TWM634320U - 一種高頻線路板材料層結構（一） - Google Patents

Abstract

本新型申請一種高頻線路板材料層結構(一)，其包括由下至上依次層疊設置的一下銅箔層、一固化薄膜層與一半固化高頻材料層；又所述半固化高頻材料層上可再熱壓有一上銅箔層，該半固化高頻材料層與該固化薄膜層材料相同，使該半固化高頻材料層與該固化薄膜層合為一體，即合為一合成薄膜層；俾利具有高頻特性和/或抗銅離子遷移性能，且本新型線路板材料層結構作為一個整體結構，在後續線路板的製作工序中，可以作為線路板的製作材料，製作出單層線路板、多層柔性線路板與多層軟硬結合板等線路板結構，給線路板的後續製作帶來很大的便利性，簡化製作工序，加快線路板製作速度，降低生產成本之諸等功效達成。

Description

一種高頻線路板材料層結構(一)

本新型涉及線路板領域，尤其涉及一種高頻線路板材料層結構(一)。

目前，從通信網路到終端應用，通信頻率全面高頻化，高速大容量應用層出不窮。近年來隨著無線網路從4G向5G過渡，網路頻率不斷提升。根據相關資料中顯示的5G發展路線圖，未來通信頻率將分兩個階段進行提升。第一階段的目標是在2020年前將通信頻率提升到6GHz，第二階段的目標是在2020年後進一步提升到30-60GHz。在市場應用方面，智慧手機等終端天線的信號頻率不斷提升，高頻應用越來越多，高速大容量的需求也越來越多。為適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢，軟板作為終端設備中的天線和傳輸線，亦將迎來技術升級。

傳統軟板具有由銅箔、絕緣基材、覆蓋層等構成的多層結構，使用銅箔作為導體電路材料，PI膜作為電路絕緣基材，PI膜和環氧樹脂粘合劑作為保護和隔離電路的覆蓋層，經過一定的制程加工成PI軟板。由於絕緣基材的性能決定了軟板最終的物理性能和電性能，為了適應不同應用場景和不同功能，軟板需要採用各種性能特點的基材。目前應用較多的軟板基材主要是聚醯亞胺(PI)，但是由於PI基材的介電常數和損耗因數較大、吸潮性較大、可靠性較差，因此PI軟板的高頻傳輸損耗嚴重、結構特性較差，已經無法適應當前的高頻高速趨勢。因此，隨著新型5G科 技產品的出現，現有線路板的信號傳輸頻率與速度已經難以滿足5G科技產品的要求。

同時，在製備工藝上，不管是傳統的多層柔性線路板，還是多層軟硬結合板，普遍存在工藝流程多，製作複雜，在線路板性能方面，耗電及信號傳輸損耗增大等問題。

針對上述不足，本新型的目的在於提供一種高頻線路板材料層結構(一)，以高頻線路板材料層結構具有高頻特性，具有高速傳輸高頻信號的性能，可適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢，特別適用於新型5G科技產品；這種高頻線路板材料層結構作為一個整體結構，在後續線路板的製作工序中，可以作為線路板的製作材料，製作出單層線路板、多層柔性線路板與多層軟硬結合板等線路板結構，給線路板的後續製作帶來很大的便利性，簡化製作工序，加快線路板製作速度，降低生產成本。

本新型為達到上述目的所採用的技術方案是：

一種高頻線路板材料層結構(一)，包括由下至上依次層疊設置的一下銅箔層、一固化薄膜層與一半固化高頻材料層。

作為本新型的進一步改進，所述固化薄膜層為PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜中的任意一種。

為本新型的進一步改進，所述半固化高頻材料層為MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、LDK高頻功能膠、或LDK高頻功能膠與抗銅離子遷移膠的混合物。

