WO2007003842A2 - Laser optical source and method for the production thereof - Google Patents

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WO2007003842A2
WO2007003842A2 PCT/FR2006/050636 FR2006050636W WO2007003842A2 WO 2007003842 A2 WO2007003842 A2 WO 2007003842A2 FR 2006050636 W FR2006050636 W FR 2006050636W WO 2007003842 A2 WO2007003842 A2 WO 2007003842A2
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Jackie Etrillard
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    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1237—Lateral grating, i.e. grating only adjacent ridge or mesa

Definitions

  • the present invention relates to a laser optical source and its method of production.
  • the invention finds a particularly advantageous application in the field of optical access, and more particularly in that of low cost laser optical sources intended in particular for optical access network applications as well as type network applications.
  • LAN Local Area Network
  • SAN Storage Area Network
  • OLT Optical Line Termination
  • resource pooling aims to reduce the costs of necessary equipment by sharing the opto-electronic modules between several client terminal interfaces so as to divide the costs.
  • Each subscriber has a determined bandwidth, allocated permanently or dynamically allocated to the request, but using opto-electronic equipment that can be shared by several subscribers.
  • the operator guarantees complete confidentiality of the links transiting through these shared facilities, generally located at the connection unit closest to the home of the customers concerned.
  • WDM Wavelength Division Multiplexing
  • the thermal drifts of the optical sources used are weak and constant over time, whether they concern the optical power supplied or the value of the wavelengths emitted. It is possible to overcome the constraints imposed by these drifts by predicting their amplitude in advance and limiting them to values compatible with efficient operation of the network, but this to the detriment of the maximum number of clients simultaneously connected to the network. common liaison equipment. In this case, the CWDM ("Coarse Wavelength Division Multiplexing") multiplexing is obtained which provides for a rather large safety interval between two successive allocated wavelengths, hence a decrease in the number of clients.
  • drift is a heavy task for the maintenance and management of such networks, the cost of which is added to that resulting from the compromise found on the number of customers connected in view of these drifts.
  • the sources, central or customers, as well as all the ancillary components that allow optimal operation of the system must be reliable over time and therefore have good resistance to aging. This must also be taken into account in the management of the network and its maintenance.
  • the lasers currently used in this type of low-cost application are mainly made from Fabry-Perot (FP) structure or Distributed Feed-Back (DFB) structure with vertical or lateral emission, and, more rarely, by using structures of the DBR (“Distributed Bragg Reflector”) type because of the complexity of the production technology which is quite critical in terms of manufacturing efficiency.
  • FP Fabry-Perot
  • DFB Distributed Feed-Back
  • the main criteria chosen for the choice of emission components are, on the one hand, the cost, and, on the other hand, the performances.
  • Cost is not a stable criterion because the price of a laser chip is only a marginal proportion of the total cost of a system (about 10%).
  • Cost stability is also not sustainable because of volume effects or changes in production techniques.
  • the state of the art corresponds to a situation in which the equipment manufacturers use relatively low cost sources (FP or DFB) by optimizing the hybridization with the other useful functions by the known means in PLC structure ("Planar Lightwave Circuit ”) for example, by using the servo functions, especially for power stabilization, and by avoiding wavelength fluctuations over an acceptable range.
  • the applications are then typically limited by these fluctuations.
  • wavelength division multiplexing techniques must choose rather wide instability tolerances (CWDM).
  • the state of the art shows that one of the most relevant solutions is to avoid epitaxial resumption, which is generally of high cost as much by the numerous manipulations in protected environment as by the irregularities of realization and thus the high failure rates.
  • the most advanced embodiments relate to the sources obtained by using external gain coupling to the ribbon structure using distributed lateral feedback networks ("lateral DFB-grating") as described for example in the articles "Low-threshold high-quantum-efficiency laterally gain-coupled InGaAs / AIGaAs distributed feedback lasers", M. Kamp et al, Applied Physics Letters, Vol.74, No.
  • the first known technique of the state of the art using an external resonant cavity is not low cost. It implements a hybridization process of a laser diode incorporating an integrated spot converter with a waveguide made using FHD ("Flame Hydrolisis Deposition") technology used in several steps as well as dry etching steps, UV photo-inscription and silicone insertion. In addition, the powers emitted are thermally unstable and require servocontrol with photodiode monitoring (MPD).
  • MPD photodiode monitoring
  • the second known method using an index-compensated optical confinement layer has the major disadvantage of an impossibility of electric pumping and is therefore unsuitable for low-cost applications with a technology that is difficult to industrialize at low cost and on a large scale. .
  • the technical problem to be solved by the object of the present invention is to provide a gain-side laser optical source, comprising at least one laser ribbon and at least one network of metal strips disposed on a substrate laterally to said ribbon.
  • laser whose wavelength drifts, and also in power, would lead to lower servocontrol constraints than with current sources and thus allow the pooling of resources on a large number of customers and at lower cost.
  • a solution to the technical problem posed, according to the present invention in that a compensation layer formed of pads of a negative index variation material is interposed between said network of metal strips and said substrate. This results in a reduction in wavelength drift related to the index thermal variation.
  • said negative index variation material is bisbenzocyclobutene.
  • At least one active zone of said laser ribbon consists of at least one plane of islands or quantum wires.
  • At least one active zone of said laser ribbon consists of at least one quantum well plane made of a material chosen between GaAIInAs and GaInAsN.
  • the invention proposes that said compensation layer has a coefficient of thermal expansion of opposite sign to that of the coefficient of thermal expansion of the material constituting at least one month. active zone of said laser ribbon. This advantageous arrangement makes it possible to obtain better wavelength stability by limiting the effects of thermal expansion.
  • said compensation layer is made with a negative coefficient of expansion polymer, optionally loaded with metal nanoparticles.
  • the drifts presented by the laser optical source according to the invention are sufficiently small to consider a simplification of the constraints of management, operational monitoring and maintenance.
  • the laser optical source according to the invention can be used in the terminal equipment of the subscribers connected by optical fiber to the network of an operator or in the access equipment of the network of an operator. It can also be integrated or possibly hybridized with active or passive optical or electronic functions so as to fulfill global transmission / reception functions in the context of operation by a telecommunications operator WAN, MAN or LAN / SAN.
