WO2001053561A1 - Sputter chamber and vacuum transport chamber and vacuum treatment installations with chambers of this type - Google Patents

Abstract

A substrate support (5) is mounted in a sputter chamber in such a way that said support can be driven in rotation about an axis (A). A magnetron source is mounted in the sputter chamber with a central axis (Z) inclined (β) towards the axis of rotation of the substrate support (5).

Description

Sputterkammer sowie Vakuumtransportkammer und Vakuumbehandlungsanlagen mit solchen KammernSputter chamber as well as vacuum transport chamber and vacuum treatment systems with such chambers

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Sputterkammer mit min- destens einer Sputterquelle mit zu einer Zentralachse mindestens genähert symmetrischer Sputterneuflache, weiter mit einem Substratträger, der getrieben um eine Substratträgerachse drehbar ist, wobei Zentralachse und Substratträgerachse zueinander schief stehen, dies gemäss Oberbegriff von Anspruch 1.The present invention relates to a sputtering chamber with at least one sputtering source with a new sputtering surface that is at least approximately symmetrical with respect to a central axis, further with a substrate carrier that can be rotated in a driven manner about a substrate carrier axis, the central axis and substrate carrier axis being skewed relative to one another, this according to the preamble of claim 1.

Im weiteren betrifft die vorliegende Erfindung eine Vakuumbehandlungsanlage mit einer derartigen Sputterkammer nach dem Oberbegriff von Anspruch 16, eine Vakuumtransportkammer für scheibenförmige Werkstücke nach demjenigen von Anspruch 17 und schliesslich eine Vakuumbehandlungsanlage mit einer derartigen Vakuumtransportkammer nach dem Oberbegriff von Anspruch 29.Furthermore, the present invention relates to a vacuum treatment plant with such a sputtering chamber according to the preamble of claim 16, a vacuum transport chamber for disk-shaped workpieces according to that of claim 17 and finally a vacuum treatment plant with such a vacuum transport chamber according to the preamble of claim 29.

Aus der US 4 818 561 sowie der US 4 664 935 sind Sputterkammern der eingangs genannten Art bekannt. Die Zentralachse der Sputterquelle ist bezüglich einer Rotationsachse eines Substratträgers schiefwinklig angeordnet. Der Substratträger wird um die Substratträgerachse getrieben in Rotation versetzt. Mit dieser Sputterkammer werden Beschichtungsgleichfδrmigkeiten von besser als ± 4 % an Wafern erreicht, deren Durchmesser bis 200 mm betragen können.Sputter chambers of the type mentioned at the outset are known from US Pat. No. 4,818,561 and US Pat. No. 4,664,935. The central axis of the sputter source is arranged at an oblique angle with respect to an axis of rotation of a substrate carrier. The substrate carrier is driven to rotate about the substrate carrier axis. This sputtering chamber achieves coating uniformities of better than ± 4% on wafers, the diameters of which can be up to 200 mm.

Sowohl bei der Fertigung von Speicherscheiben, dabei insbeson- dere von optischen Speicherscheiben, wie von Mini Disks oder CDs, weiter bei der Fertigung von Mastern, aber auch für die Herstellung piezoelektrischer Wafer, von Wafern für die Halbleiterfertigung, dabei speziell auch für Wafer für die Implementierung von SAW (Surface Acoustic Waves) ist es von hoher Wichtigkeit, eine gleichförmige Schichtdickenverteilung zu erreichen, die mindestens gleich gut, wenn nicht besser ist als die mit den vorbeschriebenen Sputterkammern erreichbare. Hinzu sollten die Beschichtungsraten möglichst hoch sein, um möglichst kurze Beschichtungszeiten und damit möglichst hohe Produktionsraten zu erzielen.Both in the manufacture of storage disks, in particular optical storage disks, such as mini disks or CDs, further in the manufacture of masters, but also for the manufacture of piezoelectric wafers, of wafers for semiconductor production, and in particular also for wafers for the Implementation of SAW (Surface Acoustic Waves) is of great importance to achieve a uniform layer thickness distribution that is at least as good if not better than that achievable with the sputtering chambers described above. In addition, the coating rates should be as high as possible in order to achieve the shortest possible coating times and thus the highest possible production rates.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Sputterkammer eingangs genannter Art vorzuschlagen, mittels welcher bei erhöhten Beschichtungsraten Schichtdickenhomogenitäten gar besser als mit den vorbekannten Sputterkammern erreichbar sind.It is an object of the present invention to propose a sputtering chamber of the type mentioned at the outset, by means of which layer thickness homogeneities can be achieved even better than with the previously known sputtering chambers at increased coating rates.

Dies wird durch Realisation der erfindungsgemässen Sputterkam- mer nach dem Kennzeichen von Anspruch 1 erreicht, nämlich dadurch, dass die Sputterquelle eine Magnetronsputterquelle ist.This is achieved by realizing the sputtering chamber according to the invention according to the characterizing part of claim 1, namely in that the sputtering source is a magnetron sputtering source.

Während bei einer üblichen Sputterquelle die Sputterfl che des Targets im wesentlichen gleichförmig abgetragen wird, verhält sich dies bei Magnetronsputterquellen völlig anders. Aufgrund des den Magnetronsputterquellen eigenen, über der Sputterflache des Targets aufgebauten, in sich geschlossen tunnelförmigen Magnetfeldes ergibt sich auf der Sputterflache ein umlaufender Erosionsgraben, welcher mit zunehmender Abstäubungszeit die Richtungscharakteristik des abgestäubten Targetmaterials vari- iert . Sind mehrere Tunnelfelder vorgesehen, ergeben sich gegebenenfalls umlaufende Erosionsgraben.Whereas the sputtering surface of the target is removed essentially uniformly in the case of a conventional sputtering source, this is completely different in the case of magnetron sputtering sources. Due to the self-contained tunnel-shaped magnetic field built up above the sputter surface of the target by the magnetron sputter sources, a circumferential erosion trench results on the sputter surface, which varies the directional characteristic of the dusted target material with increasing dusting time. If several tunnel fields are provided, erosion ditches may run all around.

Wohl ergeben Magnetronsputterquellen höhere Abstäubungs- und damit auch Beschichtungsraten als übliche Sputterquellen, sind aber bezüglich der erzielbaren Gleichförmigkeit der Schichtdi- cken wesentlich kritischer. Um so erstaunlicher ist es, dass durch erfindungsgemässen Einsatz einer Magnetronsputterquelle an der erfindungsgemässen Sputterkammer nicht nur eine höhere Beschichtungsrate erzielbar ist und damit kürzere Beschichtungszeiten, sondern auch, hinzukommend, Beschichtungsdicken- Gleichförmigkeiten erzielt werden, die mindestens so gut, ja gar wesentlich besser sind, als dies mit den eingangs erwähnten Sputterkammern gemäss den erwähnten Schriften offenbar erziel- bar ist.Magnetron sputter sources certainly result in higher dusting and thus also coating rates than conventional sputter sources, but are considerably more critical with regard to the uniformity of the layer thicknesses that can be achieved. It is all the more astonishing that the use of a magnetron sputtering source in accordance with the invention in the sputtering chamber in accordance with the invention not only achieves a higher coating rate and thus shorter coating times, but also, in addition, coating thickness uniformities which are at least as good, even significantly better, are achieved. than this with the aforementioned Sputtering chambers according to the mentioned writings is apparently achievable.

Bevorzugte Ausführungsvarianten der erfindungsgemässen Sputterkammern sind in den Ansprüchen 2 bis 15 spezifiziert.Preferred embodiments of the sputtering chambers according to the invention are specified in claims 2 to 15.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die ob- genannte erfindungsgemässe Sputterkammer so in eine Vakuumbehandlungsanlage einzubinden, dass damit automatisiert die schnellen Beschichtungszeiten, welche mit der erfindungsgemässen Sputterkammer erreichbar sind, auch vollumfänglich genutzt werden können. Dies wird mittels der Vakuumbehandlungsanlage nach Anspruch 16 erreicht, d.h. dadurch, dass die erwähnte Sputterkammer über eine oder mehrere Transportkammern mit mindestens einer Schleusenkammer verbunden ist, woran Substrate von der Umgebung in Vakuum ein- bzw. vom Vakuum in die Umgebung ausgeschleust werden.It is a further object of the present invention to integrate the abovementioned sputter chamber according to the invention into a vacuum treatment system in such a way that the rapid coating times which can be achieved with the sputter chamber according to the invention can also be used in full in an automated manner. This is achieved by means of the vacuum treatment plant according to claim 16, i.e. in that the sputtering chamber mentioned is connected via one or more transport chambers to at least one lock chamber, whereupon substrates are introduced from the environment in a vacuum or ejected from the vacuum into the environment.