為本新型的進一步改進，在所述半固化高頻材料層上設置有一離型層，該離型層為離型紙或PET離型膜。

為本新型的進一步改進，在所述半固化高頻材料層上熱壓有一上銅箔層，該半固化高頻材料層與該固化薄膜層材料相同，且該半固化高頻材料層與該固化薄膜層合為一體。

為本新型的進一步改進，所述固化薄膜層與該半固化高頻材料層中至少有一者為有色層。

為本新型的進一步改進，其中該高頻線路板材料層結構的製造方法包含下列步驟： 步驟一，將銅箔放到塗布機上，以該銅箔為基底形成一下銅箔層，在該下銅箔層上塗布合成液態薄膜； 步驟二，將塗布有該液態薄膜的下銅箔層送至隧道烤爐內，並以0.5-20m/s的速度依次經過隧道烤爐內的數段加熱烘烤區進行分段烘烤，使在該下銅箔層上形成一固化薄膜層，獲得單面板； 步驟三，將該單面板放到該塗布機上，在該單面板的固化薄膜層上塗覆上一層合成液態高頻材料層； 步驟四，將塗覆有合成液態高頻材料層的單面板送至該隧道烤爐內，並以0.5-20m/s的速度依次經過該隧道烤爐內的數段加熱烘烤區進行分段烘烤，該單面板上的合成液態高頻材料層變成一半固化高頻材料層，獲得高頻線路板新型材料層結構。

為本新型的進一步改進，所述步驟四還包括以下步驟：在所述半固化高頻材料層背面敷上一離型層，該離型層為離型紙或PET離型膜。

為本新型的進一步改進，在所述步驟一中，所述合成液態薄膜為合成液態PI薄膜、合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜與合成液態PTFE薄膜中的任意一種。

為本新型的進一步改進，在所述步驟三中，所述合成液態高頻材料層為合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液 態TFP薄膜、合成液態PTFE薄膜、合成液態LDK高頻功能膠、或液態LDK高頻功能膠與液態抗銅離子遷移膠的合成液態混合物。

為本新型的進一步改進，所述合成液態LDK高頻能膠通過在液態AD膠中添加鐵弗龍或LCP材料獲得，所述液態抗銅離子遷移膠通過在液態AD膠中添加銅離子捕捉劑，然後再高度提純獲得。

為本新型的進一步改進，在所述步驟二中，所述隧道烤爐內的數段加熱烘烤區至少包括一段加熱烘烤區、二段加熱烘烤區、三段加熱烘烤區、四段加熱烘烤區、五段加熱烘烤區與六段加熱烘烤區，一段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃，二段加熱烘烤區的溫度範圍為100℃-200℃，三段加熱烘烤區的溫度範圍為200℃-300℃，四段加熱烘烤區的溫度範圍為300℃-400℃，五段加熱烘烤區的溫度範圍為400℃-500℃，六段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃。

為本新型的進一步改進，在所述步驟二與步驟四中，每段加熱烘烤區的長度均為2-6m。

為本新型的進一步改進，在所述步驟三中，所述合成液態高頻材料層與該合成液態薄膜中至少有一者中添加有有色填充劑。

為本新型的進一步改進，所述有色填充劑為碳化物。

為本新型的進一步改進，所述步驟四還包括以下步驟：在所述半固化高頻材料層背面上熱壓一上銅箔層，使該半固化高頻材料層固化與該固化薄膜層合為一體，形成高頻線路板新型雙面材料層結構。

為本新型的進一步改進，所述合成液態高頻材料層與合 成液態薄膜的材料相同。

本新型的有益效果為：

通過採用塗布工藝製作高性能高頻線路板材料層結構，製備出的這種高頻線路板材料層結構作為一個整體結構，在後續線路板的製作工序中，可以作為線路板的製作材料，經過後續與其他材料或線路板的直接熱壓等工序，即可製作出單層線路板、多層柔性線路板與多層軟硬結合板等線路板結構，給線路板的後續製作帶來很大的便利性，簡化製作工序，加快線路板製作速度，縮短產品加工時間，提升制程加工能力，降低生產成本；而且，優化了產品結構，提升產品性能。

採用MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜或PTFE薄膜代替傳統的PI薄膜，作為製備高頻線路板材料層結構所需基材，不但可提高線路板整體性能的穩定性與尺寸穩定性，而且具有高頻特性，可傳輸高頻信號、及加快高頻信號的傳送速率，實現高頻信號的高速傳輸，耗電量及高頻信號傳輸損耗低，提高線路板的信號傳輸性能，可適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢，特別適用於新型5G科技產品。

採用半固化高頻材料層代替傳統的半固化AD膠，半固化高頻材料層具體可以為MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、LDK高頻功能膠、或LDK高頻功能膠與抗銅離子遷移膠的混合物，使得製備出的高頻線路板材料層結構具有更強更優的高頻特性，可傳輸高頻信號、及加快高頻信號的傳送速率，實現高頻信號的高速傳輸，耗電量及高頻信號傳輸損耗低，進一步提高線路板的信號傳輸性能，可適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢，特別適用於新型5G科技產品。

