WO2003014829A1 - Mask and method for producing a mask - Google Patents

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WO2003014829A1
WO2003014829A1 PCT/EP2002/007824 EP0207824W WO03014829A1 WO 2003014829 A1 WO2003014829 A1 WO 2003014829A1 EP 0207824 W EP0207824 W EP 0207824W WO 03014829 A1 WO03014829 A1 WO 03014829A1
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WO
WIPO (PCT)
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mask
membrane
silicon body
thin layer
monocrystalline silicon
Prior art date
Application number
PCT/EP2002/007824
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Inventor
Thomas Bayer
Johann Greschner
Samuel Kalt
Helga Weiss
Original Assignee
Team Nanotec Gmbh
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof

Definitions

  • the present invention relates to a mask, in particular for use in electron projection lithography, with a monocrystalline silicon body, in the surface of which depressions corresponding to a pattern to be imaged are arranged, which have inner surfaces, and with a membrane.
  • the present invention further relates to a method for producing masks.
  • an electron beam is used to image structures that are predetermined by a mask onto the surface of a wafer.
  • the first type is the so-called stencil mask, in which the electron beam can act directly on the wafer surface through openings in the mask or is scattered in the areas to be shadowed by the mask through a membrane consisting of monocrystalline silicon.
  • the second type of mask for electron projection lithography the membrane mask with a closed membrane, has a continuous thin membrane through which the electron beam must pass in order to be able to act on the wafer surface.
  • the shading takes place here by scattering segments arranged on the thin membrane, which usually consist of an element with a high atomic number or a connection with such an element in order to achieve a sufficiently large scattering of the electrons even with a small segment thickness.
  • the object of the invention is to provide an improved mask for electron projection lithography and an inexpensive and flexible manufacturing method.
  • the mask according to the invention is very easy to produce and represents a flexible concept for mask production, since its construction enables the mask to be designed as a stencil mask or also as a membrane mask with a closed membrane in only one further different production step. To obtain a stencil mask from the membrane mask with the membrane closed, simply remove the membrane.
  • Another advantage over known membrane masks with a closed membrane is that the proposed mask does not require an etch stop layer between scattering segments and the closed membrane. This eliminates the problem of undesirable scattering of the electron beam through the etch stop layer. There is also no risk of distortion of the mask structures, which can be attributed to different tensile stresses in the etching stop layer and the membrane.
  • a preferred embodiment of the mask according to the invention is characterized in that the membrane consists of silicon nitride, which is particularly easy to handle and has been used in semiconductor production for decades.
  • the silicon nitride is preferably applied to the mask in a so-called "low pressure chemical vapor deposition" (LPCVD) process.
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • a very advantageous feature of this embodiment is the possibility of being able to adjust the tensile stress of the membrane consisting of silicon nitride in a wide range from approximately 50 MPa to approximately IgPa. This enables an optimal adaptation to the tensile stress of the monocrystalline silicon body to avoid mask distortion. This also increases the life of the mask.
  • Another variant of the mask according to the invention has on its underside a thin layer of a material with an element with a low atomic number or a connection with such an element, which absorbs or scatters only a small proportion of the electron radiation.
  • an electrically conductive layer prevents electrostatic charging of the mask due to the irradiation with electrons, on the other hand there is good heat dissipation.
  • a material that can be easily applied to the mask in order to keep the mechanical stress on the mask to a minimum during application is very particularly advantageous for forming the thin layer.
  • the monocrystalline silicon body is designed such that sections of the silicon body can be used as a support device for the mask.
  • the masks made of approx. 400 ⁇ m to 750 ⁇ m thick wafers are attached to a support frame made of heat-resistant glass that is several millimeters thick. The fastening process places a great mechanical load on the masks.
  • the above-mentioned further development of the mask according to the invention virtually has an integrated support frame. This is achieved by using a relatively thick, monocrystalline silicon body, the inner region of which is reduced by means of etching to the thickness of a conventional wafer that can be used to manufacture a membrane mask. This leaves sections of great thickness in the outer region of the wafer which can be used as a carrying device. It is no longer necessary to attach the mask to a more stable structure with the associated mechanical stress.
  • the thin layer has a mechanical stability which is approximately the mechanical stability of the membrane corresponds, and that the membrane is selectively removable from the monocrystalline silicon body and the thin layer.
  • the thin layer proposed in this embodiment additionally takes on the stabilizing function of the membrane, as a result of which the membrane can be dispensed with.
  • a method for producing a mask in particular for use in electron projection lithography, is presented with a monocrystalline silicon body of thickness d, recesses corresponding to a pattern to be imaged being etched in the surface thereof, have the inner surfaces, a membrane being applied to the surface and the inner surfaces in such a way that a closed surface is formed, and openings being etched into the monocrystalline silicon body, so that radiation incident in the openings in the region of the depressions through the membrane and the Depressions can emerge from the mask again.
  • An embodiment of the method according to the invention is particularly advantageous and provides that the monocrystalline silicon body has a thickness d2 that is a multiple of the thickness d of a conventional membrane mask, that part of the monocrystalline silicon body of thickness d2 is removed using a rapid wet etching process, so that Sections of the thickness d2 and sections of the thickness d remain, and that the sections of the thickness d2 can be used as a support device for the mask.
  • the use of an inexpensive wet etching method is very advantageous in order to remove the comparatively large amount of material from the inner regions of the monocrystalline silicon body, which should contain the mask structures, and must accordingly be made thin.
  • the wet etching process can be done in Wet etching reactors can be run for many substrates simultaneously. As soon as the thickness of the monocrystalline silicon body has fallen below a certain limit in this area, a more precise and at the same time slower etching process is selected in order to develop the mask structures.
  • the proposed method is therefore suitable for providing a unit consisting of a monocrystalline silicon body, consisting of a mask and a support device for the mask, which at the same time ensures high economy of the mask structures and a high level of economy through process steps which can be carried out quickly.
  • a further embodiment of the method according to the invention provides that an electrically conductive and / or thermally conductive thin layer of an element / elements with a low atomic number is applied to the underside of the mask.
  • Another embodiment of the method according to the invention provides for the membrane to be selectively removed from the monocrystalline silicon body and the thin layer after the thin layer has been applied. If the thin layer has sufficient mechanical stability, it can also take on the stabilizing effect of the membrane, so that the membrane can be removed again.