Im weiteren wird, dem Wortlaut von Anspruch 17 folgend, eine insbesondere für kurze Transportzyklen konzipierte, an sich erfinderische Vakuumtransportkammer vorgeschlagen, welche sich dem Wortlaut von Anspruch 29 bzw. 30 folgend ideal mit der er- findungsgemassen Sputterkammer kombinieren lässt zu einer Vakuumbehandlungsanlage mit äusserst kurzen Transportzyklen, weiter, insbesondere in bevorzugten Ausführungsformen der erfindungsgemässen Transportkammer, zu äusserst kurzen Ein- bzw. Ausschleuszyklen von zu beschichtenden bzw. beschichteten Sub- straten führt.Furthermore, following the wording of claim 17, a vacuum transport chamber, which is in itself designed for short transport cycles and is inventive, is proposed, which, according to the wording of claims 29 and 30, can be ideally combined with the sputtering chamber according to the invention to form a vacuum treatment system with extremely short Transport cycles, further, in particular in preferred embodiments of the transport chamber according to the invention, leads to extremely short infeed and outfeed cycles of substrates to be coated or coated.

Bevorzugte Ausfύhrungsformen der auch für sich betrachtet erfindungsgemässen Vakuumtransportkammer sind in den Ansprüchen 18 bis 28 spezifiziert, der erfindungsgemässen Vakuumbehandlungsanlage mit einer derartigen Transportkammer in den Ansprü- chen 29 bis 32. Im weiteren bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung beschichteter Datenspeicherscheiben oder von Wafern nach dem Wortlaut von Anspruch 34.Preferred embodiments of the vacuum transport chamber according to the invention, considered in isolation, are specified in claims 18 to 28, and the vacuum treatment system according to the invention with such a transport chamber in claims 29 to 32. Furthermore, the present invention relates to a method for producing coated data storage disks or wafers according to the wording of claim 34.

Die erfindungsgemässe Sputterkammer, Transport ämmer sowie die erfindungsgemässen Anlagen eignen sich insbesondere für die Beschichtung optischer DatenspeicherSubstrate, weiter von Mastern für die Fertigung derartiger optischer Datenspeicherscheiben oder von piezoelektrischen Wafern oder Wafern für die Halbleiterfertigung.The sputter chamber according to the invention, transport arms and the systems according to the invention are particularly suitable for the coating of optical data storage substrates, furthermore of masters for the production of such optical data storage disks or of piezoelectric wafers or wafers for the semiconductor production.

Die Erfindung wird anschliessend beispielsweise anhand von Figuren erläutert. Es zeigen:The invention is subsequently explained, for example, using figures. Show it:

Fig. 1: schematisch, eine erfindungsgemässe Sputterkammer;1: schematically, a sputtering chamber according to the invention;

Fig. 2: die Aufsicht auf eine Substratträgeranordnung, wie sie an der erfindungsgemässen Sputterkammer nach Fig. 1 vorgesehen ist, zur Definition der Verhältnisse bezüglich darauf abgelegter Substrate;FIG. 2: the top view of a substrate carrier arrangement, as is provided on the sputter chamber according to the invention according to FIG. 1, for defining the conditions with regard to substrates deposited thereon;

Fig. 3: schematisch, die Anordnung von Substratträger und Ma- gnetronsputtertarget an einer erfindungsgemässen Sputterkammer zur Definition der gegenseitigen geo- metrischen Lageverhältnisse;3: schematically, the arrangement of the substrate carrier and the magnetron sputtering target on a sputtering chamber according to the invention for defining the mutual geometrical positional relationships;

Fig. 4: in einer Darstellung analog zu Fig. 1, eine erfindungsgemässe Sputterkammer mit Doppelmagnetronquelle;4: in a representation analogous to FIG. 1, a sputtering chamber according to the invention with a double magnetron source;

Fig. 5: wiederum schematisch, eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemässen Sputterkammer, bei der ein Prozessraum abgetrennt wird;5: again schematically, a further preferred embodiment of the sputtering chamber according to the invention, in which a process space is separated;

Fig. 6: schematisch, in Seitenansicht und teilweise gebrochen, eine erfindungsgemässe Vakuumbehandlungsanlage mit einer erfindungsgemässen Sputterkammer in einer Ausführungsvariante ; Fig. 7: eine Aufsicht auf eine prinzipiell wie die Anlage nach Fig. 6 aufgebaute erfindungsgemässe Vakuumbehandlungsanlage mit mehreren Behandlungsstationen und einer Ein-/Austrittsschleuse;6: schematically, in side view and partially broken, an inventive vacuum treatment plant with an inventive sputtering chamber in one embodiment variant; 7: a plan view of a vacuum treatment system according to the invention, constructed in principle like the system according to FIG. 6, with a plurality of treatment stations and an entry / exit lock;

Fig. 8: teilweise vereinfacht, eine erfindungsgemässe Transportkammer, kombiniert mit einer erfindungsgemässen Sputterkammer zur Bildung einer erfindungsgemässen Vakuumbehandlungsanlage bevorzugter Bauform;8: partially simplified, a transport chamber according to the invention, combined with a sputter chamber according to the invention to form a vacuum treatment plant of preferred design according to the invention;

Fig. 9: eine Aufsicht auf die Transportkammer nach Fig. 8, entsprechend der Schnittlinie II-II von Fig. 8, und9: a top view of the transport chamber according to FIG. 8, corresponding to the section line II-II from FIG. 8, and

Fig. 10: über dem Substratradius abgetragene Schichtdicken als Resultat beschriebener Beschichtungsversuche .10: Layer thicknesses removed over the substrate radius as a result of the coating tests described.

In Fig. 1 ist schematisch eine erfindungsgemässe Sputterkammer dargestellt. Sie umfasst eine Magnetronsputterquelle 1. Über der Sputterflache 3 einer (nicht dargestellten) Targetanordnung der Magnetronsputterquelle 1 ist schematisch das um die Zentralachse Z der Quelle 1 in sich geschlossene, umlaufende, tun- nelfδrmige Magnetronmagnetfeld H dargestellt. In Aufsicht, d.h. in Richtung der Zentralachse Z betrachtet, kann die Sputterflä- ehe 3 der Magnetronquelle 1 rechteckig, quadratisch, elliptisch etc. ausgebildet sein, ist aber bevorzugterweise bezüglich der Zentralachse Z rotationssymmetrisch. Jedenfalls liegt aber die Zentralachse Z in einer Symmetrieebene der in Aufsicht betrachteten Sputterflache 3. Im weiteren kann die Sputterflache, in ihrem Neuzustand als Sputterneuflache bezeichnet, wenigstens im wesentlich plan sein oder eine konkave Fläche definieren. Es kann ein einziges um die Zentralachse Z umlaufendes, tunnelfδr- miges, in sich geschlossenes Magnetfeld H vorgesehen sein, zwei oder mehr.A sputter chamber according to the invention is shown schematically in FIG. 1. It comprises a magnetron sputtering source 1. Above the sputtering surface 3 of a (not shown) target arrangement of the magnetron sputtering source 1, the circumferential, tunnel-shaped magnetron magnetic field H, which is self-contained about the central axis Z of the source 1, is shown schematically. In supervision, i.e. When viewed in the direction of the central axis Z, the sputtering surface 3 of the magnetron source 1 can be rectangular, square, elliptical, etc., but is preferably rotationally symmetrical with respect to the central axis Z. In any case, however, the central axis Z lies in a plane of symmetry of the sputtering surface 3 under supervision. Furthermore, the sputtering surface, in its new state referred to as the new sputtering surface, can be at least essentially flat or define a concave surface. A single, tunnel-shaped, self-contained magnetic field H rotating around the central axis Z can be provided, two or more.

Das eine oder die mehreren vorgesehenen, um die Zentralachse Z in sich geschlossen umlaufenden Magnetronfelder H können weiter zeitlich stationär oder zeitlich variierend ausgebildet sein, wie durch Vorsehen bewegter Magnetanordnungen unterhalb der Targetanordnung mit Permanent- und/oder Elektromagneten bzw. erzeugt durch zeitlich selektiv angesteuerte Elektromagnete .The one or more envisaged magnetron fields H, which revolve around the central axis Z in a closed manner, can also be designed to be stationary in time or to vary in time such as by providing moving magnet arrangements below the target arrangement with permanent and / or electromagnets or generated by time-selectively controlled electromagnets.

Zurückkommend auf Fig. 1 weist die erfindungsgemässe Sputter- kammer einen Substratträger 5 auf, welcher getrieben - 6 - um eine Substratträgerachse A drehbeweglich ist. Der Substratträger 5 ist so ausgebildet, dass er ein Einzelsubstrat 7, bevorzugt zur Substratträgerachse A zentriert, oder, bevorzugt ebenso zentriert, mehrere Substrate 7a aufnehmen kann, Fig. 2. Da- bei kann das eine Substrat 7 oder auch die mehreren 7a den Substratträger 5 durchaus und wie in Fig. 2 bei 7¹ bzw. 7a' dargestellt überlappen.Returning to FIG. 1, the sputtering chamber according to the invention has a substrate carrier 5 which, driven - 6 - is rotatable about a substrate carrier axis A. The substrate carrier 5 is designed in such a way that it can accommodate a single substrate 7, preferably centered on the substrate carrier axis A, or, preferably likewise centered, a plurality of substrates 7a, FIG. 2. One substrate 7 or the plurality 7a can thereby support the substrate carrier 5 quite and as shown in Fig. 2 at 7 ¹ or 7a 'overlap.