上述是新型技術方案的概述，以下結合附圖與具體 實施方式，對本新型做進一步說明。

1:下銅箔層

2:固化薄膜層

3:半固化高頻材料層

4:離型層

5:上銅箔層

2':合成薄膜層

圖1為本新型之實施例一中的結構剖面圖。

圖2為本新型之實施例二中的結構剖面圖。

為更進一步闡述本新型為達到預定目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對本新型的具體實施方式詳細說明。

實施例一：

本實施例提供一種高頻線路板材料層結構的塗布成型方法，包括以下步驟：步驟一，將銅箔放到塗布機上，以銅箔為基底形成一下銅箔層，在該下銅箔層上塗布合成液態薄膜；步驟二，將塗布有該合成液態薄膜的下銅箔層送至隧道烤爐內，並以0.5-20m/s的速度依次經過隧道烤爐內的數段加熱烘烤區進行分段烘烤，使在該下銅箔層上形成一固化薄膜層，獲得單面板；具體的，數段加熱烘烤區至少包括一段加熱烘烤區、二段加熱烘烤區、三段加熱烘烤區、四段加熱烘烤區、五段加熱烘烤區與六段加熱烘烤區，其中，一段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃，二段加熱烘烤區的溫度範圍為100℃-200℃，三段加熱烘烤區的溫度範圍為200℃-300℃，四段加熱烘烤區的溫度範圍為300℃-400℃，五段加熱烘烤區的溫度範圍為400℃-500℃，六段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃，每段加熱烘烤區的長度均為2-6m；步驟三，將該單面板放到塗布機上，在該單面板的 固化薄膜層上塗覆上一層合成液態高頻材料層；步驟四，將塗覆有該合成液態高頻材料層的單面板送至隧道烤爐內，並以0.5-20m/s的速度依次經過隧道烤爐內的數段加熱烘烤區進行分段烘烤，該單面板上的合成液態高頻材料層變成半固化高頻材料層，獲得高頻線路板新型材料層結構。具體的，隧道烤爐內的數段加熱烘烤區至少包括一段加熱烘烤區、二段加熱烘烤區、三段加熱烘烤區、四段加熱烘烤區、五段加熱烘烤區與六段加熱烘烤區，一段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃，二段加熱烘烤區的溫度範圍為100℃-200℃，三段加熱烘烤區的溫度範圍為200℃-300℃，四段加熱烘烤區的溫度範圍為300℃-400℃，五段加熱烘烤區的溫度範圍為400℃-500℃，六段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃，每段加熱烘烤區的長度均為2-6m。

所述步驟四還包括以下步驟：在所述半固化高頻材料層背面敷上一離型層，該離型層為離型紙或PET離型膜，由此獲得高頻線路板單面材料層結構，由該離型紙或PET離型膜，對該半固化高頻材料層進行保護。

本實施例製備出的高頻線路板新型材料層結構(一)，在後期工序中，只要在該銅箔上成型線路，然後在成型了線路的銅箔上依次熱壓上一層PI膜與一層膠，即可形成單層線路板。

同時，在該銅箔上成型線路後，將本實施例製備出的高頻線路板材料層結構進行多組疊加壓合，即可形成多層柔性線路板。在具體壓合時，第一組高頻線路板材料層結構的半固化高頻材料層與第二組高頻線路板材料層結構中成型了線路的銅箔壓合在一起即可。

同時，將該高頻線路板材料層結構整體熱壓到雙面帶膠的玻纖布上，然後在該玻纖布遠離該線路板材料層結構一側面上熱壓上銅箔，再在該上銅箔上成型線路，即可形成多層軟硬結合板，該玻纖布雙面帶的膠為抗銅離子遷移膠與LDK(Low-Dk)高頻功能膠兩種膠中的至少一種。

