WO2004045794A1 - 電解コンデンサ用Nb−Al合金粉末及びその製造方法、並びに電解コンデンサ - Google Patents

電解コンデンサ用Nb−Al合金粉末及びその製造方法、並びに電解コンデンサ Download PDF

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    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
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Definitions

  • the present invention relates to an Nb-A1 alloy powder for electrolytic capacitors and an electrolytic capacitor using the same.
  • the dielectric constant of the oxide is desirably larger than tantalum, the price is lower, and there is no concern about supply stability.
  • an anode body having the configuration described in the above document is used.
  • the dielectric layer composed of niobium oxide is thermally unstable, and the leakage current characteristics after solder reflow treatment are more likely to deteriorate compared to tantalum capacitors.
  • the thermal stability of the alloy oxide film is high in niobium and aluminum alloys by the method shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-66806, the concentration of niobium is not sufficiently high.
  • the dielectric constant of the oxide film is not sufficiently high, and the ribbon used by the quenching method is used as it is, it is not possible to secure a sufficient specific surface area compared to tantalum powder or niobium powder. Was not suitable, which was an obstacle to its practical use.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has a stable dielectric layer, a large capacitance, and a high withstand voltage electrolytic capacitor.
  • b Aims to provide A1 alloy powder.
  • the present invention provides a method of increasing the concentration of Nb in order to increase the dielectric constant of the dielectric layer to an oxide, and adding one or more third elements containing Nb-A1 as a basic component.
  • An object of the present invention is to provide an Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor capable of forming an electrolytic capacitor having a large capacitor capacity and a high withstand voltage.
  • Another object of the present invention is to provide an electrolytic capacitor using the Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor. Disclosure of the invention
  • the present invention has adopted the following configurations.
  • Electrolytic N b-A 1 alloy powder capacitor of the present invention is a N b-A 1 alloy powder used as an anode of an electrolytic capacitor by forming a dielectric layer on the surface, N b A l 3, Nb 2 Al, Nb 3 Al, or Nb And Doraito tissue surrounding the dendrite structure, N b A l 3, N b 2 A l, N b 3 A 1, or consists of 2 species selected from N b eutectic-like tissue, or A 1 Ru Tona matrix And characterized in that:
  • the Nb-A1 alloy powder of the present invention can be used as a material for producing a metal sintered body used as an anode body of an electrolytic capacitor, such as tantalum. It is possible to use a capacitor material with higher pressure resistance and higher capacity than the primary powder.
  • the dielectric layer formed on the surface contains niobium oxide and aluminum oxide, has a high dielectric constant, It is more stable than the dielectric layer of niobium oxide alone, and can reduce the leakage current.
  • the Nb—A1 alloy powder of the present invention can easily produce a porous powder having a fine dendrite structure as a main part by removing only the above-mentioned matrix part partially or entirely.
  • the aluminum content of the N b-A 1 alloy is 4 6% by weight or more 9 0 wt% or less
  • the N b A 1 3 and the main body A configuration having the dendrite structure and an A1 matrix surrounding the periphery of the dendrite structure can be provided.
  • the A1 matrix can be easily removed by etching. Therefore, when a porous powder is produced, an alloy powder for a capacitor having a larger surface area can be obtained.
  • Electrolytic N b-A 1 alloy powder capacitor of the present invention the aluminum content of the N b-A 1 alloy is less than 2 7 mass% or more 4 6 wt%, the N b A 1 3 and the main body
  • the dendrite structure, and N surrounding the dendrite structure b A 1 3 and Nb 2 A 1 Ru can be configured to have a eutectic matrix and.
  • Electrolytic Nb- A 1 alloy powder capacitor of the present invention the Nb- aluminum content of A 1 alloy is less than 14 mass% or more 27 wt%, and the dendrite structure that the Nb 2 A 1 as the main body, Ru can be configured to have a eutectic matrix of N b a 1 3 and Nb 2 a 1 surrounding the periphery of the dendrite structure.
  • Electrolytic Nb- A 1 alloy powder capacitor of the present invention the Nb- aluminum content of A 1 alloy is less than 1 0% by weight to 14% by weight, and the dendrite structure that the Nb 3 A 1 and the main body Further, a configuration having a matrix composed of a eutectic structure of Nb 3 A 1 and Nb 2 A 1 surrounding the dendrite structure can be adopted.
  • Electrolytic Nb_A 1 alloy powder capacitor of the present invention the Nb- A 1 is less than 10% by weight of aluminum content of the alloy, and the-tend light structure mainly of Nb, Nb 3 surrounding the periphery of the dendrite structure It can be configured to have a eutectic matrix of A1 and Nb.
  • Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention one or more elements selected from tantalum, titanium, hafnium, zirconium, molybdenum, barium, strontium, and boron are added to the Nb-A1 alloy. It is also possible to adopt a configuration that has been implemented. The addition of these elements to the Nb-A1 alloy has the effect of significantly improving the non-dielectric constant of the dielectric layer formed on the surface when an electrolytic capacitor is constructed.
  • the Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention preferably has a content of the above-mentioned additional element of 3% by mass or less. If the addition amount exceeds 3% by mass, the dielectric properties of the anodic oxide coating become unstable, and the leakage current increases under high withstand voltage conditions, so that the above effects cannot be obtained.
