WO2006090602A1 - プラズマcvd法による蒸着膜 - Google Patents

プラズマcvd法による蒸着膜 Download PDF

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WO2006090602A1
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region
metal element
organic
carbon
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PCT/JP2006/302426
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Hajime Inagaki
Toshihide Ieki
Satoru Kitou
Ryuta Nakano
Megumi Nakayama
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Toyo Seikan Kaisha, Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a deposited film formed on a surface of a substrate such as a plastic bottle by a plasma C VD method.
  • a deposited film is formed on the surface by a plasma C V D method.
  • a plasma C V D method it is known to improve the gas barrier property by forming a deposited film by a plasma C VD method on a plastic substrate such as a container.
  • an organic silicon compound and a gas having oxygen or oxidizing power are used, and a plasma CVD method is used to select a gate oxide from carbon oxide, hydrogen, silicon and oxygen on the outer surface or inner surface of a plastic container.
  • a method for producing a plastic container is known in which the concentration of an organosilicon compound changes when forming a deposited film (barrier layer) containing a compound composed of at least one element (patent) Literature 1 # .3 ⁇ 4?) O
  • a gas barrier comprising: a base material; a gas barrier layer (deposited film) formed on one or both surfaces of the base material; and a water-repellent film (water-repellent layer) formed on the gas barrier layer.
  • a film is also known (see Patent Document 2).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2 0 00-0 2 5 5 7 9
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2 053-5 3 8 7 3
  • the deposited film formed by the method of Patent Document 1 has excellent barrier effect against various gases such as oxygen, but has low durability against moisture, such as mineral strength such as mineral water.
  • moisture such as mineral strength such as mineral water.
  • gale element elutes in an aqueous solution.
  • the gas barrier film described in Patent Document 2 is used. Since the water repellent layer is formed on the surface of the gas barrier layer, which is a vapor-deposited film, the resistance to moisture is improved to some extent, but the degree of improvement is not sufficient. The elution of gay elements into the inside cannot be suppressed sufficiently.
  • a metal oxide vapor-deposited film typified by silicon oxide exhibits a high gas barrier property, but lacks flexibility, and has a drawback of low adhesion to a substrate on which the vapor-deposited film is formed, particularly a plastic substrate. is there. For this reason, when the vapor deposition film is formed on a plastic container or the like, if the container is deformed due to expansion or the like, the vapor deposition film cannot follow the deformation of the container. As a result, the gas barrier property is greatly reduced. There is a problem that.
  • Vapor deposition is performed by forming an organic layer with a high organic carbon concentration on the substrate surface in advance, and continuously forming a metal oxide layer with a high metal concentration and a high inorganic concentration on the organic layer. It was proposed to form a film (see Patent Document 3).
  • an organic layer is formed below the metal oxide layer having a high gas barrier property, that is, on the substrate surface side, so that it has not only excellent gas barrier properties. It exhibits high adhesion to substrates such as plastics, but it also has excellent flexibility.
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-0 8 9 8 5 9
  • the deposited film shown in Patent Document 3 still has problems to be improved. That is, a vapor deposition film having a layered structure in which an organic layer having a high carbon concentration is formed on the substrate surface side and an inorganic metal oxide layer having a high gas barrier property is formed on such an organic layer. For this reason, when this vapor deposition film is formed on the surface of a plastic container, the container is filled at a high temperature or at a relatively high temperature (50 to 60 ° C). When was stored, the metal in the deposited film eluted into the liquid content, resulting in a problem that the film thickness decreased.
  • an object of the present invention is to provide a deposited film by a plasma CVD method that has not only good adhesion to a substrate but also excellent resistance to moisture, particularly an alkaline aqueous solution.
  • Another object of the present invention is to provide a deposited film by plasma C V D method which is further excellent in heat resistance.
  • the deposited film comprises a substrate side adhesive layer having a carbon concentration of 5 element% or more, and a carbon concentration. Is divided into a clear intermediate layer with less than 5 element% and a surface protective layer with a carbon concentration of 5 element% or more,
  • the carbon (C) concentration is higher than the oxygen (O) concentration and the metal element (M) concentration, and the element ratio (which indicates the oxidation degree of the metal element (M) on the surface of the surface protective layer ( OZM) is 1.3 or less, and the binding energy of the metal element (M) is 1.0 eV or less smaller than the average value of the metal element binding energy in the pearly intermediate layer,
  • the element ratio (O ZM) indicating the degree of oxidation of the metal element (M) is on average higher than 1.8 and not higher than 2.4. .
  • a plastic pot having the deposited film formed on the inner surface.
  • the concentration of each element on the surface of the surface protective layer, the element ratio (OZM) indicating the degree of oxidation of the metal element (M), and the bond energy of the metal element (M) are determined by an X-ray photoelectron spectrometer. It means the measured value when the depth from the surface is 0.3 nm. The fact that the measured values on the surface are not used avoids the influence of contamination, etc. Because. In the deposited film of the present invention,
  • the substrate side adhesive layer has an element ratio (CZM) and an element ratio (OZM) of the following formulas: 0.2 to CZM 1.8
  • the binding energy of the metal element (M) is in the range of 0.1 eV to 0.7 eV lower than the average value of the metal element (M) in the barrier intermediate layer. That there is a joint area,
  • CZM element ratio
  • the binding energy of the metal element (M) is gradually increased from the substrate side toward the inorganic region, and the maximum value of the binding energy of the metal element (M) is The difference from the minimum value is 0.1 e V or more,
  • the vapor deposition film by the plasma CVD method of the present invention is formed by using an organometallic compound and an oxidizing gas as a reaction gas.
  • a substrate is formed from the substrate side to the surface side.
  • a side adhesive layer hereinafter simply referred to as an adhesive layer
  • a barrier intermediate layer is formed.
  • the barrier intermediate layer formed on the adhesive layer has a low carbon concentration of less than 5% by element and is a region mainly composed of metal element (M) oxide, that is, a region rich in inorganic properties.
  • M metal element
  • OZM element ratio
  • the surface protective layer formed on the barrier intermediate layer has a carbon (C) concentration of oxygen (O) and an oxygen (O) concentration on its surface (that is, a portion having a depth of 0.3 nm from the outer surface of the deposited film).
  • C carbon
  • O oxygen
  • O oxygen
  • the binding energy of the metal element (M) is 1.0 eV or less smaller than the average value of the metal element binding energy in the barrier intermediate layer.
  • the condition is satisfied. That is, the surface protective layer is a region having a higher degree of organicity than the barrier intermediate layer.
  • the vapor deposition film of the present invention shows excellent resistance to an alkaline aqueous solution, as will be apparent from the examples described later.
  • the metal element (M) does not elute into the alkaline aqueous solution, Therefore, a plastic bottle having such a vapor deposition film on its inner surface can be put to practical use as a container for mineral water or an alkaline beverage.
  • an organic-inorganic composite region exhibiting organic and inorganic properties is formed in the vicinity of the barrier intermediate layer in the above-mentioned substrate-side adhesive layer.
  • such an organic-inorganic composite region is represented by the f formula:
  • the binding energy of the metal element (M) is in the range of 0.1 eV to 0.7 eV lower than the average value of the metal element (M) in the barrier intermediate layer. It is preferable that the change rate of each element concentration is adjusted. That is, by forming an organic-inorganic composite region that satisfies such conditions, the deposited film exhibits excellent heat resistance. For example, when such a vapor-deposited film is formed on the inner surface of a plastic bottle, even if the bottle is kept at a high temperature for a long time or the content liquid is hot filled in the bottle, the metal in the content liquid Almost no element elution occurs, and it is possible to effectively avoid a decrease in film thickness and a corresponding decrease in gas barrier properties. Therefore, like this A plastic bottle having a vapor-deposited film on which an organic / inorganic composite region is formed on its inner surface is particularly suitable as a container for warming and selling tea or the like.
  • FIG. 1 is a diagram showing the elemental composition in the thickness direction of the deposited film of the present invention obtained in Example 1 and the binding energy of silicon.
  • FIG. 2 is a diagram showing the structure of a plasma processing apparatus for forming a deposited film of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing the element concentration in the thickness direction of the deposited film of Comparative Example 1 and the bond energy of the silicon element.
  • Figure 4 shows the relationship between the CZO ratio of the deposited film surface and the amount of film thickness reduction.
  • Fig. 5 shows the relationship between the C Si ratio on the surface of the deposited film and the amount of film thickness reduction.
  • Figure 6 shows the relationship between the OSi ratio (oxidation degree) on the deposited film surface and the amount of film thickness reduction.
  • FIG. 7 is a diagram showing the composition distribution of gay elements, oxygen, and carbon in the thickness direction of a deposited film (Experimental Example 1) having an organic-inorganic composite region in the adhesive layer.
  • FIG. 8 is a diagram showing the element ratio (C / S i) between carbon and silicon in the thickness direction of the deposited film of FIG.
  • FIG. 9 shows the area where the element ratio (CZS i) of carbon and silicon is in the range of 1.0 to 1 ⁇ 8 for the deposited films of Experimental Examples 1 and 2 and Comparative Experimental Examples 1 and 2
  • FIG. 4 is a diagram showing a difference in metal element (S i) bond energy with a gas barrier film (corresponding to a barrier intermediate layer).
  • FIG. 10 is a diagram showing the element composition and the bond energy distribution of the metal element (S i) in the thickness direction of the deposited film of Experimental Example 1.
  • FIG. 11 is a diagram showing a composition distribution diagram of silicon, oxygen, and carbon in the thickness direction of the deposited film of Experimental Example 3.
  • Figure 12 shows the elemental composition and metal element (S i) in the thickness direction of the deposited film of Experimental Example 3. It is a figure which shows the binding energy distribution of.
  • FIG. 1 schematically shows the elemental composition (M, O, C) of the deposited film of the present invention (particularly prepared in Example 1 described later) measured by X-ray photoelectron spectroscopy.
  • This deposited film is divided into three regions, that is, a surface protective layer X, a barrier intermediate layer Y, and an adhesive layer Z from the outer surface side toward the substrate surface. That is, the vapor deposition film of the present invention is formed on the surface of a predetermined substrate by a plasma CVD method using an organometallic compound and an oxidizing gas as a reaction gas. This vapor deposition film is formed on the organometallic compound.
  • the derived metal elements (M), oxygen (O), and carbon (C) are distributed as shown in Fig. 1, and are divided into the above three regions according to the element concentration expressed on the basis of these three elements. Is done.
  • key element (S i) is shown as the metal element (M).
  • the adhesive layer Z formed on the substrate surface side is a region where (C) concentration is 5 element% or more, and this region is a highly organic region and exhibits high flexibility.
  • the metal oxide layer formed by plasma CVD (the barrier compatible intermediate layer described below corresponds to this) is highly inorganic, has a high oxygen barrier property, and has low flexibility. It may lack adhesiveness.
  • a highly organic adhesive layer has high flexibility and good adhesion to the substrate. Therefore, by forming the highly organic adhesive layer Z on the surface of the substrate, it is possible to effectively avoid a decrease in adhesion and adhesion, and particularly high adhesion or adhesion to a plastic substrate. Show.
  • the carbon concentration (C) gradually increases toward the substrate surface side.
  • the carbon concentration (C) is 20 element% or more.
  • the increase is particularly suitable for improving the adhesion to the substrate.
  • the concentrations of metal element (M) and oxygen (O) are increased accordingly. Decrease gradually.
  • the barrier intermediate layer Y formed on the adhesive layer has a (C) concentration of less than 5 element%. Therefore, in this region, the combination of the metal element ( ⁇ ) and oxygen ( ⁇ ) The total concentration ( ⁇ + ⁇ ) is 95% elemental or more.
  • this layer formed in the central part of the deposited film is a layer having a low organic property and rich in inorganic properties, and particularly has a high barrier property against oxygen.
  • the barrier intermediate layer is mainly composed of a silicon oxide. Therefore, the deposited film of the present invention is particularly useful in the field of packaging materials such as plastic containers that require barrier properties against gases such as oxygen and carbon dioxide.
  • the oxidation degree X of the metal element ( ⁇ ) is as follows:
  • This degree of oxidation X is expressed by the element ratio ( ⁇ ) of oxygen ( ⁇ ) to metal element ( ⁇ ). When the degree of oxidation X is within the above range, it exhibits a high gas barrier property. If is outside the above range, the gas barrier properties will be reduced.
  • the surface protective layer X located on the surface side of the deposited film is a region having a (C) concentration of 5 element% or more, and has a large amount of carbon and is rich in organicity as in the case of the adhesive layer ⁇ described above.
  • the concentration of each element and the degree of oxidation of the metal element (M) on the surface of the deposited film existing in the surface protective layer X specifically, at a depth of 0.3 nm from the outer surface).
  • the bond energy of x and metal element (M) must satisfy all of the following conditions (a) to (c).
  • Carbon (C) concentration is higher than oxygen (O) concentration and metal element (M) concentration. That is, 00 and C> M.
  • the oxidation degree X of the metal element (M) (that is, the element ratio OZM) is 1.3 or less.
  • the binding energy of the metal element (M) must be 1.0 eV or more smaller than the average value of the metal element binding energy in the intermediate layer barrier region Y. That is, the above conditions indicate that the surface of the deposited film is carbon rich and extremely rich in organicity. Satisfying all of these conditions significantly improves the water resistance of the deposited film, in particular. Elution of the metal element (M) into the alkaline aqueous solution can be effectively suppressed, and if any of these conditions are not satisfied, the water resistance becomes unsatisfactory and Elution of metal element (M) becomes prominent.