  • the very strong reduction of power and wavelength drifts must allow the removal or, at least, a significant simplification of the modules of Peltier type temperature control and power stabilization.
  • the operational management and flexibility of networks using such a source will benefit from these improvements.
  • the invention also relates to a method for producing a laser optical source according to the invention, remarkable in that it comprises the following steps:
  • said method comprises a preliminary step of depositing on the substrate a semi-transparent metal thin layer at the wavelength of the source.
  • Figure 1 is a perspective view of a laser optical source according to the invention.
  • FIG. 1 shows a gain-side laser optical source which may be of the DFB or DBR type.
  • This source comprises a substrate 10 made of InP, for example, in which a laser ribbon 11 is produced as well as confinement layers 12 separated by at least one active zone 13.
  • a gain coupling element constituted by two networks of metal strips 21 arranged on two shoulders 14 of the substrate laterally to the laser ribbon 11.
  • Two electrodes 15 and 16 make it possible to inject a supply current I into the source.
  • the invention proposes to use the principle of compensation for thermal variations of index of the same absolute value but of opposite signs.
  • the application of this principle leads to producing a compensation layer formed of pads 22 of a material with a variation of index negative interposed between said network of metal strips 21 and the substrate 10.
  • the negative index variation material is, for example, bisbenzocyclobutene (BCB).
  • the thickness and the vertical position with respect to the plane of the active zone 13 of the index variation compensation layer are determined by iterative experimental calculations and verifications to take into account the index variations of the semiconductor materials and the chosen material. for compensation. In practice, the thickness of this compensation layer is a few hundred nanometers.
  • the etching of the BCB not covered by the metal strips is then carried out using dry etching.
  • the adhesion film 23 can then be eliminated in the areas discovered during the etching of the BCB by very short dry etching or by very brief wet etching as well.
  • Another temperature compensation which may be complementary to the index variation compensation, consists in using a material such that its coefficient of thermal expansion is of opposite sign to that exhibited by the semiconductor materials constituting the active zone 13 of the source. laser. It may be, for example, a dispersion of metal nanoparticles in a negative coefficient of expansion polymer. It is known that such composite materials have an intermediate coefficient of expansion, depending on the proportions of the composite, between the negative coefficient polymer and the selected positive coefficient metal.
  • this type of material has exploitable optical qualities to achieve the goal set by the invention. It is also necessary that this material has a complex index adapted to the coupling by the gain of the laser cavity. Although an order of magnitude smaller than the variation of the index, the drifts due to the expansion of the dimensions must also be compensated for the purpose of total cancellation of the drifts, the stresses in the materials due to the expansions being responsible for the drifts. in the band structures of the materials, therefore functional parameters of the source.
  • quantum dots quantum dots
  • quantum dashs quantum dots
  • Another solution consists in replacing in the active zone 13 the quantum wells using usual quaternary materials with quaternary GaAIInAs or GaInAsN type materials which make it possible to obtain high characteristic temperatures.
  • the invention also applies to the realization of a diode of the DBR type which is side-coupled with respect to the laser strip or coupled in the axis of the ribbon, always simultaneously using the confinement by islands or quantum wires or quaternary GaAIInAs or GaInAsN materials in the active zone and the double compensation of the thermal drifts of index and expansion.
  • the optimization of the compensating layer thicknesses is obtained by calculations and experimental iterations.
  • the position of the lateral coupling zone or in the optical ribbon axis is determined by the rules known to those skilled in the art to optimize the coupling.
  • Another possible application of the invention consists in producing a tunable source of the DBF or DBR type by using a lateral coupling by the feedback network gain of the BSG ("Binary Superimposed Gratings") type or another SSG type network. (“Superstructure Gratings").
  • the laser ribbon consists of two independently powered sections for selecting several transmission lines by driving the injection currents.
  • the double power and wavelength stabilization in this case makes it possible to obtain a flexible source for the dynamic allocation of bandwidth or the dynamic routing that may be necessary or to participate in the dynamic protection in the access while minimizing operational management of sources.

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Abstract

The invention relates to an optical laser source with lateral coupling by the gain, comprising at least one laser stripe (11) and at least one array of metal strips (21) placed on a substrate (10) laterally to said laser stripe. According to the invention, a compensation layer formed of contacts (22) of a material having a negative index variation is placed between the array of metal strips (21) and the substrate (10). The invention is for use in low-cost laser optical sources particularly for optical access networks.

Description

SOURCE OPTIQUE LASER ET PROCEDE DE REALISATION LASER OPTIC SOURCE AND METHOD OF MAKING SAME
La présente invention concerne une source optique laser ainsi que son procédé de réalisation.The present invention relates to a laser optical source and its method of production.
L'invention trouve une application particulièrement avantageuse dans le domaine de l'accès optique, et, plus spécialement dans celui des sources optiques laser bas coût destinées notamment à des applications de réseaux d'accès optique ainsi qu'à des applications de réseaux de type LAN (« Local Area Network ») ou SAN (« Storage Area Network ») de portée supérieure aux portées actuelles et à des débits de quelques Gbits/s.The invention finds a particularly advantageous application in the field of optical access, and more particularly in that of low cost laser optical sources intended in particular for optical access network applications as well as type network applications. LAN ("Local Area Network") or SAN ("Storage Area Network") with a range greater than current ranges and speeds of a few Gbps.
Dans le domaine technique de l'accès optique, il existe plusieurs architectures de réseau de liaison entre un central, où se situe le module de liaison de type OLT (« Optical Line Termination »), et les équipements des clients-abonnés.In the technical field of optical access, there are several link network architectures between a central office, where the OLT (Optical Line Termination) type connection module is located, and the customer-subscriber equipment.
L'une de ces architectures, dite à mutualisation de ressources, a pour objectif de réduire les coûts des équipements nécessaires en partageant les modules opto-électroniques entre plusieurs interfaces terminales clientes de façon à diviser les coûts. Chaque abonné dispose d'une bande passante déterminée, allouée en permanence ou allouée à la demande de façon dynamique, mais utilisant des équipements opto-électroniques pouvant être communs à plusieurs abonnés. L'opérateur garantit cependant dans ce contexte une parfaite confidentialité des liaisons transitant par ces équipements communs, en général localisés à l'unité de raccordement la plus proche du domicile des clients concernés.One of these architectures, called resource pooling, aims to reduce the costs of necessary equipment by sharing the opto-electronic modules between several client terminal interfaces so as to divide the costs. Each subscriber has a determined bandwidth, allocated permanently or dynamically allocated to the request, but using opto-electronic equipment that can be shared by several subscribers. In this context, however, the operator guarantees complete confidentiality of the links transiting through these shared facilities, generally located at the connection unit closest to the home of the customers concerned.
