WO2004038433A1 - シート状コネクターおよびその製造方法並びにその応用 - Google Patents

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insulating sheet
connector
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Katsumi Sato
Kazuo Inoue
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Definitions

  • Sheet-like connector manufacturing method thereof and application thereof
  • the present invention relates to a sheet-like connector suitable as a probe device for making an electrical connection to a circuit, for example, in electrical inspection of a circuit such as an integrated circuit, and a method of manufacturing the same and its application.
  • the devices are arranged according to the pattern corresponding to the pattern of the test electrode of the test circuit device.
  • An inspection probe having an inspection electrode is used.
  • a test probe conventionally, a test in which pins or blades are arranged is used.
  • the inspection probe for inspecting the wafer should be arranged with a large number of inspection electrodes. Therefore, the inspection probe is extremely expensive, and it is difficult to find the inspection probe itself when the pitch of the test electrode is small ⁇ . Furthermore, since the wafer generally warps, and the state of the warp also differs depending on the product (wafer), each of the inspection electrodes of the inspection probe is used for the many inspection electrodes in the Ueno. It is practically difficult to make a stable, strong, steady turn.
  • FIG. 49 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of a conventional circuit inspection probe including an inspection circuit 3 ⁇ 4 and an anisotropic conductive sheet / sheet-like connector.
  • an inspection circuit 85 having an inspection electrode 86 formed on one surface according to a pattern corresponding to the pattern of the inspected electrode of the inspected circuit device is provided.
  • a sheet-like connector 90 is disposed on one surface of the circuit board 85 with an anisotropic conductive sheet 80 interposed therebetween.
  • the anisotropic conductive sheet 80 exhibits conductivity only in the thickness direction, or exhibits conductivity only in the thickness direction when pressurized in the thickness direction.
  • the anisotropic conductive sheet 80 has a conductive conductive portion.
  • anisotropically conductive sheets those of various structures are known.
  • anisotropically conductive sheets obtained by uniformly dispersing metal particles in an elastomer are preferable.
  • this is referred to as a “dispersion type anisotropically conductive sheet”.
  • the thickness of the conductive magnetic material particles is unevenly distributed in one elastomer.
  • an anisotropic conductive sheet (hereinafter referred to as a "distributed anisotropic conductive sheet") in which a large number of conductive parts extending in a direction and an insulating part insulating these from each other are formed.
  • a distributed anisotropic conductive sheet in which a large number of conductive parts extending in a direction and an insulating part insulating these from each other are formed.
  • Step uneven distribution type anisotropically conductive sheet formed is disclosed between the surface of the insulating portion.
  • the sheet-like connector 90 has, for example, a flexible fe bond sheet 91 made of resin, and the insulating sheet 91 has a plurality of electrode structures 95 extending in the thickness direction 95 force S test circuit It is arranged and configured according to the pattern corresponding to the pattern of the inspection electrode of the device.
  • Each of the electrode structures 95 has a projecting surface electrode portion 96 exposed on the surface of the insulating sheet 91, and a plate-like back surface electrode portion 97 exposed on the back surface of the insulating sheet 91.
  • the insulating sheet 91 is connected integrally via a short circuit portion 98 extending through the insulating sheet 91 in the thickness direction.
  • Such a sheet-like connector 90 is generally manufactured as follows.
  • a laminate 9 OA having a metal layer 92 formed on one side of a green sheet 91 is prepared, as shown in FIG. 50 (b).
  • a through hole 9 8 H is formed in the insulating sheet 91 in the thickness direction.
  • a resist film 93 is formed on the metal layer 92 of the insulating sheet 91, and then the metal layer 92 is subjected to plating treatment using the common electrode as a common electrode.
  • the inside of the through hole 9 8 H of the insulating sheet 9 1 is filled with a metal deposit, and is integrally connected to the metal layer 9 2.
  • a short circuit portion 98 is formed, and a projection-like surface electrode portion 96 is integrally formed on the surface of the permanent sheet 91 so as to be integrally connected to the surface 98.
  • the resist film 93 is removed from the metal layer 92, and as shown in FIG. 50 (d), a resist film 94A is formed on the surface of the insulating sheet 91 including the surface electrode portion 96. Then, a resist film 94 B is formed on the metal layer 92 in accordance with the pattern corresponding to the pattern of the back electrode portion to be formed, and the metal layer 92 is etched. As shown in 5 0 (e), the exposed portion of the metal layer 92 is removed to form a back electrode portion 97 with a force S, whereby a structure 95 is formed.
  • the resist film 94 A formed on the insulating sheet 91 and the surface electrode portion 96 is removed, and the resist film 94 B formed on the back electrode portion 97 is removed.
  • the sheet-like connector 90 is obtained.
  • the surface electrode portion 96 of the electrode structure 95 in the sheet-like connector 90 is positioned on the test electrode of the wafer on the surface of the circuit device to be inspected, for example, the wafer.
  • the wafer is pressed by the inspection probe in this state, so that the back surface electrode portion 97 of the electrode assembly 95 in the anisotropic conductive sheet 80 is used.
  • a conductive path is formed in the thickness direction between the back electrode portion 97 and the inspection electrode 86 of the inspection circuit 85 in the anisotropic conductive sheet 80.
  • the electrical connection between the inspection electrode of the wafer and the inspection electrode 86 of the circuit for inspection 5 is achieved. Then, in this state, the required electrical inspection is performed on the wafer.
  • the anisotropic conductive sheet is deformed according to the size of the warpage of the wafer, and thus, many in the wafer Good electrical connection can be reliably achieved for each of the 3 ⁇ 4 ⁇ electrodes.
  • the plating layer by electrolytic plating grows isotropically, it is obtained as shown in FIG. 51.
  • the distance w from the periphery of the front surface electrode portion 96 to the periphery of 9 8 has a size equal to the height h of the front surface electrode portion 96. Therefore, the diameter R of the obtained surface electrode portion 96 becomes considerably larger than twice the protrusion height h. . Therefore, in order to arrange the test electrodes in the circuit device to be tested at a very small pitch, it is not possible to secure a sufficient separation distance between the adjacent structures 95. In the sheet-like connector obtained, the flexibility of the insulating sheet 91 is lost, which makes it difficult to achieve a stable electrical connection to the circuit device under test.
  • the insulating sheet 9 is provided. Since the growth rate of the plating layer differs for each through hole 9 8 H of 1), the protrusion height h of the surface electrode portion 96 to be formed, the edge from the surface electrode portion 96 to the edge of the short ridge portion 9 8 Distance w, ie diameter; Then, there is a large fluctuation in the projection height h of the surface electrode portion 96. It becomes difficult to make stable electrical connection to the circuit device under test because ⁇ makes a large variation in the diameter of the surface electrode portion 96. There is a risk that adjacent surface electrode parts 96 will short-circuit with each other.
  • the sheet-like connector obtained by the former method may be used. In the latter method, it is difficult to form a short circuit 98 and a surface electrode 96 by electrolytic plating. It becomes difficult itself.
  • the sheet-like connector described in the following prior art reference 5 is manufactured as follows. As shown in FIG. 5 2 (a), a resist film 9 3 A and a front side metal layer 9 2 A are formed in this order on the surface of the insulating sheet 9 1. A laminated body 90 B in which the metal layer 92 B is laminated is prepared, and as shown in FIG. 5 2 (b), the back side metal layer 92 B in the laminated body 90 B, the insulating sheet 9 By forming through holes extending in the thickness direction communicating with each other in each of 1 and the resist film 93 A, it is formed on the back surface of the corresponding layer 9 0 B.
  • the surface-side metal layer 92 A in this laminate 90 B is metallized as an electrode to form a metal in the recess 90 0 K for forming the electrical conductive structure.
  • the back surface side metal layer in this laminate is subjected to etching treatment to remove a part thereof, thereby forming a back surface ⁇ portion 79 as shown in FIG. 5 2 (d), thereby forming a sheet-like connector. Can be obtained.
  • the sheet-like connector 1 described in the following prior art reference 6 is manufactured as follows.
  • the surface-side metal layer 92 A is formed on the surface of the insulating sheet material 91 A having a thickness larger than that of the insulating sheet in the sheet-like connector to be formed.
  • An electrode structure forming recess 90 K having a tapered form adapted to the short plate B of the electric structure to be formed and the surface electrode portion is formed.
  • the surface-side metal layer 92 A in the laminate 9 OC is treated with metal as an electrode to fill the recess 90 K for forming the electrode structure with metal as shown in FIG. 5 3 (c).
  • the surface electrode part 96 and short total 98 are formed.
  • the surface-side metal layer 92 A in the laminate 90 C is removed, and the insulating sheet material 91 A is etched to remove the surface-side portion of the insulating sheet.
  • the insulating sheet 91 of the required thickness is formed, and the surface electrode portion 96 is exposed.
  • the back surface side metal layer 92 B is etched to form a back surface electrode portion, whereby a sheet-like connector is obtained.
  • the surface electrode portion is tapered, the distance between the surface electrode portion having a small diameter and the height of projection and the surface electrode portion of the electrical structure that forms the ridge is different. It can be formed in a state in which the distance is sufficiently secured, and the surface electrode parts of the respective structures are formed as cavities for forming the electrode structure formed in the laminated body, so that the surface is formed. A structure with small unevenness in the protruding height of the electrode portion can be obtained.
  • the surface electrode in the electrode structure is Since the diameter of the part is equal to or smaller than the diameter of the short & half diameter, that is, the diameter of the through hole formed in the insulating sheet, the electrode body is detached from the back surface of the insulating sheet. Practical use of the connector is difficult.
  • the present invention has been made based on the above circumstances, and the first object of the present invention is to make it possible to form an electrode structure having a small diameter surface electrode portion, and to form a small pitch at a small pitch.
  • a stable electrical connection can be reliably achieved even for the circuit device in which the ® is formed, and in addition, the electrical structure does not fall off the insulating sheet and high durability can be obtained.
  • the sheet-like connector is to 3 ⁇ 4 ⁇ .
  • a second object of the present invention is to provide a circuit device in which an electrode structure having a small diameter and a small protrusion height and a surface electrode portion can be formed and the electrodes are formed at a small pitch.
  • a third object of the present invention is to provide a circuit inspection probe provided with the above sheet-like connector.
  • a fourth object of the present invention is to provide an inspection apparatus of a circuit device provided with the above-mentioned circuit inspection probe.
  • the sheet-like connector according to the present invention comprises: an insulating sheet; and a plurality of electric conductors extending in the thickness direction of the insulating sheet, which are disposed on the insulating sheet so as to be mutually separated in the surface direction.
  • Each of the self-assembly structures is exposed on the surface of the insulating sheet, and the surface of the thermal sheet
  • the insulating sheet is continuously extended from the proximal end of the front surface electrode portion, the rear surface electrode portion exposed on the rear surface of the insulating sheet, and the rear surface electrode portion exposed on the rear surface of the insulating sheet. It is characterized by comprising: a portion connected to the electrode portion; and a holding portion continuously extending from the base end portion of the surface @ portion along the surface of the insulating sheet.
  • the surface electrode portion in the electrode structure has a shape that becomes / J from its proximal end to its distal end.
  • the ratio R 2 / R i of the diameter R 2 of the tip of the surface electrode portion to the diameter 1 ⁇ of the base end of the surface electrode portion in the electrode structure is 0.11 to 0.55. .
  • the value hZR of the ratio hZR of the projection height h of the surface electrode portion to the diameter of the proximal end of the surface electrode portion in the electrode structure is 0.2 to 3.
  • the short circuit portion in the electrode structure may have a shape that decreases in diameter from the back surface to the front surface of the insulating sheet.
  • the insulating sheet is preferably made of an etchable polymer material, and particularly preferably made of polyimide.
  • the method for producing a sheet-like connector according to the present invention is a method for producing a sheet-like connector as described above,
  • an electrical structure is formed on the back surface of the layer.
  • the laminate is plated using the second surface-side metal layer as an electrode, and the metal-forming recess is filled with metal, whereby a surface electrode portion protruding from the surface of the insulating sheet and Forming a short circuit portion extending continuously from the base end through the insulating sheet in the thickness direction,
  • the surface electrode portion's first surface side metal layer is exposed, and then the first surface concerned.
  • the tin self-insulation property is continuous from the proximal end of the t & f self-surface portion. It is to be understood that the step of forming the retention portion extending outwardly along the surface of the sheet is included.
  • the through hole of the insulating layer in the recess for forming the electrode structure is formed in a shape that becomes /> ⁇ as it goes from the back surface to the surface of the fe layer. Is preferred.
  • a laminate made of a polymer material that can be etched away is used as the laminate, and the through holes of the insulating layer in the recess for forming the electrode structure are formed by etching. Is preferred.
  • the shape of the through hole of the insulating sheet in the recess for forming the electrode structure is / J as it goes from the back surface to the front surface of the insulating sheet.
  • it is formed in
  • the laminate of the insulating sheet is made of a polymeric material that can be etched, and the through holes of the insulating sheet in the recess for forming the electrode structure are formed by etching.
  • the through holes of the insulating sheet in the recess for forming the electrode structure are formed by etching.
  • the laminate of the insulating sheet is made of a polymeric material that can be etched, and the through holes of the insulating sheet in the recess for forming the electrode structure are formed by etching.
  • the method for producing a sheet-like connector according to the present invention is a method for producing a sheet-like connector as described above,
  • At least an insulating sheet, a surface-side metal layer formed of the surface of the insulating sheet, an insulating layer formed on the surface of the surface-side metal layer, and a back surface formed on the back surface of the tfjf self-insulating sheet Prepare a laminate having a side metal layer,
  • the laminated body is metallized using the back side metal layer as an electrode to fill the recess for forming the electrode structure with a metal, whereby the surface electrode portion protruding from the surface of the fe bond sheet and the base thereof are provided.
  • the insulating sheet is penetrated in the thickness direction to form a short, and the insulating layer is removed from the laminate to expose the surface portion and the surface side metal layer, Thereafter, the surface-side metal layer is etched to form a holding portion extending continuously along the surface of the insulating sheet from the base end portion of the self-surface electrode portion. It is characterized by
  • the probe for circuit inspection of the present invention is designed to electrically connect a circuit device to be inspected with a tester.
  • the circuit inspection probe according to the present invention which comprises the above-mentioned sheet-like connector disposed on a raw connector, is an integrated circuit in which the circuit device to be inspected is a large number of integrated circuits.
  • the anisotropic conductive connector 1 is formed in the electrode area where the test electrode is disposed in all the integrated circuits or some integrated circuits formed on the wafer which is the inspection cell. It is preferable to have a frame plate in which a plurality of openings are formed correspondingly, and an anisotropic conductive sheet arranged to close each opening of the frame plate.
  • An inspection apparatus for a circuit device preferably includes the above-described circuit inspection probe.
  • the electrode structure is formed with the holding portion continuously extending from the proximal end portion of the surface electrode portion along the surface of the sm sheet, the holding portion is formed. Even if the diameter of the surface electrode portion is small, the structure does not fall off the insulating sheet, and high durability can be obtained.
  • a recess for forming an electrode structure is formed in advance in a laminate having an insulating sheet, and a surface electrode portion is formed by using the recess for forming the electrode structure as a cavity.
  • a surface with a small diameter and a small protrusion height can be obtained.
  • the holding portion extending outward along the surface of the insulating sheet continuously from the proximal end portion of the surface electrode portion can be reliably obtained. Since the electrode structure can be formed, even if the diameter of the surface electrode portion is small, the electrode structure does not fall off from the insulating sheet, and a sheet-like connector having high durability is obtained.
  • the circuit inspection probe of the present invention since the above sheet-like connector is provided, stable electrical connection can be reliably achieved even for a circuit device in which electrodes are formed at a small pitch. High strength can be obtained because the steel structure in the sheet-like connector does not fall off.
  • the inspection apparatus for a circuit device of the present invention since the above-described probe for circuit inspection is provided, stable electrical connection can be reliably achieved even for a circuit device in which electrodes are formed at a small pitch. In addition, even if it is possible to inspect the circuit devices, it is possible to obtain reliable inspection over a long period of time.
  • FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of a first example of a sheet-like connector according to the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view showing the electrode structure of the sheet-like connector of the first example in an enlarged manner.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of a laminate for producing the sheet-like connector of the first example.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a resist film for etching is formed on both sides of the laminated body shown in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a through hole is formed in the back surface side metal layer in the laminate.
  • FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which through holes are formed in the insulating sheet in the laminate.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view for explanation showing a state in which a through hole is formed in the first surface side metal layer in the laminate.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a through hole is formed in the weir layer of the laminate to form a recess for forming a leakproof structure.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which a resist film for plating is formed on both sides of a laminate in which a recess for forming an electrode structure is formed.
  • FIG. Lo is a cross-sectional view for illustrating a state in which a metal is filled in a recess for forming a structure to form a surface electrode portion and a short groove & ⁇ .
  • FIG. 11 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a resist film is formed on the surface of the back surface electrode portion.
  • FIG. 12 is a cross sectional view in which a plurality of back surface electrode portions separated from each other are formed.
  • FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing the state.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing the state in which the insulating layer has been removed from the laminate.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a state in which a resist film for etching is formed on the surface of the first surface side metal layer and the surface electrode portion.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view for illustrating a state in which the first surface-side metal layer is etched to form a holding portion.
  • FIG. 16 is an explanatory sectional view showing a configuration of a second example of the sheet-like connector according to the present invention.
  • FIG. 17 is an explanatory sectional view showing a laminate for producing the sheet-like connector of the first example.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a through hole is formed in the insulating layer in the laminated body shown in FIG. 17.
  • FIG. 19 is an explanatory sectional view showing a state in which a through hole is formed in the surface-side metal layer in the laminate.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a through hole is formed in the insulating sheet in the laminate and a recess for forming an electrode structure is formed.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a metal is filled in a recess for forming an electrode structure to form a surface electrode conductor and a short line ⁇ .
  • FIG. 22 is a cross-sectional view for illustrating a state in which insulation is removed from the laminate.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a state in which a resist film for etching is formed on the surface of the surface-side metal layer and the surface electrode conductor.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view for illustrating a state in which the surface-side metal layer is etched to form a holding portion.
  • Fig. 25 shows the condition that the surface conductor is formed by etching the surface conductor. It is sectional drawing for description which shows.
  • the resist film for etching is formed on the surface of the back side metal layer, and the resist film for etching is formed on the surface of the insulating sheet, the surface part and the supporting part. It is a sectional view for explanation shown.
  • 2 7 is an explanatory sectional view showing a state in which the back electrode portion back side metal layer is removed is formed.
  • FIG. 28 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of a third example of the sheet-like connector according to the present invention.
  • FIG. 29 is an explanatory cross-sectional view showing the configuration of a laminate for producing a sheet-like connector according to a third example.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view showing a process of forming a recess for forming an electrode structure in the laminate shown in FIG.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a resist film for plating is formed on both sides of a laminate in which a recess for structure formation is formed.
  • FIG. 32 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a metal-filled recess for forming an electrode structure is filled.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view for illustrating a state in which a resist film for etching is formed on the surface of each of the second surface side metal layer and the back surface electrode portion and the surface side metal layer.
  • FIG. 34 is a cross-sectional view for illustrating a state in which the second surface-side metal layer is etched to form a surface electrode conductor having a tip portion protruding from the central portion.
  • FIG. 35 is an explanatory sectional view showing a state in which a resist film for etching is formed on the surfaces of the first surface side metal layer and the surface electrode portion conductor.
  • FIG. 36 is a cross-sectional view for illustrating a state in which the first surface-side metal layer is etched to form a holding portion.
  • FIG. 37 is a cross-sectional view for illustrating the state in which the surface electrode portion is formed by electrolytic etching of the surface electrode portion conductor.
  • Fig. 38 shows a state in which a resist film for etching is formed on the surface of the back surface ⁇ portion and a resist film for etching is formed on the surface of the insulating f sheet, the surface electrode portion and the supporting portion ⁇ ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 FIG.
  • FIG. 39 shows a state in which the back side metal layer has been removed to form back electrode parts separated from each other. It is a sectional view for explanation.
  • FIG. 40 is a cross-sectional view for illustrating the configuration of a fourth example of the sheet-like connector according to the present invention.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view for illustrating the configuration of an example of the inspection apparatus for a circuit device according to the present invention.
  • FIG. 42 is a cross-sectional view for explaining the probe for circuit inspection in the inspection apparatus shown in FIG. 41 in an enlarged manner.
  • FIG. 43 is a plan view of the anisotropic conductive 'I raw connector in the circuit inspection probe shown in FIG.
  • FIG. 44 is a plan view showing the test wafer produced in the example.
  • FIG. 45 is an explanatory view showing the position of the electrode region to be inspected of the integrated circuit formed on the test wafer shown in FIG.
  • FIG. 46 is a diagram showing the layout pattern of the test electrodes of the integrated circuit formed on the test wafer shown in FIG.
  • FIG. 47 is a plan view showing a frame plate in the anisotropic conductive connector according to the embodiment.
  • FIG. 48 is an explanatory view showing a part of the frame plate shown in FIG. 47 in an enlarged manner.
  • FIG. 49 is a cross-sectional view for illustrating the configuration of an example of a conventional circuit inspection probe.
  • FIG. 50 is an explanatory sectional view showing an example of manufacturing a conventional sheet-like connector.
  • FIG. 51 is an explanatory side view showing an enlarged sheet-like connector in the circuit inspection probe shown in FIG.
  • FIG. 52 is a cross-sectional view for explaining another manufacturing example of the conventional sheet-like connector.
  • FIG. 53 is an explanatory cross-sectional view showing still another manufacturing example of the conventional sheet-like connector.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a first example of a sheet-like connector according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the electrode structure in the sheet-like connector of the first example in an enlarged manner.
  • the sheet-like connector 10 of this first example is used for a probe for conducting an electrical inspection of a circuit device, and has a flexible insulating sheet 11 and this insulating sheet 1 In accordance with the pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected of the circuit device, which is a plurality of electrode structures 15 made of metal extending in the thickness direction of the insulating sheet 11, in 1
  • the sheet 11 is disposed in a mutually spaced-apart manner in the surface direction of the sheet.
  • Each of the electrode structures 15 is exposed on the surface of the insulating sheet 1 1, and is exposed on the back surface of the insulating sheet 1 1 and a projecting surface electrode portion 16 projecting from the surface of the insulating sheet 1 1.
  • the insulating sheet 11 is continuously extended from the base end of the rectangular flat plate-like back electrode 17 and the base end of the front electrode 16 in the thickness direction thereof and connected to the back electrode 17. Short!
  • the short-circuited portion continuous to the base end of the surface electrode portion 16 concerned 8 force insulating sheet 1 sheet 1 is tapered from the other surface toward the one surface, and the whole is formed in a truncated cone shape
  • the diameter S of the proximal end of the surface electrode portion 16 is the same as the diameter 3 of one end of the short portion 18 continuous with the proximal end.
  • the insulating insulating green sheet 11 is not particularly limited as long as it is flexible and has an insulating property, and for example, a resin effect sheet made of polyimide resin, liquid crystal polymer, polyester, fluorine resin, etc., » It is possible to use a sheet or the like impregnated with the above resin in a woven cloth, but etching is possible in that the through holes for forming the short circuit portion 18 can be easily formed by etching. It is preferable to be made of any of the above materials, and in particular, polyimide is preferable.
  • the thickness d of the insulating sheet 11 is not particularly limited as long as the insulating sheet 11 is flexible, but it is preferably 10-5, more preferably 10-25. It is m.
  • the metal constituting the electrode structure 15 may be nickel, copper, gold, silver, noridium, iron or the like, and the m @ structure 15 may be a single metal as a whole. Even if it is an alloy of two or more metals or a laminate of two or more metals. It may be connected.
  • gold, silver, and palladium are used to prevent oxidation of the electrode portion and obtain an electrode portion with low resistance.
  • a chemically stable, highly conductive metal alloy, such as hum, may be formed.
  • the ratio of the diameter R 2 of the tip to the diameter 1 ⁇ at the proximal end of the surface portion 1 6 is 0.1 to 0/1. It forces S preferably 5 5, more Preferably, it is from 0.15 to 0.4.
  • the diameter 1 ⁇ of the base end of the surface electrode portion 16 is preferably 30 to 70%, more preferably 35 to 60% of the pitch of the electrode structure 15 concerned.
  • the ratio liZR i of the projection height h to the diameter at the proximal end of the surface ⁇ portion 16 is preferably 0.2 to 0.8, and more preferably 0.5 to 0.6. By satisfying such conditions, even if the circuit device to be connected has small pitches and has minute electrodes, the electrode structure 15 having a pattern corresponding to the pattern of the electrodes can be easily formed. Stable electrical connection to the circuit device can be obtained more reliably.
  • the diameter of the base end of the surface electrode portion 16 is set in consideration of the above conditions and the diameter of the electrode to be connected, and is, for example, 30 to 80 ⁇ , preferably 30 to 5. is there.
  • the height of the projection height h of the surface electrode portion 16 is preferably 15 to 50 ⁇ in that stable electrical connection can be achieved with respect to the wire to be connected. More preferably, it is 15 to 30 m.
  • ⁇ gR 5 of the back surface 17 is larger than the diameter R 4 of the other end of the short 3 ⁇ 4 ⁇ 4 1 8 connected to the back surface electrode 17, and smaller than the pitch of the electrically conductive structure 15 Although it is sufficient, it is preferable to be as large as possible, whereby it is possible to reliably achieve stable electrical connection to, for example, the anisotropically conductive sheet.
  • the thickness D 2 of the back electrode portion 17 is preferably 10 to 40 zm, more preferably 15 to 3 in that the strength is sufficiently high and excellent repeated durability is obtained.
