WO2011071082A1 - コンタクトプローブ - Google Patents

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WO2011071082A1
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朋弘 瓦林
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日本発條株式会社
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733Geometry aspects
    • G01R1/06738Geometry aspects related to tip portion

Definitions

  • the present invention relates to a contact probe used for a conduction state inspection or an operation characteristic inspection of an inspection target such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal panel.
  • a probe unit that accommodates a plurality of contact probes, which are contact probes, is used.
  • the probe unit can be applied to highly integrated and miniaturized inspection objects by narrowing the pitch between contact probes with the progress of high integration and miniaturization of semiconductor integrated circuits and liquid crystal panels in recent years. Possible technologies are progressing.
  • the tip shape of the contact probe described above is classified into a flat shape, a point shape, and a crown shape according to the purpose of use.
  • the point type is used for contact with a flat contact part.
  • the crown shape is used for contact with spherical contact parts such as solder balls.
  • the base part not in contact with the external electrode is used as a precious metal to ensure electrical stability, and the tip part in contact with the external electrode is used as a different metal or metal alloy to provide an external electrode material.
  • a contact probe that suppresses adhesion and increase in contact resistance due to an oxide film of an external electrode material is disclosed (see, for example, Patent Document 1).
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a contact probe capable of obtaining reliable conduction with a contact target.
  • the present invention is a conductive contact probe having a needle shape that can expand and contract along the longitudinal direction, and at least one end of the longitudinal direction is A plurality of claw portions that protrude in the same weight shape and are arranged rotationally symmetrically with the longitudinal central axis as a symmetry axis, the claw portions passing through the tip and the symmetry axis, and at least the tip It has the ridgeline which makes the step shape in which several convex parts continue in the part close
  • the contact probe according to the present invention is the length of the line passing through the tip of the claw part, the vertices of the plurality of convex parts, and the intersection of the symmetric axis and the ridge line in the above invention.
  • the line having the smallest is a straight line.
  • the vertices of the plurality of convex portions pass through the intersection of the symmetry axis and the ridgeline and the tip of the claw portion, and the intersection and the It lies on an arcuate curve passing between a straight line passing through the tip and the axis of symmetry.
  • the contact probe according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the stepped portion is subjected to electroplating.
  • the contact probe according to the present invention is provided with a plurality of claw portions having stepped ridgelines at the tip of the probe so as to contact any apex of the stepped portion regardless of the size of the contact target. There is an effect that reliable conduction can be obtained.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a probe unit according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a configuration of a main part of the probe unit according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an upper perspective view showing the distal end portion of the first plunger of the contact probe according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a perspective view in the direction of arrow A showing the shape of the claw portion of the contact probe shown in FIG.
  • FIG. 5: is sectional drawing which makes the plane which passes the ridgeline of the nail
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the main part of the probe unit at the time of inspection of the semiconductor integrated circuit.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the main part of the probe unit at the time of inspection of the semiconductor integrated circuit.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the vicinity of the claw portion of the first plunger shown in FIG. 6.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a case where another connection electrode is used for the claw portion shown in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration of a claw portion of a probe according to a modification of the present embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a probe unit according to an embodiment of the present invention.
  • a probe unit 1 shown in FIG. 1 is a device that is used when an electrical characteristic test is performed on a semiconductor integrated circuit 100 that is an object to be tested, and a circuit that outputs a test signal to the semiconductor integrated circuit 100 and the semiconductor integrated circuit 100. This is an apparatus for electrically connecting the substrate 200.
  • the probe unit 1 includes a conductive contact probe 2 (hereinafter simply referred to as “probe 2”) that contacts two different objects to be contacted at both ends in the longitudinal direction, and a semiconductor substrate 100 and a circuit board 200.
  • the probe holder 3 that accommodates and holds the probe 2 according to a predetermined pattern, and the semiconductor integrated circuit 100 that is provided around the probe holder 3 and contacts the plurality of probes 2 during inspection are prevented from being displaced. And a holder member 4 to be used.
  • FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the probe 2 accommodated in the probe holder 3.
  • the probe 2 shown in FIG. 2 is formed using a conductive material, and includes a first plunger 21 that contacts a connection electrode of the semiconductor integrated circuit 100 when the semiconductor integrated circuit 100 is inspected, and an inspection circuit.