Wird im Folgenden vom Durchmesser φ_s gesprochen, so bedeutet diese GrδsseIf the diameter φ _s is spoken of in the following, this means size

• den Substratdurchmesser gemäss Fig. 2aThe substrate diameter according to FIG. 2a

• den Durchmesser der äusseren Substrat-Begrenzungslinie, gemäss Fig. 2b.• the diameter of the outer substrate boundary line, according to FIG. 2b.

Es ist an der erfindungsgemässen Sputterkammer auch durchaus möglich, anders geformte Substrate, wie quadrat- oder rechteck- fδrmige, sputterzubeschichten.It is also entirely possible on the sputtering chamber according to the invention to coat differently shaped substrates, such as square or rectangular sputter coatings.

Der Magnetronsputterprozess kann reaktiv oder nichtreaktiv erfolgen und die Magnetronsputterquelle DC, DC+AC, mit gepulstem DC oder mit reinem AC betrieben werden, wobei AC bis in den HF- Bereich gewählt werden kann.The magnetron sputtering process can be reactive or non-reactive and the magnetron sputtering source can be operated with DC, DC + AC, with pulsed DC or with pure AC, with AC being able to be selected in the HF range.

Die Zentralachse Z und die Substratträgerachse A sind zueinander schief. Dabei schneiden sie sich nicht zwingend.The central axis Z and the substrate support axis A are oblique to one another. They do not necessarily intersect.

Deshalb wird im Folgenden nur als - teils bevorzugter - Spezi- alfall des "Schnittpunktes" beider Achsen Z, A gesprochen, all- gemeiner hingegen vom "Ort geringsten Abstandes" der beiden Achsen.Therefore, the following is only spoken of as a - partly preferred - special case of the "intersection" of both axes Z, A, meaner from the "location of the smallest distance" of the two axes.

Wenn weiter vom Winkel ß gesprochen wird, den die Achsen Z und A zueinander einnehmen, so bestimmt dieser sich, bei windschie- fen Achsen, dadurch, dass die eine Achse parallel verschoben wird, bis beide in einer Ebene liegen. Dann ergibt sich der Winkel ß in dieser Ebene.If one speaks further of the angle β which the axes Z and A make to one another, this is determined, in the case of wind-inclined axes, by shifting one axis parallel until both lie in one plane. Then there is the angle ß in this plane.

In einer bevorzugten Ausführungsform schneiden sich jedoch, wie in Fig. 1 in Punkt P eingetragen, die Zentralachse Z der Quelle 1 und die Substratträgerachse A mindestens nahezu.In a preferred embodiment, however, as entered in point P in FIG. 1, the central axis Z of the source 1 and the substrate carrier axis A intersect at least almost.

Unabhängig davon, ob sich die beiden erwähnten Achsen Z und A schneiden oder zueinander windschief sind, jedenfalls schlies- sen die beiden bevorzugterweise einen Winkel ß ein, für den gilt :Regardless of whether the two axes Z and A mentioned intersect or are skewed towards one another, in any case the two preferably form an angle β for which the following applies:

30° < ß < 60°,30 ° <ß <60 °,

dabei bevorzugtpreferred

40° < ß < 55°,40 ° <ß <55 °,

insbesondere bevorzugtparticularly preferred

43° < ß < 50°,43 ° <ß <50 °,

dabei ganz besonders bevorzugt einen Winkel ß « 45°.an angle β 45 ° is particularly preferred.

Mit genauer Einhaltung dieses Winkels ß wird die Gleichförmigkeit der Dicke der abgelegten Schicht optimiert.With exact observation of this angle β, the uniformity of the thickness of the deposited layer is optimized.

Wie in Fig. 3 schematisch dargestellt, liegt der Ort L geringsten Abstandes von Zentralachse Z und Substratträgerachse A be- vorzugt mindestens genähert auf dem Zentrum des Substratträgers 5, dabei weiter bevorzugt auf der zu beschichtenden Oberfläche eines - zentrierten - Substrates 7, 7'.As shown schematically in FIG. 3, the location L of the smallest distance from the central axis Z and the substrate carrier axis A is preferably at least approximated on the center of the substrate carrier 5, more preferably on the surface to be coated of a - centered - substrate 7, 7 '.

Die erfindungsgemässe Sputterquelle kann im Raum beliebig orientiert angeordnet werden.The sputtering source according to the invention can be arranged in any orientation in space.

Wie sich aus Fig. 3 weiter ergibt, ist die Projektion der Substratfläche auf eine Ebene E_z senkrecht zur Zentralachse Z vorzugsweise kleiner als die Projektion der Sputterneuflache auf diese Ebene E_z.As can further be seen from FIG. 3, the projection of the substrate surface onto a plane E _z perpendicular to the central axis Z is preferably smaller than the projection of the new sputtering surface onto this plane E _z .

In Fig. 3 ist weiter qualitativ der sich im Betrieb auf der Sputterflache ausbildende, um die Zentralachse Z umlaufendeIn Fig. 3 is further qualitative that formed during operation on the sputtering surface and rotating around the central axis Z.

Erosionsgraben 15 dargestellt bzw. eines zweiten 15a, wenn zwei umlaufende, in sich geschlossene, tunnelfδrmige Magnetfelder realisiert werden.Erosion trench 15 shown, or a second 15a, if two rotating, self-contained, tunnel-shaped magnetic fields are realized.

Es bezeichnet r_Tr bezüglich der Zentralachse Z den Radius des Ortes grδsster Erosionstiefe des radial aussersten Erosionsgrabens 15.It denotes r _Tr with respect to the central axis Z the radius of the location of greatest erosion depth of the radially outermost erosion trench 15.

In einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemässen Sputterkammer ergibt sich zwischen diesem Radius r_Tr und dem Abstand D zwischen Sputterneuflache und dem Ort L bzw. zwischen Sputterneuflache und Substratträger 5In a preferred embodiment of the sputtering chamber according to the invention, this radius r _Tr and the distance D between the new sputtering surface and the location L or between the new sputtering surface and substrate carrier 5

1/4 < r_Tr / D < 2/3.1/4 <r _Tr / D <2/3.

Im weiteren gilt gemäss Fig. 3 für den Durchmesser φ_r der Projektion einer rotationssymmetrischen Sputterneufl che auf die Ebene E_z und besagtem Abstand D bevorzugterweiseFurthermore, according to FIG. 3, the diameter φ _{r of} the projection of a rotationally symmetrical sputtering surface onto the plane E _z and said distance D preferably applies

3/4 < ψ_r / D < 2,3/4 <ψ _r / D <2,

dabei insbesondere, dass giltin particular that applies

ψr « 1,2 D. Bezüglich des Durchmessers φ_s (siehe Definition oben) gilt mit Bezug auf den erwähnten Abstand D, bevorzugterweiseψr «1.2 D. Regarding the diameter φ _s (see definition above), with reference to the distance D mentioned, preferably applies

φs / D ≤ 1,8.φs / D ≤ 1.8.

Im weiteren gilt in bevorzugter Ausführungsform bezüglich des erwähnten Durchmessers φ_s und des erwähnten Sputterflächen- bzw. Sputterflächenprojektions-Durchmessers φr bevorzugterweiseFurthermore, in a preferred embodiment, the diameter φ _s and the sputtering surface or sputtering surface projection diameter φr preferably apply

0,5 < φ_s / φr < 2,4,0.5 <φ _s / φr <2.4,

bevorzugterweisepreferably

l < φ_s / ψr < 2,4.l <φ _s / ψr <2.4.

Insbesondere bei sich mindestens genähert wie in Fig. 3 dargestellt schneidenden Achsen Z und A ergeben die angegebenen Di- mensionierungsvorschriften eine optimale Ausnützung des vom Target 4 abgesputterten zu dem auf das oder die Substrate abgelegten Material, nämlich von mindestens 10 %. Dabei sind Schichtdickenabweichungen entlang der beschichteten Substrat- flächen von höchstens ± 1 % erreichbar, ohne dass dabei, insbesondere an einem planen Rundtarget, bezüglich der Ausbildung der Erosionsgräben besondere Vorkehrungen getroffen werden müssten.In particular in the case of axes Z and A intersecting at least approximately as shown in FIG. 3, the specified dimensioning regulations result in an optimal utilization of the material sputtered from the target 4 to the material deposited on the substrate or substrates, namely of at least 10%. In this case, deviations in layer thickness along the coated substrate surfaces of at most ± 1% can be achieved without special precautions having to be taken, in particular on a flat round target, with regard to the formation of the erosion trenches.

Die erwähnten Dimensionierungsvorschriften führen zusätzlich zu folgenden Vorteilen:The dimensioning regulations mentioned also lead to the following advantages:

- minimale Empfindlichkeit der resultierenden Gleichförmigkeit der Schichtdicken auf Variationen von D und somit auch auf die zunehmende Erosion des Targets im Laufe seiner Lebensdau- er;minimal sensitivity of the resulting uniformity of the layer thicknesses to variations in D and thus also to the increasing erosion of the target over the course of its lifetime;

- minimale Empfindlichkeit der Gleichförmigkeit der Schichtdicken auf Änderungen des oder der Erosionsprofile; - minimale Empfindlichkeit der Gleichförmigkeit der Schichtdicken auf Positionierungsfehler des oder der Substrate am Substratträger 5.- minimal sensitivity of the uniformity of the layer thicknesses to changes in the erosion profile or profiles; minimal sensitivity of the uniformity of the layer thicknesses to positioning errors of the substrate or substrates on the substrate carrier 5.

