WO2011102256A1 - 太陽電池モジュール - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 31
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 5
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
- B32B37/16—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating
- B32B37/22—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating involving the assembly of both discrete and continuous layers
- B32B37/223—One or more of the layers being plastic
- B32B37/226—Laminating sheets, panels or inserts between two continuous plastic layers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
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- B32B2367/00—Polyesters, e.g. PET, i.e. polyethylene terephthalate
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- B32B2457/00—Electrical equipment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Definitions
- the present invention relates to a solar cell module, and more particularly to a see-through solar cell module having light permeability.
- the solar cell is configured such that power can be generated by attaching a solar cell module to the surface of a house, such as a roof or a wall, and causing the solar cell module to receive sunlight.
- a solar cell module is formed by electrically connecting a single solar cell or a plurality of solar cells.
- a metal back electrode, an amorphous silicon film (Photoelectric conversion layer) and a transparent electrode are laminated, and a glass substrate is provided on the transparent electrode as necessary. And by irradiating sunlight from the glass substrate side, sunlight is received by the amorphous silicon film through the glass substrate and the transparent electrode to generate electricity.
- the see-through solar cell module is configured by forming a plurality of openings in a non-translucent metal back electrode and an amorphous silicon film. ing. As a result, part of the external light is transmitted through the opening, and then transmitted through the transparent electrode and the glass substrate, so that the lighting performance of the entire solar cell module is ensured.
- the see-through solar cell module described above has a problem that the manufacturing cost becomes high. That is, in the conventional configuration in which the opening is provided in the back electrode and the amorphous silicon film, it is necessary to form the opening by etching or laser processing after the solar cell module is formed. Therefore, there is a problem that the manufacturing cost of the solar cell module itself is increased because a process of forming an opening is required after the conventional solar cell module is completed.
- the size and arrangement of the photoelectric conversion segments are adjusted in accordance with the manufactured transmittance. Since it is necessary to change, there is a problem that the manufacturing process itself must be adapted to the change in transmittance, and as a result, the cost of the solar cell module itself increases.
- the present invention has been made in view of the above-described problems, can reduce the manufacturing cost of the solar cell module, and can be easily performed without changing the manufacturing process even if the transmittance is changed.
- An object of the present invention is to provide a see-through solar cell module.
- a solar cell module of the present invention includes a conductive substrate, a solar cell in which a lower electrode layer, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode layer are stacked in this order on the conductive substrate.
- the solar battery module is characterized in that a plurality of through-openings penetrating in the stacking direction from the conductive substrate to the upper electrode layer are formed in the solar battery cell.
- the solar cell module has a through-opening that penetrates in the stacking direction from the conductive substrate of the solar battery cell to the upper electrode layer, so that a part of the external light is transmitted through the through-opening. Therefore, a see-through solar cell can be obtained.
- the structure which has this through-opening part can suppress the manufacturing cost of a module.
- a lower electrode layer, a photoelectric conversion layer (amorphous silicon film), and an upper electrode layer are formed on a conductive substrate having a through hole penetrating in the thickness direction by a CVD apparatus or the like.
- a solar battery module can be manufactured by manufacturing a solar battery cell by laminating in this order and electrically connecting the solar battery cells singly or plurally. That is, since a through opening can be formed by laminating each layer on a conductive substrate in which a through hole is formed, it can be easily manufactured in the same process as that for manufacturing a solar cell module that is not a normal see-through type. it can. Specifically, when the lower electrode layer is laminated on the conductive substrate in which the through hole is formed, the lower electrode layer is laminated on the plane of the conductive substrate, but the lower electrode layer is not laminated on the through hole. In the electrode layer, a through hole opening is formed on the through hole of the conductive substrate.
- an opening that communicates with the through hole of the conductive substrate is formed in the lower electrode layer.
- a through-opening portion penetrating in the stacking direction from the conductive substrate to the upper electrode layer is formed at the through hole position of the conductive substrate. It is formed.
- a see-through solar cell module can be formed simply by using a conductive substrate having a through hole formed, it is easy to add a new process to add a see-through function.
- a see-through solar cell module can be formed. Therefore, like the conventional manufacturing method, after forming a solar cell module first, compared with the case where an opening part is formed with a laser etc., manufacturing cost can be held down. Even if the transmittance is changed, it is only necessary to change the aperture ratio of the through-hole formed in the conductive substrate. Since there is no need to change the arrangement, the transmittance can be easily changed. Therefore, even when the transmittance is changed, it is not necessary to change a new manufacturing method, and the manufacturing cost can be suppressed.
- the conductive substrate may be formed of punching metal.
- an electrical connection part for electrically connecting solar cells is formed, and the through-opening part has a ratio of the opening area per unit area away from the electrical connection part. It can be set as the structure currently formed so that it may become large according to.
- the solar cell module that suppresses a decrease in power generation efficiency even if a through opening is formed in the photoelectric conversion layer. That is, a current generated by irradiating the photoelectric conversion layer with light flows through the upper transparent electrode layer to the electrical connection portion. For this reason, the current generated in the region away from the electrical connection portion has a larger distance flowing through the upper transparent electrode layer than the current generated in the region close to the electrical connection portion. That is, the current generated in the region away from the electrical connection portion has a longer distance to flow against the resistance of the upper transparent electrode layer, and the power generation efficiency is worse than that in the region near the electrical connection portion.