  • a second plunger 22 that contacts the electrode of the circuit board 200, and a spring member 23 that is provided between the first plunger 21 and the second plunger 22 and connects the two first plungers 21 and the second plunger 22 in a telescopic manner.
  • the first plunger 21 and the second plunger 22 and the spring member 23 constituting the probe 2 have the same axis.
  • the spring member 23 expands and contracts in the axial direction, so that the impact on the connection electrode of the semiconductor integrated circuit 100 is reduced, and the semiconductor integrated circuit 100 and the circuit board 200 are reduced. Apply load.
  • the first plunger 21 has a crown-shaped tip portion 21a, a flange portion 21c having a diameter larger than the diameter of the tip portion 21a, and extends to the opposite side of the tip portion 21a via the flange portion 21c.
  • the diameter of the boss 21d is smaller than that of 21c, the end of the spring member 23 is press-fitted, and the boss 21d extends to the opposite side of the flange 21c.
  • the diameter of the boss 21d is slightly smaller than that of the boss 21d.
  • a base end portion 21e is provided to the boss 21d.
  • FIG. 3 is an upper perspective view showing the distal end portion 21 a of the first plunger 21.
  • FIG. 4 is a perspective view in the direction of arrow A showing the shape of the claw portion 21b of the first plunger 21 shown in FIG.
  • the distal end portion 21a of the first plunger 21 has a plurality of claw portions 21b.
  • the plurality of claw portions 21b protrude in the same weight shape and are arranged rotationally symmetrically with the axis of the first plunger 21 as the axis of symmetry.
  • each claw portion 21 b has a ridge line L ⁇ b> 1 connecting the tip P ⁇ b> 0 of the claw portion 21 b and the symmetry axis O of the first plunger 21.
  • the tip side of the ridge line L1 has a stepped shape in which a plurality of convex portions each having a vertex P1 are continuous. Further, the inclination angle ⁇ of the ridge line L1 with respect to the symmetry axis O can be arbitrarily set in the range of 0 ° to 90 ° depending on the connection electrode used.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view in which a plane passing through the ridge line L1 of the claw portion 21b is a cut surface.
  • the intersection point Q1 between the symmetry axis O and the ridge line L1, the tip P0 of the claw portion 21b, and all the vertices P1 in the ridge line L1 are located on the straight line C1. Since the intersection point Q1, the tip P0, and the vertex P1 are positioned on the straight line C1, the tip P0 of the claw portion 21b or each of the step-like vertices P1 can come into contact with each other corresponding to the spherical surface of the connection electrode. Even if the connection electrodes have different sizes, the claw portion 21b and the connection electrode can be reliably brought into contact with each other.
  • the second plunger 22 includes a tip 22a having a sharp end that abuts against an electrode formed on the circuit board 200, and a flange 22b having a diameter larger than the diameter of the tip 22a.
  • the boss portion 22c is provided opposite to the front end portion 22a of the flange portion 22b, has a smaller diameter than the flange portion 22b, and is pressed into the end portion of the spring member 23, and is opposed to the flange portion 22b of the boss portion 22c.
  • a base end portion 22d having a slightly smaller diameter than the boss portion 22c.
  • the second plunger 22 can move in the axial direction by the expansion and contraction action of the spring member 23, is urged toward the circuit board 200 by the elastic force of the spring member 23, and comes into contact with the electrode of the circuit board 200.
  • the spring member 23 has a tightly wound portion 23a on the first plunger 21 side, and a coarsely wound portion 23b on the second plunger 22 side.
  • the end portion of the tightly wound portion 23a is press-fitted into the boss portion 21d and is in contact with the flange portion 21c.
  • the end of the rough winding portion 23b is press-fitted into the boss portion 22c and is in contact with the flange portion 22b.
  • the first plunger 21 and the second plunger 22 and the spring member 23 are joined together by a spring winding force and / or soldering.
  • the probe holder 3 is formed using an insulating material such as resin, machinable ceramic, silicon, etc., and a first member 31 located on the upper surface side and a second member 32 located on the lower surface side in FIG. 2 are laminated. Become.
  • the first member 31 and the second member 32 are formed with the same number of holder holes 33 and 34 for accommodating a plurality of probes 2, respectively, and the holder holes 33 and 34 for accommodating the probes 2 have the same axis. It is formed to do.