  • the ratio of the diameter R 3 of one end to the diameter R 4 of the other end of the short total 18 is 5 ⁇ R 3 / R 4 is preferably 0.4 to 5 It is preferably 1, and more preferably from 0.7 to 0.9.
  • the diameter R 3 of one end of the short circuit portion 1 8 3 0-7 0% der Rukoto the pitch of the electrode structure 1 5 by weight, more preferably 3 5-6 0%.
  • the diameter R 6 of the holding portion 19 is preferably 30 to 70%, more preferably 40 to 60 % of the pitch of the electrode structure 15.
  • the thickness of the holding portion 19 is preferably 3 to 1, more preferably 5 to 9 ⁇ m.
  • the holding portion 1 extends continuously along the surface of the insulating sheet 11 from the base end portion of the surface electrode portion 16. Since 9 is formed, even if the diameter of the front surface electrode portion 16 is small, the electric conductive structure 16 does not drop off from the back surface of the insulating sheet 11 and high durability is achieved. Is obtained.
  • the surface electrode portion 16 by providing the surface electrode portion 16 with a small diameter, the separation distance between the surface electrode portions 16 is sufficiently secured, so that the flexibility of the insulating sheet 11 is sufficiently exhibited. As a result, stable electrical connection can be reliably achieved even in a circuit device in which the electrodes are formed with a small pitch.
  • the sheet-like connector 10 of the first example described above can be manufactured, for example, as follows.
  • the first sheet 11 and the first surface-side metal layer 1 9 formed on the surface of the green sheet 1 1 and the first image 1 An insulating layer 16 B formed on the surface of the metal layer 19 A, a second surface-side metal layer 16 A formed on the surface of the column 16 B, and an insulating sheet 11
  • a laminate 10 A consisting of the back surface side metal layer 17 A formed on the back surface
  • the first surface side metal layer 19 A is an electrode structure to be formed 1 5
  • the thickness of the insulating layer 16 B is equal to the total thickness of the peripheral layer 16 B and the thickness of the first surface side metal layer 19 A.
  • the back surface side metal layer 17 A is equivalent to the protruding height of the surface portion 16 in the structure 15 to be formed, and the back side metal layer 17 A is a portion of the back surface ridge portion 17 in the electrode structure 15 to be formed. Less than thickness, thickness It is considered to be unique.
  • an etchable polymer material Is more preferably polyimide.
  • a material for forming the insulating layer 16 B it is preferable to use an etchable polymer material, more preferably polyimide.
  • Such a laminate 10 A is a laminate polyimide sheet in which a metal layer made of, for example, copper is laminated on both sides generally commercially available, and a metal layer force made of, for example, copper on one side.
  • a polyimide sheet place the laminated thermoplastic polyimide sheet on the surface of one metal layer of the laminated polyimide sheet so that the solder surface where the metal layer is not in contact, and heat-press the both sides.
  • a resist film 12 A for etching is formed on the entire surface of the second surface side metal layer 16 A, and a back side metal layer 1 On the surface of 7 A, a resist film 13 for etching in which a plurality of pattern holes 1 3 K are formed in accordance with the pattern corresponding to the pattern of the structure 15 to be formed is formed.
  • materials for forming the resist films 12 A and 13 various materials used as a photoresist for etching can be used.
  • the exposed portion of the back surface side metal layer 17 A exposed through the pattern holes 13 K of the resist film 13 is etched to remove the portion, as shown in FIG. A plurality of through holes 17 H communicating with the pattern holes 13 K of the resist film 13 are formed in the side metal layer 17 A, respectively.
  • the insulating sheet 11 is subjected to an etching process on the exposed portions through the respective pattern holes 13 K of the resist film 13 and the respective through holes 17 H of the back side metal layer 17 A.
  • the insulating sheet 11 communicates with the through holes 17 H of the back side metal layer 17 A, respectively, from the back side to the front side of the insulating sheet 11.
  • a plurality of tapered through holes 1 1 H are formed, which become / h as going to.
  • the respective pattern holes 13 K of the resist film 13, the respective through holes 17 7 of the back surface side metal layer 17, and the coloring surface By etching the exposed portion through each of the through holes 11 H of point 1 1 and removing the corresponding portion, as shown in FIG. 7, the first surface side metal layer 19 A, as shown in FIG. A plurality of through holes 1 9 H communicating with the through holes 1 1 H of the four sheets 1 1 respectively are formed.
  • a plurality of tapered through holes 16 H are formed, which decrease in diameter from the back surface to the front surface of 6 B.
  • the etching agent for etching the back surface side metal layer 17 A and the first surface side metal layer is appropriately selected according to the materials constituting these metal layers, and these metal layers are selected.
  • the etching agent for etching the back surface side metal layer 17 A and the first surface side metal layer is appropriately selected according to the materials constituting these metal layers, and these metal layers are selected.
  • the second night of chloride it is possible to use the second night of chloride.
  • hydrazine-based water can be used as an etching solution for etching the insulating sheet, 4 ′ ′ (4 sheet 1 1 and short-circuiting 1 6 B, and it is possible to use the insulating conditions by selecting the etching conditions.
  • Tapered through holes 11 H and 16 H can be formed in the conductive sheet 11 and the insulating layer 16 B, respectively, which become smaller in diameter from the back surface to the front surface.
  • the resist films 12 A and 13 are removed from the laminate 1 OA in which the recess 10 K for forming the electrode structure is formed, and then, as shown in FIG. 9, the laminate 1 OA is A resist film 12 B for plating is formed so as to cover the entire surface of the second surface metal layer 16 A, and a metal structure to be formed on the surface of the back surface metal layer 17 A According to the pattern corresponding to the pattern of the back electrode part 17 in 15, a resist film 14 A for plating is formed in which a plurality of pattern holes 14 K are formed.
  • materials for forming the resist films 12 B and 14 A various materials used as a photoresist for plating can be used.
  • the laminate 1 OA is subjected to electrolytic plating treatment using the second surface-side metal layer 16 A as a ridge to form each electrode structure-forming recess 10 K and each pattern of the resist film 14 A
  • a plurality of projecting surface electrodes 16 projecting from the surface of the insulating sheet 11, and the surfaces 3 ⁇ 4 g 16 respectively.
  • a short circuit portion 18 extending continuously through the insulating sheet 11 in its thickness direction and a back surface electrode portion 17 connected to the other end of each of the short totals 18 .
  • each of the back surface electrode portions 17 is in a state of being connected to each other via the back surface side metal layer 17 A.
  • the laminate 1 OA force where the front surface 3 ⁇ 4 @ portion 16, short total ⁇ 18 and back electrode portion 17 are formed, the resist film 12 and 14 are removed, and then the back surface is removed.
  • a patterned resist film 14 B for etching is formed to cover the electrode portion 17, and the second surface side metal layer 16 A and the back side metal layer 17 A are subjected to etching treatment, As shown in FIG. 12, the entire second surface side metal layer 16 A is removed, and the exposed portion of the back side metal layer is removed, whereby a plurality of back surface electrode portions 1 7 separated from one another are formed. Is formed.
  • the etching process is performed on the outer 16 B to remove the whole and removing the resist film 14 B, as shown in FIG.
  • the surface side metal layer 19 A and the back surface electrode portion 17 are exposed, and then, as shown in FIG. 14, the holding portion in the surface electrode portion 16 and the first surface side metal layer 17 A 1 9
  • a resist film 12 C for etching is formed so as to cover the portion to be formed, and a resist film for etching 14 is formed so as to cover the entire back surface and back surface electrode portion 17 of the insulating sheet 11.
  • Form C Thereafter, the first surface side metal layer 17 A is etched to remove the exposed portion, whereby the insulating sheet 11 is continuously formed from the peripheral surface of the base end portion of the surface electrode portion 16.
  • a holding portion 19 is formed to extend outward along the surface in a shape of t to form an electrode structure 15.
  • the sheet-like connector 10 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the recess 1 OK for forming the electrode structure is formed in advance in the laminate 10 A having the insulating sheet 11, and the recess 1 OK for forming the electrode structure is defined as the cavity. Since the portion 16 is formed, the diameter is small and the unevenness of the projecting height is small, and the surface electrode portion 16 is obtained.
  • the surface end of the surface electrode portion 16 is continuously formed on the surface of the insulating sheet. Since it is possible to reliably form the holding portion 19 extending along the outer side, the electrode structure 15 drops out of the green sheet 1 1 even if the diameter of the surface electrode portion 16 is small. Thus, the sheet-like connector 10 having high durability can be manufactured.
  • FIG. 16 is an explanatory cross section showing a configuration of a second example of the sheet-like connector according to the present invention.
  • the sheet-like connector 10 of this second example is used for a probe for performing an electrical inspection of the circuit device, and has a flexible insulating sheet 11 and has this insulation 'property.
  • the sheet 1 1 has a plurality of electrode structures 15 made of metal extending in the thickness direction of the insulating sheet 1 1. 11 mutually spaced apart in the surface direction of 1 1
  • Each of the electrode structures 15 is exposed on the surface of the insulating sheet 1 1, and is exposed on the back surface of the insulating sheet 1 1 and a projecting surface electrode portion 16 projecting from the surface of the insulating sheet 1 1.
  • the rectangular image-like sheet-like back surface S portion 17 and the base end of the front surface electrode portion 16 are continuously extended from the base sheet 11 in the thickness direction to the back surface electrode portion 17.
  • a circular ring plate-like shape extending continuously outward from the circumferential surface of the connected cylindrical short-circuit portion 18 and the proximal end portion of the surface electrode portion 16 along the surface of the insulating sheet 11
  • the holding unit 19 is constituted by the following.
  • the tip end portion of the surface electrode portion 16 is formed in a substantially hemispherical shape whose diameter decreases toward the tip, and the diameter of the base end of the surface electrode portion 16 is the proximal end. It is assumed that the diameter of one end of the continuous 3 ⁇ 4 8 is continuous.
  • the sheet-like connector 10 of the second example described above can be manufactured, for example, as follows.
  • an insulating sheet 11 made of an etchable polymer material such as polyimide, and a surface side metal layer 19 B formed on the surface of the insulating sheet 11.
  • An insulating layer 16 B formed of, for example, a resist, formed on the surface of the front side metal layer 19 B, a back side metal layer 17 A formed on the back side of the insulating sheet 11, and the back side Prepare a laminate 1 OB consisting of a resist film 13 A formed on a metal layer 17 A.
  • the surface-side metal layer 19 B has a thickness equivalent to the thickness of the holding portion 19 in the electrode structure 15 to be formed, and the insulating layer 16 B is The total thickness of the thickness of the insulating layer 16 B and the thickness of the first surface side metal layer 19 A is equal to the protruding height of the surface electrode portion 19 in the electrode structure 15 to be formed. It is assumed that the back side metal layer 17 A has a thickness equal to the thickness of the back electrode portion 17 in the metal structure 15 to be formed.
  • a plurality of through holes 16 H are formed in the insulating layer 16 B according to the pattern corresponding to the pattern of the surface portion 16 of the electrode structure 15 to be formed. It is done. Thereafter, the exposed portions of the surface side metal layer 19 B exposed through the respective through holes 16 H of the insulating layer 16 B are subjected to a etching process to remove the portions, as shown in FIG. As such, a plurality of through holes 19 H are formed in the surface side metal layer 19 B respectively, which communicate with the through holes 16 H of the i 16 B respectively.
  • the insulating sheet 11 is etched on the exposed portions through the through holes 16 H of the insulating layer 16 B and the through holes 19 H of the surface side metal layer 19 B.
  • the through holes 16 H of the insulating layer 16 B, the through holes 19 H of the surface side metal layer 19 B, and the through holes 1 of the insulating sheet 11 are formed on the surface of the laminate 10 B respectively.
  • a plurality of electrode formation recesses 10 0 K in which 1 H is communicated are formed.
  • the laminated body 10 B in which the recess 10 0 for forming a structure is formed is subjected to an electrolytic plating process using the back side metal layer 17 A as an electrode to form each electrode structure.
  • FIG. 21 by filling the metal in the space 10 0, as shown in FIG. 21, a plurality of cylindrical surface electrode portion conductors 16 6 protruding from the surface of the insulating sheet 1 1, and the surface electrode portion Conductors 16 are continuously connected to the base end of each of the 6 bases, and the insulating sheet 11 is pierced in the thickness direction, and a short circuit part 18 connected to the back side metal layer 17 is formed. .
  • resist film 13 B is removed to expose each surface electrode conductor 16 M and ⁇ : holding portion 19, and then electrolytic etching is performed to form each surface electrode conductor 16 M.
  • a surface electrode portion 16 having a substantially hemispherical tip portion is formed.
  • resist film 13 A printed on the back surface of the insulating sheet 11, as shown in FIG. 26, the back electrode portion in the back surface metal layer 17 A should be formed.
  • resist film 13 D patterned so as to cover the part
  • resist film 13 C is formed so as to cover the surface of insulating sheet 11, surface electrode portion 16 and holding portion 19. .
  • the back surface side metal layer 17 A is etched to remove the exposed portion, whereby the back surface electrode portion 17 connected to the other end of the short circuit portion 18 is formed as shown in FIG. 27.
  • the electrode structure 15 is thus formed.
  • the same effect as that of the sheet connector of the first example can be obtained.
  • FIG. 28 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of a third example of the sheet-like connector according to the present invention.
  • the sheet-like connector 10 of this third example is used for a probe for performing an electrical inspection of a circuit device, and has a flexible insulating sheet 11, and this insulating sheet 1 In accordance with the pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected of the circuit device, which has a plurality of electrode structures 15 made of metal extending in the thickness direction of the insulating sheet 11 in 1.
  • the insulating sheets 11 are disposed apart from one another in the surface direction of the sheet.
  • Each of the wedge structures 15 is exposed on the surface of the insulating sheet 1 1, and is exposed on the back surface of the insulating sheet 1 1 and a projecting surface electrode portion 16 projecting from the surface of the insulating sheet 1 1.
  • By the ridge portion 18 and the circular ring plate shaped holding portion 19 extending radially outward continuously along the surface of the insulating sheet 11 continuously from the peripheral surface of the base end portion of the surface ⁇ portion 16. It is configured.
  • the surface electrode portion 16 has a substantially hemispherical central portion whose diameter decreases from the proximal end side to the distal end side, and the central portion protruding from the central portion Having a diameter smaller than the diameter of the portion, having a substantially hemispherical tip toward the tip with a diameter of / J, and the diameter of the proximal end of the surface electrode portion 16 being continuous with the proximal end And the diameter of one end of the Also, the back face part 1 7 has a rectangular flat plate And a rectangular flat tip portion having a smaller size than the proximal end portion protruding from the proximal end portion.
  • the sheet-like connector 10 of the third example described above can be manufactured, for example, as follows.
  • Layer 19 A and an etchable polymer material formed on the surface of the first surface side metal layer 19 A, for example, an insulating layer made of polyimide, and an insulating layer 16 formed on the surface Prepare a laminate 1 OA consisting of the second surface-side metal layer 16 and the back-side metal layer 17 A formed on the back surface of the insulating sheet 11.
  • the first surface side metal layer 19 A has a thickness equivalent to the thickness of the holding portion 19 in the electrode structure 15 to be formed
  • the insulating layer 16 B is
  • the second surface side metal layer 16 A is formed to have a thickness equal to the thickness (height) of the central portion of the surface electrode portion 19 in the base electrode structure 15.
  • the back side metal layer 17 A has a thickness equivalent to the thickness (height) of the tip portion of the surface electrode portion 19 in the electrode structure 15 to be formed. It has the same thickness as the base end of the back ridge 17 in the above.
  • a resist film 1 2 A for etching is formed on the entire surface of the second surface side metal layer 16 A and On the surface of the side metal layer 17 A, a resist film 13 for etching in which a plurality of pattern holes 13 K are formed in accordance with the pattern corresponding to the pattern of the electrode structure 15 to be formed is formed.
  • a portion of the back surface side metal layer 17 A exposed through the pattern holes 13 K of the resist film 13 is etched to remove the portion, as shown in FIG. 3 0 (b).
  • a plurality of through holes 17 H are formed in the back side metal layer 17 A.
  • the insulating sheet 11 is etched on the exposed portions through the through holes 17 H of the pattern holes 13 K of the resist film 13 and the metal layer 17 of the third surface.
  • the plurality of penetrations communicating with the through holes 17 H of the metal layer 17 A on the back surface side are respectively removed by removing the portions concerned as shown in FIG.
  • holes 1 1 H are formed, and then through holes 1 7 H of each pattern hole 1 3 K of the resist film 13 and each back surface side metal layer 1 7 with respect to the first surface side metal layer 19 A
  • the first surface side metal layer 19A is formed as shown in FIG. 30 (d).
  • a plurality of through holes 19 H communicating with the through holes 11 H of the insulating sheet 11 are formed.
  • the first insulating layer 16 B is formed with the first layer.
  • a plurality of through holes 16 H communicating with the through holes 19 H of the surface side metal layer 19 A are formed.
  • the through holes 17H of the back side metal layer 17A, the through holes 11H of the insulating and marginal sheet 11, and the through holes 19 of the first front side metal layer 19A on the back surface of the laminate 1 OA are formed.
  • the resist films 12A and 13 are removed from the laminate 1 OA in which the recess 1 for forming a structure is formed, and then, as shown in FIG.
  • a resist film 12 B for plating is formed so as to cover the entire surface of the front side metal layer 16 A, and a pattern of the back electrode portion 17 in the electrode structure 15 to be formed on the surface of the back side metal layer 17 A.
  • a resist film 14A for plating is formed in which a plurality of pattern holes 14 K are formed in accordance with the pattern corresponding to FIG.
  • the laminate 10A is subjected to electrolytic plating treatment using the second surface side metal layer 16A as a metal layer in the pattern holes 14K of the recesses 10K for forming each electrode structure and the resist film 14A.
  • a plurality of projecting surface-electrode conductors 16 M protruding from the surface of the insulating sheet 11 are continuous with the respective proximal ends of the surface-electrode conductors 16 M.
  • a plurality of back surface electrode portions 17 connected to the other ends of the plurality of short 8 and ridge 18 extending through the insulating sheet 11 in the thickness direction are formed.
  • each of the front surface S portion conductors 16 M is connected to each other via the second front surface side metal layer 16 A
  • each of the back surface electrode portions 17 is a back surface side metal They are connected to each other via layer 17A.
  • Resist films 12 B and 14 A are thus removed from the laminate 1 OA in which the conductor 16 M for the front surface electrode portion, mm ⁇ 18 and the back surface portion 17 are formed, and then, as shown in FIG. 17 C and a resist film 14 C for etching so as to cover the back surface side metal layer 17 A And a resist film for etching which is patterned according to the pattern corresponding to the pattern of the end portion of the surface ridge portion 16 to be formed on the surface of the second surface side metal layer 16 A.
  • D and etching the second surface-side metal layer 16 A to remove the exposed portion as shown in FIG.
  • a plurality of surface electrode portion conductors 16 M separated from each other are formed having a cylindrical tip portion having a diameter smaller than the diameter of the portion.
  • the resist film 12 D is removed, and the insulating layer 16 B is etched to remove the whole, whereby the conductor 16 M for the surface electrode portion and the first surface side metal layer 19 A Is exposed, and then, as shown in FIG. 35, the surface electrode portion conductor 16 M and the first surface side metal layer 17 A are patterned so as to cover the portion to be the holding portion 19.
  • Form resist film 12 C for etching After that, the first surface side metal layer 19 A is etched to remove the exposed portion, as shown in FIG. 36, the base end portion of the surface electrode conductor 16 M respectively.
  • a plurality of holding portions 19 are formed continuously extending from the peripheral surface outward along the surface of the insulating sheet 11.
  • the resist film 12 C is removed to expose the surface electrode portion conductor 16 M and the holding portion 19, and then electrolytic etching is performed to form the surface electrode portion conductor 16 M.
  • a surface ridge portion 16 having a substantially hemispherical central portion and a substantially hemispherical tip portion projecting from this middle portion is formed.
  • the resist film 14 C is subjected to photolithography to form a patterned resist film 14 B for etching so as to cover the back electrode portion 17 as shown in FIG.
  • a resist film 12 for etching is formed to cover the surface of sheet 1 1, surface electrode portion 16 and ⁇ holding portion 19, and the metal layer 17 on the back side is etched and exposed. By removing these portions, as shown in FIG. 39, a plurality of back electrode parts 17 separated from each other are formed, and an electrode structure 15 is formed.
  • the sheet-like connector 10 force S of the third example shown in FIG. 28 can be obtained.
  • the same effect as the sheet connector of the first example can be obtained.
  • FIG. 40 is a cross section showing the configuration of the fourth example of the sheet-like connector according to the present invention.
  • the sheet-like connector 10 of the fourth example has the same configuration as the second sheet-like connector except that the electrode structure 15 has a cylindrical surface ⁇ portion 16, It can be manufactured in the same manner as the method of manufacturing the sheet-like connector of the second example except that the surface electrode portion conductor is directly used as the surface electrode portion 16 without performing the electrolytic etching process on the electrode portion conductor. .
  • the same effect as the sheet-like connector of the first example can be obtained.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view for explaining the configuration of an example of the inspection apparatus for a circuit device according to the present invention, and the inspection apparatus for this circuit device relates to each of a plurality of integrated circuits formed on a wafer. It is intended to carry out the electrical inspection of the circuit in the form of a wafer.
  • the inspection apparatus for the circuit device includes a circuit inspection probe 1 for electrically connecting the test target electrodes 7 of the wafer 6 that is the circuit device to be inspected to the tester.
  • a circuit inspection probe 1 for electrically connecting the test target electrodes 7 of the wafer 6 that is the circuit device to be inspected to the tester.
  • this circuit inspection probe 1 as shown in an enlarged manner also in FIG. 42, a plurality of inspection electrodes according to a pattern corresponding to the pattern of the inspection electrode 7 in all the integrated circuits formed on the wafer 6
  • An anisotropic conductive connector 30 is disposed on the surface of the inspection circuit 20.
  • the circuit has an inspection circuit 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4 20 formed on the surface of the single force S (the lower surface in the figure).
  • a plurality of electrodes 15 are arranged in accordance with the pattern corresponding to the pattern of test electrode 7 in all the integrated circuits formed on wafer 6
  • the sheet-like connector 10 shown in Fig. 1 is disposed.
  • a force for pressing the circuit inspection probe 1 downward [I pressure plate 3 is provided, and the circuit inspection probe is provided.
  • a wafer mounting table 4 on which a wafer 6 force S is placed, and an heating 5 is connected to each of the pressure plate 3 and the wafer mounting table 4.
  • the 3 ⁇ 4 ⁇ material constituting the test circuit ⁇ anti 20 various materials conventionally used can be used.
  • glass »1 reinforced epoxy resin, glass « reinforced phenolic resin , Glass fiber reinforced polyimide resin, glass »Composite resin materials such as reinforced bismaleimide triazine resin, glass, ceramic materials such as silicon dioxide, alumina, etc. can be mentioned.
  • the linear thermal ⁇ number used the following 3 X 1 0 one 5 / K, more preferably 1 X 1 0- 7 ⁇ 1 X 1 0- 5 / K, and particularly preferably 1 X 1 0- 6 ⁇ 6 X 1 0-.
  • the anisotropic conductive connector 30 has a plurality of electrode regions corresponding to the electrode electrodes on which test electrodes are disposed in all the integrated circuits formed on the wafer to be tested.
  • a frame plate 31 in which the opening 32 is formed, and a plurality of the frame plates 31 are disposed so as to close one opening 32 respectively, and are fixed to and supported by the opening edge of the frame plate 31.
  • the material constituting the frame plate 31 is not particularly limited as long as the frame plate 31 does not deform easily and has a shape of an extent that the shape is stably maintained, for example, metal Various materials such as materials, ceramic materials, and resin materials can be used.
  • the frame plate 31 is made of, for example, a metal material, an insulating film may be formed on the surface of the frame plate 31. Good.
  • metal materials constituting the frame plate 31 include iron, copper, nickel, chromium, cobalt, cobalt, magnesium, manganese, molybdenum, indium, bell, palladium, titanium, tungsten, aluminum, gold, platinum And metals such as silver or alloys or combinations of two or more of them.
  • resin material constituting the frame plate 31 include liquid crystal polymers and polyimide resins.
  • this inspection apparatus is for carrying out the WL BI (Wafer L ebe 1 Burn-in) test
  • the number of linear thermal expansions is 3 X it is preferable to use a material of 1 0-5ZK less, more preferably one 1 XI 0- 7 ⁇ 1 X 1 0- 5 ZK, particularly preferably is 1 X 1 0- 6 ⁇ 8 X 1 0- 6 ⁇ .
  • the thickness of the frame plate 31 is not particularly limited as long as the shape force S is maintained and the anisotropic conductive sheet 35 can be supported, and the specific thickness depends on the material. Although different, for example, it is preferable that it is 45 to 60 O zm, and it is preferably 40 to 400 m.
  • Each of the anisotropic conductive sheets 35 is formed of an elastic polymer material, and a pattern corresponding to the pattern of the test electrode 7 of one electrode area formed on the wafer 6 which is a circuit device. And a plurality of conductive portions 36 extending in the thickness direction and insulating portions 37 respectively insulating the conductive portions 36 from one another. Further, in the illustrated example, on both surfaces of the anisotropic conductive sheet 35, the conductive portion 36 and the peripheral portion force S are formed with the protruding portions 38 projecting from the other surface at the positions where the force S is located. .