- the through-opening is formed in a region where the power generation efficiency is reduced by adopting a configuration in which the through-opening is formed so as to increase with distance from the electrical connection part, the opening of the entire solar cell module is formed.
- the rate (light transmittance) is the same, a decrease in power generation efficiency can be suppressed.
- the plurality of solar cells are arranged so as to form overlapping connection portions that partially overlap in the stacking direction, and in the overlapping connection portions, the conductive substrate and the upper electrode layer are connected by the electrical connection portion. It is good also as a structure by which the several photovoltaic cell is integrally formed by being connected electrically.
- a cover member that accommodates the plurality of solar cells is formed, and the cover member is formed of a light-transmitting flexible material, and the plurality of solar cells are overlapped by the cover member. It can be set as the structure fixed integrally in the attitude
- this structure since it can be set as the structure which has flexibility as the whole solar cell module, it is set as the see-through type solar cell module excellent in flexibility compared with the conventional structure which uses glass for a cover member. Can do. Thereby, since a solar cell module can be installed on a curved surface or a complex-shaped wall surface, it becomes possible to install a solar cell module on a window of a house, a roof of a carport, or the like that could not be installed conventionally.
- the manufacturing cost can be suppressed even if it is a see-through solar cell module, and the transmittance can be easily changed without changing the manufacturing process.
- FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the solar cell module in the present embodiment
- FIG. 2 is an enlarged view of a main part thereof.
- the solar cell module 1 includes a solar cell unit 10 that generates current from received light, an external electrode 3 that is connected to both ends of the solar cell unit 10, and a solar cell unit 10.
- the cover member 4 that covers a part of the external electrode 3, and the solar cell unit 10 and the external electrode 3 are integrated by being sandwiched by the cover member 4 from both sides in the direction orthogonal to the arrangement direction. Is formed.
- EVA 5 ethylene-vinyl acetate copolymer
- the external electrode 3 partially protrudes and is integrally formed. Is formed.
- the solar cell unit 10 is formed by arranging a plurality of solar cells 11. Specifically, the solar cell unit 10 is formed by arranging a plurality of solar cells 11 formed in a strip shape in one direction, and these solar cells 11 are electrically connected by an overlapping connecting unit 12. It is connected to the. And in the both ends of the solar cell part 10, the solar cell 11 and the external electrode 3 which are arrange
- the solar battery cell 11 generates power by receiving light such as sunlight.
- the conductive substrate 21, the lower electrode layer 22, the photoelectric conversion layer 23, and the upper electrode layer 24 are formed of this. They are stacked in order.
- the solar cell module 1 of the present embodiment has a plurality of solar cells 11, and a part of a long portion between adjacent solar cells 11 overlaps in the stacking direction to form an overlapping connecting portion 12. Adjacent solar cells 11 are electrically connected to each other by the electrical connection portion 31 of the overlapping connection portion 12.
- the stacking direction refers to a direction in which the conductive substrate 21, the lower electrode layer 22, the photoelectric conversion layer 23, and the upper electrode layer 24 are stacked.
- the solar battery cell 11 has a strip shape having a short part and a long part.
- the short dimension of the solar battery cell 11 is that the current generated in the photoelectric conversion layer 23 is caused by the upper electrode layer 24.
- the solar battery cell 11 has a plurality of through openings 11a, and a part of the external light is transmitted through the through openings 11a, so that the daylighting property of the entire solar battery module 110 can be secured. It has become.
- the through opening 11 a is formed so as to penetrate from the conductive substrate 21 to the lower electrode layer 22, the photoelectric conversion layer 23, and the upper electrode layer 24 in the stacking direction. Specifically, a through hole penetrating in the thickness direction is formed in the conductive substrate 21, and a through opening 11a is formed at the position of the through hole. Thereby, the light on the upper electrode layer 24 side can be transmitted to the conductive substrate 21 side.
- this penetration opening part 11a is formed over the whole surface by the predetermined
- the through-opening 11a has a substantially circular cross-sectional shape, and the diameter of the through-opening 11a increases as the distance from the electrical connection 31 on the upper electrode layer 24 increases.
- the ratio of the opening area per unit area in the through opening 11 a is formed so as to increase as the distance from the electrical connection portion 31 increases. That is, since the current generated in the photoelectric conversion layer 23 flows through the upper electrode layer 24, it is affected by the internal resistance of the upper electrode layer 24.
- the current generated in the region close to the electrical connection portion 31 is less affected by the internal resistance because the distance flowing through the upper electrode layer 24 is short, but the current generated in the region away from the electrical connection portion 31 Since the distance flowing through the layer 24 is increased, an electrical loss is generated rather than the current generated in the region near the electrical connection portion 31. Therefore, compared with the case where the through opening 11a is provided uniformly over the entire solar battery cell 11 (solar battery module 1), the surface is provided with the large diameter through opening 11a in a region away from the electrical connection part 31 where the loss occurs. By using the same aperture ratio as a whole, the solar battery cell 11 (solar battery module 1) with little electrical loss can be obtained.