  • the formation positions of the holder holes 33 and 34 are determined according to the wiring pattern of the semiconductor integrated circuit 100.
  • Both holder holes 33 and 34 have stepped hole shapes with different diameters along the penetration direction. That is, the holder hole 33 includes a small diameter portion 33a having an opening on the upper end surface of the probe holder 3, and a large diameter portion 33b having a diameter larger than the small diameter portion 33a.
  • the holder hole 34 includes a small-diameter portion 34a having an opening at the lower end surface of the probe holder 3, and a large-diameter portion 34b having a larger diameter than the small-diameter portion 34a.
  • the shapes of the holder holes 33 and 34 are determined according to the configuration of the probe 2 to be accommodated.
  • the flange portion 21 c of the first plunger 21 has a function of preventing the probe 2 from being removed from the probe holder 3 by contacting the boundary wall surface between the small diameter portion 33 a and the large diameter portion 33 b of the holder hole 33.
  • the flange portion 22b of the second plunger 22 has a function of preventing the probe 2 from being removed from the probe holder 3 by contacting the boundary wall surface between the small diameter portion 34a and the large diameter portion 34b of the holder hole 34.
  • FIG. 6 is a diagram showing a state when the semiconductor integrated circuit 100 using the probe holder 3 is inspected.
  • FIG. 7 is a sectional view showing the vicinity of the claw portion 21b of the first plunger 21 shown in FIG.
  • the tip P0 of the claw portion 21b since the tip P0 of the claw portion 21b is sharply formed, it comes into contact with the surface of the connection electrode 101 and breaks through the oxide film formed on the surface of the connection electrode 101. The tip P0 of the claw portion 21b can be brought into direct contact with the connection electrode 101.
  • a test signal supplied from the circuit board 200 to the semiconductor integrated circuit 100 at the time of inspection is transmitted from the electrode 201 of the circuit board 200 to the semiconductor integrated circuit via the first plunger 21, the tightly wound portion 23 a, and the second plunger 22 of the probe 2.
  • 100 connection electrodes 101 are reached.
  • the cross-sectional view shown in FIG. 8 is a case where the width of the connection electrode is smaller than the diameter of the tip portion 21a.
  • the first and second vertices P1 from the tip are in contact with the connection electrode 101a.
  • any one of the sharp vertices P1 can break through the oxide film of the connection electrode 101a and come into contact with the connection electrode.
  • the oxide film on the surface of the connection electrode can be pierced regardless of the size of the contact electrode. Therefore, an electrical signal can be reliably passed between the circuit board and the semiconductor integrated circuit, and the inspection can be performed. Accuracy can be maintained.
  • each apex of the tip of the plunger or the convex portion having a stepped shape is formed sharply, it can break through the oxide film of the connection electrode and contact the connection electrode, and the tip of the probe and It becomes possible to suppress wear of each apex and to prevent a decrease in the life of the probe.
  • At least the inner side surface of the claw portion may be covered with a plating film.
  • a plating film for example, gold plating
  • the film thickness of the tip P0 and the apex P1 shown in FIGS. 4 and 5 is larger than the film thickness of the peripheral portion. For this reason, durability of the front-end
  • claw parts can be set arbitrarily.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration of a claw portion of a probe according to a modification of the present embodiment.
  • a part of the ridge line L2 has a stepped shape, the intersection point Q2 between the axis of symmetry O and the ridge line L2, the tip P2 of the claw portion 21b, and all the ridge lines L2.
  • the vertex P3 passes through the arcuate curve C2.
  • the arcuate curve C2 passes between the intersection Q2 between the symmetry axis O and the ridge line L2 and the straight line C3 passing through the tip P2 of the claw portion 21b and the symmetry axis O, so that the spherical surface of the contact electrode 101 is An arc that curves in the opposite direction.
  • a connection electrode having a smaller diameter than the plunger and projecting from the semiconductor integrated circuit is used by forming an arc shape opposite to the spherical surface of the contact electrode 101 like the arc-shaped curve C2,
  • the stepped apexes P3 can be brought into contact with the connection electrodes without the tips P2 of the claw portions 21f coming into contact with the substrate surface of the semiconductor integrated circuit.