  • the Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention preferably has a configuration in which the content of iron contained as an impurity in the Nb-A1 alloy is 100 ppm or less. If the content of iron contained as an impurity exceeds 100 ppm, it is not preferable because the withstand pressure of a dielectric layer formed on the surface of the anode body of the electrolytic capacitor is reduced.
  • the Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention has a configuration in which the dendritic interval (thickness) of the fine dendrite structure is 3 m or less.
  • the surface area of the powder can be increased, and a large-capacity electrolytic capacitor can be manufactured.
  • the matrix is removed by etching to produce a porous powder, the surface area of the powder can be further increased.
  • the Nb-A1 alloy powder for electrolytic capacitors of the present invention has a bulk density of 2.
  • the specific surface area is preferably set to 1 to 10 m 2 Zg.
  • An electrolytic capacitor according to the present invention includes an anode body obtained by sintering the above-described Nb_A1 alloy powder for an electrolytic capacitor according to the present invention. With such a configuration, a small and large-capacity electrolytic capacitor can be provided.
  • a method for producing an Nb_A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention is a method for producing an Nb-A1 alloy powder used as an anode body of an electrolytic capacitor by forming a dielectric layer on a surface, Content is 27% by mass or more
  • Nb-A1 molten metal of 90 mass% or less is quenched to produce Nb-A1 alloy powder or ribbon having a fine dendrite structure with a tree spacing of 3 zm or less.
  • the surface area can be easily increased by performing etching, the matrix or the dendrite phase portion is preferentially etched, and the porous portion in which the dendrite structure remains is formed.
  • This The Nb—A1 alloy powder produced in this manner has fine particles and a large surface area, and a high dielectric constant can be obtained when an oxide dielectric layer is formed on the surface. Capacity can be realized.
  • the cooling rate in the step of producing the Nb-A1 alloy powder or ribbon by quenching the molten metal is as follows: It is preferable that the temperature be 1 o 3 ° cz seconds or more. By setting the cooling rate within the above range, a fine dendrite structure can be efficiently formed in the powder or the ribbon, and the surface area of the produced Nb-A1 alloy powder can be increased. it can. Moreover, the cooling rate is more preferably the 1 0 4 ° C Bruno seconds or.
  • the method for producing an Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention includes the step of pulverizing the powder or the ribbon by pulverizing the Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor. You can also. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor according to the present invention is mainly composed of Nb or Nb-A1 intermetallic compound, and has a fine dendrite structure extending in a dendritic shape, and surrounds the periphery of the dendrite structure. It is characterized by having a matrix composed of Nb—A1 intermetallic compound.
  • the Nb-A1 alloy powder according to the present invention is applied to an electrolytic capacitor, it is possible to form an oxide having a large surface area and a high dielectric constant when a dielectric layer is formed on the surface. Therefore, a small and large-capacity electrolytic capacitor can be realized. Further, a fine dendrite structure mainly comprising NbA 1 3, the onset NbA 1 alloy powder Ming electrolytic capacitor having a matrix consisting of Nb 2 A 1 or A 1 surround the fine Dendora I DOO tissue, When used as the anode body of an electrolytic capacitor, the oxide constituting the dielectric layer formed on the particle surface contains niobium oxide and aluminum oxide, and has a higher dielectric constant than aluminum capacitors.
  • Nb—A1 alloy powder of the present invention is applied to an electrolytic capacitor, a small-sized and large-capacity electrolytic capacitor can be realized.
  • Nb is cheaper than Ta, which is generally used as an electrolytic capacitor at present, and has the advantage that an electrolytic capacitor with the same performance as a Ta capacitor can be manufactured at low cost.
  • Nb_A1 alloy powder first, a molten metal of Nb—A1 having a predetermined composition is prepared. In the present production method, any composition can be selected.
  • the molten metal is quenched and solidified by an R method (rotating electrode method) or the like to obtain a powder, or a ribbon is formed by a so-called melt spin method. Then, the powder or the ribbon is pulverized using, for example, a ball mill / jet mill to obtain an Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor according to the present invention. Further, if the powder or thin strip obtained in the quenching step is subjected to a hydrogenation step to hydrogenate and then subjected to a pulverization step, a finer alloy powder can be obtained.
  • the production is performed so that the cooling rate is at least 10 3 ° C / sec (more preferably, at least 1 o 4 ° cz). It is preferable to set conditions. By setting the cooling rate in the above range, a fine dendrite structure can be efficiently formed in the powder or ribbon, and the surface area of the Nb-A1 alloy powder to be produced can be increased. .
  • the Nb-A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention having a fine dendrite structure mainly composed of an intermetallic compound and a matrix of an intermetallic compound surrounding the dendrite structure can be produced.
  • the Nb—A1 alloy powder for electrolytic capacitors according to the present invention having an aluminum content of 27% by mass or more can increase the surface area of the powder by performing etching and increase the capacity of the capacitor.
  • partial matrix surrounding the fine dendrite structure mainly composed of N b A 1 3 by Etsuchin grayed, or by wholly eliminating, powder porous that the dendrite structure and skeletal obtain .