- FIG. 3 is a flowchart showing the manufacturing process
- FIG. 4 is a schematic diagram showing each process.
- step S1 a film forming process is performed. That is, the lower electrode layer 22, the photoelectric conversion layer 23, and the upper electrode layer 24 are laminated on the thin plate-like conductive substrate 21.
- the conductive substrate 21 a thin plate-like flexible metal member in which a through hole is formed, for example, a punching metal made of stainless steel is used.
- the conductive substrate 21 of this embodiment is wound in a roll shape, and its width dimension is set to the short dimension of the solar battery cell 11.
- each layer is formed on the conductive substrate 21 by a manufacturing apparatus including a feeding apparatus and a winder, and a CVD apparatus for forming a film between them. Is done.
- each layer is formed when the conductive substrate 21 wound in a roll shape passes through a CVD apparatus or the like that forms each layer from the feeder and is wound on the winder.
- Ag and ZnO as the lower electrode layer 22 are formed on the conductive substrate 21 by the apparatus M1.
- the lower electrode layer 22 is laminated on the conductive substrate 21, but the lower electrode layer 22 is not formed on the through hole of the conductive substrate 21, so the position of the through hole of the conductive substrate 21 in the lower electrode layer 22 In this case, an opening communicating with the lower electrode layer 22 from the through hole of the conductive substrate 21 is formed.
- the conductive substrate 21 is wound up by a predetermined amount, whereby the photoelectric conversion layer 23 is formed on the lower electrode layer 22. That is, amorphous silicon as the photoelectric conversion layer 23 is formed by the apparatus M2 (CVD apparatus).
- the photoelectric conversion layer 23 is laminated on the lower electrode layer 22, but the photoelectric conversion layer 23 is not formed on the through hole of the conductive substrate 21, so the position of the through hole of the conductive substrate 21 in the photoelectric conversion layer 23 Are formed with an opening communicating with the through hole of the conductive substrate 21, the lower electrode layer 22, and the photoelectric conversion layer 23.
- the conductive substrate 21 is wound up by a predetermined amount, whereby an upper electrode layer is formed on the photoelectric conversion layer 23. That is, ITO as the upper electrode layer 24 is formed by the device M3.
- the upper electrode layer 24 is laminated on the photoelectric conversion layer 23, the upper electrode layer 24 is not formed on the through hole of the conductive substrate 21, so the position of the through hole of the conductive substrate 21 in the upper electrode layer 24 Are formed with an opening (through opening 11 a) communicating with the through hole of the conductive substrate 21, the lower electrode layer 22, the photoelectric conversion layer 23, and the upper electrode layer 24.
- the continuous solar cell 11 in which the through-opening portion 11a is formed in the solar cell 11 can be obtained in a state of being wound in a roll shape.
- step S2 a cutting process is performed in step S2. That is, the continuous solar battery cells 11 obtained in the film forming process are cut into predetermined dimensions. Specifically, a strip-shaped solar battery cell 11 having a short part and a long part can be obtained by cutting according to the size of the long part of the solar battery 11 to be designed (FIG. 4B). )).
- step S3 a joining process is performed in step S3. That is, the solar cell part 10 formed integrally by connecting a plurality of solar cells 11 in series is obtained (FIG. 4C). Specifically, the adjacent solar battery cells 11 are integrally joined in a state where the overlapping connection part 12 is formed. That is, solder as the electrical connection portion 31 is fixed to the end portion of the upper electrode layer 24 of one solar battery cell 11, and another solar battery cell 11 is placed on this solder. Then, the solder on the upper electrode layer 24 and the conductive substrate 21 are in contact with each other and temporarily fixed with a jig. Note that the solar cells 11 at both ends in the arrangement direction are brought into contact with the external electrode 3 via solder.
- the solar cells 11 are placed in the furnace in the temporarily fixed state, and the temperature of the inside of the furnace is controlled to be equal to or higher than the solder melting point temperature so that the solder is melted and further cooled to the freezing point temperature. Are electrically connected to form the solar cell portion 10.
- step S4 a laminating process is performed in step S4. Specifically, the solar cell portion 10 is sandwiched between sandwiched portions by a transparent cover member 4 having translucency. Specifically, the solar cell unit 10 is sandwiched from both sides in a direction orthogonal to the arrangement direction of the solar cells 11 with a translucent fluorine-based film, a PET film, or the like as the cover member 4, and EVA 5 is interposed. Laminate in the state. Thereby, it forms integrally in the state in which the solar cell part 10 exists between the cover members 4, and the solar cell module 1 (refer FIG. 1) can be obtained.
- the solar cell module 1 thus obtained can be a see-through solar cell because part of the external light is transmitted through the through opening 11a. And in the solar cell module 1 of this invention, since it is the structure which has this through-opening part 11a, the manufacturing cost of the solar cell module 1 can be held down. That is, since it can be formed by laminating the lower electrode layer 22, the photoelectric conversion layer 23, and the upper electrode layer 24 on the conductive substrate 21 in which the through holes are formed, after the solar cell module 1 is formed, a laser or the like Compared with the conventional manufacturing method which forms an opening by, manufacturing cost can be held down. Further, when changing the transmittance, it is only necessary to change the aperture ratio of the through-hole formed in the conductive substrate 21.