  • conductive particles P exhibiting magnetism are densely contained in an oriented state so as to be aligned in the thickness direction.
  • the insulating portion 37 contains no or almost no conductive particles P.
  • the total thickness of the anisotropic conductive sheet 35 (the thickness of the conductive portion 36 in the illustrated example) is preferably 50 to 20 0 O m, more preferably 7 0 to: L 0 0 ⁇ ⁇ Particularly preferably, it is 80 to 500 / im. If this thickness is 50 ⁇ m or more, sufficient strength can be obtained for the anisotropic conductive sheet 35. On the other hand, when the thickness is 200 m or less, a conductive portion 36 having the required conductive property can be reliably obtained.
  • the total height of the protrusions 38 is preferably 10% or more, more preferably 15% or more, of the thickness of the protrusions 38.
  • the protrusion height of the protrusion 38 is preferably 100% or less, more preferably 70% or less, of the shortest width or diameter of the protrusion 38.
  • a heat-resistant polymer substance having a crosslinked structure is preferable.
  • a curable polymeric substance-type releasant that can be used to obtain a cross-linked polymeric substance various materials can be used, but liquid silicone rubber Is preferred.
  • the liquid silicone rubber may be an addition type or a condensation type, but an addition type liquid silicone rubber is preferable.
  • This addition type liquid silicone rubber is a one-component type which is cured by the reaction of a Biell group and a Si--H bond, and is made of a polysiloxane having both a burle group and a Si--H bond.
  • the cured silicone rubber has a compression set at 150 ° C. Is preferably 10% or less, more preferably 8% or less, and still more preferably 6% or less.
  • the compression set exceeds 10% ⁇ , when the resulting anisotropically conductive connector is used repeatedly or repeatedly under high temperature, the permanent deformation of the conductive portion 36 occurs. As a result, the chain of the conductive particles P in the conductive portion 36 is disturbed, which makes it difficult to maintain the required conductive growth.
  • the compression set of the cured silicone rubber can be measured by the method of 2 P in JIS K 6 2 4 9.
  • the silicone rubber cured product preferably has a durometer A hardness of 10 to 60 at 23 ° C., more preferably 15 to 55, particularly preferably 20 to 50. It is.
  • the insulating portions 37 which mutually insulate the conductive portions 36 are easily distorted when subjected to force tl pressure, and the required distance between the conductive portions 36 is It may be difficult to maintain insulation.
  • this durometer A hardness exceeds 60, a relatively large load of caro pressure is required to give a proper strain to the lead f
  • the silicone rubber that forms the test chamber for performing the WL BI test, and the cured silicone rubber that forms the anisotropic conductive sheet 3 5 has a durometer A hardness of 2 5 to 4 at 23 ° C. It is preferably 0.
  • the durometer A hardness of the silicone rubber hard product can be measured by a method in accordance with J I S K 6 24.
  • the silicone rubber cured product preferably has a tear strength at 23 ° C. of 8 k NZm or more, more preferably 10 k NZm or more, more preferably 15 k NZm or more, particularly preferably It is more than 2 0 k N / m. If the tear strength is less than 8 kN, the durability tends to be reduced when the anisotropic conductive sheet 35 is excessively strained.
  • the tear strength of the silicone rubber cured product can be measured by the method of rolling to J I S K 6 2 4 9.
  • an appropriate curing catalyst can be used to cure the addition type liquid silicone rubber.
  • platinum-based ones can be used, and specific examples thereof include chloroplatinic acid salt, platinum monounsaturated group-containing siloxane complex, and bur Complex of siloxane and platinum, complex of platinum and 1, 3-divinyl tetramethyldisiloxane, complex of trioreno regano phosphine or phosphite and platinum, asecetole acetate platinum chelate, complex of cyclic gen and platinum
  • ⁇ P such as Rex is mentioned.
  • the amount of curing catalyst used is appropriately selected in consideration of the type of curing catalyst and other curing conditions. Usually, it is 3 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of addition type liquid silicone rubber. .
  • addition type liquid silicone rubber for the purpose of improving the titanotropism of the addition type liquid silicone rubber, adjusting the viscosity, improving the dispersion stability of the conductive particles, or obtaining 3W having high strength, etc.
  • ordinary silica powder, corodanone silica, aeroge Inorganic fillers such as alumina, etc. can be contained.
  • the conductive particles P contained in the conductive portion 36 it is preferable to use particles in which a high conductive metal is coated on the surface of particles exhibiting magnetism (hereinafter, also referred to as “magnetic core particles”).
  • the term “highly conductive metal” refers to a metal having a conductivity of 5 x 10 6 ⁇ -1 m 1 1 or more at 0 ° C.
  • the magnetic! ⁇ Particles for obtaining the conductive particles P preferably have a number average particle diameter of 3 to 40 m.
  • the number average particle size of the magnetic core particles means one measured by the laser scattering method.
  • the number average particle diameter is 3 m or more, it is easy to press and deform, and it is easy to obtain a conductive portion 36 having a low resistance value and high reliability.
  • the above-mentioned number average particle diameter is 40 or less, the fine conductive portion 36 can be easily formed, and the obtained conductive portion 36 is likely to have stable conductivity. ,.
  • the magnetic particles preferably have a BET specific surface area of 10 to 50 O m 2 kg, preferably 2 0 to 5 0 01! 1 2 ⁇ , particularly preferably 5 It is 0 to 40 O m 2 / kg.
  • the magnetic core particles have a sufficiently large area capable of sticking, and therefore, the magnetic core particles should be reliably subjected to the required amount of marking. As a result, it is possible to obtain a large conductive “f” stator P with high conductivity, and since the wormworm area is sufficiently large between the conductive particles P, stable and high conductivity can be obtained.
  • the BET specific surface area is 500 m 2 / kg or less, the magnetic particles do not become fragile, and the physical stress S is applied, the force S is small, and the stability is high. The conductivity is maintained.
  • the magnetic core particles preferably have a coefficient of variation of 50% or less, more preferably 40% or less, still more preferably 30% or less, particularly preferably 50% or less. Is less than 20%.
  • the variation coefficient of the particle diameter is represented by the formula: ( ⁇ / D n) XI 0 0 (where, ⁇ represents the value of the standard deviation of the particle diameter, and D n represents the number average particle diameter of Alendum. Is required by If the coefficient of variation of the particle diameter is 50% or less, the uniformity of the particle diameter is large, so it is possible to form a conductive portion 36 with a small amount of fluctuation in conductivity.
  • the material constituting the magnetic particles it is possible to use iron, nickel, cobalt, those coated with these metals with copper or resin, and the like, and those having a saturation magnetization of 0.1 lWb m 2 or more. preferably he is used, and more preferably 0. 3Wb Roh m 2 or more, particularly preferably of 0. 5WbZm 2 or more, specifically, iron, nickel, copal bets or alloys thereof.
  • Gold, silver, rhodium, platinum, chromium and the like can be used as the highly conductive metal coated on the surface of the magnetic particles, and among these, it is dielectrically stable and has high conductivity. In terms of point, gold is preferred.
  • Conductive particles P the proportion of highly conductive metal to the core particles [(weight of the mass / particle highly conductive metal) XI 0 0] is set to 1 5 mass 0/0 or more, preferably 2 5 to 3 5 It is considered as mass%. If the proportion of the highly conductive metal is less than 15% by mass, when the resulting anisotropically conductive connector is repeatedly used under high temperature conditions, the conductivity of the conductive particles P is significantly reduced, resulting in the required Re, able to maintain conductive life.
  • the conductive particles P preferably have a BET specific surface area of 10 to 500 m 2 / kg.
  • this BET specific surface area is 10 m 2 / kg or more, the surface area of the object ⁇ is sufficiently large, so that a coating layer in which the total weight of the highly conductive metal is large can be formed. Particles having high conductivity can be obtained, and since the contact area is sufficiently large between the conductive particles, stable and high conductivity can be obtained.
  • the BET specific surface area is 500 m 2 or less, the conductive particles do not become fragile, and the physical stress force S is less likely to cause stone crust breakage, Stable and high conductivity is maintained.
  • the number average particle diameter of the conductive particles P is preferably 3 to 40 m, more preferably 6 to 25 ⁇ .
  • the anisotropically conductive' sheet 35 obtained becomes easy to be deformed under pressure, and in the conductive portion 36, sufficient electric field can be generated between the conductive particles.
  • the target is obtained.
  • the shape of the conductive particles is not particularly limited, but in the polymer material forming material It is preferable that they are spherical, star-shaped or lumps of secondary particles in which they are dispersed, in that they can be easily dispersed.
  • the moisture content of the conductive particles P is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, still more preferably 2% by mass or less, particularly preferably 1% by mass or less.
  • the conductive particles P may have their surfaces treated with a coupling agent such as a silane coupling agent.
  • a coupling agent such as a silane coupling agent.
  • the amount of the coupling agent to be used does not affect the conductivity of the conductive particles P, and is appropriately selected in the range, but the coating ratio of the coupling agent on the surface of the conductive particles P (relative to the surface area of the conductive particles).
  • the ratio of the covering area of the coupling agent) is preferably 5% or more, more preferably the above-mentioned coverage is 7 to 10: L 0 0, more preferably 10 to 10: L 0 0, especially Preferably, the amount is 20 to L 0 0%.
  • Such conductive particles P can be obtained, for example, by the following method.
  • a ferromagnetic material is made into particles by a conventional method, or commercially available ferromagnetic particles are prepared, and the particles are classified to prepare magnetic particles having a required particle diameter.
  • the treatment of the particles can be performed, for example, by a device such as an air bubble apparatus or a sonic sieving apparatus.
  • specific conditions of the classification process are appropriately set according to the target magnetism: number average particle diameter of particles, type of classification device, and the like.
  • the surface of the magnetic core particle is treated with an acid, and further washed with, for example, feK to remove impurities such as dirt, foreign matter, oxide film and the like present on the surface of the magnetic core particle, and then the magnetic By coating the surface of the particles with a highly conductive metal, conductive particles can be obtained.
  • hydrochloric acid As the acid used to treat the surface of the magnetism & particles, hydrochloric acid and the like can be mentioned.
  • ⁇ electroless plating method As a method of coating a highly conductive metal on the surface of the surface of the particles: ⁇ electroless plating method, displacement plating method Although methods such as ⁇ can be used, it is not limited to these methods.
  • the method of producing conductive particles by the electroless plating method or the substitution plating method will be described.
  • acid-treated, magnetic-treated magnetic particles are added to a plating solution to prepare a slurry, and this slurry is prepared.
  • the particles in the slurry are separated from the plating solution, and then the particles are washed with, for example, pure water to obtain conductive particles comprising the surface of the magnetic: ⁇ particles coated with a highly conductive metal. .
  • a base layer made of a highly conductive metal may be formed on the surface of the base layer.
  • the method of forming the tack layer formed on the surface of the undercoat layer but the undercoat layer is formed on the surface of the magnetic core particles by the electroless plating method, and then the displacement plating is carried out. It is preferable to form a plating layer made of a highly conductive metal on the surface of the base plating layer by a method.
  • the plating solution used for electroless plating or substitution plating is not particularly limited, and various commercially available solutions can be used.
  • the particles may cause generation of large particle diameter and conductive particles. Therefore, classification of conductive particles may be performed as necessary. It is preferable to carry out the treatment, whereby the conductive particle force having the desired particle diameter can be reliably obtained.
  • the content ratio of the conductive particles P in the conductive portion 36 is preferably 10 to 60%, preferably 15 to 50% by volume fraction. If this ratio is less than 10 ° / 0 , the conductive portion 36 with a sufficiently small electric resistance may not be obtained. On the other hand, if this ratio exceeds 60%, the resulting conductive material tends to be fragile, and the required elasticity as the conductive material 6 may not be obtained.
  • the anisotropically conductive 'connector as described above can be produced, for example, by the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 200202-32400.
  • the wafer 6 which is the object of the inspection is placed on the wafer 4, and then the circuit inspection probe 1 is pressed downward by the calo pressure plate 3 so that the wafer 6 is removed.
  • Each of the surface portions 16 of the grid-like connector 10 in the grid-like connector 10 is in contact with each of the test electrodes 7 of the wafer 6, and further, by each of the surface electrode portions 16, Each of the test electrodes 7 is pressurized.
  • each of the conductive conductors 36 in the anisotropic conductive sheet 35 of the anisotropic conductive connector 30 corresponds to the detection electrode 21 of the inspection circuit 20 and the sheet-like connector 10
  • the back side electrode portion 17 of the electrode structure 15 is compressed in the thickness direction, thereby forming a conductive path in the thickness direction in the conductive portion 36.
  • Electrical connection between the test electrode 7 of the wafer 6 and the test electrode 21 of the test circuit 20 is achieved.
  • the wafer 6 is heated by the heater 5 to a predetermined temperature of the wafer 6 via the wafer mounting table 4 and the pressure plate 3, and in this state, the required electrical inspection of each of the plurality of integrated circuits in the wafer 6 is performed. ⁇ Will be.
  • the sheet-like connector 10 shown in FIG. 1 since the sheet-like connector 10 shown in FIG. 1 is provided, stable electrical connection also to the wafer 6 on which the skin detecting electrode 7 is formed at a small pitch. In the sheet-like connector 10, the electrode structure 15 does not come off, so that high durability can be obtained.
  • the circuit inspection probe 1 having the sheet-like connector 10 shown in FIG. 1 since the circuit inspection probe 1 having the sheet-like connector 10 shown in FIG. 1 is provided, the wafer 6 on which the inspection ⁇ ® 7 is formed at a small pitch is obtained.
  • the reliable electrical connection can be achieved reliably, and because the circuit inspection probe 1 has high durability, even if a large number of wafers are inspected, the reliability can be extended over a long period of time. Can perform high-quality examinations.
  • the inspection apparatus of the circuit device of the present invention is not limited to the above example, and various modifications can be made as follows.
  • Probes 1 for circuit inspection shown in Fig. 4 1 and Fig. 2 2 are for achieving the electrical connection collectively to the electrodes under test 7 of all the integrated circuits formed on the wafer 6 However, it may be electrically connected to a plurality of integrated circuits selected from among all the integrated circuits formed on the wafer 6.
  • the number of integrated circuits to be selected is appropriately selected in consideration of the size of the wafer 6, the number of integrated circuits formed on the wafer 6, the number of electrodes to be inspected in each integrated circuit, and the like. There are 3 2, 6 4 and 1 2 8.
  • the probes for circuit inspection are connected to the electrodes to be inspected 7 of a plurality of integrated circuits selected from among all the integrated circuits formed on the wafer 6.
  • electrical inspection of all the integrated circuits formed on the wafer 6 can be performed.
  • in order to carry out an electrical inspection on integrated circuits formed at a high V concentration on a wafer having a diameter of 8 inches or 12 inches it is possible to collectively apply all integrated circuits.
  • the number of inspection electrodes and the number of wires of the circuit board for inspection used can be reduced as compared with the method of performing the inspection, whereby the manufacturing cost of the inspection can be reduced.
  • the circuit device to be inspected according to the present invention is not limited to a wafer on which a large number of integrated circuits are formed, and may be a semiconductor chip, or a package LSI such as a BGA or CSP. It can be configured as an inspection of a circuit formed in a semiconductor integrated circuit device such as CMC.
  • FIG. 45 a square with dimensions 6.5 mm x 6.5 mm, respectively, on a wafer 6 made of silicon 8 cm in diameter (linear thermal expansion coefficient of 3.3 x 10 ⁇ / ⁇ ) A total of 596 integrated circuits L were formed.
  • Each of the integrated circuits L formed on the wafer 6 has a test electrode area A at its center as shown in FIG. 45, and the test electrode area A has a function as shown in FIG.
  • Each of the rectangular test electrodes 26 having a dimension of 200 m in the vertical direction (vertical direction in FIG. 46) and a dimension of 80 ⁇ m in the horizontal direction (horizontal direction in FIG.
  • test wafer W l Example 1
  • a laminated polyimide sheet in which 5 ⁇ m thick copper layers are laminated on both sides of a 125 ⁇ m thick polyimide sheet, and a 5 ⁇ m thick copper layer is laminated on one side of a thermoplastic polyimide sheet Prepare a laminated thermoplastic polyimide sheet and place the laminated thermoplastic polyimide sheet on the surface of one copper layer of the laminated polyimide sheet so that the non-copper laminated surface is in contact with each other, and thermocompression-bond both of them.
  • a laminate (10A) having the configuration shown in FIG. 3 was produced.
  • the resulting laminate (10 A) is an insulating sheet of polyimide having a thickness of 12.5 ⁇ m.
  • a resist film (12A) is formed on the entire surface of the second surface side metal layer (16A) using a dry film resist having a thickness of 25 m with respect to the above laminate (10A), and a back side metal layer ( Resist film in which circular 15496 pattern holes (1 3 K) having a diameter of 60 zm are formed on the surface of 1 7A according to the pattern corresponding to the pattern of the test electrode formed on the test wafer W1 (13) was formed (see Figure 4).
  • the exposure process is performed by irradiating 80 m J of ultraviolet light with a high pressure mercury lamp, and the development process is performed on a developer composed of 1% sodium hydroxide solution. The operation of dipping for 2 seconds was repeated twice.
  • the back side metal layer (17A) is etched using a ferric chloride-based etching solution under the conditions of 50 ° C. and 30 seconds to form the back side metal layer (17A).
  • Each of the 15496 through holes (17H) communicating with the pattern hole 13K of the resist film (13) was formed (see FIG. 5).
  • the insulating sheet (11) is etched using a hydrazine-based etching solution at 60 ° C. for 120 minutes to obtain an insulating sheet.
  • each of the through holes (11H) has a tapered shape that decreases in diameter from the back surface to the front surface of the insulating sheet (11).
  • the aperture diameter on the surface side was 60 ⁇ m, and the aperture diameter on the surface side was 45 / X m.
  • the first surface side metal layer (19A) is etched using a ferric chloride-based etching solution under conditions of 50 ° C. for 30 seconds to obtain a first surface side metal layer In 19 A), 15496 through holes (19H) communicating with the through holes (11H) of the insulating sheet (11) were formed (see Fig. 7). Further, the insulating layer (16B) is etched using a hydrazine-based etching solution under conditions of 60 ° C. for 120 minutes to form the first surface side metal layer Through holes 19A) 15 496 through holes (16H) communicating with 19H were formed (see FIG. 8).
  • Each of the through holes (16H) has a tapered shape that decreases in diameter from the back surface to the front surface of the insulating layer (16B), and the opening diameter on the back surface side is 45 ⁇ m and the opening diameter on the front surface side is 17 It was // m.
  • the laminate (10A) in which the recess (10K) for forming an electrode structure is formed is immersed in sodium hydroxide at 45 ° C. for 2 minutes to obtain a resist from the ⁇ 3 ⁇ 4 layer (10A).
  • the film (12A, 13) is removed, and then the laminate (10A) is coated with a dry film resist of 25 ⁇ m thickness so as to cover the entire surface of the second surface side metal layer (16A), A resist film (12B) is formed, and the dimension communicating with the through hole (17H) of the back side metal layer (17A) on the surface of the back side metal layer (17A) is 15 ⁇ ⁇ 60 ⁇ m. Rectangular one
  • a resist film (14A) having 5496 pattern holes (14K) formed was formed (see FIG. 9).
  • the exposure process is performed by irradiating ultraviolet light of 8 OmJ with high pressure water Sii: D, and the development process consists of a 1% aqueous solution of sodium hydroxide 7%.
  • the operation of immersion in the developer for 40 seconds was repeated twice.
  • the laminate (10A) is immersed in a plating bath containing nickel sulfamate, and the second surface side metal layer (16A) is used as an electrode for the ⁇ 3 ⁇ 4 layer (10A) in question.
  • the metal By filling the metal into the recess (10K) for forming each electrode structure and each pattern hole (14K) of the resist film (14A), the surface portion (16), ⁇ ⁇ (18) and The back electrode parts (17) connected to each other through the back side metal layer (17A) were formed ( See Figure 10).
  • the laminated body (10A) in which the front surface electrode portions (16), (18) and the back surface electrode portion (17) are formed is 45.
  • the resist film (12B, 14A) is removed from the ⁇ 3 ⁇ 4 layer (10A) by immersing in sodium hydroxide of C for 2 minutes, and thereafter, the back electrode is made of a 25 m-thick dry-well inolem resist.
  • a patterned etching resist film (14B) was formed to cover the portion (17) (see FIG. 11).
  • the exposure process is performed by irradiating 8 Om J of ultraviolet light with a high pressure mercury lamp, and the development process is performed on a developer consisting of 1% ⁇ sodium hydroxide water ⁇ M It was carried out by repeating the operation of soaking for 2 seconds. Thereafter, the second surface side metal layer (16 ′ ′) and the back surface side metal layer (17 ′ ′) are etched using an ammonia-based etching solution under conditions of 50 ° C. for 30 seconds. The entire surface side metal layer (16A) was removed, and the exposed portion of the back side metal layer (17A) was removed, thereby separating each of the back electrode portions (17) from each other (see FIG. 12). ).
  • the insulating layer (16B) is removed by etching the insulating layer (16%) using a hydrazine-based etching solution under conditions of 60 ° C. for 120 minutes, and removing the resist film (14B).
  • the surface electrode portion (16), the first surface side metal layer (19A) and the back surface electrode portion (17) were exposed by removing the (see FIG. 13).
  • a resist film patterned so as to cover the portion to be the holding portion (19) in the surface electrode portion (16) and the first surface side metal layer (17A) by a dry film having a thickness of 25 m.
  • a resist film (14C) was formed to cover the entire surface of the back surface and back surface portion (17) of the insulating sheet (11) (see FIG. 14).
  • the exposure process is performed by irradiating 8 Om J of ultraviolet light with a high-pressure water source, and the development process is performed on a developer composed of 1% 7 sodium oxide hydroxide. It was carried out by repeating the immersion operation twice.
  • the first surface-side metal layer (19A) is etched using a ferric chloride-based etching solution under conditions of 50 ° C. for 30 seconds to obtain a group of surface ⁇ portions (16).
  • a disc ring-shaped holding portion (19) extending radially outward continuously along the surface of the insulating sheet (11) continuously from the peripheral surface of the end portion is formed, thereby forming the electrode structure (15). Formed (see Figure 15).
  • the sheet-like connector (10) according to the present invention was manufactured by removing the resist film (14 C) from the back and back electrode parts (17) of the insulating sheet (11). See).
  • the sheet-like connector (10) thus obtained is such that the thickness d of the insulating sheet (1 1) is 12.5 ⁇ m, and the shape of the surface electrode portion (16) of the leak-barrier (15) is a truncated cone.
  • the diameter of the base end is 45 m
  • the diameter R 2 of the tip is 17 im
  • the protrusion height h is 25 m
  • the shape of MM ⁇ (18) is a truncated cone
  • the diameter R of one end of the surface side 3 is 45 ⁇ ⁇
  • diameter R 4 of the other end on the back side is 60 ⁇
  • the shape of back electrode (17) is a rectangular flat plate whose width (diameter R 5 ) is 60 ⁇ ⁇ and length is 150 im the thickness D 2 is 30 m
  • sheet connector M (1-1) sheet connector M (1-5)
  • the magnetic core particles were prepared as follows using a commercially available Nikkono 1 Tachiko (We st i i mitm, “F C 1000”).
  • the magnetic core particles obtained had a number average particle diameter of 10 ⁇ , a coefficient of variation of particle diameter of 10%, a BET specific surface area of 0.2 ⁇ 10 3 m 2 / kg, and a saturation magnetization of 0.6 WbZm 2 .
  • the obtained conductive mark has a number-average particle size of 12 m, a BET specific surface area of 0 ⁇ 15 ⁇ 10 3 m 2 kg, (mass of gold forming ⁇ ) / (mass of whole conductive particle) The value of was 0.3.
  • this conductive '1 ⁇ green particle be a' conductive particle (a) '.
  • This frame plate (3 1) is Konor (linear thermal expansion number 5 ⁇ 10 16 ⁇ ) and its thickness is 6 0 ⁇ ⁇ .
  • Each of the openings (3 2) has a dimension of 1 8 0 O / ⁇ m in the horizontal direction (horizontal direction in FIGS. 4 7 and 4 8) and vertical direction (vertical directions in FIGS. 4 7 and 4 8)
  • the dimension of) is 600 ⁇ m.
  • a circular air inlet (3 3) is formed, and its diameter is 100 m.
  • the addition type liquid silicone rubber used is a two-component type consisting of a liquid A and a liquid B each having a viscosity of 25 OP a ⁇ s, and the cured product has a compression set of 5%, Durometer A hardness is 32 and tear strength is 25 kN / m.
  • the characteristics 14 of the addition type liquid silicone rubber and the cured product thereof are measured as follows.
  • the solution A and the solution B in the two-component addition type liquid silicone rubber were stirred and mixed in an equal ratio.
  • the mixture is poured into a mold, the mixture is subjected to degassing treatment with a crucible, and then curing treatment is performed at 120 ° C. for 30 minutes to obtain a thickness of 1 2.
  • a cylindrical body made of a cured silicone rubber having a diameter of 29 mm and a diameter of 2 mm was used, and post curing was performed on this cylindrical body at 200 ° C. for 4 hours.
  • the cylindrical body thus obtained was used as a test piece, and the compression set at 150 ° 2 ° C. was measured at 2 ° C. in JIS K 6249.
  • the tear strength of the cured silicone rubber was measured as follows.
  • a sheet with a thickness of 2.5 mm was obtained by curing and addition curing of the addition type liquid silicone rubber under the same conditions as in (ii) above.