  • FIG. 1 shows a cross section through a first embodiment of a mask according to the invention
  • FIG. 2a shows a first part of the mask shown in cross section from FIG. 1 on an enlarged scale
  • FIG. 2b shows a second part of the mask shown in cross section from FIG. 1 on an enlarged scale
  • FIG. 3 shows a cross section of a second embodiment of the mask according to the invention
  • Fig. 5 shows a cross section through a third embodiment of a mask according to the invention.
  • FIG. 1 A first embodiment of a mask according to the invention for electron projection lithography is shown in cross section in FIG. In the description of this first embodiment, reference is also made to FIGS. 2a and 2b, which each show an enlarged section of the mask from FIG.
  • the mask consists of a monocrystalline silicon body 10 of thickness d, which has depressions 14 which interrupt the surface 11 of the mask.
  • the depressions 14 have inner surfaces 15.
  • the surface 11 of the monocrystalline silicon body 10 is, like the inner surfaces 15 of the depressions 14, with a membrane 20 covered.
  • the membrane 20 forms a closed surface on the upper side of the monocrystalline silicon body 10.
  • FIG. 2a A first part of the mask from FIG. 1 is shown enlarged in FIG. 2a. This is a part of the mask that has no depression 14.
  • a second part of the mask, shown in FIG. 2b, has two depressions 14, the inner surfaces 15 of which are also shown.
  • the membrane 20 is not shown in Figures 2a and 2b for reasons of clarity.
  • this embodiment of the mask is also referred to as a "corrugated continuous membrane” (CCM) mask.
  • CCM corrugated continuous membrane
  • the mask In electron projection lithography, the mask is placed between an electron beam generator and a wafer to be written.
  • the thin layer 13 is designed to be electrically conductive.
  • a good thermal conductivity of the thin layer 13 is also advantageous to prevent local overheating of the mask and thus avoid thermal deformations.
  • the thin layer 13 and the membrane 20 are made of materials with elements with a low atomic number, so that the electron beam can penetrate the mask in the region of the depressions 14 and can hit a radiation-sensitive layer of the wafer.
  • the thin layer 13 is preferably made of conductive amorphous carbon and is approximately 10 nm thick.
  • the electron beam strikes a part of the monocrystalline silicon body 10 between the depressions 14, the electrons are scattered in the silicon, are directed onto the edge of an aperture stop located in the imaging beam path, and no longer hit the wafer in a focused beam, which is why none "Exposure" of the wafer takes place.
  • the position of the depressions 14 in the mask must be selected accordingly.
  • the depressions 14 are typically approximately 1 ⁇ m to 2 ⁇ m deep, while the thickness d of the mask is approximately between 200 ⁇ m to 750 ⁇ m.
  • the monocrystalline silicon body 10 of the mask is obtained from a conventional wafer.
  • the mask has the lowest mechanical stability in the region of the depressions 14. A stabilizing effect results from support walls 12. These typically form a grid of 1mm x 1mm.
  • the mechanical stability of the mask is particularly advantageously increased by the membrane 20, which, in contrast to the support walls 12, enables a uniform distribution of occurring forces.
  • the membrane 20 preferably consists of an approximately 20 nm to about 50nm thick silicon nitride layer. Silicon nitride can be gently applied to the mask in a so-called "low pressure chemical vapor deposition" (LPCVD) process.
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • the tensile stress of the membrane 20 can be set within a very wide range, so that an adaptation to the tensile stress of adjacent layers is possible.
  • FIG. 3 shows a further embodiment of the mask according to the invention in cross section.
  • the monocrystalline silicon body 10 has a thickness d2 which is a multiple of the thickness d of the silicon body 10 of the first embodiment. Openings 9 can also be seen, which are separated from one another by supporting walls 12.
  • Sections 30 of the monocrystalline silicon body 10 are located on the lateral edges of the mask and, because of their large thickness d2, are suitable as a support device for the entire mask in the range from approximately 0.5 mm to approximately 4 mm. As a result, no subsequent attachment of the sensitive mask to a separate support is required.
  • the area of the monocrystalline silicon body 10 located between the outer sections 30 is removed in a method step of the method according to the invention by a chemical wet etching method.
  • the wet etching process has the advantage that many substrates can be etched simultaneously in inexpensive wet etching reactors.
  • the depressions 14 are, for example, with a So-called “reactive ion etching” (RIE) process etched into the surface 11 of the monocrystalline silicon body 10.
  • RIE reactive ion etching
  • the membrane 20 made of silicon nitride is applied to both the surface 11 and the inner surfaces 15 of the depressions 14 in an LPCVD process.
  • the openings 9 must be etched using an etching mask 28.
  • the area of the rear side, which is to be retained as the support wall 12, is also to be provided with the etching mask 28.
  • a combination of two etching processes is used, which is described in more detail in the German patent DE 197 10 798 Cl.
  • an RIE process is carried out and then a KOH wet etching process is carried out to ensure that the support wall 12 and the further lateral boundaries of the openings 9 are exactly perpendicular to the surface 11 of the mask.
  • the membrane 20 and a boron doping introduced into the top of the monocrystalline silicon body 10 act as a protective layer for the top of the mask.
  • a stencil mask can be produced by a single further method step by removing the membrane 20 again.
  • a thin layer 13 can also be applied to the back of the mask, the function of which has already been explained.
  • This variant of the procedure provides a so-called “corrugated continuous membrane” (CCM) mask.
  • CCM corrugated continuous membrane
  • the membrane 20 can be removed again in a further method step after the application of the thin layer 13.
  • a corresponding mask is shown in FIG. 5.
  • the membrane 20 In order not to damage the mask when removing the membrane 20, the membrane 20 must be removed selectively against the monocrystalline silicon body 10 and the thin layer 13.
  • the mechanical stability of the thin layer 13 must correspond approximately to the mechanical stability of the membrane 20.
  • the thin layer 13 can consist, for example, of diamond-like doped carbon and must have a corresponding tensile stress in comparison with neighboring layers.
  • the thickness d3 of the thin layer 13 is approximately between 30 nm and 60 nm.
  • the invention also specifies a universal production process for EPL masks which enables more stable masks, the formation of two frequently used mask types (stencil masks and membrane masks) by means of only one type-specific process step and more economical processes.

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Abstract

The invention relates to a mask which is improved in terms of production and handling, and which is especially to be used in electron projection lithography. The invention also relates to a method for producing one such mask.

