WO2010076951A2 - 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지 - Google Patents

다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a lead frame substrate for a diode package and a diode package having the same.
  • the conventional light emitting diode had a power of less than 1W class. Therefore, it has been used for low power applications, such as a mobile telephone and indirect lighting.
  • the demand for these devices in the high power field has increased, and accordingly, interest in efficiency and lifespan of light emitting diodes has increased.
  • the importance of the package in which these devices are mounted is highlighted. In the case of such high-power product packages, a large output is required, and thus excellent heat dissipation performance is required.
  • the present invention minimizes the portion using the polymer insulating resin, and maximizes the portion using the metal to maximize the heat dissipation, so as to have a structure that maintains excellent heat dissipation characteristics even when the heat slug (Heat Slug), which is a cost increase factor, is removed
  • Heat Slug heat slug
  • a lead frame substrate for a diode package and a diode package having the same can be improved.
  • the plate portion of the metal material electrically divided into two or more areas by the insulating resin; And a housing part formed at an edge of one surface of the plate part to form an inclined surface.
  • the plate portion of the metal material electrically divided into two or more areas by the insulating resin;
  • a housing part formed at an edge of one surface of the plate part to form an inclined surface;
  • a diode mounted on one surface of the plate portion.
  • the housing part may be made of a metal material, and an adhesive layer may be formed between the housing part and the plate part to electrically insulate the plate part and the housing part.
  • the insulating resin may have a 'T' or 'I' shape in cross section, and a reflective layer may be formed on the surface of the inclined surface.
  • the reflective layer may be made of a material including at least one of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), nickel (Ni), and palladium (Pd).
  • the plate portion may be made of a material containing at least one of copper (Cu), nickel (Ni), aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), silver (Ag), iron (Fe). .
  • One end of the plate portion may be bent to implement a side-view type.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a lead frame substrate for a diode package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating the leadframe substrate for the diode package of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating the leadframe substrate for the diode package of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a bottom view illustrating the leadframe substrate for the diode package of FIG. 1.
  • Figure 4 is a cross-sectional view showing a lead frame substrate for a diode package according to another embodiment of the present invention.
  • Figure 5 is a cross-sectional view showing a lead frame substrate for a diode package according to another embodiment of the present invention.
  • Figure 6 is a cross-sectional view showing a lead frame substrate for a diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a diode package to which the leadframe substrate for the diode package of FIG. 1 is applied.
  • Figure 8 is a side view showing a lead frame substrate for a diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a side view illustrating a solder ball bonded to a lead frame substrate for a diode package of FIG. 8.
  • FIG. 9 is a side view illustrating a solder ball bonded to a lead frame substrate for a diode package of FIG. 8.
  • FIG. 10 is a side view showing a lead frame substrate for a diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a side view illustrating a solder ball bonded to a lead frame substrate for a diode package of FIG. 10.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate for a diode package according to an aspect of the present invention.
  • the plate portion 10 the divided regions 12 and 14, the insulating resin 20, the housing portion 30, the inclined surface 32, the adhesive layer 40, the reflective layer 50, and the surface treatment layer 60 is shown.
  • the plate part 10 is a part in which a diode such as an LED (70 in FIG. 7) is seated, and an electrode or the like connected to the diode (70 in FIG. 7) is formed through a wire (72 in FIG. 7).
  • the plate portion 10 is made of a metal material having excellent thermal conductivity, and is partitioned by an insulating resin and electrically separated.
  • a molding method may be used in which a metal plate is processed and divided into several regions, and then an insulating resin is injected and molded into the processed regions.
  • the diode (70 in FIG. 7) is seated on the upper surface of the plate portion 10, the heat generated by the operation of the diode (70 in FIG. 7) is a metal plate portion located on the lower surface of the diode (70 in FIG. Through (10) it can be efficiently distributed.
  • the material constituting the plate portion 10 are copper (Cu), nickel (Ni), aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), silver (Ag), iron (Fe), gold (Au) ), And the like.
