung in Licht mit einer anderen Wellenlänge umwandeln kann, sodass das Halbleiterbauelement mischfarbiges Licht abstrahlen kann. Das Licht emittierende ultraviolet radiation to infrared radiation, more preferably visible light. In this case, the light-emitting semiconductor component can emit monochromatic or mixed-color light, particularly preferably white light. For this purpose, the light-emitting semiconductor component can, for example, also comprise a dye which can convert at least a part of the radiation generated by the semiconductor layer sequence into light with a different wavelength, so that the semiconductor component can emit mixed-colored light. The light-emitting
Halbleiterbauelement kann insbesondere als epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge ausgebildet sein oder eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge Semiconductor component may be formed in particular as an epitaxially grown semiconductor layer sequence or an epitaxially grown semiconductor layer sequence
aufweisen. Die Halbleiterschichtenfolge kann insbesondere als Halbleiterchip ausgeführt sein. Die Halbleiterschichtenfolge kann ein Arsenid-, Phosphid- und/oder Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial aufweisen, das hinsichtlich seiner Zusammensetzung und hinsichtlich seines Schichtaufbaus entsprechend dem gewünschten Licht ausgebildet ist. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement kann insbesondere als Licht emittierende Diode (LED) ausgebildet sein. Das Licht exhibit. The semiconductor layer sequence can be embodied in particular as a semiconductor chip. The semiconductor layer sequence may comprise an arsenide, phosphide and / or nitride compound semiconductor material, which is formed in accordance with the desired light in terms of its composition and in terms of its layer structure. The light-emitting semiconductor component can in particular be designed as a light-emitting diode (LED). The light
emittierende Halbleiterbauelement kann dazu beispielsweise einen Gehäusekörper aufweisen, in den die epitaktisch For this purpose, the emitting semiconductor component can have, for example, a housing body into which the epitaxially
gewachsene Halbleiterschichtenfolge, also der Halbleiterchip, montiert und gegebenenfalls in ein Vergussmaterial eingebettet ist. Alternativ dazu kann das Licht emittierende Halbleiterbauelement auch als epitaktisch gewachsene grown semiconductor layer sequence, ie the semiconductor chip, mounted and optionally embedded in a potting material. Alternatively, the semiconductor light-emitting device may also be epitaxially grown
Halbleiterschichtenfolge in Form eines Halbleiterchips direkt auf den Träger ohne einen Gehäusekörper montiert sein. Semiconductor layer sequence may be mounted in the form of a semiconductor chip directly on the carrier without a housing body.
Insbesondere weist das Licht emittierende In particular, the light emitting
Halbleiterbauelement eine Lichtauskoppelfläche auf, über die das im Betrieb erzeugte Licht entlang einer Abstrahlrichtung abgestrahlt wird. Mit "Abstrahlrichtung" wird insbesondere die über alle möglichen Abstrahlrichtungen gemittelte  Semiconductor device to a light output surface through which the light generated during operation is emitted along a radiation direction. With "radiation direction" in particular the averaged over all possible radiation directions
Abstrahlrichtung bezeichnet, die besonders bevorzugt Radiation direction, which is particularly preferred
senkrecht zur Lichtauskoppelfläche steht. Werden hier und im Folgenden Anordnungen von zwei Elementen oder Bauteilen beschrieben, die "auf", "über" oder "unter" bezeichnet werden, so beziehen sich derartige Beschreibungen stets auf die Abstrahlrichtung. is perpendicular to the light output surface. If here and below arrangements of two elements or components are described, which are designated "up", "above" or "below", such descriptions always refer to the direction of emission.
Das Licht emittierende Halbleiterbauelement ist auf der The light-emitting semiconductor device is on the
Montagefläche derart angeordnet, dass die Lichtabstrahlfläche vom Träger weg gewandt ist. Das Licht emittierende Mounting surface arranged such that the light emitting surface is turned away from the wearer. The light-emitting
Halbleiterbauelement kann dazu auf der Montagefläche des Trägers beispielsweise durch Löten befestigt sein und mit elektrischen Anschlüssen des Trägers elektrisch leitend verbunden sein. Semiconductor component can be attached to the mounting surface of the carrier, for example, by soldering and electrically connected to electrical terminals of the carrier.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lichtquelle eine Reflektorschicht auf, die auf dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement und der Montagefläche angeordnet ist, und die ein Matrixmaterial mit reflektierenden Partikeln aufweist. Über der Lichtabstrahlfläche des Licht According to a further embodiment, the light source has a reflector layer, which is arranged on the light-emitting semiconductor component and the mounting surface, and which has a matrix material with reflective particles. Above the light-emitting surface of the light
emittierenden Halbleiterbauelements weist die emitting semiconductor device has the
Reflektorschicht eine Öffnung auf, durch die das von der Lichtabstrahlfläche des Halbleiterbauelements abgestrahlte Licht hindurchgestrahlt werden kann. Dass die Reflector layer has an opening through which the from the Light emitting surface of the semiconductor device radiated light can be transmitted. That the
Reflektorschicht auf dem Halbleiterbauelement angeordnet ist kann beispielsweise auch bedeuten, dass das  Reflector layer is disposed on the semiconductor device may for example also mean that the
Halbleiterbauelement in der Öffnung der Reflektorschicht angeordnet ist und die Reflektorschicht benachbart zu Semiconductor device is disposed in the opening of the reflector layer and the reflector layer adjacent to
Seitenflächen des Halbleiterbauelements ist oder direkt an diese angrenzt. Die Reflektorschicht kann insbesondere als Matrixmaterial ein Silikon aufweisen. Weiterhin kann die Reflektorschicht auch alternativ oder zusätzlich als Matrixmaterial ein Epoxid, Acrylat und/oder Imid aufweisen. Die reflektierenden Partikel der Reflektorschicht können insbesondere Titanoxid und/oder Zirkonoxid aufweisen. Die reflektierenden Partikel können dabei derart hinsichtlich ihrer Größe, Struktur, Side surfaces of the semiconductor device is or directly adjacent to this. The reflector layer may have, in particular as a matrix material, a silicone. Furthermore, the reflector layer may alternatively or additionally comprise as matrix material an epoxy, acrylate and / or imide. The reflective particles of the reflector layer may in particular comprise titanium oxide and / or zirconium oxide. The reflective particles can be so in terms of their size, structure,