  • the contact probe according to the present invention is useful for connecting to a spherical electrode and conducting an electrical signal, and is particularly suitable when using an electrode that forms an oxide film on the surface, such as solder. ing.
  • Probe unit 2 Contact probe (probe) 3 Probe holder 21 First plunger 21a, 22a Tip portion 21b, 21f Claw portion 21c, 22b Flange portion 21d, 22c Boss portion 21e, 22d Base end portion 22 Second plunger 23 Spring member 23a Adhesive winding portion 23b Coarse winding portion 31 First 1 member 32 2nd member 33, 34 Holder hole 33a, 34a Small diameter portion 33b, 34b Large diameter portion 100 Semiconductor integrated circuit 101, 101a Connection electrode 200 Circuit board

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

 長手方向に沿って伸縮可能な針状をなす導電性のコンタクトプローブであって、長手方向の少なくとも一方の端部は、互いに同じ錘状をなして突出し、長手方向の中心軸を対称軸(O)として回転対称に配置された複数の爪部(21b)を備え、爪部(21b)は、先端(P0)と対称軸(O)とを通過し、少なくとも先端(P1)に近い部分で複数の凸部が連続する階段状をなす稜線(L1)を有するため、接触対象間の確実な導通を得ることができる。

Description

コンタクトプローブ
 本発明は、半導体集積回路や液晶パネルなどの検査対象の導通状態検査または動作特性検査に用いられるコンタクトプローブに関するものである。
 従来、半導体集積回路や液晶パネルなどの検査対象の導通状態検査や動作特性検査を行う際には、検査対象と検査用信号を出力する信号処理装置との間の電気的な接続を図るために、コンタクトプローブであるコンタクトプローブを複数収容するプローブユニットが用いられる。プローブユニットにおいては、近年の半導体集積回路や液晶パネルの高集積化、微細化の進展に伴い、コンタクトプローブ間のピッチを狭小化することにより、高集積化、微細化された検査対象にも適用可能な技術が進歩してきている。
 ところで、上述したコンタクトプローブの先端形状は、使用目的によりフラット形、ポイント形、クラウン形に分類される。このうち、ポイント形は、平坦な接点部品とのコンタクトに使用される。また、クラウン形は、半田ボール等の球面的な接点部品とのコンタクトに使用される。
 ここで、クラウン形の先端形状を有するプローブが半田ボールにコンタクトする際、電気信号の通電性を確保するには、半田ボールの表面に存在する汚れや不導体被膜(以下、「酸化被膜」という)を突き破り、半田内部に接触する必要がある。そのため、クラウン形の先端部は鋭利な頂点を有することが求められている。
 そこで、プローブ電気特性の維持・安定化のため、外部電極と接触しないベース部を貴金属として電気的安定性を確保し、外部電極と接触する先端部を異種の金属または金属合金として、外部電極材料の付着、および外部電極材料の酸化被膜による接触抵抗の増加を抑制するコンタクトプローブが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2009-258100号公報
 しかしながら、特許文献1が開示する従来のコンタクトプローブでは、先端部で隣接する頂点の間隔よりも小さい半田ボールと接触する場合、クラウン形状の内周側で半田ボールと接触するため、半田表面の酸化被膜を突き破ることができず、接触対象との間で導通不良を生じるおそれがあった。また、従来のコンタクトプローブの先端部で隣接する頂点が半田ボールと接触する場合にも、その頂点が酸化被膜を完全に突き破って半田まで到達することができず、接触対象との間で導通不良を生じるおそれがあった。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、接触対象との間で確実な導通を得ることができるコンタクトプローブを提供することを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、長手方向に沿って伸縮可能な針状をなす導電性のコンタクトプローブであって、前記長手方向の少なくとも一方の端部は、互いに同じ錘状をなして突出し、前記長手方向の中心軸を対称軸として回転対称に配置された複数の爪部を備え、前記爪部は、先端と前記対称軸とを通過し、少なくとも該先端に近い部分で複数の凸部が連続する階段状をなす稜線を有することを特徴とする。