  • Example 1 As is clear from the experimental results of Example 1 and Comparative Example 1 described later, even if the conditions (a) and (c) are satisfied, the oxidation degree X of the metal element (M) on the surface is 1 .4 If exceeding 9 and 1.3 (if the condition (b) is not satisfied), decrease of the film due to elution of metal element (S i) when the deposited film is immersed in alkaline aqueous solution for a certain period of time While the amount is 3.4 nm (Comparative Example 1), when all of the conditions (a) to (c) are satisfied (Example 1), the amount of film reduction is 0.2 nm. It is understood that elution of the metal element (S i) is remarkably suppressed.
  • the reason why the vapor deposition film of the present invention exhibits such excellent water resistance is probably the cause of a decrease in water resistance on the surface of the deposited film by satisfying all of the above conditions (a) to (c). This is probably because there are almost no oxygen atoms (O) or OH groups (silanol groups), and these oxygen atoms and OH groups are covered with a sufficiently thick surface protective layer.
  • the above conditions (a) to (c) are satisfied on the vapor deposition film surface, and at the same time, as shown in FIG. As a result, the concentration of carbon (C) gradually increased, and the concentration of metal elements (M) such as Si and oxygen (O) decreased gradually.
  • the concentration of carbon (C) was 40 elements. It is preferable that the region has a carbon (C) concentration of 40% by element or more, and preferably has a thickness of 5 nm or more. Surface like this By forming a region with a very high carbon (c) concentration on the side, a Paria uniform intermediate layer Y that has poor water resistance and is likely to cause elution of metal elements (M) such as silicon (si). It can be covered with a sufficiently thick surface protective layer X, remarkably improving water resistance, completely blocking water permeation, and effectively avoiding deterioration of gas barrier properties due to moisture. In the present invention, as can be understood from FIG.
  • the concentration of each element changes substantially continuously at the interface portion where the layers X, Y and Z are adjacent to each other. That is, at these interface parts, the concentration of each element continuously decreases monotonously, which means that each layer X, Y, and z is formed in a body and clearly between adjacent layers. This means that a rough interface is not formed. Therefore, the vapor deposition film of the present invention does not cause separation between the layers, is extremely excellent in durability, and exhibits a stable barrier property for a long period against gases such as oxygen and moisture. .
  • the surface protective layer X, the barrier intermediate layer Y, and the adhesive layer z are not present in the form of clear layers, and there is a clear interface between the layers. do not do. Therefore, the thickness of each region cannot be critically defined, but the thickness of the deposited film (total thickness of each region) is usually in the range of 4 to 500 nm, and the barrier intermediate layer Y is The adhesive layer Z should preferably have a thickness of about 0.2 nm or more. In the present invention, it is preferable that the surface of the surface protective layer X is roughened in order to improve the barrier property against moisture.
  • the barrier property against moisture can be further improved.
  • a rough surface can be formed, for example, by adjusting the degree of pressure reduction for the glow discharge and forming the glow discharge under a relatively high pressure when forming the deposited film.
  • Figure 12 shows the elemental composition (M, O, C) and the binding energy of the metal element (M) of the deposited film (produced in Experimental Example 3 described later) measured by X-ray photoelectron spectroscopy. ing.
  • the surface protective layer X described above is omitted in order to explain the function of the organic-inorganic composite region.
  • the carbon element concentration gradually decreases from the interface portion with the substrate surface toward the barrier uniform intermediate layer Y, and the oxygen (O) concentration and the metal (M) Concentration gradually increases. In other words, it gradually shifts from a carbon rich region to a metal rich region. Therefore, as shown in FIG.
  • an organic-inorganic composite region ⁇ having organic and inorganic properties is formed in the adhesive layer Z, and the surface protective layer X on the outer surface side of the region ⁇ is excluded.
  • the portion becomes an inorganic region ⁇ rich in inorganicity, and the barrier intermediate layer described above exists in the inorganic region S.
  • the above organic-inorganic composite region has an element ratio (CZM) and an element ratio (O / M) of the following formulas (1) and (2):
  • the organic-inorganic composite region has a higher degree of oxidation (OZM) of the metal element (M) than the above-described inorganic region including the barrier intermediate layer Y) S (C / M ⁇ 0.2).
  • OZM degree of oxidation
  • the amount of carbon (C) to metal element (M) (CZM) is large, although it may be slightly lower.
  • this organic / inorganic composite region) 8 is not as much as the carbon-based region existing in the vicinity of the substrate surface, but is a region richer in organicity than the inorganic region. It shows.
  • the binding energy of the metal element ( ⁇ ) is 0.1 e V to 0.7 e V higher than the average value of the metal element ( ⁇ ) binding energy of the barrier intermediate layer ⁇ . It is in the low range.
  • the value obtained by subtracting the metal element (M) binding energy of the organic-inorganic composite region from the average value of the metal element (M) binding energy in this barrier interlayer Y is the “binding energy difference with the barrier interlayer”.
  • the bond energy between the metal element (M) and oxygen (O) is higher than the bond energy between the metal element (M) and carbon (C). Therefore, in the organic-inorganic composite region ⁇ containing more carbon (C) than the inorganic region ⁇ , the metal element ( ⁇ ) binding energy is lower than that in the inorganic region.
  • the organic-inorganic composite region ⁇ contains a metal oxide having a high degree of oxidation so that the bond energy difference (1M) falls within the above range.
  • the barrier intermediate layer ⁇ present in the inorganic region i8 exhibits a high gas barrier property, but has a defect of lack of flexibility and lacks adhesion to the substrate.
  • the substrate is somewhat deformed due to expansion or the like, such an inorganic region X cannot follow the change of the substrate, and as a result, the adhesion with the substrate is impaired and the gas barrier property is lowered. End up.
  • Such an inconvenience can be avoided by forming the adhesive layer Z having a high flexibility as described above.
  • the adhesive layer is not impaired in flexibility, and at the same time, the adhesion to the substrate is improved. What should be done is that the unexpected advantage of improving the heat resistance of the deposited film is achieved.
  • the region formed on the substrate side surface has an extremely high carbon concentration, and the bond energy difference M) with the gas barrier layer is 0.7 eV.
  • Comparative Experiment Example 1 described later when such a vapor deposition film is formed on the inner surface of a PET bottle, when the bottle is filled with the contents liquid hot, the contents liquid is filled at room temperature. Compared to the above, the amount of metal element (caine) eluted into the content liquid is significantly increased.
  • the metal element (M) in the inorganic region (or the barrier intermediate layer) formed on the organic region is easily liberated and eluted into, for example, the contents of the bottle. It is thought that it will end up.
  • the metal element (M) since a certain amount of the metal element (M) is present in a highly oxidized form in the organic-inorganic composite region present in the adhesive layer, the inorganic region (or the barrier intermediate layer Y) ), But the movement of the organic-inorganic composite region at high temperature is much smaller than that of the organic region described above. For this reason, it is considered that the metal element (M) is not easily detached even at a high temperature, and as a result, excellent heat resistance is exhibited.
  • the binding energy of the metal element (M) gradually increases from the substrate side toward the inorganic region (S). It is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value of the binding energy of the metal element (M) is 0.1 eV or more.
  • the above-described organic-inorganic composite region Of has an element ratio (CZM) and an element ratio (OZM) of the following formulas (1 a) and (2 a):
  • Such regions include carbon (C) and metal elements (M).
  • the metal element (M) has a higher level of oxidation (OZM). That is, by forming the organic-inorganic composite region a having a relatively high level of organic property and a metal oxide having a high degree of oxidation, the above-described adhesion retention effect and heat resistance improvement effect due to flexibility are achieved. Can be increased. In particular, even when the thickness of the organic / inorganic composite region ⁇ is reduced to about 0.2 to 5. O nm, the predetermined adhesion retention effect can be exhibited and the heat resistance improvement effect can be exhibited. It is very suitable to form Of.
  • a substrate made of glass, various metals, or the like can be used, but a plastic substrate is most preferably used.
  • plastics include thermoplastic resins known per se, such as low density polyethylene, high density polyethylene, polypropylene, poly 1-butene, poly 4 1-methyl 1 1 1-pentene, or ethylene, propylene 1-butene 4 -Polyolefins such as random or block copolymers of methyl olefins such as methyl-pentene, cyclic olefin copolymers, etc., ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene vinyl alcohol copolymer, ethylene Ethylene such as vinyl chloride copolymer ⁇ Vinyl compound copolymer, polystyrene, acrylonitrile 'styrene copolymer, ABS, styrene resin such as methylstyrene' styrene copo
  • polyamide polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene It may be a thermoplastic polyester such as naphthalate, polystrength-ponate, polyphenylene oxide, etc., a biodegradable resin such as polylactic acid, or a resin of any mixture thereof.
  • the bottle includes a biaxial stretch blow molded bottle formed from a polyester such as polyethylene terephthalate.
  • the present invention can be similarly applied to the above-mentioned polyester cups.
  • the plastic substrate may be a gas barrier multilayer structure having the above-mentioned thermoplastic resin (preferably an olefin resin) as inner and outer layers and an oxygen-absorbing layer between these inner and outer layers.
  • thermoplastic resin preferably an olefin resin
  • oxygen-absorbing layer between these inner and outer layers.
  • an organometallic compound and an oxidizing gas are used as a reaction gas.
  • a hydrocarbon serving as a carbon source can be used in combination with them.
  • an organosilicon compound is preferably used as the organometallic compound, but is not limited to the organosilicon compound as long as it reacts with an oxidizing gas to form a metal oxide.
  • various compounds such as organoaluminum compounds such as trialkylaluminum, and other organic titanium compounds can be used.
  • organic silicon compounds include hexamethyldisilane, vinyltrimethylsilane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, jetylsilane, propylsilane, phenylsilane, methyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, ⁇ tramethoxysilane
  • Organic silane compounds such as tetraethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, and methyltriethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, hexane
  • An organosiloxane compound such as methyldisiloxane is used.
  • aminosilane, silazane and the like can also be used.
  • the above-mentioned organic metals can be used alone or in combination of two or more.
  • silane (SiH 4 ) or silicon tetrachloride can be used in combination with the above-mentioned organic silicon compound.
  • Oxygen or ⁇ ⁇ ⁇ is used as the oxidizing gas, and argon or helium is used as the carrier gas.
  • hydrocarbons such as CH 4 , C 2 ⁇ 4 , C 2 H 6 , and C 3 H 8 may be used in addition to organic silicon compounds and organometallic compounds.
  • a vapor-deposited film is formed on the surface of the substrate by the plasma C VD method in an atmosphere containing the reaction gas described above.
  • Plasma CVD is a method of growing a thin film using gas plasma. Basically, a gas containing a raw material gas is discharged under a reduced electric pressure with a high electric field, decomposed, and generated. It consists of the process of depositing the material to be deposited on the substrate in the gas phase or through a chemical reaction on the substrate.
  • the plasma state is realized by glow discharge.
  • a method using a direct current glow discharge a method using a high frequency glow discharge, or a microwave discharge is used. The method of doing is known.
  • the electron temperature is different from the gas ion temperature, and the electron temperature is a high temperature that has the energy necessary to carry out a chemical reaction, but the ion temperature is a low temperature thermal non-equilibrium state, which enables low temperature processes Obviously,
  • the deposited film must be formed so as to form the region shown in FIG.
  • reaction gas for example, supply of oxidizing gas compared to organometallic compounds
  • the level of oxidative decomposition of the organometallic compound is low, and a polymer is formed.
  • a region having a large amount of carbon for example, a region such as the surface protective layer X or the adhesive layer Z can be formed.
  • the oxidative decomposition of the organometallic compound proceeds to a high level, so that a nearly complete metal oxide is formed.
  • a region having a small amount of carbon that is, the barrier intermediate layer Y can be formed.
  • a hydrocarbon as a carbon source can be supplied.
  • each layer x to z by adjusting the reaction gas, the balance between the output of the microphone mouth wave and the supply amount of oxygen is taken into consideration so that the concentration of each element changes continuously and no interface is generated between the regions.
  • the balance between the output of the microphone mouth wave and the supply amount of oxygen is taken into consideration so that the concentration of each element changes continuously and no interface is generated between the regions.
  • the output of the glow discharge for example, if the glow discharge of plasma generation is generated at a low output, the surface protective layer X and the adhesive layer Z with a large amount of carbon can be formed. When glow discharge is performed at a high output, the barrier intermediate layer Y with a small amount of carbon can be formed.
  • This output change method is based on the following principle.
  • an organic silicon compound and an oxidizing gas form a silicon oxide film through the following reaction path.
  • each layer X to Z by adjusting the glow discharge output, adjust the glow discharge output so that the concentration of each element changes continuously and no interface is created between each region. Must be continuously changed.
  • the glow discharge for generating plasma is performed by a high-frequency electric field or a microwave electric field.
  • the substrate to be processed is plastic
  • glow discharge is performed with a high-frequency electric field
  • the optimum conditions vary depending on the distance between the electrodes, etc., and cannot be specified in general.
  • the glow discharge in the high output region is 1 O OW It is preferable to perform at the above output.
  • the glow discharge at high output should be 9 OW or more.
  • the above-described organic-inorganic composite region ⁇ is formed in the adhesive layer ⁇ ⁇ ⁇ by combining the above-described means based on the supply amount of the reactive gas and the means based on the glow discharge output, and the region Of It is possible to form an inorganic region ⁇ including a barrier intermediate layer ⁇ .
  • HMDSO hexamethyldisiloxane
  • oxidizing gas are in a quantity ratio of 0 2 / HMDSO (molar ratio) of about 8-12.