Zusammensetzung und ihres Materials gewählt sein, dass das vom Licht emittierenden Halbleiterbauelement emittierte Licht bestmöglich reflektiert werden kann. Composition and their material may be chosen so that the light emitted from the semiconductor light emitting device light can be reflected as best as possible.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lichtquelle eine transluzente Abdeckung über der Montagefläche und der Lichtabstrahlfläche des Licht emittierenden According to a further embodiment, the light source has a translucent cover over the mounting surface and the light emitting surface of the light emitting
Halbleiterbauelements auf. Die transluzente Abdeckung kann insbesondere für das Licht des Halbleiterchips diffus  Semiconductor device on. The translucent cover can diffuse in particular for the light of the semiconductor chip
streuend ausgebildet sein. Dazu kann die transluzente be formed scattering. This can be the translucent
Abdeckung beispielsweise aus einem Kunststoff oder aus Glas ausgebildet sein und Reflektorpartikel aufweisen, aufgeraut sein und/oder mit einer Diffusorschicht oder -folie bedeckt sein. Durch die transluzente Abdeckung kann es möglich sein, dass das Licht emittierende Halbleiterbauelement durch die Abdeckung hindurch nicht direkt sichtbar und erkennbar ist und die Lichtquelle einen gleichmäßigen Leuchteindruck vermittelt. Die transluzente Abdeckung kann dabei sowohl zur Lichtstreuung als auch gleichzeitig zum Schutz des zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterbauelements auf der Cover be formed for example of a plastic or glass and reflector particles, be roughened and / or be covered with a diffuser layer or film. Due to the translucent cover, it may be possible for the light-emitting semiconductor component not to be directly visible and recognizable through the cover and for the light source to have a uniform luminous impression taught. The translucent cover can be used both for light scattering and at the same time for protecting the at least one light-emitting semiconductor component on the
Montagefläche dienen. Serve mounting surface.
Aufgrund der transluzenten Abdeckung kann es jedoch möglich sein, dass Licht, das vom Halbleiterbauelement in Richtung der Abdeckung abgestrahlt wird, von dieser wieder zurück in Richtung der Montagefläche reflektiert wird. Dadurch, dass auf dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement und der Montagefläche die Reflektorschicht angeordnet ist, kann vermieden werden, dass das zurückreflektierte Licht Due to the translucent cover, however, it may be possible for light emitted by the semiconductor component in the direction of the cover to be reflected by the latter back toward the mounting surface. Because the reflector layer is arranged on the light-emitting semiconductor component and the mounting surface, it is possible to prevent the back-reflected light from being avoided
beispielsweise von der Montagefläche je nach deren optischen Eigenschaften transmittiert oder sogar absorbiert wird. For example, is transmitted from the mounting surface depending on their optical properties or even absorbed.
Insbesondere wenn der Träger beispielsweise als Platine ausgebildet ist, könnte der Träger einen nicht In particular, if the carrier is designed as a circuit board, for example, the carrier could not
vernachlässigbaren Teil des von der Abdeckung zurück negligible part of the back of the cover
reflektierten Lichts absorbieren und so die Helligkeit der Lichtquelle auf nachteilige Weise verringern. Dieser Effekt kann insbesondere noch verstärkt werden, wenn auf der absorbed light and thus reduce the brightness of the light source adversely. This effect can be particularly enhanced if on the
Montagefläche zusätzlich noch weitere elektronische Mounting surface also additional electronic
Bauelemente angeordnet sind, die das vom Halbleiterbauelement abgestrahlte Licht absorbieren können. Durch die Components are arranged which can absorb the light emitted by the semiconductor device light. By the
Reflektorschicht ist es möglich, dass das von der Abdeckung zurückreflektierte Licht wieder zu dieser hin reflektiert wird, sodass sich die Wahrscheinlichkeit erhöht, dass dieses Licht durch die Abdeckung hindurch treten und somit von der Lichtquelle nach außen hin abgestrahlt werden kann. Aufgrund der Reflektorschicht können somit Effizienzverluste im Reflector layer, it is possible that the light reflected back from the cover is reflected back to this, so that increases the likelihood that this light can pass through the cover and thus emitted from the light source to the outside. Due to the reflector layer thus efficiency losses in
Vergleich zu bekannten Lichtquellen mit LEDs vermieden werden . Weiterhin kann auf der Montagefläche eine Mehrzahl von Licht emittierenden Halbleiterbauelementen angeordnet sein, die jeweils im Betrieb Licht über eine Lichtabstrahlfläche abstrahlen können. Die Licht emittierenden Compared to known light sources with LEDs can be avoided. Furthermore, a plurality of light-emitting semiconductor components can be arranged on the mounting surface, which in each case can emit light via a light emission surface during operation. The light-emitting
Halbleiterbauelemente können dabei Licht mit der gleichen Wellenlänge oder dem gleichen Wellenlängenbereich oder auch mit verschiedenen Wellenlängen oder verschiedenen Semiconductor devices can light with the same wavelength or the same wavelength range or with different wavelengths or different
Wellenlängenbereichen abstrahlen. Die Reflektorschicht weist über jeder Lichtabstrahlfläche der Mehrzahl von Licht Radiate wavelength ranges. The reflector layer has over each light emitting surface of the plurality of light
emittierenden Halbleiterbauelementen jeweils eine Öffnung auf . emitting semiconductor devices each have an opening.
Weiterhin können auf der Montagefläche zumindest ein oder mehrere elektronische Bauelemente angeordnet sein, die ausgewählt sein können aus Widerständen, Kondensatoren, Furthermore, at least one or more electronic components may be arranged on the mounting surface, which may be selected from resistors, capacitors,
Spulen, IC-Chips, Transistoren und weiteren elektronischen Bauelementen. Das zumindest eine oder die mehreren Coils, IC chips, transistors and other electronic components. The at least one or more
elektronischen Bauelemente können insbesondere als Electronic components can in particular as
Ansteuerelektronik für das zumindest eine Licht emittierende Halbleiterbauelement ausgeführt und miteinander verschaltet sein. Das zumindest eine oder die Mehrzahl von elektronischen Bauelementen sind dabei ebenfalls von der Reflektorschicht bedeckt, sodass, wie oben beschrieben, vermieden werden kann, dass von der transluzenten Abdeckung reflektiertes Licht, das auf ein elektronisches Bauelement treffen könnte, von diesem absorbiert wird. Control electronics for the at least one light emitting semiconductor device executed and interconnected. The at least one or the plurality of electronic components are also covered by the reflector layer, so that, as described above, it can be avoided that light reflected from the translucent cover, which could strike an electronic component, is absorbed by the latter.