當然，還可以將高頻線路板材料層結構直接熱壓到其他線路板上，高頻線路板材料層結構上的半固化高頻材料層與其他線路板接觸熱壓結合為一體。

具體的，在所述步驟二中，所述合成液態薄膜為合成液態PI薄膜、合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜與合成液態PTFE薄膜中的任意一種。經過隧道烤爐高溫烘烤後，該合成液態PI薄膜、合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜與合成液態PTFE薄膜分別變為固化PI薄膜、固化MPI薄膜、固化LCP薄膜、固化TFP薄膜與固化PTFE薄膜。所述合成液態薄膜為對固化或半固化狀態的薄膜進行攪拌熔化成液態而得，即該合成液態PI薄膜由固化或半固化狀態的PI薄膜進行攪拌熔化成液態而得；所述合成液態MPI薄膜由固化或半固化狀態的MPI薄膜進行攪拌熔化成液態而得；所述合成液態LCP薄膜由固化或半固化狀態的LCP薄膜進行攪拌熔化成液態而得；所述合成液態TFP薄膜由固化或半固化狀態的TFP薄膜進行攪拌熔化成液態而得；所述合成液態PTFE薄膜由固化或半固化狀態的PTFE薄膜進行攪拌熔化成液態而得。

具體的，PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜的特性與優點分別為：

PI薄膜為聚醯亞胺薄膜(PolyimideFilm)，是性能良好的薄膜類絕緣材料，由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚 (DDE)在強極性溶劑中經縮聚並流延成膜再經亞胺化而成。PI薄膜具有優良的耐高低溫性、電氣絕緣性、粘結性、耐輻射性、耐介質性，能在-269℃~280℃的溫度範圍內長期使用，短時可達到400℃的高溫。玻璃化溫度分別為280℃(UpilexR)、385℃(Kapton)和500℃以上(UpilexS)。20℃時拉伸強度為200MPa，200℃時大於100MPa。特別適宜用作柔性線路板的基材。

MPI(Modified PI)為改性聚醯亞胺，即對聚醯亞胺(PI)的配方進行改進而成。所述MPI因為是非結晶性的材料，所以操作溫度寬，在低溫壓合銅箔下易操作，表面能夠與銅易結合，且價格便宜。具體為，改善了氟化物配方，因此所述MPI薄膜可傳輸10-15GHz的高頻信號。採用所述MPI薄膜作為本實施例製備高頻線路板材料層結構所需基材，特別適用於製備柔性線路板，達到高速、平穩接收及傳送資訊的目的，終端應用如5G手機、高頻信號傳輸領域、自動駕駛、雷達、雲伺服器和智慧家居等。

通過測速，MPI薄膜的技術指標為：

由上述可知，所述MPI薄膜具有以下特性：(1)低Dk值、低Df值；(2)優異的耐熱老化性；(3)優異的尺寸穩定性；(4)優良的耐化性。

因此，採用所述MPI薄膜作為本實施例製備高頻線路板材料層結構所需基材，不但可提高線路板整體性能的穩定性與尺寸穩定性，而且可傳輸高頻信號、及加快高頻信號的傳送速率，降低耗電量及高頻信號傳輸損耗，提高線路板的信號傳輸性能，可適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢，特別適用於新型5G科技產品。

LCP全稱為液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)，是一種新型熱塑性有機材料，在熔融態時一般呈現液晶性。所述LCP薄膜為液晶聚合物薄膜，所述LCP薄膜具備高強 度、高剛性、耐高溫、熱穩定性、可彎折性、尺寸穩定性、良好的電絕緣性等性能，相較於所述PI薄膜，具備更好的耐水性，因此是一種比所述PI薄膜更優異的薄膜型材料。所述LCP薄膜可在保證較高可靠性的前提下實現高頻高速軟板。所述LCP薄膜具有以下優異的電學特徵：(1)在高達110GHz的全部射頻範圍幾乎能保持恒定的介電常數，一致性好，介電常數Dk值具體為2.9；(2)正切損耗非常小，僅為0.002，即使在110GHz時也只增加到0.0045，非常適合毫米波應用；(3)熱膨脹特性非常小，可作為理想的高頻封裝材料。

採用所述LCP薄膜作為本實施例製備高頻線路板材料層結構所需基材，不但可提高線路板整體性能的穩定性與尺寸穩定性，而且由於所述LCP薄膜整體更平滑，所述LCP薄膜材料介質損耗與導體損耗更小，同時具備靈活性、密封性，可傳輸高頻信號、及加快高頻信號的傳送速率，提高線路板的信號傳輸性能，可適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢。