  • a crescent-shaped test piece was punched out of this sheet, and the tear strength was measured at 2 ° C. in a soil at 23 ° C. in accordance with J I S K 6249.
  • Durometer A hardness is obtained by stacking 5 sheets obtained in the same manner as in (iii) above, using the obtained stack as a test piece, at 23 ⁇ 2 ° C according to JIS K 6249. The value was measured.
  • the frame plate (31) can be prepared according to the method described in JP-A-2002-324600.
  • Produced an anisotropically conductive connector was performed under the conditions of 100 ° C. for 1 hour while applying a magnetic field of 2 T in the thickness direction by an electromagnet.
  • each of the anisotropically conductive sheets (35) has a lateral dimension of 2500 ⁇ m and a longitudinal dimension of 1400 ⁇ m, 2 6 conductive parts (36) with a pitch of 120 m in two rows in the ⁇ direction (the number of conductive parts in one row is 13 and the distance between the conductive parts in the vertical direction is 450 / m
  • each of the conductive parts (36) has a lateral dimension of 60 m, a directional dimension of 200 m, a thickness of 150 // m, and a projection (38) with a projection height of 25 m.
  • the thickness of the insulation (37) is 100 m.
  • a conductive portion for non-connection is disposed between the conductive portion (36) located on the outermost side in the direction and the opening edge of the frame plate.
  • Each of the conductive parts for continuation has a lateral dimension of 80 ⁇ m, a longitudinal dimension of 300 ⁇ m and a thickness of 150 ⁇ m.
  • anisotropically conductive connector Cl The resulting anisotropically conductive connector is referred to as "anisotropically conductive connector Cl”.
  • Circuit mating for inspection m Alumina ceramics as materials (Sen'netsu ⁇ 3 ⁇ 4 number 4. 8 X 10 - 6 ZK) using a test inspection electrodes in accordance with a pattern corresponding to the pattern of the electrodes to be inspected in test wafer W1 (2 1) is ⁇ For the circuit ⁇ (20).
  • the test circuit ⁇ (20) is a rectangle with an overall dimension of 30 cm ⁇ 30 cm, and its test electrode has a dimension of ⁇ 60 ⁇ m in the vertical direction and a dimension of 200 m in the vertical direction.
  • the resulting test circuit is called “test circuit ⁇ T 1”.
  • connection stability test was carried out as follows for each of the sheet-like connectors M (1 -1) to the sheet-like connectors M (1-5).
  • the test wafer W1 is placed on the test stand, and the sheet connectors are positioned on the surface of the test wafer W1 such that each of the surface portions is positioned on the test electrode of the test wafer W1.
  • the anisotropic conductive connector C 1 is positioned on the sheet-like connector so that each of the conductive portions thereof is positioned on the back electrode of the sheet-like connector.
  • the test circuit board T1 is positioned on the positive conductive connector so that each of the detection electrodes is positioned on the conductive portion of the anisotropic conductive connector, and the test circuit board T1 is further disposed.
  • the calorific pressure was applied downward at a load of 2.4 kg (the load applied per conductive part of the anisotropically conductive connector was an average of 0.8 g).
  • the 15496 inspection electrodes on the inspection circuit board T 1 are electrically connected to each other through the anisotropic conductive connector C 1, the sheet-like connector and the test wafer W 1.
  • the electrical resistance between two inspections connected in series is measured sequentially, and the half of the measured electrical resistance value is used as the inspection electrode of the inspection circuit board 1 and the test wafer W1.
  • the electrical resistance to the electrode under test (hereinafter referred to as “conduction resistance”) was recorded, and the percentage of measurement points where the conduction resistance at all measurement points was less than 1 ⁇ was determined.
  • the load on the inspection circuit board T1 is changed from 12. 4 kg to 31 kg (the load applied per conductive part of the anisotropic conductive connector is 2 g on average) in the same manner as above. Then, the percentage of measurement points where the conduction resistance at all measurement points was less than 1 ⁇ was determined.
  • Sheet-like connector M (1-1), sheet-like connector M (1-2) and sheet-like connector For each of Nectar M (1-4), the durability test was conducted as follows.
  • the test wafer W1 is placed on a test table equipped with a heater, and the sheet-like connector is placed on the surface of the test wafer W1, and each of its surface electrodes is the test electrode of the test wafer W1. Align the top of the sheet-like connector, and align the anisotropic conductive connector C 1 on this sheet-like connector so that each of the conductive parts is on the back electrode of the sheet-like connector.
  • test circuit £ 1 and T 1 Placing and aligning the test circuit £ 1 and T 1 on the anisotropically conductive connector so that each of the test electrodes is located on the conductive portion of the anisotropically conductive connector; the testing circuit ⁇ T1 load downward 31 k g (load applied to the conductive portion 1 per anisotropically conductive connector 2 g on the average) was pressurized. Then, the test stand is heated to 85 ° C., and after the force S stability of the test stand, with respect to the 15496 detection electrodes on the test circuit board T1, the anisotropic conductive connector C1, the sheet Connector and the resistance between the two detection electrodes electrically connected to each other via the test wafer W1 are sequentially measured, and half of the measured electric resistance value.
  • the value is recorded as the electrical resistance (hereinafter referred to as “conduction resistance”) between the inspection electrode of the inspection circuit 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 T 1 and the test electrode of the test wafer W1, and the conduction resistance is 1 ⁇ or more.
  • the conduction resistance is 1 ⁇ or more.
  • the sheet-like connector was produced in the same manner as in Example 1 except that the whole of the first surface side metal layer was removed by the etching treatment, and the holding portion was not formed.
  • the obtained sheet-like connector has a thickness d of the insulating sheet, a force S of 12.5 m, a shape of the surface electrode portion of the electro-static structure of a truncated cone, a diameter of its base end of 45 zm, a diameter of its tip Is 17 / z m, the protrusion height is 25 z m, the shape of the short circuit part is a truncated cone, the diameter of one end on the surface side is 45 m, The other end on the back side has a diameter of 60 m and the shape of the back electrode portion is a rectangular flat plate having a width of 60 m, a length of 150 111 and a thickness of 30 m.
  • sheet connector M (2-1) sheet connector M
  • sheet connector M (2-5) sheet connectors
  • connection stability test was conducted in the same manner as in Example 1 for each of the sheet-like connector M (2-1) to the sheet-like connector M (2-5). The results are shown in Table 1.
  • a sheet-like connector was produced as follows.
  • the diameter of the base end of this surface electrode crucible was 70 ⁇ m, and the height from the surface of the insulating sheet was 20 / im. Thereafter, the copper layer in the laminated material is subjected to photoetching treatment to remove a part of the copper layer, thereby forming a rectangular back electrode portion of 60 imXl 50 m, and further, gold plating the front electrode portion and the back portion. By forming a sheet-like connector, a sheet-like connector was produced.
  • connection stability test was conducted in the same manner as in Example 1 for each of the sheet-like connectors M (3-1) to the sheet-like connectors M (3-5). The results are shown in Table 1.
  • Sheet-like connector-M ( ⁇ 5) 100 100
  • Sheet-like connector M (2 — 1) 1 00 1 0 0
  • Sheet-like connector M (3-4) 9 0 1 00
  • the size is small for all the test electrodes. It has been observed that stable electrical connection force can be achieved with a low load. In addition, it was confirmed that the sheet-like connector according to Example 1 had high durability.

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Abstract

 径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁性シートから脱落することがなくて高い耐久性が得られるシート状コネクターおよびその製造方法並びにその応用が開示されている。 本発明のシート状コネクターは、絶縁性シートと、この絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体とを有し、電極構造体の各々は、絶縁性シートの表面に露出し、当該表面から突出する表面電極部と、絶縁性シートの裏面に露出する裏面電極部と、表面電極部の基端から連続して絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部に連結された短絡部と、表面電極部の基端部分から連続して絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部とよりなるものである。

Description

明 細 書 シート状コネクターおよびその製造方法並びにその応用
技 術 分 野
本発明は、 例えば集積回路などの回路の電気的検查において、 当該回路に対する電気的 接続を行うためのプローブ装置として好適なシート状コネクタ一おょぴその製造方法並び にその応用に関する。 背 景 技 術
例えば、 多数の集積回路が形成されたウェハや、 半導体素子等の電子部品などの回路装 置の電気的検査においては、 被検查回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターン に従って配置された検査電極を有する検査用プローブが用いられている。 かかる検査用プ ロープとしては、 従来、 ピンまたはブレードょりなる検査 が配列されてなるものが使 用されている。
然るに、 被検查回路装置が多数の集積回路が形成されたウェハである において、 当 該ウェハを検査するための検查用プローブを する^ こは、 非常に多数の検查電極を 配列することが必要となるので、 当該検查用プローブは極めて高価なものとなり、 また、 被検査電極のピッチが小さい^^には、 検査用プローブを «すること自体が困難となる 。 更に、 ウェハには、 一般に反りが生じており、 その反りの状態も製品 (ウェハ) 毎に異 なるため、 当該ウエノ、における多数の被検査電極に対して、 検査用プローブの検査電極の 各々を安定に力、つ確実に翻 させることは実際上困難である。
以上のような理由から、 近年、 ウェハに形成された集積回路を検查するための検査用プ ローブとして、 一面に被検查電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極 が形成された検査用回路 と、 この検査用回路 の一面上に配置された異方導電性シ ートと、 この異方導電性シート上に配置された、 柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫 通して伸びる複数の電 造体が配列されてなるシート状コネクターとを具えてなるもの が驗されている (例えば下記先行文献 1参照。 ) 。 図 4 9は、 検査用回路 ¾¾、 異方導電性シートおょぴシート状コネクターを具えてなる 従来の回路検査用プローブの一例における構成を示す説明用断面図である。 この回路検查 用プローブにおいては、 一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパター ンに従って形成された の検査電極 8 6を有する検査用回路 8 5が設けられ、 この 検查用回路基板 8 5の一面上に、 異方導電性シート 8 0を介してシート状コネクター 9 0 が配置されている。
異方導電性シート 8 0は、 厚み方向にのみ導電性を示すもの、 または厚み方向に加圧さ れたときに厚み方向にのみ導電性を示" Τ¾圧導電性導電部を有するものであり、 かかる異 方導電性シートとしては、 種々の構造のものが知られており、 例えば下記先行文献 2等に は、 金属粒子をエラストマ一中に均一に分散して得られる異方導電性シート (以下、 これ を 「分散型異方導電性シート」 という。 ) が開示され、 また、 下記先行文献 3等には、 導 電性磁性体粒子をエラストマ一中に不均一に分布させることにより、 厚み方向に伸びる多 数の導電部と、 これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート (以 下、 これを 「偏在型異方導電性シート」 という。 ) が開示され、 更に、 下記先行文献 4等 には、 導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示さ れている。
シート状コネクター 9 0は、 例えば樹脂よりなる柔軟な fe镓性シ一ト 9 1を有し、 この 絶縁性シート 9 1に、 その厚み方向に伸びる複数の電極構造体 9 5力 S被検査回路装置の被 検査電極のパターンに対応するパターンに従つて配置されて構成ざれている。 この電極構 造体 9 5の各々は、 絶縁性シート 9 1の表面に露出する突起状の表面電極部 9 6と、 絶縁 性シート 9 1の裏面に露出する板状の裏面電極部 9 7とが、 絶縁性シート 9 1をその厚み 方向に貫通して伸びる短絡部 9 8を介して一体に連結されて構成されている。
このようなシート状コネクター 9 0は、 一般に、 以下のようにして製造される。
先ず、 図 5 0 ( a ) に示すように、 ,[·生シート 9 1の一面に金属層 9 2が形成されて なる積層体 9 O Aを用意し、 図 5 0 ( b) に示すように、 絶縁性シート 9 1にその厚み方 向に貫通する貫通孔 9 8 Hを形成する。
次いで、 図 5 0 ( c ) に示すように、 絶縁性シート 9 1の金属層 9 2上にレジスト膜 9 3を形成したうえで、 金属層 9 2を共通電極として メツキ処理を施すことにより、 絶 縁性シート 9 1の貫通孔 9 8 Hの内部に金属の堆積体が充填されて金属層 9 2に一体に連 結された短絡部 9 8が形成されると共に、 当該絶,镓性シ一ト 9 1の表面に、 9 8に 一体に連結された突起状の表面電極部 9 6力 S形成される。
その後、 金属層 9 2からレジスト膜 9 3を除去し、 更に、 図 5 0 ( d) に示すように、 表面電極部 9 6を含む絶縁性シート 9 1の表面にレジスト膜 9 4 Aを形成すると共に、 金 属層 9 2上に、 形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜 9 4 Bを形成し、 当該金属層 9 2に対してエッチング処理を施することにより、 図 5 0 ( e ) に示すように、 金属層 9 2における露出する部分が除去されて裏面電極部 9 7力 S形成 され、 以て電 造体 9 5が形成される。
そして、 絶傢性シート 9 1および表面電極部 9 6上に形成されたレジスト膜 9 4 Aを除 去すると共に、 裏面電極部 9 7上に形成されたレジスト膜 9 4 Bを除去することにより、 シート状コネクター 9 0カ得られる。
上記の検查用プローブにおいては、 被検査回路装置例えばウェハの表面に、 シート状コ ネクター 9 0における電極構造体 9 5の表面電極部 9 6が当該ウェハの被検查電極上に位 置するよう配置され、 この状態で、 ウェハが検査用プローブによって押圧されることによ り、 異方導電性シート 8 0力 シート状コネクター 9 0における電謹造体 9 5の裏面電 極部 9 7によって押圧され、 これにより、 当該異方導電性シート 8 0には、 当該裏面電極 部 9 7と検査用回路 8 5の検査電極 8 6との間にその厚み方向に導電路が形成され、 その結果、 ウェハの被検査電極と検查用回路勘反8 5の検査電極 8 6との電気的接続が達 成される。 そして、 この状態で、 当該ウェハについて所要の電気的検査が 亍される。 そして、 このような検査用プローブによれば、 ウェハが検査用プローブによって押圧さ れたときに、 当該ウェハの反りの大きさに応じて異方導電性シートが変形するため、 ゥェ ハにおける多数の ¾ ^査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することがで きる。
しかしながら、 上記の検査用プロープにおいては、 以下のような問題がある。
上記のシート状コネクターの製 法における短絡部 9 8および表面電極部 9 6を形成 する工程においては、 電解メツキによるメツキ層が等方的に成長するため、 図 5 1に示す ように、 得られる表面電極部 9 6においては、 当該表面電極部 9 6の周縁から 9 8 の周縁までの距離 wは、 当該表面電極部 9 6の突出高さ hと同等の大きさとなる。 従って 、 得られる表面電極部 9 6の径 Rは、 突出高さ hの 2倍を超えて相当に大きいものとなる 。 そのため、 被検査回路装置における被検查電極が微小で極めて小さいピッチで配置され てなるものである には、 隣接する 構造体 9 5間の離間距離を十分に確保すること ができず、 その結果、 得られるシート状コネクターにおいては、 絶縁性シート 9 1による 柔軟性が失われるため、 被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困 難となる。
また、 電解メツキ処理において、 金属層 9 2の全面に対して電流密度分布が均一な電流 を供給することは実際上困難であり、 この電流密度分布の不均一性により、 .絶緣'性シート 9 1の貫通孔 9 8 H毎にメツキ層の成長速度が異なるため、 形成される表面電極部 9 6の 突出高さ hや、 表面電極部 9 6の周縁から短袼部 9 8の周縁までの距離 wすなわち径; Rに 大きなパラツキが生じる。 そして、 表面電極部 9 6の突出高さ hに大きなパラツキがある ^^には、 被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、 一方、 表面電極部 9 6の径に大きなバラツキがある には、 隣接する表面電極部 9 6同士が短絡する恐れ がある。
以上において、 得られる表面電極部 9 6の径を小さくする手段としては、 当該表面電極 部 9 6の突出高さ hを小さくする手段、 短総 (59 8の径 (断面形状が円形でない^には 、 最短の長さを示す。 ) rを小さくする、 すなわち絶縁性シート 9 1の貫通孔 9 8 Hの径 を小さくする手段が考えられるが、 前者の手段によって得られるシート状コネクタ一にお いては、 被検查電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となり、 一方 、 後者の手段では、 電解メツキ処理によって短総 9 8および表面電極部 9 6を形成する こと自体が困難となる。
このような問題を解決するため、 下記先行文献 5および下記先行文献 6において、 それ ぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体 が配置されてなるシート状コネクターが提案されている。
下記先行文献 5に記載されたシート状コネクターは、 以下のようにして製造される。 図 5 2 ( a ) に示すように、 絶縁性シート 9 1の表面にレジスト膜 9 3 Aおよび表面側 金属層 9 2 Aがこの順で形成され、 当該絶縁性シート 9 1の裏面に裏面側金属層 9 2 Bが 積層されてなる積層体 9 0 Bを用意し、 図 5 2 (b ) に示すように、 この積層体 9 0 Bに おける裏面側金属層 9 2 B、 絶縁性シート 9 1およびレジスト膜 9 3 Aの各々に互いに連 通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、 当纖層体 9 0 Bの裏面に、 形成 すべき β¾構造体の短&^およぴ表面 部に適合するテーパ状の形態を有する電 造 体形成用凹所 9 0 Kを形成する。 次いで、 図 5 2 ( c ) に示すように、 この積層体 9 0 B における表面側金属層 9 2 Aを電極としてメツキ処理することにより、 電浦造体形成用 凹所 9 0 Kに金属を充填して表面電極部 9 6および短絡部 9 8を形成する。 そして、 この 積層体における裏面側金属層にエッチング処理を施してその一部を除去することにより、 図 5 2 ( d ) に示すように、 裏面 β¾部 9 7を形成し、 以てシート状コネクターが得られ る。
また、 下記先行文献 6に記載されたシート状コネクタ一は、 以下のようにして製造され る。