Besonders bevorzugt kann die Montagefläche gänzlich von der Reflektorschicht bedeckt sein. Mit anderen Worten kann das bedeuten, dass der Träger auf der Seite der Montagefläche mit allen Komponenten, also allen Licht emittierenden Particularly preferably, the mounting surface can be completely covered by the reflector layer. In other words, this may mean that the wearer on the side of the mounting surface with all the components, that is, all the light-emitting
Halbleiterbauelementen und allen elektronischen Bauelementen, gänzlich bedeckt ist, sodass kein von der transluzenten Abdeckung reflektiertes Licht direkt auf die Montagefläche des Trägers und die darauf montierten Komponenten, abgesehen von den Lichtabstrahlflächen des einen oder der mehreren Halbleiterbauelemente, treffen kann. Semiconductor devices and all electronic components, is completely covered, so none of the translucent Cover reflected light can directly on the mounting surface of the carrier and the components mounted thereon, except for the light emitting surfaces of the one or more semiconductor devices meet.
Weiterhin kann die Reflektorschicht an einen Furthermore, the reflector layer to a
Oberflächenverlauf der Montagefläche mit dem zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterbauelement angepasst sein. Das kann bedeuten, dass die Reflektorschicht der Oberfläche folgt, die durch die Montagefläche mit dem zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterbauelement und gegebenenfalls mit weiteren Halbleiterbauelementen oder einem oder mehreren elektronischen Bauelementen gebildet wird. Dadurch kann es möglich sein, dass die unbedeckte Oberflächentopologie der Montagefläche mit den darauf montierten Komponenten durch die Reflektorschicht nicht oder nur kaum verändert wird. Im  Be surface curve of the mounting surface with the at least one light-emitting semiconductor device adapted. This may mean that the reflector layer follows the surface which is formed by the mounting surface with the at least one light-emitting semiconductor component and optionally with further semiconductor components or one or more electronic components. As a result, it may be possible that the uncovered surface topology of the mounting surface with the components mounted thereon is not or only barely changed by the reflector layer. in the
Vergleich zu bekannten starren Reflektoren kann sich daraus der Vorteil ergeben, dass die Abstrahlcharakteristik des vom zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterbauelement abgestrahlten Lichts nicht von der Reflektorschicht Compared to known rigid reflectors, the advantage can result from the fact that the emission characteristic of the light emitted by the at least one light-emitting semiconductor component does not come from the reflector layer
beeinflusst wird. Durch die eine oder die mehreren Öffnungen über der einen oder den mehreren Lichtabstrahlflächen wird dabei der Lichtfluss der einen oder der mehreren Licht emittierenden Halbleiterbauelemente mit Vorteil zumindest weitestgehend nicht beeinflusst. Das kann beispielsweise dadurch möglich sein, dass im Bereich der Öffnungen der being affected. In this case, the light flux of the one or more light-emitting semiconductor components is advantageously at least largely unaffected by the one or more openings above the one or more light emission surfaces. This may be possible, for example, by virtue of the fact that in the area of the openings
Reflektorschicht keine Verluste auftreten, wie sie etwa an den Kanten von Öffnungen von starren Reflektorplatten Reflector layer no losses occur, such as those at the edges of openings of rigid reflector plates
auftreten können. Weiterhin kann es möglich sein, dass die Reflektorschicht dadurch, dass sie an den Oberflächenverlauf der Montagefläche mit den darauf montierten Komponenten angepasst ist, eine gute Haftung an diesen hat, wodurch sich die mechanische Stabilität der Anordnung umfassend den Träger und die darauf montierten Komponenten mit der may occur. Furthermore, it may be possible that the reflector layer, by being adapted to the surface course of the mounting surface with the components mounted thereon, has good adhesion to it, as a result of which the mechanical stability of the device comprising the carrier and the components mounted thereon with the
Reflektorschicht verbessern kann. Reflector layer can improve.
Die Reflektorschicht kann beispielsweise als Folie The reflector layer can, for example, as a film
ausgebildet sein. Insbesondere kann die Reflektorschicht eine Silikon-basierte Folie sein, die mit den oben genannten reflektierenden Partikeln gefüllt ist, das bedeutet, dass die Folie ein Silikon-Matrixmaterial aufweist, in das die be educated. In particular, the reflector layer may be a silicone-based film filled with the above-mentioned reflective particles, which means that the film has a silicone matrix material into which the
Partikel eingebettet sind. Particles are embedded.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer solchen Lichtquelle kann die According to at least one embodiment of a method for producing such a light source, the
Reflektorschicht mit Vorteil als Folie mit einem Reflector layer with advantage as a film with a
teilvernetzten Silikon und dem reflektierenden Füllstoff auf dem Träger aufgebracht werden. Eine solche Folie kann auch den Vorteil aufweisen, dass sie sich besonders leicht an den Oberflächenverlauf der Montagefläche mit den darauf partially crosslinked silicone and the reflective filler are applied to the carrier. Such a film may also have the advantage that it is particularly easy to the surface course of the mounting surface with the on it
montierten Komponenten anpasst. Nach dem Aufbringen der Folie derart, dass die Lichtabstrahlfläche des zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterbauelements aufgrund einer Öffnung in der Folie unbedeckt bleibt, kann die Folie adjusted components. After the application of the film such that the light emission surface of the at least one light-emitting semiconductor component remains uncovered due to an opening in the film, the film can
ausgehärtet werden. Die Öffnung kann dabei vor dem Aufbringen bereits in der Folie ausgeformt werden oder aber erst nach dem Aufbringen durch ein Strukturierungsverfahren ausgeformt werden. Eine derartige Folie, die in einem vorvernetzten Zustand aufgebracht wird und erst nach dem Aufbringen be cured. The opening can already be formed in the film prior to application or can only be shaped after application by a patterning process. Such a film which is applied in a precrosslinked state and only after application
durchvernetzt und somit ausgehärtet wird, kann auch als Bi- Stage-Folie bezeichnet werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform für ein Verfahren zur Herstellung der oben beschriebenen Lichtquelle kann die crosslinked and thus cured, can also be referred to as Bi-Stage film. According to another embodiment of a method for producing the light source described above, the
Reflektorschicht als flüssiges Material mit dem Reflector layer as a liquid material with the
reflektierenden Füllstoff auf den Träger und insbesondere auf die darauf angeordneten Komponenten, also das eine oder die mehreren Halbleiterbauelemente und gegebenenfalls weitere elektronische Komponenten, aufgetropft werden. Insbesondere kann gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform die Reflektorschicht beziehungsweise das flüssige Material derart aufgetropft werden, dass in oben beschriebener Weise die gesamte Montagefläche bis auf die Lichtabstrahlfläche des zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterbauelements bedeckt ist. Anschließend kann das flüssige Material mit den reflektierenden Partikeln ausgehärtet werden, wobei auch in diesem Fall eine Folie gebildet werden kann. reflective filler on the carrier and in particular on the components arranged thereon, that is to say the one or more semiconductor components and optionally further electronic components, are dropped. In particular, according to a further advantageous embodiment, the reflector layer or the liquid material can be dropped such that in the manner described above the entire mounting surface is covered except for the light emission surface of the at least one light-emitting semiconductor component. Subsequently, the liquid material can be cured with the reflective particles, in which case a film can be formed.