- the size and arrangement of the photoelectric conversion segments are changed in accordance with the transmittance manufactured as in the prior art. Since it is not necessary, the transmittance can be easily changed. Therefore, even when the transmittance is changed, it is not necessary to change a new manufacturing method, and the manufacturing cost can be suppressed.
- the solar cell unit 10 can be flexible. Therefore, by making the cover member flexible, the see-through solar cell module 1 having excellent flexibility can be obtained.
- a punching metal made of stainless steel is used as the conductive substrate 21 .
- a flat plate member having conductivity, and a through hole may be formed in the flat plate member.
- the said embodiment demonstrated the example in which the through-opening part 11a was formed so that the diameter might become large as it leaves
- the configuration in which the opening area of the through opening 11a increases as the distance from the electrical connection portion 31 increases the configuration gradually increases as the distance from the electrical connection portion 31 increases, or from the electrical connection portion 31 to the predetermined region has the same shape. It may be configured such that the diameter of the through-opening portion 11a is increased stepwise, such as being formed and formed in a region that is further away from the predetermined region.
- the through openings 11 a in a region close to the electrical connection portion 31 are roughly provided, and the through openings 11 a are densely provided as the distance from the electrical connection portion 31 is increased. It may be. That is, the ratio (opening ratio) of the opening area per unit area in the area away from the electrical connecting portion 31 is larger than the ratio (opening ratio) of the opening area per unit area in the area close to the electrical connecting section 31. Any form may be used as long as it is a form.
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Abstract
製造コストを抑えることができ、かつ、透過率の変更も製造工程を変更することなく容易に行うことができるシースルー型の太陽電池モジュールを提供するために、導電性基板と、この導電性基板上に下部電極層と、光電変換層と、上部電極層とがこの順に積層された太陽電池セルを備える太陽電池モジュールであって、この太陽電池セルには、前記導電性基板から前記上部電極層まで積層方向に貫通する貫通開口部が全面に亘って複数形成される構成とする。
Description
本発明は、太陽電池モジュールに関し、特に光の透過性を有するシースルー型の太陽電池モジュールに関するものである。
従来より、アモルファスシリコン膜を用いた太陽電池の研究が進められており、実用化されつつある。太陽電池は、住宅の屋根や壁等の表面に太陽電池モジュールを取付けて、この太陽電池モジュールに太陽光を受光させることによって発電できるように構成されている。このような太陽電池モジュールは、単一の太陽電池セル、又は、複数の太陽電池セルが電気的に連結されることによって形成されており、一般的には、金属製の裏面電極、アモルファスシリコン膜(光電変換層)、透明電極を積層させて構成され、必要に応じて透明電極上にはガラス基板が設けられている。そして、ガラス基板側から太陽光を照射されることにより、ガラス基板及び透明電極を介して太陽光がアモルファスシリコン膜で受光され発電されるようになっている。
一方、太陽電池の使用形態として、窓材や透光性部材への使用も検討されており、透光性を有する太陽電池モジュール(シースルー型太陽電池モジュール)の研究も進められている。具体的には、シースルー型太陽電池モジュールは、特許文献1に記載されているように、透光性のない金属製の裏面電極及びアモルファスシリコン膜に複数の開口部が形成されることによって構成されている。これにより外光の一部が開口部を透過し、次いで透明電極及びガラス基板を通じて透過されることにより、太陽電池モジュール全体の採光性が確保される。