図 5 3 ( a ) に示すように、 形成すべきシート状コネクターにおける絶縁性シートより 大きい厚みを有する絶縁性シート材 9 1 Aの表面に表面側金属層 9 2 Aが形成され、 当該 絶縁性シート材 9 1 Aの裏面に裏面側金属層 9 2 Bが積層されてなる積層体 9 0 Cを用意 し、 図 5 3 ( b ) に示すように、 この積層体 9 0 Cにおける裏面側金属層 9 2 Bおよぴ絶 縁性シ一ト材 9 1 Aの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することによ り、 当纖層体 9 0。の裏画こ、 形成すべき電騰造体の短儲 Bおよび表面電極部に適合 するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所 9 0 Kを形成する。 次いで、 この積層 体 9 O Cにおける表面側金属層 9 2 Aを電極としてメツキ処理することにより、 図 5 3 ( c ) に示すように、 電極構造体形成用凹所 9 0 Kに金属を充填して表面電極部 9 6および 短総 9 8を形成する。 その後、 この積層体 9 0 Cにおける表面側金属層 9 2 Aを除去す ると共に、 絶'縁性シート材 9 1 Aをエッチング処理して当該絶縁性シートの表面側部分を 除去することにより、 図 5 3 ( d ) に示すように、 所要の厚みの絶縁性シート 9 1を形成 すると共に、 表面電極部 9 6を露出させる。 そして、 裏面側金属層 9 2 Bをエッチング処 理することにより、 裏面電極部を形成し、 以てシート状コネクターが得られる。
このようなシート状コネクターによれば、 表面電極部がテーパ状のものであるため、 径 が小さくて突出高さが高レヽ表面電極部を、 «する電»造体の表面電極部との離間距離 が十分に確保された状態で形成することができると共に、 当該 構造体の各々の表面電 極部は、 積層体に形成された電極構造体形成用凹所をキヤビティとして成形されるため、 表面電極部の突出高さのパラツキが小さ ヽ 構造体が得られる。
しかしながら、 これらのシート状コネクターにおいては、 電極構造体における表面電極 部の径が短&¾の径すなわち絶縁性シートに形成された貫通孔の径と同等またはそれより 小さいものであるため、 電 造体が絶縁性シートの裏面から脱落してしまい、 当該シー ト状コネクターを実際上使用することは困難である。
先行文献 1 特開平 7 _ 2 3 1 0 1 9号公報
先行文献 2 特開昭 5 1— 9 3 3 9 3号公報
先行文献 3 特開昭 5 3 _ 1 7 7 7 2号公報
先行文献 4 特開昭 6 1 - 2 5 0 9 0 6号公報
先行文献 5 特開平 1 1一 3 2 6 3 7 8号公報
先行文献 6 特開 2 0 0 2 - 1 9 6 0 1 8号公報 発 明 の 開 示
本発明は、 以上のような事情に基づいてなされたものであって、 その第 1の目的は、 径 が小さレヽ表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、 小さいピッチで «®が 形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、 しか も、 電«造体が絶縁性シートから脱落することがなくて高い耐久性が得られるシート状 コネクターを ¾ ^することにある。
本発明の第 2の目的は、 径が小さくて突出高さのパラツキが小さレ、表面電極部を有する 電極構造体を形成することができ、 小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても 安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、 しかも、 電極構造体が絶縁性シート から脱落することのなくて高い耐久性が得られるシート状コネクターを製造することがで きる方法を^^することにある。
本発明の第 3の目的は、 上記のシート状コネクターを具えた回路検査用プローブを提供 することにある。
本発明の第 4の目的は、 上記の回路検査用プローブを具えた回路装置の検査装置を提供 することにある。
本発明のシ一ト状コネクタ一は、 絶縁性シートと、 この絶縁性シートにその面方向に互 いに離間して配置された、 当該絶縁性シートの厚み方向に貫通して伸びる複数の電 造 体とを有するシート状コネクターであって、
廳己應構造体の各々は、 前記絶縁性シートの表面に露出し、 当纖縁性シートの表面 から突出する表面 «@部と、 前記絶縁性シートの裏面に露出する裏面電極部と、 前記表面 電極部の基端から連続して前記絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、 前記裏面電 極部に連結された 部と、 前記表面 «@部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの 表面に沿って外方に伸びる保持部とよりなることを特徴とする。
本発明のシート状コネクターにおいては、 電極構造体における表面電極部は、 その基端 から先端に向かうに従つて/ J となる形状のものであることが好ましレ、。
また、 電極構造体における表面電極部の基端の径1^ に対する表面電極部の先端の径 R 2 の比 R2 /R i の値が 0. 1 1〜0. 5 5であることが好ましい。
また、 電極構造体における表面電極部の基端の径 に対する表面電極部の突出高さ h の比 hZR の値が 0. 2〜 3であることが好ましい。
また、 電極構造体における短絡部は、 絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って小 径となる形状のものであってもよい。
また、 絶縁性シートはエッチング可能な高分子材料よりなるものであることが好ましく 、 特にポリイミドよりなることが好ましい。
本発明のシート状コネクターの製造方法は、 上記のシート状コネクターを製造する方法 であって、
少なくとも 生シートと、 この絶縁性シートの表面に形成された第 1の表面側金属層 と、 この第 1の表面側金属層の表面に形成された絶縁層と、 この絶,の表面に形成され た第 2の表面側金属層とを有する積層体を用意し、
この積層体における絶縁性シート、 第 1の表面側金属層および絶^ ϋの各々に互レ、に連 通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、 当 層体の裏面に電 «造体形 成用凹所を形成し、
この積層体に対し、 その第 2の表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して電 造 体形成用凹所に金属を充填することにより、 絶縁十生シートの表面から突出する表面電極部 およびその基端から連続して当該絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を 形成し、
この積層体から tij¾第 2の表面側金属層おょぴ前記絶縁層を除去することにより、 前記 表面電極部おょぴ ttlfS第 1の表面側金属層を露出させ、 その後、 当該第 1の表面側金属層 にエッチング処理を施すことにより、 t&f己表面 部の基端部分から連続して tin己絶縁性 シートの表面に沿って外方に伸びる保持部を形成する工程を有することを樹敫とする。 本発明のシート状コネクターの製造方法においては、 電 造体形成用凹所における絶 縁層の貫通孔が、 当該fe椽層の裏面から表面に向かうに従って/ > ^となる形状に形成され ることが好ましい。
このようなシート状コネクターの製 法においては、 積層体としてその絶 がエツ チング可能な高分子材料よりなるものを用い、 電極構造体形成用凹所における絶縁層の貫 通孔がエッチングにより形成されることが好ましい。
また、 本発明のシート状コネクターの製造方法においては、 電極構造体形成用凹所にお ける絶縁性シートの貫通孔が、 当該絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従つて/ J と なる形状に形成されることが好ましい。
このようなシート状コネクターの製 法においては、 積層体としてその絶縁性シート がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、 電極構造体形成用凹所における絶縁 性シートの貫通孔がエッチングにより形成されることが好ましい。
本発明のシート状コネクターの製造方法は、 上記のシート状コネクターを製造する方法 であって、
少なくとも絶縁性シートと、 この絶縁性シートの表面こ形成された表面側金属層と、 こ の表面側金属層の表面に形成された絶縁層と、 tfjf己絶縁性シートの裏面に形成された裏面 側金属層とを有する積層体を用意し、
この積層体における絶縁層、 表面側金属層おょぴ絶縁性シートの各々に互いに連通する 厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、 当該積層体の表面に電極構造体形成用凹 所を形成し、
この積層体に対し、 裏面側金属層を電極としてメツキ処理を施して電極構造体形成用凹 所に金属を充填することにより、 fe禄性シ一トの表面から突出する表面電極部およびその 基端から連続して当該絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びる短 を形成し、 この積層体から絶縁層を除去することにより、 前記表面 部おょぴ前記表面側金属層 を露出させ、 その後、 当該表面側金属層にエッチング処理を施すことにより、 Ιΐίϊ己表面電 極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部を形成 する工程を有することを特徴とする。
本発明の回路検查用プローブは、 検 象である回路装置とテスターとの電気的接続を 行うための回路検査用プロープであって、
検¾¾象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回 路 反と、 この検査用回路 上に配置された異方導電性コネクターと、 この異方導電生 コネクター上に配置された、 上記のシート状コネクターとを具えてなることを樹敫とする 本発明の回路検査用プロ一プにおレヽては、 検査対象である回路装置が多数の集積回路が 形成されたウェハである齢には、 異方導電性コネクタ一は、 検査纖であるウェハに形 成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域 に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、 このフレーム板の各開口を塞ぐよう配 置された異方導電生シ一トとを有してなることが好ましい。
本発明の回路装置の検査装置は、 上記の回路検査用プローブを具えてなることを ί と する。
' 発 明 の 効 果
本発明のシート状コネクターによれば、 電極構造体には、 表面電極部の基端部分から連 続して sm性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部が形成されているため、 当該表面 電極部の径が小さいものであっても、 当該 構造体が絶縁性シートから脱落することが なくて高い耐久性が得られる。
また、 小さい径の表面電極部を形成することが可能であることにより、 する表面電 極部の間の離間距離が十分に確保されるため、 絶縁性シートによる柔軟性が十分に発揮さ れ、 その結果、 小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状 態を確実に達成することができる。
本発明のシート状コネクターの製 法によれば、 絶縁性シートを有する積層体に予め 電極構造体形成用凹所を形成し、 当該電極構造体形成用凹所をキヤビティとして表面電極 部を形成するため、 径が小さくて突出高さのパラツキが小さい表面 部が得られる。 また、 絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層をエッチング処理することにより 、 表面電極部の基端部分から連続して絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部を 確実に形成することができるため、 当該表面電極部の径が小さいものであっても、 当該電 極構造体が絶縁性シートから脱落することがなくて高い耐久性を有するシート状コネクタ 0
一を製造することができる。
本発明の回路検査用プローブによれば、 上記のシート状コネクターを具えてなるため、 小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成 することができ、 し力、も、 シート状コネクターにおける電 造体が脱落することがない ので、 高い耐久性が得られる。
本発明の回路装置の検査装置によれば、 上記の回路検査用プローブを具えてなるため、 小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成 することができ、 しカゝも、 の回路装置の検査を行う でも、 長期間にわたって信頼 性の高い検査を^ Ϊすることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に係るシート状コネクターの第 1の例における構成を示す説明用断面図 である。
図 2は、 第 1の例のシート状コネクターの電極構造体を拡大して示す説明用断面図であ る。
図 3は、 第 1の例のシート状コネクターを製造するための積層体の構成を示 明用断 面図である。
図 4は、 図 3に示す積層体の両面にエッチング用のレジスト膜が形成された状態を示す 説明用断面図である。
図 5は、 積層体における裏面側金属層に貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図で ある。
図 6は、 積層体における絶縁性シートに貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図で ある。
図 7は、 積層体における第 1の表面側金属層に貫通孔が形成された状態を示す説明用断 面図である。
図 8は、 積層体における纖層に貫通孔カ S形成されて電漏造体形成用凹所が形成され た状態を示す説明用断面図である。
図 9は、 電極構造体形成用凹所が形成された積層体の両面にメツキ用のレジスト膜が形 成された状態を示 明用断面図である。 図 l oは、 m¾構造体形成用凹所に金属が充填されて表面電極部および短 ί&^が形成さ れた状態を示 t¾明用断面図である。
図 1 1は、 裏面電極部の表面にレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である 図 1 2は、 裏面側金属層が除去されて互いに分離した複数の裏面電極部が形成された状 態を示す説明用断面図である。
図 1 3は、 積層体から絶縁層が除去された状態を示- m明用断面図である。
図 1 4は、 第 1の表面側金属層および表面電極部の表面上にエッチング用のレジスト膜 が形成された状態を示 明用断面図である。
図 1 5は、 第 1の表面側金属層がエッチング処理されて保持部が形成された状態を示す 説明用断面図である。
図 1 6は、 本発明に係るシート状コネクターの第 2の例における構成を示す説明用断面 図である。
図 1 7は、 第 1の例のシート状コネクターを製造するための積層体を示す説明用断面図 である。
図 1 8は、 図 1 7に示す積層体における絶縁層に貫通孔が形成された状態を示す説明用 断面図である。
図 1 9は、 積層体における表面側金属層に貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図 である。
図 2 0は、 積層体における絶縁性シートに貫通孔が形成されて電極構造体形成用凹所が 形成された状態を示す説明用断面図である。
図 2 1は、 電極構造体形成用凹所に金属が充填されて表面電極部用導体および短^^が 形成された状態を示す説明用断面図である。
図 2 2は、 積層体から絶 が除去された状態を示す説明用断面図である。
図 2 3は、 表面側金属層および表面電極部用導体の表面上にエッチング用のレジスト膜 が形成された状態を示 ·η¾明用断面図である。
図 2 4は、 表面側金属層がエッチング処理されて保持部が形成された状態を示す説明用 断面図である。
図 2 5は、 表面 部用導体が S»エッチング処理されて表面電極部が形成された状態 を示す説明用断面図である。
図 2 6は、 裏面側金属層の表面にパターユングされたエッチング用のレジスト膜が形成 され、 絶縁性シート、 表面 部およ ΙΗ¾持部の表面にエッチング用のレジスト膜が形成 された状態を示す説明用断面図である。
2 7は、 裏面側金属層が除去されて裏面電極部が形成された状態を示す説明用断面図 である。
図 2 8は、 本発明に係るシート状コネクターの第 3の例における構成を示す説明用断面 図である。
図 2 9は、 第 3の例のシート状コネクターを製造するための積層体の構成を示す説明用 断面図である。
図 3 0は、 図 2 9に示す積層体に電極構造体形成用凹所を形成する工程を示 ·Π¾明用断 面図である。
図 3 1は、 構造体形成用凹所が形成された積層体の両面にメツキ用のレジスト膜が 形成された状態を示す説明用断面図である。
図 3 2は、 電極構造体形成用凹所に金属が充填された状態を示す説明用断面図である。 図 3 3は、 第 2の表面側金属層、 裏面電極部おょぴ表面側金属層の各々の表面上にエツ チング用のレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。
図 3 4は、 第 2の表面側金属層がエッチング処理されて、 中央部分から突出する先端部 分を有する表面電極部用導体が形成された状態を示す説明用断面図である。
図 3 5は、 第 1の表面側金属層および表面電極部用導体の表面上にエッチング用のレジ スト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。
図 3 6は、 第 1の表面側金属層がエッチング処理されて保持部が形成された状態を示す 説明用断面図である。
図 3 7は、 表面電極部用導体が電解エッチング処理されて表面電極部が形成された状態 を示す説明用断面図である。
図 3 8は、 裏面 β部の表面にエッチング用のレジスト膜が形成され、 絶縁 f生シート、 表面電極部およ m¾持部の表面にエッチング用のレジスト膜が形成された状態を示 ·η¾明 用断面図である。
図 3 9は、 裏面側金属層が除去されて互いに分離した裏面電極部が形成された状態を示 す説明用断面図である。
図 4 0は、 本発明に係るシート状コネクターの第 4の例における構成を示す説明用断面 図である。
図 4 1は、 本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図で ある。
図 4 2は、 図 4 1に示す検査装置における回路検査用プローブを拡大して示す説明用断 面図である。
図 4 3は、 図 4 2に示す回路検査用プローブにおける異方導電' I生コネクターの平面図で ある。
図 4 4は、 実施例で作製した試験用ウェハを示す平面図である。
図 4 5は、 図 4 4に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を 示す説明図である。
図 4 6は、 図 4 4に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極の配置パター ンを示 明図である。
図 4 7は、 実施例で した異方導電性コネクタ一におけるフレーム板を示す平面図で ある。
図 4 8は、 図 4 7に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図で る。
図 4 9は、 従来の回路検査用プローブの一例における構成を示す説明用断面図である。 図 5 0は、 従来のシート状コネクターの製造例を示す説明用断面図である。
図 5 1は、 図 4 9に示す回路検查用プローブにおけるシート状コネクターを拡大して示 す説明用靳面図である。
図 5 2は、 従来のシート状コネクターの他の製造例を示 1¾明用断面図である。
図 5 3は、 従来のシート状コネクターの更に他の製造例を示す説明用断面図である。
[符号の説明]
1 回路検査用プローブ
3 加圧板
4 ウェハ载置台
5 カ瞧器
6 ウェハ 7 搬査«¾
0 シート状コネクター
OA, 1 OB 積層体
0K 電極構造体形成用凹所
1 絶縁性シート
1H 貫通孔
2A, 12 B, 12 C, 12D, 12E レジス3, 13A, 13B, 13C, 13D レジス 3K パターン孔
4A, 14B, 14C レジスト膜
4K パターン孔
5 電極構造体
6 表面電極部
6B 絶縁層
6A 第 2の表面側金属層
6 H 貫通孔
6M 表面電極部用導体
7 裏面電極部
7A 裏面側金属層
7H 貫通孔
8 短鶴
9 保持部
9A 第 1の表面側金属層
9 B 表面側金属層
9H 貫通孔
0 検査用回路蔵
1 検査電極
0 異方導電生コネクター
1 フレーム板 5 2 開口
3 空気流入孔
5 異方導電性シート
6 導電部
7 絶縁部
8 突出部
0 異方導電性シート
5 検査用回路鎌
6 検査電極
0 シート状コネクター
OA, 9 OB, 90 C 積層体
0K 電極構造体形成用凹所
1 絶縁性シート
1 A 絶縁性シート材
2, 92 A, 92B 金属層
3, 93 A レジスト膜
4A, 94B レジスト膜
5 m¾構造体
6 表面電極部
7 裏面電極部
8 短絡部
8 H 貫通孔
L 集積回路
P 導電性粒子 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態について詳細に説明する。
〔シート状コネクター〕
図 1は、 本発明に係るシート状コネクターの第 1の例における構成を示 明用断面図 であり、 図 2は、 第 1の例のシート状コネクターにおける電極構造体を拡大して示す説明 用断面図である。
この第 1の例のシート状コネクター 1 0は、 回路装置の電気的検査を行うためのプロ一 プに用いられるものであって、 柔軟な絶縁性シート 1 1を有し、 この絶縁性シート 1 1に は、 当該絶縁性シート 1 1の厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体 1 5力 検 查¾^である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて、 当該絶縁性 シート 1 1の面方向に互いに離間して配置されている。
電極構造体 1 5の各々は、 絶縁性シート 1 1の表面に露出し、 当該絶縁性シート 1 1の 表面から突出する突起状の表面電極部 1 6と、 絶縁性シート 1 1の裏面に露出する矩形の 平板状の裏面電極部 1 7と、 表面電極部 1 6の基端から連続して前記絶縁性シート 1 1を その厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部 1 7に連結された短!^ |U 8と、 表面電極部 1 6の基端部分の周面から連続して絶縁性シート 1 1の表面に沿って外方に放射状に伸びる 円形リング板状の保持部 1 9とにより構成されている。 この例の電^ f造体 1 5において は、 表面電極部 1 6 、 am 1 8に連続して基端から先端に向かうに従つて小径となる テーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、 当該表面電極部 1 6の基端に連続する短絡 部 1 8力 絶縁†生シート 1 1の他面から一面に向かうに従って/ となるテーパ状とされ て全体が円錐台状に形成されており、 表面電極部 1 6の基端の径 力 S当該基端に連続す る短格部 1 8の一端の径 3 と同一とされている。
絶縁†生シート 1 1としては、 絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるもので はなく、 例えばポリイミド樹脂、 液晶ポリマー、 ポリエステル、 フッ素系樹脂などよりな る樹 ϋ旨シート、 »を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用い.ることがで きるが、 短絡部 1 8を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することがで きる点で、 エッチング可能な材料よりなることが好ましく、 特にポリイミドが好ましい。 また、 絶縁'性シート 1 1の厚み dは、 当該絶縁'性シート 1 1が柔軟なものであれば特に 限定されないが、 1 0〜5 であることが好ましく、 より好ましくは 1 0〜2 5 m である。
電極構造体 1 5を構成する金属としては、 ニッケル、 銅、 金、 銀、 ノ ラジウム、 鉄など を用いることができ、 m@構造体 1 5としては、 全体が単一の金属よりなるものであって も、 2種以上の金属の合金よりなるものまたは 2種以上の金属が積層されてなるものであ つてもよい。
また、 電極構造体 1 5における表面電極部 1 6および裏面電極部 1 7の表面には、 当該 電極部の酸化を防止すると共に、 難抵抗の小さい電極部を得るために、 金、 銀、 パラジ ゥムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属ネ«が形成されていてもよい。
電極構造体 1 5において、 表面 部 1 6の基端における径1^ に対する先端における 径 R2 の比 (R2 ZR ) は、 0. 1 1〜0. 5 5であること力 S好ましく、 より好ましく は 0. 1 5〜0. 4である。 このような条件を満足することにより、 接続すべき回路装置 がピッチが小さくて微小な電極を有するものであっても、 当該回路装置に対して安定な電 気的接続状態力 S確実に得られる。
また、 表面電極部 1 6の基端の径1^ は、 当該電極構造体 1 5のピッチの 3 0〜 7 0 % であることが好ましく、 より好ましくは 3 5〜6 0 %である。
また、 表面 β部 1 6の基端における径 に対する突出高さ hの比 liZR i は、 0. 2〜0. 8であることが好ましく、 より好ましくは 0 . 2 5〜0. 6である。 このような 条件を満足することにより、 接続すべき回路装置がピツチが小さくて微小な電極を有する ものであっても、 当該電極のパターンに対応するパターンの電極構造体 1 5を容易に形成 することができ、 当該回路装置に対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。 表面電極部 1 6の基端の径 は、 上記の条件や接続すべき電極の直径などを勘案して 設定されるが、 例えば 3 0〜8 0 μ πιであり、 好ましくは 3 0〜5 である。
表面電極部 1 6の突出高さ hの高さは、 接続すべき Λに対して安定な電気的接続を達 成することができる点で、 1 5〜5 0 μ πιであることが好ましく、 より好ましくは 1 5〜 3 0 mである。
また、 裏面 部 1 7の^ gR 5 は、 当該裏面電極部 1 7に連結された短 ¾¾ 1 8の他 端の径 R4 より大きく、 つ、 電; 造体 1 5のピッチより小さいものであればよいが、 可能な限り大きいものであることが好ましく、 これにより、 例えば異方導電性シートに対 しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。
また、 裏面電極部 1 7の厚み D 2 は、 強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得ら れる点で、 1 0〜4 0 z mであることが好ましく、 より好ましくは 1 5〜3 5 μ πιである また、 短総 1 8の他端の径 R4 に対する一端の径 R3 の比 R3 /R4 は、 0. 4 5〜 1であることが好ましく、 より好ましくは 0. 7〜0. 9である。
また、 短絡部 1 8の一端の径 R 3 は、 当該電極構造体 1 5のピッチの 3 0〜 7 0 %であ ることが好ましく、 より好ましくは 3 5〜6 0 %である。
また、 保持部 1 9の径 R6 は、 当該電極構造体 1 5のピッチの 3 0〜 7 0 %であること が好ましく、 より好ましくは 4 0〜6 0 %である。
また、 保持部 1 9の厚み は、 3〜1 であることが好ましく、 より好ましくは 5 ~ 9 μ mでめ ο。
このようなシート状コネクター 1 0によれば、 電極構造体 1 5には、 表面電極部 1 6の 基端部分から連続して絶縁性シート 1 1の表面に沿って外方に伸びる保持部 1 9が形成さ れているため、 当該表面電極部 1 6の径が小さいものであっても、 当該電«造体 1 6が 絶縁性シート 1 1の裏面から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
また、 径の小さレ、表面電極部 1 6を有することにより、 瞧する表面電極部 1 6の間の 離間距離が十分に確保されるため、 絶縁性シート 1 1による柔軟性が十分に発揮され、 そ の結果、 小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確 実に達成することができる。
上記の第 1の例のシート状コネクター 1 0は、 例えば以下のようにして製造することが できる。
先ず、 図 3に示すように、 絶 シート 1 1と、 この絶像' [·生シート 1 1の表面に形成さ れた第 1の表面側金属層 1 9 Αと、 この第 1の表面側金属層 1 9 Aの表面に形成された絶 縁層 1 6 Bと、 この絶,欄 1 6 Bの表面に形成された第 2の表面側金属層 1 6 Aと、 絶縁 性シート 1 1の裏面に形成された裏面側金属層 1 7 Aとよりなる積層体 1 0 Aを用意する この積層体 1 O Aにおいて、 第 1の表面側金属層 1 9 Aは、 形成すべき電極構造体 1 5 における保持部 1 9の厚みと同等の厚みを有するものとされ、 絶縁層 1 6 Bは、 当 縁 層 1 6 Bの厚みと第 1の表面側金属層 1 9 Aの厚みとの合計の厚みが、 形成すべき 構 造体 1 5における表面 部 1 6の突出高さと同等となるものとされ、 裏面側金属層 1 7 Aは、 形成すべき電極構造体 1 5における裏面廳部 1 7の厚みより小さレ、厚みを有する ものとされる。
また、 絶縁性シート 1 1を構成する材料としては、 エッチング可能な高分子材料を用い ることが好ましく、 より好ましくはポリイミドである。
また、 絶縁層 1 6 Bを構成する材料としては、 エッチング可能な高分子材料を用いるこ とが好ましく、 より好ましくはポリイミドである。
このような積層体 1 0 Aは、 一般に市販されている両面に例えば銅よりなる金属層が積 層された積層ポリイミドシートと、 一面に例えば銅よりなる金属層力 S積層された積層熱可 塑性ポリイミドシートとを用意し、 積層ポリイミドシートの一方の金属層の表面に、 積層 熱可塑性ポリイミドシートをその金属層が積層されていなレヽ面が対接するよう配置し、 両 者を熱圧着処理することによって得ることができる。