In besonders bevorzugter Ausführungsform gilt:In a particularly preferred embodiment:

50 mm < φ_s ≤ 400 mm,50 mm <φ _s ≤ 400 mm,

dabei bevorzugterweisepreferably

50 mm < φ_s < 300 mm,50 mm <φ _s <300 mm,

dabei insbesondere bevorzugt und insbesondere für Einzelsubstrate zentriert zur Substratträgerachse A, Durchmesser φ_s von 64 mm (insbesondere für Mini Disks) , 120 mm (insbesondere für CDs), 160 bis 240 mm (für CD Master) eingesetzt. Für das hochgenaue Ablegen von Schichten auf piezoelektrischen Wafern wird die Subtrathalterung bevorzugterweise für Substratdurchmesser von mindestens 75 mm ausgelegt, für die Behandlung von Wafern für die Halbleiterfertigung für die Aufnahme von Wafern mit Durchmessern zwischen 150 und 300 mm.particularly preferred and in particular for individual substrates centered on the substrate carrier axis A, diameter φ _s of 64 mm (in particular for mini disks), 120 mm (in particular for CDs), 160 to 240 mm (for CD masters). For the highly precise depositing of layers on piezoelectric wafers, the substrate holder is preferably designed for substrate diameters of at least 75 mm, for the treatment of wafers for semiconductor production for the reception of wafers with diameters between 150 and 300 mm.

Wie in Fig. 4 schematisch dargestellt, können zwei oder mehr Quellen 10a, 10b, wovon mindestens eine eine Magnetronquelle ist, gleichzeitig oder abwechselnd auf denselben Substratträger 5 bzw. die darauf plazierten Substrate wirken. Dadurch wird es möglich, beispielsweise Legierungen unter Einhalt der eingangs erwähnten Anforderungen abzulegen oder weitere Verbindungen unter Einbezug der Möglichkeit, auch reaktiv zu sputtern. Durch genaue Positionierung des Substratträgers 5 in der Z- und X- Richtung lassen sich dabei die quellenspezifischen Beschich- tungseigenschaften einstellen.As shown schematically in FIG. 4, two or more sources 10a, 10b, at least one of which is a magnetron source, can act simultaneously or alternately on the same substrate carrier 5 or the substrates placed thereon. This makes it possible, for example, to deposit alloys while complying with the requirements mentioned at the outset, or to add further compounds with the possibility of also sputtering reactively. The source-specific coating properties can be adjusted by precisely positioning the substrate carrier 5 in the Z and X direction.

In Fig. 5 ist wiederum schematisch eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemässen Sputterquelle dargestellt. Die Magnetronquelle 1 und der Substratträger 5 bzw. darauf ab- gelegte Substrate schliessen, in Bearbeitungsposition, einen Prozessraum PR ab, indem sich Substratträger 5 oder ein Substrat selber soweit an Seitenwände 22 der Vakuumkammer anschmiegen, dass die freie Drehbewegung ω noch gewährleistet ist. Hierzu kann, wie in Fig. 5 dargestellt, der Substratträger 5 nicht nur getrieben in die erwähnte Rotationsbewegung ω versetzt, sondern bevorzugt auch linear in Bearbeitungsposition angehoben bzw. von ihr abgesenkt werden. Durch Abkopplung des Prozessraumes P von übrigen Kammerpartien, insbesondere mit bewegten Teilen, wird die Partikelkontamination während des Be- schichtens reduziert.5 again schematically shows a further preferred embodiment of the sputter source according to the invention. The magnetron source 1 and the substrate carrier 5 or substrates placed thereon close one in the processing position Process space PR by substrate carrier 5 or a substrate nestling itself so far against side walls 22 of the vacuum chamber that the free rotary movement ω is still guaranteed. For this purpose, as shown in FIG. 5, the substrate carrier 5 can not only be driven into the aforementioned rotational movement ω, but can also preferably be raised or lowered linearly into the processing position. By decoupling the process space P from other parts of the chamber, in particular with moving parts, the particle contamination is reduced during the coating.

In Fig. 6 ist schematisch eine erste Ausführungsvariante einer erfindungsgemässen Vakuumbehandlungsanlage mit mindestens einer erfindungsgemässen Sputterkammer 20 dargestellt. Die Sputterkammer 20 mit der Magnetronquelle 21, welche zu Wartungszwecken bzw. Targetwechsel wie gestrichelt dargestellt aufklappbar ist, ist an einer Transportkammer 23 angeflanscht. In der Transportkammer 23 wirkt eine Transporteinrichtung 27, welche um eine Drehachse B mittels eines Antriebes 25 drehbeweglich ist. Es ragen von der Drehachse B ein, zwei oder mehr (siehe Fig. 10) Transportarme 29 mit mindestens einer bezüglich der Achse B radialen Komponente nach aussen und tragen je Substratträger 31. Die Substratträger 31 können - wie mit dem Doppelpfeil F dargestellt - getrieben ausgefahren, insbesondere in Bearbeitungsposition gebracht werden bzw. rückgeholt werden, und weiter - wie vorerläutert wurde - um die Achse A der Substratträger 31 getrieben rotiert werden.6 schematically shows a first embodiment variant of a vacuum treatment system according to the invention with at least one sputtering chamber 20 according to the invention. The sputtering chamber 20 with the magnetron source 21, which can be opened as shown in dashed lines for maintenance purposes or target changes, is flanged to a transport chamber 23. A transport device 27, which is rotatable about an axis of rotation B by means of a drive 25, acts in the transport chamber 23. One, two or more (see FIG. 10) transport arms 29 protrude from the axis of rotation B with at least one radial component with respect to the axis B and carry each substrate carrier 31. The substrate carriers 31 can be driven out as shown by the double arrow F. , in particular brought into the processing position or retrieved, and further rotated - as explained above - about the axis A of the substrate carrier 31.

In Fig. 7 ist in Aufsicht eine Anlage analog zu derjenigen von Fig. 6 mit mehreren Behandlungsstationen dargestellt, wovon mindestens eine eine erfindungsgemässe Sputterkammer ist .FIG. 7 shows a top view of a system analogous to that of FIG. 6 with several treatment stations, of which at least one is a sputtering chamber according to the invention.

An der Transportkammer 29 direkt oder via weitere Transportkammern ist mindestens eine Schleusenkammer 33 vorgesehen, mittels welcher die zu behandelnden Substrate von der Umgebungsatmo- Sphäre in Vakuum eingeschleust bzw. vom Vakuum in die Umgebungsatmosphäre ausgeschleust werden. Ab Einschleusen werden die Substrate durch eine oder mehrere Transporteinrichtungen, gegebenenfalls nach Durchlaufen weiterer Behandlungsschritte, an eine erfindungsgemässe Sputterbeschichtungsstation - wie der Station 21 von Fig. 6 - zugeführt.At least one lock chamber 33 is provided on the transport chamber 29 directly or via further transport chambers, by means of which the substrates to be treated can be removed from the ambient atmosphere. Sphere introduced in a vacuum or removed from the vacuum into the surrounding atmosphere. From the point of introduction, the substrates are fed to a sputter coating station according to the invention, such as station 21 of FIG. 6, through one or more transport devices, possibly after having undergone further treatment steps.

In Fig. 8 ist, einerseits, eine an sich erfindungsgemässe Transportkammer dargestellt, kombiniert mit einer erfindungsgemässen Magnetronsputterkammer vorerläuterter Art, damit, ander- seits eine erfindungsgemässe Anlage bildend.FIG. 8 shows, on the one hand, a transport chamber per se according to the invention, combined with a magnetron sputtering chamber according to the invention of the type explained above, thereby forming a system according to the invention on the other hand.

Fig. 9 zeigt dabei eine Schnittdarstellung gemäss Linie II-II durch die Anordnung nach Fig. 8. Die Kombination der noch zu beschreibenden Transportkammer und Schleusenkammer mit der erfindungsgemässen, vorbeschriebenen Magnetronsputterkammer er- gibt eine höchst kompakte Anlagenkonfiguration mit kurzenFIG. 9 shows a sectional illustration along line II-II through the arrangement according to FIG. 8. The combination of the transport chamber and lock chamber to be described later with the above-described magnetron sputtering chamber results in a highly compact system configuration with short

Schleus- und Transportzyklen und - aufgrund der erfindungsgemässen Sputterkammern - ebenso kurzen Beschichtungszyklen.Locking and transport cycles and - due to the sputtering chambers according to the invention - also short coating cycles.

Die erfindungsgemässe Vakuumtransportkammer 41 weist einen Innenraum 43 auf, welcher einerseits durch eine Grundplatte 45 begrenzt ist, andererseits durch eine Seitenwandstruktur 47 sowie eine der Grundplatte 45 gegenüberliegende Abdeckungsstruktur 49. Die Innenfläche der Abdeckungsstruktur 49 kann dabei vorzugsweise von der Innenfläche der Grundplatte 45 mit einem Abstand d beabstandet sein, welcher bevorzugterweise höchstens gleich ist wie die Dicke D der Grundplatte 45, vorzugsweise und wie dargestellt gar wesentlich geringer.The vacuum transport chamber 41 according to the invention has an interior space 43 which is delimited on the one hand by a base plate 45 and on the other hand by a side wall structure 47 and a cover structure 49 opposite the base plate 45. The inner surface of the cover structure 49 can preferably be spaced from the inner surface of the base plate 45 d be spaced, which is preferably at most the same as the thickness D of the base plate 45, preferably and, as shown, even significantly less.