  • the matrix of the alloy powder is A1
  • the etching is extremely easy, and the A1 matrix is selectively removed by a commonly used etching solution containing hydrochloric acid, nitric acid, etc.
  • a porous powder having a dendrite structure as a skeleton can be formed.
  • N b A 1 3 fine-tend light structure and N b A 1 3 mainly the N b 2 co Akirajo portion of A 1 coexist a N b A 1 3 parts by hydrofluoric nitric acid By etching, the surface area of the powder can be increased, and an alloy powder capable of forming a large-capacity electrolytic capacitor can be obtained.
  • Example 1 shown in Table 1 is an example in which the A1 concentration is 20% or more and 75% by mass%. Among them, the composition in which the A1 concentration is 46% or more and 90% or less by mass%.
  • the Nb-A1 alloy powder is the primary crystal NbA It is a mixed structure consisting of the dendrite phase and the A1 matrix structure. Etching with an etchant such as hydrochloric acid or nitric acid etches the A1 matrix phase, resulting in a marked increase in surface area. When applied, the element has a higher CV value than tantalum powder and a higher breakdown voltage than tantalum powder.
  • Example 2 Shown in Table 2 [Example 2] is an example of less than 27% or more 46% A 1 concentration of by mass%.
  • Quench Atomaizu powder composition of this range with-tend light phase of Nb A 1 3 is a primary crystal a nb a 1 3 and mixed structure consisting of eutectic tissue and Nb 2 a 1, Nb a 1 3 -phase is etched by mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid results in significant expansion of Etsuchin grayed by surface area
  • this powder is sintered and subjected to chemical treatment, it becomes a device with a larger CV value than tantalum powder and a higher breakdown voltage than tantalum powder.
  • Example 3 shown in Table 3 is an example in which the A1 concentration is 14% or more and less than 27% by mass%.
  • the quenched atomized powder having a composition in this range has a dendritic phase of Nb 2 A1, which is the primary crystal.
  • NbA is 1 3 and Nb 2 a 1 with tissue mixed structure consisting of eutectic of, Nb 2 a 1-phase is etched by mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid results in significant expansion of Etsuchin grayed by surface area.
  • this powder is sintered and subjected to chemical treatment, it becomes a device with a larger CV value than tantalum powder and a higher breakdown voltage than tantalum powder.
  • Example 4 shown in Table 4 is an example in which the A1 concentration is 10% or more and less than 14% by mass%.
  • the quenched atomized powder having a composition in this range is a dendrite phase of Nb 3 A1, which is the primary crystal.
  • Nb 3 A1 which is the primary crystal.
  • obtaining a an Nb 3 a l and Nb 2 mixed structure consisting of eutectic tissue with a l a significantly larger sintered element surface area can be followed by trituration with a hydrogen storage processing into fine powder
  • this sintered element has a higher CV value than tantalum powder and a higher breakdown voltage than tantalum powder.
  • Example 5 shown in Table 5 is an example in which the A1 concentration is less than 10% by mass%.
  • the quenched atomized powder having the composition in this range is composed of the primary crystal Nb dendrite phase, Nb3A1 and Nb. It is a mixed structure consisting of the eutectic structure of, and can be made into fine powder by pulverizing by hydrogen occlusion treatment to obtain a sintered element with a remarkably large surface area.
  • the device has a larger CV value than tantalum powder and a higher breakdown voltage than tantalum powder.
  • the Nb—A1 alloy powder for an electrolytic capacitor of the present invention is an Nb_A1 alloy powder used as an anode body of an electrolytic capacitor by forming a dielectric layer on the surface.
  • selected NbA l 3 Nb 2 a l Nb 3 a l, or a fine dendrite structure mainly composed of Nb enclose take the dendrite structure, NbA l 3 Nb 2 a l Nb 3 a l, or from N b Consists of two types With a structure having a eutectic structure or a matrix composed of A1, extremely fine powder can be obtained.
  • the dielectric layer formed on the surface contains niobium oxide and aluminum oxide, has a high dielectric constant, is more stable than the dielectric layer of niobium oxide alone, and has a leakage current. Can also be reduced. Therefore, according to the powder, it is possible to extremely easily produce a sintered body having a higher withstand voltage than a conventional tantalum sintered body and capable of forming a large-capacity electrolytic capacitor.
  • a porous powder having a very fine dendrite structure as a skeleton can be produced. Can be greatly expanded, and the capacitance of the capacitor can be improved.