  • the deposition film having the organic-inorganic composite region or in the adhesive layer Z can be formed by starting the formation of the deposition film by the plasma reaction at a low output while supplying the water and gradually increasing the output.
  • glow discharge starts at about 30 W, the output is gradually increased, and when the output is 90 W or more, the inorganic region j8 on the organic-inorganic composite region Qf
  • the barrier elemental intermediate layer Y with the highest degree of oxidation of the metal element (S i) and substantially no carbon (C) content is formed Is done.
  • the optimum conditions differ depending on the distance between the electrodes, etc., and cannot be specified in general, but in general, by starting glow discharge at about 4 OW and gradually increasing the output,
  • a rear intermediate layer ⁇ can be formed in the inorganic region ⁇ .
  • the organic-inorganic composite region ⁇ should satisfy the above-mentioned formulas (1) and (2) by adjusting the output gradient and film formation time, or the formula (1
  • the conditions of a) and (2a) can be satisfied.
  • the organic-inorganic composite region can satisfy the above-mentioned formulas (1) and (2), and the thickness can be reduced to 0. It can be about 2 to 10 nm.
  • the organic-inorganic composite region Of can be made a region satisfying the expressions (1 a) and (2 a).
  • the thickness of such an organic non-organic composite region can be set to about 0 ⁇ 2 to 5.0 nm. However, if the output gradient is made steeper than necessary or the film formation time is made extremely short, the thickness of the organic-inorganic complex region a will be small and will immediately shift to the inorganic region ⁇ . The output gradient and deposition time should be adjusted so that the thickness is at least about 0.2 nm.
  • the apparatus used for forming the vapor deposition film described above includes a plasma processing chamber containing a substrate to be processed, an exhaust system for maintaining the plasma processing chamber in a reduced pressure state, and a processing gas in the plasma processing chamber. And a treatment gas introduction system for introducing plasma and an electromagnetic wave introduction system for generating plasma in the plasma processing chamber.
  • FIG. 2 An example of such an apparatus is shown in FIG. 2 using a microwave plasma processing apparatus as an example.
  • the plasma processing chamber indicated by 10 as a whole is composed of an annular base 12, a cylindrical side wall 14, and a canopy 16 that closes the upper part of the cylindrical side wall 14. .
  • a first exhaust hole 20 is formed in the central portion of the annular base 1 2, and the base
  • An annular recess 22 is formed on the upper surface of 1 2 so as to surround the first exhaust hole 20, and an annular groove 24 is formed around the annular recess 22. 4 leads to the second exhaust hole 26.
  • the annular recess 22 accommodates a bottle holder 30 that holds the pot 28 in an inverted state.
  • the bottle holder 30 is fitted with the neck portion of the inverted bottle 28, and the neck portion of the bottle 28 held by the holder has the first exhaust hole 2
  • the gas supply pipe 3 2 is inserted into the interior of the pot 28 through the neck of the pot 28 from the first exhaust hole 20.
  • the cylindrical side wall 14 is provided with a microwave inlet 34, and a microphone mouth wave transmission member 36, such as a waveguide or a coaxial cable, is connected to the microphone mouth wave inlet 34. That is, a microwave is introduced into the plasma processing chamber 10 from a predetermined microphone mouth wave oscillator through the microphone mouth wave transmission member 36.
  • the canopy 16 is provided with a cooling gas supply hole 40, so that the cooling gas is inverted in the plasma processing chamber 10 after the formation of the vapor deposition film or during the vapor deposition film formation.
  • the bottle 2 held in the bottle is sprayed on the bottom of the bottle 8 so that it can be cooled.
  • an O-ring 4 is provided at the interface between the base 12 and the cylindrical side wall 14 and at the interface between the cylindrical side wall 14 and the canopy 16, respectively. 2 is provided. Also, the bottle holder 30 is provided with an O-ring 42 for blocking the inside and the outside of the bottle 28.
  • first exhaust hole 20 and the second exhaust hole 26 formed in the base 12 are respectively provided with shields 44 for microwave confinement. Further, for the microwave confinement, the base 12, the cylindrical side wall 14 and the canopy 16 are all made of metal.
  • a processing chamber 10 is configured.
  • the gas supply pipe 3 2 is inserted into the bottle 2 8 from the first exhaust hole 20, and the vacuum pump is driven to exhaust the interior of the bottle 2 8 by exhausting from the first exhaust hole 20. Maintain a vacuum.
  • the inside of the plasma processing chamber 10 outside the bottle 28 is decompressed from the second exhaust hole 26 by a vacuum pump.
  • the degree of decompression in the pot 28 is such that the degree of decompression is high such that a processing gas is introduced from the gas supply pipe 32 and a microwave is introduced to generate a glow discharge.
  • a range of 5 0 0 Pa, particularly preferably 5 to 50 Pa is preferred.
  • the degree of decompression in the plasma processing chamber 10 outside the pot 28 is such that no glow discharge occurs even when microwaves are introduced.
  • the reaction gas is introduced into the bottle 28 through the gas supply pipe 32, and the microwave is introduced into the plasma processing chamber 10 through the microwave transmission member 36.
  • the electron temperature in this plasma is tens of thousands of K, and the temperature of gas particles is about two orders of magnitude higher than that of several OOK, which is in a thermally non-equilibrium state. In contrast, plasma processing can be effectively performed.
  • the microwave output for the above reactive gas or glow discharge is adjusted as described above, and the deposited film is formed in order from the inner surface of the bottle: adhesive layer Z, barrier property intermediate layer Y, and surface protective layer.
  • the elemental composition is as shown in Fig. 1.
  • the pressure inside the bottle 28 is increased to about 15 to 500 Pa, so that the surface of the surface protective layer X (that is, the surface of the deposited film) becomes rough and has a moisture blocking property. Can be increased.
  • the introduction of the processing gas and the introduction of the microwave are stopped, and the cooling gas is introduced from the cooling gas supply hole 40, and the inside and outside of the bottle 28 are brought to normal pressure.
  • the plasma treatment time differs depending on the inner surface area of the bottle to be treated, the thickness of the thin film to be formed, and the type of gas used for treatment, and cannot be specified in general.
  • 1 More than one second is necessary for the stability of the plasma treatment, and a short time is required from the viewpoint of cost.
  • the order of minutes is acceptable.
  • the inner surface of the body of the bottle whose inner surface is coated with a vapor-deposited film is measured by the X-ray photoelectron spectrometer (Quantum2000) manufactured by PH I, and the composition distribution of each element in the depth direction of the film, oxygen, and carbon. The binding energy of was measured.
  • Gay oxygen concentration and the oxygen concentration is corrected based on the fused silica (S i 0 2), with respect to the film thickness was inferred for convenience the same sputter rate and fused silica (S i 0 2).
  • the concentration of each element and the elemental bond energy on the deposited film surface were shown as measured values at an acceleration voltage of 2 kV, a sputtering range of 3 mm X 3 mm, and a depth of 0.3 nm from the film surface.
  • the expansion rate of the PET bottle (V2 V 1 X 100) was calculated.
  • the oxygen permeation amount before and after the expansion of the PET bottle (under an atmosphere of 37 ° C and 100 o / o RH) was measured with an oxygen permeation measurement device (Modern Control, OX-TRAN). The change in oxygen permeation due to bottle expansion was evaluated as adhesion.
  • a sintered stainless steel gas supply pipe having a porous structure with an outer diameter of 15 mm and a length of 150 mm is used.
  • the bottle holder has a diameter of 28 mm, a barrel diameter of 64 mm, a height of 206 mm, and an internal volume of 520 m I.
  • a cylindrical polyethylene terephthalate bottle (PET bottle) was installed, the vacuum level outside the bottle in the processing chamber was 7 kPa, and the vacuum level inside the pot was 10 Pa.
  • 2.7 sccm of hexamethyldisiloxane (HMDSO) and 27 sccm of oxygen were introduced into the bottle, and then a 500 W pulsed microwave was oscillated from the microwave oscillator to perform plasma treatment.
  • a deposition film composed of the adhesive layer Z and the pearly intermediate layer Y is formed by changing the microwave oscillation time. It was. Thereafter, the supply of oxygen gas was stopped and the inside of the bottle was replaced with an HMDSO atmosphere, and then the surface protective layer X was formed.
  • the deposition time for each layer was 3 sec (layer Z), 5 sec (layer Y), and 3 sec (layer X), respectively.
  • the resulting deposited film was measured for the compositional distribution in the depth direction of the silicon, oxygen, and carbon films and the Si binding energy, and is shown in FIG.
  • the alkali concentration of each element concentration on the surface of the deposited film, the degree of oxidation x, the binding energy of silicon, the average silicon binding energy and the average oxidation degree X (element ratio OZS i) in the barrier intermediate layer Y were evaluated. The results are shown in Table 1 together with the results of (film reduction).
  • Plasma treatment was performed in the same manner as in Example 1 to form a deposited film composed of the adhesive layer Z and the barrier intermediate layer Y. Thereafter, the supply of oxygen gas was stopped, and immediately, the surface protective layer X was produced between 0.5 sec, and then the atmosphere was released to complete the deposition film deposition.
  • Figure 3 shows the composition distribution in the depth direction of the Ge, oxygen, and carbon films in this deposited film and the bond energy of the Ge element. Further, the concentration of each element on the deposited film surface, etc. The results are shown in Table 1.
  • a vapor deposition film was formed in the same manner as in Example 1 except that the amount of oxygen supplied during the formation of the surface protective layer X was set to 2.7 scom, and the same analysis and evaluation as in Example 1 were performed. The results are shown in Table 1.
  • Example 1 Except that the surface protective layer X was not formed, a deposited film was formed in the same manner as in Example 1, and the same analysis and evaluation as in Example 1 were performed. The results are shown in Table 1. Table 1
  • Figures 4 to 6 show the relationship between the concentration ratio of the outer surface of the pottle manufactured under various conditions and the decrease in film thickness. From these results, when the concentration of each element on the outer surface satisfies C> 0, OS i, and the degree of oxidation X is 1.3 or less, it shows a good surface protection effect and has good strength resistance It was confirmed that In order to observe changes in heat resistance and adhesion when the organic-inorganic composite region 0? Was formed in the adhesive layer X, the following experimental examples and comparative experimental examples were performed.
  • the organic-inorganic composite region is a region where the element ratio (C / S i) is in the range of 1.0 to 1.8.
  • the organic / inorganic composite region a is a region having an element ratio (C / S i) in the range of 0.2 to 1.8.
  • the pressure inside the bottle inside the processing chamber was 7 k Pa
  • the pressure inside the pot was 10 Pa
  • hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used. 2.
  • a pulsed microwave was oscillated from a microwave oscillator to perform plasma treatment.
  • the organic-inorganic composite region Of and the inorganic region i8 including the gas barrier film are formed on the organic-inorganic composite region Of, and then the atmosphere is released to complete the deposition film formation. I let you.
  • the gas barrier film corresponds to the barrier uniform intermediate layer Y in the present invention and has a C concentration of less than 5%.
  • the microphone mouth wave intensity and the plasma treatment time in each region were 3 seconds at 35 W (organic-inorganic composite region) and 5 seconds at 600 W (inorganic region / S), respectively.
  • FIG. 7 shows the composition distribution in the depth direction of the silicon, oxygen, and carbon films obtained by composition analysis in the deposited film.
  • Figure 8 shows the elemental ratio (C S ⁇ ) between carbon and silicon in the depth direction of the film.
  • the elemental ratio of carbon to cayenne (CZS i) in the organic-inorganic composite region where the element ratio of carbon to gay element (CZS i) is in the range of 1.0 to 1.8 is 1.0.
  • the element ratio of oxygen to gay element (OZS ⁇ ) that is, the degree of oxidation was in the range of 2.2 to 2.4.
  • the element ratio (C S i) between carbon and silicon in the organic / inorganic composite region was 0.2 or less.
  • Fig. 9 shows the difference in bond energy (lM) between the gas barrier film (corresponding to the barrier intermediate layer Y) for silicon (S i) in the organic-inorganic composite region.
  • Figure 10 shows the elemental composition in the thickness direction of the film and the bond energy distribution of the metal element (S i).
  • the deposited film was evaluated for heat resistance and adhesion, and the evaluation of heat resistance is shown in Table 2 together with the range of the binding energy difference (lM) above, and the evaluation of adhesion is shown in Table 3. It was shown to.
  • the element ratio of oxygen to silicon (O / S i in the organic-inorganic composite region where the element ratio of carbon to silicon (CS i) is in the range of 1.0 to 1.8) ) Ranged from 2.2-2.5.
  • the element ratio (CZS ⁇ ) of carbon and key in the inorganic region S was 0.2 or less.
  • Fig. 9 shows the difference in binding energy between the silicon (S) and the gas barrier film in the organic-inorganic composite region ⁇ .
  • the plasma treatment time for the organic-inorganic composite region ⁇ was 5 seconds longer than in Experimental Example 1, and an inorganic region including a gas barrier film) 8 was formed on the organic-inorganic composite region ⁇ as in Experimental Example 1.
  • a deposited film was prepared.
  • the composition distribution in the depth direction of the silicon, oxygen, and carbon films by the composition analysis method in the film is shown in Fig. 11.
  • the element composition in the depth direction and the bonding of the metal element (S i) The energy distribution is shown in Fig. 12.
  • the element ratio of oxygen to silicon (OZS i) that is, the degree of oxidation, in the organic-inorganic composite region where the element ratio of carbon to silicon (CZS i) is in the range of 0.2 to 1.8. Ranged from 1.9 to 2.2.
  • the elemental ratio of carbon to kaen (CZS i) in the inorganic region was less than 0.2.