Une des architectures à mutualisation de ressources connue utilise la technique de multiplexage en longueur d'onde désignée par l'acronyme WDM (« Wavelength Division Multiplexing »). Pour être efficace, cette technique doit regrouper le plus grand nombre possible de clients sur la même fibre optique destinée à véhiculer plusieurs dizaines de longueurs d'onde, chacune affectée à un client, ou à un groupe de clients si l'on combine le multiplexage temporel connu dans le réseau public commuté PSTN (« Public Switched Téléphone Network ») avec le multiplexage spatial WDM.One of the known resource pooling architectures uses the wavelength division multiplexing technique designated by the acronym WDM ("Wavelength Division Multiplexing"). To be effective, this technique must bring together the largest possible number of clients on the same optical fiber intended to carry several tens of wavelengths, each assigned to a client, or to a group of customers if the multiplexing is combined. temporal known in the public switched network PSTN ("Public Switched Telephone Network") with WDM spatial multiplexing.
Cependant, pour permettre cette division, une des conditions requises est que les dérives thermiques des sources optiques utilisées soient faibles et constantes dans le temps, qu'elles concernent la puissance optique fournie ou la valeur des longueurs d'onde émises. Il est possible de s'affranchir des contraintes imposées par ces dérives en prévoyant à l'avance leur amplitude et en les limitant à des valeurs compatibles avec un fonctionnement performant du réseau, mais ceci au détriment du nombre maximal de clients simultanément raccordés à l'équipement commun de liaison. On obtient dans ce cas le multiplexage CWDM (« Coarse Wavelength Division Multiplexing ») qui prévoit un intervalle de sécurité assez grand entre deux longueurs d'onde allouées successives, d'où une diminution du nombre de clients.However, to allow this division, one of the required conditions is that the thermal drifts of the optical sources used are weak and constant over time, whether they concern the optical power supplied or the value of the wavelengths emitted. It is possible to overcome the constraints imposed by these drifts by predicting their amplitude in advance and limiting them to values compatible with efficient operation of the network, but this to the detriment of the maximum number of clients simultaneously connected to the network. common liaison equipment. In this case, the CWDM ("Coarse Wavelength Division Multiplexing") multiplexing is obtained which provides for a rather large safety interval between two successive allocated wavelengths, hence a decrease in the number of clients.
Il faut également considérer que la prise en compte des dérives est une tâche lourde pour la maintenance et la gestion de tels réseaux, tâche dont le coût se rajoute à celui qui résulte du compromis trouvé sur le nombre de clients raccordés compte tenu de ces dérives.It must also be considered that the consideration of drift is a heavy task for the maintenance and management of such networks, the cost of which is added to that resulting from the compromise found on the number of customers connected in view of these drifts.
De plus, les sources, central ou clients, ainsi que tous les composants annexes qui permettent un fonctionnement optimal du système, doivent être fiables dans la durée et donc présenter une bonne résistance au vieillissement. Celui-ci doit aussi être pris en compte dans la gestion du réseau et sa maintenance.In addition, the sources, central or customers, as well as all the ancillary components that allow optimal operation of the system, must be reliable over time and therefore have good resistance to aging. This must also be taken into account in the management of the network and its maintenance.
Une autre solution pour annuler ou réduire considérablement ces dérives consiste à utiliser des asservissements en température (modules Peltier) ou des systèmes d'asservissement de la puissance émise propres à limiter les dérives, comme le MPD (« Monitoring PhotoDiode »). Cependant, ces systèmes sont très coûteux et demandent également une gestion en énergie, en maintenance et en précision, ce qui complexifie les équipements et rend leur exploitation onéreuse et peu flexible. C'est la solution retenue pour les sources utilisées dans le réseau de cœur où les coûts sont très fortement amortis par les débits élevés véhiculés par ces systèmes. D'autre part, le nombre d'équipements au niveau du cœur de réseau est relativement faible en regard de celui relatif au réseau d'accès clients. Les lasers actuellement utilisés dans ce type d'application bas coût sont principalement réalisés à partir de structure Fabry-Pérot (FP) ou de structure DFB (« Distributed Feed-Back ») à émission verticale ou latérale, et, plus rarement, en utilisant des structures du type DBR (« Distributed Bragg Reflector ») à cause de la complexité de la technologie de réalisation assez critique en terme de rendement de fabrication.Another solution to cancel or significantly reduce these drifts is to use temperature control (Peltier modules) or servo systems of the transmitted power to limit the drifts, such as the MPD ("Monitoring PhotoDiode"). However, these systems are very expensive and also require energy management, maintenance and precision, which complicates equipment and makes their operation expensive and inflexible. This is the solution chosen for the sources used in the core network where the costs are very strongly dampened by the high flows carried by these systems. On the other hand, the number of equipment at the core network is relatively low compared to that relating to the access network. The lasers currently used in this type of low-cost application are mainly made from Fabry-Perot (FP) structure or Distributed Feed-Back (DFB) structure with vertical or lateral emission, and, more rarely, by using structures of the DBR ("Distributed Bragg Reflector") type because of the complexity of the production technology which is quite critical in terms of manufacturing efficiency.
Les critères principaux retenus pour le choix des composants d'émission sont, d'une part, le coût, et, d'autre part, les performances. Le coût n'est pas un critère stable, car le prix d'une puce laser n'entre dans le coût global d'un système que dans une proportion marginale (10% environ). Le coût de l'hybridation éventuelle avec d'autres fonctions optiques actives ou passives, le coût de la mise en boîtier, le coût des composants d'asservissement thermique pour gérer la valeur de la longueur émise et de la valeur de la puissance optique délivrée, le coût des tests fonctionnels d'une éventuelle maintenance opérationnelle ou de gestion peuvent être beaucoup plus significatifs que les coûts de la source elle-même.The main criteria chosen for the choice of emission components are, on the one hand, the cost, and, on the other hand, the performances. Cost is not a stable criterion because the price of a laser chip is only a marginal proportion of the total cost of a system (about 10%). The cost of possible hybridization with other active or passive optical functions, the cost of packaging, the cost of thermal servocontrol components to manage the value of the length emitted and the value of the optical power delivered. , the cost of functional tests of a possible operational or management maintenance can be much more significant than the costs of the source itself.