このような積層体 1 O Aに対し、 図 4に示すように、 その第 2の表面側金属層 1 6 Aの 表面全面にエッチング用のレジスト膜 1 2 Aを形成すると共に、 裏面側金属層 1 7 Aの表 面に、 形成すべき 構造体 1 5のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン 孔 1 3 Kが形成されたエッチング用のレジスト膜 1 3を形成する。
ここで、 レジスト膜 1 2 A, 1 3を形成する材料としては、 エッチング用のフォトレジ ストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、 裏面側金属層 1 7 Aに対し、 レジスト膜 1 3のパターン孔 1 3 Kを介して露出 した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより、 図 5に示すように、 裏面側金属層 1 7 Aに、 それぞれレジスト膜 1 3のパターン孔 1 3 Kに連通する複数の貫 通孔 1 7 Hが形成される。 その後、 絶縁性シート 1 1に対し、 レジスト膜 1 3の各パター ン孔 1 3 Kおよび裏面側金属層 1 7 Aの各貫通孔 1 7 Hを介して露出した部分にエツチン グ処理を施して当該部分を除去することにより、 図 6に示すように、 絶縁性シート 1 1に 、 それぞれ裏面側金属層 1 7 Aの貫通孔 1 7 Hに連通する、 当該絶縁性シート 1 1の裏面 から表面に向かうに従って/ h となるテーパ状の複数の貫通孔 1 1 Hが形成される。 その 後、 第 1の表面側金属層 1 9 Aに対し、 レジスト膜 1 3の各パターン孔 1 3 K、 裏面側金 属層 1 7 Αの各貫通孔 1 7 Hおよひ色緣性シ一ト 1 1の各貫通孔 1 1 Hを介して露出した 部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより、 図 7に示すように、 第 1 の表面側金属層 1 9 Aに、 それぞれ絶縁' [4シート 1 1の貫通孔 1 1 Hに連通する複数の貫 通孔 1 9 Hが形成される。 更に、 fe禄層 1 6 Bに対し、 レジスト膜 1 3の各パターン孔 1 3 K、 裏面側金属層 1 7 Αの各貫通孔 1 7 H、 絶縁性シート 1 1の各貫通孔 1 1 Hおよび 第 1の表面側金属層 1 9 Aの各貫通孔 1 9 Hを介して露出した部分にエッチング処理を施 して当誠 β分を除去することにより、 図 8に示すように、 絶縁層 1 6 Βに、 それぞれ第 1 の表面側金属層 1 9 Αの貫通孔 1 9 Hに連通する、 絶, 1 6 Bの裏面から表面に向かう に従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔 1 6 Hが形成される。 これにより、 積層体 1 0 Aの裏面に、 それぞれ裏面佃 j金属層 1 7 Aの貫通孔 1 7 H、 絶縁' 14シート 1 1の貫通孔 1 1 H、 第 1の表面側金属層 1 9 Aの貫通孔 1 9 Hおよび絶縁層 1 6 Bの貫通孔 1 6 Hが 連通されてなる複数の電極構造体形成用凹所 1 O Kが形成される。
以上において、 裏面側金属層 1 7 Aおよび第 1の表面側金属層をエッチング処理するた めのエッチング剤としては、 これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、 これ らの金属層が例えば銅よりなるものである場合には、 塩化第二^ l裔夜を用いることがで きる。
また、 絶 ,镓'(4シート 1 1および絶漏冒 1 6 Bをエッチング処理するためのエッチング液 としては、 ヒドラジン系水^ ¾を用いることができ、 エッチング処 件を選択すること により、 絶縁性シ一ト 1 1および絶縁層 1 6 Bに、 それぞれ裏面から表面に向かうに従つ て小径となるテーパ状の貫通孔 1 1 H, 1 6 Hを形成することができる。
このようにして電極構造体形成用凹所 1 0 Kが形成された積層体 1 O Aからレジスト膜 1 2 A, 1 3を除去し、 その後、 図 9に示すように、 当該積層体 1 O Aに、 その第 2の表 面側金属層 1 6 Aの表面全面を覆うよう、 メツキ用のレジスト膜 1 2 Bを形成すると共に 、 裏面側金属層 1 7 Aの表面に、 形成すべき電 造体 1 5における裏面電極部 1 7のパ ターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 1 4 Kが形成されたメツキ用のレジ スト膜 1 4 Aを形成する。
ここで、 レジスト膜 1 2 B, 1 4 Aを形成する材料としては、 メツキ用のフォトレジス トとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、 積層体 1 O Aに対し、 第 2の表面側金属層 1 6 Aを讓として、 電解メツキ処 理を施して各電極構造体形成用凹所 1 0 Kおよびレジスト膜 1 4 Aの各パターン孔 1 4 K 内に金属を充填することにより、 図 1 0に示すように、 絶縁性シート 1 1の表面から突出 する突起状の複数の表面電極部 1 6、 当該表面 ¾g部 1 6の各々の基端に連続して絶縁性 シート 1 1をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部 1 8および当該短総 1 8の各々の他 端に連結された裏面電極部 1 7力 S形成される。 ここで、 裏面電極部 1 7の各々は、 裏面側 金属層 1 7 Aを介して互いに連結された状態である。 2 このようにして表面 ¾@部 1 6、 短総 β 1 8および裏面電極部 1 7が形成された積層体 1 O A力、らレジスト膜 1 2 Β, 1 4 Αを除去し、 その後、 裏面電極部 1 7を覆うよう、 パ ターユングされたエッチング用のレジスト膜 1 4 Bを形成し、 第 2の表面側金属層 1 6 A および裏面側金属層 1 7 Aにェツチング処理を施すことにより、 図 1 2に示すように、 第 2の表面側金属層 1 6 Aの全部を除去すると共に、 裏面側金属層における露出した部分を 除去し、 これにより、 互いに分離した複数の裏面電極部 1 7が形成される。
次いで、 絶 1 6 Bに対してエッチング処理を施してその全部を除去すると共に、 レ ジスト膜 1 4 Bを除去することにより、 図 1 3に示すように、 表面電極部 1 6、 第 1の表 面側金属層 1 9 Aおよび裏面電極部 1 7を露出し、 その後、 図 1 4に示すように、 表面電 極部 1 6および第 1の表面側金属層 1 7 Aにおける保持部 1 9となるべき部分を覆うよう 、 パターニングされたエッチング用のレジスト膜 1 2 Cを形成すると共に、 絶縁性シート 1 1の裏面および裏面電極部 1 7の全面を覆うよう、 エッチング用のレジスト膜 1 4 Cを 形成する。 その後、 第 1の表面側金属層 1 7 Aにエッチング処理を施して露出した部分を 除去することにより、 表面電極部 1 6の基端部分の周面から連続して当該絶縁性シート 1 1の表面に沿って外方に ¾ t状に伸びる保持部 1 9が形成され、 以て電極構造体 1 5が形 成される。
そして、 表面電極部 1 6およ 持部 1 9からレジスト膜 1 2 Cを除去すると共に、 絶 縁性シート 1 1の裏面および裏面 «部 1 7からレジスト膜 1 4 Cを除去することにより 、 図 1に示すシート状コネクター 1 0が得られる。
このような方法によれば、 絶縁性シート 1 1を有する積層体 1 0 Aに予め電極構造体形 成用凹所 1 O Kを形成し、 当該電極構造体形成用凹所 1 O Kをキヤビティとして表面電極 部 1 6を形成するため、 径が小さくて突出高さのパラツキが小さレ、表面電極部 1 6が得ら れる。
また、 絶縁性シート 1 1の表面に形成された第 1の表面側金属層 1 9 Aをエッチング処 理することにより、 表面電極部 1 6の基端部分から連続して絶縁性シートの表面に沿つて 外方に伸びる保持部 1 9を確実に形成することができるため、 当該表面電極部 1 6の径が 小さいものであっても、 当該電極構造体 1 5が 生シート 1 1から脱落することがなく て高い耐久性を有するシート状コネクター 1 0を製造することができる。
図 1 6は、 本発明に係るシート状コネクターの第 2の例における構成を示す説明用断面 図である。
この第 2の例のシート状コネクター 1 0は、 回路装置の電気的検查を行うためのプロ一 ブに用いられるものであって、 柔軟な絶縁性シート 1 1を有し、 この絶縁'性シート 1 1に は、 当該絶縁性シート 1 1の厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体 1 5力 検 查 である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、 当該絶縁性 シート 1 1の面方向に互いに離間して配置されている。
電極構造体 1 5の各々は、 絶縁性シート 1 1の表面に露出し、 当該絶縁性シート 1 1の 表面から突出する突起状の表面電極部 1 6と、 絶縁性シート 1 1の裏面に露出する矩形の 平板状の裏面 ®S部 1 7と、 表面電極部 1 6の基端から連続して前記絶 f像性シート 1 1を その厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部 1 7に連結された円柱状の短絡部 1 8と、 表面 電極部 1 6の基端部分の周面から連続して絶縁性シート 1 1の表面に沿って外方に ¾f状 に伸びる円形リング板状の保持部 1 9とにより構成されてレ、る。 この例の電極構造体 1 5 においては、 表面電極部 1 6における先端部分が先端に向かうに従って小径となる略半球 状に形成されており、 表面電極部 1 6の基端の径が当該基端に連続する»¾51 8の一端 の径と同一とされている。
上記の第 2の例のシート状コネクター 1 0は、 例えば以下のようにして製造することが できる。
先ず、 図 1 7に示すように、 エッチング可能な高分子材料例えばポリイミドよりなる絶 縁性シ一ト 1 1と、 この絶縁性シート 1 1の表面に形成された表面側金属層 1 9 Bと、 こ の表面側金属層 1 9 Bの表面に形成された例えばレジストよりなる絶縁層 1 6 Bと、 絶縁 性シート 1 1の裏面に形成された裏面側金属層 1 7 Aと、 この裏面側金属層 1 7 A上に形 成されたレジスト膜 1 3 Aとよりなる積層体 1 O Bを用意する。
この積層体 1 0 Bにおいて、 表面側金属層 1 9 Bは、 形成すべき電極構造体 1 5におけ る保持部 1 9の厚みと同等の厚みを有するものとされ、 絶縁層 1 6 Bは、 当該絶縁層 1 6 Bの厚みと第 1の表面側金属層 1 9 Aの厚みとの合計の厚みが、 形成すべき電麵造体 1 5における表面電極部 1 9の突出高さと同等となるものとされ、 裏面側金属層 1 7 Aは、 形成すべき電 造体 1 5における裏面電極部 1 7の厚みと同等の厚みを有するものとさ れる。
次いで、 絶^ ϋ ΐ 6 Bに対してフォトリソグラフィー (露光処理おょぴ現像処理) を施 すことにより、 図 1 8に示すように、 絶縁層 1 6 Bに、 形成すべき電極構造体 1 5におけ る表面 部 1 6のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔 1 6 Hが形成され る。 その後、 表面側金属層 1 9 Bに対し、 絶縁層 1 6 Bの各貫通孔 1 6 Hを介して露出し た部分にェツチング処理を施して当該部分を除去することにより、 図 1 9に示すように、 表面側金属層 1 9 Bにそれぞれ絶^ i 1 6 Bの貫通孔 1 6 Hに連通する複数の貫通孔 1 9 Hが形成される。 その後、 絶縁 '性シート 1 1に対し、 絶縁層 1 6 Bの各貫通孔 1 6 Hおよ ぴ表面側金属層 1 9 Bの各貫通孔 1 9 Hを介して露出した部分にェツチング処理を施して 当該部分を除去することにより、 図 2 0に示すように、 絶縁性シート 1 1に、 それぞれ表 面側金属層 1 9 Bの貫通孔 1 9 Hに連通する複数の貫通孔 1 1 Hが形成される。 これによ り、 積層体 1 0 Bの表面に、 それぞれ絶縁層 1 6 Bの貫通孔 1 6 H、 表面側金属層 1 9 B の貫通孔 1 9 Hおよび絶縁性シート 1 1の貫通孔 1 1 Hが連通されてなる複数の電 造 体形成用凹所 1 0 Kが形成される。
このようにして 構造体形成用凹所 1 0 Kが形成された積層体 1 0 Bに対し、 裏面側 金属層 1 7 Aを電極として、 電解メツキ処理を施して各電賺造体形成用囬所 1 0 Κ内に 金属を充填することにより、 図 2 1に示すように、 絶縁性シート 1 1の表面から突出する 円柱状の複数の表面電極部用導体 1 6 Μ、 および当該表面電極部用導体 1 6Μの各々の基 端に連続して絶縁性シート 1 1をその厚み方向に貫通して伸ぴ、 裏面側金属層 1 7 Αに連 結された短絡部 1 8力 S形成される。
このようにして表面電極部用導体 1 6 Mおよび短絡部 1 8および裏面電極部 1 7が形成 された積層体 1 0 Bから絶編 1 6 Bを除去することにより、 図 2 2に示すように、 表面 電極部用導体 1 6 Mおよび表面側金属層 1 9 Bを露出し、 その後、 図 2 3に示すように、 表面電極部用導体 1 6 Mおよび表面側金属層 1 9 Bにおける保持部 1 9となるべき部分を 覆うようパター-ングされたレジスト膜 1 3 Bを形成する。 その後、 表面側金属層 1 9 A にエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、 図 2 4に示すように、 表 面電極部用導体 1 6 Mの基端部分の周面から連続して当該絶縁性シート 1 1の表面に沿つ て外方に ¾ 状に伸びる保持部 1 9が形成される。 そして、 レジスト膜 1 3 Bを除去して 各表面電極部用導体 1 6Mおよび^:持部 1 9を露出させた後、 電解エッチング処理を施 して当該表面電極部用導体 1 6 Mの各々を成形することにより、 図 2 5に示すように、 略 半球状の先端部分を有する表面電極部 1 6が形成される。 次いで、 絶縁性シート 1 1の裏面に掲載されたレジスト膜 1 3 Aにフォトリソグラフィ 一を施すことにより、 図 2 6に示すように、 裏面側金属層 1 7 Aにおける裏面電極部とな るべき部分を覆うようパターユングされたレジスト膜 1 3 Dを形成すると共に、 絶縁性シ ート 1 1の表面、 表面電極部 1 6および保持部 1 9を覆うよう、 レジスト膜 1 3 Cを形成 する。 その後、 裏面側金属層 1 7 Aにエッチング処理を施して露出した部分を除去するこ とにより、 図 2 7に示すように、 短絡部 1 8の他端に連結された裏面電極部 1 7が形成さ れ、 以て電極構造体 1 5が形成される。
そして、 絶,椽性シ一ト 1 1、 表面電極部 1 6およ Ό¾¾持部 1 9からレジスト膜 1 3 Cを 除去すると共に、 裏面電極部 1 7からレジスト膜 1 3 Dを除去することにより、 図 1 6に 示す第 2の例のシート状コネクター 1 0力 S得られる。
このような第 2の例のシート状コネクターによれば、 第 1の例のシート状コネクターと 同様の効果が得られる。
図 2 8は、 本発明に係るシート状コネクターの第 3の例における構成を示す説明用断面 図である。
この第 3の例のシート状コネクター 1 0は、 回路装置の電気的検査を行うためのプロ一 ブに用いられるものであって、 柔軟な絶縁性シート 1 1を有し、 この絶縁性シート 1 1に は、 当該絶縁性シート 1 1の厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体 1 5力^ 検 查¾ ^である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて、 当該絶縁性 シート 1 1の面方向に互いに離間して配置されている。
廳構造体 1 5の各々は、 絶縁性シート 1 1の表面に露出し、 当該絶縁性シート 1 1の 表面から突出する突起状の表面電極部 1 6と、 絶縁性シート 1 1の裏面に露出する裏面電 極部 1 7と、 表面電極部 1 6の基端から連続して前記絶縁性シート 1 1をその厚み方向に 貫通して伸びて裏面電極部 1 7に連結された円柱状の短袼部 1 8と、 表面 β¾部 1 6の基 端部分の周面から連続して絶縁性シート 1 1の表面に沿って外方に放射状に伸びる円形リ ング板状の保持部 1 9とにより構成されている。 この例の電極構造体 1 5におレ、て、 表面 電極部 1 6は、 基端側から先端側に向かって小径となる略半球状の中央部分と、 この中央 部分から突出する、 当該中央部分の径より小さレ、径を有する、 先端に向かって /J となる 略半球状の先端部分とを有し、 表面電極部 1 6の基端の径が当該基端に連続する短総 8の一端の径と同一とされている。 また、 裏面 部 1 7は、 矩形の平板状の翻部分と 、 この基端部分から突出する、 当該基端部分より小さい寸法の矩形の平板状の先端部分と を有する。
上記の第 3の例のシート状コネクター 1 0は、 例えば以下のようにして製造することが できる。
先ず、 図 2 9に示すように、 エッチング可能な高分子材料例えばポリイミドよりなる絶 縁性シート 1 1と、 この絶,椽性シ一ト 1 1の表面に形成された第 1の表面側金属層 1 9 A と、 この第 1の表面側金属層 1 9 Aの表面に形成された、 エッチング可能な高分子材^ えばポリイミドよりなる絶 6 Βと、 この絶縁層 1 6 Βの表面に形成された第 2の表 面側金属層 1 6 Αと、 絶縁性シート 1 1の裏面に形成された裏面側金属層 1 7 Aとよりな る積層体 1 O Aを用意する。
この積層体 1 O Aにおいて、 第 1の表面側金属層 1 9 Aは、 形成すべき電極構造体 1 5 における保持部 1 9の厚みと同等の厚みを有するものとされ、 絶縁層 1 6 Bは、 形成すベ き電極構造体 1 5における表面電極部 1 9の中央部分の厚み (高さ) と同等の厚みを有す るものとされ、 第 2の表面側金属層 1 6 Aは、 开成すべき電極構造体 1 5における表面電 極部 1 9の先端部分の厚み (高さ) と同等の厚みを有するものとされ、 裏面側金属層 1 7 Aは、 形成すべき電極構造体 1 5における裏面籠部 1 7の基端部分と同等の厚みを有す るものとされる。
このような積層体 1 O Aに対し、 図 3 0 ( a ) に示すように、 その第 2の表面側金属層 1 6 Aの表面全面にエッチング用のレジスト膜 1 2 Aを形成すると共に、 裏面側金属層 1 7 Aの表面に、 形成すべき電極構造体 1 5のパターンに対応するパターンに従って複数の パターン孔 1 3 Kが形成されたエッチング用のレジスト膜 1 3を形成する。
次いで、 裏面側金属層 1 7 Aに対し、 レジスト膜 1 3の各パターン孔 1 3 Kを介して露 出した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより、 図 3 0 (b ) に示 すように、 裏面側金属層 1 7 Aに複数の貫通孔 1 7 Hが形成される。 その後、 絶縁性シー ト 1 1に対し、 レジスト膜 1 3の各パターン孔 1 3 Kおよ Ό¾面側金属層 1 7 Αの各貫通 孔 1 7 Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより 、 図 3 0 ( c ) に示すように、 絶縁' I"生シート 1 1に、 それぞれ裏面側金属層 1 7 Aの貫通 孔 1 7 Hに連通する複数の貫通孔 1 1 Hが形成される。 その後、 第 1の表面側金属層 1 9 Aに対し、 レジスト膜 1 3の各パターン孔 1 3 K、 裏面側金属層 1 7 Αの各貫通孔 1 7 H および絶縁性シート 11の各貫通孔 11Hを介して露出した部分にエッチング処理を施し て当該部分を除去することにより、 図 30 (d) に示すように、 第 1の表面側金属層 19 Aに、 それぞれ絶縁性シート 11の貫通孔 11 Hに連通する複数の貫通孔 19 Hが形成さ れる。 更に、 絶縁層 16Bに対し、 レジスト膜 13のパターン孔 13K、 裏面側金属層 1 7 Αの各貫通孔 17 H、 絶縁性シート 11の各貫通孔 11 Hおよぴ第 1の表面側金属層 1 9 Aの各貫通孔 19 Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去す ることにより、 図 30 (e) に示すように、 絶縁層 16 Bに、 それぞれ第 1の表面側金属 層 19 Aの貫通孔 19 Hに連通する複数の貫通孔 16 Hを形成する。 これにより、 それぞ れ積層体 1 OAの裏面に、 裏面側金属層 17 Aの貫通孔 17H、 絶,縁性シート 11の貫通 孔 11 H、 第 1の表面側金属層 19 Aの貫通孔 19 Hおよひ 側 16Βの貫通孔 16Η が連通されてなる複数の電 »造体形成用 所 10Κが形成される。
このようにして 構造体形成用凹所 1 ΟΚが形成された積層体 1 OAからレジスト膜 12A, 13を除去し、 その後、 図 31に示すように、 当該積層体 10 Aに、 その第 2の 表面側金属層 16 Aの表面全面を覆うよう、 メツキ用のレジスト膜 12 Bを形成すると共 に、 裏面側金属層 17 Aの表面に、 形成すべき電極構造体 15における裏面電極部 17の パターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 14 Kが形成されたメツキ用のレ ジスト膜 14 Aを形成する。
次いで、 積層体 10 Aに対し、 第 2の表面側金属層 16 Aを として、 電解メツキ処 理を施して各電極構造体形成用凹所 10Kおよびレジスト膜 14Aの各パターン孔 14K 内に金属を充填することにより、 図 32に示すように、 絶縁性シート 11の表面から突出 する突起状の複数の表面電極部用導体 16 M、 この表面電極部用導体 16 Mの各々の基端 に連続して絶縁性シート 11をその厚み方向に貫通して伸びる複数の短 8およぴこ の 袼部 18の各々の他端に連結された複数の裏面電極部 17が形成される。 ここで、 表 面 ®S部用導体 16 Mの各々は、 第 2の表面側金属層 16 Aを介して互レヽに連結された状 態であり、 裏面電極部 17の各々は、 裏面側金属層 17 Aを介して互いに連結された状態 である。
このようにして表面電極部用導体 16 M、 mm^ 18および裏面 部 17が形成され た積層体 1 OAからレジスト膜 12 B, 14Aを除去し、 その後、 図 33に示すように、 裏面電極部 17および裏面側金属層 17Aを覆うよう、 ェツチング用のレジスト膜 14 C を形成すると共に、 第 2の表面側金属層 1 6 Aの表面に、 形成すべき表面應部 1 6の先 端部分のパターンに対応するパターンに従ってパターユングされたエッチング用のレジス ト膜 1 2 Dを形成し、 第 2の表面側金属層 1 6 Aにエッチング処理を施して露出した部分 を除去することにより、 図 3 4に示すように、 それぞれ円柱状の中:^ 15分とこの中央部分 の径より小さい径を有する円柱状の先端部分とを有する、 互いに分離した複数の表面電極 部用導体 1 6 Mが形成される。
次いで、 レジスト膜 1 2 Dを除去すると共に、 絶縁層 1 6 Bにエッチング処理を施して その全部を除去することにより、 表面電極部用導体 1 6 Mおよび第 1の表面側金属層 1 9 Aを露出し、 その後、 図 3 5に示すように、 表面電極部用導体 1 6 Mおよび第 1の表面側 金属層 1 7 Aにおける保持部 1 9となるべき部分を覆うよう、 パターユングされたエッチ ング用のレジスト膜 1 2 Cを形成する。 その後、 第 1の表面側金属層 1 9 Aにエッチング 処理を施して露出した部分を除去することにより、 図 3 6に示すように、 それぞれ表面電 極部用導体 1 6 Mの基端部分の周面から連続して当該絶縁性シート 1 1の表面に沿って外 方に; 状に伸びる複数の保持部 1 9が形成される。 そして、 レジスト膜 1 2 Cを除去し て表面電極部用導体 1 6 Mおよび保持部 1 9を露出させた後、 電解エッチング処理を施し て当該表面電極部用導体 1 6Mを成形することにより、 図 3 7に示すように、 略半球状の 中央部分とこの中 分から突出する略半球状の先端部分とを有する表面 ®¾部 1 6が形 成される。
次いで、 レジスト膜 1 4 Cにフォトリソグラフィーを施すことにより、 図 3 8に示すよ うに、 裏面電極部 1 7を覆うよう、 パターニングされたエッチング用のレジスト膜 1 4 B を形成すると共に、 絶縁性シート 1 1の表面、 表面電極部 1 6およ Ό ^持部 1 9を覆うよ う、 エッチング用のレジスト膜 1 2 Εを形成し、 裏面側金属層 1 7 Αにエッチング処理を 施して露出した部分を除去することにより、 図 3 9に示すように、 互いに分離した複数の 裏面電極部 1 7が形成され、 以て電極構造体 1 5力 S形成される。
そして、 レジスト膜 1 2 Eおよびレジスト膜 1 4 Bを除去することにより、 図 2 8に示 す第 3の例のシート状コネクター 1 0力 S得られる。
このような第 3の例のシート状コネクターによれば、 第 1の例のシート状コネクターと 同様の効果が得られる。
図 4 0は、 本発明に係るシート状コネクターの第 4の例における構成を示 明用断面 図である。
この第 4の例のシート状コネクター 1 0は、 電極構造体 1 5が円柱状の表面 β部 1 6 を有するものである点を除き、 第 2のシート状コネクターと同様の構成であり、 表面電極 部用導体に対する電解エッチング処理を行わずに表面電極部用導体をそのまま表面電極部 1 6とすることを除き、 第 2の例のシート状コネクターの製造方法と同様にして製造する ことができる。
この第 4のシート状コネクタ一によれば、 第 1の例のシート状コネクターと同様の効果 が得られる。
〔回路検査用プロープぉよぴ回路装置の検¾¾置〕
図 4 1は、 本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図で あり、 この回路装置の検査装置は、 ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、 当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うためのものである。
この回路装置の検査装置は、 被検査回路装置であるウェハ 6の被検査電極 7の各々とテ スターとの電気的接続を行う回路検査用プローブ 1を有する。 この回路検査用プローブ 1 においては、 図 4 2にも拡大して示すように、 ウェハ 6に形成された全ての集積回路にお ける被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の検查電極 2 1力 S表面 (図 において下面) に形成された検査用回路 ¾¾ 2 0を有し、 この検查用回路 2 0の表面 には、 異方導電性コネクター 3 0が配置され、 この異方導電性コネクター 3 0の表面 (図 において下面) には、 ウェハ 6に形成された全ての集積回路における被検査電極 7のパタ ーンに対応するパターンに従って複数の電 造体 1 5が配置された、 図 1に示 l t成の シート状コネクター 1 0が配置されている。
また、 回路検査用プローブ 1における検査用回路基板 2 0の裏面 (図において上面) に は、 当該回路検査用プローブ 1を下方に加圧する力 [I圧板 3が設けられ、 回路検査用プロ一 プ 1の下方には、 ウェハ 6力 S載置されるウェハ載置台 4が設けられており、カロ圧板 3およ ぴウェハ載置台 4の各々には、 加 » 5が接続されている。
検査用回路^反 2 0を構成する ¾ ^材料としては、 従来^ Πの種々の 材料を用いる ことができ、 その具体例としては、 ガラス »1補強型エポキシ樹脂、 ガラス «補強型フ ェノール樹脂、 ガラス繊锥補強型ポリイミド樹脂、 ガラス »補強型ビスマレイミドトリ ァジン樹脂等の複合樹脂材料、 ガラス、 二酸化珪素、 アルミナ等のセラミックス材料など が挙げられる。
また、 WL B I試験を行うための検雜置を構成する には、 線熱膨隱数が 3 X 1 0一5/ K以下のものを用いることが好ましく、 より好ましくは 1 X 1 0— 7〜1 X 1 0—5/ K、 特に好ましくは 1 X 1 0— 6〜6 X 1 0— である。
このような 材料の具体例としては、 パイレックス (登録商標) ガラス、 石英ガラス 、 アルミナ、 ベリリア、 炭化ケィ素、 窒化アルミニウム、 窒化ホウ素などが挙げられる。 異方導電性コネクター 3 0は、 図 4 3に示すように、 被検査回路装置であるウェハに形 成された全ての集積回路における被検查電極が配置された電極領域に対応して複数の開口 3 2が形成されたフレーム板 3 1と、 このフレーム板 3 1に、 それぞれ一の開口 3 2を塞 ぐよう配置され、 当該フレーム板 3 1の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電 性シート 3 5とにより構成されている。
フレーム板 3 1を構成する材料としては、 当該フレーム板 3 1が容易に変形せず、 その 形状が安定に維持される程度の岡 I胜を有するものであれば特に限定されず、 例えば、 金属 材料、 セラミックス材料、 樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、 フレーム板 3 1を例えば金属材料により構成する場合には、 当該フレーム板 3 1の表面に絶縁性被膜が 形成されていてもよい。
フレーム板 3 1を構成する金属材料の具体例としては、 鉄、 銅、 ニッケル、 クロム、 コ パノレト、 マグネシウム、 マンガン、 モリプデン、 インジウム、 鈴、 パラジウム、 チタン、 タングステン、 アルミ-ゥム、 金、 白金、 銀などの金属またはこれらを 2種以 且み合わ せた合金若しくは合 などが挙げられる。
フレーム板 3 1を構成する樹脂材料の具体例としては、 液晶ポリマー、 ポリイミド樹脂 などが挙げられる。
また、 この検査装置が WL B I (W a f e r L e b e 1 B u r n— i n) 試験を行 うためのものである には、 フレーム板 3 1を構成する材料としては、 線熱膨縣数が 3 X 1 0—5ZK以下のものを用いることが好ましく、 より好ましくは一 1 X I 0— 7〜1 X 1 0— 5ZK、 特に好ましくは 1 X 1 0— 6〜8 X 1 0— 6ΖΚである。
このような材料の具体例としては、 ィンパーなどのィンパー型合金、 ェリンパーなどの ェリンパー型合金、 スーパーィンパー、 コパール、 4 2ァロイなどの磁性金属の合金また は合^!などが挙げられる。 フレーム板 3 1の厚みは、 その形状力 S維持されると共に、 異方導電'性シート 3 5を支持 することが可能であれば、 特に限定されるものではなく、 具体的な厚みは材質によって異 なるが、 例えば 4 5〜6 0 O z mであることが好ましく、 ょり好ましくは4 0〜4 0 0 mである。