  • the plate portion when either the positive electrode (not shown) or the negative electrode (not shown) of the diode (70 in Fig. 7) is formed on the lower surface, the plate portion by directly contacting the electrode formed on the lower surface and the plate portion 10 It is possible to allow the 10 to function as an electrical and thermal passage.
  • the plate portion 10 adjacent to the electrode formed on the upper surface of the diode 70 may implement a connection through wire bonding, and may directly connect an electrode formed on the bottom surface of the diode 70 in FIG. 7 and one region 12 of the plate part 10.
  • the electrical connection structure is just an example, and the electrical connection structure may be implemented differently according to the structure in which the positive electrode and the negative electrode of the diode 70 are arranged.
  • the housing portion 30 is formed at one edge of the plate portion 10, and the inclined surface 32 is formed by the housing portion 30. That is, as shown in FIG. 1, a housing portion 30 having an inclined surface 32 having a shape that opens outward is formed at the upper edge of the plate portion 10.
  • a separate reflective layer 50 is formed on the inclined surface 32, it is possible to maximize the light focusing efficiency of the diode (70 of FIG. 7).
  • the material of the reflective layer 50 silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), nickel (Ni), palladium (Pd), or the like may be used, and any material having similar light reflection characteristics may be used. May also be used.
  • the reflective layer 50 may be formed on the top surface of the plate portion 10 as well as the inclined surface 32. As described above, since the reflective layer 50 is also made of a metal material similarly to the plate part 10, the reflective layer 50 may not affect the various effects that the plate part 10 of the metal material can exert.
  • a molding resin made of a transparent material may be filled in the inner region partitioned by the housing part 30 to form a spherical lens (not shown), and a slit having a predetermined pattern (not shown). May be formed.
  • the housing portion 30 is made of a metal material having excellent thermal conductivity, as in the case of the plate portion 10 described above.
  • the housing portion 30 is made of a metal material, it is possible to expect more excellent heat dissipation effect.
  • the housing part 30 is made of a metal material, the inclined surface 32 itself of the housing part 30 may function as the reflective layer 50, and thus, the separate reflective layer 50 may not be provided. It may be.
  • the present embodiment proposes a structure in which the plate portion 10 and the housing portion 30 described above are bonded to each other by the insulating adhesive layer 40. That is, the plate portion 10 and the housing portion 30 are manufactured through separate processes, and then bonded to each other using the adhesive layer 40. Through this method, not only the manufacturing process of the diode package substrate can be simplified, but also the manufacturing yield can be expected to be improved.
  • the insulating adhesive layer 40 can be used to electrically separate the plate portion 10 and the housing portion 30 from each other, thereby realizing electrical insulation between the regions 12 and 14 of the plate portion 10. Will be.
  • the plate portion 10 and the housing portion 30 may be subjected to surface treatment.
  • the surface treatment method micro-etching is performed to increase the contact area by making minute scratches on the surface of the plate part 10 or the housing part 30, or in the case of a copper alloy, a special oxide having good adhesion with an organic adhesive. It is also possible to form (Brown Oxide), to plate a pure copper layer which is intentionally treated to have a fine protrusion on the surface, or to form a thin oxide film by anodizing or a combination of these methods.
  • the housing portion 30 of the metal material is presented, of course, it is also possible to use a ceramic or polymer material according to the design needs. In the case of applying a housing part made of a ceramic or polymer material, a separate adhesive layer that insulates the housing part 30 from the plate part 10 may not be required.
  • the cross section may have a 'T' or 'I' shape.
  • the insulating resin may be structurally prevented from being separated from the divided region of the plate part 10. do.
  • An insulating resin 20 having a 'T' cross section is shown in FIG. 1, and an insulating resin 22 having a 'I' cross section is shown in FIG. 5.
  • the insulating resin 21 having a rectangular cross section may be applied.
  • the plate portion 10 may be divided into three or more to utilize each area.