La stabilité des coûts n'est pas non plus pérenne à cause des effets de volume de production ou des évolutions des techniques de réalisation. A ce jour, l'état de la technique correspond à une situation dans laquelle les équipementiers utilisent des sources relativement bas coût (FP ou DFB) en optimisant l'hybridation avec les autres fonctions utiles par les moyens connus en structure PLC (« Planar Lightwave Circuit ») par exemple, en utilisant les fonctions d'asservissement, notamment pour la stabilisation de puissance, et en s'affranchissant des fluctuations de longueurs d'onde sur une plage acceptable. Les applications sont alors typiquement limitées par ces fluctuations. Par exemple, pour les techniques de partage des ressources au niveau de la couche physique, les techniques de multiplexage en longueur d'onde doivent choisir des tolérances d'instabilité assez larges (CWDM).Cost stability is also not sustainable because of volume effects or changes in production techniques. To date, the state of the art corresponds to a situation in which the equipment manufacturers use relatively low cost sources (FP or DFB) by optimizing the hybridization with the other useful functions by the known means in PLC structure ("Planar Lightwave Circuit ") for example, by using the servo functions, especially for power stabilization, and by avoiding wavelength fluctuations over an acceptable range. The applications are then typically limited by these fluctuations. For example, for resource sharing techniques at the physical layer level, wavelength division multiplexing techniques must choose rather wide instability tolerances (CWDM).
Des systèmes tentent de réduire les fluctuations de longueur d'onde en utilisant une cavité résonante externe ECL (« External Cavity Laser ») réalisée à partir d'un réseau de Bragg obtenu par photo-inscription et hybridée sur structure PLC. C'est ainsi que l'article « Hybrid-lntegrated External-Cavity Laser Without Temperature-Dependent Mode Hopping » de T. Tanaka et al, Journal of Lightwave Technology, Vol.20, N°9, September 2002, décrit une source laser sans saut de mode sur une gamme de température de 18 à 56°C en s'affranchissant des fluctuations d'indices. Pour aboutir à ce résultat, les fluctuations de longueur d'onde, principalement dues aux dérives causées par les variations d'indice, sont compensées par des dérives de sens opposé obtenues dans un matériau placé au sein du réseau de Bragg. Cette méthode est par ailleurs utilisée pour obtenir des fluctuations minimales des AWG athermiques (« Arrayed Waveguide Grating ») (« Athermal silica-based arrayed-waveguide grating multiplexer », Y. Inoue et al, Electronics Letters, Vol.33, N°23, November 1997).Systems attempt to reduce wavelength fluctuations by using an ECL (External Cavity Laser) external resonant cavity made from a Bragg grating obtained by photo-inscription and hybridized to a PLC structure. Thus, the article "Hybrid-Integrated External-Cavity Laser Without Temperature-Dependent Mode Hopping" by T. Tanaka et al, Journal of Lightwave Technology, Vol. 20, No. 9, September 2002, discloses a laser source without mode jumps over a temperature range of 18 to 56 ° C while avoiding index fluctuations. To arrive at this result, the wavelength fluctuations, mainly due to the drifts caused by index variations, are compensated for by drifts of opposite direction obtained in a material placed within the Bragg grating. This method is also used to obtain minimum fluctuations of the Athermal silica-based arrayed-waveguide grating multiplexer (AWG), Y. Inoue et al, Electronics Letters, Vol.33, No. 23 , November 1997).
Une autre technique pour réduire ces dérives, décrite dans l'article « Improved Température Insensitivity of Membrane BH-DFB Laser with Polymer Cladding Layers », T. Okamoto et al, Ninth Optoelectronics and Communications Conférence, Technical Digest, pp528, JuIy 2004, Pacifico Yokohama, consiste à utiliser une couche de confinement optique (« cladding ») dont la variation d'indice est négative pour compenser la variation positive des indices des matériaux semi-conducteurs utilisés pour la réalisation du puit quantique et du réseau de diffraction d'une cavité DFB. La méthode consiste à placer cette couche de confinement de part et d'autre de la cavité optimisant les dimensions de manière à obtenir une compensation aussi parfaite que possible sur le chemin optique.Another technique for reducing these drifts, described in the article "Improved Temperature Insensitivity of BH-DFB Membrane Laser with Polymer Cladding Layers", T. Okamoto et al., Ninth Optoelectronics and Communications Conference, Technical Digest, pp528, July 2004, Pacifico Yokohama, consists of using an optical confinement layer ("cladding") whose index variation is negative to compensate for the positive variation of the semiconductor material indices used for the realization of the quantum well and the diffraction grating of a DFB cavity. The method consists in placing this confinement layer on either side of the cavity optimizing the dimensions so as to obtain as perfect compensation as possible on the optical path.