 また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記爪部の先端と、前記複数の凸部の頂点と、前記対称軸と前記稜線との交点とを通過する線のうち、長さが最小である線は、直線状をなすことを特徴とする。
 また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記複数の凸部の頂点は、前記対称軸と前記稜線との交点と、前記爪部の先端とを通過し、かつ該交点と該先端とを通過する直線と対称軸との間を通過する弧状曲線上に位置することを特徴とする。
 また、本発明にかかるコンタクトプローブは、上記の発明において、前記階段状をなす部分は、電界メッキが施されていることを特徴とする。
 本発明にかかるコンタクトプローブは、プローブの先端部に、階段状をなす稜線を有する爪部を複数設け、接触対象の大きさに関わらず階段状部分のいずれかの頂点と接触するようにしたので、確実な導通を得ることができるという効果を奏する。
図1は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットの構成を示す斜視図である。 図2は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットの要部の構成を示す部分断面図である。 図3は、本発明の実施の形態にかかるコンタクトプローブの第1プランジャの先端部を示す上方斜視図である。 図4は、図3に示すコンタクトプローブの爪部の形状を示す矢視A方向の斜視図である。 図5は、本発明の実施の形態にかかる爪部の稜線を通過する平面を切断面とする断面図である。 図6は、半導体集積回路の検査時におけるプローブユニットの要部の構成を示す部分断面図である。 図7は、図6に示す第1プランジャの爪部近傍を示す断面図である。 図8は、図6に示す爪部に対して他の接続用電極を用いた場合を示す断面図である。 図9は、本実施の形態の変形例にかかるプローブの爪部の構成を示す断面図である。
 以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。
 図1は、本発明の実施の形態にかかるプローブユニットの構成を示す斜視図である。図1に示すプローブユニット1は、検査対象物である半導体集積回路100の電気特性検査を行う際に使用する装置であって、半導体集積回路100と半導体集積回路100へ検査用信号を出力する回路基板200との間を電気的に接続する装置である。
 プローブユニット1は、長手方向の両端で互いに異なる二つの被接触体である半導体集積回路100および回路基板200に接触する導電性のコンタクトプローブ2(以下、単に「プローブ2」という)と、複数のプローブ2を所定のパターンにしたがって収容して保持するプローブホルダ3と、プローブホルダ3の周囲に設けられ、検査の際に複数のプローブ2と接触する半導体集積回路100の位置ずれが生じるのを抑制するホルダ部材4と、を有する。
 図2は、プローブホルダ3に収容されるプローブ2の詳細な構成を示す図である。図2に示すプローブ2は、導電性材料を用いて形成され、半導体集積回路100の検査を行なうときにその半導体集積回路100の接続用電極に接触する第1プランジャ21と、検査回路を備えた回路基板200の電極に接触する第2プランジャ22と、第1プランジャ21と第2プランジャ22との間に設けられて二つの第1プランジャ21および第2プランジャ22を伸縮自在に連結するバネ部材23とを備える。プローブ2を構成する第1プランジャ21および第2プランジャ22、ならびにバネ部材23は同一の軸線を有している。プローブ2は、半導体集積回路100をコンタクトさせた際に、バネ部材23が軸線方向に伸縮することによって半導体集積回路100の接続用電極への衝撃を和らげるとともに、半導体集積回路100および回路基板200に荷重を加える。
 第1プランジャ21は、クラウン形状をなす先端部21aと、先端部21aの径と比して大きい径を有するフランジ部21cと、フランジ部21cを介して先端部21aと反対側に延び、フランジ部21cと比して径の小さく、バネ部材23の端部が圧入されるボス部21dと、ボス部21dを介してフランジ部21cと反対側に延び、ボス部21dと比して若干径の小さい基端部21eとを有する。