Abstract

 本発明は、誘電体層が安定であり、コンデンサ容量が大きく、耐圧の高い電解コンデンサを構成することができる電解コンデンサ用Nb−Al合金粉末を提供することを目的としている。 本発明の電解コンデンサ用Nb−Al合金粉末は、表面に誘電体層を形成することで電解コンデンサの陽極体として用いられるNb−Al合金粉末であって、NbAl3、Nb2Al、Nb3Al、又はNbを主体とする微細デンドライト組織と、該デンドライト組織を取り囲む、NbAl3、Nb2Al、Nb3Al、又はNbから選ばれる2種よりなる共晶状組織、又はAlからなるマトリクスとを有することを特徴とする。

Description

明細書 電解コンデンサ用 N b _ A 1合金粉末及びその製造方法、 並びに電解コン デンサ 技術分野
本発明は、 電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末及びこれを用いた電解コ ンデンサに関するものである。 背景技術
近年、電子機器等に搭載されるコンデンサにおいては、小型で大容量かつ、 適正な価格と安定した供給が確保されるものが求められている。 この用途の 電解コンデンサとしては、 その陽極体にタンタル粉末の焼結体を用いたもの が比較的小型で容量が大きく、 コンデンサ性能にも優れるため好んで使用さ れている。 しかし、 上記タンタルコンデンサは極めて高価でしかも市場では 安定した供給に対する不信感が強く、 とくに、 コンデンサ容量の大きな製品 では必然的にタンタルの使用量が大きくなるのでタンタルを使わない新しい コンデンサ電極材料を求める動向が近年とみに高まって来ている。
そこで、 タンタル以外の金属材料を使って電解コンデンサの小型大容量化 を実現するために、 酸化物の誘電率が望ましくはタンタルより大きくて価格 が安く、 しかも供給の安定性に不安のないものとしてニオブを電解コンデン サの陽極体に適用する試みが盛んに行われている (特開昭 5 5 - 1 5 7 2 2 6号公報等) 。 さらに、 ニオブとアルミニウムからなる合金粉末あるいは該 合金箔を陽極体の構成材料として用いることが、 特開昭 6 0— 6 6 8 0 6、 特開昭 6 0— 2 1 6 5 3 0、 あるいは、 特開平 1— 1 2 4 2 1 2号公報に提 案されている。 しかしながら、 上記の文献に記載の構成を備えた陽極体を用 いた電解コンデンサでは、 ニオブ単体からなる粉末の場合、 ニオブ酸化物か らなる誘電体層が熱的に不安定であり、 ハンダリフロー処理後の漏れ電流特 性がタンタルコンデンサに比して悪化し易いという問題点がある。 また、 特 開昭 6 0— 6 6 8 0 6等に示されている方法によるニオブとアルミニウム合 金では合金酸化皮膜の熱的安定性は高いものの、 ニオブの濃度が十分に高く ないためにその酸化皮膜の誘電率が十分には高くはなく、 急冷法による薄帯 を素材をそのまま使用するために、 タンタル粉やニオブ粉末に比べて十分な 比表面積の確保ができないために高い容量のコンデンサには適していないと いう問題点があり、 実用化する上での障害となっていた。
本発明は、 上記従来技術の問題点に鑑みて成されたものであって、 誘電体 層が安定であり、 コンデンサ容量が大きく、 耐圧の高い電解コンデンサを構 成することができる電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末を提供することを 目的としている。
また本発明は、 誘電体層の誘電率を高い酸化物とするために N bの濃度を 高め、 加えて、 N b— A 1を基本成分とし第三の元素を単独または複数添加 することによってコンデンサ容量が大きく、 耐圧の高い電解コンデンサを構 成することができる電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末を提供することを 目的としている。
また本発明は、 上記電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末を用いた電解コ ンデンサを提供することを目的としている。 発明の開示
上記課題を解決するために、 本発明は以下の構成を採用した。
本発明の電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末は、 表面に誘電体層を形成 することで電解コンデンサの陽極体として用いられる N b— A 1合金粉末で あって、 N b A l 3、 N b 2A l、 N b 3A l、 又は N bを主体とする微細デン ドライト組織と、 該デンドライト組織を取り囲む、 N b A l 3、 N b 2A l、 N b 3A 1、 又は N bから選ばれる 2種よりなる共晶状組織、 又は A 1からな るマトリクスとを有することを特徴とする。
このような構成とすることに加えて微細な粉末とすることで、 本発明の N b— A 1合金粉末は、 電解コンデンサの陽極体として用いる金属焼結体を作 製するためのタンタル等の 1次粉よりもより高い耐圧と高い容量のコンデン サ材料とすることが可能である。 '
また上記構成を備えた本発明の N b— A 1合金粉末によれば、 表面に形成 される誘電体層が、ニオブ酸化物とアルミニウム酸化物とを含むものとなり、 高い誘電率を有すると共に、ニオブ酸化物単体の誘電体層よりも安定であり、 漏れ電流も小さくすることができる。
さらに、 本発明の N b— A 1合金粉末は、 上記のマトリクス部分のみを部 分的又は全体的に除去することで、 微細デンドライト組織を主要部とする多 孔質粉末を容易に作製可能であるという利点を有しており、 このような多孔 質粉末を電解コンデンサの陽極体に適用することで、 表面積が広く、 かつ誘 電体層の耐圧が高い、 高性能の電解コンデンサを構成することができる。 本発明の電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末は、 前記 N b— A 1合金の アルミニウム含有量が 4 6質量%以上 9 0質量%以下であり、 N b A 1 3を主 体とする前記デンドライト組織と、 該デンドライト組織の周囲を取り囲む A 1のマトリクスとを有する構成とすることができる。 かかる合金粉末によれ ば、 A 1マトリックスをエッチングにより容易に除去することができるため、 多孔質粉末を作製した際に、 さらに表面積の大きいコンデンサ用合金粉末が 得られる。