Les techniques permettant de réduire les coûts des sources monomodales nécessaires à une modulation directe souhaitable pour les applications à l'accès optique sont nombreuses. Cependant, l'état de la technique montre qu'une des solutions les plus pertinentes est d'éviter les reprises d'épitaxie qui sont en général de coût élevé tant par les manipulations nombreuses en milieu protégé que par les irrégularités de réalisation et donc les forts taux d'échec. Dans ce domaine, les réalisations les plus avancées concernent les sources obtenues en utilisant un couplage par le gain extérieur à la structure ruban faisant appel à des réseaux distribués de rétroaction latéraux (« Latéral DFB-grating ») tels que décrits par exemple dans les articles « Low-threshold high-quantum-efficiency laterally gain-coupled InGaAs/AIGaAs distributed feedback lasers », M. Kamp et al, Applied Physics Letters, Vol.74, N°4, January 1999, et « Wide Range Tunable laterally coupled distributed-feedback lasers based on InGaAs-GaAs quantum dots » », M. Mϋller et al, Electronics Letters, Vol.40, N°2, 2004. Ces réseaux sont constitués de rubans métalliques dont l'indice complexe modifie par couplage optique le gain de la cavité ruban et, par conséquent, agit comme un réseau interne à la cavité avec une efficacité moindre mais suffisante pour obtenir une cavité de type DFB performante.Techniques to reduce the costs of single-mode sources required for direct modulation desirable for optical access applications are numerous. However, the state of the art shows that one of the most relevant solutions is to avoid epitaxial resumption, which is generally of high cost as much by the numerous manipulations in protected environment as by the irregularities of realization and thus the high failure rates. In this field, the most advanced embodiments relate to the sources obtained by using external gain coupling to the ribbon structure using distributed lateral feedback networks ("lateral DFB-grating") as described for example in the articles "Low-threshold high-quantum-efficiency laterally gain-coupled InGaAs / AIGaAs distributed feedback lasers", M. Kamp et al, Applied Physics Letters, Vol.74, No. 4, January 1999, and "Wide Range Tunable laterally coupled distributed-feedback lasers based on InGaAs-GaAs quantum dots", M. Mϋller et al, Electronics Letters, Vol.40, No. 2 , 2004. These networks consist of metal ribbons whose complex index modifies the gain of the ribbon cavity by optical coupling and, consequently, acts as an internal network to the cavity with less efficiency but sufficient to obtain a cavity of the type DFB performance.
Cependant, la première technique connue de l'état de la technique utilisant une cavité résonante externe (ECL) n'est pas bas coût. Elle met en œuvre un procédé d'hybridation d'une diode laser intégrant un convertisseur de spot intégré avec un guide d'onde réalisé en technologie FHD (« Flame Hydrolisis Déposition ») utilisé en plusieurs étapes ainsi que des étapes de gravure sèche, de photo-inscription UV et d'insertion de silicone. De plus, les puissances émises sont thermiquement instables et nécessitent un asservissement avec photodiode de monitoring (MPD).However, the first known technique of the state of the art using an external resonant cavity (ECL) is not low cost. It implements a hybridization process of a laser diode incorporating an integrated spot converter with a waveguide made using FHD ("Flame Hydrolisis Deposition") technology used in several steps as well as dry etching steps, UV photo-inscription and silicone insertion. In addition, the powers emitted are thermally unstable and require servocontrol with photodiode monitoring (MPD).
La seconde méthode connue utilisant une couche de confinement optique à compensation d'indice présente l'inconvénient majeur d'une impossibilité de pompage électrique et est donc peu adaptée à des applications bas coût avec une technologie difficile à industrialiser à faible coût et à grande échelle.The second known method using an index-compensated optical confinement layer has the major disadvantage of an impossibility of electric pumping and is therefore unsuitable for low-cost applications with a technology that is difficult to industrialize at low cost and on a large scale. .
Aussi, le problème technique à résoudre par l'objet de la présente invention est de proposer une source optique laser à couplage latéral par le gain, comprenant au moins un ruban laser et au moins un réseau de bandes métalliques disposées sur un substrat latéralement audit ruban laser, dont les dérives en longueur d'onde, et également en puissance, conduiraient à des contraintes d'asservissement plus faibles qu'avec les sources actuelles et donc permettraient la mutualisation des ressources sur un nombre de clients important et à moindre coût.Also, the technical problem to be solved by the object of the present invention is to provide a gain-side laser optical source, comprising at least one laser ribbon and at least one network of metal strips disposed on a substrate laterally to said ribbon. laser, whose wavelength drifts, and also in power, would lead to lower servocontrol constraints than with current sources and thus allow the pooling of resources on a large number of customers and at lower cost.
Une solution au problème technique posé consiste, selon la présente invention, en ce qu'une couche de compensation formée de plots d'un matériau à variation d'indice négative est interposée entre ledit réseau de bandes métalliques et ledit substrat. On obtient ainsi une réduction de la dérive en longueur d'onde liée à la variation thermique d'indice.A solution to the technical problem posed, according to the present invention, in that a compensation layer formed of pads of a negative index variation material is interposed between said network of metal strips and said substrate. This results in a reduction in wavelength drift related to the index thermal variation.
Selon un mode de réalisation, ledit matériau à variation d'indice négative est du bisbenzocyclobutène.According to one embodiment, said negative index variation material is bisbenzocyclobutene.
Par ailleurs, une réduction de la dérive thermique de la puissance émise est réalisée, selon l'invention, du fait qu'au moins une zone active dudit ruban laser est constituée d'au moins un plan d'îlots ou fils quantiques. Ces structures conduisent en effet à une température caractéristique très élevée.Furthermore, a reduction of the thermal drift of the transmitted power is achieved, according to the invention, because at least one active zone of said laser ribbon consists of at least one plane of islands or quantum wires. These structures lead to a very high characteristic temperature.
Un résultat équivalent est obtenu si, conformément à l'invention, au moins une zone active dudit ruban laser est constituée d'au moins un plan de puits quantiques réalisés en un matériau choisi entre GaAIInAs et GaInAsN.An equivalent result is obtained if, according to the invention, at least one active zone of said laser ribbon consists of at least one quantum well plane made of a material chosen between GaAIInAs and GaInAsN.
En complément à la réduction des dérives en longueur d'onde dues aux variations d'indice, l'invention propose que ladite couche de compensation présente un coefficient de dilatation thermique de signe opposé à celui du coefficient de dilatation thermique du matériau constituant au mois une zone active dudit ruban laser. Cette disposition avantageuse permet d'obtenir une meilleure stabilité en longueur d'onde en limitant les effets de la dilatation thermique.In addition to reducing wavelength drifts due to index variations, the invention proposes that said compensation layer has a coefficient of thermal expansion of opposite sign to that of the coefficient of thermal expansion of the material constituting at least one month. active zone of said laser ribbon. This advantageous arrangement makes it possible to obtain better wavelength stability by limiting the effects of thermal expansion.
Pour atteindre ce résultat, il est prévu par l'invention que ladite couche de compensation est réalisée avec un polymère de coefficient de dilatation négatif, éventuellement chargé de nano-particules métalliques.To achieve this result, it is provided by the invention that said compensation layer is made with a negative coefficient of expansion polymer, optionally loaded with metal nanoparticles.