In der Abdeckungsstruktur 49 der erfindungsgemässen Transportkammer sind Werkstückdurchreiche-Öffnungen 51 vorgesehen, an der in den Figuren 8 und 9 dargestellten, bevorzugten Ausfüh- rungsform deren zwei. Es können selbstverständlich auch mehr als zwei der erwähnten Öffnungen 51 vorgesehen sein. In der erfindungsgemässen Transportkammer wirkt eine Transporteinrichtung 57, deren bevorzugter Aufbau insbesondere aus Fig. 9 ersichtlich ist. Seitlich an die Grundplatte 45 bzw. an der Seitenwandstruktur 47 angeflanscht ist ein Drehachsengehäuse 53 vorgesehen, worin die Antriebsdrehachse 55 der Transporteinrichtung 57 gelagert ist. Die senkrecht zur Innenfläche der Grundplatte 45 ausgerichtete Drehachse 55 trägt in der dargestellten, bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemässen Transportkammer, als Transporteinrichtung 57, eine Transport- kelle 59 mit Stiel 60 und einer tellerartigen Werkstückaufnahme 61. Die Transportkelle 59 wird, wie in Fig. 9 dargestellt, von einer ersten Schwenkposition, in der die Werkstückaufnahme 61 mit der einen der beiden Öffnungen 51 ausgerichtet ist, in die gestrichelt dargestellte zweite Position geschwenkt, in welcher die Werkstückaufnahme 61 auf die zweite der erwähnten Öffnungen 51 ausgerichtet ist. Wie ersichtlich, ist die Drehachse 55 der Transporteinrichtung 57 bezüglich einer Verbindungslinie der in Fig. 9 eingetragenen Öffnungszentralachse Z_5i versetzt angeordnet. Im weiteren liegen die Öffnungen 51 an der erfindungsge- mässen Transportkammer so nahe beieinander, dass - wie sich insbesondere aus Fig. 8 ergibt - dazwischen nur gerade genügend Platz ist, um, wie noch zu erläutern sein wird, eine Bearbeitungsstation an der einen der beiden Öffnungen anzuflanschen bzw. anzuordnen.Workpiece pass-through openings 51 are provided in the cover structure 49 of the transport chamber according to the invention, two of which are in the preferred embodiment shown in FIGS. 8 and 9. Of course, more than two of the openings 51 mentioned can also be provided. A transport device 57 acts in the transport chamber according to the invention, the preferred construction of which can be seen in particular from FIG. 9. Flanged laterally to the base plate 45 or to the side wall structure 47, a rotary axis housing 53 is provided, in which the drive rotary axis 55 of the transport device 57 is mounted. The axis of rotation 55 oriented perpendicular to the inner surface of the base plate 45 carries, in the preferred embodiment of the transport chamber according to the invention, a transport trowel 59 with a handle 60 and a plate-like workpiece holder 61 as the transport device 57. The transport trowel 59 is, as shown in FIG. 9 , pivoted from a first pivot position, in which the workpiece holder 61 is aligned with one of the two openings 51, into the second position shown in dashed lines, in which the workpiece holder 61 is aligned with the second of the openings 51 mentioned. As can be seen, the axis of rotation 55 of the transport _{device 57 is} arranged offset with respect to a connecting line of the _central opening _axis Z _{5i shown} in FIG. 9. Furthermore, the openings 51 on the transport chamber according to the invention are so close to one another that - as can be seen in particular from FIG. 8 - there is only just enough space in between, as will be explained below, a processing station at one of the two Flange or arrange openings.

Durch die erwähnte Lage der Drehachse 55 sowie die Minimalisie- rung des Öffnungszwischenraumes A (Fig. 9) werden optimal kurze Transportwege für die Transporteinrichtung 57 realisiert, mitDue to the aforementioned position of the axis of rotation 55 and the minimization of the opening space A (FIG. 9), optimally short transport routes for the transport device 57 are realized with

Schwenkwinkeln φ von höchstens 120°, bevorzugt von höchstens 90°.Swivel angles φ of at most 120 °, preferably of at most 90 °.

In der bevorzugten dargestellten Ausführungsform ist an der einen Öffnung 51 eine Schleusenkammer integriert. Die eine Öffnung, 51a, ist mit einem Deckel 65 versehen, welcher, wie aus Fig. 8 ersichtlich, motorisch getrieben um eine Schwenkachse 67 schwenkbar ist. Diese Achse ist bevorzugterweise zwischen den Öffnungen 51 gelegen. Der Deckel 65 dichtet mit Dichtungen 69 gegen äussere Umrandungspartien der Öffnung 51a an der Abdeckungsstruktur 49, welche Dichtungen 69 in geschlossenem Zu- stand ggf. von dem noch zu beschreibenden linearen motorischen Deckelantrieb verspannt werden.In the preferred embodiment shown, a lock chamber is integrated at one opening 51. One opening, 51a, is provided with a cover 65 which, as can be seen in FIG. 8, is motor-driven about a pivot axis 67 is pivotable. This axis is preferably located between the openings 51. The cover 65 seals with seals 69 against the outer border parts of the opening 51a on the cover structure 49, which seals 69 may be clamped in the closed state by the linear motorized cover drive to be described later.

In Fig. 8 ist die Werkstückaufnahme 61 sowohl in Ausrichtung mit der Öffnung 51a wie auch in Ausrichtung mit der weiteren Öffnung 51, 51b dargestellt. Im Bereich der Öffnung 51a ist an der inneren Offnungsumrandungsfläche der Abdeckungsstruktur 49 eine Dichtungsanordnung vorgesehen, bevorzugt in Form einer hydraulisch, vorzugsweise aber einer pneumatisch betätigbaren, expandierbaren Dichtung 71, welche über einen Anschlussstutzen 73 druckmediumbeaufschlagt wird. Durch Druckbeaufschlagung der expandierbaren Dichtung 71 wird diese dichtend an den Umrandungsbereich der Werkstückaufnahme 61 gepresst . Um diese peri- phere Dichtungsbelastung verzugsfrei aufzunehmen, ist die WerktStückaufnahme 61 grundplattenseitg, insbesondere in ihrem Peripheriebereich, widergelagert. In der dargestellten, bevor- zugten Ausführungsform erfolgt diese Widerlagerung mittels einer weiteren umlaufenden, hydraulisch, aber bevorzugt pneumatisch betätigbaren bzw. expandierbaren Dichtung 75, welche über einen oder mehrere Anschlüsse 77 druckmediumbeaufschlagt wird. Wie dargestellt, können sich die umlaufenden Dichtungen 71 und 75, jeweils an Grundplatten- und Abdeckungsstruktur-Innenflächen, gegenüberliegen, können aber auch ggf. versetzt sein, jedenfalls nehmen sie zwischen sich, druckbeaufschlagt, die Werkstückaufnahme 61 dichtend verspannend auf.8 shows the workpiece holder 61 both in alignment with the opening 51a and in alignment with the further opening 51, 51b. In the area of the opening 51a, a seal arrangement is provided on the inner opening border surface of the cover structure 49, preferably in the form of a hydraulically, but preferably a pneumatically actuatable, expandable seal 71, which is pressurized via a connecting piece 73. By applying pressure to the expandable seal 71, the seal 71 is pressed in a sealing manner against the border area of the workpiece holder 61. In order to absorb this peripheral sealing load without distortion, the workpiece holder 61 is relocated on the base plate side, in particular in its peripheral area. In the preferred embodiment shown, this abutment takes place by means of a further circumferential, hydraulically, but preferably pneumatically actuated or expandable seal 75 which is pressurized via one or more connections 77. As shown, the circumferential seals 71 and 75, each on the inner surface of the base plate and cover structure, may lie opposite one another, but may also be offset, in any case, between them, when pressurized, they hold the workpiece holder 61 in a sealing manner.

Die Dichtung 75 schliesst ein verbleibendes Kammervolumen 79 zwischen Unterseite der Werkstückaufnahme 61 und Innenfläche der Grundplatte 45 ab. Dieses Volumen sowie die eigentliche Schleusenkammer zwischen geschlossenem Deckel 65 und peripher gedichteter Oberseite der Werkstückaufnahme 61 wird durch eine Zentrumsδffnung 81 (siehe auch Fig. 9) an der Werkstückaufnahme 61 und einen bezüglich der Öffnungsachse Z₅₁ bevorzugt zentrierten Pumpanschlussstutzen 83 an der Grundplatte 45 abgepumpt. Zur weiteren Reduktion des Schleusenkammervolumens ist der Deckel 65, wie in Fig. 8 ersichtlich, gegen die Werkstückaufnahme 61 hin soweit eingebuchtet, dass seine Innenfläche ein auf der Aufnahme 61 gehaltertes Werkstück 85 gerade nicht berührt .The seal 75 seals off a remaining chamber volume 79 between the underside of the workpiece holder 61 and the inner surface of the base plate 45. This volume and the actual lock chamber between the closed cover 65 and the peripherally sealed upper side of the workpiece holder 61 is determined by a Pumped out center opening 81 (see also FIG. 9) on the workpiece holder 61 and a pump connection piece 83, preferably centered with respect to the opening axis Z ₅₁ , on the base plate 45. To further reduce the lock chamber volume, the cover 65, as can be seen in FIG. 8, is indented towards the workpiece holder 61 to such an extent that its inner surface does not just touch a workpiece 85 held on the holder 61.