本発明の電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末は、 前記 N b— A 1合金の アルミニウム含有量が 2 7質量%以上 4 6質量%未満であり、 N b A 1 3を主 体とする前記デンドライト組織と、 該デンドライト組織の周囲を取り囲む N b A 13と Nb2A 1 との共晶状マトリクスとを有する構成とすることができ る。
本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末は、 前記 Nb— A 1合金の アルミニウム含有量が 14質量%以上 27質量%未満であり、 Nb2A 1を主 体とする前記デンドライト組織と、 該デンドライト組織の周囲を取り囲む N b A 13と Nb2A 1 との共晶状マトリクスとを有する構成とすることができ る。
本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末は、 前記 Nb— A 1合金の アルミニウム含有量が 1 0質量%以上 14質量%未満であり、 Nb3A 1を主 体とする前記デンドライト組織と、 該デンドライト組織の周囲を取り囲む N b3A 1と Nb2A 1の共晶状組織からなるマトリクスとを有する構成とする ことができる。
本発明の電解コンデンサ用 Nb_A 1合金粉末は、 前記 Nb— A 1合金の アルミニウム含有量が 10質量%未満であり、 Nbを主体とする前記デンド ライト組織と、該デンドライト組織の周囲を取り囲む Nb3A 1と Nbとの共 晶状マトリクスとを有する構成とすることができる。
次に、 本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末は、 前記 Nb— A 1 合金にタンタル、 チタン、 ハフニウム、 ジルコニウム、 モリブデン、 バリウ ム、 ストロンチウム、 ボロンから選ばれる 1種以上の元素が添加された構成 とすることもできる。 これら元素を Nb— A 1合金に添加することで、 電解 コンデンサを構成した際に表面に形成される誘電体層の非誘電率を著しく向 上させる効果が得られる。
ここにおいて、 本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末は、 上記添 加元素の含有量が、 3質量%以下であることが好ましい。 3質量%を越える 添加量とするとその陽極酸化物被膜の誘電体特性が不安定となり、 また耐圧 の高い条件下で漏れ電流が増大を招き、 上記効果を得られない。 次に、 本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末は、 Nb— A 1合金 に不純物として含まれる鉄の含有量が、 1 00 p pm以下である構成とする ことが好ましい。 不純物として含まれる鉄の含有量が 100 p pmを越える と、 電解コンデンサの陽極体を構成した際に表面に形成される誘電体層の耐 圧が低下するため好ましくない。
次に、 本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末は、 前記微細デンド ライト組織の樹枝間隔 (太さ) が 3 m以下である構成とすることが好まし レ^ このような構成とすることで、 粉末の表面積を拡大し、 大容量の電解コ ンデンサを作製することができる。 特にエッチングによりマトリクスを除去 して多孔質粉末を作製した場合に粉末の表面積をより拡大することができる。 本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末においては、 嵩密度が 2.
8 gZcm3以上 5. 0 gZ cm3以下とすることが好ましい。
本発明の電解コンデンサ用 Nb_A 1合金粉末においては、 比表面積を 1 〜 10m2Zgとすることが好ましい。
本発明の電解コンデンサは、 先に記載の本発明の電解コンデンサ用 Nb_ A 1合金粉末を焼結した陽極体を備えたことを特徴としている。 このような 構成とすることで、 小型大容量の電解コンデンサを提供することができる。 次に、 本発明の電解コンデンサ用 Nb_A 1合金粉末の製造方法は、 表面 に誘電体層を形成することで電解コンデンサの陽極体として用いられる Nb 一 A 1合金粉末の製造方法であって、 アルミニウム含有量が 27質量%以上
90質量%以下の Nb— A 1溶融金属を急冷して、 内部に樹枝間隔が 3 zm 以下の微細デンドライト組織を有する Nb— A 1合金の粉体又は薄帯を作製 することを特徴とする。
上記製造方法によれば、 エッチングを施すことにより容易に表面積を拡大 することができ、 前記マトリクス又はデンドライト相の部分が優先的にエツ チングされ、 前記デンドライト組織が残った多孔質部が形成される。 このよ うにして作製した N b— A 1合金粉末は、微細な粒子で表面積が広く、 また、 表面に酸化物の誘電体層を形成した場合に高い誘電率が得られるので、 電解 コンデンザの小型大容量化を実現することができる。
次に、 本発明の電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末の製造方法において は、 前記溶融金属の急冷により N b— A 1合金の粉体又は薄帯を作製するェ 程における冷却速度を、 1 o 3°cz秒以上とすることが好ましい。 冷却速度を 上記範囲とすることで、 上記粉体又は薄帯中に微細なデンドライト組織を効 率よく形成することができ、 製造される N b— A 1合金粉末の表面積を大き くすることができる。 また、 前記冷却速度は、 より好ましくは 1 0 4°Cノ秒以 上である。
次に、 本発明の電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末の製造方法において は、 電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末は、 前記粉体又は薄帯を粉砕して 粉末化する工程を具備することもできる。 発明を実施するための最良の形態