Ainsi, les dérives présentées par la source optique laser conforme à l'invention sont suffisamment faibles pour envisager une simplification des contraintes de gestion, de surveillance opérationnelle et de maintenance.Thus, the drifts presented by the laser optical source according to the invention are sufficiently small to consider a simplification of the constraints of management, operational monitoring and maintenance.
La source optique laser selon l'invention peut être utilisée dans les équipements terminaux des abonnés raccordés par fibre optique au réseau d'un opérateur ou dans les équipements d'accès du réseau d'un opérateur. Elle peut aussi être intégrée ou éventuellement hybridée avec des fonctions optiques ou électroniques actives ou passives de façon à remplir des fonctionnalités globales d'émission/réception dans le contexte de l'exploitation par un opérateur de télécommunications WAN, MAN ou LAN/SAN. La très forte réduction des dérives en puissance et en longueur d'onde doit permettre la suppression ou, au moins, une importante simplification des modules de contrôle de température de type Peltier et de stabilisation de puissance. La gestion opérationnelle et la flexibilité des réseaux utilisant une telle source pourront bénéficier des ces améliorations.The laser optical source according to the invention can be used in the terminal equipment of the subscribers connected by optical fiber to the network of an operator or in the access equipment of the network of an operator. It can also be integrated or possibly hybridized with active or passive optical or electronic functions so as to fulfill global transmission / reception functions in the context of operation by a telecommunications operator WAN, MAN or LAN / SAN. The very strong reduction of power and wavelength drifts must allow the removal or, at least, a significant simplification of the modules of Peltier type temperature control and power stabilization. The operational management and flexibility of networks using such a source will benefit from these improvements.
L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une source optique laser selon l'invention, remarquable en ce qu'il comprend les étapes suivantes :The invention also relates to a method for producing a laser optical source according to the invention, remarkable in that it comprises the following steps:
- dépôt d'une couche de compensation sur le substrat,depositing a compensation layer on the substrate,
- dépôt d'une couche métallique de couplage,depositing a metal coupling layer,
- formation de bandes métalliques dans ladite couche métallique de couplage,forming metal strips in said metal coupling layer,
- formation de plots dans la couche de compensation par gravure de la couche de compensation à travers lesdites bandes métalliques.- forming pads in the compensation layer by etching the compensation layer through said metal strips.
Avantageusement, ledit procédé comprend une étape préalable de dépôt sur le substrat d'une couche mince métallique semi-transparente à la longueur d'onde de la source.Advantageously, said method comprises a preliminary step of depositing on the substrate a semi-transparent metal thin layer at the wavelength of the source.
La description qui va suivre en regard du dessin annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre en quoi consiste l'invention et comment elle peut être réalisée.The following description with reference to the accompanying drawing, given by way of non-limiting example, will make it clear what the invention is and how it can be achieved.
La figure 1 est une vue en perspective d'une source optique laser conforme à l'invention.Figure 1 is a perspective view of a laser optical source according to the invention.
Sur la figure 1 est représentée une source optique laser à couplage latéral par le gain qui peut être de type DFB ou DBR. Cette source comprend un substrat 10 en InP, par exemple, dans lequel sont réalisés un ruban laser 11 ainsi que des couches 12 de confinement séparées par au moins une zone active 13. Par ailleurs, on peut voir sur la figure 1 la présence d'éléments de couplage par le gain constitués par deux réseaux de bandes métalliques 21 disposées sur deux épaulements 14 du substrat latéralement au ruban laser 11. Deux électrodes 15 et 16 permettent d'injecter un courant I d'alimentation dans la source.FIG. 1 shows a gain-side laser optical source which may be of the DFB or DBR type. This source comprises a substrate 10 made of InP, for example, in which a laser ribbon 11 is produced as well as confinement layers 12 separated by at least one active zone 13. Moreover, it can be seen in FIG. 1 the presence of gain coupling elements constituted by two networks of metal strips 21 arranged on two shoulders 14 of the substrate laterally to the laser ribbon 11. Two electrodes 15 and 16 make it possible to inject a supply current I into the source.
Pour améliorer la stabilité en longueur d'onde de ce type de source, l'invention propose d'utiliser le principe de compensation des variations thermiques d'indice de même valeur absolue mais de signes opposés. Comme le montre la figure 1 , l'application de ce principe conduit à réaliser une couche de compensation formée de plots 22 d'un matériau à variation d'indice négative interposée entre ledit réseau de bandes métalliques 21 et le substrat 10.To improve the wavelength stability of this type of source, the invention proposes to use the principle of compensation for thermal variations of index of the same absolute value but of opposite signs. As shown in FIG. 1, the application of this principle leads to producing a compensation layer formed of pads 22 of a material with a variation of index negative interposed between said network of metal strips 21 and the substrate 10.
Le matériau à variation d'indice négative est, par exemple, du bisbenzocyclobutène (BCB).The negative index variation material is, for example, bisbenzocyclobutene (BCB).
L'épaisseur et la position verticale par rapport au plan de la zone active 13 de la couche de compensation de variation des indices sont déterminées par calculs et vérifications expérimentales itératives pour tenir compte des variations d'indice des matériaux semi-conducteurs et du matériau choisi pour la compensation. En pratique, l'épaisseur de cette couche de compensation est de quelques centaines de nanomètres.The thickness and the vertical position with respect to the plane of the active zone 13 of the index variation compensation layer are determined by iterative experimental calculations and verifications to take into account the index variations of the semiconductor materials and the chosen material. for compensation. In practice, the thickness of this compensation layer is a few hundred nanometers.
Pour réaliser l'insertion de la couche de compensation, on peut, par exemple, après réalisation du ruban laser 11 , déposer par centrifugation une couche de BCB et procéder à un recuit à une température suffisante à la polymérisation et à l'élimination des solvants.To achieve the insertion of the compensation layer, it is possible, for example, after making the laser ribbon 11, to deposit by centrifugation a layer of BCB and to anneal at a temperature sufficient for the polymerization and the elimination of the solvents. .
Avant dépôt de la couche de BCB, on peut éventuellement déposer une très mince couche métallique 23 de quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, semi-transparente à la longueur d'onde émise par le laser pour favoriser le couplage optique avec le réseau de couplage latéral. Une gravure de planarisation, connue de l'homme du métier, est alors réalisée pour découvrir le ruban seul, par exemple en gravure plasma à base d'oxygène, la centrifugation ayant recouvert toutes les surfaces du substrat.Before depositing the BCB layer, it is possible to deposit a very thin metallic layer 23 of a few tens of nanometers thick, semi-transparent at the wavelength emitted by the laser to promote optical coupling with the coupling network. lateral. A planarization etching, known to those skilled in the art, is then performed to discover the ribbon alone, for example in oxygen-based plasma etching, the centrifugation having covered all the surfaces of the substrate.