具體的，可有效提高線路板在工作狀態中傳達中心區域(晶片)下達指令的速度，快速的傳遞至各個部件，使設備(如手機、通訊基站設備)快速運作，而沒有遲鈍及死機卡死等現象出現，通訊過程整體流暢。因此，所述LCP薄膜具有很好的製造高頻器件應用前景，特別適用於新型5G科技產品。

同時，採用所述LCP薄膜作為基材製成的LCP軟板，具有更好的柔性性能，相比所述PI軟板可進一步提高空間利用率。柔性電子可利用更小的彎折半徑進一步輕薄化，因此對柔性的追求也是小型化的體現。以電阻變化大於10%為判斷依據， 同等實驗條件下，所述LCP軟板相比傳統的PI軟板可以耐受更多的彎折次數和更小的彎折半徑，因此所述LCP軟板具有更好的柔性性能和產品可靠性。優良的柔性性能使所述LCP軟板可以自由設計形狀，從而充分利用智慧手機中的狹小空間，進一步提高空間利用效率。

因此，採用所述LCP薄膜作為基材可製成小型化的高頻高速LCP軟板。

TFP(Trifluoropropene三氟丙烯)是一種獨特的熱塑性材料，相較於常規的PI材料，具有以下特性：(1)低介電常數：低Dk值，Dk值具體為2.55；而常規PI的Dk值為3.2；因此，信號傳播速度快，厚度更薄，間隔更緊密，功率處理能力更高；(2)超低的材料損耗；(3)超高溫性能，可耐受300℃的高溫；(4)吸濕率相對較低。

因此，採用所述TFP薄膜作為本實施例製備高頻線路板材料層結構所需基材，不但可提高線路板整體性能的穩定性與尺寸穩定性，而且可傳輸高頻信號、及加快高頻信號的傳送速率，降低耗電量及高頻信號傳輸損耗，提高線路板的信號傳輸性能，可適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢，特別適用於新型5G科技產品。

PTFE，中文名：聚四氟乙烯，別稱：特富龍、特氟龍、鐵氟龍、陶氟隆、德氟隆。聚四氟乙烯(PTFE)具有優異的介電性能，耐化學腐蝕，耐熱，阻燃，高頻率範圍內介電常數和介電損耗小且變化小。主要性能如下：1、電氣性能 (1)介電常數：2.1；(2)介電損耗：5×10^-4；(3)體積電阻：1018Ω．cm；2、化學性能：耐酸堿、耐有機溶劑、抗氧化；3、熱穩定性：在-200℃~260℃溫度範圍內長期工作；4、阻燃性：UL94V-0；5、耐候性：戶外20年以上不會有機械性能的明顯損失；因此，採用所述PTFE薄膜作為本實施例製備高頻線路板材料層結構所需基材，不但可提高線路板整體性能的穩定性與尺寸穩定性，而且可傳輸高頻信號、及加快高頻信號的傳送速率，降低耗電量及高頻信號傳輸損耗，提高線路板的信號傳輸性能，可適應當前從無線網路到終端應用的高頻高速趨勢，特別適用於新型5G科技產品。

5G基站的集成化使得高頻覆銅板的需求增長迅速，聚四氟乙烯作為5G高頻高速覆銅板的主流高頻基材之一，在5G時代將迎來巨大的市場增長。

由此可知，採用上述PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜五者中任意一者作為本實施例製備高頻線路板新型材料層結構所需基材，都特別適合於柔性線路板，特別是所述MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜，不但可以提高柔性線路板的整體性能，還具有高頻特性，可大幅加快高頻信號的傳輸，實現高頻信號的高速傳輸，降低耗電量及高頻信號傳輸損耗，特別適用於新型5G科技產品。

具體的，在所述步驟中，所述合成液態高頻材料層為合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄 膜、合成液態PTFE薄膜、合成液態LDK高頻功能膠、或液態LDK高頻功能膠與液態抗銅離子遷移膠的合成液態混合物。經過隧道烤爐高溫烘烤後，所述合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜、合成液態PTFE薄膜、合成液態LDK高頻功能膠、或液態LDK高頻功能膠與液態抗銅離子遷移膠的合成液態混合物分別變為半固化MPI薄膜、半固化LCP薄膜、半固化TFP薄膜、半固化PTFE薄膜、半固化LDK高頻功能膠、半固化LDK高頻功能膠與該抗銅離子遷移膠的混合物。