異方導電性シート 3 5の各々は、 弾性高分子物質によって形成されており、 纖查回路 装置であるウェハ 6に形成された一の電極領域の被検查電極 7のパターンに対応するパタ ーンに従って形成された、 それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部 3 6と、 これらの導電 部 3 6の各々を相互に絶縁する絶縁部 3 7とにより構成されている。 また、 図示の例では 、 異方導電性シート 3 5の両面には、 導電部 3 6およびその周辺部分力 S位置する個所に、 それ以外の表面から突出する突出部 3 8が形成されている。
異方導電性シート 3 5における導電部 3 6の各々には、 磁性を示す導電性粒子 Pが厚み 方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。 これに対して、 絶縁部 3 7は、 導電 性粒子 Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。
異方導電性シート 3 5の全厚 (図示の例では導電部 3 6における厚み) は、 5 0〜 2 0 0 O mであることが好ましく、 より好ましくは 7 0〜: L 0 0 0 πι、 特に好ましくは 8 0〜5 0 0 /i mである。 この厚みが 5 0 μ m以上であれば、 当該異方導電性シート 3 5に は十分な強度が得られる。 一方、 この厚みが 2 0 0 0 m以下であれば、 所要の導電性特 性を有する導電部 3 6が確実に得られる。
突出部 3 8の突出高さは、 その合計が当該突出部 3 8における厚みの 1 0 %以上である ことが好ましく、 より好ましくは 1 5 %以上である。 このような突出高さを有する突出部 3 8を形成することにより、 小さい加圧力で導 Sf 3 6が十分に圧縮されるため、 良好な 導電性が確実に得られる。
また、 突出部 3 8の突出高さは、 当該突出部 3 8の最短幅または直径の 1 0 0 %以下で あることが好ましく、 より好ましくは 7 0 %以下である。 このような突出高さを有する突 出部 3 8を形成することにより、 当該突出部 3 8が加圧されたときに座屈することがない ため、 所期の導電性が確実に得られる。
異方導電性シート 3 5を形成する弾性高分子物質としては、 架橋構造を有する耐熱性の 高分子物質が好ましい。 カゝかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の 高分子物質形離料としては、 種々のものを用いることができるが、 液状シリコーンゴム が好ましい。
液状シリコーンゴムは、 付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、 付加 型液状シリコーンゴムが好ましい。 この付加型液状シリコーンゴムは、 ビエル基と S i _ H結合との反応によって硬化するものであって、 ビュル基おょぴ S i— H結合の両方を含 有するポリシロキサンからなる一液型 (一成分型) のものと、 ビニル基を含有するポリシ ロキサンおよび S i—H結合を含有するポリシロキサンからなる二液型 (二成分型) のも のがあるが、 本発明においては、 二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ま しい。
異方導電'性シート 3 5を液状シリコーンゴムの硬化物 (以下、 「シリコーンゴム硬化物 」 という。 ) によって形成する^において、 当該シリコーンゴム硬化物は、 その 1 5 0 °Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下であることが好ましく、 より好ましくは 8 %以下、 さらに好ましくは 6 %以下である。 この圧縮永久歪みが 1 0 %を超える^には、 得られ る異方導電性コネクターを 回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温 下にお いて繰り返し使用したときには、 導電部 3 6に永久歪みが発生しやすく、 これにより、 導 電部 3 6における導電性粒子 Pの連鎖に乱れが生じる結果、 所要の導電†生を維持すること が困難となる。
ここで、 シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、 J I S K 6 2 4 9に 2p»した方 法によつて測定す.ることができる。
また、 シリコーンゴム硬化物は、 その 2 3°Cにおけるデュロメーター A硬度が 1 0〜6 0のものであることが好ましく、 さらに好ましくは 1 5〜5 5、 特に好ましくは 2 0〜5 0のものである。
このデュロメーター A硬度が 1 0未満である^^には、 力 tl圧されたときに、 導電部 3 6 を相互に絶縁する絶縁部 3 7が過度に歪みやすく、 導電部 3 6間の所要の絶縁性を維持す ることが困難となることがある。 一方、 このデュロメーター A硬度が 6 0を超える^^に は、 導 «f |53 6に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重によるカロ圧力が必要となる ため、被検査回路装置であるウェハに大きな変形や破壊が生じやすくなる。
また、 シリコーンゴム硬化物として、 デュロメーター A硬度が上記の範囲外のものを用 いる には、 得られる異方導電性コネクターを 回にわたって繰り返し使用したとき には、 導電部 3 6に永久歪みが発生しやすく、 これにより、 導 3 6における導電性粒 子の連鎖に乱れが生じる結果、 所要の導電性を維持することが困難となる。
また、 WL B I試験を行うための検錢置を構成する^ mこは、 異方導電性シート 3 5 を形成するシリコーンゴム硬化物は、 その 2 3 °Cにおけるデュロメーター A硬度が 2 5〜 4 0のものであることが好ましい。
シリコーンゴム硬化物として、 デュロメ一ター A硬度が上記の範囲外のものを用いる場 合には、 WL B I試験を繰り返し行ったときに、 導電部 3 6に永久歪み力 S発生しやすく、 これにより、 導電部 3 6における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、 所要の導電性を 維持することが困難となる。
ここで、 シリコーンゴム硬ィヒ物のデュロメーター A硬度は、 J I S K 6 2 4 9に準 拠した方法によつて測定することができる。
また、 シリコーンゴム硬化物は、 その 2 3°Cにおける引き裂き強度が 8 k NZm以上の ものであることが好ましく、 さらに好ましくは 1 0 k NZm以上、 より好ましくは 1 5 k NZm以上、 特に好ましくは 2 0 k N/m以上のものである。 この引き裂き強度が 8 k N ズ m未満である には、 異方導電性シート 3 5に過度の歪みが与えられたときに、 耐久 性の低下を起こしやすい。
ここで、 シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、 J I S K 6 2 4 9に驅した方 法によって測定することができる。
本発明においては、 付加型液状シリコーンゴムを硬ィ匕させるために適宜の硬化触媒を用 いることができる。 このような硬ィ! ^虫媒としては、 白金系のものを用いることができ、 そ の具体例としては、 塩化白金酸おょぴその塩、 白金一不飽和基含有シロキサンコンプレツ タス、 ビュルシロキサンと白金とのコンプレックス、 白金と 1, 3—ジビニルテトラメチ ノレジシロキサンとのコンプレックス、 トリオノレガノホスフィンあるいはホスフアイトと白 金とのコンプレックス、 ァセチノレアセテート白金キレート、 環状ジェンと白金とのコンプ レックスなどの^ Pのものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、 硬化触媒の種類、 その他の硬化処纖件を考慮して適宜選択され る力 通常、 付加型液状シリコーンゴム 1 0 0重量部に対して 3〜1 5重量部である。 また、 付加型液状シリコーンゴム中には、 付加型液状シリコーンゴムのチタソトロピー 性の向上、 粘度調整、 導電性粒子の分散安定性の向上、 或いは高い強度を有する ¾Wを得 ることなどを目的として、 必要に応じて、 通常のシリカ粉、 コロイダノレシリカ、 エアロゲ ルシリ力、 アルミナなどの無機充¾^を含有させることができる。
導電部 3 6に含有される導電性粒子 Pとしては、 磁性を示す 粒子 (以下、 「磁性芯粒 子」 ともいう。 ) の表面に高導電性金属が被覆されてなるものを用いることが好ましい。 ここで、 「高導電性金属」 とは、 0°Cにおける導電率が 5 X 1 0 6 Ω一1 m一1以上のもの をいう。
導電性粒子 Pを得るための磁性!^粒子は、 その数平均粒子径が 3〜 4 0 mのものであ ることが好ましい。
ここで、 磁性芯粒子の数平均粒子径は、 レーザー回纖乱法によって測定されたものを いう。
上記数平均粒子径が 3 m以上であれば、加圧変形が容易で、 抵抗値が低くて接謝言頼 性の高い導電部 3 6が得られやすい。 一方、 上記数平均粒子径が 4 0 以下であれば、 微細な導電部 3 6を容易に形成することができ、 また、 得られる導電部 3 6は、 安定な導 電性を有するものとなりやす、。
また、磁性 粒子は、 その B E T比表面積が 1 0〜 5 0 O m2ノ k gであることが好ま しく、 ょり好ましくは2 0〜5 0 01!12ダ¾: §、 特に好ましくは 5 0〜4 0 O m2 /k g である。
この B E T比表面積が 1 O m2 /k g以上であれば、 当該磁性芯粒子はメツキ可能な領 域が十分に大きいものであるため、 当該磁性芯粒子に所要の量のメツキを確実に行うこと ができ、 従って、 導電性の大きい導電' f 立子 Pを得ることができると共に、 当該導電性粒 子 P間において、 戀虫面積が十分に大きいため、 安定で高い導電性が得られる。 一方、 こ の B E T比表面積が 5 0 0 m2 / k g以下であれば、 当該磁性 粒子が脆弱なものとなら ず、 物理的な応力が加わった際に破壊すること力 S少なく、 安定で高い導電性が保持される また、 磁性芯粒子は、 その粒子径の変動係数が 5 0 %以下のものであることが好ましく 、 より好ましくは 4 0 %以下、 更に好ましくは 3 0 %以下、 特に好ましくは 2 0 %以下の ものである。
ここで、粒子径の変動係数は、 式: ( σ /D n) X I 0 0 (但し、 σは、粒子径の標準 偏差の値を示し、 D nは、 あ立子の数平均粒子径を示す。 ) によって求められるものである 上記粒子径の変動係数が 5 0 %以下であれば、 粒子径の均一性が大きいため、 導電性の パラツキの小さい導電部 3 6を形成することかできる。
磁性 粒子を構成する材料としては、 鉄、 ニッケル、 コノ レト、 これらの金属を銅、 樹 脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、 その飽和磁化が 0. l Wb m2以上のものを好ましく用いることができ、 より好ましくは 0. 3Wbノ m2以上、 特に好ましくは 0. 5WbZm2以上のものであり、 具体的には、 鉄、 ニッケル、 コパル トまたはそれらの合金などが挙げられる。
磁性 粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、 金、 銀、 ロジウム、 白金、 クロ ムなどを用いることができ、 これらの中では、 ィ匕学的に安定でかつ高い導電率を有する点 で金を用いるが好ましい。
導電性粒子 Pは、 芯粒子に対する高導電性金属の割合 〔 (高導電性金属の質量/ 粒子 の質量) X I 0 0〕 が 1 5質量0 /0以上とされ、 好ましくは 2 5〜3 5質量%とされる。 高導電性金属の割合が 1 5質量%未満である には、 得られる異方導電性コネクター を高温纖下に繰り返し使用したとき、 当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下する結果 、 所要の導電†生を維持することができなレ、。
また、 導電性粒子 Pは、 その B E T比表面積が 1 0〜5 0 0 m2 /k gであることが好 ましい。
この B E T比表面積が 1 0 m 2 / k g以上であれば、 被 ¾βの表面積が十分に大きレヽも のであるため、 高導電性金属の総重量が大きい被覆層を形成することができ、 従って、 導 電性の大きいを粒子を得ることができると共に、 当該導電性粒子 Ρ間において、 接触面積 が十分に大きいため、 安定で高い導電性が得られる。 一方、 この B E T比表面積が 5 0 0 m2 Zk g以下であれば、 当該導電性粒子が脆弱なものとならず、 物理的な応力力 S加わつ た際に石皮壊することが少なく、 安定で高い導電性が保持される。
また、 導電性粒子 Pの数平均粒子径は、 3〜 4 0 mであることが好ましく、 より好ま しくは 6〜2 5 μ ΐηである。
このような導電'性粒子 Ρを用いることにより、 得られる異方導電'性シート 3 5は、加圧 変形が容易なものとなり、 また、 導電部 3 6において導電性粒子 Ρ間に十分な電気的 が得られる。
また、 導電性粒子 Ρの形状は、 特に限定されるものではないが、 高分子物質形成材料中 に容易に分散させることができる点で、 球状のもの、 星形状のものあるいはこれらが した 2次粒子による塊状のものであることが好ましレ、。
導電性粒子 Pの含水率は、 5質量%以下であること力 S好ましく、 より好ましくは 3質量 %以下、 さらに好ましくは 2質量%以下、 特に好ましくは 1質量%以下である。 このよう な条件を満足することにより、 異方導電性シート 3 5の形成において、 硬化処理する際に 気泡が生ずることが防止または抑制される。
また、 導電性粒子 Pは、 その表面がシランカップリング剤などの力ップリング剤で処理 されたものあってもよい。 導電性粒子 Pの表面がカツプリング剤で処理されることにより 、 当該導電性粒子 Pと弾性高分子物質との接着性が高くなり、 その結果、 得られる異方導 電性シート 3 5は、 繰り返しの使用における耐久性が高いものとなる。
カツプリング剤の使用量は、 導電性粒子 Pの導電性に影響を与えなレ、範囲で適宜選択さ れるが、 導電性粒子 Pの表面におけるカップリング剤の被覆割合 (導電性粒子の表面積に 対するカツプリング剤の被覆面積の割合) が 5 %以上となる量であることが好ましく、 よ り好ましくは上記被覆率が 7〜: L 0 0 %、 さらに好ましくは 1 0〜: L 0 0 %、 特に好まし くは 2 0〜: L 0 0 %となる量である。
このような導電性粒子 Pは、 例えば以下の方法によつて得ることができる。
先ず、 強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、 この粒 子に対して分級処理を行うことにより、 所要の粒子径を有する磁性 粒子を調製する。 ここで、 粒子の 処理は、 例えば空気錄装置、 音波ふるい装置などの分 置によ つて行うことができる。
また、 分級処理の具体的な条件は、 目的とする磁性:^粒子の数平均粒子径、 分級装置の 種類などに応じて適宜設定される。
次いで、 磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、 更に、 例えば feKによって洗浄するこ とにより、 磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、 異物、 酸化膜などの不純物を除去し、 その 後、 当該磁性 粒子の表面に高導電性金属を被覆することによって、 導電性粒子が得られ る。
ここで、 磁性: &粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、 塩酸などを挙げる ことができる。
高導電性金属を磁性:^粒子の表面に被覆する方法としては、 無電解メツキ法、 置換メッ キ法等を用いることができるが、 これらの方法に限定されるものではない。
無電解メツキ法または置換メツキ法によって導電性粒子を製造する方法について説明す ると、 先ず、 メツキ液中に、 酸処理おょぴ 処理された磁性 粒子を添加してスラリー を調製し、 このスラリ一を擾拌しながら当該磁性: Sr粒子の無電解メッキまたは置換メッキ を行う。 次いで、 スラリー中の粒子をメツキ液から分離し、 その後、 当該粒子を例えば純 水によって洗浄処理することにより、 磁性:^粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる 導電性粒子が得られる。
また、 磁性:^粒子の表面に下地メツキを行って下地メツキ層を形成した後、 当該下地メ ツキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成してもよい。 下地メツキ層おょぴそ の表面に形成されるメツキ層を形成する方法は、 特に限定されないが、 無電解メツキ法に より、 磁性芯粒子の表面に下地メツキ層を形成し、 その後、 置換メツキ法により、 下地メ ツキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成することが好ましい。
無電解メツキまたは置換メツキに用いられるメツキ液としては、 特に限定されるもので はなく、 種々の市販のものを用いることができる。
また、 磁性 粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、 粒子が することにより、 粒子径の大きレ、導電性粒子が発生することがあるため、 必要に応じて、 導電性粒子の分級 処理を行うことが好ましく、 これにより、 所期の粒子径を有する導電性粒子力 s確実に得ら れる。
導電性粒子の分級処理を行うための^^及装置としては、 前述の磁十生芯粒子を調製するた めの分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。
導電部 3 6における導電性粒子 Pの含有割合は、 体積分率で 1 0〜6 0 %、 好ましくは 1 5〜 5 0 %となる割合で用レ、られることが好ましい。 この割合が 1 0 °/0未満の^^には 、 十分に電気抵抗値の小さい導電部 3 6が得られないことがある。 一方、 この割合が 6 0 %を超える ^には、 得られる導 ¾¾ 3 6は脆弱なものとなりやすく、 導 ® 3 6として 必要な弾性が得られな 、ことがある。
以上のような異方導電'性コネクターは、 例えば特開 2 0 0 2— 3 2 4 6 0 0号公報に記 載された方法によって製造することができる。
上記の検¾¾置においては、 ウェハ ¾g台 4上に検 ¾¾f象であるウェハ 6が ¾gされ、 次いで、カロ圧板 3によって回路検查用プローブ 1が下方に加圧されることにより、 そのシ ート状コネクター 1 0の電謹造体 1 5における表面 部 1 6の各々が、 ウェハ 6の被 検査電極 7の各々に接触し、 更に、 当該表面電極部 1 6の各々によって、 ウェハ 6の被検 查電極 7の各々が加圧される。 この状態においては、 異方導電性コネクター 3 0の異方導 電性シ一ト 3 5における導 3 6の各々は、 検査用回路 2 0の検查電極 2 1とシー ト状コネクター 1 0の電極構造体 1 5の裏面電極部 1 7とによって ¾|£されて厚み方向に 圧縮されており、 これにより、 当該導電部 3 6にはその厚み方向に導電路が形成され、 そ の結果、 ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路 2 0の検査電極 2 1との電気的接続が 達成される。 その後、 加熱器 5によって、 ウェハ載置台 4および加圧板 3を介してウェハ 6力 S所定の温度に加熱され、 この状態で、 当該ウェハ 6における複数の集積回路の各々に ついて所要の電気的検査が^される。
上記の回路検査用プローブによれば、 図 1に示すシート状コネクター 1 0を具えてなる ため、 小さいピッチでネ皮検查電極 7が形成されたゥェハ 6に対しても安定な電気的接続状 態を確実に達成することができ、 しカゝも、 シート状コネクター 1 0における電極構造体 1 5が脱落することがないので、.高い耐久性が得られる。
そして、 上記の検査装置によれば、 図 1に示すシート状コネクター 1 0を有する回路検 査用プローブ 1を具えてなるため、 小さいピッチで被検査 β® 7が形成されたウェハ 6に 対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、 し力、も、 回路検査用プロ一 プ 1が高い耐久性を有するため、 多数のウェハの検査を行う でも、 長期間にわたって 信頼性の高い検査を実行することができる。
本発明の回路装置の検査装置は、 上記の例に限定されず、 以下のように、 種々の変更を 加えることが可能である。
( 1 ) 図 4 1およぴ図 4 2に示す回路検査用プローブ 1は、 ウェハ 6に形成された全ての 集積回路の被検査電極 7に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、 ウェハ 6 に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査 ¾S 7に電気的 に接続されるものであってもよい。 選択される集積回路の数は、 ウェハ 6のサイズ、 ゥェ ハ 6に形成された集積回路の数、 各集積回路における被検査電極の数などを考慮して適宜 選択され、 例えば 1 6個、 3 2個、 6 4個、 1 2 8個である。
このような回路検査用プローブを有する検¾¾置においては、 ウェハ 6に形成された全 ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極 7に、 回路検査用プローブ を電気的に接続して検査を行い、 その後、 他の集積回路の中から選択された複数の集積回 路の被検査電極 7に、 回路検査用プローブを電気的に接続して検査を行う工程を繰り返す ことにより、 ウェハ 6に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。 そして、 このような検査装置によれば、 直径が 8ィンチまたは 1 2ィンチのウェハに高 Vヽ集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う にぉ ヽて、 全ての集積回路 について一括して検査を行う方法と比較して、 用いられる検查用回路基板の検査電極数や 配線数を少なくすることができ、 これにより、 検¾¾置の製造コストの低減化を図ること ができる。
( 2 ) 異方導電' I生コネクター 3 0における異方導電' f生シート 3 5には、 被検査電極 7のパ ターンに対応するパターンに従って形成された導電部 3 6の他に、 被検査電極 7に電気的 に接続されない非接続用の導電部が形成されていてもよい。
( 3 ) 本発明の検難置の検査対象である回路装置は、 多数の集積回路が形成されたゥェ ハに限定されるものではなく、 半導体チップや、 B GA、 C S Pなどのパッケージ L S I 、 CMCなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検¾¾置として構成すること ができる。
[実施例]
以下、 本発明の具体的な実施例について説明する力 本発明はこれらの実施例に限定さ れるものではない。
〔試験用ウェハの翻
図 4 4に示すように、 直径が 8ィンチのシリコン (線熱膨張係数 3 . 3 X 1 0 β/Κ) 製のウェハ 6上に、 それぞれ寸法が 6 . 5 mm X 6 . 5 mmの正方形の集積回路 Lを合計 で 5 9 6個形成した。 ウェハ 6に形成された集積回路 Lの各々は、 図 4 5に示すように、 その中央に被検査電極領域 Aを有し、 この被検查電極領域 Aには、 図 4 6に示すように、 それぞれ縦方向 (図 4 6において上下方向) の寸法が 2 0 0 mで横方向 (図 4 6におい て左右方向) の寸法が 8 0 μ mの矩形の 2 6個のネ皮検査電極 7が 1 2 0 ^ mのピッチで横 方向に二列 (一列の被検査電極 7の数が 1 3個) に配列されている。 縦方向に,する被 検查電極 7の間の離間距離は、 4 5 0 ^ mである。 また、 2 6個のネ皮検査電極 7のうち 2 個ずつが互いに電気的に接続されている。 このウェハ 6全体のネ纖查電極 7の総数は 1 5 4 9 6個である。 以下、 このウェハを 「試験用ウェハ W l」 という。 〈実施例 1 >
〔シート状コネクター M (1-1) 〜M (1-5) の 〕
厚みが 1 2. 5 μ mのポリイミドシートの両面にそれぞれ厚みが 5 μ mの銅層が積層さ れた積層ポリイミドシートと、 熱可塑性ポリイミドシートの一面に厚みが 5 μ mの銅層が 積層された積層熱可塑性ポリイミドシートとを用意し、 積層ポリイミドシートの一方の銅 層の表面に、 積層熱可塑性ポリイミドシートをその銅積層されていない面が対接するよう 配置し、 両者を熱圧着処理することによって、 図 3に示す構成の積層体 (10A) を作製 した。
得られた積層体 ( 10 A) は、 厚みが 1 2. 5 μ mのポリイミドよりなる絶縁性シート
(11) の表面に、 厚みが 5 xmの銅よりなる第 1の表面側金属層 (19A) 、 厚みが 2 5 ΐηのポリイミドよりなる絶縁層 (16Β) および厚みが 5 ιηの銅よりなる第 2の表 面側金属層 (16A) 力 Sこの順で積層され、 当該絶縁性シート (1 1) の裏面に、 厚みが 5 μπιの銅よりなる裏面側金属層 (1 7A) カ積層されてなるものである。
上記の積層体 (10A) に対し、 厚みが 25 mのドライフィルムレジストによって、 第 2の表面側金属層 (16A) の表面全面にレジスト膜 (12A) を形成すると共に、 裏 面側金属層 (1 7A) の表面に、 試験用ウェハ W1に形成された被検查電極のパターンに 対応するパターンに従って直径が 60 zmの円形の 1 5496個のパターン孔 (1 3 K) が形成されたレジスト膜 (13) を形成した (図 4参照) 。 ここで、 レジスト膜 (13) の形成において、 露光処理は、 高圧水銀灯によって 80 m Jの紫外線を照射することによ り行い、 現像処理は、 1%水酸化ナトリウム水赚よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操 作を 2回繰り返すことによつて行つた。
次いで、 裏面側金属層 (1 7A) に対し、 塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50°C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、 裏面側金属層 (1 7A) に、 それぞ れレジスト膜 (1 3) のパターン孔 1 3 Kに連通する 15496個の貫通孔 (17H) を 形成した (図 5参照) 。 その後、 絶縁性シート (1 1) に対し、 ヒドラジン系エッチング 液を用い、 60°C、 1 20分間の条件でエッチング処理を施すことにより、 絶縁性シート
(1 1) に、 それぞ ^¾面側金属層 (1 7 A) の貫通孔 (1 7H) に連通する 15496 個の貫通孔 (11H) を形成した (図 6参照) 。 この貫通孔 (11H) の各々は, 絶縁性 シート (1 1) の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、 裏 面側の開口径が 60 μ m、 表面側の開口径が 45 /X mのものであった。
その後、 第 1の表面側金属層 (19A) に対し、 塩化第二鉄系エッチング液を用い、 5 0 °C、 30秒間の条件でェツチング処理を施すことにより、 第 1の表面側金属層 ( 19 A ) に、 それぞれ絶縁性シート (11) の貫通孔 (11H) に連通する 15496個の貫通 孔 (19H) を形成した (図 7参照) 。 更に、 絶縁層 (16B) に対し、 ヒドラジン系ェ ツチング液を用い、 60°C、 120分間の条件でエッチング処理を施すことにより、 絶縁 層 (16B) に、 それぞれ第 1の表面側金属層 (19A) の貫通孔 19 Hに連通する 15 496個の貫通孔 (16H) を形成した (図 8参照) 。 この貫通孔 (16H) の各々は, 絶縁層 (16B) の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、 裏面側の開口径が 45 ^m, 表面側の開口径が 17 //mのものであった。
このようにして、 積層体 (10A) の裏面に、 それぞれ裏面側金属層 (17A) の貫通 孔 (17H) 、 絶縁性シート (11) の貫通孔 (11H) 、 第 1の表面側金属層 (19 A ) の貫通孔 (19H) およひ6縁層 (16B) の貫通孔 (16H) カ連通されてなる 15
496個の電極構造体开成用凹所 (10K) を开成した。
次いで、 電»造体形成用凹所 (10K) が形成された積層体 (10A) を、 45°Cの 水酸化ナトリウム に 2分間浸漬させることにより、 当^ ¾層体 (10A) からレジス ト膜 (12A, 13) を除去し、 その後、 積層体 (10A) に対し、 厚みが 25^mのド ライフイルムレジストによって、 第 2の表面側金属層 ( 16 A) の表面全面を覆うよう、 レジスト膜 (12B) を形成すると共に、 裏面側金属層 (17A) の表面に、 当該裏面側 金属層 ( 17 A) の貫通孔 ( 17 H) に連通する寸法が 1 5 θ ΠΐΧ 60 μ mの矩形の 1
5496個のパターン孔 (14K) が形成されたレジスト膜 (14A) を形成した (図 9 参照) 。 ここで、 レジスト膜 (14A) の形成において、 露光処理は、 高圧水Sii:丁によつ て 8 OmJの紫外線を照射することにより行い、 現像処理は、 1%7_酸化ナトリウム水溶 液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。
次いで、 積層体 ( 10 A) をスルフアミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、 当^ ¾層体 (10A) に対し、 第 2の表面側金属層 (16A) を電極として、 讓メツキ 処理を施して各電極構造体形成用凹所 (10K) およびレジスト膜 (14A) の各パター ン孔 (14K) 内に金属を充填することにより、 表面 部 (16) 、 ΜΜ^ (18) お よび裏面側金属層 (17A) を介して互いに連結された裏面電極部 (17) を形成した ( 図 10参照) 。