また、別のシースルー型太陽電池モジュールとして、特許文献2に記載されているように、太陽電池モジュールに開口部を設ける代わりに、複数の光電変換セグメントを透明基板上に所定間隔離間させて配置することにより構成されるものが提案されている。これによれば、セグメント間の隙間から外光の一部が透過されることにより採光性が確保されるようになっている。
しかし、上述のシースルー型太陽電池モジュールでは、製造コストが高くなるという問題があった。すなわち、裏面電極及びアモルファスシリコン膜に開口部を設ける従来の構成では、太陽電池モジュールを形成した後、エッチング処理やレーザー加工により開口部を形成する必要がある。そのため、従来の太陽電池モジュールを完成させた後に別途、開口部を形成する工程が必要になることにより太陽電池モジュールそのものの製造コストが高くなるという問題がある。
また、光電変換セグメントを透明基板上に所定間隔離間させて配置する構成では、様々な透過率を有する太陽電池モジュールを製造する場合、製造する透過率に合わせて光電変換セグメントの大きさ及び配置を変える必要があるため、製造工程自体を透過率の変更に合わせて対応しなければならず、その結果、太陽電池モジュール自体のコストが高くなるという問題があった。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、太陽電池モジュールの製造コストを抑えることができ、かつ、透過率が変更されても製造工程を変更することなく容易に行うことができるシースルー型の太陽電池モジュールを提供することを目的としている。
上記課題を解決するために本発明の太陽電池モジュールは、導電性基板と、この導電性基板上に下部電極層と、光電変換層と、上部電極層とがこの順に積層された太陽電池セルを備える太陽電池モジュールであって、この太陽電池セルには、前記導電性基板から前記上部電極層まで積層方向に貫通する貫通開口部が全面に亘って複数形成されていることを特徴としている。
上記太陽電池モジュールによれば、太陽電池セルの前記導電性基板から前記上部電極層まで積層方向に貫通する貫通開口部を有していることにより、外光の一部が貫通開口部を通じて透過されるため、シースルー型太陽電池とすることができる。そして、本発明の太陽電池モジュールでは、この貫通開口部を有する構成であることにより、モジュールの製造コストを抑えることができる。具体的には、本発明の太陽電池モジュールでは、厚み方向に貫通する貫通孔を有する導電性基板上に、CVD装置などにより、下部電極層、光電変換層(アモルファスシリコン膜)、上部電極層をこの順に積層させることによって太陽電池セルを製造し、この太陽電池セルを単一、又は、複数電気的に接続することによって太陽電池モジュールを製造することができる。すなわち、貫通孔が形成された導電性基板上に各層を積層させることにより貫通開口部が形成できるため、通常のシースルー型ではない太陽電池モジュールを製造する工程と同じ工程で容易に製造することができる。具体的には、貫通孔が形成された導電性基板上に下部電極層を積層させると、導電性基板の平面上には下部電極層が積層されるものの貫通孔上には積層されず、下部電極層には導電性基板の貫通孔上に貫通孔開口部が形成される。すなわち、下部電極層には、導電性基板の貫通孔に連通される開口部が形成される。同様にして、この下部電極層上に光電変換層、上部電極層を積層させることにより、導電性基板の貫通孔位置には、導電性基板から上部電極層まで積層方向に貫通する貫通開口部が形成される。このように、シースルーの機能を持たない通常の太陽電池モジュールを製造する場合、貫通孔が形成されていない導電性基板上に下部電極層、光電変換層、上部電極層が積層されるが、本発明の太陽電池モジュールでは、貫通孔が形成された導電性基板を用いるだけでシースルー型太陽電池モジュールを形成することができるため、シースルー機能を追加するために新たな工程を別途設ける必要がなく容易にシースルー型の太陽電池モジュールを形成することができる。したがって、従来の製法のように、まず太陽電池モジュールを形成した後、レーザー等で開口部を形成する場合に比べて、製造コストを抑えることができる。また、透過率を変更する場合であっても、導電性基板に形成する貫通孔の開口率を変更するだけでよいため、従来のように製造する透過率に合わせて光電変換セグメントの大きさ及び配置を変える必要がないため、容易に透過率の変更を行うことができる。したがって、透過率を変更する場合であっても、新たな製造方法の変更を行う必要がなく、製造コストを抑えることができる。
また、前記導電性基板は、パンチングメタルで形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、導電性基板を市販のパンチングメタルを使用することができるため、平板状の導電性基板に貫通孔を形成する場合に比べて、製造コストを抑えることができる。
前記上部電極層の表面には、太陽電池セル同士を電気的に接続するための電気接続部が形成されており、前記貫通開口部は、単位面積当りの開口領域の割合が電気接続部から離れるにしたがって大きくなるように形成されている構成とすることができる。
この構成によれば、光電変換層に貫通開口部を形成しても発電効率の低下を抑えた太陽電池モジュールにすることができる。すなわち、光電変換層に光が照射されることによって発生する電流は上部透明電極層を通って電気接続部に流れる。そのため、電気接続部から離れた領域で発生した電流は、電気接続部に近い領域で発生した電流に比べて上部透明電極層を流れる距離が大きくなる。すなわち、電気接続部から離れる領域で発生した電流は、上部透明電極層の抵抗に反して流れる距離が大きくなり、電気接続部に近い領域に比べて発電効率が悪くなる。したがって、貫通開口部を電気接続部から離れるにしたがって大きくなるように形成する構成をとることにより、貫通開口部が発電効率の低下する領域に形成されることになるため、太陽電池モジュール全体の開口率(光の透過率)が同じ場合、発電効率の低下を抑えることができる。
また、複数の前記太陽電池セルは、その一部が積層方向に重なり合う重複連結部を形成して配列されており、その重複連結部では、前記電気接続部により導電性基板と上部電極層とが電気的に接続されることにより、複数の太陽電池セルが一体的に形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、大型の太陽電池モジュールを形成する場合に、太陽電池セル同士の一部を重複させて電気的に接続するため、太陽電池セル同士の連結に別途接続部材を使用する場合に比べて、製造コストを抑えることができる。