Description

Titel: Maske und MaskenherstellungsverfahrenTitle: Mask and Mask Manufacturing Process
Beschreibungdescription
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen-Projektions-Lithografie, mit einem monokristallinen Siliziumkörper, in dessen Oberfläche einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen angeordnet sind, die Innenflächen aufweisen, und mit einer Membran.The present invention relates to a mask, in particular for use in electron projection lithography, with a monocrystalline silicon body, in the surface of which depressions corresponding to a pattern to be imaged are arranged, which have inner surfaces, and with a membrane.
Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Masken.The present invention further relates to a method for producing masks.
Stand der TechnikState of the art
Masken der eingangs genannten Art werden beiMasks of the type mentioned above are used in
Lithografieverfahren in der Halbleiterherstellung verwendet, um geometrische Strukturen auf Oberflächen von afern abzubilden.Lithography processes used in semiconductor manufacturing to map geometric structures on surfaces of fields.
Es sind verschiedene Lithografieverfahren bekannt, wobei die optische Lithografie zunehmend von Verfahren verdrängt wird, die mit Röntgen-, Elektronen- oder Ionenstrahlen arbeiten. Ein Grund dafür ist die minimal erzielbare Strukturbreite, die mit der Wellenlänge der verwendeten Strahlung zusammenhäng .Various lithography processes are known, with optical lithography being increasingly replaced by processes which work with X-rays, electron beams or ion beams. One reason for this is the minimum structure width that can be achieved, which is related to the wavelength of the radiation used.
Bei der kurz als EPL bezeichneten Elektronen-Projektions- Lithografie wird ein Elektronenstrahl benutzt, um von einer Maske vorgegebene Strukturen auf die Oberfläche eines Wafers abzubilden.In electron projection lithography, referred to for short as EPL, an electron beam is used to image structures that are predetermined by a mask onto the surface of a wafer.
Es haben sich zwei Maskentypen zur Benutzung für die Elektronen-Projektions-Lithografie herausgebildet. Der erste Typ ist die sog. Stencilmaske, bei der der Elektronenstrahl durch Öffnungen in der Maske direkt auf αie Waferoberflache einwirken kann bzw. in den von der Maske abzuschattenden Bereichen durch eine aus monokristallinem Silizium bestehende Membran gestreut wird.Two types of masks have been developed for use in electron projection lithography. The first One type is the so-called stencil mask, in which the electron beam can act directly on the wafer surface through openings in the mask or is scattered in the areas to be shadowed by the mask through a membrane consisting of monocrystalline silicon.
Der zweite Maskentyp für die Elektronen-Projektions- Lithografie, die Membranmaske mit geschlossener Membran, weist eine durchgehende dünne Membran auf, durch die der Elektronenstrahl hindurchtreten muss, um auf die Waferoberflache einwirken zu können. Die Abschattung erfolgt hierbei durch auf der dünnen Membran angeordnete Streusegmente, die üblicherweise aus einem Element hoher Kernladungszahl bzw. einer Verbindung mit einem solchen Element bestehen, um eine hinreichend große Streuung der Elektronen auch bei geringer Segmentdicke zu erreichen.The second type of mask for electron projection lithography, the membrane mask with a closed membrane, has a continuous thin membrane through which the electron beam must pass in order to be able to act on the wafer surface. The shading takes place here by scattering segments arranged on the thin membrane, which usually consist of an element with a high atomic number or a connection with such an element in order to achieve a sufficiently large scattering of the electrons even with a small segment thickness.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine verbesserte Maske für die Elektronen-Projektions-Lithografie sowie ein kostengünstiges und flexibles Herstellungsverfahren anzugeben.The object of the invention is to provide an improved mask for electron projection lithography and an inexpensive and flexible manufacturing method.
Diese Aufgabe wird bei einer Maske der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Membran die Oberfläche des monokristallinen Siliziumkörpers und die Innenflächen der Vertiefungen bedeckt und somit eine geschlossene Fläche bildet .This object is achieved according to the invention in a mask of the type mentioned at the outset in that the membrane covers the surface of the monocrystalline silicon body and the inner surfaces of the depressions and thus forms a closed surface.
Die erfindunsgemäße Maske ist sehr leicht herstellbar und repräsentiert ein flexibles Konzept zur Maskenherstellung, da ihr Aufbau eine Ausbildung der Maske als Stencilmaske oder auch als Membranmaske mit geschlossener Membran in nur einem weiteren unterschiedlichen Herstellungsschritt ermöglicht. Um aus der Membranmaske mit geschlossener Membran eine Stencilmaske zu erhalten, ist lediglich die Membran zu entfernen. Ein weiterer Vorteil gegenüber bekannten Membranmasken mit geschlossener Membran besteht darin, dass die vorgeschlagene Maske keine Ätzstopschicht zwischen Streusegmenten und der geschlossenen Membran benötigt. Dadurch entfällt das Problem der unerwünschten Streuung des Elektronenstrahls durch die Ätzstopschicht. Ebenso besteht nicht die Gefahr von Verzeichnungen der Maskenstrukturen, die auf unterschiedliche Zugspannungen der Ätzstopschicht und der Membran zurückzuführen sind.The mask according to the invention is very easy to produce and represents a flexible concept for mask production, since its construction enables the mask to be designed as a stencil mask or also as a membrane mask with a closed membrane in only one further different production step. To obtain a stencil mask from the membrane mask with the membrane closed, simply remove the membrane. Another advantage over known membrane masks with a closed membrane is that the proposed mask does not require an etch stop layer between scattering segments and the closed membrane. This eliminates the problem of undesirable scattering of the electron beam through the etch stop layer. There is also no risk of distortion of the mask structures, which can be attributed to different tensile stresses in the etching stop layer and the membrane.
Eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske ist dadurch gekennzeichnet, dass die Membran aus Siliziumnitrid besteht, das besonders gut handhabbar ist und schon seit Jahrzehnten in der Halbleiterfertigung eingesetzt wird. Das Siliziumnitrid wird vorzugsweise in einem sog. "low pressure chemical vapour deposition" (LPCVD) -Verfahren auf die Maske aufgebracht .A preferred embodiment of the mask according to the invention is characterized in that the membrane consists of silicon nitride, which is particularly easy to handle and has been used in semiconductor production for decades. The silicon nitride is preferably applied to the mask in a so-called "low pressure chemical vapor deposition" (LPCVD) process.