Beim Aushärten entweder der Folie aus dem teilvernetzten Silikon oder auch des flüssigen Materials, das beispielsweise ebenfalls ein Silikon aufweisen kann, kann mit besonderemWhen curing either the film of the partially crosslinked silicone or the liquid material, which may for example also have a silicone, can with special
Vorteil zwischen der Reflektorschicht und der Montagefläche eine Stoffschlüssige Verbindung gebildet werden. Mit anderen Worten kann die Reflektorschicht nach dem Aushärten an der Montagefläche anhaften, ankleben, mit der Montagefläche vernetzt und/oder verbunden sein. Das jeweilige Material der Montagefläche und der Reflektorschicht kann dabei Advantage between the reflector layer and the mounting surface a cohesive connection are formed. In other words, after curing, the reflector layer may adhere to the mounting surface, adhere to it, be networked with the mounting surface and / or connected. The respective material of the mounting surface and the reflector layer can thereby
entsprechend gewählt bzw. vorbehandelt werden. be selected or pretreated accordingly.
Gemäß deiner weiteren Ausführungsform kann die Lichtquelle ein Gehäuse aufweisen, wobei die transluzente Abdeckung Teil dieses Gehäuses sein kann. In dem Gehäuse können der Träger, das zumindest eine Licht emittierende Halbleiterbauelement und die Reflektorschicht angeordnet sein. Beispielsweise kann das Gehäuse als so genanntes Retrofit-Gehäuse ausgebildet sein, das bedeutet, dass das Gehäuse Steckkontakte oder According to another embodiment, the light source may comprise a housing, wherein the translucent cover may be part of this housing. The carrier, the at least one light-emitting semiconductor component and the reflector layer can be arranged in the housing. For example, the housing may be formed as a so-called retrofit housing, which means that the housing plug contacts or
Schraubkontakte für herkömmliche Lampenfassungen aufweist. Mit anderen Worten kann die hier beschriebene Lichtquelle als so genannte LED-Retrofit-Lampe ausgeführt sein, in der dank der Reflektorschicht eine interne Reabsorption von Licht durch die Montagefläche oder die darauf montierten Has screw contacts for conventional lamp sockets. In other words, the light source described here can be designed as a so-called LED retrofit lamp, in the thanks the reflector layer has an internal reabsorption of light through the mounting surface or the mounted thereon
Komponenten verhindert werden kann, sodass im Vergleich zu bekannten entsprechenden Retrofit-Lampen eine Components can be prevented, so compared to known corresponding retrofit lamps a
Effizienzerhöhung ermöglicht werden kann. Efficiency increase can be made possible.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Further advantages and advantageous embodiments and
Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Further developments emerge from the following in
Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 beschriebenen Compound described with Figures 1 to 3
Ausführungsformen . Embodiments.
Es zeigen: Show it:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer Lichtquelle Figure 1 is a schematic representation of a light source
gemäß einem Ausführungsbeispiel,  according to an embodiment,
Figuren 2A und 2B schematische Darstellungen eine Figures 2A and 2B are schematic representations a
Lichtquelle gemäß einem weiteren  Light source according to another
Ausführungsbeispiel und  Embodiment and
Figur 3 eine schematische Darstellung einer Lichtquelle Figure 3 is a schematic representation of a light source
gemäß noch einem weiteren Ausführungsbeispiel.  according to yet another embodiment.
In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen In the exemplary embodiments and figures, the same or equivalent components may each have the same
Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen; vielmehr können einzelne Elemente wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein. In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel für eine Lichtquelle 100 gezeigt, die einen Träger 1 aufweist. Der Träger 1 ist dabei als Platine, insbesondere als FR4-Platine, ausgeführt, die eine Montagefläche 10 aufweist. Auf der Montagefläche 10 ist ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement 2 Be provided with reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are basically not to be considered as true to scale; Rather, individual elements such as layers, components, components and areas for exaggerated representability and / or for better understanding can be shown exaggerated thick or large dimensions. FIG. 1 shows an exemplary embodiment of a light source 100 which has a carrier 1. The carrier 1 is designed as a board, in particular as a FR4 board, which has a mounting surface 10. On the mounting surface 10 is a light-emitting semiconductor device 2
angeordnet, das im gezeigten Ausführungsbeispiel durch Löten an elektrische Anschlüsse auf der Montagefläche 10 elektrisch angeschlossen ist (nicht gezeigt) . Das Licht emittierende Halbleiterbauelement 2 ist als epitaktisch gewachsene arranged, which is electrically connected in the illustrated embodiment by soldering to electrical connections on the mounting surface 10 (not shown). The light-emitting semiconductor device 2 is grown epitaxially
Halbleiterschichtenfolge in Form eines Halbleiterchips ausgeführt, der direkt, also ohne einen Gehäusekörper, auf dem Träger 1 angeordnet ist. Das Licht emittierende Semiconductor layer sequence in the form of a semiconductor chip, which is arranged directly on the carrier 1, ie without a housing body. The light-emitting
Halbleiterbauelement 2 kann dabei im Betrieb Licht über eine Lichtabstrahlfläche 20 emittieren, die vom Träger weg gewandt ist. In this case, semiconductor component 2 can emit light during operation via a light emitting surface 20, which is turned away from the carrier.