Ist das Werkstück 85, wie beispielsweise bei Speicherscheiben, insbesondere optischen Speicherscheiben, mit einer Zentrumsδff- nung versehen, so erfolgt der Durchgriff von Pumpstutzen 83 auf das Schleusenkammervolumen oberhalb des Werkstückes ungehindert durch diese Zentrumsδffnung des Werkstückes hindurch. Ist das scheibenförmige Werkstück ohne Zentrumsδffnung ausgebildet, so können (nicht dargestellt) radiale Verbindungskanäle in der werkstückzugekehrten Oberfläche der Werkstückaufnahme 61 diesen Durchgriff verbessern, beispielsweise ein Netz von radialen Nuten.If the workpiece 85 is provided with a center opening, as is the case, for example, with storage disks, in particular optical storage disks, the pump nozzle 83 reaches through to the lock chamber volume above the workpiece unhindered through this center opening of the workpiece. If the disk-shaped workpiece is designed without a center opening, radial connecting channels (not shown) in the workpiece-facing surface of the workpiece holder 61 can improve this penetration, for example a network of radial grooves.

Die in den Figuren 8 und 9 dargestellte, bevorzugte, höchst kompakte Vakuumbehandlungsanlage verwendet die erfindungsgemässe Transportkammer mit nur gerade zwei Öffnungen 51, nämlich Öffnung 51a und 51b. Während, wie erläutert wurde, an der Öffnung 51a eine kleinstvolumige Schleusenkammer integriert ist, ist an der zweiten Öffnung 51b eine Werkstückbehandlungsstation angeflanscht. In der dargestellten Anlagenrealisationsform, insbesondere für das Sputterbeschichten von kreisscheibenfδrmi- gen Werkstücken, insbesondere von Speicherscheiben, dabei insbesondere von optischen Speicherscheiben, ist an der Öffnung 51b die erfindungsgemässe Sputterstation 80 montiert.The preferred, highly compact vacuum treatment system shown in FIGS. 8 and 9 uses the transport chamber according to the invention with only two openings 51, namely openings 51a and 51b. While, as has been explained, a small-volume lock chamber is integrated at the opening 51a, a workpiece treatment station is flanged onto the second opening 51b. In the system implementation shown, in particular for the sputter coating of circular workpieces, in particular storage disks, in particular optical storage disks, the sputtering station 80 according to the invention is mounted on the opening 51b.

Die Zentralachse Z_s der Sputterquelle 80 ist dabei von der andern Öffnung 51a weggeneigt, derart, dass am Montageflansch 82 für die geneigt montierte Sputterquelle 80 der Linearantrieb 83 für die Schwenkbewegung des Deckels 65 montiert werden kann. An der dargestellten Sputteranlage ist an der Werkstückaufnahme 61 ein zentraler Teil 84 abhebbar. An der Grundplatte 45 ist ein Hub- und Drehantrieb 86 montiert, ausgerichtet auf die Achse Z₅i_b. Ist die Werkstückaufnahme 61 in der Öffnung 51b zent- riert, so wird mit dem Antrieb 86, wie mit F in Fig. 8 dargestellt, mit dem zentralen Teil 84 das Werkstück 85 in Bearbeitungsposition bezüglich der Sputterquelle 80 hochgehoben und gleichzeitig, wie mit ω dargestellt, in Umdrehung versetzt.The central axis Z _{s of} the sputtering source 80 is inclined away from the other opening 51a such that the linear drive 83 for the pivoting movement of the cover 65 can be mounted on the mounting flange 82 for the inclined sputtering source 80. In the sputtering system shown, a central part 84 can be lifted off the workpiece holder 61. A lifting and rotary drive 86 is mounted on the base plate 45, aligned with the axis Z ₅ i _b . If the workpiece holder 61 is centered in the opening 51b, then with the drive 86, as shown with F in FIG. 8, the workpiece 85 is raised with the central part 84 in the processing position with respect to the sputtering source 80 and at the same time, as shown with ω , rotated.

Die Sputterquelle 80 ist in bevorzugter Ausführungsorm um eine Achse 87 schwenkgelagert montiert, welche Achse 87, bezüglich der Öffnung 51b, der Achse 67 des Deckels 65 gegenüberliegt und diesbezüglich parallel ist. Damit wird erreicht, dass die Sputterquelle 80 ohne Beeinträchtigung des Deckelantriebs 83 am Flansch 82, wie zu Wartungszwecken oder zum Targetersatz, abge- klappt werden kann, wie dies in Fig. 8 mit Ω dargestellt ist.In a preferred embodiment, the sputtering source 80 is mounted so that it can pivot about an axis 87, which axis 87 lies opposite the axis 67 of the cover 65 with respect to the opening 51b and is parallel in this regard. It is thereby achieved that the sputter source 80 can be folded down on the flange 82 without impairing the cover drive 83, such as for maintenance purposes or to replace the target, as is shown in FIG. 8 with Ω.

Mit der erfindungsgemässen Transportkammer und der erfindungsgemässen Vakuumbehandlungsanl ge wird eine höchst kompakte Transportweg-optimierte, konstruktiv einfache Anlage bzw. Kammer geschaffen, welche einen hohen Durchsatz ermöglicht, bei Realisation höchst gleichförmiger Beschichtungs-Schichtdicken. Sie eignet sich insbesondere für den Transport bzw. die Behandlung kreisscheibenfδrmiger Werkstücke, dabei insbesondere für Speicherscheiben, ganz besonders für die Behandlung optischer Speicherscheiben .With the transport chamber according to the invention and the vacuum treatment plant according to the invention, a highly compact transport path-optimized, structurally simple system or chamber is created, which enables a high throughput while realizing highly uniform coating layer thicknesses. It is particularly suitable for the transport or treatment of workpieces in the form of circular disks, in particular for storage disks, very particularly for the treatment of optical storage disks.

Mit einer erfindungsgemässen Anlage gemäss den Figuren 8 bzw. 9 wurden, bezüglich der Substratträgerachsen zentriert, Substrate mit Durchmessern von 200 mm resp. 240 mm beschichtet. Dabei galt folgendes:With a system according to the invention in accordance with FIGS. 8 and 9, substrates with diameters of 200 mm or. 240 mm coated. The following applied:

Magnetronquelle: Von der Anmelderin vertriebene ARQ920G-Quelle mit NiV7-Magnetron source: ARQ920G source with NiV7- sold by the applicant

Rundtarget . Targetdurchmesser: 155 mmRound target. Target diameter: 155 mm

Sputterleistung: 500 W bzw. 1 kWSputtering power: 500 W or 1 kW

Abgelegte Schichtdicken: 50 bis 100 nmLayer thicknesses deposited: 50 to 100 nm

Target/Substrat-Abstand (D) : 100 mm bzw. 140 mmTarget / substrate distance (D): 100 mm or 140 mm

Neigungswinkel ß zwischen Zentralachse der Quelle und Substrat- trägerachse :Inclination angle ß between the central axis of the source and the substrate support axis:

45°, 48° bzw. 50°45 °, 48 ° and 50 °

Argondruck: 2 x 10^"3 mbarArgon pressure: 2 x 10 ^"3 mbar

Anwendung für Master DisksApplication for master discs

In Fig. 10 sind die Resultate der erwähnten Beschichtung zusammengestellt. Daraus ist die äusserst gute Gleichförmigkeit der abgelegten Schichtdicke erkenntlich sowie deren Optimierung durch geringfügige Änderung des erwähnten Neigungswinkels ß. 10 shows the results of the coating mentioned. This shows the extremely good uniformity of the deposited layer thickness and the optimization thereof by slightly changing the angle of inclination β mentioned.

Claims

Patentansprüche: claims:

1. Sputterkammer mit mindestens einer Sputterquelle, mit zu einer Zentralachse mindestens genähert symmetrischer Sputter- neufläche, weiter mit einem Subs ratträger, der getrieben um eine Substratträgerachse drehbar ist, wobei Zentralachse und Substratträgerachse zueinander schief stehen, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputterquelle eine Magnetronsputterquelle ist .1. Sputtering chamber with at least one sputtering source, with a new sputtering surface that is at least approximately symmetrical with respect to a central axis, further with a substrate carrier that can be rotated driven about a substrate carrier axis, the central axis and substrate carrier axis being skewed to one another, characterized in that the sputtering source is a magnetron sputtering source ,

2. Kammer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputterneuflache bezüglich der Zentralachse im wesentlichen rotationssymmetrisch ist.2. Chamber according to claim 1, characterized in that the sputtering surface is essentially rotationally symmetrical with respect to the central axis.