Sehr vorteilhaft an dieser Ausführungsform ist die Möglichkeit, die Zugspannung der aus Siliziumnitrid bestehenden Membran in einem weiten Bereich von etwa 50MPa bis etwa lGPa einstellen zu können. Somit ist eine optimale Anpassung an die Zugspannung des monokristallinen Siliziumkörpers zur Vermeidung von Maskenverzeichnungen möglich. Dadurch erhöht sich auch die Lebensdauer der Maske.A very advantageous feature of this embodiment is the possibility of being able to adjust the tensile stress of the membrane consisting of silicon nitride in a wide range from approximately 50 MPa to approximately IgPa. This enables an optimal adaptation to the tensile stress of the monocrystalline silicon body to avoid mask distortion. This also increases the life of the mask.
Eine weitere Variante der erfindungsgemäßen Maske weist auf ihrer Unterseite eine dünne Schicht aus einem Material mit einem Element niedriger Kernladungszahl bzw. einer Verbindung mit einem solchen Element auf, die nur einen geringen Anteil der Elektronenstrahlung absorbiert bzw. streut.Another variant of the mask according to the invention has on its underside a thin layer of a material with an element with a low atomic number or a connection with such an element, which absorbs or scatters only a small proportion of the electron radiation.
Besonders vorteilhaft ist eine Weiterbildung der Erfindung, bei der die dünne Schicht eine hohe Wärmeleitfähigkeit und/oder eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist. Zum einen wird durch die elektrisch leitende Schicht eine elektrostatische Aufladung der Maske aufgrund der Bestrahlung mit Elektronen verhindert, andererseits ist eine gute Wärmeableitung gegeben.A development of the invention in which the thin layer has a high thermal conductivity and / or a high electrical conductivity is particularly advantageous. On the one hand, an electrically conductive layer prevents electrostatic charging of the mask due to the irradiation with electrons, on the other hand there is good heat dissipation.
Ganz besonders vorteilhaft zur Bildung der dünnen Schicht ist ein Material, das einfach auf die Maske aufbringbar ist, um die mechanische Belastung der Maske beim Aufbringen minimal zu halten.A material that can be easily applied to the mask in order to keep the mechanical stress on the mask to a minimum during application is very particularly advantageous for forming the thin layer.
Eine andere, sehr vorteilhafte Weiterentwicklung der erfindungsgemäßen Maske sieht vor, dass der monokristalline Siliziumkörper derart ausgebildet ist, dass Abschnitte des Siliziumkörpers als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind.Another very advantageous further development of the mask according to the invention provides that the monocrystalline silicon body is designed such that sections of the silicon body can be used as a support device for the mask.
Üblicherweise werden die aus ca. 400μm bis 750μm dicken Wafern gefertigten Masken auf einem Tragrahmen aus hitzebeständigem Glas befestigt, der mehrere Millimeter dick ist. Der Befestigungsprozess bringt eine große mechanische Belastung für die Masken mit sich.Usually, the masks made of approx. 400μm to 750μm thick wafers are attached to a support frame made of heat-resistant glass that is several millimeters thick. The fastening process places a great mechanical load on the masks.
Die vorstehend genannte Weiterentwicklung der erfindungsgemäßen Maske weist quasi einen integrierten Tragrahmen auf. Dies wird durch Verwendung eines relativ dicken, monokristallinen Siliziumkörpers erreicht, dessen Innenbereich mittels Ätzen auf die Dicke eines herkömmlichen, zur Fertigung einer Membranmaske verwendbaren Wafers reduziert wird. Dadurch bleiben im Aussenbereich des Wafers Abschnitte großer Dicke erhalten, die als Tragvorrichtung verwendet werden können. Eine Befestigung der Maske auf einer stabileren Struktur mit der damit einhergehenden mechanischen Belastung ist nicht mehr erforderlich.The above-mentioned further development of the mask according to the invention virtually has an integrated support frame. This is achieved by using a relatively thick, monocrystalline silicon body, the inner region of which is reduced by means of etching to the thickness of a conventional wafer that can be used to manufacture a membrane mask. This leaves sections of great thickness in the outer region of the wafer which can be used as a carrying device. It is no longer necessary to attach the mask to a more stable structure with the associated mechanical stress.
Eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske sieht vor, dass die dünne Schicht eine mechanische Stabilität aufweist, die etwa der mechanischen Stabilität der Membran entspricht, und dass die Membran selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper und der dünnen Schicht entfernbar ist. Die in dieser Ausführungsform vorgeschlagene dünne Schicht übernimmt zusätzlich die stabilisierende Funktion der Membran, wodurch die Membran entfallen kann.Another embodiment of the mask according to the invention provides that the thin layer has a mechanical stability which is approximately the mechanical stability of the membrane corresponds, and that the membrane is selectively removable from the monocrystalline silicon body and the thin layer. The thin layer proposed in this embodiment additionally takes on the stabilizing function of the membrane, as a result of which the membrane can be dispensed with.
Als eine weitere Lösung der Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen-Projektions- Lithografie, vorgestellt, mit einem monokristallinen Siliziumkörper der Dicke d, wobei in dessen Oberfläche einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen geätzt werden, die Innenflächen aufweisen, wobei eine Membran so auf die Oberfläche und die Innenflächen aufgebracht wird, dass sich eine geschlossene Fläche bildet, und wobei Öffnungen in den monokristallinen Siliziumkörper geätzt werden, so dass in die Öffnungen einfallende Strahlung im Bereich der Vertiefungen durch die Membran und die Vertiefungen wieder aus der Maske austreten kann.As a further solution to the object of the present invention, a method for producing a mask, in particular for use in electron projection lithography, is presented with a monocrystalline silicon body of thickness d, recesses corresponding to a pattern to be imaged being etched in the surface thereof, have the inner surfaces, a membrane being applied to the surface and the inner surfaces in such a way that a closed surface is formed, and openings being etched into the monocrystalline silicon body, so that radiation incident in the openings in the region of the depressions through the membrane and the Depressions can emerge from the mask again.
Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist besonders vorteilhaft und sieht vor, dass der monokristalline Siliziumkörper eine Dicke d2 aufweist, die ein Vielfaches der Dicke d einer herkömmlichen Membranmaske beträgt, dass ein Teil des monokristallinen Siliziumkörpers der Dicke d2 mit einem schnellen Naßätzverfahren entfernt wird, so dass Abschnitte der Dicke d2 und Abschnitte der Dicke d verbleiben, und dass die Abschnitte der Dicke d2 als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind.An embodiment of the method according to the invention is particularly advantageous and provides that the monocrystalline silicon body has a thickness d2 that is a multiple of the thickness d of a conventional membrane mask, that part of the monocrystalline silicon body of thickness d2 is removed using a rapid wet etching process, so that Sections of the thickness d2 and sections of the thickness d remain, and that the sections of the thickness d2 can be used as a support device for the mask.