  • the element ratio of oxygen to gate element (OZS i) in the organic inorganic region 0 where the element ratio of carbon to gate element (C / S i) is in the range of 1.0 to 1.8 That is, the degree of oxidation was in the range of 1.9 to 2.2.
  • the element ratio (CZS i) between carbon and gay elements in the inorganic region (8) was 0.2 or less.
  • Figure 9 shows the bond energy difference (CdM) between the gas barrier film and the gate element (Si) in the organic-inorganic composite region.
  • the deposited film was evaluated for heat resistance and shown in Table 2 together with the range of the binding energy difference.
  • a deposited film was prepared in exactly the same manner as in Experimental Example 1, except that the microwave region was 600 W and the organic region and the inorganic region were formed together for 8 seconds.
  • the element ratio of oxygen to Ge (OZS i) that is, the degree of oxidation is 2 in the organic-inorganic composite region in which the element ratio of carbon to Ge (CS ⁇ ) is in the range of 1.0 to 1.8 The range was 2 to 2.5.
  • the element ratio (C / S i) between carbon and silicon in the inorganic region 8 was 0.2 or less.
  • Fig. 9 shows the difference in bond energy (lM) between the gas barrier film and Ge (Si) in the organic-inorganic composite region.
  • the element ratio (CZS i) in the organic-inorganic composite region is in the range of 0.2 to 1.8. From the results in Table 2, when the Si bond energy in the organic-inorganic composite region is 0.1 to 0.7 eV lower than the bond energy in the gas barrier film (region where the C concentration is less than 5%) (In other words, when the bond energy difference is in the range of 0.1 to 0.7 eV), the adhesion film with the substrate should have a good balance of inorganic and organic components and exhibit good heat resistance. I understand.
  • the adhesion film with the substrate is mainly composed of organic components, and the heat resistance is low. You can see that it is inferior.
  • the element ratio (CZS ⁇ ) in the organic-inorganic composite region Of is in the range of 0.2 to 1.8. From the results shown in Table 3, when the range of bond energy difference (lM) with the gas barrier film is in the range of 0.1 to 0.7 eV, the adhesion film with the substrate has a balance of inorganic and organic components. It can be seen that it exists well and shows good adhesion. When the range of bond energy difference (lM) with the gas barrier film is smaller than the range of 0.1 to 0.7 eV, the adhesion film with the substrate is mainly composed of inorganic components, Is inferior.

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Description

明細書 プラズマ C V D法による蒸着膜
<技術分野 >
本発明は、 プラスチックボトルなどの基体表面にプラズマ C V D法によって形 成される蒸着膜に関するものである。
<背景技術 >
従来、 各種基体の特性を改善するために、 その表面にプラズマ C V D法による 蒸着膜を形成することが行われている。 例えば、 包装材料の分野では、 容器など のプラスチック基材に対して、 プラズマ C V D法により蒸着膜を形成させて、 ガ ス遮断性を向上させることが公知である。
例えば、 有機ゲイ素化合物と酸素もしくは酸化力を有するガスを用い、 プラズ マ C V D法によりプラスチック容器の外面或いは内面に、ゲイ素酸化物と、炭素、 水素、 ゲイ素及び酸素の中から選択された少なくとも 1種の元素からなる化合物 とを含有する蒸着膜 (バリアー層) を形成する際に、 有機ゲイ素化合物の濃度が 変化することを特徴とするプラスチック容器の製造方法が知られている (特許文 献 1 #.¾?) o
また、 基材と、 該基材の片面または両面に形成されたガスバリア層 (蒸着膜) と、 該ガスパリア層上に形成された撥水性膜 (撥水層) とを有することを特徴と するガスバリアフイルムも知られている (特許文献 2参照)。
特許文献 1 :特開 2 0 0 0— 2 5 5 5 7 9号公報
特許文献 2 :特開 2 0 0 3—5 3 8 7 3号公報
しかしながら、 例えば特許文献 1の方法で形成されるような蒸着膜は、 酸素な ど、 種々のガスに対するバリアー効果は優れているものの、 水分に対する耐久性 が低く、 例えばミネラルウォーターの如きアル力リ性水溶液にゲイ素が溶出する という欠点があり、 特に包装材料の分野では、 基体に対する膜の密着性と共に、 その改善が求められている。 また、 特許文献 2に記載されているガスバリアフィ ル厶は、 蒸着膜であるガスバリア層の表面に撥水層が形成されているため、 水分 に対する耐性はある程度改善されるものの、 その改善の程度は十分ではなく、 撥 水層の形成ではアルカリ性水溶液中へのゲイ素の溶出を十分に抑制することがで きない。 また、 ゲイ素酸化物に代表される金属酸化物の蒸着膜は、 高いガスバリア性を 示すものの、 柔軟性に欠け、 該蒸着膜が形成される基体、 特にプラスチック基体 に対する密着性が低いという欠点がある。 このため、 プラスチック容器などに当 該蒸着膜を形成したとき、 膨張等にょリ該容器が変形した場合、 当該蒸着膜が容 器の変形に追随できず、 この結果、 ガスバリア性が大きく低下してしまうという 問題がある。
上記のような問題を回避するため、 本出願人は、 先に有機金属化合物を原料ガ スとして用いるプラズマ C V D法によリ金属酸化物の蒸着膜を形成するに際して、 反応条件を調整して、 予め基体表面側に有機性に富んだカーボン濃度の高い有機 性層を形成し、 この有機性層の上に連続的に金属濃度の高い無機性に富んだ金属 酸化物層を形成することにより蒸着膜を成膜することを提案した (特許文献 3参 照)。このようにして形成された蒸着膜では、ガスバリア性の高い金属酸化物層の 下側、 即ち、 基体表面側に有機性層が形成されているため、 優れたガスパリア性 を有しているばかりか、 プラスチック等の基体に対して高い密着性を示し、 しか も可撓性にも優れている。
特許文献 3 :特開 2 0 0 5— 8 9 8 5 9
しかしながら、 特許文献 3で示されている蒸着膜においても、 未だ改善すべき 問題が残されている。即ち、カーボン濃度の高い有機性層を基体表面側に形成し、 このような有機性層の上にガスバリア性の高い無機金属酸化物層が形成された層 状構造を有する蒸着膜では、 耐熱性が低いという欠点があり、 このため、 この蒸 着膜をプラスチック容器の表面に形成すると、 特に容器内容液を高温で充填した とき、 或いは比較的高い温度 (5 0〜6 0 °C) に容器が保存された場合では、 蒸 着膜中の金属が内容液中に溶出し、 膜厚が減少するという問題を生じていた。 <発明の開示 > 従って、 本発明の目的は、 基体に対する密着性が良好であるばかりか、 水分、 特にアルカリ水溶液に対する耐性にも優れたプラズマ C V D法による蒸着膜を提 供することにある。
本発明の他の目的は、 さらに耐熱性にも優れたプラズマ C V D法による蒸着膜 を提供することにある。
本発明によれば、 有機金属化合物と酸化性ガスとを反応ガスとして用いたブラ ズマ C V D法により基体表面に形成した蒸着膜において、
前記有機金属化合物に由来する金属元素(M)、酸素(O)及び炭素(C) の 3元素基準で、 前記蒸着膜は、 炭素濃度が 5元素%以上の基体側接着層と、 炭 素濃度が 5元素%未満の/くリァー性中間層と、 炭素濃度が 5元素%以上の表面保 護層とに区画され、
前記表面保護層は、炭素 (C)濃度が酸素 ( O ) 濃度及び金属元素(M) 濃度よりも高く、 且つ該表面保護層の表面において、 金属元素 (M) の酸化度を 示す元素比 (OZM) が 1 . 3以下であり且つ金属元素 (M) の結合エネルギー が、 前記パリァー性中間層での金属元素結合エネルギーの平均値よリも 1 . 0 e V以上小さく、
前記バリアー性中間層では、 金属元素 (M) の酸化度を示す元素比 (O ZM) が平均して 1 . 8より高く且つ 2 . 4以下であることを特徴とする蒸着膜 が提供される。
本発明によればまた、 前記蒸着膜が内面に形成されたプラスチックポトルが提 供される。
なお、本発明においては、表面保護層の表面における各元素濃度、金属元素(M) の酸化度を示す元素比 (OZM) 及び金属元素 (M) の結合エネルギーは、 X線 光電子分光分析装置により表面からの深さが 0 . 3 n mでの測定値を意味する。 表面上の測定値を採用していないのは、 コンタミネイシヨン等の影響を回避する ためである。 本発明の蒸着膜においては、
( 1 )前記基体側接着層には、元素比(CZM)及び元素比(OZM)が下記式: 0. 2く CZMく 1 . 8
1 . 5≤0/M
を満足し、 且つ金属元素 (M) の結合エネルギーが前記バリアー性中間層での金 属元素 (M) の平均値よりも 0. 1 e V〜0. 7 e V低い範囲にある有機無機複 合領域が存在していること、
( 2 ) 前記表面保護層を除き、 前記有機無機複合領域の上に存在する領域は、 元 素比 (CZM) が下記式:
C/M≤0. 2
を満足していること、
( 3 ) 前記有機無機複合領域は、 金属元素 (M) の結合エネルギーが基体側から 前記無機性領域に向かって漸次増大しており、 且つ金属元素 (M) の結合エネル ギ一の最大値と最小値との差が 0. 1 e V以上であること、
が好適である。 本発明のブラズマ C V D法による蒸着膜は、 有機金属化合物と酸化性ガスとを 反応ガスとして用いることにより形成されるものであるが、 この蒸着膜には、 基 体側から表面側に向かって、基体側接着層 (以下、単に接着層と呼ぶ)、バリアー 性中間層、 及び表面保護層が形成されている。
接着層は、 接触炭素濃度が 5元素%以上の領域であり、 炭素濃度が高く、 有機 性に富んだ領域であるため、 本発明の蒸着膜は基体に対して高い密着性を示す。 接着層上に形成されているバリァー性中間層は、 炭素濃度が 5元素%未満と低 く、 金属元素 (M) の酸化物を主体とする領域、 即ち、 無機性に富んだ領域とな つておリ、 金属元素 (M) の酸化度を示す元素比 (OZM) が平均して 1 . 8よ り高く且つ 2. 4以下の範囲となっている。このため、このバリア一性中間層は、 高いガスバリア性を示す。