 ここで、図3は、第1プランジャ21の先端部21aを示す上方斜視図である。また、図4は、図3に示す第1プランジャ21の爪部21bの形状を示す矢視A方向の斜視図である。図3に示すように、第1プランジャ21の先端部21aは、複数の爪部21bを有する。複数の爪部21bは、互いに同じ錘状をなして突出し、第1プランジャ21の軸線を対称軸として回転対称に配置されている。各爪部21bは、図4に示すように、爪部21bの先端P0と第1プランジャ21の対称軸Oとを結ぶ稜線L1を有する。稜線L1の先端側は、頂点P1をそれぞれ有する複数の凸部が連続した階段状をなす。また、対称軸Oに対する稜線L1の傾斜角度θは、使用する接続用電極によって、0°~90°の範囲で任意に設定可能である。
 また、図5は、爪部21bの稜線L1を通過する平面を切断面とする断面図である。図5に示すように、対称軸Oと稜線L1との交点Q1と、爪部21bの先端P0と、稜線L1における全ての頂点P1とは、直線C1上に位置する。交点Q1と先端P0と頂点P1が直線C1上に位置することによって、爪部21bの先端P0または階段状の各頂点P1が、接続用電極の球面に対応してそれぞれが接触可能となるため、異なる大きさの接続用電極であっても爪部21bと接続用電極とを確実に接触させることができる。
 第2プランジャ22は、図2に示すように、回路基板200上に形成された電極に当接する先鋭端を有する先端部22aと、先端部22aの径と比して大きい径のフランジ部22bと、フランジ部22bの先端部22aと対向して設けられ、フランジ部22bと比して径の小さく、バネ部材23の端部が圧入されるボス部22cと、ボス部22cのフランジ部22bと対向して設けられ、ボス部22cと比して若干径の小さい基端部22dとを有する。この第2プランジャ22は、バネ部材23の伸縮作用によって軸線方向に移動が可能であり、バネ部材23の弾性力によって回路基板200方向に付勢され、回路基板200の電極と接触する。
 バネ部材23は、第1プランジャ21側が密着巻き部23aである一方、第2プランジャ22側が粗巻き部23bである。密着巻き部23aの端部は、ボス部21dに圧入されて、フランジ部21cに当接している。一方、粗巻き部23bの端部は、ボス部22cに圧入され、フランジ部22bに当接している。また、第1プランジャ21および第2プランジャ22とバネ部材23とは、バネの巻き付き力および/または半田付けによって接合されている。
 プローブホルダ3は、樹脂、マシナブルセラミック、シリコンなどの絶縁性材料を用いて形成され、図2の上面側に位置する第1部材31と下面側に位置する第2部材32とが積層されて成る。第1部材31および第2部材32には、複数のプローブ2を収容するためのホルダ孔33および34がそれぞれ同数ずつ形成され、プローブ2を収容するホルダ孔33および34は、互いの軸線が一致するように形成されている。ホルダ孔33および34の形成位置は、半導体集積回路100の配線パターンに応じて定められる。
 ホルダ孔33および34は、ともに貫通方向に沿って径が異なる段付き孔形状をなしている。すなわち、ホルダ孔33は、プローブホルダ3の上端面に開口を有する小径部33aと、この小径部33aよりも径が大きい大径部33bとからなる。他方、ホルダ孔34は、プローブホルダ3の下端面に開口を有する小径部34aと、この小径部34aよりも径が大きい大径部34bとからなる。これらのホルダ孔33および34の形状は、収容するプローブ2の構成に応じて定められる。第1プランジャ21のフランジ部21cは、ホルダ孔33の小径部33aと大径部33bとの境界壁面に当接することにより、プローブ2のプローブホルダ3からの抜止機能を有する。また、第2プランジャ22のフランジ部22bは、ホルダ孔34の小径部34aと大径部34bとの境界壁面に当接することにより、プローブ2のプローブホルダ3からの抜止機能を有する。
 図6は、プローブホルダ3を用いた半導体集積回路100の検査時の状態を示す図である。また、図7は、図6に示す第1プランジャ21の爪部21b近傍を示す断面図である。半導体集積回路100の検査時には、半導体集積回路100からの接触荷重により、バネ部材23は長手方向に沿って圧縮された状態となる。バネ部材23が圧縮されると、図6に示すように、密着巻き部23aが第2プランジャ22の基端部22dと接触する。これにより確実な電気導通が得られる。この際には、第2プランジャ22の基端部22dが密着巻き部23aの下方まで進入しているため、第2プランジャ22の軸線が大きくぶれることはない。
 また、図7に示すように、爪部21bの先端P0が鋭利に形成されているため、接続用電極101の表面に当接して、接続用電極101の表面に形成された酸化被膜を突き破り、爪部21bの先端P0を接続用電極101と直接接触させることができる。