Bei dieser Ausführungsform ist die Anwendung eines kostengünstigen Naßätzverfahrens sehr vorteilhaft, um die vergleichsweise hohe Materialmenge von den Innenbereichen des monokristallinen Siliziumkörpers abzutragen, die die Maskenstrukturen beinhalten sollen, und dementsprechend dünn ausgebildet sein müssen. Das Naßätzverfahren kann in Naßätzreaktoren für viele Substrate gleichzeitig ausgeführt werden. Sobald die Dicke des monokristallinen Siliziumkörpers in diesem Bereich eine gewisse Grenze unterschritten hat, wird ein präziseres und zugleich langsameres Ätzverfahren gewählt, um die Maskenstrukturen zu entwickeln.In this embodiment, the use of an inexpensive wet etching method is very advantageous in order to remove the comparatively large amount of material from the inner regions of the monocrystalline silicon body, which should contain the mask structures, and must accordingly be made thin. The wet etching process can be done in Wet etching reactors can be run for many substrates simultaneously. As soon as the thickness of the monocrystalline silicon body has fallen below a certain limit in this area, a more precise and at the same time slower etching process is selected in order to develop the mask structures.
Das vorgeschlagene Verfahren ist also geeignet, eine aus einem monokristallinen Siliziumkörper bestehende Einheit aus einer Maske und einer Tragvorrichtung für die Maske bereitzustellen, die bei hoher Genauigkeit der Maskenstrukturen zugleich eine hohe Wirtschaftlichkeit durch schnell ausführbare Prozeßschritte sicherstellt.The proposed method is therefore suitable for providing a unit consisting of a monocrystalline silicon body, consisting of a mask and a support device for the mask, which at the same time ensures high economy of the mask structures and a high level of economy through process steps which can be carried out quickly.
Eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, dass auf die Unterseite der Maske eine elektrisch leitende und/oder wärmeleitende dünne Schicht aus einem Element/Elementen niedriger Kernladungszahl aufgebracht wird.A further embodiment of the method according to the invention provides that an electrically conductive and / or thermally conductive thin layer of an element / elements with a low atomic number is applied to the underside of the mask.
Eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, nach dem Aufbringen der dünnen Schicht die Membran selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper und der dünnen Schicht zu entfernen. Bei ausreichender mechanischer Stabilität der dünnen Schicht kann diese zusätzlich die stabilisierende Wirkung der Membran übernehmen, sodass die Membran wieder entfernt werden kann.Another embodiment of the method according to the invention provides for the membrane to be selectively removed from the monocrystalline silicon body and the thin layer after the thin layer has been applied. If the thin layer has sufficient mechanical stability, it can also take on the stabilizing effect of the membrane, so that the membrane can be removed again.
Weitere Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind. Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in der Zeichnung. Ausführungsbeispiele der ErfindungFurther features, possible applications and advantages of the invention result from the following description of exemplary embodiments of the invention, which are shown in the figures of the drawing. All of the described or illustrated features, alone or in any combination, form the subject matter of the invention, regardless of their summary in the patent claims or their relationship, and regardless of their wording or representation in the description or in the drawing. Embodiments of the invention
Es zeigen:Show it:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Maske,1 shows a cross section through a first embodiment of a mask according to the invention,
Fig. 2a einen ersten Teil der im Querschnitt dargestellten Maske aus Fig. 1 in Vergrößerung,2a shows a first part of the mask shown in cross section from FIG. 1 on an enlarged scale,
Fig. 2b einen zweiten Teil der im Querschnitt dargestellten Maske aus Fig. 1 in Vergrößerung,2b shows a second part of the mask shown in cross section from FIG. 1 on an enlarged scale,
Fig. 3 einen Querschnitt einer zweiten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske,3 shows a cross section of a second embodiment of the mask according to the invention,
Fig. 4a-c eine erfindungsgemäße Maske in drei verschiedenen Phasen ihres Herstellungsprozesses, und4a-c an inventive mask in three different phases of its manufacturing process, and
Fig. 5 einen Querschnitt durch eine dritte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Maske.Fig. 5 shows a cross section through a third embodiment of a mask according to the invention.
In Figur 1 ist eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Maske für die Elektronen-Projektions- Lithografie im Querschnitt abgebildet. Bei der Beschreibung dieser ersten Ausführungsform wird auch auf die Figuren 2a und 2b Bezug genommen, die jeweils einen vergrößerten Ausschnitt der Maske aus Figur 1 zeigen.A first embodiment of a mask according to the invention for electron projection lithography is shown in cross section in FIG. In the description of this first embodiment, reference is also made to FIGS. 2a and 2b, which each show an enlarged section of the mask from FIG.
Die Maske besteht aus einem monokristallinen Siliziumkörper 10 der Dicke d, der die Oberfläche 11 der Maske unterbrechende Vertiefungen 14 aufweist. Die Vertiefungen 14 besitzen Innenflächen 15.The mask consists of a monocrystalline silicon body 10 of thickness d, which has depressions 14 which interrupt the surface 11 of the mask. The depressions 14 have inner surfaces 15.
Die Oberfläche 11 des monokristallinen Siliziumkörpers 10 ist, ebenso wie die Innenflächen 15 der Vertiefungen 14, mit einer Membran 20 überzogen. Die Membran 20 bildet eine geschlossene Fläche auf der Oberseite des monokristallinen Siliziumkörpers 10.The surface 11 of the monocrystalline silicon body 10 is, like the inner surfaces 15 of the depressions 14, with a membrane 20 covered. The membrane 20 forms a closed surface on the upper side of the monocrystalline silicon body 10.
Ein erster Teil der Maske aus Figur 1 ist in Figur 2a vergrößert dargestellt. Dabei handelt es sich um einen Teil der Maske, der keine Vertiefung 14 aufweist.A first part of the mask from FIG. 1 is shown enlarged in FIG. 2a. This is a part of the mask that has no depression 14.
Ein zweiter, in Figur 2b dargestellter Teil der Maske, weist zwei Vertiefungen 14 auf, deren Innenflächen 15 ebenfalls dargestellt sind. Die Membran 20 ist in den Figuren 2a und 2b aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt.A second part of the mask, shown in FIG. 2b, has two depressions 14, the inner surfaces 15 of which are also shown. The membrane 20 is not shown in Figures 2a and 2b for reasons of clarity.