また、複数の前記太陽電池セルを収容するカバー部材を有しており、このカバー部材は透光性を有する可撓性材料で形成されており、このカバー部材により複数の太陽電池セルが前記重複連結部を形成した姿勢で一体的に固定されている構成とすることができる。
この構成によれば、太陽電池モジュール全体として可撓性を有する構成にできるため、カバー部材にガラスを使用する従来の構成に比べて、可撓性に優れたシースルー型の太陽電池モジュールにすることができる。これにより、曲面や複雑な形状の壁面に太陽電池モジュールを設置することができるため、従来では設置できなかった住宅の窓やカーポートの屋根等に太陽電池モジュールを設置することが可能になる。
本発明の太陽電池モジュールによれば、シースルー型の太陽電池モジュールであっても製造コストを抑えることができ、かつ、透過率の変更も製造工程を変更することなく容易に行うことができる。
次に、本発明の太陽電池モジュールの実施の形態について説明する。ここで、図1は、本実施形態における太陽電池モジュールの構成を示す概略図であり、図2は、その要部拡大図である。
図1及び図2に示すように、太陽電池モジュール1は、受光した光から電流を発生させる太陽電池部10と、この太陽電池部10の両端に接続される外部電極3と、太陽電池部10と外部電極3の一部を覆うカバー部材4とを有しており、太陽電池部10及び外部電極3がこれらの配列方向と直交する方向の両面側からカバー部材4で挟まれることにより一体的に形成されている。具体的には、太陽電池部10及び外部電極3とカバー部材4の間にEVA5(エチレン-酢酸ビニル共重合体)が充填されており、外部電極3の一部が突出した状態で一体的に形成されている。
太陽電池部10は、図1に示す例では複数の太陽電池セル11が配列されて形成されている。具体的には、太陽電池部10は、短冊形状に形成された複数の太陽電池セル11が一方向に配列されて形成されており、これらの太陽電池セル11同士が重複連結部12で電気的に接続されている。そして、太陽電池部10の両端部分では、両端部分に配置される太陽電池セル11と外部電極3とが電気的に接続されており、この外部電極3から太陽電池部10で発生した電流を外部に取り出せるようになっている。すなわち、重複連結部12では、隣り合う太陽電池セル11同士が、その一部が重なり合うように配置されており、一の太陽電池セル11の導電性基板21と他の上部電極層24とが後述する電気接続部31(図2参照)によって電気的に接続されている。すなわち、配列されたすべての太陽電池セル11が直列に連結されており、各太陽電池セル11で発生した電流を外部電極3から取り出せるようになっている。
太陽電池セル11は、太陽光等の光を受光することにより発電するものであり、図2に示すように、導電性基板21、下部電極層22、光電変換層23、上部電極層24がこの順に積層されて形成されている。本実施形態の太陽電池モジュール1は複数の太陽電池セル11を有しており、隣接する太陽電池セル11同士の長尺部分の一部が積層方向に重複することにより重複連結部12を形成し、この重複連結部12の電気接続部31により隣接する太陽電池セル11同士が電気的に接続されている。ここで、積層方向とは、導電性基板21、下部電極層22、光電変換層23、上部電極層24が積層される方向をいう。そして、太陽光等の光が光電変換層23で受光されると、各太陽電池セル11の光電変換層23で電流が発生し、上部電極層24を流れる。そして、上部電極層24上に設けられた電気接続部31を介して隣接する太陽電池セル11に流れる。これを繰り返すことにより、発生した電流が最終的に外部電極3に流れるようになっている。なお、太陽電池セル11は、短尺部分と長尺部分とを有する短冊形状を有しており、この太陽電池セル11の短尺寸法は、光電変換層23で発生した電流が上部電極層24を通って電気接続部31に流れる場合に、上部電極層24の内部抵抗の影響を受けても太陽電池セル11の発電能力として許容される寸法に設定されている。
また、太陽電池セル11は、複数の貫通開口部11aを有しており、この貫通開口部11aから外光の一部が透過されることにより、太陽電池モジュール110全体の採光性が確保できるようになっている。この貫通開口部11aは、導電性基板21から下部電極層22、光電変換層23、及び上部電極層24まで積層方向に貫通して形成されている。具体的には、導電性基板21には、厚さ方向に貫通する貫通孔が形成されており、この貫通孔位置に貫通開口部11aが形成されている。これにより、上部電極層24側の光が導電性基板21側まで透過することができる。そして、この貫通開口部11aは、太陽電池モジュール1の光の透過率の設定に応じて、太陽電池セル11の表面積に対して所定の割合で表面全体に亘って形成されている。これにより、上部電極層24側の外光の一部が貫通開口部11aを通じて導電性基板21側まで透過し、導電性基板21側から上部電極層24側の景色を視認することができる。
この貫通開口部11aは、その断面形状がほぼ円形に形成されており、その径は、上部電極層24上の電気接続部31から離れるにしたがって、大径になるように形成されている。これにより、貫通開口部11aにおける単位面積当りの開口領域の割合が、電気接続部31から離れるにしたがって大きくなるように形成されている。すなわち、光電変換層23で発生した電流は上部電極層24を流れるため、上部電極層24の内部抵抗の影響を受ける。そのため、電気接続部31に近い領域で発生した電流は、上部電極層24を流れる距離が短かいため内部抵抗の影響が少ないが、電気接続部31から離れた領域で発生した電流は、上部電極層24を流れる距離が大きくなるため、電気接続部31に近い領域で発生する電流よりも電気的なロスが生じる。したがって、貫通開口部11aを太陽電池セル11(太陽電池モジュール1)全体に均一に設ける場合に比べて、ロスが生じる電気接続部31から離れた領域に大径の貫通開口部11aを設けて表面全体として同じ開口率にすることにより、電気的なロスの少ない太陽電池セル11(太陽電池モジュール1)とすることができる。
次に、太陽電池モジュール1の製造方法について説明する。ここで、図3は、製造工程を示すフローチャートであり、図4はそれぞれの工程を示す概略図である。