  • FIG. 6 illustrates that the cross section of the plate portion 10 is divided into three, but may be divided into more regions.
  • FIG. 7 The diode package to which the substrate described above is applied is shown in FIG. 7.
  • a diode 70 is mounted in one region 12 of the plate portion 10 electrically partitioned by the insulating resin 20, and the wire 72 is connected to the remaining region 14. Is electrically connected through.
  • Solder balls 80 are formed on the surface treatment layer 60 formed on the lower surface of the plate part 10, so that a diode package may be mounted on a main board (not shown).
  • a method of forming the bent portion 11 on one end of the plate portion 10 can be used. That is, as shown in FIG. 8, the bent portion 11 of the downwardly bent shape may be formed at one end of the plate portion 10. In this case, as shown in FIG. 9, the solder ball 80 may be formed in the bent portion, that is, in the lateral direction of the plate part 10, so that a side-view type may be realized.
  • the bent portion 11 of the upwardly bent shape may be formed at one end of the plate portion 10.
  • the solder ball 80 is formed in the upward bent portion is shown in FIG.

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Abstract

발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 패키지가 개시된다. 절연수지에 의해 2 이상의 영역으로 전기적으로 구획되는 금속 재질의 플레이트부; 및 상기 플레이트부의 일면의 가장자리에 형성되어 경사면을 형성하는 금속 재질의 하우징부; 상기 하우징부 및 상기 플레이트부의 사이에 형성되며, 상기 플레이트부와 상기 하우징부를 전기적으로 절연시키는 접착층을 포함하는 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판은, 전극이 전원공급 기능뿐만 아니라 적극적인 열방출 기능을 하도록 설계하여 방열특성을 향상시킬 수 있다.

Description

다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지
본 발명은 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지에 관한 것이다.
종래의 광 방출 다이오드는 1W급 미만의 전력을 가지고 있었다. 때문에, 휴대전화나 간접조명 등의 저전력 용도로 사용되어 왔다. 그러나 근래 들어 이러한 소자들의 고전력 분야(조명, 자동차용 HEAD LAMP, 가로등 등)로의 요구가 증가하게 되었으며, 이에 따라 광 방출 다이오드의 효율 및 수명에 대한 관심이 커지게 되었다. 그 결과, 이러한 소자가 실장된 패키지의 중요성이 부각되었다. 이러한 고전력 제품 패키지의 경우, 큰 출력을 요하게 되므로 우수한 방열 성능이 요구되고 있다.
본 발명은 제작원가 상승요인인 히트 슬러그(Heat Slug)를 제거한 상태에서도 우수한 방열특성을 유지하는 구조를 갖도록, 고분자 절연수지를 사용하는 부분을 최소화 하고, 금속을 사용하는 부분을 최대한 확대함으로써, 방열특성을 향상시킬 수 있는 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 절연수지에 의해 2 이상의 영역으로 전기적으로 구획되는 금속 재질의 플레이트부; 및 플레이트부의 일면의 가장자리에 형성되어 경사면을 형성하는 하우징부를 포함하는 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 제공할 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 절연수지에 의해 2 이상의 영역으로 전기적으로 구획되는 금속 재질의 플레이트부; 플레이트부의 일면의 가장자리에 형성되어 경사면을 형성하는 하우징부; 및 플레이트부의 일면에 실장되는 다이오드를 포함하는 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.
하우징부는 금속 재질로 이루어질 수 있으며, 이 때, 하우징부 및 플레이트부의 사이에는, 플레이트부와 하우징부를 전기적으로 절연시키는 접착층이 형성될 수 있다.
한편, 절연수지는 단면이 'T' 또는 'I' 형상일 수 있으며, 경사면의 표면에는 반사층이 형성될 수 있다. 이 때, 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 플레이트부는 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 철(Fe) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
플레이트부의 일단부는 절곡되어, 사이드뷰(side-view) 타입을 구현할 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 고분자 절연수지를 사용하는 부분을 최소화 하고, 금속을 사용하는 부분을 최대한 확대함으로써, 방열특성을 향상시킬 수 있으며, 제품의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 단면도.