由上述可知，該半固化MPI薄膜、半固化LCP薄膜、半固化TFP薄膜與該半固化PTFE薄膜均為可加快信號傳輸頻率與速度，傳輸高頻信號，提高線路板信號傳輸性能的高頻薄膜材料，不但可以提高柔性線路板的整體性能，還具有高頻特性，可大幅加快高頻信號的傳輸，實現高頻信號的高速傳輸，特別適用於新型5G科技產品。

而對於該合成液態LDK(Low-Dk低介電常數)高頻功能膠，通過在液態AD(Adhesive粘合劑)膠，為中添加鐵弗龍或LCP材料獲得。使得該半固化LDK高頻功能膠內部分子分佈更緊密、均勻，且不消耗能量，LDK高頻功能膠具有提高信號傳輸頻率、及抗磁性干擾功能，以提高電路板的信號傳輸性能，具體的，可有效提高電路板在工作狀態中傳達中心區域(晶片)下達指令的速度，快速的傳遞至各個部件，使設備(如手機、通訊基站設備)快速運作，而沒有遲鈍及死機卡死等現象出現，使新型5G科技產品通訊過程整體流暢。

而對於液態抗銅離子遷移膠，通過在液態AD膠中添加銅離子捕捉劑等試劑，然後再高度提純獲得。具體的，該液態AD膠可以為常規AD膠。該銅離子捕捉劑可選用無機離子交換劑 (例如，IXE-700F、IXE-750等)，該無機離子交換劑具有捕獲銅離子的能力，可防止銅離子從線路與線路之間遷移，往該AD膠中添加銅離子捕捉劑後，該銅離子捕捉劑對該AD膠的性能無影響，反而可以提高該AD膠的性能穩定性。常規的AD膠中含有環氧樹脂、增粘劑、增塑劑與各種填料，通過高度提純工藝後，可使該AD膠中的環氧樹脂成分的純度提高，則線路與線路之間的銅離子從該AD膠中遷移的可能性明顯降低，起到抗銅離子遷移的目的。具體的，常規AD膠中兩兩成分之間具有一定的間隙，銅離子可通過間隙發生遷移，而對常規AD膠進行提純環氧樹脂濃度提高後，別的成分濃度明顯降低，環氧樹脂與別的成分之間存在的間隙大幅減小，由此，可供銅離子遷移的間隙減小，從而達到抗銅離子遷移的目的。由於抗銅離子遷移膠具有低粒子材料抗銅離子遷移功能，可有效保證在工作狀態中線路能夠安全有效工作，線路與線路之間不會出現離子遷移現象，防止在設備使用過程中出現線路與線路之間導通碰撞造成電路短路及燃燒起火***等危險，從而線路起到很好的防護及保護作用。

當合成液態高頻材料層為液態LDK高頻功能膠與液態抗銅離子遷移膠的合成液態混合物時，只要將液態LDK高頻功能膠與液態抗銅離子遷移膠混合即可，使得半固化高頻材料層同時具有高速傳輸高頻信號與抗銅離子遷移性能。

在本實施例中，所述合成液態薄膜與合成液態高頻材料層可以為同一種材質，也可以為不同種材質。例如：該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為薄膜類，或者該合成液態薄膜為薄膜類，該合成液態高頻材料層為膠類。當該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為薄膜類時，最優方式為，該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為MPI薄膜，或該合成液態 薄膜與該合成液態高頻材料層都為LCP薄膜，或該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為TFP薄膜，或該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為PTFE薄膜。

在所述步驟三中，所述合成液態高頻材料層與該合成液態薄膜可以為材料本身的顏色，也可以為透明色。

當然，還可以在該合成液態高頻材料層與該合成液態薄膜中至少有一者中添加有色填充劑，具體的，有色填充劑可以為碳化物或其他有色填充劑。該合成液態高頻材料層(具體可以為合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜、合成液態PTFE薄膜、合成液態LDK高頻功能膠、或液態LDK高頻功能膠與液態抗銅離子遷移膠的合成液態混合物)與該合成液態薄膜(具體可以為合成液態PI薄膜、合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜與與合成液態PTFE薄膜中的任意一種)中添加了有色填充劑之後，可呈現出黑色。不管是將本實施例製備出的高頻線路板材料層結構製作成單層線路板、多層柔性線路板，還是多層軟硬結合板，黑色的半固化高頻材料層與固化薄膜對線路都具有遮擋作用，可防止內部線路暴露出來，防止外人從外部看對內部線路，起到隱蔽及保護線路板上線路的作用；同時，對於有雜質或瑕疵的線路板或線路，起到遮瑕的作用。