3. Kammer nach einem der Ansprüche 1 oder 2 , dadurch gekennzeichnet, dass sich Zentralachse und Substratträgerchse mindestens genähert schneiden.3. Chamber according to one of claims 1 or 2, characterized in that the central axis and substrate support axis intersect at least approximately.

4. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass für den Winkel ß zwischen Zentralachse und Substratträgerachse gilt :4. Chamber according to one of claims 1 to 3, characterized in that the following applies to the angle β between the central axis and the substrate support axis:

30° < ß < 60°,30 ° <ß <60 °,

bevorzugtprefers

40° < ß < 55°,40 ° <ß <55 °,

insbesondere bevorzugtparticularly preferred

43° < ß < 50°,43 ° <ß <50 °,

insbesonderein particular

ß s 45°.ß s 45 °.

5. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass Zentralachse und Substratträgerachse mindestens genähert auf einer sputterzubeschichtenden Oberfläche eines auf dem Substratträger aufgebrachten Substrates ihren kleinsten Abstand haben.5. Chamber according to one of claims 1 to 4, characterized in that the central axis and substrate support axis at least approximated on a surface to be sputter-coated of a substrate applied to the substrate carrier.

6. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn- zeichnet, dass sie beliebig im Raum lageorientiert werden kann, vorzugsweise, dass der Substratträger mindestens genähert horizontal liegt.6. Chamber according to one of claims 1 to 5, characterized in that it can be oriented in any position in space, preferably that the substrate carrier is at least approximately horizontal.

7. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektion der Sputterneuflache auf eine Ebene senkrecht zur Zentralachse grδsser ist als die auf dieselbe Ebene projizierte sputterzubeschichtende Fläche mindestens eines auf dem Substratträger aufnehmbaren Substrates .7. Chamber according to one of claims 1 to 6, characterized in that the projection of the new sputtering surface onto a plane perpendicular to the central axis is larger than the surface of at least one sputter-coated surface projected onto the same plane that can be received on the substrate carrier.

8. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei der erwähnten Sputterquellen vorgesehen sind, die gleichzeitig auf ein Substrat zur Wirkung gebracht werden können.8. Chamber according to one of claims 1 to 7, characterized in that at least two of the sputtering sources mentioned are provided, which can be brought into effect simultaneously on a substrate.

9. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputterquelle eine zur Zentralachse im wesentlichen rotationssymmetrische Sputterneuflache aufweist und, im Betrieb, in der Sputterflache mindestens einen um die Zentralachse kreisförmig umlaufenden Erosionsgraben erzeugt, wobei für den Radius r_τ des Ortes grδsster Erosionstiefe des radial aussersten Erosionsgrabens und für den Abstand D des Ortes geringsten Abstandes von Zentralachse und Substratträgerachse von der Sputterflache gilt:9. Chamber according to one of claims 1 to 8, characterized in that the sputtering source has a substantially rotationally symmetrical sputtering new surface and, in operation, generates in the sputtering surface at least one circular erosion trench around the central axis, wherein for the radius r _τ des The location of the greatest depth of erosion of the radially outermost erosion trench and for the distance D of the location the smallest distance from the central axis and substrate support axis from the sputtering surface:

1/4 < r_τ / D < 2/3.1/4 <r _τ / D <2/3.

10. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputterneuflache bezüglich der Zentralachse im wesentlichen rotationssymmetrisch ist und bezüglich des Sputterflächen-Durchmessers φ_r und des Abstandes D zwischen der Sputterfläche und dem Ort geringsten Abstandes von Zentralachse und Substratträgerachse - vorzugsweise auf der sputterzube- schichtenen Substratfläche - gilt:10. Chamber according to one of claims 1 to 9, characterized in that the sputtering surface is essentially rotationally symmetrical with respect to the central axis and with respect to the sputtering surface diameter φ _r and the distance D between the sputtering surface and the location of the smallest distance from the central axis and substrate carrier axis - preferably on the sputter-coated substrate surface - applies:

3/4 < φr / D < 2,3/4 <φr / D <2,

bevorzugtprefers

φr » 1,2 D.φr »1.2 D.

11. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Substratträger zur zentrierten Aufnahme eines oder mehrerer Substrate ausgebildet ist und hierzu eine zur Substratträgerachse zentrierte Substrat-Aufnahmeflache auf- weist, wobei für den Durchmesser der Aufnahmefläche φ_s und für den Abstand D des Ortes geringsten Abstandes von Zentralachse und Substratträgerachse - vorzugsweise auf der zu beschichtenden Substratfläche liegend -, von der Sputterneuflache gilt:11. Chamber according to one of claims 1 to 10, characterized in that the substrate carrier is designed to receive one or more substrates in a centered manner and for this purpose has a substrate receiving surface centered on the axis of the substrate carrier, φ _s for the diameter of the receiving surface and Distance D of the location of the smallest distance from the central axis and substrate support axis - preferably lying on the substrate surface to be coated - from the new sputtering surface:

φs / D ≤ 1,8.φs / D ≤ 1.8.

12. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputterneuflache bezüglich der Zentralachse rotationssymmetrisch ist und der Substratträger zur zentrierten Aufnahme eines oder mehrerer Substrate ausgebildet ist und hierzu eine zur Substratträgerachse zentrierte Aufnahmefläche aufweist, wobei weiter bezüglich des Durchmessers der Substrataufnahmefläche φ_s und des Durchmessers φr der Sputterneuflache gilt:12. Chamber according to one of claims 1 to 11, characterized in that the sputtering surface is rotationally symmetrical with respect to the central axis and the substrate carrier is designed to receive one or more substrates in a centered manner and for this purpose has a receiving surface centered on the substrate carrier axis, further with respect to the diameter of the substrate receiving surface φ _s and the diameter φr of the new sputtering surface:

0,5 < φ_s / φτ ≤ 2,4,0.5 <φ _s / φτ ≤ 2.4,

vorzugsweisepreferably

l ≤ φ_s / φτ ≤ 2 , 4 .l ≤ φ _s / φτ ≤ 2, 4.

13. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Substratträger eine zentrierte Aufnahmeflä- ehe für mindestens ein Substrat aufweist mit einem Durchmesser φs, für den gilt:13. Chamber according to one of claims 1 to 12, characterized in that the substrate carrier has a centered receiving surface. before has at least one substrate with a diameter φs, for which the following applies:

50 mm < φs < 400 mm,50 mm <φs <400 mm,

vorzugsweisepreferably

50 mm < φs < 300 mm,50 mm <φs <300 mm,

dass der Durchmesser φ_s weiter bevorzugt beträgt:that the diameter φ _{s is} more preferably:

64 mm oder 120 mm oder 160 mm bis 240 mm.64 mm or 120 mm or 160 mm to 240 mm.

14. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Substratträger in Richtung der Substratträ- gerachse getrieben linear verschieblich ist.14. Chamber according to one of claims 1 to 13, characterized in that the substrate carrier is linearly displaceable in the direction of the substrate carrier axis.

15. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 14 , dadurch gekennzeichnet, dass in Bearbeitungsposition ein auf dem Substratträger angeordnetes Substrat oder der Substratträger selber mit der Sputterflache einen Prozessraum zweiseitig abgrenzt.15. Chamber according to one of claims 1 to 14, characterized in that in the processing position, a substrate arranged on the substrate carrier or the substrate carrier itself, with the sputtering surface, delimits a process space on two sides.

16. Vakuumbehandlungsanlage mit mindestens einer Sputterkammer nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputterkammer über eine oder mehrere Transportkämmern mit mindestens einer Schleusenkammer verbunden ist, worin Substrate von der Umgebung in Vakuum ein- bzw. von Vakuum in die Umgebung ausgeschleust werden.16. Vacuum treatment plant with at least one sputtering chamber according to one of claims 1 to 16, characterized in that the sputtering chamber is connected via one or more transport chambers to at least one lock chamber, wherein substrates are introduced into the environment from vacuum in a vacuum or discharged into the environment from vacuum become.

17. Vakuumtransportkammer für scheibenförmige Substrate, gekennzeichnet durch17. Vacuum transport chamber for disk-shaped substrates, characterized by

• eine Grundplattenstruktur (45) , die mit ihrer Innenfläche den Innenraum (3) der Kammer einseitig berandet;• a base plate structure (45) which borders the interior (3) of the chamber on one side with its inner surface;

• eine der Innenfläche der Grundplattenstruktur im wesentlichen parallel gegenüberliegende Abdeckungsstruktur mit mindestens zwei der SubstratScheibenfläche angepassten Substratdurchrei- cheδffnungen;• a cover structure lying at least substantially parallel to the inner surface of the base plate structure two substrate pass-through openings adapted to the substrate wafer area;

• eine um eine Drehachse, senkrecht zur Grundplattenstruktur, getrieben drehbewegliche Transporteinrichtung in der Kammer mit mindestens einer Substrataufnahme, welche durch die Drehbewegung in Ausrichtung jeweils mit einer der Öffnungen bringbar ist,A transport device in the chamber, which is rotatable about an axis of rotation, perpendicular to the base plate structure, with at least one substrate receptacle, which can be brought into alignment with one of the openings by the rotary movement,

wobei eine gesteuerte Dichtungsanordnung die Umrandung mindestens einer der Öffnungen mit der mit ihr in Ausrichtung ge- brachten Substrathalterung bzw. einem darauf vorgesehenen Substrat erstellt.wherein a controlled sealing arrangement creates the border of at least one of the openings with the substrate holder or a substrate provided thereon.