さらに、 バリアー性中間層に形成されている表面保護層は、 その表面 (即ち、 蒸着膜の外表面から深さ 0 . 3 n mの部分)において、炭素 ( C)濃度が酸素 (O) 濃度及び金属元素 (M) 濃度よりも高く、 金属元素 (M) の酸化度を示す元素比
( O/M) が 1 . 3以下であり、 且つ金属元素 (M) の結合エネルギーが、 バリ ァー性中間層での金属元素結合エネルギーの平均値よリも 1 . 0 e V以上小さい という条件を満足している。 即ち、 表面保護層は、 バリアー性中間層に比して有 機性度が高い領域となっている。 このため、 本発明の蒸着膜は、 後述する実施例 からも明らかな通り、 アルカリ性水溶液に対して優れた耐性を示し、 例えばアル カリ性水溶液中に金属元素 (M) が溶出することがなく、 従って、 このような蒸 着膜を内面に備えたプラスチックボトルは、 ミネラルウォーターやアルカリィォ ン飲料などの容器として実用に供することができる。
また、 上記のような無機蒸着膜においては、 基板表面との界面側からバリアー 性中間層に向かって、 炭素濃度 (C) が漸次低下していくと同時に、 酸素 (O) 濃度及び金属 (M) 濃度は漸次上昇していく。 従って、 前述した基板側接着層内 のバリァー性中間層の近傍部分には、 有機性と無機性とを示す有機無機複合領域 が形成されることとなる。 本発明においては、 このような有機無機複合領域が、 f記式:
0 . 2 < C/M < 1 . 8
1 . 5≤OZM
を満足し、 且つ金属元素 (M) の結合エネルギーが前記バリアー性中間層での金 属元素 (M) の平均値よりも 0. 1 e V〜0 . 7 e V低い範囲となるように、 各 元素濃度の変化率が調整されていることが好ましい。 即ち、 このような条件を満 足する有機無機複合領域を形成することにより、蒸着膜は、優れた耐熱性を示す。 例えばかかる蒸着膜をプラスチックボトルの内面に形成したとき、 該ボトルを高 温下に長時間保持したり、 或いは該ボトル内に内容液を熱間充填した場合におい ても、 内容液中への金属元素の溶出をほとんど生じることがなく、 膜厚減少やそ れに伴うガスバリア性の低下を有効に回避することができる。 従って、 このよう な有機無機複合領域が形成されている蒸着膜を内面に備えたプラスチックボトル は、 お茶などの加温販売用の容器として特に好適である。
<図面の説明 > 図 1は、 実施例 1で得られた本発明の蒸着膜の厚み方向における元素組成及び ゲイ素の結合エネルギーを示す図である。
図 2は、 本発明の蒸着膜を形成するためのプラズマ処理装置の構造を示す図で める。
図 3は、 比較例 1の蒸着膜の厚み方向における元素濃度とゲイ素の結合エネル ギーを示した図である。
図 4は、 蒸着膜表面の CZO比と膜厚減少量の関係を示した図である。
図 5は、 蒸着膜表面の C S i比と膜厚減少量の関係を示した図である。
図 6は、 蒸着膜表面の O S i比 (酸化度) と膜厚減少量の関係を示した図で める。
図 7は、 接着層内に有機無機複合領域を備えた蒸着膜 (実験例 1 ) の厚み方向 におけるゲイ素、 酸素、 炭素の組成分布を示す図である。
図 8は、 図 7の蒸着膜の厚み方向における炭素とゲイ素の元素比 (C/S i ) を示す図である。
図 9は、 実験例 1, 2及び比較実験例 1 , 2の蒸着膜について、 炭素とゲイ素 の元素比 (CZS i ) が 1 . 0〜1 · 8の範囲にある領域 (有機無機複合領域) おけるガスバリア膜 (バリア一性中間層に相当) との金属元素 ( S i ) 結合エネ ルギー差を示す図である。
図 1 0は、実験例 1の蒸着膜の厚み方向における元素組成及び金属元素(S i ) の結合エネルギー分布を示す図である。
図 1 1は、 実験例 3の蒸着膜の厚み方向におけるゲイ素、 酸素、 炭素の組成分 布図を示す図である。
図 1 2は、実験例 3の蒸着膜の厚み方向における元素組成及び金属元素(S i ) の結合エネルギー分布を示す図である。
<発明を実施するための最良の形態 > 添付図面の図 1を参照されたい。 図 1は、 X線光電子分光分析によって測定さ れる本発明の蒸着膜(特に後述する実施例 1で作製されたもの)の元素組成(M, O , C) を模式的に示すものであり、 この蒸着膜は、 外面側から基板表面に向か つて、 表面保護層 X、 バリアー性中間層 Y及び接着層 Zの 3領域に区画されてい る。 即ち、 本発明の蒸着膜は、 有機金属化合物と酸化性ガスを反応ガスとして用 いてのプラズマ C V D法により所定の基体表面に形成されるものであるが、 この 蒸着膜は、前記有機金属化合物に由来する金属元素(M)、酸素 (O)及び炭素(C) が図 1に示すように分布しており、 これらの 3元素基準で表わしての元素濃度に よって、 上記の 3つの領域に区画される。 尚、 図 1では、 金属元素 (M) として ケィ素 ( S i ) が示されている。
図 1において、基体表面側に形成されている接着層 Zは、 (C)濃度が 5元素% 以上の領域であり、 この領域は有機性が高く、 高い可撓性を示す領域である。 即 ち、 プラズマ C V Dによって形成される金属酸化物の層 (以下に述べるバリア一 性中間層がこれに相当する) は、 無機性が高く、 酸素バリアー性が高い半面、 可 撓性が低く、 基体との接着性に欠ける場合がある。 しかるに、 有機性の高い接着 層は、 可撓性が高く、 基体との接着性も良好である。 従って、 有機性の高い接着 層 Zを基体表面に形成することにより、 接着性や密着性の低下を有効に回避する ことができ、プラスチック製の基体に対しては特に高い密着性乃至接着性を示す。 尚、 かかる接着層 Zは、 基体表面側に行くほど炭素濃度 (C) が漸次増大して いることが好ましく、 基体表面との界面側では、 炭素濃度 (C) が 2 0元素%以 上に増大していることが、 基体との密着性を高める上で特に好適である。 また、 図 1から明らかなように、基体表面との界面側に行くにしたがって炭素濃度(C) を漸次増大させると、 金属元素 (M) の濃度及び酸素 (O) 濃度は、 それに伴つ て漸次減少する。 また、上記の接着層上に形成されているバリアー性中間層 Yは、 (C)濃度が 5 元素%未満であり、 従って、 この領域では、 金属元素 (Μ) と酸素 (Ο) との合 計濃度 (Μ + Ο) が 9 5元素%以上となっている。 即ち、 蒸着膜の中心部分に形 成されているこの層 Υは、 有機性が低く、 無機性に富んだ層であり、 特に酸素に 対するバリア一性が高い。例えば、 有機金属化合物としてへキサメチルジシロキ サン (H M D S O) などの有機ゲイ素化合物を用いたときには、 バリア一性中間 層は、 ゲイ素酸化物を主体とするものとなる。 従って、 本発明の蒸着膜は、 特に 酸素、 炭酸ガス等のガスに対するバリアー性が要求されるプラスチック容器など の包装材料の分野に有用である。
さらに、 このようなバリア一性中間層 Υでは、 金属元素 (Μ) の酸化度 Xは、 下記条件:
Figure imgf000010_0001
を満足するものでなければならない。 この酸化度 Xは、 金属元素 (Μ) に対する 酸素 ( Ο) の元素比 (ΟΖΜ) で表されるものであり、 酸化度 Xが上記範囲内で あるときに高いガスバリア性を示し、 酸化度 Xが上記範囲外であるときは、 ガス バリア性が低下してしまう。 蒸着膜の表面側に位置する表面保護層 Xは、 ( C )濃度が 5元素%以上の領域で あり、 前述した接着層 Ζと同様、 カーボン量が多く有機性に富んでいる。 本発明 においては、 かかる表面保護層 Xに存在する蒸着膜表面 (具体的には、 外表面か ら 0. 3 n mの深さの位置) での各元素濃度、 金属元素 (M) の酸化度 x及び金 属元素 (M) の結合エネルギーは、 下記の条件 (a ) 〜 (c ) の全てを満足する ことが必要である。
条件 ( a ):
炭素 (C) 濃度が酸素 (O) 濃度及び金属元素 (M) 濃度よりも高いこと。 即ち、 00及び C > Mであること。
条件 ( b ):
金属元素 (M) の酸化度 X (即ち、 元素比 OZM) が 1 . 3以下であること。 条件 (c ):
金属元素 (M) の結合エネルギーが、 中間層バリアー領域 Yでの金属元素結合 エネルギーの平均値よりも 1 . 0 e V以上小さいこと。 即ち、 上記の条件は、 蒸着膜表面がカーボンリッチであり、 著しく有機性に富 んでいることを示すものであり、 かかる条件を全て満足させることにより、 蒸着 膜の耐水性を著しく向上させ、 特にアルカリ水溶液中への金属元素の (M) の溶 出を有効に抑制することができ、 これらの条件を一つでも満足していない場合に は、.耐水性が不満足となり、 アルカリ水溶液中への金属元素 (M) の溶出が顕著 となってしまう。 例えば、 後述する実施例 1及び比較例 1の実験結果から明らか なように、条件(a )及び(c )を満足していたとしても、表面での金属元素(M) の酸化度 Xが 1 . 4 9と 1 . 3を超える場合 (条件(b ) を満足していない場合) には、 アルカリ水溶液中に蒸着膜を一定時間浸潰したときの金属元素 (S i ) の 溶出による膜減少量が 3 . 4 n mであるのに対して(比較例 1 )、条件( a )〜( c ) の全てを満足しているときには (実施例 1 )、膜減少量は 0. 2 n mとなっており、 金属元素 (S i ) の溶出が著しく抑制されていることが理解される。 本発明の蒸 着膜がこのように優れた耐水性を示すのは、 おそらく、 上記条件 (a ) 〜 (c ) の全てを満足させることにより、 蒸着膜表面での耐水性低下の要因となる酸素原 子 (O) 或いは O H基 (シラノール基) がほとんど存在しておらず、 このような 酸素原子や O H基は、 十分な厚みの表面保護層で被覆されているためと考えられ る。 また本発明の蒸着膜においては、 蒸着膜表面において上記条件 (a ) 〜 (c ) を満足していると同時に、 図 1に示されているように、 表面保護層 Xでは、 表面 側に向かって漸次炭素(C)濃度が増大し、 これに伴って S i等の金属元素(M) の濃度及び酸素 ( O) の濃度は漸次低下しており、 例えば炭素 (C) 濃度が 4 0 元素%以上まで増大していることが好ましく、 特に炭素 (C) 濃度が 4 0元素% 以上の領域が 5 n m以上の厚みで存在していることが好ましい。 このように表面 側で炭素( c)濃度が非常に高い領域を形成しておくことにより、耐水性に劣リ、 ケィ素 (s i ) 等の金属元素 (M) の溶出を生じやすいパリア一性中間層 Yを十 分な厚みの表面保護層 Xで被覆することができ、 耐水性を著しく向上させ、 さら には水の浸透も完全に遮断し、 水分によるガスバリア性の低下も有効に回避する ことができる。 尚、 本発明においては、 図 1から理解されるように、 各層 X , Y及び Zが隣接 する界面部分で、 各元素濃度は実質上連続的に変化している。 即ち、 これら界面 部分では、 各元素濃度が連続的に単調に減少或いは増加しており、 このことは、 各層 X、 Y及び zがー体的に形成されており、 隣り合う層の間に明確な界面は形 成されていないことを意味している。 従って、 本発明の蒸着膜は、 各層の間で剥 離を生じるようなことはなく、 極めて耐久性に優れ、 酸素等のガスや水分に対し て、 長期間にわたって安定したバリアー性を示すのである。
このように、 本発明の蒸着膜においては、 表面保護層 X、 バリアー性中間層 Y 及び接着層 zは、 何れも明確な層の形で存在するものではなく、 層間に明確な界 面は存在しない。 従って、 各領域の厚みをクリティカルに規定することはできな いが、 蒸着膜の厚み (各領域の合計厚み) は、 通常、 4乃至 5 0 0 n mの範囲に あり、 バリアー性中間層 Yは、 おおよそ 4. 0 n m以上の厚みを有しているのが よく、 接着層 Zは、 おおよそ 0. 2 n m以上の厚みを有しているのがよい。 また、 本発明においては、 水分に対するバリアー性を向上させるために、 表面 保護層 Xの表面を粗面に形成しておくことが好ましい。 例えば、 この平均表面粗 さ R a ( J I S B 0 6 0 1 ) を 0. 1乃至 1 0. 0 n m程度に調整しておくこ とにより、 水分に対するバリアー性がさらに高められる。 このような粗面の形成 は、 例えば蒸着膜の形成に際して、 グロ一放電のための減圧度を調整し、 比較的 高い圧力下でグロ一放電させることにより行うことができる。 さらに、 上述した本発明において、 接着層 Z内に所定の条件を満足する有機無 機複合領域を形成することが、 蒸着膜の耐熱性を向上させる上で、 極めて好適で あ <5) 0
添付図面の図 1 2を参照されたい。 図 1 2は、 X線光電子分光分析によって測 定される蒸着膜(後述する実験例 3で作製されたもの) の元素組成(M, O, C) 及び金属元素 (M) の結合エネルギーを示している。 尚、 この蒸着膜では、 有機 無機複合領域の機能を説明するため、 前述した表面保護層 Xを省略している。 先にも述べたように、 本発明の蒸着膜では、 基板表面との界面部分からバリア 一性中間層 Yに向かって、 炭素元素濃度が漸次減少し、 酸素 (O) 濃度及び金属 (M) 濃度は漸次増大していく。 即ち、 カーボンリッチな領域から次第に金属リ ツチな領域へと移行していくわけである。 従って、 図 1 2に示されるように、 接 着層 Z内には、 有機性と無機性とを有する有機無機複合領域 αが形成され、 この 領域 αよりも外面側の表面保護層 Xを除く部分が無機性に富んだ無機性領域 βと なり、 この無機性領域 S中に、 前述したバリアー性中間層 Υが存在することとな る。