まず、ステップS1において、製膜工程が行われる。すなわち、薄板状の導電性基板21上に下部電極層22、光電変換層23、上部電極層24が積層される。本実施形態では、導電性基板21として、薄板状の可撓性を有する金属部材に貫通孔が形成されたもの、例えば、ステンレス製のパンチングメタルが使用される。本実施形態の導電性基板21は、ロール状に巻回されており、その幅寸法は太陽電池セル11の短尺寸法に設定されている。そして、図4(a)に示すように、送り出し機及び巻取り機を備え、これらの間に製膜を行うCVD装置等が備えられた製造装置により、この導電性基板21上に各層が形成される。すなわち、ロール状に巻回された導電性基板21が送り出し機から各層を形成するCVD装置等を通過して巻取り機に巻き取られることにより、各層が形成される。具体的には、導電性基板21上に下部電極層22としてのAgとZnOが装置M1により製膜される。これにより、導電性基板21上に下部電極層22が積層するが、導電性基板21の貫通孔上には下部電極層22は形成されないため、下部電極層22における導電性基板21の貫通孔位置には、導電性基板21の貫通孔から下部電極層22に連通した開口部が形成される。
そして、装置M1により下部電極層22が形成されると導電性基板21が所定量巻き取られることにより、この下部電極層22上に光電変換層23が形成される。すなわち、装置M2(CVD装置)により、光電変換層23としてのアモルファスシリコンが製膜される。これにより、下部電極層22上に光電変換層23が積層するが、導電性基板21の貫通孔上には光電変換層23は形成されないため、光電変換層23における導電性基板21の貫通孔位置には、導電性基板21の貫通孔、下部電極層22及び光電変換層23に連通した開口部が形成される。
そして、装置M2により光電変換層23が形成されると導電性基板21が所定量巻き取られることにより、光電変換層23上に上部電極層が形成される。すなわち、装置M3により、上部電極層24としてのITOが製膜される。これにより、光電変換層23上に上部電極層24が積層するが、導電性基板21の貫通孔上には上部電極層24は形成されないため、上部電極層24における導電性基板21の貫通孔位置には、導電性基板21の貫通孔、下部電極層22、光電変換層23、及び上部電極層24に連通した開口部(貫通開口部11a)が形成される。このようにして、太陽電池セル11に貫通開口部11aが形成された連続状の太陽電池セル11がロール状に巻回された状態で得ることができる。
次に、ステップS2において切断工程が行われる。すなわち、製膜工程で得られた連続状の太陽電池セル11を所定の寸法に切断する。具体的には、設計する太陽電池セル11の長尺部分の寸法に応じて切断することにより、短尺部分と長尺部分を有する短冊形状の太陽電池セル11を得ることができる(図4(b))。
次に、ステップS3において接合工程が行われる。すなわち、複数の太陽電池セル11を直列接続させて一体的に形成した太陽電池部10を得る(図4(c))。具体的には、隣接する太陽電池セル11同士が重複連結部12を形成した状態で一体的に接合する。すなわち、一の太陽電池セル11の上部電極層24端部に電気接続部31としての半田を固定し、この半田の上に別の太陽電池セル11を載置する。そして、上部電極層24上の半田と、導電性基板21を当接させた状態で治具によって仮固定する。なお、配列方向両端部分の太陽電池セル11は、半田を介して外部電極3と当接させる。この仮固定させた状態で太陽電池セル11を炉内に配置し、半田融点温度以上に炉内を温度制御することにより半田が溶融し、さらに凝固点温度に冷却することにより、太陽電池セル11同士が電気的に接続され、太陽電池部10が形成される。
次に、ステップS4においてラミネート工程が行われる。具体的には、透光性を有する可撓性のあるカバー部材4で太陽電池部10をサンドイッチ上に挟んで一体的に形成する。具体的には、カバー部材4としての透光性のあるフッ素系フィルム、PETフィルム等により、太陽電池部10を太陽電池セル11の配列方向と直交する方向の両側から挟み、EVA5を介在させた状態でラミネート加工する。これにより、カバー部材4の間に太陽電池部10が存在する状態で一体的に形成され、太陽電池モジュール1(図1参照)を得ることができる。
このようにして得られる太陽電池モジュール1は、外光の一部が貫通開口部11aを通じて透過されるため、シースルー型太陽電池とすることができる。そして、本発明の太陽電池モジュール1では、この貫通開口部11aを有する構成であることにより、太陽電池モジュール1の製造コストを抑えることができる。すなわち、貫通孔が形成された導電性基板21に下部電極層22、光電変換層23、上部電極層24を積層させることにより形成することができるため、太陽電池モジュール1を形成した後、レーザー等で開口部を形成する従来の製法に比べて、製造コストを抑えることができる。また、透過率を変更する場合、導電性基板21に形成する貫通孔の開口率を変更するだけでよいため、従来のように製造する透過率に合わせて光電変換セグメントの大きさ及び配置を換える必要がないため、容易に透過率の変更を行うことができる。したがって、透過率を変更する場合であっても、新たな製造方法の変更を行う必要がなく、製造コストを抑えることができる。
また、導電性基板21を薄板で形成し、複数の太陽電池セル11の一部を重複させる構成であるため、太陽電池部10に可撓性を持たせることができる。そのため、カバー部材を可撓性の有するものにすることにより、可撓性の優れたシースルー型の太陽電池モジュール1とすることができる。
上記実施形態では、導電性基板21としてステンレス製のパンチングメタルを使用する例について説明したが、導電性を有する平板部材であって、この平板部材に貫通孔を形成したものであってもよい。
また、上記実施形態では、貫通開口部11aは、その径が電気接続部31から離れるにしたがって大きくなるように形成された例について説明したが、すべての貫通開口部11aが同じ径であってもよく、この場合には、導電性基板21の貫通孔がすべて同じ形状になるため、製造コストをさらに抑えることができる。また、電気接続部31から離れるにしたがって貫通開口部11aの開口領域が大きくなる構成としては、電気接続部31から離れるにしたがって順次大きくなる形態や、電気接続部31から所定領域までは同じ形状で形成し、この所定領域からさらに離れた領域では一回り大きな形状に形成するというように、貫通開口部11aの径が段階的に大きくなる形態であってもよい。また、貫通開口部11aの径がすべて同じ場合であって、電気接続部31に近い領域における貫通開口部11aを粗に設け、電気接続部31から離れるにしたがって貫通開口部11aを密に設ける構成であってもよい。すなわち、電気接続部31に近い領域における単位面積当りの開口領域の割合(開口率)に比べて、電気接続部31から離れた領域における単位面積当りの開口領域の割合(開口率)が大きくなる形態であれば、どのような形態であってもよい。
1 太陽電池モジュール
10 太陽電池部
11 太陽電池セル
11a 貫通開口部
12 重複連結部
21 導電性基板