本発明に係る電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末は、 N b又はN b—A 1金属間化合物を主体とし、 樹枝状に延在する微細デンドライト組織と、 こ のデンドライト組織の周囲を取り囲む N b— A 1金属間化合物からなるマト リクスとを有する点に特徴を有している。 このような結晶組織を有する構成 とすることで、 極めて微細な粉末にまで容易に破砕することが可能であり、 従来の電解コンデンサ用に用いられてきたタンタルの 1次粉に比して大幅な 粒径の微細化を実現し、 これにより焼結体とした場合の表面積を向上させる ことができる。 従って、 本発明に係る N b— A 1合金粉末を電解コンデンサ に適用するならば、 表面積が大きく、 かつ表面に誘電体層を形成した際に高 い誘電率を有する酸化物を形成することができるため、 小型で大容量の電解 コンデンサを実現することができる。 また、 NbA 13を主体とする微細デンドライト組織と、 この微細デンドラ ィト組織を取り囲む Nb2A 1又は A 1からなるマトリクスとを有する本発 明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末は、 電解コンデンサの陽極体とし て用いた際に、 粒子表面に形成される誘電体層を構成する酸化物が、 ニオブ 酸化物とアルミニウム酸化物とを含むものとなり、 アルミニウムコンデンサ に比して高い誘電率を有すると共に、 ニオブ酸化物単体の誘電体層よりも格 段に安定性に優れるものとなる。 従って、 上記本発明の Nb— A 1合金粉末 を電解コンデンザに適用するならば、 小型で大容量の電解コンデンサを実現 することができる。
また、 現在電解コンデンサとして一般に用いられている T aに比して Nb は安価であるため、 T aコンデンサと同等の性能を有する電解コンデンサを 安価に製造できるという利点もある。
次に、 本発明に係る電解コンデンサ用 Nb_ A 1合金粉末の製造方法の一 例について以下に説明する。
(1) 本発明に係る Nb_A 1合金粉末を作製するには、 まず、 所定の組 成を有する Nb— A 1の溶融金属を用意する。 本製造方法において前記組成 は、 任意の組成を選択することができる。
(2) 次に、 上記溶融金属が用意できたならば、 ガスアトマイズ法や RS
R法 (回転電極法) 等により前記溶融金属を急冷凝固して粉体とするか又は いわゆるメルトスピン法によって薄帯とする。そして、前記粉体又は薄帯を、 例えばボ一ルミルゃジエツトミルを用いて粉碎し、 本発明に係る電解コンデ ンサ用 Nb—A 1合金粉末を得る。 さらに、 前記急冷工程において得られた 粉体や薄帯を水素化工程に供して水素化し、 しかる後に粉碎工程に供するな らば、 さらに微細な合金粉末が得られる。
本発明に係る製造方法では、 上記いずれの方法を用いる場合にも、 冷却速 度が 103°C/秒以上 (より好ましくは 1 o4°cz秒以上) となるように製造 条件を設定することが好ましい。 冷却速度を上記範囲とすることで、 上記粉 体又は薄帯中に微細なデンドライト組織を効率よく形成することができ、 製 造される N b— A 1合金粉末の表面積を大きくすることができる。
以上の工程により、 金属間化合物を主体とした微細デンドライト組織と、 このデンドライト組織を取り囲む金属間化合物のマトリクスを有する本発明 の電解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末を製造することができる。
さらに、 アルミニウム含有量が 2 7質量%以上の本発明に係る電解コンデ ンサ用 N b— A 1合金粉末は、 エッチングを施すことによって粉末の表面積 を拡大し、 コンデンサの容量を増大させることができる。 具体的には、 N b A 1 3を主体とする微細デンドライト組織を取り囲むマトリクスをエツチン グにより部分的、 又は全体的に取り除くことで、 上記デンドライト組織を骨 格とする多孔質の粉末が得られる。
例えば、 合金粉末のマトリクスが A 1である場合には、 エッチングは極め て容易であり、 塩酸や硝酸等を含む一般に用いられているエッチング液によ り選択的に A 1マトリクスを除去し、 微細デンドライト組織を骨格とする多 孔質粉末を形成することができる。 また、 N b A 1 3を主体とする微細デンド ライト組織と N b A 1 3と N b 2A 1の共晶状部分が共存する場合には、 フッ 硝酸等により N b A 1 3部分をエッチングすることで粉末の表面積を拡大す ることができ、 大容量の電解コンデンサを構成し得る合金粉末とすることが できる。
(実施例)
以下に本発明の実施例を説明する。
表 1に示す [実施例 1 ] は A 1濃度が質量%で 2 0 %以上 7 5 %の例であ る. このうち、 A 1濃度が質量%で4 6 %以上 9 0 %以下の組成範囲にある 試料番号 3、 6の例については、 N b— A 1合金粉末は初晶である N b Aし のデンドライト相と A 1マトリクスの組織からなる混合組織であり, 塩酸や 硝酸等のエッチング液によってエッチングすると A 1マトリクス相がエッチ ングされ表面積の著しい拡大がもたらされる. この粉末を焼結し化成処理を 施すとタンタル粉末を凌ぐ大きな C V値とタンタル粉末よりも高い耐圧の素 子となる.
【表 1】
Figure imgf000010_0001
表 2に示す [実施例 2] は A 1濃度が質量%で 27 %以上 46 %未満の例 である. この範囲の組成の急冷ァトマイズ粉は初晶である Nb A 13のデンド ライト相と Nb A 13と Nb2A 1との共晶状の組織からなる混合組織であり, フッ酸と硝酸の混合酸液によってエッチングすると Nb A 13相がエツチン グされ表面積の著しい拡大がもたらされる. この粉末を焼結し化成処理を施 すとタンタル粉末を凌ぐ大きな CV値とタンタル粉末よりも高い耐圧の素子 となる.