Schließlich befinden sich in der Unterseite des in Figur 1 dargestellten monokristallinen Siliziumkörpers 10 zwei Öffnungen 9, die über eine Stützwand 12 voneinander getrennt sind. Eine dünne Schicht 13 ist auf der Unterseite des monokristallinen Siliziumkörpers 10 aufgebracht.Finally, there are two openings 9 in the underside of the monocrystalline silicon body 10 shown in FIG. 1, which are separated from one another by a supporting wall 12. A thin layer 13 is applied to the underside of the monocrystalline silicon body 10.
Wegen der mäanderförmigen Ausbildung der Membran 20 über die Oberfläche 11 der Maske und die Vertiefungen 14 hinweg wird diese Ausführungsform der Maske auch als "corrugated continuous membrane" (CCM) -Maske bezeichnet.Because of the meandering design of the membrane 20 over the surface 11 of the mask and the depressions 14, this embodiment of the mask is also referred to as a "corrugated continuous membrane" (CCM) mask.
Nachfolgend wird die Funktion der erfindungsgemäßen Maske beschrieben.The function of the mask according to the invention is described below.
Bei der Elektronen-Projektions-Lithografie wird die Maske zwischen einen Elektronenstrahlgenerator und einen zu beschreibenden Wafer eingebracht.In electron projection lithography, the mask is placed between an electron beam generator and a wafer to be written.
Um eine elektrostatische Aufladung der Maske durch den Beschuss mit Elektronen zu verhindern, ist die dünne Schicht 13 elektrisch leitfähig ausgebildet. Eine gute Wärmeleitfähigkeit der dünnen Schicht 13 ist ebenfalls vorteilhaft, um lokale Überhitzungen der Maske und damit thermisch bedingte Verformungen zu vermeiden.In order to prevent electrostatic charging of the mask by bombardment with electrons, the thin layer 13 is designed to be electrically conductive. A good thermal conductivity of the thin layer 13 is also advantageous to prevent local overheating of the mask and thus avoid thermal deformations.
Die dünne Schicht 13 und die Membran 20 bestehen aus Materialien mit Elementen niedriger Kernladungszahl, so dass der Elektronenstrahl die Maske im Bereich der Vertiefungen 14 durchdringen und eine bestrahlungsempfindliche Schicht des Wafers treffen kann. Vorzugsweise besteht die dünne Schicht 13 aus leitfähigem amorphem Kohlenstoff und ist etwa lOnm dick .The thin layer 13 and the membrane 20 are made of materials with elements with a low atomic number, so that the electron beam can penetrate the mask in the region of the depressions 14 and can hit a radiation-sensitive layer of the wafer. The thin layer 13 is preferably made of conductive amorphous carbon and is approximately 10 nm thick.
Trifft der Elektronenstrahl auf einen Teil des monokristallinen Siliziumkörpers 10 zwischen den Vertiefungen 14, so werden die Elektronen in dem Silizium gestreut, werden auf den Rand einer im abbildenden Strahlengang befindlichen Aperturblende gelenkt, und treffen nicht mehr in einem gebündelten Strahl auf den Wafer, weswegen keine "Belichtung" des Wafers erfolgt.If the electron beam strikes a part of the monocrystalline silicon body 10 between the depressions 14, the electrons are scattered in the silicon, are directed onto the edge of an aperture stop located in the imaging beam path, and no longer hit the wafer in a focused beam, which is why none "Exposure" of the wafer takes place.
Um mit dem beschriebenen Bestrahlungsverfahren geometrische Strukturen auf dem Wafer zu erzeugen, ist die Position der Vertiefungen 14 in der Maske entsprechend zu wählen.In order to generate geometric structures on the wafer using the described irradiation method, the position of the depressions 14 in the mask must be selected accordingly.
Die Vertiefungen 14 sind typischerweise etwa lμm bis 2μm tief, während die Dicke d der Maske etwa zwischen 200μm bis 750μm beträgt. Der monokristalline Siliziumkörper 10 der Maske wird aus einem herkömmlichen Wafer erhalten.The depressions 14 are typically approximately 1 μm to 2 μm deep, while the thickness d of the mask is approximately between 200 μm to 750 μm. The monocrystalline silicon body 10 of the mask is obtained from a conventional wafer.
Die geringste mechanische Stabilität weist die Maske im Bereich der Vertiefungen 14 auf. Eine stabilisierende Wirkung ergibt sich durch Stützwände 12. Diese bilden typischerweise ein Raster von 1mm x 1mm. Darüber hinaus wird die mechanische Stabilität der Maske besonders vorteilhaft durch die Membran 20 gesteigert, die im Gegensatz zu den Stützwänden 12 eine gleichmäßige Verteilung auftretender Kräfte ermöglicht.The mask has the lowest mechanical stability in the region of the depressions 14. A stabilizing effect results from support walls 12. These typically form a grid of 1mm x 1mm. In addition, the mechanical stability of the mask is particularly advantageously increased by the membrane 20, which, in contrast to the support walls 12, enables a uniform distribution of occurring forces.
Die Membran 20 besteht vorzugsweise aus einer etwa 20nm bis etwa 50nm dicken Siliziumnitridschicht. Siliziumnitrid kann in einem sog. "low pressure chemical vapour deposition" (LPCVD) -Prozeß schonend auf die Maske aufgebracht werden. Außerdem kann die Zugspannung der Membran 20 in einem sehr weiten Bereich eingestellt werden, so dass eine Anpassung an die Zugspannung benachbarter Schichten möglich ist.The membrane 20 preferably consists of an approximately 20 nm to about 50nm thick silicon nitride layer. Silicon nitride can be gently applied to the mask in a so-called "low pressure chemical vapor deposition" (LPCVD) process. In addition, the tensile stress of the membrane 20 can be set within a very wide range, so that an adaptation to the tensile stress of adjacent layers is possible.
Figur 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske im Querschnitt. Der monokristalline Siliziumkörper 10 weist eine Dicke d2 auf, die ein Vielfaches der Dicke d des Siliziumkörpers 10 der ersten Ausführungsform beträgt. Ebenso sind Öffnungen 9 erkennbar, die durch Stützwände 12 voneinander getrennt sind.Figure 3 shows a further embodiment of the mask according to the invention in cross section. The monocrystalline silicon body 10 has a thickness d2 which is a multiple of the thickness d of the silicon body 10 of the first embodiment. Openings 9 can also be seen, which are separated from one another by supporting walls 12.