本発明において、 上記の有機無機複合領域 は、 元素比 (CZM) 及び元素比 (O/M) が下記式 (1 ) 及び (2 ) の条件:
0. 2 < C/M< 1 . 8 … ( 1 )
1 . 5≤0/M … ( 2 )
を満足している。 即ち、 かかる有機無機複合領域 は、 前述したバリアー性中間 層 Yを含む無機性領域) S ( C/M≤0. 2である) と比較すると、金属元素(M) の酸化度 (OZM) は、 多少低くともよいが、金属元素 (M) に対する炭素 (C) の量 (CZM) が多い。 即ち、 この有機無機複合領域 )8は、 基板表面近傍に存在 するカーボンを主体とする領域ほどではないが、 無機性領域^よリも有機性に富 んだ領域であり、 有機性と無機性とを示す。
また、 かかる有機無機複合領域 は、 金属元素 (Μ) の結合エネルギーが、 バ リア一性中間層 γの金属元素 (Μ) 結合エネルギーの平均値よりも 0. 1 e V〜 0. 7 e V低い範囲にある。 ちなみに、 このバリアー性中間層 Yにおける金属元 素 (M) 結合エネルギーの平均値から、 有機無機複合領域 の金属元素 (M) 結 合エネルギーを差し引いた値を「バリアー性中間層との結合エネルギー差 ( IM)」 W
12 と呼ぶ。即ち、金属元素(M) と酸素 (O) との結合エネルギーは、金属元素(M) と炭素 (C) との結合エネルギーよりも高い。 従って、 無機性領域^に比して炭 素 (C) を多く含む有機無機複合領域 αでは、 金属元素 (Μ) 結合エネルギーが 無機性領域 に比して低い値となるのであるが、 本発明においては、 結合エネル ギー差 ( 1M) が上記範囲内に収まる程度で、 酸化度の高い金属酸化物が有機無 機複合領域 αに含まれているのである。
先にも述べたように、 無機性領域 i8内に存在するバリアー性中間層 Υは、 高い ガスバリア性を示すものの、 柔軟性に欠けるという欠点があり、 基体に対する密 着性を欠いている。 例えば、 膨張等により基体が多少変形した場合、 このような 無機性領域 Xは基体の変化に追随することができず、 この結果、 基体との密着性 が損なわれ、 ガスバリア性の低下を生じてしまう。 このような不都合は、 前述し た柔軟性に富んだ接着層 Zを形成することにより回避できる。本発明においては、 上記のような条件を満足する有機無機複合領域 0Lを、 接着層 Z内に形成すること により、 接着層の柔軟性を損なわず、 基体に対する密着性を高めると同時に、 驚 くべきことに、 蒸着膜の耐熱性が向上するという予想外の利点が達成されるので める。
例えば、 特許文献 3に開示されているような蒸着膜では、 基板側表面に形成さ れている領域は、炭素濃度が極めて高く、ガスバリア層との結合エネルギー差 M) が 0. 7 e Vを超える範囲にあり、 無機性を示さない。 このため、 柔軟性が 高く、 基体に対する密着性は優れているのであるが、 かかる蒸着膜は耐熱性が低 いという問題がある。 後述する比較実験例 1に示されているように、 P E Tポト ルの内面にこのような蒸着膜を形成した場合、 ボトル内に内容液を熱間充填した ときには、室温で内容液を充填した場合に比して、内容液への金属元素(ケィ素) の溶出量が著しく増大してしまう。 これに対して、 上述した条件を満足する有機 無機複合領域 が接着層内に形成されている蒸着膜が P E Tポトル内面に設けら れている場合には(実験例 1 )、耐熱性が著しく高く、内容液を熱間充填した場合 においても、 金属元素 (ゲイ素) の溶出量は、 室温で充填したときと略同等であ リ、 極めて少ないのである。 このような有機無機複合領域 の形成により耐熱性が向上する理由について、 本発明者等は次のように推定している。 即ち、 特許文献 3のように炭素含量の多 い有機性領域 (接着層) が基板側に形成されているに過ぎない蒸着膜では、 熱間 充填や高温での保持により有機性領域が活発に動いている。 この結果、 高温状態 では、 有機性領域の上に形成された無機性領域 (或いはバリア一性中間層) の金 属元素 (M) が容易に遊離し、 例えばボトルの内容液中に溶出してしまうものと 考えられる。 しかるに、 本発明において、 接着層内の存在する有機無機複合領域 では、 ある程度の量の金属元素 (M) が酸化度の高い形で存在しているため、 無機性領域 (或いはバリアー性中間層 Y) と比較すれば低いものの、 高温での 有機無機複合領域 の動きは、 上述した有機性領域と比較すればかなリ小さい。 このため、 高温状態でも金属元素 (M) が離脱しにくく、 この結果、 優れた耐熱 性を示すものと考えられる。 上述した本発明の蒸着膜においては、 図 1 2に示されているように、 有機無機 複合領域 Yでは、 金属元素 (M) の結合エネルギーが基体側から無機性領域) Sに 向かって漸次増大しており、 且つ金属元素 (M) の結合エネルギーの最大値と最 小値との差が 0. 1 e V以上であることが好ましい。 このような条件を満足させ ることにより、有機無機複合領域 Ofに適度な厚み(例えば 0. 2〜1 O n m程度) を確保することができ、 その柔軟性により、 基体との間に高い密着性を確保する ことができる。 また、 このような領域 αと領域 との間にも明確な界面は形成さ れず、 従って、 両者の界面で剥離を生じるようなことはなく、 極めて耐久性に優 れ、 酸素等のガスや水分に対して、 長期間にわたって安定したガスバリア性を示 すのである。
また、 本発明においては、 上述した有機無機複合領域 Ofは、 元素比 (CZM) 及び元素比 (OZM) が下記式 (1 a ) 及び (2 a ) の条件:
1 . 0く CZMく 1 . 8 … (1 a )
2. 0≤O/M … (2 a )
を満足している領域であってもよい。かかる領域は、炭素(C) を金属元素(M) よりもやや多く含み、 且つ金属元素 (M) の酸化度 (OZM) が高いレベルにあ る。 即ち、 有機性を比較的高いレベルとし且つ酸化度の高い金属酸化物を存在さ せた有機無機複合領域 aを形成させることにより、 上述した柔軟性による密着性 保持効果と耐熱性向上効果とを高めることができる。 特に、 有機無機複合領域 α の厚みを 0. 2〜 5. O n m程度に薄くした時にも、 所定の密着性保持効果ゃ耐 熱性向上効果を発現させ得る点で、 このような有機無機複合領域 Ofを形成するこ とは極めて好適である。
[基体]
本発明において、 上記の蒸着膜を形成すべき基体としては、 ガラス、 各種金属 等からなるものを使用することもできるが、 最も好適には、 プラスチック基材が 使用される。 このようなプラスチックとしては、 それ自体公知の熱可塑性樹脂、 例えば低密度ポリエチレン、 高密度ポリエチレン、 ポリプロピレン、 ポリ 1ーブ テン、 ポリ 4一メチル一 1一ペンテンあるいはエチレン、 プロピレン、 1ーブテ ン、 4ーメチルー 1一ペンテン等のひ一ォレフィン同志のランダムあるいはブロ ック共重合体等のポリオレフイン、 環状ォレフィン共重合体など、 そしてェチレ ン■酢酸ビニル共重合体、 エチレン■ビニルアルコール共重合体、 エチレン'塩 化ビニル共重合体等のエチレン■ ビニル化合物共重合体、 ポリスチレン、 ァクリ ロニトリル'スチレン共重合体、 A B S、 ーメチルスチレン 'スチレン共重合 体等のスチレン系樹脂、 ポリ塩化ビニル、 ポリ塩化ビニリデン、 塩化ビニル■塩 化ビニリデン共重合体、 ポリアクリル酸メチル、 ポリメタクリル酸メチル等のポ リビニル化合物、 ナイロン 6、 ナイロン 6— 6、 ナイロン 6— 1 0、 ナイロン 1 1、 ナイロン 1 2等のポリアミド、 ポリエチレンテレフタレ一卜、 ポリプチレン テレフタレー卜、 ポリエチレンナフタレート等の熱可塑性ポリエステル、 ポリ力 ーポネート、 ポリフエ二レンオキサイド等や、 ポリ乳酸など生分解性樹脂、 ある いはそれらの混合物のいずれかの樹脂であってもよい。
これらの基体は、 フィルム乃至シートの形で用いることができるし、 またポト ル、 カップ、 チューブ等の容器やその他の成形品の形で使用することができる。 特に、 ボトルとしては、 ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルから形成 された二軸延伸ブロー成形ボトルが挙げられる。 勿論、 本発明は上記ポリエステ ルのカップゃニ軸延伸フィルムにも同様に適用することができる。
また、 プラスチック基体は、 前述した熱可塑性樹脂 (好ましくはォレフイン系 樹脂) を内外層とし、 これらの内外層の間に酸素吸収性層を有するガスバリア性 の多層構造物であってもよく、 このような多層構造物の内層及び/または外層表 面に、 本発明の蒸着膜を形成することにより、 酸素バリア一性を著しく向上させ ることができる。
[反応ガス]
本発明では、 有機金属化合物及び酸化性ガスを反応ガスとして使用するが、 必 要により、 これらとともに、 炭素源となる炭化水素も併用することができる。 本発明において、 有機金属化合物としては、 有機ゲイ素化合物が好適に使用さ れるが、 酸化性ガスと反応して金属酸化物を形成するものであれば、 有機ゲイ素 化合物に限定されるものではなく、 例えばトリアルキルアルミニウムなどの有機 アルミニウム化合物、 その他、 有機チタン化合物など、 種々のものを使用するこ とができる。 有機ゲイ素化合物としては、 へキサメチルジシラン、 ビニルトリメ チルシラン、 メチルシラン、 ジメチルシラン、 トリメチルシラン、 ジェチルシラ ン、 プロビルシラン、 フエニルシラン、 メチルトリエトキシシラン、 ビニルトリ エトキシシラン、 ビニルトリメトキシシラン、 亍トラメトキシシラン、 テトラエ トキシシラン、 フエニルトリメトキシシラン、 メチルトリメトキシシラン、 メチ ルトリエトキシシラン等の有機シラン化合物、 ォクタメチルシクロテトラシロキ サン、 1 , 1 , 3 , 3—テ卜ラメチルジシロキサン、 へキサメチルジシロキサン 等の有機シロキサン化合物等が使用される。 また、 これらの材料以外にも、 アミ ノシラン、 シラザンなどを用いることもできる。
上述した有機金属は、 単独でも或いは 2種以上の組合せでも用いることができ る。 また、 上述した有機ゲイ素化合物とともに、 シラン (S i H 4) や四塩化ケ ィ素を併用することができる。 酸化性ガスとしては、 酸素や Ν Ο χが使用され、 キャリアーガスとしては、 ァ ルゴンゃヘリウムなどが使用される。
また炭素源としては有機ゲイ素化合物、有機金属化合物のほか C H 4、 C 2 Η 4、 C 2 H 6、 C 3 H 8等の炭化水素を使用しても良い。
[蒸着膜の形成]
本発明においては、 上述した反応ガスを含む雰囲気中で、 基体の表面に、 ブラ ズマ C V D法によリ蒸着膜を形成させる。
尚、プラズマ C V Dとは、気体プラズマを利用して薄膜成長を行うものであり、 基本的には、 減圧下において原料ガスを含むガスを高電界による電気的エネルギ 一で放電させ、 分解させ、 生成する物質を気相中或いは基体上での化学反応を経 て、 基体上に堆積させるプロセスから成る。 プラズマ状態は、 グロ一放電によつ て実現されるものであり、 このグロ一放電の方式によって、 直流グロ一放電を利 用する方法、 高周波グロ一放電を利用する方法、 マイクロ波放電を利用する方法 などが知られている。
低温プラズマ C V Dは、
a . 高速電子によるガス分子の直接分解を利用しているため、 生成エネルギー の大きな原料ガスを容易に解離できる、
b . 電子温度とガスイオン温度が異なり、 電子温度は化学反応を遂行するに必 要なエネルギーを有する高温であるが、 イオン温度は低温である熱的非平衡状態 にあり、 低温プロセスが可能となる、
c 基板温度が低くても比較的均一なアモルファス膜を形成できる、 という利点を有するものであり、 プラスチック基体への蒸着膜の形成にも容易に 適用できるものである。
本発明においては、 前述した図 1に示すような領域が形成されるように蒸着膜 を形成しなければならない。 このような手段としては、 例えば反応ガスによる調 整、 或いはグロ一放電の出力調整などの手段がある。
反応ガスによる場合には、 例えば有機金属化合物に比して、 酸化性ガスの供給 量が少ない場合には、 有機金属化合物の酸化分解のレベルが低く、 重合物が形成 される。 この結果、 カーボン量の多い領域、 例えば表面保護層 Xや接着層 Zなど の領域を形成することができる。 また、 有機金属化合物に比して、 酸化性ガスの 供給量を多くすることにより、 有機金属化合物の酸化分解が高いレベルにまで進 行するため、 ほぼ完全な金属酸化物が形成される。 この結果、 カーボン量の少な い領域、 即ち、 バリアー性中間層 Yを形成することができる。 さらに、 表面保護 層 Xを形成するために、 炭素源となる炭化水素を供給することもできる。
また、 反応ガスの調整により各層 x〜zを形成する場合、 各元素濃度が連続的 に変化し、 各領域間に界面が生成しないようにマイク口波の出力と酸素の供給量 のバランスを考慮しなければならない。
また、 グロ一放電の出力調整による場合には、 例えばプラズマ発生のグロ一放 電を低出力で発生させると、 カーボン量の多い表面保護層 Xや接着層 Zなどを形 成することができ、 高出力でグロ一放電を行うと、 カーボン量の少ないバリアー 性中間層 Yを形成することができる。
この出力変化による方法は、 以下の原理に基づくものである。
例えば、 有機ケィ素酸化物を例にとって説明すると、 有機ゲイ素化合物と酸化 性ガスによリ、 次の反応経路を経てケィ素酸化膜が形成するものと考えられる。
(a)水素の引き抜き: S i C H 3→S i C H 2