【表 2】
Figure imgf000011_0001
表 3に示す [実施例 3] は A 1濃度が質量%で14%以上 27 %未満の例 である. この範囲の組成の急冷アトマイズ粉は初晶である Nb2A 1のデンド ライト相と NbA 13と Nb2A 1との共晶状の組織からなる混合組織であり, フッ酸と硝酸の混合酸液によってエッチングすると Nb2A 1相がエツチン グされ表面積の著しい拡大がもたらされる. この粉末を焼結し化成処理を施 すとタンタル粉末を凌ぐ大きな CV値とタンタル粉末よりも高い耐圧の素子 となる.
【表 3】
Figure imgf000012_0001
表 4に示す [実施例 4] は A 1濃度が質量%で1 0 %以上 14%未満の例 である. この範囲の組成の急冷ァトマイズ粉は初晶である Nb3A 1のデンド ライト相と Nb3A lと Nb2A lとの共晶状の組織からなる混合組織であり, 水素吸蔵処理をして粉砕すると微細な粉体とすることができ表面積の著しく 大きな焼結素子を得ることができる. この焼結素子は化成処理を施すとタン タル粉末を凌ぐ大きな CV値とタンタル粉末よりも高い耐圧の素子となる.
【表 4】
Figure imgf000013_0001
表 5に示す [実施例 5] は A 1濃度が質量%で10 %未満の例である. こ の範囲の組成の急冷ァトマイズ粉は初晶である Nbのデンドライト相と Nb 3A 1 と Nbとの共晶状の組織からなる混合組織であり,水素吸蔵処理をして 粉碎すると微細な粉体とすることができ表面積の著しく大きな焼結素子を得 ることができる. この焼結素子は化成処理を施すとタンタル粉末を凌ぐ大き な CV値とタンタル粉末よりも高い耐圧の素子となる.
【表 5】
Figure imgf000014_0001
産業上の利用可能性
以上詳細に説明したように、 本発明の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉 末は、 表面に誘電体層を形成することで電解コンデンサの陽極体として用い られる Nb _ A 1合金粉末であって、 NbA l3 Nb2A l Nb3A l、 又 は Nbを主体とする微細デンドライト組織と、 該デンドライト組織を取り囲 む、 NbA l3 Nb2A l Nb3A l、 又は N bから選ばれる 2種よりなる 共晶状組織、 又は A 1からなるマトリクスとを有する構成とされたことで、 極めて微細な粉末とすることができる。 また、表面に形成される誘電体層が、 ニオブ酸化物とアルミニウム酸化物とを含むものとなり、 高い誘電率を有す ると共に、 ニオブ酸化物単体の誘電体層よりも安定であり、 漏れ電流も小さ くすることができる。 従って、 係る粉末によれば、 従来のタンタル焼結体よ りも高い耐圧を有し、 大容量の電解コンデンサを構成し得る焼結体を極めて 容易に作成することが可能である。
また、 本発明に係る N b— A 1合金粉末をエッチングして上記マトリクス を部分的に除去するならば、 極めて微細なデンドライト組織を骨格とする多 孔質粉末を作製することができるため、 表面積を大幅に拡大し、 コンデンサ 容量を向上させることができる。

Claims

請求の範囲
1. 表面に誘電体層を形成することで電解コンデンサの陽極体として用い られる Nb— A 1合金粉末であって、
NbA l 3、 Nb2A l、 Nb3Aし 又は N bを主体とする微細デンドラ イト組織と、 該デンドライト組織を取り囲む、 NbA l 3、 Nb2A l、 N b3A l、 又は Nbから選ばれる 2種よりなる共晶状組織、 又は A 1からな るマトリクスとを有することを特徴とする電解コンデンサ用 Nb— A 1合 金粉末。
2. 前記 Nb— A 1合金のアルミニウム含有量が、 46質量%以上 90質 量%以下であり、
Nb A 13を主体とする前記デンドライト組織と、該デンドライト組織の 周囲を取り囲む A 1のマトリクスとを有することを特徴とする請求項 1に 記載の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末。
3. 前記 Nb— A 1合金のアルミニウム含有量が、 27質量%以上 46質 量%未満であり、
Nb A 13を主体とする前記デンドライト組織と、該デンドライト組織の 周囲を取り囲む Nb A 13と Nb2A 1との共晶状マトリクスとを有するこ とを特徴とする請求項 1に記載の電解コンデンサ用 Nb_A 1合金粉末。
4. 前記 Nb— A 1合金のアルミニウム含有量が、 14質量%以上 27質 量%未満であり、
Nb2A 1を主体とする前記デンドライト組織と、該デンドライト組織の 周囲を取り囲む Nb A 13と Nb2A 1との共晶状マトリクスとを有するこ とを特徴とする請求項 1に記載の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末。
5. 前記 N b— A 1合金のアルミニウム含有量が、 1 0質量%以上14質 量%未満であり、 Nb3A 1を主体とする前記デンドライト組織と、該デンドライト組織の 周囲を取り囲む Nb3A 1と Nb2A 1の共晶状組織からなるマトリクスと を有することを特徴とする請求項 1に記載の電解コンデンサ用 Nb— A 1 合金粉末。
6. 前記 Nb— A 1合金のアルミニウム含有量が、 10質量%以下であり、 Nbを主体とする前記デンドライト組織と、 該デンドライト組織の周囲 を取り囲む Nb3A l と Nbとの共晶状マトリクス、 あるいは Nb3A 1を 主体とするマトリックスとを有することを特徴とする請求項 1に記載の電 解コンデンサ用 N b— A 1合金粉末。
7. 前記 Nb— A 1合金にタンタル、 チタン、 ハフニウム、 ジルコニウム、 モリブデン、 バリウム、 ストロンチウム、 ボロンから選ばれる 1種以上の 元素が添加されたことを特徴とする請求項 1ないし 6のいずれか 1項に記 載の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末。
8. 前記添加元素の含有量が、 3質量%以下であることを特徴とする請求 項 7に記載の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末。