An den seitlichen Rändern der Maske befinden sich Abschnitte 30 des monokristallinen Siliziumkörpers 10, die aufgrund ihrer großen Dicke d2 im Bereich von etwa 0,5mm bis etwa 4mm als Tragvorrichtung für die gesamte Maske geeignet sind. Dadurch ist keine nachträgliche Befestigung der empfindlichen Maske auf einem separaten Träger erforderlich.Sections 30 of the monocrystalline silicon body 10 are located on the lateral edges of the mask and, because of their large thickness d2, are suitable as a support device for the entire mask in the range from approximately 0.5 mm to approximately 4 mm. As a result, no subsequent attachment of the sensitive mask to a separate support is required.
Um eine derartige Maske mit integrierter Tragvorrichtung zu erhalten, wird der zwischen den äußeren Abschnitten 30 befindliche Bereich des monokristallinen Siliziumkörpers 10 in einem Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens durch ein chemisches Naßätzverfahren entfernt. Das Naßätzverfahren hat den Vorteil, dass in kostengünstigen Naßätzreaktoren viele Substrate gleichzeitig geätzt werden können.In order to obtain such a mask with an integrated carrying device, the area of the monocrystalline silicon body 10 located between the outer sections 30 is removed in a method step of the method according to the invention by a chemical wet etching method. The wet etching process has the advantage that many substrates can be etched simultaneously in inexpensive wet etching reactors.
Die weiteren Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens werden unter Bezugnahme auf die Figuren 4a bis 4c erläutert, wobei die bereits angesprochene Tragvorrichtung, bestehend aus den äußeren Abschnitten 30, dort nicht abgebildet ist.The further steps of the method according to the invention are explained with reference to FIGS. 4a to 4c, the support device already mentioned, consisting of the outer sections 30, not being shown there.
Zunächst werden die Vertiefungen 14 beispielsweise mit einem sog. "reactive ion etching" (RIE) -Prozeß in die Oberfläche 11 des monokristallinen Siliziumkörpers 10 geätzt. Eine Maske in dieser Phase des Herstellungsverfahrens ist in Figur 4a gezeigt .First, the depressions 14 are, for example, with a So-called "reactive ion etching" (RIE) process etched into the surface 11 of the monocrystalline silicon body 10. A mask in this phase of the manufacturing process is shown in Figure 4a.
Danach wird, wie in Figur 4b abgebildet, die Membran 20 aus Siliziumnitrid in einem LPCVD-Prozeß sowohl auf die Oberfläche 11 als auch auf die Innenflächen 15 der Vertiefungen 14 aufgebracht.Then, as shown in FIG. 4b, the membrane 20 made of silicon nitride is applied to both the surface 11 and the inner surfaces 15 of the depressions 14 in an LPCVD process.
Schließlich müssen noch - unter Verwendung einer Ätzmaske 28 - die Öffnungen 9 geätzt werden. Der Bereich der Rückseite, der als Stützwand 12 erhalten bleiben soll, ist ebenfalls mit der Ätzmaske 28 zu versehen.Finally, the openings 9 must be etched using an etching mask 28. The area of the rear side, which is to be retained as the support wall 12, is also to be provided with the etching mask 28.
Bei der Ausbildung der Öffnungen 9 gemäß Figur 4c wird eine Kombination zweier Ätzverfahren eingesetzt, die in der deutschen Patentschrift DE 197 10 798 Cl näher beschrieben ist. Zunächst wird ein RIE-Prozeß durchgeführt und danach wird ein KOH-Naßätzprozeß durchgeführt, um sicherzustellen, dass die Stützwand 12 sowie die weiteren seitlichen Begrenzungen der Öffnungen 9 genau senkrecht zur Oberfläche 11 der Maske stehen. Bei dem KOH-Naßätzprozeß wirkt die Membran 20 sowie eine in die Oberseite des monokristallinen Siliziumkörpers 10 eingebrachte Bor-Dotierung als Schutzschicht für die Oberseite der Maske.In the formation of the openings 9 according to FIG. 4c, a combination of two etching processes is used, which is described in more detail in the German patent DE 197 10 798 Cl. First, an RIE process is carried out and then a KOH wet etching process is carried out to ensure that the support wall 12 and the further lateral boundaries of the openings 9 are exactly perpendicular to the surface 11 of the mask. In the KOH wet etching process, the membrane 20 and a boron doping introduced into the top of the monocrystalline silicon body 10 act as a protective layer for the top of the mask.
Der große Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, dass, ausgehend von der in Figur 4c gezeigten Maske mit geschlossener Membran 20, durch einen einzigen weiteren Verfahrensschritt eine Stencilmaske hergestellt werden kann, indem die Membran 20 wieder entfernt wird.The great advantage of the method according to the invention is that, starting from the mask with a closed membrane 20 shown in FIG. 4c, a stencil mask can be produced by a single further method step by removing the membrane 20 again.
Alternativ dazu kann auch eine dünne Schicht 13 auf die Rückseite der Maske aufgebracht werden, deren Funktion bereits erläutert worden ist. Diese Verf hrensvariante liefert eine sog. "corrugated continuous membrane" (CCM) - Maske .Alternatively, a thin layer 13 can also be applied to the back of the mask, the function of which has already been explained. This variant of the procedure provides a so-called "corrugated continuous membrane" (CCM) mask.
Wenn die mechanische Stabilität der dünnen Schicht 13 ausreichend groß gewählt wird, kann die Membran 20 nach dem Aufbringen der dünnen Schicht 13 in einem weiteren Verfahrensschritt wieder entfernt werden. Eine entsprechende Maske ist in Figur 5 gezeigt.If the mechanical stability of the thin layer 13 is chosen to be sufficiently large, the membrane 20 can be removed again in a further method step after the application of the thin layer 13. A corresponding mask is shown in FIG. 5.
Um die Maske beim Entfernen der Membran 20 nicht zu beschädigen, ist die Entfernung der Membran 20 selektiv gegen den monokristallinen Siliziumkörper 10 und die dünne Schicht 13 vorzunehmen.In order not to damage the mask when removing the membrane 20, the membrane 20 must be removed selectively against the monocrystalline silicon body 10 and the thin layer 13.