(b)酸化: S i C H 2→S i O H
(c)脱水縮合: S i O H→S i O
即ち、 高出力、 例えば 1 O OW以上の出力でグロ一放電を実行すると、 有機ケ ィ素化合物が (c)の段階まで一挙に反応し、 この結果、 酸化分解レベルが高く、 力 一ボン量の少ないバリアー性中間層 Yが形成される。 一方、 低出力、 例えば 2 0 乃至 8 OW程度でグロ一放電を行うと、 (a)の段階で生成した S i C H 2のラジカ ル同士の反応が生じ、 有機ゲイ素化合物重合体が生成し、 この結果、 カーボン量 の多い表面保護層 Xや接着層 Zが形成されることとなる。
また、 グロ一放電の出力調整により、 各層 X〜Zを形成する場合、 各元素濃度 が連続的に変化し、 各領域間に界面が生成しないように、 グロ一放電の出力調整 を連続的に変化させることが必要である。
本発明において、 プラズマ発生のためのグロ一放電は、 高周波電界或いはマイ クロ波電界で行われる。 処理すべき基体がプラスチックであるときには、 高周波 電界でグロ一放電を行う場合、 電極間距離などによって最適条件は異なり、 一概 に規定できないが、 上記高出力領域でのグロ一放電は、 1 O OW以上の出力で行 うことが好ましく、 マイクロ波電界でグロ一放電を行う場合には、 高出力でのグ ロー放電は、 9 OW以上とするのがよい。 例えば、 前述した条件 (a ) 〜 (c ) を満足する蒸着膜表面を形成し、 さらに は表面保護層 Xでの炭素 (C ) 濃度等の分布を図 1に示すようなものとするため には、 例えばある程度の厚みのバリアー性中間層 Yを形成後、 反応ガスの供給を 停止し、 雰囲気を有機金属化合物のガスで置換した後に、 グロ一放電を開始する ことが好ましい。 反応ガスが存在 る状態でグロ一放電を実行す急と、 例えば表 面での酸化度 Xが 1 . 3よりも高くなリ、 蒸着膜の耐水性が低下するおそれがあ る。 また、 本発明では、 上記の反応ガスの供給量による手段とグロ一放電出力によ る手段とを組み合わせることにより、 前述した有機無機複合領域 αを接着層 Ζ内 に形成し、 この領域 Of上にバリアー性中間層 Υを含む無機性領域 ^を形成するこ とができる。
例えば、 へキサメチルジシロキサン (H M D S O) を用いて蒸着膜を形成する 場合を例にとると、 H M D S Oと酸化性ガスとを、 0 2/ H M D S O (モル比) が 8〜 1 2程度の量比で供給しながら低出力でプラズマ反応による蒸着膜の形成 を開始し、 徐々に出力を高めていくことにより、 有機無機複合領域 orを接着層 Z 内に有する蒸着膜を形成することができる。 この場合、 マイクロ波による場合に は、 3 0W程度でグロ一放電を開始し、 徐々に出力を高め、 9 0W以上の出力と したとき、 有機無機複合領域 Qf上の無機性領域 j8内には、 金属元素 (S i ) の酸 化度が最も高く、 炭素 (C) 含量が実質上ゼロであるバリア一性中間層 Yが形成 される。また、高周波による場合は、電極間距離などによって最適条件は異なリ、 一概に規定できないが、一般には、 4 OW程度でグロ一放電を開始し、出力を徐々 に高めていくことにより、 最終的に 1 O OW以上の出力とすることにより、 無機 性領域 β内に/ リァー性中間層 Υを形成することができる。
マイクロ波及び高周波による何れの場合においても、 出力の勾配や製膜時間を 調整することにより、 有機無機複合領域 αを前述した式 (1 ) 及び (2 ) を満足 するものとし、 或いは式 (1 a ) 及び (2 a ) の条件を満足するものとすること ができる。 例えば、 出力勾配を比較的緩やかにしたり、 製膜時間を長くすること により、 有機無機複合領域 を前述した式 (1 ) 及び (2 ) を満足するものとす ることができ、 その厚みを 0. 2〜1 0 n m程度とすることができる。 また、 出 力勾配を比較的急にしたり、 製膜時間を短くすることにより、 有機無機複合領域 Ofを式 (1 a ) 及び (2 a ) を満足する領域とすることができ、 例えば、 このよ うな有機無'機複合領域 の厚みを 0 · 2〜5 . 0 n m程度とすることができる。 但し、 出力勾配を必要以上に急にしたり、 製膜時間を極度に短くすると、 有機無 機複合領域 aの厚みが小さく、 直ちに無機性領域 βに移行するようになってしま うので、 領域 の厚みが少なくとも 0. 2 n m程度となるように、 出力の勾配や 製膜時間を調整すべきである。
[処理装置]
本発明において、 上述した蒸着膜の形成に用いる装置は、 処理すべき基体を含 むプラズマ処理室と、 プラズマ処理室を減圧状態に保持するための排気系と、 プ ラズマ処理室内に処理用ガスを導入するための処理用ガス導入系と、 ブラズマ処 理室内にプラズマを発生させるための電磁波導入系とを含んでなる。 かかる装置 の一例を、マイクロ波プラズマ処理装置を例にとって、その構造を図 2に示した。 図 2において、 全体として 1 0で示すプラズマ処理室は、 環状の基台 1 2と、 筒状側壁 1 4と、 筒状側壁 1 4の上部を閉じている天蓋 1 6とから構成されてい る。
環状の基台 1 2の中心部分には、 第 1の排気孔 2 0が形成され、 さらに、 基台 1 2の上面には、 第 1の排気孔 2 0を取り囲むようにして環状の凹部 2 2が形成 され、さらに環状の凹部 2 2の周囲には、環状溝 2 4が形成され、環状溝 2 4は、 第 2の排気孔 2 6に通じている。
上記の環状の凹部 2 2には、 ポトル 2 8を倒立状態に保持しているボトルホル ダー 3 0が収容されている。 ボトルホルダ一 3 0は、 図 2から明らかな通り、 倒 立状態のボトル 2 8の首部が嵌め込まれており、 該ホルダーに保持されているポ トル 2 8の首部は、 第 1の排気孔 2 0に通じておリ、 第 1の排気孔 2 0からポト ル 2 8の首部を介して、 ポトル 2 8の内部にガス供給管 3 2が揷入されている。 筒状側壁 1 4には、 マイクロ波導入口 3 4が設けられており、 導波管や同軸ケ 一ブル等のマイク口波伝送部材 3 6がマイク口波導入口 3 4に接続されている。 即ち、 所定のマイク口波発振器からマイク口波伝送部材 3 6を介してプラズマ処 理室 1 0内にマイクロ波が導入されるようになっている。
天蓋 1 6には、 冷却用ガス供給孔 4 0が設けられており、 これにより、 蒸着膜 の形成終了後、 或いは蒸着膜の形成中に冷却用ガスが、 プラズマ処理室 1 0内で 倒立状態に保持されているボトル 2 8の底部に吹き付けられ、 冷却が行われるよ うになつている。
また、 プラズマ処理室 1 0の密閉性を確保するために、 基台 1 2と筒状側壁 1 4との界面及び筒状側壁 1 4と天蓋 1 6との界面には、 それぞれ O—リング 4 2 が設けられている。 また、 ボトルホルダ一 3 0にも、 ボトル 2 8の内部と外部と を遮断するための O—リング 4 2が設けられている。
さらに、 基台 1 2に形成されている第 1の排気孔 2 0及び第 2の排気孔 2 6に は、 それぞれ、 マイクロ波閉じ込め用のシールド 4 4が設けられている。 また、 マイクロ波閉じ込めのため、 基台 1 2、 筒状側壁 1 4及び天蓋 1 6は、 何れも金 属製である。
プラズマ処理による蒸着膜の形成に際しては、 先ず、 倒立状態にボトル 2 8を 保持しているボトルホルダ一 3 0を基台 1 2の環状凹部 2 2に載置し、 この状態 で基台 1 2を適当な昇降動装置で上昇させ、 筒状側壁 1 4に接着させ、 図 2に示 されているように、 密閉され且つ倒立状態のボトル 2 8が収容されているプラズ マ処理室 1 0を構成させる。
次いで、 ガス供給管 3 2を第 1の排気孔 2 0からボトル 2 8の内部に挿入する とともに、 真空ポンプを駆動し、 第 1の排気孔 2 0からの排気により、 ボトル 2 8の内部を真空状態に維持する。 この際、 ボトル 2 8の外圧による変形を防止す るために、 ボトル 2 8の外部のプラズマ処理室 1 0内を、 真空ポンプにより、 第 2の排気孔 2 6から減圧状態にする。
ポトル 2 8内の減圧の程度は、 ガス供給管 3 2から処理用ガスが導入され且つ マイクロ波が導入されてグロ一放電が発生するような減圧の程度が高いものであ リ、 例えば 1〜5 0 0 P a、 特に好適には 5〜5 0 P aの範囲がよい。 一方、 ポ トル 2 8の外部のプラズマ処理室 1 0内の減圧の程度は、 マイクロ波が導入され てもグロ一放電が発生しないような減圧の程度である。
この減圧状態に達した後、 ガス供給管 3 2によりボトル 2 8内に反応ガスを導 入し、 マイクロ波伝送部材 3 6を通してプラズマ処理室 1 0内にマイクロ波を導 入し、 グロ一放電によるプラズマを発生させる。 このプラズマ中での電子温度は 数万 Kであり、 ガス粒子の温度は数 1 O O Kであるのに比して約 2桁ほど高く、 熱的に非平衡の状態であり、 低温のプラスチック基体に対しても有効にプラズマ 処理を行うことができる。
上記の反応ガス或いはグロ一放電のためのマイクロ波出力は、 先に述べたよう に調整され、 形成される蒸着膜は、 ボトル内面から順に、 接着層 Z、 バリアー性 中間層 Y及び表面保護層 Xとなり、 その元素組成を、 X線光電子分析法により測 定すると、 図 1に示されたようなものとなる。 尚、 最後の段階で、 ボトル 2 8内 の圧力を 1 5〜5 0 0 P a程度に高めることにより、 表面保護層 Xの表面 (即ち 蒸着膜表面) を粗面とし、 水分に対する遮断性を高めることができる。
所定のプラズマ処理を行った後、 処理用ガスの導入及びマイクロ波の導入を停 止すると共に、 冷却用ガス供給孔 4 0から冷却用ガスを導入し、 ボトル 2 8の内 外を常圧に復帰させ、 プラズマ処理されたボトル 2 8をプラズマ処理室 1 0外に 取り出すことにより、 目的とする蒸着膜が形成されたプラスチックボトルを得る ことができる。 プラズマ処理の時間は、 処理すべきボトルの内表面積、 形成させる薄膜の厚さ 及び処理用ガスの種類等によっても相違し、 一概に規定できないが、 2リットル のプラスチックボトルでは、 1個当たり、 1秒以上がプラズマ処理の安定性から 必要であり、 コスト面から短時間化が要求されるが、 必要であれば分のオーダー でも良い。
<実施例 > 本発明を次の例で説明するが、 本発明はいかなる意味においても、 次の例に制 限されるものではない。
1. 膜中の組成分析法
蒸着膜を内面に被覆したボトルの胴部の内面を、 PH I社製、 X線光電子分光 装置 (Quantum2000) により、 膜の深さ方向のゲイ素、 酸素、 炭素のそれぞれ の組成分布及びゲイ素の結合エネルギーを測定した。
尚、 ゲイ素濃度および酸素濃度は溶融石英 (S i 02) を基準として補正し、 膜厚に関しては、便宜上溶融石英(S i 02)と同様のスパッタ速度で推測した。 蒸着膜表面での各元素濃度及びゲイ素結合エネルギーは、 加速電圧 2 k V、 ス パッタ範囲 3mmX 3mmで、 膜表面からの深さ 0. 3 n mの位置での測定値と して示した。
2. 蒸着膜の耐アルカリ性の評価
蒸着膜を内面に被覆した PETボトル内に、 アルカリ性溶液 (市販のミネラル ウォーター pH7. 3) 500m Iを室温にて充填し、 ポリプロピレン製キヤッ プでボトル口部を密封して 55 °C 30%RHの環境下に 28日保存した後、 蛍光 X線分析装置(Rigaku ZSX) にて経時における膜中のゲイ素量を測定し、 同一 条件で作製された経時前ポトルのゲイ素量と比較し、 ケィ素量の減少量を以て蒸 着膜の耐ァルカリ性の評価とした。 各ポトルとも高さ方向に 6点の位置で測定し たケィ素量の平均値を膜厚とした。
3. 耐熱性の評価 蒸着膜を内面に被覆した P ETポトル内に 23 °Cと 87 °Cの蒸留水 5 OOmL をそれぞれ充填し、 55°Cの環境下に 28日間保管した後、 誘導結合プラズマ質 量分析装置により、 PETボトル溶液内のゲイ素量を測定し、 ケィ素の高温溶液 中への溶出量を以つて耐熱性の評価とした。
4. 密着性の評価
蒸着膜を内面に被覆した PETボトル内に、 ドライアイスを 2. 5 g入れ、 プ ラスチック性のキャップを閉め、 55 °Cの環境下で 2日間保管した。
保管前の PETボトルの体積 (V1) と保管後の PETボトルの体積 (V2) から、 PETボトルの膨張率 (V2 V 1 X 100) を求めた結果、 保管により 1 02%に膨張した。 そして、 酸素透過量測定装置 (モダンコントロール社製、 OX-TRAN) により、 PETボトルの膨張前と膨張後の酸素透過量 (37°C 一 100 o/o R Hの雰囲気下) を測定し、 P E Tボトル膨張による酸素透過量の変 化を密着性の評価とした。
(実施例 1 )
周波数 2. 45 GHz、最大出力 1. 2 kWのマイクロ波電源、直径 9 Omm、 高さ 50 Ommの金属型円筒形プラズマ処理室、 処理室を真空にする油回転真空 式ポンプ、 マイクロ波を発振器からプラズマ処理室に導入する矩形導波管を有す る図 2に示す装置を用いた。
ガス供給管として、 外径 1 5mm、 長さ 1 50 mmのポーラス構造を有する焼 結体ステンレス製ガス供給管を用い、 ボトルホルダーに、 口径 28mm、 胴径 64mm、 高さ 206mm、 内容積 520m Iの円筒型ポリエチレンテレフ タレート製のボトル (PETボトル) を設置し、 処理室内のボトル外部の真空度 を 7 k P a、 ポトル内真空度を 1 0 P aとした。