Alternativ dazu kann das Halbleiterbauelement 2 auch als Licht emittierende Diode in Form eines Halbleiterchip Alternatively, the semiconductor device 2 can also be used as a light-emitting diode in the form of a semiconductor chip
ausgeführt sein, der in einen Gehäusekörper, bevorzugt einem vorgeformten Gehäusekörper, montiert und elektrisch be executed, which in a housing body, preferably a preformed housing body, mounted and electrically
angeschlossen ist. connected.
Über der Montagefläche 10 und dem Licht emittierenden Above the mounting surface 10 and the light emitting
Halbleiterbauelement 2 ist ein transluzenter Abdeckkörper 3 angeordnet, der aus einem Kunststoff ausgebildet ist und der das vom Licht emittierenden Halbleiterbauelement 2 Semiconductor component 2, a translucent cover body 3 is arranged, which is formed of a plastic and the light emitting from the semiconductor device 2
abgestrahlte Licht diffus transmittiert . Die transluzente Abdeckung 4 dient dabei zugleich einer diffusen Streuung und Homogenisierung des vom Halbleiterbauelement 2 abgestrahlten Lichts als auch dem Schutz des Halbleiterbauelements auf dem Träger 1. Ein gewisser Teil des vom Halbleiterbauelement 2 abgestrahlten Lichts wird jedoch von der Abdeckung 4 wieder in Richtung der Montagefläche 10 zurück reflektiert. Um eine Absorption dieses Lichts durch die Montagefläche 10 zu vermeiden, ist auf der Montagefläche 10 und dem Licht radiated light diffusely transmitted. The translucent cover 4 serves at the same time for a diffuse scattering and homogenization of the light radiated from the semiconductor component 2 as well as for the protection of the semiconductor component on the carrier 1. However, a certain part of the light radiated from the semiconductor component 2 becomes again from the cover 4 in the direction of the mounting surface 10 reflected back. To one To avoid absorption of this light by the mounting surface 10 is on the mounting surface 10 and the light
emittierenden Halbleiterbauelement 2 eine Reflektorschicht 3 angeordnet, die über der Lichtabstrahlfläche 20 eine Öffnung 30 aufweist. Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist die emitting semiconductor device 2, a reflector layer 3 is arranged, which has an opening 30 above the light emitting surface 20. In the embodiment shown is the
Reflektorschicht 3 als Silikon-basierte Folie ausgeführt, die mit reflektierenden Partikeln aus Titanoxid und/oder  Reflector layer 3 is designed as a silicone-based film, with the reflective particles of titanium oxide and / or
Zirkonoxid gefüllt ist und die die Montagefläche 10 und das Halbleiterbauelement 2 bis auf die Lichtabstrahlfläche 20 gänzlich bedeckt. Zirconia is filled and the entire surface of the mounting surface 10 and the semiconductor device 2 except for the Lichtabstrahlfläche 20.
In einem Verfahren zur Herstellung der Lichtquelle 100 wird dazu nach der Montage des Licht emittierenden In a method of manufacturing the light source 100, after the assembly of the light-emitting
Halbleiterbauelements 2 auf dem Träger 1 die Reflektorschicht 3 als teilvernetzte Silikonfolie derart aufgebracht, dass sich die Öffnung 30 über der Lichtabstrahlfläche 20 befindet. Die Reflektorschicht 3 ist in diesem Zustand gut verformbar und passt sich daher dem Oberflächenverlauf der Montagefläche 10 und des Licht emittierenden Halbleiterbauelements 2 im Vergleich zu bekannten starren Reflektorplatten gut an.  Semiconductor device 2 on the support 1, the reflector layer 3 is applied as partially crosslinked silicone film such that the opening 30 is located above the light emitting surface 20. The reflector layer 3 is readily deformable in this state and therefore adapts well to the surface profile of the mounting surface 10 and of the light-emitting semiconductor component 2 in comparison with known rigid reflector plates.
Anschließend wird die Reflektorfolie 3 komplett durchvernetzt und ausgehärtet, wodurch eine gute Haftung der  Subsequently, the reflector film 3 is completely cross-linked and cured, whereby a good adhesion of
Reflektorschicht 3 an der Montagefläche 10 erreicht wird. Dadurch kann insbesondere mit Vorteil auch die Stabilität der Lichtquelle 100 erhöht werden. Licht, das von der Reflector layer 3 is achieved on the mounting surface 10. As a result, in particular with advantage, the stability of the light source 100 can also be increased. Light from the
transluzenten Abdeckung 4 in Richtung der Montagefläche 10 zurück reflektiert wird, wird von der Reflektorschicht 3 wiederum zur Abdeckung 4 zurück reflektiert und erhält damit eine größere Wahrscheinlichkeit, aus der Abdeckung 4 translucent cover 4 is reflected back in the direction of the mounting surface 10, is reflected back from the reflector layer 3 to the cover 4 and thus receives a greater probability of the cover. 4
auszutreten. withdraw.