Puis, on peut procéder aux étapes de décollement (« lift-off ») des réseaux métalliques, connues de l'homme du métier, par-dessus la couche de compensation. Pour cela, on peut, par exemple, utiliser les techniques de lithographie électronique ou une technique tri-couche de résine pour obtenir une définition parfaite des bandes métalliques constituant les réseaux DBF. On peut également utiliser des techniques de « nano-imprinting » en lieu et place de la lithographie électronique pour diminuer éventuellement les coûts de réalisation.Then, one can proceed to the steps of "lift-off" of metal networks, known to those skilled in the art, over the compensation layer. For this purpose, it is possible, for example, to use electronic lithography techniques or a three-layer resin technique to obtain a perfect definition of the metal strips constituting the DBF networks. It is also possible to use "nano-imprinting" techniques instead of electronic lithography to possibly reduce the costs of production.
On réalise ensuite la gravure du BCB non recouvert par les bandes métalliques en utilisant une gravure sèche. Le film d'adhérence 23 peut être ensuite éliminé dans les zones découvertes lors de la gravure du BCB par gravure sèche très brève ou par gravure humide très brève également. Une autre compensation en température, complémentaire éventuellement de la compensation de variation d'indice, consiste à utiliser un matériau tel que son coefficient de dilatation thermique soit de signe opposé à celui présenté par les matériaux semi-conducteurs constituant la zone active 13 de la source laser. Ce peut être, par exemple, une dispersion de nano- particules métalliques dans un polymère de coefficient de dilatation négatif. On sait que de tels matériaux composites ont un coefficient de dilatation intermédiaire, suivant les proportions du composite, entre le polymère à coefficient négatif et le métal choisi à coefficient positif. Enfin, ce type de matériau possède des qualités optiques exploitables pour atteindre le but fixé par l'invention. Il faut également que ce matériau ait un indice complexe adapté au couplage par le gain de la cavité laser. Bien que d'un ordre de grandeur plus faible que la variation d'indice, les dérives dues aux dilatations des dimensions doivent également être compensées dans un objectif d'annulation totale des dérives, les contraintes dans les matériaux dues aux dilatations étant responsables des dérives dans les structures de bandes des matériaux, donc des paramètres fonctionnels de la source.The etching of the BCB not covered by the metal strips is then carried out using dry etching. The adhesion film 23 can then be eliminated in the areas discovered during the etching of the BCB by very short dry etching or by very brief wet etching as well. Another temperature compensation, which may be complementary to the index variation compensation, consists in using a material such that its coefficient of thermal expansion is of opposite sign to that exhibited by the semiconductor materials constituting the active zone 13 of the source. laser. It may be, for example, a dispersion of metal nanoparticles in a negative coefficient of expansion polymer. It is known that such composite materials have an intermediate coefficient of expansion, depending on the proportions of the composite, between the negative coefficient polymer and the selected positive coefficient metal. Finally, this type of material has exploitable optical qualities to achieve the goal set by the invention. It is also necessary that this material has a complex index adapted to the coupling by the gain of the laser cavity. Although an order of magnitude smaller than the variation of the index, the drifts due to the expansion of the dimensions must also be compensated for the purpose of total cancellation of the drifts, the stresses in the materials due to the expansions being responsible for the drifts. in the band structures of the materials, therefore functional parameters of the source.
Pour réduire les dérives de la puissance émise avec la température, il est prévu par l'invention de remplacer dans la zone active 13 l'utilisation de puits quantiques conventionnels par celle d'îlots quantiques ou de fils quantiques (« quantum dots » ou « quantum dashs ») pour les émissions situées autour de 1 ,3 et 1 ,55 μm. En utilisant de type de confinement, on obtient des dispositifs dont la température caractéristique est très élevée permettant de réduire fortement les dérives en puissance émise à des valeurs compatibles avec un fonctionnement sans asservissement par MPD et sans utiliser de refroidissement par module Peltier ou en réduisant considérablement les performances de ces sources.In order to reduce the drifts of the power emitted with the temperature, it is provided by the invention to replace in the active zone 13 the use of conventional quantum wells by that of quantum islands or quantum dots ("quantum dots" or "quantum dots"). quantum dashs ") for emissions around 1, 3 and 1, 55 μm. By using confinement type, devices are obtained whose characteristic temperature is very high, making it possible to strongly reduce the drifts in transmitted power to values compatible with operation without MPD servocontrol and without using Peltier module cooling or considerably reducing the performance of these sources.
Une autre solution consiste à remplacer dans la zone active 13 les puits quantiques utilisant des matériaux quaternaires habituels par des matériaux quaternaires de type GaAIInAs ou GaInAsN qui permettent d'obtenir des températures caractéristiques élevées.Another solution consists in replacing in the active zone 13 the quantum wells using usual quaternary materials with quaternary GaAIInAs or GaInAsN type materials which make it possible to obtain high characteristic temperatures.
L'invention s'applique également à la réalisation de diode de type DBR à couplage latéral relativement au ruban laser ou à couplage dans l'axe du ruban, toujours en utilisant simultanément le confinement par îlots ou fils quantiques ou de matériaux quaternaires GaAIInAs ou GaInAsN dans la zone active et la double compensation des dérives thermiques d'indice et de dilatation. L'optimisation des épaisseurs de couches compensatrices est obtenue par calculs et itérations expérimentales. De même, la position de la zone de couplage latéral ou dans l'axe optique de ruban est déterminée par les règles connues par l'homme du métier pour optimiser le couplage.The invention also applies to the realization of a diode of the DBR type which is side-coupled with respect to the laser strip or coupled in the axis of the ribbon, always simultaneously using the confinement by islands or quantum wires or quaternary GaAIInAs or GaInAsN materials in the active zone and the double compensation of the thermal drifts of index and expansion. The optimization of the compensating layer thicknesses is obtained by calculations and experimental iterations. Similarly, the position of the lateral coupling zone or in the optical ribbon axis is determined by the rules known to those skilled in the art to optimize the coupling.