この状態で、 ボトル内に、 へキサメチルジシロキサン (HMDSO) を 2. 7 s c cm、 酸素を 27 s c cm導入後、 マイクロ波発振器より 500Wのパルス マイクロ波を発振させ、 プラズマ処理を行った。 その際、 マイクロ波の発振時間 を変化させることにより接着層 Z、 パリァー性中間層 Yから成る蒸着膜を形成し た。その後、酸素ガスの供給を停止しボトル内を H M D S O雰囲気に置換した後、 表面保護層 Xを形成した。 各層の蒸着時間は、 それぞれ、 3 s e c (層 Z )、 5 s e c (層 Y)、 3 s e c (層 X) とした。
表面保護層 Xを形成後、 大気解放し蒸着膜の製膜を終了させた。
得られた蒸着膜について、 ゲイ素、 酸素、 炭素の膜の深さ方向における組成分 布と S iの結合エネルギーとを測定し、 図 1に示した。 また、 蒸着膜表面での各 元素濃度、 酸化度 x、 ゲイ素の結合エネルギー、 バリアー性中間層 Yでの平均ケ ィ素結合エネルギー及び平均酸化度 X (元素比 OZS i ) を、 耐アルカリ性評価 (膜減少量) の結果と共に、 表 1に示した。
(比較例 1 )
実施例 1と同様の方法でプラズマ処理を行い、 接着層 Z、 バリアー性中間層 Y から成る蒸着膜を形成した。 その後、 酸素ガスの供給を停止し、 直ちに 0 . 5 s e c間で表面保護層 Xの作製処理を行い、 次いで、 大気解放し蒸着膜の製膜を 終了させた。
この蒸着膜中のゲイ素、 酸素、 炭素の膜の深さ方向における組成分布とゲイ素 の結合エネルギーとを図 3に示し、 さらに蒸着膜表面での各元素濃度等ゃ耐アル 力リ性評価の結果等を表 1に示した。
(比較例 2 )
表面保護層 X形成時の酸素の供給量を 2 . 7 s c o mとした以外は、 実施例 1 と同様に蒸着膜を製膜し、 実施例 1と同様の分析及び評価を行った。 その結果を 表 1に示した。
(比較例 3 )
表面保護層 Xを形成しなかった以外は、 実施例 1と同様に蒸着膜を製膜し、 実 施例 1と同様の分析及び評価を行った。 その結果を表 1に示した。 一表 1一
Figure imgf000027_0001
上記の結果から、 前述した条件 (a) 〜 (c) の全てを満足する実施例の蒸着 膜は、 良好な耐ァルカリ性を示していることがわかる。
また、 種々の条件で作製したポトルの外表面の濃度比と膜減少の関係を図 4〜 6に示す。 これらの結果から、 外表面での各元素濃度が C>0、 OS iを満足 し、 かつ酸化度 Xが 1. 3以下の場合において良好な表面保護効果を示し、 良好 な耐アル力リ性を示すことが確認された。 接着層 X内に有機無機複合領域 0?を形成したときの耐熱性及び密着性の変化を みるために、 以下の実験例及び比較実験例を行った。
尚、 これらの例では、 最外層の表面保護層は省略した。 また、 実験例 1 , 2及 び比較実験例 1, 2においては、 有機無機複合領域 を、 元素比 (C/S i ) が 1. 0〜1. 8の範囲にある領域とし、 実験例 3においては、 有機無機複合領域 aを、 元素比 (C/S i ) が 0. 2〜1. 8の範囲にある領域とした。 [実験例 1 I
実施例 1と全く同様のプラズマ処理装置及び P ETボトルを使用し、 処理室内 のボトル外部の圧力を 7 k P a、 ポトル内部の圧力を 1 0 P aとし、 へキサメチ ルジシロキサン (HMDSO) を 2. 7 s c cm、 酸素を 27 s c c m導入後、 マイクロ波発振器よりパルスマイクロ波を発振させ、プラズマ処理をおこなった。 そのプラズマ処理の際、 マイクロ波の強度を変化させることにより、 有機無機複 合領域 Of及びその上に、 ガスバリア膜を含む無機性領域 i8を形成し、 次いで大気 開放し蒸着膜の製膜を終了させた。 (尚、ガスバリア膜は、本発明におけるバリア 一性中間層 Yに相当し、 C濃度が 5 %未満の領域である。)
各領域のマイク口波強度およびブラズマ処理時間は、 それぞれ、 35 Wで 3秒 (有機無機複合領域 )、 600Wで 5秒 (無機性領域/ S) とした。
得られた蒸着膜の前記膜中の組成分析法によるゲイ素、 酸素、 炭素の膜の深さ 方向における組成分布を図 7に示した。 そして、 膜の深さ方向における炭素とケ ィ素の元素比 (C S ί ) を図 8に示した。 組成分析の結果、 炭素とゲイ素の元 素比 (CZS i ) が 1. 0〜 1. 8の範囲にある有機無機複合領域 における炭 素とケィ素の元素比 (CZS i ) が 1. 0〜1. 8の範囲で、 酸素とゲイ素の元 素比 (OZS ί )、即ち酸化度は 2. 2〜2. 4の範囲であった。また、有機無機 複合領域 における炭素とケィ素の元素比 (C S i ) は 0. 2以下であった。 さらに、 有機無機複合領域 におけるケィ素 (S i ) についてのガスバリア膜 (バリアー性中間層 Yに相当) との結合エネルギー差 ( lM) を図 9に示した。 また、 膜の厚み方向における元素組成及び金属元素 (S i ) の結合エネルギー 分布を図 1 0に示した。
さらに、上記の蒸着膜について、耐熱性及び密着性を評価し、耐熱性の評価は、 上記の結合エネルギー差 ( lM) の範囲とともに表 2に示し、 また、 密着性の評 価は、 表 3に示した。
[実験例 2]
マイクロ波強度およびプラズマ処理時間を、 それぞれ、 45Wで 3秒 (有機無 機複合領域 α)、 600Wで 5秒(無機性領域 i8) に変更した以外は、実験例 1と 同様にして、 有機無機複合領域 Qfの上にガスバリア膜を含む無機性領域) δを有す る蒸着膜を作製した。
この蒸着膜についての組成分析の結果、 炭素とゲイ素の元素比 (C S i ) が 1. 0〜1. 8の範囲である有機無機複合領域 における酸素とケィ素の元素比 (O/S i ) は 2. 2-2. 5の範囲であった。 また、 無機性領域Sにおける炭 素とケィ素の元素比 (CZS ί )、 即ち、 酸化度は 0. 2以下であった。
さらに、 有機無機複合領域 αにおけるケィ素 (S ί ) についてのガスバリア膜 との結合エネルギー差 を図 9に示した。
また、 上記の蒸着膜について、 耐熱性及び密着性を評価し、 耐熱性の評価は、 上記の結合エネルギー差 ( lM) の範囲とともに表 2に示し、 また、 密着性の評 価は、 表 3に示した。
[実験例 3]
有機無機複合領域 αのプラズマ処理時間を実験例 1よりも 5秒長くして、 実験 例 1と同様に有機無機複合領域 αの上に、 ガスバリア膜を含む無機性領域 )8が形 成された蒸着膜を作製した。
この時の前記膜中の組成分析法によるゲイ素、 酸素、 炭素の膜の深さ方向にお ける組成分布を図 1 1に示し、 深さ方向における元素組成及び金属元素 (S i ) の結合エネルギー分布を図 1 2に示した。 組成分析の結果、 炭素とゲイ素の元素 比 (CZS i ) が 0. 2~1. 8の範囲である有機無機複合領域 での酸素とケ ィ素の元素比 (OZS i )、 即ち酸化度は 1. 9〜2. 2の範囲であった。 また、 無機性領域 での炭素とケィ素の元素比 (CZS i ) は 0. 2以下であった。 また、 上記の蒸着膜について、 耐熱性及び密着性を評価し、 耐熱性の評価は、 有機無機複合領域 におけるゲイ素元素結合エネルギーについて、 ガスバリア膜 との結合エネルギー差 ( lM) の範囲とともに表 2に示し、 また、 密着性の評価 は、 表 3に示した。 [比較実験例 1 ]
実験例 1と同様の装置及び PETボトルを使用し、 原料ガスとして HMD SO を 2· 7 s c cm導入し、 マイクロ波強度 35Wで 0. 5秒間プラズマ処理し、 PETボトル基板の上に密着膜 (有機性領域) を形成した。 その後、 酸素を 27 s c cm導入しマイクロ波強度 600Wで 7. 5秒間プラズマ処理して、 上記密 着膜の上にガスバリァ膜を含む無機性領域8を形成した。
組成分析の結果、 炭素とゲイ素の元素比 (C/S i ) が 1. 0〜1. 8の範囲 にある有機性無機性領域 0;での酸素とゲイ素の元素比(OZS i )、即ち酸化度は 1. 9〜2. 2の範囲であった。 また、 無機性領域) 8における炭素とゲイ素の元 素比 (CZS i ) は 0. 2以下であった。
有機無機複合領域 におけるゲイ素 (S i ) についてのガスバリア膜との結合 エネルギー差 CdM) を図 9に示した。
上記の蒸着膜について、 耐熱性を評価し、 上記の結合エネルギー差 の 範囲とともに表 2に示した。
[比較実験例 2]
マイクロ波強度を 600 Wとして有機性領域と無機性領域とを合わせて 8秒間 形成した以外は、実験例 1と全く同様にして蒸着膜を作製した。組成分析の結果、 炭素とゲイ素の元素比 (C S ί ) が 1. 0〜1. 8の範囲にある有機無機複合 領域 における酸素とゲイ素の元素比(OZS i )、即ち酸化度は 2. 2〜2. 5 の範囲であった。また、無機性領域) 8における炭素とゲイ素の元素比(C/S i ) は 0. 2以下であった。
さらに、 有機無機複合領域 におけるゲイ素 (S i ) についてのガスバリア膜 との結合エネルギー差 ( lM) を図 9に示した。
上記の蒸着膜について、 密着性を評価し、 上記結合エネルギー差 CdM) の範 囲とともに表 3に示した。 一表 2—
Figure imgf000031_0001
実験例 3では、 有機無機複合領域ひにおける元素比 (CZS i ) が 0. 2〜 1 . 8の範囲となっている。 表 2の結果から、 有機無機複合領域 における S i結合エネルギーが、 ガスパ リア膜 (C濃度が 5 %未満の領域) での結合エネルギーよりも 0. 1〜0. 7 e V低い範囲にあるとき (即ち、 結合エネルギー差が 0. 1〜0. 7 e Vの範囲 内であるとき)、 基板との密着膜は無機性と有機性の成分がバランス良く存在し、 良好な耐熱性を示すことがわかる。 しかし、 ガスバリア膜との結合エネルギー差 ( lM) の範囲が 0. 1〜0. 7 e Vの範囲より大きい場合は、 基板との密着膜 は有機性の成分が中心となリ、 耐熱性が劣ることがわかる。
一表 3—
Figure imgf000032_0001
実験例 3では、 有機無機複合領域 Ofにおける元素比 (CZS ί ) が 0. 2〜 1 . 8の範囲となっている。 表 3の結果から、 ガスバリア膜との結合エネルギー差 ( lM) の範囲が 0. 1 〜0. 7 e Vの範囲にあるとき、 基板との密着膜は無機性と有機性の成分がバラ ンス良く存在し、 良好な密着性を示すことがわかる。 し力、し、 ガスバリア膜との 結合エネルギー差( lM)の範囲が 0. 1〜0. 7 e Vの範囲より小さい場合は、 基板との密着膜は無機性の成分が中心となり、 密着性が劣ることがわかる。

Claims

請求の範囲
1 . 有機金属化合物と酸化性ガスとを反応ガスとして用いたプラズマ C V D 法によリ基体表面に形成した蒸着膜において、
前記有機金属化合物に由来する金属元素(M)、酸素(O)及び炭素(C) の 3元素基準で、前記蒸着膜は、 炭素濃度が 5元素%以上の基体側接着層と、 炭 素濃度が 5元素%未満のバリァー性中間層と、 炭素濃度が 5元素%以上の表面保 護層とに区画され、
前記表面保護層は、炭素(C) 濃度が酸素 (O) 濃度及び金属元素 (M) 濃度よりも高く、 且つ該表面保護層の表面において、 金属元素 (M) の酸化度を 示す元素比 (OZM) が 1 . 3以下であり且つ金属元素 (M) の結合エネルギー が、 前記バリアー性中間層での金属元素結合エネルギーの平均値よリも 1 . 0 e V以上小さく、
前記バリアー性中間層では、 金属元素 (M) の酸化度を示す元素比 (O M)が平均して 1 . 8より高く且つ 2. 4以下であることを特徴とする蒸着膜。
2. 前記基体側接着層には、 元素比 (C M) 及び元素比 (OZM) が下記 式:
0. 2く CZMく 1 . 8
1 . 5≤OZM
を満足し、 且つ該金属元素 (M) の結合エネルギーが前記バリア一性中間層での 金属元素 (M) の平均値よりも 0. 1 e V〜0. 7 e V低い範囲にある有機無機 複合領域が存在している請求の範囲 1に記載の蒸着膜。
3. 前記表面保護層を除き、 前記有機無機複合領域の上に存在する領域は、 元素比 (CZM) が下記条件:
C/M≤0. 2
を満足している請求の範囲 2に記載の蒸着膜。
4. 前記基体側接着層には、 元素比 (CZM) 及び元素比 (O M) が下記 式:
1 . 0 < C/M< 1 . 8
2. 0≤O/M
を満足し、 且つ該金属元素 (M) の結合エネルギーが前記バリアー性中間層での 金属元素 (M) の平均値よりも 0. 1 e V〜0. 7 e V低い範囲にある有機無機 複合領域が存在している請求の範囲 1に記載の蒸着膜。
5. 前記表面保護層を除き、 前記有機無機複合領域の上に存在する領域は、 元素比 (CZM) が下記条件:
C/M≤0. 2
を満足している請求の範囲 4に記載の蒸着膜。
6. 前記有機無機複合領域は、 金属元素 (M) の結合エネルギーが基体側か ら前記無機性領域に向かって漸次増大しており、 且つ金属元素 (M) の結合エネ ルギ一の最大値と最小値との差が 0. 1 e V以上である請求の範囲 2に記載の蒸 着膜。
7 . 前記有機金属化合物が有機ケィ素化合物であり、 金属 (M) がゲイ素 ( S i ) である請求の範囲 1に記載の蒸着膜。
8. 前記基体がプラスチックである請求の範囲 1に記載の蒸着膜。
9 . 請求の範囲 1に記載の蒸着膜が内面に形成されているプラスチックボト ル。
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