UA87745U - Плазменный реактор с магнитной системой - Google Patents
Плазменный реактор с магнитной системой Download PDFInfo
- Publication number
- UA87745U UA87745U UAA201009554U UAA201009554U UA87745U UA 87745 U UA87745 U UA 87745U UA A201009554 U UAA201009554 U UA A201009554U UA A201009554 U UAA201009554 U UA A201009554U UA 87745 U UA87745 U UA 87745U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- substrate
- plasma reactor
- ratio
- diameter
- electrodes
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 3
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Плазменный реактор содержит в себе вакуумную камеру со средствами откачки, системой подачи и дозирования технологических газов, радиально симметрично закрепленными снаружи сверху электродами для возбуждения разрядов индукционным или емкостным средствами и электрически соединенными с ВЧ генераторами, столик с подложкой, который расположен осесимметрично внутри камеры и противоположно указанным выше электродам и также соединен с отдельным ВЧ генератором, и магнитную систему. Электроды для емкостного возбуждения ВЧ разряда выполнены в виде двух полых цилиндров, расположенных внутри камеры коаксиально между собой и с подложкой. Соотношение высоты внутреннего цилиндра hк его диаметру dлежит в пределах 2>h/d>0,5, а соотношение диаметра внешнего цилиндра Dк диаметру внутреннего цилиндра dлежит в п�
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201009554U UA87745U (ru) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Плазменный реактор с магнитной системой |
| RU2010151535/07A RU2483501C2 (ru) | 2010-07-30 | 2010-12-16 | Плазменный реактор с магнитной системой |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201009554U UA87745U (ru) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Плазменный реактор с магнитной системой |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA87745U true UA87745U (ru) | 2014-02-25 |
Family
ID=46681472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAA201009554U UA87745U (ru) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Плазменный реактор с магнитной системой |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2483501C2 (ru) |
| UA (1) | UA87745U (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2670249C1 (ru) * | 2017-12-22 | 2018-10-19 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2714864C1 (ru) * | 2019-06-10 | 2020-02-19 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронное специальное-технологическое оборудование" | Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5163978A (en) * | 1991-10-08 | 1992-11-17 | Praxair Technology, Inc. | Dual product pressure swing adsorption process and system |
| TW303480B (en) * | 1996-01-24 | 1997-04-21 | Applied Materials Inc | Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer |
| RU2133998C1 (ru) * | 1998-04-07 | 1999-07-27 | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2178219C1 (ru) * | 2000-11-21 | 2002-01-10 | Рябый Валентин Анатольевич | Способ плазмохимической обработки подложек и устройство для его осуществления |
| US8092605B2 (en) * | 2006-11-28 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement of a plasma |
| JP5155235B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2013-03-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置 |
-
2010
- 2010-07-30 UA UAA201009554U patent/UA87745U/ru unknown
- 2010-12-16 RU RU2010151535/07A patent/RU2483501C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2010151535A (ru) | 2012-06-27 |
| RU2483501C2 (ru) | 2013-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100437896C (zh) | 等离子处理装置 | |
| JP2020095793A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| CN102647846A (zh) | 上部电极和等离子体处理装置 | |
| RU2014131219A (ru) | Плазменный двигатель и способ генерирования движущей плазменной тяги | |
| TW509964B (en) | Plasma generating apparatus and semiconductor manufacturing method | |
| CN110800378B (zh) | 等离子体处理装置 | |
| CN110337170B (zh) | 一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置 | |
| TW473556B (en) | Planer gas introducing unit of CCP reactor | |
| CN105008585A (zh) | 等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)源 | |
| JPH10270430A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2020077862A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| CN107195527A (zh) | 一种提高ecr离子源中氢分子离子比例***及其方法 | |
| CN106098517A (zh) | 一种高磁场下微型潘宁离子源 | |
| UA87745U (ru) | Плазменный реактор с магнитной системой | |
| JP5382125B2 (ja) | エッチング装置 | |
| CN110729161A (zh) | 等离子体刻蚀装置 | |
| KR20130025012A (ko) | 배기가스 정화용 플라즈마발생부를 갖는 기판처리시스템 | |
| TWI636152B (zh) | Auxiliary device for plasma enhanced chemical vapor deposition reaction chamber and deposition method thereof | |
| JP2012164766A (ja) | エッチング装置 | |
| CN114173464B (zh) | 一种制备氢原子频标的氢等离子体的*** | |
| JP5174848B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| RU160364U1 (ru) | Ионный магнитный диод для генерации нейтронов | |
| CN205881869U (zh) | 一种高磁场下微型潘宁离子源 | |
| CN205088299U (zh) | 一种弧光放电型离子源装置 | |
| RU2808774C1 (ru) | Способ получения заряженных частиц |