本實施例還提供了實施上述方法製備出的高頻線路板材料層結構，如圖1所示，包括由下至上依次層疊設置的一下銅箔層1、一固化薄膜層2與一半固化高頻材料層3。

具體的，所述固化薄膜層2為PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜中的任意一種。採用PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜五者中任意一者作為本實施例高頻線路板材料層結構的基材，都特別適合於柔性線路板，特 別是MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜，不但可以提高柔性線路板的整體性能，還具有高頻特性，可大幅加快高頻信號的傳輸，實現高頻信號的高速傳輸，特別適用於新型5G科技產品。

具體的，所述半固化高頻材料層3為MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、LDK高頻功能膠、或LDK高頻功能膠與抗銅離子遷移膠的混合物。MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜與LDK高頻功能膠均可加快信號傳輸頻率與速度，傳輸高頻信號，提高線路板信號傳輸性能，不但可以提高柔性線路板的整體性能，還具有高頻特性，可大幅加快高頻信號的傳輸，實現高頻信號的高速傳輸，特別適用於新型5G科技產品。而LDK高頻功能膠與抗銅離子遷移膠的混合物同時具有高速傳輸高頻信號與抗銅離子遷移性能。

在本實施例中，所述固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3可以為同一種材質，也可以為不同種材質。例如：固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3都為薄膜類，或者該固化薄膜層2為薄膜類，該半固化高頻材料層3為膠類。當該固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3都為薄膜類時，最優方式為，該固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3都為MPI薄膜，或該固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3都為LCP薄膜，或該固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3都為TFP薄膜，或該固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3都為PTFE薄膜。

具體的，所述固化薄膜層2與該半固化高頻材料層3中至少有一者為有色層。具體可以為黑色，有色層對內部線路起到遮擋、保護、遮瑕等作用。

本實施例在所述半固化高頻材料層3上設置有一離型層4，該離型層4為離型紙或PET離型膜，對該半固化高頻材料 層3進行保護，在後續加工時，將該離型層4剝離即可。

實施例二：

本實施例與實施例一的主要區別在於：所述步驟(四)還包括以下步驟：在該半固化高頻材料層3背面上熱壓一上銅箔層，該半固化高頻材料層固化，與該固化薄膜合為一體，形成高頻線路板新型雙面材料層結構。而不在該半固化高頻材料層背面上敷上離型紙或PET離型膜之離型層4。

同時，本實施例所述合成液態高頻材料層與該合成液態薄膜的材料相同。因此，在所述合成液態薄膜為PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜中的任意一種的情況下，該合成液態高頻材料層也為相對應的材料。例如：該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為MPI薄膜，或該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為LCP薄膜，或該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為TFP薄膜，或該合成液態薄膜與該合成液態高頻材料層都為PTFE薄膜。

因此，由上述方法可製備出高頻線路板雙面新型材料層結構，在所述半固化高頻材料層3上熱壓有一上銅箔層5，如圖2所示，形成線路板新型雙面材料層結構。同時，該半固化高頻材料層3與該固化薄膜層2材料相同，均為薄膜類。由於熱壓上了該上銅箔層5，則該半固化高頻材料層3固化，與該固化薄膜層2合為一體，即合為一合成薄膜層2'。

以上所述，僅是本新型的較佳實施例而已，並非對本新型的技術範圍作任何限制，故採用與本新型上述實施例相同或近似的技術特徵，而得到的其他結構，均在本新型的保護範圍之內。

1:下銅箔層

2:固化薄膜層

3:半固化高頻材料層

4:離型層

Claims (18)