 検査時に回路基板200から半導体集積回路100に供給される検査用信号は、回路基板200の電極201からプローブ2の第1プランジャ21、密着巻き部23a、第2プランジャ22を経由して半導体集積回路100の接続用電極101へ到達する。このように、プローブ2では、第1プランジャ21と第2プランジャ22が密着巻き部23aを介して導通するため、電気信号の導通経路を最小にすることができる。したがって、検査時に粗巻き部23bに信号が流れるのを防止し、インダクタンスの低減および安定化を図ることができる。
 なお、図8に示す断面図は、接続用電極の幅が、先端部21aの径より小さい場合である。この場合、複数の爪部21bの内部側のうち、先端から1つ目と2つ目の頂点P1が接続用電極101aと接触している。この場合も、鋭利な各頂点P1のいずれかが接続用電極101aの酸化被膜を突き破って接続用電極と接触させることができる。
 上述した実施の形態によって、接触用電極の大きさに関わらず、接続用電極表面の酸化被膜を突き破ることができるため、回路基板と半導体集積回路との間に電気信号を確実に流し、検査の精度を維持することができる。また、プランジャの先端部または階段状をなす凸部の各頂点が鋭利に形成されることで、接続用電極の酸化被膜を突き破って接続用電極と接触させることができるうえ、プローブの先端部および各頂点の磨耗を抑制し、プローブの寿命低下を防止することが可能となる。
 なお、本実施の形態においては、少なくとも爪部の内部側面をメッキ被膜で覆うようにしてもよい。特に、電界メッキ、例えば金メッキを用いて爪部を覆った場合、図4,5に示す先端P0および頂点P1の膜厚が周辺部の膜厚と比して厚くなる。このため、先端P0および頂点P1の耐久性を向上させることができる。また、爪部の数は、任意に設定可能である。
 図9は、本実施の形態の変形例にかかるプローブの爪部の構成を示す断面図である。図9に示す第1プランジャ21の爪部21fにおいて、稜線L2の一部は階段状をなし、対称軸Oと稜線L2との交点Q2と、爪部21bの先端P2と、稜線L2における全ての頂点P3とは、弧状曲線C2を通過する。弧状曲線C2は、対称軸Oと稜線L2との交点Q2および爪部21bの先端P2を通過する直線C3と、対称軸Oとの間を通過することで、接触用電極101の球面に対して逆向きに湾曲する弧状をなす。弧状曲線C2のように接触用電極101の球面に対して逆向きの弧状をなすことによって、プランジャの径より小さく、半導体集積回路から突出する高さの低い接続用電極を用いた場合においても、爪部21fの先端P2が半導体集積回路の基板表面と接触することなく、階段状の各頂点P3と接続用電極とを接触させることができる。
 以上のように、本発明にかかるコンタクトプローブは、球面の電極と接続し、電気信号を導通させることに有用であり、特に、半田等、表面に酸化被膜を形成する電極を使用する場合に適している。
 1 プローブユニット
 2 コンタクトプローブ(プローブ)
 3 プローブホルダ
 21 第1プランジャ
 21a,22a 先端部
 21b,21f 爪部
 21c,22b フランジ部
 21d,22c ボス部
 21e,22d 基端部
 22 第2プランジャ
 23 バネ部材
 23a 密着巻き部
 23b 粗巻き部
 31 第1部材
 32 第2部材
 33,34 ホルダ孔
 33a,34a 小径部
 33b,34b 大径部
 100 半導体集積回路
 101,101a 接続用電極
 200 回路基板

Claims (4)

  1.  長手方向に沿って伸縮可能な針状をなす導電性のコンタクトプローブであって、
     前記長手方向の少なくとも一方の端部は、互いに同じ錘状をなして突出し、前記長手方向の中心軸を対称軸として回転対称に配置された複数の爪部を備え、
     前記爪部は、先端と前記対称軸とを通過し、少なくとも該先端に近い部分で複数の凸部が連続する階段状をなす稜線を有することを特徴とするコンタクトプローブ。
  2.  前記爪部の先端と、前記複数の凸部の頂点と、前記対称軸と前記稜線との交点とを通過する線のうち、長さが最小である線は、直線状をなすことを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。
  3.  前記複数の凸部の頂点は、前記対称軸と前記稜線との交点と、前記爪部の先端とを通過し、かつ該交点と該先端とを通過する直線と対称軸との間を通過する弧状曲線上に位置することを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。
  4.  前記階段状をなす部分は、電界メッキが施されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載のコンタクトプローブ。
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