Die mechanische Stabilität der dünnen Schicht 13 muss etwa der mechanischen Stabilität der Membran 20 entsprechen. Die dünne Schicht 13 kann beispielsweise aus diamantartigem dotierten Kohlenstoff bestehen, und muss eine entsprechende Zugspannung im Vergleich mit benachbarten Schichten aufweisen. Die Dicke d3 der dünnen Schicht 13 beträgt etwa zwischen 30nm und 60nm.The mechanical stability of the thin layer 13 must correspond approximately to the mechanical stability of the membrane 20. The thin layer 13 can consist, for example, of diamond-like doped carbon and must have a corresponding tensile stress in comparison with neighboring layers. The thickness d3 of the thin layer 13 is approximately between 30 nm and 60 nm.
Insgesamt wird durch die Erfindung neben einer verbesserten Maske also auch ein universelles Herstellungsverfahren für EPL-Masken angegeben, das stabilere Masken, die Ausbildung zweier häufig eingesetzter Maskentypen (Stencilmasken und Membranmasken) durch lediglich einen typspezifischen Verfahrensschritt sowie wirtschaftlichere Prozesse ermöglicht . Overall, in addition to an improved mask, the invention also specifies a universal production process for EPL masks which enables more stable masks, the formation of two frequently used mask types (stencil masks and membrane masks) by means of only one type-specific process step and more economical processes.

Claims

Patentansprüche claims
1. Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen- Projektions-Lithografie, mit einem monokristallinen Siliziumkörper (10) , in dessen Oberfläche (11) einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen (14) angeordnet sind, die Innenflächen (15) aufweisen, und mit einer Membran (20) , dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (20) die Oberfläche (11) des monokristallinen Siliziumkörpers (10) und die Innenflächen (15) der Vertiefungen (14) bedeckt und somit eine geschlossene Fläche (20) bildet.1. Mask, in particular for use in electron projection lithography, with a monocrystalline silicon body (10), in the surface (11) of which a pattern to be imaged is arranged corresponding depressions (14) which have inner surfaces (15), and with a Membrane (20), characterized in that the membrane (20) covers the surface (11) of the monocrystalline silicon body (10) and the inner surfaces (15) of the depressions (14) and thus forms a closed surface (20).
2. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (20) aus Siliziumnitrid besteht.2. Mask according to claim 1, characterized in that the membrane (20) consists of silicon nitride.
3. Maske nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Unterseite der Maske eine dünne Schicht (13) aufgebracht ist, die aus einem Element / Elementen mit niedriger Kernladungszahl besteht .3. Mask according to one of the preceding claims, characterized in that a thin layer (13) is applied to the underside of the mask, which consists of an element / elements with a low atomic number.
4. Maske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (13) eine hohe Wärmeleitfähigkeit und/oder eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist.4. Mask according to claim 3, characterized in that the thin layer (13) has a high thermal conductivity and / or a high electrical conductivity.
5. Maske nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (13) aus einem Material besteht, das einfach auf die Maske aufbringbar ist, damit die Maske bei dem Aufbringen nur minimal mechanisch belastet wird.5. Mask according to claim 3 or 4, characterized in that the thin layer (13) consists of a material that can be easily applied to the mask, so that the mask is only minimally mechanically loaded during application.
6. Maske nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (20) selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper (10) und der dünnen Schicht (13) entfernbar ist.6. Mask according to one of claims 3 to 5, characterized in that the membrane (20) selectively with respect to the monocrystalline silicon body (10) and the thin Layer (13) is removable.
7. Maske nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (13) eine mechanische Stabilität aufweist, die etwa der mechanischen Stabilität der Membran (20) entspricht .7. Mask according to claim 6, characterized in that the thin layer (13) has a mechanical stability which corresponds approximately to the mechanical stability of the membrane (20).
8. Maske nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der monokristalline Siliziumkörper8. Mask according to one of the preceding claims, characterized in that the monocrystalline silicon body
(10) derart ausgebildet ist, dass Abschnitte (30) des Siliziumkörpers (10) als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind.(10) is designed such that sections (30) of the silicon body (10) can be used as a support device for the mask.
9. Verfahren zur Herstellung einer Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen-Projektions-Lithografie, mit einem monokristallinen Siliziumkörper (10) der Dicke d, wobei in dessen Oberfläche (11) einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen (14) geätzt werden, die Innenflächen (15) aufweisen, wobei eine Membran (20) so auf die Oberfläche (10) und die Innenflächen (15) aufgebracht wird, dass sich eine geschlossene Fläche9. A method for producing a mask, in particular for use in electron projection lithography, with a monocrystalline silicon body (10) of thickness d, with depressions (14) corresponding to a pattern to be imaged being etched in the surface (11) thereof, the inner surfaces (15), a membrane (20) being applied to the surface (10) and the inner surfaces (15) in such a way that there is a closed surface
(20) bildet, und wobei Öffnungen (9) in den monokristallinen Siliziumkörper (10) geätzt werden, so dass in die Öffnungen (9) einfallende Strahlung im Bereich der Vertiefungen (14) durch die Membran (20) und die Vertiefungen (14) wieder aus der Maske austreten kann.(20), and wherein openings (9) are etched into the monocrystalline silicon body (10), so that radiation incident in the openings (9) in the region of the depressions (14) through the membrane (20) and the depressions (14) can come out of the mask again.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Unterseite der Maske eine elektrisch leitende und/oder wärmeleitende dünne Schicht (13) aus einem Element/Elementen niedriger Kernladungszahl aufgebracht wird.10. The method according to claim 9, characterized in that an electrically conductive and / or thermally conductive thin layer (13) is applied from an element / elements of low atomic number on the underside of the mask.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der dünnen Schicht (13) die Membran (20) selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper (10) und der dünnen Schicht (13) entfernt wird.11. The method according to claim 10, characterized in that after the application of the thin layer (13) the membrane (20) is selectively removed from the monocrystalline silicon body (10) and the thin layer (13).
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der monokristalline Siliziumkörper (10) eine Dicke d2 aufweist, die ein Vielfaches der Dicke d beträgt, dass ein Teil des Siliziumkörpers (10) der Dicke d2 mit einem schnellen Naßätzverfahren entfernt wird, so dass Abschnitte (30) der Dicke d2 und Abschnitte der Dicke d verbleiben, und dass die Abschnitte (30) als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind. 12. The method according to any one of claims 9 to 11, characterized in that the monocrystalline silicon body (10) has a thickness d2 which is a multiple of the thickness d, that part of the silicon body (10) removes the thickness d2 with a rapid wet etching process is so that sections (30) of thickness d2 and sections of thickness d remain, and that the sections (30) can be used as a support device for the mask.
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