18. Transportkammer nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die eine der Öffnungen mit einem vorzugsweise motorisch schliessbaren Deckel gegen die Umgebung ausgerüstet ist, wobei Deckel und in Ausrichtung mit dieser Öffnung gebrachte Werkstückaufnahme bzw. ein Werkstück an dieser Aufnahme innen- bzw. aussenseitige Schleusenventile für eine an dieser Öffnung integrierte Schleusenkammer bilden.18. Transport chamber according to claim 17, characterized in that one of the openings is equipped with a preferably motor-lockable cover against the environment, the cover and the workpiece holder brought into alignment with this opening or a workpiece on this holder on the inside or outside lock valves for a lock chamber integrated at this opening.

19. Kammer nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Deckel gegen die Kammer eingebuchtet ist zur Reduktion des abzupumpenden Schleusenvolumens .19. Chamber according to claim 18, characterized in that the cover is indented against the chamber to reduce the lock volume to be pumped out.

20. Kammer nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtungsanordnung mindestens eine um eine Öffnung kammerinnenseitig umlaufende, pneumatisch oder hydrau- lisch betätigbare Dichtung aufweist.20. Chamber according to one of claims 17 to 19, characterized in that the sealing arrangement has at least one pneumatically or hydraulically actuated seal which runs around an opening on the inside of the chamber.

21. Kammer nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtungsanordnung eine um die mit dem Deckel versehene Öffnung kammerseitig umlaufende, pneumatisch oder hydraulisch betätigbare Dichtung aufweist, und dieser Dichtung eine an der Grund- plattenstruktur-Innenfläche gegenüberliegende, umlaufende, vorzugsweise pneumatisch oder hydraulisch betätigbare weitere Dichtungsanordnung vorgesehen ist, welche beide Dichtungsanordnungen die auf diese Öffnung ausgerichtete Werkstückaufnahme dichtend zwischen sich aufnehmen.21. Chamber according to claim 18, characterized in that the sealing arrangement has a pneumatically or hydraulically operable seal around the chamber-side opening, and this seal has a circumferential, preferably pneumatic or hydraulic, seal on the inner surface of the base plate structure actuatable further Sealing arrangement is provided, which two sealing arrangements sealingly receive the workpiece holder aligned with this opening between them.

22. Kammer nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekenn- zeichnet, dass die Werkstückaufnahme mindestens eine Öffnung, vorzugsweise eine zentrale Öffnung, aufweist.22. Chamber according to one of claims 17 to 21, characterized in that the workpiece holder has at least one opening, preferably a central opening.

23. Kammer nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Deckel so weit eingebuchtet ist, dass, geschlossen, seine Innenfläche eine Werkstückscheibe auf der mit besagter Öffnung ausgerichteten Werkstückaufnahme gerade nicht berührt.23. Chamber according to claim 19, characterized in that the cover is indented so far that, when closed, its inner surface does not just touch a workpiece disc on the workpiece holder aligned with said opening.

24. Transportkammer nach einem der Ansprüche 17 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass zwei der genannten Öffnungen vorgesehen sind, die Drehachse der Transporteinrichtung bezüglich einer Verbindungslinie der Öffnungszentren versetzt angebracht ist, und die Werkstückaufnahme von Ausrichtung mit einer der Öffnungen zu Ausrichtung mit der anderen der Öffnungen eine Schwenkbewegung um die Drehachse von höchstens 120°, vorzugsweise von höchstens 90°, durchführt.24. Transport chamber according to one of claims 17 to 23, characterized in that two of said openings are provided, the axis of rotation of the transport device is offset with respect to a connecting line of the opening centers, and the workpiece holder from alignment with one of the openings to alignment with the other of the Openings performs a pivoting movement about the axis of rotation of at most 120 °, preferably of at most 90 °.

25. Transportkammer nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungen an der AbdeckungsStruktur im wesentlichen nur soviel getrennt sind, dass dazwischen das Anflanschen einer Vakuumbehandlungskammer möglich ist.25. Transport chamber according to claim 24, characterized in that the openings on the cover structure are essentially separated only to such an extent that a vacuum treatment chamber can be flanged in between.

26. Transportkammer nach einem der Ansprüche 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Drehachse der Transporteinrich- tung seitlich an die Grundplattenstruktur angeflanscht ist.26. Transport chamber according to one of claims 24 or 25, characterized in that the axis of rotation of the transport device is flanged to the side of the base plate structure.

27. Transportkammer nach einem der Ansprüche 17 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass an mindestens einer der Öffnungen, der AbdeckungsStruktur gegenüberliegend und vorzugsweise bezüglich der Öffnung zentriert, an der Grundplattenstruktur ein Werkstückhubantrieb angebracht ist und/oder ein Werkstückdrehantrieb. 27. Transport chamber according to one of claims 17 to 26, characterized in that at least one of the openings, opposite the cover structure and preferably centered with respect to the opening, a workpiece lifting drive is attached to the base plate structure and / or a workpiece rotating drive.

28. Transportkammer nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Werkstückaufnahme einen zentralen Teil aufweist, der vom übrigen mit der Drehachse verbundenen Transporteinrichtungsteil, senkrecht zur Grundplattenstruktur-Innenfläche, ab- hebbar ist, mit welchem der Hub und/oder Drehantrieb dann gesteuert in Wirkverbindung gebracht wird, wenn die Werkstückaufnahme mit der einen Öffnung ausgerichtet ist, die den erwähnten Antrieb aufweist.28. Transport chamber according to claim 27, characterized in that the workpiece holder has a central part which can be lifted from the rest of the transport device part connected to the axis of rotation, perpendicular to the inner surface of the base plate structure, with which the stroke and / or rotary drive is then operatively connected in a controlled manner is brought when the workpiece holder is aligned with the one opening which has the drive mentioned.

29. Vakuumbehandlungsanlage mit einer Vakuumtransportkammer nach einem der Ansprüche 17 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass an mindestens einer der Öffnungen an der Abdeckungsstruktur der Vakuumtransportkammer eine Vakuumbehandlungsstation angeflanscht ist.29. Vacuum treatment plant with a vacuum transport chamber according to one of claims 17 to 28, characterized in that a vacuum treatment station is flanged to at least one of the openings on the cover structure of the vacuum transport chamber.

30. Anlage nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Station eine Sputterquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 15 ist .30. Plant according to claim 29, characterized in that the station is a sputtering source according to one of claims 1 to 15.

31. Anlage nach Anspruch 30 mit der Vakuumtransportkammer nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass an der Transportkammer zwei der Öffnungen vorgesehen sind und die Zentralachse der Sputterquelle an einer der beiden Öffnungen von der andern Öffnung weggeneigt ist, und dass vorzugsweise ein motorischer Antrieb für einen Deckel an der andern Öffnung an einem Anschlussflansch für die Quelle angeordnet ist.31. System according to claim 30 with the vacuum transport chamber according to claim 18, characterized in that two of the openings are provided on the transport chamber and the central axis of the sputtering source is inclined away from the other opening at one of the two openings, and that preferably a motor drive for one Lid is arranged at the other opening on a connection flange for the source.

32. Anlage nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Deckel an einem Schwenklager mit bezüglich der Abdeckungsstruktur paralleler Schwenkachse schwenkgelagert ist, welche zwischen den Öffnungen angeordnet ist und vorzugsweise die Quelle ebenfalls schwenkgelagert ist um eine zur Abdeckungsstruktur parallele Schwenkachse, welche, bezüglich der mit der Quelle versehenen Öffnung, der Schwenkachse des Deckels gebenüber- liegt . 32. System according to claim 31, characterized in that the cover is pivotally mounted on a pivot bearing with a pivot axis parallel to the cover structure, which is arranged between the openings and preferably the source is also pivotally supported about a pivot axis parallel to the cover structure, which, with respect to the the opening provided with the source, which is above the pivot axis of the cover.

33. Verfahren zur Herstellung beschichteter Datenspeicherscheiben oder Wafer, dadurch gekennzeichnet, dass man mindestens einen Beschichtungsschritt durch schiefwinkliges Magnetronsputtern auf das rotierende Substrat ausführt.33. Process for the production of coated data storage disks or wafers, characterized in that at least one coating step is carried out by obliquely angled magnetron sputtering onto the rotating substrate.

34. Verwendung der Sputterkammer nach einem der Ansprüche 1 bis 15, der Transportkammer nach einem der Ansprüche 17 bis 28, der Anlage nach einem der Ansprüche 16 bzw. 29 bis 32 bzw. des Verfahrens nach Anspruch 33 für die Beschichtung optischer Datenspeicher-Substrate, von Master oder von piezoelektrischen Wafern oder von Wafern für die Halbleiterfertigung. 34. Use of the sputtering chamber according to one of claims 1 to 15, the transport chamber according to one of claims 17 to 28, the system according to one of claims 16 or 29 to 32 or the method according to claim 33 for the coating of optical data storage substrates, of masters or of piezoelectric wafers or of wafers for semiconductor production.