도 2는 도 1의 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 평면도.
도 3은 도 1의 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 저면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 단면도.
도 7은 도 1의 다이오드 패키지용 리드프레임 기판이 적용된 다이오드 패키지를 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 측면도.
도 9는 도 8의 다이오드 패키지용 리드프레임 기판에 솔더볼이 접합된 모습을 나타내는 측면도.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지용 리드프레임 기판을 나타내는 측면도.
도 11은 도 10의 다이오드 패키지용 리드프레임 기판에 솔더볼이 접합된 모습을 나타내는 측면도.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
이하, 본 발명에 따른 다이오드 패키지용 리드프레임 기판 및 이를 구비한 다이오드 패키지의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 다이오드 패키지용 기판을 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 플레이트부(10), 분할영역(12, 14), 절연수지(20), 하우징부(30), 경사면(32), 접착층(40), 반사층(50), 표면처리층(60)이 도시되어 있다.
플레이트부(10)는 LED와 같은 다이오드(도 7의 70)가 안착되는 부분과, 와이어(도 7의 72) 등을 통해 상기 다이오드(도 7의 70)와 접속되는 전극 등이 형성되는 부분으로 구획된다. 이러한 플레이트부(10)는 열 전도성이 우수한 금속 재질로 이루어지며, 절연수지에 의해 구획되어 전기적으로 분리된다. 이러한 형태의 플레이트부를 형성하기 위하여, 금속 판재를 가공하여 여러 영역으로 구획한 다음, 가공된 영역에 절연성 수지를 주입하고 성형하는 몰딩 방식을 이용할 수 있다.
플레이트부(10)의 상면에 다이오드(도 7의 70)가 안착되는데, 다이오드(도 7의 70)의 작동에 의해 발생하는 열은 다이오드(도 7의 70)의 하면에 위치한 금속 재질의 플레이트부(10)를 통해 효율적으로 분산될 수 있게 된다. 플레이트부(10)를 구성하는 재료의 예로는 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 철(Fe), 금(Au) 등을 들 수 있다.
뿐만 아니라, 다이오드(도 7의 70)의 양전극(미도시) 또는 음전극(미도시) 중 어느 하나가 하면에 형성되는 경우에는, 하면에 형성된 전극과 플레이트부(10)를 직접 접촉시킴으로써, 플레이트부(10)가 전기적, 열적 통로로서의 기능을 수행하도록 할 수 있게 된다.
즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 다이오드(70)의 양전극과 음전극 중 어느 하나는 하면에 형성되고 나머지 하나는 상면에 형성된 경우, 다이오드(70)의 상면에 형성된 전극과 인접한 플레이트부(10)의 타 영역(14)은 와이어 본딩을 통해 접속을 구현할 수 있으며, 다이오드(도 7의 70)의 하면에 형성된 전극과 플레이트부(10)의 일 영역(12)을 직접 접속할 수도 있는 것이다.
그러나, 이러한 전기적 접속 구조는 일 예에 불과하며, 다이오드(70)의 양전극과 음전극이 배치된 구조에 따라 전기적 접속 구조를 다르게 구현할 수도 있음은 물론이다.
이러한 플레이트부(10)의 일면 가장자리에는 하우징부(30)가 형성되고, 이 하우징부(30)에 의해 경사면(32)이 형성된다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 플레이트부(10)의 상면 가장자리에, 바깥 방향을 향해 벌어지는 형상의 경사면(32)을 가진 하우징부(30)가 형성되는 것이다.
이러한 경사면(32)에 의해, 다이오드(도 7의 70)에서 방출되는 빛이 패키지 내부 공간에 트랩(trap)되거나 흡수되는 현상을 최소화할 수 있게 되며, 그 결과 패키지의 효율을 증대시킬 수 있게 된다.