Alternativ zum Aufbringen der Reflektorschicht 3 als Folie kann diese auch als flüssiges Material, beispielsweise als flüssiges Silikon, mit den reflektierenden Partikeln auf die Montagefläche 10 und das Licht emittierende As an alternative to applying the reflector layer 3 as a film, this can also be used as a liquid material, for example as liquid silicone, with the reflective particles on the mounting surface 10 and the light-emitting
Halbleiterbauelement 2 aufgetropft werden, wobei Semiconductor device 2 are dropped, wherein
beispielsweise mittels einer Maske über der for example, by means of a mask over the
Lichtabstrahlfläche 20 des Halbleiterbauelements 2 Light emitting surface 20 of the semiconductor device 2
sichergestellt werden kann, dass sich die Öffnung 30 über der Lichtabstrahlfläche 20 ausbilden kann. Nach dem Auftropfen kann das flüssige Material ausgehärtet werden, wodurch sich die Reflektorschicht 3, beispielsweise auch in Form einer Folie, ausbildet. Ein derartiges Verfahren kann auch als so genanntes Globe-Top-Verfahren bezeichnet werden. It can be ensured that the opening 30 can form above the light-emitting surface 20. After dripping, the liquid material can be cured, whereby the reflector layer 3, for example in the form of a film, is formed. Such a method can also be referred to as a so-called globe-top method.
Alternativ zum in den Ausführungsbeispielen beschriebenen Silikonmaterial für die Reflektorschicht 3 kann auch eines der weiteren im allgemeinen Teil beschriebenen Materialien zusätzlich oder alternativ verwendet werden. As an alternative to the silicone material for the reflector layer 3 described in the exemplary embodiments, one of the other materials described in the general part may additionally or alternatively be used.
Die Reflektorschicht 3, wie sie in den vorangegangenen The reflector layer 3, as in the preceding
Ausführungsbeispielen sowie im allgemeinen Teil beschrieben wird, muss dabei mit Vorteil nur die Funktion der Steigerung der Reflektivität der Montagefläche 10 erfüllen. Dadurch ist es möglich, dass die Reflektorschicht 3 hinsichtlich ihrer Zusammensetzung und Ausbildung nur in Bezug auf ihre Embodiments and described in the general part, it must meet with advantage only the function of increasing the reflectivity of the mounting surface 10. This makes it possible that the reflector layer 3 in terms of their composition and training only with respect to their
reflektierenden Eigenschaften ausgewählt werden kann. reflective properties can be selected.
In den Figuren 2A und 2B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine Lichtquelle 200 gezeigt. Die Darstellung in Figur 2B entspricht dabei dem Blick auf die Montagefläche 10 des FIGS. 2A and 2B show a further exemplary embodiment of a light source 200. The illustration in FIG. 2B corresponds to the view of the mounting surface 10 of FIG
Trägers 1 entgegen der Abstrahlrichtung der Licht Carrier 1 against the emission of the light
emittierenden Halbleiterbauelemente 2, wobei die emitting semiconductor devices 2, wherein the
Reflektorschicht 3 und die Abdeckung 4 hier weggelassen wurde. In Figur 2A hingegen ist ein Schnitt durch die  Reflector layer 3 and the cover 4 has been omitted here. In contrast, in Figure 2A is a section through the
Lichtquelle 200 entlang der in Figur 2B gekennzeichneten Schnittebene AA dargestellt, wobei hier wiederum die Light source 200 along the marked in Figure 2B Section AA shown, here again the
Reflektorschicht 3 und die Abdeckung 4 gezeigt sind. Die folgende Beschreibung bezieht sich gleichermaßen auf die Figuren 2A und 2B. Reflector layer 3 and the cover 4 are shown. The following description refers equally to Figs. 2A and 2B.
Im Vergleich zum vorherigen Ausführungsbeispiel weist die Lichtquelle 200 eine Mehrzahl von Licht emittierenden Compared with the previous embodiment, the light source 200 has a plurality of light-emitting
Halbleiterbauelementen 2 auf, die jeweils als gehäuste Semiconductor devices 2, each housed as
Halbleiterchips ausgeführt sind, also als LEDs, die einen Gehäusekörper aufweisen, in dem eine Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Weiterhin weisen die Halbleiterbauelemente 2 der jeweiligen Halbleiterschichtenfolge nachgeordnet einen Farbstoff auf, wobei die Halbleiterschichtenfolgen und die Farbstoffe derart gewählt sind, dass die Semiconductor chips are executed, ie as LEDs, which have a housing body in which a semiconductor layer sequence is arranged. Furthermore, the semiconductor components 2 of the respective semiconductor layer sequence downstream of a dye, wherein the semiconductor layer sequences and the dyes are selected such that the
Halbleiterbauelemente 2 jeweils weißes Licht abstrahlen. Semiconductor devices 2 each emit white light.
Alternativ dazu können eines oder mehrere oder alle der Halbleiterbauelemente 2 auch als ungehäuste Halbleiterchips direkt auf der Montagefläche montiert sein. Alternatively, one or more or all of the semiconductor devices 2 may also be mounted as unhoused semiconductor chips directly on the mounting surface.
Weiterhin sind auf der Montagefläche 10 des Trägers 1 elektrische Bauelemente 6 angeordnet, die eine Furthermore, electrical components 6 are arranged on the mounting surface 10 of the carrier 1, the one
Ansteuerelektronik für die Licht emittierenden Control electronics for the light-emitting
Halbleiterbauelemente 2 bilden. Die Ausgestaltung einer solchen Ansteuerelektronik ist dem Fachmann bekannt und wird daher hier nicht weiter ausgeführt. Semiconductor devices 2 form. The design of such a control electronics is known in the art and therefore will not be further elaborated here.
Jedes der Halbleiterbauelemente 2 weist eine Each of the semiconductor devices 2 has a
Lichtauskoppelfläche 20 auf. Auf der Montagefläche 10 des Trägers 1, den Licht emittierenden Halbleiterbauelementen 2 und den elektronischen Bauelementen 6 ist eine Lichtauskoppelfläche 20 on. On the mounting surface 10 of the carrier 1, the light-emitting semiconductor devices 2 and the electronic components 6 is a
Reflektorschicht 3 derart angeordnet, dass die Montagefläche 10 sowie die darauf montierten Komponenten, also die Licht emittierenden Halbleiterbauelemente 2 und die elektronischen Komponenten 6, gänzlich bedeckt sind, wobei die Reflector layer 3 arranged such that the mounting surface 10 and the components mounted thereon, so the light emitting semiconductor devices 2 and the electronic components 6, are completely covered, wherein the
Reflektorschicht 3 über den Lichtauskoppelflächen 20 der Halbleiterbauelemente 2 jeweils eine Öffnung 30 aufweist. Über der Montagefläche 10 und den Licht emittierenden Reflector layer 3 via the light outcoupling surfaces 20 of the semiconductor devices 2 each having an opening 30. Above the mounting surface 10 and the light emitting
Halbleiterbauelementen 2 ist wiederum eine transluzente Semiconductor devices 2 is again a translucent
Abdeckung 4 gemäß dem vorherigen Ausführungsbeispiel Cover 4 according to the previous embodiment
angeordnet . arranged.