9. 前記 Nb— A 1合金に不純物として含まれる鉄の含有量が、 10 O p pm以下であることを特徴とする請求項 1ないし 6のいずれか 1項に記載 の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末。
1 0. 前記微細デンドライト組織の太さが、 3 m以下であることを特徴 とする請求項 1ないし 9のいずれか 1項に記載の電解コンデンサ用 N b—
A 1合金粉末。
1 1. 請求項 1ないし 10に記載の Nb— A 1合金粉末を焼結した陽極体 を備えたことを特徴とする電解コンデンサ。
1 2. 表面に誘電体層を形成することで電解コンデンサの陽極体として用い られる Nb— A 1合金粉末の製造方法であって、
アルミニウム含有量が 27質量%以上 90質量%以下の Nb— A 1溶融金 属を急冷して、 内部に樹枝間隔が 3 Aim以下の微細デンドライト組織を有す る Nb— A 1合金の粉体又は薄帯を作製することを特徴とする電解コンデン サ用 Nb— A 1合金粉末の製造方法。
1 3. 前記溶融金属の急冷により Nb— A 1合金の粉体又は薄帯を作製する 工程における冷却速度を、 103°CZ秒以上とすることを特徴とする請求項 1
2に記載の電解コンデンサ用 N b _ A 1合金粉末の製造方法。
14. 前記薄帯を粉砕して粉末化する工程を具備することを特徴とする請求 項 12又は 1 3に記載の電解コンデンサ用 Nb— A 1合金粉末の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103567407A (zh) * 2013-10-25 2014-02-12 西部超导材料科技股份有限公司 Nb3Al超导材料的制备方法
WO2014104178A1 (ja) 2012-12-27 2014-07-03 昭和電工株式会社 ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法
WO2020075733A1 (ja) * 2018-10-12 2020-04-16 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材の製造方法
WO2022196117A1 (ja) * 2021-03-17 2022-09-22 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法
TWI837192B (zh) 2018-10-12 2024-04-01 日商東洋鋁股份有限公司 鋁電解電容器用電極材料的製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060135831A (ko) * 2004-03-24 2006-12-29 쇼와 덴코 가부시키가이샤 콘덴서용 전극 시트, 그의 제조 방법 및 전해 콘덴서
CN113600812B (zh) * 2021-08-26 2022-08-19 上海交通大学 金属粉末及其制备方法、金属合金及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3564348A (en) * 1969-04-07 1971-02-16 Sprague Electric Co Titanium-antimony alloy electrode electrical capacitor
JPS6066806A (ja) * 1983-09-22 1985-04-17 ニチコン株式会社 電解コンデンサ用アルミニウム合金電極
JPH01124212A (ja) * 1987-11-09 1989-05-17 Nichicon Corp 電解コンデンサ用アルミニウム合金電極
JPH0653087A (ja) * 1992-07-27 1994-02-25 Nippon Steel Corp コンデンサ用電極材料の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3564348A (en) * 1969-04-07 1971-02-16 Sprague Electric Co Titanium-antimony alloy electrode electrical capacitor
JPS6066806A (ja) * 1983-09-22 1985-04-17 ニチコン株式会社 電解コンデンサ用アルミニウム合金電極
JPH01124212A (ja) * 1987-11-09 1989-05-17 Nichicon Corp 電解コンデンサ用アルミニウム合金電極
JPH0653087A (ja) * 1992-07-27 1994-02-25 Nippon Steel Corp コンデンサ用電極材料の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014104178A1 (ja) 2012-12-27 2014-07-03 昭和電工株式会社 ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法
JPWO2014104178A1 (ja) * 2012-12-27 2017-01-12 昭和電工株式会社 ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法
CN103567407A (zh) * 2013-10-25 2014-02-12 西部超导材料科技股份有限公司 Nb3Al超导材料的制备方法
WO2020075733A1 (ja) * 2018-10-12 2020-04-16 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材の製造方法
JP7317852B2 (ja) 2018-10-12 2023-07-31 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材の製造方法
TWI837192B (zh) 2018-10-12 2024-04-01 日商東洋鋁股份有限公司 鋁電解電容器用電極材料的製造方法
WO2022196117A1 (ja) * 2021-03-17 2022-09-22 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法

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