このようにして表面電極部 (16) 、 (18) および裏面電極部 (17) が形成 された積層体 (10A) を、 45。Cの水酸化ナトリウム に 2分間浸漬させることによ り、 当^ ¾層体 (10A) からレジスト膜 (12B, 14A) を除去し、 その後、 厚みが 25 mのドライフイノレムレジストによって、 裏面電極部 (17) を覆うよう、 パター二 ングされたエッチング用のレジスト膜 (14B) を形成した (図 11参照) 。 ここで、 レ ジスト膜 (14B) の形成において、 露光処理は、 高圧水銀灯によって 8 Om Jの紫外線 を照射することにより行い、 現像処理は、 1%τΚ酸化ナトリウム水^ Mよりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。 その後、 第 2の表面側金属層 (16Α) および裏面側金属層 (17Α) に対し、 アンモニア系エッチング液を用い、 5 0°C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、 第 2の表面側金属層 (16A ) の全部を除去すると共に、 裏面側金属層 (17A) における露出した部分を除去し、 こ れにより、 裏面電極部 (17) の各々を互いに分離させた (図 12参照) 。
次いで、 絶^ ϋ (16Β) に対し、 ヒドラジン系エッチング液を用い、 60°C、 120 分間の条件でエッチング処理を施すことにより、 絶縁層 (16B) を除去すると共に、 レ ジスト膜 (14B) を除去することにより、 表面電極部 (16) 、 第 1の表面側金属層 ( 19A) および裏面電極部 (17) を露出させた (図 13参照) 。 その後、 厚みが 25 mのドライフィルムによって、 表面電極部 (16) およぴ第 1の表面側金属層 (17A) における保持部 (19) となるべき部分を覆うよう、 パターユングされたレジスト膜 (1 2C) を形成すると共に、 絶縁性シート (11) の裏面および裏面 部 (17) の全面 を覆うようレジスト膜 (14C) を形成した (図 14参照) 。 ここで、 レジスト膜 (12 C) の形成において、 露光処理は、 高圧水 丁によって 8 Om Jの紫外線を照射すること により行い、 現像処理は、 1%7酸化ナトリウム水鎌よりなる現像剤に 40秒間浸漬す る操作を 2回繰り返すことによって行った。 その後、 第 1の表面側金属層 (19A) に対 し、 塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50°C、 30秒間の条件でエッチング処理を施す ことにより、 表面 β部 (16) の基端部分の周面から連続して絶縁性シート (11) の 表面に沿って外方に放射状に伸びる円板リング状の保持部 (19) を形成し、 以て電極構 造体 (15) を形成した (図 15参照) 。
そして、 表面電極部 (16) およ (19) からレジスト膜 (12C) を除去す 13618
42 ると共に、 絶縁性シート (1 1) の裏面および裏面電極部 (1 7) からレジスト膜 (14 C) を除去することにより、 本発明に係るシート状コネクター (10) を製造した (図 1 参照) 。
得られたシート状コネクター (10) は、 絶縁性シート (1 1) の厚み dが 12. 5 μ m、 電漏造体 (15) の表面電極部 (16) の形状が円錐台状で、 その基端の径 が 45 m、 その先端の径 R2 が 1 7 im、 その突出高さ hが 25 m、 MM^ (18) の 形状が円錐台状で、 その表面側の一端の径 R 3 が 45 ΐη、 裏面側の他端の径 R 4 が 60 μτη、裏面電極部 (1 7) の形状が矩形の平板状で、 その横幅 (径 R5 ) が 60 πι、 縦 幅が 150 im、 厚み D2 が 30 m、 保持部 (19) の形状が円形リング板状で、 その が 50μπι、 その厚み が 5 mのものである。
このようにして、 合計で 5枚のシート状コネクターを製造した。 これらのシート状コネ クタ一を 「シート状コネクター M (1 -1) 」 〜 「シート状コネクター M (1-5) 」 と する。
〔異方導電性コネクターの 〕
(1) 磁性芯粒子の調製:
市販の二ッケノ 1 立子 (We s t a i mitm, 「F C 1000」 ) を用い、 以下のように して磁性芯粒子を調製した。
日清ェンジユアリング株式会社製の空気分級機 「ターボクラシファイア TC一 15N 」 によって、 ニッケル粒子 2 k gを、 比重が 8· 9、 風量が 2. 5 m3 /mi n ロータ 一回転数が 1, 600 r p m、 分級点が 25 m, 二ッケノ 子の供給速度が 16 gZm i nの条件で分級処理し、 二ッケノ 子 1. 8 k gを捕集し、 更に、 このニッケノ 立子 1 . 8 k gを、 比重が 8. 9、 風量が 2. 5 m3 /m i II、 ローター回転数が 3, 000 r p m、 分級点が 10 / m、 二ッケノ 1 ^立子の供給速度が 14 gZm i nの条件で分級処理し 、 ニッケ A^i子 1. 5 k gを捕集した。
次いで、 筒井理化^ 式会ネ ± の音波ふるい器 「SW_20AT形」 によって、 空 気 及機によって分級された-ッケノ 立子 120 gを更に^及処理した。 具体的には、 そ れぞれ直径が 20 Ommで、 開口径が 25 m、 20 ^m, 16 /^mおよび 8 /zmの 4つ のふるいを上からこの順で 4段に重ね合わせ、 ふるいの各々に直径が 2 mmのセラミック ポール 10 gを投入し、 最上段のふるい (開口径が 25 ^m) にニッケノ 子 20 gを投 入し、 55Hzで 12分間おょぴ 125Hzで 15分間の条件で分級処理し、 最下段のふ るい (開口径が 8/xm) に捕集されたニッケノ 立子を回収した。 この操作を合計で 25回 行うことにより、 磁'性 粒子 110 gを調製した。
得られた磁性芯粒子は、 数平均粒子径が 10μΐη、 粒子径の変動係数が 10 %、 BET 比表面積が 0. 2X103 m2 /k g, 飽和磁化が 0. 6WbZm2 であった。
この磁性芯立子を 「磁性:^粒子 [A] 」 とする。
(2) 導電性粒子の調製:
、末メツキ装置の処理槽内に、 磁性 粒子 [A] 100 gを投入し、 更に、 0. 32N の塩酸水赚 2 Lを加えて攪拌し、 磁性芯粒子 [A] を含有するスラリーを得た。 このス ラリーを常温で 30分間攪拌することにより、 磁性芯粒子 [A] の酸処理を行い、 その後 、 1分間静置して磁性 粒子 [A] を沈殿させ、 上澄み液を除去した。
次いで、 酸処理が施された磁性 粒子 [A] に純水 2 Lを加え、 常温で 2分間攪拌し、 その後、 1分間静置して磁性芯粒子 [A] を沈殿させ、 上澄み液を除去した。 この操作を 更に 2回繰り返すことにより、 磁性芯粒子 [A] の洗浄処理を行った。
そして、 酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子 [A] に、 金の含有割合が 20 g /Lの金メツキ液 2 Lを加え、 処 ®ϋ内の? を 90°Cに昇温して攪拌することにより、 スラリーを調製した。 この状態で、 スラリーを攪拌しながら、 磁性芯粒子 [A] に対して 金の置換メツキを行った。 その後、 スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、 上 澄み液を除去することにより、 導電性粒子を調製した。
このようにして得られた導電性粒子に純水 2 Lを加え、 常温で 2分間攪拌し、 その後、 1分間静置.して導電性粒子を沈殿させ、 上澄み液を除去した。 この操作を更に 2回繰り返 し、 その後、 90°Cに加熱した純水 2 Lを加えて攪拌し、 得られたスラリーを濾紙によつ て濾過して導電性粒子を回収した。 そして、 この導電性粒子を、 90°Cに設定された乾燥 機によって乾燥処理した。
得られた導電性立子は、 数平均粒子径が 12 m、 BE T比表面積が 0 · 15 X 103 m2 kg, (被 δϋを形成する金の質量) / (導電性粒子全体の質量) の値が 0. 3で あった。
この導電' 1·生粒子を 「導電性粒子 (a) 」 とする。
(3) フレーム板の作製: 図 4 7およぴ図 4 8に示 1ϋ成に従い、 下記の条件により、 上記の試験用ウェハ W 1に おける各被検查電極領域に対応して形成された 5 9 6個の開口 (3 2) を有する直径が 8 インチのフレーム板 (3 1 ) を作製した。
このフレーム板 (3 1 ) の材質はコノール (線熱膨觀数 5 X 1 0一6 ΖΚ) で、 その厚 みは、 6 0 πιである。
開口 (3 2 ) の各々は、 その横方向 (図 4 7およぴ図 4 8において左右方向) の寸法が 1 8 0 O /ί mで縦方向 (図 4 7および図 4 8において上下方向) の寸法が 6 0 0 μ mであ る。
縦方向に隣接する開口 (3 2 ) の間の中; ^立置には、 円形の空気流入孔 (3 3 ) が形成 されており、 その直径は 1 0 0 0 mである。
(4) 異方導電性シート用成形材料の調製:
付加型液状シリコーンゴム 1 0 0重量部に、 導電性粒子 [ a ] 3 0重量部を添加して混 合し、 その後、 減圧による脱泡処理を施すことにより、 異方導電性シート用の成形材料を 調製した。
以上において、 使用した付加型液状シリコーンゴムは、 それぞれ粘度が 2 5 O P a · s である A液および B液よりなる二液型のものであって、 その硬化物の圧縮永久歪みが 5 % 、 デュロメーター A硬度が 3 2、 引裂強度が 2 5 k N/mのものである。
ここで、 付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特 14は、 以下のようにして測定 されたものである。
( i ) 付加型液状シリコーンゴムの粘度は、 B型粘度計により、 2 3 ± 2°Cにおける値を 測定した。
(ii) シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、 次のようにして測定した。
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおける A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合 した。 次いで、 この混合物を金型に流し込み、 当該混合物に対して账による脱泡処理を 行つた後、 1 2 0 °C、 3 0分間の条件で硬化処理を行うことにより、 厚みが 1 2. 7 mm 、 直径が 2 9 mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を し、 この円柱体に対して 、 2 0 0 °C、 4時間の条件でポストキユアを行つた。 このようにして得られた円柱体を試 験片として用い、 J I S K 6 2 4 9に 2p¾して 1 5 0土 2 °Cにおける圧縮永久歪みを 測定した。 (iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、 次のようにして測定した。
上記 (ii) と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびボストキユアを 行うことにより、 厚みが 2. 5 mmのシートを^ した。 このシートから打ち抜きによつ てクレセント形の試験片を^ ¾し、 J I S K 6249に準拠して 23土 2°Cにおける 引裂強度を測定した。
(iv)デュロメーター A硬度は、 上記 (iii)と同様にして^ されたシートを 5枚重ね合 わせ、 得られた積重体を試験片として用い、 J I S K 6249に準拠して 23 ± 2°C における値を測定した。
(5) 異方導電性コネクターの作製:
上記 (1) で作製したフレーム板 (31) および上記 (4) で調製した成形材料を用い 、 特開 2002— 324600号公報に記載された方法に従つて、 フレーム板 (31) に 、 それぞれ一の開口 (32) を塞ぐよう配置され、 当該フレーム板 (31) の開口縁部に 固定されて支持された、 図 42に示す構成の 596個の異方導電性シート (35) を形成 することにより、 異方導電性コネクターを製造した。 ここで、 成形材料層の硬化処理は、 電磁石によって厚み方向に 2 Tの磁場を作用させながら、 100°C、 1時間の条件で行つ た。
得られた異方導電性シート (35) について具体的に説明すると、 異方導電性シート ( 35 ) の各々は、 横方向の寸法が 2500 μ m、 縦方向の寸法が 1400 μ mであり、 2 6個の導電部 (36) が 120 mのピッチで ^^向に二列 (一列の導霄部の数が 13個 で、 縦方向に,する導電部の間の離間距離が 450/ m) に配列されており、 導電部 ( 36) の各々は、 横方向の寸法が 60 m、 向の寸法が 200 m、 厚みが 150 // m、 突出部 (38) の突出高さが 25 m、 絶縁部 (37) の厚みが 100 mである。 また、 向において最も外側に位置する導電部 (36) とフレーム板の開口縁との間に は、 非接続用の導電部が配置されている。 続用の導電部の各々は、 横方向の寸法が 8 0 μ m、 縦方向の寸法が 300 μ m、 厚みが 150 μ mである。
また、 各異方導電性シート (35) における導電部 (36) 中の導電性粒子の含有割合 を調べたところ、 全ての導電部 (36) について体積分率で約 30%であった。
得られた異方導電性コネクターを 「異方導電性コネクター Cl」 とする。
(6) 検査用回路裂及の m : 材料としてアルミナセラミックス (線熱膨¾数 4. 8 X 10 -6 ZK) を用い、 試 験用ウェハ W1における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極 (2 1) が开成された検査用回路^ (20) を した。 この検査用回路^ (20) は、 全体の寸法が 30 cmX30 c mの矩形であり、 その検査電極は、 觀方向の寸法^ 60 μ mで縦方向の寸法が 200 mである。 得られた検査用回路 を 「検查用回路^ T 1 」 とする。
(7) 接続安定性試験:
シート状コネクター M (1 -1) 〜シート状コネクター M (1-5) の各々について、 以下のようにして接続安定性試験を行った。
試験用ウェハ W1を試験台に配置し、 この試験用ウェハ W1の表面上に、 シート状コネ クターをその表面 部の各々が当 験用ウェハ W 1の被検查電極上に位置するよう位 置合わせして配置し、 このシート状コネクター上に、 異方導電性コネクター C 1をその導 電部の各々が当該シート状コネクターの裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置 し、 この異方導電性コネクター上に、 検査用回路基板 T1をその検查電極の各々が当該異 方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、 更に検査用回路基 板 T 1を下方に 1 2. 4 k gの荷重 (異方導電性コネクターの導電部 1個当たりに加わる 荷重が平均で 0. 8 g) でカロ圧した。
そして、 室温 (25°C) 下において、 検査用回路基板 T 1における 1 5496個の検查 電極について、 異方導電性コネクター C l、 シート状コネクターおよひ 験用ウェハ W1 を介して互いに電気的に接続された 2個の検査 の間の電気抵抗を順次測定し、 測定さ れた電気抵抗値の 2分の 1の値を、 検査用回路基板丁 1の検查電極と試験用ウェハ W1の 被検査電極との間の電気抵抗 (以下、 「導通抵抗」 という。 ) として記録し、 全測定点に おける導通抵抗が 1 Ω未満である測定点の割合を求めた。
また、 検査用回路基板 T 1に対する荷重を 1 2. 4 k gから 31 k g (異方導電性コネ クターの導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で 2 g ) に変更したこと以外は上記と同様 にして、 全測定点における導通抵抗が 1 Ω未満である測定点の割合を求めた。
以上、 結果を表 1に示す。
(8) 耐久性試験:
シート状コネクター M (1 -1) 、 シート状コネクター M (1-2) およびシート状コ ネクター M (1-4) の各々について、 以下のようにして耐久性試験を行った。
試験用ウェハ W1を、 « ヒーターを具えた試験台に配置し、 この試験用ウェハ W1の 表面上に、 シート状コネクターをその表面電極部の各々が当 ^験用ウェハ W 1の被検查 電極上に位置するよう位置合わせして配置し、 このシート状コネクター上に、 異方導電性 コネクター C 1をその導電部の各々が当該シート状コネクターの裏面電極部上に位置する よう位置合わせして配置し、 この異方導電性コネクター上に、 検査用回路 £1反 T 1をその 検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配 置し、 更に検査用回路纖 T1を下方に 31 k gの荷重 (異方導電性コネクターの導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で 2 g) で加圧した。 そして、 試験台を 85°Cに加熱し、 当^;験台の 力 S安定した後、 検查用回路基板 T 1における 15496個の検查電極に ついて、 異方導電性コネクター C 1、 シート状コネクターおよひ^;験用ウェハ W1を介し て互いに電気的に接続された 2個の検查電極の間の電気抵抗を順次測定し、 測定された電 気抵抗値の 2分の 1の値を、 検查用回路 ¾¾T 1の検査電極と試験用ウェハ W1の被検査 電極との間の電気抵抗 (以下、 「導通抵抗」 という。 ) として記録し、 導通抵抗が 1Ω以 上である測定点の数を求めた。 そして、 この状態で、 30秒間保持した後、 試験台の温度 を 85°Cに保持したまま、 検査用回路 ¾¾Τ1に対する力 [I圧を解除し、 この状態で、 30 秒間保持した。 以上の操作を 1サイクノレとして、 合計で 5万サイクル行つた。
結果を表 2に示す。
上記の耐久性試験が終了した後、 シート状コネクター Μ (1-1) 、 シート状コネクタ 一 Μ (1-2) およびシート状コネクター Μ (1-4) の各々を観察したところ、 いずれ の 構造体も絶縁性シートから脱落しておらず、 高い耐久性を有することが ¾IBされた 〈比較例 1〉
シート状コネクターの作製において、 第 1の表面側金属層の全部をェツチング処理によ つて除去し、 保持部を形成しなかったこと以外は、 実施例 1と同様にしてシート状コネク ターを した。
得られたシート状コネクターは、 絶縁性シートの厚み d力 S 12. 5 m、 電嫌造体の 表面電極部の形状が円錐台状で、 その基端の径が 45 zm、 その先端の径が 17/zm、 そ の突出高さが 25 zm、 短絡部の形状が円錐台状で、 その表面側の一端の径が 45 m、 裏面側の他端の径が 60 m、 裏面電極部の形状が矩形の平板状で、 その横幅が 60 m 、 縦幅が150 111、 厚みが 30 mのものである。
このようにして、 合計で 5枚のシート状コネクターを製造した。 これらのシート状コネ クタ一を 「シート状コネクター M (2-1) 」 〜 「シート状コネクター M (2-5) 」 と する。
シート状コネクター M (2-1) 〜シート状コネクター M (2-5) の各々について、 実施例 1と同様にして接続安定性試験を行った。 結果を表 1に示す。
また、 シート状コネクター M (2-1) およびシート状コネクター M (2-3) の各々 について、 実施例 1と同様にして耐久性試験を行った。 結果を表 2に示す。
また、 耐久性試験が終了した後、 シート状コネクター M (2-1) およびシート状コネ クタ一 M (2-3) の各々を観察したところ、 シート状コネクター M (2-1) において 、 15496個の電極構造体のうち 52個の電極構造体が絶縁性シートから脱落しており 、 シート状コネクター M (2-3) において、 15496個の電極構造体のうち 16個の 電«造体が絶縁性シートから脱落していた。
〈比較例 2〉
図 50に示す工程に従レ、、 以下のようにしてシート状コネクターを製造した。
厚みが 12. 5 μ mのポリイミドよりなる絶 1H生シートの一面に厚みが 5 μ mの銅層が 積層されてなる積層材料を用意し、 この積層材料における絶縁性シートに対してレーザ加 ェを施すことによって、 それぞれ絶縁†生シートの厚み方向に貫通する直径が 30 mの 1 5496個の貫通しを、 試験用ウェハ W1における被検査電極のパターンに対応するパタ ーンに従って形成した。 次いで、 この積層材料に対してフォトリソグラフィ一およびニッ ケルメッキ処理を施すことによって、 絶縁性シートの貫通孔內に銅層に一体に連結された 短総を形成すると共に、 当該絶縁性シートの表面に、 短総に一体に連結された突起状 の表面電極部を形成した。 この表面電極咅の基端の径は 70 μ mであり、 絶縁生シートの 表面からの高さは 20/imであった。 その後、 積層材料における銅層に対してフォトエツ チング処理を施してその一部を除去することにより、 60 imXl 50 mの矩形の裏面 電極部を形成し、 更に、 表面電極部および裏面 部に金メッキ処理を施すことによって 電謹造体を形成し、 以てシート状コネクターを製造した。
このようにして、 合計で 5枚のシート状コネクターを製造した。 これらのシート状コネ 18
49 クタ一を 「シート状コネクター M (3-1) 」 〜 「シート状コネクター M (3-5) 」 と する。
シート状コネクター M (3-1) 〜シート状コネクター M (3-5) の各々について、 実施例 1と同様にして接続安定性試験を行つた。 結果を表 1に示す。
また、 シート状コネクター M (3-1) 、 シート状コネクター M (3— 2) およぴシー ト状コネクター M (3-4) の各々について、 実施例 1と同様にして耐久性試験を行つた 。 結果を表 2に示す。
〔表 1〕
全測定点における導通抵抗が
1Ω未満の測定点の割合 (%)
荷重 12.4 k g 荷重 3 1 kg
シート状コネクター MU—!) 1 00 1 0 0
シート状コネクター M(l— 2) 100 100
実施例 1 シート状コネクタ一 M(l— 3) 100 100
シ-ト状コネクタ- M(H) 100 100
シ-ト状コネクタ- M (卜 5) 100 100
シート状コネクター M(2— 1) 1 00 1 0 0
シ-ト状コネクタ- M(2-2) 96 96
比較例 1 シ一卜状コネクター M(2— 3) 1 00 1 00
シート状コネクター M(2— 4) 99 99
シート状コネクター M(2— 5) 92 95
シート状コネクター M( 3—1) 8 9 1 00
シート状コネクター M(3— 2) 9 3 1 00
比較例 2 シート状コネクター M(3— 3) 77 97
シート状コネクター M(3— 4) 9 0 1 00
シート状コネクター M(3— 5) 88 97 〔表 2〕
Figure imgf000052_0001
表 1の結果から明らかなように、 実施例 1に係るシート状コネクター Μ (1 -1) 〜シ ート状コネクター Μ (1-5) によれば、 全ての被検査電極に対して、 小さレヽ荷重で安定 な電気的接続状態力確実に達成されることが麵、された。 また、 実施例 1に係るシート状コネクタ—は、 高い耐久'性を有するものであることが確 認された。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 絶縁性シートと、 この絶縁性シートにその面方向に互いに離間して配置された、 当該 絶縁性シートの厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体とを有するシート状コネクタ 一であって、
Ιίίϊ己電極構造体の各々は、 前記絶縁性シートの表面に露出し、 当該絶縁性シートの表面 から突出する表面電極部と、 前記絶縁性シートの裏面に露出する裏面電極部と、 前記表面 電極部の基端から連続して編己絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、 廳己裏面電 極部に連結された短絡部と、 前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの 表面に沿って外方に伸びる保持部とよりなることを特徴とするシート状コネクター。.
2. 電; f¾i造体における表面電極部は、 その基端から先端に向かうに従って小径となる形 状のものであることを糊敫とする請求の範囲第 1項に記載のシート状コネクター。
3 . 電«造体における表面電極部の基端の径1^ に対する表面電極部の先端の径 R 2 の 比 R2 /R i の値が 0. 1 1〜0. 5 5であることを とする請求の範囲第 1項または 第 2項に記載のシート状コネクター。
4. 電«造体における表面電極部の基端の径 R! に る表面電極部の突出高さ hの比 h/R x の値が 0. 2〜3であることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 3項のいずれ かに記載のシート状コネクター。
5 . 電極構造体における短総は、 絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って/ J と なる形状のものであることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 4項のいずれかに記載の シート状コネクター。
6 . 絶縁性シートはェツチング可能な高分子材料よりなることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 5項のいずれかに記載のシート状コネクター。
7. 絶縁性シートはポリイミドよりなることを樹敷とする請求の範囲第 6項に記載のシー ト状コネクター。
8 . 請求の範囲第 1項に記載のシート状コネクターを製造する方法であって、
少なくとも絶縁性シートと、 この絶縁性シートの表面に形成された第 1の表面側金属層 と、 この第 1の表面側金属層の表面に形成された絶縁層と、 この絶,の表面に形成され た第 2の表面側金属層とを有する積層体を用意し、 この積層体における絶縁性シート、 第 1の表面側金属層およひS縁層の各々に互いに連 通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、 当 層体の裏面に電 造体形 成用凹所を形成し、
この積層体に対し、 その第 2の表面側金属層を電極としてメツキ処理を施して電 β造 体形成用凹所に金属を充填することにより、 絶縁性シートの表面から突出する表面電極部 およびその基端から連続して当該絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を 形成し、
この積層体から嫌己第 2の表面側金属層おょぴ前記絶縁層を除去することにより、 前記 表面電極部おょぴ前記第 1の表面側金属層を露出させ、 その後、 当該第 1の表面側金属層 にエッチング処理を施すことにより、 前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性 シートの表面に沿って外方に伸びる保持部を形成する工程を有することを 敷とするシー ト状コネクターの製造方法。
9. 電嫌造体形成用凹所における絶顯の貫通孔が、 当該絶纏の裏面から表面に向か うに従って小径となる形状に形成されることを糊敷とする請求の範囲第 8項に記載のシー ト状コネクターの製造方法。
1 0. 積層体としてその絶 がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用レヽ、 電極 構造体形成用凹所における絶縁層の貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とす る請求の範囲第 9項に記載のシート状コネクターの製造方法。
1 1 . 電極構造体形成用凹所における絶縁性シートの貫通孔が、 当該絶縁性シートの裏面 から表面に向かうに従って/ J となる形状に形成されることを糊敷とする請求の範囲第 8 項乃至第 1 0項のいずれかに記載のシート状コネクターの製造方法。
1 2. 積層体としてその絶縁性シートがエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い 、 構造体形成用凹所における絶縁性シートの貫通孔がェツチングにより形成されるこ とを特徴とする請求の範囲第 1 1項に記載のシート状コネクターの製造方法。
1 3. 請求の範囲第 1項に記載のシート状コネクターを製造する方法であって、
少なくとも絶镓性シ一トと、 この絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、 こ の表面側金属層の表面に形成された絶,と、 ΙίίΙ己絶縁 f生シートの裏面に形成された裏面 側金属層とを有する積層体を用意し、
この積層体における絶縁層、 表面側金属層おょぴ絶縁性シートの各々に互いに連通する 厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、 当該積層体の表面に電極構造体形成用凹 所を形成し、
この積層体に対し、 裏面側金属層を電極としてメツキ処理を施して電極構造体形成用回 所に金属を充填することにより、 絶縁性シートの表面から突出する表面電極部おょぴその 基端から連続して当該絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成し、 この積層体から絶縁層を除去することにより、 前記表面 部および前記表面側金属層 を露出させ、 その後、 当該表面側金属層にエッチング処理を施すことにより、 前記表面電 極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿つて外方に伸びる保持部を形成 する工程を有することを特徴とするシート状コネクターの製造方法。
1 . 検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プロ一 ブであって、
検査対象である回路装置のネ皮検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回 路¾¾と、 この検査用回路 上に配置された異方導電性コネクターと、 この異方導電性 コネクター上に配置された、 請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれかに記載のシート状コ ネクターとを具えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。
1 5. 検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウェハであり、
異方導電性コネクタ一は、 検查纖であるウェハに形成された全ての集積回路または一 部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成され たフレーム板と、 このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートとを有 してなることを特徴とする請求の範囲第 1 4項に記載の回路検査用プローブ。
1 6. 請求の範囲第 1 4項または第 1 5項に記載された回路検査用プローブを具えてなる ことを糊數とする回路装置の検査装置。
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