22 下部電極層
23 光電変換層
24 上部電極層
10 太陽電池部
11 太陽電池セル
11a 貫通開口部
12 重複連結部
21 導電性基板
22 下部電極層
23 光電変換層
24 上部電極層
Claims (6)
- 導電性基板と、この導電性基板上に下部電極層と、光電変換層と、上部電極層とがこの順に積層された太陽電池セルを備える太陽電池モジュールであって、
この太陽電池セルには、前記導電性基板から前記上部電極層まで積層方向に貫通する貫通開口部が全面に亘って複数形成されていることを特徴とする太陽電池モジュール。 - 前記貫通開口部は、厚み方向に貫通する貫通孔を有する導電性基板上に、下部電極層、光電変換層、上部電極層をこの順に積層させることによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記導電性基板は、パンチングメタルで形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池モジュール。
- 前記上部電極層の表面には、太陽電池セル同士を電気的に接続するための電気接続部が形成されており、前記貫通開口部は、単位面積当りの開口領域の割合が電気接続部から離れるにしたがって大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
- 複数の前記太陽電池セルは、その一部が積層方向に重なり合う重複連結部を形成して配列されており、その重複連結部では、前記電気接続部により導電性基板と上部電極層とが電気的に接続されることにより、複数の太陽電池セルが一体的に形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
- 複数の前記太陽電池セルを収容するカバー部材を有しており、このカバー部材は透光性を有する可撓性材料で形成されており、このカバー部材により複数の太陽電池セルが前記重複連結部を形成した姿勢で一体的に固定されていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/504,015 US8796541B2 (en) | 2010-02-19 | 2011-02-08 | Solar cell module |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010034482A JP5325139B2 (ja) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | 太陽電池モジュール |
JP2010-034482 | 2010-02-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2011102256A1 true WO2011102256A1 (ja) | 2011-08-25 |
Family
ID=44482843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/052566 WO2011102256A1 (ja) | 2010-02-19 | 2011-02-08 | 太陽電池モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8796541B2 (ja) |
JP (1) | JP5325139B2 (ja) |
WO (1) | WO2011102256A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
FR2997226B1 (fr) * | 2012-10-23 | 2016-01-01 | Crosslux | Procede de fabrication d’un dispositif photovoltaique a couches minces, notamment pour vitrage solaire |
FR2997227B1 (fr) * | 2012-10-23 | 2015-12-11 | Crosslux | Dispositif photovoltaique a couches minces, notamment pour vitrage solaire |
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US9590132B2 (en) | 2014-12-05 | 2017-03-07 | Solarcity Corporation | Systems and methods for cascading photovoltaic structures |
US9899546B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-02-20 | Tesla, Inc. | Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste |
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CN111223961A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-06-02 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种新型太阳能电池串的生产方法 |
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---|---|
JP2011171542A (ja) | 2011-09-01 |
US20120204933A1 (en) | 2012-08-16 |
US8796541B2 (en) | 2014-08-05 |
JP5325139B2 (ja) | 2013-10-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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|
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|
NENP | Non-entry into the national phase |
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|
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