한편, 경사면(32)에는 별도의 반사층(50)이 형성되어, 다이오드(도 7의 70)의 광 집속 효율을 극대화 시킬 수 있다. 이러한 반사층(50)의 재료로는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 등을 이용할 수 있으며, 이와 유사한 광 반사 특성을 갖는 재질이라면 어느 것이라도 이용될 수 있을 것이다.
이러한 반사층(50)은 경사면(32)뿐만 아니라 플레이트부(10)의 상면에도 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이 반사층(50) 역시 플레이트부(10)와 마찬가지로 금속 재질로 이루어지게 되므로, 금속 재질의 플레이트부(10)가 발휘할 수 있는 여러 가지 효과에는 별다른 영향을 미치지 않을 수 있게 된다.
또한, 도면에 도시되지는 않았으나, 하우징부(30)에 의해 구획되는 내부영역에 투명한 재질의 몰딩수지 등이 충전되어 구면렌즈(미도시)가 형성될 수도 있으며, 소정의 패턴을 갖는 슬릿(미도시)이 형성될 수도 있다.
본 실시예의 경우, 하우징부(30)는, 상술한 플레이트부(10)의 경우와 같이, 열 전도성이 우수한 금속 재질로 이루어진다. 플레이트부(10)와 더불어 하우징부(30)가 금속재질로 이루어짐으로써, 보다 더 우수한 방열효과를 기대할 수 있게 된다. 이와 같이 하우징부(30)가 금속 재질로 이루어지는 경우, 하우징부(30)의 경사면(32) 자체가 반사층(50)으로서의 기능을 수행할 수도 있어, 상술한 별도의 반사층(50)을 구비하지 않을 수도 있다.
한편, 본 실시예에서는 상술한 플레이트부(10)와 하우징부(30)가 절연성 접착층(40)에 의해 서로 접합되는 구조를 제시한다. 즉, 플레이트부(10)와 하우징부(30)를 각각 별도의 공정을 통해 제조한 다음, 접착층(40)을 이용해 이들을 접합하는 것이다. 이러한 방법을 통해, 다이오드 패키지용 기판의 제조공정 단순화뿐만 아니라 제조수율의 향상 또한 기대할 수 있게 된다.
또한, 절연성 접착층(40)을 이용하여 플레이트부(10)와 하우징부(30)를 서로 전기적으로 분리시킬 수 있게 됨으로써, 플레이트부(10)의 각 영역(12, 14) 간의 전기적 절연을 구현할 수 있게 된다.
한편, 플레이트부(10)와 하우징부(30)의 접합력과 절연성을 향상시키기 위해 접합면에 표면처리를 할 수도 있다. 표면처리 방법으로는 플레이트부(10) 또는 하우징부(30)의 표면에 미세한 흠집을 만들어 접촉면적을 증가시키는 마이크로 에칭(Micro-etching)을 하거나, 구리 합금인 경우 유기접착제와 접착력이 양호한 특수 산화물(Brown Oxide)을 형성하거나, 표면에 의도적으로 미세한 돌출부가 존재하도록 처리한 순수 구리층을 도금하거나, 아노다이징으로 얇은 산화막을 형성시키는 방법 혹은 이들 방법들을 혼용하는 경우도 가능하다.
한편, 본 실시예에서는 금속재질의 하우징부(30)를 제시하였으나, 설계상의 필요에 따라 세라믹 혹은 폴리머 재질을 이용할 수도 있음은 물론이다. 세라믹 또는 폴리머 재질의 하우징부를 적용하는 경우에는, 하우징부(30)와 플레이트부(10) 사이를 절연시키는 별도의 접착층이 필요하지 않을 수도 있다.