1. 一種高頻線路板材料層結構，包括由下至上依次層疊設置的一下銅箔層、一固化薄膜層與一半固化高頻材料層。
2. 如請求項1所述的高頻線路板材料層結構，所述固化薄膜層為PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜與PTFE薄膜中的任意一種。
3. 如請求項1所述的高頻線路板材料層結構，所述半固化高頻材料層為MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、LDK高頻功能膠、或LDK高頻功能膠與抗銅離子遷移膠的混合物。
4. 如請求項1所述的高頻線路板材料層結構，在所述半固化高頻材料層上設置有一離型層，該離型層可為離型紙或PET離型膜。
5. 如請求項1所述的高頻線路板材料層結構，在所述半固化高頻材料層上熱壓有一上銅箔層，該半固化高頻材料層與該固化薄膜層材料相同，且該半固化高頻材料層與該固化薄膜層合為一體。
6. 如請求項1所述的高頻線路板材料層結構，所述固化薄膜層與該半固化高頻材料層中至少有一者為有色層。
7. 如請求項1所述的高頻線路板材料層結構，其中該高頻線路板材料層結構的製造方法，包含下列步驟：步驟一，將銅箔放到塗布機上，以該銅箔為基底形成一下銅箔層，在該下銅箔層上塗布合成液態薄膜；步驟二，將塗布有該合成液態薄膜的下銅箔層送至隧道烤爐內，並以0.5-20m/s的速度依次經過隧道烤爐內的數段加熱烘烤區進行分段烘烤，使在該下銅箔層上形成一固化薄膜層，獲得 單面板；步驟三，將該單面板放到塗布機上，在該單面板的固化薄膜層上塗覆上一層合成液態高頻材料層；步驟四，將塗覆有該合成液態高頻材料層的單面板送至該隧道烤爐內，並以0.5-20m/s的速度依次經過隧道烤爐內的數段加熱烘烤區進行分段烘烤，該單面板上的合成液態高頻材料層變成一半固化高頻材料層，獲得高頻線路板新型材料層結構。
8. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，所述步驟四還包括以下步驟：在所述半固化高頻材料層背面敷上一離型層，該離型層為離型紙或PET離型膜。
9. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，在所述步驟一中，所述合成液態薄膜為合成液態PI薄膜、合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜與合成液態PTFE薄膜中的任意一種。
10. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，在所述步驟三中，所述合成液態高頻材料層為合成液態MPI薄膜、合成液態LCP薄膜、合成液態TFP薄膜、合成液態PTFE薄膜、合成液態LDK高頻功能膠、或液態LDK高頻功能膠與液態抗銅離子遷移膠的合成液態混合物。
11. 如請求項10所述的高頻線路板材料層結構，所述合成液態LDK高頻功能膠通過在液態AD膠中添加鐵弗龍或LCP材料獲得，所述液態抗銅離子遷移膠通過在液態AD膠中添加銅離子捕捉劑，然後再高度提純獲得。
12. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，在所述步驟二中，所述隧道烤爐內的數段加熱烘烤區至少包括一段加熱烘烤區、二段加熱烘烤區、三段加熱烘烤區、四段加熱烘烤區、 五段加熱烘烤區與六段加熱烘烤區，一段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃，二段加熱烘烤區的溫度範圍100℃-200℃，三段加熱烘烤區的溫度範圍為200℃-300℃，四段加熱烘烤區的溫度範圍為300℃-400℃，五段加熱烘烤區的溫度範圍400℃-500℃，六段加熱烘烤區的溫度範圍60℃-100℃。
13. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，在所述步驟四中，所述隧道烤爐內的數段加熱烘烤區至少包括一段加熱烘烤區、二段加熱烘烤區、三段加熱烘烤區、四段加熱烘烤區、五段加熱烘烤區與六段加熱烘烤區，一段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃，二段加熱烘烤區的溫度範圍為100℃-200℃，三段加熱烘烤區的溫度範圍為200℃-300℃，四段加熱烘烤區的溫度範圍為300℃-400℃，五段加熱烘烤區的溫度範圍為400℃-500℃，六段加熱烘烤區的溫度範圍為60℃-100℃。
14. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，在所述步驟二與步驟四中，每段加熱烘烤區的長度均為2-6m。
15. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，在所述步驟三中，所述合成液態高頻材料層與合成液態薄膜中至少有一者中添加有有色填充劑。
16. 如請求項15所述的高頻線路板材料層結構，所述有色填充劑為碳化物。
17. 如請求項7所述的高頻線路板材料層結構，所述步驟四還包括以下步驟：在所述半固化高頻材料層背面上熱壓一上銅箔層，使該半固化高頻材料層固化，與該固化薄膜層合為一體，形成高頻線路板雙面材料層結構。
18. 如請求項17所述的高頻線路板材料層結構，所述合成液態高頻材料層與該合成液態薄膜的材料相同。

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