Une autre possibilité d'application de l'invention consiste à réaliser une source accordable de type DBF ou DBR en utilisant un couplge latéral par le gain par réseau de rétroaction de type BSG (« Binary Superimposed Gratings ») ou un autre réseau de type SSG (« Superstructure Gratings »). Dans ce cas, le ruban laser est constitué de deux sections alimentées indépendamment en courant permettant de sélectionner plusieurs raies d'émission en pilotant les courants d'injection. La double stabilisation de puissance et de longueur d'onde permet dans ce cas d'obtenir une source flexible pour l'allocation dynamique de bande passante ou le routage dynamique éventuellement nécessaire ou encore de participer à la protection dynamique dans l'accès tout en minimisant la gestion opérationnelle des sources. Another possible application of the invention consists in producing a tunable source of the DBF or DBR type by using a lateral coupling by the feedback network gain of the BSG ("Binary Superimposed Gratings") type or another SSG type network. ("Superstructure Gratings"). In this case, the laser ribbon consists of two independently powered sections for selecting several transmission lines by driving the injection currents. The double power and wavelength stabilization in this case makes it possible to obtain a flexible source for the dynamic allocation of bandwidth or the dynamic routing that may be necessary or to participate in the dynamic protection in the access while minimizing operational management of sources.

Claims

REVENDICATIONS
1. Source optique laser à couplage latéral par le gain, comprenant au moins un ruban laser (11 ) et au moins un réseau de bandes métalliques (21 ) disposées sur un substrat (10) latéralement audit ruban laser, caractérisée en ce qu'une couche de compensation formée de plots (22) d'un matériau à variation d'indice négative est interposée entre ledit réseau de bandes métalliques (21 ) et ledit substrat (10).A gain-side laser optical source comprising at least one laser ribbon (11) and at least one metal strip array (21) disposed on a substrate (10) laterally to said laser ribbon, characterized in that compensation layer formed of pads (22) of a negative index variation material is interposed between said metal strip network (21) and said substrate (10).
2. Source optique laser selon la revendication 1 , caractérisée en ce que ledit matériau à variation d'indice négative est du bisbenzocyclobutène (BCB).Laser optical source according to claim 1, characterized in that said negative index variation material is bisbenzocyclobutene (BCB).
3. Source optique laser selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que ladite couche de compensation présente un coefficient de dilatation thermique de signe opposé à celui du coefficient de dilatation thermique du matériau constituant au moins une zone active (13) dudit ruban laser.3. Laser optical source according to one of claims 1 or 2, characterized in that said compensation layer has a coefficient of thermal expansion of opposite sign to that of the thermal expansion coefficient of the material constituting at least one active zone (13). said laser ribbon.
4. Source optique laser selon la revendication 3, caractérisée en ce que ladite couche de compensation est réalisée avec un polymère de coefficient de dilatation négatif.4. Laser optical source according to claim 3, characterized in that said compensation layer is made with a negative coefficient of expansion polymer.
5. Source optique laser selon la revendication 4, caractérisée en ce que ledit polymère est chargé de nano-particules métalliques.5. Laser optical source according to claim 4, characterized in that said polymer is loaded with metal nanoparticles.
6. Source optique laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu'au moins une zone active (13) dudit ruban laser est constituée d'au moins un plan d'îlots ou fils quantiques.6. Laser optical source according to any one of claims 1 to 5, characterized in that at least one active zone (13) of said laser ribbon consists of at least one island plane or quantum son.
7. Source optique laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu'au moins une zone active (13) dudit ruban laser est constituée d'au moins un plan de puits quantiques réalisés en un matériau choisi entre GaAIInAs et GaInAsN.7. Laser optical source according to any one of claims 1 to 5, characterized in that at least one active zone (13) of said laser ribbon consists of at least one quantum well plane made of a material selected from GaAIInAs and GaInAsN.
8. Source optique laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce lesdits plots (22) sont disposés sur couche mince métallique (23) semi-transparente à la longueur d'onde de la source. 8. Laser optical source according to any one of claims 1 to 7, characterized in that said pads (22) are arranged on a thin metal layer (23) semi-transparent at the wavelength of the source.
9. Source optique laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que ladite source est du type DFB.9. Laser optical source according to any one of claims 1 to 8, characterized in that said source is of the DFB type.
10. Source optique laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que ladite source est du type DBR.10. Laser optical source according to any one of claims 1 to 8, characterized in that said source is of the DBR type.
11. Source optique laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce qu'elle comprend des réseaux de rétroaction à couplage latéral par le gain de type BSG ou SSG sur deux sections couplées dans l'axe du ruban laser et alimentées indépendamment.11. Laser optical source according to any one of claims 1 to 8, characterized in that it comprises side-coupled feedback gratings by the BSG or SSG type gain on two sections coupled in the axis of the laser ribbon and independently powered.
12. Procédé de réalisation d'une source optique laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 11 , caractérisé en ce que ledit procédé comprend les étapes suivantes :12. A method of producing a laser optical source according to any one of claims 1 to 11, characterized in that said method comprises the following steps:
- dépôt d'une couche de compensation sur le substrat,depositing a compensation layer on the substrate,
- dépôt d'une couche métallique de couplage,depositing a metal coupling layer,
- formation de bandes métalliques dans ladite couche métallique de couplage,forming metal strips in said metal coupling layer,
- formation de plots dans la couche de compensation par gravure de la couche de compensation à travers lesdites bandes métalliques.- forming pads in the compensation layer by etching the compensation layer through said metal strips.
13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend une étape préalable de dépôt sur le substrat d'une couche mince métallique semi- transparente à la longueur d'onde de la source.13. The method of claim 12, characterized in that it comprises a prior step of depositing on the substrate a semi-transparent metal thin layer at the wavelength of the source.
14. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13, caractérisé en ce que lesdites bandes métalliques sont formées par lithographie électronique.14. Method according to one of claims 12 or 13, characterized in that said metal strips are formed by electronic lithography.
15. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13, caractérisé en ce que lesdites bandes métalliques sont formées par « nano-imprinting ». 15. Method according to one of claims 12 or 13, characterized in that said metal strips are formed by "nano-imprinting".
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