플레이트부(10)를 2 이상의 영역으로 구획하는 절연수지의 경우, 그 단면이 'T' 또는 'I' 형상일 수 있다. 'T' 또는 'I'와 같이 일단부 또는 양단부의 폭이 넓은 형상을 갖는 경우, 절연수지가 플레이트부(10)의 분할된 영역에서 이탈되는 현상을 구조적으로 방지할 수 있는 효과를 나타낼 수 있게 된다. 단면이 'T'형상을 갖는 절연수지(20)는 도 1에 도시되어 있으며, 단면이 'I'형상을 갖는 절연수지(22)는 도 5에 도시되어 있다. 물론 도 4에 도시된 바와 같이 단면이 직사각형 형상을 갖는 절연수지(21)를 적용할 수도 있음은 물론이다.
한편, 플레이트부(10)에 다이오드(도 7의 70)를 여러 개 안착시키고자 하는 경우나, 다이오드(도 7의 70) 이 외의 다른 수동/능동소자 등을 실장하고자 하는 경우 등과 같은 설계 상의 필요가 있는 경우에는, 플레이트부(10)를 셋 이상으로 구획하여 각각의 영역을 활용할 수도 있다. 도 6에는 플레이트부(10)의 단면이 셋으로 구획된 모습이 도시되어 있으나, 그 이상의 영역으로 구획할 수도 있음은 물론이다.
이상에서 설명한 기판이 적용된 다이오드 패키지가 도 7에 도시되어 있다. 도 7을 참조하면, 절연수지(20)에 의해 전기적으로 구획된 플레이트부(10)의 어느 한 영역(12)에 다이오드(70)가 실장되며, 나머지 영역(14)과는 와이어(72)를 통해 전기적으로 연결된다. 플레이트부(10)의 하면에 형성되는 표면처리층(60)에는 각각 솔더볼(80)이 형성됨으로써, 추후 메인보드(미도시) 등에 다이오드 패키지가 실장될 수 있게 된다.
이 밖의 구성요소는 전술한 바와 같으므로, 이들에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
한편, 측면발광을 위한 사이드뷰(side-view) 타입을 구현하고자 하는 경우, 플레이트부(10)의 일단에 절곡부(11)가 형성되도록 하는 방법을 이용할 수 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 플레이트부(10)의 일단에 하향 절곡된 형상의 절곡부(11)가 형성되도록 할 수도 있는 것이다. 이 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 절곡된 부분, 즉, 플레이트부(10)의 측면 방향에 솔더볼(80)을 형성함으로써 사이드뷰(side-view) 타입을 구현할 수 있게 된다.
물론, 도 10에 도시된 바와 같이, 플레이트부(10)의 일단에 상향 절곡된 형상의 절곡부(11)가 형성되도록 할 수도 있음은 물론이다. 상향 절곡된 부분에 솔더볼(80)이 형성된 모습은 도 11에 도시되어 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.

Claims (12)

  1. 절연수지에 의해 2 이상의 영역으로 전기적으로 구획되는 금속 재질의 플레이트부; 및
    상기 플레이트부의 일면의 가장자리에 형성되어 경사면을 형성하는 금속 재질의 하우징부;
    상기 하우징부 및 상기 플레이트부의 사이에 형성되며, 상기 플레이트부와 상기 하우징부를 전기적으로 절연시키는 접착층을 포함하는 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연수지는 종단면이 'T' 또는 'I' 형상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 경사면의 표면에 형성되는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 플레이트부는 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 철(Fe), 금(Au) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플레이트부의 일단에는 절곡부가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 기판.
  7. 절연수지에 의해 2 이상의 영역으로 전기적으로 구획되는 금속 재질의 플레이트부;
    상기 플레이트부의 일면의 가장자리에 형성되어 경사면을 형성하는 금속 재질의 하우징부;
    상기 하우징부 및 상기 플레이트부의 사이에 형성되며는, 상기 플레이트부와 상기 하우징부를 전기적으로 절연시키는 접착층; 및
    상기 플레이트부의 일면에 실장되는 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 절연수지는 종단면이 'T' 또는 'I' 형상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 경사면의 표면에 형성되는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 플레이트부는 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 철(Fe), 금(Au) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 플레이트부의 일단부에는 절곡부가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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