Ohne die Reflektorschicht 3 würde Licht, das von der Without the reflector layer 3, light coming from the
transluzenten Abdeckung 4 in Richtung der Montagefläche 10 zurück reflektiert wird, an der Montagefläche 10 und translucent cover 4 is reflected back in the direction of the mounting surface 10, on the mounting surface 10 and
insbesondere auch an den elektronischen Bauelementen 6 absorbiert werden, wodurch sich die Effizienz der Lichtquelle 200 deutlich verringern würde. Insbesondere konnte durch geeignete Versuchsanordnung gezeigt werden, dass sich bei einer Lichtquelle 200 gemäß dem in den Figuren 2A und 2B gezeigten Ausführungsbeispiel durch die Reflektorschicht 3 eine Steigerung der Lichtextraktionseffizienz um etwa 5 % erreichen lässt. In particular, be absorbed to the electronic components 6, whereby the efficiency of the light source 200 would be significantly reduced. In particular, it could be shown by suitable experimental arrangement that, in the case of a light source 200 according to the exemplary embodiment shown in FIGS. 2A and 2B, the reflector layer 3 can increase the light extraction efficiency by about 5%.
In Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine Lichtquelle 300 gezeigt, die ein Gehäuse 5 aufweist. Das Gehäuse 5 ist als so genanntes Retrofit-Gehäuse ausgeführt und weist einen elektrischen Schraubgewindeanschluss für herkömmliche Lampenfassungen auf. Im Gehäuse 5 sind der FIG. 3 shows a further exemplary embodiment of a light source 300, which has a housing 5. The housing 5 is designed as a so-called retrofit housing and has an electrical screw thread connection for conventional lamp sockets. In the housing 5 are the
Träger sowie die Licht emittierenden Halbleiterbauelemente 2 und die elektronischen Komponenten 6 sowie die Carrier and the light-emitting semiconductor devices 2 and the electronic components 6 and the
Reflektorschicht 3 gemäß dem vorherigen Ausführungsbeispiel angeordnet, wobei die transluzente Abdeckung 4 einen Teil des Gehäuses 5 bildet. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere die Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Reflector layer 3 arranged according to the previous embodiment, wherein the translucent cover 4 forms a part of the housing 5. The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention includes any novel feature and any combination of features, which in particular includes the combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly in the
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Claims or embodiments is given.

Claims

Patentansprüche claims
1. Lichtquelle, umfassend 1. Light source comprising
- einen Träger (1) mit einer Montagefläche (10),  a support (1) with a mounting surface (10),
- zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement - At least one light-emitting semiconductor device
(2) auf der Montagefläche (10), das eine vom Träger (1) weg gewandte Lichtabstrahlfläche (20) aufweist, und(2) on the mounting surface (10) having a light emitting surface (20) facing away from the support (1), and
- eine Reflektorschicht (3) auf dem Licht emittierenden - A reflector layer (3) on the light-emitting
Halbleiterbauelement (2) und der Montagefläche (10), die ein Matrixmaterial mit reflektierenden Partikeln  Semiconductor device (2) and the mounting surface (10) comprising a matrix material with reflective particles
aufweist und die eine Öffnung (30) über der  and having an opening (30) over the
Lichtabstrahlfläche (20) aufweist.  Light emitting surface (20).
2. Lichtquelle nach Anspruch 1, weiterhin umfassend eine transluzente Abdeckung (4) über der Montagefläche (10) und Lichtabstrahlfläche (20). 2. The light source of claim 1, further comprising a translucent cover (4) over the mounting surface (10) and Lichtabstrahlfläche (20).
3. Lichtquelle nach Anspruch 2, wobei die transluzente 3. Light source according to claim 2, wherein the translucent
Abdeckung (4) Teil eines Gehäuses (5) ist, in dem der Träger (1), das zumindest eine Licht emittierende  Cover (4) is part of a housing (5), in which the carrier (1), the at least one light emitting
Halbleiterbauelement (2) und die Reflektorschicht (3) angeordnet sind.  Semiconductor component (2) and the reflector layer (3) are arranged.
4. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei auf der Montagefläche (10) eine Mehrzahl von Licht emittierenden Halbleiterbauelementen (2) mit jeweils einer Lichtabstrahlfläche (20) angeordnet ist und die Reflektorschicht (3) über jeder Lichtabstrahlfläche (20) jeweils eine Öffnung (30) aufweist. 4. Light source according to one of the preceding claims, wherein on the mounting surface (10) a plurality of light-emitting semiconductor devices (2) each having a Lichtabstrahlfläche (20) is arranged and the reflector layer (3) over each Lichtabstrahlfläche (20) each having an opening ( 30).
5. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei auf der Montagefläche (10) zumindest ein elektronisches Bauelement (6) angeordnet ist, das von der 5. Light source according to one of the preceding claims, wherein on the mounting surface (10) at least one electronic Component (6) is arranged by the
Reflektorschicht (3) bedeckt ist.  Reflector layer (3) is covered.
6. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Montagefläche (10) gänzlich von der Reflektorschicht (3) bedeckt ist. 6. Light source according to one of the preceding claims, wherein the mounting surface (10) is completely covered by the reflector layer (3).
7. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Reflektorschicht (3) an einen Oberflächenverlauf der Montagefläche (10) mit dem zumindest einen Licht 7. Light source according to one of the preceding claims, wherein the reflector layer (3) to a surface profile of the mounting surface (10) with the at least one light
emittierenden Halbleiterbauelement (2) angepasst ist.  emitting semiconductor component (2) is adapted.
8. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die reflektierenden Partikel Titanoxid und/oder 8. Light source according to one of the preceding claims, wherein the reflective particles of titanium oxide and / or
Zirkonoxid aufweisen.  Have zirconium oxide.
9. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Träger (1) eine Platine mit elektrischen Kontakten zum elektrischen Anschluss des zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterbauelements (2) aufweist. 9. Light source according to one of the preceding claims, wherein the carrier (1) has a circuit board with electrical contacts for electrical connection of the at least one light-emitting semiconductor component (2).
10. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Reflektorschicht (3) als Matrixmaterial ein Silikon aufweist . 10. Light source according to one of the preceding claims, wherein the reflector layer (3) has a silicone as the matrix material.
11. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Reflektorschicht (3) als Folie ausgebildet ist. 11. Light source according to one of the preceding claims, wherein the reflector layer (3) is formed as a film.
12. Lichtquelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Reflektorschicht (3) aufgetropft ist. 12. Light source according to one of the preceding claims, wherein the reflector layer (3) is dropped.
Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die Reflektorschicht (3) als Folie mit einem teilvernetzten Silikon und dem reflektierenden Füllstoff auf der Montagefläche (10) des Trägers (1) aufgebracht wird und anschließend Method for producing a light source according to one of Claims 1 to 11, in which the reflector layer (3) is applied as a film with a partially crosslinked silicone and the reflective filler on the mounting surface (10) of the carrier (1) and then
ausgehärtet wird.  is cured.
14. Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Reflektorschicht (3) als flüssiges Material mit dem reflektierenden Füllstoff auf der Montagefläche (10) des Trägers (1) aufgetropft wird und anschließend ausgehärtet wird. 14. A method for producing a light source according to any one of claims 1 to 12, wherein the reflector layer (3) is dropped as a liquid material with the reflective filler on the mounting surface (10) of the carrier (1) and then cured.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, bei dem beim Aushärten zwischen der Reflektorschicht (3) und der Montagefläche (10) eine Stoffschlüssige Verbindung gebildet wird. 15. The method according to any one of claims 13 or 14, wherein when curing between the reflector layer (3) and the mounting surface (10) a cohesive connection is formed.
PCT/EP2011/060346 2010-07-30 2011-06-21 Light source and method for producing a light source WO2012013426A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010032836A DE102010032836A1 (en) 2010-07-30 2010-07-30 Light source and method for producing a light source
DE102010032836.7 2010-07-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012013426A1 true WO2012013426A1 (en) 2012-02-02

Family

ID=44628870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2011/060346 WO2012013426A1 (en) 2010-07-30 2011-06-21 Light source and method for producing a light source

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102010032836A1 (en)
TW (1) TW201217701A (en)
WO (1) WO2012013426A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010032836A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source and method for producing a light source
DE102014104339B4 (en) * 2014-03-27 2017-06-08 Osram Gmbh Central brightening element for LED lights
DE102014205891A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 Osram Gmbh Light module with ring-shaped circuit board
EP4208671A1 (en) * 2020-09-03 2023-07-12 Signify Holding B.V. A lighting board and luminaire using the lighting board

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030193055A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Martter Robert H. Lighting device and method
US20050047110A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Yin-Chun Huang Illumination module of light emitting elements
US20080100772A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Au Optronics Corporation Reflective Light Source Device and Manufacture Method Thereof
US20090103296A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Xicato, Inc. Illumination Device with Light Emitting Diodes
US20090116244A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-07 Industrial Technology Research Institute Light-emitting module
DE102010032836A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source and method for producing a light source

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007011123A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting module and method of manufacturing a light-emitting module
JP5779097B2 (en) * 2008-09-25 2015-09-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Coated light emitting device and method for coating light emitting device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030193055A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Martter Robert H. Lighting device and method
US20050047110A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Yin-Chun Huang Illumination module of light emitting elements
US20080100772A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Au Optronics Corporation Reflective Light Source Device and Manufacture Method Thereof
US20090103296A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Xicato, Inc. Illumination Device with Light Emitting Diodes
US20090116244A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-07 Industrial Technology Research Institute Light-emitting module
DE102010032836A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source and method for producing a light source

Also Published As

Publication number Publication date
DE102010032836A1 (en) 2012-02-02
TW201217701A (en) 2012-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2815439B1 (en) LED module with highly reflective support and method of manufacturing LED module with highly reflective support
EP1439586B1 (en) Light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element
DE102004052902B4 (en) A structure for housing a light-emitting element, light-emitting device and lighting device
EP2583319B1 (en) Optoelectronic component
DE102010030863A1 (en) LED lighting device and method for producing an LED lighting device
EP2054949A1 (en) Optoelectronic semiconductor component
DE202010017509U1 (en) Light emitting device and lighting system
DE112015004420B4 (en) LED BULB
EP1794817A1 (en) Optoelectronic component and housing for an optoelectronic component
DE102007029369A1 (en) Opto-electronic semiconductor component, has opaque material for covering conductive strips of connection carrier and areas of chip connection region and for uncovering radiation passage surface of opto-electronic semiconductor chip
WO2011003713A1 (en) Luminous device having a flexible printed circuit board
EP1612869A2 (en) Light emitting diode with beam-shaping optical element
WO2012013426A1 (en) Light source and method for producing a light source
DE102004004778B4 (en) Light-emitting diode illumination module and radiation-shaping optical device for a light-emitting diode illumination module
EP2845233B1 (en) Led module
DE102008022888A1 (en) Lighting device comprising a light source surrounded by solid particles comprises a particle number density gradient in at least one direction away from the light source
WO2018138074A1 (en) Method for manufacturing an optoelectronic fibre and optoelectronic fibre
DE102014205470B4 (en) Lighting device with CoB range
DE102014200606A1 (en) Illuminated window element
DE102016113954A1 (en) LED modules
EP2626918B1 (en) LED module with highly reflective support and method of manufacturing LED module with highly reflective support
DE102013219084A1 (en) lamp
DE102012204408B4 (en) LED CHIP WITH TEMPERATURE-DEPENDING WAVELENGTH AND ILLUMINATING DEVICE WITH SUCH LED CHIP
DE102010042727A1 (en) OLED module
DE102013106948A1 (en) Optoelectronic semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11735610

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11735610

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1